特開 2024-175825 ジシアノナフタレンイリデン誘導体およびそれを用いた有機発光素子

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024175825

(43)【公開日】2024-12-19

(54)【発明の名称】ジシアノナフタレンイリデン誘導体およびそれを用いた有機発光素子

(51)【国際特許分類】

   C07C 255/35 20060101AFI20241212BHJP

   H10K 50/125 20230101ALI20241212BHJP

   H10K 50/17 20230101ALI20241212BHJP

   H10K 50/15 20230101ALI20241212BHJP

   H10K 50/16 20230101ALI20241212BHJP

   H10K 50/19 20230101ALI20241212BHJP

   H10K 59/10 20230101ALI20241212BHJP

   H10K 85/60 20230101ALI20241212BHJP

   C07C 255/51 20060101ALI20241212BHJP

【ＦＩ】

C07C255/35 CSP

H10K50/125

H10K50/17

H10K50/15

H10K50/16

H10K50/19

H10K59/10

H10K85/60

C07C255/51

【審査請求】未請求

【請求項の数】6

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023093860

(22)【出願日】2023-06-07

(71)【出願人】

【識別番号】000006150

【氏名又は名称】京セラドキュメントソリューションズ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001933

【氏名又は名称】弁理士法人 佐野特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】岡田 英樹

(72)【発明者】

【氏名】東 潤

(72)【発明者】

【氏名】丸尾 敬司

【テーマコード（参考）】

3K107

4H006

【Ｆターム（参考）】

3K107AA01

3K107BB01

3K107BB02

3K107CC09

3K107CC24

3K107CC45

3K107DD52

3K107DD71

3K107DD75

3K107DD78

4H006AA01

4H006AB90

(57)【要約】

【課題】熱安定性に優れ、蒸着温度が低く正孔注入材料として有用なジシアノナフタレンイリデン誘導体およびそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。
【解決手段】一般式（１）で表されるジシアノナフタレンイリデン誘導体。式（１）中、Ａｒは、無置換の環形成炭素数６～２４の芳香環、環形成原子数５～２４の複素環、置換基を有する環形成炭素数６～６０のアリール基、ピリジル基、キノリル基、置換若しくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、炭素数７～５０のアラルキル基、炭素数１～５０のアルコキシ基、環形成炭素数６～５０のアリールオキシ基、環形成炭素数６～５０のアリールチオ基、炭素数２～５０のアルコキシカルボニル基、環形成炭素数６～５０のアリール基で置換されたアミノ基、ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基又はカルボキシル基。
【化１】

【選択図】なし

【特許請求の範囲】

【請求項1】

下記の一般式（１）で表されるジシアノナフタレンイリデン誘導体。

【化1】

（式（１）中、Ａｒは、無置換の環形成炭素数６～２４の芳香環、無置換の環形成原子数５～２４の複素環、置換基を有する環形成炭素数６～６０のアリール基、ピリジル基、キノリル基、置換若しくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルコキシ基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリールオキシ基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリールチオ基、置換若しくは無置換の炭素数２～５０のアルコキシカルボニル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基で置換されたアミノ基、ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基又はカルボキシル基である。Ｒ_１～Ｒ_４は、それぞれ互いに同一でも異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のフルオロアルキル基、又は、シアノ基である。）

【請求項2】

前記一般式（１）が、下記の化学式（１－１）、（１－２）、（１－３）、（１－４）、（１－５）、又は（１－８）のいずれかであることを特徴とする請求項１に記載のジシアノナフタレンイリデン誘導体。

【化2】

【化3】

【化4】

【化5】

【化6】

【化9】

【請求項3】

基板と、
前記基板上に積層される陽極と、
前記陽極上に積層される、発光層を含む１層以上の有機薄膜層と、
前記有機薄膜層上に積層されるドナー含有層と、
前記ドナー含有層上に積層されるアクセプター含有層と、
前記アクセプター含有層上に積層される光透過性陰極と、
を備え、
前記有機薄膜層は、前記陽極と前記発光層の間に正孔注入層を有し、
前記正孔注入層として、請求項１又は請求項２に記載のジシアノナフタレンイリデン誘導体を含む、有機エレクトロルミネッセンス素子。

【請求項4】

前記発光層を含む１層以上の前記有機薄膜層が、電荷発生層を介して積層された２以上の発光ユニットを構成している、請求項３に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

【請求項5】

前記発光ユニットの発光層を構成する少なくとも１つの材料が、他の発光ユニットの発光層を構成する材料と異なっている、請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

【請求項6】

前記発光層が白色発光する、請求項３に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、光電変換層の正孔注入層の材料として用いられる電子受容性有機材料、およびそれを用いた有機発光素子に関するものである。

【背景技術】

【0002】

有機エレクトロルミネッセンス素子（ＯＬＥＤ、organic electroluminescent diode）は、自己発光かつ高輝度で、視野角が広く、応答がより速く、製造プロセスが簡単であることから、工業的なディスプレイによく用いられている。近年、携帯電話、携帯情報端末（personal digital assistant）およびノートパソコン等の電子製品の発展と広範な応用に伴い、消費する電力がより低くかつ占めるスペースのより小さなフラットディスプレイデバイスに対する需要が高まっている。

【0003】

従来の有機エレクトロルミネッセンス素子は、一般的に真性半導体材料に依存し、かつ非ドープ正孔注入層を有しており、同じタイプの液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）と比べ、駆動電圧と消費電力が高い。有機エレクトロルミネセントダイオードの駆動電圧および消費電力を減らすため、ｐ－ｉ－ｎ構造を有するＯＬＥＤが知られている。具体的に言うと、そのＯＬＥＤはｐ－ドープ正孔注入層を有する。

【0004】

また、ｐ－ドーパントとしてＦ４－ＴＣＮＱ（２，３，５，６－テトラフルオロ－７，７，８，８－テトラシアノ－ｐ－キノジメタン）、およびｐ－ドープ層のホストとしてｍ－ＭＴＤＡＴＡ（４，４’,４”－トリス（３－メチルフェニルフェニルアミノ）－トリフェニルアミン）を用いたｐ－ｉ－ｎＯＬＥＤが知られている。

【0005】

特許文献１には、正孔注入層がＦ４－ＴＣＮＱ構造を有する化合物を含む有機エレクトロルミネセントダイオードを含む画像表示システムが開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【特許文献1】特開２００８－２４４４３０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

しかしながら、Ｆ４－ＴＣＮＱは熱安定性が低く、蒸発時に分解し易いことから、ＯＬＥＤの信頼性および性能が落ちる。さらに、Ｆ４－ＴＣＮＱは蒸着温度が低いため、Ｆ４－ＴＣＮＱのドーパント量を制御し難いという問題点があった。

【0008】

本発明は、上記問題点に鑑み、熱安定性に優れ、蒸着温度が低く正孔輸送層として有用なジシアノナフタレンイリデン誘導体およびそれを用いた有機発光素子を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0009】

上記目的を達成するために本発明の第１の構成は、下記の一般式（１）で表されるジシアノナフタレンイリデン誘導体である。

【化1】

式（１）中、Ａｒは、無置換の環形成炭素数６～２４の芳香環、無置換の環形成原子数５～２４の複素環、置換基を有する環形成炭素数６～６０のアリール基、置換基を有するピリジル基、置換基を有するキノリル基、置換若しくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルコキシ基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリールオキシ基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリールチオ基、置換若しくは無置換の炭素数２～５０のアルコキシカルボニル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基で置換されたアミノ基、ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基又はカルボキシル基である。Ｒ_１～Ｒ_６は、それぞれ互いに同一でも異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のフルオロアルキル基、又は、シアノ基である。

【発明の効果】

【0010】

本発明の第１の構成によれば、有機発光素子の正孔注入層の材料として上記式（１）で表される化合物を用いることにより、熱安定性に優れ、蒸着温度の低い正孔注入層を形成することができ、ドーパント量の制御が容易となる。従って、有機発光素子の信頼性および性能が向上する。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】本発明の第１実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子１００の部分断面図

【図2】本発明の第２実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子１００の部分断面図

【発明を実施するための形態】

【0012】

［１．有機エレクトロルミネッセンス素子の構成］
先ず、本発明のジシアノナフタレンイリデン誘導体を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子について説明する。図１は、本発明の第１実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、単に有機発光素子という）１００の部分断面図である。有機発光素子１００は、基板１と、陽極２と、正孔注入層３と、正孔輸送層４と、発光層５と、ドナー含有層６と、アクセプター含有層７と、光透過性陰極８とを備える。

【0013】

＜基板＞
基板１は、有機発光素子１００に使用可能であれば、特に限定されない。基板１は、透明であっても不透明であってもよい。透明基板としては、例えば、石英ガラスのようなガラス、合成石英板等の透明なリジット基板、および透明樹脂フィルム、光学用樹脂板等の透明なフレキシブル基板が挙げられる。透明なフレキシブル基板は、加工の容易さ、製造コストの低減、軽量化、割れ難さ、曲面への適用が可能という利点を有する。

【0014】

＜陽極＞
陽極２は、正孔注入電極である。陽極２として用いられる材料としては、例えば、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、カーボン（Ｃ）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ、Indium tin oxide）、酸化スズ（ＳｎＯ_２）、フッ素ドープ酸化スズ（ＦＴＯ、Fluorine-doped tin oxide）、および酸化亜鉛（ＺｎＯ）が挙げられる。

【0015】

また、陽極２の材料は、有機発光素子１００が基板１側の面からも光を出射するか否かを考慮して適宜選択される。基板１が透明基板であり、基板１側の面からも光を出射する場合、陽極２は透明電極であることが好ましい。陽極２が透明電極である場合に用いられる材料としては、例えば、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ、Indium zinc oxide）、ＩＴＯ、ＦＴＯ、ＺｎＯ－Ａｌ、およびＺｎ－Ｓｎ－Ｏが挙げられる。

【0016】

陽極２は、単層であってもよい。また、陽極２は、異なる仕事関数を有する複数の層から構成されていてもよい。

【0017】

陽極２は、基板１の全面にシート状に形成されていてもよく、基板１上にパターン状に形成されていてもよい。また、陽極２の形状は、フラット形状であってもよく、凹凸状であってもよい。凹凸状としては、例えば、テクスチャー構造状、ピラミッド構造状、波型構造状、くし型構造状、およびナノピロー構造状が挙げられる。陽極２は、例えばスパッタリング、電子ビーム蒸着、熱蒸着または化学蒸着などの方法で形成される。

【0018】

＜正孔注入層＞
正孔注入層３は陽極電極２と正孔輸送層４との間に積層されている。正孔注入層３は、陽極２（正孔注入電極）から正孔輸送層４への正孔の注入（移動）が容易に行われるように設けられる。

【0019】

本実施形態の有機発光素子１００では、正孔注入層３は、以下の一般式（１）で表されるジシアノナフタレンイリデン誘導体を含有する。正孔注入層３は、一般式（１）で表されるジシアノナフタレンイリデン誘導体のみを含有してもよいし、添加剤を更に含有してもよい。添加剤としては、界面処理剤等の従来公知の添加剤を用いることができる。

【0020】

【化1】

【0021】

式（１）中、Ａｒは、無置換の環形成炭素数６～２４の芳香環、無置換の環形成原子数５～２４の複素環、置換基を有する環形成炭素数６～６０のアリール基、置換基を有するピリジル基、置換基を有するキノリル基、置換若しくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルコキシ基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリールオキシ基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリールチオ基、置換若しくは無置換の炭素数２～５０のアルコキシカルボニル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基で置換されたアミノ基、ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基又はカルボキシル基である。Ｒ_１～Ｒ_６は、それぞれ互いに同一でも異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のフルオロアルキル基、又は、シアノ基である。

【0022】

一般式（１）で表されるジシアノナフタレンイリデン誘導体の具体例としては、下記の化学式で表される化合物（１－１）～（１－７）が挙げられる。化合物（１－１）～（１－７）の熱物性データ（昇華温度）をＦ４－ＴＣＮＱと比較して表１に示す。

【0023】

【化2】

【0024】

【化3】

【0025】

【化4】

【0026】

【化5】

【0027】

【化6】

【0028】

【化7】

【0029】

【化8】

【0030】

【化9】

【0031】

【表1】

【0032】

表１に示すように、化合物（１－１）～（１－８）の蒸着温度はいずれも２００℃以下と低めであるが、Ｆ４－ＴＣＮＱの蒸着温度（１００℃）よりも高い。そのため、Ｆ４－ＴＣＮＱに比べてドーパント量を制御し易いことがわかる。

【0033】

正孔注入層３を構成するドーパント材料（電子受容性材料）として上記式（１）で表される化合物を用いることにより、電荷（電子）の移動度を改善することができ、有機発光素子１００の発光効率が向上する。また、上記式（１）で表される化合物は熱安定性に優れ、蒸着温度が低いため、有機発光素子１００を容易に製造することができ、信頼性も向上する。

【0034】

上記式（１）で表される化合物は、Ｒ_１～Ｒ_６基の電子吸引性をベースとして、Ａｒ基の置換基として電子吸引性基が多いほど化合物自体の電子吸引性が大きくなり、ドーパントとしての性能も向上する。例えば、化合物（１－７）は、Ａｒ基に電子吸引性の置換基が無く、ニトリル基、フッソ原子の電子吸引性のみである。Ａｒ基が電子吸引基を有しない化合物の例としては、以下の化学式で表される化合物（１－９）～（１－１１）が挙げられる。

【0035】

【化10】

【0036】

【化11】

【0037】

【化12】

【0038】

化合物（１－１）～（１－４）は、Ａｒ基の置換基として電子吸引性のトリフルオロメチル基、ニトリル基、またはニトロ基を１個有する。Ａｒ基が電子吸引性基を１個有する化合物の例としては、以下の化学式で表される化合物（１－１２）～（１－１７）が挙げられる。

【0039】

【化13】

【0040】

【化14】

【0041】

【化15】

【0042】

【化16】

【0043】

【化17】

【0044】

【化18】

【0045】

化合物（１－５）は、Ａｒ基の置換基として電子吸引性のトリフルオロメチル基を２個有する。Ａｒ基が電子吸引性基を２個有する化合物の例としては、以下の化学式で表される化合物（１－１８）～（１－２２）が挙げられる。

【0046】

【化19】

【0047】

【化20】

【0048】

【化21】

【0049】

【化22】

【0050】

【化23】

【0051】

化合物（１－６）、（１－８）は、Ａｒ基の置換基として電子吸引性のフッ素原子またはニトリル基を５個有する。Ａｒ基が電子吸引性基を３個以上有する化合物の例としては、以下の化学式で表される化合物（１－２３）～（１－２７）が挙げられる。

【0052】

【化24】

【0053】

【化25】

【0054】

【化26】

【0055】

【化27】

【0056】

【化28】

【0057】

＜正孔輸送層＞
正孔輸送層４は正孔注入層３と発光層５との間に積層されている。正孔輸送層４は、正孔注入層３から発光層５への正孔の注入（移動）が容易に行われるように設けられる。正孔注入層３および正孔輸送層４が積層されることにより、陽極２から発光層５への正孔注入効率が高められ、有機発光素子１００の発光効率が向上する。

【0058】

＜発光層＞
発光層５は、正孔輸送層４とドナー含有層６との間に積層されている。発光層５は、陽極２より注入された正孔と光透過性陰極８より注入された電子の再結合エネルギーにより発光する発光材料を含む。発光層５は発光材料を単独で使用してもよいし、発光材料とホスト材料を含んでもよい。有機発光素子１００が高い発光効率を発現するためには、発光材料に生成した一重項励起子および三重項励起子を、発光材料中に閉じ込めることが重要である。従って、発光層５中に発光材料に加えてホスト材料を添加することが好ましい。

【0059】

発光材料としては、従来公知の化合物群から選ばれる１種または２種以上を用いることができる。ホスト材料としては、励起一重項エネルギー、励起三重項エネルギーの少なくとも一方が発光材料よりも高い値を有する有機化合物を用いることができる。ホスト材料としては、正孔輸送能、電子輸送能を有し、かつ発光の長波長化を防ぎ、かつ、高いガラス転移温度を有する有機化合物であることが好ましい。発光層５の発光は、発光層５に含まれる発光材料から生じる。この発光は蛍光発光および遅延蛍光発光の両方を含む。但し、発光の一部或いは部分的にホスト材料からの発光があってもかまわない。

【0060】

＜ドナー含有層＞
ドナー含有層６は、発光層５とアクセプター含有層７との間に積層されている。ドナー含有層６は、アクセプター含有層７から電子を引き抜き、電子を発光層５に注入する（電子をドナーする）層である。ドナー含有層６を設けることにより、発光層５とアクセプター含有層７のアフィニティレベルの大きな段差を解消することができ、アクセプター含有層７から電子を受け取りやすくなる。

【0061】

＜アクセプター含有層＞
アクセプター含有層７は、ドナー含有層６と光透過性陰極８との間に積層されている。アクセプター含有層７は、光透過性陰極８（電子注入電極）からドナー含有層６への電子の注入（移動）が容易に行われるように設けられる。アクセプター含有層７としては、易還元性の有機化合物が使用できる。化合物の還元し易さは、還元電位で測定することができる。本発明では飽和カロメル（ＳＣＥ）電極を参照電極とした還元電位において、好ましくは－０．８Ｖ以上、より好ましくは－０．３Ｖ以上であり、特に好ましくはテトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）の還元電位（約０Ｖ）より大きな値を持つ化合物が好ましい。

【0062】

ドナー含有層６と光透過性陰極８との間にアクセプター含有層７を設けることにより、アクセプター含有層７に含まれるアクセプターが、光透過性陰極８との間にある接触面より電子を引き抜く。アクセプター含有層７は電子輸送性であるので、電子はこの接触面からアクセプター含有層７中にドナー含有層６の方向に輸送される。さらに、電子はドナー含有層６から発光層５の方向に注入される。一方、陽極２から正孔が正孔注入層３、正孔輸送層４に注入され、さらに、発光層５に注入される。発光層５において正孔と電子が再結合し発光が生じる。

【0063】

本実施形態の有機発光素子１００では、光透過性陰極８と発光層５の間にアクセプター含有層７とドナー含有層６を設けることにより、光透過性陰極８から発光層５への電子の注入（移動）を容易にし、有機発光素子１００の駆動電圧の低下、高効率化、長寿命化を図ることができる。

【0064】

＜光透過性陰極＞
光透過性陰極８は、アクセプター含有層７上に積層される電子注入電極である。光透過性陰極８は、陽極２と対向して設けられる。光透過性陰極８は、導電性を有する限り、特に限定されない。光透過性陰極８の材料は、例えば、アクセプター含有層７の材料を考慮して、適宜選択される。

【0065】

光透過性陰極８の材料として用いられる材料としては、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ、Indium tin oxide）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、フッ素ドープ酸化スズ（ＦＴＯ、Fluorine-doped tin oxide）、および酸化亜鉛（ＺｎＯ）が挙げられる。

【0066】

光透過性陰極８は、単層であってもよい。また、第２電極６は、異なる仕事関数を有する複数の層から構成されていてもよい。光透過性陰極８は、アクセプター含有層７の全面にシート状に形成されていてもよく、アクセプター含有層７上にパターン状に形成されていてもよい。

【0067】

＜その他の構成部材＞
有機発光素子１００は、必要に応じて、上述した基板１、陽極２、正孔注入層３、正孔輸送層４、発光層５、ドナー含有層６、アクセプター含有層７および光透過性陰極８に加えて、他の構成部材を更に備えていてもよい。他の構成部材としては、例えば、保護シート層、充填材層、バリア層、保護ハードコート層、強度支持層、防汚層、高光反射層、紫外線遮断層、赤外線遮断層、および封止材層が挙げられる。また、有機発光素子１００には、必要に応じて、各層間に接着層が積層されていてもよい。

【0068】

本実施形態の有機発光素子１００は、図１に示す構成に限定されない。例えば、正孔注入層３、正孔輸送層４は任意の層であるため省略することが可能であり、また、発光層５とドナー含有層６との間に電子輸送層等を積層することもできる。正孔注入層３、正孔輸送層４、発光層５、電子輸送層等が、本実施形態の有機発光素子１００における有機薄膜層に相当する。また、光透過性陰極８とアクセプター含有層７との間にバッファー層を形成してもよい。

【0069】

以上、本発明の有機発光素子１００の構成について、図１に示した第１実施形態の有機発光素子１００を例示して説明したが、本発明は第１実施形態の有機発光素子１００の構成に限定されるものではない。例えば、陽極２と光透過性陰極８との間に２以上の発光ユニットが挟持され、かつ、発光ユニットの間に電荷発生層が積層されているスタック型のマルチフォトンエミッション素子（ＭＰＥ素子）でもよい。

【0070】

図２は、本発明の第２実施形態に係る有機発光素子１００の概略断面図である。本実施形態の有機発光素子１００は、基板１上に、陽極２、第１発光ユニット１０、電荷発生層１１、第２発光ユニット１２、ドナー含有層６、アクセプター含有層７及び光透過性陰極８を、この順に備える。２つの発光ユニット１０、１２は、それぞれ少なくとも発光層を有する単層又は積層構造を有する。例えば、発光ユニット５１、５３は、陽極２側から、正孔輸送層、発光層および電子輸送層を積層した多層膜構造であることが好ましい。

【0071】

有機発光素子１００は、発光ユニットを２つ形成した以外は図１に示した第１実施形態の有機発光素子１００と同様の構成を有する。換言すれば、第１実施形態の有機発光素子１００は、正孔注入層３、正孔輸送層４および発光層５からなる発光ユニットを１つ有する素子構成である。

【0072】

本実施形態では、例えば、各発光ユニット１０、１２を構成する発光層の材料を変えて発光色を異ならせることにより、白色発光する有機発光素子１００が得られる。

【0073】

本実施形態の有機発光素子１００は、図２に示す構成に限定されない。例えば、本実施形態の有機発光素子１００の各発光ユニット１０、１２において、発光層と電荷発生層との間に、上述したドナー含有層およびアクセプター含有層を積層してもよい。具体的には、第１発光ユニット１０が、陽極２側から、正孔輸送層、発光層、ドナー含有層およびアクセプター含有層を積層した構成であってもよい。

【0074】

その他本発明は、上記各実施形態に限定されず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。例えば、上記実施形態では、本発明のジシアノナフタレンイリデン誘導体を有機発光素子１００のアクセプター含有層７に用いた例について説明したが、例えば有機太陽電池のアクセプター層として用いることもできる。以下、実施例により本発明の効果について更に具体的に説明する。

【実施例0075】

［中間生成物（ａ－１）の合成例］
窒素雰囲気下、炭酸カリウム３．３２ｇ（２４ｍｍｏｌ）のジメチルホルムアミド溶液に化学式（Ａ）で示されるヘキサフルオロベンゼン３．７２ｇ（20mmol）、化学式（Ｂ）で示される４－トリフルオロメチルベンジルニトリル３．７０ｇ（２０ｍｍｏｌ）を加え、室温にて１５時間攪拌した。反応液を水に注ぎ、塩酸で酸性にした後、クロロホルムで抽出した。シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、中間生成物（ａ－１）３．１６ｇを得た（収率４５％）。合成スキームを以下に示す。

【0076】

【化29】

【0077】

［中間生成物（ｂ－１）の合成例］
窒素雰囲気下、０℃で６０％水素化ナトリウム１．２０ｇ（３０ｍｍｏｌ）の無水テトラヒドロフラン溶液に、マロノニトリル２．１１ｇ（３２ｍｍｏｌ）を滴下して１時間攪拌した。反応液に中間生成物（ａ－１）３．５０ｇ（１０ｍｍｏｌ）を滴下し、８０℃に加温して還流しながら８時間攪拌した。反応液を水に注ぎ、塩酸で酸性にした後、クロロホルムで抽出した。シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、中間生成物（ｂ－１）１．９８ｇを得た（収率５０％）。合成スキームを以下に示す。

【0078】

【化30】

【0079】

［ジシアノナフタレンイリデン誘導体（１－１）の合成例］
窒素雰囲気下、中間生成物（ｂ－１）０．８０ｇ（２ｍｍｏｌ）を無水アセトニトリル２０ｍＬに溶解し、溶液を０℃に冷却した後、２％臭素水１６ｇ（４ｍｍｏｌ）を滴下して、室温に戻しながら１時間攪拌した。反応液を水に注ぎ、析出した固体をろ過により濾別し、水で２回、エーテルで２回洗浄し、乾燥して化合物（１－１）０．２４ｇを得た（収率３０％、Ｈ－ＮＭＲ ６００ＭＨｚ；７．６４（ｄｄ，２Ｈ），７．７９（ｄ，２Ｈ）ＣＤＣｌ３）。合成スキームを以下に示す。

【0080】

【化31】

【実施例0081】

［ジシアノナフタレンイリデン誘導体（１－２）～（１－７）の合成例］
化合物（Ａ）、（Ｂ）を変更する以外は実施例１と同様の方法により、ジシアノナフタレンイリデン誘導体（１－２）～（１－７）を合成した。中間生成物（ａ－２）～（ａ－７）、中間生成物（ｂ－２）～（ｂ－７）、ジシアノナフタレンイリデン誘導体（１－２）～（１－７）の収量および収率を表２に示す。

【0082】

【表2】