特開 2024-175992 表示装置の製造方法および表示装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024175992

(43)【公開日】2024-12-19

(54)【発明の名称】表示装置の製造方法および表示装置

(51)【国際特許分類】

   H10K 71/20 20230101AFI20241212BHJP

   H10K 50/10 20230101ALI20241212BHJP

   H10K 50/844 20230101ALI20241212BHJP

   H10K 59/122 20230101ALI20241212BHJP

   H10K 50/818 20230101ALI20241212BHJP

   H10K 50/828 20230101ALI20241212BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20241212BHJP

   G09F 9/00 20060101ALI20241212BHJP

【ＦＩ】

H10K71/20

H10K50/10

H10K50/844

H10K59/122

H10K50/818

H10K50/828

G09F9/30 365

G09F9/30 349Z

G09F9/00 338

G09F9/30 309

【審査請求】未請求

【請求項の数】10

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023094156

(22)【出願日】2023-06-07

(71)【出願人】

【識別番号】502356528

【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ

(74)【代理人】

【識別番号】110001737

【氏名又は名称】弁理士法人スズエ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】田畠 弘志

【テーマコード（参考）】

3K107

5C094

5G435

【Ｆターム（参考）】

3K107AA01

3K107BB01

3K107BB08

3K107CC23

3K107CC33

3K107CC45

3K107DD23

3K107DD27

3K107DD89

3K107DD91

3K107DD95

3K107EE48

3K107FF15

3K107GG12

3K107GG28

5C094AA31

5C094BA27

5C094DA07

5C094DA15

5C094EA07

5C094EA10

5C094EC04

5C094FA01

5C094FA02

5C094FA03

5C094GB10

5C094JA08

5C094JA09

5G435AA14

5G435BB05

5G435KK05

(57)【要約】

【課題】信頼性の低下を抑制することが可能な表示装置の製造方法および表示装置を提供すること。
【解決手段】一実施形態に係る表示装置の製造方法は、下電極を形成し、下電極を覆う無機絶縁層を形成し、無機絶縁層の上に、導電性の下部と、下部の側面から突出した端部を有する上部とを含む隔壁を形成し、第１方向に延びる一対の第１直線部と、第１方向と交差する第２方向に延びる一対の第２直線部と、隣り合う第１直線部および第２直線部を接続する円弧状の４つの角部とを有する開口を備えたフォトマスクを用いてパターニングされたレジストを、無機絶縁層の上に形成し、無機絶縁層のうちレジストから露出した部分を除去することにより、下電極と重なる画素開口を有するリブを形成する。
【選択図】 図６

【特許請求の範囲】

【請求項1】

下電極を形成し、
前記下電極を覆う無機絶縁層を形成し、
前記無機絶縁層の上に、導電性の下部と、前記下部の側面から突出した端部を有する上部とを含む隔壁を形成し、
第１方向に延びる一対の第１直線部と、前記第１方向と交差する第２方向に延びる一対の第２直線部と、隣り合う第１直線部および第２直線部を接続する円弧状の４つの角部とを有する開口を備えたフォトマスクを用いてパターニングされたレジストを、前記無機絶縁層の上に形成し、
前記無機絶縁層のうち前記レジストから露出した部分を除去することにより、前記下電極と重なる画素開口を有するリブを形成する、
表示装置の製造方法。

【請求項2】

前記リブは、前記画素開口の全周にわたりテーパー形状の端部を有する、
請求項１に記載の表示装置の製造方法。

【請求項3】

前記リブの端部の傾斜角は、４５°以下である、
請求項２に記載の表示装置の製造方法。

【請求項4】

前記角部の各々の曲率半径は、３μｍ以上である、
請求項１に記載の表示装置の製造方法。

【請求項5】

前記フォトマスクは、前記角部の各々に対応する領域に配置されたハーフトーン膜と、前記角部の各々に対応する領域と前記開口以外の領域に配置されたクロム膜とからなる、
請求項１に記載の表示装置の製造方法。

【請求項6】

前記ハーフトーン膜の幅は、４μｍ以上である、
請求項５に記載の表示装置の製造方法。

【請求項7】

前記下電極を覆うとともに、電圧の印加に応じて発光する有機層を形成し、
前記有機層を覆うとともに、前記下部に接触する上電極を形成する、
ことをさらに含む請求項１～請求項６のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。

【請求項8】

前記有機層および前記上電極を含む積層膜と、前記隔壁とを連続的に覆う封止層を形成する、
ことをさらに含む請求項７に記載の表示装置の製造方法。

【請求項9】

下電極と、
前記下電極と重なる画素開口を有するリブと、
前記リブの上に配置される導電性の下部と、前記下部の側面から突出した端部を有する上部とを含む隔壁と、
前記画素開口を通じて前記下電極に接触する有機層と、前記有機層を覆う上電極とを含む積層膜と、
前記積層膜を覆う封止層と、
を備え、
前記リブは、前記画素開口の全周にわたりテーパー形状の端部を有する、
表示装置。

【請求項10】

前記リブの端部の傾斜角は、４５°以下である、
請求項９に記載の表示装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の実施形態は、表示装置の製造方法および表示装置に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を適用した表示装置が実用化されている。この表示素子は、下電極と、下電極を覆う有機層と、有機層を覆う上電極とを備えている。

【0003】

上記のような表示装置を製造するにあたり、信頼性の低下を抑制する技術が必要とされている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０００－１９５６７７号公報

【特許文献2】特開２００４－２０７２１７号公報

【特許文献3】特開２００８－１３５３２５号公報

【特許文献4】特開２００９－３２６７３号公報

【特許文献5】特開２０１０－１１８１９１号公報

【特許文献6】国際公開第２０１８／１７９３０８号

【特許文献7】米国特許出願公開第２０２２／００７７２５１号明細書

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本発明の目的は、信頼性の低下を抑制することが可能な表示装置の製造方法および表示装置を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0006】

一実施形態に係る表示装置の製造方法は、下電極を形成し、前記下電極を覆う無機絶縁層を形成し、前記無機絶縁層の上に、導電性の下部と、前記下部の側面から突出した端部を有する上部とを含む隔壁を形成し、第１方向に延びる一対の第１直線部と、前記第１方向と交差する第２方向に延びる一対の第２直線部と、隣り合う第１直線部および第２直線部を接続する円弧状の４つの角部とを有する開口を備えたフォトマスクを用いてパターニングされたレジストを、前記無機絶縁層の上に形成し、前記無機絶縁層のうち前記レジストから露出した部分を除去することにより、前記下電極と重なる画素開口を有するリブを形成する。

【0007】

一実施形態に係る表示装置は、下電極と、前記下電極と重なる画素開口を有するリブと、前記リブの上に配置される導電性の下部と、前記下部の側面から突出した端部を有する上部とを含む隔壁と、前記画素開口を通じて前記下電極に接触する有機層と、前記有機層を覆う上電極とを含む積層膜と、前記積層膜を覆う封止層と、を備え、前記リブは、前記画素開口の全周にわたりテーパー形状の端部を有する。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】図１は、一実施形態に係る表示装置の構成例を示す図である。

【図2】図２は、副画素のレイアウトの一例を示す図である。

【図3】図３は、図２中のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿う表示パネルの概略的な断面図である。

【図4】図４は、同実施形態に係る画素開口の平面形状を示す概略的な平面図である。

【図5】図５は、同実施形態に係る画素開口を有するリブに適用し得る構造の一例を示す図である。

【図6】図６は、同実施形態に係るフォトマスクの一部を示す概略的な平面図である。

【図7】図７は、同実施形態に係るフォトマスクの一部を示す概略的な平面図である。

【図8】図８は、同実施形態に係る製造方法における画素開口を形成する工程を説明するための図である。

【図9】図９は、同実施形態に係る製造方法における画素開口を形成する工程を説明するための図である。

【図10】図１０は、比較例に係る製造方法において用いられるフォトマスクの一部を示す概略的な平面図である。

【図11】図１１は、比較例に係る製造方法における画素開口を形成する工程を説明するための図である。

【図12】図１２は、比較例に係る製造方法により製造された表示装置の一部を示す概略的な断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、図面を参照して実施形態を説明する。
なお、開示はあくまで一例にすぎず、以下の実施形態に記載した内容により発明が限定されるものではない。当業者が容易に想到し得る変形は、当然に開示の範囲に含まれる。説明をより明確にするため、図面において、各部分のサイズ、形状等を実際の実施態様に対して変更して模式的に表す場合もある。複数の図面において、対応する要素には同じ参照数字を付して、詳細な説明を省略する場合もある。

【0010】

図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向を第１方向と称し、Ｙ軸に沿った方向を第２方向と称し、Ｚ軸に沿った方向を第３方向と称する。第３方向Ｚは、第１方向Ｘと第２方向Ｙを含む平面に対して法線方向である。また、第３方向Ｚと平行に各種要素を見ることを平面視という。

【0011】

本実施形態に係る表示装置は、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パーソナルコンピュータ、車載機器、タブレット端末、スマートフォン、携帯電話端末、ウェアラブル端末等の各種の電子機器に搭載され得る。

【0012】

図１は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０を含む表示パネルＰＮＬを備えている。表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周辺の周辺領域ＳＡとを有している。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。

【0013】

本実施形態においては、平面視における基板１０の形状が長方形である。但し、基板１０の平面視における形状は長方形に限られず、正方形、円形あるいは楕円形などの他の形状であってもよい。

【0014】

表示領域ＤＡは、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙにマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、複数の副画素ＳＰを含む。一例では、画素ＰＸは、青色の副画素ＳＰ１、緑色の副画素ＳＰ２および赤色の副画素ＳＰ３を含む。なお、画素ＰＸは、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３とともに、あるいは副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のいずれかに代えて、白色などの他の色の副画素ＳＰを含んでもよい。

【0015】

副画素ＳＰは、画素回路１と、画素回路１によって駆動される表示素子ＤＥとを備えている。画素回路１は、画素スイッチ２と、駆動トランジスタ３と、キャパシタ４とを備えている。画素スイッチ２および駆動トランジスタ３は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイッチング素子である。

【0016】

画素スイッチ２のゲート電極は、走査線ＧＬに接続されている。画素スイッチ２のソース電極およびドレイン電極の一方は信号線ＳＬに接続され、他方は駆動トランジスタ３のゲート電極およびキャパシタ４に接続されている。駆動トランジスタ３において、ソース電極およびドレイン電極の一方は電源線ＰＬおよびキャパシタ４に接続され、他方は表示素子ＤＥに接続されている。

【0017】

なお、画素回路１の構成は図示した例に限られない。例えば、画素回路１は、より多くの薄膜トランジスタおよびキャパシタを備えてもよい。

【0018】

図２は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトの一例を示す概略的な平面図である。図２の例においては、副画素ＳＰ２，ＳＰ３がそれぞれ副画素ＳＰ１と第１方向Ｘに並んでいる。さらに、副画素ＳＰ２と副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに並んでいる。

【0019】

副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がこのようなレイアウトである場合、表示領域ＤＡには、副画素ＳＰ２，ＳＰ３が第２方向Ｙに交互に配置された列と、複数の副画素ＳＰ１が第２方向Ｙに繰り返し配置された列とが形成される。これらの列は、第１方向Ｘに交互に並ぶ。なお、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトは図２の例に限られない。

【0020】

表示領域ＤＡには、リブ５が配置されている。リブ５は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３においてそれぞれ画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を有している。図２の例においては、画素開口ＡＰ１が画素開口ＡＰ２よりも大きく、画素開口ＡＰ２が画素開口ＡＰ３よりも大きい。

【0021】

副画素ＳＰ１は、画素開口ＡＰ１とそれぞれ重なる下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１を備えている。副画素ＳＰ２は、画素開口ＡＰ２とそれぞれ重なる下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２を備えている。副画素ＳＰ３は、画素開口ＡＰ３とそれぞれ重なる下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３を備えている。

【0022】

下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１のうち画素開口ＡＰ１と重なる部分は、副画素ＳＰ１の表示素子ＤＥ１を構成する。下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２のうち画素開口ＡＰ２と重なる部分は、副画素ＳＰ２の表示素子ＤＥ２を構成する。下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３のうち画素開口ＡＰ３と重なる部分は、副画素ＳＰ３の表示素子ＤＥ３を構成する。表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３は、後述するキャップ層をさらに含んでもよい。リブ５は、これら表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３の各々を囲っている。

【0023】

下電極ＬＥ１は、コンタクトホールＣＨ１を通じて副画素ＳＰ１の画素回路１（図１参照）に接続されている。下電極ＬＥ２は、コンタクトホールＣＨ２を通じて副画素ＳＰ２の画素回路１に接続されている。下電極ＬＥ３は、コンタクトホールＣＨ３を通じて副画素ＳＰ３の画素回路１に接続されている。

【0024】

リブ５の上には、隔壁６が配置されている。隔壁６は、全体的にリブ５と重なっており、リブ５と同様の平面形状を有している。すなわち、隔壁６は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３においてそれぞれ開口ＡＰ６１，ＡＰ６２，ＡＰ６３を有している。他の観点からいうと、リブ５および隔壁６は、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３の間に配置されており、平面視において格子状である。

【0025】

図３は、図２中のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿う表示パネルＰＮＬ（表示装置ＤＳＰ）の概略的な断面図である。上述の基板１０の上に回路層１１が配置されている。回路層１１は、図１に示した画素回路１、走査線ＧＬ、信号線ＳＬおよび電源線ＰＬなどの各種回路や配線を含む。

【0026】

回路層１１は、有機絶縁層１２により覆われている。有機絶縁層１２は、回路層１１により生じる凹凸を平坦化する平坦化膜として機能する。図３の断面には表れていないが、上述のコンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２，ＣＨ３は有機絶縁層１２に設けられている。

【0027】

下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、有機絶縁層１２の上に配置されている。リブ５は、有機絶縁層１２および下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の上に配置されている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の端部は、リブ５により覆われている。

【0028】

隔壁６は、リブ５の上に配置された導電性を有する下部６１と、下部６１の上に配置された上部６２とを含む。上部６２は、下部６１よりも大きい幅を有している。これにより、上部６２の両端部が下部６１の側面よりも突出している。このような隔壁６の形状は、オーバーハング状と呼ばれる。

【0029】

有機層ＯＲ１は、画素開口ＡＰ１を通じて下電極ＬＥ１を覆っている。上電極ＵＥ１は、有機層ＯＲ１を覆い、下電極ＬＥ１と対向している。有機層ＯＲ２は、画素開口ＡＰ２を通じて下電極ＬＥ２を覆っている。上電極ＵＥ２は、有機層ＯＲ２を覆い、下電極ＬＥ２と対向している。有機層ＯＲ３は、画素開口ＡＰ３を通じて下電極ＬＥ３を覆っている。上電極ＵＥ３は、有機層ＯＲ３を覆い、下電極ＬＥ３と対向している。上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、隔壁６の下部６１の側面に接触している。

【0030】

図３の例においては、上電極ＵＥ１の上にキャップ層ＣＰ１が配置され、上電極ＵＥ２の上にキャップ層ＣＰ２が配置され、上電極ＵＥ３の上にキャップ層ＣＰ３が配置されている。キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は、それぞれ有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３が発する光の取り出し効率を向上させる光学調整層としての役割を有している。

【0031】

以下の説明においては、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１およびキャップ層ＣＰ１を含む多層体を積層膜ＦＬ１と呼び、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２およびキャップ層ＣＰ２を含む多層体を積層膜ＦＬ２と呼び、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３およびキャップ層ＣＰ３を含む多層体を積層膜ＦＬ３と呼ぶ。

【0032】

積層膜ＦＬ１の一部は、上部６２の上に位置している。当該一部は、積層膜ＦＬ１のうち隔壁６の下に位置する部分（表示素子ＤＥ１を構成する部分）と離間している。同様に、積層膜ＦＬ２の一部は上部６２の上に位置し、当該一部は積層膜ＦＬ２のうち隔壁６の下に位置する部分（表示素子ＤＥ２を構成する部分）と離間している。さらに、積層膜ＦＬ３の一部は上部６２の上に位置し、当該一部は積層膜ＦＬ３のうち隔壁６の下に位置する部分（表示素子ＤＥ３を構成する部分）と離間している。

【0033】

副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３には、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３がそれぞれ配置されている。封止層ＳＥ１は、積層膜ＦＬ１や副画素ＳＰ１の周囲の隔壁６を連続的に覆っている。封止層ＳＥ２は、積層膜ＦＬ２や副画素ＳＰ２の周囲の隔壁６を連続的に覆っている。封止層ＳＥ３は、積層膜ＦＬ３や副画素ＳＰ３の周囲の隔壁６を連続的に覆っている。

【0034】

図３の例においては、副画素ＳＰ１，ＳＰ２の間の隔壁６上の積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１が、当該隔壁６上の積層膜ＦＬ２および封止層ＳＥ２と離間している。また、副画素ＳＰ１，ＳＰ３の間の隔壁６上の積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１が、当該隔壁６上の積層膜ＦＬ３および封止層ＳＥ３と離間している。

【0035】

封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、樹脂層１３により覆われている。樹脂層１３は、封止層１４により覆われている。封止層１４は、樹脂層１５により覆われている。樹脂層１３，１５および封止層１４は、少なくとも表示領域ＤＡの全体に連続的に設けられ、その一部が周辺領域ＳＡにも及んでいる。

【0036】

偏光板、タッチパネル、保護フィルムまたはカバーガラスなどのカバー部材が樹脂層１５の上方にさらに配置されてもよい。このようなカバー部材は、例えばＯＣＡ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｃｌｅａｒ Ａｄｈｅｓｉｖｅ）などの接着層を介して樹脂層１５に接着されてもよい。

【0037】

有機絶縁層１２は、有機絶縁材料で形成されている。リブ５および封止層１４，ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）または酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）などの無機絶縁材料で形成されている。一例では、リブ５がシリコン酸窒化物で形成され、封止層１４，ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３がシリコン窒化物で形成されている。樹脂層１３，１５は、例えばエポキシ樹脂やアクリル樹脂などの樹脂材料（有機絶縁材料）で形成されている。

【0038】

下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、例えば銀（Ａｇ）で形成された反射層と、この反射層の上面および下面をそれぞれ覆う一対の導電性酸化物層とを有している。各導電性酸化物層は、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）またはＩＧＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｇａｌｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）などの透明な導電性酸化物で形成することができる。

【0039】

上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、例えばマグネシウムと銀の合金（ＭｇＡｇ）などの金属材料で形成されている。例えば、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３はアノードに相当し、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３はカソードに相当する。

【0040】

有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層、発光層、正孔ブロッキング層、電子輸送層および電子注入層の積層構造を有している。有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、複数の発光層を含むいわゆるタンデム構造を有してもよい。

【0041】

キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は、例えば透明な複数の薄膜が重ねられた積層構造を有している。当該複数の薄膜は、無機材料によって形成された薄膜および有機材料によって形成された薄膜を含んでもよい。また、当該複数の薄膜は、互いに異なる屈折率を有している。これら薄膜の材料は、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３の材料とは異なり、また、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３の材料とも異なる。なお、キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３の少なくとも１つが省略されてもよい。

【0042】

隔壁６の下部６１は、例えばアルミニウムによって形成されている。下部６１は、アルミニウム－ネオジム合金（ＡｌＮｄ）、アルミニウム－イットリウム合金（ＡｌＹ）およびアルミニウム－シリコン合金（ＡｌＳｉ）などのアルミニウム合金によって形成されてもよいし、アルミニウム層とアルミニウム合金層の積層構造を有してもよい。さらに、下部６１は、アルミニウム層またはアルミニウム合金層の下に、アルミニウムやアルミニウム合金とは異なる金属材料で形成されたボトム層を有してもよい。このようなボトム層を形成する金属材料としては、例えばモリブデン（Ｍｏ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、モリブデン－タングステン合金（ＭｏＷ）またはモリブデン－ニオブ合金（ＭｏＮｂ）を用いることができる。

【0043】

例えば、隔壁６の上部６２は、金属材料で形成された下層と、導電性酸化物で形成された上層との積層構造を有している。下層を形成する金属材料としては、例えばチタン、窒化チタン、モリブデン、タングステン、モリブデン－タングステン合金またはモリブデン－ニオブ合金を用いることができる。上層を形成する導電性酸化物としては、例えばＩＴＯまたはＩＺＯを用いることができる。なお、上部６２は、金属材料の単層構造を有してもよい。

【0044】

隔壁６には、共通電圧が供給されている。この共通電圧は、下部６１の側面に接触した上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３にそれぞれ供給される。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３には、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がそれぞれ有する画素回路１を通じて画素電圧が供給される。

【0045】

有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、電圧の印加に応じて発光する。具体的には、下電極ＬＥ１と上電極ＵＥ１の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ１の発光層が青色の波長域の光を放つ。下電極ＬＥ２と上電極ＵＥ２の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ２の発光層が緑色の波長域の光を放つ。下電極ＬＥ３と上電極ＵＥ３の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ３の発光層が赤色の波長域の光を放つ。

【0046】

他の例として、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の発光層が同一色（例えば白色）の光を放ってもよい。この場合において、表示装置ＤＳＰは、発光層が放つ光を副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に対応する色の光に変換するカラーフィルタを備えてもよい。また、表示装置ＤＳＰは、発光層が放つ光により励起して副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に応じた色の光を生成する量子ドットを含んだ層を備えてもよい。

【0047】

図４は、副画素ＳＰ１の画素開口ＡＰ１の平面形状を示す概略的な平面図である。なお、この図においては、副画素ＳＰ１の画素開口ＡＰ１を示すが、副画素ＳＰ２の画素開口ＡＰ２および副画素ＳＰ３の画素開口ＡＰ３も同様な平面形状を有している。

【0048】

図４に示すように、画素開口ＡＰ１は、第１方向Ｘに延びた一対の第１直線部ＬＸ１と、第２方向Ｙに延びた一対の第２直線部ＬＹ１と、円弧状に形成された４つの角部ＣＮ１と、を有している。角部ＣＮ１の各々は、隣り合う第１直線部ＬＸ１と第２直線部ＬＹ１とを接続している。詳細については後述するが、画素開口ＡＰ１は、当該画素開口ＡＰ１を形成する際に配置されるレジストをパターニングするためのフォトマスクに形成されたマスク開口と同様な平面形状を有している。
なお、画素開口ＡＰ１を囲う隔壁６の開口ＡＰ６１は、図４に示すように、矩形状である。つまり、副画素ＳＰ１の画素開口ＡＰ１と、副画素ＳＰ１の周囲の隔壁６の開口ＡＰ６１とは、異なる平面形状を有している。

【0049】

図５は、画素開口を有するリブ５に適用し得る構造の一例を示す図である。なお、この図においては、画素開口ＡＰ１を有するリブ５を示すが、副画素ＳＰ２の画素開口ＡＰ２を有するリブ５および副画素ＳＰ３の画素開口ＡＰ３を有するリブ５にも同様の構造を適用できる。

【0050】

図５の例において、下電極ＬＥ１の端部は、下部６１の下方に位置している。これによれば、下電極ＬＥ１に起因したリブ５の段差は、下部６１によって覆われている。

【0051】

図５ではその詳しい図示を省略しているが、下部６１の側面には、上述したように、積層膜ＦＬ１に含まれる上電極ＵＥ１が接触している。なお、積層膜ＦＬ１に含まれる有機層ＯＲ１は、下部６１の側面には接触せず、全体的に上電極ＵＥ１で覆われている。また、積層膜ＦＬ１に含まれるキャップ層ＣＰ１は、下部６１の側面に接触しなくてもよいし、当該側面に接触してもよい。

【0052】

図５の破線で囲まれた領域Ｖに示されるように、画素開口ＡＰ１付近のリブ５の端部５１は、下電極ＬＥ１の上面に対して角度θ１をなして緩やかに傾斜している。換言すると、リブ５の端部５１は、テーパー形状（より詳しくは、第３方向Ｚに沿った上方に向かうにしたがってリブ５の幅が減少する順テーパー形状）を有している。

【0053】

なお、角度θ１（より詳しくは、下電極ＬＥ１の上面に対する端部５１の傾斜角θ１）は４５°以下の値であることが望ましい。換言すると、リブ５の端部５１の水平方向の長さＬ１は、リブ５の膜厚Ｌ２よりも長いことが望ましい。このような構造によれば、画素開口ＡＰ１付近のリブ５の端部５１において、積層膜ＦＬ１（上電極ＵＥ１、有機層ＯＲ１およびキャップ層ＣＰ１）が段切れしてしまうことや、封止層ＳＥ１が切れしてしまうこと（封止層ＳＥ１に亀裂等の欠陥が生じてしまうこと）を防ぐことが可能である。

【0054】

リブ５の端部５１は、画素開口ＡＰ１の全周にわたり図５に示した構造を有している。つまり、リブ５の端部５１は、画素開口ＡＰ１の第１直線部ＬＸ１付近、第２直線部ＬＹ１付近および角部ＣＮ１付近のいずれにおいても、図５に示した構造を有している。なお、上述したように、リブ５の端部５１は、副画素ＳＰ２の画素開口ＡＰ２の全周および副画素ＳＰ３の画素開口ＡＰ３の全周においても同様な構造を有する。

【0055】

図６は、画素開口を形成する際に配置されるレジストをパターニングするためのフォトマスクＰＭの一部を示す概略的な平面図である。フォトマスクＰＭは、例えばクロム（Ｃｒ）によって形成されている。なお、この図においては、フォトマスクＰＭのうち、副画素ＳＰ１の画素開口ＡＰ１に対応する部分（つまり、図４に示した画素開口ＡＰ１に対応する部分）を示すが、副画素ＳＰ２の画素開口ＡＰ２に対応する部分および副画素ＳＰ３の画素開口ＡＰ３に対応する部分も同様である。

【0056】

図６に示すように、フォトマスクＰＭは、画素開口ＡＰ１に対応するマスク開口ＡＰ１ｍを有している。マスク開口ＡＰ１ｍは、第１方向Ｘに延びた一対の第１直線部ＬＸ１ｍと、第２方向Ｙに延びた一対の第２直線部ＬＹ１ｍと、円弧状に形成された４つの角部ＣＮ１ｍと、を有している。角部ＣＮ１ｍの各々は、隣り合う第１直線部ＬＸ１ｍと第２直線部ＬＹ１ｍとを接続している。

【0057】

図５に示した構造、つまり、リブ５の端部５１の長さＬ１が、リブ５の膜厚Ｌ２よりも長い構造（換言すると、リブ５の端部５１が、下電極ＬＥ１の上面に対して４５°以下の角度をなして緩やかに傾斜する構造）を実現するためには、角部ＣＮ１ｍの各々の曲率半径Ｒ１は、３μｍ以上の値に設定されることが望ましい。より好ましくは、角部ＣＮ１ｍの各々の曲率半径Ｒ１は、５μｍ以上の値に設定されることが望ましい。これによれば、詳細については後述するが、図５に示した構造を実現することが可能である。

【0058】

図６の例においては、マスク開口ＡＰ１ｍの角部ＣＮ１ｍの各々が、Ｒ面取りされたＲ面（曲面）である場合を示したが、当該角部ＣＮ１ｍの各々は、Ｃ面取りされたＣ面（第１直線部ＬＸ１ｍまたは第２直線部ＬＹ１ｍに対して４５°に傾斜した直線部によって第１直線部ＬＸ１ｍと第２直線部ＬＹ１ｍとを接続し、その直線部に沿った面）であっても構わない。

【0059】

なお、Ｒ面の値（曲率半径）やＣ面の値（寸法）は、画素開口ＡＰ１を囲う隔壁６（下部６１および上部６２）の高さと、当該隔壁６の開口ＡＰ６１から当該画素開口ＡＰ１までの距離とに基づき設定される。

【0060】

図７は、画素開口を形成する際に配置されるレジストをパターニングするための別のフォトマスクＰＭの一部を示す概略的な平面図である。図７に示すフォトマスクＰＭは、上述のクロムにより形成されるクロム膜が配置された第１領域ｒ_Ｃｒと、上述のクロム膜の代わりにハーフトーン膜が配置された第２領域ｒ_ＨＴとを含む点で、図６に示したフォトマスクＰＭと相違している。

【0061】

図７の斜線が付された領域が第１領域ｒ_Ｃｒに相当し、図７のドットが付された領域が第２領域ｒ_ＨＴに相当する。第２領域ｒ_ＨＴは、図７に示すように、マスク開口ＡＰ１ｍの角部ＣＮ１ｍの各々に対応する領域である。クロム膜が配置された第１領域ｒ_Ｃｒの光透過率が０％であるのに対し、ハーフトーン膜が配置された第２領域ｒ_ＨＴの光透過率はおよそ３０％～４０％程度である。マスク開口ＡＰ１ｍと重なる位置に配置されたレジストはパターニングにより除去され、第１領域ｒ_Ｃｒと重なる位置に配置されるレジストはパターニングにより除去されず、第２領域ｒ_ＨＴと重なる位置に配置されるレジストはパターニングによりその一部が除去される。

【0062】

図５に示した構造、つまり、リブ５の端部５１の長さＬ１が、リブ５の膜厚Ｌ２よりも長い構造（換言すると、リブ５の端部５１が、下電極ＬＥ１の上面に対して４５°以下の角度をなして緩やかに傾斜する構造）を実現するためには、図７に示すハーフトーン膜が配置された第２領域ｒ_ＨＴの幅Ｗ１は、４μｍ以上の値に設定されることが望ましい。これによれば、図６に示したフォトマスクＰＭを用いた場合と同様に、図５に示した構造を実現することが可能である。

【0063】

なお、マスク開口ＡＰ１ｍの角部ＣＮ１ｍの各々が、Ｒ面取りされたＲ面（曲面）であっても、Ｃ面取りされたＣ面であってもよい点は、図６に示したフォトマスクＰＭと同様である。

【0064】

次に、図８および図９を参照して、本実施形態に係る製造方法における画素開口ＡＰ１を形成する工程について説明する。なお、これらの図においては、副画素ＳＰ１の画素開口ＡＰ１が形成される様子を示すが、同じ工程において、副画素ＳＰ２の画素開口ＡＰ２および副画素ＳＰ３の画素開口ＡＰ３も形成される。

【0065】

ここではその詳しい図示を省略するが、表示装置ＤＳＰの製造においては、まず基板１０の上に回路層１１および有機絶縁層１２が形成される。次に、有機絶縁層１２の上に下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３が形成される。その後、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３を全体的に覆うように、リブ５に加工するための無機絶縁層５ａが形成される。さらに、下部６１に加工するための導電性の第１層６１ａが無機絶縁層５ａの上に形成され、上部６２に加工するための第２層６２ａが第１層６１ａの上に形成される。

【0066】

続いて、第１層６１ａおよび第２層６２ａがパターニングされる。このパターニングは、第２層６２ａを上部６２の形状に加工するエッチングと、第１層６１ａを下部６１の形状に加工するエッチングとを含む。これらのエッチングにより、下部６１および上部６２を含む隔壁６が無機絶縁層５ａの上に形成される。

【0067】

隔壁６の形成の後、図８に示すように、図６または図７に示したフォトマスクＰＭを介してリブ５の平面形状にパターニングされたレジストＲＧ１が、無機絶縁層５ａの上に配置される。図６または図７示したフォトマスクＰＭが用いられることにより、レジストＲＧ１は、図８に示すように、画素開口ＡＰ１を形成する部分付近において傾斜した形状にパターニングされる。ここでは図示されないが、画素開口ＡＰ２を形成する部分付近、および、画素開口ＡＰ３を形成する部分付近のレジストＲＧ１の形状も同様である。

【0068】

その後、図９に示すように、リブ５に加工するための無機絶縁層５ａのうち、レジストＲＧ１から露出した部分がエッチングにより除去される。これによれば、図９に示すように、画素開口ＡＰ１（および画素開口ＡＰ２，ＡＰ３）を有し、緩やかなテーパー形状の端部５１を有するリブ５が形成される。

【0069】

以降、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３を形成するための工程が順に実施される。これによれば、図５に示した構造を有する表示装置ＤＳＰが製造される。つまり、画素開口ＡＰ１（および画素開口ＡＰ２，ＡＰ３）の全周にわたり、リブ５の端部５１の長さＬ１が、リブ５の膜厚Ｌ２よりも長い構造（換言すると、リブ５の端部５１が、下電極ＬＥ１の上面に対して４５°以下の角度をなして緩やかに傾斜する構造）を有する表示装置ＤＳＰが製造される。

【0070】

以下、比較例を用いて、本実施形態に係る製造方法および表示装置ＤＳＰの効果について説明する。なお、比較例は、本実施形態に係る製造方法および表示装置ＤＳＰが奏し得る効果の一部を説明するためのものであって、本実施形態と比較例とで共通する効果を本願発明の範囲から除外するものではない。

【0071】

図１０は、比較例に係る製造方法において用いられるフォトマスクＰＭ´の一部を示す概略的な平面図である。なお、この図においては、フォトマスクＰＭ´のうち、副画素ＳＰ１の画素開口ＡＰ１に対応する部分を示すが、副画素ＳＰ２の画素開口ＡＰ２に対応する部分および副画素ＳＰ３の画素開口ＡＰ３に対応する部分も同様である。

【0072】

比較例に係るフォトマスクＰＭ´は、図１０に示すように、マスク開口ＡＰ１ｍの平面形状が、第１方向Ｘに延びる一対の第１直線部ＬＸ１ｍと第２方向Ｙに延びる一対の第２直線部ＬＹ１ｍとを有した矩形になっている点で、本実施形態に係るフォトマスクＰＭと相違している。

【0073】

図１１は、比較例に係る製造方法における画素開口ＡＰ１を形成する工程を説明するための図である。図１２は、比較例に係る製造方法により製造された表示装置ＤＳＰ´の一部を示す概略的な断面図である。
比較例に係る製造方法においては、本実施形態に係る製造方法と同様な工程により隔壁６を形成すると、図１０に示したフォトマスクＰＭ´を用いてパターニングされたレジストＲＧ１が無機絶縁層５ａの上に配置される。これによれば、主に、矩形状のマスク開口ＡＰ１ｍの角部付近と重なる位置に配置されるレジストＲＧ１は、図１１に示すように、急峻な形状にパターニングされ、傾斜した形状にパターニングされない。このため、当該レジストＲＧ１をマスクとしたパターニングの結果形成されるリブ５の端部５１もまた、急峻な形状になってしまう。

【0074】

これによれば、図１２に示すように、表示素子ＤＥ１を形成する工程において下電極ＬＥ１の上に蒸着される積層膜ＦＬ１（有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１およびキャップ層ＣＰ１）が、リブ５の端部５１で段切れしてしまう可能性がある。さらに、図１２に示すように、積層膜ＦＬ１を覆う封止層ＳＥ１が、リブ５の端部５１で切れてしまう可能性（つまり、封止層ＳＥ１に亀裂等の欠陥が生じてしまう可能性）がある。このような、積層膜ＦＬ１の段切れや封止層ＳＥ１の欠陥は、表示装置の輝度を低下させたり、表示装置の水分への耐性を低下させる等、表示装置の信頼性を低下させる。

【0075】

これに対し、本実施形態に係る製造方法においては、図６または図７に示したフォトマスクＰＭを用いてレジストＲＧ１をパターニングし、マスク開口ＡＰ１ｍの角部ＣＮ１ｍ付近と重なる位置に配置されるレジストＲＧ１を傾斜した形状にパターニングすることができるため（図８参照）、当該レジストＲＧ１をマスクとしたパターニングの結果形成されるリブ５の端部５１を、図９に示したように、画素開口ＡＰ１の全周にわたり傾斜した形状にすることが可能である。これによれば、リブ５の端部５１において、積層膜ＦＬ１（上電極ＵＥ１、有機層ＯＲ１およびキャップ層ＣＰ１）が段切れしてしまうことや、封止層ＳＥ１が切れしてしまうこと（封止層ＳＥ１に亀裂等の欠陥が生じてしまうこと）を防ぐことが可能である。つまり、表示装置の信頼性の低下を抑制することができる。

【0076】

以上説明した一実施形態によれば、信頼性の低下を抑制することが可能な表示装置の製造方法および表示装置を提供することが可能である。

【0077】

なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

【符号の説明】

【0078】

ＤＳＰ…表示装置、ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３…下電極、ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３…画素開口、ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３…有機層、ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３…上電極、ＦＬ１，ＦＬ２，ＦＬ３…積層膜、ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３…封止層、ＲＧ１…レジスト、５…リブ、５１…端部、６…隔壁、６１…下部、６２…上部。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】