特開 2024-175418 静電チャック

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024175418

(43)【公開日】2024-12-18

(54)【発明の名称】静電チャック

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/683 20060101AFI20241211BHJP

   H01L 21/205 20060101ALI20241211BHJP

   H01L 21/31 20060101ALI20241211BHJP

   C23C 14/50 20060101ALI20241211BHJP

   C23C 16/458 20060101ALI20241211BHJP

   H02N 13/00 20060101ALI20241211BHJP

【ＦＩ】

H01L21/68 R

H01L21/205

H01L21/31 B

C23C14/50 A

C23C16/458

H02N13/00 D

【審査請求】未請求

【請求項の数】4

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023093197

(22)【出願日】2023-06-06

(71)【出願人】

【識別番号】000010087

【氏名又は名称】ＴＯＴＯ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100140486

【弁理士】

【氏名又は名称】鎌田 徹

(74)【代理人】

【識別番号】100079108

【弁理士】

【氏名又は名称】稲葉 良幸

(74)【代理人】

【識別番号】100121843

【弁理士】

【氏名又は名称】村井 賢郎

(74)【代理人】

【識別番号】100170058

【弁理士】

【氏名又は名称】津田 拓真

(72)【発明者】

【氏名】上藤 淳平

(72)【発明者】

【氏名】佐々木 雄基

(72)【発明者】

【氏名】板倉 郁夫

(72)【発明者】

【氏名】山口 康介

(72)【発明者】

【氏名】白石 純

【テーマコード（参考）】

4K029

4K030

5F045

5F131

【Ｆターム（参考）】

4K029AA06

4K029AA24

4K029BD01

4K029DA08

4K029DA10

4K029JA01

4K029JA06

4K030CA04

4K030CA12

4K030GA02

4K030KA26

4K030KA46

4K030KA47

4K030LA15

5F045AA03

5F045AF03

5F045EJ03

5F045EM02

5F045EM05

5F045EM07

5F045EM09

5F131AA02

5F131BA04

5F131CA68

5F131DA33

5F131DA42

5F131EA03

5F131EB11

5F131EB14

5F131EB15

5F131EB17

5F131EB18

5F131EB22

5F131EB24

5F131EB54

5F131EB84

(57)【要約】

【課題】離脱応答性の良好な静電チャックを提供する。
【解決手段】静電チャック１０は、基板Ｗが載置される面１１０を有する誘電体基板１００と、誘電体基板１００に内蔵された吸着電極１３０と、誘電体基板１００に形成された環状の突起であって、その先端が面１１０の一部となっているシールリング１１１と、を備える。面１１０に対し垂直な方向から見た場合において、シールリング１１１は、第１部分Ｐ１と、第１部分Ｐ１とは異なる位置にある第２部分Ｐ２と、を有し、第１部分Ｐ１のうち、吸着電極１３０と重なる範囲の占めている割合は、第２部分Ｐ２のうち、吸着電極１３０と重なる範囲が占めている割合よりも小さい。
【選択図】図４

【特許請求の範囲】

【請求項1】

被吸着物が載置される載置面を有する誘電体基板と、
前記誘電体基板に内蔵された吸着電極と、
前記誘電体基板に形成された環状の突起であって、その先端が前記載置面の一部となっているシールリングと、を備え、
前記載置面に対し垂直な方向から見た場合において、
前記シールリングは、
第１部分と、
前記第１部分とは異なる位置にある第２部分と、を有し、
前記第１部分のうち、前記吸着電極と重なる範囲の占めている割合は、
前記第２部分のうち、前記吸着電極と重なる範囲が占めている割合よりも小さいことを特徴とする静電チャック。

【請求項2】

前記誘電体基板には、前記シールリングの周囲の空間にガスを供給するためのガス穴が形成されており、
前記載置面に対し垂直な方向から見た場合において、
前記第１部分は、前記シールリングのうち前記ガス穴と隣り合う部分であることを特徴とする、請求項１に記載の静電チャック。

【請求項3】

前記載置面に対し垂直な方向から見た場合において、
前記ガス穴は、前記シールリングに沿って並ぶように複数形成されており、
それぞれの前記ガス穴と隣り合う位置に前記第１部分があることを特徴とする、請求項２に記載の静電チャック。

【請求項4】

前記載置面に対し垂直な方向から見た場合において、
前記第１部分のうち、前記吸着電極と重なっていない領域は、前記ガス穴を中心とした円形の領域の一部であることを特徴とする、請求項２に記載の静電チャック。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は静電チャックに関する。

【背景技術】

【0002】

例えばＣＶＤ装置等の半導体製造装置には、処理の対象となるシリコンウェハ等の基板を吸着し保持するための装置として、静電チャックが設けられる。静電チャックは、吸着電極が設けられた誘電体基板を備える。吸着電極に電圧が印加されると静電力が生じ、誘電体基板上に載置された基板が吸着され保持される。

【0003】

下記特許文献１に記載されているように、誘電体基板のうち基板側の面には、環状の突起であるシールリング（シールバンド）が１つまたは複数形成される。シールリングの内側の空間、すなわち、誘電体基板と基板との間の空間には、処理中における基板の温度調整等を目的として、ヘリウム等の不活性ガスが供給される。不活性ガスは、誘電体基板に形成されたガス穴を通じて上記空間に供給される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０２３－３４０９９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本発明者らが行った実験等によれば、ガス穴とシールリングとの位置関係によっては、静電チャックの吸着力が大きくなり過ぎて、所謂離脱応答性が低下してしまうことがあるという知見が得られている。その原因は、ガス穴から供給された不活性ガスの一部が、その近傍にあるシールリングと基板との間の微小な隙間に入り込み、当該部分における吸着力を局所的に増大させてしまうためと考えられる。

【0006】

本発明はこのような課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、離脱応答性の良好な静電チャックを提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0007】

上記課題を解決するために、本発明に係る静電チャックは、被吸着物が載置される載置面を有する誘電体基板と、誘電体基板に内蔵された吸着電極と、誘電体基板に形成された環状の突起であって、その先端が載置面の一部となっているシールリングと、を備える。載置面に対し垂直な方向から見た場合において、シールリングは、第１部分と、第１部分とは異なる位置にある第２部分と、を有し、第１部分のうち、吸着電極と重なる範囲の占めている割合は、第２部分のうち、吸着電極と重なる範囲が占めている割合よりも小さい。

【0008】

このような構成の静電チャックでは、上面視におけるシールリングと吸着電極との重なり方が、シールリングの全周に亘り一様とはなっておらず、第１部分における重なり方が第２部分における重なり方に比べて小さくなっている。例えば、ガス穴の近傍となる位置に第１部分が配置されるよう、吸着電極の形状等を設定すれば、上記のような吸着力の局所的な増大を抑制し、静電チャックの離脱応答性を向上させることが可能となる。

【0009】

また、本発明に係る静電チャックでは、誘電体基板には、シールリングの周囲の空間にガスを供給するためのガス穴が形成されており、載置面に対し垂直な方向から見た場合において、第１部分は、シールリングのうちガス穴と隣り合う部分であることも好ましい。

【0010】

シールリングのうちガス穴と隣り合う部分は、不活性ガスの影響により吸着力が局所的に増大しやすい部分だと考えられる。このような部分を第１部分とし、当該部分における吸着力を抑制することで、静電チャックの離脱応答性を向上させることができる。

【0011】

また、本発明に係る静電チャックでは、載置面に対し垂直な方向から見た場合において、ガス穴は、シールリングに沿って並ぶように複数形成されており、それぞれのガス穴と隣り合う位置に第１部分があることも好ましい。

【0012】

シールリングのうち、複数あるガス穴と隣り合う位置のそれぞれを第１部分とし、各位置における吸着力を抑制することで、静電チャックの離脱応答性を向上させることができる。

【0013】

また、本発明に係る静電チャックでは、載置面に対し垂直な方向から見た場合において、第１部分のうち、吸着電極と重なっていない領域は、ガス穴を中心とした円形の領域の一部であることも好ましい。

【0014】

シールリングの一部を、吸着電極との重なりの小さな第１部分とするための具体的な構成としては、例えば、吸着電極の一部に開口又は切り欠きを形成することが考えられる。このとき、第１部分のうち吸着電極と重なっていない領域が、ガス穴を中心とした円形の領域の一部となるよう、上記の開口等を形成すれば、開口等の形成に伴う吸着力の低下を最低限に抑えることができる。つまり、ガス穴の近傍における局所的な吸着力の増大を抑制する一方で、ガス穴から遠い部分の吸着力については維持することができる。これにより、静電チャックの離脱応答性を向上させながらも、静電チャックの全体における吸着力を十分に確保することができる。

【発明の効果】

【0015】

本発明によれば、離脱応答性の良好な静電チャックを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0016】

【図1】本実施形態に係る静電チャックの構成を模式的に示す断面図である。

【図2】図１の静電チャックが備える誘電体基板の構成を示す図である。

【図3】誘電体基板に内蔵された吸着電極を示す図である。

【図4】吸着電極とシールリングとの位置関係等について説明するための図である。

【発明を実施するための形態】

【0017】

以下、添付図面を参照しながら本実施形態について説明する。説明の理解を容易にするため、各図面において同一の構成要素に対しては可能な限り同一の符号を付して、重複する説明は省略する。

【0018】

本実施形態に係る静電チャック１０は、例えばＣＶＤ成膜装置のような不図示の半導体製造装置の内部において、処理対象となる基板Ｗを静電力によって吸着し保持するものである。基板Ｗは「被吸着物」に該当するものであり、例えばシリコンウェハである。静電チャック１０は、半導体製造装置以外の装置に用いられてもよい。

【0019】

図１には、基板Ｗを吸着保持した状態の静電チャック１０の構成が、模式的な断面図として示されている。静電チャック１０は、誘電体基板１００と、ベースプレート２００と、接合層３００と、を備える。

【0020】

誘電体基板１００は、セラミック焼結体からなる略円盤状の部材である。誘電体基板１００は、例えば高純度の酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）を含むが、他の材料を含んでもよい。誘電体基板１００におけるセラミックスの純度や種類、添加物等は、半導体製造装置において誘電体基板１００に求められる耐プラズマ性等を考慮して、適宜設定することができる。

【0021】

誘電体基板１００のうち図１における上方側の面１１０は、基板Ｗが載置される「載置面」となっている。また、誘電体基板１００のうち図１における下方側の面１２０は、後述の接合層３００を介してベースプレート２００に接合される「被接合面」となっている。面１１０に対し垂直な方向に沿って、面１１０側から静電チャック１０を見た場合の視点のことを、以下では「上面視」のようにも表記する。

【0022】

誘電体基板１００の内部には吸着電極１３０が埋め込まれている。吸着電極１３０は、例えばタングステン等の金属材料により形成された薄い平板状の層であり、面１１０に対し平行となるように配置されている。吸着電極１３０の材料としては、タングステンの他、モリブデン、白金、パラジウム等を用いてもよい。給電路１３を介して外部から吸着電極１３０に電圧が印加されると、面１１０と基板Ｗとの間に静電力が生じ、これにより基板Ｗが吸着保持される。吸着電極１３０は、本実施形態のように所謂「単極」の電極として１つだけ設けられていてもよいが、所謂「双極」の電極として２つ設けられていてもよい。吸着電極１３０の具体的な形状については後に説明する。

【0023】

図１においては、給電路１３の全体が簡略化して描かれている。給電路１３のうち誘電体基板１００の内部の部分は、例えば、導電体の充填された細長いビア（穴）として構成されており、その下端には不図示の電極端子が設けられている。給電路１３のうち後述のベースプレート２００を貫いている部分は、上記の電極端子に一端が接続された導電性の金属部材（例えばバスバー）である。ベースプレート２００には、給電路１３を挿通するための不図示の貫通穴が形成されている。当該貫通穴の内面と給電路１３との間には、例えば円筒状の絶縁部材が設けられていてもよい。

【0024】

図１に示されるように、誘電体基板１００と基板Ｗとの間には空間ＳＰが形成されている。半導体製造装置において成膜等の処理が行われる際には、空間ＳＰには、後述のガス穴１４０等を介して外部から温度調整用の不活性ガスが供給される。誘電体基板１００と基板Ｗとの間に不活性ガスを介在させることで、両者間の熱抵抗が調整され、これにより基板Ｗの温度が適温に保たれる。尚、空間ＳＰに供給される温度調整用の不活性ガスとしては、本実施形態ではヘリウムガスが用いられるが、ヘリウムガスとは異なる種類のガスであってもよい。

【0025】

図２は、誘電体基板１００を上面視で描いた図である。同図に示されるように、載置面である面１１０上にはシールリング１１１やドット１１２が設けられており、上記の空間ＳＰはこれらの周囲に形成されている。

【0026】

シールリング１１１は、空間ＳＰを区画する壁として設けられた環状の突起である。シールリング１１１は複数設けられており、上面視において同心円状に並んでいる。それぞれのシールリング１１１の先端（図１における上端）は、面１１０の一部となっており、基板Ｗに当接する。本実施形態では、計４つのシールリング１１１が設けられており、これにより空間ＳＰは４つに分けられている。このような構成とすることで、それぞれの空間ＳＰにおけるヘリウムガスの圧力を個別に調整し、処理中における基板Ｗの表面温度分布を均一に近づけることが可能となる。

【0027】

尚、上面視における各シールリング１１１の形状は、本実施形態のように円形であってもよいが、円形とは異なる形状であってもよい。例えば、基板Ｗに形成されたノッチやオリフラと対応する部分において、シールリング１１１の一部が直線状となっていてもよい。

【0028】

図１や図２において符号「１１６」が付されている部分は、空間ＳＰの底面である。以下では、当該部分のことを「底面１１６」とも称する。シールリング１１１は、次に述べるドット１１２と共に、面１１０の一部を底面１１６の位置まで掘り下げた結果として形成されている。

【0029】

ドット１１２は、底面１１６から突出する円形の突起である。図２に示されるように、ドット１１２は複数設けられており、誘電体基板１００の載置面において略均等に分散配置されている。それぞれのドット１１２の上端は、面１１０の一部となっており、基板Ｗに当接する。このようなドット１１２を複数設けておくことで、基板Ｗの撓みが抑制される。

【0030】

空間ＳＰの底面１１６には、溝１１３が形成されている。溝１１３は、底面１１６から更に面１２０側へと後退させるように形成された溝である。溝１１３は、ガス穴１４０から供給されるヘリウムガスを、空間ＳＰ内に素早く拡散させ、空間ＳＰ内の圧力分布を短時間のうちに略均一とすることを目的として形成されている。

【0031】

誘電体基板１００には、面１２０から面１１０側に向かって垂直に伸びるガス穴１４０が形成されている。ガス穴１４０は、シールリング１１１の周囲の空間ＳＰにガスを供給するための穴である。図１や図２に示されるように、ガス穴１４０のうち面１１０側の端部は、溝１１３の底面において開口している。誘電体基板１００において、ガス穴１４０は複数形成されており、これらが溝１１３に沿って並んでいる。本実施形態では、４つに区分された空間ＳＰのそれぞれに対して、ガス穴１４０が複数個ずつ繋がっている。

【0032】

尚、図２においては図示の便宜上、ガス穴１４０の直径が溝１１３の幅よりも大きくなっているように描かれているが、実際のガス穴１４０は、その全体が溝１１３の内側に収まっている。図４に示されるように、本実施形態では、ガス穴１４０が溝１１３の内側に収まるよう、ガス穴１４０の位置において溝１１３の幅が局所的に大きくなっている。

【0033】

図１に示されるように、ガス穴１４０のうち面１２０側の部分は、面１１０側の部分に比べて拡径されており、その内側には通気プラグ１４５が配置されている。通気プラグ１４５は、例えばアルミナにより形成された多孔質体であり、全体が通気性を有している。このような通気プラグ１４５をガス穴１４０の内側に配置することで、ガス穴１４０におけるガスの流れを確保しながらも、ガス穴１４０を通じた経路での絶縁破壊の発生を抑制することができる。

【0034】

図２において符号「１１５」が付されているのは、半導体製造装置に設けられた不図示のリフトピンが挿通される穴である。当該穴のことを、以下では「リフトピン穴１１５」とも称する。リフトピン穴１１５は計３つ形成されており、これらが１２０度等配となるように配置されている。リフトピン穴１１５を通じて上下に移動するリフトピンにより、誘電体基板１００の面１１０に対する基板Ｗの着脱が行われる。リフトピン穴１１５の周囲には、リフトピン穴１１５と空間ＳＰとの間を隔てるためのシール面が形成されていてもよい。

【0035】

ベースプレート２００は、誘電体基板１００を支持する略円盤状の部材である。ベースプレート２００は、例えばアルミニウムのような金属材料により形成されている。ベースプレート２００のうち、図１における上方側の面２１０は、接合層３００を介して誘電体基板１００に接合される「被接合面」となっている。

【0036】

図１に示されるように、ベースプレート２００には、面２１０から、その反対側の面２２０側に向かって垂直に伸びるガス穴２４０が形成されている。ガス穴２４０は、上面視において誘電体基板１００のガス穴１４０と重なる位置、のそれぞれに形成されており、接合層３００に設けられた貫通穴３１０を介してガス穴１４０に連通されている。ガス穴２４０は、誘電体基板１００のガス穴１４０と共に、空間ＳＰに向けてヘリウムガスを供給するための経路の一部となっている。

【0037】

図１に示されるように、ガス穴２４０のうち面２１０側の部分は、面２２０側の部分に比べて拡径されており、その内側には通気プラグ２４５が配置されている。通気プラグ２４５は、例えばアルミナにより形成された多孔質体であり、全体が通気性を有している。このような通気プラグ２４５をガス穴２４０の内側に配置することで、ガス穴２４０におけるガスの流れを確保しながらも、ガス穴２４０を通じた経路での絶縁破壊の発生を抑制することができる。

【0038】

尚、ガス穴２４０は、本実施形態のように全体が直線状に伸びるように形成されていてもよいが、面２２０に向かう途中で屈曲するように形成されていてもよい。また、面２１０側の複数のガス穴２４０を、ベースプレート２００の内部において少数の流路に集約した上で、当該流路を面２２０側まで伸ばすような構成としてもよい。

【0039】

ベースプレート２００の内部には、冷媒を流すための冷媒流路２５０が形成されている。半導体製造装置において成膜等の処理が行われる際には、外部から冷媒が冷媒流路２５０に供給され、これによりベースプレート２００が冷却される。処理中において基板Ｗで生じた熱は、空間ＳＰのヘリウムガス、誘電体基板１００、及びベースプレート２００を介して冷媒へと伝えられ、冷媒と共に外部へと排出される。

【0040】

ベースプレート２００のうち、上面視においてリフトピン穴１１５と重なる位置のそれぞれには、リフトピンを通すための不図示の貫通穴が形成されている。

【0041】

ベースプレート２００の表面には絶縁膜が形成されていてもよい。絶縁膜は、ベースプレート２００の表面のうち、少なくとも面２１０の全体を含む範囲に形成されることが好ましい。絶縁膜としては、例えば、溶射により形成されたアルミナの膜を用いることができる。ベースプレート２００の表面を絶縁膜で覆っておくことにより、ベースプレート２００の絶縁耐圧を高めることができる。

【0042】

接合層３００は、誘電体基板１００とベースプレート２００との間に設けられた層であって、両者を接合している。接合層３００は、絶縁性の材料からなる接着材を硬化させたものである。本実施形態では、上記接着剤としてシリコーン接着剤を用いている。ただし、接合層３００は、他の種類の接着剤を硬化させたものであってもよい。いずれの場合であっても、誘電体基板１００とベースプレート２００との間の熱抵抗が小さくなるように、接合層３００の材料としては、可能な限り熱伝導率が高い材料を用いるのが好ましい。

【0043】

吸着電極１３０の構成について説明する。図３には、誘電体基板１００の内部に埋め込まれた吸着電極１３０の全体が上面視で示されている。同図に示されるように、吸着電極１３０の外形状は略円形となっており、内側には複数の開口１３１、１３２が形成されている。

【0044】

開口１３１は、上面視においてガス穴１４０と対応する位置のそれぞれに形成された円形の開口である。上面視においては、開口１３１の中心とガス穴１４０の中心とが互いに一致している。開口１３１の直径はガス穴１４０の直径よりも大きい。開口１３２は、上面視においてリフトピン穴１１５と対応する位置のそれぞれに形成された円形の開口である。上面視においては、開口１３２の中心とリフトピン穴１１５の中心とが互いに一致している。開口１３２の直径はリフトピン穴１１５の直径よりも大きい。吸着電極１３０に開口１３１、１３２を形成しておくことで、ガス穴１４０やリフトピン穴１１５の内面において、吸着電極１３０が露出してしまうことが防止されている。

【0045】

図４は、図２に示される誘電体基板１００の一部を拡大して描いた図である。図４においてハッチングが付されている領域は、誘電体基板１００に埋め込まれた吸着電極１３０を表している。

【0046】

誘電体基板１００に形成された複数のシールリング１１１のうち、図１や図４において符号「１１１Ａ」が付されているシールリング１１１のことを、以下では「シールリング１１１Ａ」とも称する。また、誘電体基板１００に形成された複数の環状の溝１１３のうち、図１や図４において符号「１１３Ａ」が付されている溝１１３のことを、以下では「溝１１３Ａ」とも称する。

【0047】

溝１１３Ａは、上面視において、シールリング１１１Ａに対し外側から近接する位置に形成されている。このため、溝１１３Ａに沿って並ぶよう形成されたガス穴１４０の位置も、シールリング１１１Ａに対し近接する位置となっている。

【0048】

シールリング１１１Ａのうち、図４において点線ＤＬ１で囲まれている部分のことを、以下では「第１部分Ｐ１」とも称する。また、シールリング１１１Ａのうち、図４において点線ＤＬ２で囲まれている部分のことを、以下では「第２部分Ｐ２」とも称する。

【0049】

点線ＤＬ１及び点線ＤＬ２の形状は互いに同じであり、位置のみにおいて互いに異なっている。第１部分Ｐ１は、溝１１３Ａ内に形成されたガス穴１４０の一つ、と隣り合う部分である。尚、ここでいう「隣り合う部分」とは、ガス穴１４０の中心から、誘電体基板１００の中心に向かう方向（つまり径方向）に沿って隣り合っている部分のことである。第２部分Ｐ２は、上記の第１部分Ｐ１とは異なる位置にある部分であって、溝１１３Ａ内に形成されたガス穴１４０とは隣り合っていない部分のことである。

【0050】

図４に示されるように、本実施形態の第２部分Ｐ２は、上面視においてその全体が吸着電極１３０と重なっている。一方、本実施形態の第１部分Ｐ１は、上面視において開口１３１の一部と重なっている。その結果、第１部分Ｐ１は、上面視においてその一部のみが吸着電極１３０と重なっている。

【0051】

ここで、シールリング１１１の特定部分（例えば第１部分Ｐ１等）について、当該部分のうち、上面視において吸着電極１３０と重なる範囲が占めている割合のことを、以下では「電極割合」と定義する。例えば「第１部分Ｐ１の電極割合」とは、図４の第１部分Ｐ１の全体のうち、吸着電極１３０と重なる範囲の占めている割合のことであり、本実施形態では１００％よりも小さな値となる。同様に、「第２部分Ｐ２の電極割合」とは、図４の第２部分Ｐ２の全体のうち、吸着電極１３０と重なる範囲の占めている割合のことであり、本実施形態では１００％となる。このように、本実施形態では、第１部分Ｐ１の電極割合が、第２部分Ｐ２の電極割合よりも小さくなるように、吸着電極１３０の形状や位置が設定されている。

【0052】

このような構成としたことの利点について説明する。本発明者らは、ガス穴１４０やシールリング１１１の配置において異なる複数形状の静電チャック１０について実験を行ったところ、ガス穴１４０とシールリング１１１との位置関係によっては、静電チャック１０の吸着力が大きくなり過ぎて、所謂離脱応答性が低下してしまうことがあるという知見を得た。その原因は、ガス穴１４０から供給された不活性ガスの一部が、その近傍にあるシールリング１１１と基板Ｗとの間の微小な隙間に入り込み、当該隙間の比誘電率を上昇させ、その結果として当該部分における吸着力を局所的に増大させてしまうためと考えられる。

【0053】

そこで、本実施形態に係る静電チャック１０では、ガス穴１４０と隣り合う第１部分Ｐ１、すなわち、ガスの侵入によって局所的に吸着力が増大しやすい部分である第１部分Ｐ１の電極割合を、第２部分Ｐ２の電極割合よりも小さくしている。これにより、第１部分Ｐ１における吸着力は低減されるので、第１部分Ｐ１における局所的な吸着力の増大を抑制することができる。その結果、静電チャック１０の離脱応答性を向上させることができる。第１部分Ｐ１における電極割合は、離脱応答性を実験等により確認しながら、例えば開口１３１の直径等によって適宜調整すればよい。

【0054】

尚、以上のような第１部分Ｐ１は、シールリング１１１Ａのうち、溝１１３Ａ内に形成された複数のガス穴１４０と隣り合う位置のそれぞれに設けられている。シールリング１１１Ａのうち、溝１１３Ａ内に形成された複数のガス穴１４０と隣り合う位置の全てではなく一部のみを、電極割合の小さな第１部分Ｐ１としてもよい。

【0055】

第２部分Ｐ２の電極割合は、第１部分Ｐ１の電極割合よりも大きくなっているのであれば、本実施形態のような１００％でなくてもよい。

【0056】

図４に示されるように、第１部分Ｐ１のうち、上面視において吸着電極１３０と重なっていない領域は、ガス穴１４０を中心とした円形の領域（具体的には開口１３１）の一部となっている。このような構成とすることで、開口１３１等の形成に伴う吸着力の低下を最低限に抑えることができる。つまり、ガス穴１４０の近傍における局所的な吸着力の増大を抑制する一方で、ガス穴１４０から遠い部分の吸着力については維持することができる。これにより、静電チャック１０の離脱応答性を向上させながらも、静電チャック１０の全体における吸着力を十分に確保することができる。

【0057】

第１部分Ｐ１における電極割合を小さくするための具体的な方法としては、本実施形態のように吸着電極１３０に対し円形の開口１３１を形成することであってもよいが、吸着電極１３０に対し円弧状の切り欠きを形成することであってもよい。

【0058】

以上に述べた第１部分Ｐ１や第２部分Ｐ２は、シールリング１１１Ａ以外の他のシールリング１１１について採用してもよい。例えば、図２に示されるシールリング１１１Ｂは、その内側にある溝１１３Ｂと近接する位置にある。このため、シールリング１１１Ｂのうち、溝１１３Ｂ内に形成された複数のガス穴１４０と隣り合う位置のそれぞれが、吸着割合の小さな第１部分Ｐ１となるように、吸着電極１３０の形状等を調整してもよい。

【0059】

同様に、図２に示されるシールリング１１１Ｃは、その内側にある溝１１３Ｃと近接する位置にある。このため、シールリング１１１Ｃのうち、溝１１３Ｃ内に形成された複数のガス穴１４０と隣り合う位置のそれぞれが、吸着割合の小さな第１部分Ｐ１となるように、吸着電極１３０の形状等を調整してもよい。

【0060】

尚、本実施形態では、シールリング１１１のうち上面視においてガス穴１４０と隣り合う部分を、吸着割合の小さな第１部分Ｐ１としたが、第１部分Ｐ１及び第２部分Ｐ２の選定方法は、上記のような方法に限定されない。隙間に対するガスの侵入以外の原因で、シールリング１１１Ａの吸着力が局所的に増大する場合には、当該部分を吸着割合の小さな第１部分Ｐ１とし、その他の部分を第２部分Ｐ２とすれば、吸着力の局所的な増大を抑制することができる。

【0061】

第１部分Ｐ１及び第２部分Ｐ２の形状は、図４に例示される形状に限られず、任意の形状とすることができる。いずれの場合であっても、第１部分Ｐ１及び第２部分Ｐ２を互いに同一な形状とした上で、それぞれの電極割合を算出し比較すればよい。

【0062】

以上、具体例を参照しつつ本実施形態について説明した。しかし、本開示はこれらの具体例に限定されるものではない。これら具体例に、当業者が適宜設計変更を加えたものも、本開示の特徴を備えている限り、本開示の範囲に包含される。前述した各具体例が備える各要素およびその配置、条件、形状などは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。前述した各具体例が備える各要素は、技術的な矛盾が生じない限り、適宜組み合わせを変えることができる。

【符号の説明】

【0063】

１０：静電チャック
１００：誘電体基板
１１０：面
１１１：シールリング
１３０：吸着電極
１４０：ガス穴
Ｐ１：第１部分
Ｐ２：第２部分
Ｗ：基板

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】