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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024175556
(43)【公開日】2024-12-18
(54)【発明の名称】画像形成システム
(51)【国際特許分類】
G03G 15/16 20060101AFI20241211BHJP
【ＦＩ】
G03G15/16
【審査請求】未請求
【請求項の数】11
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023093427
(22)【出願日】2023-06-06
(71)【出願人】
【識別番号】000005496
【氏名又は名称】富士フイルムビジネスイノベーション株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100137752
【弁理士】
【氏名又は名称】亀井 岳行
(74)【代理人】
【識別番号】100085040
【弁理士】
【氏名又は名称】小泉 雅裕
(74)【代理人】
【識別番号】100108925
【弁理士】
【氏名又は名称】青谷 一雄
(74)【代理人】
【識別番号】100087343
【弁理士】
【氏名又は名称】中村 智廣
(72)【発明者】
【氏名】高橋 晃宏
(72)【発明者】
【氏名】富永 宜幸
【テーマコード（参考）】
2H200
【Ｆターム（参考）】
2H200FA18
2H200GA07
2H200GA09
2H200GA10
2H200GA12
2H200GA23
2H200GA33
2H200GA34
2H200GA45
2H200HA02
2H200HB12
2H200HB22
2H200JA02
2H200JA25
2H200JA26
2H200JA29
2H200JA30
2H200JC03
2H200JC07
2H200JC12
2H200JC19
2H200JC20
2H200MA01
2H200MA03
2H200MA05
2H200MA06
2H200MA08
2H200MB04
2H200MC01
2H200MC06
2H200MC15
2H200MC20
2H200PA03
2H200PB39
(57)【要約】
【課題】像保持手段に微粒子を塗布可能とする態様につき、微粒子の塗布状態に影響されずに、画像の転写効率を安定的に保つ画像形成システムを提供する。
【解決手段】回転可能に設けられて帯電した作像材料による画像Ｇを保持する像保持手段１と、像保持手段１に保持された画像Ｇを転写電界Ｅを用いて媒体Ｓに転写させる転写手段２と、像保持手段１に定期的又は不定期的に潤滑性のある微粒子ｐを塗布する微粒子塗布手段３と、像保持手段１上の微粒子ｐの塗布状態に依存して転写手段２の転写電界Ｅを制御する転写制御手段４と、を備える。
【選択図】図１
【解決手段】回転可能に設けられて帯電した作像材料による画像Ｇを保持する像保持手段１と、像保持手段１に保持された画像Ｇを転写電界Ｅを用いて媒体Ｓに転写させる転写手段２と、像保持手段１に定期的又は不定期的に潤滑性のある微粒子ｐを塗布する微粒子塗布手段３と、像保持手段１上の微粒子ｐの塗布状態に依存して転写手段２の転写電界Ｅを制御する転写制御手段４と、を備える。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
回転可能に設けられて帯電した作像材料による画像を保持する像保持手段と、
前記像保持手段に保持された前記画像を転写電界を用いて媒体に転写させる転写手段と、
前記像保持手段に定期的又は不定期的に潤滑性のある微粒子を塗布する微粒子塗布手段と、
前記像保持手段上の前記微粒子の塗布状態に依存して前記転写手段の前記転写電界を制御する転写制御手段と、
を備えたことを特徴とする画像形成システム。
前記像保持手段に保持された前記画像を転写電界を用いて媒体に転写させる転写手段と、
前記像保持手段に定期的又は不定期的に潤滑性のある微粒子を塗布する微粒子塗布手段と、
前記像保持手段上の前記微粒子の塗布状態に依存して前記転写手段の前記転写電界を制御する転写制御手段と、
を備えたことを特徴とする画像形成システム。
【請求項2】
請求項１に記載の画像形成システムにおいて、
前記転写制御手段は、前記微粒子が塗布されている条件と、前記微粒子が塗布されていない条件とで前記転写手段による前記転写電界を異なるように制御することを特徴とする画像形成システム。
前記転写制御手段は、前記微粒子が塗布されている条件と、前記微粒子が塗布されていない条件とで前記転写手段による前記転写電界を異なるように制御することを特徴とする画像形成システム。
【請求項3】
請求項２に記載の画像形成システムにおいて、
前記転写制御手段は、前記微粒子が塗布されている条件では、前記微粒子が塗布されていない条件に比べて、前記転写手段による前記転写電界を小さくするように制御することを特徴とする画像形成システム。
前記転写制御手段は、前記微粒子が塗布されている条件では、前記微粒子が塗布されていない条件に比べて、前記転写手段による前記転写電界を小さくするように制御することを特徴とする画像形成システム。
【請求項4】
請求項２に記載の画像形成システムにおいて、
前記転写制御手段は、前記微粒子が塗布されている条件では、前記微粒子の塗布量に依存して前記転写手段による前記転写電界を異なるように制御することを特徴とする画像形成システム。
前記転写制御手段は、前記微粒子が塗布されている条件では、前記微粒子の塗布量に依存して前記転写手段による前記転写電界を異なるように制御することを特徴とする画像形成システム。
【請求項5】
請求項４に記載の画像形成システムにおいて、
前記転写制御手段は、前記微粒子の塗布量が予め決められた第１の閾値未満である場合に、前記微粒子が塗布されていない条件での前記転写手段による前記転写電界と同じになるように制御することを特徴とする画像形成システム。
前記転写制御手段は、前記微粒子の塗布量が予め決められた第１の閾値未満である場合に、前記微粒子が塗布されていない条件での前記転写手段による前記転写電界と同じになるように制御することを特徴とする画像形成システム。
【請求項6】
請求項４に記載の画像形成システムにおいて、
前記転写制御手段は、前記微粒子の塗布量が予め決められた第２の閾値を超える場合に、前記第２の閾値以下の場合に比べて、前記転写手段による前記転写電界を大きくするように制御することを特徴とする画像形成システム。
前記転写制御手段は、前記微粒子の塗布量が予め決められた第２の閾値を超える場合に、前記第２の閾値以下の場合に比べて、前記転写手段による前記転写電界を大きくするように制御することを特徴とする画像形成システム。
【請求項7】
請求項２に記載の画像形成システムにおいて、
前記転写制御手段は、微粒子が塗布されている条件では、前記微粒子の塗布量として前記微粒子の被覆率を用い、前記微粒子の被覆率と前記像保持手段に対する前記画像の付着力との関係に基づいて前記転写手段による前記転写電界を制御することを特徴とする画像形成システム。
前記転写制御手段は、微粒子が塗布されている条件では、前記微粒子の塗布量として前記微粒子の被覆率を用い、前記微粒子の被覆率と前記像保持手段に対する前記画像の付着力との関係に基づいて前記転写手段による前記転写電界を制御することを特徴とする画像形成システム。
【請求項8】
請求項１に記載の画像形成システムにおいて、
前記転写制御手段は、前記微粒子の塗布状態が検出可能な検出手段を有し、前記検出手段の検出結果に基づいて前記転写手段による前記転写電界を制御することを特徴とする画像形成システム。
前記転写制御手段は、前記微粒子の塗布状態が検出可能な検出手段を有し、前記検出手段の検出結果に基づいて前記転写手段による前記転写電界を制御することを特徴とする画像形成システム。
【請求項9】
請求項８に記載の画像形成システムにおいて、
前記検出手段は、前記微粒子の塗布層に対向して配置される反射型の光学式センサで構成されていることを特徴とする画像形成システム。
前記検出手段は、前記微粒子の塗布層に対向して配置される反射型の光学式センサで構成されていることを特徴とする画像形成システム。
【請求項10】
請求項１に記載の画像形成システムにおいて、
前記微粒子塗布手段は、前記媒体の表面に凹凸を有するエンボス媒体を使用する場合に前記像保持手段に前記微粒子を塗布することを特徴とする画像形成システム。
前記微粒子塗布手段は、前記媒体の表面に凹凸を有するエンボス媒体を使用する場合に前記像保持手段に前記微粒子を塗布することを特徴とする画像形成システム。
【請求項11】
請求項１に記載の画像形成システムにおいて、
前記微粒子塗布手段は、表面粗さＲｚが１．５以下又はマイクログロスが９３以上の像保持手段に対し、粒径が３０乃至１５０ｎｍの範囲にある微粒子を塗布することを特徴とする画像形成システム。
前記微粒子塗布手段は、表面粗さＲｚが１．５以下又はマイクログロスが９３以上の像保持手段に対し、粒径が３０乃至１５０ｎｍの範囲にある微粒子を塗布することを特徴とする画像形成システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、画像形成システムに関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１には、像担持体１Ｋ，１Ｙに接触する中間転写体５ａと、像担持体１Ｍ，１Ｃに接触する中間転写体５ｂと、中間転写体５ａ，５ｂに接触する中間転写体６と、中間転写体５ａ，５ｂ，６の表面に平均粒径が一次粒子の平均粒径の３倍以下の微粒子を付着させる微粒子付着器２０ａ，２０ｂ，２０ｃと、を備えた画像記録装置が開示されている。
特許文献２には、表面にトナー像が形成される像担持体と、該像担持体からトナー像の転写を受けて次に転写するための中間転写体と、該中間転写体の表面に微粒子を付着させる微粒子付着装置とを有し、該微粒子付着装置は、回転ブラシと、該回転ブラシの毛先が接触し且つ該回転ブラシに対して平行となるように支持された、過剰な微粒子を払い落とすための棒状部材とを有する画像形成装置が開示されている。
特許文献３には、像担持体の周面と中間転写体の周面との間で微粒子が循環し、夫々の周面上に微粒子がほぼ均一に維持するようにし、像担持体とトナー像との間及び中間転写体とトナー像との間に微粒子を介在させ、トナー像の転写効率を向上させた画像形成装置が開示されている。
特許文献２には、表面にトナー像が形成される像担持体と、該像担持体からトナー像の転写を受けて次に転写するための中間転写体と、該中間転写体の表面に微粒子を付着させる微粒子付着装置とを有し、該微粒子付着装置は、回転ブラシと、該回転ブラシの毛先が接触し且つ該回転ブラシに対して平行となるように支持された、過剰な微粒子を払い落とすための棒状部材とを有する画像形成装置が開示されている。
特許文献３には、像担持体の周面と中間転写体の周面との間で微粒子が循環し、夫々の周面上に微粒子がほぼ均一に維持するようにし、像担持体とトナー像との間及び中間転写体とトナー像との間に微粒子を介在させ、トナー像の転写効率を向上させた画像形成装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０００－２５９０１１号公報（発明の実施の形態，図３）
【特許文献2】特開２００６－３１３３７７号公報（発明を実施するための最良の形態，図２）
【特許文献3】特許第３４７５６９７号公報（発明の実施の形態，図１）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明が解決しようとする技術的課題は、像保持手段に微粒子を塗布可能とする態様につき、微粒子の塗布状態に影響されずに、画像の転写効率を安定的に保つ画像形成システムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本発明の第１の技術的特徴は、回転可能に設けられて帯電した作像材料による画像を保持する像保持手段と、前記像保持手段に保持された前記画像を転写電界を用いて媒体に転写させる転写手段と、前記像保持手段に定期的又は不定期的に潤滑性のある微粒子を塗布する微粒子塗布手段と、前記像保持手段上の前記微粒子の塗布状態に依存して前記転写手段の前記転写電界を制御する転写制御手段と、を備えたことを特徴とする画像形成システムである。
【0006】
本発明の第２の技術的特徴は、第１の技術的特徴を備えた画像形成システムにおいて、前記転写制御手段は、前記微粒子が塗布されている条件と、前記微粒子が塗布されていない条件とで前記転写手段による前記転写電界を異なるように制御することを特徴とする画像形成システムである。
本発明の第３の技術的特徴は、第２の技術的特徴を備えた画像形成システムにおいて、前記転写制御手段は、前記微粒子が塗布されている条件では、前記微粒子が塗布されていない条件に比べて、前記転写手段による前記転写電界を小さくするように制御することを特徴とする画像形成システムである。
本発明の第４の技術的特徴は、第２の技術的特徴を備えた画像形成システムにおいて、前記転写制御手段は、前記微粒子が塗布されている条件では、前記微粒子の塗布量に依存して前記転写手段による前記転写電界を異なるように制御することを特徴とする画像形成システムである。
本発明の第５の技術的特徴は、第４の技術的特徴を備えた画像形成システムにおいて、前記転写制御手段は、前記微粒子の塗布量が予め決められた第１の閾値未満である場合に、前記微粒子が塗布されていない条件での前記転写手段による前記転写電界と同じになるように制御することを特徴とする画像形成システムである。
本発明の第６の技術的特徴は、第４の技術的特徴を備えた画像形成システムにおいて、前記転写制御手段は、前記微粒子の塗布量が予め決められた第２の閾値を超える場合に、前記第２の閾値以下の場合に比べて、前記転写手段による前記転写電界を大きくするように制御することを特徴とする画像形成システムである。
本発明の第３の技術的特徴は、第２の技術的特徴を備えた画像形成システムにおいて、前記転写制御手段は、前記微粒子が塗布されている条件では、前記微粒子が塗布されていない条件に比べて、前記転写手段による前記転写電界を小さくするように制御することを特徴とする画像形成システムである。
本発明の第４の技術的特徴は、第２の技術的特徴を備えた画像形成システムにおいて、前記転写制御手段は、前記微粒子が塗布されている条件では、前記微粒子の塗布量に依存して前記転写手段による前記転写電界を異なるように制御することを特徴とする画像形成システムである。
本発明の第５の技術的特徴は、第４の技術的特徴を備えた画像形成システムにおいて、前記転写制御手段は、前記微粒子の塗布量が予め決められた第１の閾値未満である場合に、前記微粒子が塗布されていない条件での前記転写手段による前記転写電界と同じになるように制御することを特徴とする画像形成システムである。
本発明の第６の技術的特徴は、第４の技術的特徴を備えた画像形成システムにおいて、前記転写制御手段は、前記微粒子の塗布量が予め決められた第２の閾値を超える場合に、前記第２の閾値以下の場合に比べて、前記転写手段による前記転写電界を大きくするように制御することを特徴とする画像形成システムである。
【0007】
本発明の第７の技術的特徴は、第２の技術的特徴を備えた画像形成システムにおいて、前記転写制御手段は、微粒子が塗布されている条件では、前記微粒子の塗布量として前記微粒子の被覆率を用い、前記微粒子の被覆率と前記像保持手段に対する前記画像の付着力との関係に基づいて前記転写手段による前記転写電界を制御することを特徴とする画像形成システムである。
本発明の第８の技術的特徴は、第１の技術的特徴を備えた画像形成システムにおいて、前記転写制御手段は、前記微粒子の塗布状態が検出可能な検出手段を有し、前記検出手段の検出結果に基づいて前記転写手段による前記転写電界を制御することを特徴とする画像形成システムである。
本発明の第９の技術的特徴は、第８の技術的特徴を備えた画像形成システムにおいて、前記検出手段は、前記微粒子の塗布層に対向して配置される反射型の光学式センサで構成されていることを特徴とする画像形成システムである。
本発明の第１０の技術的特徴は、第１の技術的特徴を備えた画像形成システムにおいて、前記微粒子塗布手段は、前記媒体の表面に凹凸を有するエンボス媒体を使用する場合に前記像保持手段に前記微粒子を塗布することを特徴とする画像形成システムである。
本発明の第１１の技術的特徴は、第１の技術的特徴を備えた画像形成システムにおいて、前記微粒子塗布手段は、表面粗さＲｚが１．５以下又はマイクログロスが９３以上の像保持手段に対し、粒径が３０乃至１５０ｎｍの範囲にある微粒子を塗布することを特徴とする画像形成システムである。
本発明の第８の技術的特徴は、第１の技術的特徴を備えた画像形成システムにおいて、前記転写制御手段は、前記微粒子の塗布状態が検出可能な検出手段を有し、前記検出手段の検出結果に基づいて前記転写手段による前記転写電界を制御することを特徴とする画像形成システムである。
本発明の第９の技術的特徴は、第８の技術的特徴を備えた画像形成システムにおいて、前記検出手段は、前記微粒子の塗布層に対向して配置される反射型の光学式センサで構成されていることを特徴とする画像形成システムである。
本発明の第１０の技術的特徴は、第１の技術的特徴を備えた画像形成システムにおいて、前記微粒子塗布手段は、前記媒体の表面に凹凸を有するエンボス媒体を使用する場合に前記像保持手段に前記微粒子を塗布することを特徴とする画像形成システムである。
本発明の第１１の技術的特徴は、第１の技術的特徴を備えた画像形成システムにおいて、前記微粒子塗布手段は、表面粗さＲｚが１．５以下又はマイクログロスが９３以上の像保持手段に対し、粒径が３０乃至１５０ｎｍの範囲にある微粒子を塗布することを特徴とする画像形成システムである。
【発明の効果】
【0008】
本発明の第１の技術的特徴によれば、像保持手段に微粒子を塗布可能とする態様につき、微粒子の塗布状態に影響されずに、画像の転写効率を安定的に保つことができる。
本発明の第２の技術的特徴によれば、像保持手段に対する微粒子の塗布の有無に拘わらず、転写手段にて同じ転写電界を作用させる場合に比べて、転写手段による画像の転写効率を安定的に保つことができる。
本発明の第３の技術的特徴によれば、像保持手段に対する微粒子の塗布の有無に拘わらず、転写手段にて同じ転写電界を作用させる場合に比べて、転写手段による画像の転写効率を安定的に保つことができる。
本発明の第４の技術的特徴によれば、微粒子が塗布されている条件で、転写手段にて同じ転写電界を作用させる場合に比べて、転写手段による画像の転写効率をより安定的に保つことができる。
本発明の第５の技術的特徴によれば、微粒子が塗布されている条件で、微粒子の塗布量が第１の閾値より少ない場合には、微粒子が塗布されていない条件と同様の転写手段による転写電界を使用しても、転写手段による画像の転写効率を安定的に保つことができる。
本発明の第６の技術的特徴によれば、微粒子が塗布されている条件で、微粒子の塗布量が第２の閾値を超えて多い場合には、第２の閾値以下で用いられる転写電界よりも大きな転写電界とすることで、転写手段による画像の転写効率を安定的に保つことができる。
本発明の第７の技術的特徴によれば、微粒子の塗布量としての微粒子の被覆率と、像保持手段に対する画像の付着力との関係を踏まえ、微粒子の夫々の塗布量に対し転写手段による転写電界を適切に選定することができる。
本発明の第８の技術的特徴によれば、微粒子の塗布状態を容易に把握でき、転写手段による転写処理を適切に実現することができる。
本発明の第９の技術的特徴によれば、既存の反射型の光学式センサを利用することで、微粒子の塗布状態を簡単に検出することができる。
本発明の第１０の技術的特徴によれば、媒体としてエンボス媒体を使用したとしても、微粒子の塗布層を介在させることで、転写手段による画像転写性を良好に保つことができる。
本発明の第１１の技術的特徴によれば、像保持手段及び微粒子を適切に選定することで、微粒子の塗布層による転写手段の画像転写性を良好に保つことができる。
本発明の第２の技術的特徴によれば、像保持手段に対する微粒子の塗布の有無に拘わらず、転写手段にて同じ転写電界を作用させる場合に比べて、転写手段による画像の転写効率を安定的に保つことができる。
本発明の第３の技術的特徴によれば、像保持手段に対する微粒子の塗布の有無に拘わらず、転写手段にて同じ転写電界を作用させる場合に比べて、転写手段による画像の転写効率を安定的に保つことができる。
本発明の第４の技術的特徴によれば、微粒子が塗布されている条件で、転写手段にて同じ転写電界を作用させる場合に比べて、転写手段による画像の転写効率をより安定的に保つことができる。
本発明の第５の技術的特徴によれば、微粒子が塗布されている条件で、微粒子の塗布量が第１の閾値より少ない場合には、微粒子が塗布されていない条件と同様の転写手段による転写電界を使用しても、転写手段による画像の転写効率を安定的に保つことができる。
本発明の第６の技術的特徴によれば、微粒子が塗布されている条件で、微粒子の塗布量が第２の閾値を超えて多い場合には、第２の閾値以下で用いられる転写電界よりも大きな転写電界とすることで、転写手段による画像の転写効率を安定的に保つことができる。
本発明の第７の技術的特徴によれば、微粒子の塗布量としての微粒子の被覆率と、像保持手段に対する画像の付着力との関係を踏まえ、微粒子の夫々の塗布量に対し転写手段による転写電界を適切に選定することができる。
本発明の第８の技術的特徴によれば、微粒子の塗布状態を容易に把握でき、転写手段による転写処理を適切に実現することができる。
本発明の第９の技術的特徴によれば、既存の反射型の光学式センサを利用することで、微粒子の塗布状態を簡単に検出することができる。
本発明の第１０の技術的特徴によれば、媒体としてエンボス媒体を使用したとしても、微粒子の塗布層を介在させることで、転写手段による画像転写性を良好に保つことができる。
本発明の第１１の技術的特徴によれば、像保持手段及び微粒子を適切に選定することで、微粒子の塗布層による転写手段の画像転写性を良好に保つことができる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【図1】（ａ）は本発明が適用された画像形成システムの実施の形態の概要を示す説明図、（ｂ）は通常の媒体を使用したときの転写域における像保持手段の表面及び画像の状態を示す説明図、（ｃ）はエンボス媒体を使用したときの転写域における像保持手段の表面及び画像の状態を示す説明図である。
【図2】実施の形態１に係る画像形成システムの全体構成を示す説明図である。
【図3】（ａ）は画像形成部の詳細を示す説明図、（ｂ）は中間転写体清掃装置の詳細を示す説明図である。
【図4】（ａ）は転写装置の詳細を示す説明図、（ｂ）は（ａ）中Ｂに示す通常の作像モードにおける転写動作を模式的に示す説明図、（ｃ）は特例の作像モードにおける転写動作を模式的に示す説明図である。
【図5】（ａ）は実施の形態１で用いられる微粒子塗布装置の一例を示す説明図、（ｂ）は画像形成動作終了時の微粒子塗布装置の状態を示す説明図、（ｃ）は微粒子塗布装置の微粒子供給開始時の状態を示す説明図である。
【図6】（ａ）は微粒子塗布装置による中間転写体への微粒子の塗布動作を概念的に示す説明図、（ｂ）は（ａ）に示す塗布ロールによる中間転写体への微粒子の塗布原理を模式的に示す説明図である。
【図7】（ａ）は中間転写体上の微粒子の塗布状態を検出する光学式センサの配置例を示す説明図、（ｂ）は（ａ）中Ｂ方向から見た矢視図、（ｃ）は中間転写体上に微粒子を塗布しない状況での光学式センサの検出状態を示す説明図、（ｄ）は中間転写体上に微粒子を塗布した状況での光学式センサの検出状態を示す説明図、（ｅ）は中間転写体上の微粒子被覆率と光学式センサの出力との関係の一例を示す説明図である。
【図8】（ａ）は中間転写体への微粒子被覆率とトナー付着力との関係を示すグラフ図、（ｂ）は中間転写体への微粒子塗布量とトナー付着量との関係を模式的に示す説明図、（ｃ）は微粒子塗布の有無による転写バイアスと画質の良否との関係を示す説明図である。
【図9】実施の形態１に係る画像形成システムの制御系を示す説明図である。
【図10】実施の形態１で用いられる微粒子塗布制御過程の一例を示すフローチャートである。
【図11】実施の形態１で用いられる転写装置のバイアス制御過程の一例を示すフローチャートである。
【図12】実施の形態１で用いられた微粒子塗布装置の変形の形態１－１を示す説明図である。
【図13】実施の形態１で用いられた微粒子塗布装置の変形の形態１－２を示す説明図である。
【図14】実施の形態２に係る画像形成システムで用いられる微粒子塗布制御過程の一例を示すフローチャートである。
【図15】実施の形態２で用いられる転写装置のバイアス制御過程の一例を示すフローチャートである。
【図16】（ａ）は微粒子被覆率と転写装置の転写バイアスのバイアス低下量ΔＶとの関係を示すグラフ図、（ｂ）は微粒子塗布の有無による転写バイアスと画質の良否との関係を示す説明図である。
【図17】（ａ）は通常の作像モードにおける転写装置の転写動作を模式的に示す説明図、（ｂ）は特例の作像モードにおいて微粒子被覆率が閾値ＴＨ２未満のときの転写装置の転写動作を模式的に示す説明図、（ｃ）は特例の作像モードにおいて微粒子被覆率が閾値ＴＨ２以上のときの転写装置の転写動作を模式的に示す説明図である。
【図18】実施の形態３に係る画像形成システムの要部を示す説明図である。
【図19】微粒子塗布層の微粒子の粒径とトナーの中間転写体への付着力との関係を調べたものである。
【図20】中間転写体に対するトナー付着力と転写性グレードとの関係を調べたものである。
【発明を実施するための形態】
【0010】
◎実施の形態の概要
図１（ａ）は本発明が適用された画像形成システムの実施の形態の概要を示す。
同図において、画像形成システムは、回転可能に設けられて帯電した作像材料による画像Ｇを保持する像保持手段１と、像保持手段１に保持された画像Ｇを転写電界を用いて媒体Ｓに転写させる転写手段２と、像保持手段１に定期的又は不定期的に潤滑性のある微粒子ｐを塗布する微粒子塗布手段３と、像保持手段１上の微粒子ｐの塗布状態に依存して転写手段２の転写電界を制御する転写制御手段４と、を備えたものである。
尚、図１（ａ）において、符号５は像保持手段１上に作像材料を用いて画像Ｇを形成する作像手段、符号６は転写手段２による転写動作後の像保持手段１上に残留する残留物を清掃する清掃手段である。
図１（ａ）は本発明が適用された画像形成システムの実施の形態の概要を示す。
同図において、画像形成システムは、回転可能に設けられて帯電した作像材料による画像Ｇを保持する像保持手段１と、像保持手段１に保持された画像Ｇを転写電界を用いて媒体Ｓに転写させる転写手段２と、像保持手段１に定期的又は不定期的に潤滑性のある微粒子ｐを塗布する微粒子塗布手段３と、像保持手段１上の微粒子ｐの塗布状態に依存して転写手段２の転写電界を制御する転写制御手段４と、を備えたものである。
尚、図１（ａ）において、符号５は像保持手段１上に作像材料を用いて画像Ｇを形成する作像手段、符号６は転写手段２による転写動作後の像保持手段１上に残留する残留物を清掃する清掃手段である。
【0011】
このような技術的手段において、本願の「画像形成システム」は、単一の装置によって構成されたものに限らず、複数の装置によって構成されたものも含む。
そして、像保持手段１は、像形成手段で形成された画像Ｇを保持するものであればよく、画像Ｇを直接形成して保持する感光体、誘電体等の像形成保持手段であってもよいし、像形成保持手段にて形成された画像Ｇを媒体Ｓに転写する前に中間的に保持する中間転写手段であってもよい。
ここで、作像手段５としては帯電した作像材料を用いて画像形成する方式のものであれば、電子写真方式に限らず、イオン流を用いた静電記録方式などの各種方式のものを含む。
また、転写手段２としては、像保持手段１に保持された画像Ｇを媒体Ｓに転写するに当たって転写電界を用いるものであれば適宜選定して差し支えなく、転写電界を用いて加圧転写する態様が代表的である。
そして、像保持手段１は、像形成手段で形成された画像Ｇを保持するものであればよく、画像Ｇを直接形成して保持する感光体、誘電体等の像形成保持手段であってもよいし、像形成保持手段にて形成された画像Ｇを媒体Ｓに転写する前に中間的に保持する中間転写手段であってもよい。
ここで、作像手段５としては帯電した作像材料を用いて画像形成する方式のものであれば、電子写真方式に限らず、イオン流を用いた静電記録方式などの各種方式のものを含む。
また、転写手段２としては、像保持手段１に保持された画像Ｇを媒体Ｓに転写するに当たって転写電界を用いるものであれば適宜選定して差し支えなく、転写電界を用いて加圧転写する態様が代表的である。
【0012】
更に、媒体Ｓとしては各種物性のものを適宜選定して差し支えない。例えば媒体Ｓとして普通紙のような通常の媒体Ｓａを使用する場合には、図１（ｂ）に示すように、通常の媒体Ｓａの表面は略平滑であるため、転写域ＴＲでは、像保持手段１上の画像Ｇは転写電界Ｅａ（Ｅ）によって通常の媒体Ｓａ上に転写し易く、転写不良が生じ難い。これに対し、例えば媒体Ｓとして表面に凹凸（エンボス）ｅを有するエンボス媒体Ｓｂ（図１（ｃ）参照）を使用する場合に、エンボス媒体Ｓｂの表面の凹凸（エンボス）ｅの影響で像保持手段１上の画像Ｇの転写性が低下する傾向にある。これは、エンボス媒体Ｓｂの表面の凹凸（エンボス）ｅの凹部の方が凸部に比べて画像Ｇが転写し難いことによる。本例では、微粒子塗布手段３は、これを回避するために、図１（ｃ）に示すように、エンボス媒体Ｓｂを使用する場合には、像保持手段１上に潤滑性を有する微粒子ｐを塗布し、画像Ｇの転写性を向上させるものである。ここでいう「微粒子ｐ」は潤滑性を具備するものであれば適宜選定して差し支えなく、例えば作像手段５として潤滑性のある外添剤が含まれる作像材料を用いる態様であれば、当該外添剤と同様のものを使用することは可能である。
【0013】
また、転写制御手段４としては、微粒子塗布手段３による微粒子ｐの塗布状態（微粒子の塗布の有無、あるいは、微粒子の塗布量）を見て、微粒子ｐの塗布層が像保持手段１との間の付着力を低減することに着目し、転写手段２の転写動作を制御するものであればよい。
具体的には、転写手段２の転写電界Ｅを制御すればよく、像保持手段１上に微粒子ｐが塗布されていない場合には通常の転写条件（本例では転写電界ＥとしてＥａを選定）を用い、像保持手段１上に微粒子ｐが塗布されている場合には通常の転写条件とは別の転写条件（本例では転写電界ＥとしてＥｂ（＜Ｅａ））を用いるようにすればよい。
更にまた、清掃手段６としては、像保持手段１上に残留する残留物（トナー、紙粉、微粒子等）を清掃するものであれば、適宜選定して差し支えないが、トナー等の作像材料よりも小径の微粒子ｐを清掃するという観点からすれば、弾性を有する板状部材で構成され、像保持手段１の回転方向に対向する方向に傾斜した状態で先端が接触する態様（所謂ブレードクリーニング方式）を採用することが好ましい。
具体的には、転写手段２の転写電界Ｅを制御すればよく、像保持手段１上に微粒子ｐが塗布されていない場合には通常の転写条件（本例では転写電界ＥとしてＥａを選定）を用い、像保持手段１上に微粒子ｐが塗布されている場合には通常の転写条件とは別の転写条件（本例では転写電界ＥとしてＥｂ（＜Ｅａ））を用いるようにすればよい。
更にまた、清掃手段６としては、像保持手段１上に残留する残留物（トナー、紙粉、微粒子等）を清掃するものであれば、適宜選定して差し支えないが、トナー等の作像材料よりも小径の微粒子ｐを清掃するという観点からすれば、弾性を有する板状部材で構成され、像保持手段１の回転方向に対向する方向に傾斜した状態で先端が接触する態様（所謂ブレードクリーニング方式）を採用することが好ましい。
【0014】
次に、本実施の形態に係る画像形成システムの代表的態様又は好ましい態様について説明する。
先ず、転写制御手段４の代表的態様としては、微粒子ｐが塗布されている条件と、微粒子ｐが塗布されていない条件とで転写手段２による転写電界Ｅを異なるように制御する態様が挙げられる。本態様は、微粒子ｐの塗布の有無に依存して転写手段２による転写電界Ｅを異ならせるものである。
本態様の具体例としては、微粒子ｐが塗布されている条件では、微粒子ｐが塗布されていない条件に比べて、転写手段２による転写電界Ｅを小さくするように制御する態様が挙げられる。
先ず、転写制御手段４の代表的態様としては、微粒子ｐが塗布されている条件と、微粒子ｐが塗布されていない条件とで転写手段２による転写電界Ｅを異なるように制御する態様が挙げられる。本態様は、微粒子ｐの塗布の有無に依存して転写手段２による転写電界Ｅを異ならせるものである。
本態様の具体例としては、微粒子ｐが塗布されている条件では、微粒子ｐが塗布されていない条件に比べて、転写手段２による転写電界Ｅを小さくするように制御する態様が挙げられる。
【0015】
また、転写制御手段４の別の代表的態様としては、微粒子ｐが塗布されている条件では、微粒子ｐの塗布量に依存して転写手段２による転写電界Ｅを異なるように制御する態様が挙げられる。本態様は、微粒子ｐの塗布量に依存して転写手段２による転写電界Ｅを異ならせるものである。
本態様の具体例としては、微粒子ｐの塗布量が予め決められた第１の閾値未満である場合に、微粒子ｐが塗布されていない条件での転写手段２による転写電界Ｅと同じになるように制御する態様がある。ここで、第１の閾値は微粒子ｐの塗布量が画像Ｇの付着力にある程度影響を与え始める値を指し、第１の閾値未満である場合には、微粒子ｐが塗布されていない場合の画像Ｇの付着力と大差ないことに基づき、転写手段２による転写電界Ｅを、微粒子ｐが塗布されていない条件と同様に取り扱うものである。
本態様の具体例としては、微粒子ｐの塗布量が予め決められた第１の閾値未満である場合に、微粒子ｐが塗布されていない条件での転写手段２による転写電界Ｅと同じになるように制御する態様がある。ここで、第１の閾値は微粒子ｐの塗布量が画像Ｇの付着力にある程度影響を与え始める値を指し、第１の閾値未満である場合には、微粒子ｐが塗布されていない場合の画像Ｇの付着力と大差ないことに基づき、転写手段２による転写電界Ｅを、微粒子ｐが塗布されていない条件と同様に取り扱うものである。
【0016】
また、本態様の別の具体例としては、微粒子ｐの塗布量が予め決められた第２の閾値を超える場合に、第２の閾値以下の場合に比べて、転写手段２による転写電界Ｅを大きくするように制御する態様がある。これは、微粒子ｐの塗布量が第２の閾値を超えて過多になると、微粒子ｐと画像Ｇとの接点が増え、ファンデルワールス力の増加により像保持手段１への画像Ｇの付着力が再度増加することを踏まえた対策である。ここで、第２の閾値は微粒子ｐの塗布量が画像Ｇの付着力を低減させた後に増加する傾向に移行する境界値を指し、第２の閾値を超える場合には、画像Ｇの付着力が再度増加することを踏まえ、転写手段２による転写電界Ｅを、第２の閾値以下の場合に比べて大きくして取り扱うものである。
【0017】
更に、転写制御手段４の好ましい態様としては、微粒子ｐが塗布されている条件では、微粒子ｐの塗布量として微粒子ｐの被覆率を用い、微粒子ｐの被覆率と像保持手段１に対する画像Ｇの付着力との関係に基づいて転写手段２による転写電界Ｅを制御する態様が挙げられる。本例は、微粒子ｐの塗布量を微粒子ｐの被覆率で換算し、微粒子ｐの被覆率と画像Ｇの付着力との関係を求め、この関係に基づいて転写手段２による転写電界Ｅを制御するものである。
【0018】
また、転写制御手段４の好ましい態様としては、微粒子ｐの塗布状態が検出可能な図示外の検出手段を有し、検出手段の検出結果に基づいて転写手段２による転写電界Ｅを制御する態様が挙げられる。本態様は、微粒子ｐの塗布状態を検出手段で検出し、微粒子ｐの塗布状態に適した転写手段２による転写電界Ｅを選定するものである。
本例において、検出手段としては、微粒子ｐの塗布層に対向して配置される反射型の光学式センサで構成されているものが挙げられる。
本例において、検出手段としては、微粒子ｐの塗布層に対向して配置される反射型の光学式センサで構成されているものが挙げられる。
【0019】
更に、微粒子塗布手段３の好ましい態様としては、表面粗さＲｚが１．５以下又はマイクログロスが９３以上の像保持手段１に対し、粒径が３０乃至１５０ｎｍの範囲にある微粒子ｐを塗布する態様が挙げられる。本態様は、図１（ｃ）に示すように、エンボス媒体Ｓｂを使用する場合に、像保持手段１上の画像Ｇの付着力を低減させるという観点から、像保持手段１の表面性及び微粒子ｐの粒径について適切な範囲を選定したものである。
【0020】
以下、添付図面に示す実施の形態に基づいて本発明をより詳細に説明する。
◎実施の形態１
－画像形成システムの全体構成－
図２は実施の形態１に係る画像形成システムの全体構成を示す。
同図において、画像形成システム２０は、図示外の装置筐体内に搭載され、複数の色成分（本実施の形態ではイエロ（Ｙ）、マゼンタ（Ｍ）、シアン（Ｃ）、ブラック（Ｋ）の四色）画像を作製する作像エンジン２１と、この作像エンジン２１で作製された各色成分画像を媒体Ｓに転写する転写装置５０と、転写装置５０の転写域ＴＲにて転写された各色成分画像を媒体Ｓ上に定着させる定着装置７０と、転写装置５０による転写域ＴＲに媒体Ｓを搬送する媒体搬送系８０と、を備えている。
◎実施の形態１
－画像形成システムの全体構成－
図２は実施の形態１に係る画像形成システムの全体構成を示す。
同図において、画像形成システム２０は、図示外の装置筐体内に搭載され、複数の色成分（本実施の形態ではイエロ（Ｙ）、マゼンタ（Ｍ）、シアン（Ｃ）、ブラック（Ｋ）の四色）画像を作製する作像エンジン２１と、この作像エンジン２１で作製された各色成分画像を媒体Ｓに転写する転写装置５０と、転写装置５０の転写域ＴＲにて転写された各色成分画像を媒体Ｓ上に定着させる定着装置７０と、転写装置５０による転写域ＴＲに媒体Ｓを搬送する媒体搬送系８０と、を備えている。
【0021】
－作像エンジンの構成例－
本例では、作像エンジン２１は、複数の色成分画像を形成する画像形成部２２（具体的には２２ａ～２２ｄ）と、各画像形成部２２にて形成された各色成分画像を順次転写（一次転写）して保持し、媒体Ｓへの転写部位まで搬送するベルト状の中間転写体３０と、を備えたものである。
＜画像形成部＞
本実施の形態において、各画像形成部２２（２２ａ～２２ｄ）は、図２及び図３（ａ）に示すように、例えば電子写真方式を採用したものであって、夫々ドラム状の感光体２３を有している。そして、各感光体２３の周囲には、感光体２３が帯電される帯電装置２４、帯電された感光体２３上に静電潜像が書き込まれる光書込装置２５、感光体２３上に書き込まれた静電潜像が各色成分トナーにて現像される現像装置２６、及び、中間転写体３０への画像転写後に感光体２３上に残留するトナーが清掃される感光体清掃装置２７が夫々配設されている。
本例では、作像エンジン２１は、複数の色成分画像を形成する画像形成部２２（具体的には２２ａ～２２ｄ）と、各画像形成部２２にて形成された各色成分画像を順次転写（一次転写）して保持し、媒体Ｓへの転写部位まで搬送するベルト状の中間転写体３０と、を備えたものである。
＜画像形成部＞
本実施の形態において、各画像形成部２２（２２ａ～２２ｄ）は、図２及び図３（ａ）に示すように、例えば電子写真方式を採用したものであって、夫々ドラム状の感光体２３を有している。そして、各感光体２３の周囲には、感光体２３が帯電される帯電装置２４、帯電された感光体２３上に静電潜像が書き込まれる光書込装置２５、感光体２３上に書き込まれた静電潜像が各色成分トナーにて現像される現像装置２６、及び、中間転写体３０への画像転写後に感光体２３上に残留するトナーが清掃される感光体清掃装置２７が夫々配設されている。
【0022】
ここで、帯電装置２４としては本例では例えば帯電ロールが用いられるが、コロトロンやスコロトロン等適宜選定して差し支えない。また、光書込装置２５としては本例ではＬＥＤアレイが用いられるが、レーザ走査装置等適宜選定して差し支えない。
更に、現像装置２６としては作像材料として現像剤を用いるものであれば適宜選定して差し支えなく、本例では、二成分現像方式を採用した態様として構成されている。この現像装置２６は、感光体２３に対向して開口する現像筐体２６１を有し、この現像筐体２６１の開口に面して現像ロール２６２を配設すると共に、現像筐体２６１内にはトナー（外添剤を含む）及びキャリアが含まれる二成分現像剤を収容し、一組の撹拌搬送部材２６３にて現像剤を撹拌搬送してトナーを帯電させながら、現像ロール２６２に現像剤を保持させ、感光体２３上の静電潜像をトナー現像するようにしたものである。尚、符号２６４は現像ロール２６２から落下した現像剤を撹拌搬送部材２６３側へ戻す回収部材である。
更に、現像装置２６としては作像材料として現像剤を用いるものであれば適宜選定して差し支えなく、本例では、二成分現像方式を採用した態様として構成されている。この現像装置２６は、感光体２３に対向して開口する現像筐体２６１を有し、この現像筐体２６１の開口に面して現像ロール２６２を配設すると共に、現像筐体２６１内にはトナー（外添剤を含む）及びキャリアが含まれる二成分現像剤を収容し、一組の撹拌搬送部材２６３にて現像剤を撹拌搬送してトナーを帯電させながら、現像ロール２６２に現像剤を保持させ、感光体２３上の静電潜像をトナー現像するようにしたものである。尚、符号２６４は現像ロール２６２から落下した現像剤を撹拌搬送部材２６３側へ戻す回収部材である。
【0023】
また、本例において、感光体清掃装置２７は、感光体２３に対向して開口する清掃筐体２７１を有し、この清掃筐体２７１の開口縁に支持ブラケット２７３を介して弾性を有する板状の清掃部材２７２を設けるようにしたものである。ここで、清掃部材２７２は、感光体２３の回転方向に対向する方向に傾斜した状態で感光体２３に先端部が接触するように配置され、感光体２３上に残留する残留物を掻き取り清掃するようになっている。また、清掃筐体２７１の底部には均し搬送部材２７４が設けられ、清掃筐体２７１内に収容された残留物を均すと共に、廃棄時には図示外の回収容器に向けて残留物を清掃筐体２７１外に搬送するものである。尚、符号２７５は清掃部材２７２で掻き落とされた残留物を均し搬送部材２７４側へ案内する案内部材である。
【0024】
＜中間転写体＞
また、中間転写体３０は複数の張架ロール３１～３４に掛け渡されており、例えば張架ロール３１が図示外の駆動モータにて駆動される駆動ロールとして用いられ、当該駆動ロールにて循環移動するようになっている。
本例では、各画像形成部２２の感光体２３が張架ロール３１，３２間に位置する中間転写体３０の表面に対向して配置されており、各感光体２３に対向する中間転写体３０の裏面には感光体２３上に形成された画像を中間転写体３０側に静電転写する転写ロール等の一次転写装置３５が配設されている。
また、中間転写体３０は複数の張架ロール３１～３４に掛け渡されており、例えば張架ロール３１が図示外の駆動モータにて駆動される駆動ロールとして用いられ、当該駆動ロールにて循環移動するようになっている。
本例では、各画像形成部２２の感光体２３が張架ロール３１，３２間に位置する中間転写体３０の表面に対向して配置されており、各感光体２３に対向する中間転写体３０の裏面には感光体２３上に形成された画像を中間転写体３０側に静電転写する転写ロール等の一次転写装置３５が配設されている。
【0025】
＜中間転写体清掃装置＞
更に、張架ロール３１，３４間に位置する中間転写体３０の表面には媒体Ｓヘの画像転写後の中間転写体３０上の残留トナーや紙粉等の残留物を除去するための中間転写体清掃装置３６が設けられている。
本例では、中間転写体清掃装置３６は、図２及び図３（ｂ）に示すように、中間転写体３０のうち転写装置５０の転写域ＴＲ（張架ロール３４位置に相当）よりも回転方向下流側で張架ロール３１寄りの箇所に配設されている。この中間転写体清掃装置３６は、中間転写体３０の表面に対向して開口する清掃筐体３６１を有し、清掃筐体３６１の開口縁に支持ブラケット３６３を介して弾性を有する板状の清掃部材３６２を設けると共に、清掃部材３６２に対向する中間転写体３０の裏面に対向ロール３６４を設けたものである。ここで、清掃部材３６２は、中間転写体３０の回転方向に対向する方向に傾斜した状態で中間転写体３０に先端部が接触するように配置され、中間転写体３０上に残留する残留物を掻き取り清掃するようになっている。更に、清掃筐体３６１内には収容された残留物を均して搬送する均し搬送部材３６５が設けられると共に、清掃部材３６２で掻き落とされた残留物を均し搬送部材３６５側に案内する案内部材３６６が設けられている。尚、板状の清掃部材３６２以外の清掃ブラシ等の他の清掃部材を設けるようにしてもよいことは勿論である。
更に、張架ロール３１，３４間に位置する中間転写体３０の表面には媒体Ｓヘの画像転写後の中間転写体３０上の残留トナーや紙粉等の残留物を除去するための中間転写体清掃装置３６が設けられている。
本例では、中間転写体清掃装置３６は、図２及び図３（ｂ）に示すように、中間転写体３０のうち転写装置５０の転写域ＴＲ（張架ロール３４位置に相当）よりも回転方向下流側で張架ロール３１寄りの箇所に配設されている。この中間転写体清掃装置３６は、中間転写体３０の表面に対向して開口する清掃筐体３６１を有し、清掃筐体３６１の開口縁に支持ブラケット３６３を介して弾性を有する板状の清掃部材３６２を設けると共に、清掃部材３６２に対向する中間転写体３０の裏面に対向ロール３６４を設けたものである。ここで、清掃部材３６２は、中間転写体３０の回転方向に対向する方向に傾斜した状態で中間転写体３０に先端部が接触するように配置され、中間転写体３０上に残留する残留物を掻き取り清掃するようになっている。更に、清掃筐体３６１内には収容された残留物を均して搬送する均し搬送部材３６５が設けられると共に、清掃部材３６２で掻き落とされた残留物を均し搬送部材３６５側に案内する案内部材３６６が設けられている。尚、板状の清掃部材３６２以外の清掃ブラシ等の他の清掃部材を設けるようにしてもよいことは勿論である。
【0026】
－転写装置－
更に、転写装置５０は、図２及び図４（ａ）に示すように、中間転写体３０上に一次転写された画像Ｇを媒体Ｓに二次転写するものである。本例では、転写装置５０は、複数の張架ロール５２（具体的には５２ａ，５２ｂ）に転写搬送ベルト５３が張架されたベルト転写モジュール５１を中間転写体３０の表面に接触するように配置したものである。ここで、転写搬送ベルト５３はクロロプレン等の材料を用いた体積抵抗率１０６～１０１２ル・ｃｍの半導電性ベルトである。一方の張架ロール５２ａは弾性転写ロール５５として構成され、この弾性転写ロール５５は、転写搬送ベルト５３を介して中間転写体３０の転写域ＴＲに圧接配置され、また、中間転写体３０の張架ロール３４は弾性転写ロール５５の対向電極をなす対向ロール５６として対向配置されている。更に、転写搬送ベルト５３は、一方の張架ロール５２ａ位置から他方の張架ロール５２ｂ位置に向けて媒体Ｓの搬送経路を形成するものである。尚、図２中、符号５７は転写搬送ベルト５３を清掃する転写清掃装置である。
更に、転写装置５０は、図２及び図４（ａ）に示すように、中間転写体３０上に一次転写された画像Ｇを媒体Ｓに二次転写するものである。本例では、転写装置５０は、複数の張架ロール５２（具体的には５２ａ，５２ｂ）に転写搬送ベルト５３が張架されたベルト転写モジュール５１を中間転写体３０の表面に接触するように配置したものである。ここで、転写搬送ベルト５３はクロロプレン等の材料を用いた体積抵抗率１０６～１０１２ル・ｃｍの半導電性ベルトである。一方の張架ロール５２ａは弾性転写ロール５５として構成され、この弾性転写ロール５５は、転写搬送ベルト５３を介して中間転写体３０の転写域ＴＲに圧接配置され、また、中間転写体３０の張架ロール３４は弾性転写ロール５５の対向電極をなす対向ロール５６として対向配置されている。更に、転写搬送ベルト５３は、一方の張架ロール５２ａ位置から他方の張架ロール５２ｂ位置に向けて媒体Ｓの搬送経路を形成するものである。尚、図２中、符号５７は転写搬送ベルト５３を清掃する転写清掃装置である。
【0027】
そして、本例では、弾性転写ロール５５は金属製シャフトの周囲に発泡ウレタンゴムやＥＰＤＭにカーボンブラック等が配合された弾性層を被覆した構成になっている。更に、対向ロール５６（本例では張架ロール３４を兼用）には導電性の給電ロール５８を介して転写用電源５９からの転写バイアスＶｔが印加されている。この転写用電源５９は可変電源部５９ａと可変電源部５９ａをオンオフするスイッチ部５９ｂとを有している。一方、弾性転写ロール５５（一方の張架ロール５２ａ）は図示外の金属製シャフトを介して接地されており、 図４（ｂ）に示すように、弾性転写ロール５５及び対向ロール５６間に所定の転写電界Ｅが形成され、中間転写体３０上の画像Ｇが媒体Ｓに転写されるようになっている。
尚、他方の張架ロール５２ｂも接地されており、転写搬送ベルト５３への帯電を防止するようになっている。また、転写搬送ベルト５３の下流端での媒体Ｓの剥離性を考慮すると、下流側の張架ロール５２ｂは剥離ロールとしても機能するため、上流側の張架ロール５２ａよりも小径にすることが有効である。
尚、他方の張架ロール５２ｂも接地されており、転写搬送ベルト５３への帯電を防止するようになっている。また、転写搬送ベルト５３の下流端での媒体Ｓの剥離性を考慮すると、下流側の張架ロール５２ｂは剥離ロールとしても機能するため、上流側の張架ロール５２ａよりも小径にすることが有効である。
【0028】
－定着装置－
定着装置７０は、媒体Ｓの画像保持面側に接触して配置される駆動回転可能な加熱定着ロール７１と、当該加熱定着ロール７１に対向して圧接配置され、加熱定着ロール７１に追従して回転する加圧定着ロール７２とを有し、両定着ロール７１，７２間の圧接領域に媒体Ｓ上に保持された画像を通過させ、当該画像を加熱加圧定着するものである。
尚、定着装置７０の定着方式については実施の形態で示した態様に限られるものではなく、非接触、レーザ光を利用した定着方式など適宜選定して差し支えない。
定着装置７０は、媒体Ｓの画像保持面側に接触して配置される駆動回転可能な加熱定着ロール７１と、当該加熱定着ロール７１に対向して圧接配置され、加熱定着ロール７１に追従して回転する加圧定着ロール７２とを有し、両定着ロール７１，７２間の圧接領域に媒体Ｓ上に保持された画像を通過させ、当該画像を加熱加圧定着するものである。
尚、定着装置７０の定着方式については実施の形態で示した態様に限られるものではなく、非接触、レーザ光を利用した定着方式など適宜選定して差し支えない。
【0029】
－媒体搬送系－
更に、媒体搬送系８０は、媒体Ｓが供給可能な例えば一つの媒体供給容器８１を有し、媒体供給容器８１から供給される媒体Ｓを略鉛直方向に延びる鉛直搬送路８２から略水平方向に延びる水平搬送路８３を経て転写域ＴＲへと至り、その後、転写された画像が保持された媒体Ｓを、搬送ベルト８４を経由して定着装置７０による定着域に至り、図示外の装置筐体の側方に設けられた図示外の媒体排出受けに排出するものである。また、媒体搬送系８０には媒体Ｓの位置を整合して転写域ＴＲに供給する位置整合ロール８６のほか、各搬送路８２，８３には適宜数の搬送ロール８７が設けられている。
尚、本例では、媒体Ｓは一つの媒体供給容器８１から鉛直搬送路８２、水平搬送路８３を経由して図示外の媒体排出受けに排出されるようになっているが、これに限られるものではなく、媒体搬送系８０は作像エンジン２１の仕様に応じて適宜設計変更してよいことは勿論である。ここで、媒体搬送系８０の変更例としては、複数の媒体供給容器８１を用いるようにした態様、水平搬送路８３のうち定着装置７０の媒体搬送方向下流側に位置する部位に下方に向けて分岐する分岐搬送路を設け、この分岐搬送路の途中に媒体反転機構を設けることで、媒体排出受けに媒体Ｓを反転させて排出するようにした態様、あるいは、前述した媒体反転機構で反転された媒体Ｓを図示外の戻し搬送路を経由して再び鉛直搬送路８２から水平搬送路８３へと戻し、転写域ＴＲにて媒体Ｓの裏面に画像Ｇを転写する態様などが挙げられる。
更に、媒体搬送系８０は、媒体Ｓが供給可能な例えば一つの媒体供給容器８１を有し、媒体供給容器８１から供給される媒体Ｓを略鉛直方向に延びる鉛直搬送路８２から略水平方向に延びる水平搬送路８３を経て転写域ＴＲへと至り、その後、転写された画像が保持された媒体Ｓを、搬送ベルト８４を経由して定着装置７０による定着域に至り、図示外の装置筐体の側方に設けられた図示外の媒体排出受けに排出するものである。また、媒体搬送系８０には媒体Ｓの位置を整合して転写域ＴＲに供給する位置整合ロール８６のほか、各搬送路８２，８３には適宜数の搬送ロール８７が設けられている。
尚、本例では、媒体Ｓは一つの媒体供給容器８１から鉛直搬送路８２、水平搬送路８３を経由して図示外の媒体排出受けに排出されるようになっているが、これに限られるものではなく、媒体搬送系８０は作像エンジン２１の仕様に応じて適宜設計変更してよいことは勿論である。ここで、媒体搬送系８０の変更例としては、複数の媒体供給容器８１を用いるようにした態様、水平搬送路８３のうち定着装置７０の媒体搬送方向下流側に位置する部位に下方に向けて分岐する分岐搬送路を設け、この分岐搬送路の途中に媒体反転機構を設けることで、媒体排出受けに媒体Ｓを反転させて排出するようにした態様、あるいは、前述した媒体反転機構で反転された媒体Ｓを図示外の戻し搬送路を経由して再び鉛直搬送路８２から水平搬送路８３へと戻し、転写域ＴＲにて媒体Ｓの裏面に画像Ｇを転写する態様などが挙げられる。
【0030】
－微粒子塗布装置－
＜微粒子塗布装置の用途＞
本例では、中間転写体３０には、図２及び図５（ａ）に示すように、中間転写体３０の表面に潤滑性に優れた微粒子を塗布する微粒子塗布装置１００が設けられている。
この微粒子塗布装置１００は、例えば中間転写体３０のうち張架ロール３１に掛け渡された箇所に配設され、予め決められた微粒子塗布条件を満たす場合に、中間転写体３０上に微粒子を塗布し、微粒子塗布層上に画像Ｇを保持するようにしたものである。
ここで、微粒子塗布条件としては、例えば使用する媒体Ｓが表面に凹凸（エンボス）を有するエンボス紙等のエンボス媒体であることが挙げられる。
本例において、媒体Ｓがエンボス媒体である場合には、エンボス媒体の表面の凹凸の影響で、中間転写体３０上に保持された画像Ｇがエンボス媒体に転写し難くなり、転写不良が生じ易いという懸念がある。本例は、このような事態を解消するために、媒体Ｓとしてエンボス媒体を使用するような作像条件では、中間転写体３０上に微粒子を適量塗布し、微粒子塗布層上に画像Ｇを保持させ、中間転写体３０に対する画像Ｇの付着力を低減させ、エンボス媒体への画像Ｇの転写性を向上させることを企図したものである。
＜微粒子塗布装置の用途＞
本例では、中間転写体３０には、図２及び図５（ａ）に示すように、中間転写体３０の表面に潤滑性に優れた微粒子を塗布する微粒子塗布装置１００が設けられている。
この微粒子塗布装置１００は、例えば中間転写体３０のうち張架ロール３１に掛け渡された箇所に配設され、予め決められた微粒子塗布条件を満たす場合に、中間転写体３０上に微粒子を塗布し、微粒子塗布層上に画像Ｇを保持するようにしたものである。
ここで、微粒子塗布条件としては、例えば使用する媒体Ｓが表面に凹凸（エンボス）を有するエンボス紙等のエンボス媒体であることが挙げられる。
本例において、媒体Ｓがエンボス媒体である場合には、エンボス媒体の表面の凹凸の影響で、中間転写体３０上に保持された画像Ｇがエンボス媒体に転写し難くなり、転写不良が生じ易いという懸念がある。本例は、このような事態を解消するために、媒体Ｓとしてエンボス媒体を使用するような作像条件では、中間転写体３０上に微粒子を適量塗布し、微粒子塗布層上に画像Ｇを保持させ、中間転写体３０に対する画像Ｇの付着力を低減させ、エンボス媒体への画像Ｇの転写性を向上させることを企図したものである。
【0031】
－微粒子－
本例において、微粒子ｐとしては、潤滑性に優れたものであれば適宜選定して差し支えないが、本例では、トナーの外添剤として既に利用されているもの（例えばシリカ）と同様のものが用いられている。
このように、微粒子ｐとして、トナーの外添剤と同様なものを用いた理由は、トナーの外添剤として従来から使用されており信頼性が高いことと、外添剤として併用することによりトナーから遊離したものが中間転写体３０に供給され、微粒子の効果をより安定して維持できることが挙げられる。
微粒子ｐの材料としては、シリカの他に、酸化チタン、アルミナ、チタン酸バリウム、チタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウム、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、硫酸バリウム、炭酸バリウム、炭酸カルシウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、酸化クロム、ベンガラなどの無機微粉末や、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリフッ化ビニリデン、ポリテトラフルオロエチレンなどの有機微粉末を用いることができる。環境安定性を考慮すると微粒子の吸湿性は低いことが望ましく、酸化チタン、アルミナ、シリカなどの吸湿性を有する無機微粉末の場合は、疎水化処理を施したものを用いることが望ましい。これら無機微粉末の疎水化処理は、ヘキサメチルジシラザンの他、例えば、ジメチルジクロロシラン、デシルシラン、ジアルキルジハロゲン化シラン、トリアルキルハロゲン化シラン、アルキルトリハロゲン化シランなどのシランカップリング剤やジメチルシリコンオイルなどの疎水化処理剤と上記微粉末とを高温度下で反応させることにより行うことができる。
また、微粒子ｐの粒径については、塗布対象である中間転写体３０の表面性に合わせて適宜選定して差し支えないが、本例では、表面粗さＲｚが１．５以下又はマイクログロスが９３以上の中間転写体３０に対し、粒径が３０乃至１５０ｎｍの範囲の微粒子ｐが選定されている。
この微粒子ｐの選定については後述する実施例の結果に基づく。
本例において、微粒子ｐとしては、潤滑性に優れたものであれば適宜選定して差し支えないが、本例では、トナーの外添剤として既に利用されているもの（例えばシリカ）と同様のものが用いられている。
このように、微粒子ｐとして、トナーの外添剤と同様なものを用いた理由は、トナーの外添剤として従来から使用されており信頼性が高いことと、外添剤として併用することによりトナーから遊離したものが中間転写体３０に供給され、微粒子の効果をより安定して維持できることが挙げられる。
微粒子ｐの材料としては、シリカの他に、酸化チタン、アルミナ、チタン酸バリウム、チタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウム、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、硫酸バリウム、炭酸バリウム、炭酸カルシウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、酸化クロム、ベンガラなどの無機微粉末や、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリフッ化ビニリデン、ポリテトラフルオロエチレンなどの有機微粉末を用いることができる。環境安定性を考慮すると微粒子の吸湿性は低いことが望ましく、酸化チタン、アルミナ、シリカなどの吸湿性を有する無機微粉末の場合は、疎水化処理を施したものを用いることが望ましい。これら無機微粉末の疎水化処理は、ヘキサメチルジシラザンの他、例えば、ジメチルジクロロシラン、デシルシラン、ジアルキルジハロゲン化シラン、トリアルキルハロゲン化シラン、アルキルトリハロゲン化シランなどのシランカップリング剤やジメチルシリコンオイルなどの疎水化処理剤と上記微粉末とを高温度下で反応させることにより行うことができる。
また、微粒子ｐの粒径については、塗布対象である中間転写体３０の表面性に合わせて適宜選定して差し支えないが、本例では、表面粗さＲｚが１．５以下又はマイクログロスが９３以上の中間転写体３０に対し、粒径が３０乃至１５０ｎｍの範囲の微粒子ｐが選定されている。
この微粒子ｐの選定については後述する実施例の結果に基づく。
【0032】
－微粒子塗布装置の構成例－
本例において、微粒子塗布装置１００は、図５（ａ）に示すように、中間転写体３０のうち張架ロール３１に掛け渡された部分に対向して開口する塗布容器１０１と、この塗布容器１０１の開口に面して配置され、中間転写体３０に接触して微粒子ｐを塗布する塗布ロール１１０と、中間転写体３０に塗布された微粒子塗布層ｐｍの塗布量を均す板状の均し部材１２０と、を備えている。
ここで、塗布容器１０１は、塗布ロール１１０の上方に設けられ、粉状の微粒子ｐが収容されると共に、下部開口から塗布ロール１１０に微粒子ｐが供給される収容部１０２と、塗布ロール１１０の下方に容器空間を仕切るように設けられる板状の仕切り部１０３と、収容部１０２と仕切り部１０３との間に設けられ、塗布ロール１１０の中間転写体３０との接触部の反対側に接触して配置される板状の規制部１０４とを有している。
尚、図５（ａ）において、収容部１０２の下部開口の縁部には塗布ロール１１０に弾性的に接触するシール部材１０２ａが設けられ、また、仕切り部１０３の中間転写体３０側の端部には中間転写体３０に弾性的に接触するシール部材１０３ａが設けられている。
本例において、微粒子塗布装置１００は、図５（ａ）に示すように、中間転写体３０のうち張架ロール３１に掛け渡された部分に対向して開口する塗布容器１０１と、この塗布容器１０１の開口に面して配置され、中間転写体３０に接触して微粒子ｐを塗布する塗布ロール１１０と、中間転写体３０に塗布された微粒子塗布層ｐｍの塗布量を均す板状の均し部材１２０と、を備えている。
ここで、塗布容器１０１は、塗布ロール１１０の上方に設けられ、粉状の微粒子ｐが収容されると共に、下部開口から塗布ロール１１０に微粒子ｐが供給される収容部１０２と、塗布ロール１１０の下方に容器空間を仕切るように設けられる板状の仕切り部１０３と、収容部１０２と仕切り部１０３との間に設けられ、塗布ロール１１０の中間転写体３０との接触部の反対側に接触して配置される板状の規制部１０４とを有している。
尚、図５（ａ）において、収容部１０２の下部開口の縁部には塗布ロール１１０に弾性的に接触するシール部材１０２ａが設けられ、また、仕切り部１０３の中間転写体３０側の端部には中間転写体３０に弾性的に接触するシール部材１０３ａが設けられている。
【0033】
＜塗布容器＞
そして、本例では、塗布ロール１１０と規制部１０４との間には楔状隙間１０５が形成されているため、収容部１０２の一部には楔状隙間１０５に微粒子ｐを充填させるための充填機構１０６が設けられている。本例において、収容部１０２は、規制部１０４に連なる収容側板１０７を水平方向に対し４５度以上の角度θをもって滑り台状に傾斜して配置したものである。そして、充填機構１０６は、規制部１０４に対し収容側板１０７を例えばヒンジ１０８を介して揺動可能に支持すると共に、収容側板１０７のヒンジ１０８から離れた箇所に揺動手段としての回転パドル１０９を接触して配置し、この回転パドル１０９を介して傾斜配置された滑り台状の収容側板１０７を予め決められた角度α（例えば１０度～１５度）で揺動させ、楔状隙間１０５に微粒子ｐを充填させるようになっている。
そして、本例では、塗布ロール１１０と規制部１０４との間には楔状隙間１０５が形成されているため、収容部１０２の一部には楔状隙間１０５に微粒子ｐを充填させるための充填機構１０６が設けられている。本例において、収容部１０２は、規制部１０４に連なる収容側板１０７を水平方向に対し４５度以上の角度θをもって滑り台状に傾斜して配置したものである。そして、充填機構１０６は、規制部１０４に対し収容側板１０７を例えばヒンジ１０８を介して揺動可能に支持すると共に、収容側板１０７のヒンジ１０８から離れた箇所に揺動手段としての回転パドル１０９を接触して配置し、この回転パドル１０９を介して傾斜配置された滑り台状の収容側板１０７を予め決められた角度α（例えば１０度～１５度）で揺動させ、楔状隙間１０５に微粒子ｐを充填させるようになっている。
【0034】
ここで、充填機構１０６の駆動タイミングとしては、例えば微粒子塗布装置１００を駆動するときに塗布ロール１１０の回転時に同期して駆動するようにすればよいが、微粒子塗布装置１００の駆動を開始する際に、楔状隙間１０５に微粒子ｐが充填される状態を維持するようにしておくことが好ましい。この場合、例えば図５（ｂ）に示すように、画像形成システム２０の画像形成動作が終了すると、充填機構１０６は、図５（ｃ）に示すように、収容側板１０７に一定時間振動力を与え、楔状隙間１０５に微粒子ｐを充填させるようにすればよい。
尚、充填機構１０６としては、回転パドル１０９に限られるものではなく、収容側板１０７の外側に図示外の振動モータを直接又は間接的に接触させて振動を伝搬する態様、あるいは、収容側板１０７の外側を偏心した図示外の片持ちバーで押し上げ、この片持ちバーを回転させることで収容側板１０７の外側に片持ちバーの先端部の接触、離間を繰り返し、収容側板１０７を振動させる態様など適宜設計変更して差し支えない。
尚、充填機構１０６としては、回転パドル１０９に限られるものではなく、収容側板１０７の外側に図示外の振動モータを直接又は間接的に接触させて振動を伝搬する態様、あるいは、収容側板１０７の外側を偏心した図示外の片持ちバーで押し上げ、この片持ちバーを回転させることで収容側板１０７の外側に片持ちバーの先端部の接触、離間を繰り返し、収容側板１０７を振動させる態様など適宜設計変更して差し支えない。
【0035】
＜塗布ロール＞
塗布ロール１１０は、図５（ａ）及び図６（ａ）に示すように、表面に半球凹状の多数のセル１１３を有する弾性体ロールであり、例えば金属製のロール本体１１１の周囲に例えば発泡ウレタン等の弾性層１１２を積層し、この弾性層１１２の表面に多数のセル１１３をエンボス加工するようにしたものである。
本例において、塗布ロール１１０のセル１１３は微粒子ｐを内部に保持することを要することから、微粒子ｐの粒径よりも十分に大きい径、例えば１００乃至２００μｍに形成されていればよい。
また、本例では、塗布ロール１１０は塗布容器１０１の規制部１０４に弾性的に接触して配置されている。そして、塗布ロール１１０及び規制部１０４の接触部と収容側板１０７の揺動点（ヒンジ１０８の回転支点に相当）との間の距離ｄは約５～１０ｍｍ程度に選定されている。
更に、塗布ロール１１０は、図示外の駆動モータからの駆動力を受け、中間転写体３０との対向部において中間転写体３０の移動方向と同方向になるように回転するものである。ここで、塗布ロール１１０の回転速度をｖｒ、中間転写体３０の回転速度をｖｂとすると、少なくともｖｒ≠ｖｂであることを必要とする。
塗布ロール１１０は、図５（ａ）及び図６（ａ）に示すように、表面に半球凹状の多数のセル１１３を有する弾性体ロールであり、例えば金属製のロール本体１１１の周囲に例えば発泡ウレタン等の弾性層１１２を積層し、この弾性層１１２の表面に多数のセル１１３をエンボス加工するようにしたものである。
本例において、塗布ロール１１０のセル１１３は微粒子ｐを内部に保持することを要することから、微粒子ｐの粒径よりも十分に大きい径、例えば１００乃至２００μｍに形成されていればよい。
また、本例では、塗布ロール１１０は塗布容器１０１の規制部１０４に弾性的に接触して配置されている。そして、塗布ロール１１０及び規制部１０４の接触部と収容側板１０７の揺動点（ヒンジ１０８の回転支点に相当）との間の距離ｄは約５～１０ｍｍ程度に選定されている。
更に、塗布ロール１１０は、図示外の駆動モータからの駆動力を受け、中間転写体３０との対向部において中間転写体３０の移動方向と同方向になるように回転するものである。ここで、塗布ロール１１０の回転速度をｖｒ、中間転写体３０の回転速度をｖｂとすると、少なくともｖｒ≠ｖｂであることを必要とする。
【0036】
以下、塗布ロール１１０の動作過程を模式的に示す。
本例において、塗布ロール１１０は、図５（ａ）及び図６（ａ）に示すように、楔状隙間１０５に微粒子ｐが充填した状態で回転すると、塗布ロール１１０と規制部１０４との接触部では、規制部１０４に塗布ロール１１０が弾性的に押し付けられているため、規制部１０４は、塗布ロール１１０のセル１１３に微粒子ｐを摺り切りで詰め込むという作用を奏する。この結果、図６（ｂ）＜保持＞に示すように、規制部１０４を通過した塗布ロール１１０のセル１１３には多数の微粒子ｐが充填した状態で保持される。
次いで、塗布ロール１１０のうち微粒子ｐを保持したセル１１３が中間転写体３０との接触部に到達すると、図６（ｂ）＜接触＞に示すように、セル１１３内の微粒子ｐ群の入口に面した箇所の微粒子ｐ１群が中間転写体３０の表面に接触する。
本例において、塗布ロール１１０は、図５（ａ）及び図６（ａ）に示すように、楔状隙間１０５に微粒子ｐが充填した状態で回転すると、塗布ロール１１０と規制部１０４との接触部では、規制部１０４に塗布ロール１１０が弾性的に押し付けられているため、規制部１０４は、塗布ロール１１０のセル１１３に微粒子ｐを摺り切りで詰め込むという作用を奏する。この結果、図６（ｂ）＜保持＞に示すように、規制部１０４を通過した塗布ロール１１０のセル１１３には多数の微粒子ｐが充填した状態で保持される。
次いで、塗布ロール１１０のうち微粒子ｐを保持したセル１１３が中間転写体３０との接触部に到達すると、図６（ｂ）＜接触＞に示すように、セル１１３内の微粒子ｐ群の入口に面した箇所の微粒子ｐ１群が中間転写体３０の表面に接触する。
【0037】
この状態において、塗布ロール１１０の回転速度ｖｒと中間転写体３０の回転速度ｖｂとは速度差があるため、図６（ｂ）＜押付け／せん断＞に示すように、セル１１３内の微粒子ｐ群が中間転写体３０に押付けられ、セル１１３内の微粒子ｐ群のうち入口に面した箇所の微粒子ｐ１群が中間転写体３０の表面に付着しようとする。このため、セル１１３内の入口に面した箇所の微粒子ｐ１群と他の微粒子ｐ２群との境界には速度差に伴うせん断力Ｆｓが働き、この境界でセル１１３内の微粒子ｐ群が二分される。
しかる後、塗布ロール１１０の微粒子ｐ群を保持したセル１１３が中間転写体３０との接触部を通過すると、図６（ｂ）＜離間＞に示すように、当該セル１１３は中間転写体３０の表面から離れた位置に移動する。このとき、セル１１３の入口に面した箇所の微粒子ｐ１群はその付着力により中間転写体３０の表面側に塗布され、セル１１３内の他の微粒子ｐ２群はセル１１３内に保持されたまま残る。
しかる後、塗布ロール１１０の微粒子ｐ群を保持したセル１１３が中間転写体３０との接触部を通過すると、図６（ｂ）＜離間＞に示すように、当該セル１１３は中間転写体３０の表面から離れた位置に移動する。このとき、セル１１３の入口に面した箇所の微粒子ｐ１群はその付着力により中間転写体３０の表面側に塗布され、セル１１３内の他の微粒子ｐ２群はセル１１３内に保持されたまま残る。
【0038】
＜均し部材＞
本例において、均し部材１２０は、図５（ａ）及び図６（ａ）に示すように、支持ブラケット１２１を介して塗布容器１０１の一部に固定されている。この均し部材１２０は弾性を有する板状部材にて構成されており、中間転写体３０の移動方向に対向する方向に傾斜した状態で中間転写体３０に先端部が接触するように配置されている。このとき、均し部材１２０は、中間転写体３０上に塗布された微粒子塗布層ｐｍを略均一な状態に均す必要があるため、中間転写体３０の移動面に対する均し部材１２０の傾斜角度βが例えば５～２０度の範囲で適切に選定されている。
このように、本例では、塗布ロール１１０で中間転写体３０上に塗布された微粒子塗布層ｐｍは、均し部材１２０によって略均一に均される。
本例において、均し部材１２０は、図５（ａ）及び図６（ａ）に示すように、支持ブラケット１２１を介して塗布容器１０１の一部に固定されている。この均し部材１２０は弾性を有する板状部材にて構成されており、中間転写体３０の移動方向に対向する方向に傾斜した状態で中間転写体３０に先端部が接触するように配置されている。このとき、均し部材１２０は、中間転写体３０上に塗布された微粒子塗布層ｐｍを略均一な状態に均す必要があるため、中間転写体３０の移動面に対する均し部材１２０の傾斜角度βが例えば５～２０度の範囲で適切に選定されている。
このように、本例では、塗布ロール１１０で中間転写体３０上に塗布された微粒子塗布層ｐｍは、均し部材１２０によって略均一に均される。
【0039】
－微粒子の塗布状態の検出法－
本例では、中間転写体３０上の微粒子ｐの塗布状態を検出する検出手段として光学式センサ１３０が設けられている。この光学式センサ１３０は、中間転写体３０の表面に対向して配置されていればよく、例えば図７（ａ）（ｂ）に示すように、中間転写体３０のうち張架ロール３２，３３間に位置する領域で中間転写体３０の回転方向に交差する交差方向の端部寄りに配置されている。
ここで、光学式センサ１３０は、図７（ｃ）に示すように、例えばセンサ筐体１３１内に発光素子１３２及び受光素子１３３を有するもので、発光素子１３２から中間転写体３０の表面に光を照射し、中間転写体３０からの反射光を受光素子１３３で検出するものである。
本例では、中間転写体３０上の微粒子ｐの塗布状態を検出する検出手段として光学式センサ１３０が設けられている。この光学式センサ１３０は、中間転写体３０の表面に対向して配置されていればよく、例えば図７（ａ）（ｂ）に示すように、中間転写体３０のうち張架ロール３２，３３間に位置する領域で中間転写体３０の回転方向に交差する交差方向の端部寄りに配置されている。
ここで、光学式センサ１３０は、図７（ｃ）に示すように、例えばセンサ筐体１３１内に発光素子１３２及び受光素子１３３を有するもので、発光素子１３２から中間転写体３０の表面に光を照射し、中間転写体３０からの反射光を受光素子１３３で検出するものである。
【0040】
本例においては、光学式センサ１３０は、中間転写体３０上に微粒子ｐが塗布されていない状態では、図７（ｃ）に示すように、中間転写体３０からの反射光を受光素子１３３で検出する。一方、光学式センサ１３０は、中間転写体３０上に微粒子ｐが塗布されている状態では、図７（ｄ）に示すように、中間転写体３０上の微粒子塗布層ｐｍからの反射光を受光素子１３３で検出する。
ここで、中間転写体３０上の微粒子被覆率Ｂｃ（％）と、光学式センサ１３０出力（Ｖ）との関係を調べたところ、以下のような傾向が見られた。但し、光学式センサ１３０として波長９４０ｎｍのものを用い、微粒子として粒径１１５ｎｍのＳｉＯ２を用いた。
この場合、光学式センサ１３０の出力は、図７（ｅ）に示すように、微粒子ｐが塗布されていない状態のときを最大値とし、微粒子被覆率Ｂｃが大きくなるに従って次第に低減する傾向になっている。このとき、微粒子被覆率Ｂｃが１０％以上である場合には、光学式センサ１３０の出力は、微粒子ｐが塗布されていない場合の約２／３以下に低減することから、微粒子ｐが塗布されている状態であることを明確に判別することが可能である。
ここで、中間転写体３０上の微粒子被覆率Ｂｃ（％）と、光学式センサ１３０出力（Ｖ）との関係を調べたところ、以下のような傾向が見られた。但し、光学式センサ１３０として波長９４０ｎｍのものを用い、微粒子として粒径１１５ｎｍのＳｉＯ２を用いた。
この場合、光学式センサ１３０の出力は、図７（ｅ）に示すように、微粒子ｐが塗布されていない状態のときを最大値とし、微粒子被覆率Ｂｃが大きくなるに従って次第に低減する傾向になっている。このとき、微粒子被覆率Ｂｃが１０％以上である場合には、光学式センサ１３０の出力は、微粒子ｐが塗布されていない場合の約２／３以下に低減することから、微粒子ｐが塗布されている状態であることを明確に判別することが可能である。
【0041】
但し、本例では、微粒子被覆率Ｂｃが５０％を超えると、光学式センサ１３０の出力の低減率は極めて少なくなり、光学式センサ１３０の出力は微粒子被覆率Ｂｃが５０％の場合と略同程度の値になっている。これは、微粒子被覆率Ｂｃが高くなると、微粒子による乱反射や光閉じ込め効果により、反射出力が低減することによるものと推測される。
尚、本例では、光学式センサ１３０の出力は受光素子１３３の出力に相当し、また、微粒子被覆率Ｂｃは、中間転写体３０上に塗布された微粒子塗布層ｐｍにつき、予め決められた基準領域内での微粒子ｐの占有率を意味する。
従って、本例では、微粒子ｐが塗布されている状態の光学式センサ１３０の出力は、微粒子ｐが塗布されていない状態の光学式センサ１３０の出力より低いことから、光学式センサ１３０の出力をチェックすることで、中間転写体３０上に微粒子ｐが塗布されているか否かを判別することが可能である。
特に、光学式センサ１３０の出力特性を考慮すると、微粒子塗布層ｐｍを形成する場合には、微粒子被覆率Ｂｃが１０乃至５０％の範囲で選定することが好ましい。
尚、本例では、光学式センサ１３０の出力は受光素子１３３の出力に相当し、また、微粒子被覆率Ｂｃは、中間転写体３０上に塗布された微粒子塗布層ｐｍにつき、予め決められた基準領域内での微粒子ｐの占有率を意味する。
従って、本例では、微粒子ｐが塗布されている状態の光学式センサ１３０の出力は、微粒子ｐが塗布されていない状態の光学式センサ１３０の出力より低いことから、光学式センサ１３０の出力をチェックすることで、中間転写体３０上に微粒子ｐが塗布されているか否かを判別することが可能である。
特に、光学式センサ１３０の出力特性を考慮すると、微粒子塗布層ｐｍを形成する場合には、微粒子被覆率Ｂｃが１０乃至５０％の範囲で選定することが好ましい。
【0042】
－微粒子被覆率とトナー付着力との関係－
本例において、微粒子被覆率Ｂｃとトナー付着力Ｆとの関係を調べたところ、トナー付着力Ｆは、図８（ａ）に示すように、微粒子未塗布時が最も大きく、微粒子被覆率Ｂｃが一定以上に至るまでは増加に伴って次第に減少する傾向が見られた。しかしながら、微粒子被覆率Ｂｃが一定以上になると、トナー付着力Ｆは再度増加する傾向が見られる。これは、微粒子被覆率Ｂｃが一定以上になると、図８（ｂ）の塗布量過多の場合に示すように、微粒子ｐとトナーＴＮとの接点が増え、ファンデルワールス力の増加に伴ってトナー付着力Ｆも増加するものと想定される。
このため、本例では、図８（ａ）に示すように、トナー付着力Ｆが最も低くなる極小値付近の微粒子被覆率Ｂｃを選定し、微粒子の塗布量の最適化を図るようにした。尚、微粒子被覆率Ｂｃの選定に当たっては、本例とは異なるものに選定してもよいことは勿論である。
本例において、微粒子被覆率Ｂｃとトナー付着力Ｆとの関係を調べたところ、トナー付着力Ｆは、図８（ａ）に示すように、微粒子未塗布時が最も大きく、微粒子被覆率Ｂｃが一定以上に至るまでは増加に伴って次第に減少する傾向が見られた。しかしながら、微粒子被覆率Ｂｃが一定以上になると、トナー付着力Ｆは再度増加する傾向が見られる。これは、微粒子被覆率Ｂｃが一定以上になると、図８（ｂ）の塗布量過多の場合に示すように、微粒子ｐとトナーＴＮとの接点が増え、ファンデルワールス力の増加に伴ってトナー付着力Ｆも増加するものと想定される。
このため、本例では、図８（ａ）に示すように、トナー付着力Ｆが最も低くなる極小値付近の微粒子被覆率Ｂｃを選定し、微粒子の塗布量の最適化を図るようにした。尚、微粒子被覆率Ｂｃの選定に当たっては、本例とは異なるものに選定してもよいことは勿論である。
【0043】
－微粒子塗布の有無と転写バイアスとの関係－
更に、本例では、微粒子塗布時と微粒子未塗布時とでは、トナー付着力Ｆが異なることから、転写装置５０の転写バイアスＶｔは微粒子塗布の有無によって異なるように選定されている。
例えば微粒子未塗布時の場合に、図４（ｂ）に示すように、中間転写体３０上にトナーＴＮからなる画像Ｇが保持されている。ここで、転写バイアスＶｔを変化させて画質の良否を調べたところ、図８（ｃ）に示すように、転写バイアスＶｔがＶｔ０のときに画質が最も良好で、これよりも高く設定しても、低く設定しても画質は悪化する傾向が見られた。
また、予め決められた微粒子被覆率Ｂｃで微粒子ｐを塗布した場合には、図４（ｃ）に示すように、中間転写体３０上に微粒子塗布層ｐｍを介してトナーＴＮからなる画像Ｇが保持されている。ここで、転写バイアスＶｔを変化させて画質の良否を調べたところ、転写バイアスＶｔがＶｔ１（＜Ｖｔ０）のときに画質が最も良好で、これよりも高く設定しても、低く設定しても画質は悪化する傾向が見られた。但し、微粒子塗布時に、微粒子未塗布時の転写バイアスＶｔ０を選定したとしても、微粒子未塗布時の画質よりも良好であることが確認された。
従って、微粒子塗布時の転写バイアスＶｔについては、微粒子未塗布時の転写バイアスＶｔ０とは異なり、微粒子塗布時に画質が最も良好な転写バイアスＶｔ１を選定することとした。
更に、本例では、微粒子塗布時と微粒子未塗布時とでは、トナー付着力Ｆが異なることから、転写装置５０の転写バイアスＶｔは微粒子塗布の有無によって異なるように選定されている。
例えば微粒子未塗布時の場合に、図４（ｂ）に示すように、中間転写体３０上にトナーＴＮからなる画像Ｇが保持されている。ここで、転写バイアスＶｔを変化させて画質の良否を調べたところ、図８（ｃ）に示すように、転写バイアスＶｔがＶｔ０のときに画質が最も良好で、これよりも高く設定しても、低く設定しても画質は悪化する傾向が見られた。
また、予め決められた微粒子被覆率Ｂｃで微粒子ｐを塗布した場合には、図４（ｃ）に示すように、中間転写体３０上に微粒子塗布層ｐｍを介してトナーＴＮからなる画像Ｇが保持されている。ここで、転写バイアスＶｔを変化させて画質の良否を調べたところ、転写バイアスＶｔがＶｔ１（＜Ｖｔ０）のときに画質が最も良好で、これよりも高く設定しても、低く設定しても画質は悪化する傾向が見られた。但し、微粒子塗布時に、微粒子未塗布時の転写バイアスＶｔ０を選定したとしても、微粒子未塗布時の画質よりも良好であることが確認された。
従って、微粒子塗布時の転写バイアスＶｔについては、微粒子未塗布時の転写バイアスＶｔ０とは異なり、微粒子塗布時に画質が最も良好な転写バイアスＶｔ１を選定することとした。
【0044】
－制御系－
本実施の形態においては、画像形成システム２０の制御系は、図９に示すように、各種プロセッサを含むマイクロコンピュータにて構成される制御装置１４０を有する。ここでいう「プロセッサ」とは広義的なプロセッサを指し、汎用的なプロセッサ（例えばＣＰＵ：Central Processing Unit、等）や、専用のプロセッサ（例えばＧＰＵ：Graphics Processing Unit、ＡＳＩＣ：Application Specific Integrated Circuit、ＦＰＧＡ：Field Programmable Gate Array、プログラマブル論理デバイス、等）を含むものである。
この制御装置１４０には画像形成システム２０の操作パネル１５０及び光学式センサ１３０が接続されている。また、制御装置１４０と各制御対象（各画像形成部２２、中間転写体３０、転写装置５０の転写用電源５９、微粒子塗布装置１００等）との間が夫々接続されている。
更に、操作パネル１５０には、画像形成システム２０による作像処理を開始するためのスタートスイッチ（図９では「スタートＳＷ」と表記）１５１、各種作像モード（片面・両面印刷モード、標準・高画質印刷モードなど）を選択するモード選択部１５２及び媒体Ｓの種類（抵抗、厚み、坪量、サイズ、エンボスの有無等）を指示する媒体種指示部１５３が設けられている。尚、媒体Ｓの種類については、例えば媒体供給容器８１や搬送路中に媒体Ｓの種類（抵抗、厚み、サイズ、エンボスの有無等）を検出する検出器を設置し、当該検出器にて媒体Ｓの種類を取得するようにしてもよいことは勿論である。
本実施の形態においては、画像形成システム２０の制御系は、図９に示すように、各種プロセッサを含むマイクロコンピュータにて構成される制御装置１４０を有する。ここでいう「プロセッサ」とは広義的なプロセッサを指し、汎用的なプロセッサ（例えばＣＰＵ：Central Processing Unit、等）や、専用のプロセッサ（例えばＧＰＵ：Graphics Processing Unit、ＡＳＩＣ：Application Specific Integrated Circuit、ＦＰＧＡ：Field Programmable Gate Array、プログラマブル論理デバイス、等）を含むものである。
この制御装置１４０には画像形成システム２０の操作パネル１５０及び光学式センサ１３０が接続されている。また、制御装置１４０と各制御対象（各画像形成部２２、中間転写体３０、転写装置５０の転写用電源５９、微粒子塗布装置１００等）との間が夫々接続されている。
更に、操作パネル１５０には、画像形成システム２０による作像処理を開始するためのスタートスイッチ（図９では「スタートＳＷ」と表記）１５１、各種作像モード（片面・両面印刷モード、標準・高画質印刷モードなど）を選択するモード選択部１５２及び媒体Ｓの種類（抵抗、厚み、坪量、サイズ、エンボスの有無等）を指示する媒体種指示部１５３が設けられている。尚、媒体Ｓの種類については、例えば媒体供給容器８１や搬送路中に媒体Ｓの種類（抵抗、厚み、サイズ、エンボスの有無等）を検出する検出器を設置し、当該検出器にて媒体Ｓの種類を取得するようにしてもよいことは勿論である。
【0045】
－画像形成システムの作像処理－
次に、本実施の形態に係る画像形成装置の作像処理過程を説明する。
先ず、図９に示すように、スタートスイッチ１５１をオン操作すると、画像形成システム２０はモード選択部１５２で選択された作像モードに基づく印刷ジョブを開始する。この状態において、媒体供給容器８１から媒体Ｓが供給され、一方、画像形成部２２では媒体Ｓに転写する各色成分画像の作像処理が行われ、作製された色成分画像が中間転写体３０を介して転写域ＴＲへと移動する。
この後、媒体Ｓは水平搬送路８３を経て転写域ＴＲへと搬送され、転写装置５０による転写動作が行われ、しかる後、各色成分画像が転写された媒体Ｓは定着装置７０を通過して媒体Ｓ上に画像が定着される。
次に、本実施の形態に係る画像形成装置の作像処理過程を説明する。
先ず、図９に示すように、スタートスイッチ１５１をオン操作すると、画像形成システム２０はモード選択部１５２で選択された作像モードに基づく印刷ジョブを開始する。この状態において、媒体供給容器８１から媒体Ｓが供給され、一方、画像形成部２２では媒体Ｓに転写する各色成分画像の作像処理が行われ、作製された色成分画像が中間転写体３０を介して転写域ＴＲへと移動する。
この後、媒体Ｓは水平搬送路８３を経て転写域ＴＲへと搬送され、転写装置５０による転写動作が行われ、しかる後、各色成分画像が転写された媒体Ｓは定着装置７０を通過して媒体Ｓ上に画像が定着される。
【0046】
－微粒子の塗布制御処理－
本例においては、制御装置１４０は、図１０に示す微粒子塗布制御プログラムを実行し、中間転写体３０上への微粒子ｐの塗布動作を制御する。
同図において、制御装置１４０は、先ず、媒体種指示部１５３からの指示情報に基づいて媒体Ｓがエンボス媒体であるか否かを判別する。そして、媒体Ｓがエンボス媒体である場合には、微粒子塗布量を設定し、微粒子塗布装置１００による微粒子ｐの塗布処理を実施する。ここで、微粒子塗布量の設定については適宜選定して差し支えないが、本例では、図８（ａ）（ｂ）に示すように、トナー付着力Ｆが最も低くなる極小値付近（最適な微粒子塗布量に相当）の微粒子被覆率Ｂｃに選定されている。
また、媒体Ｓがエンボス媒体ではない場合には、微粒子塗布の他の条件がある場合には、他の条件に適した微粒子塗布量を設定の上、微粒子ｐの塗布処理を実施し、一方、微粒子塗布の他の条件がない場合には、微粒子ｐの塗布処理を不実施とすればよい。
ここで、微粒子塗布の他の条件としては、坪高で嵩高く転写性が十分に稼げない用紙種や用紙繊維の表出量が多いラフ紙等を使用する条件が挙げられる。尚、本例のラフ紙は、エンボス加工による凹凸（３０μｍ程度以上）は無いが、例えば電子写真用用紙よりも粗い紙（１０～３０μｍ程度の凹凸を具備）を指す。
本例においては、制御装置１４０は、図１０に示す微粒子塗布制御プログラムを実行し、中間転写体３０上への微粒子ｐの塗布動作を制御する。
同図において、制御装置１４０は、先ず、媒体種指示部１５３からの指示情報に基づいて媒体Ｓがエンボス媒体であるか否かを判別する。そして、媒体Ｓがエンボス媒体である場合には、微粒子塗布量を設定し、微粒子塗布装置１００による微粒子ｐの塗布処理を実施する。ここで、微粒子塗布量の設定については適宜選定して差し支えないが、本例では、図８（ａ）（ｂ）に示すように、トナー付着力Ｆが最も低くなる極小値付近（最適な微粒子塗布量に相当）の微粒子被覆率Ｂｃに選定されている。
また、媒体Ｓがエンボス媒体ではない場合には、微粒子塗布の他の条件がある場合には、他の条件に適した微粒子塗布量を設定の上、微粒子ｐの塗布処理を実施し、一方、微粒子塗布の他の条件がない場合には、微粒子ｐの塗布処理を不実施とすればよい。
ここで、微粒子塗布の他の条件としては、坪高で嵩高く転写性が十分に稼げない用紙種や用紙繊維の表出量が多いラフ紙等を使用する条件が挙げられる。尚、本例のラフ紙は、エンボス加工による凹凸（３０μｍ程度以上）は無いが、例えば電子写真用用紙よりも粗い紙（１０～３０μｍ程度の凹凸を具備）を指す。
【0047】
－転写装置のバイアス制御処理－
制御装置１４０は、図１１に示す転写装置バイアス制御プログラムを実行し、転写装置５０に印加する転写バイアスＶｔを制御し、転写装置５０による転写処理を実施する。
同図において、制御装置１４０は、図９に示す光学式センサ１３０の出力をチェックし、中間転写体３０（図１１ではＩＴＢと表記）表面に微粒子ｐが塗布されているか否かを判別する。
ここで、微粒子ｐが塗布されていない場合には、通常の作像モード時に採択される通常の転写バイアスＶｔ０を設定し、転写装置５０による転写処理を実施する。
一方、微粒子ｐが塗布されている場合には、特例の作像モード時に採択される特例の転写バイアスＶｔ１（＜Ｖｔ０）を設定し、転写装置５０による転写処理を実施する。
制御装置１４０は、図１１に示す転写装置バイアス制御プログラムを実行し、転写装置５０に印加する転写バイアスＶｔを制御し、転写装置５０による転写処理を実施する。
同図において、制御装置１４０は、図９に示す光学式センサ１３０の出力をチェックし、中間転写体３０（図１１ではＩＴＢと表記）表面に微粒子ｐが塗布されているか否かを判別する。
ここで、微粒子ｐが塗布されていない場合には、通常の作像モード時に採択される通常の転写バイアスＶｔ０を設定し、転写装置５０による転写処理を実施する。
一方、微粒子ｐが塗布されている場合には、特例の作像モード時に採択される特例の転写バイアスＶｔ１（＜Ｖｔ０）を設定し、転写装置５０による転写処理を実施する。
【0048】
－画像形成システムの作動－
＜通常の作像モード（作像モードＩ）＞
本例において、画像形成システム２０は、中間転写体３０に微粒子ｐが塗布されない条件では通常の作像モード（作像モードＩ）を実施する。
通常の作像モード（作像モードＩ）では、図２及び図４（ｂ）に示すように、各画像形成部２２（２２ａ～２２ｄ）で作製された各色成分の画像Ｇは、微粒子ｐが塗布されていない中間転写体３０上に順次一次転写され、転写域ＴＲにて媒体Ｓ（本例では通常の媒体Ｓａを使用）に転写装置５０により二次転写される。
本例では、転写装置５０は、図４（ｂ）に示すように、通常の転写バイアスＶｔ０が印加され、転写域ＴＲには通常の転写バイアスＶｔ０による転写電界Ｅａが形成され、通常の媒体Ｓａに対し画像Ｇを転写する。
＜通常の作像モード（作像モードＩ）＞
本例において、画像形成システム２０は、中間転写体３０に微粒子ｐが塗布されない条件では通常の作像モード（作像モードＩ）を実施する。
通常の作像モード（作像モードＩ）では、図２及び図４（ｂ）に示すように、各画像形成部２２（２２ａ～２２ｄ）で作製された各色成分の画像Ｇは、微粒子ｐが塗布されていない中間転写体３０上に順次一次転写され、転写域ＴＲにて媒体Ｓ（本例では通常の媒体Ｓａを使用）に転写装置５０により二次転写される。
本例では、転写装置５０は、図４（ｂ）に示すように、通常の転写バイアスＶｔ０が印加され、転写域ＴＲには通常の転写バイアスＶｔ０による転写電界Ｅａが形成され、通常の媒体Ｓａに対し画像Ｇを転写する。
【0049】
＜特例の作像モード（作像モードＩＩ）＞
本例において、画像形成システム２０は、中間転写体３０に微粒子ｐが塗布される条件では、通常の作像モードに微粒子ｐの塗布処理が加わった特例の作像モード（作像モードＩＩ）を実施する。
特例の作像モード（作像モードＩＩ）では、図２及び図４（ｃ）に示すように、微粒子塗布装置１００は、中間転写体３０上の全域に微粒子ｐを予め決められた微粒子被覆率Ｂｃに則って塗布し、しかる後、各画像形成部２２（２２ａ～２２ｄ）は中間転写体３０上に各色成分の画像Ｇを順次一次転写する。このため、各画像形成部２２で作製された各色成分の画像Ｇは中間転写体３０上の微粒子塗布層ｐｍ上に保持され、転写域ＴＲにて媒体Ｓ（本例ではエンボス媒体Ｓｂ）に二次転写される。
このとき、中間転写体３０上の各色成分の画像Ｇは微粒子塗布層ｐｍを介して保持されているため、エンボス媒体Ｓｂ（Ｓ）に転写し易くなっており、各色成分の画像Ｇはエンボス媒体Ｓｂの凹凸に影響されずに適切に転写される。
特に、本例では、転写装置５０で使用される転写バイアスＶｔは通常の作像モード時の通常の転写バイアスＶｔ０に代えて、微粒子塗布時の転写条件に適切な特例の転写バイアスＶｔ１に変更して設定されているため、転写域ＴＲには特例の転写バイアスＶｔ１による転写電界Ｅｂ（Ｅｂ＜Ｅａ）が形成され、通常の転写バイアスＶｔ０を使用した場合よりも高画質の画像転写性を得ることが可能である。
本例において、画像形成システム２０は、中間転写体３０に微粒子ｐが塗布される条件では、通常の作像モードに微粒子ｐの塗布処理が加わった特例の作像モード（作像モードＩＩ）を実施する。
特例の作像モード（作像モードＩＩ）では、図２及び図４（ｃ）に示すように、微粒子塗布装置１００は、中間転写体３０上の全域に微粒子ｐを予め決められた微粒子被覆率Ｂｃに則って塗布し、しかる後、各画像形成部２２（２２ａ～２２ｄ）は中間転写体３０上に各色成分の画像Ｇを順次一次転写する。このため、各画像形成部２２で作製された各色成分の画像Ｇは中間転写体３０上の微粒子塗布層ｐｍ上に保持され、転写域ＴＲにて媒体Ｓ（本例ではエンボス媒体Ｓｂ）に二次転写される。
このとき、中間転写体３０上の各色成分の画像Ｇは微粒子塗布層ｐｍを介して保持されているため、エンボス媒体Ｓｂ（Ｓ）に転写し易くなっており、各色成分の画像Ｇはエンボス媒体Ｓｂの凹凸に影響されずに適切に転写される。
特に、本例では、転写装置５０で使用される転写バイアスＶｔは通常の作像モード時の通常の転写バイアスＶｔ０に代えて、微粒子塗布時の転写条件に適切な特例の転写バイアスＶｔ１に変更して設定されているため、転写域ＴＲには特例の転写バイアスＶｔ１による転写電界Ｅｂ（Ｅｂ＜Ｅａ）が形成され、通常の転写バイアスＶｔ０を使用した場合よりも高画質の画像転写性を得ることが可能である。
【0050】
－微粒子塗布装置の他の構成例－
本実施の形態において、例えば微粒子塗布装置１００は実施の形態１で開示された態様に限られるものではなく、例えば変形の形態１－１又は変形の形態１－２に示す態様のように適宜設計変更してもよいことは勿論である。
◎変形の形態１－１
図１２は変形の形態１－１に係る微粒子塗布装置を示す。
同図において、微粒子塗布装置１００は、実施の形態１とは異なる構成を有するほか、中間転写体清掃装置３６に一体的に組み込まれている。
本例において、中間転写体清掃装置３６は、中間転写体３０の張架ロール３１付近のうち張架ロール３１よりも回転方向上流側に設けられている。この中間転写体清掃装置３６は、中間転写体３０の表面に対向して開口する清掃筐体３６１を有し、清掃筐体３６１の開口縁に支持ブラケット３６３を介して弾性を有する板状の清掃部材３６２を設けると共に、清掃部材３６２に対向する中間転写体３０の裏面に対向ロール３６４を設けたものである。更に、本例では、清掃筐体３６１内の下部には収容された残留物を均して搬送する一対の均し搬送部材３６５が設けられると共に、板状の清掃部材３６２よりも中間転写体３０の回転方向上流側にはブラシ状の第２の清掃部材３６７が設けられ、この第２の清掃部材３６７に対向する中間転写体３０の裏面に対向ロール３６８が設けられている。
本実施の形態において、例えば微粒子塗布装置１００は実施の形態１で開示された態様に限られるものではなく、例えば変形の形態１－１又は変形の形態１－２に示す態様のように適宜設計変更してもよいことは勿論である。
◎変形の形態１－１
図１２は変形の形態１－１に係る微粒子塗布装置を示す。
同図において、微粒子塗布装置１００は、実施の形態１とは異なる構成を有するほか、中間転写体清掃装置３６に一体的に組み込まれている。
本例において、中間転写体清掃装置３６は、中間転写体３０の張架ロール３１付近のうち張架ロール３１よりも回転方向上流側に設けられている。この中間転写体清掃装置３６は、中間転写体３０の表面に対向して開口する清掃筐体３６１を有し、清掃筐体３６１の開口縁に支持ブラケット３６３を介して弾性を有する板状の清掃部材３６２を設けると共に、清掃部材３６２に対向する中間転写体３０の裏面に対向ロール３６４を設けたものである。更に、本例では、清掃筐体３６１内の下部には収容された残留物を均して搬送する一対の均し搬送部材３６５が設けられると共に、板状の清掃部材３６２よりも中間転写体３０の回転方向上流側にはブラシ状の第２の清掃部材３６７が設けられ、この第２の清掃部材３６７に対向する中間転写体３０の裏面に対向ロール３６８が設けられている。
【0051】
また、微粒子塗布装置１００は、中間転写体清掃装置３６の清掃筐体３６１の上部に組み込まれている。
本例において、微粒子塗布装置１００は、実施の形態１と同様に、中間転写体３０のうち張架ロール３１に掛け渡された部分に対向して開口する塗布容器１０１と、この塗布容器１０１の開口に面して配置され、中間転写体３０に接触して微粒子ｐを塗布する塗布ロール１１０と、中間転写体３０に塗布された微粒子塗布層ｐｍの塗布量を均す板状の均し部材１２０と、塗布ロール１１０の表面に微粒子ｐを付着させる微粒子付着機構１７０と、を備えている。
本例において、塗布容器１０１は、実施の形態１と異なり、清掃筐体３６１の上部に一体的に形成されており、塗布ロール１１０と清掃部材３６２との間に仕切り部材１６０を有している。また、塗布ロール１１０は実施の形態１と略同様に構成されている。更に、均し部材１２０は、塗布容器１０１の開口上縁部に支持ブラケット１２１を介して支持され、実施の形態１と略同様に構成されている。
本例において、微粒子塗布装置１００は、実施の形態１と同様に、中間転写体３０のうち張架ロール３１に掛け渡された部分に対向して開口する塗布容器１０１と、この塗布容器１０１の開口に面して配置され、中間転写体３０に接触して微粒子ｐを塗布する塗布ロール１１０と、中間転写体３０に塗布された微粒子塗布層ｐｍの塗布量を均す板状の均し部材１２０と、塗布ロール１１０の表面に微粒子ｐを付着させる微粒子付着機構１７０と、を備えている。
本例において、塗布容器１０１は、実施の形態１と異なり、清掃筐体３６１の上部に一体的に形成されており、塗布ロール１１０と清掃部材３６２との間に仕切り部材１６０を有している。また、塗布ロール１１０は実施の形態１と略同様に構成されている。更に、均し部材１２０は、塗布容器１０１の開口上縁部に支持ブラケット１２１を介して支持され、実施の形態１と略同様に構成されている。
【0052】
特に、本例では、微粒子付着機構１７０は、多数の微粒子を圧縮成型して作製したブロック状の微粒子固形塊１７１を、塗布ロール１１０の中間転写体３０との接触部とは反対側に接触させ、押圧手段としての押圧バネ１７２によって塗布ロール１１０の表面に押付けるようにしたものである。この微粒子付着機構１７０によれば、塗布ロール１１０の回転に伴って塗布ロール１１０と微粒子固形塊１７１との接触部で微粒子固形塊１７１から微粒子ｐが削り出され、塗布ロール１１０の凹状のセル（図示せず）に擦り切りで詰め込まれ、塗布ロール１１０の表面に付着されるようになっている。
この結果、塗布ロール１１０は表面に微粒子ｐを保持した状態で中間転写体３０との接触部に至り、中間転写体３０の表面に微粒子ｐを塗布した後に、均し部材１２０にて所定の塗布量に均される。尚、本例では、微粒子固形塊１７１と塗布ロール１１０との接触部から削られた微粒子ｐが一部落下したとしても、仕切り部材１６０で仕切られた空間に堆積するようになっている。
この結果、塗布ロール１１０は表面に微粒子ｐを保持した状態で中間転写体３０との接触部に至り、中間転写体３０の表面に微粒子ｐを塗布した後に、均し部材１２０にて所定の塗布量に均される。尚、本例では、微粒子固形塊１７１と塗布ロール１１０との接触部から削られた微粒子ｐが一部落下したとしても、仕切り部材１６０で仕切られた空間に堆積するようになっている。
【0053】
また、本例では、微粒子塗布装置１００は、実施の形態１に示す塗布容器１０１（粉状の微粒子を収容する収容部１０２、塗布ロール１１０と規制部１０４との間に形成される楔状隙間１０５、充填機構１０６）を備えていないが、実施の形態１に示す塗布容器１０１を利用し、収容部１０２には粉状の微粒子ｐに代えて微粒子固形塊１７１（図１２参照）を塗布ロール１１０又は塗布ロール１１０とは別に設けられた図示外の削りロールに接触するように配置し、塗布ロール１１０又は削りロールで微粒子固形塊１７１から微粒子ｐを削り出し、削り出された粉状の微粒子ｐを楔状隙間１０５に充填するようにしてもよい。
【0054】
◎変形の形態１－２
図１３は、変形の形態１－２に係る微粒子塗布装置を示す。
同図において、微粒子塗布装置１００は、実施の形態１と同様に、粉状の微粒子ｐを収容する塗布容器１０１、中間転写体３０に微粒子ｐを塗布する塗布ロール１１０及び中間転写体３０に塗布された微粒子塗布層ｐｍを均す均し部材１２０とを備えているが、塗布ロール１１０、均し部材１２０のレイアウト並びに塗布ロール１１０への微粒子ｐの付着手法が実施の形態１と異なる。
本例においては、塗布ロール１１０、均し部材１２０は、中間転写体３０のうち張架ロール３１に掛け渡された部分の上方に配置されている。
また、塗布容器１０１は、塗布ロール１１０の図中右半面を覆うように開口し、粉状の微粒子ｐを収容する収容部１０２を有し、この収容部１０２内のうち塗布ロール１１０の下部付近に当該塗布ロール１１０に接触する規制部１０４を設け、この規制部１０４と塗布ロール１１０との間に楔状隙間１０５を形成したものである。そして、この収容部１０２のうち楔状隙間１０５の上方には堆積した微粒子ｐを撹拌する撹拌部材としてのアジテータ１６５が設けられている。尚、塗布容器１０１の収容部１０２の開口上縁には塗布ロール１１０の上部に弾性的に接触してシールする上側シール部材１６６が設けられ、収容部１０２の開口下縁には中間転写体３０の表面に弾性的に接触してシールする下側シール部材１６７が設けられている。
図１３は、変形の形態１－２に係る微粒子塗布装置を示す。
同図において、微粒子塗布装置１００は、実施の形態１と同様に、粉状の微粒子ｐを収容する塗布容器１０１、中間転写体３０に微粒子ｐを塗布する塗布ロール１１０及び中間転写体３０に塗布された微粒子塗布層ｐｍを均す均し部材１２０とを備えているが、塗布ロール１１０、均し部材１２０のレイアウト並びに塗布ロール１１０への微粒子ｐの付着手法が実施の形態１と異なる。
本例においては、塗布ロール１１０、均し部材１２０は、中間転写体３０のうち張架ロール３１に掛け渡された部分の上方に配置されている。
また、塗布容器１０１は、塗布ロール１１０の図中右半面を覆うように開口し、粉状の微粒子ｐを収容する収容部１０２を有し、この収容部１０２内のうち塗布ロール１１０の下部付近に当該塗布ロール１１０に接触する規制部１０４を設け、この規制部１０４と塗布ロール１１０との間に楔状隙間１０５を形成したものである。そして、この収容部１０２のうち楔状隙間１０５の上方には堆積した微粒子ｐを撹拌する撹拌部材としてのアジテータ１６５が設けられている。尚、塗布容器１０１の収容部１０２の開口上縁には塗布ロール１１０の上部に弾性的に接触してシールする上側シール部材１６６が設けられ、収容部１０２の開口下縁には中間転写体３０の表面に弾性的に接触してシールする下側シール部材１６７が設けられている。
【0055】
このように、本例によれば、中間転写体３０に微粒子ｐを塗布する場合には、中間転写体３０の回転に伴って塗布ロール１１０及びアジテータ１６５を回転させるようにすればよい。このとき、塗布容器１０１の収容部１０２ではアジテータ１６５の回転によって収容部１０２内の微粒子ｐが楔状隙間１０５側に充填され、この状態で、塗布ロール１１０が回転すると、塗布ロール１１０と規制部１０４との接触部では、規制部１０４は塗布ロール１１０のセル（図示せず）に微粒子ｐを摺り切りで詰め込む。この結果、塗布ロール１１０は表面に微粒子ｐを保持した状態で中間転写体３０との接触部に至り、中間転写体３０の表面に微粒子ｐを塗布した後に、均し部材１２０にて所定の塗布量に均される。
【0056】
◎実施の形態２
実施の形態２に係る画像形成システム２０は、中間転写体３０に塗布する微粒子塗布量を複数段階に変化させた態様に本発明を適用したものであり、基本的には、実施の形態１と同様な構成を備えているが、中間転写体３０への微粒子塗布制御及び転写装置５０のバイアス制御が実施の形態１と異なる。
－微粒子の塗布制御処理－
本例において、制御装置１４０（図９参照）は、図１４に示す微粒子塗布制御プログラムを実行し、中間転写体３０上への微粒子ｐの塗布動作を制御する。
同図において、制御装置１４０は、先ず、媒体種指示部１５３（図９参照）からの指示情報に基づいて媒体Ｓがエンボス媒体Ｓｂであるか否かを判別する。このとき、エンボス媒体の種類がエンボスの深さや大きさ等に依存して複数存在する場合には、夫々の種類（例えばＳｂ１，Ｓｂ２）を判別する。
そして、媒体Ｓがエンボス媒体Ｓｂである場合には、エンボス媒体の種類（Ｓｂ１，Ｓｂ２）に応じて微粒子塗布量ＭＳ（ＭＳ１，ＭＳ２）を設定し、微粒子塗布装置１００による微粒子ｐの塗布処理を実施する。
実施の形態２に係る画像形成システム２０は、中間転写体３０に塗布する微粒子塗布量を複数段階に変化させた態様に本発明を適用したものであり、基本的には、実施の形態１と同様な構成を備えているが、中間転写体３０への微粒子塗布制御及び転写装置５０のバイアス制御が実施の形態１と異なる。
－微粒子の塗布制御処理－
本例において、制御装置１４０（図９参照）は、図１４に示す微粒子塗布制御プログラムを実行し、中間転写体３０上への微粒子ｐの塗布動作を制御する。
同図において、制御装置１４０は、先ず、媒体種指示部１５３（図９参照）からの指示情報に基づいて媒体Ｓがエンボス媒体Ｓｂであるか否かを判別する。このとき、エンボス媒体の種類がエンボスの深さや大きさ等に依存して複数存在する場合には、夫々の種類（例えばＳｂ１，Ｓｂ２）を判別する。
そして、媒体Ｓがエンボス媒体Ｓｂである場合には、エンボス媒体の種類（Ｓｂ１，Ｓｂ２）に応じて微粒子塗布量ＭＳ（ＭＳ１，ＭＳ２）を設定し、微粒子塗布装置１００による微粒子ｐの塗布処理を実施する。
【0057】
ここで、微粒子塗布量ＭＳの設定については適宜選定して差し支えないが、本例では、図８（ａ）に示すように、中間転写体３０上の微粒子被覆率Ｂｃとトナー付着力Ｆとの関係に基づき、トナー付着力Ｆが極小になる微粒子被覆率Ｂｃ付近を微粒子塗布量ＭＳ１とし、トナー付着力Ｆが極小に至った後に再び増加する領域の範囲内から選定した微粒子被覆率Ｂｃを微粒子塗布量ＭＳ２とし、ＭＳ１＜ＭＳ２の関係を満たすようにした。
また、微粒子塗布量ＭＳを変更する場合には、例えば中間転写体３０の回転速度ｖｂに対する塗布ロール１１０の回転速度ｖｒを変え、速度差を変更することで中間転写体３０に対する塗布ロール１１０の塗布量を変えるようにすればよい。
更に、媒体Ｓがエンボス媒体Ｓｂではない場合には、微粒子塗布の他の条件の有無を見て、微粒子塗布の他の条件がある場合には、他の条件に適した微粒子塗布量を設定の上、微粒子ｐの塗布処理を実施し、一方、微粒子塗布の他の条件がない場合には、微粒子ｐの塗布処理を不実施とすればよい。
また、微粒子塗布量ＭＳを変更する場合には、例えば中間転写体３０の回転速度ｖｂに対する塗布ロール１１０の回転速度ｖｒを変え、速度差を変更することで中間転写体３０に対する塗布ロール１１０の塗布量を変えるようにすればよい。
更に、媒体Ｓがエンボス媒体Ｓｂではない場合には、微粒子塗布の他の条件の有無を見て、微粒子塗布の他の条件がある場合には、他の条件に適した微粒子塗布量を設定の上、微粒子ｐの塗布処理を実施し、一方、微粒子塗布の他の条件がない場合には、微粒子ｐの塗布処理を不実施とすればよい。
【0058】
－転写装置のバイアス制御処理－
制御装置１４０（図９参照）は、図１５に示す転写装置バイアス制御プログラムを実行し、中間転写体３０上の微粒子塗布量の大小に基づいて転写装置５０に印加する転写バイアスＶｔを制御し、転写装置５０による転写処理を実施する。
同図において、制御装置１４０は、図９に示す光学式センサ１３０の出力をチェックし、中間転写体３０表面に微粒子ｐが塗布されているか否か、及び、微粒子ｐの塗布量がどの領域に属するかを判別する。
実施の形態１において、微粒子ｐが塗布されている場合には、転写装置５０の特例の転写バイアスＶｔ１は、微粒子ｐが塗布されていない場合の通常の転写バイアスＶｔ０より低くて済むことが把握されている。
制御装置１４０（図９参照）は、図１５に示す転写装置バイアス制御プログラムを実行し、中間転写体３０上の微粒子塗布量の大小に基づいて転写装置５０に印加する転写バイアスＶｔを制御し、転写装置５０による転写処理を実施する。
同図において、制御装置１４０は、図９に示す光学式センサ１３０の出力をチェックし、中間転写体３０表面に微粒子ｐが塗布されているか否か、及び、微粒子ｐの塗布量がどの領域に属するかを判別する。
実施の形態１において、微粒子ｐが塗布されている場合には、転写装置５０の特例の転写バイアスＶｔ１は、微粒子ｐが塗布されていない場合の通常の転写バイアスＶｔ０より低くて済むことが把握されている。
【0059】
そこで、本例では、微粒子被覆率Ｂｃ（％）と転写バイアスＶｔの低下量ΔＶとの関係を調べたところ、図１６（ａ）に示すような結果が得られた。
同図において、微粒子被覆率Ｂｃが微粒子未塗布時から次第に増加すると、これに伴って、転写バイアスＶｔの低下量ΔＶは、急激に増加した後に極大となる低下量ΔＶ１に至り、その後、緩やかな変化で減少し、ΔＶ２（＜ΔＶ１）付近に収束していく傾向が確認された。
ここで、中間転写体３０上に微粒子ｐが塗布されているか否かを明確に区別化する微粒子被覆率Ｂｃの値を第１の閾値ＴＨ１とし、また、中間転写体３０上の微粒子塗布量が過多になり、転写バイアスＶｔの低下量ΔＶがΔＶ１よりもΔＶ２寄りに接近する微粒子被覆率Ｂｃの値を第２の閾値ＴＨ２として選定した。
また、本例では、微粒子塗布量ＭＳ１，ＭＳ２は、ＴＨ１＜ＭＳ１＜ＴＨ２＜ＭＳ２の関係を満たすように選定されている。
同図において、微粒子被覆率Ｂｃが微粒子未塗布時から次第に増加すると、これに伴って、転写バイアスＶｔの低下量ΔＶは、急激に増加した後に極大となる低下量ΔＶ１に至り、その後、緩やかな変化で減少し、ΔＶ２（＜ΔＶ１）付近に収束していく傾向が確認された。
ここで、中間転写体３０上に微粒子ｐが塗布されているか否かを明確に区別化する微粒子被覆率Ｂｃの値を第１の閾値ＴＨ１とし、また、中間転写体３０上の微粒子塗布量が過多になり、転写バイアスＶｔの低下量ΔＶがΔＶ１よりもΔＶ２寄りに接近する微粒子被覆率Ｂｃの値を第２の閾値ＴＨ２として選定した。
また、本例では、微粒子塗布量ＭＳ１，ＭＳ２は、ＴＨ１＜ＭＳ１＜ＴＨ２＜ＭＳ２の関係を満たすように選定されている。
【0060】
そして、光学式センサ１３０の出力から微粒子塗布量が閾値ＴＨ１以上か否かを判別する。
このとき、微粒子塗布量が閾値ＴＨ１未満であれば、微粒子ｐが塗布されていないか、あるいは、微粒子ｐが塗布されていたとしてもごく微量であると判断されることから、転写装置５０の転写用電源５９は通常の作像モードとして通常の転写バイアスＶｔ０を設定し、転写域ＴＲに通常の転写バイアスＶｔ０を印加する。
また、微粒子塗布量が閾値ＴＨ１以上で閾値ＴＨ２未満であれば、転写装置５０の転写用電源５９は特例の作像モードとして特例の転写バイアスＶｔ１を設定し、転写域ＴＲに特例の転写バイアスＶｔ１を印加する。
更に、微粒子塗布量が閾値ＴＨ２以上であれば、転写装置５０の転写用電源５９は特例の作像モードとして特例の転写バイアスＶｔ２を設定し、転写域ＴＲに特例の転写バイアスＶｔ２を印加する。
このとき、微粒子塗布量が閾値ＴＨ１未満であれば、微粒子ｐが塗布されていないか、あるいは、微粒子ｐが塗布されていたとしてもごく微量であると判断されることから、転写装置５０の転写用電源５９は通常の作像モードとして通常の転写バイアスＶｔ０を設定し、転写域ＴＲに通常の転写バイアスＶｔ０を印加する。
また、微粒子塗布量が閾値ＴＨ１以上で閾値ＴＨ２未満であれば、転写装置５０の転写用電源５９は特例の作像モードとして特例の転写バイアスＶｔ１を設定し、転写域ＴＲに特例の転写バイアスＶｔ１を印加する。
更に、微粒子塗布量が閾値ＴＨ２以上であれば、転写装置５０の転写用電源５９は特例の作像モードとして特例の転写バイアスＶｔ２を設定し、転写域ＴＲに特例の転写バイアスＶｔ２を印加する。
【0061】
ここで、特例の転写バイアスＶｔ１，Ｖｔ２の設定について補足すると、以下の通りである。
今、中間転写体３０上の微粒子ｐの塗布状態として、微粒子未塗布時の場合（ＣＤ０）、微粒子塗布量ＭＳ１の場合（ＣＤ１）、微粒子塗布量ＭＳ２の場合（ＣＤ２）に関し、転写バイアスＶｔを変化させて画質の良否を調べたところ、図１６（ｂ）に示すような結果が得られた。
同図において、微粒子未塗布時の場合（ＣＤ０）には、転写バイアスＶｔがＶｔ０のときに画質が最も良好で、これよりも高く設定しても、低く設定しても画質は悪化する傾向が見られた。
また、微粒子塗布量ＭＳ１の場合（ＣＤ１）には、転写バイアスＶｔがＶｔ１（＜Ｖｔ０）のときに画質が最も良好で、これよりも高く設定しても、低く設定しても画質は悪化する傾向が見られた。本例では、特例の転写バイアスＶｔ１は、図１６（ａ）（ｂ）に示すように、通常の転写バイアスＶｔ０から低下量ΔＶ１だけ低い値として選定されている。
更に、微粒子塗布量ＭＳ２の場合（ＣＤ２）には、転写バイアスＶｔがＶｔ２（＞Ｖｔ１）のときに画質が最も良好で、これよりも高く設定しても、低く設定しても画質は悪化する傾向が見られた。本例では、特例の転写バイアスＶｔ２は、図１６（ａ）（ｂ）に示すように、通常の転写バイアスＶｔ０から低下量ΔＶ２だけ低い値として選定されている。
今、中間転写体３０上の微粒子ｐの塗布状態として、微粒子未塗布時の場合（ＣＤ０）、微粒子塗布量ＭＳ１の場合（ＣＤ１）、微粒子塗布量ＭＳ２の場合（ＣＤ２）に関し、転写バイアスＶｔを変化させて画質の良否を調べたところ、図１６（ｂ）に示すような結果が得られた。
同図において、微粒子未塗布時の場合（ＣＤ０）には、転写バイアスＶｔがＶｔ０のときに画質が最も良好で、これよりも高く設定しても、低く設定しても画質は悪化する傾向が見られた。
また、微粒子塗布量ＭＳ１の場合（ＣＤ１）には、転写バイアスＶｔがＶｔ１（＜Ｖｔ０）のときに画質が最も良好で、これよりも高く設定しても、低く設定しても画質は悪化する傾向が見られた。本例では、特例の転写バイアスＶｔ１は、図１６（ａ）（ｂ）に示すように、通常の転写バイアスＶｔ０から低下量ΔＶ１だけ低い値として選定されている。
更に、微粒子塗布量ＭＳ２の場合（ＣＤ２）には、転写バイアスＶｔがＶｔ２（＞Ｖｔ１）のときに画質が最も良好で、これよりも高く設定しても、低く設定しても画質は悪化する傾向が見られた。本例では、特例の転写バイアスＶｔ２は、図１６（ａ）（ｂ）に示すように、通常の転写バイアスＶｔ０から低下量ΔＶ２だけ低い値として選定されている。
【0062】
本例では、ＣＤ１，ＣＤ２のいずれの場合も、中間転写体３０上に微粒子塗布層ｐｍを介してトナーＴＮからなる画像Ｇが保持されている。
しかしながら、ＣＤ１は微粒子塗布量ＭＳ１の場合であって、図８（ａ）（ｂ）に示すように、トナー付着力Ｆが最も低くなる極小値付近の微粒子被覆率Ｂｃに相当する。このため、ＣＤ１の場合の特例の転写バイアスＶｔ１は、図１７（ａ）（ｂ）に示すように、通常の転写バイアスＶｔ０よりも低く設定される。これにより、特例の転写バイアスＶｔ１による転写電界Ｅｂ１は通常の転写バイアスＶｔ０による転写電界Ｅａに比べて弱く形成される。
一方、ＣＤ２は微粒子塗布量ＭＳ２の場合であって、図８（ａ）（ｂ）に示すように、微粒子ｐの塗布量が過多になる結果、微粒子ｐとトナーＴＮとの接点が増え、ファンデルワールス力の増加に伴ってトナー付着力Ｆが再び増加するときの微粒子被覆率Ｂｃに相当する。このため、ＣＤ２の場合の特例の転写バイアスＶｔ２は、図１７（ａ）乃至（ｃ）に示すように、通常の転写バイアスＶｔ０よりも低く、特例の転写バイアスＶｔ１よりも高く設定される。これにより、特例の転写バイアスＶｔ２による転写電界Ｅｂ２は、通常の転写バイアスＶｔ０による転写電界Ｅａよりも弱く、特例の転写バイアスＶｔ１による転写電界Ｅｂ１に比べて強く形成される。
しかしながら、ＣＤ１は微粒子塗布量ＭＳ１の場合であって、図８（ａ）（ｂ）に示すように、トナー付着力Ｆが最も低くなる極小値付近の微粒子被覆率Ｂｃに相当する。このため、ＣＤ１の場合の特例の転写バイアスＶｔ１は、図１７（ａ）（ｂ）に示すように、通常の転写バイアスＶｔ０よりも低く設定される。これにより、特例の転写バイアスＶｔ１による転写電界Ｅｂ１は通常の転写バイアスＶｔ０による転写電界Ｅａに比べて弱く形成される。
一方、ＣＤ２は微粒子塗布量ＭＳ２の場合であって、図８（ａ）（ｂ）に示すように、微粒子ｐの塗布量が過多になる結果、微粒子ｐとトナーＴＮとの接点が増え、ファンデルワールス力の増加に伴ってトナー付着力Ｆが再び増加するときの微粒子被覆率Ｂｃに相当する。このため、ＣＤ２の場合の特例の転写バイアスＶｔ２は、図１７（ａ）乃至（ｃ）に示すように、通常の転写バイアスＶｔ０よりも低く、特例の転写バイアスＶｔ１よりも高く設定される。これにより、特例の転写バイアスＶｔ２による転写電界Ｅｂ２は、通常の転写バイアスＶｔ０による転写電界Ｅａよりも弱く、特例の転写バイアスＶｔ１による転写電界Ｅｂ１に比べて強く形成される。
【0063】
このように、本実施の形態によれば、特例の作像モードにおいて、中間転写体３０上の微粒子塗布量が相違したとしても、夫々の微粒子塗布量に適した特例の転写バイアスＶｔ１，Ｖｔ２が設定され、各転写バイアスＶｔ１，Ｖｔ２による転写電界Ｅｂ（Ｅｂ１，Ｅｂ２）によって高画質の画像転写性が確保される。
尚、本実施の形態では、特例の転写バイアスＶｔ１，Ｖｔ２を二段階で段階的に変化させているが、これに限られるものではなく、例えば三段階以上で段階的に変化させてもよいし、図１６（ａ）に示すように、微粒子被覆率と転写バイアスの低下量との変化曲線に則って特例の転写バイアスを連続的に変化させるようにしてもよいことは勿論である。
尚、本実施の形態では、特例の転写バイアスＶｔ１，Ｖｔ２を二段階で段階的に変化させているが、これに限られるものではなく、例えば三段階以上で段階的に変化させてもよいし、図１６（ａ）に示すように、微粒子被覆率と転写バイアスの低下量との変化曲線に則って特例の転写バイアスを連続的に変化させるようにしてもよいことは勿論である。
【0064】
◎実施の形態３
図１８は実施の形態３に係る画像形成システムの要部を示す。
同図において、画像形成システム２０は、実施の形態１，２と異なり、例えばブラックトナーによる単色画像を形成するものである。
同図において、画像形成システム２０は、例えば電子写真方式を採用したものであって、ドラム状の感光体２２３を有しており、この感光体２２３の周囲には、感光体２２３が帯電される帯電装置２２４、帯電された感光体２２３上に静電潜像が書き込まれる光書込装置２２５、感光体２２３上に書き込まれた静電潜像が各色成分トナーにて現像される現像装置２２６、感光体２２３上に形成されたトナー画像が媒体Ｓに転写される転写装置２２７及び感光体２２３上に残留するトナーＴＮが清掃される清掃装置２２８（板状の清掃部材２２８ａを具備）を配設したものである。
図１８は実施の形態３に係る画像形成システムの要部を示す。
同図において、画像形成システム２０は、実施の形態１，２と異なり、例えばブラックトナーによる単色画像を形成するものである。
同図において、画像形成システム２０は、例えば電子写真方式を採用したものであって、ドラム状の感光体２２３を有しており、この感光体２２３の周囲には、感光体２２３が帯電される帯電装置２２４、帯電された感光体２２３上に静電潜像が書き込まれる光書込装置２２５、感光体２２３上に書き込まれた静電潜像が各色成分トナーにて現像される現像装置２２６、感光体２２３上に形成されたトナー画像が媒体Ｓに転写される転写装置２２７及び感光体２２３上に残留するトナーＴＮが清掃される清掃装置２２８（板状の清掃部材２２８ａを具備）を配設したものである。
【0065】
そして、本例では、感光体２２３の周囲のうち、光書込装置２２５と現像装置２２６との間に微粒子塗布装置１００が設けられ、例えば媒体Ｓがエンボス媒体であるような場合には、感光体２２３上に微粒子が塗布されるようになっている。
本例において、制御装置２４０には操作パネル２５０が接続され、この操作パネル２５０には媒体種指示部２５３等が接続されている。そして、制御装置２４０は、通常の作像制御処理に加えて、感光体２２３への微粒子塗布制御処理を実施し、感光体２２３及び感光体２２３周りの各デバイスを適宜制御するようになっている。
尚、符号２２９は転写装置２２７の転写用電源を示す。
本例においては、制御装置２４０は、感光体２２３に対して微粒子の塗布制御を実施し、この微粒子の塗布状態に依存して転写装置２２７の転写バイアス制御処理を実施する。ここでいう転写装置２２７の転写バイアス制御処理については、実施の形態１，２で開示したものと略同様に実施される。
また、本例は、単色画像を形成する画像形成システムであるが、例えば媒体Ｓを搬送する媒体搬送ベルトに対向して各色成分の画像形成部２２（２２ａ～２２ｄ；図２参照）を配列した画像形成システムにおいて、本例の画像形成システム２０を適用することも可能である。
本例において、制御装置２４０には操作パネル２５０が接続され、この操作パネル２５０には媒体種指示部２５３等が接続されている。そして、制御装置２４０は、通常の作像制御処理に加えて、感光体２２３への微粒子塗布制御処理を実施し、感光体２２３及び感光体２２３周りの各デバイスを適宜制御するようになっている。
尚、符号２２９は転写装置２２７の転写用電源を示す。
本例においては、制御装置２４０は、感光体２２３に対して微粒子の塗布制御を実施し、この微粒子の塗布状態に依存して転写装置２２７の転写バイアス制御処理を実施する。ここでいう転写装置２２７の転写バイアス制御処理については、実施の形態１，２で開示したものと略同様に実施される。
また、本例は、単色画像を形成する画像形成システムであるが、例えば媒体Ｓを搬送する媒体搬送ベルトに対向して各色成分の画像形成部２２（２２ａ～２２ｄ；図２参照）を配列した画像形成システムにおいて、本例の画像形成システム２０を適用することも可能である。
【実施例0066】
本実施例は、富士フイルムビジネスイノベーション社 Revoria Press PC1120をベースとした装置を用いた。評価環境は２２℃／５５％、プロセススピードは５２４ｍｍ／ｓである。トナーは、ＹＭＣが比重１．１、粒径４．７μｍ、Ｋが比重１．２、粒径４．７μｍである。単位面積当たりのトナー量ＴＭＡ（Toner Mass per Area）は、ＹＭＣを３．３ｇ／ｍ２、Ｋを３．７ｇ／ｍ２に設定した。一次転写装置３５はφ２８の弾性ロールであり、体積抵抗は７．７ｌｏｇΩ、アスカＣ硬度３０°のものを用いた。一次転写電流は５４μＡに設定した。中間転写体３０としてはポリイミドにカーボンを分散した体積抵抗率が１２．５ｌｏｇΩｃｍの中間転写ベルトを用いた。中間転写体清掃装置３６は、厚さ２ｍｍのウレタンゴムからなる板状の清掃部材としての清掃ブレードをセッティング角度２２°、線圧２．３ｇｆ／ｍｍで中間転写ベルト表面に当接させたものである。
【0067】
転写装置５０は、体積抵抗６．３ｌｏｇΩのφ２８の弾性転写ロール５５に、転写搬送ベルト５３として厚さ４５０μｍ、体積抵抗が９．２ｌｏｇΩのφ４０のゴムベルトを被せ、φ２０の剥離ロールとの間に張架したベルト転写モジュール５１を用い、対向ロール５６は、中間転写体３０を介し、アスカＣ硬度５３°、表面抵抗７．３ｌｏｇΩ／□のφ２８の弾性ロールを用いた。
また、微粒子は粒径１１５ｎｍのＳｉＯ２を用い、塗布ロール１１０はφ２８のアスカＣ硬度１５°のウレタンスポンジロールを用いた。そして、ウレタンスポンジロールに微粒子を保持させたものを、食込み量０．５ｍｍで中間転写体３０に当接させ、中間転写体３０に対して周速比１．５で回転させることにより、中間転写体３０の表面に微粒子を塗布した。中間転写体３０への微粒子の塗布量は、ウレタンスポンジロールの微粒子の保持量で調整した。
また、微粒子は粒径１１５ｎｍのＳｉＯ２を用い、塗布ロール１１０はφ２８のアスカＣ硬度１５°のウレタンスポンジロールを用いた。そして、ウレタンスポンジロールに微粒子を保持させたものを、食込み量０．５ｍｍで中間転写体３０に当接させ、中間転写体３０に対して周速比１．５で回転させることにより、中間転写体３０の表面に微粒子を塗布した。中間転写体３０への微粒子の塗布量は、ウレタンスポンジロールの微粒子の保持量で調整した。
【0068】
本実施例では、実施の形態２で採用した微粒子の塗布制御処理（図１４参照）及び転写装置５０のバイアス制御処理（図１５参照）を実施した。ここで、図１５に示すフローチャートにおいて、第１の閾値ＴＨ１は微粒子被覆率Ｂｃ＝５％、第２の閾値ＴＨ２は微粒子被覆率Ｂｃ＝６０％とした。また、特例の転写バイアスＶｔ１は微粒子塗布量ＭＳ１として微粒子被覆率Ｂｃ＝３０％に最適なものを設定し、特例の転写バイアスＶｔ２は微粒子塗布量ＭＳ２として微粒子被覆率Ｂｃ＝７０％に最適なものを設定した。
この条件において、微粒子未塗布時には通常の転写バイアスＶｔ０を印加して通常の作像モードを実施し、また、微粒子塗布時には特例の転写バイアスＶｔ１又はＶｔ２を印加して特例の作像モードを実施したところ、いずれの場合にも、高画質の画像転写性が確認された。
尚、特例の作像モードにおいて、通常の転写バイアスＶｔ０を印加した場合には、特例の転写バイアスＶｔ１又はＶｔ２を印加した場合に比べて、画質の低下が確認された。
この条件において、微粒子未塗布時には通常の転写バイアスＶｔ０を印加して通常の作像モードを実施し、また、微粒子塗布時には特例の転写バイアスＶｔ１又はＶｔ２を印加して特例の作像モードを実施したところ、いずれの場合にも、高画質の画像転写性が確認された。
尚、特例の作像モードにおいて、通常の転写バイアスＶｔ０を印加した場合には、特例の転写バイアスＶｔ１又はＶｔ２を印加した場合に比べて、画質の低下が確認された。
【0069】
－微粒子の粒径、トナー付着力及び画像転写性の関係－
本実施例の中間転写体３０上に微粒子が塗布されると、微粒子塗布層の表面凹凸は微粒子の粒径に依存して変化する。
ここで、微粒子未塗布の中間転写体３０の表面性を計測したところ、表面粗さＲｚが１．５以下又はマイクログロスが９３以上の中間転写ベルトを使用した。
そして、微粒子塗布層の表面凹凸（微粒子の粒径に相当）［ｎｍ］と、中間転写体３０の表面に対するトナー付着力（以下トナー付着力という）［ｋＰａ］との関係について調べたところ、図１９に示す結果が得られた。ここで、トナー付着力は中間転写体上に微粒子及び帯電されていないトナーを付着させた被写体に空気を噴出し、トナーが飛散を開始したときの圧力を測定する方法を用いて測定した。
本実施例の中間転写体３０上に微粒子が塗布されると、微粒子塗布層の表面凹凸は微粒子の粒径に依存して変化する。
ここで、微粒子未塗布の中間転写体３０の表面性を計測したところ、表面粗さＲｚが１．５以下又はマイクログロスが９３以上の中間転写ベルトを使用した。
そして、微粒子塗布層の表面凹凸（微粒子の粒径に相当）［ｎｍ］と、中間転写体３０の表面に対するトナー付着力（以下トナー付着力という）［ｋＰａ］との関係について調べたところ、図１９に示す結果が得られた。ここで、トナー付着力は中間転写体上に微粒子及び帯電されていないトナーを付着させた被写体に空気を噴出し、トナーが飛散を開始したときの圧力を測定する方法を用いて測定した。
【0070】
更に、図１９に示す結果を踏まえ、トナー付着力［ｋＰａ］と転写性グレードとの関係を調べたところ、図２０に示す結果が得られた。ここで、転写性グレードは、中間転写ベルトにトナー付着力に対応する微粒子塗布層を形成し、微粒子塗布層上に予め決められた画像／非画像チャートを保持させ、これをエンボス媒体としてのエンボス紙（本例ではボス雪を使用）に転写したときの画質を目視で評価したものである。この転写性グレードは数値が小さい程エンボス媒体に対する転写性が良好であることを示す。
【0071】
図２０によれば、トナー付着力が予め決められた閾値Ｌ（本例では１０ｋＰａを選定）以下である場合に、エンボス媒体に対する転写性グレードが良好であることが分かる。
ここで、図１９において、トナー付着力が閾値Ｌ（１０ｋＰａ）以下にある微粒子の粒径範囲を調べたところ、粒径３０乃至１１５ｎｍの範囲が好適であることが理解される。
これにより、微粒子塗布の主効果は、トナーと中間転写体３０表面との間の付着力を低減させ、画像転写性を良好にすることが把握される。
ここで、図１９において、トナー付着力が閾値Ｌ（１０ｋＰａ）以下にある微粒子の粒径範囲を調べたところ、粒径３０乃至１１５ｎｍの範囲が好適であることが理解される。
これにより、微粒子塗布の主効果は、トナーと中間転写体３０表面との間の付着力を低減させ、画像転写性を良好にすることが把握される。
【0072】
（付記）
（（（１）））
回転可能に設けられて帯電した作像材料による画像を保持する像保持手段と、
前記像保持手段に保持された前記画像を転写電界を用いて媒体に転写させる転写手段と、
前記像保持手段に定期的又は不定期的に潤滑性のある微粒子を塗布する微粒子塗布手段と、
前記像保持手段上の前記微粒子の塗布状態に依存して前記転写手段の前記転写電界を制御する転写制御手段と、
を備えたことを特徴とする画像形成システム。
（（（２）））
（（（１）））に記載の画像形成システムにおいて、
前記転写制御手段は、前記微粒子が塗布されている条件と、前記微粒子が塗布されていない条件とで前記転写手段による前記転写電界を異なるように制御することを特徴とする画像形成システム。
（（（３）））
（（（２）））に記載の画像形成システムにおいて、
前記転写制御手段は、前記微粒子が塗布されている条件では、前記微粒子が塗布されていない条件に比べて、前記転写手段による前記転写電界を小さくするように制御することを特徴とする画像形成システム。
（（（４）））
（（（２）））又は（（（３）））に記載の画像形成システムにおいて、
前記転写制御手段は、前記微粒子が塗布されている条件では、前記微粒子の塗布量に依存して前記転写手段による前記転写電界を異なるように制御することを特徴とする画像形成システム。
（（（５）））
（（（４）））に記載の画像形成システムにおいて、
前記転写制御手段は、前記微粒子の塗布量が予め決められた第１の閾値未満である場合に、前記微粒子が塗布されていない条件での前記転写手段による前記転写電界と同じになるように制御することを特徴とする画像形成システム。
（（（６）））
（（（４）））に記載の画像形成システムにおいて、
前記転写制御手段は、前記微粒子の塗布量が予め決められた第２の閾値を超える場合に、前記第２の閾値以下の場合に比べて、前記転写手段による前記転写電界を大きくするように制御することを特徴とする画像形成システム。
（（（７）））
（（（２）））乃至（（（６）））のいずれかに記載の画像形成システムにおいて、
前記転写制御手段は、微粒子が塗布されている条件では、前記微粒子の塗布量として前記微粒子の被覆率を用い、前記微粒子の被覆率と前記像保持手段に対する前記画像の付着力との関係に基づいて前記転写手段による前記転写電界を制御することを特徴とする画像形成システム。
（（（８）））
（（（１）））乃至（（（７）））のいずれかに記載の画像形成システムにおいて、
前記転写制御手段は、前記微粒子の塗布状態が検出可能な検出手段を有し、前記検出手段の検出結果に基づいて前記転写手段による前記転写電界を制御することを特徴とする画像形成システム。
（（（９）））
（（（８）））に記載の画像形成システムにおいて、
前記検出手段は、前記微粒子の塗布層に対向して配置される反射型の光学式センサで構成されていることを特徴とする画像形成システム。
（（（１０）））
（（（１）））乃至（（（９）））のいずれかに記載の画像形成システムにおいて、
前記微粒子塗布手段は、前記媒体の表面に凹凸を有するエンボス媒体を使用する場合に前記像保持手段に前記微粒子を塗布することを特徴とする画像形成システム。
（（（１１）））
（（（１）））乃至（（（９）））のいずれかに記載の画像形成システムにおいて、
前記微粒子塗布手段は、表面粗さＲｚが１．５以下又はマイクログロスが９３以上の像保持手段に対し、粒径が３０乃至１５０ｎｍの範囲にある微粒子を塗布することを特徴とする画像形成システム。
（（（１）））
回転可能に設けられて帯電した作像材料による画像を保持する像保持手段と、
前記像保持手段に保持された前記画像を転写電界を用いて媒体に転写させる転写手段と、
前記像保持手段に定期的又は不定期的に潤滑性のある微粒子を塗布する微粒子塗布手段と、
前記像保持手段上の前記微粒子の塗布状態に依存して前記転写手段の前記転写電界を制御する転写制御手段と、
を備えたことを特徴とする画像形成システム。
（（（２）））
（（（１）））に記載の画像形成システムにおいて、
前記転写制御手段は、前記微粒子が塗布されている条件と、前記微粒子が塗布されていない条件とで前記転写手段による前記転写電界を異なるように制御することを特徴とする画像形成システム。
（（（３）））
（（（２）））に記載の画像形成システムにおいて、
前記転写制御手段は、前記微粒子が塗布されている条件では、前記微粒子が塗布されていない条件に比べて、前記転写手段による前記転写電界を小さくするように制御することを特徴とする画像形成システム。
（（（４）））
（（（２）））又は（（（３）））に記載の画像形成システムにおいて、
前記転写制御手段は、前記微粒子が塗布されている条件では、前記微粒子の塗布量に依存して前記転写手段による前記転写電界を異なるように制御することを特徴とする画像形成システム。
（（（５）））
（（（４）））に記載の画像形成システムにおいて、
前記転写制御手段は、前記微粒子の塗布量が予め決められた第１の閾値未満である場合に、前記微粒子が塗布されていない条件での前記転写手段による前記転写電界と同じになるように制御することを特徴とする画像形成システム。
（（（６）））
（（（４）））に記載の画像形成システムにおいて、
前記転写制御手段は、前記微粒子の塗布量が予め決められた第２の閾値を超える場合に、前記第２の閾値以下の場合に比べて、前記転写手段による前記転写電界を大きくするように制御することを特徴とする画像形成システム。
（（（７）））
（（（２）））乃至（（（６）））のいずれかに記載の画像形成システムにおいて、
前記転写制御手段は、微粒子が塗布されている条件では、前記微粒子の塗布量として前記微粒子の被覆率を用い、前記微粒子の被覆率と前記像保持手段に対する前記画像の付着力との関係に基づいて前記転写手段による前記転写電界を制御することを特徴とする画像形成システム。
（（（８）））
（（（１）））乃至（（（７）））のいずれかに記載の画像形成システムにおいて、
前記転写制御手段は、前記微粒子の塗布状態が検出可能な検出手段を有し、前記検出手段の検出結果に基づいて前記転写手段による前記転写電界を制御することを特徴とする画像形成システム。
（（（９）））
（（（８）））に記載の画像形成システムにおいて、
前記検出手段は、前記微粒子の塗布層に対向して配置される反射型の光学式センサで構成されていることを特徴とする画像形成システム。
（（（１０）））
（（（１）））乃至（（（９）））のいずれかに記載の画像形成システムにおいて、
前記微粒子塗布手段は、前記媒体の表面に凹凸を有するエンボス媒体を使用する場合に前記像保持手段に前記微粒子を塗布することを特徴とする画像形成システム。
（（（１１）））
（（（１）））乃至（（（９）））のいずれかに記載の画像形成システムにおいて、
前記微粒子塗布手段は、表面粗さＲｚが１．５以下又はマイクログロスが９３以上の像保持手段に対し、粒径が３０乃至１５０ｎｍの範囲にある微粒子を塗布することを特徴とする画像形成システム。
【0073】
（（（１）））に係る画像形成システムによれば、像保持手段に微粒子を塗布可能とする態様につき、微粒子の塗布状態に影響されずに、画像の転写効率を安定的に保つことができる。
（（（２）））に係る画像形成システムによれば、像保持手段に対する微粒子の塗布の有無に拘わらず、転写手段にて同じ転写電界を作用させる場合に比べて、転写手段による画像の転写効率を安定的に保つことができる。
（（（３）））に係る画像形成システムによれば、像保持手段に対する微粒子の塗布の有無に拘わらず、転写手段にて同じ転写電界を作用させる場合に比べて、転写手段による画像の転写効率を安定的に保つことができる。
（（（４）））に係る画像形成システムによれば、微粒子が塗布されている条件で、転写手段にて同じ転写電界を作用させる場合に比べて、転写手段による画像の転写効率をより安定的に保つことができる。
（（（５）））に係る画像形成システムによれば、微粒子が塗布されている条件で、微粒子の塗布量が第１の閾値より少ない場合には、微粒子が塗布されていない条件と同様の転写手段による転写電界を使用しても、転写手段による画像の転写効率を安定的に保つことができる。
（（（６）））に係る画像形成システムによれば、微粒子が塗布されている条件で、微粒子の塗布量が第２の閾値を超えて多い場合には、第２の閾値以下で用いられる転写電界よりも大きな転写電界とすることで、転写手段による画像の転写効率を安定的に保つことができる。
（（（７）））に係る画像形成システムによれば、微粒子の塗布量としての微粒子の被覆率と、像保持手段に対する画像の付着力との関係を踏まえ、微粒子の夫々の塗布量に対し転写手段による転写電界を適切に選定することができる。
（（（８）））に係る画像形成システムによれば、微粒子の塗布状態を容易に把握でき、転写手段による転写処理を適切に実現することができる。
（（（９）））に係る画像形成システムによれば、既存の反射型の光学式センサを利用することで、微粒子の塗布状態を簡単に検出することができる。
（（（１０）））に係る画像形成システムによれば、媒体としてエンボス媒体を使用したとしても、微粒子の塗布層を介在させることで、転写手段による画像転写性を良好に保つことができる。
（（（１１）））に係る画像形成システムによれば、像保持手段及び微粒子を適切に選定することで、微粒子の塗布層による転写手段の画像転写性を良好に保つことができる。
（（（２）））に係る画像形成システムによれば、像保持手段に対する微粒子の塗布の有無に拘わらず、転写手段にて同じ転写電界を作用させる場合に比べて、転写手段による画像の転写効率を安定的に保つことができる。
（（（３）））に係る画像形成システムによれば、像保持手段に対する微粒子の塗布の有無に拘わらず、転写手段にて同じ転写電界を作用させる場合に比べて、転写手段による画像の転写効率を安定的に保つことができる。
（（（４）））に係る画像形成システムによれば、微粒子が塗布されている条件で、転写手段にて同じ転写電界を作用させる場合に比べて、転写手段による画像の転写効率をより安定的に保つことができる。
（（（５）））に係る画像形成システムによれば、微粒子が塗布されている条件で、微粒子の塗布量が第１の閾値より少ない場合には、微粒子が塗布されていない条件と同様の転写手段による転写電界を使用しても、転写手段による画像の転写効率を安定的に保つことができる。
（（（６）））に係る画像形成システムによれば、微粒子が塗布されている条件で、微粒子の塗布量が第２の閾値を超えて多い場合には、第２の閾値以下で用いられる転写電界よりも大きな転写電界とすることで、転写手段による画像の転写効率を安定的に保つことができる。
（（（７）））に係る画像形成システムによれば、微粒子の塗布量としての微粒子の被覆率と、像保持手段に対する画像の付着力との関係を踏まえ、微粒子の夫々の塗布量に対し転写手段による転写電界を適切に選定することができる。
（（（８）））に係る画像形成システムによれば、微粒子の塗布状態を容易に把握でき、転写手段による転写処理を適切に実現することができる。
（（（９）））に係る画像形成システムによれば、既存の反射型の光学式センサを利用することで、微粒子の塗布状態を簡単に検出することができる。
（（（１０）））に係る画像形成システムによれば、媒体としてエンボス媒体を使用したとしても、微粒子の塗布層を介在させることで、転写手段による画像転写性を良好に保つことができる。
（（（１１）））に係る画像形成システムによれば、像保持手段及び微粒子を適切に選定することで、微粒子の塗布層による転写手段の画像転写性を良好に保つことができる。
【符号の説明】
【0074】
１…像保持手段，２…転写手段，３…微粒子塗布手段，４…転写制御手段，５…作像手段，６…清掃手段，Ｓ（Ｓａ，Ｓｂ）…媒体，ｅ…凹凸，Ｅ（Ｅａ，Ｅｂ）…転写電界，Ｇ…画像，ＴＲ…転写域，ｐ…微粒子，ｐｍ…微粒子塗布層
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】