特開 2024-176360 キャパシタおよびキャパシタの製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024176360

(43)【公開日】2024-12-19

(54)【発明の名称】キャパシタおよびキャパシタの製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01G 4/33 20060101AFI20241212BHJP

   H01G 4/30 20060101ALI20241212BHJP

【ＦＩ】

H01G4/33 102

H01G4/30 541

H01G4/30 547

H01G4/30 544

【審査請求】未請求

【請求項の数】13

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023094842

(22)【出願日】2023-06-08

(71)【出願人】

【識別番号】000116024

【氏名又は名称】ローム株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002310

【氏名又は名称】弁理士法人あい特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】畑野 舞子

【テーマコード（参考）】

5E001

5E082

【Ｆターム（参考）】

5E001AC05

5E001AH07

5E001AJ01

5E082EE13

5E082EE23

5E082EE37

5E082FF05

5E082FG03

5E082FG27

5E082FG44

5E082GG10

5E082GG11

(57)【要約】

【課題】キャパシタの発生容量を増大することが可能なキャパシタおよびキャパシタの製造方法を提供する。
【解決手段】キャパシタ１は、第１主面３および第２主面４を有する基材２と、断面視において第１主面３から第２主面４に向かって幅が小さくなるテーパ形状の側壁１７を有し、第１貫通穴１０に埋め込まれた第１埋め込み電極１２と、断面視において第２主面４から第１主面３に向かって幅が小さくなるテーパ形状の側壁２７を有し、第２貫通穴２０に埋め込まれた第２埋め込み電極２２と、第１主面３を被覆し、第１埋め込み電極１２に電気的に接続された第１外部電極３５と、第２主面４を被覆し、第２埋め込み電極２２に電気的に接続された第２外部電極３８とを含む。第１側壁１２および第２側壁２２が、基材２の一部を、第１方向Ｘに挟んで対向している。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１主面およびその反対側の第２主面を有する基材と、
前記基材を厚さ方向に貫通する第１貫通穴と、
前記第１貫通穴に対し間隔を空けて形成された第２貫通穴であって、前記基材を厚さ方向に貫通する第２貫通穴と、
断面視において前記第１主面から前記第２主面に向かって幅が小さくなるテーパ形状の第１側壁を有し、前記第１貫通穴に埋め込まれた第１埋め込み電極と、
断面視において前記第２主面から前記第１主面に向かって幅が小さくなるテーパ形状の第２側壁を有し、前記第２貫通穴に埋め込まれた第２埋め込み電極と、
前記第１主面および前記第２主面の一方を被覆し、前記第１埋め込み電極に電気的に接続された第１外部電極と、
前記第１主面および前記第２主面の他方を被覆し、前記第２埋め込み電極に電気的に接続された第２外部電極とを含み、
前記第１側壁および前記第２側壁が、前記基材の一部を挟んで対向している、キャパシタ。

【請求項2】

互いに対向する前記第１側壁および前記第２側壁が平行である、請求項１に記載のキャパシタ。

【請求項3】

前記第１埋め込み電極の前記第１主面側の第１端部における幅が、前記第１側壁および前記第２側壁の間隔よりも大きい、請求項２に記載のキャパシタ。

【請求項4】

前記第１外部電極が前記第１主面を被覆し、
前記第２外部電極が前記第２主面を被覆している、請求項１または２に記載のキャパシタ。

【請求項5】

前記第１主面上に形成され、前記第１埋め込み電極に接続された第１表面電極と、
前記第２主面上に形成され、前記第２埋め込み電極に接続された第２表面電極とをさらに含み、
前記第１埋め込み電極が、前記第１表面電極を介して前記第１外部電極に電気的に接続され、
前記第２埋め込み電極が、前記第２表面電極を介して前記第２外部電極に電気的に接続されている、請求項４に記載のキャパシタ。

【請求項6】

前記第１主面に対する前記第１側壁および前記第２側壁の傾斜角度が、６５°以上８５°以下である、請求項１または２に記載のキャパシタ。

【請求項7】

前記第１埋め込み電極および前記第２埋め込み電極が、第１方向に交互に並んでいる、請求項１～３のいずれか一項に記載のキャパシタ。

【請求項8】

前記第１埋め込み電極および前記第２埋め込み電極が、平面視で前記第１方向に交差する第２方向に沿うストライプ状に形成されている、請求項７に記載のキャパシタ。

【請求項9】

前記第１側壁が、第１方向に沿う断面視において前記第１主面から前記第２主面に向かって幅が小さくなるテーパ形状であり、
前記第２側壁が、前記第１方向に沿う断面視において前記第２主面から前記第１主面に向かって幅が小さくなるテーパ形状であり、
前記第１埋め込み電極が、前記第１方向に交差する第２方向に沿う断面視において前記第１主面から前記第２主面に向かって幅が小さくなるテーパ形状の第３側壁をさらに有し、
前記第２埋め込み電極が、前記第２方向に沿う断面視において前記第２主面から前記第１主面に向かって幅が小さくなるテーパ形状の第４側壁をさらに有し、
前記第３側壁および前記第４側壁が、前記基材の一部を挟んで対向している、請求項１～３のいずれか一項に記載のキャパシタ。

【請求項10】

前記第１埋め込み電極および前記第２埋め込み電極が、前記第１方向および前記第２方向に交互に並んでいる、請求項９に記載のキャパシタ。

【請求項11】

前記第１埋め込み電極および前記第２埋め込み電極が、平面視で前記第１方向および前記第２方向に沿う行列状に形成されている、請求項１０に記載のキャパシタ。

【請求項12】

前記基材が、酸化シリコンからなる絶縁部を含む、請求項１～３のいずれか一項に記載のキャパシタ。

【請求項13】

一方側の第１主面および他方側の第２主面を有する基板に、断面視において前記第１主面から前記第２主面に向かって幅が小さくなるテーパ形状の第１内面を有し、前記基板を厚さ方向に貫通する第１貫通穴、および断面視において前記第２主面から前記第１主面に向かって幅が小さくなるテーパ形状の第２内面を有し、前記基板を厚さ方向に貫通する第２貫通穴の一方を形成する第１工程と、
前記第１工程の後、前記第１貫通穴および前記第２貫通穴の他方を前記基板に形成する第２工程と、
前記第１貫通穴の内部をベース導電膜で埋めて第１埋め込み電極を形成し、かつ前記第２貫通穴の内部をベース導電膜で埋めて第２埋め込み電極を形成する第３工程と、
前記第１埋め込み電極に電気的に接続された第１外部電極を、前記第１主面を被覆するように形成し、かつ前記第２埋め込み電極に電気的に接続された第２外部電極を、前記第２主面を被覆するように形成する第４工程とを含む、キャパシタの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、キャパシタおよびキャパシタの製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１は、複数の貫通孔を有する基板と、貫通孔に充填された貫通電極と、基板の第１主面上に形成された絶縁性カバー膜と、絶縁性カバー膜の上に形成されたキャパシタ構造と、キャパシタ構造を覆う保護絶縁膜と、キャパシタ構造と電気的に接続され、かつ対応する貫通電極と電気的に接続される複数の接続パッドとを備える、貫通電極付きキャパシタを開示している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】国際公開第２００９／１１０２８８号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本開示の一実施形態は、発生容量を増大することが可能な、キャパシタおよびキャパシタの製造方法を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本開示の一実施形態は、第１主面およびその反対側の第２主面を有する基材と、前記基材を厚さ方向に貫通する第１貫通穴と、前記第１貫通穴に対し間隔を空けて形成された第２貫通穴であって、前記基材を厚さ方向に貫通する第２貫通穴と、断面視において前記第１主面から前記第２主面に向かって幅が小さくなるテーパ形状の第１側壁を有し、前記第１貫通穴に埋め込まれた第１埋め込み電極と、断面視において前記第２主面から前記第１主面に向かって幅が小さくなるテーパ形状の第２側壁を有し、前記第２貫通穴に埋め込まれた第２埋め込み電極と、前記第１主面および前記第２主面の一方を被覆し、前記第１埋め込み電極に電気的に接続された第１外部電極と、前記第１主面および前記第２主面の他方を被覆し、前記第２埋め込み電極に電気的に接続された第２外部電極とを含む、キャパシタを提供する。前記第１側壁および前記第２側壁が、前記基材の一部を挟んで対向している。

【0006】

本開示の一実施形態は、一方側の第１主面および他方側の第２主面を有する基板に、断面視において前記第１主面から前記第２主面に向かって幅が小さくなるテーパ形状の第１内面を有し、前記基板を厚さ方向に貫通する第１貫通穴、および断面視において前記第２主面から前記第１主面に向かって幅が小さくなるテーパ形状の第２内面を有し、前記基板を厚さ方向に貫通する第２貫通穴の一方を形成する第１工程と、前記第１工程の後、前記第１貫通穴および前記第２貫通穴の他方を前記基板に形成する第２工程と、前記第１貫通穴の内部をベース導電膜で埋めて第１埋め込み電極を形成し、かつ前記第２貫通穴の内部をベース導電膜で埋めて第２埋め込み電極を形成する第３工程と、前記第１埋め込み電極に電気的に接続された第１外部電極を、前記第１主面を被覆するように形成し、かつ前記第２埋め込み電極に電気的に接続された第２外部電極を、前記第２主面を被覆するように形成する第４工程とを含む、キャパシタの製造方法を提供する。

【発明の効果】

【0007】

本開示の一実施形態によれば、キャパシタの発生容量を増大することが可能である。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】図１は、本開示の第１実施形態に係るキャパシタの模式的な平面図である。

【図2】図２は、本開示の第１実施形態に係るキャパシタの模式的な底面図である。

【図3】図３は、図１のIII-III線に沿う模式的な断面図である。

【図4】図４は、図３の一点鎖線IVで囲まれた部分の拡大図である。

【図5】図５は、図３の一点鎖線Vで囲まれた部分の拡大図である。

【図6A】図６Ａは、本開示の第１実施形態に係るキャパシタの製造工程の一部を示す断面図であって、図３に対応する図である。

【図6B】図６Ｂは、図６Ａの次の工程を示す断面図である。

【図6C】図６Ｃは、図６Ｂの次の工程を示す断面図である。

【図6D】図６Ｄは、図６Ｃの次の工程を示す断面図である。

【図6E】図６Ｅは、図６Ｄの次の工程を示す断面図である。

【図6F】図６Ｆは、図６Ｅの次の工程を示す断面図である。

【図6G】図６Ｇは、図６Ｆの次の工程を示す断面図である。

【図6H】図６Ｈは、図６Ｇの次の工程を示す断面図である。

【図6I】図６Ｉは、図６Ｈの次の工程を示す断面図である。

【図6J】図６Ｊは、図６Ｉの次の工程を示す断面図である。

【図6K】図６Ｋは、図６Ｊの次の工程を示す断面図である。

【図6L】図６Ｌは、図６Ｋの次の工程を示す断面図である。

【図6M】図６Ｍは、図６Ｌの次の工程を示す断面図である。

【図6N】図６Ｎは、図６Ｍの次の工程を示す断面図である。

【図7】図７は、参考形態に係るキャパシタの模式的な断面図であって、図３に対応する図である。

【図8】図８は、本開示の第２実施形態に係るキャパシタの模式的な平面図である。

【図9】図９は、本開示の第２実施形態に係るキャパシタの模式的な底面図である。

【図10】図１０は、図８のX-X線に沿う模式的な断面図である。

【図11】図１１は、図８のXI-XI線に沿う模式的な断面図である。

【図12】図１２は、図８のXII-XII線に沿う模式的な断面図である。

【図13】図１３は、図１０の一点鎖線XIIIで囲まれた部分の拡大図である。

【図14】図１４は、図１０の一点鎖線XIVで囲まれた部分の拡大図である。

【図15】図１５は、図１２の一点鎖線XVで囲まれた部分の拡大図である。

【図16】図１６は、図１２の一点鎖線XVIで囲まれた部分の拡大図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

図１は、本開示の第１実施形態に係るキャパシタ１の模式的な平面図である。図２は、キャパシタ１の模式的な底面図である。

【0010】

キャパシタ１は、直方体形状の基材２を含む。基材２は、一方側の第１主面３、他方側の第２主面４、ならびに第１主面３および第２主面４を接続する側面５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｄを有している。キャパシタ１は、ディスクリートキャパシタとも称される。

【0011】

第１主面３および第２主面４は、それらの法線方向Ｚから見た平面視（以下、単に「平面視」という。）において四角形状に形成されている。側面５Ａおよび側面５Ｃは、第１方向Ｘに沿って延び、第１方向Ｘに交差する第２方向Ｙに対向している。側面５Ｂおよび側面５Ｄは、第２方向Ｙに沿って延び、第１方向Ｘに対向している。第２方向Ｙは、具体的には、第１方向Ｘに直交（交差）している（垂直である）。

【0012】

図１および図２の例では、基材２は、平面視において正方形状である。この実施形態では、基材２の一辺の長さＬは、たとえば１ｍｍ以上１０ｍｍ以下であり、この実施形態ではたとえば２ｍｍである。また、キャパシタ１の厚さＴ（図３参照）は、たとえば５０μｍ以上１ｍｍ以下であり、この実施形態ではたとえば５００μｍである。基材２のサイズをこのようなサイズにすることにより、キャパシタ１をいわゆるチップ部品として構成できる。そのため、キャパシタ１を多種の用途に適用できる。基材２の平面形状が長方形であってもよい。また、基材２の平面形状は四角形状に限られず、たとえば円形状であってもよい。

【0013】

キャパシタ１は、複数の貫通電極８，９をさらに含む。複数の貫通電極８，９は、基材２を厚さ方向（法線方向Ｚ）に貫通する電極であり、互いに間隔を空けて形成されている。複数の貫通電極８，９は、平面視において第１方向Ｘに間隔を空けて配列され、第２方向Ｙに延びる帯状にそれぞれ形成されている。つまり、複数の貫通電極８，９は、第２方向Ｙに延びるストライプ状に配列されている。

【0014】

複数の貫通電極８，９は、第１貫通電極８と、第２貫通電極９とを含む。図１および図２の例では、貫通電極８，９の個数は３つである。複数の貫通電極８，９は、１つの第１貫通電極８と、２つの第２貫通電極９とを含む。図１および図２の例では、２つの第２貫通電極９によって１つの第１貫通電極８が、第１方向Ｘに挟まれている。図１および図２において、第１貫通電極８と第２貫通電極９とを識別し易くするために、第１貫通電極８および第２貫通電極９は、互いに異なるハッチングを用いて示されている。

【0015】

図３は、図１のIII-III線に沿う模式的な断面図である。図４は、図３の一点鎖線IVで囲まれた部分の拡大図である。図５は、図３の一点鎖線Vで囲まれた部分の拡大図である。

【0016】

図３を参照して、基材２は、第１絶縁膜６を含む。第１絶縁膜６は、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）を含む。図３の例では、基材２の全域が、第１絶縁膜６によって形成されている。この実施形態では、基材２は、シリコン基板が熱酸化されてなる酸化シリコン（ＳｉＯ_２）である。第１絶縁膜６は、絶縁部と称されてもよい。

【0017】

第１貫通電極８は、第１貫通穴１０、第１導電膜１１および第１埋め込み電極１２を含む。

【0018】

図３を参照して、第１貫通穴１０は、基材２を厚さ方向（法線方向Ｚ）に貫通している。第１貫通穴１０は、第２方向Ｙに沿って延びる帯状である。第１貫通穴１０は、第１方向Ｘに互いに対向する２つの内面（第１内面）１３を含む。２つの内面１３は、第１方向Ｘに沿う断面視において第１主面３から第２主面４に向かって幅が小さくなるテーパ形状に形成されている。２つの内面１３は、第２方向Ｙの両端において、２つの接続面によって第１方向Ｘに接続されている。内面１３は、第１方向Ｘについて、第１主面３および第２主面４に対して所定の傾斜角度で傾斜している。この所定の傾斜角度は、後述する傾斜角度θ_１（図４参照）と同じである。

【0019】

図４を参照して、第１貫通穴１０は、第１主面３における開口端１０ａにおいて、第１幅Ｗ_１を有している。第１幅Ｗ_１は、第１方向Ｘの幅である。第１幅Ｗ_１は、１０μｍ以上５００μｍ以下であってもよい。第１貫通穴１０は、第２主面４における開口端１０ｂにおいて、第２幅Ｗ_２を有している。第２幅Ｗ_２は、第１方向Ｘの幅である。第２幅Ｗ_２は、第１幅Ｗ_１よりも狭い（Ｗ_２＜Ｗ_１）。第２幅Ｗ_２は、０．５μｍ以上２００μｍ以下であってもよい。

【0020】

図３および図４を参照して、第１導電膜１１は、第１貫通穴１０の内面（２つの内面１３を含む）の全域を被覆している。第１導電膜１１は、たとえばＣｕである。第１導電膜１１は、Ｎｉ、ＮｉＣｒ、Ｃｏ等であってもよい。第１導電膜１１の膜厚ｔ_１（図４参照）は、０．１μｍ以上０．５μｍ以下であってもよい。第１導電膜１１の膜厚ｔ_１は、基材２の厚さ方向（法線方向Ｚ）に均一である。

【0021】

図３および図４を参照して、第１埋め込み電極１２は、第１導電膜１１を挟んで第１貫通穴１０の内部に埋められている。第１埋め込み電極１２は、導電体を用いて形成されている。第１埋め込み電極１２は、たとえばＣｕである。第１埋め込み電極１２は、Ｎｉ等であってもよい。

【0022】

図４を参照して、第１埋め込み電極１２は、天壁１５、底壁１６および一対の側壁（第１側壁）１７を含む。一対の側壁１７は、第１方向Ｘに関し対称である。第１埋め込み電極１２は、天壁１５側（すなわち第１主面３側）が幅広に、かつ底壁１６側（すなわち第２主面４側）が幅狭に形成されている。

【0023】

図３および図４を参照して、一対の側壁１７は、第１方向Ｘに沿う断面視において第１主面３から第２主面４に向かって幅が小さくなるテーパ形状である。一対の側壁１７は、平坦面によって形成されている。側壁１７は、第１貫通穴１０の内面１３に対向している。側壁１７は、対向する内面１３に平行である。側壁１７は、第１方向Ｘについて、第１主面３および第２主面４に対して、所定の傾斜角度θ_１（図４参照）で傾斜している。側壁１７の傾斜角度θ_１は、第２方向Ｙに関し均一である。傾斜角度θ_１は、６５°以上８５°以下である。

【0024】

図４を参照して、天壁１５は、第１主面３および第２主面４に平行である。天壁１５は、第１埋め込み電極１２の第１主面３側の第１端面１２ａ（第１端部）を含む。第１端面１２ａは、平坦面である。図４の例では、第１端面１２ａの第３幅Ｗ_３は、側壁１７と、後述する第２埋め込み電極２２の側壁２７との対向間隔Ｆ（図３参照）よりも大きい（Ｗ_３＞Ｆ）。第３幅Ｗ_３は、第１方向Ｘの幅である。対向間隔Ｆは、第１方向Ｘの間隔である。

【0025】

図４を参照して、底壁１６は、第１主面３および第２主面４に平行である。底壁１６は、第１埋め込み電極１２の第２主面４側の第２端面１２ｂ（第２端部）を含む。第２端面１２ｂは、平坦面である。第２端面１２ｂの第４幅Ｗ_４は、側壁１７と側壁２７との対向間隔Ｆ（図３参照）よりも小さい（Ｗ_４＜Ｆ）。第４幅Ｗ_４は、第１方向Ｘの幅である。第４幅Ｗ_４は、対向間隔Ｆと同じか、あるいは対向間隔Ｆより大きくてもよい（Ｗ_４≧Ｆ）。

【0026】

第２貫通電極９は、第２貫通穴２０、第２導電膜２１および第２埋め込み電極２２を含む。

【0027】

図３を参照して、第２貫通穴２０は、基材２を厚さ方向（法線方向Ｚ）に貫通している。第２貫通穴２０は、第２方向Ｙに沿って延びる帯状である。第２貫通穴２０は、第１方向Ｘに互いに対向する２つの内面（第２内面）２３を含む。２つの内面２３は、第１方向Ｘに沿う断面視において第２主面４から第１主面３に向かって幅が小さくなるテーパ形状に形成されている。２つの内面２３は、第２方向Ｙの両端において、２つの接続面によって第１方向Ｘに接続されている。内面２３は、第１方向Ｘについて、第１主面３および第２主面４に対して所定の傾斜角度で傾斜している。この所定の傾斜角度は、後述する傾斜角度θ_２（図５参照）と同じである。

【0028】

図５を参照して、第２貫通穴２０は、第１主面３における開口端２０ａにおいて、第５幅Ｗ_５を有している。第５幅Ｗ_５は、第１方向Ｘの幅である。第５幅Ｗ_５は、０．５μｍ以上２００μｍ以下であってもよい。第２貫通穴２０は、第２主面４における開口端２０ｂにおいて、第６幅Ｗ_６を有している。第６幅Ｗ_６は、第１方向Ｘの幅である。第６幅Ｗ_６は、第５幅Ｗ_５よりも広い（Ｗ_６＞Ｗ_５）。第６幅Ｗ_６は、１０μｍ以上５００μｍ以下であってもよい。第５幅Ｗ_５は、第２幅Ｗ_２と同じであってもよい。第６幅Ｗ_６は、第１幅Ｗ_１と同じであってもよい。

【0029】

図３および図５を参照して、第２導電膜２１は、第２貫通穴２０の内面（２つの内面２３を含む）の全域を被覆している。第２導電膜２１は、たとえばＣｕである。第２導電膜２１は、Ｎｉ、ＮｉＣｒ、Ｃｏ等であってもよい。第２導電膜２１の膜厚ｔ_２は、０．１μｍ以上０．５μｍ以下であってもよい。第２導電膜２１の膜厚ｔ_２は、基材２の厚さ方向（法線方向Ｚ）に均一である。

【0030】

図３および図５を参照して、第２埋め込み電極２２は、第２導電膜２１を挟んで第２貫通穴２０の内部に埋められている。第２埋め込み電極２２は、導電体を用いて形成されている。第２埋め込み電極２２は、たとえばＣｕである。第２埋め込み電極２２は、Ｎｉ等であってもよい。

【0031】

図５を参照して、第２埋め込み電極２２は、天壁２５、底壁２６および一対の側壁（第２側壁）２７を含む。一対の側壁２７は、第１方向Ｘに関し対称である。第２埋め込み電極２２は、底壁２６側（すなわち第２主面４側）が幅広に、かつ天壁２５側（すなわち第１主面３側）が幅狭に形成されている。

【0032】

図３および図５を参照して、一対の側壁２７は、第１方向Ｘに沿う断面視において第２主面４から第１主面３に向かって幅が小さくなるテーパ形状である。一対の側壁２７は、平坦面によって形成されている。側壁２７は、第２貫通穴２０の内面２３に対向している。側壁２７は、対向する内面２３に平行である。側壁２７は、第１方向Ｘについて、第１主面３および第２主面４に対して、所定の傾斜角度θ_２（図５参照）で傾斜している。側壁２７の傾斜角度θ_２は、第２方向Ｙに関し均一である。傾斜角度θ_２は、６５°以上８５°以下である。

【0033】

図５を参照して、天壁２５は、第１主面３および第２主面４に平行である。天壁２５は、第２埋め込み電極２２の第１主面３側の第１端面２２ａを含む。第１端面２２ａは、平坦面である。第２端面２２ｂの第７幅Ｗ_７は、側壁１７と側壁２７との対向間隔Ｆ（図３参照）よりも小さい（Ｗ_７＜Ｆ）。第７幅Ｗ_７は、第１方向Ｘの幅である。第７幅Ｗ_７は、第４幅Ｗ_４と同じでもよい。第７幅Ｗ_７は、対向間隔Ｆと同じか、あるいは対向間隔Ｆより大きくてもよい（Ｗ_７≧Ｆ）。

【0034】

図５を参照して、底壁２６は、第１主面３および第２主面４に平行である。底壁２６は、第２埋め込み電極２２の第２主面４側の第２端面２２ｂを含む。第２端面２２ｂは、平坦面である。第２端面２２ｂの第８幅Ｗ_８は、側壁１７と側壁２７との対向間隔Ｆ（図３参照）よりも大きい（Ｗ_８＞Ｆ）。第８幅Ｗ_８は、第１方向Ｘの幅である。第８幅Ｗ_８は、第３幅Ｗ_３と同じでもよい。

【0035】

図３～図５を参照して、この実施形態では、側壁２７の傾斜角度θ_２（図５参照）は、側壁１７の傾斜角度θ_１（図４参照）と同じである。そのため、第２埋め込み電極２２の側壁２７は、第１埋め込み電極１２の側壁１７と同じ傾斜角度で、第１主面３および第２主面４に対して傾斜している。すなわち、第１方向Ｘに対向する側壁１７および側壁２７は平行である。したがって、第１埋め込み電極１２の側壁１７と第２埋め込み電極２２の側壁２７との間隔Ｆが、基材２の厚み方向（法線方向Ｚ）において均一である。

【0036】

第１貫通電極８および第２貫通電極９の厚さ（基材２の厚さ方向（法線方向Ｚ）の長さ）を厚さＴ_０（図３参照）とし、第１貫通電極８および第２貫通電極９の第２方向Ｙの長さを長さａ（図１参照）とする。このとき、第１貫通電極８の側壁と基材２の壁部２ａとの対向面積は、Ｔ_０・ａ／ｓｉｎθ_１である。また、第２貫通電極９の側壁と基材２の壁部２ａとの対向面積は、Ｔ_０・ａ／ｓｉｎθ_２である。

【0037】

図３および図４を参照して、基材２の第１主面３上には、第１貫通電極８の第１主面３側の第１端面８ａを被覆する第１表面電極３１が形成されている。第１表面電極３１の平面形状は、第２方向Ｙに沿って延びる帯状である。第１表面電極３１は、たとえばＴｉ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ等を含む。

【0038】

図４を参照して、具体的には、第１表面電極３１は、第１埋め込み電極１２の第１端面１２ａおよび第１導電膜１１の第１主面３側の端面に接している。図４の例では、第１表面電極３１は、第１方向Ｘにおいて、第１埋め込み電極１２の第１端面１２ａおよび第１導電膜１１の第１主面３側の端面の全域を被覆している。すなわち、第１表面電極３１は、第１貫通電極８の第１端面８ａの第１方向Ｘの全域を被覆している。第１表面電極３１の第９幅Ｗ_９は、第１幅Ｗ_１および第３幅Ｗ_３よりも大きい。第９幅Ｗ_９は、第１方向Ｘの幅である。

【0039】

図３および図５を参照して、基材２の第２主面４上には、第２貫通電極９の第２主面４側の第２端面９ｂを被覆する第２表面電極３２が形成されている。第２表面電極３２の平面形状は、第２方向Ｙに沿って延びる帯状である。第２表面電極３２は、たとえばＴｉ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ等を含む。

【0040】

図５を参照して、具体的には、第２表面電極３２は、第２埋め込み電極２２の第２端面２２ｂおよび第２導電膜２１の第２主面４側の端面に接している。図５の例では、第２表面電極３２は、第１方向Ｘにおいて、第２埋め込み電極２２の第２端面２２ｂおよび第２導電膜２１の第２主面４側の端面の全域を被覆している。すなわち、第２表面電極３２は、第２貫通電極９の第２端面９ｂの第１方向Ｘの全域を被覆している。第２表面電極３２の第１０幅Ｗ_１０は、第６幅Ｗ_６および第８幅Ｗ_８よりも大きい。第１０幅Ｗ_１０は、第１方向Ｘの幅である。

【0041】

図３を参照して、基材２の第１主面３上には、第２貫通電極９の第１端面９ａを被覆するように、第２絶縁膜３３が形成されている。第２絶縁膜３３には、第１表面電極３１を露出させる第１コンタクト穴３４が形成されている。第２絶縁膜３３は、たとえば酸化シリコン（ＳｉＯ_２）である。第２絶縁膜３３は、ＳｉＮ、ＳｉＯＮであってもよい。第２絶縁膜３３によって、第２貫通電極９と次に述べる第１外部電極３５とが絶縁される。

【0042】

図３を参照して、第２絶縁膜３３上には、第１外部電極３５が形成されている。第１外部電極３５は、第２貫通電極９の第１端面９ａおよび第１表面電極３１を被覆するように、かつ第２絶縁膜３３の露出面のうち、第２絶縁膜３３の表面周縁部および外側面以外の露出面を被覆するように形成されている。この実施形態では、第１外部電極３５は、平面視で、基材２の第１主面３において周端縁を除くほぼ全域に形成されている。第１外部電極３５は、第２絶縁膜３３の第１コンタクト穴３４の内部に入り込み、第１コンタクト穴３４の内部で第１表面電極３１に接している。第１外部電極３５は、第１表面電極３１を介して第１貫通電極８に電気的に接続されている。第１外部電極３５は、この実施形態では、Ｃｕである。第１外部電極３５が、Ａｌ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｎｉ等であってもよい。

【0043】

図３を参照して、基材２の第２主面４上には、第１貫通電極８の第２端面８ｂを被覆するように、第３絶縁膜３６が形成されている。第３絶縁膜３６には、第２表面電極３２を露出させる第２コンタクト穴３７が形成されている。第３絶縁膜３６は、たとえば酸化シリコン（ＳｉＯ_２）である。第３絶縁膜３６は、ＳｉＮ、ＳｉＯＮであってもよい。第３絶縁膜３６によって、第１貫通電極８と次に述べる第２外部電極３８とが絶縁される。

【0044】

図３を参照して、第３絶縁膜３６上には、第２外部電極３８が形成されている。第２外部電極３８は、第１貫通電極８の第２端面８ｂおよび第２表面電極３２を被覆するように、かつ第３絶縁膜３６の露出面のうち、第３絶縁膜３６の表面周縁部および外側面以外の露出面を被覆するように形成されている。この実施形態では、第２外部電極３８は、平面視で、基材２の第２主面４において周端縁を除くほぼ全域に形成されている。第２外部電極３８は、第３絶縁膜３６の第２コンタクト穴３７の内部に入り込み、第２コンタクト穴３７の内部で第２表面電極３２に接している。第２外部電極３８は、第２表面電極３２を介して第２貫通電極９に電気的に接続されている。第２外部電極３８は、この実施形態では、Ｃｕである。第１外部電極３５が、Ａｌ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｎｉ等であってもよい。

【0045】

図３を参照して、隣り合う第１貫通電極８および第２貫通電極９において、第１貫通電極８の第１貫通穴１０の内面１３と、第２貫通電極９の第２貫通穴２０の内面２３とは第１方向Ｘに対向している。そして、これら互いに対向する内面１３，２３同士によって挟まれた壁部２ａにある第１絶縁膜６が、容量部７を構成している。容量部７は、容量膜と称されてもよい。そして、容量部７の容量は、第１貫通電極８の側壁と基材２の壁部２ａとの対向面積、および第２貫通電極９の側壁と基材２の壁部２ａとの対向面積に依存している。

【0046】

第１方向Ｘに対向する一組の第１貫通電極８および第２貫通電極９と、それらの間の容量部７とによって、一つのキャパシタ要素が構成されている。そして、第１貫通電極８が第１外部電極３５に電気的に接続され、かつ第２貫通電極９が第２外部電極３８に電気的に接続されている。これにより、全てのキャパシタ要素が並列に接続されたキャパシタ１を得ることができる。ゆえに、キャパシタ１の小型化および大容量化を図ることができる。

【0047】

図６Ａ～図６Ｎは、本開示の第１実施形態に係るキャパシタ１の製造工程を説明するための断面図であり、図３に対応する図である。

【0048】

図６Ａを参照して、キャパシタ１を製造するには、基材２のベースになるシリコン基板（基板）１００が用意される。シリコン基板１００は、第１主面１０１と、第１主面１０１と反対側の第２主面１０２と、第１主面１０１と第２主面１０２とを接続する４つの側面１０３とを含む。

【0049】

次に、図６Ｂを参照して、第１マスク１０４を介するドライエッチング法によって、シリコン基板１００が選択的に除去される。これにより、シリコン基板１００に、第１主面１０１と第２主面１０２とを貫通する帯状の第１貫通穴１０が、一または複数（図６Ｂの例では１つ）形成される（第１工程）。第１貫通穴１０は、第１方向Ｘに互いに対向する２つの内面１３を含む。２つの内面１３は、第１方向Ｘに沿う断面視において第１主面３から第２主面４に向かって幅が小さくなるテーパ形状に形成されている。ドライエッチング法におけるエッチング温度およびエッチングガス流量の少なくとも一方を調整することにより、第１貫通穴１０が、第１主面１０１から第２主面１０２に向かって幅が小さくなるテーパ形状に形成される。第１貫通穴１０は、電気化学エッチング（Electrochemical Etching）法、レーザー加工等によって形成されてもよい。

【0050】

次に、図６Ｃを参照して、第２マスク１０５を介するドライエッチング法によって、シリコン基板１００が選択的に除去される。これにより、シリコン基板１００に、第１主面１０１と第２主面１０２とを貫通する帯状の第２貫通穴２０が、一または複数（図６Ｃの例では２つ）形成される（第２工程）。第２貫通穴２０は、第１方向Ｘに互いに対向する２つの内面２３を含む。２つの内面２３は、第１方向Ｘに沿う断面視において第２主面４から第１主面３に向かって幅が小さくなるテーパ形状に形成されている。ドライエッチング法におけるエッチング温度およびエッチングガス流量の少なくとも一方を調整することにより、第２貫通穴２０が、第２主面１０２から第１主面１０１に向かって幅が小さくなるテーパ形状に形成される。第２貫通穴２０は、電気化学エッチング（Electrochemical Etching）法、レーザー加工等によって形成されてもよい。

【0051】

第１貫通穴１０および第２貫通穴２０の形成順序は、図６Ｂおよび図６Ｃに示す順序と逆であってもよい。すなわち、第２貫通穴２０が形成された後に、第１貫通穴１０が形成されてもよい。

【0052】

次に、図６Ｄを参照して、熱酸化法により、シリコン基板１００が酸化される。具体的には、シリコン基板１００の第１主面１０１、第２主面１０２、４つの側面１０３および複数の第１貫通穴１０の内面（２つの内面１３を含む）および複数の第２貫通穴２０の内面（２つの内面２３を含む）から、酸化膜が成長する。これにより、シリコン基板１００のほぼ全域に、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）からなる第１絶縁膜６が形成される。これにより、基材２が形成される。シリコン基板１００の第１主面１０１が、基材２の第１主面３とされる。シリコン基板１００の第２主面１０２が、基材２の第２主面４とされる。シリコン基板１００の４つの側面１０３が、基材２の側面５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｄとされる（図１を併せて参照）。

【0053】

次に、図６Ｅを参照して、第１主面３、第２主面４、第１貫通穴１０の内面１３および第２貫通穴２０の内面２３に、第１導電膜１１（図３参照）および第２導電膜２１（図３参照）のベースとなるシード層１０７が形成される。シード層１０７は、たとえばＣｕ層、Ｎｉ層等である。シード層１０７は、たとえば、原子層堆積法（ＡＬＤ：Atomic Layer Deposition）、ＣＶＤ法、めっき法等によって形成される。

【0054】

次に、図６Ｆを参照して、シード層１０７上に、第１埋め込み電極１２（図３参照）および第２埋め込み電極２２（図３参照）のベースとなるベース導電膜１０８が形成される。ベース導電膜１０８は、たとえばＣｕ層、Ｎｉ層等である。ベース導電膜１０８は、たとえばめっき法によって形成される。ベース導電膜１０８によって、第１貫通穴１０の内部および第２貫通穴２０の内部が埋められる（第３工程）。ベース導電膜１０８の形成は、第１貫通穴１０の内部および第２貫通穴２０の内部がベース導電膜１０８によって埋め尽くされるまで続けられる。ベース導電膜１０８は、ＣＶＤ法によって形成されてもよい。

【0055】

次に、図６Ｇを参照して、第１主面３上および第２主面４上のシード層１０７およびベース導電膜１０８が除去される。この工程は、研磨法によって第１主面３および第２主面４が露出するまで続行される。研磨法は、ＣＭＰ法であってもよい。これにより、第１貫通穴１０の内部に第１埋め込み電極１２が埋め込まれた構成が得られる。第２貫通穴２０の内部に第２埋め込み電極２２が埋め込まれた構成が得られる。

【0056】

次に、図６Ｈを参照して、基材２の第１主面３上に、第１表面電極３１のベースとなるベース導電膜１０９が形成される。ベース導電膜１０９は、たとえばＴｉ膜である。次に、ベース導電膜１０９の上に、第３マスク１１０が積層される。第３マスク１１０は、第１主面３上において第１表面電極３１を形成すべき領域（第１端面８ａ）を露出させ、それら以外の領域を被覆している。次に、第３マスク１１０を介するエッチング法によって、ベース導電膜１０９が選択的に除去される。これにより、第１表面電極３１が形成される。エッチング法は、ウェットエッチング法であってよい。第１表面電極３１の形成後、第３マスク１１０は除去される。

【0057】

第１埋め込み電極１２の幅広側の第１端面１２ａ（第１端面８ａ）に第１表面電極３１が形成される。そのため、第１埋め込み電極１２に接する第１表面電極３１を良好に形成できる（パターンニングを行い易い）。

【0058】

次に、図６Ｉを参照して、基材２の第２主面４上に、第２表面電極３２のベースとなるベース導電膜１１１が形成される。ベース導電膜１１１は、たとえばＴｉ膜である。次に、ベース導電膜１１１の上に、第４マスク１１２が積層される。第４マスク１１２は、第２主面４上において第２表面電極３２を形成すべき領域を露出させ、それら以外の領域を被覆している。次に、第４マスク１１２を介するエッチング法によって、ベース導電膜１１１が選択的に除去される。これにより、第２表面電極３２が形成される。エッチング法は、ウェットエッチング法であってよい。第２表面電極３２の形成後、第４マスク１１２は除去される。

【0059】

第２埋め込み電極２２の幅広側の第２端面２２ｂ（第２端面９ｂ）に第２表面電極３２が形成される。そのため、第２埋め込み電極２２に接する第２表面電極３２を良好に形成できる（パターンニングを行い易い）。

【0060】

次に、図６Ｊを参照して、たとえばスパッタ法により、基材２の第１主面３上に、第１主面３と、第１表面電極３１と、第２貫通電極９の第１主面３側の第１端面９ａとを被覆するように、第２絶縁膜３３が形成される。第２絶縁膜３３は、ＣＶＤ法によって形成されてもよい。第２絶縁膜３３は、たとえば酸化シリコン（ＳｉＯ_２）である。

【0061】

次に、図６Ｋを参照して、たとえばスパッタ法により、基材２の第２主面４上に、第２主面４と、第２表面電極３２と、第１貫通電極８の第１主面３側の第１端面８ａとを被覆するように、第３絶縁膜３６が形成される。第３絶縁膜３６は、ＣＶＤ法によって形成されてもよい。第３絶縁膜３６は、たとえば酸化シリコン（ＳｉＯ_２）である。

【0062】

第２絶縁膜３３および第３絶縁膜３６の形成順序は、図６Ｊおよび図６Ｋに示す順序と逆であってもよい。すなわち、第３絶縁膜３６が形成された後に、第２絶縁膜３３が形成されてもよい。

【0063】

次に、図６Ｌを参照して、第２絶縁膜３３の上に、第５マスク１１３が積層される。第５マスク１１３は、第２絶縁膜３３において第１コンタクト穴３４を形成すべき領域を露出させ、それら以外の領域を被覆している。次に、第５マスク１１３を介するエッチング法によって、第２絶縁膜３３が選択的に除去される。これにより、第１コンタクト穴３４が形成される。エッチング法は、ウェットエッチング法であってよい。第１コンタクト穴３４の形成後、第５マスク１１３は除去される。

【0064】

次に、図６Ｍを参照して、第３絶縁膜３６の上に、第６マスク１１４が積層される。第６マスク１１４は、第３絶縁膜３６において第２コンタクト穴３７を形成すべき領域を露出させ、それら以外の領域を被覆している。

【0065】

次に、第６マスク１１４を介するエッチング法によって、第３絶縁膜３６が選択的に除去される。これにより、第２コンタクト穴３７が形成される。エッチング法は、ウェットエッチング法であってよい。第２コンタクト穴３７の形成後、第６マスク１１４は除去される。

【0066】

次に、図６Ｎを参照して、たとえばめっき法によって、基材２の第１主面３を覆う第１外部電極３５が形成される（第４工程）。第１外部電極３５は、第２絶縁膜３３の露出面（外側面を除く）および第１表面電極３１を覆うように形成される。また、たとえばめっき法によって、基材２の第２主面４を覆う第２外部電極３８が形成される（第４工程）。第２外部電極３８は、第３絶縁膜３６の露出面（外側面を除く）および第２表面電極３２を覆うように形成される。以上を含む工程によって、図１～図３に示されるキャパシタ１が得られる。

【0067】

以上により、第１主面３から第２主面４に向かって幅が小さくなるテーパ形状の側壁１７を有する第１埋め込み電極１２と、第２主面４から第１主面３に向かって幅が小さくなるテーパ形状の側壁２７を有する第２埋め込み電極２２とを含むキャパシタ１を容易に製造できる。

【0068】

図７は、参考形態に係るキャパシタ１５１の模式的な断面図であって、図３に対応する図である。参考形態に係るキャパシタ１５１が、図３に示す第１実施形態に係るキャパシタ１と相違する点は、第１貫通電極８に代えて第１主面３および第２主面４に対して垂直な第１貫通電極１５８を採用した点、ならびに第２貫通電極９に代えて第１主面３および第２主面４に対して垂直な第２貫通電極１５９を採用した点である。キャパシタ１５１では、第１貫通電極１５８の第１埋め込み電極１６９の側壁１６７が第１主面３および第２主面４に対して垂直である。また、第２貫通電極１５９の第２埋め込み電極１７２の側壁１７７が第１主面３および第２主面４に対して垂直である。

【0069】

第１貫通電極１５８および第２貫通電極１５９の厚さ（基材２の厚さ方向（法線方向Ｚ）の長さ）を、第１貫通電極８および第２貫通電極９と同様に厚さＴ_０（図７参照）とする。そして、第１貫通電極１５８および第２貫通電極１５９の長さ（第２方向Ｙの長さ）を、第１貫通電極８および第２貫通電極９と同様に長さａ（図１参照）とする。このとき、キャパシタ１５１において、第１貫通電極１５８の側壁と基材２の壁部２ａとの対向面積、および第２貫通電極１５９の側壁と基材２の壁部２ａとの対向面積は、いずれもＴ_０・ａである。

【0070】

これに対し、第１実施形態によれば、前述のように、第１埋め込み電極１２の側壁１７が、第１方向Ｘに沿う断面視において、第１主面３から第２主面４に向かって幅が小さくなるテーパ形状である。また、第２埋め込み電極２２の側壁２７が、第２方向Ｙに沿う断面視において、第２主面４から第１主面３に向かって幅が小さくなるテーパ形状である。また、第１埋め込み電極１２の側壁１７および第２埋め込み電極２２の側壁２７が、基材２の壁部２ａ（容量部７）を挟んで対向している。

【0071】

そして、第１実施形態によれば、前述のように、第１貫通電極８の側壁と基材２の壁部２ａとの対向面積は、Ｔ_０・ａ／ｓｉｎθ_１である。また、第２貫通電極９の側壁と基材２の壁部２ａとの対向面積は、Ｔ_０・ａ／ｓｉｎθ_２である。

【0072】

したがって、第１貫通電極８の側壁と基材２の壁部２ａとの対向面積および第２貫通電極９の側壁と基材２の壁部２ａとの対向面積は、参考形態に係るキャパシタ１５１における第１貫通電極８の側壁と基材２の壁部２ａとの対向面積、および第２貫通電極９の側壁と基材２の壁部２ａとの対向面積よりも増大する。つまり、側壁１７および側壁２７が、第１方向Ｘに沿う断面視においてテーパ形状であるので、キャパシタ１５１と比較して、第１埋め込み電極１２および第２埋め込み電極２２の対向面積を増大できる。これにより、キャパシタ１の容量を増大できる。

【0073】

また、この実施形態では、第２埋め込み電極２２の側壁２７は、第１埋め込み電極１２の側壁１７と同じ傾斜角度で、第１主面３および第２主面４に対して傾斜している。そのため、第１方向Ｘに対向する側壁１７および側壁２７は平行である。したがって、第１埋め込み電極１２の側壁１７と第２埋め込み電極２２の側壁２７との間隔Ｆが、基材２の厚み方向（法線方向Ｚ）において均一である。

【0074】

仮に、間隔Ｆが基材２の厚み方向にばらつくと、間隔Ｆが狭くなる部分が発生するおそれがある。この場合、この狭部分において、耐圧が低下するおそれがある。そのため、キャパシタにおいて、局所的な耐圧低下が発生するおそれがある。

【0075】

これに対し、この実施形態では、第１方向Ｘに対向する側壁１７および側壁２７は平行である。そのため、第１埋め込み電極１２の側壁１７と第２埋め込み電極２２の側壁２７との間隔Ｆが、基材２の厚み方向（法線方向Ｚ）において均一である。これにより、局所的な耐圧低下をより効果的に抑制できる。

【0076】

ゆえに、この実施形態によれば、局所的な耐圧低下を抑制しながら、キャパシタ１の容量を増大できる。

【0077】

また、この実施形態では、第１埋め込み電極１２の幅広側の端面である第１端面１２ａが、第１外部電極３５によって被覆される。また、第２埋め込み電極２２の幅広側の端面である第２端面２２ｂが、第２外部電極３８によって被覆される。そのため、第１埋め込み電極１２と第１外部電極３５とを簡単な構成で電気的接続できる。また、第２埋め込み電極２２と第２外部電極３８とを簡単な構成で電気的接続できる。

【0078】

また、この実施形態では、第１埋め込み電極１２の幅広側の端面である第１端面１２ａに第１表面電極３１が形成される。また、第２埋め込み電極２２の幅広側の端面である第２端面２２ｂに第２表面電極３２が形成される。そのため、第１埋め込み電極１２と第１表面電極３１との間の電気抵抗を、最小限に抑制できる。また、第２埋め込み電極２２と第２表面電極３２との間の電気抵抗を、最小限に抑制できる。

【0079】

また、第１主面３および第２主面４に対する側壁１７および側壁２７の傾斜角度θ_１，θ_２が、６５°以上である。第１主面３および第２主面４に対する側壁１７，２７の傾斜角度θ_１，θ_２が６５°未満であれば、キャパシタ１が第１方向Ｘに大型化してしまうおそれがある。また、第１主面３および第２主面４に対する側壁１７，２７の傾斜角度θ_１，θ_２が８５°を超えれば、キャパシタ１において、側壁１７，２７をテーパ形状にすることによる容量の増大化を、十分に図ることができない。

【0080】

図８は、本開示の第２実施形態に係るキャパシタ２０１の模式的な平面図である。図９は、キャパシタ２０１の模式的な底面図である。

【0081】

第２実施形態に係るキャパシタ２０１が第１実施形態に係るキャパシタ１と相違する点は、複数の貫通電極２０８，２０９が、平面視で行列状に形成されている点である。

【0082】

キャパシタ２０１は、複数の貫通電極２０８，２０９を含む。複数の貫通電極２０８，２０９は、平面視において第１方向Ｘおよび第２方向Ｙに間隔を空けて形成されている。複数の貫通電極２０８，２０９は、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙに沿う行列状に配列されている。貫通電極２０８，２０９は、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙに等間隔に並んでいる。

【0083】

複数の貫通電極２０８，２０９は、第１貫通電極２０８と、第２貫通電極２０９とを含む。図８および図９の例では、貫通電極２０８，２０９の個数は９つである。複数の貫通電極２０８，２０９は、４つの第１貫通電極２０８と、５つの第２貫通電極２０９とを含む。複数の第１貫通電極２０８および複数の第２貫通電極２０９は、平面視において、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙに関して交互に並んでいる。第１貫通電極２０８は、基材２を厚さ方向（法線方向Ｚ）に貫通する複数の第１貫通穴２１０に埋め込まれた導電体によって形成されている。第２貫通電極２０９は、基材２を厚さ方向（法線方向Ｚ）に貫通する複数の第２貫通穴２２０に埋め込まれた導電体によって形成されている。図８および図９において、第１貫通電極８と第２貫通電極９とを識別し易くするために、第１貫通電極２０８および第２貫通電極２０９は、互いに異なるハッチングを用いて示されている。

【0084】

図１０は、図８のX-X線に沿う模式的な断面図である。図１１は、図８のXI-XI線に沿う模式的な断面図である。図１２は、図８のXII-XII線に沿う模式的な断面図である。図１３は、図１０の一点鎖線XIIIで囲まれた部分の拡大図である。図１４は、図１０の一点鎖線XIVで囲まれた部分の拡大図である。図１５は、図１２の一点鎖線XVで囲まれた部分の拡大図である。図１６は、図１２の一点鎖線XVIで囲まれた部分の拡大図である。

【0085】

第１貫通電極２０８は、第１貫通穴２１０、第１導電膜２１１および第１埋め込み電極２１２を含む。

【0086】

図１０～図１２を参照して、第１貫通穴２１０は、基材２を厚さ方向（法線方向Ｚ）に貫通している。第１貫通穴２１０は、四角錐台状である。この実施形態では、第１貫通穴２１０の平面形状および底面形状は、正方形である。第１貫通穴２１０は、第１方向Ｘに互いに対向する２つの内面２１３Ａ（図１０および図１１参照）と、第２方向Ｙに互いに対向する２つの内面２１３Ｂ（第２内面。図１２参照）とを含む。内面２１３Ａと内面２１３Ｂとは横方向に繋がっている。

【0087】

図１０および図１１を参照して、２つの内面２１３Ａは、第１方向Ｘに沿う断面視において第１主面３から第２主面４に向かって幅が小さくなるテーパ形状に形成されている。２つの内面２１３Ｂは、第１方向Ｘについて、第１主面３および第２主面４に対して所定の傾斜角度で傾斜している。この所定の傾斜角度は、後述する傾斜角度θ_３（図１３参照）と同じである。

【0088】

図１２を参照して、２つの内面２１３Ｂは、第２方向Ｙに沿う断面視において第１主面３から第２主面４に向かって幅が小さくなるテーパ形状に形成されている。２つの内面２１３Ｂは、第２方向Ｙについて、第１主面３および第２主面４に対して所定の傾斜角度で傾斜している。この所定の傾斜角度は、後述する傾斜角度θ_４（図１５参照）と同じである。

【0089】

図１３および図１５を参照して、第１貫通穴２１０は、第１主面３における開口端２１０ａにおいて、第１１幅Ｗ_１１を有している。第１１幅Ｗ_１１は、第１方向Ｘおよび第２方向の幅である。第１１幅Ｗ_１１は、１０μｍ以上５００μｍ以下であってもよい。第１貫通穴２１０は、第２主面４における開口端２１０ｂにおいて、第１２幅Ｗ_１２を有している。第１２幅Ｗ_１２は、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙの幅である。第１２幅Ｗ_１２は、第１１幅Ｗ_１１よりも狭い（Ｗ_１２＜Ｗ_１１）。第１２幅Ｗ_１２は、０．５μｍ以上２００μｍ以下であってもよい。

【0090】

図１０～図１３および図１５を参照して、第１導電膜２１１は、第１貫通穴２１０の内面（２つの内面２１３Ａおよび２つの内面２１３Ｂ）の全域を被覆している。第１導電膜２１１は、たとえばＣｕである。第１導電膜２１１は、Ｎｉ、ＮｉＣｒ、Ｃｏ等であってもよい。第１導電膜２１１の膜厚ｔ_３（図１３および図１５参照）は、基材２の厚さ方向（法線方向Ｚ）に均一である。第１導電膜２１１の膜厚ｔ_３は、第１導電膜１１の膜厚ｔ_１（図４参照）と同じであってもよい。

【0091】

図１０～図１３および図１５を参照して、第１埋め込み電極２１２は、第１導電膜２１１を挟んで第１貫通穴２１０の内部に埋められている。第１埋め込み電極２１２は、導電体を用いて形成されている。第１埋め込み電極２１２は、たとえばＣｕである。第１埋め込み電極２１２は、Ｎｉ等であってもよい。

【0092】

図１３および図１５を参照して、第１埋め込み電極２１２は、天壁２１５、底壁２１６、一対の側壁２１７Ａ（図１３参照）および一対の側壁２１７Ｂ（第３側壁。図１５参照）を含む。一対の側壁２１７Ａは、第１方向Ｘに対向している。一対の側壁２１７Ａは、第１方向Ｘに関し対称である。一対の側壁２１７Ｂは、第２方向Ｙに対向している。一対の側壁２１７Ｂは、第２方向Ｙに関し対称である。第１埋め込み電極２１２は、天壁２１５側（すなわち第１主面３側）が幅広に、かつ底壁２１６側（すなわち第２主面４側）が幅狭に形成されている。

【0093】

図１０、図１１および図１３を参照して、一対の側壁２１７Ａは、第１方向Ｘに沿う断面視において第１主面３から第２主面４に向かって幅が小さくなるテーパ形状である。一対の側壁２１７Ａは、平坦面によって形成されている。側壁２１７Ａは、第１貫通穴２１０の内面２１３Ａに対向している。側壁２１７Ａは、対向する内面２１３Ａに平行である。側壁２１７Ａは、第１方向Ｘについて、第１主面３および第２主面４に対して、所定の傾斜角度θ_３（図１３参照）で傾斜している。側壁２１７Ａの傾斜角度θ_３は、第２方向Ｙに関し均一である。傾斜角度θ_３は、６５°以上８５°以下である。

【0094】

図１２および図１５を参照して、一対の側壁２１７Ｂは、第２方向Ｙに沿う断面視において第１主面３から第２主面４に向かって幅が小さくなるテーパ形状である。一対の側壁２１７Ｂは、平坦面によって形成されている。側壁２１７Ｂは、第１貫通穴２１０の内面２１３Ｂに対向している。側壁２１７Ｂは、対向する内面２１３Ｂに平行である。側壁２１７Ｂは、第２方向Ｙについて、第１主面３および第２主面４に対して、所定の傾斜角度θ_４（図１５参照）で傾斜している。側壁２１７Ｂの傾斜角度θ_４は、第１方向Ｘに関し均一である。傾斜角度θ_４は、６５°以上８５°以下である。

【0095】

図１３および図１５を参照して、天壁２１５は、第１主面３および第２主面４に平行である。天壁２１５は、第１埋め込み電極２１２の第１主面３側の第１端面（第１端部）２１２ａを含む。第１端面２１２ａは、平坦面である。図１３の例では、第１端面２１２ａの第１３幅Ｗ_１３は、側壁２１７Ａと、後述する第２埋め込み電極２２２の側壁（第２側壁）２２７Ａとの対向間隔Ｆ１（図１０等参照）よりも大きい（Ｗ_１３＞Ｆ１）。第１３幅Ｗ_１３は、第１方向Ｘの幅である。対向間隔Ｆ１（図１０等参照）は、第１方向Ｘの間隔である。図１５の例では、第１端面２１２ａの第１４幅Ｗ_１４は、側壁２１７Ｂと、後述する第２埋め込み電極２２２の側壁（第４側壁）２２７Ｂとの対向間隔Ｆ２（図１２参照）よりも大きい（Ｗ_１４＞Ｆ２）。第１４幅Ｗ_１４は、第２方向Ｙの幅である。対向間隔Ｆ２（図１２参照）は、第２方向Ｙの間隔である。

【0096】

図１３および図１５を参照して、底壁２１６は、第１主面３および第２主面４に平行である。底壁２１６は、第１埋め込み電極２１２の第２主面４側の第２端面（第２端部）２１２ｂを含む。第２端面２１２ｂは、平坦面である。図１３の例では、第２端面２１２ｂの第１５幅Ｗ_１５は、対向間隔Ｆ１（図１０等参照）よりも小さい（Ｗ_１５＜Ｆ１）。第１５幅Ｗ_１５は、第１方向Ｘの幅である。第１５幅Ｗ_１５は、対向間隔Ｆ１と同じか、あるいは対向間隔Ｆ１より大きくてもよい（Ｗ_１５≧Ｆ１）。図１５の例では、第２端面２１２ｂの第１６幅Ｗ_１６は、対向間隔Ｆ２（図１２参照）よりも小さい（Ｗ_１６＜Ｆ２）。第１６幅Ｗ_１６は、第２方向Ｙの幅である。第１６幅Ｗ_１６は、対向間隔Ｆ２と同じか、あるいは対向間隔Ｆ２より大きくてもよい（Ｗ_１６≧Ｆ２）。

【0097】

第２貫通電極２０９は、第２貫通穴２２０、第２導電膜２２１および第２埋め込み電極２２２を含む。

【0098】

図１０～図１２を参照して、第２貫通穴２２０は、基材２を厚さ方向（法線方向Ｚ）に貫通している。第２貫通穴２２０は、四角錐台状である。この実施形態では、第２貫通穴２２０の平面形状および底面形状は、正方形である。第２貫通穴２２０は、第１方向Ｘに互いに対向する２つの内面２２３Ａ（第２内面。図１０および図１１参照）と、第２方向Ｙに互いに対向する２つの内面２２３Ｂ（図１２参照）とを含む。内面２２３Ａと内面２２３Ｂとは横方向に繋がっている。

【0099】

図１０および図１１を参照して、２つの内面２２３Ａは、第１方向Ｘに沿う断面視において第２主面４から第１主面３に向かって幅が小さくなるテーパ形状に形成されている。２つの内面２２３Ｂは、第１方向Ｘについて、第１主面３および第２主面４に対して所定の傾斜角度で傾斜している。この所定の傾斜角度は、後述する傾斜角度θ_５（図１４参照）と同じである。

【0100】

図１２を参照して、２つの内面２２３Ｂは、第２方向Ｙに沿う断面視において第２主面４から第１主面３に向かって幅が小さくなるテーパ形状に形成されている。２つの内面２２３Ｂは、第２方向Ｙについて、第１主面３および第２主面４に対して所定の傾斜角度で傾斜している。この所定の傾斜角度は、後述する傾斜角度θ_６（図１６参照）と同じである。

【0101】

図１４および図１６を参照して、第２貫通穴２２０は、第１主面３における開口端２２０ａにおいて、第１７幅Ｗ_１７を有している。第１７幅Ｗ_１７は、第１方向Ｘおよび第２方向の幅である。第１７幅Ｗ_１７は、０．５μｍ以上２００μｍ以下であってもよい。第２貫通穴２２０は、第２主面４における開口端２２０ｂにおいて、第１８幅Ｗ_１８を有している。第１８幅Ｗ_１８は、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙの幅である。第１８幅Ｗ_１８は、第１７幅Ｗ_１７よりも広い（Ｗ_１８＞Ｗ_１７）。第１８幅Ｗ_１８は、１０μｍ以上５００μｍ以下であってもよい。

【0102】

図１４および図１６を参照して、第２導電膜２２１は、第２貫通穴２２０の内面（２つの内面２２３Ａおよび２つの内面２２３Ｂ）の全域を被覆している。第２導電膜２２１は、たとえばＣｕである。第２導電膜２２１は、Ｎｉ、ＮｉＣｒ、Ｃｏ等であってもよい。第２導電膜２２１の膜厚ｔ_４（図１４および図１６参照）は、基材２の厚さ方向（法線方向Ｚ）に均一である。第２導電膜２２１の膜厚ｔ_４は、第２導電膜２１の膜厚ｔ_２（図５参照）と同じであってもよい。

【0103】

図１４および図１６を参照して、第２埋め込み電極２２２は、第２導電膜２２１を挟んで第２貫通穴２２０の内部に埋められている。第２埋め込み電極２２２は、導電体を用いて形成されている。第２埋め込み電極２２２は、たとえばＣｕである。第２埋め込み電極２２２は、Ｎｉ等であってもよい。

【0104】

図１４および図１６を参照して、第２埋め込み電極２２２は、天壁２２５、底壁２２６、一対の側壁２２７Ａ（第２側壁。図１４参照）および一対の側壁２２７Ｂ（図１６参照）を含む。一対の側壁２２７Ａは、第１方向Ｘに対向している。一対の側壁２２７Ａは、第１方向Ｘに関し対称である。一対の側壁２２７Ｂは、第２方向Ｙに対向している。一対の側壁２２７Ｂは、第２方向Ｙに関し対称である。第２埋め込み電極２２２は、天壁２２５側（すなわち第１主面３側）が幅狭に、かつ底壁２２６側（すなわち第２主面４側）が幅広に形成されている。

【0105】

図１０、図１１および図１４を参照して、一対の側壁２２７Ａは、第１方向Ｘに沿う断面視において第２主面４から第１主面３に向かって幅が小さくなるテーパ形状である。一対の側壁２２７Ａは、平坦面によって形成されている。側壁２２７Ａは、第２貫通穴２２０の内面２２３Ａに対向している。側壁２２７Ａは、対向する内面２２３Ａに平行である。側壁２２７Ａは、第１方向Ｘについて、第１主面３および第２主面４に対して、所定の傾斜角度θ_５（図１４参照）で傾斜している。側壁２２７Ａの傾斜角度θ_５は、第２方向Ｙに関し均一である。傾斜角度θ_５は、６５°以上８５°以下である。

【0106】

図１２および図１６を参照して、一対の側壁２２７Ｂは、第２方向Ｙに沿う断面視において第２主面４から第１主面３に向かって幅が小さくなるテーパ形状である。一対の側壁２２７Ｂは、平坦面によって形成されている。側壁２２７Ｂは、第２貫通穴２２０の内面２２３Ｂに対向している。側壁２２７Ｂは、対向する内面２２３Ｂに平行である。側壁２２７Ｂは、第２方向Ｙについて、第１主面３および第２主面４に対して、所定の傾斜角度θ_６（図１６参照）で傾斜している。側壁２２７Ｂの傾斜角度θ_６は、第１方向Ｘに関し均一である。傾斜角度θ_６は、６５°以上８５°以下である。

【0107】

図１４および図１６を参照して、天壁２２５は、第１主面３および第２主面４に平行である。天壁２２５は、第２埋め込み電極２２２の第１主面３側の第１端面２２２ａを含む。第１端面２２２ａは、平坦面である。図１４の例では、第１端面２２２ａの第１９幅Ｗ_１９は、対向間隔Ｆ１（図１０等参照）よりも小さい（Ｗ_１９＜Ｆ１）。第１９幅Ｗ_１９は、第１方向Ｘの幅である。第１９幅Ｗ_１９は、第１５幅Ｗ_１５と同じでもよい。第１９幅Ｗ_１９は、対向間隔Ｆ１と同じか、あるいは対向間隔Ｆ１より大きくてもよい（Ｗ_１９≧Ｆ１）。図１６の例では、第１端面２２２ａの第２０幅Ｗ_２０は、対向間隔Ｆ２（図１２参照）よりも小さい（Ｗ_２０＜Ｆ２）。第２０幅Ｗ_２０は、第２方向Ｙの幅である。第２０幅Ｗ_２０は、第１６幅Ｗ_１６と同じでもよい。第２０幅Ｗ_２０は、対向間隔Ｆ２と同じか、あるいは対向間隔Ｆ２より大きくてもよい（Ｗ_２０≧Ｆ２）。

【0108】

図１４および図１６を参照して、底壁２２６は、第１主面３および第２主面４に平行である。底壁２２６は、第２埋め込み電極２２２の第２主面４側の第２端面２２２ｂを含む。第２端面２２２ｂは、平坦面である。図１４の例では、第２端面２２２ｂの第２１幅Ｗ_２１は、対向間隔Ｆ１（図１０等参照）よりも大きい（Ｗ_２１＞Ｆ１）。第２１幅Ｗ_２１は、第１方向Ｘの幅である。第２１幅Ｗ_２１は、第１３幅Ｗ_１３と同じでもよい。図１６の例では、第２端面２２２ｂの第２２幅Ｗ_２２は、対向間隔Ｆ２（図１２参照）よりも大きい（Ｗ_２２＞Ｆ２）。第２２幅Ｗ_２２は、第２方向Ｙの幅である。第２２幅Ｗ_２２は、第１４幅Ｗ_１４と同じでもよい。

【0109】

この実施形態では、側壁２２７Ａの傾斜角度θ_５（図１４参照）は、側壁２１７Ａの傾斜角度θ_３（図１３参照）と同じである。そのため、第２埋め込み電極２２２の側壁２２７Ａは、第１埋め込み電極２１２の側壁２１７Ａと同じ傾斜角度で、第１主面３および第２主面４に対して傾斜している。

【0110】

また、この実施形態では、側壁２２７Ｂの傾斜角度θ_６（図１６参照）は、側壁２１７Ｂの傾斜角度θ_４（図１５参照）と同じである。そのため、第２埋め込み電極２２２の側壁２２７Ｂは、第１埋め込み電極２１２の側壁２１７Ｂと同じ傾斜角度で、第１主面３および第２主面４に対して傾斜している。

【0111】

側壁２１７Ｂの傾斜角度θ_４（図１５参照）が、側壁２１７Ａの傾斜角度θ_３（図１３参照）と同じであってもよい。側壁２２７Ｂの傾斜角度θ_６（図１６参照）が、側壁２２７Ａの傾斜角度θ_５（図１４参照）と同じであってもよい。

【0112】

図８～図１０を参照して、基材２の第１主面３上には、第１貫通電極２０８の第１主面３側の第１端面２０８ａを被覆する第１表面電極２３１が形成されている。第１表面電極２３１の平面形状は、たとえば正方形状である。第１表面電極２３１は、たとえばＴｉ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ等を含む。

【0113】

図１３および図１５を参照して、具体的には、第１表面電極２３１は、第１埋め込み電極２１２の第１端面２１２ａおよび第１導電膜１１の第１主面３側の端面に接している。図１３および図１５の例では、第１表面電極２３１は、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙにおいて、第１埋め込み電極２１２の第１端面２１２ａおよび第１導電膜２１１の第１主面３側の端面の全域を被覆している。すなわち、第１表面電極２３１は、第１貫通電極２０８の第１端面２０８ａの第１方向Ｘおよび第２方向Ｙの全域を被覆している。第１表面電極２３１の第２３幅Ｗ_２３は、第１１幅Ｗ_１１および第１３幅Ｗ_１３よりも大きい。第２３幅Ｗ_２３は、第１方向Ｘの幅である。第１表面電極２３１の第２４幅Ｗ_２４は、第１１幅Ｗ_１１および第１４幅Ｗ_１４よりも大きい。第２４幅Ｗ_２４は、第２方向Ｙの幅である。

【0114】

図８～図１０を参照して、基材２の第２主面４上には、第２貫通電極２０９の第２主面４側の第２端面２０９ｂを被覆する第２表面電極２３２が形成されている。第２表面電極２３２の平面形状は、たとえば正方形状である。第２表面電極２３２は、たとえばＴｉ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ等を含む。

【0115】

図１４および図１６を参照して、具体的には、第２表面電極２３２は、第２埋め込み電極２２２の第２端面２２２ｂおよび第２導電膜２２１の第２主面４側の端面に接している。図１４および図１６の例では、第２表面電極２３２は、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙにおいて、第２埋め込み電極２２２の第２端面２２２ｂおよび第２導電膜２２１の第２主面４側の端面の全域を被覆している。すなわち、第２表面電極２３２は、第２貫通電極２０９の第２端面２０９ｂの第１方向Ｘおよび第２方向Ｙの全域を被覆している。第２表面電極２３２の第２５幅Ｗ_２５は、第１８幅Ｗ_１８および第２１幅Ｗ_２１よりも大きい。第２５幅Ｗ_２５は、第１方向Ｘの幅である。第２表面電極２３２の第２６幅Ｗ_２６は、第１８幅Ｗ_１８および第２２幅Ｗ_２２よりも大きい。第２６幅Ｗ_２６は、第２方向Ｙの幅である。第１表面電極２３１および第２表面電極２３２の平面形状は、長方形状、円形状等のように正方形状以外の形状であってもよい。

【0116】

図１０～図１２を参照して、基材２の第１主面３上には、第２貫通電極２０９の第１端面２０９ａを被覆するように、第２絶縁膜３３が形成されている。第２絶縁膜３３には、第１表面電極２３１を露出させる第１コンタクト穴２３４が形成されている。図１０～図１２の例では、第１コンタクト穴２３４の平面形状は、第１表面電極２３１の平面形状の大きさよりも若干小さな正方形状である。第１コンタクト穴２３４の平面形状が、第２貫通電極２０９の平面形状の大きさとほぼ等しい正方形状であってもよい。第２絶縁膜３３によって、第２貫通電極２０９と第１外部電極３５とが絶縁される。第２絶縁膜３３上には、第１外部電極３５が形成されている。第１外部電極３５は、第２絶縁膜３３の第１コンタクト穴２３４の内部に入り込み、第１コンタクト穴２３４の内部で第１表面電極２３１に接している。第１外部電極３５は、第１表面電極２３１を介して第１貫通電極２０８に電気的に接続されている。

【0117】

図１０～図１２を参照して、基材２の第２主面４上には、第１貫通電極２０８の第２端面２０８ｂを被覆するように、第３絶縁膜３６が形成されている。第３絶縁膜３６には、第２表面電極２３２を露出させる第２コンタクト穴２３７が形成されている。図１０～図１２の例では、第２コンタクト穴２３７の平面形状は、第１表面電極２３１の平面形状の大きさよりも若干小さな正方形状である。第２コンタクト穴２３７の平面形状が、第２貫通電極２０９の平面形状の大きさとほぼ等しい正方形状であってもよい。第３絶縁膜３６によって、第１貫通電極２０８と第２外部電極３８とが絶縁される。第３絶縁膜３６上には、第２外部電極３８が形成されている。第２外部電極３８は、第３絶縁膜３６の第２コンタクト穴２３７の内部に入り込み、第２コンタクト穴２３７の内部で第２表面電極２３２に接している。第２外部電極３８は、第２表面電極２３２を介して第２貫通電極２０９に電気的に接続されている。

【0118】

図１０および図１１を参照して、第１方向Ｘに隣り合う第１貫通電極２０８および第２貫通電極２０９において、第１貫通電極２０８の第１貫通穴２１０の内面（第１内面）２１３Ａと、第２貫通電極２０９の第２貫通穴２２０の内面（第２内面）２２３Ａとは第１方向Ｘに対向している。そして、これら互いに対向する内面２１３Ａ，２２３Ａ同士によって挟まれた壁部２ａにある第１絶縁膜６が、容量部２０７Ａを構成している。容量部２０７Ａは、容量膜と称されてもよい。第１方向Ｘに対向する一組の第１貫通電極２０８および第２貫通電極２０９と、それらの間の容量部２０７Ａとによって、一つのキャパシタ要素が構成されている。

【0119】

図１２を参照して、第２方向Ｙに隣り合う第１貫通電極２０８および第２貫通電極２０９において、第１貫通電極２０８の第１貫通穴２１０の内面２１３Ｂと、第２貫通電極２０９の第２貫通穴２２０の内面２２３Ｂとは第２方向Ｙに対向している。そして、これら互いに対向する内面２１３Ｂ，２２３Ｂ同士によって挟まれた壁部２ａにある第１絶縁膜６が、容量部２０７Ｂを構成している。容量部２０７Ｂは、容量膜と称されてもよい。第２方向Ｙに対向する一組の第１貫通電極２０８および第２貫通電極２０９と、それらの間の容量部２０７Ｂとによって、一つのキャパシタ要素が構成されている。

【0120】

そして、第１貫通電極２０８が第１外部電極３５に電気的に接続され、かつ第２貫通電極２０９が第２外部電極３８に電気的に接続されている。そのため、全てのキャパシタ要素が並列に接続されたキャパシタ２０１を得ることができる。これにより、キャパシタ２０１の小型化および大容量化を図ることができる。

【0121】

本開示の第２実施形態に係るキャパシタ２０１は、第１実施形態に係るキャパシタ１の製造方法（図６Ａ～図６Ｎに示す製造方法）と、同等の製造方法を用いて製造される。

【0122】

本開示の第２実施形態に係るキャパシタ２０１によれば、第１実施形態に関連して説明した作用効果と同等の作用効果を奏する。

【0123】

本開示は、さらに他の形態で実施することもできる。

【0124】

第１実施形態において、３つの貫通電極８，９が、２つの第１貫通電極８と、１つの第２貫通電極９とを含む構成であってもよい。すなわち、１つの第２貫通電極９が、２つの第１貫通電極８によって第１方向Ｘに挟まれてもよい。

【0125】

第１実施形態において、貫通電極８，９の合計の個数を４つ以上としてもよい。

【0126】

第２実施形態において、貫通電極２０８，２０９の平面形状が、円形状であってもよい。この場合、第１貫通穴２１０および第２貫通穴２２０の横断面形状は、円形状である。また、貫通電極２０８，２０９の平面形状が、正六角形状であってもよい。この場合、第１貫通穴２１０および第２貫通穴２２０の横断面形状は、正六角形状である。

【0127】

また、第２実施形態において、合計９つの貫通電極２０８，２０９を３行３列に配列した構成を示しているが、行数および列数の数は、任意に変更できる。

【0128】

この明細書および図面の記載から以下に付記する特徴が抽出され得る。

【0129】

［付記１－１］
第１主面（３）およびその反対側の第２主面（４）を有する基材（２）と、
前記基材（２）を厚さ方向（Ｚ）に貫通する第１貫通穴（１０，２１０）と、
前記第１貫通穴（１０，２１０）に対し間隔を空けて形成された第２貫通穴（２０，２２０）であって、前記基材（２）を厚さ方向（Ｚ）に貫通する第２貫通穴（２０，２２０）と、
断面視において前記第１主面（３）から前記第２主面（４）に向かって幅が小さくなるテーパ形状の第１側壁（１７，２１７Ａ）を有し、前記第１貫通穴（１０，２１０）に埋め込まれた第１埋め込み電極（１２，２１２）と、
断面視において前記第１主面（３）から前記第２主面（４）に向かって幅が小さくなるテーパ形状の第２側壁（２７，２２７Ａ）を有し、前記第２貫通穴（２０，２２０）に埋め込まれた第２埋め込み電極（２２，２２２）と、
前記第１主面（３）および前記第２主面（４）の一方を被覆し、前記第１埋め込み電極（１２，２１２）に電気的に接続された第１外部電極（３５）と、
前記第１主面（３）および前記第２主面（４）の他方を被覆し、前記第２埋め込み電極（２２，２２２）に電気的に接続された第２外部電極（３８）とを含み、
前記第１側壁（１７，２１７Ａ）および前記第２側壁（２７，２２７Ａ）が、前記基材（２）の一部を挟んで対向している、キャパシタ（１，２０１）。

【0130】

この構成によれば、第１埋め込み電極（１２，２１２）の第１側壁（１７，２１７Ａ）が、断面視において第１主面（３）から第２主面（４）に向かって幅が小さくなるテーパ形状である。第２埋め込み電極（２２，２２２）の第２側壁（２７，２２７Ａ）が、断面視において第２主面（４）から第１主面（３）に向かって幅が小さくなるテーパ形状である。第１側壁（１７，２１７Ａ）および第２側壁（２７，２２７Ａ）が基材（２）の壁部を挟んで対向している。

【0131】

第１側壁（１７，２１７Ａ）および第２側壁（２７，２２７Ａ）が断面視においてテーパ形状であるので、第１側壁（１７，２１７Ａ）および第２側壁（２７，２２７Ａ）が第１主面（３）に対して垂直な場合と比較して、キャパシタ（１，２０１）の容量を増大できる。

【0132】

また、断面視において第１主面（３）から第２主面（４）に向かって幅が小さくなるテーパ形状の第１側壁（１７，２１７Ａ）と、断面視において第２主面（４）から第１主面（３）に向かって幅が小さくなるテーパ形状の第２側壁（２７，２２７Ａ）とが対向する。そのため、第１埋め込み電極（１２，２１２）の第１側壁（１７，２１７Ａ）と第２埋め込み電極（２２，２２２）第２側壁との間の距離（電極間距離）を一定に保つことが可能である。これにより、局所的な耐圧低下を抑制できる。

【0133】

以上により、局所的な耐圧低下を抑制しながら、容量を増大できるキャパシタ（１，２０１）を提供できる。

【0134】

［付記１－２］
互いに対向する前記第１側壁（１７，２１７Ａ）および前記第２側壁（２７，２２７Ａ）が平行である、付記１－１に記載のキャパシタ（１，２０１）。

【0135】

［付記１－３］
前記第１埋め込み電極（１２，２１２）の前記第１主面（３）側の第１端部（１２ａ，２１２ａ）における幅（Ｗ_３，Ｗ_１３）が、前記第１側壁（１７，２１７Ａ）および前記第２側壁（２７，２２７Ａ）の間隔（Ｆ，Ｆ１）よりも大きい、付記１－２に記載のキャパシタ（１，２０１）。

【0136】

［付記１－４］
前記第１外部電極（３５）が前記第１主面（３）を被覆し、
前記第２外部電極（３８）が前記第２主面（４）を被覆している、付記１－１～付記１－３のいずれか一項に記載のキャパシタ（１，２０１）。

【0137】

［付記１－５］
前記第１主面（３）上に形成され、前記第１埋め込み電極（１２，２１２）に接続された第１表面電極（３１，２３１）と、
前記第２主面（４）上に形成され、前記第２埋め込み電極（２２，２２２）に接続された第２表面電極（２２，２２２）とをさらに含み、
前記第１埋め込み電極（１２，２１２）が、前記第１表面電極（３１，２３１）を介して前記第１外部電極（３５）に電気的に接続され、
前記第２埋め込み電極（２２，２２２）が、前記第２表面電極（２２，２２２）を介して前記第２外部電極（３８）に電気的に接続されている、付記１－４に記載のキャパシタ（１，２０１）。

【0138】

［付記１－６］
前記第１主面（３）に対する前記第１側壁（１７，２１７Ａ）および前記第２側壁（２７，２２７Ａ）の傾斜角度（θ_１，θ_３）が、６５°以上８５°以下である、付記１－１～付記１－５のいずれか一項に記載のキャパシタ（１，２０１）。

【0139】

［付記１－７］
前記第１埋め込み電極（１２）および前記第２埋め込み電極（２２）が、第１方向（Ｘ）に交互に並んでいる、付記１－１～付記１－６のいずれか一項に記載のキャパシタ（１）。

【0140】

［付記１－８］
前記第１埋め込み電極（１２）および前記第２埋め込み電極（２２）が、平面視で前記第１方向（Ｘ）に交差する第２方向に沿うストライプ状に形成されている、付記１－７に記載のキャパシタ（１）。

【0141】

［付記１－９］
前記第１側壁（２１７Ａ）が、第１方向（Ｘ）に沿う断面視において前記第１主面（３）から前記第２主面（４）に向かって幅が小さくなるテーパ形状であり、
前記第２側壁（２２７Ａ）が、前記第１方向（Ｘ）に沿う断面視において前記第２主面（４）から前記第１主面（３）に向かって幅が小さくなるテーパ形状であり、
前記第１埋め込み電極（２１２）が、前記第１方向（Ｘ）に交差する第２方向（Ｙ）に沿う断面視において前記第１主面（３）から前記第２主面（４）に向かって幅が小さくなるテーパ形状の第３側壁（２１７Ｂ）をさらに有し、
前記第２埋め込み電極（２２２）が、前記第２方向（Ｙ）に沿う断面視において前記第２主面（４）から前記第１主面（３）に向かって幅が小さくなるテーパ形状の第４側壁（２２７Ｂ）をさらに有し、
前記第３側壁（２１７Ｂ）および前記第４側壁（２２７Ｂ）が、前記基材（２）の一部を前記第２方向（Ｙ）に挟んで対向している、付記１－１～付記１－６のいずれか一項に記載のキャパシタ（２０１）。

【0142】

［付記１－１０］
前記第１埋め込み電極（２１２）および前記第２埋め込み電極（２２２）が、前記第１方向（Ｘ）および前記第２方向（Ｙ）に交互に並んでいる、付記１－９に記載のキャパシタ（２０１）。

【0143】

［付記１－１１］
前記第１埋め込み電極（２１２）および前記第２埋め込み電極（２２２）が、平面視で前記第１方向（Ｘ）および前記第２方向（Ｙ）に沿う行列状に形成されている、付記１－１０に記載のキャパシタ（２０１）。

【0144】

［付記１－１２］
前記基材（２）が、酸化シリコンからなる絶縁部（６）を含む、付記１－１～付記１－１１のいずれか一項に記載のキャパシタ（１，２０１）。

【0145】

［付記１－１３］
一方側の第１主面（１０１）および他方側の第２主面（１０２）を有する基板（１００）に、断面視において前記第１主面（１０１）から前記第２主面（１０２）に向かって幅が小さくなるテーパ形状の第１内面（１３，２１３Ａ，２１３Ｂ）を有し、前記基板（１００）を厚さ方向（Ｚ）に貫通する第１貫通穴（１０，２１０）、および断面視において前記第２主面（１０２）から前記第１主面（１０１）に向かって幅が小さくなるテーパ形状の第２内面（２３，２２３Ａ，２２３Ｂ）を有し、前記基板（１００）を厚さ方向（Ｚ）に貫通する第２貫通穴（２０，２２０）の一方を形成する第１工程と、
前記第１工程の後、前記第１貫通穴（１０，２１０）および前記第２貫通穴（２０，２２０）の他方を前記基板（１００）に形成する第２工程と、
前記第１貫通穴（１０，２１０）の内部をベース導電膜（１０８）で埋めて第１埋め込み電極（１１２）を形成し、かつ前記第２貫通穴（２０，２２０）の内部をベース導電膜（１０８）で埋めて第２埋め込み電極（２２，２２２）を形成する第３工程と、
前記第１埋め込み電極（１２，２１２）に電気的に接続された第１外部電極（３５）を、前記第１主面（１０１）を被覆するように形成し、かつ前記第２埋め込み電極（２２，２２２）に電気的に接続された第２外部電極（３８）を、前記第２主面（１０２）を被覆するように形成する第４工程とを含む、キャパシタ（１，２０１）の製造方法。

【0146】

この方法によれば、第１主面（１０１）から第２主面（１０２）に向かって幅が小さくなるテーパ形状の第１側壁（１７，２１７Ａ）を有する第１埋め込み電極（１２，２１２）と、第２主面（１０２）から第１主面（１０１）に向かって幅が小さくなるテーパ形状の第２側壁（２７，２２７Ａ）を有する第２埋め込み電極（２２，２２２）とを含むキャパシタ（１，２０１）を製造できる。

【符号の説明】

【0147】

１ ：キャパシタ
２ ：基材
２ａ ：壁部
３ ：第１主面
４ ：第２主面
５Ａ ：側面
５Ｂ ：側面
５Ｃ ：側面
５Ｄ ：側面
６ ：第１絶縁膜（絶縁部）
７ ：容量部
８ ：第１貫通電極
８ａ ：第１端面
８ｂ ：第２端面
９ ：第２貫通電極
９ａ ：第１端面
９ｂ ：第２端面
１０ ：第１貫通穴
１０ａ ：開口端
１０ｂ ：開口端
１１ ：第１導電膜
１２ ：第１埋め込み電極
１２ａ ：第１端面（第１端部）
１２ｂ ：第２端面（第２端部）
１３ ：内面（第１内面）
１５ ：天壁
１６ ：底壁
１７ ：側壁（第１側壁）
２０ ：第２貫通穴
２０ａ ：開口端
２０ｂ ：開口端
２１ ：第２導電膜
２２ ：第２埋め込み電極
２２ａ ：第１端面
２２ｂ ：第２端面
２３ ：内面（第２内面）
２５ ：天壁
２６ ：底壁
２７ ：側壁（第２側壁）
３１ ：第１表面電極
３２ ：第２表面電極
３３ ：第２絶縁膜
３４ ：第１コンタクト穴
３５ ：第１外部電極
３６ ：第３絶縁膜
３７ ：第２コンタクト穴
３８ ：第２外部電極
１００ ：シリコン基板（基板）
１０１ ：第１主面
１０２ ：第２主面
１０３ ：側面
１０４ ：第１マスク
１０５ ：第２マスク
１０７ ：シード層
１０８ ：ベース導電膜
１０９ ：ベース導電膜
１１０ ：第３マスク
１１１ ：ベース導電膜
１１２ ：第４マスク
１１３ ：第５マスク
１１４ ：第６マスク
１５１ ：キャパシタ
１５８ ：第１貫通電極
１５９ ：第２貫通電極
１６７ ：側壁
１６９ ：第１埋め込み電極
１７２ ：第２埋め込み電極
１７７ ：側壁
２０１ ：キャパシタ
２０７Ａ ：容量部
２０７Ｂ ：容量部
２０８ ：第１貫通電極
２０８ａ ：第１端面
２０９ ：第２貫通電極
２０９ｂ ：第２端面
２１０ ：第１貫通穴
２１０ａ ：開口端
２１０ｂ ：開口端
２１１ ：第１導電膜
２１２ ：第１埋め込み電極
２１２ａ ：第１端面（第１端部）
２１２ｂ ：第２端面（第２端部）
２１３Ａ ：内面（第１内面）
２１３Ｂ ：内面（第１内面）
２１５ ：天壁
２１６ ：底壁
２１７Ａ ：側壁（第１側壁）
２１７Ｂ ：側壁（第３側壁）
２２０ ：第２貫通穴
２２０ａ ：開口端
２２０ｂ ：開口端
２２１ ：第２導電膜
２２２ ：第２埋め込み電極
２２２ａ ：第１端面
２２２ｂ ：第２端面
２２３Ａ ：内面（第２内面）
２２３Ｂ ：内面（第２内面）
２２５ ：天壁
２２６ ：底壁
２２７Ａ ：側壁（第２側壁）
２２７Ｂ ：側壁（第４側壁）
２３１ ：第１表面電極
２３２ ：第２表面電極
２３４ ：第１コンタクト穴
２３７ ：第２コンタクト穴
Ｆ ：対向間隔
Ｆ１ ：対向間隔
Ｆ２ ：対向間隔
Ｔ ：厚さ
Ｔ_０ ：厚さ
Ｗ_１ ：第１幅
Ｗ_２ ：第２幅
Ｗ_３ ：第３幅
Ｗ_４ ：第４幅
Ｗ_５ ：第５幅
Ｗ_６ ：第６幅
Ｗ_７ ：第７幅
Ｗ_８ ：第８幅
Ｗ_９ ：第９幅
Ｗ_１０ ：第１０幅
Ｗ_１１ ：第１１幅
Ｗ_１２ ：第１２幅
Ｗ_１３ ：第１３幅
Ｗ_１４ ：第１４幅
Ｗ_１５ ：第１５幅
Ｗ_１６ ：第１６幅
Ｗ_１７ ：第１７幅
Ｗ_１８ ：第１８幅
Ｗ_１９ ：第１９幅
Ｗ_２０ ：第２０幅
Ｗ_２１ ：第２１幅
Ｗ_２２ ：第２２幅
Ｗ_２３ ：第２３幅
Ｗ_２４ ：第２４幅
Ｗ_２５ ：第２５幅
Ｘ ：第１方向
Ｙ ：第２方向
Ｚ ：法線方向
ｔ_１ ：膜厚
ｔ_２ ：膜厚
ｔ_３ ：膜厚
ｔ_４ ：膜厚
θ_１ ：傾斜角度
θ_２ ：傾斜角度
θ_３ ：傾斜角度
θ_４ ：傾斜角度
θ_５ ：傾斜角度
θ_６ ：傾斜角度

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6A】

【図6B】

【図6C】

【図6D】

【図6E】

【図6F】

【図6G】

【図6H】

【図6I】

【図6J】

【図6K】

【図6L】

【図6M】

【図6N】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】