特開 2024-176329 表示装置の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024176329

(43)【公開日】2024-12-19

(54)【発明の名称】表示装置の製造方法

(51)【国際特許分類】

   G09F 9/00 20060101AFI20241212BHJP

   H10K 50/10 20230101ALI20241212BHJP

   H10K 50/844 20230101ALI20241212BHJP

   H10K 59/12 20230101ALI20241212BHJP

   H10K 77/00 20230101ALI20241212BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20241212BHJP

   B23K 26/57 20140101ALI20241212BHJP

   B23K 26/402 20140101ALI20241212BHJP

   B23K 26/386 20140101ALI20241212BHJP

【ＦＩ】

G09F9/00 338

H10K50/10

H10K50/844

H10K59/12

H10K77/00

G09F9/30 349Z

B23K26/57

B23K26/402

B23K26/386

【審査請求】未請求

【請求項の数】20

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023094789

(22)【出願日】2023-06-08

(71)【出願人】

【識別番号】502356528

【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ

(74)【代理人】

【識別番号】110001737

【氏名又は名称】弁理士法人スズエ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】佐々木 絵理

【テーマコード（参考）】

3K107

4E168

5C094

5G435

【Ｆターム（参考）】

3K107AA01

3K107BB01

3K107BB08

3K107CC23

3K107CC33

3K107CC45

3K107DD12

3K107EE48

3K107EE61

3K107GG28

3K107GG52

4E168AD14

4E168AD17

4E168FC00

4E168JA03

4E168JA05

4E168JA17

4E168JB03

4E168KA06

5C094AA31

5C094AA43

5C094AA44

5C094BA27

5C094DA13

5C094EA10

5C094GB10

5G435AA14

5G435AA17

5G435BB05

5G435KK05

5G435KK10

(57)【要約】

【課題】信頼性の低下を抑制し、かつ、製造コストを抑えることが可能な表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】一実施形態によれば、表示装置の製造方法は、透明な基板の上の表示領域と前記表示領域を囲む周辺領域とにわたって透明な無機層を形成し、前記周辺領域の前記無機層の上に金属層を形成し、前記無機層及び前記金属層の上に有機層を形成し、少なくとも前記金属層の直上に位置する前記有機層の上に保護フィルムを貼った処理基板を用意し、前記基板側から前記金属層に向けてレーザ光を照射し、前記レーザ光を照射する工程では、前記金属層及び前記有機層を貫通した複数の穴を形成し、前記金属層に形成された複数の穴は、識別情報に対応したパターンで並んでいる。
【選択図】 図６

【特許請求の範囲】

【請求項1】

透明な基板の上の表示領域と前記表示領域を囲む周辺領域とにわたって透明な無機層を形成し、
前記周辺領域の前記無機層の上に金属層を形成し、
前記無機層及び前記金属層の上に有機層を形成し、
少なくとも前記金属層の直上に位置する前記有機層の上に保護フィルムを貼った処理基板を用意し、
前記基板側から前記金属層に向けてレーザ光を照射し、
前記レーザ光を照射する工程では、前記金属層及び前記有機層を貫通した複数の穴を形成し、
前記金属層に形成された複数の穴は、識別情報に対応したパターンで並んでいる、
表示装置の製造方法。

【請求項2】

前記レーザ光を照射する工程は、ステージに前記保護フィルムが接した状態で行う、
請求項１に記載の表示装置の製造方法。

【請求項3】

前記レーザ光を照射する工程では、前記保護フィルムは、前記レーザ光の照射位置において、前記ステージに接している、
請求項２に記載の表示装置の製造方法。

【請求項4】

前記レーザ光を照射する工程では、前記保護フィルムを貫通する穴は形成せず、前記金属層及び前記有機層を貫通した穴の形成に伴って発生した粉塵を前記保護フィルムに付着させる、
請求項１に記載の表示装置の製造方法。

【請求項5】

前記レーザ光を照射した後、
前記保護フィルムを前記処理基板から剥離する、
請求項４に記載の表示装置の製造方法。

【請求項6】

前記レーザ光は、紫外線波長のレーザ光である、
請求項１に記載の表示装置の製造方法。

【請求項7】

前記基板は、ガラス基板であり、
前記無機層は、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、または、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）で形成する、
請求項１に記載の表示装置の製造方法。

【請求項8】

前記金属層は、チタン、モリブデン、タングステン、及び、アルミニウムの少なくとも１つの材料で形成する、
請求項１に記載の表示装置の製造方法。

【請求項9】

さらに、前記表示領域の前記無機層の上に電極を形成し、
前記電極及び前記金属層は、同一工程で形成する、
請求項１に記載の表示装置の製造方法。

【請求項10】

前記金属層は、チタン層及びアルミニウム層の積層体、または、モリブデン層及びアルミニウム層の積層体として形成する、
請求項９に記載の表示装置の製造方法。

【請求項11】

透明な基板の上の複数のパネル部にわたって透明な無機層を形成し、
前記パネル部の各々において、表示領域を囲む周辺領域の前記無機層の上に金属層を形成し、
前記無機層、及び、前記金属層の上に有機層を形成し、
少なくとも前記金属層の直上に位置する前記有機層の上に保護フィルムを貼った処理基板を用意し、
前記基板側から前記金属層に向けてレーザ光を照射し、
前記レーザ光を照射する工程では、前記金属層及び前記有機層を貫通した複数の穴を形成し、
前記金属層に形成された複数の穴は、識別情報に対応したパターンで並んでいる、
表示装置の製造方法。

【請求項12】

前記レーザ光を照射する前に、
前記処理基板を前記パネル部ごとに切断する、
請求項１１に記載の表示装置の製造方法。

【請求項13】

前記レーザ光を照射した後に、
前記処理基板を前記パネル部ごとに切断する、
請求項１１に記載の表示装置の製造方法。

【請求項14】

前記レーザ光を照射する工程は、前記保護フィルムとステージとが接した状態で行う、
請求項１１に記載の表示装置の製造方法。

【請求項15】

前記レーザ光を照射する工程では、前記保護フィルムを貫通する穴は形成せず、前記金属層及び前記有機層を貫通した穴の形成に伴って発生した粉塵を前記保護フィルムに付着させ、
その後、前記保護フィルムを前記処理基板から剥離する、
請求項１１に記載の表示装置の製造方法。

【請求項16】

前記レーザ光は、紫外線波長のレーザ光であり、
前記基板は、ガラス基板であり、
前記無機層は、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、または、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）で形成し、
前記金属層は、チタン、モリブデン、タングステン、及び、アルミニウムの少なくとも１つの材料で形成する、
請求項１１に記載の表示装置の製造方法。

【請求項17】

基板の上方に金属層を形成し、
前記金属層の直上に保護フィルムを配置し、
前記基板側から前記金属層に向けてレーザ光を照射し、
前記レーザ光を照射する工程では、前記金属層に、識別情報に対応したパターンで並んだ複数の穴を形成する、
表示装置の製造方法。

【請求項18】

前記レーザ光を照射する工程は、ステージに前記保護フィルムが接した状態で行う、
請求項１７に記載の表示装置の製造方法。

【請求項19】

前記レーザ光を照射する工程では、前記保護フィルムを貫通する穴は形成せず、前記金属層を貫通した穴の形成に伴って発生した粉塵を前記保護フィルムに付着させ、
その後、前記保護フィルムを剥離する、
請求項１８に記載の表示装置の製造方法。

【請求項20】

前記レーザ光は、紫外線波長のレーザ光であり、
前記基板は、ガラス基板であり、
前記金属層は、チタン、モリブデン、タングステン、及び、アルミニウムの少なくとも１つの材料で形成する、
請求項１９に記載の表示装置の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の実施形態は、表示装置の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を適用した表示装置が実用化されている。このような表示装置の製造過程において、レーザ加工が行われることがある。レーザ加工時において、レーザ光が被加工物に照射されると、照射部で粉塵が発生する。この粉塵が製品に付着したままでは、表示装置の信頼性の低下に繋がる可能性がある。また、粉塵が飛散することで、製造装置を汚染する可能性もある。

【0003】

また、集塵機で粉塵を集塵する場合、製造設備を複雑な構成とする必要がある。そのため、製造コストが高くなる可能性がある。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開平９－１７５０２５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本発明の目的は、信頼性の低下を抑制し、かつ、製造コストを抑えることが可能な表示装置の製造方法を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0006】

一実施形態によれば、表示装置の製造方法は、
透明な基板の上の表示領域と前記表示領域を囲む周辺領域とにわたって透明な無機層を形成し、前記周辺領域の前記無機層の上に金属層を形成し、前記無機層及び前記金属層の上に有機層を形成し、少なくとも前記金属層の直上に位置する前記有機層の上に保護フィルムを貼った処理基板を用意し、前記基板側から前記金属層に向けてレーザ光を照射し、前記レーザ光を照射する工程では、前記金属層及び前記有機層を貫通した複数の穴を形成し、前記金属層に形成された複数の穴は、識別情報に対応したパターンで並んでいる。

【0007】

一実施形態によれば、表示装置の製造方法は、
透明な基板の上の複数のパネル部にわたって透明な無機層を形成し、前記パネル部の各々において、表示領域を囲む周辺領域の前記無機層の上に金属層を形成し、前記無機層、及び、前記金属層の上に有機層を形成し、少なくとも前記金属層の直上に位置する前記有機層の上に保護フィルムを貼った処理基板を用意し、前記基板側から前記金属層に向けてレーザ光を照射し、前記レーザ光を照射する工程では、前記金属層及び前記有機層を貫通した複数の穴を形成し、前記金属層に形成された複数の穴は、識別情報に対応したパターンで並んでいる。

【0008】

一実施形態によれば、表示装置の製造方法は、
基板の上方に金属層を形成し、前記金属層の直上に保護フィルムを配置し、前記基板側から前記金属層に向けてレーザ光を照射し、前記レーザ光を照射する工程では、前記金属層に、識別情報に対応したパターンで並んだ複数の穴を形成する。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】図１は、表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。

【図2】図２は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトの一例を示す図である。

【図3】図３は、図２中のIII－III線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。

【図4】図４は、タグＴＧの構成の一例を示す図である。

【図5】図５は、図４中のＶ－Ｖ線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。

【図6】図６は、表示装置ＤＳＰの製造方法の一例を説明するためのフロー図である。

【図7】図７は、処理基板を用意する工程を説明するための図である。

【図8】図８は、処理基板を切断する工程を説明するための図である。

【図9】図９は、レーザ光を照射する工程を説明するための図である。

【図10】図１０は、レーザ光を照射する工程を説明するための図である。

【図11】図１１は、レーザ光を照射する工程を説明するための図である。

【図12】図１２は、保護フィルムを剥離する工程を説明するための図である。

【図13】図１３は、保護フィルムを剥離する工程を説明するための図である。

【図14】図１４は、表示装置ＤＳＰの製造方法の他の例を説明するためのフロー図である。

【図15】図１５は、表示装置ＤＳＰの製造方法の他の例を説明するためのフロー図である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

一実施形態について図面を参照しながら説明する。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

【0011】

なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向を第１方向と称し、Ｙ軸に沿った方向を第２方向と称し、Ｚ軸に沿った方向を第３方向と称する。第３方向Ｚと平行に各種要素を見ることを平面視という。

【0012】

本実施形態に係る表示装置は、表示素子として、例えば、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パーソナルコンピュータ、車載機器、タブレット端末、スマートフォン、携帯電話端末等に搭載され得る。

【0013】

図１は、表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０の上に、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡを囲む周辺領域ＳＡとを有している。基板１０は、ガラス基板である。なお、基板１０の材料は、ガラス基板に限らず、紫外線波長に対する透過率が高い材料であればよい。

【0014】

表示領域ＤＡは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、複数の副画素ＳＰを備えている。一例では、画素ＰＸは、赤色の副画素ＳＰ１、緑色の副画素ＳＰ２及び青色の副画素ＳＰ３を備えている。なお、画素ＰＸは、上記の３色の副画素の他に、白色などの他の色の副画素を加えた４個以上の副画素を備えてもよい。

【0015】

周辺領域ＳＡは、タグＴＧと、第１方向Ｘに並んだ複数の端子ＴＭを備えている。図１の例では、タグＴＧ及び複数の端子ＴＭは、表示領域ＤＡに対して第２方向Ｙの矢印側に位置している。タグＴＧは、詳細は後述するが、例えば、表示装置ＤＳＰの識別情報に対応したパターンを有している。識別情報に対応したパターンは、２次元コードとして形成されている。このようなパターンは、後述するレーザ光でマーキングされている。複数の端子ＴＭは、フレキシブルプリント回路基板やＩＣチップなどと接続される。また、複数の端子ＴＭは、副画素ＳＰを駆動するための各種配線（走査線ＧＬ、信号線ＳＬ、電源線ＰＬなど）と電気的に接続されている。

【0016】

副画素ＳＰは、画素回路１と、画素回路１によって駆動される表示素子２０とを備えている。画素回路１は、画素スイッチ２と、駆動トランジスタ３と、キャパシタ４とを備えている。画素スイッチ２及び駆動トランジスタ３は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイッチング素子である。

【0017】

画素スイッチ２において、ゲート電極は走査線ＧＬに接続されている。画素スイッチ２のソース電極及びドレイン電極の一方は信号線ＳＬに接続され、他方は駆動トランジスタ３のゲート電極及びキャパシタ４に接続されている。駆動トランジスタ３において、ソース電極及びドレイン電極の一方は電源線ＰＬ及びキャパシタ４に接続され、他方は表示素子２０のアノードに接続されている。なお、画素回路１の構成は図示した例に限らない。

【0018】

表示素子２０は、発光素子としての有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）である。例えば、副画素ＳＰ１は赤波長に対応した光を出射する表示素子２０を備え、副画素ＳＰ２は緑波長に対応した光を出射する表示素子２０を備え、副画素ＳＰ３は青波長に対応した光を出射する表示素子２０を備えている。表示素子２０の構成については後述する。

【0019】

図２は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトの一例を示す図である。ここでは、破線で囲んだ４個の画素ＰＸに着目する。それぞれの画素ＰＸにおいて、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３はこの順で第１方向Ｘに並んでいる。すなわち、表示領域ＤＡにおいて、第２方向Ｙに並ぶ複数の副画素ＳＰ１により構成される列と、第２方向Ｙに並ぶ複数の副画素ＳＰ２により構成される列と、第２方向Ｙに並ぶ複数の副画素ＳＰ３により構成される列とが、第１方向Ｘにおいて並んでいる。

【0020】

副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３の境界には、隔壁５が配置されている。図２の例において、隔壁５は、第１方向Ｘに隣り合う副画素ＳＰの間にそれぞれ位置する複数の隔壁５Ｘと、第２方向Ｙに隣り合う副画素ＳＰの間にそれぞれ位置する複数の隔壁５Ｙとを有した格子状に形成されている。図２の例においては、隔壁５Ｘが第２方向Ｙと平行に延び、隔壁５Ｙが第１方向Ｘと平行に延びている。これらの隔壁５Ｘ，５Ｙにより、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のそれぞれにおいて開口ＯＰが形成されている。このような開口ＯＰは、各副画素ＳＰの発光領域に相当する。図示した例では、各副画素ＳＰの開口ＯＰの面積は同一である。

【0021】

なお、副画素のレイアウトは、図示した例に限らない。例えば、各副画素ＳＰの開口ＯＰの面積が互いに異なっていてもよい。また、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３が一列に並んでいなくてもよい。また、互いに異なる色の副画素ＳＰが第２方向Ｙに並んでいてもよい。

【0022】

図３は、図２のIII－III線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。図３においては、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に配置される素子として駆動トランジスタ３及び表示素子２０を示し、その他の素子の図示を省略している。

【0023】

表示装置ＤＳＰは、上述の基板１０と、絶縁層１１，１２，１３と、上述の隔壁５Ｘと、封止層１４とを備えている。絶縁層１１，１２，１３は、基板１０の上において第３方向Ｚに積層されている。例えば、絶縁層１１，１２は無機材料で形成された無機層であり、絶縁層１３、及び、隔壁５Ｘは有機材料で形成された有機層である。図２に示した隔壁５Ｙは、隔壁５Ｘと同じ材料によって隔壁５Ｘと一体的に形成されている。

【0024】

各副画素の駆動トランジスタ３は、半導体層３０と、電極３１，３２，３３とを備えている。電極３１は、ゲート電極に相当する。電極３２，３３の一方はソース電極に相当し、他方はドレイン電極に相当する。半導体層３０は、基板１０と絶縁層１１の間に配置されている。電極３１は、絶縁層１１，１２の間に配置されている。電極３２，３３は、絶縁層１２，１３の間に配置され、絶縁層１１，１２を貫通するコンタクトホールを通じて半導体層３０に接触している。なお、駆動トランジスタ３の構成については、図示したトップゲート型に限らず、ボトムゲート型であってもよい。

【0025】

半導体層３０は、多結晶シリコン、アモルファスシリコン、酸化物半導体などのいずれであってもよい。電極３１は、例えば、モリブデン及びタングステンの合金で形成されている。電極３２，３３は、例えば、チタン層とアルミニウム層との積層体、あるいは、モリブデン層とアルミニウム層との積層体として形成されている。

【0026】

表示素子２０は、下部電極ＬＥと、有機ＥＬ層ＯＲと、上部電極ＵＥとを備えている。下部電極ＬＥは、副画素ＳＰ毎に配置された電極であり、画素電極と呼ばれる場合がある。上部電極ＵＥは、複数の表示素子２０に対して共通に配置された電極であり、共通電極と呼ばれる場合がある。有機ＥＬ層ＯＲは、下部電極ＬＥ及び上部電極ＵＥの間に配置されている。

【0027】

下部電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、絶縁層１３の上に配置されている。隔壁５Ｘ１，５Ｘ２，５Ｘ３，５Ｘ４も絶縁層１３の上に配置されている。図３の例においては、隔壁５Ｘ１、５Ｘ２が下部電極ＬＥ１の第１方向Ｘにおける両端部を覆い、隔壁５Ｘ２、５Ｘ３が下部電極ＬＥ２の第１方向Ｘにおける両端部を覆い、隔壁５Ｘ３、５Ｘ４が下部電極ＬＥ３の第１方向Ｘにおける両端部を覆っている。図３の断面には表れていないが、隔壁５Ｙも隔壁５Ｘと同様に絶縁層１３の上に配置され、下部電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の第２方向Ｙにおける両端部を覆っている。平面視において、下部電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、図２に示した開口ＯＰとそれぞれ重なっている。

【0028】

下部電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、それぞれ絶縁層１３を貫通するコンタクトホールを通じて電極３３と電気的に接続されている。下部電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、銀などの金属材料で形成されている。ただし、下部電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの透明導電材料で形成されてもよいし、透明導電材料と金属材料との積層体であってもよい。

【0029】

有機ＥＬ層ＯＲ１は、第１方向Ｘにおいて隔壁５Ｘ１，５Ｘ２の間に位置し、赤色の発光層を含み、下部電極ＬＥ１を覆っている。有機ＥＬ層ＯＲ２は、第１方向Ｘにおいて隔壁５Ｘ２，５Ｘ３の間に位置し、緑色の発光層を含み、下部電極ＬＥ２を覆っている。有機ＥＬ層ＯＲ３は、第１方向Ｘにおいて隔壁５Ｘ３，５Ｘ４の間に位置し、青色の発光層を含み、下部電極ＬＥ３を覆っている。図３の断面には表れていないが、有機ＥＬ層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、第２方向Ｙにおいて隣り合う隔壁５Ｙの間に位置している。すなわち、有機ＥＬ層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、それぞれ平面視において図２に示した開口ＯＰに配置されている。

【0030】

また、詳述しないが、有機ＥＬ層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、それぞれ正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層などの機能層を含んでいる。

【0031】

上部電極ＵＥは、有機ＥＬ層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３及び隔壁５Ｘ１，５Ｘ２，５Ｘ３，５Ｘ４を覆っている。上部電極ＵＥは、マグネシウム及び銀などの金属材料で形成されている。ただし、上部電極ＵＥは、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明導電材料で形成されてもよい。

【0032】

封止層１４は、上部電極ＵＥの上に配置されている。封止層１４は、隔壁５Ｘ１，５Ｘ２，５Ｘ３，５Ｘ４により生じる凹凸を平坦化ための有機層と、有機ＥＬ層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３，ＯＲ４を水分などから保護する無機層と、を含んでいる。有機層は、例えば絶縁層１１，１２，１３や隔壁５Ｘ１，５Ｘ２，５Ｘ３，５Ｘ４よりも厚く形成されている。

【0033】

図４は、タグＴＧの構成の一例を示す図である。
図４の例では、タグＴＧは、正方形状に形成されている。タグＴＧは、図３に示した電極３１と同一層に位置する金属層、または、電極３２，３３と同一層に位置する金属層であり、チタン、モリブデン、タングステン、及び、アルミニウムの少なくとも１つの材料で形成されている。一例では、タグＴＧは、電極３２などと同一層に位置し、チタン層及びアルミニウム層の積層体、または、モリブデン層及びアルミニウム層の積層体として形成されている。

【0034】

タグＴＧは、識別情報ＩＮＦを備えている。識別情報ＩＮＦは、タグＴＧを第３方向Ｚに貫通する複数の穴ＨＬのパターンとして形成されている。複数の穴ＨＬは、所定のルールに従って第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに並び、２次元コードを形成している。識別情報ＩＮＦをスキャナなどで読み取ることで、事前に登録した製品の製造番号やロット番号など、製品の管理に必要な情報を取得することができる。

【0035】

図５は、図４中のＶ－Ｖ線に沿うタグＴＧを含む表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。
表示装置ＤＳＰは、絶縁層ＩＬ１，ＩＬ２を備えている。絶縁層ＩＬ１は、透明な無機材料で形成された無機層である。絶縁層ＩＬ１は、例えば、図３における絶縁層１１及び１２のうちの少なくとも１つに相当する。絶縁層ＩＬ２は、透明な有機材料で形成された有機層である。絶縁層ＩＬ２は、例えば、図２における隔壁５、図３における絶縁層１３、又は、封止層１４に含まれる有機層のうち少なくとも１つに相当する。

【0036】

絶縁層ＩＬ１は、基板１０の上に配置されている。タグＴＧは、絶縁層ＩＬ１の上に配置されている。絶縁層ＩＬ２は、タグＴＧ及び絶縁層ＩＬ１の上に配置されている。複数の穴ＨＬは、それぞれ絶縁層ＩＬ２及びタグＴＧを貫通し、絶縁層ＩＬ１に到達している。穴ＨＬは、絶縁層ＩＬ１を貫通していない。

【0037】

次に、表示装置ＤＳＰの製造方法の一例について図６乃至図１３を参照しながら説明する。

【0038】

図６は、表示装置ＤＳＰの製造方法の一例を説明するためのフロー図である。
ここに示す製造方法は、大別して、複数のパネル部ＰＮＬを有する大型の処理基板ＭＢを用意する工程（ステップＳＴ１）と、処理基板ＭＢを切断する工程（ステップＳＴ２）と、レーザ光ＬＺを照射する工程（ステップＳＴ３）と、保護フィルムＰＦを剥離する工程（ステップＳＴ４）とを含む。

【0039】

ステップＳＴ１においては、まず、図７（ａ）に示すように、大型の基板１０を用意する（ステップＳＴ１１）。基板１０は、例えばガラス基板である。

【0040】

その後、図７（ｂ）に示すように、基板１０の上に無機層である絶縁層ＩＬ１を形成する（ステップＳＴ１２）。絶縁層ＩＬ１は、基板１０の上の表示領域ＤＡと周辺領域ＳＡとにわたって形成している。絶縁層ＩＬ１は、例えばシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）またはシリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）などの透明な無機材料で形成されている。

【0041】

その後、図７（ｃ）に示すように、周辺領域ＳＡにおいて絶縁層ＩＬ１の上に金属層ＭＬを形成する（ステップＳＴ１３）。図示した例では、金属層ＭＬを形成するのと同時に、表示領域ＤＡにおいて絶縁層ＩＬ１の上に電極ＥＬを形成する。
具体的には、まず、絶縁層ＩＬ１の上に、チタン、モリブデン、タングステン、及び、アルミニウムの少なくとも１つの金属材料を堆積し、金属薄膜を形成する。その後、電極ＥＬ及び金属層ＭＬとして残す領域にレジストを形成する。その後、レジストをマスクとして、金属薄膜のエッチングを行う。その後、レジストを除去する。これにより、電極ＥＬ及び金属層ＭＬが形成される。つまり、電極ＥＬ及び金属層ＭＬは、同一材料を用いて、同一行程で形成される。
例えば、電極ＥＬは、図３における電極３２，３３に相当し、電極ＥＬ及び金属層ＭＬは、チタン層及びアルミニウム層の積層体、または、モリブデン層及びアルミニウム層の積層体として形成する。

【0042】

その後、図７（ｄ）に示すように、絶縁層ＩＬ１、電極ＥＬ及び金属層ＭＬの上に有機層である絶縁層ＩＬ２を形成する（ステップＳＴ１４）。

【0043】

上記のステップＳＴ１２からステップＳＴ１４までの間に、表示領域ＤＡの画素回路１や表示素子２０の他に、周辺領域ＳＡの端子ＴＭなども形成される。

【0044】

その後、図７（ｅ）に示すように、絶縁層ＩＬ２の上に保護フィルムＰＦを貼り付ける（ステップＳＴ１５）。このとき、保護フィルムＰＦは、少なくとも金属層ＭＬの直上に位置する絶縁層ＩＬ２の上に配置される。図示した例では、保護フィルムＰＦは、表示領域ＤＡ及び周辺領域ＳＡにわたって配置され、絶縁層ＩＬ２の全体に重なっている。
保護フィルムＰＦは、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）などの樹脂材料で形成されている。

【0045】

これにより、処理基板ＭＢが用意される。このようにして用意された処理基板ＭＢは、図８に示すように、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに並んだ複数のパネル部ＰＮＬを有している。図８の例では、複数のパネル部ＰＮＬは、一点鎖線で示すカットラインＣＬを挟んで第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに隣接している。なお、それぞれのパネル部ＰＮＬの間に隙間が設けられていてもよい。

【0046】

ステップＳＴ２においては、図８に示すように、処理基板ＭＢをカットラインＣＬに沿ってパネル部ＰＮＬごとに切断する。これにより、単個の処理基板ＳＵＢが形成される。

【0047】

ステップＳＴ３においては、まず、図９に示すように、処理基板ＳＵＢをレーザ照射装置１００に搬入する。レーザ照射装置１００は、ステージ１１０と、ステージ１１０の上方に配置されたレーザ装置１２０と、を備えている。
処理基板ＳＵＢがレーザ照射装置１００に搬入される際、処理基板ＳＵＢの保護フィルムＰＦがステージ１１０と向かい合うように、処理基板ＳＵＢを反転する（ステップＳＴ３１）。

【0048】

その後、図１０に示すように、処理基板ＳＵＢをステージ１１０に配置する（ステップＳＴ３２）。このとき、保護フィルムＰＦとステージ１１０とが接するように処理基板ＳＵＢをステージ１１０に配置する。なお、図１０乃至図１３には、処理基板ＳＵＢのうち、金属層ＭＬを含む部分を拡大した断面を示している。

【0049】

その後、図１１に示すように、処理基板ＳＵＢにレーザ光ＬＺを照射する（ステップＳＴ３３）。このとき、レーザ装置１２０は、処理基板ＳＵＢの基板１０と向かい合う側に位置している。レーザ装置１２０は、主に金属層ＭＬの加工に適し且つ基板１０及び絶縁層ＩＬ１を透過する波長のレーザ光ＬＺを出射するように構成されている。例えば、レーザ装置１２０は、紫外線波長のレーザ光ＬＺを出射するように構成されている。また、このとき、レーザ光ＬＺの照射位置において、保護フィルムＰＦは、ステージ１１０に接している。

【0050】

レーザ装置１２０は、基板１０側から金属層ＭＬに向けて、レーザ光ＬＺを照射する。レーザ光ＬＺは、透明材料で形成された基板１０及び絶縁層ＩＬ１を透過し、金属層ＭＬ及び絶縁層ＩＬ２を貫通する穴ＨＬを形成する。レーザ光ＬＺのエネルギーの多くは、金属層ＭＬ及び絶縁層ＩＬ２の加工に用いられる。そのため、レーザ光ＬＺは、保護フィルムＰＦを貫通する穴を形成せず、また、ステージ１１０はレーザ光ＬＺによりほとんどダメージを受けない。また、レーザ光ＬＺにより穴ＨＬを形成するときに、粉塵４０が発生する。粉塵４０は、金属層ＭＬの直上において保護フィルムＰＦに付着する。

【0051】

このようなレーザ光ＬＺの照射により、金属層ＭＬに、識別情報に対応したパターンの複数の穴ＨＬが形成される。これにより、図４などの示したタグＴＧが形成される。

【0052】

ステップＳＴ４においては、まず、処理基板ＳＵＢをレーザ照射装置１００から搬出し、図１２に示すように、処理基板ＳＵＢを反転する（ステップＳＴ４１）。

【0053】

その後、図１３に示すように、保護フィルムＰＦを処理基板ＳＵＢから剥離する（ステップＳＴ４２）。粉塵４０は保護フィルムＰＦに付着しているため、保護フィルムＰＦを処理基板ＳＵＢから剥離することで、粉塵４０は処理基板ＳＵＢから除去される。

【0054】

以上の工程により、レーザ光が照射されることよって金属層ＭＬ及び絶縁層ＩＬ２には、識別情報に対応したパターンで並んだ複数の穴ＨＬが形成される。

【0055】

なお、図１４に示すように、レーザ光を照射する工程（ステップＳＴ３）の後に、処理基板ＭＢをパネル部ＰＮＬごとに切断する工程（ステップＳＴ２）を行ってもよい。例えば、複数台のレーザ設備で、処理基板ＭＢが有する複数のタグＴＧにレーザ光を照射し、その後に処理基板ＭＢをパネル部ＰＮＬごとに切断してもよい。

【0056】

また、図１５に示すように、保護フィルムＰＦを剥離する工程（ステップＳＴ４）の後に、処理基板ＭＢをパネル部ＰＮＬごとに切断する工程（ステップＳＴ２）を行ってもよい。この場合、ステップＳＴ４２では、処理基板ＭＢから保護フィルムＰＦを剥離することとなる。処理基板ＭＢから保護フィルムＰＦを剥がす場合は、パネル部ＰＮＬごとに切断された処理基板ＳＵＢから保護フィルムＰＦを剥離する場合と比べると、保護フィルムＰＦを剥がす回数が減少する。これにより、表示装置の製造歩留まりを向上することができる。

【0057】

本実施形態によれば、タグＴＧを形成するためのレーザ照射に伴って発生する粉塵４０は、保護フィルムＰＦに付着する。これにより、レーザ照射時に発生する粉塵の飛散を抑えることができる。よって、粉塵を吸引するための集塵機等の設備が不要となるため、表示装置の製造コストを抑えることができる。

【0058】

さらに、レーザ光ＬＺは保護フィルムＰＦを貫通せず、ステージ１１０はレーザ光ＬＺによるダメージをほとんど受けない。これにより、例えばレーザ照射位置に貫通孔や溝を形成したステージを用意する必要がない。よって、表示装置の製造コストを抑えることができる。

【0059】

さらに、保護フィルムＰＦに付着した粉塵４０は、保護フィルムＰＦとともに処理基板ＳＵＢから除去される。これにより、粉塵４０は、処理基板ＳＵＢにほとんど残らない。よって、表示装置の信頼性の低下を抑制することができる。

【0060】

また、粉塵４０の飛散が抑えられ、しかも、発生した粉塵が保護フィルムＰＦとともに処理基板ＳＵＢから除去されることで、レーザ照射装置１００の汚染を抑制することができる。

【0061】

さらに、上述した製造方法により形成されたタグＴＧは、小さいスペースに形成することができ、周辺領域ＳＡの面積が小さい表示装置ＤＳＰに好適である。

【0062】

以上説明したように、本実施形態によれば、信頼性の低下を抑制し、かつ、製造コストを抑えることが可能な表示装置の製造方法を提供することができる。

【0063】

なお、上記実施形態では、表示装置ＤＳＰの一例として有機エレクトロルミネッセンス表示装置について説明したが、表示装置ＤＳＰは、表示素子として、液晶素子や無機系の発光ダイオードを備えた表示装置であってもよい。

【0064】

以上、本発明の実施形態として説明した表示装置の製造方法を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置の製造方法も、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に属する。

【0065】

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

【0066】

また、上述の実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

【符号の説明】

【0067】

ＤＳＰ…表示装置、ＭＢ，ＳＵＢ…処理基板、ＰＮＬ…パネル部、ＤＡ…表示領域、ＳＡ…周辺領域、ＳＰ…副画素、ＵＥ…上部電極、ＬＥ…下部電極、５…隔壁、１１～１３，ＩＬ１，ＩＬ２…絶縁層、１４…封止層、２０…表示素子、３０…半導体層、３１～３３…電極、１０…基板、ＭＬ…金属層、ＥＬ…電極、ＴＧ…タグ、ＰＦ…保護フィルム、４０…粉塵、１１０…ステージ、１２０…レーザ装置、ＬＺ…レーザ光。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】