特開 2024-175422 静電チャック

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024175422

(43)【公開日】2024-12-18

(54)【発明の名称】静電チャック

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/683 20060101AFI20241211BHJP

   H01L 21/205 20060101ALI20241211BHJP

   H01L 21/31 20060101ALI20241211BHJP

   H02N 13/00 20060101ALI20241211BHJP

【ＦＩ】

H01L21/68 R

H01L21/205

H01L21/31 C

H02N13/00 D

【審査請求】未請求

【請求項の数】5

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023093201

(22)【出願日】2023-06-06

(71)【出願人】

【識別番号】000010087

【氏名又は名称】ＴＯＴＯ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100140486

【弁理士】

【氏名又は名称】鎌田 徹

(74)【代理人】

【識別番号】100079108

【弁理士】

【氏名又は名称】稲葉 良幸

(74)【代理人】

【識別番号】100121843

【弁理士】

【氏名又は名称】村井 賢郎

(74)【代理人】

【識別番号】100170058

【弁理士】

【氏名又は名称】津田 拓真

(72)【発明者】

【氏名】上藤 淳平

(72)【発明者】

【氏名】佐々木 雄基

(72)【発明者】

【氏名】板倉 郁夫

(72)【発明者】

【氏名】山口 康介

(72)【発明者】

【氏名】白石 純

【テーマコード（参考）】

5F045

5F131

【Ｆターム（参考）】

5F045AA08

5F045AF03

5F045EJ03

5F045EM02

5F045EM05

5F045EM07

5F045EM09

5F131AA03

5F131BA04

5F131CA08

5F131DA33

5F131DA42

5F131EA03

5F131EB11

5F131EB14

5F131EB15

5F131EB17

5F131EB18

5F131EB43

5F131EB72

5F131EB78

5F131EB79

5F131EB82

5F131EB84

(57)【要約】

【課題】接合層を介したガスの漏出を抑制することのできる静電チャック、を提供する。
【解決手段】静電チャック１０は、誘電体基板１００と、誘電体基板１００に形成された環状の突起であるシールリング１５１と、を備える。シールリング１５１は非円形部分１５１Ａを有する。誘電体基板１００には、シールリング１５１の内側の空間ＳＰにガスを供給するための複数のガス穴１４０が形成されている。複数のガス穴１４０は、シールリング１５１の形状に沿って環状に並ぶように配置された環状ガス穴群を含む。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

被吸着物が載置される載置面を有する誘電体基板と、
前記誘電体基板に形成された環状の突起であって、その先端面が前記載置面の一部となっているシールリングと、を備え、
前記シールリングは、前記載置面に対し垂直な方向から見た場合の形状が円形から外れている部分、である非円形部分を有し、
前記誘電体基板には、前記シールリングの内側の空間にガスを供給するための複数のガス穴が形成されており、
複数の前記ガス穴は、前記シールリングの形状に沿って環状に並ぶように配置された複数の前記ガス穴、である環状ガス穴群を含むことを特徴とする静電チャック。

【請求項2】

前記環状ガス穴群に含まれるそれぞれの前記ガス穴は、等間隔で並ぶように配置されていることを特徴とする、請求項１に記載の静電チャック。

【請求項3】

前記環状ガス穴群に含まれるそれぞれの前記ガス穴は、前記シールリングまでの距離において互いに同じであることを特徴とする、請求項１に記載の静電チャック。

【請求項4】

前記環状ガス穴群に含まれる複数の前記ガス穴には、前記非円形部分に対し隣り合う位置に形成されたものが含まれることを特徴とする、請求項１に記載の静電チャック。

【請求項5】

前記非円形部分は、前記載置面に対し垂直な方向から見た場合の形状が直線状となっていることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の静電チャック。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は静電チャックに関する。

【背景技術】

【0002】

例えばＣＶＤ装置等の半導体製造装置には、処理の対象となるシリコンウェハ等の基板を吸着し保持するための装置として、静電チャックが設けられる。静電チャックは、吸着電極が設けられた誘電体基板と、誘電体基板を支持するベースプレートと、を備え、これらが互いに接合された構成を有する。吸着電極に電圧が印加されると静電力が生じ、誘電体基板上に載置された基板が吸着され保持される。

【0003】

下記特許文献１に記載されているように、誘電体基板と基板との間の空間には、処理中における基板の温度調整等を目的として、ヘリウム等の不活性ガスが供給される。誘電体基板と基板との間で上記空間を確保するために、誘電体基板のうち基板側の面には、環状の突起であるシールリングが形成される。不活性ガスは、誘電体基板に形成された複数のガス穴を通じて上記空間に供給される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２００３－８６６６４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

載置面に対し垂直な方向から見た場合のシールリングの形状は、全体において円形とされることもあるが、例えばシリコンウェハのオリフラやノッチと対応する部分のみを直線状とするなど、一部においては非円形の形状とされることもある。

【0006】

一方、ガス穴は、主に上記空間における圧力分布を均等にすることを考慮し、上記の非円形部分とは無関係に配置されるのが一般的であった。このため、シールリングのうち特に非円形部分の近傍となる位置においては、ガス穴とシールリングとの間が局所的に狭くなってしまう可能性があった。

【0007】

誘電体基板に設けられたそれぞれのガス穴は、接合層及びベースプレートのそれぞれを貫くように形成されたガス流路に繋がっている。このため、一部のガス穴がシールリングに接近し過ぎている場合には、ガス流路のうち接合層を通る部分から、静電チャックの外周面側に向けてガスが漏出してしまう可能性がある。

【0008】

本発明はこのような課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、接合層を介したガスの漏出を抑制することのできる静電チャック、を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0009】

上記課題を解決するために、本発明に係る静電チャックは、被吸着物が載置される載置面を有する誘電体基板と、誘電体基板に形成された環状の突起であって、その先端面が載置面の一部となっているシールリングと、を備える。シールリングは、載置面に対し垂直な方向から見た場合の形状が円形から外れている部分、である非円形部分を有する。誘電体基板には、シールリングの内側の空間にガスを供給するための複数のガス穴が形成されている。複数のガス穴は、シールリングの形状に沿って環状に並ぶように配置された複数のガス穴、である環状ガス穴群を含む。

【0010】

このような構成の静電チャックでは、シールリングが、例えば基板のオリフラ等に対応する非円形部分を有している。また、シールリングの内側では、非円形部分を含むシールリングの形状に沿って並ぶように環状ガス穴群が配置されている。

【0011】

このような構成においては、環状ガス穴群に含まれる各ガス穴からシールリングまでの距離が、全周に亘り概ね均等となるので、一部のガス穴が非円形部分に接近し過ぎてしまうことが無い。接合層内のガス流路から、接合層の外周端までの距離を十分に確保することができるので、接合層を介した外周面側へのガスの漏出を十分に抑制することができる。

【0012】

また、本発明に係る静電チャックでは、環状ガス穴群に含まれるそれぞれのガス穴は、等間隔で並ぶように配置されていることも好ましい。このような構成とすることで、ガス圧力の面内分布が概ね均等になるという効果が更に得られる。

【0013】

また、本発明に係る静電チャックでは、環状ガス穴群に含まれるそれぞれのガス穴は、シールリングまでの距離において互いに同じであることも好ましい。このような構成とすることで、接合層を介したガスの漏出を十分に抑制することができる。

【0014】

また、本発明に係る静電チャックでは、環状ガス穴群に含まれる複数のガス穴には、非円形部分に対し隣り合う位置に形成されたものが含まれることも好ましい。このような構成とすることで、一部のガス穴がシールリングに近接してしまうことを防止しながらも、全周に亘って概ね等間隔で並ぶようにガス穴を配置することができる。

【0015】

また、本発明に係る静電チャックでは、非円形部分は、載置面に対し垂直な方向から見た場合の形状が直線状となっていることも好ましい。シールリングのうち、基板のオリフラ等に対応する非円形部分の形状は、直線状とされる場合が多い。このような場合でも、一部のガス穴がシールリングに近接してしまうことを防止し、接合層を介したガスの漏出を抑制することができる。

【発明の効果】

【0016】

本発明によれば、接合層を介したガスの漏出を抑制することのできる静電チャック、を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0017】

【図1】本実施形態に係る静電チャックの構成を模式的に示す断面図である。

【図2】図１の静電チャックが備える誘電体基板の構成を示す図である。

【図3】誘電体基板におけるシールリング及びガス穴の配置について説明するための図である。

【図4】誘電体基板におけるシールリング及びガス穴の配置について説明するための図である。

【図5】誘電体基板におけるシールリング及びガス穴の配置について説明するための図である。

【発明を実施するための形態】

【0018】

以下、添付図面を参照しながら本実施形態について説明する。説明の理解を容易にするため、各図面において同一の構成要素に対しては可能な限り同一の符号を付して、重複する説明は省略する。

【0019】

本実施形態に係る静電チャック１０は、例えばＣＶＤ成膜装置のような不図示の半導体製造装置の内部において、処理対象となる基板Ｗを静電力によって吸着し保持するものである。基板Ｗは「被吸着物」に該当するものであり、例えばシリコンウェハである。静電チャック１０は、半導体製造装置以外の装置に用いられてもよい。

【0020】

図１には、基板Ｗを吸着保持した状態の静電チャック１０の構成が、模式的な断面図として示されている。静電チャック１０は、誘電体基板１００と、ベースプレート２００と、接合層３００と、を備える。

【0021】

誘電体基板１００は、セラミック焼結体からなる略円盤状の部材である。誘電体基板１００は、例えば高純度の酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）を含むが、他の材料を含んでもよい。誘電体基板１００におけるセラミックスの純度や種類、添加物等は、半導体製造装置において誘電体基板１００に求められる耐プラズマ性等を考慮して、適宜設定することができる。

【0022】

誘電体基板１００のうち図１における上方側の面１１０は、基板Ｗが載置される「載置面」となっている。また、誘電体基板１００のうち図１における下方側の面１２０は、後述の接合層３００を介してベースプレート２００に接合される「被接合面」となっている。面１１０に対し垂直な方向に沿って、面１１０側から静電チャック１０を見た場合の視点のことを、以下では「上面視」のようにも表記する。

【0023】

誘電体基板１００の内部には吸着電極１３０が埋め込まれている。吸着電極１３０は、例えばタングステン等の金属材料により形成された薄い平板状の層であり、面１１０に対し平行となるように配置されている。吸着電極１３０の材料としては、タングステンの他、モリブデン、白金、パラジウム等を用いてもよい。給電路１３を介して外部から吸着電極１３０に電圧が印加されると、面１１０と基板Ｗとの間に静電力が生じ、これにより基板Ｗが吸着保持される。吸着電極１３０は、本実施形態のように所謂「単極」の電極として１つだけ設けられていてもよいが、所謂「双極」の電極として２つ設けられていてもよい。

【0024】

図１においては、給電路１３の全体が簡略化して描かれている。給電路１３のうち誘電体基板１００の内部の部分は、例えば、導電体の充填された細長いビア（穴）として構成されており、その下端には不図示の電極端子が設けられている。給電路１３のうち後述のベースプレート２００を貫いている部分は、上記の電極端子に一端が接続された導電性の金属部材（例えばバスバー）である。ベースプレート２００には、給電路１３を挿通するための不図示の貫通穴が形成されている。当該貫通穴の内面と給電路１３との間には、例えば円筒状の絶縁部材が設けられていてもよい。

【0025】

図１に示されるように、誘電体基板１００と基板Ｗとの間には空間ＳＰが形成されている。半導体製造装置において成膜等の処理が行われる際には、空間ＳＰには、後述のガス穴１４０等を介して外部から温度調整用の不活性ガスが供給される。誘電体基板１００と基板Ｗとの間に不活性ガスを介在させることで、両者間の熱抵抗が調整され、これにより基板Ｗの温度が適温に保たれる。尚、空間ＳＰに供給される温度調整用の不活性ガスとしては、本実施形態ではヘリウムガスが用いられるが、ヘリウムガスとは異なる種類のガスであってもよい。

【0026】

図２は、誘電体基板１００を上面視で描いた図である。同図に示されるように、載置面である面１１０上にはシールリング１５０やドット１６０が設けられており、上記の空間ＳＰはこれらの周囲に形成されている。

【0027】

シールリング１５０は、空間ＳＰを区画する壁として設けられた環状の突起である。シールリング１５０は複数設けられており、上面視において略同心円状に並んでいる。それぞれのシールリング１５０の先端面（図１における上端面）は、面１１０の一部となっており、基板Ｗに当接する。本実施形態では、計４つのシールリング１５０が設けられており、これにより空間ＳＰは４つに分けられている。このような構成とすることで、それぞれの空間ＳＰにおけるヘリウムガスの圧力を個別に調整し、処理中における基板Ｗの表面温度分布を均一に近づけることが可能となる。

【0028】

図１や図２において符号「１１６」が付されている部分は、空間ＳＰの底面である。以下では、当該部分のことを「底面１１６」とも称する。シールリング１５０は、次に述べるドット１６０と共に、面１１０の一部を底面１１６の位置まで掘り下げた結果として形成されている。

【0029】

ドット１６０は、底面１１６から突出する円形の突起である。図２に示されるように、ドット１６０は複数設けられており、誘電体基板１００の載置面において略均等に分散配置されている。それぞれのドット１６０の上端面は、面１１０の一部となっており、基板Ｗに当接する。このようなドット１６０を複数設けておくことで、基板Ｗの撓みが抑制される。

【0030】

空間ＳＰの底面１１６には、溝１１３が形成されている。溝１１３は、底面１１６から更に面１２０側へと後退させるように形成された溝である。溝１１３は、ガス穴１４０から供給されるヘリウムガスを、空間ＳＰ内に素早く拡散させ、空間ＳＰ内の圧力分布を短時間のうちに略均一とすることを目的として形成されている。

【0031】

誘電体基板１００には、面１２０から面１１０側に向かって垂直に伸びるガス穴１４０が形成されている。ガス穴１４０は、シールリング１５１の内側の空間ＳＰにガスを供給するための穴である。図１や図２に示されるように、ガス穴１４０のうち面１１０側の端部は、溝１１３の底面において開口している。誘電体基板１００において、ガス穴１４０は複数形成されており、これらが溝１１３に沿って並んでいる。本実施形態では、４つに区分された空間ＳＰのそれぞれに対して、ガス穴１４０が複数個ずつ繋がっている。

【0032】

尚、図２においては図示の便宜上、ガス穴１４０の直径が溝１１３の幅よりも大きくなっているように描かれているが、実際のガス穴１４０は、その全体が溝１１３の内側に収まっている。図４に示されるように、本実施形態では、ガス穴１４０が溝１１３の内側に収まるよう、ガス穴１４０の位置において溝１１３の幅が局所的に大きくなっている。

【0033】

図１に示されるように、ガス穴１４０のうち面１２０側の部分は、面１１０側の部分に比べて拡径されており、その内側には通気プラグ１４５が配置されている。通気プラグ１４５は、例えばアルミナにより形成された多孔質体であり、全体が通気性を有している。このような通気プラグ１４５をガス穴１４０の内側に配置することで、ガス穴１４０におけるガスの流れを確保しながらも、ガス穴１４０を通じた経路での絶縁破壊の発生を抑制することができる。

【0034】

図２において符号「１１５」が付されているのは、半導体製造装置に設けられた不図示のリフトピンが挿通される穴である。当該穴のことを、以下では「リフトピン穴１１５」とも称する。リフトピン穴１１５は計３つ形成されており、これらが１２０度等配となるように配置されている。リフトピン穴１１５を通じて上下に移動するリフトピンにより、誘電体基板１００の面１１０に対する基板Ｗの着脱が行われる。リフトピン穴１１５の周囲には、リフトピン穴１１５と空間ＳＰとの間を隔てるためのシール面が形成されていてもよい。

【0035】

図２において符号「１０１」が付されている部分においては、上面視における誘電体基板１００の外形が円弧状ではなく直線状となっている。当該部分は、基板Ｗ（シリコンウェハ）に設けられた位置合わせ用のオリフラ又はノッチと対応する部分である。当該部分のことを、以下では「オリフラ部１０１」とも称する。

【0036】

ベースプレート２００は、誘電体基板１００を支持する略円盤状の部材である。ベースプレート２００は、例えばアルミニウムのような金属材料により形成されている。ベースプレート２００のうち、図１における上方側の面２１０は、接合層３００を介して誘電体基板１００に接合される「被接合面」となっている。

【0037】

接合層３００は、誘電体基板１００とベースプレート２００との間に設けられた層であって、両者を接合している。接合層３００は、絶縁性の材料からなる接着材を硬化させたものである。本実施形態では、上記接着剤としてシリコーン接着剤を用いている。ただし、接合層３００は、他の種類の接着剤を硬化させたものであってもよい。いずれの場合であっても、誘電体基板１００とベースプレート２００との間の熱抵抗が小さくなるように、接合層３００の材料としては、可能な限り熱伝導率が高い材料を用いるのが好ましい。

【0038】

図１に示されるように、ベースプレート２００には、面２１０から、その反対側の面２２０側に向かって垂直に伸びるガス穴２４０が形成されている。ガス穴２４０は、上面視において誘電体基板１００のガス穴１４０と重なる位置、のそれぞれに形成されており、接合層３００に設けられた貫通穴３１０を介してガス穴１４０に連通されている。ガス穴２４０は、誘電体基板１００のガス穴１４０と共に、空間ＳＰに向けてヘリウムガスを供給するためのガス流路の一部となっている。

【0039】

図１に示されるように、ガス穴２４０のうち面２１０側の部分は、面２２０側の部分に比べて拡径されており、その内側には通気プラグ２４５が配置されている。通気プラグ２４５は、例えばアルミナにより形成された多孔質体であり、全体が通気性を有している。このような通気プラグ２４５をガス穴２４０の内側に配置することで、ガス穴２４０におけるガスの流れを確保しながらも、ガス穴２４０を通じた経路での絶縁破壊の発生を抑制することができる。

【0040】

尚、ガス穴２４０は、本実施形態のように全体が直線状に伸びるように形成されていてもよいが、面２２０に向かう途中で屈曲するように形成されていてもよい。また、面２１０側の複数のガス穴２４０を、ベースプレート２００の内部において少数の流路に集約した上で、当該流路を面２２０側まで伸ばすような構成としてもよい。

【0041】

ベースプレート２００の内部には、冷媒を流すための冷媒流路２５０が形成されている。半導体製造装置において成膜等の処理が行われる際には、外部から冷媒が冷媒流路２５０に供給され、これによりベースプレート２００が冷却される。処理中において基板Ｗで生じた熱は、空間ＳＰのヘリウムガス、誘電体基板１００、及びベースプレート２００を介して冷媒へと伝えられ、冷媒と共に外部へと排出される。

【0042】

ベースプレート２００のうち、上面視においてリフトピン穴１１５と重なる位置のそれぞれには、リフトピンを通すための不図示の貫通穴が形成されている。

【0043】

ベースプレート２００の表面には絶縁膜が形成されていてもよい。絶縁膜は、ベースプレート２００の表面の全体ではなく一部のみを覆うように形成されてもよい。例えば、面２１０や面２２０を除く側面部分、すなわち、半導体製造装置の内部においてプラズマ等に曝される露出部分のみを覆うように絶縁膜が形成されてもよい。それとは異なり、少なくとも面２１０の全体を含む範囲を覆うように絶縁膜が形成されてもよい。絶縁膜としては、例えば、溶射により形成されたアルミナの膜を用いることができる。ベースプレート２００の表面を絶縁膜で覆っておくことにより、ベースプレート２００の絶縁耐圧を高めることができる。

【0044】

誘電体基板１００に設けられたシールリング１５０の形状やガス穴１４０等の配置について、更に説明する。図２に示される４つのシールリング１５０のうち、最も外側に配置されているシールリング１５０のことを、以下では特に「シールリング１５１」とも称する。シールリング１５１は、載置面である面１１０のうち、最も外周端となる位置に配置されたシールリング１５０、ということができる。

【0045】

図３には、説明の便宜のために、図２に示される複数のシールリング１５０及び複数のガス穴１４０のうち、一部のみが抜き出して描かれている。

【0046】

シールリング１５１の内側において、シールリング１５１の形状に沿って環状に且つ１列に並んでいる複数のガス穴１４０のことを、以下では「環状ガス穴群」とも称する。環状ガス穴群は、シールリング１５１との間において他のガス穴１４０を挟むことなく、シールリング１５１の内側で一列に並んでいる複数のガス穴１４０である。環状ガス穴群に属するそれぞれのガス穴１４０のことを、以下では「ガス穴１４１」とも表記する。

【0047】

図３においては、環状ガス穴群に含まれる全てのガス穴１４１が図示されており、それ以外のガス穴１４０については図示が省略されている。また、図３においては、誘電体基板１００に設けられた複数の溝１１３のうち、最外周となる位置に配置された１本の溝１１３のみが図示されており、その他の溝１１３については図示が省略されている。ガス穴１４１はいずれも、図３に示される１本の溝１１３と重なる位置に配置されている。換言すれば、図３に示される溝１１３は、それぞれのガス穴１４１の位置を通るように環状に引き回されている。

【0048】

上面視におけるシールリング１５１の形状は概ね円形である。ただし、シールリング１５１のうちオリフラ部１０１の近傍の部分（図３においてハッチングが付されている部分）は、円弧状とはなっておらず、オリフラ部１０１と平行な直線状に伸びている。つまり、シールリング１５１のうち当該部分は、上面視における形状が円形から外れている部分、ということができる。当該部分のことを、以下では「非円形部分１５１Ａ」とも称する。

【0049】

図３に示される溝１１３の形状も、上面視において概ね円形である。当該溝１１３のうち、オリフラ部１０１の近傍の部分は、シールリング１５１と同様にやはり円弧状とはなっておらず、オリフラ部１０１と平行な直線状に伸びている。溝１１３のうちこのように直線状に伸びている部分のことを、以下では「非円形部分１１３Ａ」とも称する。溝１１３は、この非円形部分１１３Ａも含めた全体が、その外側にあるシールリング１５１に対し概ね平行に伸びるように形成されている。

【0050】

環状ガス穴群に含まれるそれぞれのガス穴１４１は、このような形状の溝１１３上の各一に配置されている。ガス穴１４１のうち、溝１１３の非円形部分１１３Ａと重なる位置に配置されたガス穴１４１のことを、以下では特に「ガス穴１４１Ａ」とも称する。本実施形態では、ガス穴１４１Ａは１つだけであるが、ガス穴１４１Ａが複数あってもよい。この場合、複数のガス穴１４１Ａは、非円形部分１１３Ａの上において直線状に並ぶこととなる。それぞれのガス穴１４１が以上のように配置された結果、環状ガス穴群は先に述べたように、シールリング１５１の形状に沿って環状に且つ１列に並んでいる。

【0051】

図４は、図３の一部を拡大して示す図である。図４に示される一点鎖線ＤＬ１は、シールリング１５１の幅方向中央となる位置を示す線である。ガス穴１４１の中心Ｃ１から一点鎖線ＤＬ１までの距離のことを、ここでは、当該ガス穴１４１からシールリング１５１までの「距離」と定義する。本実施形態では、環状ガス穴群に含まれる全てのガス穴１４１について、シールリング１５１までの距離がいずれも同じＬ１となるように、各ガス穴１４１が配置されている。

【0052】

図５に示される点線ＤＬ２は、互いに隣り合う一対のガス穴１４１の各中心Ｃ１同士を繋ぐ直線である。それぞれの点線ＤＬ２の長さのことを、ここではガス穴１４１の「間隔」と定義する。本実施形態では、環状ガス穴群に含まれる全てのガス穴１４１について、上記の間隔が全て同じＬ２となるように、各ガス穴１４１が配置されている。

【0053】

以上のような構成としたことの利点について説明する。従来の静電チャックにおいては、全てのガス穴１４１が、シールリング１５０における非円形部分１５１Ａ等の存在を考慮することなく、例えば全体が円形に並ぶように配置されるのが一般的であった。このため、シールリング１５１のうち非円形部分１５１Ａの近傍となる位置においては、ガス穴１４１とシールリング１５０との間が局所的に狭くなってしまうことがあった。

【0054】

先に述べたように、誘電体基板１００に設けられたそれぞれのガス穴１４０は、接合層３００及びベースプレート２００のそれぞれを貫くように形成されたガス流路に繋がっている。このため、一部のガス穴１４１がシールリング１５１に接近し過ぎている場合には、ガス流路のうち接合層３００を通る部分から、静電チャック１０の外周面側に向けてガスが漏出してしまう可能性がある。

【0055】

つまり、全てのガス穴１４１を円形に並ぶように配置した場合には、オリフラ部１０１の近傍において、接合層３００に設けられた貫通穴３１０（図１を参照）から誘電体基板１００の外側面（つまりオリフラ部１０１）までの距離が短くなってしまう。その結果、貫通穴３１０から接合層３００の界面等を通って、ガスがオリフラ部１０１側へと漏出してしまう可能性がある。

【0056】

そこで、本実施形態では上記のように、シールリング１５１の内側では、非円形部分１５１Ａを含むシールリング１５１の形状に沿って環状に並ぶよう、複数のガス穴１４１（環状ガス穴群）を配置している。

【0057】

このような構成においては、環状ガス穴群に含まれる各ガス穴１４１からシールリング１５１までの距離Ｌ１が、一部において短くなりすぎることはなく全周に亘り概ね均等となる。これにより、一部のガス穴１４１が非円形部分１５１Ａに接近し過ぎてしまうことが無い。接合層３００内のガス流路（貫通穴３１０）から、接合層３００の外周端までの距離を十分に確保することができるので、接合層３００を介した外周面側へのガスの漏出を十分に抑制することができる。

【0058】

図４を参照しながら先に説明したように、本実施形態では、環状ガス穴群に含まれるそれぞれのガス穴１４１が、シールリング１５１までの距離において互いに同じとなっている。それぞれのガス穴１４１からシールリング１５１までの距離が、非円形部分１５１Ａも含めていずれも同一の距離Ｌ１となるので、接合層３００を介したガスの漏出を十分に抑制することができる。

【0059】

ただし、基板Ｗの撓みを十分に抑制し得るのであれば、ガス穴１４１からシールリング１５１までの距離が、一部のガス穴１４１については他と異なっていてもよい。

【0060】

図５を参照しながら先に説明したように、本実施形態では、環状ガス穴群に含まれるそれぞれのガス穴１４１が、距離Ｌ２を空けて等間隔で並ぶように配置されている。環状ガス穴群の各ガス穴１４１を等間隔で並ぶよう配置することで、空間ＳＰにおけるガス圧力の面内分布が概ね均等になるという効果が更に得られる。

【0061】

環状ガス穴群に含まれる複数のガス穴１４１のうち、上記のように等間隔で配置されるのは、非円形部分１５１Ａとは異なる位置において円弧状に並んでいるガス穴１４１のみであってもよく、非円形部分１５１Ａにおいて直線状に並んでいるガス穴１４１Ａのみであってもよい。また、それぞれのガス穴１４１を等間隔に並ぶように配置した上で、非円形部分１５１Ａとは異なる位置において並んでいるガス穴１４１の配置間隔と、非円形部分１５１Ａにおいて並んでいるガス穴１４１Ａの配置間隔とを、互いに異ならせてもよい。

【0062】

環状ガス穴群に含まれる複数のガス穴１４１には、本実施形態のように、非円形部分１５１Ａに対し隣り合う位置に形成されたもの（つまりガス穴１４１Ａ）が含まれることが好ましい。このような構成とすることで、一部のガス穴１４１がシールリング１５１に近接してしまうことを防止しながらも、全周に亘って概ね等間隔で並ぶようにガス穴１４１を配置することができる。尚、上記における「非円形部分１５１Ａに対し隣り合う位置に形成されたもの」とは、複数のガス穴１４１のうち、その径方向外側となる位置に非円形部分１５１Ａがあるようなガス穴１４１、のことである。

【0063】

本実施形態では、上面視における非円形部分１５１Ａの形状が直線状となっている。このような形状は、基板Ｗのオリフラの形状に合わせたものである。例えば、基板Ｗのオリフラではなくノッチが形成されている場合には、非円形部分１５１Ａ等の形状を直線以外の形状としてもよい。

【0064】

以上、具体例を参照しつつ本実施形態について説明した。しかし、本開示はこれらの具体例に限定されるものではない。これら具体例に、当業者が適宜設計変更を加えたものも、本開示の特徴を備えている限り、本開示の範囲に包含される。前述した各具体例が備える各要素およびその配置、条件、形状などは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。前述した各具体例が備える各要素は、技術的な矛盾が生じない限り、適宜組み合わせを変えることができる。

【符号の説明】

【0065】

１０：静電チャック
１００：誘電体基板
１１０：面
１５０，１５１：シールリング
１５１Ａ：非円形部分
１４０，１４１：ガス穴
Ｗ：基板

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】