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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024176570
(43)【公開日】2024-12-19
(54)【発明の名称】配線基板及び配線基板の製造方法
(51)【国際特許分類】
H05K 3/46 20060101AFI20241212BHJP
H01L 21/60 20060101ALI20241212BHJP
H01L 23/12 20060101ALI20241212BHJP
【ＦＩ】
H05K3/46 Q
H05K3/46 B
H01L21/60 311Q
H01L23/12 N
【審査請求】未請求
【請求項の数】5
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023095235
(22)【出願日】2023-06-09
(71)【出願人】
【識別番号】000003193
【氏名又は名称】ＴＯＰＰＡＮホールディングス株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110000062
【氏名又は名称】弁理士法人第一国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】新田 祐幹
【テーマコード（参考）】
5E316
5F044
【Ｆターム（参考）】
5E316AA32
5E316AA43
5E316CC08
5E316CC09
5E316CC10
5E316CC13
5E316CC14
5E316CC31
5E316CC32
5E316CC33
5E316CC34
5E316CC35
5E316CC36
5E316CC37
5E316CC38
5E316CC39
5E316DD17
5E316DD23
5E316DD24
5E316EE31
5E316FF13
5E316FF14
5E316GG15
5E316GG17
5E316GG28
5E316HH11
5E316JJ02
5F044KK07
5F044LL01
(57)【要約】 （修正有）
【課題】残銅率が各配線層間において異なることで生じる反りを低減する多層配線基板及びその設計方法を提供する。
【解決手段】コア絶縁層１の第１面上方に第１の導体部１３及び第１の絶縁体部１１、１２並びにコア絶縁層の第２面下方に第２の導体部１３及び第２の絶縁体部２１、２２が設けられる多層配線基板１００であって、第１の導体部及び第１の絶縁体部の合計の体積に占める第１の導体部の割合をＡとし、第２の導体部及び縁体部の合計の体積に占める第２の導体部の割合をＢとする。Ａ／ＢをＸとし、第１、第２の絶縁体の弾性率Ｅ（単位：GPa）と熱膨張係数α（単位：ppm）が、下式を満たす。
α=(E*(0.0023566-0.113792*(X-1))-0.113792*(X-1)*10+0.060395*(X-1)*32.5-0.383748+X*0.3086234)/((0.060395*(X-1)-0.0014039))
【選択図】図１
【解決手段】コア絶縁層１の第１面上方に第１の導体部１３及び第１の絶縁体部１１、１２並びにコア絶縁層の第２面下方に第２の導体部１３及び第２の絶縁体部２１、２２が設けられる多層配線基板１００であって、第１の導体部及び第１の絶縁体部の合計の体積に占める第１の導体部の割合をＡとし、第２の導体部及び縁体部の合計の体積に占める第２の導体部の割合をＢとする。Ａ／ＢをＸとし、第１、第２の絶縁体の弾性率Ｅ（単位：GPa）と熱膨張係数α（単位：ppm）が、下式を満たす。
α=(E*(0.0023566-0.113792*(X-1))-0.113792*(X-1)*10+0.060395*(X-1)*32.5-0.383748+X*0.3086234)/((0.060395*(X-1)-0.0014039))
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
はんだバンプを介したフリップチップ接続で半導体素子を実装可能な多層配線基板であって、
前記多層配線基板は、有機絶縁材料を使用した絶縁層と、導体材料を使用した配線層とが、交互に積層された多層構造を有しており、
第１面と前記第１面に対向する第２面とを有するコア絶縁層と、
前記コア絶縁層の前記第１面の上方に設けられた第１の導体部及び第１の絶縁体部と、
前記コア絶縁層の前記第２面の下方に設けられた第２の導体部及び第２の絶縁体部と、
を備えており、
前記第１の導体部と前記第２の導体部の体積が等しい多層配線基板。
前記多層配線基板は、有機絶縁材料を使用した絶縁層と、導体材料を使用した配線層とが、交互に積層された多層構造を有しており、
第１面と前記第１面に対向する第２面とを有するコア絶縁層と、
前記コア絶縁層の前記第１面の上方に設けられた第１の導体部及び第１の絶縁体部と、
前記コア絶縁層の前記第２面の下方に設けられた第２の導体部及び第２の絶縁体部と、
を備えており、
前記第１の導体部と前記第２の導体部の体積が等しい多層配線基板。
【請求項2】
はんだバンプを介したフリップチップ接続で半導体素子を実装可能な多層配線基板であって、
前記多層配線基板は、有機絶縁材料を使用した絶縁層と、導体材料を使用した配線層とが、交互に積層された多層構造を有しており、
第１面と前記第１面に対向する第２面とを有するコア絶縁層と、
前記コア絶縁層の前記第１面の上方に設けられた第１の導体部及び第１の絶縁体部と、
前記コア絶縁層の前記第２面の下方に設けられた第２の導体部及び第２の絶縁体部と、
を備えており、
前記第１の導体部及び前記第１の絶縁体部の合計の体積に占める前記第１の導体部の割合をＡとし、
前記第２の導体部及び前記第２の絶縁体部の合計の体積に占める前記第２の導体部の割合をＢとし、
Ａ／ＢをＸとし、
前記第１及び第２の絶縁体の弾性率Ｅ（単位：ＧＰａ）と熱膨張係数α（単位：ｐｐｍ）が、次の式（１）を満たす多層配線基板。
α=(E*(0.0023566-0.113792*(X-1))-0.113792*(X-1)*10+0.060395*(X-1)*32.5-0.383748+X*0.3086234)/((0.060395*(X-1)-0.0014039))…（１）
なお、式（１）の右辺をβとした場合、αは０．９β＜α＜１．１βの範囲であってもよい。
前記多層配線基板は、有機絶縁材料を使用した絶縁層と、導体材料を使用した配線層とが、交互に積層された多層構造を有しており、
第１面と前記第１面に対向する第２面とを有するコア絶縁層と、
前記コア絶縁層の前記第１面の上方に設けられた第１の導体部及び第１の絶縁体部と、
前記コア絶縁層の前記第２面の下方に設けられた第２の導体部及び第２の絶縁体部と、
を備えており、
前記第１の導体部及び前記第１の絶縁体部の合計の体積に占める前記第１の導体部の割合をＡとし、
前記第２の導体部及び前記第２の絶縁体部の合計の体積に占める前記第２の導体部の割合をＢとし、
Ａ／ＢをＸとし、
前記第１及び第２の絶縁体の弾性率Ｅ（単位：ＧＰａ）と熱膨張係数α（単位：ｐｐｍ）が、次の式（１）を満たす多層配線基板。
α=(E*(0.0023566-0.113792*(X-1))-0.113792*(X-1)*10+0.060395*(X-1)*32.5-0.383748+X*0.3086234)/((0.060395*(X-1)-0.0014039))…（１）
なお、式（１）の右辺をβとした場合、αは０．９β＜α＜１．１βの範囲であってもよい。
【請求項3】
請求項１に記載の多層配線基板において、
前記第１の絶縁体部及び第２の絶縁体部の弾性率Ｅ（単位：GPa）と熱膨張係数α（単位：ppm）が、次の式（２）および（３）を満たす多層配線基板。
１５≦α≦５０…（２）
４≦Ｅ≦１６…（３）
前記第１の絶縁体部及び第２の絶縁体部の弾性率Ｅ（単位：GPa）と熱膨張係数α（単位：ppm）が、次の式（２）および（３）を満たす多層配線基板。
１５≦α≦５０…（２）
４≦Ｅ≦１６…（３）
【請求項4】
はんだバンプを介したフリップチップ接続で半導体素子を実装可能な多層配線基板であって、
前記多層配線基板は、有機絶縁材料を使用した絶縁層と、導体材料を使用した配線層とが、交互に積層された多層構造を有しており、
第１面と前記第１面に対向する第２面とを有するコア絶縁層と、
前記コア絶縁層の前記第１面の上方に設けられた第１の導体部及び第１の絶縁体部と、
前記コア絶縁層の前記第２面の下方に設けられた第２の導体部及び第２の絶縁体部と、
を備える多層配線基板の設計方法であって、
前記第１の導体部及び前記第１の絶縁体部の合計の体積に占める前記第１の導体部の割合をＡとし、
前記第２の導体部及び前記第２の絶縁体部の合計の体積に占める前記第２の導体部の割合をＢとし、
Ａ／ＢをＸとし、前記第１の絶縁体部及び第２の絶縁体部の弾性率をＥ（単位：ＧＰａ）、熱膨張係数をα（単位：ｐｐｍ）とした場合に、これらが以下の式（２）及び（３）に示す範囲において、少なくとも２種類のＸの値について反りシミュレーションを行う第１の工程、
１５≦α≦５０ ・・・（２）
４≦Ｅ≦１６ ・・・（３）
前記第１の工程における反りシミュレーションの結果に対して、α、Ｅ、Ｘの二乗項を捨象して多重解析を実施し、反り量及び前記α、前記Ｅ、前記Ｘの関係式を算出する第２の工程、
前記第２の工程で得た関係式において、反り量を０とした場合の前記α、前記Ｅ、前記Ｘの関係式を算出する第３の工程、
前記第３の工程で得た関係式を用いて、多層配線基板で採用する絶縁体の弾性率Ｅ（単位：ＧＰａ）及び熱膨張係数をα（単位：ｐｐｍ）を定める
ことを特徴とする多層配線基板の設計方法。
前記多層配線基板は、有機絶縁材料を使用した絶縁層と、導体材料を使用した配線層とが、交互に積層された多層構造を有しており、
第１面と前記第１面に対向する第２面とを有するコア絶縁層と、
前記コア絶縁層の前記第１面の上方に設けられた第１の導体部及び第１の絶縁体部と、
前記コア絶縁層の前記第２面の下方に設けられた第２の導体部及び第２の絶縁体部と、
を備える多層配線基板の設計方法であって、
前記第１の導体部及び前記第１の絶縁体部の合計の体積に占める前記第１の導体部の割合をＡとし、
前記第２の導体部及び前記第２の絶縁体部の合計の体積に占める前記第２の導体部の割合をＢとし、
Ａ／ＢをＸとし、前記第１の絶縁体部及び第２の絶縁体部の弾性率をＥ（単位：ＧＰａ）、熱膨張係数をα（単位：ｐｐｍ）とした場合に、これらが以下の式（２）及び（３）に示す範囲において、少なくとも２種類のＸの値について反りシミュレーションを行う第１の工程、
１５≦α≦５０ ・・・（２）
４≦Ｅ≦１６ ・・・（３）
前記第１の工程における反りシミュレーションの結果に対して、α、Ｅ、Ｘの二乗項を捨象して多重解析を実施し、反り量及び前記α、前記Ｅ、前記Ｘの関係式を算出する第２の工程、
前記第２の工程で得た関係式において、反り量を０とした場合の前記α、前記Ｅ、前記Ｘの関係式を算出する第３の工程、
前記第３の工程で得た関係式を用いて、多層配線基板で採用する絶縁体の弾性率Ｅ（単位：ＧＰａ）及び熱膨張係数をα（単位：ｐｐｍ）を定める
ことを特徴とする多層配線基板の設計方法。
【請求項5】
はんだバンプを介したフリップチップ接続で半導体素子を実装可能な多層配線基板であって、
前記多層配線基板は、有機絶縁材料を使用した絶縁層と、導体材料を使用した配線層とが、交互に積層された多層構造を有しており、
第１面と前記第１面に対向する第２面とを有するコア絶縁層と、
前記コア絶縁層の前記第１面の上方に設けられた第１の導体部及び第１の絶縁体部と、
前記コア絶縁層の前記第２面の下方に設けられた第２の導体部及び第２の絶縁体部と、
を備える多層配線基板の設計方法であって、
前記第１の導体部及び前記第１の絶縁体部の合計の体積に占める前記第１の導体部の割合をＡとし、
前記第２の導体部及び前記第２の絶縁体部の合計の体積に占める前記第２の導体部の割合をＢとし、
Ａ／ＢをＸとして算出する工程と、
前記第１の絶縁体部及び第２の絶縁体部の弾性率をＥ（単位：ＧＰａ）、熱膨張係数をα（単位：ｐｐｍ）とした場合に、Ｅ及びαが、次の式（１）から（３）を満足する材料を選択する多層配線基板の設計方法。
α=(E*(0.0023566-0.113792*(X-1))-0.113792*(X-1)*10+0.060395*(X-1)*32.5-0.383748+X*0.3086234)/((0.060395*(X-1)-0.0014039))・・・・（１）
１５≦α≦５０ ・・・（２）
４≦Ｅ≦１６ ・・・（３）
前記多層配線基板は、有機絶縁材料を使用した絶縁層と、導体材料を使用した配線層とが、交互に積層された多層構造を有しており、
第１面と前記第１面に対向する第２面とを有するコア絶縁層と、
前記コア絶縁層の前記第１面の上方に設けられた第１の導体部及び第１の絶縁体部と、
前記コア絶縁層の前記第２面の下方に設けられた第２の導体部及び第２の絶縁体部と、
を備える多層配線基板の設計方法であって、
前記第１の導体部及び前記第１の絶縁体部の合計の体積に占める前記第１の導体部の割合をＡとし、
前記第２の導体部及び前記第２の絶縁体部の合計の体積に占める前記第２の導体部の割合をＢとし、
Ａ／ＢをＸとして算出する工程と、
前記第１の絶縁体部及び第２の絶縁体部の弾性率をＥ（単位：ＧＰａ）、熱膨張係数をα（単位：ｐｐｍ）とした場合に、Ｅ及びαが、次の式（１）から（３）を満足する材料を選択する多層配線基板の設計方法。
α=(E*(0.0023566-0.113792*(X-1))-0.113792*(X-1)*10+0.060395*(X-1)*32.5-0.383748+X*0.3086234)/((0.060395*(X-1)-0.0014039))・・・・（１）
１５≦α≦５０ ・・・（２）
４≦Ｅ≦１６ ・・・（３）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は配線基板及び配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、電子デバイスの高機能化等の要求に伴う高集積化や、実装されるチップ数の増加による大型化が進んでいる。そして、これらに使用される多層配線基板において、チップ実装信頼性の向上のために低反り化が求められている。
【0003】
特許文献１には、コア基板１５と、コア基板１５の上下面に同数ずつ積層された絶縁層１６ａ～１６ｄと、コア基板１５の上下面および絶縁層１６ａ～１６ｄの表面にそれぞれ異なる占有面積率で被着された導体層１３と、を具備してなる配線基板Ａが開示されている。配線基板Ａにおいて、コア基板１５の上下面の導体層１３同士、およびコア基板１５を中心にして上面側および下面側のそれぞれ同順位に位置する導体層１３同士において、占有面積率の大きい方の導体厚みが、占有面積率の小さい方の導体厚みよりも薄くなるように形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０１６－１３９６３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
多層配線基板の反りを低減するためには、コア絶縁層の第１面上に設けられた第１のビルドアップ層と第１面に対向する第２面上に設けられた第２のビルドアップ層において、導体の体積の総和および樹脂の体積の総和を共通にすることが理想的である。しかし、第１のビルドアップ層と第２のビルドアップ層の間で配線パターンが異なるため、残銅率（銅の面積）を一致させることが難しく、また、配線の接続信頼性やビア構造の加工性の観点から、第１のビルドアップ層と第２のビルドアップ層の間で導体や樹脂の厚みを一致させることも現実的に難しい。
【0006】
本発明は、このような課題を鑑みてなされたものであり、導体や絶縁樹脂の面積や厚さ（体積）を変更することなく反りを低減することが可能な多層配線基板およびその設計方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
上記の課題を解決するために、代表的な本発明の多層配線基板の一つは、
はんだバンプを介したフリップチップ接続で半導体素子を実装可能な多層配線基板であって、
前記多層配線基板は、有機絶縁材料を使用した絶縁層と、導体材料を使用した配線層とが、交互に積層された多層構造を有しており、
第１面と前記第１面に対向する第２面とを有するコア絶縁層と、
前記コア絶縁層の前記第１面の上方に設けられた第１の導体部及び第１の絶縁体部と、
前記コア絶縁層の前記第２面の下方に設けられた第２の導体部及び第２の絶縁体部と、
を備えており、前記第１の導体部と前記第２の導体部の体積が等しい。
はんだバンプを介したフリップチップ接続で半導体素子を実装可能な多層配線基板であって、
前記多層配線基板は、有機絶縁材料を使用した絶縁層と、導体材料を使用した配線層とが、交互に積層された多層構造を有しており、
第１面と前記第１面に対向する第２面とを有するコア絶縁層と、
前記コア絶縁層の前記第１面の上方に設けられた第１の導体部及び第１の絶縁体部と、
前記コア絶縁層の前記第２面の下方に設けられた第２の導体部及び第２の絶縁体部と、
を備えており、前記第１の導体部と前記第２の導体部の体積が等しい。
【0008】
さらに、他の代表的な本発明の多層配線基板の一つは、
第１面と前記第１面に対向する第２面とを有するコア絶縁層と、
前記コア絶縁層の前記第１面の上方に設けられた第１の導体部及び第１の絶縁体部と、
前記コア絶縁層の前記第２面の下方に設けられた第２の導体部及び第２の絶縁体部と、
を備える多層配線基板であって、
前記第１の導体部及び前記第１の絶縁体部の合計の体積に占める前記第１の導体部の割合をＡとし、
前記第２の導体部及び前記第２の絶縁体部の合計の体積に占める前記第２の導体部の割合をＢとし、
Ａ／ＢをＸとし、
前記第１及び第２の絶縁体部の弾性率Ｅ（単位：GPa）と熱膨張係数α（単位：ppm）が、次の式（１）を満たしている。
α=(E*(0.0023566-0.113792*(X-1))-0.113792*(X-1)*10+0.060395*(X-1)*32.5-0.383748+X*0.3086234)/((0.060395*(X-1)-0.0014039))…（１）
なお、式（１）の右辺をβとした場合、αは０．９β＜α＜１．１βの範囲であってもよい。
第１面と前記第１面に対向する第２面とを有するコア絶縁層と、
前記コア絶縁層の前記第１面の上方に設けられた第１の導体部及び第１の絶縁体部と、
前記コア絶縁層の前記第２面の下方に設けられた第２の導体部及び第２の絶縁体部と、
を備える多層配線基板であって、
前記第１の導体部及び前記第１の絶縁体部の合計の体積に占める前記第１の導体部の割合をＡとし、
前記第２の導体部及び前記第２の絶縁体部の合計の体積に占める前記第２の導体部の割合をＢとし、
Ａ／ＢをＸとし、
前記第１及び第２の絶縁体部の弾性率Ｅ（単位：GPa）と熱膨張係数α（単位：ppm）が、次の式（１）を満たしている。
α=(E*(0.0023566-0.113792*(X-1))-0.113792*(X-1)*10+0.060395*(X-1)*32.5-0.383748+X*0.3086234)/((0.060395*(X-1)-0.0014039))…（１）
なお、式（１）の右辺をβとした場合、αは０．９β＜α＜１．１βの範囲であってもよい。
【発明の効果】
【0009】
本発明によれば、コア基板の第１面側に設けられている導体層と、コア基板の第２面側に設けられている導体層との間で、各導体層において導体が占める残銅率が異なっていても、配線基板の反りが抑制され得る。また、そのような信頼性の高い配線基板を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1】本発明の第１の実施形態に係る多層配線基板を示す断面図。
【図2】本発明のコア基板の製造方法の一例を示す説明図。
【図3】本発明の第１の実施形態に係る多層配線基板および製造方法を示す説明図。
【図4】本発明の第１の実施形態に係る多層配線基板および製造方法を示す説明図。
【図5】本発明の半導体素子を実装した半導体装置の一例を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【0011】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。図面の寸法比率は、説明の都合上実際の比率と異なる場合や、層数や構成の一部が図面から省略される場合がある。そのため、本発明は、必ずしも、図面に開示された位置、大きさ、形状、範囲などに限定されない。
【0012】
なお、本開示において、「面」とは、板状部材の面のみならず、板状部材に含まれる層について、板状部材の面と略平行な層の界面も指すことがある。また、「上面」、「下面」とは、板状部材や板状部材に含まれる層を図示した場合の、図面上の上方又は下方に示される面を意味する。
なお、コア絶縁層１と絶縁体部１１の境界の面を第１面と称し、コア絶縁層１と絶縁体部１２の境界の面を第２面と称する。
なお、コア絶縁層１と絶縁体部１１の境界の面を第１面と称し、コア絶縁層１と絶縁体部１２の境界の面を第２面と称する。
【0013】
また、「上方」とは、板状部材又は層を水平に載置した場合の垂直上方の方向を意味する。さらに、「上方」及びこれと反対の「下方」については、これらを「Ｚ軸プラス方向」、「Ｚ軸マイナス方向」ということがあり、水平方向については、「Ｘ軸方向」、「Ｙ軸方向」ということがある。
【0014】
また、「層」という場合、必ずしも物体が均一に形成された状態を指す必要はない。間隙を持つパターンを有する物体や、個片化された物体のまとまりであってもよい。たとえば、コア基板の主面に平行な面のうち、同一の面に形成された複数の導体を指して「導体層」という場合がある。
【0015】
＜第１の実施形態＞
まず、図１を参照して第１の実施形態について説明する。図１は、本発明の第１の実施形態に係る多層配線基板を示す断面図である。
なお、本開示における多層配線基板には、はんだバンプを介したフリップチップ接続を適用して、半導体素子を実装することが可能である。
まず、図１を参照して第１の実施形態について説明する。図１は、本発明の第１の実施形態に係る多層配線基板を示す断面図である。
なお、本開示における多層配線基板には、はんだバンプを介したフリップチップ接続を適用して、半導体素子を実装することが可能である。
【0016】
（多層配線基板の構成）
多層配線基板１００は、有機絶縁材料を使用した絶縁層と、導体材料を使用した配線層とが、交互に積層された多層構造を有する。具体的には、多層配線基板１００は、コア絶縁層１と複数の絶縁体部１１、１２、２１、２２と、複数の導体部１３、２３、４３、５３とを備える。導体部４３及び５３は、パッド部として機能する導体部である。
また、コア絶縁層１にはスルーホール３が設けられており、スルーホールの側壁には貫通電極としての導体部２３が設けられている。そして、図１の例においてはスルーホールの中心部は穴埋め樹脂４によって封止されている。
なお、導体部１３とパッド部である導体部４３及び５３との間は、ビアと称される導電部で接続されていてもよい。
多層配線基板１００は、有機絶縁材料を使用した絶縁層と、導体材料を使用した配線層とが、交互に積層された多層構造を有する。具体的には、多層配線基板１００は、コア絶縁層１と複数の絶縁体部１１、１２、２１、２２と、複数の導体部１３、２３、４３、５３とを備える。導体部４３及び５３は、パッド部として機能する導体部である。
また、コア絶縁層１にはスルーホール３が設けられており、スルーホールの側壁には貫通電極としての導体部２３が設けられている。そして、図１の例においてはスルーホールの中心部は穴埋め樹脂４によって封止されている。
なお、導体部１３とパッド部である導体部４３及び５３との間は、ビアと称される導電部で接続されていてもよい。
【0017】
また、絶縁体部１２の上方及び絶縁体部２２の下方には、ソルダーレジスト層１７が形成されており、ソルダーレジスト層１７の開口部には、パッド部である導体部５３が配置されている。
さらに絶縁体部１２の上方に配置されているパッド部である導体部５３の上方には、はんだバンプ２０が形成されている。
さらに絶縁体部１２の上方に配置されているパッド部である導体部５３の上方には、はんだバンプ２０が形成されている。
【0018】
（絶縁体部）
絶縁体部１１、１２、２１、２２は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、感光性樹脂またはそれらを混合した樹脂から構成され、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、マレイミド樹脂、液晶ポリマー、フッ素樹脂、またはこれらの２つ以上の組み合わせからなり、無機フィラーまたは有機フィラーを含有しても良い。
絶縁体部１１、１２、２１、２２は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、感光性樹脂またはそれらを混合した樹脂から構成され、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、マレイミド樹脂、液晶ポリマー、フッ素樹脂、またはこれらの２つ以上の組み合わせからなり、無機フィラーまたは有機フィラーを含有しても良い。
【0019】
（導体部）
導体部１３は、下層の絶縁体部１１側から順に、シード層１３ａおよびめっき層１３ｂを有してもよい(図３参照)。導体部１３には、配線、ビア、パッド、シールド、グランド、ダミーなどの様々なパターンが含まれ得るが、図１においては配線、ビア、パッド部を示す。隣接する導体部１３は絶縁体部１１の面方向に離間して形成されている。
導体部１３は、下層の絶縁体部１１側から順に、シード層１３ａおよびめっき層１３ｂを有してもよい(図３参照)。導体部１３には、配線、ビア、パッド、シールド、グランド、ダミーなどの様々なパターンが含まれ得るが、図１においては配線、ビア、パッド部を示す。隣接する導体部１３は絶縁体部１１の面方向に離間して形成されている。
【0020】
ここで、コア絶縁層の上方に配置されている、はんだバンプ２０を除く導体部を第１の導体部とし、
コア絶縁層の上方に配置されている、ソルダーレジスト層１７を除く絶縁体部を第１の絶縁体部とし、
コア絶縁層の下方に配置されている、導体部を第２の導体部とし、
コア絶縁層の下方に配置されている、ソルダーレジスト層１７を除く絶縁体部を第２の絶縁体部とした場合に、
第１の実施形態の多層配線基板は、前記第１の導体部と前記第２の導体部の体積が等しく形成されている。
または、前記第１の導体部及び前記第１の絶縁体部の合計の体積に占める前記第１の導体部の割合をＡとし、
前記第２の導体部及び前記第２の絶縁体部の合計の体積に占める前記第２の導体部の割合をＢとし、
Ａ／ＢをＸとし、
前記第１及び第２の絶縁体の弾性率Ｅ（単位：GPa）と熱膨張係数α（単位：ppm）が、
次の式（１）を満たすように形成されていてもよい。
なお、以下の式（１）の導出方法については後述する。
α=(E*(0.0023566-0.113792*(X-1))-0.113792*(X-1)*10+0.060395*(X-1)*32.5-0.383748+X*0.3086234)/((0.060395*(X-1)-0.0014039))…（１）
なお、式（１）の右辺をβとした場合、αは０．９β＜α＜１．１βの範囲であってもよい。
コア絶縁層の上方に配置されている、ソルダーレジスト層１７を除く絶縁体部を第１の絶縁体部とし、
コア絶縁層の下方に配置されている、導体部を第２の導体部とし、
コア絶縁層の下方に配置されている、ソルダーレジスト層１７を除く絶縁体部を第２の絶縁体部とした場合に、
第１の実施形態の多層配線基板は、前記第１の導体部と前記第２の導体部の体積が等しく形成されている。
または、前記第１の導体部及び前記第１の絶縁体部の合計の体積に占める前記第１の導体部の割合をＡとし、
前記第２の導体部及び前記第２の絶縁体部の合計の体積に占める前記第２の導体部の割合をＢとし、
Ａ／ＢをＸとし、
前記第１及び第２の絶縁体の弾性率Ｅ（単位：GPa）と熱膨張係数α（単位：ppm）が、
次の式（１）を満たすように形成されていてもよい。
なお、以下の式（１）の導出方法については後述する。
α=(E*(0.0023566-0.113792*(X-1))-0.113792*(X-1)*10+0.060395*(X-1)*32.5-0.383748+X*0.3086234)/((0.060395*(X-1)-0.0014039))…（１）
なお、式（１）の右辺をβとした場合、αは０．９β＜α＜１．１βの範囲であってもよい。
【0021】
第１の実施形態の多層配線基板は、このような条件を満たすことにより、２６０℃から２２℃の温度変化においても、６７．５ｍｍ×６７．５ｍｍの大きさの場合には、反りを０．１μｍ以下に抑制することができる。
【0022】
さらに、前記第１の絶縁体部及び第２の絶縁体部の弾性率Ｅ（単位：GPa）と熱膨張係数α（単位：ppm）が、次の式（２）および（３）を満たすものであってもよい。
１５≦α≦５０…（２）
４≦Ｅ≦１６…（３）
１５≦α≦５０…（２）
４≦Ｅ≦１６…（３）
【0023】
＜式（１）の導出＞
上述した式（１）については、多層配線基板について、板理論を用いた反りのシミュレーションを行って導入している。
上述した式（１）については、多層配線基板について、板理論を用いた反りのシミュレーションを行って導入している。
【0024】
＜シミュレーションモデル＞
反りのシミュレーションでは、多層配線基板全体をモデル化し、以下、「多層配線基板モデルＡ」とする。具体的には、多層配線基板モデルＡの平面形状は、６７．５ｍｍ×６７．５ｍｍの矩形状とした。また、コア基板（コア絶縁層１及び第1面及び第２面に形成された導電部４３を含むもの）の厚さを１２００μｍ、導体部１３、の厚さを１５μｍ、絶縁体部１１、１２、２１、２２の厚さを３０μｍ、ソルダーレジスト層１７の厚さを１５μｍとした。
そして、このような多層配線基板モデルＡにおいて、コア絶縁層の前記第１面の上方に設けられた第１の導体部及び第１の絶縁体部と、
前記コア絶縁層の前記第２面の下方に設けられた第２の導体部及び第２の絶縁体部とし、前記第１の導体部及び前記第１の絶縁体部の合計の体積に占める前記第１の導体部の割合をＡとし、
前記第２の導体部及び前記第２の絶縁体部の合計の体積に占める前記第２の導体部の割合をＢとし、
ＡおよびＢの値を変更し、多層配線基板モデルＡにて温度負荷をかけ（２６０℃→２２℃）シミュレーションを実施し、２２℃における反りを算出した。
評価に使用したソフトは、株式会社メカニカルデザイン製 粘弾性積層板熱反り解析プログラムであり、入力値にはXY寸法、層厚、層厚弾性率、線膨張係数、ポアソン比を使用し、出力は反り量である。物性値はCTEと弾性率の温度依存データ、弾性率に粘弾性(WLF/アレニウス)を選択することができる。ただし本実施例では全材料を弾性体と設定した。
反りのシミュレーションでは、多層配線基板全体をモデル化し、以下、「多層配線基板モデルＡ」とする。具体的には、多層配線基板モデルＡの平面形状は、６７．５ｍｍ×６７．５ｍｍの矩形状とした。また、コア基板（コア絶縁層１及び第1面及び第２面に形成された導電部４３を含むもの）の厚さを１２００μｍ、導体部１３、の厚さを１５μｍ、絶縁体部１１、１２、２１、２２の厚さを３０μｍ、ソルダーレジスト層１７の厚さを１５μｍとした。
そして、このような多層配線基板モデルＡにおいて、コア絶縁層の前記第１面の上方に設けられた第１の導体部及び第１の絶縁体部と、
前記コア絶縁層の前記第２面の下方に設けられた第２の導体部及び第２の絶縁体部とし、前記第１の導体部及び前記第１の絶縁体部の合計の体積に占める前記第１の導体部の割合をＡとし、
前記第２の導体部及び前記第２の絶縁体部の合計の体積に占める前記第２の導体部の割合をＢとし、
ＡおよびＢの値を変更し、多層配線基板モデルＡにて温度負荷をかけ（２６０℃→２２℃）シミュレーションを実施し、２２℃における反りを算出した。
評価に使用したソフトは、株式会社メカニカルデザイン製 粘弾性積層板熱反り解析プログラムであり、入力値にはXY寸法、層厚、層厚弾性率、線膨張係数、ポアソン比を使用し、出力は反り量である。物性値はCTEと弾性率の温度依存データ、弾性率に粘弾性(WLF/アレニウス)を選択することができる。ただし本実施例では全材料を弾性体と設定した。
【0025】
ここで、 Ａ／ＢをＸとした。
【0026】
表１は、上述した反りシミュレーションを実施した結果の一覧表である。
【表1】
【0027】
実施例１においては、第１の絶縁体部の体積率を７０％、第１の導体部の体積率を３０％、第２の絶縁体部の体積率を６２．５％、第２の導体部の体積率を３７．５％とした。このとき、多層配線基板モデルＡには、マイナス方向に１８１μｍの反りが生じる。
ここで、プラス方向とは、図５（Ａ）に示されるように多層配線基板モデルＡの中央部が下がり、端部が上がることを意味する。一方、マイナス方向とは、図５（Ｂ）に示されるように多層配線基板モデルＡの中央部が上がり、端部が下がることを意味する。
ここで、プラス方向とは、図５（Ａ）に示されるように多層配線基板モデルＡの中央部が下がり、端部が上がることを意味する。一方、マイナス方向とは、図５（Ｂ）に示されるように多層配線基板モデルＡの中央部が上がり、端部が下がることを意味する。
【0028】
実施例２においては、第１の絶縁体部の体積率を７０％、第１の導体部の体積率を３０％、第２の絶縁体部の体積率を７０％、第２の導体部の体積率を３０％とした。このとき、多層配線基板モデルＡには、ほとんど反りが生じない。
【0029】
実施例３においては、第１の絶縁体部の体積率を７０％、第１の導体部の体積率を３０％、第２の絶縁体部の体積率を７５％、第２の導体部の体積率を２５％とした。このとき、多層配線基板モデルＡには、プラス方向に１４５μｍの反りが生じる。
【0030】
比較例１においては、第１の絶縁体部の体積率を６０％、第１の導体部の体積率を４０％、第２の絶縁体部の体積率を５０％、第２の導体部の体積率を５０％とした、このとき、多層配線基板モデルＡには、マイナス方向に１７９μｍの反りが生じる。
【0031】
比較例２においては、第１の絶縁体部の体積率を６０％、第１の導体部の体積率を４０％、第２の絶縁体部の体積率を６０％、第２の導体部の体積率を４０％とした、このとき、多層配線基板モデルＡには、ほとんど反りが生じない。
【0032】
比較例３においては、第１の絶縁体部の体積率を６０％、第１の導体部の体積率を４０％、第２の絶縁体部の体積率を６６．７％、第２の導体部の体積率を３３．３％とした。このとき、多層配線基板モデルＡには、プラス方向に１４８μｍの反りが生じる。
【0033】
上記実施例と比較例について、反り量と変数Ｘの関係をグラフ化すると、図７に示されるように、実施例と比較例のグラフはほとんど一致する。この結果から、多層配線基板の反り量は導体体積の総量に関わらず、変数Ｘに依存することが分かった。
【0034】
上記結果から、変数Ｘ＝０になるときに反り量を最小化することができると考えられるが、一般的に配線基板の銅体積や残銅率は細かな制御が困難でありＸ＝０となる配線設計を行うことには限界がある。そこで、Ｘの値に応じて絶縁樹脂の線膨張係数と弾性率を制御することで、反り量を小さくする方法を考案した。
【0035】
なお、弾性率は動的粘弾性測定（Ｄｙｎａｍｉｃ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ａｎａｌｙｓｉｓ：ＤＭＡ）により測定された貯蔵弾性率を用いる。貯蔵弾性率とは、材料の弾性としての特性を反映しており、材料の変形しにくさを表す値である。貯蔵弾性率は、動的粘弾性測定装置を用いた測定によって得られる。加熱しながら測定することによって、所望の温度の貯蔵弾性率を測定することができる。
【0036】
線膨張係数（ＣＴＥ：ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ ｔｈｅｒｍａｌ ｅｘｐａｎｓｉｏｎ）とは、所定の温度範囲における温度の上昇に対応して長さの変化する割合を表す値である。ＣＴＥは、熱機械分析装置（ＴＭＡ）を用いた測定によって得られる。本実施形態におけるコア層線膨張係数は、例えば３０℃～２４０℃の温度範囲から取得した。
【0037】
Ｘ＝０．８（実施例１）において、絶縁層の弾性率Ｅ（単位：ＧＰａ）と熱膨張係数α（単位：ｐｐｍ／℃）を、４≦Ｅ≦１５、１５≦α≦５０の範囲でシミュレーションすると、表２のようになる。この結果から、反り量が０に近い弾性率Ｅと熱膨張係数αの組み合わせを選択することができる。
【表2】
【0038】
Ｘ＝１．２（実施例３）においても同様に、絶縁層の弾性率Ｅ（単位：ＧＰａ）と熱膨張係数α（単位：ｐｐｍ）を、４≦Ｅ≦１５、１５≦α≦５０の範囲でシミュレーションすると、表３のようになる。この結果から、反り量が０に近い弾性率Ｅと熱膨張係数αの組み合わせを選択することができる。
【表3】
【0039】
次に、シミュレーション結果を一般化する為、実験結果を統計的に分析(回帰分析)することで、数式化した。
反り量を目的変数として設定し、説明変数には、X、E、α単体に加えて、Xとαの交互作用、XとEの交互作用を設定した。α、E、Xそれぞれの二乗項は、反り量への影響が小さいことがわかった為、使用しなかった。
上記、目的変数と説明変数を用いて、表の結果を重回帰分析した結果、反り量は式(10)の予測式で表現することができた。
反り量=-0.383748+X*0.3086234+α*0.0014039+E*0.0023566-0.060395*(X-1)*(α-32.5)-0.113792*(X-1)*(E-10) …（10）
式（10）による予測結果を表４と表５に示す。シミュレーション結果と比較すると、反り量の予測結果に若干の違いはあるが、反り量が最も0に近くなるCTE・弾性率の組み合わせは殆ど一致していることが分かる。
反り量を目的変数として設定し、説明変数には、X、E、α単体に加えて、Xとαの交互作用、XとEの交互作用を設定した。α、E、Xそれぞれの二乗項は、反り量への影響が小さいことがわかった為、使用しなかった。
上記、目的変数と説明変数を用いて、表の結果を重回帰分析した結果、反り量は式(10)の予測式で表現することができた。
反り量=-0.383748+X*0.3086234+α*0.0014039+E*0.0023566-0.060395*(X-1)*(α-32.5)-0.113792*(X-1)*(E-10) …（10）
式（10）による予測結果を表４と表５に示す。シミュレーション結果と比較すると、反り量の予測結果に若干の違いはあるが、反り量が最も0に近くなるCTE・弾性率の組み合わせは殆ど一致していることが分かる。
【表4】
【表5】
【0040】
式(10)について、反り量＝0として、αをEとXの式で表現すると、式（1）のようになる。
α=(E*(0.0023566-0.113792*(X-1))-0.113792*(X-1)*10+0.060395*(X-1)*32.5-0.383748+X*0.3086234)/((0.060395*(X-1)- 0.0014039))・・式（1）
この関係式を満たすとき、反り量は最小になるといえる。
なお、式（１）の右辺をβとした場合、αは０．９β＜α＜１．１βの範囲であってもよい。
α=(E*(0.0023566-0.113792*(X-1))-0.113792*(X-1)*10+0.060395*(X-1)*32.5-0.383748+X*0.3086234)/((0.060395*(X-1)- 0.0014039))・・式（1）
この関係式を満たすとき、反り量は最小になるといえる。
なお、式（１）の右辺をβとした場合、αは０．９β＜α＜１．１βの範囲であってもよい。
【0041】
＜第１の実施形態に係る多層配線基板の設計方法および製造方法＞
第１の実施形態に係る多層配線基板１００の設計方法および製造方法を説明する。まず、図２を参照しながら、コア基板を作製する工程を説明する。図２は本発明のコア基板の製造方法の一例を示す説明図である。
第１の実施形態に係る多層配線基板１００の設計方法および製造方法を説明する。まず、図２を参照しながら、コア基板を作製する工程を説明する。図２は本発明のコア基板の製造方法の一例を示す説明図である。
【0042】
（コア基板の作製）
まず、両面に銅箔２が貼付されたコア絶縁層１に、ドリル等で表裏面を電気的に接続するためのスルーホール３を形成する（図２（ａ））。
まず、両面に銅箔２が貼付されたコア絶縁層１に、ドリル等で表裏面を電気的に接続するためのスルーホール３を形成する（図２（ａ））。
【0043】
次に、銅箔２の表面およびスルーホール３の壁面に、無電解めっきおよび電解めっきにより導体部２３を形成する（図２（ｂ））。導体部２３の無電解めっきにおいては、シード層１３ａと同様の材料を用いることができる。また、導体部２３の電解めっきにおいては、めっき層１３ｂと同様の材料を用いることができる。
【0044】
次に、スルーホール３内を穴埋め樹脂４で埋める。スルーホール３からはみ出した不要な穴埋め樹脂４はバフ研磨等により除去する（図２（ｃ））。なお、図２（ｂ）に示す工程で、スルーホール３を完全にめっきで埋める場合、本工程は省略される。
【0045】
次に、全面に無電解めっきと電解めっきにより導体部３３を形成する（図２（ｄ））。
なお、図２（ｂ）に示す工程で、スルーホール３を完全にめっきで埋める場合や、穴埋め樹脂上に導体部３３が不要な場合は、本工程は省略してもよい。
なお、図２（ｂ）に示す工程で、スルーホール３を完全にめっきで埋める場合や、穴埋め樹脂上に導体部３３が不要な場合は、本工程は省略してもよい。
【0046】
次に、レジストを塗布またはラミネートし、導体部２３、３３のうち、導体として残す部分にフォトリソグラフィーにてレジストパターン６形成する（図２（ｅ））。
【0047】
次に、レジストパターン６が形成されていない導体部２３、３３の部分をエッチングにて除去し、複数の導体を形成する（図２（ｆ））。
【0048】
次に、レジストパターン６を除去することで、パッド部である導体部４３を備えるコア基板が形成される（図２（ｇ））。導体部４３は、コア基板に積層される配線基板と電気的に接続される。
【0049】
以上、コア基板の作製方法を説明したが、これは一例であり他の方法で作製してもよい。次に、作製したコア基板に絶縁樹脂と導体を複数積層し、多層配線基板１００を作製する工程を説明する。なお、絶縁樹脂と導体は、コア基板の両面に積層される。
【0050】
【0051】
（多層配線基板の作製）
まず、コア基板上に絶縁体部１１を形成し、下層の電気的接続用のパッド部４３が露出するように、熱硬化性樹脂の場合はＵＶやＣＯ２などのレーザー、感光性樹脂の場合はフォトリソグラフィーにてビア開口８を形成する（図３（ａ））。
ここで、絶縁体部１１の材料について、弾性率Ｅ（単位：ＧＰａ）と熱膨張係数α（単位：ｐｐｍ）が以下の式（１）の条件を満たすものを選定する。
α=(E*(0.0023566-0.113792*(X-1))-0.113792*(X-1)*10+0.060395*(X-1)*32.5-0.383748+X*0.3086234)/((0.060395*(X-1)- 0.0014039))・・・式（1）
なお、式（１）の右辺をβとした場合、αは０．９β＜α＜１．１βの範囲であってもよい。
まず、コア基板上に絶縁体部１１を形成し、下層の電気的接続用のパッド部４３が露出するように、熱硬化性樹脂の場合はＵＶやＣＯ２などのレーザー、感光性樹脂の場合はフォトリソグラフィーにてビア開口８を形成する（図３（ａ））。
ここで、絶縁体部１１の材料について、弾性率Ｅ（単位：ＧＰａ）と熱膨張係数α（単位：ｐｐｍ）が以下の式（１）の条件を満たすものを選定する。
α=(E*(0.0023566-0.113792*(X-1))-0.113792*(X-1)*10+0.060395*(X-1)*32.5-0.383748+X*0.3086234)/((0.060395*(X-1)- 0.0014039))・・・式（1）
なお、式（１）の右辺をβとした場合、αは０．９β＜α＜１．１βの範囲であってもよい。
【0052】
次に、絶縁体部１１の上面、ビア開口８の壁面、およびビア開口８の底面に当たるパッド部４３に無電解めっきやスパッタにてシード層１３ａを形成する（図３（ｂ））。
【0053】
（シード層）
シード層１３ａは、絶縁体部１１上に積層される。シード層１３ａを構成する材料は特に制限されないが、無電解めっき法で形成する場合、例えば、Ｃｕ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｓｎ、ＮｉおよびＣｒなどの金属材料を用いることができる。スパッタリング法で形成する場合、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、ＡｌＳｉ、ＡｌＳｉＣｕ、ＡｌＣｕ、ＮｉＦｅ、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＡＺＯ（Ａｌｕｍｉｎｕｍ－ｄｏｐｅｄ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）、ＴｉＮ、Ｃｕ３Ｎ４、Ｃｕ合金、またはこれらの２種以上を組み合わせた材料を用いることができる。
シード層１３ａは、絶縁体部１１上に積層される。シード層１３ａを構成する材料は特に制限されないが、無電解めっき法で形成する場合、例えば、Ｃｕ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｓｎ、ＮｉおよびＣｒなどの金属材料を用いることができる。スパッタリング法で形成する場合、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、ＡｌＳｉ、ＡｌＳｉＣｕ、ＡｌＣｕ、ＮｉＦｅ、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＡＺＯ（Ａｌｕｍｉｎｕｍ－ｄｏｐｅｄ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）、ＴｉＮ、Ｃｕ３Ｎ４、Ｃｕ合金、またはこれらの２種以上を組み合わせた材料を用いることができる。
【0054】
次に、シード層１３ａ上にレジストを塗布またはラミネートし露光現像することで、めっき層１３ｂのパターンに対応するレジストパターン１６を形成する（図３（ｃ））。
【0055】
次に、レジストパターン１６が形成されたシード層１３ａに、電解めっきによりめっき層１３ｂを形成する（図３（ｄ））。
【0056】
（めっき層）
めっき層１３ｂは、シード層１３ａの上面（絶縁体部１１と反対側の面）に積層される。めっき層１３ｂを構成する材料は、主に金属であり、種類は特に制限されないが、例えば、ＣｕおよびＣｕ合金、ＡｇおよびＡｇ合金、Ｓｎ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｆｅまたはこれらの２種以上を組み合わせた材料を用いることができる。
次に、レジストパターン１６を除去する（図３（ｅ））。
めっき層１３ｂは、シード層１３ａの上面（絶縁体部１１と反対側の面）に積層される。めっき層１３ｂを構成する材料は、主に金属であり、種類は特に制限されないが、例えば、ＣｕおよびＣｕ合金、ＡｇおよびＡｇ合金、Ｓｎ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｆｅまたはこれらの２種以上を組み合わせた材料を用いることができる。
次に、レジストパターン１６を除去する（図３（ｅ））。
【0057】
次に、レジストパターン１６が除去されたことによって露出したシード層１３ａ（めっき層１３ｂに覆われていないシード層１３ａ）を、エッチングにより除去する（図３（ｆ））。
【0058】
次に、導体部１３と、下層の絶縁体部１１とを覆うように絶縁体部１２を積層する。絶縁体部１２の材料についても、上述の式（１）の要件を満たす弾性率Ｅ（単位：ＧＰａ）と熱膨張係数α（単位：ｐｐｍ）であるものを選定する。
なお、所望の層数の回路が形成された場合には、この工程は省略される。
なお、所望の層数の回路が形成された場合には、この工程は省略される。
【0059】
以上の工程を、所望の層数の回路が形成できるまで繰り返し行う（図４（ｇ））。
【0060】
所望の層数の回路を形成後、最外層にソルダーレジスト層１７を、塗布またはラミネートで形成する（図４（ｈ））。
【0061】
フォトリソグラフィーなどによりパッド部５３上にソルダーレジスト開口１８を形成する（図４（ｉ））。ソルダーレジスト層１７は、例えば、感光性のエポキシ系樹脂であり、無機フィラーを含有していても良い。非感光の熱硬化樹脂を使用する場合は、ＵＶレーザーやＣＯ２レーザー、フォトリソグラフィーなどによりソルダーレジスト開口１８を形成する。
【0062】
次に、ソルダーレジスト開口１８内のパッド５３上に、表面処理層１９を形成する（図４（ｌ））。
【0063】
次に、半導体素子３４（シリコンチップ）実装側のソルダーレジスト開口１８内に、はんだバンプ２０を形成することで多層配線基板１００を形成することができる（図４（ｍ））。はんだバンプ２０は、はんだペーストを用いる場合はスクリーン印刷で形成でき、はんだボールを用いる場合は、フラックスをスクリーン印刷後にボール振込にてはんだボールを搭載し、それぞれリフローにて溶融させて形成できる。
【0064】
図５は、実装状態の一例を示したものであり、多層配線基板１００に半導体素子３４（シリコンチップ）を実装した状態（半導体装置）を示している。この半導体装置において、半導体素子３４の電極端子は、はんだバンプ２０等の導電性材料を介して多層配線基板１００上の対応するパッド部５３に電気的に接続されている（フリップチップ実装）。さらに、実装した半導体素子３４と多層配線基板１００との間の空隙には、熱硬化性のエポキシ系樹脂等のアンダーフィル樹脂３５が充填されており、加熱硬化によって半導体素子３４と多層配線基板１００との機械的な接合が確保されている。
【0065】
一方、半導体素子３４実装面側と反対側のソルダーレジスト層１７から露出するパッド部５３には、外部接続端子として用いられるはんだバンプ２０が半導体素子３４実装後に形成される。このはんだバンプ２０を介して多層配線基板１００はマザーボード等に実装される。
【符号の説明】
【0066】
１ コア絶縁層
２ 銅箔
３ スルーホール
４ 穴埋め樹脂
６、１６ レジストパターン
８ ビア開口
１１、１２、２１、２２ 絶縁体部
１３、３３ 導体部
１３ａ シード層
１３ｂ めっき層
１６ レジストパターン
１７ ソルダーレジスト層
１８ ソルダーレジスト開口
１９ 表面処理層
２０ はんだバンプ
２３ 導体部
３４ 半導体素子
３５ アンダーフィル樹脂
４３、５３ 導体部（パッド部）
１００ 多層配線基板
２ 銅箔
３ スルーホール
４ 穴埋め樹脂
６、１６ レジストパターン
８ ビア開口
１１、１２、２１、２２ 絶縁体部
１３、３３ 導体部
１３ａ シード層
１３ｂ めっき層
１６ レジストパターン
１７ ソルダーレジスト層
１８ ソルダーレジスト開口
１９ 表面処理層
２０ はんだバンプ
２３ 導体部
３４ 半導体素子
３５ アンダーフィル樹脂
４３、５３ 導体部（パッド部）
１００ 多層配線基板
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】