知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024176691
(43)【公開日】2024-12-19
(54)【発明の名称】抵抗器
(51)【国際特許分類】
H01C 1/012 20060101AFI20241212BHJP
H01C 7/00 20060101ALI20241212BHJP
【ＦＩ】
H01C1/012
H01C7/00 400
【審査請求】未請求
【請求項の数】7
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023095433
(22)【出願日】2023-06-09
(71)【出願人】
【識別番号】000116024
【氏名又は名称】ローム株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001195
【氏名又は名称】弁理士法人深見特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】田中 幸作
【テーマコード（参考）】
5E028
5E033
【Ｆターム（参考）】
5E028AA10
5E028BA11
5E028BB01
5E028CA02
5E033AA41
5E033BC01
5E033BC07
5E033BD01
5E033BE01
5E033BH02
(57)【要約】
【課題】基板への放熱性を改善可能な抵抗器を提供する。
【解決手段】抵抗器（１００）は、抵抗体（１２）と樹脂層（１１）とを有するフレーム（１０）と、保護膜（２０）と、第１電極（３０）及び第２電極（４０）とを備える。抵抗体（１２）は、表面（１２ａ）を有し、かつ表面が露出するように樹脂層に埋設されている。保護膜は、第１方向（ＤＲ１）における表面の中央部上に配置されている。第１電極は、第１方向における表面の一方端部上に配置されており、保護膜上に達するように延在している。第２電極は、第１方向における表面の他方端部上に配置されており、保護膜上に達するように延在している。第１方向に直交する第２方向（ＤＲ２）における抵抗器の幅（Ｗ２）は、第１方向における抵抗器の幅（Ｗ１）よりも大きい。
【選択図】図１
【解決手段】抵抗器（１００）は、抵抗体（１２）と樹脂層（１１）とを有するフレーム（１０）と、保護膜（２０）と、第１電極（３０）及び第２電極（４０）とを備える。抵抗体（１２）は、表面（１２ａ）を有し、かつ表面が露出するように樹脂層に埋設されている。保護膜は、第１方向（ＤＲ１）における表面の中央部上に配置されている。第１電極は、第１方向における表面の一方端部上に配置されており、保護膜上に達するように延在している。第２電極は、第１方向における表面の他方端部上に配置されており、保護膜上に達するように延在している。第１方向に直交する第２方向（ＤＲ２）における抵抗器の幅（Ｗ２）は、第１方向における抵抗器の幅（Ｗ１）よりも大きい。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
抵抗器であって、
抵抗体と樹脂層とを有するフレームと、
保護膜と、
第１電極及び第２電極とを備え、
前記抵抗体は、表面を有し、前記表面が露出するように前記樹脂層に埋設されており、
前記保護膜は、第１方向における前記表面の中央部上に配置されており、
前記第１電極は、前記第１方向における前記表面の一方端部上に配置されており、前記保護膜上に達するように延在しており、
前記第２電極は、前記第１方向における前記表面の他方端部上に配置されており、前記保護膜上に達するように延在しており、
前記第１方向に直交する第２方向における前記抵抗器の幅は、前記第１方向における前記抵抗器の幅よりも大きい、抵抗器。
抵抗体と樹脂層とを有するフレームと、
保護膜と、
第１電極及び第２電極とを備え、
前記抵抗体は、表面を有し、前記表面が露出するように前記樹脂層に埋設されており、
前記保護膜は、第１方向における前記表面の中央部上に配置されており、
前記第１電極は、前記第１方向における前記表面の一方端部上に配置されており、前記保護膜上に達するように延在しており、
前記第２電極は、前記第１方向における前記表面の他方端部上に配置されており、前記保護膜上に達するように延在しており、
前記第１方向に直交する第２方向における前記抵抗器の幅は、前記第１方向における前記抵抗器の幅よりも大きい、抵抗器。
【請求項2】
前記第２方向における前記抵抗器の幅は、３．２ｍｍ以下である、請求項１に記載の抵抗器。
【請求項3】
抵抗器であって、
抵抗体を有するフレームと、
第１電極及び第２電極と、
保護膜とを備え、
前記抵抗体は、表面を有し、
前記第１電極は、第１方向における前記表面の一方端部上に配置されており、
前記第２電極は、前記第１方向における前記表面の他方端部上に配置されており、
前記第２電極側の端にある前記第１電極の端及び前記第１電極側の端にある前記第２電極の端には、それぞれ、第１凹部及び第２凹部が形成されており、
前記保護膜は、少なくとも前記第１電極及び前記第２電極から露出している前記表面上に配置されている、抵抗器。
抵抗体を有するフレームと、
第１電極及び第２電極と、
保護膜とを備え、
前記抵抗体は、表面を有し、
前記第１電極は、第１方向における前記表面の一方端部上に配置されており、
前記第２電極は、前記第１方向における前記表面の他方端部上に配置されており、
前記第２電極側の端にある前記第１電極の端及び前記第１電極側の端にある前記第２電極の端には、それぞれ、第１凹部及び第２凹部が形成されており、
前記保護膜は、少なくとも前記第１電極及び前記第２電極から露出している前記表面上に配置されている、抵抗器。
【請求項4】
前記第１方向に直交する第２方向における前記抵抗器の幅は、前記第１方向における前記抵抗器の幅よりも大きい、請求項３に記載の抵抗器。
【請求項5】
前記第１方向における前記抵抗器の幅は、前記第１方向に直交する第２方向における前記抵抗器の幅よりも大きい、請求項３に記載の抵抗器。
【請求項6】
前記フレームは、樹脂層をさらに有し、
前記抵抗体は、前記表面が露出するように前記樹脂層に埋設されており、
前記保護膜は、前記第１方向における前記表面の中央部上に配置されており、
前記第１電極及び前記第２電極の各々は、前記保護膜上に達するように延在している、請求項３から請求項５のいずれか１項に記載の抵抗器。
前記抵抗体は、前記表面が露出するように前記樹脂層に埋設されており、
前記保護膜は、前記第１方向における前記表面の中央部上に配置されており、
前記第１電極及び前記第２電極の各々は、前記保護膜上に達するように延在している、請求項３から請求項５のいずれか１項に記載の抵抗器。
【請求項7】
前記フレームは、前記抵抗体のみからなり、
前記第１凹部は、前記第１方向における前記抵抗体の一方端に達しており、
前記第２凹部は、前記第１方向における前記抵抗体の他方端に達している、請求項３から請求項５のいずれか１項に記載の抵抗器。
前記第１凹部は、前記第１方向における前記抵抗体の一方端に達しており、
前記第２凹部は、前記第１方向における前記抵抗体の他方端に達している、請求項３から請求項５のいずれか１項に記載の抵抗器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、抵抗器に関する。
【背景技術】
【0002】
国際公開第２０２０／１６２２６６号（特許文献１）には、抵抗器が記載されている。特許文献１に記載の抵抗器は、絶縁板と、抵抗体と、保護膜と、第１電極及び第２電極とを有している。抵抗体は、表面を有している。抵抗体は、表面が露出するように絶縁板に埋設されている。
【0003】
保護膜は、第１方向における抵抗体の表面の中央部上に配置されている。第１電極及び第２電極は、それぞれ、第１方向における抵抗体の表面の一方端部上及び他方端部上に配置されている。第１電極及び第２電極の各々は、保護膜上に達するように延在している。特許文献１に記載の抵抗器は、第２方向における幅が第１方向における幅よりも小さい。第２方向は、第１方向に直交する方向である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】国際公開第２０２０／１６２２６６号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
上記のとおり、特許文献１に記載の抵抗器は、第２方向における幅が第１方向における幅よりも小さい。そのため、特許文献１に記載の抵抗器は、基板との接続面積が小さく、基板への放熱性に改善の余地がある。本開示は、このような従来技術の課題に鑑みてなされたものである。より具体的には、本開示は、基板への放熱性を改善可能な抵抗器を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示の抵抗器は、抵抗体と樹脂層とを有するフレームと、保護膜と、第１電極及び第２電極とを備えている。抵抗体は、表面を有し、表面が露出するように樹脂層に埋設されている。保護膜は、第１方向における表面の中央部上に配置されている。第１電極は、第１方向における表面の一方端部上に配置されており、保護膜上に達するように延在している。第２電極は、第１方向における表面の他方端部上に配置されており、保護膜上に達するように延在している。第１方向に直交する第２方向における抵抗器の幅は、第１方向における抵抗器の幅よりも大きい。
【発明の効果】
【0007】
本開示の抵抗器によると、基板への放熱性を改善することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【図1】抵抗器１００の底面図である。
【図3】抵抗器１００の平面図である。
【図4】抵抗器１００の製造方法を示す工程図である。
【図5】準備工程Ｓ１を説明する底面図である。
【図6】第１下地層形成工程Ｓ２を説明する底面図である。
【図7】保護膜形成工程Ｓ３を説明する底面図である。
【図8】第２下地層形成工程Ｓ４を説明する底面図である。
【図9】第１切断工程Ｓ５を説明する断面図である。
【図10】第２切断工程Ｓ６を説明する底面図である。
【図11】めっき工程Ｓ７を説明する断面図である。
【図12】抵抗器１００Ａの底面図である。
【図13】抵抗器２００の底面図である。
【図15】変形例に係る抵抗器２００の底面図である。
【図16】抵抗器２００の製造方法での第２下地層形成工程Ｓ４を説明する底面図である。
【図17】抵抗器２００の製造方法でのめっき工程Ｓ７を説明する底面図である。
【図18】抵抗器３００の底面図である。
【図20】抵抗器３００の平面図である。
【図21】第１変形例に係る抵抗器３００の底面図である。
【図22】第２変形例に係る抵抗器３００の断面図である。
【図23】抵抗器３００の製造方法を示す工程図である。
【図24】準備工程Ｓ８を説明する底面図である。
【図25】保護膜形成工程Ｓ９を説明する底面図である。
【図26】第１めっき工程Ｓ１０を説明する底面図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
本開示の実施形態の詳細を、図面を参照しながら説明する。以下の図面では、同一又は相当する部分に同一の参照符号を付し、重複する説明は繰り返さないものとする。
【0010】
（第１実施形態）
第１実施形態に係る抵抗器を説明する。第１実施形態に係る抵抗器を、抵抗器１００とする。
第１実施形態に係る抵抗器を説明する。第１実施形態に係る抵抗器を、抵抗器１００とする。
【0011】
＜抵抗器１００の構成＞
以下に、抵抗器１００の構成を説明する。
以下に、抵抗器１００の構成を説明する。
【0012】
図１は、抵抗器１００の底面図である。図２は、図１中のＩＩ－ＩＩにおける断面図である。図３は、抵抗器１００の平面図である。図１から図３に示されているように、抵抗器１００は、フレーム１０と、保護膜２０と、電極３０と、電極４０とを有している。
【0013】
フレーム１０は、樹脂層１１と抵抗体１２とを有している。樹脂層１１の構成材料は、樹脂材料である。樹脂層１１の構成材料は、例えば、ガラスエポキシである。抵抗体１２の構成材料は、金属材料である。抵抗体１２の構成材料は、例えば、マンガン－銅合金、銅－ニッケル合金、ニッケル－クロム合金等である。抵抗体１２は、表面１２ａを有している。抵抗体１２は、表面１２ａが露出するように、樹脂層１１に埋設されている。フレーム１０は、平面視において、矩形状である。この矩形の短辺及び長辺は、それぞれ第１方向ＤＲ１及び第２方向ＤＲ２に沿っている。第２方向ＤＲ２は、第１方向ＤＲ１に直交する方向である。
【0014】
図示されていないが、抵抗体１２の抵抗を調整するために、抵抗体１２には、第１スリット及び第２スリットが形成されていてもよい。第１スリット及び第２スリットは、抵抗体１２を厚さ方向に貫通している。第１スリットは、第２方向ＤＲ２における抵抗体１２の一方端に形成され、第２方向ＤＲ２に沿って延在している。第２スリットは、第２方向ＤＲ２における抵抗体１２の他方端に形成され、第２方向ＤＲ２に沿って延在している。
【0015】
保護膜２０の構成材料は、電気絶縁性の材料である。保護膜２０の構成材料は、例えばエポキシ樹脂である。保護膜２０は、フィラーを含有していてもよい。フィラーの構成材料は、例えばアルミナ、窒化ホウ素等のセラミック材料である。保護膜２０は、第１方向ＤＲ１における表面１２ａの中央部上に配置されている。保護膜２０は、第１方向ＤＲ１における表面１２ａの両端部上には配置されていない。
【0016】
電極３０は、下地層３１と、下地層３２と、めっき層３３とを有している。下地層３１の構成材料は、例えば、導電性樹脂材料である。導電性樹脂材料は、樹脂材料と、金属粒子とを含む。樹脂材料は、例えばエポキシ樹脂である。金属粒子の構成材料は、例えば銀である。下地層３１は、第１方向ＤＲ１における表面１２ａの一方端部上に配置されている。第１方向ＤＲ１における下地層３１の一方端部は、第１方向ＤＲ１における表面１２ａの他方端から離間している。保護膜２０の第１方向ＤＲ１における一方端部は、第１方向ＤＲ１における下地層３１の他方端部上にある。
【0017】
下地層３２の構成材料は、例えば、導電性樹脂材料である。導電性樹脂材料は、樹脂材料と、金属粒子とを含む。樹脂材料は、例えばエポキシ樹脂である。金属粒子の構成材料は、例えば銀である。下地層３２は、下地層３１上に配置されている。下地層３２は、保護膜２０上に達するように延在している。すなわち、第１方向ＤＲ１における下地層３２の他方端部は、保護膜２０上にある。
【0018】
めっき層３３は、めっきで形成された層である。めっき層３３は、例えば、銅層と、銅層上に配置されているニッケル層と、ニッケル層上に配置されているスズ層とを有している。めっき層３３は、下地層３１上又は下地層３２上に配置されている。但し、めっき層３３は、その一部において、表面１２ａ上に配置されている。第１方向ＤＲ１におけるめっき層３３の他方端部は、保護膜２０上に配置されていてもよい。めっき層３３は、第１方向ＤＲ１における一方端にあるフレーム１０の側面上にも配置されていてもよい。
【0019】
電極４０は、下地層４１と、下地層４２と、めっき層４３とを有している。下地層４１の構成材料は、例えば、導電性樹脂材料である。導電性樹脂材料は、樹脂材料と、金属粒子とを含む。樹脂材料は、例えばエポキシ樹脂である。金属粒子の構成材料は、例えば銀である。下地層４１は、第１方向ＤＲ１における表面１２ａの他方端部上に配置されている。第１方向ＤＲ１における下地層４１の他方端部は、第１方向ＤＲ１における表面１２ａの他方端から離間している。保護膜２０の第１方向ＤＲ１における他方端部は、第１方向ＤＲ１における下地層４１の一方端部上にある。
【0020】
下地層４２の構成材料は、例えば、導電性樹脂材料である。導電性樹脂材料は、樹脂材料と、金属粒子とを含む。樹脂材料は、例えばエポキシ樹脂である。金属粒子の構成材料は、例えば銀である。下地層４２は、下地層４１上に配置されている。下地層４２は、保護膜２０上に達するように延在している。すなわち、第１方向ＤＲ１における下地層４２の一方端部は、保護膜２０上にある。
【0021】
めっき層４３は、めっきで形成された層である。めっき層４３は、例えば、銅層と、銅層上に配置されているニッケル層と、ニッケル層上に配置されているスズ層とを有している。めっき層４３は、下地層４１上又は下地層４２上に配置されている。但し、めっき層４３は、その一部において、表面１２ａ上に配置されている。第１方向ＤＲ１におけるめっき層４３の一方端部は、保護膜２０上に配置されていてもよい。めっき層４３は、第１方向ＤＲ１における他方端にあるフレーム１０の側面上にも配置されていてもよい。
【0022】
第１方向ＤＲ１における抵抗器１００の幅を、幅Ｗ１とする。第２方向ＤＲ２における抵抗器１００の幅を、幅Ｗ２とする。幅Ｗ２は、幅Ｗ１よりも大きい。すなわち、抵抗器１００の長手方向は、第２方向ＤＲ２に沿っている。幅Ｗ２は、好ましくは、３．２ｍｍ以下である。
【0023】
＜抵抗器１００の製造方法＞
以下に、抵抗器１００の製造方法を説明する。
以下に、抵抗器１００の製造方法を説明する。
【0024】
図４は、抵抗器１００の製造方法を示す工程図である。図４に示されているように、抵抗器１００の製造方法は、準備工程Ｓ１と、第１下地層形成工程Ｓ２と、保護膜形成工程Ｓ３と、第２下地層形成工程Ｓ４と、第１切断工程Ｓ５と、第２切断工程Ｓ６と、めっき工程Ｓ７とを有している。
【0025】
図５は、準備工程Ｓ１を説明する底面図である。図５に示されているように、準備工程Ｓ１では、フレーム５０が準備される。フレーム５０には、複数のフレーム１０が含まれている。図５中では、フレーム５０に含まれている複数のフレーム１０の各々が、点線により画されている。準備工程Ｓ１の後には、第１下地層形成工程Ｓ２が行われる。
【0026】
図６は、第１下地層形成工程Ｓ２を説明する底面図である。図６に示されるように、第１下地層形成工程Ｓ２では、下地層６０が形成される。第１下地層形成工程Ｓ２では、第１に、未硬化の樹脂材料及び金属粒子を含むペーストが塗布される。第２に、塗布されたペーストが加熱されることで樹脂材料が硬化され、下地層６０となる。なお、下地層６０には、それぞれ、開口部６０ａが形成されている。開口部６０ａからは、表面１２ａが露出している。第１下地層形成工程Ｓ２の後には、保護膜形成工程Ｓ３が行われる。
【0027】
図７は、保護膜形成工程Ｓ３を説明する底面図である。図７に示されているように、保護膜形成工程Ｓ３では、保護膜２０が形成される。保護膜形成工程Ｓ３では、第１に、保護膜２０の構成材料（未硬化の樹脂材料）が塗布される。第２に、塗布された未硬化の樹脂材料が加熱されることで硬化され、保護膜２０となる。保護膜形成工程Ｓ３の後には、第２下地層形成工程Ｓ４が行われる。
【0028】
図８は、第２下地層形成工程Ｓ４を説明する底面図である。図８に示されるように、第２下地層形成工程Ｓ４では、下地層３２及び下地層４２が形成される。第２下地層形成工程Ｓ４では、第１に、未硬化の樹脂材料及び金属粒子を含むペーストが塗布される。第２に、塗布されたペーストが加熱されることで樹脂材料が硬化され、下地層３２及び下地層４２となる。第２下地層形成工程Ｓ４の後には、第１切断工程Ｓ５が行われる。
【0029】
図９は、第１切断工程Ｓ５を説明する断面図である。図９に示されているように、第１切断工程Ｓ５では、フレーム５０が切断線ＣＬ１に沿って切断される。切断線ＣＬ１は、第２方向ＤＲ２に沿っている。フレーム５０の切断に伴い下地層６０も分離され、下地層３１及び下地層４１となる。第１切断工程Ｓ５の後には、第２切断工程Ｓ６が行われる。
【0030】
図１０は、第２切断工程Ｓ６を説明する底面図である。図１０に示されているように、第２切断工程Ｓ６では、フレーム５０が切断線ＣＬ２に沿って切断される。切断線ＣＬ２は、第１方向ＤＲ１に沿っている。これにより、フレーム５０が複数のフレーム１０へと個片化される。第２切断工程Ｓ６の後には、めっき工程Ｓ７が行われる。
【0031】
図１１は、めっき工程Ｓ７を説明する断面図である。図１１に示されているように、めっき工程Ｓ７では、電解バレルめっきが行われることにより、銅層、ニッケル層及びスズ層が順次形成される。以上により、図１から図３に示される抵抗器１００の構造が形成されることになる。
【0032】
＜抵抗器１００の効果＞
以下に、抵抗器１００の効果を、比較例に係る抵抗器と対比しながら説明する。比較例に係る抵抗器を、抵抗器１００Ａとする。
以下に、抵抗器１００の効果を、比較例に係る抵抗器と対比しながら説明する。比較例に係る抵抗器を、抵抗器１００Ａとする。
【0033】
【0034】
抵抗器１００及び抵抗器１００Ａは、電極３０及び電極４０において、基板にはんだ付けされる。抵抗器１００では、幅Ｗ２が幅Ｗ１よりも大きくなっているため、同一サイズで比較した場合、基板との接続面積が、抵抗器１００Ａよりも大きくなる。そのため、抵抗器１００では、抵抗器１００Ａと比較して、はんだ接合部を介して電極３０及び電極４０から抵抗体１２において発生した熱が基板へと放熱されやすく、基板への放熱性が改善されている。
【0035】
抵抗器１００及び抵抗器１００Ａにおいて幅Ｗ２を小さくしようとすると、フレーム５０において、第２方向ＤＲ２における抵抗体１２の幅を小さくする必要がある。しかしながら、第２方向ＤＲ２における抵抗体１２の幅を小さくすると、フレーム５０の剛性が低下してフレーム５０のハンドリング性が低下する。このことは、幅Ｗ２が３．２ｍｍ以下になると顕著になる。この点、抵抗器１００では、幅Ｗ２が幅Ｗ１よりも大きくなっているため、幅Ｗ２を小さくせずとも幅Ｗ１を小さくして小型化を図ることが可能である。そのため、抵抗器１００によると、製造時のフレーム５０のハンドリング性を高めることが可能である。
【0036】
（第２実施形態）
第２実施形態に係る抵抗器を説明する。第２実施形態に係る抵抗器を、抵抗器２００とする。ここでは、抵抗器１００と異なる点を主に説明し、重複する説明は繰り返さないものとする。
第２実施形態に係る抵抗器を説明する。第２実施形態に係る抵抗器を、抵抗器２００とする。ここでは、抵抗器１００と異なる点を主に説明し、重複する説明は繰り返さないものとする。
【0037】
＜抵抗器２００の構成＞
以下に、抵抗器２００の構成を説明する。
以下に、抵抗器２００の構成を説明する。
【0038】
図１３は、抵抗器２００の底面図である。図１４は、図１３中のＸＩＶ－ＸＩＶにおける断面図である。図１３及び図１４に示されているように、抵抗器２００は、フレーム１０と、保護膜２０と、電極３０及び電極４０とを有している。この点に関して、抵抗器２００の構成は、抵抗器１００の構成と共通している。
【0039】
抵抗器２００では、電極３０の電極４０側の端（第１方向ＤＲ１における電極３０の一方端）に凹部３０ａが形成されており、電極４０の電極３０側の端（第１方向ＤＲ１における電極４０の他方端）に凹部４０ａが形成されている。凹部３０ａ及び凹部４０ａからは、保護膜２０が露出している。この点に関して、抵抗器２００の構成は、抵抗器１００の構成と異なっている。
【0040】
なお、第２方向ＤＲ２において凹部３０ａに隣り合う電極３０の部分を第１部分３０ｂとし、第２方向ＤＲ２において第１部分３０ｂとは反対側から凹部３０ａに隣り合う電極３０の部分を第２部分３０ｃとする。また、第２方向ＤＲ２において凹部４０ａに隣り合う電極４０の部分を第１部分４０ｂとし、第２方向ＤＲ２において第１部分４０ｂとは反対側から凹部４０ａに隣り合う電極４０の部分を第２部分４０ｃとする。
【0041】
第２方向ＤＲ２における第１部分３０ｂの幅は、例えば、第２方向ＤＲ２における第２部分３０ｃの幅よりも大きい。第２方向ＤＲ２における第１部分４０ｂの幅は、例えば、第２方向ＤＲ２における第２部分４０ｃの幅よりも大きい。この場合、抵抗器２００は、例えばシャント抵抗器として用いられる。すなわち、この場合、抵抗器２００は、第１部分３０ｂと第１部分４０ｂとの間に電流が流れている状態で第２部分３０ｃと第２部分４０ｃとの間の電圧を検知することにより、第１部分３０ｂと第１部分４０ｂとの間に流れている電流を検知することが可能である。
【0042】
＜変形例＞
上記においては、幅Ｗ２が幅Ｗ１よりも大きい場合の例を説明した。図１５は、変形例に係る抵抗器２００の底面図である。図１５に示されているように、抵抗器２００では、幅Ｗ２が幅Ｗ１よりも小さくてもよい。
上記においては、幅Ｗ２が幅Ｗ１よりも大きい場合の例を説明した。図１５は、変形例に係る抵抗器２００の底面図である。図１５に示されているように、抵抗器２００では、幅Ｗ２が幅Ｗ１よりも小さくてもよい。
【0043】
＜抵抗器２００の製造方法＞
以下に、抵抗器２００の製造方法を説明する。
以下に、抵抗器２００の製造方法を説明する。
【0044】
抵抗器２００の製造方法は、準備工程Ｓ１と、第１下地層形成工程Ｓ２と、保護膜形成工程Ｓ３と、第２下地層形成工程Ｓ４と、第１切断工程Ｓ５と、第２切断工程Ｓ６と、めっき工程Ｓ７とを有している。この点に関して、抵抗器２００の製造方法は、抵抗器１００の製造方法と共通している。
【0045】
図１６は、抵抗器２００の製造方法での第２下地層形成工程Ｓ４を説明する底面図である。図１６に示されているように、抵抗器２００の製造方法における第２下地層形成工程Ｓ４では、下地層３２及び下地層４２が、第２方向ＤＲ２において間隔を空けて形成される。図１７は、抵抗器２００の製造方法でのめっき工程Ｓ７を説明する底面図である。隣り合う下地層３２の間から露出している保護膜２０上にはめっき層３３が成長できず、隣り合う下地層４２の間から露出している保護膜２０上にはめっき層４４が成長できない。そのため、抵抗器２００の製造方法では、めっき工程Ｓ７が行われることで、図１７に示されているように、電極３０に凹部３０ａが形成され、電極４０に凹部４０ａが形成される。これらの点に関して、抵抗器２００の製造方法は、抵抗器１００の製造方法と異なっている。
【0046】
＜抵抗器２００の効果＞
以下に、抵抗器２００の効果を説明する。
以下に、抵抗器２００の効果を説明する。
【0047】
抵抗器２００では、第２下地層形成工程Ｓ４が行われる際に下地層３２及び下地層４２を第２方向ＤＲ２に沿って間隔を空けて形成することにより、電極３０及び電極４０にそれぞれ凹部３０ａ及び凹部４０ａが形成される。このように、抵抗器２００は、新たな工程を追加することなく抵抗器２００を４端子化が可能であり、例えばシャント抵抗器として利用することが可能である。
【0048】
（第３実施形態）
第３実施形態に係る抵抗器を説明する。第３実施形態に係る抵抗器を、抵抗器３００とする。ここでは、抵抗器２００と異なる点を主に説明し、重複する説明は繰り返さないものとする。
第３実施形態に係る抵抗器を説明する。第３実施形態に係る抵抗器を、抵抗器３００とする。ここでは、抵抗器２００と異なる点を主に説明し、重複する説明は繰り返さないものとする。
【0049】
＜抵抗器３００の構成＞
以下に、抵抗器３００の構成を説明する。
以下に、抵抗器３００の構成を説明する。
【0050】
図１８は、抵抗器３００の底面図である。図１９は、図１８中のＸＩＸ－ＸＩＸにおける断面図である。図２０は、抵抗器３００の平面図である。図１８から図２０に示されているように、抵抗器３００は、フレーム１０と、保護膜２０と、電極３０及び電極４０とを有している。この点に関して、抵抗器３００の構成は、抵抗器２００の構成と共通している。
【0051】
抵抗器３００では、フレーム１０が抵抗体１２で構成されている。なお、表面１２ａとは反対側の抵抗体１２の表面を、表面１２ｂとする。
【0052】
抵抗器３００では、電極３０が、めっき層３４と、めっき層３５と、めっき層３５とを有している。めっき層３４の構成材料、めっき層３５の構成材料及びめっき層３５の構成材料は、例えば、それぞれ銅、ニッケル及びスズである。めっき層３４は、第１方向ＤＲ１における表面１２ａの一方端部上に配置されている。めっき層３４は、第１方向ＤＲ１における表面１２ｂの一方端部上にも配置されている。めっき層３５は、めっき層３４上に配置されている。めっき層３５は、第１方向ＤＲ１における一方端にある抵抗体１２の側面上にも配置されている。めっき層３６は、めっき層３５上に配置されている。
【0053】
抵抗器３００では、電極４０が、めっき層４４と、めっき層４５と、めっき層４５とを有している。めっき層４４の構成材料、めっき層４５の構成材料及びめっき層４５の構成材料は、例えば、それぞれ銅、ニッケル及びスズである。めっき層４４は、第１方向ＤＲ１における表面１２ａの他方端部上に配置されている。めっき層４４は、第１方向ＤＲ１における表面１２ｂの他方端部上にも配置されている。めっき層４５は、めっき層４４上に配置されている。めっき層４５は、第１方向ＤＲ１における他方端にある抵抗体１２の側面上にも配置されている。めっき層４６は、めっき層４５上に配置されている。
【0054】
抵抗器３００では、凹部３０ａが第１方向ＤＲ１における抵抗体１２の一方端に達しており、凹部４０ａが第１方向ＤＲ１における抵抗体１２の他方端に達している。抵抗器３００では、保護膜２０が、電極３０及び電極４０から露出している表面１２ａ上に配置されている。より具体的には、保護膜２０は、第１方向ＤＲ１において電極３０と電極４０との間にある表面１２ａ上並びに凹部３０ａ及び凹部４０ａから露出している表面１２ａ上に配置されている。
【0055】
抵抗器３００は、保護膜２１をさらに有している。保護膜２１の構成材料は、例えば、保護膜２０の構成材料と同一である。保護膜２１は、電極３０及び電極４０から露出している表面１２ｂ上に配置されている。これらの点に関して、抵抗器３００の構成は、抵抗器２００の構成と共通している。
【0056】
＜第１変形例＞
上記においては、幅Ｗ２が幅Ｗ１よりも大きい場合の例を説明した。図２１は、第１変形例に係る抵抗器３００の底面図である。図２１に示されているように、抵抗器３００では、幅Ｗ２が幅Ｗ１よりも小さくてもよい。
上記においては、幅Ｗ２が幅Ｗ１よりも大きい場合の例を説明した。図２１は、第１変形例に係る抵抗器３００の底面図である。図２１に示されているように、抵抗器３００では、幅Ｗ２が幅Ｗ１よりも小さくてもよい。
【0057】
＜第２変形例＞
図２２は、第２変形例に係る抵抗器３００の断面図である。図２２に示されているように、抵抗器３００では、電極３０がめっき層３５を有していなくてもよく、電極４０がめっき層４５を有していなくてもよい。この場合、めっき層３４は第１方向ＤＲ１における一方端にある抵抗体１２の側面上にも配置され、めっき層４４は第１方向ＤＲ１における他方端にある抵抗体１２の側面上にも配置される。また、この場合、めっき層３６及びめっき層４６は、それぞれ、めっき層３４上及びめっき層４４上に配置される。また、抵抗器３００では、第１方向ＤＲ１における表面１２ｂの一方端部上にめっき層３４が配置されなくてもよく、第１方向ＤＲ１における表面１２ｂの他方端部上にめっき層４４が配置されなくてもよい。この場合、保護膜２１は、表面１２ｂ上の全面に配置される。
図２２は、第２変形例に係る抵抗器３００の断面図である。図２２に示されているように、抵抗器３００では、電極３０がめっき層３５を有していなくてもよく、電極４０がめっき層４５を有していなくてもよい。この場合、めっき層３４は第１方向ＤＲ１における一方端にある抵抗体１２の側面上にも配置され、めっき層４４は第１方向ＤＲ１における他方端にある抵抗体１２の側面上にも配置される。また、この場合、めっき層３６及びめっき層４６は、それぞれ、めっき層３４上及びめっき層４４上に配置される。また、抵抗器３００では、第１方向ＤＲ１における表面１２ｂの一方端部上にめっき層３４が配置されなくてもよく、第１方向ＤＲ１における表面１２ｂの他方端部上にめっき層４４が配置されなくてもよい。この場合、保護膜２１は、表面１２ｂ上の全面に配置される。
【0058】
＜抵抗器３００の製造方法＞
以下に、抵抗器３００の製造方法を説明する。
以下に、抵抗器３００の製造方法を説明する。
【0059】
図２３は、抵抗器３００の製造方法を示す工程図である。抵抗器３００の製造方法は、図２３に示されているように、準備工程Ｓ８と、保護膜形成工程Ｓ９と、第１めっき工程Ｓ１０と、切断工程Ｓ１１と、第２めっき工程Ｓ１２とを有している。
【0060】
図２４は、準備工程Ｓ８を説明する底面図である。図２４に示されているように、準備工程Ｓ８では、フレーム５０が準備される。フレーム５０には、複数のフレーム１０（抵抗体１２）が含まれている。フレーム５０に含まれている複数の抵抗体１２は、図２４中において、点線により画されている。準備工程Ｓ８の後には、保護膜形成工程Ｓ９が行われる。
【0061】
図２５は、保護膜形成工程Ｓ９を説明する底面図である。図２５に示されるように、保護膜形成工程Ｓ９では、保護膜２０が形成される。保護膜２０は、複数の第１直線部と複数の第２直線部とを有している。複数の第１直線部の各々は、第１方向ＤＲ１に沿って延在している。複数の第１直線部は、第２方向ＤＲ２において間隔を空けて並んでいる。複数の第２直線部の各々は、第２方向ＤＲ２に沿って延在している。複数の第２直線部は、第１方向ＤＲ１において間隔を空けて並んでいる。第１直線部及び第２直線部が交差している部分は、フレーム５０に含まれている複数の抵抗体１２の各々の表面１２ａ上に、1箇所存在している。保護膜２０は、保護膜２０の構成材料（未硬化の樹脂材料）が塗布されるとともに塗布された未硬化の樹脂材料を加熱して硬化されることにより形成される。なお、保護膜形成工程Ｓ９では、図示されていないが、保護膜２１も同様の方法により形成されることになる。保護膜形成工程Ｓ９の後には、第１めっき工程Ｓ１０が行われる。
【0062】
図２６は、第１めっき工程Ｓ１０を説明する底面図である。図２６に示されているように、第１めっき工程Ｓ１０では、例えばラックめっきが行われることにより、保護膜２０から露出している表面１２ａ上にめっき層６１が形成される。第１めっき工程Ｓ１０の後には、切断工程Ｓ１１が行われる。切断工程Ｓ１１では、フレーム５０が切断されることにより、複数の抵抗体１２に個片化される。フレーム５０の切断に伴って、めっき層６１は、めっき層３４及びめっき層４２に分離される。切断工程Ｓ１１の後には、第２めっき工程Ｓ１２が行われる。
【0063】
第２めっき工程Ｓ１２では、例えばバレルめっきが行われることにより、めっき層３５及びめっき層３６が順次形成されるとともに、めっき層４５及びめっき層４６が順次形成される。めっき層３５及びめっき層３６はめっき層３４上のみにおいて成長し、保護膜２０上において成長しない。同様に、めっき層４５及びめっき層４６はめっき層４４上においてのみ成長し、保護膜２０上において成長しない。このようにして、電極３０及び電極４０には、凹部３０ａ及び凹部４０ａがそれぞれ形成されることになる。以上により、図１８から図２０に示される構造の抵抗器３００が形成される。
【0064】
＜抵抗器３００の効果＞
以下に、抵抗器３００の効果を説明する。
以下に、抵抗器３００の効果を説明する。
【0065】
抵抗器３００では、保護膜形成工程Ｓ９が行われる際に保護膜２０が複数の第１直線部及び複数の第２直線部を有するように形成することで、電極３０及び電極４０にそれぞれ凹部３０ａ及び凹部４０ａが形成される。このように、抵抗器３００は、新たな工程を追加することなく抵抗器３００を４端子化が可能であり、例えばシャント抵抗器として利用することが可能である。
【0066】
（付記）
上記の実施形態には、以下の構成が含まれている。
上記の実施形態には、以下の構成が含まれている。
【0067】
＜付記１＞
抵抗器であって、
抵抗体と樹脂層とを有するフレームと、
保護膜と、
第１電極及び第２電極とを備え、
前記抵抗体は、表面を有し、前記表面が露出するように前記樹脂層に埋設されており、
前記保護膜は、第１方向における前記表面の中央部上に配置されており、
前記第１電極は、前記第１方向における前記表面の一方端部上に配置されており、前記保護膜上に達するように延在しており、
前記第２電極は、前記第１方向における前記表面の他方端部上に配置されており、前記保護膜上に達するように延在しており、
前記第１方向に直交する第２方向における前記抵抗器の幅は、前記第１方向における前記抵抗器の幅よりも大きい、抵抗器。
抵抗器であって、
抵抗体と樹脂層とを有するフレームと、
保護膜と、
第１電極及び第２電極とを備え、
前記抵抗体は、表面を有し、前記表面が露出するように前記樹脂層に埋設されており、
前記保護膜は、第１方向における前記表面の中央部上に配置されており、
前記第１電極は、前記第１方向における前記表面の一方端部上に配置されており、前記保護膜上に達するように延在しており、
前記第２電極は、前記第１方向における前記表面の他方端部上に配置されており、前記保護膜上に達するように延在しており、
前記第１方向に直交する第２方向における前記抵抗器の幅は、前記第１方向における前記抵抗器の幅よりも大きい、抵抗器。
【0068】
＜付記２＞
前記第２方向における前記抵抗器の幅は、３．２ｍｍ以下である、付記１に記載の抵抗器。
前記第２方向における前記抵抗器の幅は、３．２ｍｍ以下である、付記１に記載の抵抗器。
【0069】
＜付記３＞
抵抗器であって、
抵抗体を有するフレームと、
第１電極及び第２電極と、
保護膜とを備え、
前記抵抗体は、表面を有し、
前記第１電極は、第１方向における前記表面の一方端部上に配置されており、
前記第２電極は、前記第１方向における前記表面の他方端部上に配置されており、
前記第２電極側の端にある前記第１電極の端及び前記第１電極側の端にある前記第２電極の端には、それぞれ、第１凹部及び第２凹部が形成されており、
前記保護膜は、少なくとも前記第１電極及び前記第２電極から露出している前記表面上に配置されている、抵抗器。
抵抗器であって、
抵抗体を有するフレームと、
第１電極及び第２電極と、
保護膜とを備え、
前記抵抗体は、表面を有し、
前記第１電極は、第１方向における前記表面の一方端部上に配置されており、
前記第２電極は、前記第１方向における前記表面の他方端部上に配置されており、
前記第２電極側の端にある前記第１電極の端及び前記第１電極側の端にある前記第２電極の端には、それぞれ、第１凹部及び第２凹部が形成されており、
前記保護膜は、少なくとも前記第１電極及び前記第２電極から露出している前記表面上に配置されている、抵抗器。
【0070】
＜付記４＞
前記第１方向に直交する第２方向における前記抵抗器の幅は、前記第１方向における前記抵抗器の幅よりも大きい、付記３に記載の抵抗器。
前記第１方向に直交する第２方向における前記抵抗器の幅は、前記第１方向における前記抵抗器の幅よりも大きい、付記３に記載の抵抗器。
【0071】
＜付記５＞
前記第１方向における前記抵抗器の幅は、前記第１方向に直交する第２方向における前記抵抗器の幅よりも大きい、付記３に記載の抵抗器。
前記第１方向における前記抵抗器の幅は、前記第１方向に直交する第２方向における前記抵抗器の幅よりも大きい、付記３に記載の抵抗器。
【0072】
＜付記６＞
前記フレームは、樹脂層をさらに有し、
前記抵抗体は、前記表面が露出するように前記樹脂層に埋設されており、
前記保護膜は、前記第１方向における前記表面の中央部上に配置されており、
前記第１電極及び前記第２電極の各々は、前記保護膜上に達するように延在している、付記３から付記５のいずれか１項に記載の抵抗器。
前記フレームは、樹脂層をさらに有し、
前記抵抗体は、前記表面が露出するように前記樹脂層に埋設されており、
前記保護膜は、前記第１方向における前記表面の中央部上に配置されており、
前記第１電極及び前記第２電極の各々は、前記保護膜上に達するように延在している、付記３から付記５のいずれか１項に記載の抵抗器。
【0073】
＜付記７＞
前記フレームは、前記抵抗体のみからなり、
前記第１凹部は、前記第１方向における前記抵抗体の一方端に達しており、
前記第２凹部は、前記第１方向における前記抵抗体の他方端に達している、付記３から付記５のいずれか１項に記載の抵抗器。
前記フレームは、前記抵抗体のみからなり、
前記第１凹部は、前記第１方向における前記抵抗体の一方端に達しており、
前記第２凹部は、前記第１方向における前記抵抗体の他方端に達している、付記３から付記５のいずれか１項に記載の抵抗器。
【0074】
以上のように本開示の実施形態について説明を行ったが、上述の実施形態を様々に変形することも可能である。また、本発明の範囲は、上述の実施形態に限定されるものではない。本発明の範囲は、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内での全ての変更を含むことが意図される。
【符号の説明】
【0075】
１０ フレーム、１１ 樹脂層、１２ 抵抗体、１２ａ，１２ｂ 表面、２０，２１ 保護膜、３０ 電極、３０ａ 凹部、３０ｂ 第１部分、３０ｃ 第２部分、３１，３２ 下地層、３３，３４，３５，３６ めっき層、４０ 電極、４０ａ 凹部、４０ｂ 第１部分、４０ｃ 第２部分、４１，４２ 下地層、４３，４４，４５，４６ めっき層、５０ フレーム、６０ 下地層、６０ａ 開口部、６１ めっき層、１００，１００Ａ，２００，３００ 抵抗器、ＣＬ１，ＣＬ２ 切断線、ＤＲ１ 第１方向、ＤＲ２ 第２方向、Ｓ１ 準備工程、Ｓ２ 第１下地層形成工程、Ｓ３ 保護膜形成工程、Ｓ４ 第２下地層形成工程、Ｓ５ 第１切断工程、Ｓ６ 第２切断工程、Ｓ７ めっき工程、Ｓ８ 準備工程、Ｓ９ 保護膜形成工程、Ｓ１０ 第１めっき工程、Ｓ１１ 切断工程、Ｓ１２ 第２めっき工程、Ｗ１，Ｗ２ 幅。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】