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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024175979
(43)【公開日】2024-12-19
(54)【発明の名称】センサ
(51)【国際特許分類】
G01N 27/18 20060101AFI20241212BHJP
G01N 25/18 20060101ALI20241212BHJP
【ＦＩ】
G01N27/18
G01N25/18 K
【審査請求】未請求
【請求項の数】15
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023094132
(22)【出願日】2023-06-07
(71)【出願人】
【識別番号】000003078
【氏名又は名称】株式会社東芝
(74)【代理人】
【識別番号】110004026
【氏名又は名称】弁理士法人ｉＸ
(72)【発明者】
【氏名】王 萍
(72)【発明者】
【氏名】松竹 正之
(72)【発明者】
【氏名】山崎 宏明
(72)【発明者】
【氏名】久留井 慶彦
(72)【発明者】
【氏名】秋元 陽介
【テーマコード（参考）】
2G040
2G060
【Ｆターム（参考）】
2G040AB09
2G040BA23
2G040CA01
2G040DA02
2G040DA12
2G040DA16
2G040EA02
2G040EC07
2G040GA05
2G040HA08
2G040HA16
2G060AA01
2G060AB03
2G060AB09
2G060AE19
2G060AF07
2G060AG03
2G060BA05
2G060BB02
2G060HC10
2G060KA01
(57)【要約】
【課題】特性の向上が可能なセンサを提供する。
【解決手段】実施形態によれば、センサは、センサ部及び回路部を含む。前記センサ部は、第１抵抗素子及び第１導電部材を含む第１素子部と、第２抵抗素子を含む第２素子部と、を含む。前記回路部は、検出部及び制御部を含む。前記回路部は、第１動作を実施可能である。前記制御部は、前記第１動作において、前記第２抵抗素子の第２抵抗に対応する第２信号に基づいて第１電力を制御可能である。前記制御部は、前記第１動作において、前記第１電力を前記第１導電部材に供給して前記第１素子部の第１温度を上昇可能である。前記検出部は、前記第１動作において、前記第１温度が上昇した第１状態における前記第１抵抗素子の第１抵抗に対応する第１信号と、前記第２信号と、の差に対応する検出値を出力可能である。
【選択図】図１
【解決手段】実施形態によれば、センサは、センサ部及び回路部を含む。前記センサ部は、第１抵抗素子及び第１導電部材を含む第１素子部と、第２抵抗素子を含む第２素子部と、を含む。前記回路部は、検出部及び制御部を含む。前記回路部は、第１動作を実施可能である。前記制御部は、前記第１動作において、前記第２抵抗素子の第２抵抗に対応する第２信号に基づいて第１電力を制御可能である。前記制御部は、前記第１動作において、前記第１電力を前記第１導電部材に供給して前記第１素子部の第１温度を上昇可能である。前記検出部は、前記第１動作において、前記第１温度が上昇した第１状態における前記第１抵抗素子の第１抵抗に対応する第１信号と、前記第２信号と、の差に対応する検出値を出力可能である。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
センサ部であって、前記センサ部は、第１抵抗素子及び第１導電部材を含む第１素子部と、第２抵抗素子を含む第２素子部と、を含む、前記センサ部と、
検出部及び制御部を含む回路部と、
を備え、
前記回路部は、第１動作を実施可能であり、
前記制御部は、前記第１動作において、前記第２抵抗素子の第２抵抗に対応する第２信号に基づいて第１電力を制御可能であり、
前記制御部は、前記第１動作において、前記第１電力を前記第１導電部材に供給して前記第１素子部の第１温度を上昇可能であり、
前記検出部は、前記第１動作において、前記第１温度が上昇した第１状態における前記第１抵抗素子の第１抵抗に対応する第１信号と、前記第２信号と、の差に対応する検出値を出力可能である、センサ。
検出部及び制御部を含む回路部と、
を備え、
前記回路部は、第１動作を実施可能であり、
前記制御部は、前記第１動作において、前記第２抵抗素子の第２抵抗に対応する第２信号に基づいて第１電力を制御可能であり、
前記制御部は、前記第１動作において、前記第１電力を前記第１導電部材に供給して前記第１素子部の第１温度を上昇可能であり、
前記検出部は、前記第１動作において、前記第１温度が上昇した第１状態における前記第１抵抗素子の第１抵抗に対応する第１信号と、前記第２信号と、の差に対応する検出値を出力可能である、センサ。
【請求項2】
前記センサ部は、基体をさらに含み、
前記第１素子部及び前記第２抵抗素子は、前記基体に固定された、請求項１に記載のセンサ。
前記第１素子部及び前記第２抵抗素子は、前記基体に固定された、請求項１に記載のセンサ。
【請求項3】
前記センサ部は、
前記基体に固定された第１保持部と、
前記基体に固定された第２保持部と、
をさらに含み、
前記第１保持部は、前記第１素子部を保持し、
前記基体と前記第１素子部との間に第１空隙が設けられ、
前記第２保持部は、前記第２素子部を保持し、
前記基体と前記第２素子部との間に第２空隙が設けられた、請求項２に記載のセンサ。
前記基体に固定された第１保持部と、
前記基体に固定された第２保持部と、
をさらに含み、
前記第１保持部は、前記第１素子部を保持し、
前記基体と前記第１素子部との間に第１空隙が設けられ、
前記第２保持部は、前記第２素子部を保持し、
前記基体と前記第２素子部との間に第２空隙が設けられた、請求項２に記載のセンサ。
【請求項4】
前記制御部は、ドライバ回路と、処理回路と、を含み、
前記ドライバ回路は、前記第１導電部材に前記第１電力を供給可能であり、
前記処理回路は、前記第２信号に基づいて前記ドライバ回路を制御して、前記第１電力を制御可能である、請求項１に記載のセンサ。
前記ドライバ回路は、前記第１導電部材に前記第１電力を供給可能であり、
前記処理回路は、前記第２信号に基づいて前記ドライバ回路を制御して、前記第１電力を制御可能である、請求項１に記載のセンサ。
【請求項5】
前記処理回路は、処理部と、メモリと、を含み、
前記メモリは、前記第２信号の変化と、前記第１電力に関する制御値と、の関係を記憶可能であり、
前記処理部は、前記メモリに記憶された前記関係と、前記制御部に供給された前記第２信号と、に基づいて、前記ドライバ回路を制御可能である、請求項４に記載のセンサ。
前記メモリは、前記第２信号の変化と、前記第１電力に関する制御値と、の関係を記憶可能であり、
前記処理部は、前記メモリに記憶された前記関係と、前記制御部に供給された前記第２信号と、に基づいて、前記ドライバ回路を制御可能である、請求項４に記載のセンサ。
【請求項6】
前記第２信号は、前記センサ部の周りの第２温度に応じて変化し、
前記第１電力は、前記第２温度に応じて変化する、請求項１に記載のセンサ。
前記第１電力は、前記第２温度に応じて変化する、請求項１に記載のセンサ。
【請求項7】
前記第１信号は、前記センサ部の周りの検出対象に応じて変化し、
前記第２信号は前記検出対象に応じて変化しない、または、前記第２信号の前記検出対象に対する変化率は、前記第１信号の前記検出対象に対する変化率よりも低い、請求項１に記載のセンサ。
前記第２信号は前記検出対象に応じて変化しない、または、前記第２信号の前記検出対象に対する変化率は、前記第１信号の前記検出対象に対する変化率よりも低い、請求項１に記載のセンサ。
【請求項8】
前記回路部は、前記第１動作を繰り返して実施可能であり、
前記繰り返しは、第１周期を有し、
前記第１周期は、第１期間と、前記第１期間の後の第２期間と、を含み、
前記第１期間において、前記制御部は、前記第１電力を前記第１導電部材に供給し、前記検出部は、前記検出値を出力し、
前記制御部は、前記第２期間における前記第２信号に基づいて前記第１電力を制御し、
前記第１期間は、前記第２期間よりも短い、請求項１に記載のセンサ。
前記繰り返しは、第１周期を有し、
前記第１周期は、第１期間と、前記第１期間の後の第２期間と、を含み、
前記第１期間において、前記制御部は、前記第１電力を前記第１導電部材に供給し、前記検出部は、前記検出値を出力し、
前記制御部は、前記第２期間における前記第２信号に基づいて前記第１電力を制御し、
前記第１期間は、前記第２期間よりも短い、請求項１に記載のセンサ。
【請求項9】
センサ部であって、前記センサ部は、第１抵抗素子及び第１導電部材を含む第１素子部と、第２抵抗素子を含む第２素子部と、温度センサと、含む、前記センサ部と、
検出部及び制御部を含む回路部と、
を備え、
前記回路部は、第１動作を実施可能であり、
前記制御部は、前記第１動作において、前記温度センサの検出信号に基づいて第１電力を制御可能であり、
前記制御部は、前記第１動作において、前記第１電力を前記第１導電部材に供給して前記第１素子部の第１温度を上昇可能であり、
前記検出部は、前記第１動作において、前記第１温度が上昇した第１状態における前記第１抵抗素子の第１抵抗に対応する第１信号と、前記第２抵抗素子の第２抵抗に対応する第２信号と、の差に対応する検出値を出力可能である、センサ。
検出部及び制御部を含む回路部と、
を備え、
前記回路部は、第１動作を実施可能であり、
前記制御部は、前記第１動作において、前記温度センサの検出信号に基づいて第１電力を制御可能であり、
前記制御部は、前記第１動作において、前記第１電力を前記第１導電部材に供給して前記第１素子部の第１温度を上昇可能であり、
前記検出部は、前記第１動作において、前記第１温度が上昇した第１状態における前記第１抵抗素子の第１抵抗に対応する第１信号と、前記第２抵抗素子の第２抵抗に対応する第２信号と、の差に対応する検出値を出力可能である、センサ。
【請求項10】
前記センサ部は、基体をさらに含み、
前記第１素子部、前記第２素子部及び前記温度センサは、前記基体に固定された、請求項９に記載のセンサ。
前記第１素子部、前記第２素子部及び前記温度センサは、前記基体に固定された、請求項９に記載のセンサ。
【請求項11】
前記センサ部は、
前記基体に固定された第１保持部と、
前記基体に固定された第２保持部と、
をさらに含み、
前記第１保持部は、前記第１素子部を保持し、
前記基体と前記第１素子部との間に第１空隙が設けられ、
前記第２保持部は、前記第２素子部を保持し、
前記基体と前記第２素子部との間に第２空隙が設けられた、請求項１０に記載のセンサ。
前記基体に固定された第１保持部と、
前記基体に固定された第２保持部と、
をさらに含み、
前記第１保持部は、前記第１素子部を保持し、
前記基体と前記第１素子部との間に第１空隙が設けられ、
前記第２保持部は、前記第２素子部を保持し、
前記基体と前記第２素子部との間に第２空隙が設けられた、請求項１０に記載のセンサ。
【請求項12】
前記制御部は、ドライバ回路と、処理回路と、を含み、
前記ドライバ回路は、前記第１導電部材に前記第１電力を供給可能であり、
前記処理回路は、前記検出信号に基づいて前記ドライバ回路を制御して、前記第１電力を制御可能である、請求項９～１１のいずれか１つに記載のセンサ。
前記ドライバ回路は、前記第１導電部材に前記第１電力を供給可能であり、
前記処理回路は、前記検出信号に基づいて前記ドライバ回路を制御して、前記第１電力を制御可能である、請求項９～１１のいずれか１つに記載のセンサ。
【請求項13】
前記処理回路は、処理部と、メモリと、を含み、
前記メモリは、前記検出信号の変化と、前記第１電力に関する制御値と、の関係を記憶可能であり、
前記処理部は、前記メモリに記憶された前記関係と、前記制御部に供給された前記検出信号と、に基づいて、前記ドライバ回路を制御可能である、請求項１２に記載のセンサ。
前記メモリは、前記検出信号の変化と、前記第１電力に関する制御値と、の関係を記憶可能であり、
前記処理部は、前記メモリに記憶された前記関係と、前記制御部に供給された前記検出信号と、に基づいて、前記ドライバ回路を制御可能である、請求項１２に記載のセンサ。
【請求項14】
前記検出信号は、前記センサ部の周りの第２温度に応じて変化し、
前記第１電力は、前記第２温度に応じて変化する、請求項９に記載のセンサ。
前記第１電力は、前記第２温度に応じて変化する、請求項９に記載のセンサ。
【請求項15】
前記第１信号は、前記センサ部の周りの検出対象に応じて変化し、
前記第２信号は前記検出対象に応じて変化しない、または、前記第２信号の前記検出対象に対する変化率は、前記第１信号の前記検出対象に対する変化率よりも低い、請求項９に記載のセンサ。
前記第２信号は前記検出対象に応じて変化しない、または、前記第２信号の前記検出対象に対する変化率は、前記第１信号の前記検出対象に対する変化率よりも低い、請求項９に記載のセンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、センサに関する。
【背景技術】
【0002】
例えば、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）素子などを用いたセンサがある。センサにおいて、特性の向上が望まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０２２－１８８３４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
実施形態は、特性の向上が可能なセンサを提供する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
実施形態によれば、センサは、センサ部及び回路部を含む。前記センサ部は、第１抵抗素子及び第１導電部材を含む第１素子部と、第２抵抗素子を含む第２素子部と、を含む。前記回路部は、検出部及び制御部を含む。前記回路部は、第１動作を実施可能である。前記制御部は、前記第１動作において、前記第２抵抗素子の第２抵抗に対応する第２信号に基づいて第１電力を制御可能である。前記制御部は、前記第１動作において、前記第１電力を前記第１導電部材に供給して前記第１素子部の第１温度を上昇可能である。前記検出部は、前記第１動作において、前記第１温度が上昇した第１状態における前記第１抵抗素子の第１抵抗に対応する第１信号と、前記第２信号と、の差に対応する検出値を出力可能である。
【図面の簡単な説明】
【0006】
【発明を実施するための形態】
【0007】
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【0008】
【0009】
センサ部１０Ｓは、第１素子部１１Ｅ及び第２素子部１２Ｅを含む。第１素子部１１Ｅは、第１抵抗素子１１及び第１導電部材２１を含む。第２素子部１２Ｅは、第２抵抗素子１２を含む。後述するように、第２素子部１２Ｅは、第２導電部材２２を含んでも良い。第１素子部１１Ｅは、第１検出素子１０Ａに含まれる。第２素子部１２Ｅは、第２検出素子１０Ｂに含まれる。
【0010】
回路部７０は、検出部７１及び制御部７２を含む。回路部７０は、第１動作を実施可能である。制御部７２は、第１動作において、第２抵抗素子１２の第２抵抗に対応する第２信号Ｓｒ２に基づいて、第１電力ＰＷ１を制御可能である。制御部７２は、第１動作において、制御された第１電力ＰＷ１を第１導電部材２１に供給して、第１素子部１１Ｅの第１温度を上昇可能である。検出部７１は、第１動作において、第１温度が上昇した第１状態における第１抵抗素子１１の第１抵抗に対応する第１信号Ｓｒ１と、第２信号とＳｒ２、の差に対応する検出値Ｖｏｕｔを出力可能である。第１電力ＰＷ１は、電圧値でも良い。
【0011】
第１導電部材２１は、第１電力ＰＷ１により加熱される。第１導電部材２１は、例えば、ヒータである。第１導電部材２１の熱により、第１素子部１１Ｅの温度が上昇する。これにより、第１抵抗素子１１の温度が上昇する。
【0012】
第１抵抗素子１１の温度の状態は、センサ部１０Ｓ（例えば第１素子部１１Ｅ）の周りの検出対象の状態に応じる。検出対象は、例えば、ガスである。ガスは、例えば、水素または二酸化炭素などである。ガスの種類及びガスの濃度により、熱伝導特性（放熱性）が変化する。放熱性の変化により、第１抵抗素子１１の温度の状態は検出対象の状態に応じる。第１抵抗素子１１の温度を検出することで、検出対象の状態（ガスの種類及び濃度など）を検出できる。センサ１１０は、例えば、熱伝導型ガスセンサである。
【0013】
実施形態においては、第１抵抗素子１１の第１抵抗に対応する第１信号Ｓｒ１と、第２信号とＳｒ２、の差が検出される。これにより、より高い精度で、検出対象を検出できる。第２抵抗素子１２は、例えば、リファレンス素子である。
【0014】
このように、第１信号Ｓｒ１は、センサ部１０Ｓの周りの検出対象に応じて変化する。一方、第２信号Ｓｒ２は、検出対象に応じて変化しない。第２信号Ｓｒ２の検出対象に対する変化率は、第１信号Ｓｒ１の検出対象に対する変化率よりも低い。
【0015】
この例では、第１抵抗素子１１から得られる信号が、第１抵抗電圧変換回路７１ａ（ＲＶＣ）により電圧に変換される。変換により得られる電圧が第１信号Ｓｒ１に対応する。第２抵抗素子１２から得られる信号が、第２抵抗電圧変換回路７１ｂにより電圧に変換される。変換により得られる電圧が、第２信号Ｓｒ２に対応する。これらの信号が、差動回路７１Ｄに入力される。差動回路７１Ｄから、差に対応する検出値Ｖｏｕｔが出力される。
【0016】
上記のような検出動において、第１電力ＰＷ１が一定である参考例が考えられる。この参考例において、例えば、センサ部１０Ｓの環境温度が変化した場合、一定の第１電力ＰＷ１が第１導電部材２１（ヒータ）に供給されると、第１導電部材２１の温度は目的とする温度ではない状態が発生し得る。これにより、検出結果の精度の向上が十分でない場合が生じる。
【0017】
実施形態においては、センサ部１０Ｓの温度の検出結果に基づいて、第１電力ＰＷ１が制御される。図１に示すように、センサ１１０の場合は、第２抵抗素子１２の第２抵抗に対応する第２信号Ｓｒ２が、制御部７２に供給される。制御部７２は、第２信号Ｓｒ２に基づいて、第１電力ＰＷ１を制御する。第２抵抗素子１２の第２抵抗は、センサ部１０Ｓの環境温度に応じる。第２抵抗素子１２の第２抵抗に対応する第２信号Ｓｒ２を用いて第１電力ＰＷ１が制御されることで、第１導電部材２１の温度を高い精度で目的とする状態にすることができる。これにより、高い精度で検出対象を検出できる。実施形態によれば、特性の向上が可能なセンサを提供できる。
【0018】
図１に示すように、この例では、制御部７２は、ドライバ回路７２Ｄと、処理回路７３Ｃと、を含む。ドライバ回路７２Ｄは、第１導電部材２１に第１電力ＰＷ１を供給可能である。ドライバ回路７２Ｄは、第１導電部材２１に、第１電力ＰＷ１に対応する電圧を印加可能で良い。処理回路７３Ｃは、第２信号Ｓｒ２に基づいてドライバ回路７２Ｄを制御して、第１電力ＰＷ１（または電圧）を制御可能である。
【0019】
例えば、ドライバ回路７２Ｄは、標準電圧を発生させる回路を含んで良い。処理回路７３Ｃは、第２信号Ｓｒ２に応じた補正電圧を発生させても良い。標準電圧と補正電圧とを加算することで、第１電力ＰＷ１（電圧）が制御されても良い。
【0020】
図１に示すように、１つの例において、処理回路７３Ｃは、処理部７３Ｒと、メモリ７３Ｍと、を含む。メモリ７３Ｍは、第２信号Ｓｒ２の変化と、第１電力ＰＷ１に関する制御値と、の関係を記憶可能である。例えば、メモリ７３Ｍは、これらの関係に関するテーブルを記憶可能で良い。例えば、メモリ７３Ｍは、これらの関係に関する関数を記憶可能で良い。処理部７３Ｒは、メモリ７３Ｍに記憶された上記の関係と、制御部７２（例えば処理回路７３Ｃ）に供給された第２信号Ｓｒ２と、に基づいて、ドライバ回路７２Ｄを制御可能である。例えば、処理部７３Ｒからドライバ回路７２Ｄに制御信号Ｓｃ１が供給される。
【0021】
第２抵抗素子１２から得られる第２信号Ｓｒ２は、センサ部１０Ｓの周りの第２温度に応じて変化する。第２抵抗素子１２は、温度センサとして機能する。第１電力ＰＷ１は、第２温度（例えば環境温度）に応じて変化する。
【0022】
以下、センサ部１０Ｓの例について説明する。
図２は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式的断面図である。
図３及び図４は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式的平面である。
図２は、図３のＡ１－Ａ２線断面図である。
図２は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式的断面図である。
図３及び図４は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式的平面である。
図２は、図３のＡ１－Ａ２線断面図である。
【0023】
図２に示すように、センサ部１０Ｓは、基体４１をさらに含む。第１素子部１１Ｅ及び第２素子部１２Ｅは、基体４１に固定される。１つの基体４１これらの素子部が設けられることで、第１導電部材２１に電力が供給されない場合に、これらの素子部の温度は実質的に同じになる。これにより、第２抵抗素子１２をリファレンスとして用いた検出において、より高い精度の検出が可能である。
【0024】
第１電力ＰＷ１の制御が、第２抵抗素子１２の第２抵抗に対応する第２信号Ｓｒ２基づいて行われる。第２抵抗素子１２を含む第２素子部１２Ｅは、第１素子部１１Ｅに空間的に近い。第１電力ＰＷ１は、空間的な応答性が良好な制御が行われる。実施形態においては、第１素子部１１Ｅの熱容量は小さい。第１素子部１１Ｅの温度は、短い時間で変化可能である。時間的に高い応答性で、第１電力ＰＷ１を制御できる。
【0025】
図２に示すように、基体４１は、半導体基板４１ｓと、絶縁層４１ｉと、を含んで良い。半導体基板４１ｓは、例えばシリコン基板で良い。絶縁層４１ｉは、半導体基板４１ｓの上に設けられる。半導体基板４１ｓの一部はトランジスタなどを含んで良い。半導体基板４１ｓの一部により回路部７０の少なくとも一部が形成されて良い。
【0026】
図２に示すように、センサ部１０Ｓは、第１保持部３１ａＳ及び第２保持部３２ａＳを含む。第１保持部３１ａＳ及び第２保持部３２ａＳは、基体４１に固定される。第１保持部３１ａＳは、第１素子部１１Ｅを保持する。基体４１と第１素子部１１Ｅとの間に第１空隙ｇ１が設けられる。第２保持部３２ａＳは、第２素子部１２Ｅを保持する。基体４１と第２素子部１２Ｅとの間に第２空隙ｇ２が設けられる。これらの空隙が設けられることで、例えば基体４１を介しての外部からの影響が抑制される。より高い精度が得やすい。
【0027】
第１保持部３１ａＳは、第１検出素子１０Ａに含まれる。第２保持部３２ａＳは、第２検出素子１０Ｂに含まれる。この例では、第１検出素子１０Ａは、第１接続部３１ａＣを含む。第１接続部３１ａＣは、第１素子部１１Ｅを第１保持部３１ａＳに接続する。第２検出素子１０Ｂは、第２接続部３２ａＣを含む。第２接続部３２ａＣは、第２素子部１２Ｅを第２保持部３２ａＳに接続する。これらの接続部は、例えば、ミアンダ構造を有して良い。これらの接続部により、低い熱伝導性が得られる。例えば、効率的に第１素子部１１Ｅを加熱できる。
【0028】
第１素子部１１Ｅは、第１絶縁部材１８Ａを含む。第１絶縁部材１８Ａの少なくとも一部は、第１導電部材２１と第１抵抗素子１１との間に設けられる。
【0029】
この例では、第２素子部１２Ｅは、第２導電部材２２を含む。例えば、第２素子部１２Ｅの構成は、第１素子部１１Ｅの構成と同じである。例えば、第２素子部１２Ｅの熱特性（熱容量など）は、第１素子部１１Ｅの熱特性（熱容量など）と実質的に同じである。より高い精度での補正が可能である。第２導電部材２２には、電力が供給されなくて良い。第２素子部１２Ｅは、第２絶縁部材１８Ｂを含む。第２絶縁部材１８Ｂの少なくとも一部は、第２導電部材２２と第２抵抗素子１２との間に設けられる。
【0030】
この例では、センサ部１０Ｓは、第１対向保持部３１ｂＳ及び第２対向保持部３２ｂＳを含む。第１対向保持部３１ｂＳ及び第２対向保持部３２ｂＳは、基体４１に固定される。第１対向保持部３１ｂＳは、第１素子部１１Ｅを保持する。第２対向保持部３２ｂＳは、第２素子部１２Ｅを保持する。より安定して素子部が保持される。
【0031】
この例では、第１検出素子１０Ａは、第１対向接続部３１ｂＣを含む。第１対向接続部３１ｂＣは、第１素子部１１Ｅを第１対向保持部３１ｂＳに接続する。第２検出素子１０Ｂは、第２対向接続部３２ｂＣを含む。第２対向接続部３２ｂＣは、第２素子部１２Ｅを第２対向保持部３２ｂＳに接続する。
【0032】
図３に示すように、第１検出素子１０Ａは、第１他保持部３１ｃＳ、第１他接続部３１ｃＣ、第１他対向保持部３１ｄＳ及び第１他対向接続部３１ｄＣを含んで良い。第１他保持部３１ｃＳ及び第１他対向保持部３１ｄＳは、基体４１に固定される。第１他接続部３１ｃＣは、第１素子部１１Ｅを第１他保持部３１ｃＳに接続する。第１他対向接続部３１ｄＣは、第１素子部１１Ｅを第１他対向保持部３１ｄＳに接続する。
【0033】
図３に示すように、第２検出素子１０Ｂは、第２他保持部３２ｃＳ、第２他接続部３２ｃＣ、第２他対向保持部３２ｄＳ及び第２他対向接続部３２ｄＣを含んで良い。第２他保持部３２ｃＳ及び第２他対向保持部３２ｄＳは、基体４１に固定される。第２他接続部３２ｃＣは、第２素子部１２Ｅを第２他保持部３２ｃＳに接続する。第２他対向接続部３２ｄＣは、第２素子部１２Ｅを第２他対向保持部３２ｄＳに接続する。
【0034】
この例では、第１抵抗素子１１は、第１接続部３１ａＣ及び第１対向接続部３１ｂＣを介して、外部（例えば回路部７０）と電気的に接続される。第１導電部材２１は、第１他接続部３１ｃＣ及び第１他対向接続部３１ｄＣを介して、外部（例えば回路部７０）と電気的に接続される。
【0035】
この例では、第２抵抗素子１２は、第２接続部３２ａＣ及び第２対向接続部３２ｂＣを介して、外部（例えば回路部７０）と電気的に接続される。第２導電部材２２は外部（例えば回路部７０）と電気的に接続されなくて良い。
【0036】
図４は、第１抵抗素子１１及び第２抵抗素子１２を含む層のパターン形状を例示している。図４に示すように、第１膜１５ａ及び第２膜１５ｂが設けられて良い。第１膜１５ａと第２膜１５ｂとの間に、第１抵抗素子１１が設けられる。これらの膜の材料は、第１抵抗素子１１の材料と同じで良い。第３膜１５ｃ及び第４膜１５ｄが設けられて良い。第３膜１５ｃと第４膜１５ｄとの間に、第２抵抗素子１２が設けられる。これらの膜の材料は、第２抵抗素子１２の材料と同じで良い。これの膜により、例えば、第１素子部１１Ｅ及び第２素子部１２Ｅの変形が抑制される。
【0037】
図５（ａ）～図５（ｅ）は、第１実施形態に係るセンサの動作を例示する模式図である。
これらの図は、第１動作を例示するタイムチャートである。これらの図の横軸は、時間ｔｍである。図５（ａ）の縦軸は、第１電力ＰＷ１の値ＰＷ１（ｔ）である。図５（ｂ）の縦軸は、第１信号Ｓｒ１の値Ｓｒ１（ｔ）である。図５（ｃ）の縦軸は、第２信号Ｓｒ２の値Ｓｒ２（ｔ）である。図５（ｄ）の縦軸は、検出値Ｖｏｕｔの値Ｖｏｕｔ（ｔ）である。図５（ｅ）の縦軸は、制御信号Ｓｃ１の値Ｓｃ１（ｔ）である。
これらの図は、第１動作を例示するタイムチャートである。これらの図の横軸は、時間ｔｍである。図５（ａ）の縦軸は、第１電力ＰＷ１の値ＰＷ１（ｔ）である。図５（ｂ）の縦軸は、第１信号Ｓｒ１の値Ｓｒ１（ｔ）である。図５（ｃ）の縦軸は、第２信号Ｓｒ２の値Ｓｒ２（ｔ）である。図５（ｄ）の縦軸は、検出値Ｖｏｕｔの値Ｖｏｕｔ（ｔ）である。図５（ｅ）の縦軸は、制御信号Ｓｃ１の値Ｓｃ１（ｔ）である。
【0038】
図５（ａ）に示すように、例えば、第１電力ＰＷ１のパルスが繰り返して出力される。パルスは、第１周期Ｔ１で繰り返して出力されて良い。１つのパルスが、１つの第１動作に対応する。図５（ｂ）に示すように、第１電力ＰＷ１のパルスに応じて、第１信号Ｓｒ１が変動する。一方、図５（ｃ）に示すように、例えば、周囲の温度の変化に対応して第２信号Ｓｒ２が変化する。第１信号Ｓｒ１及び第２信号Ｓｒ２に基づいて、これらの信号の差に対応する検出値Ｖｏｕｔが算出される。検出値Ｖｏｕｔは、例えば、検出対象の検出結果に対応する。検出値Ｖｏｕｔは、アナログ値でも良く、デジタル値でも良い。検出値Ｖｏｕｔは、１つの第１周期Ｔ１の間で出力される。
【0039】
図５（ｅ）に示すように、制御信号Ｓｃ１が出力される。制御信号Ｓｃ１は、例えば、第２信号Ｓｒ２に基づく。制御信号Ｓｃ１は、アナログ信号でも良く、デジタル信号でも良い。第１電力ＰＷ１の次のパルスが、制御信号Ｓｃ１に基づいて制御される。このような動作が繰り返して実施されて良い。
【0040】
このように、回路部７０は、第１動作を繰り返して実施可能で良い。繰り返しは、第１周期Ｔ１を有する。例えば、第１周期Ｔ１は、第１期間Ｔｐ１と、第１期間Ｔｐ１の後の第２期間Ｔｐ２と、を含む。この例では、第１期間Ｔｐ１において、制御部７２は、第１電力ＰＷ１を第１導電部材２１に供給し、検出部７１は、検出値Ｖｏｕｔを出力する。制御部７２は、第２期間Ｔｐ２における第２信号Ｓｒ２に基づいて第１電力ＰＷ１を制御しする。例えば、第１期間Ｔｐ１は、第２期間Ｔｐ２よりも短くて良い。第１期間Ｔｐ１が長いことで、例えば、検出対象の検出のための時間が十分に長くでき、高い精度の検出結果が得やすい。第２期間Ｔｐ２が短いことで、第１周期Ｔ１が短くできる。高い頻度の検出動作が実施できる。
【0041】
図６は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式的断面図である。
図６に示すように、実施形態に係るセンサ１１１も、センサ部１０Ｓ、及び、回路部７０（図１参照）を含む。センサ部１０Ｓは、第１素子部１１Ｅ及び第２素子部１２Ｅを含む。第１素子部１１Ｅは、第１抵抗素子１１及び第１導電部材２１を含む。第２素子部１２Ｅは、第２抵抗素子１２を含む。回路部７０は、検出部７１及び制御部７２を含む（図１参照）。
図６に示すように、実施形態に係るセンサ１１１も、センサ部１０Ｓ、及び、回路部７０（図１参照）を含む。センサ部１０Ｓは、第１素子部１１Ｅ及び第２素子部１２Ｅを含む。第１素子部１１Ｅは、第１抵抗素子１１及び第１導電部材２１を含む。第２素子部１２Ｅは、第２抵抗素子１２を含む。回路部７０は、検出部７１及び制御部７２を含む（図１参照）。
【0042】
センサ１１１においては、第１素子部１１Ｅは、ＭＥＭＳ構造を有する。第２素子部１２Ｅは、基体４１に固定され、基体４１と第２素子部１２Ｅとの間に空隙は設けられない。
【0043】
センサ１１１においても、回路部７０は、センサ１１０に関して説明した第１動作（図１参照）を実施可能である。例えば、制御部７２は、第１動作において、第２抵抗素子１２の第２抵抗に対応する第２信号Ｓｒ２に基づいて、第１電力ＰＷ１を制御可能である。制御部７２は、第１動作において、制御された第１電力ＰＷ１を第１導電部材２１に供給して、第１素子部１１Ｅの第１温度を上昇可能である。検出部７１は、第１動作において、第１温度が上昇した第１状態における第１抵抗素子１１の第１抵抗に対応する第１信号Ｓｒ１と、第２信号とＳｒ２、の差に対応する検出値Ｖｏｕｔを出力可能である。センサ１１１においても、高い精度で検出対象を検出できる。実施形態によれば、特性の向上が可能なセンサを提供できる。
【0044】
（第２実施形態）
図７は、第２実施形態に係るセンサを例示するブロック図である。
図７に示すように、実施形態に係るセンサ１２０は、センサ部１０Ｓ及び回路部７０を含む。センサ１２０においては、センサ部１０Ｓは、温度センサ１３を含む。これを除くセンサ１２０の構成は、センサ１１０の構成と同様でよい。
図７は、第２実施形態に係るセンサを例示するブロック図である。
図７に示すように、実施形態に係るセンサ１２０は、センサ部１０Ｓ及び回路部７０を含む。センサ１２０においては、センサ部１０Ｓは、温度センサ１３を含む。これを除くセンサ１２０の構成は、センサ１１０の構成と同様でよい。
【0045】
センサ１２０において、センサ部１０Ｓは、第１素子部１１Ｅ、第２素子部１２Ｅ及び温度センサ１３を含む。第１素子部１１Ｅは、第１抵抗素子１１及び第１導電部材２１を含む。第２素子部１２Ｅは、第２抵抗素子１２を含む。第２素子部１２Ｅは、第２導電部材２２を含んで良い。
【0046】
センサ１２０において、回路部７０は、検出部７１及び制御部７２を含む。回路部７０は、第１動作を実施可能である。制御部７２は、第１動作において、温度センサ１３の検出信号Ｓｒ３に基づいて第１電力ＰＷ１を制御可能である。制御部７２は、第１動作において、制御された第１電力ＰＷ１を第１導電部材２１に供給して第１素子部１１Ｅの第１温度を上昇可能である。検出部７１は、第１動作において、第１温度が上昇した第１状態における第１抵抗素子１１の第１抵抗に対応する第１信号Ｓｒ１と、第２抵抗素子１２の第２抵抗に対応する第２信号Ｓｒ２と、の差に対応する検出値Ｖｏｕｔを出力可能である。
【0047】
センサ１２０において、温度センサ１３の検出信号Ｓｒ３を用いて第１電力ＰＷ１が制御される。これにより、第１導電部材２１の温度を高い精度で目的とする状態にすることができる。これにより、高い精度で検出対象を検出できる。実施形態によれば、特性の向上が可能なセンサを提供できる。
【0048】
制御部７２は、ドライバ回路７２Ｄと、処理回路７３Ｃと、を含んで良い。ドライバ回路７２Ｄは、第１導電部材２１に第１電力ＰＷ１を供給可能である。処理回路７３Ｃは、検出信号Ｓｒ３に基づいてドライバ回路７２Ｄを制御して、第１電力ＰＷ１を制御可能である。例えば、処理部７３Ｒからドライバ回路７２Ｄに制御信号Ｓｃ１が供給される。
【0049】
例えば、処理回路７３Ｃは、処理部７３Ｒと、メモリ７３Ｍと、を含んで良い。メモリ７３Ｍは、検出信号Ｓｒ３の変化と、第１電力ＰＷ１に関する制御値と、の関係を記憶可能である。処理部７３Ｒは、メモリ７３Ｍに記憶された上記の関係と、制御部７２（例えば処理回路７３Ｃ）に供給された検出信号Ｓｒ３と、に基づいて、ドライバ回路７２Ｄを制御可能である。
【0050】
センサ１２０において、検出信号Ｓｒ３は、センサ部１０Ｓの周りの第２温度に応じて変化する。例えば、第１電力ＰＷ１は、第２温度に応じて変化する。
【0051】
例えば、第１抵抗素子１１に対応する第１信号Ｓｒ１は、センサ部１０Ｓの周りの検出対象（例えば検出対象ガスの状態）に応じて変化する。第２信号Ｓｒ２は検出対象に応じて変化しない。または、第２信号Ｓｒ２の検出対象に対する変化率は、第１信号Ｓｒ１の検出対象に対する変化率よりも低い。
【0052】
図８は、第２実施形態に係るセンサを例示する模式的断面図である。
図８に示すように、センサ１２０において、センサ部１０Ｓは基体４１をさらに含む。第１素子部１１Ｅ、第２素子部１２Ｅ及び温度センサ１３は、基体４１に固定される。空間的に高い応答性での制御が可能になる。温度センサ１３として、任意の素子が適用できる。
図８に示すように、センサ１２０において、センサ部１０Ｓは基体４１をさらに含む。第１素子部１１Ｅ、第２素子部１２Ｅ及び温度センサ１３は、基体４１に固定される。空間的に高い応答性での制御が可能になる。温度センサ１３として、任意の素子が適用できる。
【0053】
例えば、センサ部１０Ｓは、基体４１に固定された第１保持部３１ａＳと、基体４１に固定された第２保持部３２ａＳと、を含む。第１保持部３１ａＳは、第１素子部１１Ｅを保持する。基体４１と第１素子部１１Ｅとの間に第１空隙ｇ１が設けられる。第２保持部３２ａＳは、第２素子部１２Ｅを保持する。基体４１と第２素子部１２Ｅとの間に第２空隙ｇ２が設けられる。効率良く第１導電部材２１を加熱できる。基体４１などを介しての外部からの熱的な影響を抑制できる。より高い精度での検出が可能になる。
【0054】
実施形態は、以下の構成（技術案）を含んで良い。
（構成１）
センサ部であって、前記センサ部は、第１抵抗素子及び第１導電部材を含む第１素子部と、第２抵抗素子を含む第２素子部と、を含む、前記センサ部と、
検出部及び制御部を含む回路部と、
を備え、
前記回路部は、第１動作を実施可能であり、
前記制御部は、前記第１動作において、前記第２抵抗素子の第２抵抗に対応する第２信号に基づいて第１電力を制御可能であり、
前記制御部は、前記第１動作において、前記第１電力を前記第１導電部材に供給して前記第１素子部の第１温度を上昇可能であり、
前記検出部は、前記第１動作において、前記第１温度が上昇した第１状態における前記第１抵抗素子の第１抵抗に対応する第１信号と、前記第２信号と、の差に対応する検出値を出力可能である、センサ。
（構成２）
前記センサ部は、基体をさらに含み、
前記第１素子部及び前記第２抵抗素子は、前記基体に固定された、構成１に記載のセンサ。
（構成３）
前記センサ部は、
前記基体に固定された第１保持部と、
前記基体に固定された第２保持部と、
をさらに含み、
前記第１保持部は、前記第１素子部を保持し、
前記基体と前記第１素子部との間に第１空隙が設けられ、
前記第２保持部は、前記第２素子部を保持し、
前記基体と前記第２素子部との間に第２空隙が設けられた、構成２に記載のセンサ。
（構成４）
前記制御部は、ドライバ回路と、処理回路と、を含み、
前記ドライバ回路は、前記第１導電部材に前記第１電力を供給可能であり、
前記処理回路は、前記第２信号に基づいて前記ドライバ回路を制御して、前記第１電力を制御可能である、構成１～３のいずれか１つに記載のセンサ。
（構成５）
前記処理回路は、処理部と、メモリと、を含み、
前記メモリは、前記第２信号の変化と、前記第１電力に関する制御値と、の関係を記憶可能であり、
前記処理部は、前記メモリに記憶された前記関係と、前記制御部に供給された前記第２信号と、に基づいて、前記ドライバ回路を制御可能である、構成４に記載のセンサ。
（構成６）
前記第２信号は、前記センサ部の周りの第２温度に応じて変化し、
前記第１電力は、前記第２温度に応じて変化する、構成１～５のいずれか１つに記載のセンサ。
（構成７）
前記第１信号は、前記センサ部の周りの検出対象に応じて変化し、
前記第２信号は前記検出対象に応じて変化しない、または、前記第２信号の前記検出対象に対する変化率は、前記第１信号の前記検出対象に対する変化率よりも低い、構成１～６のいずれか１つに記載のセンサ。
（構成８）
前記回路部は、前記第１動作を繰り返して実施可能であり、
前記繰り返しは、第１周期を有し、
前記第１周期は、第１期間と、前記第１期間の後の第２期間と、を含み、
前記第１期間において、前記制御部は、前記第１電力を前記第１導電部材に供給し、前記検出部は、前記検出値を出力し、
前記制御部は、前記第２期間における前記第２信号に基づいて前記第１電力を制御し、
前記第１期間は、前記第２期間よりも短い、構成１～７のいずれか１つに記載のセンサ。
（構成９）
センサ部であって、前記センサ部は、第１抵抗素子及び第１導電部材を含む第１素子部と、第２抵抗素子を含む第２素子部と、温度センサと、含む、前記センサ部と、
検出部及び制御部を含む回路部と、
を備え、
前記回路部は、第１動作を実施可能であり、
前記制御部は、前記第１動作において、前記温度センサの検出信号に基づいて第１電力を制御可能であり、
前記制御部は、前記第１動作において、前記第１電力を前記第１導電部材に供給して前記第１素子部の第１温度を上昇可能であり、
前記検出部は、前記第１動作において、前記第１温度が上昇した第１状態における前記第１抵抗素子の第１抵抗に対応する第１信号と、前記第２抵抗素子の第２抵抗に対応する第２信号と、の差に対応する検出値を出力可能である、センサ。
（構成１０）
前記センサ部は、基体をさらに含み、
前記第１素子部、前記第２素子部及び前記温度センサは、前記基体に固定された、構成９に記載のセンサ。
（構成１１）
前記センサ部は、
前記基体に固定された第１保持部と、
前記基体に固定された第２保持部と、
をさらに含み、
前記第１保持部は、前記第１素子部を保持し、
前記基体と前記第１素子部との間に第１空隙が設けられ、
前記第２保持部は、前記第２素子部を保持し、
前記基体と前記第２素子部との間に第２空隙が設けられた、構成１０に記載のセンサ。
（構成１２）
前記制御部は、ドライバ回路と、処理回路と、を含み、
前記ドライバ回路は、前記第１導電部材に前記第１電力を供給可能であり、
前記処理回路は、前記検出信号に基づいて前記ドライバ回路を制御して、前記第１電力を制御可能である、構成９～１１のいずれか１つに記載のセンサ。
（構成１３）
前記処理回路は、処理部と、メモリと、を含み、
前記メモリは、前記検出信号の変化と、前記第１電力に関する制御値と、の関係を記憶可能であり、
前記処理部は、前記メモリに記憶された前記関係と、前記制御部に供給された前記検出信号と、に基づいて、前記ドライバ回路を制御可能である、構成１２に記載のセンサ。
（構成１４）
前記検出信号は、前記センサ部の周りの第２温度に応じて変化し、
前記第１電力は、前記第２温度に応じて変化する、構成９～１３のいずれか１つに記載のセンサ。
（構成１５）
前記第１信号は、前記センサ部の周りの検出対象に応じて変化し、
前記第２信号は前記検出対象に応じて変化しない、または、前記第２信号の前記検出対象に対する変化率は、前記第１信号の前記検出対象に対する変化率よりも低い、構成９～１４のいずれか１つに記載のセンサ。
（構成１）
センサ部であって、前記センサ部は、第１抵抗素子及び第１導電部材を含む第１素子部と、第２抵抗素子を含む第２素子部と、を含む、前記センサ部と、
検出部及び制御部を含む回路部と、
を備え、
前記回路部は、第１動作を実施可能であり、
前記制御部は、前記第１動作において、前記第２抵抗素子の第２抵抗に対応する第２信号に基づいて第１電力を制御可能であり、
前記制御部は、前記第１動作において、前記第１電力を前記第１導電部材に供給して前記第１素子部の第１温度を上昇可能であり、
前記検出部は、前記第１動作において、前記第１温度が上昇した第１状態における前記第１抵抗素子の第１抵抗に対応する第１信号と、前記第２信号と、の差に対応する検出値を出力可能である、センサ。
（構成２）
前記センサ部は、基体をさらに含み、
前記第１素子部及び前記第２抵抗素子は、前記基体に固定された、構成１に記載のセンサ。
（構成３）
前記センサ部は、
前記基体に固定された第１保持部と、
前記基体に固定された第２保持部と、
をさらに含み、
前記第１保持部は、前記第１素子部を保持し、
前記基体と前記第１素子部との間に第１空隙が設けられ、
前記第２保持部は、前記第２素子部を保持し、
前記基体と前記第２素子部との間に第２空隙が設けられた、構成２に記載のセンサ。
（構成４）
前記制御部は、ドライバ回路と、処理回路と、を含み、
前記ドライバ回路は、前記第１導電部材に前記第１電力を供給可能であり、
前記処理回路は、前記第２信号に基づいて前記ドライバ回路を制御して、前記第１電力を制御可能である、構成１～３のいずれか１つに記載のセンサ。
（構成５）
前記処理回路は、処理部と、メモリと、を含み、
前記メモリは、前記第２信号の変化と、前記第１電力に関する制御値と、の関係を記憶可能であり、
前記処理部は、前記メモリに記憶された前記関係と、前記制御部に供給された前記第２信号と、に基づいて、前記ドライバ回路を制御可能である、構成４に記載のセンサ。
（構成６）
前記第２信号は、前記センサ部の周りの第２温度に応じて変化し、
前記第１電力は、前記第２温度に応じて変化する、構成１～５のいずれか１つに記載のセンサ。
（構成７）
前記第１信号は、前記センサ部の周りの検出対象に応じて変化し、
前記第２信号は前記検出対象に応じて変化しない、または、前記第２信号の前記検出対象に対する変化率は、前記第１信号の前記検出対象に対する変化率よりも低い、構成１～６のいずれか１つに記載のセンサ。
（構成８）
前記回路部は、前記第１動作を繰り返して実施可能であり、
前記繰り返しは、第１周期を有し、
前記第１周期は、第１期間と、前記第１期間の後の第２期間と、を含み、
前記第１期間において、前記制御部は、前記第１電力を前記第１導電部材に供給し、前記検出部は、前記検出値を出力し、
前記制御部は、前記第２期間における前記第２信号に基づいて前記第１電力を制御し、
前記第１期間は、前記第２期間よりも短い、構成１～７のいずれか１つに記載のセンサ。
（構成９）
センサ部であって、前記センサ部は、第１抵抗素子及び第１導電部材を含む第１素子部と、第２抵抗素子を含む第２素子部と、温度センサと、含む、前記センサ部と、
検出部及び制御部を含む回路部と、
を備え、
前記回路部は、第１動作を実施可能であり、
前記制御部は、前記第１動作において、前記温度センサの検出信号に基づいて第１電力を制御可能であり、
前記制御部は、前記第１動作において、前記第１電力を前記第１導電部材に供給して前記第１素子部の第１温度を上昇可能であり、
前記検出部は、前記第１動作において、前記第１温度が上昇した第１状態における前記第１抵抗素子の第１抵抗に対応する第１信号と、前記第２抵抗素子の第２抵抗に対応する第２信号と、の差に対応する検出値を出力可能である、センサ。
（構成１０）
前記センサ部は、基体をさらに含み、
前記第１素子部、前記第２素子部及び前記温度センサは、前記基体に固定された、構成９に記載のセンサ。
（構成１１）
前記センサ部は、
前記基体に固定された第１保持部と、
前記基体に固定された第２保持部と、
をさらに含み、
前記第１保持部は、前記第１素子部を保持し、
前記基体と前記第１素子部との間に第１空隙が設けられ、
前記第２保持部は、前記第２素子部を保持し、
前記基体と前記第２素子部との間に第２空隙が設けられた、構成１０に記載のセンサ。
（構成１２）
前記制御部は、ドライバ回路と、処理回路と、を含み、
前記ドライバ回路は、前記第１導電部材に前記第１電力を供給可能であり、
前記処理回路は、前記検出信号に基づいて前記ドライバ回路を制御して、前記第１電力を制御可能である、構成９～１１のいずれか１つに記載のセンサ。
（構成１３）
前記処理回路は、処理部と、メモリと、を含み、
前記メモリは、前記検出信号の変化と、前記第１電力に関する制御値と、の関係を記憶可能であり、
前記処理部は、前記メモリに記憶された前記関係と、前記制御部に供給された前記検出信号と、に基づいて、前記ドライバ回路を制御可能である、構成１２に記載のセンサ。
（構成１４）
前記検出信号は、前記センサ部の周りの第２温度に応じて変化し、
前記第１電力は、前記第２温度に応じて変化する、構成９～１３のいずれか１つに記載のセンサ。
（構成１５）
前記第１信号は、前記センサ部の周りの検出対象に応じて変化し、
前記第２信号は前記検出対象に応じて変化しない、または、前記第２信号の前記検出対象に対する変化率は、前記第１信号の前記検出対象に対する変化率よりも低い、構成９～１４のいずれか１つに記載のセンサ。
【0055】
実施形態によれば、特性の向上が可能なセンサが提供できる。
【0056】
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、センサに含まれる基体、センサ部及び制御部などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。
【0057】
また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
【0058】
その他、本発明の実施の形態として上述したセンサを基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全てのセンサも、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
【0059】
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
【0060】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【0061】
１０Ａ、１０Ｂ：第１、第２検出素子、 １０Ｓ：センサ部、 １１、１２：第１、第２抵抗素子、 １１Ｅ、１２Ｅ：第１、第２素子部、 １３：温度センサ、 １５ａ～１５ｄ：第１～第４膜、 １８Ａ、１８Ｂ：第１、第２絶縁部材、 ２１、２２：第１、第２導電部材、 ３１ａＣ、３２ａＣ：第１、第２接続部、 ３１ａＳ、３２ａＳ：第１、第２保持部、 ３１ｂＣ、３２ｂＣ：第１、第２対向接続部、 ３１ｂＳ、３２ｂＳ：第１、第２対向保持部、 ３１ｃＣ、３２ｃＣ：第１、第２他接続部、 ３１ｃＳ、３２ｃＳ：第１、第２他保持部、 ３１ｄＣ、３２ｄＣ：第１、第２他対向接続部、 ３１ｄＳ、３２ｄＳ：第１、第２他対向保持部、 ４１：基体、 ４１ｉ：絶縁層、 ４１ｓ：半導体基板、 ７０：回路部、 ７１：検出部、 ７１Ｄ：差動回路、 ７１ａ、７１ｂ：第１、第２抵抗電圧変換回路、 ７２：制御部、 ７２Ｄ：ドライバ回路、 ７３Ｃ：処理回路、 ７３Ｍ：メモリ、 ７３Ｒ：処理部、 １１０、１１１、１２０：センサ、 ＰＷ１：第１電力、 Ｓｃ１：制御信号、 Ｓｒ１、Ｓｒ２：第１、第２信号、 Ｓｒ３：検出信号、 Ｔ１：周期、 Ｖｏｕｔ：検出値、 ｇ１、ｇ２：第１、第２空隙
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】