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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024176133
(43)【公開日】2024-12-19
(54)【発明の名称】高周波多層基板
(51)【国際特許分類】
H01P 5/08 20060101AFI20241212BHJP
【ＦＩ】
H01P5/08 Z
H01P5/08 A
【審査請求】未請求
【請求項の数】5
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023094413
(22)【出願日】2023-06-07
(71)【出願人】
【識別番号】394025094
【氏名又は名称】三菱電機ディフェンス＆スペーステクノロジーズ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110002491
【氏名又は名称】弁理士法人クロスボーダー特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】寺田 晃
(72)【発明者】
【氏名】宮村 良
(72)【発明者】
【氏名】林 和孝
(57)【要約】
【課題】広帯域で反射の少ない、インピーダンス整合が取れる高周波多層基板を提供する。
【解決手段】高周波多層基板１００は、第１の誘電体層２１の表面に配置された表層信号線３１ａを有し、Ｘ方向に延びるマイクロストリップ線路３１と、トリプレート構造のストリップ線路３７とを備える。高周波多層基板１００は、さらに、マイクロストリップ線路３１とストリップ線路３７を接続する変換部３０を備えている。変換部３０は、マイクロストリップ線路３１からストリップ線路３７に伝送される高周波信号の電磁界伝送モードを、ストリップ線路３７に適合する伝送モードに変換するとともに、ストリップ線路３７からマイクロストリップ線路３１に伝送される高周波信号の電磁界伝送モードを、マイクロストリップ線路３１に適合する伝送モードに変換する。
【選択図】図２
【解決手段】高周波多層基板１００は、第１の誘電体層２１の表面に配置された表層信号線３１ａを有し、Ｘ方向に延びるマイクロストリップ線路３１と、トリプレート構造のストリップ線路３７とを備える。高周波多層基板１００は、さらに、マイクロストリップ線路３１とストリップ線路３７を接続する変換部３０を備えている。変換部３０は、マイクロストリップ線路３１からストリップ線路３７に伝送される高周波信号の電磁界伝送モードを、ストリップ線路３７に適合する伝送モードに変換するとともに、ストリップ線路３７からマイクロストリップ線路３１に伝送される高周波信号の電磁界伝送モードを、マイクロストリップ線路３１に適合する伝送モードに変換する。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
積層された複数の接地導体と、
積層方向における両端の接地導体に挟まれた誘電体領域と、
前記誘電体領域の表面に表層信号線を有し、前記積層方向と直交する直交方向に延びるマイクロストリップ線路と、
前記誘電体領域の内部に内層信号線を有し、前記直交方向に延びるストリップ線路と、
前記マイクロストリップ線路が出力する高周波信号の電磁界の伝送モードを、前記ストリップ線路に適合すべき伝送モードに変換する変換部と、
を備え、
前記変換部は、
前記マイクロストリップ線路の延びる方向に前記マイクロストリップ線路から延び、前記マイクロストリップ線路の出力する高周波信号における電界の前記表層信号線の線幅方向に沿う第１の幅方向成分を、前記マイクロストリップ線路の延びる方向へ遠ざかるに従って徐々に増やす第１の変換線路と、
前記第１の変換線路に接続し、前記誘電体領域の前記表面から前記誘電体領域の内部へ前記積層方向に延びる縦同軸状線路と、
前記誘電体領域の前記内部で前記ストリップ線路の延びる方向に前記ストリップ線路から前記縦同軸状線路に向かって延びて前記縦同軸状線路に接続し、前記縦同軸状線路の出力する高周波信号における電界の前記内層信号線の線幅方向に沿う第２の幅方向成分を、前記縦同軸状線路から前記ストリップ線路に向かって遠ざかるに従って徐々に減らす第２の変換線路と、
を備える高周波多層基板。
積層方向における両端の接地導体に挟まれた誘電体領域と、
前記誘電体領域の表面に表層信号線を有し、前記積層方向と直交する直交方向に延びるマイクロストリップ線路と、
前記誘電体領域の内部に内層信号線を有し、前記直交方向に延びるストリップ線路と、
前記マイクロストリップ線路が出力する高周波信号の電磁界の伝送モードを、前記ストリップ線路に適合すべき伝送モードに変換する変換部と、
を備え、
前記変換部は、
前記マイクロストリップ線路の延びる方向に前記マイクロストリップ線路から延び、前記マイクロストリップ線路の出力する高周波信号における電界の前記表層信号線の線幅方向に沿う第１の幅方向成分を、前記マイクロストリップ線路の延びる方向へ遠ざかるに従って徐々に増やす第１の変換線路と、
前記第１の変換線路に接続し、前記誘電体領域の前記表面から前記誘電体領域の内部へ前記積層方向に延びる縦同軸状線路と、
前記誘電体領域の前記内部で前記ストリップ線路の延びる方向に前記ストリップ線路から前記縦同軸状線路に向かって延びて前記縦同軸状線路に接続し、前記縦同軸状線路の出力する高周波信号における電界の前記内層信号線の線幅方向に沿う第２の幅方向成分を、前記縦同軸状線路から前記ストリップ線路に向かって遠ざかるに従って徐々に減らす第２の変換線路と、
を備える高周波多層基板。
【請求項2】
前記変換部は、
前記ストリップ線路が出力する高周波信号の電磁界の伝送モードを、前記マイクロストリップ線路に適合すべき伝送モードに変換する変換線路として機能し、
前記第２の変換線路は、
前記ストリップ線路の出力する高周波信号における電界の前記第２の幅方向成分を、前記縦同軸状線路に向かって前記ストリップ線路から遠ざかるに従って徐々に増やし、
前記第１の変換線路は、
前記縦同軸状線路の出力する高周波信号における電界の前記第１の幅方向成分を、前記マイクロストリップ線路に向かって前記縦同軸状線路から遠ざかるに従って徐々に減らす請求項１に記載の高周波多層基板。
前記ストリップ線路が出力する高周波信号の電磁界の伝送モードを、前記マイクロストリップ線路に適合すべき伝送モードに変換する変換線路として機能し、
前記第２の変換線路は、
前記ストリップ線路の出力する高周波信号における電界の前記第２の幅方向成分を、前記縦同軸状線路に向かって前記ストリップ線路から遠ざかるに従って徐々に増やし、
前記第１の変換線路は、
前記縦同軸状線路の出力する高周波信号における電界の前記第１の幅方向成分を、前記マイクロストリップ線路に向かって前記縦同軸状線路から遠ざかるに従って徐々に減らす請求項１に記載の高周波多層基板。
【請求項3】
前記表層信号線は、
前記縦同軸状線路まで延びて前記縦同軸状線路に接続しており、
前記第１の変換線路は、
前記複数の接地導体のうちの第１の接地導体の第１の部分が前記表層信号線の両側のうち一方の側に配置され、前記第１の接地導体の第２の部分が他方の側に配置され、前記表層信号線から前記第１の部分及び第２の部分までの前記表層信号線の線幅方向における各距離が、前記縦同軸状線路に向かうに従って次第に短くなり、
前記内層信号線は、
前記縦同軸状線路まで延びて前記縦同軸状線路に接続しており、
前記第２の変換線路は、
前記内層信号線の延びる方向を法線とする断面において、前記内層信号線が前記複数の接地導体によって囲まれているとともに、前記ストリップ線路との接続箇所ではトリプレート構造であり、前記縦同軸状線路との接続箇所では同軸状線路構造である請求項１または請求項２に記載の高周波多層基板。
前記縦同軸状線路まで延びて前記縦同軸状線路に接続しており、
前記第１の変換線路は、
前記複数の接地導体のうちの第１の接地導体の第１の部分が前記表層信号線の両側のうち一方の側に配置され、前記第１の接地導体の第２の部分が他方の側に配置され、前記表層信号線から前記第１の部分及び第２の部分までの前記表層信号線の線幅方向における各距離が、前記縦同軸状線路に向かうに従って次第に短くなり、
前記内層信号線は、
前記縦同軸状線路まで延びて前記縦同軸状線路に接続しており、
前記第２の変換線路は、
前記内層信号線の延びる方向を法線とする断面において、前記内層信号線が前記複数の接地導体によって囲まれているとともに、前記ストリップ線路との接続箇所ではトリプレート構造であり、前記縦同軸状線路との接続箇所では同軸状線路構造である請求項１または請求項２に記載の高周波多層基板。
【請求項4】
前記誘電体領域は、
前記内層信号線から、前記積層方向における両端の接地導体のうちの一方の接地導体に前記積層方向に沿って向かう第１の厚さと、
前記内層信号線から、前記積層方向における両端の接地導体のうちの他方の接地導体に前記積層方向に沿って向かう第２の厚さとが、
非対称である請求項１または請求項２に記載の高周波多層基板。
前記内層信号線から、前記積層方向における両端の接地導体のうちの一方の接地導体に前記積層方向に沿って向かう第１の厚さと、
前記内層信号線から、前記積層方向における両端の接地導体のうちの他方の接地導体に前記積層方向に沿って向かう第２の厚さとが、
非対称である請求項１または請求項２に記載の高周波多層基板。
【請求項5】
前記内層信号線の線幅を前記表層信号線の線幅で除した値は、２／３よりも大きく１．１以下である請求項４に記載の高周波多層基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、広帯域で反射特性が改善された、ストリップ線路とマイクロストリップ線路との接続構造に関する。
【背景技術】
【0002】
高周波基板では、小型高密度化を実現するために、基板を多層化して高周波配線を基板内に通す、トリプレート構造のストリップ線路が多用されている。
多層化した基板内層におけるトリプレート構造のストリップ線路は、配線多層化を利用することで、回路接続の自由度を上げる事ができる。
さらに、基板内層におけるトリプレート構造のストリップ線路は、内層に分布定数回路（例えばフィルター回路）の形成も可能であるので、高周波回路の大幅な小型高密度化が実現できる。
多層化した基板内層におけるトリプレート構造のストリップ線路は、配線多層化を利用することで、回路接続の自由度を上げる事ができる。
さらに、基板内層におけるトリプレート構造のストリップ線路は、内層に分布定数回路（例えばフィルター回路）の形成も可能であるので、高周波回路の大幅な小型高密度化が実現できる。
【0003】
多層高周波基板では、回路部品を基板表面に実装する場合や、外部装置と多層高周波基板とを接続する場合に、高周波配線を基板表面層に出す必要がある。
基板表面の高周波配線にはマイクロストリップ線路が使用される。
このため、高周波多層基板では、ストリップ線路とマイクロストリップ線路とを接続する接続部が必要である。
基板表面の高周波配線にはマイクロストリップ線路が使用される。
このため、高周波多層基板では、ストリップ線路とマイクロストリップ線路とを接続する接続部が必要である。
【0004】
接続部に関し、内部がメッキされたスルーホールによって、ストリップ線路とマイクロストリップ線路とを接続する方法が知られている。内部がメッキされたスルーホール導体が、多層基板を垂直に貫通して、内層のトリプレート構造のストリップ線路の信号線と、表面層のマイクロストリップ線路の信号線とを接続する。
【0005】
内部がメッキされたスルーホールを用いる上記接続方法は、表面層のマイクロストリップ線路と、内層のトリプレート構造のストリップ線路との間の伝送線路形状（信号線）の急激な変化により、一方の伝送線路を伝搬する電磁界が他方の伝送線路へスムースに伝達できない結果、信号反射が大きいという課題が生じ得る。伝送線路の接続部の電磁界分布の解析は容易ではないため、従来は、回路モデルに置き換えて検討されてきた。回路モデルでは、２つの伝送線路である、内層のトリプレート構造ストリップ線路と、表面層のマイクロストリップ線路の、伝送インピーダンスを一致（例えば５０Ω）させて、スムースに伝送させる。この２つの伝送線路の接続部での形状の急激な変化を、回路モデルでは、接続部にインピーダンス素子が付加されたとして、このインピーダンス不整合が、信号反射が大きい要因と考えてきた。
【0006】
高周波伝送回路を形成するための高周波多層基板の製造工程を説明する。
高周波多層基板の製造工程には、内層工程と外層工程が有る。
最初に、内層工程で、内面基板の導体層のエッチングを行い、配線やグランドのパターンを形成し、その後、各基板のパターン位置を合わせ、プレプリグ材（絶縁層）を挟んで積層し、プレス成型される。
その後、外層工程で、ドリル加工、スルーホールメッキ、外層導体層のエッチングによるパターン形成、印刷や外形加工等されて、多層基板が完成する。
高周波多層基板の製造工程には、内層工程と外層工程が有る。
最初に、内層工程で、内面基板の導体層のエッチングを行い、配線やグランドのパターンを形成し、その後、各基板のパターン位置を合わせ、プレプリグ材（絶縁層）を挟んで積層し、プレス成型される。
その後、外層工程で、ドリル加工、スルーホールメッキ、外層導体層のエッチングによるパターン形成、印刷や外形加工等されて、多層基板が完成する。
【0007】
従来の手法（例えば特許文献１）では、信号反射が大きい原因として、伝送線路の変換部の導体スルーホールが下層まで貫通している構造が主原因となるインピーダンス不整合としている。
特許文献１の高周波多層基板では、接続部の貫通スルーホールのストリップ線路の中心導体より下層の部分は、ストリップ線路とマイクロストリップ線路とを連結するためには不要で、この不要な導体部分はスタブとして機能する（接続部にインピーダンス素子として浮遊容量が付加された）事が、信号反射が大きい原因と考えている。そのため、スルーホールに連結し内部に導体層を有さず、終端が平面である絶縁孔を設ける事により、信号反射が大きくならないとある。スタブとして機能する不要な導体部分が、接続部に付加されたインピーダンス素子であると考えて、それを物理的に除去するという対策である。
しかし、通常の外層工程に加えて、スルーホール導体部の削り加工工程の追加が必要であるので、高周波多層基板の製造のための工数および時間が、標準の工数および時間に比べて増大するという課題が有る。
特許文献１の高周波多層基板では、接続部の貫通スルーホールのストリップ線路の中心導体より下層の部分は、ストリップ線路とマイクロストリップ線路とを連結するためには不要で、この不要な導体部分はスタブとして機能する（接続部にインピーダンス素子として浮遊容量が付加された）事が、信号反射が大きい原因と考えている。そのため、スルーホールに連結し内部に導体層を有さず、終端が平面である絶縁孔を設ける事により、信号反射が大きくならないとある。スタブとして機能する不要な導体部分が、接続部に付加されたインピーダンス素子であると考えて、それを物理的に除去するという対策である。
しかし、通常の外層工程に加えて、スルーホール導体部の削り加工工程の追加が必要であるので、高周波多層基板の製造のための工数および時間が、標準の工数および時間に比べて増大するという課題が有る。
【0008】
また、別の従来技術（例えば特許文献２）では、多層基板と垂直に接続する同軸線路と、トリプレート構造のストリップ線路との接続の形態が示されている。
特許文献２でも、上記の接続形態において信号反射が大きい原因が、伝送線路の変換部のスルーホール導体が下層まで貫通している構造が主原因となるインピーダンス不整合であるとする。
このインピーダンス不整合への対処として、特許文献２では、貫通しているスルーホール導体の最下面に、λ／４（λ：波長）長さのスタブパターン（整合回路）を追加することでインピーダンス整合を図る構造が採用されている。
このため、そのスタブ長で決まる整合条件である特定の周波数においては、反射を無くすことが可能となる。
しかし、整合条件は特定周波数に限定されるため、そもそも広い帯域での整合を得る事ができるものではない。
特許文献２でも、上記の接続形態において信号反射が大きい原因が、伝送線路の変換部のスルーホール導体が下層まで貫通している構造が主原因となるインピーダンス不整合であるとする。
このインピーダンス不整合への対処として、特許文献２では、貫通しているスルーホール導体の最下面に、λ／４（λ：波長）長さのスタブパターン（整合回路）を追加することでインピーダンス整合を図る構造が採用されている。
このため、そのスタブ長で決まる整合条件である特定の周波数においては、反射を無くすことが可能となる。
しかし、整合条件は特定周波数に限定されるため、そもそも広い帯域での整合を得る事ができるものではない。
【0009】
上記で述べた従来技術（特許文献１）において、ストリップ線路と、マイクロストリップ線路の伝送インピーダンスを一致（例えば５０Ω）させるのが、一般的な方法である。
【0010】
その場合、それぞれの伝送線路の信号線幅を比べると、特許文献１の図１等にも示されるように、表面層のマイクロストリップ線路の伝送幅に対して、内層のトリプレート構造ストリップ線路の伝線幅の方が細くなる。基板の誘電率に依存するものの、１／４から１／２程度までにストリップ線路幅が細くなる。
エッチング精度には限界があり、限界以下の細い線幅では、製造ばらつきによる課題が生ずる。内層のトリプレート構造のストリップ線路を使った、分布定数回路（例えばフィルター回路）を形成する場合、エッチング精度が不足する事によるパターン寸法（線幅や距離）のばらつきが回路構成部のインピーダンスのばらつきをもたらす結果、回路特性（フィルター回路では、中心周波数や透過特性等）に、ばらつきが生じてしまう課題が有る。ストリップ線路の線幅は、マイクロストリップ線路の線幅と同様に幅広として、エッチング精度の影響を受けない様にすることも重要である。
エッチング精度には限界があり、限界以下の細い線幅では、製造ばらつきによる課題が生ずる。内層のトリプレート構造のストリップ線路を使った、分布定数回路（例えばフィルター回路）を形成する場合、エッチング精度が不足する事によるパターン寸法（線幅や距離）のばらつきが回路構成部のインピーダンスのばらつきをもたらす結果、回路特性（フィルター回路では、中心周波数や透過特性等）に、ばらつきが生じてしまう課題が有る。ストリップ線路の線幅は、マイクロストリップ線路の線幅と同様に幅広として、エッチング精度の影響を受けない様にすることも重要である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0011】
【特許文献1】特許第４５８５５８７号
【特許文献2】特許第６３０５０６６号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0012】
本開示は、追加の加工が無く製造しやすく、内層ストリップ線路の分布定数回路の特性ばらつきを抑え、かつ、広帯域で反射の少ない、インピーダンス整合が取れる高周波多層基板の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0013】
本開示に係る高周波多層基板は、
積層された複数の接地導体と、
積層方向における両端の接地導体に挟まれた誘電体領域と、
前記誘電体領域の表面に表層信号線を有し、前記積層方向と直交する直交方向に延びるマイクロストリップ線路と、
前記誘電体領域の内部に内層信号線を有し、前記直交方向に延びるストリップ線路と、
前記マイクロストリップ線路が出力する高周波信号の電磁界の伝送モードを、前記ストリップ線路に適合すべき伝送モードに変換する変換部と、
を備え、
前記ストリップ線路は、その内層信号線をはさむ上下の接地面の距離、即ち、誘電体厚さを多層基板の複数層数を使用することによって適切に確保してあり、
前記変換部は、
前記マイクロストリップ線路の延びる方向に前記マイクロストリップ線路から延び、前記マイクロストリップ線路の出力する高周波信号における電界の前記表層信号線の幅方向に沿う第１の幅方向成分を、前記マイクロストリップ線路の延びる方向へ遠ざかるに従って徐々に増やす第１の変換線路と、
前記第１の変換線路に接続し、前記誘電体領域の前記表面から前記誘電体領域の内部へ前記積層方向に延びる縦同軸状線路と、
前記誘電体領域の前記内部で前記ストリップ線路の延びる方向に前記ストリップ線路から前記縦同軸状線路に向かって延びて前記縦同軸状線路に接続し、前記縦同軸状線路の出力する高周波信号における電界の前記内層信号線の幅方向に沿う第２の幅方向成分を、前記縦同軸状線路から前記ストリップ線路に向かって遠ざかるに従って徐々に減らす第２の変換線路と、
を備える。
積層された複数の接地導体と、
積層方向における両端の接地導体に挟まれた誘電体領域と、
前記誘電体領域の表面に表層信号線を有し、前記積層方向と直交する直交方向に延びるマイクロストリップ線路と、
前記誘電体領域の内部に内層信号線を有し、前記直交方向に延びるストリップ線路と、
前記マイクロストリップ線路が出力する高周波信号の電磁界の伝送モードを、前記ストリップ線路に適合すべき伝送モードに変換する変換部と、
を備え、
前記ストリップ線路は、その内層信号線をはさむ上下の接地面の距離、即ち、誘電体厚さを多層基板の複数層数を使用することによって適切に確保してあり、
前記変換部は、
前記マイクロストリップ線路の延びる方向に前記マイクロストリップ線路から延び、前記マイクロストリップ線路の出力する高周波信号における電界の前記表層信号線の幅方向に沿う第１の幅方向成分を、前記マイクロストリップ線路の延びる方向へ遠ざかるに従って徐々に増やす第１の変換線路と、
前記第１の変換線路に接続し、前記誘電体領域の前記表面から前記誘電体領域の内部へ前記積層方向に延びる縦同軸状線路と、
前記誘電体領域の前記内部で前記ストリップ線路の延びる方向に前記ストリップ線路から前記縦同軸状線路に向かって延びて前記縦同軸状線路に接続し、前記縦同軸状線路の出力する高周波信号における電界の前記内層信号線の幅方向に沿う第２の幅方向成分を、前記縦同軸状線路から前記ストリップ線路に向かって遠ざかるに従って徐々に減らす第２の変換線路と、
を備える。
【発明の効果】
【0014】
本開示の高周波多層基板では、変換部を有するため、変換部によって電磁界が滑らかに伝送変換される。このため、広帯域で反射の少ない、インピーダンス整合が取れる高周波多層基板が提供できる。また、本開示の高周波多層基板によれば、表層信号線の幅と内層信号線の幅とを同等である。マイクロストリップ線路の信号幅に比べて信号線の幅が小さくなるストリップ線路の信号線について、本開示の高周波多層基板は、ストリップ線路の誘電体厚さを適切に確保することにより広いストリップ線路の信号線の幅を確保できる。よって、内層ストリップ線路の分布定数回路の特性ばらつきを抑える事ができる。
【図面の簡単な説明】
【0015】
【図1】実施の形態１の図で、一部を断面とした高周波多層基板１００を示す斜視図。
【図2】実施の形態１の図で、高周波多層基板１００の上面図及び断面図。
【図3】実施の形態１の図で、各接地導体の平面図。
【図4】実施の形態１の図で、各線路の斜視図。
【図5】実施の形態１の図で、各線路の断面における電界のイメージを示す図。
【図6】実施の形態１の図で、テーパー形状に代替可能な曲線形状を示す図。
【図7】実施の形態１の図で、変形例１の高周波多層基板１００－１の一部を断面とした斜視図。
【図8】実施の形態１の図で、変形例１の高周波多層基板１００－１の上面図及び断面図。
【図9】実施の形態１の図で、変形例１である高周波多層基板１００－１の各接地導体おける貫通スルーホール３４ａ付近を示す図。
【図10】実施の形態１の図で、変形例２である高周波多層基板１００－２を示す、一部を断面とした斜視図。
【図11】実施の形態１の図で、変形例３である高周波多層基板１００－３を示す、一部を断面とした斜視図。
【発明を実施するための形態】
【0016】
実施の形態の説明および図面において、同じ要素および対応する要素には同じ符号を付している。同じ符号が付された要素の説明は、適宜に省略または簡略化する。
【0017】
実施の形態１．
＊＊＊構成の説明＊＊＊
以下、図１から図５を用いて実施の形態１の高周波多層基板１００を説明する。
図１は、一部を断面とした高周波多層基板１００の斜視図である。
図２は、高周波多層基板１００の上面図および断面図である。
断面図は図１のｐｑｒｓに対応している。
図３は、高周波多層基板１００における各接地導体の平面視を示し、各接地導体を－Ｚ方向へ見た図である。
図４は、各線路の斜視図を示している。
図５は、各線路の断面における電界のイメージを示している。
＊＊＊構成の説明＊＊＊
以下、図１から図５を用いて実施の形態１の高周波多層基板１００を説明する。
図１は、一部を断面とした高周波多層基板１００の斜視図である。
図２は、高周波多層基板１００の上面図および断面図である。
断面図は図１のｐｑｒｓに対応している。
図３は、高周波多層基板１００における各接地導体の平面視を示し、各接地導体を－Ｚ方向へ見た図である。
図４は、各線路の斜視図を示している。
図５は、各線路の断面における電界のイメージを示している。
【0018】
図２のａ－ａ断面は、図４（ａ），図５（ａ）に対応し、
図２のｂ１－ｂ１断面、ｂ２－ｂ２断面は、図４（ｂ），図５（ｂ）に対応し、
図２のｃ１－ｃ１断面、ｃ２－ｃ２断面は、図４（ｃ），図５（ｃ）に対応し、
図２のｄ－ｄ断面は、図４（ｄ），図５（ｄ）に対応する。
図２のｂ１－ｂ１断面、ｂ２－ｂ２断面は、図４（ｂ），図５（ｂ）に対応し、
図２のｃ１－ｃ１断面、ｃ２－ｃ２断面は、図４（ｃ），図５（ｃ）に対応し、
図２のｄ－ｄ断面は、図４（ｄ），図５（ｄ）に対応する。
【0019】
図１に示す断面ｐｑｒｓは、高周波多層基板１００で左右につながるマイクロストリップ線路３１とストリップ線路３７との表層信号線３１ａ、内層信号線３７ａの中心で切断している。高周波多層基板１００では、接地導体の導体層が５層、誘電体領域は４層である。なお、高周波多層基板１００は、一般的に使用されるガラスエポキシ多層基板を想定する。
【0020】
（方向の定義）
図１にはＸＹＺ座標を示している。＋Ｘ方向あるいは－Ｘ方向が、横方向である。＋Ｚ方向あるいは－Ｚ方向が、縦方向である。縦方向は、上下方向でもある。＋Ｚ方向は上方向、Ｚ方向は下方向である。図１左側には、上表面層のマイクロストリップ線路３１を示しいる。図１右側は、内層のストリップ線路３７を示している。
図１にはＸＹＺ座標を示している。＋Ｘ方向あるいは－Ｘ方向が、横方向である。＋Ｚ方向あるいは－Ｚ方向が、縦方向である。縦方向は、上下方向でもある。＋Ｚ方向は上方向、Ｚ方向は下方向である。図１左側には、上表面層のマイクロストリップ線路３１を示しいる。図１右側は、内層のストリップ線路３７を示している。
【0021】
（高周波多層基板１００の構成）
高周波多層基板１００は、積層された５枚の接地導体と、誘電体領域と、マイクロストリップ線路３１と、トリプレート構造のストリップ線路３７と、変換部３０とを備えている。誘電体領域とは、第１の誘電体層２１から第４の誘電体層２４の全体である。
接地導体の数は一例であり、５枚に限定されない。
変換部３０は、マイクロストリップ線路３１からストリップ線路３７へ伝送される高周波の電磁界の伝送モードを、ストリップ線路３７に適合すべき伝送モードに変換し、また、ストリップ線路３７からマイクロストリップ線路３１へ伝送される高周波の電磁界の伝送モードを、マイクロストリップ線路３１に適合すべき伝送モードに変換する。
図２に示すように、変換部３０は、第１のテーパー部３２、半割同軸状線路３３、縦方向の同軸状線路３４、横方向の同軸状線路３５、第２のテーパー部３６を備えている。
高周波多層基板１００は、積層された５枚の接地導体と、誘電体領域と、マイクロストリップ線路３１と、トリプレート構造のストリップ線路３７と、変換部３０とを備えている。誘電体領域とは、第１の誘電体層２１から第４の誘電体層２４の全体である。
接地導体の数は一例であり、５枚に限定されない。
変換部３０は、マイクロストリップ線路３１からストリップ線路３７へ伝送される高周波の電磁界の伝送モードを、ストリップ線路３７に適合すべき伝送モードに変換し、また、ストリップ線路３７からマイクロストリップ線路３１へ伝送される高周波の電磁界の伝送モードを、マイクロストリップ線路３１に適合すべき伝送モードに変換する。
図２に示すように、変換部３０は、第１のテーパー部３２、半割同軸状線路３３、縦方向の同軸状線路３４、横方向の同軸状線路３５、第２のテーパー部３６を備えている。
【0022】
（変換部３０）
高周波多層基板１００の特徴は、マイクロストリップ線路３１と、トリプレート構造のストリップ線路３７とに関する変換部３０にある。変換部３０のマイクロストリップ線路３１側では、第１のテーパー部３２によって、マイクロストリップ線路３１の構成が、縦方向の同軸状線路３４に向かうに従って徐々に半割同軸状線路３３に変換される。マイクロストリップ線路３１の表層信号線３１ａの線幅Ｗ３１ａは、マイクロストリップ線路３１から縦方向の同軸状線路３４に至るまで、同一の線幅である。
同様に、変換部３０のストリップ線路３７側では、第２のテーパー部３６によって、ストリップ線路３７の構成が、縦方向の同軸状線路３４に向かう従って、徐々に横方向の同軸状線路３５に変換される。トリプレート構造のストリップ線路３７の内層信号線３７ａの線幅Ｗ３７ａは、ストリップ線路３７から縦方向の同軸状線路３４に至るまで、同一の線幅である。
高周波多層基板１００の特徴は、マイクロストリップ線路３１と、トリプレート構造のストリップ線路３７とに関する変換部３０にある。変換部３０のマイクロストリップ線路３１側では、第１のテーパー部３２によって、マイクロストリップ線路３１の構成が、縦方向の同軸状線路３４に向かうに従って徐々に半割同軸状線路３３に変換される。マイクロストリップ線路３１の表層信号線３１ａの線幅Ｗ３１ａは、マイクロストリップ線路３１から縦方向の同軸状線路３４に至るまで、同一の線幅である。
同様に、変換部３０のストリップ線路３７側では、第２のテーパー部３６によって、ストリップ線路３７の構成が、縦方向の同軸状線路３４に向かう従って、徐々に横方向の同軸状線路３５に変換される。トリプレート構造のストリップ線路３７の内層信号線３７ａの線幅Ｗ３７ａは、ストリップ線路３７から縦方向の同軸状線路３４に至るまで、同一の線幅である。
【0023】
（変換部３０の各伝送線路の接続の関係）
上表面層のマイクロストリップ線路３１と、内層のストリップ線路３７とは、変換部３０を介して接続される。表層と内層との接続のため、垂直の貫通スルーホール３４ａで信号線（表層信号線３１ａと内層信号線３７ａ）を接続する事が必須となる。
貫通スルーホール３４ａは、周りの接地スルーホール５１で、縦方向の同軸状線路３４
の構造になる。このため、変換部３０は、「マイクロストリップ線路３１―同軸線路（半割同軸状線路を含む）－ストリップ線路３７」という伝送線路変換回路となる。
水平から垂直に直角に伝送方向を変化させる部位は、同軸線路の構成で接続されていれば伝送方向の変化であれば、同じ電磁界モードでの変化であり、電磁界は伝送対応可能である。このため、変換部３０は、半割同軸状線路３３、縦方向の同軸状線路３４、横方向の同軸状線路３５の３種の同軸状伝送線路と、その両側の第１のテーパー部３及び第２のテーパー部３６の５つの部位による変換器構成をとることで、電磁界は滑らかに伝送される。
上表面層のマイクロストリップ線路３１と、内層のストリップ線路３７とは、変換部３０を介して接続される。表層と内層との接続のため、垂直の貫通スルーホール３４ａで信号線（表層信号線３１ａと内層信号線３７ａ）を接続する事が必須となる。
貫通スルーホール３４ａは、周りの接地スルーホール５１で、縦方向の同軸状線路３４
の構造になる。このため、変換部３０は、「マイクロストリップ線路３１―同軸線路（半割同軸状線路を含む）－ストリップ線路３７」という伝送線路変換回路となる。
水平から垂直に直角に伝送方向を変化させる部位は、同軸線路の構成で接続されていれば伝送方向の変化であれば、同じ電磁界モードでの変化であり、電磁界は伝送対応可能である。このため、変換部３０は、半割同軸状線路３３、縦方向の同軸状線路３４、横方向の同軸状線路３５の３種の同軸状伝送線路と、その両側の第１のテーパー部３及び第２のテーパー部３６の５つの部位による変換器構成をとることで、電磁界は滑らかに伝送される。
【0024】
（マイクロストリップ線路３１）
図４（ａ），図４（ｂ）を参照してマイクロストリップ線路３１を説明する。図４（ａ）には、高周波多層基板１００のマイクロストリップ線路３１を示す。マイクロストリップ線路３１は、表層信号線３１ａ、第１の誘電体層２１、第２の接地導体１２から構成される。図５（ａ）は、マイクロストリップ線路３１に発生する電界のイメージを矢印で示している。他の図の矢印も電界を示している。
図４（ａ），図４（ｂ）を参照してマイクロストリップ線路３１を説明する。図４（ａ）には、高周波多層基板１００のマイクロストリップ線路３１を示す。マイクロストリップ線路３１は、表層信号線３１ａ、第１の誘電体層２１、第２の接地導体１２から構成される。図５（ａ）は、マイクロストリップ線路３１に発生する電界のイメージを矢印で示している。他の図の矢印も電界を示している。
【0025】
（第１のテーパー部３２）
図２に示すように、マイクロストリップ線路３１は、第１のテーパー部３２を介して、半割同軸状線路３３に形状が変化する。図３の第１の接地導体１１において、「ｐ１－ｐ２」及び「ｐ３－ｐ４」で、テーパー形状を形成している。
半割同軸状線路３３は、グランデッドコプレーナ構造とも呼ばれる。マイクロストリップ線路３１と第１のテーパー部３２の接続部分は、図４（ａ）の構成であり、表層信号線３１ａの両側の第１の接地導体１１は、表層信号線３１ａから十分に離れている。ここで第１のテーパー部３２では、半割同軸状線路３３に向かうに従って、両側の第１の接地導体１１と表層信号線３１ａとの隙間が、テーパー状に狭くなっていき、半割同軸状線路３３（グランデッドコプレーナ構造）の形状に近づいていく。第１のテーパー部３２は、半割同軸状線路３３との接続箇所では、グランデッドコプレーナ構造である。図５（ｂ）は、半割同軸状線路３３（グランデッドコプレーナ構造）に発生する電界のイメージを矢印で示している。マイクロストリップ線路３１から半割同軸状線路３３（グランデッドコプレーナ構造）に形状変化することにより、電磁界分布が、図５（ａ）から図５（ｂ）を経過して、図５（ｅ）のように変化する。図５（ｅ）は、半割同軸状線路３３における電磁界の分布を、半割同軸として模式的に示した図である。すなわち、電磁界分布は、マイクロストリップ線路３１の表層信号線３１ａの真下の誘電体部分に集中している状態（図５（ａ））から、マイクロストリップ線路３１から離れるに従って、だんだん左右横方向にも広がって行く。そして、最後は、電磁界分布は、半割同軸状線路３３の表層信号線３１ａの下と左右の誘電体部分とに存在する分布に変化する。
図２に示すように、マイクロストリップ線路３１は、第１のテーパー部３２を介して、半割同軸状線路３３に形状が変化する。図３の第１の接地導体１１において、「ｐ１－ｐ２」及び「ｐ３－ｐ４」で、テーパー形状を形成している。
半割同軸状線路３３は、グランデッドコプレーナ構造とも呼ばれる。マイクロストリップ線路３１と第１のテーパー部３２の接続部分は、図４（ａ）の構成であり、表層信号線３１ａの両側の第１の接地導体１１は、表層信号線３１ａから十分に離れている。ここで第１のテーパー部３２では、半割同軸状線路３３に向かうに従って、両側の第１の接地導体１１と表層信号線３１ａとの隙間が、テーパー状に狭くなっていき、半割同軸状線路３３（グランデッドコプレーナ構造）の形状に近づいていく。第１のテーパー部３２は、半割同軸状線路３３との接続箇所では、グランデッドコプレーナ構造である。図５（ｂ）は、半割同軸状線路３３（グランデッドコプレーナ構造）に発生する電界のイメージを矢印で示している。マイクロストリップ線路３１から半割同軸状線路３３（グランデッドコプレーナ構造）に形状変化することにより、電磁界分布が、図５（ａ）から図５（ｂ）を経過して、図５（ｅ）のように変化する。図５（ｅ）は、半割同軸状線路３３における電磁界の分布を、半割同軸として模式的に示した図である。すなわち、電磁界分布は、マイクロストリップ線路３１の表層信号線３１ａの真下の誘電体部分に集中している状態（図５（ａ））から、マイクロストリップ線路３１から離れるに従って、だんだん左右横方向にも広がって行く。そして、最後は、電磁界分布は、半割同軸状線路３３の表層信号線３１ａの下と左右の誘電体部分とに存在する分布に変化する。
【0026】
（半割同軸状線路３３）
半割同軸状線路３３（グランデッドコプレーナ構造）の形状は、図４（ｂ）に示している。図４（ｂ）に示すように、グランデッドコプレーナ構造は、表層信号線３１ａと隙間を空けて両側に第１の接地導体１１、第１の誘電体層２１と、第２の接地導体１２で形成されている。第１の接地導体１１と第２の接地導体１２とは、複数の接地スルーホール５１で接続されている。第１のテーパー部３２の説明で述べたように、グランデッドコプレーナ構造では、表層信号線３１ａの下及び左右に接地導体があるため、電磁界は下と左右の誘電体部分に存在する。
半割同軸状線路３３（グランデッドコプレーナ構造）の形状は、図４（ｂ）に示している。図４（ｂ）に示すように、グランデッドコプレーナ構造は、表層信号線３１ａと隙間を空けて両側に第１の接地導体１１、第１の誘電体層２１と、第２の接地導体１２で形成されている。第１の接地導体１１と第２の接地導体１２とは、複数の接地スルーホール５１で接続されている。第１のテーパー部３２の説明で述べたように、グランデッドコプレーナ構造では、表層信号線３１ａの下及び左右に接地導体があるため、電磁界は下と左右の誘電体部分に存在する。
【0027】
（縦方向の同軸状線路３４）
縦方向の同軸状線路３４の構成を説明する。縦方向の同軸状線路３４は、貫通スルーホール３４ａおよび貫通スルーホール３４ａを囲む、第１の接地導体１１から第５の接地導体１５からなる。貫通スルーホール３４ａは、最上層の第１の接地導体１１から、最下層の第５の接地導体１５まで貫通している。貫通スルーホール３４ａは信号線である。貫通スルーホール３４ａを取り囲む第１の接地導体１１から第５の接地導体１５の５つの接地導体は、多数の接地スルーホール５１で電気的に互いに接続されている。図５（ｆ）は、縦方向の同軸状線路３４における電磁界の分布を、同軸として模式的に示した図である。縦方向の同軸状線路３４の電磁界分布は、中心導体と外導体の間の誘電体層で周方向に均一に分布する形状（軸対称分布）である。信号線である貫通スルーホール３４ａは、最上層で、半割同軸状線路３３の表層信号線３１ａと接続し、内層の第３導体層（第３の接地導体１３の層）で、横方向の同軸状線路３５の内層信号線３７ａと接続している。図１では、貫通スルーホール３４ａを中心に、表層信号線３１ａは－Ｘ方向で、内層信号線３７ａは＋Ｘ方向の、１８０度の直線状に伸びているが、縦方向の同軸状線路３４の電磁界分布は軸対称分布であるため、内層信号線３７ａはＸＹ平面の任意の角度に選択ができる。
縦方向の同軸状線路３４の構成を説明する。縦方向の同軸状線路３４は、貫通スルーホール３４ａおよび貫通スルーホール３４ａを囲む、第１の接地導体１１から第５の接地導体１５からなる。貫通スルーホール３４ａは、最上層の第１の接地導体１１から、最下層の第５の接地導体１５まで貫通している。貫通スルーホール３４ａは信号線である。貫通スルーホール３４ａを取り囲む第１の接地導体１１から第５の接地導体１５の５つの接地導体は、多数の接地スルーホール５１で電気的に互いに接続されている。図５（ｆ）は、縦方向の同軸状線路３４における電磁界の分布を、同軸として模式的に示した図である。縦方向の同軸状線路３４の電磁界分布は、中心導体と外導体の間の誘電体層で周方向に均一に分布する形状（軸対称分布）である。信号線である貫通スルーホール３４ａは、最上層で、半割同軸状線路３３の表層信号線３１ａと接続し、内層の第３導体層（第３の接地導体１３の層）で、横方向の同軸状線路３５の内層信号線３７ａと接続している。図１では、貫通スルーホール３４ａを中心に、表層信号線３１ａは－Ｘ方向で、内層信号線３７ａは＋Ｘ方向の、１８０度の直線状に伸びているが、縦方向の同軸状線路３４の電磁界分布は軸対称分布であるため、内層信号線３７ａはＸＹ平面の任意の角度に選択ができる。
【0028】
（ランド４１，４２，４３）
貫通スルーホール３４ａの最上面、最下面およびトリプレート信号面（内層信号線３７ａの存在する面）の３つの導体層には、ランド４１，４２，４３が形成されている。それ以外の導体層はランドレスとする。
貫通スルーホール３４ａの最上面と最下面のランド直径は、マイクロストリップ線路３１の信号線である表層信号線３１ａの線幅Ｗ３１ａと同等とする。貫通スルーホール３４ａのトリプレート信号面のランド直径は、ストリップ線路３７の信号線である内層信号線３７ａの線幅Ｗ３７ａと同等とする。
貫通スルーホール３４ａの最上面、最下面およびトリプレート信号面（内層信号線３７ａの存在する面）の３つの導体層には、ランド４１，４２，４３が形成されている。それ以外の導体層はランドレスとする。
貫通スルーホール３４ａの最上面と最下面のランド直径は、マイクロストリップ線路３１の信号線である表層信号線３１ａの線幅Ｗ３１ａと同等とする。貫通スルーホール３４ａのトリプレート信号面のランド直径は、ストリップ線路３７の信号線である内層信号線３７ａの線幅Ｗ３７ａと同等とする。
【0029】
（横方向の同軸状線路３５）
図４（ｃ）は横方向の同軸状線路３５を示している。横方向の同軸状線路３５は、上部の第１の接地導体１１と下部の第５の接地導体１５との間の誘電体層に、内層信号線３７ａと、誘電体層を取り巻く形で第１から第５の接地導体面が存在する構造である。図５（ｃ）は、横方向の同軸状線路３５における電磁界の分布を示す図である。電磁界は、内層信号線３７ａと、上部の接地導体面と下部接地導体面との間の誘電体層に存在し、特に内層信号線３７ａの真上と真下に集中している。
図４（ｃ）は横方向の同軸状線路３５を示している。横方向の同軸状線路３５は、上部の第１の接地導体１１と下部の第５の接地導体１５との間の誘電体層に、内層信号線３７ａと、誘電体層を取り巻く形で第１から第５の接地導体面が存在する構造である。図５（ｃ）は、横方向の同軸状線路３５における電磁界の分布を示す図である。電磁界は、内層信号線３７ａと、上部の接地導体面と下部接地導体面との間の誘電体層に存在し、特に内層信号線３７ａの真上と真下に集中している。
【0030】
（第２のテーパー部３６）
図４（ｃ）及び図４（ｄ）は、第２のテーパー部３６の形状をも示している。図３の第２の接地導体１２、第３の接地導体１３及び第４の接地導体１４において、「ｑ１－ｑ２」及び「ｑ３－ｑ４」で、テーパー形状を形成している。図２に示すように、横方向の同軸状線路３５は、第２のテーパー部３６を介して、ストリップ線路３７に形状が変化する。第２のテーパー部３６と横方向の同軸状線路３５の接続部分は、横方向の同軸状線路３５の形状（図４（ｃ））であり、第２のテーパー部３６とストリップ線路３７の接続部分は、ストリップ線路３７の形状（図４（ｄ））である。ストリップ線路３７の形状を説明する。図４（ｄ）に示すように、ストリップ線路３７は、内層信号線３７ａと、内層信号線３７ａを間に挟む第１の接地導体１１及び第５の接地導体１５と、第１の接地導体１１及び第５の接地導体１５で挟まれる誘電体層と、で構成されている。上面の第１の接地導体１１と、下面の第５の接地導体１５も、多数の接地スルーホール５１で接続されている。ストリップ線路３７では、内層信号線３７ａの両側の接地導体１２～１４は十分に離れている。これに対して、第２のテーパー部３６では、内層信号線３７ａと接地導体１２～１５との隙間（距離）は、横方向の同軸状線路３５に向かうに従って、接地導体１２～１５がテーパー状に狭くなるため、横方向の同軸状線路３５との接続箇所で、横方向の同軸状線路３５の形状になる。この形状変化を横方向の同軸状線路３５からストリップ線路３７に向かってみた場合、電磁界分布は、図５（ｃ）から図５（ｄ）へと変化する。すなわり、横方向の同軸状線路３５の内層信号線３７ａの上下と、左右の誘電体部分に存在する分布（図５（ｃｄ））から、次第に内層信号線３７ａの上下に存在する分布（図５（ｄ））に変化する。
図４（ｃ）及び図４（ｄ）は、第２のテーパー部３６の形状をも示している。図３の第２の接地導体１２、第３の接地導体１３及び第４の接地導体１４において、「ｑ１－ｑ２」及び「ｑ３－ｑ４」で、テーパー形状を形成している。図２に示すように、横方向の同軸状線路３５は、第２のテーパー部３６を介して、ストリップ線路３７に形状が変化する。第２のテーパー部３６と横方向の同軸状線路３５の接続部分は、横方向の同軸状線路３５の形状（図４（ｃ））であり、第２のテーパー部３６とストリップ線路３７の接続部分は、ストリップ線路３７の形状（図４（ｄ））である。ストリップ線路３７の形状を説明する。図４（ｄ）に示すように、ストリップ線路３７は、内層信号線３７ａと、内層信号線３７ａを間に挟む第１の接地導体１１及び第５の接地導体１５と、第１の接地導体１１及び第５の接地導体１５で挟まれる誘電体層と、で構成されている。上面の第１の接地導体１１と、下面の第５の接地導体１５も、多数の接地スルーホール５１で接続されている。ストリップ線路３７では、内層信号線３７ａの両側の接地導体１２～１４は十分に離れている。これに対して、第２のテーパー部３６では、内層信号線３７ａと接地導体１２～１５との隙間（距離）は、横方向の同軸状線路３５に向かうに従って、接地導体１２～１５がテーパー状に狭くなるため、横方向の同軸状線路３５との接続箇所で、横方向の同軸状線路３５の形状になる。この形状変化を横方向の同軸状線路３５からストリップ線路３７に向かってみた場合、電磁界分布は、図５（ｃ）から図５（ｄ）へと変化する。すなわり、横方向の同軸状線路３５の内層信号線３７ａの上下と、左右の誘電体部分に存在する分布（図５（ｃｄ））から、次第に内層信号線３７ａの上下に存在する分布（図５（ｄ））に変化する。
【0031】
（ストリップ線路３７）
ストリップ線路３７の構成及び電磁界の分布は、第２のテーパー部３６の説明で述べたとおりである。
第１の変換経路及び第２の変換経路では、各接地導体のテーパー形状を用いて、高周波信号の電磁界の伝送モードを徐々に変換している。伝送モードを徐々に変換するには、テーパー形状に限らず、各接地導体の形状が「滑らかに変化」すればよい。図６は「滑らかに変化」を説明する図である。図１から図５に示した高周波多層基板１００では、第１の接地導体１１、第２の接地導体１２、第３の接地導体１３及び第４の接地導体１４のテーパー形状によって、高周波信号の電磁界の伝送モードが徐々に変換される。図６では、「滑らかに変化」する形状として曲線形状を示している。図６の第１の接地導体１１では、マイクロストリップ線路３１における幅Ｗ２が、曲線形状により、半割同軸状線路３３において幅Ｗ１となる。第２の接地導体１２から第４の接地導体１４についても同様である。曲線形状の場合も、テーパー形状と同様に、高周波信号の電磁界の伝送モードが徐々に変換される。
ストリップ線路３７の構成及び電磁界の分布は、第２のテーパー部３６の説明で述べたとおりである。
第１の変換経路及び第２の変換経路では、各接地導体のテーパー形状を用いて、高周波信号の電磁界の伝送モードを徐々に変換している。伝送モードを徐々に変換するには、テーパー形状に限らず、各接地導体の形状が「滑らかに変化」すればよい。図６は「滑らかに変化」を説明する図である。図１から図５に示した高周波多層基板１００では、第１の接地導体１１、第２の接地導体１２、第３の接地導体１３及び第４の接地導体１４のテーパー形状によって、高周波信号の電磁界の伝送モードが徐々に変換される。図６では、「滑らかに変化」する形状として曲線形状を示している。図６の第１の接地導体１１では、マイクロストリップ線路３１における幅Ｗ２が、曲線形状により、半割同軸状線路３３において幅Ｗ１となる。第２の接地導体１２から第４の接地導体１４についても同様である。曲線形状の場合も、テーパー形状と同様に、高周波信号の電磁界の伝送モードが徐々に変換される。
【0032】
＊＊＊高周波多層基板１００の効果＊＊＊
高周波多層基板１００は変換部３０を備えているので、マイクロストリップ線路３１からストリップ線路３７へ反射を低減した状態で高周波信号を伝送できると共に、ストリップ線路３７からマイクロストリップ線路３１へ反射を低減した状態で高周波信号を伝送できる。
高周波多層基板１００は変換部３０を備えているので、マイクロストリップ線路３１からストリップ線路３７へ反射を低減した状態で高周波信号を伝送できると共に、ストリップ線路３７からマイクロストリップ線路３１へ反射を低減した状態で高周波信号を伝送できる。
【0033】
＜変形例１＞
図７から図９は高周波多層基板１００の変形例の高周波多層基板１００－１を示す図である。高周波多層基板１００－１は６枚の接地導体を備え、５層の誘電体層からなる。
図７は、一部を断面とした高周波多層基板１００－１を示す斜視図である。
図８は、高周波多層基板１００－１の上面図及び断面図である。
図９は、高周波多層基板１００－１の各接地導体おける貫通スルーホール３４ａ付近を示す図である。
図７から図９は高周波多層基板１００の変形例の高周波多層基板１００－１を示す図である。高周波多層基板１００－１は６枚の接地導体を備え、５層の誘電体層からなる。
図７は、一部を断面とした高周波多層基板１００－１を示す斜視図である。
図８は、高周波多層基板１００－１の上面図及び断面図である。
図９は、高周波多層基板１００－１の各接地導体おける貫通スルーホール３４ａ付近を示す図である。
【0034】
（誘電体の厚さ）
図８で後述する誘電体の厚さＨ１、Ｈ２を調整することで、表層信号線３１ａの線幅Ｗ３１ａと、内層信号線３７ａの線幅Ｗ３７ａとを、同等にすることができる。
図７に示している表層信号線３１ａの線幅Ｗ３１ａと、内層信号線３７ａの線幅Ｗ３７ａとは、同等である。例えば、線幅Ｗ３７ａを線幅Ｗ３１ａで除した値は、２／３よりも大きく１．１以下である。
すなわち、
２／３＜［Ｗ３７ａ／Ｗ３１ａ］≦１．１である。
図８で後述する誘電体の厚さＨ１、Ｈ２を調整することで、表層信号線３１ａの線幅Ｗ３１ａと、内層信号線３７ａの線幅Ｗ３７ａとを、同等にすることができる。
図７に示している表層信号線３１ａの線幅Ｗ３１ａと、内層信号線３７ａの線幅Ｗ３７ａとは、同等である。例えば、線幅Ｗ３７ａを線幅Ｗ３１ａで除した値は、２／３よりも大きく１．１以下である。
すなわち、
２／３＜［Ｗ３７ａ／Ｗ３１ａ］≦１．１である。
【0035】
以下に具体的に説明する。上表面層のマイクロストリップ線路３１と、内層のトリプレート構造のストリップ線路３７とは、伝送インピーダンスが一致（例えば５０Ω）するように配線パターンが設計される。誘電体層の厚さと誘電率から、線幅が求められる。
内層にある導体層を除去する事により、トリプレート構造ストリップ線路３７の誘電体を厚くする構造とする。この構造により、トリプレート構造ストリップ線路３７の内層信号線３７ａの線幅Ｗ３７ａを、上表面層のマイクロストリップ線路３１の表層信号線３１ａの線幅Ｗ３１ａと同じ、あるいは、同等にすることができる。
誘電体層の厚さは、基板枚数の１，２，…と整数単位でしか変化できないが、上下の非対象を含めると、１，１．５、２、２．５、３，…と半整数単位で調整可能となる。
図８では、トリプレート構造のストリップ線路２（内層）の上の誘電体厚さは３層分（第１～第３の誘電体層）、ストリップ線路２の下の誘電体厚さは２層分（第４・第５誘電体層）と厚くしている。この場合、上下の誘電体厚さは非対称となるが、上下対称の場合の２．５層厚と同等である。
内層にある導体層を除去する事により、トリプレート構造ストリップ線路３７の誘電体を厚くする構造とする。この構造により、トリプレート構造ストリップ線路３７の内層信号線３７ａの線幅Ｗ３７ａを、上表面層のマイクロストリップ線路３１の表層信号線３１ａの線幅Ｗ３１ａと同じ、あるいは、同等にすることができる。
誘電体層の厚さは、基板枚数の１，２，…と整数単位でしか変化できないが、上下の非対象を含めると、１，１．５、２、２．５、３，…と半整数単位で調整可能となる。
図８では、トリプレート構造のストリップ線路２（内層）の上の誘電体厚さは３層分（第１～第３の誘電体層）、ストリップ線路２の下の誘電体厚さは２層分（第４・第５誘電体層）と厚くしている。この場合、上下の誘電体厚さは非対称となるが、上下対称の場合の２．５層厚と同等である。
【0036】
（誘電体層の厚さ）
図８に示すように、内層信号線３７ａから表層信号線３１ａに向かう方向である上方向への内層信号線３７ａを始点とする誘電体層の厚さをＨ１とする。
上方向の反対方向である下方向への内層信号線３７ａを始点とする誘電体層の厚さをＨ２とする。このとき、図８に示すように、Ｈ１とＨ２とは、内層信号線３７ａに対して上下方向で非対称である。以上、高周波多層基板１００－１を説明した。
図８に示すように、内層信号線３７ａから表層信号線３１ａに向かう方向である上方向への内層信号線３７ａを始点とする誘電体層の厚さをＨ１とする。
上方向の反対方向である下方向への内層信号線３７ａを始点とする誘電体層の厚さをＨ２とする。このとき、図８に示すように、Ｈ１とＨ２とは、内層信号線３７ａに対して上下方向で非対称である。以上、高周波多層基板１００－１を説明した。
【0037】
＜変形例２＞
図１０は、変形例２の高周波多層基板１００－２の構成を示す。高周波多層基板１００－２は、４層基板での、ストリップ線路２とマイクロストリップ線路３との接続構造を示す。基板材料の誘電率によって、適切な信号線の線幅や積層基板枚数も変わる。ガラスエポキシ基板と比べ、基板材料の誘電率が小さい場合には、マイクロストリップ線路３１の表層信号線３１ａは太くなり、エッチング精度の影響を受けにくくなる。加えて、基板材料の誘電率が小さいと、表面層の表層信号線３１ａの線幅に対して、内層のトリプレート構造ストリップ線路３７の内層信号線３７ａの線幅の方が細くなる比率が小さい。すなわち、内層信号線３７ａの線幅があまり細くならない。このことから、誘電率が小さい場合には、誘電体厚さをあまり厚くしなくてもエッチング精度の影響を受けない内層のトリプレート構造ストリップ線路を形成できる。よって、多層基板の基板積層枚数を少なくできる事につながる。基板の積層数削減は基板コスト削減と直結し、最も低コストである導体層が４層の多層基板（４層基板）の使用が可能となる。
図１０は、変形例２の高周波多層基板１００－２の構成を示す。高周波多層基板１００－２は、４層基板での、ストリップ線路２とマイクロストリップ線路３との接続構造を示す。基板材料の誘電率によって、適切な信号線の線幅や積層基板枚数も変わる。ガラスエポキシ基板と比べ、基板材料の誘電率が小さい場合には、マイクロストリップ線路３１の表層信号線３１ａは太くなり、エッチング精度の影響を受けにくくなる。加えて、基板材料の誘電率が小さいと、表面層の表層信号線３１ａの線幅に対して、内層のトリプレート構造ストリップ線路３７の内層信号線３７ａの線幅の方が細くなる比率が小さい。すなわち、内層信号線３７ａの線幅があまり細くならない。このことから、誘電率が小さい場合には、誘電体厚さをあまり厚くしなくてもエッチング精度の影響を受けない内層のトリプレート構造ストリップ線路を形成できる。よって、多層基板の基板積層枚数を少なくできる事につながる。基板の積層数削減は基板コスト削減と直結し、最も低コストである導体層が４層の多層基板（４層基板）の使用が可能となる。
【0038】
＜変形例３＞
図１１は、変形例３の高周波多層基板１００－３を示す。高周波多層基板１００－３では、高周波伝送の多層基板の下に、その他の信号配線層の信号配線部や電源供給用の層の電源配線部を重ねた多層基板の構成である。高周波多層基板１００－３は、信号配線部と電源配線部との少なくとも１つを備える。
高周波多層基板には、伝送線路や分布定数回路といった基板パターンによる回路の他に、高周波用部品やその他部品（信号処理や電源）の電子部品を表面実装して、装置の小型軽量化を図る事が多い。
電子部品を表面実装が有る場合、これら多種の電子部品への電源供給配線や、高周波伝送でない他の信号配線が必要となる。その場合には、高周波伝送回路ブロックと、それ以外の回路ブロックを基板上に配置して接地スルーホール５１を多用してブロック区切る。そして、高周波伝送の多層基板の下に、その他の信号配線層や電源供給用の層を重ねた多層基板が用いられる。
図１１の高周波多層基板１００－３は、高周波伝送部の下に、信号配線層である信号配線部や電源供給用層の電源配線部が積層された多層基板である。高周波多層基板１００－３では、縦方向の同軸状線路３４の接地スルーホール５１は、最下層の第８の接地導体１８まで貫通したままとした多層基板である。
以上、高周波多層基板１００－３を説明した。
図１１は、変形例３の高周波多層基板１００－３を示す。高周波多層基板１００－３では、高周波伝送の多層基板の下に、その他の信号配線層の信号配線部や電源供給用の層の電源配線部を重ねた多層基板の構成である。高周波多層基板１００－３は、信号配線部と電源配線部との少なくとも１つを備える。
高周波多層基板には、伝送線路や分布定数回路といった基板パターンによる回路の他に、高周波用部品やその他部品（信号処理や電源）の電子部品を表面実装して、装置の小型軽量化を図る事が多い。
電子部品を表面実装が有る場合、これら多種の電子部品への電源供給配線や、高周波伝送でない他の信号配線が必要となる。その場合には、高周波伝送回路ブロックと、それ以外の回路ブロックを基板上に配置して接地スルーホール５１を多用してブロック区切る。そして、高周波伝送の多層基板の下に、その他の信号配線層や電源供給用の層を重ねた多層基板が用いられる。
図１１の高周波多層基板１００－３は、高周波伝送部の下に、信号配線層である信号配線部や電源供給用層の電源配線部が積層された多層基板である。高周波多層基板１００－３では、縦方向の同軸状線路３４の接地スルーホール５１は、最下層の第８の接地導体１８まで貫通したままとした多層基板である。
以上、高周波多層基板１００－３を説明した。
【0039】
以上に説明した高周波多層基板１００及び各変形例について、内層にあるトリプレート構造ストリップ線路３７と、上表面層のマイクロストリップ線路３１と変換部３０に関し、特徴をまとめておく。
（１）上表面層のマイクロストリップ線路３１と、トリプレート構造ストリップ線路３７の、伝送インピーダンスを一致（例えば５０Ω）させて配線パターンを設計する。誘電体層の厚さと誘電率から、配線（信号線）幅が決められる。
内層にあるトリプレート構造のストリップ線路３７は、上下の誘電体層間の導体層をエッチングで除去して誘電体を厚くする。これにより、マイクロストリップ線路３１とトリプレート構造ストリップ線路３７との伝送インピーダンスを一致（例えば５０Ω）させ時、トリプレート構造ストリップ線路３７の内層信号線３７ａの線幅Ｗ３７ａは、上表面層のマイクロストリップ線路３１の表層信号線３１ａの線幅Ｗ３１ａと同等の広さとする事が出来る。トリプレート構造ストリップ線路３７の上下の誘電体を厚くする場合、厚さは上下非対称であっても良い。
（２）変換部３０は、半割同軸状線路３３、縦方向の同軸状線路３４、横方向の同軸状線路３５の３種の同軸状伝送線路と、その両側の第１のテーパー部３２、第２のテーパー部３６の５つの部位により構成されている。マイクロストリップ線路３１の表層信号線３１ａは、変換部３０の第１のテーパー部３２や半割同軸状線路３３でも、表層信号線３１ａは同じ線幅Ｗ３１ａのままとする。トリプレート構造のストリップ線路３７の内層信号線３７ａも、第２のテーパー部３６や横方向の同軸状線路３５でも、内層信号線３７ａは同じ線幅Ｗ３７ａのままとする。
（３）内層にあるトリプレート構造のストリップ線路は、接続部である縦方向の同軸状線路の付近で、テーパー形状に、横方向の同軸状線路（トリプレート構造ストリップ線路の信号線を囲む様に、複数の接地導体を配置）を形成する。
（４）接続部である縦方向の同軸状線路は、信号線スルーホールと、信号線スルーホールを囲む複数の接地導体からなる、垂直方向の同軸状構造である。信号線スルーホールは、最下層の導体層まで貫通したままにしておく。信号線スルーホールは、削り取ったり、再下層面にスタブ回路等を付け加えたりしない構成とする。貫通スルーホール３４ａの最上面、最下面、トリプレート信号面の導体層には，それぞれランド４１，４２，４３を設ける。しかし、それ以外の導体層では、貫通スルーホール．３４ａはランドレスとする。
（５）貫通スルーホール３４ａの最上面と最下面のランド４１，４３の直径を、マイクロストリップの表層信号線３１ａの線幅Ｗ３１ａと同じ長さとする。トリプレート信号面の導体層のランド４２の直径も、線幅Ｗ３１ａと同等の長さする。
（１）上表面層のマイクロストリップ線路３１と、トリプレート構造ストリップ線路３７の、伝送インピーダンスを一致（例えば５０Ω）させて配線パターンを設計する。誘電体層の厚さと誘電率から、配線（信号線）幅が決められる。
内層にあるトリプレート構造のストリップ線路３７は、上下の誘電体層間の導体層をエッチングで除去して誘電体を厚くする。これにより、マイクロストリップ線路３１とトリプレート構造ストリップ線路３７との伝送インピーダンスを一致（例えば５０Ω）させ時、トリプレート構造ストリップ線路３７の内層信号線３７ａの線幅Ｗ３７ａは、上表面層のマイクロストリップ線路３１の表層信号線３１ａの線幅Ｗ３１ａと同等の広さとする事が出来る。トリプレート構造ストリップ線路３７の上下の誘電体を厚くする場合、厚さは上下非対称であっても良い。
（２）変換部３０は、半割同軸状線路３３、縦方向の同軸状線路３４、横方向の同軸状線路３５の３種の同軸状伝送線路と、その両側の第１のテーパー部３２、第２のテーパー部３６の５つの部位により構成されている。マイクロストリップ線路３１の表層信号線３１ａは、変換部３０の第１のテーパー部３２や半割同軸状線路３３でも、表層信号線３１ａは同じ線幅Ｗ３１ａのままとする。トリプレート構造のストリップ線路３７の内層信号線３７ａも、第２のテーパー部３６や横方向の同軸状線路３５でも、内層信号線３７ａは同じ線幅Ｗ３７ａのままとする。
（３）内層にあるトリプレート構造のストリップ線路は、接続部である縦方向の同軸状線路の付近で、テーパー形状に、横方向の同軸状線路（トリプレート構造ストリップ線路の信号線を囲む様に、複数の接地導体を配置）を形成する。
（４）接続部である縦方向の同軸状線路は、信号線スルーホールと、信号線スルーホールを囲む複数の接地導体からなる、垂直方向の同軸状構造である。信号線スルーホールは、最下層の導体層まで貫通したままにしておく。信号線スルーホールは、削り取ったり、再下層面にスタブ回路等を付け加えたりしない構成とする。貫通スルーホール３４ａの最上面、最下面、トリプレート信号面の導体層には，それぞれランド４１，４２，４３を設ける。しかし、それ以外の導体層では、貫通スルーホール．３４ａはランドレスとする。
（５）貫通スルーホール３４ａの最上面と最下面のランド４１，４３の直径を、マイクロストリップの表層信号線３１ａの線幅Ｗ３１ａと同じ長さとする。トリプレート信号面の導体層のランド４２の直径も、線幅Ｗ３１ａと同等の長さする。
【0040】
トリプレート構造のストリップ線路３７の内層信号線３７ａの層から、貫通した最下面の導体層まで導体が伸びており、この導体長（スタブ長）がλ／４（λは波長）程度になる周波数帯より高い周波数では、反射の影響が出てくる。しかし、それより低い周波数であれば、一般に使われる広い高周波帯域での反射の影響は無視できるのは、前述のとおりである。
【0041】
以上に説明した、変形例を含む高周波多層基板は以下のとおりである。
高周波多層基板１００では、マイクロストリップ線路からストリップ線路への縦方向の同軸状線路を介した接続は、グランデッドコプレーナ構造、縦方向の同軸状線路および内層の横方向の同軸状構造の接続である。グランデッドコプレーナ構造は半割同軸状構造と見なせる。
加えて、マイクロストリップ線路とストリップ線路の信号線幅が同等である。また、それら信号線の線幅を直径とするランドを持つスルーホールからなる垂直方向の同軸状構造を介する接続構造の特徴から、電磁波が滑らかに伝送できる。つまり、広帯域で反射の少ない変換方式が得られる効果が有る。
なお、多層基板の通常の製造工程による、縦方向の同軸状線路の信号線であるスルーホールが下層まで貫通した構造はそのまま残している。
この貫通部による反射の影響は、貫通部の長さ（スタブ長）がλ／４（λは波長）となる周波数帯（ミリ波帯）近傍に影響は限定される。このため、一般に利用する広い高周波数帯（マイクロ波・超短波・短波・中波帯）での影響は無視できる。よって、スルーホールは下層貫通のままとして、削り取る必要は無い。
広帯域で反射の少ない接続方式が得られるため、下層面にスタブ回路等を付加して整合を取る必要は無い。
誘電体層の厚さを適切に厚くする事で、ストリップ線路幅が、マイクロストリップ線路幅と同じ、あるいは、同等に広く、エッチング精度に鈍感となる。よって、内層のトリプレート構造ストリップ線路を利用した分布定数回路の特性ばらつきが抑えられる効果がある。
従来技術では、トリプレート構造ストリップ線路の上下の誘電体厚さは、上下対称（同じ厚さ）である。これに対して、高周波多層基板１００では、上下非対称も取り入れて誘電体層の厚さ設計選択肢を増やしている。これにより、高周波多層基板の構成枚数の選択肢が増え、トリプレート構造ストリップ線路幅の選択肢が増える。
多層基板の構成枚数の削減は、基板コスト低減に直結する上に、トリプレート構造ストリップ線路幅の広さ確保は特性ばらつき削減に直結するため、それぞれ選択肢が増える事はメリットとなる。
高周波多層基板１００では、マイクロストリップ線路からストリップ線路への縦方向の同軸状線路を介した接続は、グランデッドコプレーナ構造、縦方向の同軸状線路および内層の横方向の同軸状構造の接続である。グランデッドコプレーナ構造は半割同軸状構造と見なせる。
加えて、マイクロストリップ線路とストリップ線路の信号線幅が同等である。また、それら信号線の線幅を直径とするランドを持つスルーホールからなる垂直方向の同軸状構造を介する接続構造の特徴から、電磁波が滑らかに伝送できる。つまり、広帯域で反射の少ない変換方式が得られる効果が有る。
なお、多層基板の通常の製造工程による、縦方向の同軸状線路の信号線であるスルーホールが下層まで貫通した構造はそのまま残している。
この貫通部による反射の影響は、貫通部の長さ（スタブ長）がλ／４（λは波長）となる周波数帯（ミリ波帯）近傍に影響は限定される。このため、一般に利用する広い高周波数帯（マイクロ波・超短波・短波・中波帯）での影響は無視できる。よって、スルーホールは下層貫通のままとして、削り取る必要は無い。
広帯域で反射の少ない接続方式が得られるため、下層面にスタブ回路等を付加して整合を取る必要は無い。
誘電体層の厚さを適切に厚くする事で、ストリップ線路幅が、マイクロストリップ線路幅と同じ、あるいは、同等に広く、エッチング精度に鈍感となる。よって、内層のトリプレート構造ストリップ線路を利用した分布定数回路の特性ばらつきが抑えられる効果がある。
従来技術では、トリプレート構造ストリップ線路の上下の誘電体厚さは、上下対称（同じ厚さ）である。これに対して、高周波多層基板１００では、上下非対称も取り入れて誘電体層の厚さ設計選択肢を増やしている。これにより、高周波多層基板の構成枚数の選択肢が増え、トリプレート構造ストリップ線路幅の選択肢が増える。
多層基板の構成枚数の削減は、基板コスト低減に直結する上に、トリプレート構造ストリップ線路幅の広さ確保は特性ばらつき削減に直結するため、それぞれ選択肢が増える事はメリットとなる。
【0042】
伝送インピーダンスを一致（例えば５０Ω）させる目的で、表面層のマイクロストリップ線路の信号線の幅に対して、内層のトリプレート構造ストリップ線路の信号線の幅を細くした場合には、以下の課題があった。
多層基板の表面層のマイクロストリップ線路でエッチング精度内で特性が良い（ばらつきが少ない）回路形成できたとしても、伝送インピーダンスを一致（例えば５０Ω）させた内層のトリプレート構造のストリップ線路ではより細い線幅となる。
細い線幅となるストリップ線路の線幅の要求精度に対して、エッチング精度が不十分である。エッチング精度によるストリップ線路の線幅の製造ばらつきは、伝送インピーダンスのばらつきをもたらす。
変形例を含む高周波多層基板１００ではマイクロストリップ線路３１の表層信号線３１ａと、ストリップ線路７０の内層信号線３７ａの線幅とは同等である。よって、マイクロストリップ線路３１をストリップ線路７０に接続する際のインピーダンスを整合できる。
多層基板の表面層のマイクロストリップ線路でエッチング精度内で特性が良い（ばらつきが少ない）回路形成できたとしても、伝送インピーダンスを一致（例えば５０Ω）させた内層のトリプレート構造のストリップ線路ではより細い線幅となる。
細い線幅となるストリップ線路の線幅の要求精度に対して、エッチング精度が不十分である。エッチング精度によるストリップ線路の線幅の製造ばらつきは、伝送インピーダンスのばらつきをもたらす。
変形例を含む高周波多層基板１００ではマイクロストリップ線路３１の表層信号線３１ａと、ストリップ線路７０の内層信号線３７ａの線幅とは同等である。よって、マイクロストリップ線路３１をストリップ線路７０に接続する際のインピーダンスを整合できる。
【0043】
以下、本開示の諸態様を付記としてまとめて記載する。
（付記１）
積層された複数の接地導体と、
積層方向における両端の接地導体に挟まれた誘電体領域と、
前記誘電体領域の表面に表層信号線を有し、前記積層方向と直交する直交方向に延びるマイクロストリップ線路と、
前記誘電体領域の内部に内層信号線を有し、前記直交方向に延びるストリップ線路と、
前記マイクロストリップ線路が出力する高周波信号の電磁界の伝送モードを、前記ストリップ線路に適合すべき伝送モードに変換する変換部と、
を備え、
前記変換部は、
前記マイクロストリップ線路の延びる方向に前記マイクロストリップ線路から延び、前記マイクロストリップ線路の出力する高周波信号における電界の前記表層信号線の線幅方向に沿う第１の幅方向成分を、前記マイクロストリップ線路の延びる方向へ遠ざかるに従って徐々に増やす第１の変換線路と、
前記第１の変換線路に接続し、前記誘電体領域の前記表面から前記誘電体領域の内部へ前記積層方向に延びる縦同軸状線路と、
前記誘電体領域の前記内部で前記ストリップ線路の延びる方向に前記ストリップ線路から前記縦同軸状線路に向かって延びて前記縦同軸状線路に接続し、前記縦同軸状線路の出力する高周波信号における電界の前記内層信号線の線幅方向に沿う第２の幅方向成分を、前記縦同軸状線路から前記ストリップ線路に向かって遠ざかるに従って徐々に減らす第２の変換線路と、
を備える高周波多層基板。
（付記２）
前記変換部は、
前記ストリップ線路が出力する高周波信号の電磁界の伝送モードを、前記マイクロストリップ線路に適合すべき伝送モードに変換する変換線路として機能し、
前記第２の変換線路は、
前記ストリップ線路の出力する高周波信号における電界の前記第２の幅方向成分を、前記縦同軸状線路に向かって前記ストリップ線路から遠ざかるに従って徐々に増やし、
前記第１の変換線路は、
前記縦同軸状線路の出力する高周波信号における電界の前記第１の幅方向成分を、前記マイクロストリップ線路に向かって前記縦同軸状線路から遠ざかるに従って徐々に減らす付記１に記載の高周波多層基板。
（付記３）
前記表層信号線は、
前記縦同軸状線路まで延びて前記縦同軸状線路に接続しており、
前記第１の変換線路は、
前記複数の接地導体のうちの第１の接地導体の第１の部分が前記表層信号線の両側のうち一方の側に配置され、前記第１の接地導体の第２の部分が他方の側に配置され、前記表層信号線から前記第１の部分及び第２の部分までの前記表層信号線の線幅方向における各距離が、前記縦同軸状線路に向かうに従って次第に短くなり、
前記内層信号線は、
前記縦同軸状線路まで延びて前記縦同軸状線路に接続しており、
前記第２の変換線路は、
前記内層信号線の延びる方向を法線とする断面において、前記内層信号線が前記複数の接地導体によって囲まれているとともに、前記ストリップ線路との接続箇所ではトリプレート構造であり、前記縦同軸状線路との接続箇所では同軸状線路構造である付記１または付記２に記載の高周波多層基板。
（付記４）
前記誘電体領域は、
前記内層信号線から、前記積層方向における両端の接地導体のうちの一方の接地導体に前記積層方向に沿って向かう第１の厚さと、
前記内層信号線から、前記積層方向における両端の接地導体のうちの他方の接地導体に前記積層方向に沿って向かう第２の厚さとが、
非対称である付記１から付記３のいずれか１項に記載の高周波多層基板。
（付記５）
前記内層信号線の線幅を前記表層信号線の線幅で除した値は、２／３よりも大きく１．１以下である付記４に記載の高周波多層基板。
（付記１）
積層された複数の接地導体と、
積層方向における両端の接地導体に挟まれた誘電体領域と、
前記誘電体領域の表面に表層信号線を有し、前記積層方向と直交する直交方向に延びるマイクロストリップ線路と、
前記誘電体領域の内部に内層信号線を有し、前記直交方向に延びるストリップ線路と、
前記マイクロストリップ線路が出力する高周波信号の電磁界の伝送モードを、前記ストリップ線路に適合すべき伝送モードに変換する変換部と、
を備え、
前記変換部は、
前記マイクロストリップ線路の延びる方向に前記マイクロストリップ線路から延び、前記マイクロストリップ線路の出力する高周波信号における電界の前記表層信号線の線幅方向に沿う第１の幅方向成分を、前記マイクロストリップ線路の延びる方向へ遠ざかるに従って徐々に増やす第１の変換線路と、
前記第１の変換線路に接続し、前記誘電体領域の前記表面から前記誘電体領域の内部へ前記積層方向に延びる縦同軸状線路と、
前記誘電体領域の前記内部で前記ストリップ線路の延びる方向に前記ストリップ線路から前記縦同軸状線路に向かって延びて前記縦同軸状線路に接続し、前記縦同軸状線路の出力する高周波信号における電界の前記内層信号線の線幅方向に沿う第２の幅方向成分を、前記縦同軸状線路から前記ストリップ線路に向かって遠ざかるに従って徐々に減らす第２の変換線路と、
を備える高周波多層基板。
（付記２）
前記変換部は、
前記ストリップ線路が出力する高周波信号の電磁界の伝送モードを、前記マイクロストリップ線路に適合すべき伝送モードに変換する変換線路として機能し、
前記第２の変換線路は、
前記ストリップ線路の出力する高周波信号における電界の前記第２の幅方向成分を、前記縦同軸状線路に向かって前記ストリップ線路から遠ざかるに従って徐々に増やし、
前記第１の変換線路は、
前記縦同軸状線路の出力する高周波信号における電界の前記第１の幅方向成分を、前記マイクロストリップ線路に向かって前記縦同軸状線路から遠ざかるに従って徐々に減らす付記１に記載の高周波多層基板。
（付記３）
前記表層信号線は、
前記縦同軸状線路まで延びて前記縦同軸状線路に接続しており、
前記第１の変換線路は、
前記複数の接地導体のうちの第１の接地導体の第１の部分が前記表層信号線の両側のうち一方の側に配置され、前記第１の接地導体の第２の部分が他方の側に配置され、前記表層信号線から前記第１の部分及び第２の部分までの前記表層信号線の線幅方向における各距離が、前記縦同軸状線路に向かうに従って次第に短くなり、
前記内層信号線は、
前記縦同軸状線路まで延びて前記縦同軸状線路に接続しており、
前記第２の変換線路は、
前記内層信号線の延びる方向を法線とする断面において、前記内層信号線が前記複数の接地導体によって囲まれているとともに、前記ストリップ線路との接続箇所ではトリプレート構造であり、前記縦同軸状線路との接続箇所では同軸状線路構造である付記１または付記２に記載の高周波多層基板。
（付記４）
前記誘電体領域は、
前記内層信号線から、前記積層方向における両端の接地導体のうちの一方の接地導体に前記積層方向に沿って向かう第１の厚さと、
前記内層信号線から、前記積層方向における両端の接地導体のうちの他方の接地導体に前記積層方向に沿って向かう第２の厚さとが、
非対称である付記１から付記３のいずれか１項に記載の高周波多層基板。
（付記５）
前記内層信号線の線幅を前記表層信号線の線幅で除した値は、２／３よりも大きく１．１以下である付記４に記載の高周波多層基板。
【0044】
以上、本開示の実施の形態及び変形例について説明した。これらの実施の形態及び変形例のうち、いくつかを組み合わせて実施してもよい。また、いずれか１つ又はいくつかを部分的に実施してもよい。なお、本開示は、以上の実施の形態及び変形例に限定されるものではなく、必要に応じて種々の変更が可能である。
【符号の説明】
【0045】
Ｗ３１ａ，Ｗ３７ａ 線幅、１１ 第１の接地導体、１２ 第２の接地導体、１３ 第３の接地導体、１４ 第４の接地導体、１５ 第５の接地導体、１６ 第６の接地導体、２１ 第１の誘電体層、２２ 第２の誘電体層、２３ 第３の誘電体層、２４ 第４の誘電体層、２５ 第５の誘電体層、３０ 変換部、３１ マイクロストリップ線路、３１ａ 表層信号線、３２ 第１のテーパー部、３３ 半割同軸状線路、３４ 縦方向の同軸状線路、３４ａ 貫通スルーホール、３５ 横方向の同軸状線路、３６ 第２のテーパー部、３７ ストリップ線路、３７ａ 内層信号線、４１，４２，４３ ランド、５１ 接地スルーホール、１００ 高周波多層基板。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】