知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024174845
(43)【公開日】2024-12-17
(54)【発明の名称】半導体素子配列構造及びその作製方法
(51)【国際特許分類】
H01L 33/62 20100101AFI20241210BHJP
【ＦＩ】
H01L33/62
【審査請求】未請求
【請求項の数】10
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2024090468
(22)【出願日】2024-06-04
(31)【優先権主張番号】63/471,082
(32)【優先日】2023-06-05
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(71)【出願人】
【識別番号】598061302
【氏名又は名称】晶元光電股▲ふん▼有限公司
【氏名又は名称原語表記】Ｅｐｉｓｔａｒ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ
【住所又は居所原語表記】２１，Ｌｉ－ｈｓｉｎ Ｒｄ．，Ｓｃｉｅｎｃｅ－ｂａｓｅｄ Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ Ｐａｒｋ，Ｈｓｉｎｃｈｕ ３００，ＴＡＩＷＡＮ
(74)【代理人】
【識別番号】110002871
【氏名又は名称】弁理士法人坂本国際特許商標事務所
(72)【発明者】
【氏名】リャオ、シー－アン
(72)【発明者】
【氏名】チェン、ウェイ－ユ
(72)【発明者】
【氏名】タン、リ－シェン
(72)【発明者】
【氏名】ウー、チュン－イェン
(72)【発明者】
【氏名】カオ、クン－ウェイ
(72)【発明者】
【氏名】レン イー－ホア
(72)【発明者】
【氏名】チャン ジア－シン
(72)【発明者】
【氏名】フー ウェイ－シャン
(72)【発明者】
【氏名】チェン チン－タイ
(72)【発明者】
【氏名】シエ ミン－スン
(72)【発明者】
【氏名】シャオ チャン－タイ
【テーマコード（参考）】
5F142
【Ｆターム（参考）】
5F142AA54
5F142BA32
5F142CA11
5F142CD02
5F142FA32
5F142GA01
(57)【要約】
【課題】半導体素子配列構造の提供。
【解決手段】この構造は、基板、粘着構造、及び第１半導体素子を含む。基板は上表面を有し、粘着構造は上表面上に位置するとともに、第１凹入領域を有し、第１半導体素子は、粘着層に対向する下表面及び下表面の下で第１凹入領域中に位置する導電性バンプを含み、導電性バンプは、第１部分及び第２部分を含み、下表面は、粘着構造に接触せず、第１部分は、第１凹入領域に直接接触し、第２部分は、第１凹入領域に直接接触しない。
【選択図】図１１Ｂ
【解決手段】この構造は、基板、粘着構造、及び第１半導体素子を含む。基板は上表面を有し、粘着構造は上表面上に位置するとともに、第１凹入領域を有し、第１半導体素子は、粘着層に対向する下表面及び下表面の下で第１凹入領域中に位置する導電性バンプを含み、導電性バンプは、第１部分及び第２部分を含み、下表面は、粘着構造に接触せず、第１部分は、第１凹入領域に直接接触し、第２部分は、第１凹入領域に直接接触しない。
【選択図】図１１Ｂ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
上表面を有する基板と、
前記上表面上に位置するとともに、第１凹入領域を有する粘着構造と、
第１半導体素子であって、
前記粘着構造に対向する下表面と、
前記下表面の下かつ前記第１凹入領域中に位置するとともに、第１部分及び第２部分を含む導電性バンプとを含む第１半導体素子と、を含む半導体素子配列構造であって、
前記下表面は前記粘着構造に接触せず、
前記第１部分は前記第１凹入領域に直接接触し、前記第２部分は前記第１凹入領域に直接接触しない、半導体素子配列構造。
前記上表面上に位置するとともに、第１凹入領域を有する粘着構造と、
第１半導体素子であって、
前記粘着構造に対向する下表面と、
前記下表面の下かつ前記第１凹入領域中に位置するとともに、第１部分及び第２部分を含む導電性バンプとを含む第１半導体素子と、を含む半導体素子配列構造であって、
前記下表面は前記粘着構造に接触せず、
前記第１部分は前記第１凹入領域に直接接触し、前記第２部分は前記第１凹入領域に直接接触しない、半導体素子配列構造。
【請求項2】
第２半導体素子を更に含み、かつ、前記第２半導体素子は導電性ボンディングパッドを含み、前記粘着構造は第２凹入領域を更に有し、断面図において、前記導電性ボンディングパッドは前記第２凹入領域と略同一の輪郭を有する、請求項１に記載の半導体素子配列構造。
【請求項3】
前記導電性ボンディングパッドは第１外表面を有し、前記導電性バンプは第２外表面を有し、かつ、前記第１外表面は、凹部、前記第２外表面よりも粗いテクスチャまたは両者を有する、請求項２に記載の半導体素子配列構造。
【請求項4】
前記粘着構造は、互いに分離した第１粘着構造及び第２粘着構造を含み、かつ、前記第１半導体素子が前記第１粘着構造上に配置され、前記第２半導体素子が前記第２粘着構造上に配置される、請求項２に記載の半導体素子配列構造。
【請求項5】
前記第１粘着構造は第１最大幅を有し、前記第１半導体素子は第２最大幅を有し、かつ、前記第１最大幅は前記第２最大幅と略同等である、請求項１に記載の半導体素子配列構造。
【請求項6】
上表面を有する基板と、
前記上表面上に位置する粘着構造と、
前記粘着構造上に配置される第１半導体素子及び第２半導体素子と、を含む半導体素子配列構造を提供し、
前記第１半導体素子に、前記第１半導体素子と前記粘着構造との間の接触面積を低減可能とさせ、
移転構造を提供すると同時に、前記第１半導体素子及び前記第２半導体素子に接触させ、
前記移転構造を移動させて、前記第１半導体素子を前記移転構造まで搬送させる、半導体素子配列構造の作製方法。
前記上表面上に位置する粘着構造と、
前記粘着構造上に配置される第１半導体素子及び第２半導体素子と、を含む半導体素子配列構造を提供し、
前記第１半導体素子に、前記第１半導体素子と前記粘着構造との間の接触面積を低減可能とさせ、
移転構造を提供すると同時に、前記第１半導体素子及び前記第２半導体素子に接触させ、
前記移転構造を移動させて、前記第１半導体素子を前記移転構造まで搬送させる、半導体素子配列構造の作製方法。
【請求項7】
開口を有するフォトマスクを提供することを更に含み、レーザエネルギを提供して前記開口を介して前記第１半導体素子に印加する、請求項６に記載の半導体素子配列構造の作製方法。
【請求項8】
前記第１半導体素子は導電性ボンディングパッドを含み、前記第１半導体素子に印加するステップの後、前記導電性ボンディングパッドの形状は改変される、請求項６に記載の半導体素子配列構造の作製方法。
【請求項9】
前記第１半導体素子は下表面を含み、前記第１半導体素子に印加するステップの後、前記下表面は前記粘着構造と分離する、請求項６に記載の半導体素子配列構造の作製方法。
【請求項10】
前記移転構造を移動することを更に含み、前記移転構造から前記第１半導体素子をターゲット基板まで搬送させる、請求項６に記載の半導体素子配列構造の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、半導体素子配列構造に関するものであり、特に、導電性バンプを有する発光ダイオードの配列構造及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【0002】
発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ－ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ、ＬＥＤ）結晶子（チップ）は、低エネルギ消費、長寿命、小型、速い応答速度、安定した光出力などの特性を有する半導体素子に属しており、照明やディスプレイの分野で広範に応用されている。
【0003】
科学技術の不断の進化に伴い、ＬＥＤチップの輝度は不断に向上しており、ＬＥＤチップの寸法は例えば１００μｍ未満、５０μｍ未満、または３０μｍ未満と徐々に縮小されており、ＬＥＤチップの用途はもはや一般照明またはＬＣＤスクリーンのバックライト光源として限定されていない。ＬＥＤチップは直接ＬＥＤディスプレイの画素となり、次世代ディスプレイのトレンドになる可能性がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
ＬＥＤディスプレイは、数百万、場合によっては数千万のＬＥＤチップにより構成される。このように膨大な数量ＬＥＤチップをディスプレイパネル上に正確に配置するためには、高速で信頼性の高いチップ搬送技術が必要である。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本開示の実施例では、半導体素子配列構造が提供されている。この構造は、基板、粘着構造、及び第１半導体素子を含む。基板は上表面を有し、粘着構造は上表面上に位置するとともに、第１凹入領域を有し、第１半導体素子は、粘着層に対向する下表面及び下表面の下で第１凹入領域中に位置する導電性バンプを含み、導電性バンプは、第１部分及び第２部分を含み、下表面は、粘着構造に接触せず、第１部分は、第１凹入領域に直接接触し、第２部分は、第１凹入領域に直接接触しない。
【0006】
本開示の別の実施例では、半導体素子配列構造の作製方法が提供されており、半導体素子配列構造を提供することを含み、この半導体素子配列構造は、基板、粘着構造、第１半導体素子、及び第２半導体素子を含む。基板は上表面を有し、粘着構造は上表面上に位置し、第１半導体素子及び第２半導体素子は粘着構造上に配置され、第１半導体素子に第１半導体素子と粘着構造との間の接触面積を低減させることが可能であり、第１半導体素子及び第２半導体素子に同時に接触する移転構造、及び第１半導体素子を移転構造まで搬送させる移動移転構造が提供される。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1A】本開示の実施例における半導体素子配列構造の上面図である。
【図1C】本開示の別の実施例における半導体素子配列構造の上面図である。
【図1E】本開示の別の実施例における半導体素子配列構造の断面図である。
【図2A】本開示の実施例における半導体素子の立体図である。
【図2C】本開示の別の実施例における半導体素子の断面図である。
【図2D】本開示の別の実施例における半導体素子の立体図である。
【図3A】本開示の実施例における半導体素子の上面図である。
【図4A】本開示の別の実施例における半導体素子配列構造の断面図である。
【図4D】本開示の別の実施例における半導体素子配列構造の断面図である。
【図4E】本開示の別の実施例における半導体素子配列構造の断面図である。
【図5A】本開示の１つの実施例における半導体素子を移転する流れ図である。
【図5B】本開示の１つの実施例における半導体素子を移転する流れ図である。
【図5C】本開示の１つの実施例における半導体素子を移転する流れ図である。
【図5D】本開示の１つの実施例における半導体素子を移転する流れ図である。
【図6A】本開示の別の実施例における半導体素子を移転する流れ図である。
【図6B】本開示の別の実施例における半導体素子を移転する流れ図である。
【図6C】本開示の別の実施例における半導体素子を移転する流れ図である。
【図7A】本開示の実施例における半導体素子を作製する流れ図である。
【図7B】本開示の実施例における半導体素子を作製する流れ図である。
【図7C】本開示の実施例における半導体素子を作製する流れ図である。
【図7D】本開示の実施例における半導体素子を作製する流れ図である。
【図8A】本開示の別の実施例における半導体素子を作製する流れ図である。
【図8B】本開示の別の実施例における半導体素子を作製する流れ図である。
【図8C】本開示の別の実施例における半導体素子を作製する流れ図である。
【図8D】本開示の別の実施例における半導体素子を作製する流れ図である。
【図9A】本開示の別の実施例における半導体素子の立体図である。
【図10A】本開示の別の実施例における半導体素子を移転する流れ図である。
【図10B】本開示の別の実施例における半導体素子を移転する流れ図である。
【図10C】本開示の別の実施例における半導体素子を移転する流れ図である。
【図10D】本開示の別の実施例における半導体素子を移転する流れ図である。
【図10E】本開示の別の実施例における半導体素子を移転する流れ図である。
【図12A】本開示の別の実施例における半導体素子を移転する流れ図である。
【図12B】本開示の別の実施例における半導体素子を移転する流れ図である。
【図12C】本開示の別の実施例における半導体素子を移転する流れ図である。
【図12D】本開示の別の実施例における半導体素子を移転する流れ図である。
【図13A】本開示の別の実施例における半導体素子を移転する流れ図である。
【図13B】本開示の別の実施例における半導体素子を移転する流れ図である。
【図13C】本開示の別の実施例における半導体素子を移転する流れ図である。
【図14】本開示の別の実施例における半導体素子配列構造の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下の実施例では、図面を添付して本開示の概念を説明しているが、図面または説明において、類似または同一の部分には同一の符号が使用されており、かつ、図面においては、素子の形状、厚みまたは高さは合理的な範囲内において拡大または縮小可能である。本開示で列挙される各実施例は、本開示を説明するためにのみ使用されるとともに、本開示の範囲を限定することを意図するものではない。本開示に対して行われた明らかかつ知悉が容易な修飾または変更は、いずれも本開示の精神及び範囲から逸脱するものではない。
【0009】
図１Ａは、本開示の実施例に基づく半導体素子配列構造１０００の上面図である。半導体素子配列構造１０００は、基板１０上にアレイ状に配列された複数の半導体素子１を含む。半導体素子１は、発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ－Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ、ＬＥＤ）、レーザダイオード（Ｌａｓｅｒ Ｄｉｏｄｅ、ＬＤ）、またはトランジスタ（Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）とすることができる。半導体素子配列構造１０００は、単一種類、または異なる種類の半導体素子１により構成することができる。基板１０は、半導体素子１をエピタキシャル成長させるための成長基板、または半導体素子１を載置するための一時的な担体（非成長基板）として用いることができる。基板１０の材料には、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）、インジウムリン（ＩｎＰ）、サファイア（Ｓａｐｐｈｉｒｅ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、シリコン（Ｓｉ）、アルミン酸リチウム（ＬｉＡｌＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、金属、ガラス、熱剥離テープ（Ｔｈｅｒｍａｌ Ｒｅｌｅａｓｅ Ｔａｐｅ）、光分解性粘着フィルム（ＵＶ ｒｅｌｅａｓｅ ｔａｐｅ）、化学的除去テープ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｒｅｌｅａｓｅ Ｔａｐｅ）、耐熱テープ、青色テープ（Ｂｌｕｅ Ｔａｐｅ）、または動的剥離層付きテープ（Ｄｙｎａｍｉｃ Ｒｅｌｅａｓｅ Ｌａｙｅｒ、ＤＲＬ）が含まれるが、これらに限定されない。各半導体素子１は、基板１０から離間した側に、外部回路（例えば、回路基板、バックプレーンなど）と電気的及び物理的に接続するための一対の導電性バンプ２ａ、２ｂを有する。図１Ａに示されている通り、導電性バンプ２ａ、２ｂの投影形状は略長方形である。
【0010】
図１Ｂは、図１Ａにおける線分Ａ－Ａ’の断面図である。半導体素子１は、基板１０から離間した側に一対の電極３ａ、３ｂを有する。導電性バンプ２ａ、２ｂは、それぞれ電極３ａ、３ｂ上に直接設置される。導電性バンプ２ａ、２ｂの上表面は円弧状であり、かつ、電極３ａ、３ｂの上表面と非平行である。
【0011】
導電性バンプ２ａ、２ｂと電極３ａ、３ｂとに異なる材料を選択することが、特に好ましい。電極３ａ、３ｂの材質には、金属、例えば、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、またはその合金、もしくはその積層組合せが含まれる。導電性バンプ２ａ、２ｂの材料には、低融点の金属または低液化温度（Ｌｉｑｕｉｄｕｓ Ｍｅｌｔｉｎｇ Ｐｏｉｎｔ）の合金（電極３ａ、３ｂの材料と比較して）を含むことができ、その融点または液化温度は２１０℃未満であり、例えば、ビスマス（Ｂｉ）、スズ（Ｓｎ）、インジウム（Ｉｎ）、またはそれらの合金である。１つの実施例において、低融点金属の融点または低液化融点合金の液化温度は１７０℃よりも低い。低液化温度合金の材料は、スズ・インジウム合金またはスズ・ビスマス合金とすることができる。
【0012】
図１Ｃは、本開示の別の実施例に基づく半導体素子配列構造１００１の上面図である。半導体素子配列構造１００１は、基板１０上に所定のパターンで配列された複数の半導体素子１を含む。基板１０は、略円形の外形を有しており、基板１０の材料については、前記関連する段落を参照することができる。図１Ｄは、図１Ｃにおける線分Ａ－Ａ’の断面図である。１つの実施例においては、各半導体素子１と基板１０との間に副粘着構造４を有し、半導体素子１は副粘着構造４を介して基板１０上に仮固定される。半導体素子１は、基板１０から離間した側に一対の電極３ａ、３ｂを有し、導電性バンプ２ａ、２ｂはそれぞれ電極３ａ、３ｂ上に直接設置される。導電性バンプ２ａ、２ｂの上表面は円弧形である。粘着構造４は、ポリマー、例えば、ポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ、ＰＩ）、アクリル系樹脂（Ａｃｒｙｌｉｃ ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（Ｅｐｏｘｉｄｅ ｒｅｓｉｎ、ＥＰＯ）、ポリベンゾオキサゾール（Ｐｏｌｙｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｅ、ＰＢＯ）、シリコーン樹脂（Ｐｏｌｙｓｉｌｏｘａｎｅ）、ポリシクロオレフィン（Ｃｙｃｌｉｃ Ｏｌｅｆｉｎ Ｐｏｌｙｍｅｒ、ＣＯＰ）、またはベンゾシクロブタン（Ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔａｎｅ、ＢＣＢ）により構成することができ、導電性バンプ２ａ、２ｂ、及び電極３ａ、３ｂの材料については、前記関連する段落を参照することができる。
【0013】
図１Ｄに示されている通り、副粘着構造４の外側縁４２は、半導体素子１の最外側縁１９と略面一である。副粘着構造４の厚みＨ４は、約２～３μｍまたは１～１０μｍである。つまり、副粘着構造４は最大幅Ｗ５を有し、半導体素子１は最大幅Ｗ６を有しており、Ｗ５はＷ６と略同一である。別の実施例において、外側縁４２は半導体素子１の最外側縁１９と面一ではなく、副粘着構造４は半導体素子１の最外側縁１９に対して凹入または外に凸とすることができる。つまり、Ｗ５はＷ６より小さくても大きくてもよい。
【0014】
図１Ｅは、本開示の別の実施例における半導体素子配列構造１００３の断面図である。半導体素子配列構造１００３は、基板１０上に所定のパターンで配列された複数の半導体素子１を含む。半導体素子１と基板１０との間に粘着構造４’を有する。半導体素子１は、粘着構造４’を介して基板１０上に仮固定される。半導体素子１は、基板１０から離間した側に一対の電極３ａ、３ｂを有する。導電性バンプ２ａ、２ｂは、それぞれ電極３ａ、３ｂ上に直接設置される。
【0015】
図１Ｅに示されている通り、粘着構造４’は、高台部４３及び連続部４４を有する。連続部４４は、連続した構造であるとともに、基板１０上に連続的に分布して、すべての半導体素子１の下方及び隣接する２つの半導体素子１の間の領域を通過する。高台部４３は、半導体素子１と隣接する２つの連続部４４との間に位置するとともに、単一の半導体素子１に接触するように上方に突出している。１つの実施例において、高台部４３の外側縁４２は、半導体素子１の最外側縁１９と面一または近接している。高台部４３は、約２～３μｍの厚みＨ４を有する。連続部４４は、約０～１μｍ未満の厚みＨ５を有する。つまり、高台部４３は最大幅Ｗ５を有し、半導体素子１は最大幅Ｗ６を有しており、Ｗ５はＷ６と略同一である。別の実施例において、外側縁４２は半導体素子１の最外側縁１９と面一ではなく、高台部４３は半導体素子１の最外側縁１９に対して凹入または外に凸とすることができる。つまり、Ｗ５はＷ６より小さくても大きくてもよい。
【0016】
図２Ａは、本開示の実施例における半導体素子１の立体図である。半導体素子１の最大辺長さは、１００μｍを超えないか、または５０μｍである。例えば、半導体素子１の最大辺長さは、約４０μｍ、幅は約２０μｍである。導電性バンプ２ａ、２ｂは、相反する極性（例えば、正極、負極）を有し、かつ、それらの間の最小水平距離Ｄは４０μｍ未満であり、例えば、半導体素子の最大辺長さは約４０μｍ、Ｄは約１５μｍである。１つの実施形態において、導電性バンプ２ａ、２ｂは、下部電極（非表示）を完全に被覆しているとともに、外に凸の円弧形状及び頂部２１ａ、２１ｂを有する。図１Ａを参照すると、頂部２１ａ、２１ｂは、導電性バンプ２ａ、２ｂ及び／または電極の幾何学的中心にほぼ位置している。
【0017】
図２Ｂは、図２Ａにおける半導体素子１の線分Ｂ－Ｂ’に沿った断面図である。半導体素子１は、基板１０上に配置されるとともに、半導体重畳層１４、保護層１５、第１電極３ａ、第２電極３ｂ、第１導電性バンプ２ａ、及び第２導電性バンプ２ｂを有する。半導体重畳層１４の最外側縁１９は傾斜面であり、基板１０の上表面１０５１と垂直ではない。１つの実施例において、半導体素子１は、例えばＬＥＤチップであり、半導体重畳層１４は、第１半導体層１１、活性層１２、及び第２半導体層１３を含む。第１半導体層１１及び第２半導体層１３は、それぞれ電子、正孔を提供することができ、電子、正孔は活性層１２中で再結合（Ｒｅｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎ）して光を発出する。第１半導体層１１、活性層１２、及び第２半導体層１３は、ＩＩＩ－Ｖ族半導体材料、例えば、ＡｌｘＩｎｙＧａ（１－ｘ－ｙ）ＮまたはＡｌｘＩｎｙＧａ（１－ｘ－ｙ）Ｐ（式中、０≦ｘ、ｙ≦１、（ｘ＋ｙ）≦１）を含むことができる。活性層１２の材料に応じて、ＬＥＤチップは、ピーク値が６１０ｎｍ～６５０ｎｍの間の赤色光、ピーク値が５３０ｎｍ～５７０ｎｍの間の緑色光、ピーク値が５００ｎｍ～４８５ｎｍの間の青緑色光（Ｃｙａｎ）、ピーク値が４５０ｎｍ～４８５ｎｍの間の青色光、ピーク値が４００ｎｍ～４５０ｎｍの間の紫色光、またはピーク値が２８０ｎｍ～４００ｎｍの間の紫外線を発出することができる。半導体重畳層１４の最大厚みは、約１０μｍまたはそれ未満である。１つの実施例において、第１半導体層１１の下表面１７は基板１０と接触し、かつ、粗面であり、言い換えると、基板１０の第１半導体層１１の下表面１７と接触している上表面も粗面である。別の実施例において、第１半導体層１１の下表面１７は、略平坦な表面である（非表示）。また別の実施例において、基板１０は、半導体重畳層１４をエピタキシャル成長（Ｅｐｉｔａｘｉａｌｌｙ Ｇｒｏｗ）させるための成長基板（Ｇｒｏｗｔｈ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）であり、基板１０の半導体重畳層１４に対面するすべて上表面が粗面（非表示）、例えば、パターン化されたサファイア基板（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｓａｐｐｈｉｒｅ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ、ＰＳＳ）である。１つの実施例において、半導体素子１は、担体（非表示）を含み、担体は半導体重畳層１４の下に位置しているとともに、半導体重畳層１４を支持するために用いられ、担体は、半導体重畳層１４のエピタキシャル成長基板または非エピタキシャル成長基板とすることができ、担体の材料については、前記基板１０に関連する段落を参照することができ、材料の選択は理論及び実務の実行可能性に合致しているものとする。
【0018】
図２Ｂに示されている通り、半導体重畳層１４は、第１半導体層１１を活性層１２及び第２半導体層１３の外に露出させるためのプラットホーム１６を有する。保護層１５は、第２半導体層１３の上表面、第１半導体層１１の側壁、活性層１２の側壁、第２半導体層１３の側壁、及びプラットホーム１６中に位置する第１半導体層１１の上表面を被覆する。保護層１５は基板１０と直接接触することができる。別の実施例において、保護層１５は基板１０と直接接触しなくてもよい。保護層１５は、プラットホーム１６中に、第１半導体重畳層１１の一部を露出する第１開孔５ａを有する。孔保護層１５は、第２半導体層１３上に、第２半導体層１３の一部を露出する第２開孔５ｂを有する。第１電極３ａは、プラットホーム１６中に位置し、保護層１５の上に部分的に形成され、プラットホーム１６中に位置する保護層１５及び部分的にプラットホーム１６の外側に位置する保護層１５を有する。第１電極３ａは、第１開孔５ａ中に形成されるとともに、第１半導体層１１に電気的に接続される第１凹部６ａを有する。第１電極３ａは、プラットホーム１６の位置箇所に、階段状の外形を有する。第２電極３ｂは、第２開孔５ｂ以外の保護層１５上に位置する部分、及び第２開孔５ｂ中に形成されるとともに、第２半導体層１３に電気的に接続される第２凹部６ｂを有する。
【0019】
保護層１５は、単層または多層構造とすることができ、かつ、電気的絶縁の特性を有する。単層構造の材料には、酸化物、窒化物、またはポリマー（Ｐｏｌｙｍｅｒ）を含むことができる。酸化物には、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、二酸化チタン（ＴｉＯ２）、五酸化タンタル（Ｔａｎｔａｌｕｍ Ｐｅｎｔｏｘｉｄｅ、Ｔａ２Ｏ５）または酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）を含むことができる。窒化物には、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）を含むことができる。ポリマーには、ポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、またはベンゾシクロブタン（Ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔａｎｅ、ＢＣＢ）を含むことができる。多層構造の材料には、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、二酸化チタン（ＴｉＯ２）、五酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、または上記材料の組合せを含むことができる。多層構造は、ブラッグ反射器（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｂｒａｇｇ Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ、ＤＢＲ）を形成することもできる。
【0020】
図２Ｂを参照すると、第１導電性バンプ２ａは第１電極３ａの上に直接形成される。第１導電性バンプ２ａは、第１電極３ａの第１凹部６ａに完全または部分的に充填することができ、かつ、その最外表面２２ａは巨視的に平滑かつ外に凸の円弧状を有する。第１導電性バンプ２ａは、第１導電性バンプ２ａ及び基板１０から最も離間した領域である頂部２１ａを有する。図示されている通り、第１導電性バンプ２ａの最外表面２２ａは、第１導電性バンプ２ａの最下表面と平行であるが、第１電極３ａの上表面とは平行ではない何らの平面も有していない。第１半導体層１１の下表面１７は粗面であり、第１導電性バンプ２ａの最外表面２２ａの粗さは、第１半導体層１１の下表面１７の粗さよりも小さく、第１電極３ａの上表面の粗さよりも小さい。
【0021】
図２Ｂを参照すると、第２導電性バンプ２ｂは、第２電極３ｂの上方を直接被覆する。第２導電性バンプ２ｂは、第２電極３ｂの第２凹部６ｂに完全または部分的に充填することができ、かつ、その最外表面２２ｂは巨視的に平滑かつ外に凸の円弧状を有する。第２導電性バンプ２ｂは、第２導電性バンプ２ｂ及び基板１０から最も離間した領域である頂部２１ｂを有する。図示されている通り、第２導電性バンプ２ｂの最外表面２２ｂは、第２導電性バンプ２ｂの最下表面と平行であるが、第２電極３ｂの上表面とは平行ではない何らの平面も有していない。第２導電性バンプ２ｂの最外表面２２ｂの粗さは、第１半導体層１１の下表面１７の粗さよりも小さく、第２電極３ｂの上表面の粗さよりも小さい。一実施例としては、第１の導電性バンプ２ａの頂部２１ａと第２の導電性バンプ２ｂの頂部２１ｂは、ほぼ同一水平高さに位置していることが、半導体素子１の後続の基板上への安定的な固定にとって有利である。しかし、実際には、製造工程技術の許容下において、一定程度の高さの差異が存在することができる。第１導電性バンプ２ａ及び第２導電性バンプ２ｂの最下表面は、通常、共形的（Ｃｏｎｆｏｒｍａｌｌｙ）にそれぞれ第１電極３ａ及び第２電極３ｂ上に形成され、両者の最下点は往々にして同一水平高さには位置していない。図２Ｂを参照すると、第１導電性バンプ２ａの頂部２１ａから保護層１５の上表面１５１までの垂直距離を第１厚みＨ１として測定することができ、第１導電性バンプ２ａは、第１（最大）幅Ｗ１を有し、Ｈ１／Ｗ１は０．１～０．４の間、好ましくは０．１と０．２５の間である。第２導電性バンプ２ｂの頂部２１ｂから保護層１５の上表面１５１までの垂直距離を第２厚みＨ２として測定することができ、第２導電性バンプ２ｂは、第２（最大）幅Ｗ２を有し、Ｈ２／Ｗ２は０．１～０．４の間、好ましくは０．１と０．２５の間である。Ｈ１／Ｗ１及びＨ２／Ｗ２は同一であっても異なっていてもよい。第２導電性バンプ２ｂの第２厚みＨ２は、４～６μｍである。
【0022】
第１導電性バンプ２ａが第１電極３ａの第１凹部６ａ中に密実に充填されるほど、第２導電性バンプ２ｂが第２電極３ｂの第２凹部６ｂに密実に充填され、半導体素子１と回路基板（非表示）との間の物理的及び電気的接続の信頼性を向上させることができ、失効状況の発生確率が低下する。詳細に述べると、半導体素子１の構造が図２ｂに示されている通りであるが、導電性バンプ２ａ、２ｂがない場合は、半導体素子１を回路基板にハンダ付けして固定する際に、第１電極３ａと回路基板（非表示）との間に位置するハンダが想定外に第１凹部６ａ付近でホールを生じることがあり、第２電極３ｂと回路基板（非表示）との間に位置するハンダが想定外に第２凹部６ｂ付近でホールを生じることがある。これらのホールは、おそらく半導体素子１と回路基板との接合強度を低下させる。
【0023】
図２Ｃは、本開示の別の実施例に基づく半導体素子１の断面図である。導電性バンプの形成過程において熱処理ステップを有している場合は、特定の導電性バンプと電極の材料との選択・組合せ下において、導電性バンプには、おそらく熱処理ステップ後にその内部に離散的に分散した粒子７が形成される。図２Ｃと図２Ｂの差異は、第１導電性バンプ２ａ及び第２導電性バンプ２ｂ内に、離散的な分布、不規則な寸法、不規則な外形を有する粒子７が点在しており、粒子７の材質は導電性バンプ２ａ、２ｂと異なっていることのみであるが、電極３ａ、３ｂの一部の材料と同一であり、例えば、金、白金または前記材料の合金である。粒子７の外形は、帯状、多角形、葉片状、水滴状とすることができる。
【0024】
図２Ｄ～２Ｅは、本開示の別の実施例に基づく半導体素子１’の図であり、頂部２１ａ及び頂部２１ｂは同一水平高さに位置しておらず、頂部２１ａは頂部２１ｂよりもやや低い。図２Ｅは、図２Ｄにおける半導体素子１’の線分Ｂ－Ｂ’に沿った断面図である。導電性バンプ２ａはプラットホーム１６の上方に位置し、導電性バンプ２ａ及び導電性バンプ２ｂの体積が近似している場合は、一部の導電性バンプ２ａがプラットホーム１６を補填する必要があるため、導電性バンプ２ａに位置する頂部２１ａは導電性バンプ２ｂの頂部２１ｂよりもやや低くなる。１つの一実施例において、第１導電性バンプ２ａの第１厚みＨ１は、第２導電性バンプ２ｂの第２厚みＨ２よりも０．４～１μｍ小さい。
【0025】
図３Ａは、本開示の実施例に基づく半導体素子１の上面図である。図３Ｂは、図３Ａにおける半導体素子１の線分Ｃ－Ｃ’に沿った断面図である。図３Ｃは、図３Ａにおける半導体素子１の線分Ｄ－Ｄ’に沿った断面図である。半導体素子１は、半導体重畳層１４、電極３、及び半導体重畳層１４上に位置する導電性バンプ２を含む。図３Ａに示されている通り、導電性バンプ２及び電極３の投影形状は略長方形である。図３Ｂに示されている通り、導電性バンプ２の最外表面２２は、巨視的に平滑かつ外に凸の円弧状を有する。最外表面２２は電極３の上表面と互いに接触しており、導電性バンプ２の接触点における接線と電極３の上表面とが挟角θ１を形成する。挟角θ１は９０度に近似しており、好ましくは、７０度＜θ１＜９０度である。図３Ｃに示されている通り、最外表面２２は電極３の上表面と互いに接触しており、導電性バンプ２の接触点における接線と電極３の上表面とが挟角θ２を形成する。挟角θ２は＜挟角θ１であり、好ましくは、３０度＜θ２＜７０度である。言い換えると、図３Ａに示されている通り、導電性バンプ２の電極３の辺長さ方向上と平行な断面形状は、電極３の対角線方向上の断面形状と異なっている。
【0026】
図４Ａは、本開示の別の実施例に基づく半導体素子配列構造２０００である。半導体素子配列構造２０００は、複数の半導体素子１（簡略化のため、図中には１次元上の３つの半導体素子１のみを表示しているが、半導体素子配列構造２０００は、ｍ＊ｎ個の半導体素子１を含むことができ、ｍ、ｎは正の整数である）及び担体３０を含む。半導体素子１は、導電性バンプ２が担体３０に対向する方式（フリップチップとも称される）で担体３０上に配置される。担体３０は、半導体素子１を支持及び固定することができる。担体３０は、基板３１及び粘着構造３２を含み、基板３１の材料は、ガラス、サファイア、または高分子材料などとすることができ、発光ダイオードまたはレーザダイオードにより発出された特定波長の光を透過する透光材料とすることができる。粘着構造３２は、熱剥離接着剤、光分解性接着剤、化学的除去接着剤、耐熱性接着剤、ブルーフィルム、または動的剥離層を有するテープが含まれ得る。別の実施例において、粘着構造３２は、ポリマー、例えば、ポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ、ＰＩ）、アクリル系樹脂（Ａｃｒｙｌｉｃ ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（Ｅｐｏｘｉｄｅ ｒｅｓｉｎ、ＥＰＯ）、ポリベンゾオキサゾール（Ｐｏｌｙｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｅ、ＰＢＯ）、シリコーン樹脂（Ｐｏｌｙｓｉｌｏｘａｎｅ）、ポリシクロオレフィン（Ｃｙｃｌｉｃ Ｏｌｅｆｉｎ Ｐｏｌｙｍｅｒ、ＣＯＰ）、またはベンゾシクロブタン（Ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔａｎｅ、ＢＣＢ）を含むこともできる。前記半導体素子１がフリップチップ方式で担体３０上に配列される場合、その導電性バンプ２の平滑で外に凸の最外表面２２は、粘着構造３２に直接接触する。図４Ａに示されている通り、導電性バンプ２は一部が粘着構造３２に凹入しており、凹入した部分は水平方向上で最大幅Ｗ３を有し、導電性バンプ２自体は最大幅Ｗ４を有しており、Ｗ４は幅Ｗ３よりも大きい。また、図４Ｃに示されている通り、導電性バンプ２の最外表面２２は平滑かつ円弧状であり、導電性バンプ２の粘着構造３２に凹入した部分の投影面積（例えば、押圧痕３４の面積）は電極３の投影面積よりも小さいため、導電性バンプ２と粘着構造３２との間の粘着力を低減させることができ、後続の移転構造（非表示）を介して半導体素子１を担体３０からその他の箇所まで移転する移転プロセスに有利となる。半導体素子１の移転プロセスに関しては、以後の段落において記述する。
【0027】
図４Ｂ及び図４Ｃは、それぞれ図４Ａの半導体素子配列構造２０００から１つの半導体素子を除去した後の断面図及び上面図を示している。図４Ｃを参照すると、担体３０の上表面に、半導体素子１が除去された後に担体３０上に露出する領域、つまり、半導体素子１の投影面積を表す除去領域３３（例えば、点線箇所）を定義することができる。除去領域３３中に、押圧痕３４が含まれる。押圧痕３４は、粘着構造３２が導電性バンプ２により圧入された領域であり、押圧痕３４は投影面積を有している。１つの実施例において導電性バンプ２の押圧痕３４の投影面積と、半導体素子１の投影面積との比較値が０．２未満である場合、半導体素子１は、担体３０からピックアップして、その他の位置まで移動させることが比較的容易である。
【0028】
図４Ｄ及び図４Ｅは、それぞれ本開示の別の実施例における半導体素子配列構造３０００及び３００１の断面図である。図４Ｄには、半導体素子配列構造３０００が示されている。半導体素子配列構造３０００は、複数の半導体素子１及び担体３０を含む。担体３０は、基板３１及び粘着構造３２を含む。半導体素子１は、導電性バンプ２が担体３０に対向する方式で担体３０上に配置される。導電性バンプ２及び電極３は、粘着構造３２中に完全に凹入しているとともに、粘着構造３２により完全に被覆されている。粘着構造３２は、半導体素子１の電極３で被覆されていない下表面も被覆している。粘着構造３２上に仮固定されることにより、複数の半導体素子１の間の相対的位置が維持され、後続の製造プロセスにより変化が発生しなくなる。図４Ｅは、別の半導体素子配列構造３００１の断面図である。半導体素子配列構造３００１は、複数の半導体素子１及び担体３０を含む。担体３０は、基板３１及び複数の互いに分離された副粘着構造３２’’を含み、１つの副粘着構造３２’’は、図４Ｅに示されている通り、１つの半導体素子１の下に位置しているとともに、半導体素子１とほぼ同等の幅を有している。２つの隣接する副粘着構造３２’’間に、距離が０よりも大きい通路３５を有する。複数の半導体素子１が、導電性バンプ２が担体３０に対向する方式で担体３０上に配置される。導電性バンプ２及び電極３は、副粘着構造３２’’中に完全に凹入しているとともに、副粘着構造３２’’により完全に被覆されている。副粘着構造３２’’は、半導体素子１の電極３で被覆されていない下表面も被覆している。
【0029】
図５Ａ～図５Ｄは、本開示の実施例における移転構造４０を介して半導体素子１を移転する流れ図である。図５Ａに示されている通り、複数の半導体素子１がアレイ形式で担体３０上に配列される。半導体素子１は、導電性バンプ２の表面の一部を介して担体３０の粘着構造３２に接触しているとともに、担体３０上に仮固定される。移転構造４０は、半導体素子１を担体３０からその他の箇所まで移動させるように提供される。移転構造４０は、複数の把持部４１を有し、１つの把持部４１が把持される半導体素子１の位置に対応している。図５Ｂに示されている通り、移転構造４０は、半導体素子１に接近して、把持部４１と半導体素子１とを接触させた後、上方に移動して把持部４１に把持された半導体素子１を担体３０から離脱させ、把持部４１と把持された半導体素子１との間の粘着力は、半導体素子１と担体３０との間の粘着力よりも大きいため、把持部４１と接触していない半導体素子１は担体３０上に留まる。
【0030】
次に、図５Ｃに示されている通り、移転構造４０及び把持部４１上に仮固定された半導体素子１が、ターゲット基板５０の所定位置の上方まで移動する。この所定の位置上において、半導体素子１は、ターゲット基板５０に接触していても非接触であってもよく、最終的にはターゲット基板５０上に直接載置または固定される。このステップにおいて、把持部４１と半導体素子１との間の粘着力は、半導体素子１とターゲット基板５０との間の粘着力よりも小さく、半導体素子１とターゲット基板５０との間の粘着力を高めるため、ターゲット基板５０の表面に粘着構造を配置することができる（非表示）。次に、図５Ｄに示されている通り、半導体素子１は移転構造４０から離間するとともに、ターゲット基板５０上に滞留し、移転構造４０は同一または異なる担体３０まで移動してその他の半導体素子１を把持することができる。移転後の半導体素子１は、導電性バンプ２がターゲット基板５０に対向する方式でターゲット基板５０上に配置される。ターゲット基板５０は、ディスプレイのバックプレーン（Ｂａｃｋｐｌａｎｅ）、ＴＦＴ基板、再配線層（Ｒｅｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ、ＲＤＬ）を有する基板、またはパッケージ体のサブマウント（Ｓｕｂ－ｍｏｕｎｔ）とすることができる。別の実施例において、ターゲット基板５０は、前記担体３０に近似した一時的担体とすることができる。そのうち、図５Ａ～図５Ｄにおいて、半導体素子１と担体３０との接触方式は、図４Ａに示されている態様に限定されず、図４Ｄ、図４Ｅに示されている態様とすることもできる。
【0031】
図６Ａ～図６Ｃは、本開示の別の実施例に基づく半導体素子１を移転する流れ図である。図６Ａに示されている通り、複数の半導体素子１がアレイ形式で担体３０上に配置される。各半導体素子１は、導電性バンプ２の一部表面を介して担体３０の粘着構造３２に接触しているとともに、担体３０上に仮固定される。次に、図６Ａの構造を反転するか、またはターゲット基板５０を移動させて、半導体素子１を担体３０とターゲット基板５０との間に位置させるが、半導体素子１はターゲット基板５０と直接接触しておらず、例えば、図６Ｂに示されている通り、半導体素子１はターゲット基板５０の上方に懸架される。レーザエネルギＬ１が、基板３１の上側から粘着構造３２の特定位置を照射されるように提供され、この特定位置は、移転されるべき１つの半導体素子１に対応している。レーザエネルギＬ１は、シングルショットレーザ（Ｓｉｎｇｌｅ－Ｓｈｏｔ Ｌａｓｅｒ）、またはマルチショットレーザ（Ｍｕｌｔｉ－Ｓｈｏｔ Ｌａｓｅｒ）とすることができる。１つの実施例において、１つの半導体素子１または１つの粘着構造３２の単一の位置に、１回の照射過程において１つのレーザまたは複数のレーザを照射することができる。別の実施例において、１つの半導体素子１または１つの粘着構造３２の複数の位置に、１回の照射過程においてそれぞれ１つまたは複数のレーザを照射することができる。図６Ｃに示されている通り、レーザエネルギＬ１が照射された粘着構造３２は、半導体素子１と粘着構造３２との間の粘着力が低下するか、または半導体素子１を下向きに移動させる力量が粘着構造３２の半導体素子１に対する粘着力よりも大きくなり、半導体素子１は担体３０からターゲット基板５０に落下する。移転後の半導体素子１は、導電性バンプ２がターゲット基板５０から離間する方式でターゲット基板５０上に配置される。別の実施例においては、図６Ｂのステップにおいて、半導体素子１は、先ずターゲット基板５０に直接接触した、更にレーザエネルギＬ１が照射することにより、半導体素子１をより正確にターゲット基板５０に位置合わせすることができる。図６Ｃのステップ後は、選択可能に、半導体素子１上に残留した副粘着構造３２’’を除去する洗浄ステップを実施することができる。洗浄ステップは、ドライエッチングまたはウェットエッチングを含むことができ、ドライエッチングは酸素プラズマエッチングプロセスとすることができる。そのうち、図６Ａ～図６Ｃにおいて、半導体素子１と担体３０との接触方式は、図４Ａに示されている態様に限定されず、図４Ｄ、図４Ｅに示されている態様とすることもできる。
【0032】
図７Ａ～図７Ｄは、本開示の実施例に基づく半導体素子１を作製する流れ図である。図７Ａに示されている通り、基板１０上に複数の半導体ユニット２００が設置される。半導体ユニット２００は、半導体重畳層１４、保護層１５、第１電極３ａ、及び第２電極３ｂを含む。半導体ユニット２００は、第１電極３ａ及び第２電極３ｂが基板１０から離間する方式で基板１０上に設置される。第１電極３ａ及び第２電極３ｂは、それぞれ凹部を有し、関連する構造の記述については、前記関連する段落を参照することができる。次に、第１電極３ａ及び第２電極３ｂ上に、それぞれ互いに分離された２群の接着剤８０が形成される。接着剤８０は、樹脂８１及び樹脂８１中に分散された複数の導電性粒子８２を含む。１つの実施例において、接着剤８０を形成する方式は、印刷（Ｐｒｉｎｔｉｎｇ）、コーティング（Ｃｏａｔｉｎｇ）、スプレー（Ｓｐｒａｙｉｎｇ）、ディスペンシング（Ｄｉｓｐｅｎｓｉｎｇ）を介する方式とすることができる。そのうち、印刷方法には、エアロゾルジェット印刷（Ａｅｒｏｓｏｌ Ｊｅｔ Ｐｒｉｎｔｉｎｇ）、またはインクジェット印刷（Ｉｎｋ－Ｊｅｔ Ｐｒｉｎｔｉｎｇ）を含むことができる。樹脂８１の材料には、熱硬化性プラスチック及びフラックスが含まれる。熱硬化性プラスチックは、エポキシ樹脂（Ｅｐｏｘｙ ｒｅｓｉｎ）、シリコーン樹脂（Ｓｉｌｉｃｏｎｅ）、ポリメチルメタクリレート、及びエピスルフィド（Ｅｐｉｓｕｌｆｉｄｅ）とすることができる。導電性粒子８２の融点は、樹脂８１の固化温度よりも低い。１つの実施例において、導電性粒子８２の材料は、金、銀、銅とすることができる。別の実施例において、導電性粒子８２の材料は、低融点の金属または低液化温度（Ｌｉｑｕｉｄｕｓ Ｍｅｌｔｉｎｇ Ｐｏｉｎｔ）の合金（電極３ａ、３ｂの材料と比較して）とすることができる。１つの実施例において、低融点の金属または低液化温度の合金の融点または液化温度は２１０℃よりも低い。別の実施例において、低融点の金属または低液化温度の合金の融点または液化温度は１７０℃よりも低い。低液化温度合金の材料は、スズ合金、例えば、スズ・インジウム合金、スズ・ビスマス合金とすることができる。
【0033】
図７Ｂに示されている通り、レーザエネルギＬ２を利用して接着剤８０またはその近傍領域を照射し、接着剤８０を加熱する。レーザエネルギＬ２は、紫外線（ＵＶ）レーザビーム、可視光レーザビームまたは赤外線（ＩＲ）レーザビームを含むことができる。１つの実施例において、レーザエネルギＬ２は、赤外線のパルスモード（Ｐｕｌｓｅ Ｍｏｄｅ）レーザビームであり、その波長は７５０ｎｍ～２０００ｎｍの範囲内、スポットサイズ（Ｓｐｏｔ Ｓｉｚｅ）は０．００４～０．００２ｃｍ２、ビーム直径（Ｂｅａｍ Ｄｉａｍｅｔｅｒ）は１００～５００μｍ、パルス幅（Ｄｕｒａｔｉｏｎ）は２０ミリ秒（ｍｓ）未満、繰り返し周波数（Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）は５００～４０００Ｈｚ、デューティサイクル（Ｄｕｔｙ Ｃｙｃｌｅ）は１％～１０％、出力（Ｌａｓｅｒ Ｐｏｗｅｒ）は１００Ｗ、レーザエネルギ（Ｌａｓｅｒ Ｅｎｅｒｇｙ）は５９５～８５０Ｊ／ｃｍ２である。図７Ｃに示されている通り、加熱過程において、導電性粒子８２は第１電極３ａ及び第２電極３ｂ上に凝集し、外に凸の円弧外表面を有する第１導電性バンプ２ａ及び第２導電性バンプ２ｂを形成する。第１導電性バンプ２ａ及び第２導電性バンプ２ｂを有する半導体ユニット２００が、ここでは半導体素子１と称される。１つの実施例において、少なくとも一部の樹脂８１が、第１導電性バンプ２ａ、第２導電性バンプ２ｂ、及び第１電極３ａと第２電極３ｂとの間の領域１８上に移動する。加熱後、第１導電バンプ２ａ及び第２導電バンプ２ｂは固化し、その上を被覆する樹脂８１も昇温するが、完全には固化せず（Ｕｎｃｕｒｅｄ）、液体または半液体の状態である。次に、図７Ｄに示されている通り、固化していない樹脂８１を除去し、第１導電性バンプ２ａ及び第２導電性バンプ２ｂを外界環境中に露出させ、後続の移転時には担体またはターゲット基板と接触可能とさせるために、洗浄ステップが実施される。洗浄ステップは溶媒を使用して実施することができ、溶媒には、Ｎ－メチルピロリジノン（Ｎ－Ｍｅｔｈｙｌｐｙｒｒｏｌｉｄｉｎｏｎｅ、ＮＭＰ）、メチルエチルケトン（Ｍｅｔｈｙｌ Ｅｔｈｙ ｌＫｅｔｏｎｅ、ＭＥＫ）、アセトン（Ａｃｅｔｏｎｅ、Ａｃｅ）、またはイソプロピルアルコール（Ｉｓｏｐｒｏｐｙｌ Ａｌｃｏｈｏｌ、ＩＰＡ）を含むことができる。
【0034】
図８Ａ～図８Ｄは、本開示の別の実施例に基づく半導体素子１を作製する流れ図である。図８Ａに示されている通り、基板１０上に複数の半導体ユニット２００’が設置される。半導体ユニット２００’は、半導体重畳層１４、保護層１５、第１電極３ａ、及び第２電極３ｂを含む。半導体ユニット２００’の第１電極３ａ及び第２電極３ｂは、基板１０上と背離している。第１電極３ａ及び第２電極３ｂは、それぞれ凹部を有し、関連する構造の記述については、前記関連する段落を参照することができる。電気メッキ、化学メッキ、または蒸着方式を利用して、第１ボンディングパッド２３ａ及び第２ボンディングパッド２３ｂが、それぞれ第１電極３ａ及び第２電極３ｂ上に形成される。第１ボンディングパッド２３ａの外表面２４ａ及び第２ボンディングパッド２３ｂの外表面２４ｂは、第１電極３ａ及び第２電極３ｂの上表面と略共形（Ｃｏｎｆｏｒｍａｌ）であり、つまり両者の輪郭は近似している。単一群の接着剤８３が、半導体ユニット２００’、第１ボンディングパッド２３ａ、及び第２ボンディングパッド２３ｂ上に形成される。接着剤８３は、この例においては樹脂のみを含む。別の実施例において、接着剤８３は、樹脂及び比較的低濃度の導電性粒子（図７Ａにおける導電性粒子と比較して）を含む。１つの実施例において、接着剤８０を形成する方式は、印刷、コーティング、スプレー、ディスペンシングにより形成することができる。そのうち、印刷方式には、エアロゾルジェット印刷、またはインクジェット印刷を含むことができる。第１ボンディングパッド２３ａ及び第２ボンディングパッド２３ｂの材料については、前記関連する導電性バンプ２ａ、２ｂに関する段落を参照することができる。樹脂材料については、前記関連する段落を参照することができる。
【0035】
図８Ｂに示されている通り、レーザエネルギＬ３を利用して、第１ボンディングパッド２３ａ及び第２ボンディングパッド２３ｂ、またはそれらの隣接領域を照射して、接着剤８３、第１ボンディングパッド２３ａ及び第２ボンディングパッド２３ｂを加熱する。レーザエネルギＬ３は、紫外線（ＵＶ）レーザビーム、可視光レーザビームまたは赤外線（ＩＲ）レーザビームを含むことができる。１つの実施例において、レーザエネルギＬ３は、波長が７５０ｎｍ～２０００ｎｍの範囲内の赤外線レーザビームである。図８Ｃに示されている通り、加熱過程において、第１ボンディングパッド２３ａ及び第２ボンディングパッド２３ｂは熱を受けて接着剤８３中で溶融するとともに、第１電極３ａ及び第２電極３ｂ上に凝集して（樹脂が導電性粒子を含有している場合、導電性粒子は熱を受けた後も、一部またはすべてが第１電極３ａ及び第２電極３ｂに向けて移動する）、外に凸で円弧状の外表面を有する第１導電性バンプ２ａ及び第２導電性バンプ２ｂが形成される。第１導電性バンプ２ａ及び第２導電性バンプ２ｂを有する半導体ユニット２００’が、ここでは半導体素子１と称される。少なくとも一部の接着剤８３が、熱を受けた後に第１導電性バンプ２ａ、第２導電性バンプ２ｂ、及び第１電極３ａと第２電極３ｂとの間の領域１８上に移動する。加熱後、第１導電バンプ２ａ及び第２導電バンプ２ｂは固化し、その上を被覆する接着剤８３（または樹脂）も液体または半液体の状態を呈する。次に、図８Ｄに示されている通り、固化していない接着剤８３（または樹脂）を除去し、第１導電性バンプ２ａ及び第２導電性バンプ２ｂを外界環境中に露出させ、後続の移転時には担体またはターゲット基板と接触可能とさせるために、洗浄ステップが実施される。洗浄ステップについては、前記図７Ｄの関連する段落の説明を参照することができる。
【0036】
別の実施例においては、前記図７Ｄ及び図８Ｄの洗浄ステップにおいて、導電性バンプ２ａ、２ｂ間の接着剤８０、８３が完全に除去されず、半導体ユニット２００上に残留する場合がある。後続の移転及びダイボンディング工程に影響を及ぼさないように、残留している接着剤の最大水平高さは、導電性バンプ２ａ、２ｂを超えないことが好ましい。
【0037】
図９Ａは、本開示の別の実施例に基づく半導体素子２０の立体図である。図９Ｂは、図９Ａにおける半導体素子２０の線分Ｂ－Ｂ’に沿った断面図である。図９Ａを参照すると、半導体素子２０の上側に、互いに分離した２つの第１導電性バンプ２ａ及び第２導電性バンプ２ｂを有している。第１の導電性バンプ２ａと第２の導電性バンプ２ｂとの間に、半導体素子２０上を被覆する少なくとも１群の残留接着剤８４を有する。残留した接着剤８４は、不規則な形状を有し、かつ、固定されていない面積を有する。図９Ｂを参照すると、半導体素子２０は、半導体重畳層１４、保護層１５、第１電極３ａ、第２電極３ｂ、第１導電性バンプ２ａ、及び第２導電性バンプ２ｂを有する。半導体重畳層１４の最外側縁１９は傾斜面であり、基板１０の上表面１０５１と垂直ではない。半導体重畳層１４は、第１半導体層１１、活性層１２、及び第２半導体層１３を含む。残留した接着剤８４は、第１導電性バンプ２ａと第２導電性バンプ２ｂとの間の保護層１５上に位置する。残留した接着剤８４の最高点は、第１導電性バンプ２ａ及び第２導電性バンプ２ｂの最高点よりも高くない。残留接着剤８４の高さは、導電性バンプ２ａ、２ｂを超えないため、後続の移転及びダイボンディング工程に影響を及ぼさない。
【0038】
図１０Ａ～図１０Ｅは、本開示の別の実施例に基づく半導体素子２０’を移転する流れ図である。半導体素子２０’の構造については、半導体素子１、１’、２０に関する図面及び段落を参照することができ、半導体素子配列構造５００１については、図４Ｅ及び半導体素子配列構造３００１に関する段落を参照することができ、そのうち、半導体素子配列構造５００１には、複数の半導体ユニット３００が含まれ、半導体ユニット３００は、フリップチップ方式で担体３０上に配置され、半導体ユニット３００の第１電極３ａ及び第２電極３ｂの下方に、それぞれ第１ボンディングパッド５３ａ及び第２ボンディングパッド５３ｂが配置される。
【0039】
図１０Ａにおいて、複数の半導体ユニット３００は、電極３ａ、３ｂ（ボンディングパッド５３ａ、５３ｂ）が担体３０の方位に対向するように担体３０上に配置され、担体３０は基板３１を含み、基板３１の上表面は、複数の互いに分離した副粘着構造３２’’を含み、副粘着構造３２’’は、半導体ユニット３００の下に位置し、かつ、半導体ユニット３００と略同一の幅を有する。２つの隣接する副粘着構造３２’’の間に、距離が０よりも大きい通路５３を有し、複数の半導体ユニット３００は、ボンディングパッド５３ａ、５３ｂが粘着構造３２に対向して埋め込まれる方式で担体３０上に配置される。担体３０は、略正方形または円形の外形を有しており、材料については、前記基板１０に関する記述の段落を参照することができる。このステップにおいて、第１ボンディングパッド５３ａ及び第２ボンディングパッド５３ｂは、それぞれ電極３ａ、３ｂ上に位置し、外表面５４ａ、５４ｂは、第１電極３ａ及び第２電極３ｂの上表面と略共形（Ｃｏｎｆｏｒｍａｌ）であり、つまり両者の輪郭は近似している。１つの実施例において、副粘着構造３２’’の外側縁は半導体ユニット３００の最外側縁と面一ではなく、半導体ユニット３００の最外側縁に対して凹入または外に凸とすることができる。
【0040】
次に、図１０Ｂに示されている通り、半導体素子配列構造５００１の対応する位置の上方にフォトマスク５３００が配置される。フォトマスク５３００は、透光性基板５３０１（例えば、ガラス）及びその上に位置する遮光性金属層５３０２（例えば、金）を含む。遮光性金属層５３０２は開口５３０５を有し、開口の大きさは、下方の半導体ユニット３００、または複数の半導体ユニット３００を含むアレイ領域に対応している（非表示、ｍ’×ｎ’個の半導体ユニット３００を含み、式中、ｍ’、ｎ’は正の整数であり、かつ、ｍ’、ｎ’は同時に１ではない）。本実施例において、レーザエネルギＬ４は、基板３１の対向側を経由、透過して半導体ユニット３００に照射されるため、レーザエネルギＬ４が透過可能な材料を基板３１として選択しなければならない。
【0041】
次に、図１０Ｃに示されている通り、レーザエネルギＬ４は、フォトマスク５３００の上方から開口５３０５の位置を透過して、下方の対応する１つまたは複数の半導体ユニット３００を照射するように提供される。レーザエネルギＬ４が照射されるこの（これらの）半導体ユニット３００は、半導体素子２０’となるように形成される。より具体的に述べると、レーザエネルギＬ４は、開口５３０５に対応するこの（これらの）半導体ユニット３００の第１ボンディングパッド５３ａ及び第２ボンディングパッド５３ｂまたはその周辺領域に向けて照射され、レーザエネルギＬ４は、シングルショットレーザ（Ｓｉｎｇｌｅ－Ｓｈｏｔ Ｌａｓｅｒ）またはマルチショットレーザ（Ｍｕｌｔｉ－Ｓｈｏｔ Ｌａｓｅｒ）とすることができる。つまり、１つの実施例において、この（これらの）半導体ユニット３００の位置に、照射過程において１ショットまたは複数ショットのレーザを照射することができ、レーザエネルギＬ４が照射された第１ボンディングパッド５３ａ及び第２ボンディングパッド５３ｂは熱を受け、第１電極３ａ及び第２電極３ｂの上に凝集して、前記外に凸で円弧状外表面を有する第１導電性バンプ２ａ及び第２導電性バンプ２ｂが形成される。このステップにおいて、導電性バンプ２ａ、２ｂを有する構造体は、半導体素子２０’と称される。半導体素子２０’の導電性バンプ２ａ、２ｂと下方の副粘着構造３２’’との接触面積は、半導体ユニット３００のボンディングパッド５３ａ、５３ｂよりも少ない。従って、半導体素子２０’は、半導体素子配列構造５００１において、半導体ユニット３００に対して述べると、把持が容易である。より詳細なメカニズムについては、後続の図１１Ａ～１１Ｂの領域拡大図で記述する。
【0042】
次に、図１０Ｄに示されている通り、半導体素子２０’を担体３０からその他の箇所まで移動させるように、移転構造５００が提供される。その際、移転構造５００は、凸出した把持部を有さず、全体が粘着力を有する粘着層５０２であり（例えば、Ｐｏｌｙｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｏｘａｎｅ（ＰＤＭＳ）または粘着力を有する粘着テープ）、粘着層５０２は把持表面５０１を有し、かつ、把持表面５０１の大きさは、把持すべき半導体素子２０’よりも数倍大きい。移転構造５００は、半導体ユニット３００及び半導体素子２０’に接近すると同時に、把持表面５０１を半導体ユニット３００及び半導体素子２０’に接触させた後、更に上方に移動して半導体素子２０’を把持表面５０１上に貼着するとともに、担体３０（副粘着構造３２’’）から離間するが、半導体ユニット３００は把持されない。その際、把持表面５０１と半導体ユニット３００との間の粘着力は、半導体ユニット３００と副粘着構造３２’’との間の粘着力よりも小さいが、把持表面５０１と半導体素子２０’との間の粘着力は、半導体素子２０’と副粘着構造３２’’との間の粘着力よりも大きい。従って、移転構造５００が上向きに副粘着構造３２’’から離間した後、移転構造５００下方の半導体ユニット３００は依然として担体３０上に残留し、半導体素子２０’は選択的に把持されて把持表面５０１上に仮固定される。
【0043】
最後に、移転構造５００及び把持表面５０１上に仮固定された半導体素子２０’が、ターゲット基板７０の所定位置の上方まで共に移動する。この所定位置上に、表面回路１８０を選択的に配置することができ、移転後の半導体素子２０’は、ターゲット基板７０に接触可能であるかまたは接触しない。図１０Ｅに示されている通り、半導体素子２０’が移転構造５００から離間してターゲット基板７０上まで搬送する際、導電性バンプ２ａ、２ｂを直接加熱して溶融する方式で、下方の表面回路１８０にハンダ付け（電気的に接続）することができる。
【0044】
１つの実施例において、半導体素子２０’の光電子特性の要件に応じて、移転構造５００は、同一または異なる担体３０まで反復移動して、光電子特性基準に合致した半導体素子２０’をターゲット基板７０まで選択的に把持することができ、選択的搬送方式は、１回に１つの半導体素子２０’を搬送することができ、１回にアレイ領域の複数の半導体素子２０’を搬送させることもできる。移転後における複数の半導体素子２０’は、前記の方式でターゲット基板７０上に配置された表面回路１８０に電気的に接続される。ターゲット基板７０は、表示装置のバックプレーン、内部に薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ－ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴ）を有する回路基板、表面または内部に再配線層（Ｒｅｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ、ＲＤＬ）を有する回路基板、またはパッケージ体のサブマウント（Ｓｕｂ－ｍｏｕｎｔ）とすることができる。別の実施例において、ターゲット基板７０は、前記担体３０と同様の一時的な支持構造とすることができ、表面回路は有していない。
【0045】
図１１Ａ～図１１Ｂは、それぞれ図１０Ｃにおける領域ＰがレーザエネルギＬ４照射を受ける前後の拡大図である。図１１Ａに示されている通り、半導体ユニット３００は、半導体重畳層１４、保護層１５、第１電極３ａ、及び第２電極３ｂを含む。第１ボンディングパッド５３ａ及び第２ボンディングパッド５３ｂは、電気メッキ、化学メッキ、または蒸着方式により、それぞれ第１電極３ａ及び第２電極３ｂの下に形成される。第１ボンディングパッド５３ａの外表面５４ａ及び第２ボンディングパッド５３ｂの外表面５４ｂは、第１電極３ａ及び第２電極３ｂの下表面と略共形であり、つまり両者の輪郭は近似している。また、外表面５４ａ、５４ｂは、上方電極３ａ、３ｂに対応する凹部、粗いテクスチャ（電極３ａ、３ｂの下表面と比較して）、またはその両者を有する。その際、第１ボンディングパッド５３ａ、第２ボンディングパッド５３ｂ、及び電極３ａ、３ｂは、副粘着構造３２’’中に完全に凹入しているとともに、副粘着構造３２’’により完全に被覆されている。副粘着構造３２’’は、半導体ユニット３００の電極３ａ、３ｂにより被覆されていない下表面１５’と直接接触している。図示されている通り、副粘着構造３２’’により構成される凹入領域６ａ’、６ｂ’の形状は、第１ボンディングパッド２３ａ及び第２ボンディングパッド２３ｂに対応している。
【0046】
図１１Ｂに示されている通り、レーザエネルギＬ４の照射を受けた後、第１ボンディングパッド５３ａ及び第２ボンディングパッド５３ｂは、副粘着構造３２’’内において熱を受けて溶融するとともに、第１電極３ａ及び第２電極３ｂの下に凝集して、外に凸で円弧状外表面を有する第１導電性バンプ２ａ及び第２導電性バンプ２ｂを形成する。第１導電性バンプ２ａ及び第２導電性バンプ２ｂを有する半導体ユニット３００が、ここでは半導体素子２０’と称される。より詳細に述べると、第１電極３ａ及び第２電極３ｂが金属材質であるため、熱を受けて溶融すると、同様に金属材質である第１ボンディングパッド５３ａ及び第２ボンディングパッド５３ｂが、それぞれ上方の電極３ａ、３ｂを基板としてその内部に凝集して、表面積及び表面エネルギが比較的低い導電性バンプ２ａ、２ｂを形成する。導電性バンプ２ａ及び２ｂは、副粘着構造３２’’を押し出して、半導体素子２０’を副粘着構造３２’’中から持ち上げる。図１１Ｂに示されている通り、導電性バンプ２ａ、２ｂと副粘着構造３２’’との接触面積は、図１１Ａにおける第１ボンディングパッド５３ａ及び第２ボンディングパッド５３ｂと副粘着構造３２’’との接触面積よりも小さく、半導体素子２０’の下表面１５’と副粘着構造３２’’とは、距離Ｄ１だけ分離される。従って、半導体素子２０’の副粘着構造３２’’上における粘着力は、半導体ユニット３００の粘着力よりも小さくなる。
【0047】
１つの実施例において、副粘着構造３２’’は、熱を受けた後に固化するとともに、ボンディングパッド５３ａ及び５３ｂの外表面５４ａ、５４ｂに接触する。従って、半導体素子２０’が除去された後も、凹入領域６ａ’、６ｂ’は依然としてボンディングパッド５３ａ、５３ｂに対応した内輪郭が留保される。別の実施例において、副粘着構造３２’’は熱を受けて溶融すると若干の流動性を生じるため、半導体素子２０’が除去された後、凹入領域６ａ’、６ｂ’はより平滑となり、かつ、粗さが低下し、副粘着構造３２’’には若干の変形が生じるが、凹入領域６ａ’、６ｂ’の粗さは、依然として導電性バンプ２ａ、２ｂの外表面よりも粗い。
【0048】
図１２Ａ～図１２Ｄは、本開示の別の実施例に基づく半導体素子２０’を移転する流れ図である。図１２Ａに示されている通り、半導体素子配列構造５００１は、半導体素子ユニット３００の裏面を下にして粘着力を有する移転構造５００に接触する。本実施例において、移転構造５００は、支持層５０３及び粘着層５０２（例えば、Ｐｏｌｙｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｏｘａｎｅ（ＰＤＭＳ）、粘着力を有するテープ）を含む。粘着層５０２は把持表面５０１を有し、半導体ユニット３００は把持表面５０１に接触する。移転構造５００は、半導体ユニット３００の背面が把持表面５０１と貼り合わされることを確保するように、選択的に担体３０に向けて圧力を付与することができる。
【0049】
次に、図１２Ｂに示されている通り、半導体素子配列構造５００１の上方にフォトマスク５３００が配置される。フォトマスク５３００は、透光性基板５３０１（例えば、ガラス、石英、サファイア）及びその上に位置する遮光性金属層５３０２（例えば、金、クロム、タングステン）を含む。遮光性金属層５３０２は、開口５３０５を有し、開口の大きさは、下方の１つまたは複数の半導体ユニット３００を被覆可能である。
【0050】
図１２Ｃに示されている通り、レーザエネルギＬ５は、フォトマスク５３００の上方から開口５３０５を透過して、下方の１つまたは複数の半導体ユニット３００を照射するように提供される。レーザエネルギＬ５が照射されるこの（これらの）半導体ユニット３００が、半導体素子２０’となる。
【0051】
図１２Ｄに示されている通り、担体３０が移動構造５００から分離されると、半導体素子２０’は副粘着構造３２’’から分離されるとともに、把持表面５０１上まで移転する。続いて、図１０Ｅを参照すると、移転構造５００を介して半導体素子２０’がターゲット基板７０の所定位置に配置される。
【0052】
図１３Ａ～図１３Ｃは、本開示の別の実施例に基づく半導体素子２０’を移転する流れ図である。この実施例においては、フォトマスクを使用する必要はない。図１３Ａに示されている通り、直接すべての半導体ユニット３００の表面を走査する方式でレーザエネルギＬ６が印加される。
【0053】
図１３Ｂに示されている通り、レーザエネルギＬ６が印加された後、すべての半導体ユニット３００は半導体素子２０’に形成されるため、半導体素子２０’と担体３０（副粘着構造３２’’）との間の粘着力が、半導体ユニット３００と担体３０（副粘着構造３２’’）との間の接着力よりも小さくなる。半導体ユニット３００及び半導体素子２０’の構造及び形成ステップについては、図１１Ａ～図１１Ｂ及び関連する段落を参照することができる。
【0054】
図１３Ｃに示されている通り、粘着層５０２を使用して凸出した把持部５０４を有する移転構造５００が、特定の半導体素子２０’を把持する。１つの実施例において、把持部５０４及び半導体素子２０’は近似した投影面積を有しており、かつ、把持部５０４は１回で１つの半導体素子２０’を把持することができる。移転構造５００が特定の半導体素子２０’まで移動されるとともに、把持部５０４が半導体素子２０’に接触した後、移転構造５００は更に上方に向けて移動して、把持部５０４により把持された半導体素子２０’を搬送担体３０（副粘着構造３２’’）から離間させるが、把持部分５０４と接触していない半導体素子２０’は依然として担体３０（副粘着構造３２’’）上に留保される。その際、把持部５０４と半導体素子２０’との間の粘着力は、半導体素子２０’と担体３０（副粘着構造３２’’）との間の粘着力よりも大きい。続いて、前述の通り、移転構造５００を介して半導体素子２０’がターゲット基板の所定位置に配置される。
【0055】
図１４Ｅは、別の半導体素子配列構造６００１の側面図を示している。図１４に示されている通り、半導体ユニット４００は垂直方式の発光ダイオードチップである。半導体ユニット４００は、半導体重畳層１４、保護層１５、第１電極３ａ、及び第２電極３ｂを含む。第１ボンディングパッド５３ａは、電気メッキ、化学メッキ、または蒸着方式で第１電極３ａの下に形成される。第１ボンディングパッド５３ａの外表面５４ａは、第１電極３ａの下表面と略共形であり、つまり両者の輪郭は近似している。第１の電極３ａ及び第１ボンディングパッド５３ａは、半導体重畳層１４の下方に位置し、粘着層５２中に埋め込まれているが、第２電極３ｂは、半導体重畳層１４の上方に位置している。つまり、第１電極３ａ（及び第１ボンディングパッド５３ａ）及び第２電極３ｂは、それぞれ半導体重畳層１４の対向する側に位置している。それ以外に、半導体重畳層１４の上表面全体を、透光性導電層７７（例えば、インジウムスズ酸化物）で選択的に被覆して、半導体ユニット４００の表面電流の拡散効果を高めることができる。
【0056】
図１４に示されている通り、複数の副粘着構造３２’’が担体３０上に配置され、かつ、互いに分離しており、副粘着構造３２’’は半導体ユニット２２２の下方に位置しているとともに、半導体ユニット２２２とほぼ同等の幅を有している。２つの隣接する副粘着構造３２’’間に、距離が０よりも大きい通路６３を有する。半導体素子配列構造６００１中の半導体ユニット２２２を移転する手法については、図５Ａ～図５Ｄ、図６Ａ～図６Ｃ、図１０Ａ～図１０Ｅ、図１２Ａ～図１２Ｄ、図１３Ａ～図１３Ｃ及び関連する段落を参照することができる。そのうち、レーザエネルギが半導体ユニット２２２に印加されると、副粘着構造３２’’中に埋め込まれた第１ボンディングパッド５３ａのみが弧形の導電性バンプ（非表示）に変形して、半導体ユニット２２２と担体３０（副粘着構造３２’’）との間の粘着力を低下させる。
【0057】
ここで理解すべきは、本開示における上記諸々の実施例は、適切な状況下においては、互いに組み合わせるかまたは置き換えることができ、記述された特定の実施例に限定されない点である。例えば、前記各種の実施例において、半導体ユニット及び半導体素子は、成長基板を含むことができ、成長基板を含まなくてもよい。
【0058】
本開示で列挙される各実施例は、本開示を説明するためにのみ使用されるとともに、本開示の範囲を限定することを意図するものではない。いずれかが本開示に対して行った明らかかつ知悉が容易な修飾または変更は、本開示の精神及び範囲から逸脱するものではない。
【符号の説明】
【0059】
１０００、１００１、１００３、２０００、３０００、３００１、５０００、５００１、６００１ 半導体素子配列構造
１、１’、２０、２０’ 半導体素子
１０、３０、５３０１ 基板
２ａ－１ 第１部分
２ａ－２ 第２部分
２、２ａ、２ｂ 導電性バンプ
３、３ａ、３ｂ 電極
４、３２’’ 副粘着構造
４、３２ 粘着構造
５ａ 第１開孔
５ｂ 第２開孔
６ａ、６ｂ 凹部
６ａ’、６ｂ’ 凹入領域
７ 粒子
１１ 第１半導体層
１２ 活性層
１３ 第２半導体層
１４ 半導体重畳層
１５ 保護層
１５’、１７ 下表面
１６ プラットホーム
１８ 領域
１９ 最外側縁
２１ａ、２１ｂ 頂部
２２、２２ａ、２２ｂ 最外表面
２３ａ、２３ｂ、５３ａ、５３ｂ ボンディングパッド
２４ａ、２４ｂ、３２’、５４ａ、５４ｂ 外表面
３０ 担体
３３、Ｐ 領域
３４ 押圧痕
３５、５３、６３ 通路
４０、５００ 移転構造
４１、５０４ 把持部
４２ 外側縁
４３ 高台部
４４ 連続部
５０、７０ ターゲット基板
７７ 透光性導電層
８０、８３、８４ 接着剤
８１ 樹脂
８２ 導電性粒子
１５１、１０５１ 上表面
１８０ 表面回路
２００、２００’、３００、４００ 半導体ユニット
５０１ 把持表面
５０２ 粘着層
５０３ 支持層
５３００ フォトマスク
５３０２ 遮光性金属層
５３０５ 開口
Ａ－Ａ’、Ｂ－Ｂ’、Ｃ－Ｃ’、Ｄ－Ｄ’ 線分
Ｄ、Ｄ１ 距離
Ｈ１、Ｈ２ 厚み
Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４、Ｌ５、Ｌ６ レーザエネルギ
Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３、Ｗ４、Ｗ５、Ｗ６ 幅
θ１、θ２ 夾角
１、１’、２０、２０’ 半導体素子
１０、３０、５３０１ 基板
２ａ－１ 第１部分
２ａ－２ 第２部分
２、２ａ、２ｂ 導電性バンプ
３、３ａ、３ｂ 電極
４、３２’’ 副粘着構造
４、３２ 粘着構造
５ａ 第１開孔
５ｂ 第２開孔
６ａ、６ｂ 凹部
６ａ’、６ｂ’ 凹入領域
７ 粒子
１１ 第１半導体層
１２ 活性層
１３ 第２半導体層
１４ 半導体重畳層
１５ 保護層
１５’、１７ 下表面
１６ プラットホーム
１８ 領域
１９ 最外側縁
２１ａ、２１ｂ 頂部
２２、２２ａ、２２ｂ 最外表面
２３ａ、２３ｂ、５３ａ、５３ｂ ボンディングパッド
２４ａ、２４ｂ、３２’、５４ａ、５４ｂ 外表面
３０ 担体
３３、Ｐ 領域
３４ 押圧痕
３５、５３、６３ 通路
４０、５００ 移転構造
４１、５０４ 把持部
４２ 外側縁
４３ 高台部
４４ 連続部
５０、７０ ターゲット基板
７７ 透光性導電層
８０、８３、８４ 接着剤
８１ 樹脂
８２ 導電性粒子
１５１、１０５１ 上表面
１８０ 表面回路
２００、２００’、３００、４００ 半導体ユニット
５０１ 把持表面
５０２ 粘着層
５０３ 支持層
５３００ フォトマスク
５３０２ 遮光性金属層
５３０５ 開口
Ａ－Ａ’、Ｂ－Ｂ’、Ｃ－Ｃ’、Ｄ－Ｄ’ 線分
Ｄ、Ｄ１ 距離
Ｈ１、Ｈ２ 厚み
Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４、Ｌ５、Ｌ６ レーザエネルギ
Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３、Ｗ４、Ｗ５、Ｗ６ 幅
θ１、θ２ 夾角
【図1A】
【図1B】
【図1C】
【図1D】
【図1E】
【図2A】
【図2B】
【図2C】
【図2D】
【図2E】
【図3A】
【図3B】
【図3C】
【図4A】
【図4B】
【図4C】
【図4D】
【図4E】
【図5A】
【図5B】
【図5C】
【図5D】
【図6A】
【図6B】
【図6C】
【図7A】
【図7B】
【図7C】
【図7D】
【図8A】
【図8B】
【図8C】
【図8D】
【図9A】
【図9B】
【図10A】
【図10B】
【図10C】
【図10D】
【図10E】
【図11A】
【図11B】
【図12A】
【図12B】
【図12C】
【図12D】
【図13A】
【図13B】
【図13C】
【図14】