特開 2024-175421 静電チャック

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024175421

(43)【公開日】2024-12-18

(54)【発明の名称】静電チャック

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/683 20060101AFI20241211BHJP

   H01L 21/205 20060101ALI20241211BHJP

   H01L 21/31 20060101ALI20241211BHJP

   H02N 13/00 20060101ALI20241211BHJP

【ＦＩ】

H01L21/68 R

H01L21/205

H01L21/31 C

H02N13/00 D

【審査請求】未請求

【請求項の数】7

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023093200

(22)【出願日】2023-06-06

(71)【出願人】

【識別番号】000010087

【氏名又は名称】ＴＯＴＯ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100140486

【弁理士】

【氏名又は名称】鎌田 徹

(74)【代理人】

【識別番号】100079108

【弁理士】

【氏名又は名称】稲葉 良幸

(74)【代理人】

【識別番号】100121843

【弁理士】

【氏名又は名称】村井 賢郎

(74)【代理人】

【識別番号】100170058

【弁理士】

【氏名又は名称】津田 拓真

(72)【発明者】

【氏名】上藤 淳平

(72)【発明者】

【氏名】佐々木 雄基

(72)【発明者】

【氏名】板倉 郁夫

(72)【発明者】

【氏名】山口 康介

(72)【発明者】

【氏名】白石 純

(72)【発明者】

【氏名】吉井 雄一

【テーマコード（参考）】

5F045

5F131

【Ｆターム（参考）】

5F045AA08

5F045AF03

5F045BB11

5F045EJ03

5F045EM02

5F045EM05

5F045EM07

5F045EM09

5F131AA03

5F131BA04

5F131CA08

5F131CA33

5F131CA42

5F131EA03

5F131EB04

5F131EB11

5F131EB14

5F131EB15

5F131EB43

5F131EB78

5F131EB79

5F131EB82

5F131EB84

(57)【要約】

【課題】基板に加えられる支持力のバランスを保ち、基板の撓みを抑制することのできる静電チャック、を提供する。
【解決手段】静電チャック１０は、誘電体基板１００と、誘電体基板１００に形成された複数のシールリング１５０と、誘電体基板１００に形成された複数のドット１６０と、を備える。複数のシールリング１５０のうち、第１シールリング１５１及び第２シールリング１５２はいずれも、非円形部分１５１Ａ、１５２Ａを有する。複数のドット１６０は、第１シールリング１５１の内側において、第１シールリング１５１の形状に沿って並ぶように配置された第１ドット群と、第２シールリング１５２の内側において、第２シールリング１５２の形状に沿って並ぶように配置された第２ドット群と、を含む。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

被吸着物が載置される載置面を有する誘電体基板と、
前記誘電体基板に形成された環状の突起であって、その先端面が前記載置面の一部となっている複数のシールリングと、
前記誘電体基板に形成された突起であって、その先端面が前記載置面の一部となっている複数のドットと、を備え、
複数の前記シールリングは、
前記載置面のうち最も外周端となる位置に配置された第１シールリングと、
前記第１シールリングとの間に他の前記シールリングを挟むことなく、前記第１シールリングの内側となる位置に配置された第２シールリングと、を含み、
前記第１シールリング及び前記第２シールリングはいずれも、前記載置面に対し垂直な方向から見た場合の形状が円形から外れている部分、である非円形部分を有し、
複数の前記ドットは、
前記第１シールリングの内側において、前記第１シールリングの形状に沿って並ぶように配置された複数の前記ドット、である第１ドット群と、
前記第２シールリングの内側において、前記第２シールリングの形状に沿って並ぶように配置された複数の前記ドット、である第２ドット群と、を含むことを特徴とする静電チャック。

【請求項2】

前記第１ドット群に含まれるそれぞれの前記ドットは、前記第１シールリングまでの距離において互いに同じであることを特徴とする、請求項１に記載の静電チャック。

【請求項3】

前記第２ドット群に含まれるそれぞれの前記ドットは、前記第２シールリングまでの距離において互いに同じであることを特徴とする、請求項１に記載の静電チャック。

【請求項4】

前記第１シールリングと前記第２シールリングとの間に設けられた複数の前記ドットは、いずれも前記第１ドット群に含まれものであり、一列に並ぶよう配置されていることを特徴とする、請求項１に記載の静電チャック。

【請求項5】

前記第１ドット群に含まれるそれぞれの前記ドットは等間隔で並ぶように配置されていることを特徴とする、請求項１に記載の静電チャック。

【請求項6】

前記第２ドット群に含まれるそれぞれの前記ドットは等間隔で並ぶように配置されていることを特徴とする、請求項１に記載の静電チャック。

【請求項7】

前記非円形部分は、前記載置面に対し垂直な方向から見た場合の形状が直線状となっていることを特徴とする、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の静電チャック。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は静電チャックに関する。

【背景技術】

【0002】

例えばＣＶＤ装置等の半導体製造装置には、処理の対象となるシリコンウェハ等の基板を吸着し保持するための装置として、静電チャックが設けられる。静電チャックは、吸着電極が設けられた誘電体基板を備える。吸着電極に電圧が印加されると静電力が生じ、誘電体基板上に載置された基板が吸着され保持される。

【0003】

下記特許文献１に記載されているように、誘電体基板と基板との間の空間には、処理中における基板の温度調整等を目的として、ヘリウム等の不活性ガスが供給される。不活性ガスは、誘電体基板に形成されたガス穴を通じて上記空間に供給される。

【0004】

誘電体基板と基板との間で上記空間を確保するために、誘電体基板のうち基板側の面には、環状の突起であるシールリングが形成される。上記空間を複数に分けておき、各部における不活性ガスの圧力を個別に調整し得るように、上記のシールリングは複数設けられるのが一般的である。また、誘電体基板のうち基板側の面には、上記のシールリングに加えて、基板を支持するための微小な突起であるドットも複数形成される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開２０１２－２３４９０４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

載置面に対し垂直な方向から見た場合のシールリングの形状は、全体において円形とされることもあるが、例えばシリコンウェハのオリフラやノッチと対応する部分のみを直線状とするなど、一部においては非円形の形状とされることもある。このような非円形部分は、最外周に配置されたシールリングのみならず、その１つ内側に配置されたシールリングにも設けられる。

【0007】

一方、ドットは、上記の非円形部分を考慮することなく、例えば互いに等間隔に並ぶよう載置面の全体において規則的に配置される。このため、シールリングのうち上記の非円形部分の近傍となる位置においては、ドットとシールリングとの間が局所的に狭くなってしまったり、逆に広くなってしまったりすることがある。

【0008】

非円形部分の近傍におけるドットの配置によっては、基板に加えられる支持力のバランスが崩れてしまい、基板の撓み量が大きくなってしまう可能性が有る。基板の撓みは、基板における局所的な温度上昇や温度低下等の原因となり得るため、好ましくない。

【0009】

本発明はこのような課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板に加えられる支持力のバランスを保ち、基板の撓みを抑制することのできる静電チャック、を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0010】

上記課題を解決するために、本発明に係る静電チャックは、被吸着物が載置される載置面を有する誘電体基板と、誘電体基板に形成された環状の突起であって、その先端面が載置面の一部となっている複数のシールリングと、誘電体基板に形成された突起であって、その先端面が載置面の一部となっている複数のドットと、を備える。複数のシールリングは、載置面のうち最も外周端となる位置に配置された第１シールリングと、第１シールリングとの間に他のシールリングを挟むことなく、第１シールリングの内側となる位置に配置された第２シールリングと、を含む。第１シールリング及び第２シールリングはいずれも、載置面に対し垂直な方向から見た場合の形状が円形から外れている部分、である非円形部分を有する。複数のドットは、第１シールリングの内側において、第１シールリングの形状に沿って並ぶように配置された複数のドット、である第１ドット群と、第２シールリングの内側において、第２シールリングの形状に沿って並ぶように配置された複数のドット、である第２ドット群と、を含む。

【0011】

このような構成の静電チャックでは、最も外周側にある第１シールリングと、その１つ内側にある第２シールリングとのそれぞれが、例えば基板のオリフラ等に対応する非円形部分を有している。また、第１シールリングの内側では、非円形部分を含む第１シールリングの形状に沿って並ぶよう、複数のドットである第１ドット群が配置されている。同様に、第２シールリングの内側では、非円形部分を含む第２シールリングの形状に沿って並ぶよう、複数のドットである第２ドット群が配置されている。

【0012】

このような構成においては、第１ドット群に含まれる各ドットから第１シールリングまでの距離が、全周に亘り概ね均等となるので、第１シールリングの内側において、基板への支持力のバランスを保つことができる。同様に、第２ドット群に含まれる各ドットから第２シールリングまでの距離も、全周に亘り概ね均等となるので、第２シールリングの内側においても、基板への支持力のバランスを保つことができる。基板のうち非円形部分やその近傍の部分、すなわち、比較的撓みの生じやすかった部分に対する支持力のバランスが保たれるので、基板の撓みを従来に比べ抑制することができる。

【0013】

また、本発明に係る静電チャックでは、第１ドット群に含まれるそれぞれのドットは、第１シールリングまでの距離において互いに同じであることも好ましい。第１ドット群に含まれるそれぞれのドットから第１シールリングまでの距離が、非円形部分も含めて同一の距離となるので、第１シールリングやその近傍部分における基板の撓みを十分に抑制することができる。

【0014】

また、本発明に係る静電チャックでは、第２ドット群に含まれるそれぞれのドットは、第２シールリングまでの距離において互いに同じであることも好ましい。第２ドット群に含まれるそれぞれのドットから第２シールリングまでの距離が、非円形部分も含めて同一の距離となるので、第２シールリングやその近傍部分における基板の撓みを十分に抑制することができる。

【0015】

また、本発明に係る静電チャックでは、第１シールリングと第２シールリングとの間に設けられた複数のドットは、いずれも第１ドット群に含まれものであり、一列に並ぶよう配置されていることも好ましい。

【0016】

基板のうち最外周部分は、処理中にはその内側に比べて高温となりやすい部分である。上記構成の静電チャックでは、第１シールリングと第２シールリングとの間を、ドットが１列のみ並ぶ程度に互いに近づけておくことで、基板のうち最外周部分の温度を調整することが可能となる。また、第１シールリングと第２シールリングとの間において一列に並ぶドットは、第１シールリングの形状に沿って並んでいるため、基板への支持力のバランスを保つことができる。

【0017】

また、本発明に係る静電チャックでは、第１ドット群に含まれるそれぞれのドットは等間隔で並ぶように配置されていることも好ましい。第１ドット群の各ドットを等間隔で並ぶよう配置することで、基板への支持力のバランスを十分に保つことができる。

【0018】

また、本発明に係る静電チャックでは、第２ドット群に含まれるそれぞれのドットは等間隔で並ぶように配置されていることも好ましい。第２ドット群の各ドットを等間隔で並ぶよう配置することで、基板への支持力のバランスを十分に保つことができる。

【0019】

また、本発明に係る静電チャックでは、非円形部分は、載置面に対し垂直な方向から見た場合の形状が直線状となっていることも好ましい。シールリングのうち、基板のオリフラ等に対応する非円形部分の形状は、直線状とされる場合が多い。このような場合でも、基板への支持力のバランスを十分に保つことができる。

【発明の効果】

【0020】

本発明によれば、基板に加えられる支持力のバランスを保ち、基板の撓みを抑制することのできる静電チャック、を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0021】

【図1】本実施形態に係る静電チャックの構成を模式的に示す断面図である。

【図2】図１の静電チャックが備える誘電体基板の構成を示す図である。

【図3】誘電体基板におけるシールリング及びドットの配置について説明するための図である。

【図4】誘電体基板におけるシールリング及びドットの配置について説明するための図である。

【図5】誘電体基板におけるシールリング及びドットの配置について説明するための図である。

【発明を実施するための形態】

【0022】

以下、添付図面を参照しながら本実施形態について説明する。説明の理解を容易にするため、各図面において同一の構成要素に対しては可能な限り同一の符号を付して、重複する説明は省略する。

【0023】

本実施形態に係る静電チャック１０は、例えばＣＶＤ成膜装置のような不図示の半導体製造装置の内部において、処理対象となる基板Ｗを静電力によって吸着し保持するものである。基板Ｗは「被吸着物」に該当するものであり、例えばシリコンウェハである。静電チャック１０は、半導体製造装置以外の装置に用いられてもよい。

【0024】

図１には、基板Ｗを吸着保持した状態の静電チャック１０の構成が、模式的な断面図として示されている。静電チャック１０は、誘電体基板１００と、ベースプレート２００と、接合層３００と、を備える。

【0025】

誘電体基板１００は、セラミック焼結体からなる略円盤状の部材である。誘電体基板１００は、例えば高純度の酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）を含むが、他の材料を含んでもよい。誘電体基板１００におけるセラミックスの純度や種類、添加物等は、半導体製造装置において誘電体基板１００に求められる耐プラズマ性等を考慮して、適宜設定することができる。

【0026】

誘電体基板１００のうち図１における上方側の面１１０は、基板Ｗが載置される「載置面」となっている。また、誘電体基板１００のうち図１における下方側の面１２０は、後述の接合層３００を介してベースプレート２００に接合される「被接合面」となっている。面１１０に対し垂直な方向に沿って、面１１０側から静電チャック１０を見た場合の視点のことを、以下では「上面視」のようにも表記する。

【0027】

誘電体基板１００の内部には吸着電極１３０が埋め込まれている。吸着電極１３０は、例えばタングステン等の金属材料により形成された薄い平板状の層であり、面１１０に対し平行となるように配置されている。吸着電極１３０の材料としては、タングステンの他、モリブデン、白金、パラジウム等を用いてもよい。給電路１３を介して外部から吸着電極１３０に電圧が印加されると、面１１０と基板Ｗとの間に静電力が生じ、これにより基板Ｗが吸着保持される。吸着電極１３０は、本実施形態のように所謂「単極」の電極として１つだけ設けられていてもよいが、所謂「双極」の電極として２つ設けられていてもよい。

【0028】

図１においては、給電路１３の全体が簡略化して描かれている。給電路１３のうち誘電体基板１００の内部の部分は、例えば、導電体の充填された細長いビア（穴）として構成されており、その下端には不図示の電極端子が設けられている。給電路１３のうち後述のベースプレート２００を貫いている部分は、上記の電極端子に一端が接続された導電性の金属部材（例えばバスバー）である。ベースプレート２００には、給電路１３を挿通するための不図示の貫通穴が形成されている。当該貫通穴の内面と給電路１３との間には、例えば円筒状の絶縁部材が設けられていてもよい。

【0029】

図１に示されるように、誘電体基板１００と基板Ｗとの間には空間ＳＰが形成されている。半導体製造装置において成膜等の処理が行われる際には、空間ＳＰには、後述のガス穴１４０等を介して外部から温度調整用の不活性ガスが供給される。誘電体基板１００と基板Ｗとの間に不活性ガスを介在させることで、両者間の熱抵抗が調整され、これにより基板Ｗの温度が適温に保たれる。尚、空間ＳＰに供給される温度調整用の不活性ガスとしては、本実施形態ではヘリウムガスが用いられるが、ヘリウムガスとは異なる種類のガスであってもよい。

【0030】

図２は、誘電体基板１００を上面視で描いた図である。同図に示されるように、載置面である面１１０上にはシールリング１５０やドット１６０が設けられており、上記の空間ＳＰはこれらの周囲に形成されている。

【0031】

シールリング１５０は、空間ＳＰを区画する壁として設けられた環状の突起である。シールリング１５０は複数設けられており、上面視において略同心円状に並んでいる。それぞれのシールリング１５０の先端面（図１における上端面）は、面１１０の一部となっており、基板Ｗに当接する。本実施形態では、計４つのシールリング１５０が設けられており、これにより空間ＳＰは４つに分けられている。このような構成とすることで、それぞれの空間ＳＰにおけるヘリウムガスの圧力を個別に調整し、処理中における基板Ｗの表面温度分布を均一に近づけることが可能となる。

【0032】

図１や図２において符号「１１６」が付されている部分は、空間ＳＰの底面である。以下では、当該部分のことを「底面１１６」とも称する。シールリング１５０は、次に述べるドット１６０と共に、面１１０の一部を底面１１６の位置まで掘り下げた結果として形成されている。

【0033】

ドット１６０は、底面１１６から突出する円形の突起である。図２に示されるように、ドット１６０は複数設けられており、誘電体基板１００の載置面において略均等に分散配置されている。それぞれのドット１６０の上端面は、面１１０の一部となっており、基板Ｗに当接する。このようなドット１６０を複数設けておくことで、基板Ｗの撓みが抑制される。

【0034】

空間ＳＰの底面１１６には、溝１１３が形成されている。溝１１３は、底面１１６から更に面１２０側へと後退させるように形成された溝である。溝１１３は、ガス穴１４０から供給されるヘリウムガスを、空間ＳＰ内に素早く拡散させ、空間ＳＰ内の圧力分布を短時間のうちに略均一とすることを目的として形成されている。

【0035】

誘電体基板１００には、面１２０から面１１０側に向かって垂直に伸びるガス穴１４０が形成されている。ガス穴１４０は、空間ＳＰにガスを供給するための穴である。図１や図２に示されるように、ガス穴１４０のうち面１１０側の端部は、溝１１３の底面において開口している。誘電体基板１００において、ガス穴１４０は複数形成されており、これらが溝１１３に沿って並んでいる。本実施形態では、４つに区分された空間ＳＰのそれぞれに対して、ガス穴１４０が複数個ずつ繋がっている。

【0036】

尚、図２においては図示の便宜上、ガス穴１４０の直径が溝１１３の幅よりも大きくなっているように描かれているが、図１に示されるように、実際のガス穴１４０の直径は溝１１３の幅よりも小さい。ガス穴１４０が溝１１３の内側に収まるように、ガス穴１４０の位置において、溝１１３の幅が局所的に大きくなっていてもよい。

【0037】

図１に示されるように、ガス穴１４０のうち面１２０側の部分は、面１１０側の部分に比べて拡径されており、その内側には通気プラグ１４５が配置されている。通気プラグ１４５は、例えばアルミナにより形成された多孔質体であり、全体が通気性を有している。このような通気プラグ１４５をガス穴１４０の内側に配置することで、ガス穴１４０におけるガスの流れを確保しながらも、ガス穴１４０を通じた経路での絶縁破壊の発生を抑制することができる。

【0038】

図２において符号「１１５」が付されているのは、半導体製造装置に設けられた不図示のリフトピンが挿通される穴である。当該穴のことを、以下では「リフトピン穴１１５」とも称する。リフトピン穴１１５は計３つ形成されており、これらが１２０度等配となるように配置されている。リフトピン穴１１５を通じて上下に移動するリフトピンにより、誘電体基板１００の面１１０に対する基板Ｗの着脱が行われる。リフトピン穴１１５の周囲には、リフトピン穴１１５と空間ＳＰとの間を隔てるためのシール面が形成されていてもよい。

【0039】

図２において符号「１０１」が付されている部分においては、上面視における誘電体基板１００の外形が円弧状ではなく直線状となっている。当該部分は、基板Ｗ（シリコンウェハ）に設けられた位置合わせ用のオリフラ又はノッチと対応する部分である。当該部分のことを、以下では「オリフラ部１０１」とも称する。尚、誘電体基板１００にオリフラ部１０１が設けられておらず、上面視における誘電体基板１００の外形が完全な円形となっているような態様であってもよい。ただし、この場合であっても、誘電体基板１００のシールリング１５０には後述の非円形部分１５１Ａ、１５２Ａが設けられる。

【0040】

ベースプレート２００は、誘電体基板１００を支持する略円盤状の部材である。ベースプレート２００は、例えばアルミニウムのような金属材料により形成されている。ベースプレート２００のうち、図１における上方側の面２１０は、接合層３００を介して誘電体基板１００に接合される「被接合面」となっている。

【0041】

接合層３００は、誘電体基板１００とベースプレート２００との間に設けられた層であって、両者を接合している。接合層３００は、絶縁性の材料からなる接着材を硬化させたものである。本実施形態では、上記接着剤としてシリコーン接着剤を用いている。ただし、接合層３００は、他の種類の接着剤を硬化させたものであってもよい。いずれの場合であっても、誘電体基板１００とベースプレート２００との間の熱抵抗が小さくなるように、接合層３００の材料としては、可能な限り熱伝導率が高い材料を用いるのが好ましい。

【0042】

図１に示されるように、ベースプレート２００には、面２１０から、その反対側の面２２０側に向かって垂直に伸びるガス穴２４０が形成されている。ガス穴２４０は、上面視において誘電体基板１００のガス穴１４０と重なる位置、のそれぞれに形成されており、接合層３００に設けられた貫通穴３１０を介してガス穴１４０に連通されている。ガス穴２４０は、誘電体基板１００のガス穴１４０と共に、空間ＳＰに向けてヘリウムガスを供給するための経路の一部となっている。

【0043】

図１に示されるように、ガス穴２４０のうち面２１０側の部分は、面２２０側の部分に比べて拡径されており、その内側には通気プラグ２４５が配置されている。通気プラグ２４５は、例えばアルミナにより形成された多孔質体であり、全体が通気性を有している。このような通気プラグ２４５をガス穴２４０の内側に配置することで、ガス穴２４０におけるガスの流れを確保しながらも、ガス穴２４０を通じた経路での絶縁破壊の発生を抑制することができる。

【0044】

尚、ガス穴２４０は、本実施形態のように全体が直線状に伸びるように形成されていてもよいが、面２２０に向かう途中で屈曲するように形成されていてもよい。また、面２１０側の複数のガス穴２４０を、ベースプレート２００の内部において少数の流路に集約した上で、当該流路を面２２０側まで伸ばすような構成としてもよい。

【0045】

ベースプレート２００の内部には、冷媒を流すための冷媒流路２５０が形成されている。半導体製造装置において成膜等の処理が行われる際には、外部から冷媒が冷媒流路２５０に供給され、これによりベースプレート２００が冷却される。処理中において基板Ｗで生じた熱は、空間ＳＰのヘリウムガス、誘電体基板１００、及びベースプレート２００を介して冷媒へと伝えられ、冷媒と共に外部へと排出される。

【0046】

ベースプレート２００のうち、上面視においてリフトピン穴１１５と重なる位置のそれぞれには、リフトピンを通すための不図示の貫通穴が形成されている。

【0047】

ベースプレート２００の表面には絶縁膜が形成されていてもよい。絶縁膜は、ベースプレート２００の表面の全体ではなく一部のみを覆うように形成されてもよい。例えば、面２１０や面２２０を除く側面部分、すなわち、半導体製造装置の内部においてプラズマ等に曝される露出部分のみを覆うように絶縁膜が形成されてもよい。それとは異なり、少なくとも面２１０の全体を含む範囲を覆うように絶縁膜が形成されてもよい。絶縁膜としては、例えば、溶射により形成されたアルミナの膜を用いることができる。ベースプレート２００の表面を絶縁膜で覆っておくことにより、ベースプレート２００の絶縁耐圧を高めることができる。

【0048】

誘電体基板１００に設けられたシールリング１５０の形状やドット１６０の配置について、更に説明する。図２に示される４つのシールリング１５０のうち、最も外側に配置されているシールリング１５０のことを、以下では「第１シールリング１５１」とも称する。第１シールリング１５１は、載置面である面１１０のうち、最も外周端となる位置に配置されたシールリング１５０、ということができる。

【0049】

また、第１シールリング１５１の１つ内側に配置されているシールリング１５０のことを、以下では「第２シールリング１５２」とも称する。第２シールリング１５２は、第１シールリング１５１との間に他のシールリング１５０を挟むことなく、第１シールリング１５１の内側となる位置に配置されたシールリング１５０、ということができる。

【0050】

図３には、説明の便宜のために、図２に示される複数のシールリング１５０及び複数のドット１６０のうち、一部のみが抜き出して描かれている。

【0051】

第１シールリング１５１の内側において、第１シールリング１５１の形状に沿って１列に並んでいる複数のドット１６０のことを、以下では「第１ドット群」とも称する。第１ドット群は、第１シールリング１５１との間において他のドット１６０を挟むことなく、第１シールリング１５１の内側で一列に並んでいる複数のドット１６０である。第１ドット群に属するそれぞれのドット１６０のことを、以下では「ドット１６１」とも表記する。

【0052】

第２シールリング１５２の内側において、第２シールリング１５２の形状に沿って１列に並んでいる複数のドット１６０のことを、以下では「第２ドット群」とも称する。第２ドット群は、第２シールリング１５２との間において他のドット１６０を挟むことなく、第２シールリング１５２の内側で一列に並んでいる複数のドット１６０である。第２ドット群に属するそれぞれのドット１６０のことを、以下では「ドット１６２」とも表記する。

【0053】

図３においては、第１ドット群に含まれる全てのドット１６１と、第２ドット群に含まれる全てのドット１６２と、が図示されており、それ以外のドット１６０については図示が省略されている。

【0054】

上面視における第１シールリング１５１の形状は概ね円形である。ただし、第１シールリング１５１のうちオリフラ部１０１の近傍の部分（図３においてハッチングが付されている部分）は、円弧状とはなっておらず、オリフラ部１０１と平行な直線状に伸びている。つまり、第１シールリング１５１のうち当該部分は、上面視における形状が円形から外れている部分、ということができる。当該部分のことを、以下では「非円形部分１５１Ａ」とも称する。

【0055】

上面視における第２シールリング１５２の形状も概ね円形である。ただし、第２シールリング１５２のうちオリフラ部１０１の近傍の部分（図３においてハッチングが付されている部分）は、やはり円弧状とはなっておらず、オリフラ部１０１と平行な直線状に伸びている。つまり、第２シールリング１５２のうち当該部分は、上面視における形状が円形から外れている部分、ということができる。当該部分のことを、以下では「非円形部分１５２Ａ」とも称する。

【0056】

第１ドット群に属するドット１６１のうち、非円形部分１５１Ａと隣り合っているドット１６１（図３においてハッチングが付されており、符号「１６１Ａ」が付されているもの）は、非円形部分１５１Ａと平行に直線状に並んでいる。第１ドット群に属するドット１６１のうち上記以外のドット１６１は、いずれも円弧状に並んでいる。つまり、第１ドット群に属するそれぞれのドット１６１は、非円形部分１５１Ａと隣り合っているものも含めて、全てが第１シールリング１５１の形状に沿って環状に並ぶように配置されている。

【0057】

同様に、第２ドット群に属するドット１６２のうち、非円形部分１５２Ａと隣り合っているドット１６２（図３においてハッチングが付されており、符号「１６２Ａ」が付されているもの）は、非円形部分１５２Ａと平行に直線状に並んでいる。第２ドット群に属するドット１６２のうち上記以外のドット１６２は、いずれも円弧状に並んでいる。つまり、第２ドット群に属するそれぞれのドット１６２は、非円形部分１５２Ａと隣り合っているものも含めて、全てが第２シールリング１５２の形状に沿って環状に並ぶように配置されている。

【0058】

図４は、図３の一部を拡大して示す図である。図４に示される一点鎖線ＤＬ１は、第１シールリング１５１の幅方向中央となる位置を示す線である。ドット１６１の中心Ｃ１から一点鎖線ＤＬ１までの距離のことを、ここでは、当該ドット１６１から第１シールリング１５１までの「距離」と定義する。本実施形態では、第１ドット群に含まれる全てのドット１６１について、第１シールリング１５１までの距離がいずれも同じＬ１となるように、各ドット１６１が配置されている。

【0059】

図４に示される一点鎖線ＤＬ２は、第２シールリング１５２の幅方向中央となる位置を示す線である。ドット１６２の中心Ｃ２から一点鎖線ＤＬ２までの距離のことを、ここでは、当該ドット１６２から第２シールリング１５２までの「距離」と定義する。本実施形態では、第２ドット群に含まれる全てのドット１６２について、第２シールリング１５２までの距離がいずれも同じＬ２となるように、各ドット１６２が配置されている。

【0060】

尚、上記のＬ１とＬ２とは互いに同じ距離であってもよいが、互いに異なる距離であってもよい。

【0061】

図５に示される点線ＤＬ１２は、互いに隣り合う一対のドット１６１の各中心Ｃ１同士を繋ぐ直線である。それぞれの点線ＤＬ１２の長さのことを、ここではドット１６１の「間隔」と定義する。本実施形態では、第１ドット群に含まれる全てのドット１６１について、上記の間隔が全て同じＬ２１となるように、各ドット１６１が配置されている。

【0062】

図５に示される点線ＤＬ２２は、互いに隣り合う一対のドット１６２の各中心Ｃ２同士を繋ぐ直線である。それぞれの点線ＤＬ２２の長さのことを、ここではドット１６２の「間隔」と定義する。本実施形態では、第２ドット群に含まれる全てのドット１６２について、上記の間隔が全て同じＬ２２となるように、各ドット１６２が配置されている。

【0063】

以上のような構成としたことの利点について説明する。従来の静電チャックにおいては、全てのドット１６０が、シールリング１５０における非円形部分１５１Ａ等の存在を考慮することなく、例えば互いに等間隔に並ぶよう載置面の全体において規則的に配置されるのが一般的であった。このため、シールリング１５０のうち非円形部分１５１Ａ等の近傍となる位置においては、ドット１６０とシールリング１５０との間が局所的に狭くなってしまったり、逆に広くなってしまったりすることがあった。

【0064】

非円形部分１５１Ａ等の近傍におけるドット１６０の配置によっては、基板Ｗに加えられる支持力のバランスが崩れてしまい、基板の撓み量が大きくなってしまう可能性が有った。しかしながら、基板Ｗの撓みは、基板Ｗにおける局所的な温度上昇や温度低下等の原因となり得るため、好ましくない。

【0065】

そこで、本実施形態では上記のように、第１シールリング１５１の内側では、非円形部分１５１Ａを含む第１シールリング１５１の形状に沿って環状に並ぶよう、複数のドット１６１（第１ドット群）を配置している。同様に、第２シールリング１５２の内側では、非円形部分１５２Ａを含む第２シールリング１５２の形状に沿って環状に並ぶよう、複数のドット１６２（第２ドット群）を配置している。

【0066】

このような構成においては、第１ドット群に含まれる各ドット１６１から第１シールリング１５１までの距離Ｌ１が、全周に亘り概ね均等となるので、第１シールリング１５１の内側において、基板Ｗへの支持力のバランスを保つことができる。同様に、第２ドット群に含まれる各ドット１６２から第２シールリング１５２までの距離も、全周に亘り概ね均等となるので、第２シールリング１５２の内側においても、基板Ｗへの支持力のバランスを保つことができる。

【0067】

基板Ｗのうち、非円形部分（１５１Ａ、１５２Ａ）やその近傍の部分、すなわち、比較的撓みの生じやすかった部分に対する支持力のバランスが保たれるので、基板Ｗの撓みを従来に比べ抑制することができる。

【0068】

図４を参照しながら先に説明したように、本実施形態では、第１ドット群に含まれるそれぞれのドット１６１が、第１シールリング１５１までの距離において互いに同じとなっている。それぞれのドット１６１から第１シールリング１５１までの距離が、非円形部分１５１Ａも含めていずれも同一の距離Ｌ１となるので、第１シールリング１５１やその近傍部分における基板Ｗの撓みを十分に抑制することができる。

【0069】

ただし、基板Ｗの撓みを十分に抑制し得るのであれば、ドット１６１から第１シールリング１５１までの距離が、一部のドット１６１については他と異なっていてもよい。

【0070】

同様に、本実施形態では、第２ドット群に含まれるそれぞれのドット１６２が、第２シールリング１５２までの距離において互いに同じとなっている。それぞれのドット１６２から第２シールリング１５２までの距離が、非円形部分１５２Ａも含めていずれも同一の距離Ｌ２となるので、第２シールリング１５２やその近傍部分における基板Ｗの撓みについても十分に抑制することができる。

【0071】

ただし、基板Ｗの撓みを十分に抑制し得るのであれば、ドット１６２から第２シールリング１５２までの距離が、一部のドット１６２については他と異なっていてもよい。

【0072】

図５を参照しながら先に説明したように、本実施形態では、第１ドット群に含まれるそれぞれのドット１６１が、距離Ｌ２１を空けて等間隔で並ぶように配置されている。第１ドット群の各ドット１６１を等間隔で並ぶよう配置することで、基板Ｗへの支持力のバランスを十分に保つことができる。

【0073】

ただし、基板Ｗの撓みを十分に抑制し得るのであれば、互いに隣り合うドット１６１の間隔が、一部においては他と異なっていてもよい。

【0074】

第１ドット群に含まれる複数のドット１６１のうち、上記のように等間隔で配置されるのは、非円形部分１５１Ａとは異なる位置において円弧状に並んでいるドット１６１のみであってもよく、非円形部分１５１Ａにおいて直線状に並んでいるドット１６１Ａのみであってもよい。また、それぞれのドット１６１を等間隔に並ぶように配置した上で、非円形部分１５１Ａとは異なる位置において並んでいるドット１６１の配置間隔と、非円形部分１５１Ａにおいて並んでいるドット１６１Ａの配置間隔とを、互いに異ならせてもよい。

【0075】

第１ドット群と同様に、本実施形態では、第２ドット群に含まれるそれぞれのドット１６２も、距離Ｌ２２を空けて等間隔で並ぶように配置されている。第２ドット群の各ドット１６２についても等間隔で並ぶよう配置することで、基板Ｗへの支持力のバランスを更に十分に保つことができる。

【0076】

ただし、基板Ｗの撓みを十分に抑制し得るのであれば、互いに隣り合うドット１６２の間隔が、一部においては他と異なっていてもよい。

【0077】

第２ドット群に含まれる複数のドット１６２のうち、上記のように等間隔で配置されるのは、非円形部分１５２Ａとは異なる位置において円弧状に並んでいるドット１６２のみであってもよく、非円形部分１５２Ａにおいて直線状に並んでいるドット１６２Ａのみであってもよい。また、それぞれのドット１６２を等間隔に並ぶように配置した上で、非円形部分１５２Ａとは異なる位置において並んでいるドット１６２の配置間隔と、非円形部分１５２Ａにおいて並んでいるドット１６２Ａの配置間隔とを、互いに異ならせてもよい。

【0078】

図３等に示されるように、第１シールリング１５１と第２シールリング１５２との間に配置されたドット１６０は、いずれも第１ドット群に含まれるドット１６１となっており、これらが１列に並ぶよう配置されている。

【0079】

基板Ｗのうち最外周部分は、処理中にはその内側に比べて高温となりやすい傾向がある。そこで本実施形態では、第１シールリング１５１と第２シールリング１５２との間を、複数のドット１６１が１列のみ並ぶ程度に互いに近づけておくことで、上記の最外周部分の温度調整を可能としている。また、第１シールリング１５１と第２シールリング１５２との間において一列に並ぶドット１６１は、これまで述べたように第１シールリング１５１の形状に沿って並んでいるため、基板Ｗへの支持力のバランスが保たれる。

【0080】

第１ドット群に含まれる複数のドット１６１には、本実施形態のように、非円形部分１５１Ａに対し隣り合う位置に形成されたもの（つまりドット１６１Ａ）が含まれることが好ましい。同様に、第２ドット群に含まれる複数のドット１６２には、本実施形態のように、非円形部分１５２Ａに対し隣り合う位置に形成されたもの（つまりドット１６２Ａ）が含まれることが好ましい。このような構成とすることで、一部のドット１６０がシールリング１５０に近接してしまうことを防止しながらも、全周に亘って概ね等間隔で並ぶようにドット１６０を配置することができる。尚、上記における「非円形部分１５１Ａに対し隣り合う位置に形成されたもの」とは、複数のドット１６１のうち、その径方向外側となる位置に非円形部分１５１Ａがあるようなドット１６１、のことである。「非円形部分１５２Ａに対し隣り合う位置に形成されたもの」の意味についても同様である。

【0081】

本実施形態では、非円形部分１５１Ａ、１５２Ａはいずれも、上面視における形状が直線状となっている。このような形状は、基板Ｗのオリフラの形状に合わせたものである。例えば、基板Ｗのオリフラではなくノッチが形成されている場合には、非円形部分１５１Ａ等の形状を直線以外の形状としてもよい。

【0082】

以上、具体例を参照しつつ本実施形態について説明した。しかし、本開示はこれらの具体例に限定されるものではない。これら具体例に、当業者が適宜設計変更を加えたものも、本開示の特徴を備えている限り、本開示の範囲に包含される。前述した各具体例が備える各要素およびその配置、条件、形状などは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。前述した各具体例が備える各要素は、技術的な矛盾が生じない限り、適宜組み合わせを変えることができる。

【符号の説明】

【0083】

１０：静電チャック
１００：誘電体基板
１１０：面
１５０：シールリング
１５１：第１シールリング
１５２：第２シールリング
１５１Ａ，１５２Ａ：非円形部分
１６０，１６１，１６２：ドット
Ｗ：基板

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】