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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024175719
(43)【公開日】2024-12-19
(54)【発明の名称】高周波バラン
(51)【国際特許分類】
H01P 5/10 20060101AFI20241212BHJP
【ＦＩ】
H01P5/10 B
【審査請求】未請求
【請求項の数】8
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023093634
(22)【出願日】2023-06-07
(71)【出願人】
【識別番号】000166247
【氏名又は名称】古野電気株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110000970
【氏名又は名称】弁理士法人 楓国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】岩崎 辰彦
(57)【要約】 （修正有）
【課題】低損失な不平衡平衡変換を行いながら、平衡側と不平衡側のインピーダンス比の制限を緩和し、高周波に対応可能な高周波バランを提供する。
【解決手段】高周波バラン１は、第１外導体分断部ＧＡＰ１を備える第１同軸ケーブル１０と、第２外導体分断部ＧＡＰ２を備える第２同軸ケーブル２０と、を備える。第２同軸ケーブル２０において、第３端２０１と第２外導体分断部ＧＡＰ２との間の長さと、第４端２０２と第２外導体分断部ＧＡＰ２との長さは、同じであり、第３端２０１と第２端１０２とが揃えて配置された状態で、第１同軸ケーブル１０に平行に配置される。第１外導体と第２外導体は、導電性接合材７０で電気的に接続され、第２端１０２は開放端であり、第３端２０１および第４端２０２では、第２中心導体が第２外導体に接続される。第１端１０１は不平衡端子であり、第２外導体分断部ＧＡＰ２の両端部は平衡端子である。
【選択図】図１
【解決手段】高周波バラン１は、第１外導体分断部ＧＡＰ１を備える第１同軸ケーブル１０と、第２外導体分断部ＧＡＰ２を備える第２同軸ケーブル２０と、を備える。第２同軸ケーブル２０において、第３端２０１と第２外導体分断部ＧＡＰ２との間の長さと、第４端２０２と第２外導体分断部ＧＡＰ２との長さは、同じであり、第３端２０１と第２端１０２とが揃えて配置された状態で、第１同軸ケーブル１０に平行に配置される。第１外導体と第２外導体は、導電性接合材７０で電気的に接続され、第２端１０２は開放端であり、第３端２０１および第４端２０２では、第２中心導体が第２外導体に接続される。第１端１０１は不平衡端子であり、第２外導体分断部ＧＡＰ２の両端部は平衡端子である。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１中心導体、第１誘電体層、および、第１外導体を備え、第１端と第２端を有する第１同軸ケーブルと、
第２中心導体、第２誘電体層、および、第２外導体を備え、第３端と第４端とを有する第２同軸ケーブルと、
を備え、
前記第１同軸ケーブルは、前記第２端から前記第１端方向へ所定長さの位置において、前記第１外導体を備えない第１外導体分断部を備え、
前記第２同軸ケーブルは、前記第３端から前記第４端方向へ前記所定長さの位置において、前記第２外導体を備えない第２外導体分断部を備え、
前記第２同軸ケーブルにおける前記第３端と前記第２外導体分断部との間の長さと、前記第４端と前記第２外導体分断部との長さは、同じであり、
前記第２同軸ケーブルは、前記第３端と前記第１同軸ケーブルの前記第２端とが揃えて配置された状態で、前記第１同軸ケーブルに平行に配置され、
前記第１外導体、および、前記第２外導体は、導電性接合材で電気的に接続され、
前記第１同軸ケーブルの前記第２端は開放端であり、
前記第２同軸ケーブルの前記第３端および前記第４端では、前記第２中心導体が前記第２外導体に接続され、グランド電位と略同電位であり、
前記第１同軸ケーブルの前記第１端は、不平衡端子であり、
前記第２外導体における前記第２外導体分断部の前記第３端側の端部と、前記第２外導体分断部の前記第４端側の端部とは、平衡端子である、
高周波バラン。
第２中心導体、第２誘電体層、および、第２外導体を備え、第３端と第４端とを有する第２同軸ケーブルと、
を備え、
前記第１同軸ケーブルは、前記第２端から前記第１端方向へ所定長さの位置において、前記第１外導体を備えない第１外導体分断部を備え、
前記第２同軸ケーブルは、前記第３端から前記第４端方向へ前記所定長さの位置において、前記第２外導体を備えない第２外導体分断部を備え、
前記第２同軸ケーブルにおける前記第３端と前記第２外導体分断部との間の長さと、前記第４端と前記第２外導体分断部との長さは、同じであり、
前記第２同軸ケーブルは、前記第３端と前記第１同軸ケーブルの前記第２端とが揃えて配置された状態で、前記第１同軸ケーブルに平行に配置され、
前記第１外導体、および、前記第２外導体は、導電性接合材で電気的に接続され、
前記第１同軸ケーブルの前記第２端は開放端であり、
前記第２同軸ケーブルの前記第３端および前記第４端では、前記第２中心導体が前記第２外導体に接続され、グランド電位と略同電位であり、
前記第１同軸ケーブルの前記第１端は、不平衡端子であり、
前記第２外導体における前記第２外導体分断部の前記第３端側の端部と、前記第２外導体分断部の前記第４端側の端部とは、平衡端子である、
高周波バラン。
【請求項2】
請求項１に記載の高周波バランであって、
前記第１誘電体層の誘電率と前記第２誘電体層の誘電率は、同じである、
高周波バラン。
前記第１誘電体層の誘電率と前記第２誘電体層の誘電率は、同じである、
高周波バラン。
【請求項3】
請求項１に記載の高周波バランであって、
前記第２同軸ケーブルの第２特性インピーダンスと前記第１同軸ケーブルの第１特性インピーダンスとは、同じである、
高周波バラン。
前記第２同軸ケーブルの第２特性インピーダンスと前記第１同軸ケーブルの第１特性インピーダンスとは、同じである、
高周波バラン。
【請求項4】
請求項１に記載の高周波バランであって、
前記第２同軸ケーブルの第２特性インピーダンスは、前記第１同軸ケーブルの第１特性インピーダンスよりも高い、
高周波バラン。
前記第２同軸ケーブルの第２特性インピーダンスは、前記第１同軸ケーブルの第１特性インピーダンスよりも高い、
高周波バラン。
【請求項5】
請求項１に記載の高周波バランであって、
前記第２端の位置と前記第３端の位置とのずれ量は、前記所定長さの１０％以下である、
高周波バラン。
前記第２端の位置と前記第３端の位置とのずれ量は、前記所定長さの１０％以下である、
高周波バラン。
【請求項6】
請求項１に記載の高周波バランであって、
前記所定長さは、前記第１同軸ケーブルおよび前記第２同軸ケーブルを伝送する高周波信号の波長の約０．３６７倍である、
高周波バラン。
前記所定長さは、前記第１同軸ケーブルおよび前記第２同軸ケーブルを伝送する高周波信号の波長の約０．３６７倍である、
高周波バラン。
【請求項7】
請求項１に記載の高周波バランであって、
前記第１同軸ケーブル、および、前記第２同軸ケーブルからなる構造体は、環状であり、
前記第４端は、前記第２端および前記第３端に近接して電気的に接続されている、
高周波バラン。
前記第１同軸ケーブル、および、前記第２同軸ケーブルからなる構造体は、環状であり、
前記第４端は、前記第２端および前記第３端に近接して電気的に接続されている、
高周波バラン。
【請求項8】
請求項１に記載の高周波バランであって、
グランド用導電体を備え、
前記第２端および前記第３端と前記第４端とは、前記グランド用導電体を通じて電気的に接続されている、
高周波バラン。
グランド用導電体を備え、
前記第２端および前記第３端と前記第４端とは、前記グランド用導電体を通じて電気的に接続されている、
高周波バラン。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、高周波信号の不平衡平衡変換を行う高周波バランに関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１には、バランおよびアンテナ給電回路が記載されている。特許文献１に示すように、平衡型のアンテナを用い、不平衡型の回路から信号を給電する場合、バランを備える。
【0003】
このようなバランとしては、従来、フェライトと巻線を用いたバラン、同軸ケーブルを用いてＱマッチングを行うバランがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】国際公開第２０１９／１５５６２４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
しかしながら、上述の従来のバランでは、低損失な不平衡平衡変換を行う際に、平衡側のインピーダンスと不平衡側のインピーダンスとの比に厳しい制限があり、さらには超短波以上の高周波には不向きである。
【0006】
したがって、本発明の目的は、低損失な不平衡平衡変換を行いながら、平衡側のインピーダンスと不平衡側のインピーダンスの比の制限を緩和でき、かつ、高周波に対応可能な高周波バランを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0007】
この発明の高周波バランは、第１中心導体、第１誘電体層、および、第１外導体を備え、第１端と第２端を有する第１同軸ケーブルと、第２中心導体、第２誘電体層、および、第２外導体を備え、第３端と第４端とを有する第２同軸ケーブルと、を備える。
【0008】
第１同軸ケーブルは、第２端から第１端方向へ所定長さの位置において、第１外導体を備えない第１外導体分断部を備える。第２同軸ケーブルは、第３端から第４端方向へ所定長さの位置において、第２外導体を備えない第２外導体分断部を備える。第２同軸ケーブルにおける第３端と前記第２外導体分断部との間の長さと、第４端と第２外導体分断部との長さは、同じである。
【0009】
第２同軸ケーブルは、第３端と第１同軸ケーブルの第２端とが揃えて配置された状態で、第１同軸ケーブルに平行に配置される。第１外導体、および、第２外導体は、導電性接合材で電気的に接続される。第１同軸ケーブルの第２端は開放端である。第２同軸ケーブルの第３端および第４端では、第２中心導体が第２外導体に接続され、グランド電位と略同電位である。
【0010】
第１同軸ケーブルの第１端は、不平衡端子である。第２外導体における第２外導体分断部の第３端側の端部と、第２外導体分断部の第４端側の端部とは、平衡端子である。
【0011】
この構成では、所定長さを適宜設定することによって、第１周波数帯域において平衡側のインピーダンスと不平衡側のインピーダンスとの比が２：１のバラン（２：１バラン）を、低損失な特性で実現できる。また、第１周波数帯域よりも低い第２周波数帯域において平衡側のインピーダンスと不平衡側のインピーダンスとの比が１：１のバラン（１：１バラン）を、低損失で広帯域な特性で実現できる。例として第１同軸ケーブルと第２同軸ケーブルを共に特性インピーダンス５０Ω、短縮率７０％の同軸ケーブルを用いて、前記所定長さを８０ｍｍとした形状にて、２：１バランであれば、第１周波数帯域の中心周波数は、約９５５．４ＭＨｚに設定でき、１：１バランであれば、第２周波数帯域の中心周波数は、約５７０．４ＭＨｚに設定できる。
【0012】
これにより、高周波バランは、低損失な不平衡平衡変換を行いながら、平衡側のインピーダンスと不平衡側のインピーダンスの比の制限を緩和でき、かつ、高周波に対応可能である。
【0013】
この発明の高周波バランでは、第１誘電体層の誘電率と第２誘電体層の誘電率は、同じである。この構成では、第１同軸ケーブルの波長短縮率と第２同軸ケーブルの波長短縮率とが同じであり、より簡素な構成で、より高精度に上述の特性を実現できる。
【0014】
この発明の高周波バランでは、第２同軸ケーブルの第２特性インピーダンスと第１同軸ケーブルの第１特性インピーダンスとは、同じである。この構成では、上述の２：１バランおよび１：１バランをより確実に実現できる。
【0015】
この発明の高周波バランでは、第２同軸ケーブルの第２特性インピーダンスは、第１同軸ケーブルの第１特性インピーダンスよりも高い。この構成では、より多様なインピーダンス比のバランを構成できる。
【0016】
この発明の高周波バランでは、第２端の位置と第３端の位置とのずれ量は、所定長さの１０％以下である。この構成では、上述の特性を実現しながら、製造時の位置ずれ誤差を許容でき、より製造し易い。
【0017】
この発明の高周波バランでは、所定長さは、第１同軸ケーブルおよび第２同軸ケーブルを伝送する高周波信号の波長の略０．３６７倍である。この発明の平衡側インピーダンスが第２同軸ケーブルの特性インピーダンスの２倍を要求する際には、第１同軸ケーブルと第２同軸ケーブルのインピーダンスが同じ場合と異なる場合とでは所定長さは若干変動する。例として第１同軸ケーブルの特性インピーダンスを５０Ωとし、第２同軸ケーブルの特性インピーダンスを７５Ωとして平衡側インピーダンスに１５０Ωを要求する場合には、所定長さは伝送する高周波信号の中心周波数の波長の約０．３８１倍となる。
【0018】
この発明の高周波バランでは、第１同軸ケーブル、および、第２同軸ケーブルからなる構造体は、環状である。第４端は、第２端および第３端に近接して電気的に接続されている。この構成では、第４端のグランド電位と第２端および第３端のグランド電位との差が小さくなる。これにより、さらに優れた伝送特性を実現できる。
【0019】
この発明の高周波バランは、グランド用導電体を備える。第２端および第３端と第４端とは、グランド用導電体を通じて電気的に接続されている。この構成では、この構成では、グランド用導電体によって第２端および第３端と第４端との高周波的な接続距離が短くなり、第４端のグランド電位と第２端および第３端のグランド電位との差が小さくなる。これにより、優れた伝送特性を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【0020】
【発明を実施するための形態】
【0021】
［第１の実施形態］
本発明の第１の実施形態に係る高周波バランについて、図を参照して説明する。図１（Ａ）は、第１の実施形態に係る高周波バランの第１側面図であり、図１（Ｂ）は、第１の実施形態に係る高周波バランの第２側面図であり、図１（Ｃ）は、第１の実施形態に係る高周波バランの上面図である。なお、ここでの第１側面図、第２側面、上面図の名称は、使用時の方向を規定する名称ではなく、高周波バランの構成を説明するために便宜的に付けた名称である。すなわち、例えば、上面図で見える面を上側として使用しなければならないものではない。図２は、第１の実施形態に係る高周波バランの外観斜視図である。図３（Ａ）は、第１の実施形態に係る高周波バランを形作るための直線状の構造体を示す側面図であり、図３（Ｂ）は、その側面断面図である。
本発明の第１の実施形態に係る高周波バランについて、図を参照して説明する。図１（Ａ）は、第１の実施形態に係る高周波バランの第１側面図であり、図１（Ｂ）は、第１の実施形態に係る高周波バランの第２側面図であり、図１（Ｃ）は、第１の実施形態に係る高周波バランの上面図である。なお、ここでの第１側面図、第２側面、上面図の名称は、使用時の方向を規定する名称ではなく、高周波バランの構成を説明するために便宜的に付けた名称である。すなわち、例えば、上面図で見える面を上側として使用しなければならないものではない。図２は、第１の実施形態に係る高周波バランの外観斜視図である。図３（Ａ）は、第１の実施形態に係る高周波バランを形作るための直線状の構造体を示す側面図であり、図３（Ｂ）は、その側面断面図である。
【0022】
【0023】
（第１同軸ケーブル１０）
第１同軸ケーブル１０は、第１中心導体１１、第１誘電体層１２、および、第１外導体１３を備える。第１中心導体１１は、例えば銅等の金属からなり、線状導体である。第１誘電体層１２は、所定の誘電率を有する。第１誘電体層１２は、第１中心導体１１の周部を所定厚みで覆う。第１外導体１３は、例えば銅等の金属であり、所定厚みの筒状である。第１外導体１３は、第１誘電体層１２の外周面を覆う。
第１同軸ケーブル１０は、第１中心導体１１、第１誘電体層１２、および、第１外導体１３を備える。第１中心導体１１は、例えば銅等の金属からなり、線状導体である。第１誘電体層１２は、所定の誘電率を有する。第１誘電体層１２は、第１中心導体１１の周部を所定厚みで覆う。第１外導体１３は、例えば銅等の金属であり、所定厚みの筒状である。第１外導体１３は、第１誘電体層１２の外周面を覆う。
【0024】
第１誘電体層１２の誘電率（比誘電率）は、第１誘電率εｒ１である。第１同軸ケーブル１０の特性インピーダンスは、第１特性インピーダンスＺ１０に設定されている。例えば、第１特性インピーダンスＺ１０は、５０Ωに設定されている。
【0025】
第１同軸ケーブル１０は、延びる方向の一方端に第１端１０１を有し、他方端に第２端１０２を有する。第１同軸ケーブル１０の第１端１０１は、同軸コネクタ８０に接続される。第１中心導体１１と第１外導体１３とは離間しており、第１同軸ケーブル１０の第２端１０２は、高周波的な開放端である。
【0026】
第１同軸ケーブル１０は、第２端１０２から第１端１０１の方向へ所定長さＬＡの位置において、第１外導体分断部ＧＡＰ１を備える。第１外導体分断部ＧＡＰ１は、第１外導体１３が全周にわたって形成されていない部分であり、第１誘電体層１２が露出している。
【0027】
これにより、第１同軸ケーブル１０は、第１外導体分断部ＧＡＰ１よりも第１端１０１側の第１部分ＳＥＣ１１と、第１外導体分断部ＧＡＰ１よりも第２端１０２側の第２部分ＳＥＣ１２とを備える。第１部分ＳＥＣ１１と第２部分ＳＥＣ１２とは、第１外導体分断部ＧＡＰ１によって接続されている。
【0028】
第１外導体分断部ＧＡＰ１の第１部分ＳＥＣ１１側の端部（第１部分ＳＥＣ１１との接続端部）は、第１外導体分断部ＧＡＰ１の一方端１０３である。第１外導体分断部ＧＡＰ１の第２部分ＳＥＣ１２側の端部（第２部分ＳＥＣ１２との接続端部）は、第１外導体分断部ＧＡＰ１の他方端１０４である。
【0029】
第２部分ＳＥＣ１２の長さは、所定長さＬＡである。言い換えれば、第１外導体分断部ＧＡＰ１の他方端１０４は、第２端１０２から所定長さＬＡの位置にある。長さＬＡは、高周波バラン１で伝送する高周波信号の波長λに基づいて設定される。具体的には、長さＬＡは、例えば、（２：１バランとして用いる場合）波長λの約０．３６７倍である。
【0030】
第１外導体分断部ＧＡＰ１の長さ（一方端１０３と他方端１０４との距離）は、できる限り短いことが好ましく、少なくとも、後述する第１平衡端子３１と第２平衡端子３２とが接触しない距離である。
【0031】
第１部分ＳＥＣ１１の長さＬＤは、第２部分ＳＥＣ１２の長さＬＡよりも長ければよく、高周波バラン１の配置態様、他の回路素子（平衡アンテナや高周波フロントエンド回路等）への接続態様等に基づいて適宜設定できる。
【0032】
（第２同軸ケーブル２０）
第２同軸ケーブル２０は、第２中心導体２１、第２誘電体層２２、および、第２外導体２３を備える。第２中心導体２１は、例えば銅等の金属からなり、線状導体である。第２誘電体層２２は、所定の誘電率を有する。第２誘電体層２２は、第２中心導体２１の周部を所定厚みで覆う。第２外導体２３は、例えば銅等の金属であり、所定厚みの筒状である。第２外導体２３は、第２誘電体層２２の外周面を覆う。
第２同軸ケーブル２０は、第２中心導体２１、第２誘電体層２２、および、第２外導体２３を備える。第２中心導体２１は、例えば銅等の金属からなり、線状導体である。第２誘電体層２２は、所定の誘電率を有する。第２誘電体層２２は、第２中心導体２１の周部を所定厚みで覆う。第２外導体２３は、例えば銅等の金属であり、所定厚みの筒状である。第２外導体２３は、第２誘電体層２２の外周面を覆う。
【0033】
第２誘電体層２２の誘電率（比誘電率）は、第２誘電率εｒ２である。第２誘電率εｒ２は、第１誘電率εｒ１と同じである。これにより、第２同軸ケーブル２０の線路内の波長短縮率は、第１同軸ケーブル１０の線路内の波長短縮率と同じである。第２同軸ケーブル２０の特性インピーダンスは、第２特性インピーダンスＺ２０に設定されている。第２特性インピーダンスＺ２０は、第１特性インピーダンスＺ１０と同じである。例えば、第２同軸ケーブル２０の第２特性インピーダンスＺ２０は、第１特性インピーダンスＺ１０と同様に、５０Ωに設定されている。
【0034】
第２同軸ケーブル２０は、延びる方向の一方端に第３端２０１を有し、他方端に第４端２０２を有する。第２同軸ケーブル２０の第３端２０１および第４端２０２では、第２中心導体２１と第２外導体２３とが接続されており、第２同軸ケーブル２０の第３端２０１および第４端２０２は、高周波的に短絡端である。
【0035】
第２同軸ケーブル２０は、第３端２０１から第４端２０２の方向へ所定長さＬＢの位置において、第２外導体分断部ＧＡＰ２を備える。第２外導体分断部ＧＡＰ２は、第２外導体２３が全周にわたって形成されていない部分であり、第２誘電体層２２が露出している。
【0036】
これにより、第２同軸ケーブル２０は、第２外導体分断部ＧＡＰ２よりも第３端２０１側の第３部分ＳＥＣ２１と、第２外導体分断部ＧＡＰ２よりも第４端２０２側の第４部分ＳＥＣ２２とを備える。第３部分ＳＥＣ２１と第４部分ＳＥＣ２２とは、第２外導体分断部ＧＡＰ２によって接続されている。
【0037】
第２外導体分断部ＧＡＰ２の第３部分ＳＥＣ２１側の端部（第３部分ＳＥＣ２１との接続端部）は、第２外導体分断部ＧＡＰ２の一方端２０３である。第２外導体分断部ＧＡＰ２の第４部分ＳＥＣ２２側の端部（第４部分ＳＥＣ２２との接続端部）は、第２外導体分断部ＧＡＰ２の他方端２０４である。
【0038】
第３部分ＳＥＣ２１の長さは、所定長さＬＢである。言い換えれば、第２外導体分断部ＧＡＰ２の一方端２０３は、第３端２０１から所定長さＬＢの位置にある。第４部分ＳＥＣ２２の長さは、所定長さＬＣである。言い換えれば、第２外導体分断部ＧＡＰ２の他方端２０４は、第４端２０２から所定長さＬＣの位置にある。長さＬＢおよび長さＬＣは、長さＬＡと同じである。
【0039】
（第１同軸ケーブル１０と第２同軸ケーブル２０の固定構造、および、平衡端子の接続構造）
まずは、固定構造を分かり易くするため、図３に示す直線状の構造体１Ｓを参照して説明する。
まずは、固定構造を分かり易くするため、図３に示す直線状の構造体１Ｓを参照して説明する。
【0040】
第２同軸ケーブル２０は、第１同軸ケーブル１０に平行に配置される。第２同軸ケーブル２０は、第３端２０１が第１同軸ケーブル１０の第２端１０２と揃う位置、より具体的には、第３端２０１と第２端１０２とが面一となる位置に配置される。
【0041】
なお、ここでの面一とは、高周波バラン１としての特性に影響を与えない程度の取り付け誤差を含むものであり、この取り付け位置のずれ量は、所定長さＬＡの約１０％以下であればよい。
【0042】
第２同軸ケーブル２０は、第４端２０２が第３端２０１よりも第１同軸ケーブル１０の第１端１０１側になるように、第１同軸ケーブル１０に沿って配置される。
【0043】
これにより、第２同軸ケーブル２０の第２外導体分断部ＧＡＰ２は、第１同軸ケーブル１０の第１外導体分断部ＧＡＰ１と並走する。第２外導体分断部ＧＡＰ２の一方端２０３と第１外導体分断部ＧＡＰ１の他方端１０４とは、略同じ位置になる。第２外導体分断部ＧＡＰ２の他方端２０４と第１外導体分断部ＧＡＰ１の一方端１０３とは、略同じ位置になる。
【0044】
このような構成において、第２同軸ケーブル２０の第２外導体２３は、第１同軸ケーブル１０の第１外導体１３に対して、はんだ等の導電性接合材７０を用いて固定され、電気的に接続される。
【0045】
より具体的には、第２外導体２３と第１外導体１３とは、少なくとも次の箇所で導電性接合材７０を用いて固定され、電気的に接続される。
【0046】
第２同軸ケーブル２０における第３端２０１の位置およびその近傍領域の第２外導体２３は、第１同軸ケーブル１０における第２端１０２の位置およびその近傍領域の第１外導体１３に導電性接合材７０を用いて固定され、電気的に接続される。
【0047】
第２同軸ケーブル２０における第４端２０２の位置およびその近傍領域の第２外導体２３は、これに近接する第１外導体１３に導電性接合材７０を用いて固定され、電気的に接続される。
【0048】
第２同軸ケーブル２０における第２外導体分断部ＧＡＰ２の一方端２０３の位置およびその近傍領域の第２外導体２３は、第１同軸ケーブル１０における第１外導体分断部ＧＡＰ１の他方端１０４の位置およびその近傍領域の第１外導体１３に導電性接合材７１を用いて固定され、電気的に接続される。
【0049】
第２同軸ケーブル２０における第２外導体分断部ＧＡＰ２の他方端２０４の位置およびその近傍領域の第２外導体２３は、第１同軸ケーブル１０における第１外導体分断部ＧＡＰ１の一方端１０３の位置およびその近傍領域の第１外導体１３に導電性接合材７２を用いて固定され、電気的に接続される。
【0050】
【0051】
この際、第１同軸ケーブル１０の第２端１０２、第２同軸ケーブル２０の第３端２０１、および、第２同軸ケーブル２０の第４端２０２は、互いに近接する位置に配置される。そして、第２端１０２、第３端２０１、および、第４端２０２が近接する位置を含む第１外導体１３、および、第２外導体２３は、導電性接合材７０を用いて固定され、電気的に接続される。
【0052】
（高周波バラン１の特性）
このような構成において、第１外導体１３、および、第２外導体２３は、グランド電位に接続される。
このような構成において、第１外導体１３、および、第２外導体２３は、グランド電位に接続される。
【0053】
同軸コネクタ８０を通じて入力された不平衡信号である高周波信号は、第１同軸ケーブル１０を伝送する。上述の構成によって、第２同軸ケーブル２０の第３部分ＳＥＣ２１と第２部分ＳＥＣ１２２は、それぞれに第１同軸ケーブル１０に電磁気的（高周波的）に結合している。
【0054】
これにより、第１同軸ケーブル１０を伝送する高周波信号の発生する電磁界に結合して、第２同軸ケーブル２０の第３部分ＳＥＣ２１と第２部分ＳＥＣ１２２に所定の位相差の高周波信号が伝送する。第２同軸ケーブル２０の第３部分ＳＥＣ２１と第２部分ＳＥＣ１２２に伝送する高周波信号は、所定の位相差を有し、第２外導体分断部ＧＡＰ２の一方端２０３に接続された第１平衡端子３１と第２外導体分断部ＧＡＰ２の他方端２０４に接続された第２平衡端子３２から外部に取り出し可能である。すなわち、第２同軸ケーブル２０を伝送する平衡信号の高周波信号は、第２外導体分断部ＧＡＰ２の両端の第２外導体２３から出力される。
【0055】
このように、同軸コネクタ８０が接続する第１同軸ケーブル１０の第１端１０１が、高周波バラン１の不平衡端子となる。また、第２同軸ケーブル２０の第２外導体分断部ＧＡＰ２の両端の第２外導体２３が、高周波バラン１の平衡端子となる。これにより、高周波バラン１は、不平衡平衡変換機能を実現できる。
【0056】
さらに、この構成によって、高周波バラン１は、平衡端子のインピーダンスを、不平衡端子のインピーダンス（第１同軸ケーブル１０の第１特性インピーダンスＺ１０と同じ）の２倍にできる。これにより、高周波バラン１は、平衡端子のインピーダンスと不平衡端子のインピーダンスとの比を２：１に設定できる。すなわち、高周波バラン１は、２：１バランを実現する。
【0057】
図４（Ａ）、図４（Ｂ）は、第１の実施形態に係る高周波バランの反射特性を示すグラフである。図４（Ａ）は、縦軸がｄＢで示されており、図４（Ｂ）は、縦軸がＶＳＷＲで示されている。図４（Ａ）、図４（Ｂ）における周波数ｆｔは、高周波バラン１で伝送する高周波信号の中心周波数である。この周波数ｆｔの波長が、上述の長さＬＡを決定する波長である。
【0058】
図４（Ａ）の実線は、第１平衡端子３１および第２平衡端子３２の端子対に１００Ωの終端抵抗を接続した特性であり、図４（Ｂ）の破線は、第１平衡端子３１および第２平衡端子３２の端子対に５０Ωの終端抵抗を接続した特性である。図４（Ａ）、図４（Ｂ）は、第１同軸ケーブル１０の第１特性インピーダンスＺ１０および第２同軸ケーブル２０の第２特性インピーダンスＺ２０が５０Ωの場合を示す。
【0059】
図４（Ａ）に示すように、周波数ｆｔにおいて、反射損失は大幅に低減する。また、周波数ｆｔ（例えば、この場合、９５５．４ＭＨｚ）において、１００Ωの終端抵抗を接続した場合のＶＳＷＲは、１．０になり、５０Ωの終端抵抗を接続した場合のＶＳＷＲは、２．０になる。
【0060】
このように、高周波バラン１は、平衡側と不平衡側のインピーダンス比を２：１として、周波数ｆｔで低損失に不平衡平衡変換を実現できる。
【0061】
この際、純抵抗接続時にＶＳＷＲが２．０以下を許容すれば、高周波バラン１は３００ＭＨｚから１０３０．４ＭＨｚの広帯域にて使用可能である。また、高周波バラン１では、中心周波数の９５５．４ＭＨｚ以外に２：１バランとして３００ＭＨｚから５７０ＭＨｚ間で、ＶＳＷＲが低下している。したがって、この程度のＶＳＷＲが許容されるなら、周波数ｆｔをさらに高くでき、高周波バラン１を小型化できる。
【0062】
高周波バラン１は、さらに次の特性を有する。図５（Ａ）、図５（Ｂ）、図５（Ｃ）は、第１の実施形態に係る高周波バランの伝送特性を示すグラフである。図５（Ａ）は、反射特性であり、縦軸がｄＢで示されており、図５（Ｂ）は、反射特性であり、縦軸がＶＳＷＲで示されおり、図５（Ｃ）は、通過特性であり、縦軸がｄＢで示されている。図５（Ａ）の実線は、第１平衡端子３１および第２平衡端子３２の端子対に５０Ωの終端抵抗を接続した反射特性であり、図５（Ｂ）の破線は、第１平衡端子３１および第２平衡端子３２の端子対に１００Ωの終端抵抗を接続した反射特性である。図５（Ｃ）は、平衡側のインピーダンスが５０Ωの場合の通過特性である。
【0063】
図５（Ａ）、図５（Ｂ）、図５（Ｃ）に示すように、平衡側のインピーダンスを５０Ωとすると、上述の周波数ｆｔよりも低周波数の領域において、低損失な通過特性を実現できる。例えば、図５（Ａ）、図５（Ｂ）、図５（Ｃ）の場合、純抵抗接続時にＶＳＷＲが２．０以下を許容すれば、高周波バラン１は、１：１バランとして３３８．４ＭＨｚから９５５．４ＭＨｚの広い周波数帯域で使用可能である。また、純抵抗接続時にＶＳＷＲが１．５以下を許容すれば、高周波バラン１は、1：１バランとして３９６．４ＭＨｚから８６２．４ＭＨｚの広い周波数帯域で使用可能である。
【0064】
また、高周波バラン１の周波数ｆｔと、高周波バラン１の物理的なサイズ（大きさ）とは、反比例する関係にある。したがって、高周波バラン１のサイズを適切に変更することで、所望の周波数ｆｔを含む周波数帯域において、同様の特性を得られる。例えば、中心周波数（周波数ｆｔ）を５７０．４ＭＨｚとして広い周波数帯域の１：１バランを構成するためには、長さＬＡ、ＬＢ、ＬＣは、第１同軸ケーブル１０および第２同軸ケーブル２０の線路内波長の略０．２１７３倍にすればよい。また、ＶＳＷＲが１．５以下の中心周波数を６２９．４ＭＨｚとして広い周波数帯域の１：１バランを構成するためには、長さＬＡ、ＬＢ、ＬＣは、第１同軸ケーブル１０および第２同軸ケーブル２０の線路内波長の略０．２３９８倍にすればよい。
【0065】
なお、高周波バラン１が形作る環状は、真円に近いことが好ましいが、ある程度扁平した円であってもよい。例えば、高周波バラン１は、円形（楕円形）の縦横比が１：２から２：１（縦の直径が横の直径の１／２倍以上２倍以下）であれば、真円（１：１）と同様の特性を得られる。
【0066】
［第２の実施形態］
本発明の第２の実施形態に係る高周波バランについて、図を参照して説明する。図６は、第２の実施形態に係る高周波バランの外観斜視図である。
本発明の第２の実施形態に係る高周波バランについて、図を参照して説明する。図６は、第２の実施形態に係る高周波バランの外観斜視図である。
【0067】
図６に示すように、第２の実施形態に係る高周波バラン１Ａは、第１の実施形態に係る高周波バラン１に対して、グランド用導電体９０を備える点、全体の形状において異なる。高周波バラン１Ａの他の構成は、高周波バラン１と同様であり、同様の箇所の説明は省略する。
【0068】
高周波バラン１Ａは、グランド用導電体９０を備える。グランド用導電体９０は、例えば金属の平板である。
【0069】
第１同軸ケーブル１０、および、第２同軸ケーブル２０からなる構造体は、環状を形成しておらず、延びる方向の途中位置で屈曲する形状である。
【0070】
第１同軸ケーブル１０の第１外導体１３における第２端１０２の部分およびその近傍部分、第２同軸ケーブル２０の第２外導体２３における第３端２０１の部分およびその近傍部分、第２同軸ケーブル２０の第２外導体２３における第４端２０２の部分およびその近傍部分は、導電性接合材７０によってグランド用導電体９０に固定され、電気的に接続される。第１同軸ケーブル１０の第１外導体１３における第４端２０２に近接する部分も、導電性接合材７０によってグランド用導電体９０に固定され、電気的に接続される。
【0071】
第１外導体分断部ＧＡＰ１の一方端１０３および他方端１０４の第１外導体１３、および、第２外導体分断部ＧＡＰ２の一方端２０３および他方端２０４の第２外導体２３は、グランド用導電体９０に対して所定距離（グランド用導電体９０に対して電磁界的に略結合しない程度の距離）で離間している。
【0072】
この構成により、第１外導体１３の第２端１０２、第２外導体２３の第３端２０１、および、第２外導体２３の第４端２０２は、高周波バラン１Ａで伝送する高周波信号の周波数において、グランド用導電体９０を通じて同電位とみなせる。
【0073】
これにより、高周波バラン１Ａは、高周波バラン１と同様の作用効果を奏する。
【0074】
［第３の実施形態］
本発明の第３の実施形態に係る高周波バランについて、図を参照して説明する。図７は、第３の実施形態に係る高周波バランの外観斜視図である。
本発明の第３の実施形態に係る高周波バランについて、図を参照して説明する。図７は、第３の実施形態に係る高周波バランの外観斜視図である。
【0075】
図７に示すように、第３の実施形態に係る高周波バラン１Ｂは、第１の実施形態に係る高周波バラン１に対して、第２端１０２および第３端２０１の固定態様（接続態様）において異なる。高周波バラン１Ｂの他の構成は、高周波バラン１と同様であり、同様の箇所の説明は省略する。
【0076】
高周波バラン１Ｂでは、第２端１０２および第３端２０１が第１端１０１側を向くように配置され、導電性接合材７０に固定されて、電気的に接続される。このような固定態様（接続態様）であっても、高周波バラン１Ｂは、高周波バラン１と同様の作用効果を奏する。
【0077】
［第４の実施形態］
本発明の第４の実施形態に係る高周波バランについて、図を参照して説明する。図８は、第４の実施形態に係る高周波バランの外観斜視図である。
本発明の第４の実施形態に係る高周波バランについて、図を参照して説明する。図８は、第４の実施形態に係る高周波バランの外観斜視図である。
【0078】
図８に示すように、第４の実施形態に係る高周波バラン１Ｃは、第１の実施形態に係る高周波バラン１に対して、第２端１０２および第３端２０１の固定態様（接続態様）において異なる。高周波バラン１Ｃの他の構成は、高周波バラン１と同様であり、同様の箇所の説明は省略する。
【0079】
高周波バラン１Ｃでは、第２端１０２および第３端２０１が第１外導体１３の表面に対向するように配置され、導電性接合材７０に固定されて、電気的に接続される。このような固定態様（接続態様）であっても、高周波バラン１Ｃは、高周波バラン１と同様の作用効果を奏する。
【0080】
［第５の実施形態］
本発明の第５の実施形態に係る高周波バランについて、図を参照して説明する。図９は、第５の実施形態に係る高周波バランの外観斜視図である。
本発明の第５の実施形態に係る高周波バランについて、図を参照して説明する。図９は、第５の実施形態に係る高周波バランの外観斜視図である。
【0081】
図９に示すように、第５の実施形態に係る高周波バラン１Ｄは、第１の実施形態に係る高周波バラン１に対して、第２同軸ケーブル２０Ｄを備える点で異なる。高周波バラン１Ｄの他の構成は、高周波バラン１と同様であり、同様の箇所の説明は省略する。
【0082】
第２同軸ケーブル２０Ｄは、第２特性インピーダンスＺ２０Ｄを備える。第２特性インピーダンスＺ２０Ｄは、第１同軸ケーブル１０の第１特性インピーダンスＺ１０と異なる。具体的には、第２特性インピーダンスＺ２０Ｄは、第１特性インピーダンスＺ１０とは異なり、一例として、第１特性インピーダンスＺ１０が５０Ωであるのに対して、第２特性インピーダンスＺ２０Ｄは７５Ωである。なお、第２同軸ケーブル２０Ｄの第２誘電体層２２の誘電率（比誘電率）は、第１同軸ケーブル１０の第１誘電体層１２の誘電率（比誘電率）と同じであることが好ましい。
【0083】
この構成では、高周波バラン１Ｄの平衡側のインピーダンスは、１５０Ω（＝７５Ω×２）となる。また、前述の所定長さは伝送する高周波信号の中心周波数の波長の約０．３９２倍となる。
【0084】
図１０（Ａ）、図１０（Ｂ）は、第５の実施形態に係る高周波バランの反射特性を示すグラフである。図１０（Ａ）は、縦軸がｄＢで示されており、図１０（Ｂ）は、縦軸がＶＳＷＲで示されている。図１０（Ａ）の実線は、第１平衡端子３１および第２平衡端子３２の端子対に７５Ωの終端抵抗を接続した特性であり、図１０（Ｂ）の破線は、第１平衡端子３１および第２平衡端子３２の端子対に１５０Ωの終端抵抗を接続した特性である。図１０（Ａ）、図１０（Ｂ）は、第１同軸ケーブル１０の第１特性インピーダンスＺ１０、すなわち、不平衡側のインピーダンスが５０Ωであり、第２同軸ケーブル２０Ｄの第２特性インピーダンスＺ２０Ｄが７５Ωの場合を示す。
【0085】
図１０（Ａ）、図１０（Ｂ）に示すように、高周波バラン１Ｄは、中心周波数を５３７．６ＭＨｚ（線路内波長の約０．３８１倍）にて、純抵抗接続時にＶＳＷＲが１．５以下を許容すれば、短縮率７０％の同軸ケーブルを用いると長さＬＡ、ＬＢ、ＬＣを１５０ｍｍとして、５０７．０ＭＨｚから５５７．５ＭＨｚが通過帯域の３：１バランを実現できる。
【0086】
なお、高周波バラン１Ｄのように、第２特性インピーダンスＺ２０Ｄを７５Ωとした場合でも、上述の第２特性インピーダンスＺ２０が５０Ω時と同様に、中心周波数よりも低い周波数であり広い周波数域で、低ＶＳＷＲを実現できる。これにより、高周波バラン１Ｄは、２００．０ＭＨｚ（線路内波長の０．１４３倍）を最良特性の周波数として、純抵抗接続時にＶＳＷＲが１．５以下を許容することで、１６１．６ＭＨｚから５１７．１ＭＨｚの周波数帯域で、７５：５０バランを実現できる。
【0087】
［第６の実施形態］
本発明の第６の実施形態に係る高周波バランについて、図を参照して説明する。図１１は、第６の実施形態に係る高周波バランの外観斜視図である。
本発明の第６の実施形態に係る高周波バランについて、図を参照して説明する。図１１は、第６の実施形態に係る高周波バランの外観斜視図である。
【0088】
図１１に示すように、第６の実施形態に係る高周波バラン１Ｅは、第１の実施形態に係る高周波バラン１に対して、第１同軸ケーブル１０Ｅを備える点で異なる。高周波バラン１Ｅの他の構成は、高周波バラン１と同様であり、同様の箇所の説明は省略する。
【0089】
第１同軸ケーブル１０Ｅは、第１部分ＳＥＣ１１Ｅと第２部分ＳＥＣ１２Ｅを備える。
【0090】
第１部分ＳＥＣ１１Ｅにおける第１外導体分断部ＧＡＰ１の一方端１０３と第２端１０２が接続する位置との間の長さＬＤ（図３参照）は、第２同軸ケーブル２０の第４部分ＳＥＣ２２の長さＬＣよりも短い。例えば、長さＬＤは、長さＬＣの９０％程度である。
【0091】
第２部分ＳＥＣ１２Ｅにおける第１外導体分断部ＧＡＰ１の他方端１０４と第２端１０２との間の長さＬＡ（図３参照）は、第２同軸ケーブル２０の第４部分ＳＥＣ２２の長さＬＢよりも短い。例えば、長さＬＡは、長さＬＢの９０％程度である。長さＬＡと長さＬＤは、略同じである。
【0092】
このような構成によって、高周波バラン１Ｅは、次に示す特性を有する。図１２（Ａ）、図１２（Ｂ）は、第６の実施形態に係る高周波バランと比較対象の高周波バランの反射特性を示すグラフである。図１２（Ａ）は、縦軸がｄＢで示されており、図１２（Ｂ）は、縦軸がＶＳＷＲで示されている。比較対象の高周波バランは、長さＬＡ、長さＬＢ、長さＬＣ、および長さＬＤが同じ構成を備える。図１２（Ａ）、図１２（Ｂ）において、実線が高周波バラン１Ｅ（短縮あり）の特性を示し、破線が比較対象のバラン（短縮なし）の特性を示す。
【0093】
図１２（Ａ）、図１２（Ｂ）に示すように、高周波バラン１Ｅも比較対象の高周波バランも、反射特性において、反射損失が低いピークを異なる周波数で２つ有する。上述の各実施形態に対応する比較対象の高周波バランでは、高周波数側のピークの方が低周波数側のピークよりも反射損失が低い。
【0094】
一方、本実施形態の高周波バラン１Ｅでは、低周波数側のピークの方が高周波数側のピークよりも反射損失が低い。したがって、高周波バラン１Ｅでは、低周波数側のピークを含むように、高周波バラン１Ｅで伝送する高周波信号の周波数帯域を設定する。
【0095】
これにより、高周波バラン１Ｅは、第１同軸ケーブル１０Ｅを短くでき、小型化を実現できる。
【0096】
［第７の実施形態］
本発明の第７の実施形態に係る高周波バランについて、図を参照して説明する。図１３は、第７の実施形態に係る高周波バランの外観斜視図である。
本発明の第７の実施形態に係る高周波バランについて、図を参照して説明する。図１３は、第７の実施形態に係る高周波バランの外観斜視図である。
【0097】
図１３に示すように、第７の実施形態に係る高周波バラン１Ｆは、第１の実施形態に係る高周波バラン１に対して、第１同軸ケーブル１０と第２同軸ケーブル２０との配置関係において異なる。高周波バラン１Ｆの他の構成は、高周波バラン１と同様であり、同様の箇所の説明は省略する。
【0098】
高周波バラン１Ｆでは、第１同軸ケーブル１０と第２同軸ケーブル２０とが並走して配置されていない。第２同軸ケーブル２０の第３端２０１と第４端２０２とは、第１同軸ケーブル１０から離間しており、第１同軸ケーブル１０の第１外導体１３に物理的にも電気的にも接続されていない。
【0099】
このような構成であっても、高周波バラン１Ｆは、高周波バラン１と同様の作用効果を奏することができる。
【0100】
［第８の実施形態］
本発明の第８の実施形態に係る高周波バランについて、図を参照して説明する。図１４は、第８の実施形態に係る高周波バランを形作るための直線状の構造体を示す側面断面図である。
本発明の第８の実施形態に係る高周波バランについて、図を参照して説明する。図１４は、第８の実施形態に係る高周波バランを形作るための直線状の構造体を示す側面断面図である。
【0101】
図１４に示すように、第８の実施形態に係る高周波バランの構造体１ＧＳは、第１の実施形態に係る高周波バラン１の構造体１Ｓに対して、絶縁性シールド膜を備える点で異なる。高周波バランの構造体１ＧＳの他の構成は、高周波バラン１の構造体１Ｓと同様であり、同様の箇所の説明は省略する。
【0102】
構造体１Ｓは、第１同軸ケーブル１０Ｇと第２同軸ケーブル２０Ｇとを備える。
【0103】
第１同軸ケーブル１０Ｇは、第１の実施形態に係る第１同軸ケーブル１０に対して、絶縁性シールド膜１９を備える点で異なる。第１同軸ケーブル１０Ｇは、第１外導体１３の外周面に対して、一部を除いて絶縁性シールド膜１９で覆っている。絶縁性シールド膜１９は、第１同軸ケーブル１０Ｇの第１外導体１３における第２同軸ケーブル２０Ｇとの接続を必要としない箇所に形成される。
【0104】
第２同軸ケーブル２０Ｇは、第１の実施形態に係る第２同軸ケーブル２０に対して、絶縁性シールド膜２９を備える点で異なる。第２同軸ケーブル２０Ｇは、第２外導体２３の外周面に対して、一部を除いて絶縁性シールド膜２９で覆っている。絶縁性シールド膜２９は、第２同軸ケーブル２０Ｇの第２外導体２３における第１同軸ケーブル１０Ｇとの接続を必要としない箇所に形成される。
【0105】
第１同軸ケーブル１０Ｇの第１外導体１３と第２同軸ケーブル２０Ｇの第２外導体２３との接続を必要とする箇所は、例えば、図１４に示すように、導電性ワイヤＷＲによって括られている。
【0106】
このような構成であっても、構造体１ＧＳからなる高周波バランは、高周波バラン１と同様の作用効果を奏する。
【0107】
［第９の実施形態］
本発明の第９の実施形態に係る高周波バランについて、図を参照して説明する。図１５は、第９の実施形態に係る高周波バランの外観斜視図である。
本発明の第９の実施形態に係る高周波バランについて、図を参照して説明する。図１５は、第９の実施形態に係る高周波バランの外観斜視図である。
【0108】
図１５に示すように、第９の実施形態に係る高周波バラン１Ｈは、第５の実施形態に係る図９に対して、第２同軸ケーブル２０Ｈの第４部分ＳＥＣ２２の長さＬＣよりも短くＳＥＣ２１の長さＬＢも同様に短い。例えば、長さＬＣは、長さＬＤの９０％程度で長さＬＢは、長さＬＡの９０％程度である。高周波バラン１Ｈの他の構成は、高周波バラン１Ｄと同様であり、同様の箇所の説明は省略する。
【0109】
このような構成によって、高周波バラン１Ｈは、次に示す特性を有する。図１６（Ａ）、図１６（Ｂ）は、第９の実施形態に係る高周波バランと比較対象の高周波バランにおける平衡側のインピーダンスが７５Ωの反射特性を示すグラフである。図１６（Ａ）は、縦軸がｄＢで示されており、図１６（Ｂ）は、縦軸がＶＳＷＲで示されている。比較対象の高周波バランは、長さＬＡ、長さＬＢ、長さＬＣ、および長さＬＤが同じ構成を備える。図１６（Ａ）、図１６（Ｂ）において、破線が比較対象のバラン（短縮なし）の特性を示し、実線が高周波バラン１Ｈ（ＬＣとＬＢの短縮あり）の特性を示す。
【0110】
図１６（Ａ）、図１６（Ｂ）に示すように、比較対象の高周波バランは短縮なしの状態では、反射特性において、反射損失が低いピークを異なる周波数で２つ有する。低周波数側のピークの方が高周波数側のピークよりも反射損失が低い。
【0111】
このとき、低周波数側のピークの反射損失も－∞ｄＢではなくＶＳＷＲも１ではない。しかし、第９の実施形態に係る形態により図１６（Ａ）、図１６（Ｂ）の実線に示すように、低周波数側のピークの反射損がより少なく改善され、周波数帯域は狭くなるが低損失化を実現できる。
【0112】
なお、上述の各実施形態では、はんだ等の導電性接合材７０を用いる態様を示した。しかしながら、所定強度での固定と低抵抗な電気的接続を実現できる態様であれば、はんだ等の導電性接合材７０に限るものではない。例えば、スポット溶接、圧着等を採用でき、さらには、導電ワイヤ等で縛り付ケーブル固定方法を採用してもよい。
【0113】
＜１＞ 第１中心導体、第１誘電体層、および、第１外導体を備え、第１端と第２端を有する第１同軸ケーブルと、
第２中心導体、第２誘電体層、および、第２外導体を備え、第３端と第４端とを有する第２同軸ケーブルと、
を備え、
前記第１同軸ケーブルは、前記第２端から前記第１端方向へ所定長さの位置において、前記第１外導体を備えない第１外導体分断部を備え、
前記第２同軸ケーブルは、前記第３端から前記第４端方向へ前記所定長さの位置において、前記第２外導体を備えない第２外導体分断部を備え、
前記第２同軸ケーブルにおける前記第３端と前記第２外導体分断部との間の長さと、前記第４端と前記第２外導体分断部との長さは、同じであり、
前記第２同軸ケーブルは、前記第３端と前記第１同軸ケーブルの前記第２端とが揃えて配置された状態で、前記第１同軸ケーブルに平行に配置され、
前記第１外導体、および、前記第２外導体は、導電性接合材で電気的に接続され、
前記第１同軸ケーブルの前記第２端は開放端であり、
前記第２同軸ケーブルの前記第３端および前記第４端では、前記第２中心導体が前記第２外導体に接続され、グランド電位と略同電位であり、
前記第１同軸ケーブルの前記第１端は、不平衡端子であり、
前記第２外導体における前記第２外導体分断部の前記第３端側の端部と、前記第２外導体分断部の前記第４端側の端部とは、平衡端子である、高周波バラン。
第２中心導体、第２誘電体層、および、第２外導体を備え、第３端と第４端とを有する第２同軸ケーブルと、
を備え、
前記第１同軸ケーブルは、前記第２端から前記第１端方向へ所定長さの位置において、前記第１外導体を備えない第１外導体分断部を備え、
前記第２同軸ケーブルは、前記第３端から前記第４端方向へ前記所定長さの位置において、前記第２外導体を備えない第２外導体分断部を備え、
前記第２同軸ケーブルにおける前記第３端と前記第２外導体分断部との間の長さと、前記第４端と前記第２外導体分断部との長さは、同じであり、
前記第２同軸ケーブルは、前記第３端と前記第１同軸ケーブルの前記第２端とが揃えて配置された状態で、前記第１同軸ケーブルに平行に配置され、
前記第１外導体、および、前記第２外導体は、導電性接合材で電気的に接続され、
前記第１同軸ケーブルの前記第２端は開放端であり、
前記第２同軸ケーブルの前記第３端および前記第４端では、前記第２中心導体が前記第２外導体に接続され、グランド電位と略同電位であり、
前記第１同軸ケーブルの前記第１端は、不平衡端子であり、
前記第２外導体における前記第２外導体分断部の前記第３端側の端部と、前記第２外導体分断部の前記第４端側の端部とは、平衡端子である、高周波バラン。
【0114】
＜２＞ ＜１＞の高周波バランであって、
前記第１誘電体層の誘電率と前記第２誘電体層の誘電率は、同じである、高周波バラン。
前記第１誘電体層の誘電率と前記第２誘電体層の誘電率は、同じである、高周波バラン。
【0115】
＜３＞ ＜１＞または＜２＞の高周波バランであって、
前記第２同軸ケーブルの第２特性インピーダンスと前記第１同軸ケーブルの第１特性インピーダンスとは、同じである、高周波バラン。
前記第２同軸ケーブルの第２特性インピーダンスと前記第１同軸ケーブルの第１特性インピーダンスとは、同じである、高周波バラン。
【0116】
＜４＞ ＜１＞または＜２＞の高周波バランであって、
前記第２同軸ケーブルの第２特性インピーダンスは、前記第１同軸ケーブルの第１特性インピーダンスよりも高い、高周波バラン。
前記第２同軸ケーブルの第２特性インピーダンスは、前記第１同軸ケーブルの第１特性インピーダンスよりも高い、高周波バラン。
【0117】
＜５＞ ＜１＞乃至＜４＞のいずれかの高周波バランであって、
前記第２端の位置と前記第３端の位置とのずれ量は、前記所定長さの１０％以下である、高周波バラン。
前記第２端の位置と前記第３端の位置とのずれ量は、前記所定長さの１０％以下である、高周波バラン。
【0118】
＜６＞ ＜１＞乃至＜５＞のいずれかの高周波バランであって、
前記所定長さは、前記第１同軸ケーブルおよび前記第２同軸ケーブルを伝送する高周波信号の波長の約０．３６７倍である、高周波バラン。
前記所定長さは、前記第１同軸ケーブルおよび前記第２同軸ケーブルを伝送する高周波信号の波長の約０．３６７倍である、高周波バラン。
【0119】
＜７＞ ＜１＞乃至＜６＞のいずれかの高周波バランであって、
前記第１同軸ケーブル、および、前記第２同軸ケーブルからなる構造体は、環状であり、
前記第４端は、前記第２端および前記第３端に近接して電気的に接続されている、高周波バラン。
前記第１同軸ケーブル、および、前記第２同軸ケーブルからなる構造体は、環状であり、
前記第４端は、前記第２端および前記第３端に近接して電気的に接続されている、高周波バラン。
【0120】
＜８＞ ＜１＞乃至＜６＞のいずれかの高周波バランであって、
グランド用導電体を備え、
前記第２端および前記第３端と前記第４端とは、前記グランド用導電体を通じて電気的に接続されている、高周波バラン。
グランド用導電体を備え、
前記第２端および前記第３端と前記第４端とは、前記グランド用導電体を通じて電気的に接続されている、高周波バラン。
【符号の説明】
【0121】
１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ、１Ｅ、１Ｆ、１Ｈ：高周波バラン
１Ｓ、１ＧＳ：構造体
１０、１０Ｅ、１０Ｇ：第１同軸ケーブル
１１：第１中心導体
１２：第１誘電体層
１３：第１外導体
１９、２９：絶縁性シールド膜
２０、２０Ｄ、２０Ｇ、２０Ｈ：第２同軸ケーブル
２１：第２中心導体
２２：第２誘電体層
２３：第２外導体
３１：第１平衡端子
３２：第２平衡端子
７０、７１、７２：導電性接合材
８０：同軸コネクタ
９０：グランド用導電体
１０１：第１端
１０２：第２端
１０３：一方端
１０４：他方端
２０１：第３端
２０２：第４端
２０３：一方端
２０４：他方端
ＧＡＰ１：第１外導体分断部
ＧＡＰ２：第２外導体分断部
ＳＥＣ１１、ＳＥＣ１１Ｅ：第１部分
ＳＥＣ１２、ＳＥＣ１２Ｅ：第２部分
ＳＥＣ２１、ＳＥＣ２１Ｈ：第３部分
ＳＥＣ２２、ＳＥＣ２２Ｈ：第４部分
Ｚ１０：第１特性インピーダンス
Ｚ２０、Ｚ２０Ｄ、Ｚ２０Ｈ：第２特性インピーダンス
１Ｓ、１ＧＳ：構造体
１０、１０Ｅ、１０Ｇ：第１同軸ケーブル
１１：第１中心導体
１２：第１誘電体層
１３：第１外導体
１９、２９：絶縁性シールド膜
２０、２０Ｄ、２０Ｇ、２０Ｈ：第２同軸ケーブル
２１：第２中心導体
２２：第２誘電体層
２３：第２外導体
３１：第１平衡端子
３２：第２平衡端子
７０、７１、７２：導電性接合材
８０：同軸コネクタ
９０：グランド用導電体
１０１：第１端
１０２：第２端
１０３：一方端
１０４：他方端
２０１：第３端
２０２：第４端
２０３：一方端
２０４：他方端
ＧＡＰ１：第１外導体分断部
ＧＡＰ２：第２外導体分断部
ＳＥＣ１１、ＳＥＣ１１Ｅ：第１部分
ＳＥＣ１２、ＳＥＣ１２Ｅ：第２部分
ＳＥＣ２１、ＳＥＣ２１Ｈ：第３部分
ＳＥＣ２２、ＳＥＣ２２Ｈ：第４部分
Ｚ１０：第１特性インピーダンス
Ｚ２０、Ｚ２０Ｄ、Ｚ２０Ｈ：第２特性インピーダンス
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】