特開 2024-176058 導電層付フィルム

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024176058

(43)【公開日】2024-12-19

(54)【発明の名称】導電層付フィルム

(51)【国際特許分類】

   B32B 27/00 20060101AFI20241212BHJP

   B32B 7/025 20190101ALI20241212BHJP

【ＦＩ】

B32B27/00 B

B32B7/025

【審査請求】未請求

【請求項の数】3

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023094269

(22)【出願日】2023-06-07

(71)【出願人】

【識別番号】000003964

【氏名又は名称】日東電工株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110003812

【氏名又は名称】弁理士法人いくみ特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】竹下 翔也

(72)【発明者】

【氏名】竹安 智宏

【テーマコード（参考）】

4F100

【Ｆターム（参考）】

4F100AA20

4F100AB17

4F100AK25

4F100AK42

4F100AR00A

4F100AR00C

4F100AT00B

4F100BA03

4F100BA07

4F100DE01

4F100DE01A

4F100EH46

4F100EH66

4F100EJ08

4F100EJ54

4F100GB48

4F100JB14

4F100JG01

4F100JG01C

4F100JL14A

4F100JN18

4F100YY00A

(57)【要約】

【課題】アンチブロッキング（ＡＢ）層のアンチブロッキング性を確保しつつ、当該ＡＢ層における点状欠点の発生を抑制するのに適した、導電層付フィルムを提供する。
【解決手段】本発明の導電層付フィルムＦは、基材フィルム１０と、ＡＢ層１１と、導電層１２とを備える。ＡＢ層１１は、厚さ方向Ｈにおいて基材フィルム１０に対して導電層１２とは反対側、および／または、厚さ方向Ｈにおいて基材フィルム１０と導電層１２との間に配置されている。ＡＢ層１１は、粒子を含有する。ＡＢ層１１の厚さ方向Ｈの断面における粒子の面積割合Ｘは３％以上である。ＡＢ層１１の厚さ方向Ｈの断面における、粒子の面積割合Ｘ（％）と、粒子間の距離の変動係数Ｙとが、下記の式（１）を満たす。
Ｙ ≦ －０.０２９Ｘ＋０.９９５ （１）
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基材フィルムと、アンチブロッキング層と、導電層とを備える導電層付フィルムであって、
前記アンチブロッキング層が、厚さ方向において前記基材フィルムに対して前記導電層とは反対側、および／または、前記厚さ方向において前記基材フィルムと前記導電層との間に配置され、
前記アンチブロッキング層が粒子を含有し、
前記アンチブロッキング層の前記厚さ方向の断面における、前記粒子の面積割合Ｘが３％以上であり、
前記アンチブロッキング層の前記厚さ方向の断面における、前記粒子の面積割合Ｘ（％）と、前記粒子間の距離の変動係数Ｙとは、下記の式（１）を満たす、導電層付フィルム。
Ｙ ≦ －０.０２９Ｘ＋０.９９５ （１）

【請求項2】

前記粒子の平均一次粒子径が１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である、請求項１に記載の導電層付フィルム。

【請求項3】

前記アンチブロッキング層における前記粒子の含有割合が３質量％以上３０質量％以下である、請求項１または２に記載の導電層付フィルム。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、導電層付フィルムに関する。

【背景技術】

【0002】

導電パターン付フィルムとして、例えば、電波送受信用のアンテナフィルム、および、誘電泳動処理用の電極パターン付フィルムが知られている。導電パターン付フィルムは、導電層付フィルムから作製される。導電層付フィルムは、例えば、基材フィルムと、当該フィルム上の導電層とを備える。導電層付フィルムの導電層をパターニングして導電パターン（アンテナフィルムではアンテナコイル）を形成することにより、導電パターン付フィルムを作製できる。導電層付フィルムに関する技術については、例えば、下記の特許文献１に記載されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１５－１５９０９１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

導電層付フィルムをロールトゥロール方式で効率よく製造する方法は、例えば、次のとおりである。まず、ロールトゥロール方式において、長尺の基材フィルムの片面または両面にアンチブロッキング（ＡＢ）層を形成する。これにより、長尺のＡＢ層付き基材フィルムを得る。ＡＢ層は、バインダ樹脂と粒子とを含有する。ＡＢ層の露出表面は、粒子の存在に起因する突部を有する。次に、ロールトゥロール方式において、ＡＢ層付き基材フィルムの片面に導電層を形成する。これにより、長尺の積層フィルムを得る。この積層フィルムは、基材フィルム（導電層側の表面ＡＢ層、および／または、基材フィルムに対して導電層とは反対側の背面ＡＢ層を有する）と、導電層とを有する。次に、ロールトゥロール方式でのウェットエッチングにより、積層フィルムにおける導電層をパターニングする。この後、積層フィルムから、プレス加工によって導電パターン付フィルムを切り出す。このような製造方法においては、ＡＢ層により、積層フィルムのロールにおけるフィルム間のブロッキング（貼り付き）が抑制される。

【0005】

ＡＢ層中の粒子は、アンチブロッキング性の観点からは、多い方がよく、また、大きい方がよい。具体的には、ＡＢ層中の粒子が多いほど、粒子の凝集体により、ＡＢ層の露出表面に大きな突部が形成されやすい。また、ＡＢ層中の粒子が大きいほど、ＡＢ層の露出表面に大きな突部が形成されやすい。また、突部が大きいほど、ブロッキングは抑制される。

【0006】

しかし、ＡＢ層表面の大きすぎる突部は、導電層から形成される上述の導電パターンの欠けおよび断線の原因となるため、点状欠点とされる。具体的には、表面ＡＢ層が大きすぎる突部を有し、且つ、表面ＡＢ層上において当該突部上を通る導体パターンが形成される場合、当該導体パターンは突部上では破れを有する。導電層付フィルムが配線供給材等として画素パネルの要素として用いられる場合、表面ＡＢ層または背面ＡＢ層の表面の大きすぎる突部は、点状の表示異常を招くので好ましない（特に近年、ＶＲ用途等で高精細化の要求が高まっており、従来では許容されていたサイズの欠点の無い超高品質が必要な場合がある）。このような不具合を招く点状欠点に関し、本発明者は次のような知見を得た。

【0007】

ＡＢ層における粒子の分散の均等性が高いほど、点状欠点の発生は抑制される。ＡＢ層中の粒子の割合に応じて、点状欠点を生じさせる粒子の偏在化および凝集の程度は異なる。そのため、ＡＢ層における粒子の割合と分散状態の調整は、点状欠点の抑制に役立つ。

【0008】

本発明は、アンチブロッキング（ＡＢ）層のアンチブロッキング性を確保しつつ、当該ＡＢ層における点状欠点の発生を抑制するのに適した、導電層付フィルムを提供する。

【課題を解決するための手段】

【0009】

本発明［１］は、基材フィルムと、アンチブロッキング層と、導電層とを備える導電層付フィルムであって、前記アンチブロッキング層が、厚さ方向において前記基材フィルムに対して前記導電層とは反対側、および／または、前記厚さ方向において前記基材フィルムと前記導電層との間に配置され、前記アンチブロッキング層が粒子を含有し、前記アンチブロッキング層の前記厚さ方向の断面における、前記粒子の面積割合Ｘが３％以上であり、前記アンチブロッキング層の前記厚さ方向の断面における、前記粒子の面積割合Ｘ（％）と、前記粒子間の距離の変動係数Ｙとは、下記の式（１）を満たす、導電層付フィルムを含む。
Ｙ ≦ －０.０２９Ｘ＋０.９９５ （１）

【0010】

本発明［２］は、前記粒子の平均一次粒子径が１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である、上記［１］に記載の導電層付フィルムを含む。

【0011】

本発明［３］は、前記アンチブロッキング層における前記粒子の含有割合が３質量％以上３０質量％以下である、上記［１］または［２］に記載の導電層付フィルムを含む。

【発明の効果】

【0012】

本発明の導電層付フィルムは、上記のように、粒子を含有するアンチブロッキング（ＡＢ）層を基材フィルムの片面側または両面側に備え、且つ、当該ＡＢ層における粒子の上記面積割合Ｘが３％以上である。このような導電層付フィルムは、アンチブロッキング性を確保するのに適する。また、導電層付フィルムにおいては、上記のように、ＡＢ層の厚さ方向の断面における、粒子の面積割合Ｘ（％）と、粒子間の距離の変動係数Ｙ（粒子間距離がすべて同一である場合（値０）からの、粒子間距離のバラつきを表す）とが、上記の式（１）を満たす。このような導電層付フィルムは、ＡＢ層における上述の点状欠点を抑制するのに適する。したがって、本発明の導電層付フィルムは、ＡＢ粒子を含有するＡＢ層のアンチブロッキング性を確保しつつ、当該ＡＢ層における点状欠点の発生を抑制するのに適する。

【図面の簡単な説明】

【0013】

【図1】本発明の導電層付フィルムの一実施形態の断面模式図である。

【図2】図１に示す導電層付フィルムの製造方法を表す。図２Ａはアンチブロッキング層形成工程を表し、図２Ｂは導電層形成工程を表す。

【図3】導電層付フィルムにおいて導電層がパターニングされた場合を表す。

【図4】図１に示す導電層付フィルムの一変形例の断面模式図である。本変形例では、アンチブロッキング層は、厚さ方向において基材フィルムと導電層との間に配置されている。

【図5】図１に示す導電層付フィルムの他の変形例の断面模式図である。本変形例では、アンチブロッキング層は、厚さ方向において基材フィルムに対して導電層とは反対側、および、厚さ方向において基材フィルムと導電層との間に配置されている。

【図6】実施例および比較例の各導電層付フィルムの、アンチブロッキング層における粒子の面積割合Ｘ（％）および粒子間距離の変動係数Ｙの測定結果をプロットしたグラフである。

【発明を実施するための形態】

【0014】

本発明の導電層付フィルムの一実施形態の導電層付フィルムＦは、図１に示すように、基材フィルム１０と、ＡＢ層１１（アンチブロッキング層）と、導電層１２とを備える。導電層付フィルムＦは、具体的には、ＡＢ層１１と、基材フィルム１０と、導電層１２とを厚さ方向Ｈにこの順で備える。導電層付フィルムＦは、厚さ方向Ｈと直交する方向（面方向）に広がる。導電層付フィルムＦは、例えば、導電パターン付フィルムを作製するための積層フィルムである。導電パターン付フィルムとしては、例えば、誘電泳動処理用の電極パターン付基材フィルム、および、電波送受信用のアンテナフィルム（導電パターンとしてアンテナコイルを有する）が挙げられる。

【0015】

基材フィルム１０は、導電層付フィルムＦの強度を確保する基材である。基材フィルム１０は、第１面１０ａと、当該第１面１０ａとは反対側の第２面１０ｂとを有する。また、基材フィルム１０は、例えば、可撓性を有する透明な樹脂フィルムである。基材フィルム１０の材料としては、例えば、ポリエステル樹脂、ポリオレフィン樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルスルフォン樹脂、ポリアリレート樹脂、メラミン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、セルロース樹脂、およびポリスチレン樹脂が挙げられる。ポリエステル樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、およびポリエチレンナフタレートが挙げられる。ポリオレフィン樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、およびシクロオレフィンポリマーが挙げられる。アクリル樹脂としては、例えばポリメタクリレートが挙げられる。基材フィルム１０の材料は、透明性および強度の観点から、好ましくはポリエステル樹脂であり、より好ましくはＰＥＴである。

【0016】

基材フィルム１０の厚さは、導電層付フィルムＦの強度を確保する観点から、好ましくは３０μｍ以上、より好ましくは７０μｍ以上、更に好ましくは１００μｍ以上である。基材フィルム１０の厚さは、ロールトゥロール方式における基材フィルム１０の取り扱い性を確保する観点から、好ましくは３００μｍ以下、より好ましくは２００μｍ以下、更に好ましくは１５０μｍ以下である。

【0017】

基材フィルム１０の全光線透過率（ＪＩＳ Ｋ ７３７５－２００８）は、基材フィルム１０および導電層付フィルムＦにおいて、良好な光透過性を確保する観点から、好ましくは８０％以上、より好ましくは９０％以上、更に好ましくは９５％以上である。基材フィルム１０の全光線透過率は、例えば１００％以下である。

【0018】

基材フィルム１０の第１面１０ａおよび／または第２面１０ｂは、表面改質処理されていてもよい。表面改質処理としては、例えば、コロナ処理、プラズマ処理、オゾン処理、プライマー処理、グロー処理、およびカップリング剤処理が挙げられる。

【0019】

ＡＢ層１１は、基材フィルム１０の第１面１０ａ側に配置されている。すなわち、ＡＢ層１１は、厚さ方向Ｈにおいて、基材フィルム１０に対して導電層１２とは反対側に配置されている。ＡＢ層１１は、本実施形態では、第１面１０ａ上に配置されている。すなわち、ＡＢ層１１は、本実施形態では第１面１０ａに接する。

【0020】

ＡＢ層１１は、導電層付フィルムＦのロールにおけるフィルム間のブロッキング（貼り付き）を抑制するためのアンチブロッキング層である。ＡＢ層１１は、基材フィルム１０とは反対側に表面１１ａを有する。表面１１ａは、導電層付フィルムＦにおいては露出している。

【0021】

ＡＢ層１１は、硬化性樹脂組成物の硬化物である。硬化性樹脂組成物は、硬化性樹脂と粒子（アンチブロッキング粒子）とを含有する。すなわち、ＡＢ層１１は、硬化性樹脂と粒子とを含有する。

【0022】

硬化性樹脂としては、例えば、ポリエステル樹脂、アクリルウレタン樹脂、アクリル樹脂（アクリルウレタン樹脂を除く）、ウレタン樹脂（アクリルウレタン樹脂を除く）、アミド樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、およびメラミン樹脂が挙げられる。これら硬化性樹脂は、単独で用いられてもよいし、二種類以上が併用されてもよい。ＡＢ層１１の高硬度の確保の観点からは、硬化性樹脂としては、好ましくは、アクリルウレタン樹脂およびアクリル樹脂からなる群より選択される少なくとも一つが用いられる。

【0023】

また、硬化性樹脂としては、例えば、紫外線硬化型樹脂および熱硬化型樹脂が挙げられる。高温加熱せずに硬化可能であるために導電層付フィルムＦの製造効率向上に役立つ観点から、硬化性樹脂としては、紫外線硬化型樹脂が好ましい。

【0024】

粒子としては、例えば、無機酸化物粒子および有機粒子が挙げられる。無機酸化物粒子の材料としては、例えば、シリカ、アルミナ、チタニア、ジルコニア、酸化カルシウム、酸化スズ、酸化インジウム、酸化カドミウム、および酸化アンチモンが挙げられる。有機粒子の材料としては、例えば、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリウレタン、アクリル・スチレン共重合体、ベンゾグアナミン、メラミン、およびポリカーボネートが挙げられる。粒子としては、好ましくは無機酸化物粒子が用いられ、より好ましくは、シリカ粒子および／またはジルコニア粒子が用いられる。

【0025】

粒子の平均一次粒子径（Ｄ５０）は、ＡＢ層１１のアンチブロッキング性の観点から、好ましくは１０ｎｍ以上、より好ましくは２５ｎｍ以上、更に好ましくは３０ｎｍ以上である。ＡＢ層１１のアンチブロッキング性は、表面１１ａにおける突部高さに依存する。ＡＢ層１１の粒子が大きいほど、表面１１ａにおける突部高さは大きい傾向にある。粒子の平均一次粒子径は、表面１１ａにおける点状欠点（大きすぎる突部）を抑制する観点から、好ましくは２００ｎｍ以下、より好ましくは１５０ｎｍ以下、更に好ましくは１００ｎｍ以下、一層好ましくは７０ｎｍ以下、より一層好ましくは５０ｎｍ以下である。粒子の平均一次粒子径（Ｄ５０）は、体積基準の粒度分布におけるメジアン径（小径側から体積累積頻度が５０％に達する粒径）であり、例えば、レーザー回析・散乱法によって得られる粒度分布に基づいて求められる。

【0026】

ＡＢ層１１（硬化性樹脂組成物の固形分）における粒子の割合は、ＡＢ層１１のアンチブロッキング性の観点から、好ましくは３質量％以上、より好ましくは５質量％以上、更に好ましくは１０質量％以上である。ＡＢ層１１における粒子の割合は、粒子の凝集を抑制して表面１１ａの点状欠点を抑制する観点から、好ましくは３０質量％以下、より好ましくは２０質量％以下、更に好ましくは１７質量％以下である。

【0027】

ＡＢ層１１の厚さは、同層のアンチブロッキング性を確保する観点から、好ましくは０.１μｍ以上、より好ましくは０.３μｍ以上、更に好ましくは０.５μｍ以上、特に好ましくは０.８μｍ以上である。ＡＢ層１１の厚さは、ＡＢ層１１の透明性を確保する観点からは、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは５μｍ以下、更に好ましくは３μｍ以下である。

【0028】

ＡＢ層１１の表面１１ａにおける突部高さは、導電層付フィルムＦのロールにおいてブロッキングを抑制する観点から、好ましくは５０ｎｍ以上、より好ましくは６０ｎｍ以上、更に好ましくは７０ｎｍ以上である。表面１１ａにおける突部高さは、表面１１ａの点状欠点を抑制する観点から、好ましくは１２０ｎｍ以下、より好ましくは１００ｎｍ以下、更に好ましくは９０ｎｍ以下である。導電層付フィルムＦにおいて、表面１１ａの突部が点状欠点になるかどうかは、導電層付フィルムＦの用途に応じて異なり、具体的には導電層１２の厚さに応じて異なる。また、突部高さとは、ＡＢ層１１の表面１１ａにおける平坦面から、当該平坦面から突き出る突部の頂部までの、厚さ方向Ｈにおける距離である。このような突部高さは、例えば、次のようにして測定できる。

【0029】

まず、ＦＩＢ（Focused Ion Beam）加工により、ＡＢ層１１の表面１１ａの断面形状を観察可能な断面観察用サンプルを作製する。次に、当該サンプルについて、集束イオンビーム走査型電子顕微鏡（品名「Ｈｅｌｉｏｓ Ｇ４ ＵＸ」，ＦＥＩ社製）により、断面ＳＥＭ観察を行って撮像する。その観察において、加速電圧は１ｋＶとし、観察像は二次電子像とし、観察視野が約２μｍ四方となるように直接倍率を７００００倍とする。そして、画像解析ソフトウェア（品名「Ｉｍａｇｅ Ｊ」，Wayne Rasband社製）により、観察画像に突部（周りの平坦面から突き出る形状を有する突部）が含まれる場合の当該突部の高さを測定する。

【0030】

ＡＢ層１１の、厚さ方向Ｈの断面における粒子の面積割合Ｘは、導電層付フィルムＦのアンチブロッキング性の観点から、３％以上であり、より好ましくは５％以上、更に好ましくは７％以上、一層好ましくは９％以上である。粒子の面積割合Ｘは、粒子の凝集を抑制して、表面１１における点状欠点を抑制する観点から、好ましくは４０％以下、より好ましくは３０％以下、更に好ましくは２６％以下である。ＡＢ層１１における粒子の面積割合Ｘの測定方法は、実施例に関して後述するとおりである。粒子の面積割合Ｘの調整方法としては、例えば、硬化樹脂層１１における粒子含有量の調整が挙げられる。

【0031】

ＡＢ層１１の厚さ方向Ｈの断面における、粒子の面積割合Ｘ（％）と、粒子間の距離の変動係数Ｙとは、下記の式（１）を満たす。粒子間距離の変動係数Ｙは、粒子間距離がすべて同一である場合（値０）からの、粒子間距離のバラつきを表す。ＡＢ層１１における粒子間距離の変動係数Ｙの測定方法は、実施例に関して後述するとおりである。粒子間距離の変動係数Ｙの調整方法としては、例えば、硬化樹脂層１１形成用の樹脂組成物に含まれる溶剤の種類の選択および量の調整が挙げられる。粒子間距離の変動係数Ｙの調整方法としては、硬化樹脂層１１形成用の樹脂組成物の塗工時のプロセス条件および塗工後の乾燥条件（乾燥温度など）の調整もが挙げられる。

【0032】

Ｙ ≦ －０.０２９Ｘ＋０.９９５ （１）

【0033】

導電層１２は、基材フィルム１０の第２面１０ｂ側に配置されている。導電層１２は、本実施形態では、第２面１０ｂ上に配置されている。すなわち、導電層１２は、本実施形態では第２面１０ｂに接する。

【0034】

導電層１２は、導電材料から形成された層である。導電材料としては、例えば、金属および金属酸化物が挙げられる。金属としては、例えば、銅、銀、ニッケル、クロム、鉄、チタン、および、これらの合金が挙げられる。金属酸化物としては、例えば、インジウム含有複合酸化物が挙げられる。導電材料は、好ましくは金属であり、より好ましくは銅である。

【0035】

導電層１２の厚さは、導電層１２の低抵抗化の観点、および、導電層１２から形成される後述の導体パターン１２が、表面１１ａの突部によって欠け・破断を生じるのを抑制する観点から、好ましくは１０ｎｍ以上、より好ましくは２０ｎｍ以上、更に好ましくは３０ｎｍ以上、特に好ましくは５０ｎｍ以上である。導電層１２の厚さは、導電層付フィルムＦの反りの抑制の観点から、好ましくは１０００ｎｍ以下、より好ましくは５００ｎｍ以下、更に好ましくは３００ｎｍ以下、特に好ましくは２００ｎｍ以下である。

【0036】

導電層１２の比抵抗は、低抵抗性を確保する観点から、好ましくは１×１０^－３Ω・ｃｍ以下、より好ましくは０.５×１０^－３Ω・ｃｍ以下、更に好ましくは０.１×１０^－３Ω・ｃｍ以下である。導電層１２の比抵抗は、例えば１×１０^－８Ω・ｃｍ以上である。

【0037】

導電層付フィルムＦの全光線透過率（ＪＩＳ Ｋ ７３７５－２００８）は、導電層付フィルムＦにおいて、良好な光透過性を確保する観点から、好ましくは８０％以上、より好ましくは９０％以上、更に好ましくは９５％以上である。導電層付フィルムＦの全光線透過率は、例えば１００％以下である。

【0038】

導電層付フィルムＦは、ロールトゥロール方式において、例えば以下のように製造される。

【0039】

まず、図２Ａに示すように、基材フィルム１０の第１面１０ａ上にＡＢ層１１を形成する（ＡＢ層形成工程）。本工程では、まず、ＡＢ層形成用の硬化性樹脂組成物を調製する。硬化性樹脂組成物は、上述の硬化性樹脂および粒子（アンチブロッキング粒子）と、溶剤とを含有する。溶剤としては、例えば、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、酢酸エチルおよびトルエンが挙げられる。溶剤としては、好ましくは、ＭＩＢＫおよび／または酢酸エチルから選択される少なくとも一つが用いられ、より好ましくはＭＩＢＫが用いられる。硬化性樹脂組成物の固形分濃度は、硬化樹脂層１０内の粒子の分散性を確保して上述の変動係数Ｙを低減する観点から、好ましくは１５質量％以上、より好ましくは２０質量％以上、更に好ましくは２５質量％以上であり、また、好ましくは４０質量％以下、より好ましくは３５質量％以下、更に好ましくは３０質量％以下である。硬化性樹脂組成物の固形分における粒子の割合は、ＡＢ層１１のアンチブロッキング性の観点から、好ましくは３質量％以上、より好ましくは５質量％以上、更に好ましくは１０質量％以上である。硬化性樹脂組成物の固形分における粒子の割合は、硬化樹脂層１０内の粒子の分散性を確保して上述の変動係数Ｙを低減する観点から、好ましくは３０質量％以下、より好ましくは２０質量％以下、更に好ましくは１７質量％以下である。

【0040】

本工程では、次に、基材フィルム１０の第１面１０ａ上に硬化性樹脂組成物を塗布して塗膜を形成する。塗膜の厚さは、硬化樹脂層１０内の粒子の分散性を確保して上述の変動係数Ｙを低減する観点から、好ましくは０.１μｍ以上、より好ましくは０.３μｍ以上、更に好ましくは０.５μｍ以上、特に好ましくは０.８μｍ以上であり、また、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは５μｍ以下、更に好ましくは３μｍ以下である。

【0041】

次に、基材フィルム１０上の塗膜を乾燥させる。乾燥温度は、硬化樹脂層１０内の粒子の分散性を確保して上述の変動係数Ｙを低減する観点から、好ましくは５０℃以上、より好ましくは６０℃以上、更に好ましくは７５℃以上であり、また、好ましくは１２０℃未満、より好ましくは１１０℃以下、更に好ましくは１０５℃以下である。乾燥時間は、例えば２０秒以上であり、例えば２分以下である。

【0042】

硬化性樹脂組成物が紫外線硬化型樹脂を含有する場合には、次に、紫外線照射によって塗膜を硬化させる。硬化性樹脂組成物が熱硬化型樹脂を含有する場合には、加熱によって前記塗膜を硬化させる。

【0043】

次に、図２Ｂに示すように、基材フィルム１０上に導電層１２を形成する（導電層形成工程）。具体的には、スパッタリング法により、基材フィルム１０の第２面１０ｂ上に導電材料を成膜して導電層１２を形成する。こうして形成される導電層１２は、スパッタ膜である。

【0044】

以上のようにして、導電層付フィルムＦを製造できる。

【0045】

導電層付フィルムＦでは、図３に示すように、導電層１２をパターニングすることによって導電パターン１２’を形成できる。所定のエッチングマスクを介して導電層１２をエッチング処理することにより、導電層１２をパターニングできる。導電パターン１２’としては、例えば、誘電泳動処理用の電極パターン、および、アンテナフィルムのアンテナコイルが挙げられる。

【0046】

導電層付フィルムＦは、上述のように、アンチブロッキング粒子を含有するＡＢ層１１を備える（ＡＢ層１１におけるＡＢ粒子の上述の面積割合Ｘは３％以上である）。このような導電層付フィルムＦは、アンチブロッキング性を確保するのに適する。

【0047】

また、導電層付フィルムＦにおいては、上述のように、ＡＢ層１１の厚さ方向Ｈの断面における、粒子の面積割合Ｘ（％）と、粒子間の距離の変動係数Ｙとが、上記式（１）を満たす。このような導電層付フィルムＦは、上述の点状欠点を抑制するのに適する。具体的には、後記の実施例および比較例をもって示すとおりである。

【0048】

したがって、導電層付フィルムＦは、アンチブロッキング粒子を含有するＡＢ層１１のアンチブロッキング性を確保しつつ、ＡＢ層１１における点状欠点の発生を抑制するのに適する。

【0049】

ＡＢ層１１は、図４に示すように、厚さ方向Ｈにおいて基材フィルム１０と導電層１２との間に配置されてもよい。本変形例において、ＡＢ層１１は、基材フィルム１０の第２面１０ｂ上に配置されている。すなわち、当該ＡＢ層１１は、第２面１０ｂに接する。導電層１２は、ＡＢ層１１の表面１１ａ上に配置されている。すなわち、当該導電層１２は、表面１１ａに接する。このようなＡＢ層１１も、導電層付フィルムＦにおけるアンチブロッキング層として機能できる。

【0050】

導電層付フィルムＦは、図５に示すように、ＡＢ層１１としてＡＢ層１１Ａ,１１Ｂを備えてもよい。ＡＢ層１１Ａは、厚さ方向Ｈにおいて基材フィルム１０に対して導電層１２とは反対側に配置されたＡＢ層１１であり、図１に示すＡＢ層１１と同様である。ＡＢ層１１Ｂは、厚さ方向Ｈにおいて基材フィルム１０と導電層１２との間に配置されたＡＢ層１１であり、図４に示すＡＢ層１１と同様である。導電層１２は、ＡＢ層１１Ｂの表面１１ａ上に配置されている。すなわち、当該導電層１２は、ＡＢ層１１Ｂの表面１１ａに接する。ＡＢ層１１Ａ,１１Ｂは、いずれも、導電層付フィルムＦにおけるアンチブロッキング層として機能できる。

【実施例0051】

本発明について、以下に実施例を示して具体的に説明する。ただし、本発明は、実施例に限定されない。また、以下に記載されている配合量（含有量）、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上述の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合量（含有量）、物性値、パラメータなどの上限（「以下」または「未満」として定義されている数値）または下限（「以上」または「超える」として定義されている数値）に代替できる。

【0052】

〔実施例１〕
まず、紫外線硬化型アクリルウレタン樹脂組成物（品名「アイカアイトロン Ｚ８４４－２２－ＨＬ」，アイカ工業製）８５質量部と、平均一次粒子径（Ｄ５０）３０ｎｍのシリカ粒子（品名「ＣＳＺ９２８１」，ＣＩＫナノテック社製）１５質量部と、溶剤としてのメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）とを混合して、固形分濃度３０質量％の第１硬化性樹脂組成物を調製した。第１硬化性樹脂組成物の固形分における粒子の割合は、１５質量％である。また、高屈折率層形成用の第２硬化性樹脂組成物を調製した。第２硬化性樹脂組成物は、平均一次粒子径４０ｎｍのジルコニア粒子５１質量％を含むアクリル系紫外線硬化性樹脂組成物と、所定の溶剤とを含有する。

【0053】

次に、基材フィルムとしてのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（品名「ルミラー Ｕ４８３」，厚さ１２５μｍ，東レ製）の一方の面に、第１硬化性樹脂組成物を塗布して厚さ１.８μｍの塗膜を形成した。次に、当該塗膜を乾燥させた。乾燥温度は１００℃とし、乾燥時間は３０秒間とした。次に、大気雰囲気化での紫外線照射によって当該塗膜を硬化させた。以上のようにして、厚さ１.８μｍのアンチブロッキング層としての第１硬化樹脂層を形成した（ＡＢ層形成工程）。また、ＰＥＴフィルムの他方面に、第２硬化性樹脂組成物を塗布して塗膜を形成した後、当該塗膜を乾燥させて、厚さ１.０μｍの第２硬化樹脂層（屈折率１.６４の高屈折率層）を形成した（高屈折率層形成工程）。以上のようにして、硬化樹脂層付き基材フィルムを作製した。

【0054】

次に、スパッタリング法により、硬化樹脂層付き基材フィルムにおける第２硬化樹脂層上に、厚さ１００ｎｍのＣｕ層を導電層として形成した（導電層形成工程）。スパッタリング法では、ロールトゥロール方式のスパッタ成膜装置（巻取式のＤＣマグネトロンスパッタリング装置）を使用した。スパッタ成膜装置は、ロールトゥロール方式で硬化樹脂層付き基材フィルムを走行させつつ成膜プロセスを実施できる成膜室を備える。スパッタ成膜の条件は、次のとおりである。

【0055】

スパッタ成膜装置の成膜室内を真空排気した後、成膜室内にスパッタリングガスとしてのＡｒを導入し、成膜室内の気圧を３.０×１０^－３Torrとした。装置内での硬化樹脂層付き基材フィルムの走行速度は２.０ｍ／分とした。ターゲットとしては、銅ターゲットを用いた。ターゲットに対する電圧印加のための電源としては、ＤＣ電源を用いた。ＤＣ電源の出力は３.７ｋＷとした。成膜温度（Ｃｕ層が積層される硬化樹脂層付き基材フィルムの温度）は４０℃とした。

【0056】

以上のようにして、実施例１の長尺の導電層付フィルム（ロールの形態をとる）を作製した。実施例１の導電層付フィルムは、アンチブロッキング層としての第１硬化樹脂層（厚さ１.８μｍ，シリカ粒子含有）と、基材フィルム（厚さ１２５μｍ）と、高屈折率層としての第２硬化樹脂層（厚さ１.０μｍ，ジルコニア粒子含有）と、Ｃｕ層（厚さ１００ｎｍ）とが順に積層された積層構造を有する。

【0057】

〔比較例１〕
次のこと以外は実施例１の導電層付フィルムと同様にして、比較例１の導電層付フィルムを作製した。第１硬化性樹脂組成物の調製において、ＭＩＢＫの添加量の調整により、第１硬化性樹脂組成物の固形分濃度を２３質量％とした。ＡＢ層形成工程において、ＰＥＴフィルム上に形成される第１硬化性樹脂組成物の塗膜の厚さを１.２μｍとし、塗膜の乾燥温度８０℃とし、形成される第１硬化樹脂層の厚さを１.２μｍとした。

【0058】

〔実施例２〕
まず、紫外線硬化型アクリルウレタン樹脂組成物（品名「リオデュラス ＴＹＡＢ－Ｍ１１０－０１」，シリカナノ粒子を５質量％含有，トーヨーケム社製）と、ＭＩＢＫとを混合して、固形分濃度３５質量％の第３硬化性樹脂組成物を調製した。第３硬化性樹脂組成物の固形分における粒子の割合は、５質量％である。

【0059】

次に、基材フィルムとしてのＰＥＴフィルム（ルミラー Ｕ４８３，厚さ１２５μｍ）の一方の面に、第３硬化性樹脂組成物を塗布して厚さ２.３μｍの塗膜を形成した。次に、当該塗膜を乾燥させた。乾燥温度は８０℃とし、乾燥時間は３０秒間とした。次に、大気雰囲気化での紫外線照射によって当該塗膜を硬化させた。以上のようにして、厚さ２.３μｍのアンチブロッキング層としての第１硬化樹脂層を形成した（ＡＢ層形成工程）。ＰＥＴフィルムの他方面には、実施例１に関して上述したのと同様に、厚さ１.０μｍの第２硬化樹脂層（屈折率１.６４の高屈折率層）を形成した（高屈折率層形成工程）。以上のようにして、硬化樹脂層付き基材フィルムを作製した。

【0060】

この後、実施例１に関して上述した導電層形成工程と同様にして、硬化樹脂層付き基材フィルムにおける第１硬化樹脂層上に、厚さ１００ｎｍのＣｕ層を導電層として形成した。以上のようにして、実施例２の導電層付フィルムを作製した。

【0061】

〔実施例３〕
次のこと以外は実施例２の導電層付フィルムと同様にして、実施例３の導電層付フィルムを作製した。第３硬化性樹脂組成物の調製において、ＭＩＢＫの添加量の調整により、第３硬化性樹脂組成物の固形分濃度を２３質量％とした。ＡＢ層形成工程において、ＰＥＴフィルム上に形成される第３硬化性樹脂組成物の塗膜の厚さを１.１μｍとし、形成される第１硬化樹脂層の厚さを１.１μｍとした。

【0062】

〔実施例４〕
次のこと以外は実施例２の導電層付フィルムと同様にして、実施例４の導電層付フィルムを作製した。第３硬化性樹脂組成物の調製において、ＭＩＢＫの添加量の調整により、第３硬化性樹脂組成物の固形分濃度を２３質量％とした。ＡＢ層形成工程において、ＰＥＴフィルム上に形成される第３硬化性樹脂組成物の塗膜の厚さを１.１μｍとし、乾燥温度を１２０℃とし、形成される第１硬化樹脂層の厚さを１.１μｍとした。

【0063】

〔比較例２〕
まず、紫外線硬化型アクリルウレタン樹脂組成物（品名「リオデュラス ＴＹＡＢ－Ｍ１１０－０２」，シリカナノ粒子を２質量％含有，トーヨーケム社製）と、ＭＩＢＫとを混合して、固形分濃度２３質量％の第４硬化性樹脂組成物を調製した。第４硬化性樹脂組成物の固形分における粒子の割合は、２質量％である。

【0064】

次に、基材フィルムとしてのＰＥＴフィルム（ルミラー Ｕ４８３，厚さ１２５μｍ）の一方の面に、第４硬化性樹脂組成物を塗布して厚さ１.１μｍの塗膜を形成した。次に、当該塗膜を乾燥させた。乾燥温度は８０℃とし、乾燥時間は３０秒間とした。次に、大気雰囲気化での紫外線照射によって当該塗膜を硬化させた。以上のようにして、厚さ１.１μｍの第１硬化樹脂層を形成した。ＰＥＴフィルムの他方面には、実施例１に関して上述したのと同様に、厚さ１.０μｍの第２硬化樹脂層（屈折率１.６４の高屈折率層）を形成した（高屈折率層形成工程）。以上のようにして、硬化樹脂層付き基材フィルムを作製した。

【0065】

この後、実施例１に関して上述した導電層形成工程と同様にして、硬化樹脂層付き基材フィルムにおける第１硬化樹脂層上に、厚さ１００ｎｍのＣｕ層を導電層として形成した。以上のようにして、比較例２の導電層付フィルムを作製した。

【0066】

〈粒子の面積割合Ｘ〉
実施例１～４および比較例１,２の各導電層付フィルムについて、硬化樹脂層の厚さ方向の断面における粒子の面積割合Ｘを測定した。具体的には、次のとおりである。

【0067】

まず、ＦＩＢ加工により、硬化樹脂層表面の断面形状を観察可能な断面観察用サンプルを作製した。次に、当該サンプルについて、集束イオンビーム走査型電子顕微鏡（品名「Ｈｅｌｉｏｓ ６００」，Thermo Fisher Scientific社製）により、断面ＳＥＭ観察を行って撮像した。その観察において、加速電圧は１ｋＶとし、観察像は二次電子像とし、目的観察視野が２０μｍ×２５μｍ四方となるように直接倍率を５０００倍とした。そして、画像解析ソフトウェア（品名「Ｉｍａｇｅ Ｊ」，Wayne Rasband社製）により、観察視野の幅方向における１pixel ごとに、硬化樹脂層の厚さ方向全体における粒子の面積割合を測定し、その測定値の観察視野の幅方向における平均値を粒子面積割合として算出した。その値を表１に示す。

【0068】

〈粒子間距離の変動係数Ｙ〉
実施例１～４および比較例１の各導電層付フィルムについて、第１硬化樹脂層の厚さ方向の断面における粒子間距離の変動係数Ｙを測定した。具体的には、次のとおりである。

【0069】

まず、ＦＩＢ加工により、第１硬化樹脂層表面の断面形状を観察可能な断面観察用サンプルを作製した。次に、当該サンプルについて、集束イオンビーム走査型電子顕微鏡（品名「Ｈｅｌｉｏｓ ６００」，Thermo Fisher Scientific社製）により、断面ＳＥＭ観察を行って撮像した。その観察において、加速電圧は１ｋＶとし、観察像は二次電子像とし、目的観察視野が２０μｍ×２５μｍ四方となるように直接倍率を５０００倍とした。そして、観察画像の画像解析により、粒子間距離の変動係数Ｙを求めた。画像解析には、画像解析ソフトウェア「Ｉｍａｇｅ Ｊ」（Wayne Rasband社製）を使用した。具体的には、次のとおりである。

【0070】

まず、硬化樹脂層における粒子（黒色）と樹脂領域（白色）とを二値化して分ける（第１ステップ）。次に、粒子間（樹脂領域）において任意に選択された点（画素）を中心とする円であって、粒子に接する円（内接円）を、描く（第２ステップ）。次に、第２ステップを樹脂領域内の全ての点（画素）について実行し、円どうしが重なる場合には、より大きい円を残し、より小さい円は残さない（ステップ３）。次に、残っている全ての円の直径について、階級を直径（μｍ）とし、階級幅を０.０５（μｍ）とし、度数を頻度（％）として、ヒストグラムを生成する（ステップ４）。度数は、円の個数についての頻度である。次に、このヒストグラムに基づき、粒子間距離の平均値ｘと標準偏差σとを算出する（ステップ５）。次に、粒子間距離の標準偏差σを、粒子間距離の平均値ｘで除することにより、粒子間距離の変動係数Ｙ（＝σ／ｘ）を求めた（ステップ６）。その値を表１に示す。

【0071】

図６は、実施例１～４および比較例１の各導電層付フィルムの、第１硬化樹脂層における粒子の面積割合Ｘ（％）および粒子間距離の変動係数Ｙの測定結果を、プロットしたグラフである。図６のグラフにおいて、横軸は、粒子の面積割合Ｘ（％）を表し、縦軸は、粒子間距離の変動係数Ｙを表す。図６において、プロットＥ１～Ｅ４は、実施例１～４の測定結果を表し、プロットＣ１は、比較例１の測定結果を表す。直線Ｌ１は、Ｙ＝－０.０２９Ｘ＋０.９９５の直線である。プロットＥ１～Ｅ４（実施例１～４）は直線Ｌ１以下に位置し、プロットＣ１（比較例１）は直線Ｌ１より上に位置する。すなわち、実施例１～４の各導電層付フィルムは下記の式（１）を満たし、比較例１の導電層付フィルムは下記の式（１）を満たさなかった。そして、実施例１～４の導電層付フィルムは、後記の点状欠点の評価において、良好な結果を示した。これに対し、比較例１の導電層付フィルムは、点状欠点の評価において、良好な結果を示さなかった。

【0072】

Ｙ ≦ －０.０２９Ｘ＋０.９９５ （１）

【0073】

〈点状欠点〉
実施例１～４および比較例１,２の各導電層付フィルムについて、点状欠点の個数を調べた。具体的には、所定の欠点検査装置を使用し、下記の装置設定および検出欠点に関する設定において、導電層付フィルムの点状欠点の個数を調べた。そして、観察領域（２ｃｍ四方）における高さ３μｍ以上の突部を、点状欠点として計測した。その結果、実施例１～４の各導電層付フィルムにおける点状欠点の個数は０であり、比較例１の導電層付フィルムにおける点状欠点の個数は２０であった。

【0074】

〔装置設定〕
撮影検査範囲：２ｃｍ×２ｃｍ
対物レンズの倍率：２０倍
接眼レンズの倍率：１０倍（対物レンズとの総合倍率２００倍）
透過/反射：反射測定
撮影画像のピクセルサイズ（実効サイズ）：０.７μｍ/ピクセル
スキャン速度：２.５mm/分

【0075】

〔検出欠点に関する設定〕
最大フェレ径の最小サイズ：１μｍ
最大フェレ径の最大サイズ：１００μｍ
最小フェレ径の最小サイズ：１μｍ
最小フェレ径の最大サイズ：１００μｍ
最小フェレ径に対する最大フェレ径の比率(最大フェレ径／最小フェレ径)の最小値：１
最小フェレ径に対する最大フェレ径の比率(最大フェレ径／最小フェレ径)の最大値：１.３

【0076】

〈アンチブロッキング性〉
実施例１～４および比較例１,２の各導電層付フィルムについて、アンチブロッキング性を評価した。具体的には、導電層付フィルムにおける第１硬化樹脂層側表面（導電層とは反対側の表面）にシクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）フィルム（厚さ１００μｍ，ゼオン社製）を押し付けた場合のニュートンリング（この試験では、ＣＯＰフィルムと導電層付フィルムとの界面での光学的な干渉の模様）の有無を観察した。そして、導電層付フィルムのアンチブロッキング（ＡＢ）性について、ニュートンリングが観察されなかった場合を“良”と評価し、ニュートンリングが観察された場合を“不良”と評価した。その結果を表１に示す。比較例２の導電層付フィルムは、第１硬化樹脂層における粒子の面積割合Ｘが２.２３％であり、ＡＢ性が不良であった。

【0077】

［評価］
実施例１～４および比較例１,２の導電層付フィルムに関する、粒子の面積割合Ｘ、粒子間距離の変動係数Ｙ、および点状欠点の計測数から、以下のことが分かる。アンチブロッキング（ＡＢ）層中の粒子の割合に応じて、点状欠点を生じさせる粒子の偏在化および凝集の程度は異なる。そのため、ＡＢ層における粒子の割合と分散状態の調整により、点状欠点を抑制できる。また、粒子含有の第１硬化樹脂層中の粒子が少なすぎると、同層においてアンチブロッキング性が得られない。

【0078】

【表1】

【符号の説明】

【0079】

Ｆ 導電層付フィルム
Ｈ 厚さ方向
１０ 基材フィルム
１０ａ 第１面
１０ｂ 第２面
１１ ＡＢ層（アンチブロッキング層）
１１ａ 表面
１２ 導電層

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】