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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024176738
(43)【公開日】2024-12-19
(54)【発明の名称】表示装置の製造方法および製造装置
(51)【国際特許分類】
H10K 71/16 20230101AFI20241212BHJP
H10K 59/122 20230101ALI20241212BHJP
H10K 59/173 20230101ALI20241212BHJP
H10K 71/60 20230101ALI20241212BHJP
H10K 50/81 20230101ALI20241212BHJP
H10K 50/82 20230101ALI20241212BHJP
H10K 50/15 20230101ALI20241212BHJP
H10K 50/16 20230101ALI20241212BHJP
H10K 50/17 20230101ALI20241212BHJP
H10K 50/858 20230101ALI20241212BHJP
H10K 50/844 20230101ALI20241212BHJP
G09F 9/30 20060101ALI20241212BHJP
G09F 9/00 20060101ALI20241212BHJP
C23C 14/12 20060101ALI20241212BHJP
C23C 14/24 20060101ALI20241212BHJP
【ＦＩ】
H10K71/16
H10K59/122
H10K59/173
H10K71/60
H10K50/81
H10K50/82
H10K50/15
H10K50/16
H10K50/17
H10K50/858
H10K50/844
G09F9/30 365
G09F9/30 349Z
G09F9/00 338
C23C14/12
C23C14/24 A
【審査請求】未請求
【請求項の数】24
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023095512
(22)【出願日】2023-06-09
(71)【出願人】
【識別番号】502356528
【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ
(74)【代理人】
【識別番号】110001737
【氏名又は名称】弁理士法人スズエ国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】高山 健
(72)【発明者】
【氏名】福田 加一
(72)【発明者】
【氏名】竹中 貴史
(72)【発明者】
【氏名】水越 寛文
(72)【発明者】
【氏名】濱田 夕慎
【テーマコード（参考）】
3K107
4K029
5C094
5G435
【Ｆターム（参考）】
3K107AA01
3K107BB01
3K107CC41
3K107CC45
3K107DD71
3K107DD74
3K107DD78
3K107DD89
3K107EE21
3K107GG04
3K107GG36
4K029AA11
4K029CA01
4K029DB06
4K029DB12
4K029DB14
4K029KA01
5C094AA32
5C094AA42
5C094BA03
5C094BA27
5C094CA19
5C094FA01
5C094FA02
5C094FA03
5C094FB05
5C094GB01
5C094JA08
5G435AA17
5G435BB05
5G435CC09
5G435KK05
5G435KK10
(57)【要約】
【課題】 表示領域に設けられた配線と表示素子の上電極を良好に接続可能な構成を提供する。
【解決手段】 実施形態によれば、表示装置の製造方法は、下電極と、下電極と重なる画素開口を有するリブと、下部および下部の側面から突出した上部を有する隔壁とを含む基板を用意し、画素開口を通じて下電極に接触する有機層を基板に対し蒸着で形成し、有機層を覆うとともに隔壁の下部に接触する上電極を基板に対し蒸着で形成する、ことを含む。有機層の第１薄膜の形成に用いられる第１蒸着源は、第１蒸着源に対して相対的に移動する基板に向けて材料を放出する第１ノズルを備える。上電極の形成に用いられる第２蒸着源は、第２蒸着源に対して相対的に移動する基板に向けて材料を放出する第２ノズルを備える。第１および第２ノズルの少なくとも一方の軸は、平面視において基板の移動方向と直交する方向に向けて基板の法線方向に対し傾斜している。
【選択図】 図９
【解決手段】 実施形態によれば、表示装置の製造方法は、下電極と、下電極と重なる画素開口を有するリブと、下部および下部の側面から突出した上部を有する隔壁とを含む基板を用意し、画素開口を通じて下電極に接触する有機層を基板に対し蒸着で形成し、有機層を覆うとともに隔壁の下部に接触する上電極を基板に対し蒸着で形成する、ことを含む。有機層の第１薄膜の形成に用いられる第１蒸着源は、第１蒸着源に対して相対的に移動する基板に向けて材料を放出する第１ノズルを備える。上電極の形成に用いられる第２蒸着源は、第２蒸着源に対して相対的に移動する基板に向けて材料を放出する第２ノズルを備える。第１および第２ノズルの少なくとも一方の軸は、平面視において基板の移動方向と直交する方向に向けて基板の法線方向に対し傾斜している。
【選択図】 図９
【特許請求の範囲】
【請求項1】
下電極と、前記下電極と重なる画素開口を有するリブと、前記リブの上に配置された導電性の下部および前記下部の側面から突出した上部を有する隔壁と、を含む基板を用意し、
前記画素開口を通じて前記下電極に接触するとともに電圧の印加に応じて発光する有機層を前記基板に対して蒸着によって形成し、
前記有機層を覆うとともに前記隔壁の前記下部に接触する上電極を前記基板に対して蒸着によって形成する、
ことを含み、
前記有機層は、第１薄膜を含み、
前記第１薄膜の形成に用いられる第１蒸着源は、前記第１蒸着源に対して相対的に移動する前記基板に向けて気化された材料を放出する第１ノズルを備え、
前記上電極の形成に用いられる第２蒸着源は、前記第２蒸着源に対して相対的に移動する前記基板に向けて気化された材料を放出する第２ノズルを備え、
前記第１ノズルおよび前記第２ノズルの少なくとも一方の軸は、平面視において前記基板の移動方向と直交する方向に向けて、前記基板の法線方向に対し傾斜している、
表示装置の製造方法。
前記画素開口を通じて前記下電極に接触するとともに電圧の印加に応じて発光する有機層を前記基板に対して蒸着によって形成し、
前記有機層を覆うとともに前記隔壁の前記下部に接触する上電極を前記基板に対して蒸着によって形成する、
ことを含み、
前記有機層は、第１薄膜を含み、
前記第１薄膜の形成に用いられる第１蒸着源は、前記第１蒸着源に対して相対的に移動する前記基板に向けて気化された材料を放出する第１ノズルを備え、
前記上電極の形成に用いられる第２蒸着源は、前記第２蒸着源に対して相対的に移動する前記基板に向けて気化された材料を放出する第２ノズルを備え、
前記第１ノズルおよび前記第２ノズルの少なくとも一方の軸は、平面視において前記基板の移動方向と直交する方向に向けて、前記基板の法線方向に対し傾斜している、
表示装置の製造方法。
【請求項2】
前記第１ノズルの軸は、平面視において前記移動方向と直交する第１側方に向けて、前記法線方向に対し傾斜しており、
前記第２ノズルの軸は、前記第１側方と反対の第２側方に向けて、前記法線方向に対し傾斜している、
請求項１に記載の表示装置の製造方法。
前記第２ノズルの軸は、前記第１側方と反対の第２側方に向けて、前記法線方向に対し傾斜している、
請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項3】
前記第１蒸着源は、平面視において前記移動方向と直交する方向に並ぶ複数の前記第１ノズルを備え、
前記複数の第１ノズルの各々の軸が前記第１側方に向けて傾斜している、
請求項２に記載の表示装置の製造方法。
前記複数の第１ノズルの各々の軸が前記第１側方に向けて傾斜している、
請求項２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項4】
前記第２蒸着源は、平面視において前記移動方向と直交する方向に並ぶ複数の前記第２ノズルを備え、
前記複数の第２ノズルの各々の軸が前記第２側方に向けて傾斜している、
請求項２に記載の表示装置の製造方法。
前記複数の第２ノズルの各々の軸が前記第２側方に向けて傾斜している、
請求項２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項5】
前記有機層は、第２薄膜を含み、
前記第２薄膜の形成に用いられる第３蒸着源は、気化された材料を放出する第３ノズルを備え、
前記第３ノズルの軸は、前記法線方向と平行である、
請求項２に記載の表示装置の製造方法。
前記第２薄膜の形成に用いられる第３蒸着源は、気化された材料を放出する第３ノズルを備え、
前記第３ノズルの軸は、前記法線方向と平行である、
請求項２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項6】
前記第３蒸着源は、前記第３ノズルを囲うとともに、前記第３ノズルの全周にわたり同等の高さを有したシールドをさらに備えている、
請求項５に記載の表示装置の製造方法。
請求項５に記載の表示装置の製造方法。
【請求項7】
前記第１薄膜は、正孔輸送層、電子ブロッキング層、発光層、正孔ブロッキング層、電子輸送層および電子注入層のいずれかである、
請求項５に記載の表示装置の製造方法。
請求項５に記載の表示装置の製造方法。
【請求項8】
前記第２薄膜は、正孔注入層である、
請求項７に記載の表示装置の製造方法。
請求項７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項9】
前記隔壁は、前記画素開口を挟むように配置された第１隔壁および第２隔壁を有し、
前記第１隔壁の前記上部は、第１端部を有し、
前記第２隔壁の前記上部は、第２端部を有し、
前記有機層は、前記第１端部の直下における厚さが、前記第２端部の直下における厚さよりも小さくなるように形成される、
請求項２に記載の表示装置の製造方法。
前記第１隔壁の前記上部は、第１端部を有し、
前記第２隔壁の前記上部は、第２端部を有し、
前記有機層は、前記第１端部の直下における厚さが、前記第２端部の直下における厚さよりも小さくなるように形成される、
請求項２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項10】
前記上電極は、前記第１端部の直下における厚さが、前記第２端部の直下における厚さよりも大きくなるように形成される、
請求項９に記載の表示装置の製造方法。
請求項９に記載の表示装置の製造方法。
【請求項11】
前記第１薄膜および前記上電極を形成する際に、静止した前記第１蒸着源および前記第２蒸着源に対して前記基板を移動させる、
請求項１に記載の表示装置の製造方法。
請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項12】
前記第１薄膜および前記上電極を形成する際に、静止した前記基板に対して前記第１蒸着源および前記第２蒸着源を移動させる、
請求項１に記載の表示装置の製造方法。
請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項13】
前記上電極を覆うキャップ層を形成することをさらに含む、
請求項１乃至１２のうちいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
請求項１乃至１２のうちいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項14】
前記キャップ層および前記隔壁を連続的に覆う封止層を形成することをさらに含む、
請求項１３に記載の表示装置の製造方法。
請求項１３に記載の表示装置の製造方法。
【請求項15】
下電極と、前記下電極と重なる画素開口を有するリブと、前記リブの上に配置された導電性の下部および前記下部の側面から突出した上部を有する隔壁と、を含む基板に対し、前記画素開口を通じて前記下電極に接触するとともに電圧の印加に応じて発光する有機層を形成する第１蒸着装置と、
前記有機層を覆うとともに前記隔壁の前記下部に接触する上電極を前記基板に対して形成する第２蒸着装置と、
を備え、
前記有機層は、第１薄膜を含み、
前記第１蒸着装置は、第１ノズルが設けられた第１蒸着源を備え、前記第１ノズルは、前記第１蒸着源に対して相対的に移動する前記基板に向けて、気化された前記第１薄膜の材料を放出し、
前記第２蒸着装置は、第２ノズルが設けられた第２蒸着源を備え、前記第２ノズルは、前記第２蒸着源に対して相対的に移動する前記基板に向けて、気化された前記上電極の材料を放出し、
前記第１ノズルおよび前記第２ノズルの少なくとも一方の軸は、平面視において前記基板の移動方向と直交する方向に向けて、前記基板の法線方向に対し傾斜している、
表示装置の製造装置。
前記有機層を覆うとともに前記隔壁の前記下部に接触する上電極を前記基板に対して形成する第２蒸着装置と、
を備え、
前記有機層は、第１薄膜を含み、
前記第１蒸着装置は、第１ノズルが設けられた第１蒸着源を備え、前記第１ノズルは、前記第１蒸着源に対して相対的に移動する前記基板に向けて、気化された前記第１薄膜の材料を放出し、
前記第２蒸着装置は、第２ノズルが設けられた第２蒸着源を備え、前記第２ノズルは、前記第２蒸着源に対して相対的に移動する前記基板に向けて、気化された前記上電極の材料を放出し、
前記第１ノズルおよび前記第２ノズルの少なくとも一方の軸は、平面視において前記基板の移動方向と直交する方向に向けて、前記基板の法線方向に対し傾斜している、
表示装置の製造装置。
【請求項16】
前記第１ノズルの軸は、平面視において前記移動方向と直交する第１側方に向けて、前記法線方向に対し傾斜しており、
前記第２ノズルの軸は、前記第１側方と反対の第２側方に向けて、前記法線方向に対し傾斜している、
請求項１５に記載の表示装置の製造装置。
前記第２ノズルの軸は、前記第１側方と反対の第２側方に向けて、前記法線方向に対し傾斜している、
請求項１５に記載の表示装置の製造装置。
【請求項17】
前記第１蒸着源は、平面視において前記移動方向と直交する方向に並ぶ複数の前記第１ノズルを備え、
前記複数の第１ノズルの各々の軸が前記第１側方に向けて傾斜している、
請求項１６に記載の表示装置の製造装置。
前記複数の第１ノズルの各々の軸が前記第１側方に向けて傾斜している、
請求項１６に記載の表示装置の製造装置。
【請求項18】
前記第２蒸着源は、平面視において前記移動方向と直交する方向に並ぶ複数の前記第２ノズルを備え、
前記複数の第２ノズルの各々の軸が前記第２側方に向けて傾斜している、
請求項１６に記載の表示装置の製造装置。
前記複数の第２ノズルの各々の軸が前記第２側方に向けて傾斜している、
請求項１６に記載の表示装置の製造装置。
【請求項19】
前記有機層は、第２薄膜を含み、
前記第２薄膜の形成に用いられる第３蒸着源は、気化された材料を放出する第３ノズルを備え、
前記第３ノズルの軸は、前記法線方向と平行である、
請求項１６に記載の表示装置の製造装置。
前記第２薄膜の形成に用いられる第３蒸着源は、気化された材料を放出する第３ノズルを備え、
前記第３ノズルの軸は、前記法線方向と平行である、
請求項１６に記載の表示装置の製造装置。
【請求項20】
前記第３蒸着源は、前記第３ノズルを囲うとともに、前記第３ノズルの全周にわたり同等の高さを有したシールドをさらに備えている、
請求項１９に記載の表示装置の製造装置。
請求項１９に記載の表示装置の製造装置。
【請求項21】
前記第１薄膜は、正孔輸送層、電子ブロッキング層、発光層、正孔ブロッキング層、電子輸送層および電子注入層のいずれかである、
請求項１９に記載の表示装置の製造装置。
請求項１９に記載の表示装置の製造装置。
【請求項22】
前記第２薄膜は、正孔注入層である、
請求項２１に記載の表示装置の製造装置。
請求項２１に記載の表示装置の製造装置。
【請求項23】
前記第１薄膜および前記上電極を形成する際に、静止した前記第１蒸着源および前記第２蒸着源に対して前記基板を移動させる、
請求項１５に記載の表示装置の製造装置。
請求項１５に記載の表示装置の製造装置。
【請求項24】
前記第１薄膜および前記上電極を形成する際に、静止した前記基板に対して前記第１蒸着源および前記第２蒸着源を移動させる、
請求項１５に記載の表示装置の製造装置。
請求項１５に記載の表示装置の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、表示装置の製造方法および製造装置に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を適用した表示装置が実用化されている。この表示素子は、下電極と、下電極を覆う有機層と、有機層を覆う上電極とを備えている。各表示素子の上電極には、表示領域に配置された配線を通じて共通電圧が印加される。
【0003】
有機層および上電極は、上記配線が設けられた基板に対して蒸着によって形成される。この場合において、先に形成される有機層により、上電極と配線の接続が阻害される可能性がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０００－１９５６７７号公報
【特許文献2】特開２００４－２０７２１７号公報
【特許文献3】特開２００８－１３５３２５号公報
【特許文献4】特開２００９－３２６７３号公報
【特許文献5】特開２０１０－１１８１９１号公報
【特許文献6】国際公開第２０１８／１７９３０８号
【特許文献7】米国特許出願公開第２０２２／００７７２５１号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明は、表示領域に設けられた配線と表示素子の上電極を良好に接続可能な表示装置の製造方法および製造装置を提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
概して、実施形態によれば、表示装置の製造方法は、下電極と、前記下電極と重なる画素開口を有するリブと、前記リブの上に配置された導電性の下部および前記下部の側面から突出した上部を有する隔壁と、を含む基板を用意し、前記画素開口を通じて前記下電極に接触するとともに電圧の印加に応じて発光する有機層を前記基板に対して蒸着によって形成し、前記有機層を覆うとともに前記隔壁の前記下部に接触する上電極を前記基板に対して蒸着によって形成する、ことを含む。前記有機層は、第１薄膜を含む。前記第１薄膜の形成に用いられる第１蒸着源は、前記第１蒸着源に対して相対的に移動する前記基板に向けて気化された材料を放出する第１ノズルを備えている。前記上電極の形成に用いられる第２蒸着源は、前記第２蒸着源に対して相対的に移動する前記基板に向けて気化された材料を放出する第２ノズルを備えている。さらに、前記第１ノズルおよび前記第２ノズルの少なくとも一方の軸は、平面視において前記基板の移動方向と直交する方向に向けて、前記基板の法線方向に対し傾斜している。
【0007】
また、実施形態によれば、表示装置の製造装置は、下電極、前記下電極と重なる画素開口を有するリブ、および、前記リブの上に配置された導電性の下部および前記下部の側面から突出した上部を有する隔壁を含む基板に対し、前記画素開口を通じて前記下電極に接触するとともに電圧の印加に応じて発光する有機層を形成する第１蒸着装置と、前記有機層を覆うとともに前記隔壁の前記下部に接触する上電極を前記基板に対して形成する第２蒸着装置と、を備えている。前記有機層は、第１薄膜を含む。前記第１蒸着装置は、第１ノズルが設けられた第１蒸着源を備え、前記第１ノズルは、前記第１蒸着源に対して相対的に移動する前記基板に向けて、気化された前記第１薄膜の材料を放出する。前記第２蒸着装置は、第２ノズルが設けられた第２蒸着源を備え、前記第２ノズルは、前記第２蒸着源に対して相対的に移動する前記基板に向けて、気化された前記上電極の材料を放出する。さらに、前記第１ノズルおよび前記第２ノズルの少なくとも一方の軸は、平面視において前記基板の移動方向と直交する方向に向けて、前記基板の法線方向に対し傾斜している。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【発明を実施するための形態】
【0009】
いくつかの実施形態について図面を参照しながら説明する。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
【0010】
なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向をＸ方向と称し、Ｙ軸に沿った方向をＹ方向と称し、Ｚ軸に沿った方向をＺ方向と称する。Ｚ方向は、Ｘ方向とＹ方向を含む平面の法線方向である。また、Ｚ方向と平行に各種要素を見ることを平面視という。
【0011】
各実施形態に係る表示装置は、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パーソナルコンピュータ、車載機器、タブレット端末、スマートフォン、携帯電話端末、ウェアラブル端末等の各種の電子機器に搭載され得る。
【0012】
図１は、一実施形態に係る表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０を備えている。基板１０は、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周辺の周辺領域ＳＡとを有している。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。
【0013】
本実施形態においては、平面視における基板１０の形状が長方形である。ただし、基板１０の平面視における形状は長方形に限られず、正方形、円形あるいは楕円形などの他の形状であってもよい。
【0014】
表示領域ＤＡは、Ｘ方向およびＹ方向にマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、異なる色を表示する複数の副画素ＳＰを含む。本実施形態においては、画素ＰＸが青色の副画素ＳＰ１と、緑色の副画素ＳＰ２と、赤色の副画素ＳＰ３とを含む場合を想定する。ただし、画素ＰＸは、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３とともに、あるいは副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のいずれかに代えて、白色などの他の色の副画素ＳＰを含んでもよい。
【0015】
副画素ＳＰは、画素回路１と、画素回路１によって駆動される表示素子ＤＥとを備えている。画素回路１は、画素スイッチ２と、駆動トランジスタ３と、キャパシタ４とを備えている。画素スイッチ２および駆動トランジスタ３は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイッチング素子である。
【0016】
表示領域ＤＡには、各副画素ＳＰの画素回路１に走査信号を供給する複数の走査線ＧＬと、各副画素ＳＰの画素回路１に映像信号を供給する複数の信号線ＳＬと、複数の電源線ＰＬとが配置されている。図１の例においては、走査線ＧＬおよび電源線ＰＬがＸ方向に延び、信号線ＳＬがＹ方向に延びている。
【0017】
画素スイッチ２のゲート電極は、走査線ＧＬに接続されている。画素スイッチ２のソース電極およびドレイン電極の一方は信号線ＳＬに接続され、他方は駆動トランジスタ３のゲート電極およびキャパシタ４に接続されている。駆動トランジスタ３において、ソース電極およびドレイン電極の一方は電源線ＰＬおよびキャパシタ４に接続され、他方は表示素子ＤＥに接続されている。
【0018】
なお、画素回路１の構成は図示した例に限られない。例えば、画素回路１は、より多くの薄膜トランジスタおよびキャパシタを備えてもよい。
【0019】
図２は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトの一例を示す概略的な平面図である。図２の例においては、副画素ＳＰ２，ＳＰ３がそれぞれ副画素ＳＰ１とＸ方向に並んでいる。さらに、副画素ＳＰ２と副画素ＳＰ３がＹ方向に並んでいる。
【0020】
副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がこのようなレイアウトである場合、表示領域ＤＡには、副画素ＳＰ２，ＳＰ３がＹ方向に交互に配置された列と、複数の副画素ＳＰ１がＹ方向に繰り返し配置された列とが形成される。これらの列は、Ｘ方向に交互に並ぶ。なお、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトは図２の例に限られない。
【0021】
表示領域ＤＡには、リブ５が配置されている。リブ５は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３においてそれぞれ画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を有している。図２の例においては、画素開口ＡＰ１が画素開口ＡＰ２よりも大きく、画素開口ＡＰ２が画素開口ＡＰ３よりも大きい。すなわち、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のうちで副画素ＳＰ１の開口率が最も大きく、副画素ＳＰ３の開口率が最も小さい。
【0022】
副画素ＳＰ１は、画素開口ＡＰ１とそれぞれ重なる下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１を備えている。副画素ＳＰ２は、画素開口ＡＰ２とそれぞれ重なる下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２を備えている。副画素ＳＰ３は、画素開口ＡＰ３とそれぞれ重なる下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３を備えている。
【0023】
下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１のうち画素開口ＡＰ１と重なる部分は、副画素ＳＰ１の表示素子ＤＥ１を構成する。下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２のうち画素開口ＡＰ２と重なる部分は、副画素ＳＰ２の表示素子ＤＥ２を構成する。下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３のうち画素開口ＡＰ３と重なる部分は、副画素ＳＰ３の表示素子ＤＥ３を構成する。表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３は、後述するキャップ層をさらに含んでもよい。リブ５は、これら表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３の各々を囲っている。
【0024】
リブ５の上には、導電性の隔壁６が配置されている。隔壁６は、全体的にリブ５と重なっており、リブ５と同様の平面形状を有している。すなわち、隔壁６は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３においてそれぞれ開口を有している。他の観点からいうと、リブ５および隔壁６は、平面視において格子状であり、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のそれぞれを囲っている。隔壁６は、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３に共通電圧を供給する配線としての役割を有している。
【0025】
図３は、図２中のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。上述の基板１０の上に回路層１１が配置されている。回路層１１は、図１に示した画素回路１、走査線ＧＬ、信号線ＳＬおよび電源線ＰＬなどの各種回路や配線を含む。回路層１１は、有機絶縁層１２により覆われている。有機絶縁層１２は、回路層１１により生じる凹凸を平坦化する平坦化膜として機能する。
【0026】
下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、有機絶縁層１２の上に配置されている。リブ５は、有機絶縁層１２および下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の上に配置されている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の端部は、リブ５により覆われている。図３の断面には表れていないが、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、それぞれ有機絶縁層１２に設けられたコンタクトホールを通じて回路層１１の画素回路１に接続されている。
【0027】
隔壁６は、リブ５の上に配置された導電性を有する下部６１と、下部６１の上に配置された上部６２とを含む。上部６２は、下部６１よりも大きい幅を有している。これにより、上部６２の両端部が下部６１の側面よりも突出している。このような隔壁６の形状は、オーバーハング状と呼ばれる。
【0028】
図３の例において、下部６１は、リブ５の上に配置されたボトム層６３と、ボトム層６３の上に配置された軸層６４とを有している。例えば、ボトム層６３は、軸層６４よりも薄く形成されている。また、図３の例においては、ボトム層６３の両端部が軸層６４の側面から突出している。
【0029】
有機層ＯＲ１は、画素開口ＡＰ１を通じて下電極ＬＥ１を覆っている。上電極ＵＥ１は、有機層ＯＲ１を覆い、下電極ＬＥ１と対向している。有機層ＯＲ２は、画素開口ＡＰ２を通じて下電極ＬＥ２を覆っている。上電極ＵＥ２は、有機層ＯＲ２を覆い、下電極ＬＥ２と対向している。有機層ＯＲ３は、画素開口ＡＰ３を通じて下電極ＬＥ３を覆っている。上電極ＵＥ３は、有機層ＯＲ３を覆い、下電極ＬＥ３と対向している。上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、隔壁６の下部６１の側面に接触している。
【0030】
表示素子ＤＥ１は、上電極ＵＥ１の上に配置されたキャップ層ＣＰ１を含む。表示素子ＤＥ２は、上電極ＵＥ２の上に配置されたキャップ層ＣＰ２を含む。表示素子ＤＥ３は、上電極ＵＥ３の上に配置されたキャップ層ＣＰ３を含む。キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は、それぞれ有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３が発する光の取り出し効率を向上させる光学調整層としての役割を有している。
【0031】
以下の説明においては、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１およびキャップ層ＣＰ１を含む多層体を積層膜ＦＬ１と呼び、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２およびキャップ層ＣＰ２を含む多層体を積層膜ＦＬ２と呼び、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３およびキャップ層ＣＰ３を含む多層体を積層膜ＦＬ３と呼ぶ。
【0032】
積層膜ＦＬ１の一部は、上部６２の上に位置している。当該一部は、積層膜ＦＬ１のうち隔壁６の下に位置する部分（表示素子ＤＥ１を構成する部分）と離間している。同様に、積層膜ＦＬ２の一部は上部６２の上に位置し、当該一部は積層膜ＦＬ２のうち隔壁６の下に位置する部分（表示素子ＤＥ２を構成する部分）と離間している。さらに、積層膜ＦＬ３の一部は上部６２の上に位置し、当該一部は積層膜ＦＬ３のうち隔壁６の下に位置する部分（表示素子ＤＥ３を構成する部分）と離間している。
【0033】
副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３には、それぞれ封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３が配置されている。封止層ＳＥ１は、キャップ層ＣＰ１や副画素ＳＰ１の周囲の隔壁６を連続的に覆っている。封止層ＳＥ２は、キャップ層ＣＰ２や副画素ＳＰ２の周囲の隔壁６を連続的に覆っている。封止層ＳＥ３は、キャップ層ＣＰ３や副画素ＳＰ３の周囲の隔壁６を連続的に覆っている。
【0034】
図３の例においては、副画素ＳＰ１，ＳＰ２の間の隔壁６上の積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１が、当該隔壁６上の積層膜ＦＬ２および封止層ＳＥ２と離間している。また、副画素ＳＰ１，ＳＰ３の間の隔壁６上の積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１が、当該隔壁６上の積層膜ＦＬ３および封止層ＳＥ３と離間している。
【0035】
封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、樹脂層１３により覆われている。樹脂層１３は、封止層１４により覆われている。封止層１４は、樹脂層１５により覆われている。樹脂層１３，１５および封止層１４は、少なくとも表示領域ＤＡの全体に連続的に設けられ、その一部が周辺領域ＳＡにも及んでいる。
【0036】
偏光板、タッチパネル、保護フィルムまたはカバーガラスなどのカバー部材が樹脂層１５の上方にさらに配置されてもよい。このようなカバー部材は、例えばＯＣＡ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｃｌｅａｒ Ａｄｈｅｓｉｖｅ）などの接着層を介して樹脂層１５に接着されてもよい。
【0037】
有機絶縁層１２は、ポリイミドなどの有機絶縁材料で形成されている。リブ５および封止層１４，ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）または酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）などの無機絶縁材料で形成されている。一例では、リブ５がシリコン酸窒化物で形成され、封止層１４，ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３がシリコン窒化物で形成されている。樹脂層１３，１５は、例えばエポキシ樹脂やアクリル樹脂などの樹脂材料（有機絶縁材料）で形成されている。
【0038】
下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、例えば銀で形成された反射層と、この反射層の上面および下面をそれぞれ覆う一対の導電性酸化物層とを有している。各導電性酸化物層は、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）またはＩＧＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｇａｌｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）などの透明な導電性酸化物で形成することができる。
【0039】
上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、例えばマグネシウムと銀の合金（ＭｇＡｇ）などの金属材料で形成されている。例えば、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３はアノードに相当し、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３はカソードに相当する。
【0040】
図４は、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３に適用し得る層構造の一例を示す図である。有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、発光層ＥＭＬを含む複数の薄膜によって構成されている。本実施形態においては、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３が正孔注入層ＨＩＬ、正孔輸送層ＨＴＬ、電子ブロッキング層ＥＢＬ、発光層ＥＭＬ、正孔ブロッキング層ＨＢＬ、電子輸送層ＥＴＬおよび電子注入層ＥＩＬをＺ方向に順に積層した構造を有する場合を想定する。ただし、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、複数の発光層ＥＭＬを含むいわゆるタンデム構造などの他の構造を有してもよい。
【0041】
キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は、例えば複数の透明層が重ねられた積層構造を有している。これら透明層は、無機材料によって形成された層および有機材料によって形成された層を含み得る。また、これら透明層は、互いに異なる屈折率を有している。例えば、これら透明層の屈折率は、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３の屈折率および封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３の屈折率と異なる。なお、キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３の少なくとも１つが省略されてもよい。
【0042】
隔壁６のボトム層６３および軸層６４は、金属材料によって形成されている。ボトム層６３の金属材料としては、例えば、モリブデン、チタン、窒化チタン（ＴｉＮ）、モリブデン－タングステン合金（ＭｏＷ）またはモリブデン－ニオブ合金（ＭｏＮｂ）を用いることができる。軸層６４の金属材料としては、例えばアルミニウム、アルミニウム－ネオジム合金（ＡｌＮｄ）、アルミニウム－イットリウム合金（ＡｌＹ）またはアルミニウム－シリコン合金（ＡｌＳｉ）を用いることができる。なお、軸層６４が絶縁性の材料で形成されてもよい。
【0043】
例えば、隔壁６の上部６２は、金属材料で形成された下層と、導電性酸化物で形成された上層との積層構造を有している。下層を形成する金属材料としては、例えばチタン、窒化チタン、モリブデン、タングステン、モリブデン－タングステン合金またはモリブデン－ニオブ合金を用いることができる。上層を形成する導電性酸化物としては、例えばＩＴＯまたはＩＺＯを用いることができる。なお、上部６２は、金属材料の単層構造を有してもよい。さらに、上部６２は、絶縁材料で形成された層を含んでもよい。
【0044】
隔壁６には、共通電圧が供給されている。この共通電圧は、下部６１の側面に接触した上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３にそれぞれ供給される。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３には、それぞれ副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３の画素回路１を通じて信号線ＳＬの映像信号に応じた画素電圧が供給される。
【0045】
有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、電圧の印加に応じて発光する。具体的には、下電極ＬＥ１と上電極ＵＥ１の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ１の発光層ＥＭＬが青色の波長域の光を放つ。下電極ＬＥ２と上電極ＵＥ２の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ２の発光層ＥＭＬが緑色の波長域の光を放つ。下電極ＬＥ３と上電極ＵＥ３の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ３の発光層ＥＭＬが赤色の波長域の光を放つ。
【0046】
他の例として、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の発光層ＥＭＬが同一色（例えば白色）の光を放ってもよい。この場合において、表示装置ＤＳＰは、発光層ＥＭＬが放つ光を副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に対応する色の光に変換するカラーフィルタを備えてもよい。また、表示装置ＤＳＰは、発光層ＥＭＬが放つ光により励起して副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に応じた色の光を生成する量子ドットを含んだ層を備えてもよい。
【0047】
図５は、図２中のＶ－Ｖ線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。この図に示す断面は、Ｙ方向およびＺ方向で規定されるＹ－Ｚ断面に相当し、Ｙ方向に並ぶ３つの副画素ＳＰ１を示している。なお、基板１０、回路層１１、樹脂層１３、封止層１４および樹脂層１５は省略している。以下の説明においては、図５中の左側の隔壁６を第１隔壁６Ａと呼び、右側の隔壁６を第２隔壁６Ｂと呼ぶ。これら隔壁６Ａ，６Ｂは、Ｙ方向において図５中の中央の画素開口ＡＰ１を挟むように配置されている。
【0048】
図５の例においては、積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１が隔壁６Ａ，６Ｂの上で途切れていない。すなわち、封止層ＳＥ１は、隔壁６Ａ，６Ｂおよび各副画素ＳＰ１のキャップ層ＣＰ１を連続的に覆っている。
【0049】
図５中の（ａ）（ｂ）に拡大して示すように、有機層ＯＲ１は、第１層Ｌ１と、第１層Ｌ１の上の第２層Ｌ２とを有している。本実施形態においては、第１層Ｌ１が正孔注入層ＨＩＬで構成され、第２層Ｌ２が正孔輸送層ＨＴＬ、電子ブロッキング層ＥＢＬ、発光層ＥＭＬ、正孔ブロッキング層ＨＢＬ、電子輸送層ＥＴＬおよび電子注入層ＥＩＬで構成される場合を想定する。ただし、第１層Ｌ１は、正孔注入層ＨＩＬに加えて正孔輸送層ＨＴＬなどの他の層をさらに含んでもよい。なお、図５（ａ）（ｂ）においてはキャップ層ＣＰ１および封止層ＳＥ１を省略している。
【0050】
第１層Ｌ１および第２層Ｌ２の厚さは、隔壁６Ａ，６Ｂに近づくに連れて減少している。同様に、上電極ＵＥ１の厚さは、隔壁６Ａ，６Ｂに近づくに連れて減少している。
【0051】
第１層Ｌ１は、第１隔壁６Ａ側の端部Ｅ１ａと、第２隔壁６Ｂ側の端部Ｅ１ｂとを有している。有機層ＯＲ１と隔壁６Ａ，６Ｂとの間でのリーク電流の発生を抑制する観点からは、第１層Ｌ１を構成する正孔注入層ＨＩＬが隔壁６と導通していないことが好ましい。すなわち、図５に示すように端部Ｅ１ａ，Ｅ１ｂがそれぞれ隔壁６Ａ，６Ｂのボトム層６３と離間していることが好ましい。ただし、第１層Ｌ１がこれらボトム層６３の少なくとも一方と僅かに接触していてもよい。
【0052】
第２層Ｌ２は、第１隔壁６Ａ側の端部Ｅ２ａと、第２隔壁６Ｂ側の端部Ｅ２ｂとを有している。図５（ａ）（ｂ）の例においては、端部Ｅ２ａ，Ｅ２ｂがそれぞれ隔壁６Ａ，６Ｂのボトム層６３の上に位置している。すなわち、第２層Ｌ２は、隔壁６Ａ，６Ｂのボトム層６３と接触している。他の例として、第２層Ｌ２が第１隔壁６Ａのボトム層６３と接触していなくてもよい。さらに、第２層Ｌ２が隔壁６Ａ，６Ｂのボトム層６３の双方と接触していなくてもよい。
【0053】
図５（ａ）に示すように、端部Ｅ２ａは、第１隔壁６Ａの軸層６４と離間している。これにより、第１隔壁６Ａのボトム層６３の上面には、第２層Ｌ２で覆われていない領域が形成されている。一方、図５（ｂ）の例においては、端部Ｅ２ｂが第２隔壁６Ｂの軸層６４と接触している。これにより、第２隔壁６Ｂのボトム層６３の上面が全体的に第２層Ｌ２で覆われている。他の例として、端部Ｅ２ｂが第２隔壁６Ｂの軸層６４と離間していてもよい。
【0054】
上電極ＵＥ１は、第１隔壁６Ａ側の端部Ｅ３ａと、第２隔壁６Ｂ側の端部Ｅ３ｂとを有している。図５（ａ）の例においては、端部Ｅ３ａが第１隔壁６Ａのボトム層６３の上に位置するとともに、軸層６４に接触している。ただし、端部Ｅ３ａは軸層６４と離間していてもよい。一方、図５（ｂ）の例においては、端部Ｅ３ｂが第２層Ｌ２の上に位置し、第２隔壁６Ｂのボトム層６３および軸層６４と接触していない。他の例として、端部Ｅ３ｂが第２隔壁６Ｂの軸層６４と接触していてもよい。
【0055】
図５（ａ）に鎖線で示す線分Ｖａは、第１隔壁６Ａの上部６２の第１端部６２ａを通り、かつＺ方向と平行な直線である。また、図５（ｂ）に鎖線で示す線分Ｖｂは、第２隔壁６Ｂの上部６２の第２端部６２ｂを通り、かつＺ方向と平行な直線である。
【0056】
線分Ｖａと交わる位置、すなわち第１端部６２ａの直下において、有機層ＯＲ１は、厚さＴ１ａを有している。また、線分Ｖｂと交わる位置、すなわち第２端部６２ｂの直下において、有機層ＯＲ１は、厚さＴ１ｂを有している。厚さＴ１ａ，Ｔ１ｂは、第１層Ｌ１および第２層Ｌ２の合計厚さに相当する。
【0057】
線分Ｖａと交わる位置、すなわち第１端部６２ａの直下において、上電極ＵＥ１は、厚さＴ２ａを有している。また、線分Ｖｂと交わる位置、すなわち第２端部６２ｂの直下において、上電極ＵＥ１は、厚さＴ２ｂを有している。例えば、厚さＴ２ａは、厚さＴ１ａよりも小さい（Ｔ２ａ＜Ｔ１ａ）。また、厚さＴ２ｂは、厚さＴ１ｂよりも小さい（Ｔ２ｂ＜Ｔ１ｂ）。
【0058】
本実施形態においては、厚さＴ１ａが厚さＴ１ｂよりも小さい（Ｔ１ａ＜Ｔ１ｂ）。さらに、厚さＴ２ａが厚さＴ２ｂよりも大きい（Ｔ２ａ＞Ｔ２ｂ）。すなわち、有機層ＯＲ１は第１隔壁６Ａの近傍で薄く、第２隔壁６Ｂの近傍で厚く形成されている。また、上電極ＵＥ１は、第１隔壁６Ａの近傍で厚く、第２隔壁６Ｂの近傍で薄く形成されている。
【0059】
また、本実施形態においては、第１隔壁６Ａの下部６１（ボトム層６３および軸層６４）と有機層ＯＲ１との接触面積が、第２隔壁６Ｂの下部６１と有機層ＯＲ１との接触面積よりも小さい。
【0060】
さらに、第１隔壁６Ａの下部６１と上電極ＵＥ１との接触面積が、第２隔壁６Ｂの下部６１と上電極ＵＥ１との接触面積よりも大きい。図５（ｂ）の例においては、上電極ＵＥ１が第２隔壁６Ｂの下部６１に接触していない。この場合においては、第２隔壁６Ｂの下部６１と上電極ＵＥ１との接触面積は零である。この例に限られず、上電極ＵＥ１が第２隔壁６Ｂのボトム層６３や軸層６４に接触して、上記接触面積が零でなくてもよい。
【0061】
このように、図５の例においては、第１隔壁６Ａの近傍で有機層ＯＲ１を薄くし、かつ上電極ＵＥ１を厚くすることにより、第１隔壁６Ａのボトム層６３と上電極ＵＥ１との接触面積を広く確保している。これにより、上電極ＵＥ１と隔壁６とを良好に導通させることができる。
【0062】
なお、表示領域ＤＡに配置された各副画素ＳＰ１は、いずれも図５の中央に示した副画素ＳＰ１と同様の形状を有している。すなわち、隔壁６Ａ，６Ｂの各々に着目すると、下部６１の一方の側面近傍は図５（ａ）の構造を有し、他方の側面近傍は図５（ｂ）の構造を有している。
【0063】
図６は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３を囲う隔壁６の概略的な平面図である。図示したように、副画素ＳＰ１を囲う隔壁６の４辺を辺Ｓ１ａ，Ｓ１ｂ，Ｓ１ｃ，Ｓ１ｄと定義し、副画素ＳＰ２を囲う隔壁６の４辺を辺Ｓ２ａ，Ｓ２ｂ，Ｓ２ｃ，Ｓ２ｄと定義し、副画素ＳＰ３を囲う隔壁６の４辺を辺Ｓ３ａ，Ｓ３ｂ，Ｓ３ｃ，Ｓ３ｄと定義する。辺Ｓ１ａ，Ｓ１ｂ，Ｓ２ａ，Ｓ２ｂ，Ｓ３ａ，Ｓ３ｂは、Ｘ方向と平行である。辺Ｓ１ｃ，Ｓ１ｄ，Ｓ２ｃ，Ｓ２ｄ，Ｓ３ｃ，Ｓ３ｄは、Ｙ方向と平行である。
【0064】
鎖線枠で囲った辺Ｓ１ａ，Ｓ２ｂ，Ｓ３ａは、それぞれ上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３と隔壁６とが接触するコンタクト辺に相当する。上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３には、少なくともこれらコンタクト辺を通じて共通電圧が供給される。
【0065】
辺Ｓ１ａの構造は、図５（ａ）に示したとおりである。辺Ｓ２ｂにおける有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２および隔壁６の構造は、図５（ａ）に示した有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１および第１隔壁６Ａの構造と同様である。また、辺Ｓ３ａにおける有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３および隔壁６の構造も、図５（ａ）に示した有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１および第１隔壁６Ａの構造と同様である。これにより、上電極ＵＥ１と同じく、上電極ＵＥ２，ＵＥ３についても隔壁６との良好な導通を確保することができる。
【0066】
また、辺Ｓ１ｂの構造は、図５（ｂ）に示したとおりである。辺Ｓ２ａにおける有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２および隔壁６の構造は、図５（ｂ）に示した有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１および第２隔壁６Ｂの構造と同様である。また、辺Ｓ３ｂにおける有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３および隔壁６の構造も、図５（ｂ）に示した有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１および第２隔壁６Ｂの構造と同様である。
【0067】
なお、図示したコンタクト辺に加え、さらに他の辺において上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３と下部６１が接触していてもよい。また、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のコンタクト辺の位置は、図６の例に限られず、適宜に変更可能である。
【0068】
図７は、表示装置ＤＳＰの製造方法の一例を示すフローチャートである。図８Ａ乃至図８Ｇは、表示装置ＤＳＰの製造工程を示す概略的な断面図である。図８Ａ乃至図８Ｇにおいては、基板１０および回路層１１の図示を省略している。
【0069】
表示装置ＤＳＰの製造にあたっては、先ず基板１０の上に回路層１１および有機絶縁層１２が形成され、さらに図８Ａに示すように有機絶縁層１２の上に下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３が形成される（工程ＰＲ１）。
【0070】
続いて、図８Ｂに示すように、リブ５および隔壁６が形成される（工程ＰＲ２）。リブ５の画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３は、隔壁６の形成後に設けられてもよいし、隔壁６の形成前に設けられてもよい。
【0071】
工程ＰＲ１，ＰＲ２によって下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３、リブ５および隔壁６が形成された基板が用意された後、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３を形成するための工程が実施される。本実施形態においては、表示素子ＤＥ１が最初に形成され、表示素子ＤＥ２が次に形成され、表示素子ＤＥ３が最後に形成される場合を想定する。ただし、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３の形成順はこの例に限られない。
【0072】
表示素子ＤＥ１の形成にあたっては、先ず図８Ｃに示すように、積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１が形成される（工程ＰＲ３）。積層膜ＦＬ１は、図３に示したように、画素開口ＡＰ１を通じて下電極ＬＥ１に接触する有機層ＯＲ１、有機層ＯＲ１を覆う上電極ＵＥ１、および、上電極ＵＥ１を覆うキャップ層ＣＰ１を含む。有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１およびキャップ層ＣＰ１は、蒸着によって形成される。また、封止層ＳＥ１は、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって形成される。積層膜ＦＬ１は、オーバーハング状の隔壁６によって複数の部分に分断される。封止層ＳＥ１は、積層膜ＦＬ１の分断された各部分および隔壁６を連続的に覆う。
【0073】
工程ＰＲ３の後、積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１がパターニングされる（工程ＰＲ４）。このパターニングにおいては、図８Ｄに示すように、封止層ＳＥ１の上にレジストＲが配置される。レジストＲは、副画素ＳＰ１とその周囲の隔壁６の一部を覆っている。
【0074】
その後、レジストＲをマスクとしたエッチングにより、図８Ｅに示すように積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１のうちレジストＲから露出した部分が除去される。言い換えると、積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１のうち、下電極ＬＥ１と重なる部分が残され、他の部分が除去される。これにより、副画素ＳＰ１に表示素子ＤＥ１が形成される。例えば、当該エッチングは、封止層ＳＥ１、キャップ層ＣＰ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１に対して順に実施されるウェットエッチングやドライエッチングを含む。これらのエッチングの後、レジストＲが除去される。
【0075】
表示素子ＤＥ２は、表示素子ＤＥ１と同様の手順で形成される。すなわち、表示素子ＤＥ２の形成にあたっては、積層膜ＦＬ２および封止層ＳＥ２が表示領域ＤＡの全体に形成される（工程ＰＲ５）。積層膜ＦＬ２は、図３に示したように、画素開口ＡＰ２を通じて下電極ＬＥ２に接触する有機層ＯＲ２、有機層ＯＲ２を覆う上電極ＵＥ２、および、上電極ＵＥ２を覆うキャップ層ＣＰ２を含む。
【0076】
有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２およびキャップ層ＣＰ２は、蒸着によって形成される。また、封止層ＳＥ２は、ＣＶＤによって形成される。積層膜ＦＬ２は、オーバーハング状の隔壁６によって複数の部分に分断される。封止層ＳＥ２は、積層膜ＦＬ２の分断された各部分および隔壁６を連続的に覆う。
【0077】
工程ＰＲ５の後、積層膜ＦＬ２および封止層ＳＥ２がパターニングされる（工程ＰＲ６）。これにより、図８Ｆに示すように、副画素ＳＰ２に表示素子ＤＥ２が形成される。
【0078】
表示素子ＤＥ３は、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２と同様の手順で形成される。すなわち、表示素子ＤＥ３の形成にあたっては、積層膜ＦＬ３および封止層ＳＥ３が表示領域ＤＡの全体に形成される（工程ＰＲ７）。積層膜ＦＬ３は、図３に示したように、画素開口ＡＰ３を通じて下電極ＬＥ３に接触する有機層ＯＲ３、有機層ＯＲ３を覆う上電極ＵＥ３、および、上電極ＵＥ３を覆うキャップ層ＣＰ３を含む。
【0079】
有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３およびキャップ層ＣＰ３は、蒸着によって形成される。また、封止層ＳＥ３は、ＣＶＤによって形成される。積層膜ＦＬ３は、オーバーハング状の隔壁６によって複数の部分に分断される。封止層ＳＥ３は、積層膜ＦＬ３の分断された各部分および隔壁６を連続的に覆う。
【0080】
工程ＰＲ７の後、積層膜ＦＬ３および封止層ＳＥ３がパターニングされる（工程ＰＲ８）。これにより、図８Ｇに示すように、副画素ＳＰ３に表示素子ＤＥ３が形成される。
【0081】
表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３が形成された後、図３に示した樹脂層１３、封止層１４および樹脂層１５が順に形成される（工程ＰＲ９）。このような工程を経て表示装置ＤＳＰが完成する。
【0082】
図９は、表示装置ＤＳＰの製造装置１００の一部の概略的な構成を示す図である。この図に示す製造装置１００は、有機層ＯＲ１および上電極ＵＥ１を形成する製造ラインに相当し、正孔注入層ＨＩＬ、正孔輸送層ＨＴＬ、電子ブロッキング層ＥＢＬ、発光層ＥＭＬ、正孔ブロッキング層ＨＢＬ、電子輸送層ＥＴＬおよび電子注入層ＥＩＬを形成するための蒸着装置ＤＤ１～ＤＤ７を備えている。蒸着装置ＤＤ１～ＤＤ７は、有機層ＯＲ１を形成するための第１蒸着装置を構成する。製造装置１００は、上電極ＵＥ１を形成するための蒸着装置ＤＤ８（第２蒸着装置）をさらに備えている。
【0083】
蒸着装置ＤＤ１～ＤＤ８は、内部が真空に維持されるチャンバＣ１～Ｃ８と、チャンバＣ１～Ｃ８の内部に配置された蒸着源ＤＳ１～ＤＳ８とをそれぞれ備えている。さらに、製造装置１００は、工程ＰＲ２を経て隔壁６が形成された基板１０Ｘを搬送する搬送装置ＣＤを備えている。基板１０Ｘは、表示装置ＤＳＰにそれぞれ相当する複数のパネル部が形成されたマザー基板であってもよい。搬送装置ＣＤは、基板１０ＸをチャンバＣ１～Ｃ８に順次搬送する。以下の説明においては、基板１０Ｘが各チャンバＣ１～Ｃ８を通る方向（蒸着源ＤＳ１～ＤＳ８に対して基板１０Ｘが相対的に移動する方向）を移動方向ＦＤと呼ぶ。
【0084】
なお、図９においては、有機層ＯＲ１が正孔注入層ＨＩＬ、正孔輸送層ＨＴＬ、電子ブロッキング層ＥＢＬ、発光層ＥＭＬ、正孔ブロッキング層ＨＢＬ、電子輸送層ＥＴＬおよび電子注入層ＥＩＬが順に積層された構成を有する場合を想定し、製造装置１００が蒸着装置ＤＤ１～ＤＤ７を備える例を示した。しかしながら、製造装置１００が備える蒸着装置の構成は、有機層ＯＲ１に含まれる薄膜の構成に応じて変更され得る。
【0085】
図１０は、搬送される基板１０Ｘと蒸着源ＤＳ（ＤＳ１～ＤＳ８）の関係の一例を示す概略的な平面図である。蒸着源ＤＳは、坩堝ＣＲと、坩堝ＣＲに接続された長尺な容器ＣＴと、容器ＣＴに設けられた複数のノズルＮとを備えている。
【0086】
坩堝ＣＲは、内部に収容された材料を加熱することにより、当該材料を気化（蒸発または昇華）させる。気化された材料は、容器ＣＴに供給され、蒸着源ＤＳに対して移動方向ＦＤに相対的に移動する基板１０Ｘに向けて各ノズルＮから放たれる。複数のノズルＮは、基板１０Ｘと対向する容器ＣＴの一面において、ノズル配列方向ＮＤに沿って直線状に並んでいる。
【0087】
例えば、基板１０Ｘは、移動方向ＦＤがノズル配列方向ＮＤと直交するように搬送される。図１０の例においては、ノズル配列方向ＮＤと直交する蒸着源ＤＳの幅方向ＷＤ、移動方向ＦＤおよびＸ方向が互いに平行である。
【0088】
以下の説明においては、図１０に示すようにノズルＮに対する第１側方ＳＤ１、第２側方ＳＤ２、第３側方ＳＤ３および第４側方ＳＤ４を定義する。第１側方ＳＤ１および第２側方ＳＤ２は、互いに反対の方向であり、図１０の例においてはノズル配列方向ＮＤおよびＹ方向と平行である。すなわち、第１側方ＳＤ１および第２側方ＳＤ２は、平面視において移動方向ＦＤと直交する。第３側方ＳＤ３および第４側方ＳＤ４は、互いに反対の方向であり、図１０の例においては移動方向ＦＤ、幅方向ＷＤおよびＸ方向と平行である。また、第３側方ＳＤ３は移動方向ＦＤにおける上流側を向き、第４側方ＳＤ４は移動方向ＦＤにおける下流側を向く。
【0089】
図１１は、正孔注入層ＨＩＬの蒸着源ＤＳ１に適用可能な構成の一例を示す概略的な斜視図である。以下の説明においては、蒸着源ＤＳ１のノズルＮをノズルＮ０と呼ぶ。ノズルＮ０は、気化された正孔注入層ＨＩＬの材料Ｍを蒸着方向ＭＤ０に放つ。
【0090】
蒸着方向ＭＤ０は、例えばノズルＮ０の軸ＡＸ０（ノズルＮ０の延出方向）と平行である。図１１の例においては、軸ＡＸ０がノズル配列方向ＮＤおよび幅方向ＷＤと直交している。材料Ｍは、蒸着方向ＭＤ０を中心に所定の拡がり角をもってノズルＮ０から放たれる。蒸着方向ＭＤ０は、ノズルＮ０から放たれる材料Ｍの中心軸と平行な方向、あるいは材料Ｍの主放出方向ということもできる。
【0091】
蒸着源ＤＳ１は、複数のノズルＮを囲うシールド２０をさらに備えてもよい。図１１の例において、シールド２０は、容器ＣＴおよび各ノズルＮ０を囲うとともに、ノズルＮ０側が開口した形状を有している。
【0092】
シールド２０は、幅方向ＷＤにおける第１側壁２１および第２側壁２２を有している。これら側壁２１，２２は、各ノズルＮ０の先端よりも蒸着方向ＭＤ０に突出しており、材料Ｍの幅方向ＷＤへの拡がりを抑制する。
【0093】
図１２は、蒸着源ＤＳ１に適用可能な構成のさらに他の例を示す概略的な斜視図である。この図の例においては、ノズルＮ０に対してシールド３０がさらに配置されている。シールド３０は、例えばノズルＮ０を囲う円筒状であり、容器ＣＴに取り付けられている。例えば、シールド３０は、蒸着源ＤＳ１の複数のノズルＮ０のそれぞれに対して設けられる。
【0094】
シールド３０は、ノズルＮ０の先端よりも蒸着方向ＭＤ０に突出している。シールド３０の高さ（ノズルＮ０の先端からの突出長さ）は、ノズルＮ０の全周にわたり同等である。これにより、ノズルＮ０から放たれる材料Ｍの拡がりが、ノズルＮ０を中心とした全方位にわたり抑制される。
【0095】
図１３は、正孔輸送層ＨＴＬ、電子ブロッキング層ＥＢＬ、発光層ＥＭＬ、正孔ブロッキング層ＨＢＬ、電子輸送層ＥＴＬおよび電子注入層ＥＩＬの蒸着源ＤＳ２～ＤＳ７に適用可能な構成の一例を示す概略的な斜視図である。以下の説明においては、蒸着源ＤＳ２～ＤＳ７のノズルＮをノズルＮ１と呼ぶ。ノズルＮ１は、気化された材料Ｍを蒸着方向ＭＤ１に放つ。
【0096】
蒸着方向ＭＤ１は、例えばノズルＮ１の軸ＡＸ１（ノズルＮ１の延出方向）と平行である。材料Ｍは、蒸着方向ＭＤ１を中心に所定の拡がり角をもってノズルＮ１から放たれる。蒸着方向ＭＤ１は、ノズルＮ１から放たれる材料Ｍの中心軸と平行な方向、あるいは材料Ｍの主放出方向ということもできる。図１３の例においては、各ノズルＮ１の軸ＡＸ１が第１側方ＳＤ１に傾斜している。これにより、蒸着方向ＭＤ１も第１側方ＳＤ１に傾斜している。
【0097】
【0098】
図１４は、上電極ＵＥ１の蒸着源ＤＳ８に適用可能な構成の一例を示す概略的な斜視図である。以下の説明においては、蒸着源ＤＳ８のノズルＮをノズルＮ２と呼ぶ。ノズルＮ２は、気化された材料Ｍを蒸着方向ＭＤ２に放つ。
【0099】
蒸着方向ＭＤ２は、例えばノズルＮ２の軸ＡＸ２（ノズルＮ２の延出方向）と平行である。材料Ｍは、蒸着方向ＭＤ２を中心に所定の拡がり角をもってノズルＮ２から放たれる。蒸着方向ＭＤ２は、ノズルＮ２から放たれる材料Ｍの中心軸と平行な方向、あるいは材料Ｍの主放出方向ということもできる。図１４の例においては、各ノズルＮ２の軸ＡＸ２が第２側方ＳＤ２に傾斜している。これにより、蒸着方向ＭＤ２も第２側方ＳＤ２に傾斜している。
【0100】
【0101】
図１５は、蒸着源ＤＳ１により正孔注入層ＨＩＬを形成する工程を示す概略的な断面図である。この図に示す断面は、図５と同様のＹ－Ｚ断面に相当する。基板１０Ｘの上方に１つのノズルＮ０とその近傍の容器ＣＴを示しているが、実際には複数のノズルＮ０が図１５の左右方向に並んでいる。
【0102】
図１５の例においては、ノズルＮ０の軸ＡＸ０がＺ方向（基板１０Ｘの法線方向）と平行である。すなわち、蒸着方向ＭＤ０は、Ｚ方向に対して傾斜していない。
【0103】
上述のとおり、正孔注入層ＨＩＬは隔壁６のボトム層６３と離間していることが好ましい。そこで、ノズルＮ０から放たれる材料Ｍの拡がりを低減すべく、蒸着源ＤＳ１は図１２に示したシールド３０を備えることが好ましい。蒸着源ＤＳ１は、図１１に示したシールド２０をさらに備えてもよい。材料Ｍの拡がりが低減されていれば、隔壁６の上部６２により材料Ｍが遮られ、上部６２の下方に材料Ｍが付着しにくい。これにより、正孔注入層ＨＩＬ（第１層Ｌ１）と下部６１（ボトム層６３および軸層６４）との接触を抑制することが可能である。
【0104】
図１６は、蒸着源ＤＳ２～ＤＳ７により正孔輸送層ＨＴＬ、電子ブロッキング層ＥＢＬ、発光層ＥＭＬ、正孔ブロッキング層ＨＢＬ、電子輸送層ＥＴＬおよび電子注入層ＥＩＬを形成する工程を示す概略的な断面図である。この図に示す断面は、図１５と同様のＹ－Ｚ断面に相当する。基板１０Ｘの上方に１つのノズルＮ１とその近傍の容器ＣＴを示しているが、実際には複数のノズルＮ１が図１６の左右方向に並んでいる。
【0105】
ノズルＮ１の軸ＡＸ１は、Ｚ方向に対して第１側方ＳＤ１に傾斜している。これにより、軸ＡＸ１および蒸着方向ＭＤ１は、Ｚ方向に対して鋭角である角度θ１を成す。蒸着源ＤＳ２～ＤＳ７は、上述のシールド２０，３０の少なくとも一方を備えてもよい。
【0106】
蒸着源ＤＳ２～ＤＳ７の蒸着方向ＭＤ１が図１６に示すように傾斜していると、各隔壁６の第２側方ＳＤ２側の側面近傍には材料Ｍが付着しやすく、第１側方ＳＤ１側の側面近傍には材料Ｍが付着しにくい。これにより、図５に示したように、隔壁６Ａ，６Ｂの近傍で厚さが異なる第２層Ｌ２を形成することができる。
【0107】
図１７は、蒸着源ＤＳ８により上電極ＵＥ１を形成する工程を示す概略的な断面図である。この図に示す断面は、図１５および図１６と同様のＹ－Ｚ断面に相当する。基板１０Ｘの上方に１つのノズルＮ２とその近傍の容器ＣＴを示しているが、実際には複数のノズルＮ２が図１７の左右方向に並んでいる。
【0108】
ノズルＮ２の軸ＡＸ２は、Ｚ方向に対して第２側方ＳＤ２に傾斜している。これにより、蒸着方向ＭＤ２は、蒸着方向ＭＤ１と逆向きに傾斜する。軸ＡＸ２および蒸着方向ＭＤ２は、Ｚ方向に対して鋭角である角度θ２を成す。角度θ２は、角度θ１と同等であってもよいし、角度θ１と異なってもよい。蒸着源ＤＳ８は、上述のシールド２０，３０の少なくとも一方を備えてもよい。
【0109】
図１７のように蒸着源ＤＳ８の蒸着方向ＭＤ２が傾斜していると、各隔壁６の第１側方ＳＤ１側の側面近傍には材料Ｍが付着しやすく、第２側方ＳＤ２側の側面近傍には材料Ｍが付着しにくい。これにより、図５に示したように、隔壁６Ａ，６Ｂの近傍で厚さが異なる上電極ＵＥ１を形成することができる。
【0110】
図１８は、上電極ＵＥ１を形成する工程の他の例を示す図である。上述のように上電極ＵＥ１がマグネシウムと銀の合金からなる場合、上電極ＵＥ１は、マグネシウムと銀の共蒸着によって形成される。
【0111】
具体的には、蒸着装置ＤＤ８のチャンバＣ８（図９参照）には、マグネシウムである材料Ｍａを放つ蒸着源ＤＳ８ａと、銀である材料Ｍｂを放つ蒸着源ＤＳ８ｂとが配置される。これら蒸着源ＤＳ８ａ，ＤＳ８ｂは、例えば図１８（ａ）の平面図に示すように、移動方向ＦＤにおいて近接するように配置される。
【0112】
図１８（ｂ）は、図１８（ａ）に示す蒸着源ＤＳ８ａ，ＤＳ８ｂを移動方向ＦＤに沿って見た概略的な側面図である。図１８（ｃ）は、図１８（ａ）に示す蒸着源ＤＳ８ａ，ＤＳ８ｂをノズル配列方向ＮＤに沿って見た概略的な側面図である。図１８（ｂ）（ｃ）に示すように、蒸着源ＤＳ８ａはノズルＮ２ａを備え、蒸着源ＤＳ８ｂはノズルＮ２ｂを備えている。
【0113】
図１８（ｂ）に示すように、ノズルＮ２ａの軸ＡＸ２ａおよびノズルＮ２ｂの軸ＡＸ２ｂは、いずれもＺ方向に対して第２側方ＳＤ２に傾斜している。これにより、蒸着源ＤＳ８ａの蒸着方向ＭＤ２ａおよび蒸着源ＤＳ８ｂの蒸着方向ＭＤ２ｂもＺ方向に対して第２側方ＳＤ２に傾斜する。例えば、図１８（ｂ）において軸ＡＸ２ａ，ＡＸ２ｂ（あるいは蒸着方向ＭＤ２ａ，ＭＤ２ｂ）がＺ方向と成す角度は同等である。
【0114】
蒸着源ＤＳ８ａが材料Ｍａを放つ領域と、蒸着源ＤＳ８ｂが材料Ｍｂを放つ領域とは、基板１０Ｘの表面において重なることが好ましい。そこで、図１８（ｃ）においては、軸ＡＸ２ａ，ＡＸ２ｂがＸ方向とＺ方向で規定されるＸ－Ｚ平面においても傾斜している。
【0115】
具体的には、軸ＡＸ２ａがＺ方向に対して第４側方ＳＤ４に傾斜している。これにより、蒸着方向ＭＤ２ａもＺ方向に対して第４側方ＳＤ４に傾斜する。また、軸ＡＸ２ｂは、Ｚ方向に対して第３側方ＳＤ３に傾斜している。これにより、蒸着方向ＭＤ２ｂもＺ方向に対して第３側方ＳＤ３に傾斜する。
【0116】
このような構成であれば、材料Ｍａ，Ｍｂが移動方向ＦＤにおいて混ざり合い、基板１０Ｘに付着する。したがって、基板１０Ｘの全体に対し、均一な性質の上電極ＵＥ１を形成することができる。
【0117】
なお、図１５および図１６においては、有機層ＯＲ１の各薄膜が１つの蒸着源によって形成される様子を示した。しかしながら、有機層ＯＲ１を構成する複数の薄膜のうち、例えば正孔注入層ＨＩＬ、発光層ＥＭＬおよび電子輸送層ＥＴＬは、ホスト材料とドーパントの共蒸着によって形成され得る。このような薄膜を形成する蒸着装置については、図１８の例と同様に、ノズルの軸（蒸着方向の傾き）が異なる複数の蒸着源がチャンバに配置されてもよい。
【0118】
以上、図９乃至図１８を用いて説明した有機層ＯＲ１および上電極ＵＥ１の蒸着に関する構成は、有機層ＯＲ２，ＯＲ３および上電極ＵＥ２，ＵＥ３の蒸着にも適用できる。すなわち、有機層ＯＲ２，ＯＲ３および上電極ＵＥ２，ＵＥ３を形成する際にも、正孔注入層ＨＩＬの蒸着方向ＭＤ０をＺ方向と平行とし、正孔輸送層ＨＴＬ、電子ブロッキング層ＥＢＬ、発光層ＥＭＬ、正孔ブロッキング層ＨＢＬ、電子輸送層ＥＴＬおよび電子注入層ＥＩＬの蒸着方向ＭＤ１と、上電極ＵＥ２，ＵＥ３の蒸着方向ＭＤ２とを逆向きに傾斜させればよい。
【0119】
ただし、図６に示したように辺Ｓ１ａ，Ｓ２ｂ，Ｓ３ａをそれぞれ副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のコンタクト辺に設定する場合、有機層ＯＲ２および上電極ＵＥ２の形成時の蒸着方向ＭＤ１，ＭＤ２は、有機層ＯＲ１および上電極ＵＥ１の形成時の蒸着方向ＭＤ１，ＭＤ２とそれぞれ逆方向に傾斜する。これにより、辺Ｓ２ｂの近傍において、有機層ＯＲ２の厚さを低減するとともに上電極ＵＥ２の厚さを増すことができる。
【0120】
本実施形態に係る製造方法を用いれば、図５に例示した構造のように、コンタクト辺の近傍で有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３を薄くし、かつ上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３を厚くすることができる。これにより、図５および図６を用いて説明したとおり、コンタクト辺において上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３と隔壁６とを良好に導通させることができる。
【0121】
また、本実施形態においては、蒸着源ＤＳ２～ＤＳ８の蒸着方向ＭＤ１，ＭＤ２が、移動方向ＦＤと直交する方向（第１側方ＳＤ１または第２側方ＳＤ２）に傾斜している。このような構成は、図１８に示したような共蒸着を実施する際に有利である。すなわち、蒸着方向ＭＤ１，ＭＤ２を移動方向ＦＤと平行な方向（第３側方ＳＤ３または第４側方ＳＤ４）に傾斜させる構成においては、共蒸着のための複数の蒸着源が放つ材料を移動方向ＦＤにおいて良好に混合することが困難な場合がある。これらの材料が基板１０Ｘに付着する領域が移動方向ＦＤにおいてずれていると、蒸着によって形成される膜には厚さ方向において性質のムラ（例えばドーパントの濃度ムラ）が生じ得る。
【0122】
これに対し、蒸着方向ＭＤ１，ＭＤ２を移動方向ＦＤと直交する方向（第１側方ＳＤ１または第２側方ＳＤ２）に傾斜させる場合には、例えば図１８（ｃ）に示すように移動方向ＦＤと平行な方向にも各蒸着源の蒸着方向を傾斜させることにより、各蒸着源が放つ材料を移動方向ＦＤにおいて良好に混合することができる。これにより、蒸着によって形成される膜には、厚さ方向における性質のムラが生じにくい。
【0123】
なお、図９乃至図１８に例示した製造方法において、正孔輸送層ＨＴＬ、電子ブロッキング層ＥＢＬ、発光層ＥＭＬ、正孔ブロッキング層ＨＢＬ、電子輸送層ＥＴＬおよび電子注入層ＥＩＬは、ノズルの軸を傾斜させて形成される第１薄膜の一例である。また、正孔注入層ＨＩＬは、ノズルの軸を傾斜させずに形成される第２薄膜の一例である。
【0124】
他の例として、正孔注入層ＨＩＬを含む、有機層ＯＲ１を構成する全ての薄膜が、図１６の例と同様にＺ方向に対し傾斜した軸を有するノズルを用いて形成されてもよい。また、正孔輸送層ＨＴＬ、電子ブロッキング層ＥＢＬ、発光層ＥＭＬ、正孔ブロッキング層ＨＢＬ、電子輸送層ＥＴＬおよび電子注入層ＥＩＬの少なくとも１つが、図１５の例と同様にＺ方向と平行な軸を有するノズルを用いて形成されてもよい。
【0125】
すなわち、有機層ＯＲ１を構成する複数の薄膜のうち少なくとも１つが、上電極ＵＥ１のノズルＮ２と逆向きに傾斜した軸を有するノズルを用いて形成されればよい。これにより、上電極ＵＥ１が厚く形成されるコンタクト辺において有機層ＯＲ１が薄くなる。そのため、複数の薄膜の全てをＺ方向と平行な軸を有するノズルを用いて形成する場合に比べ、上電極ＵＥ１と隔壁６の導通が改善する。
【0126】
また、有機層ＯＲ１を構成する複数の薄膜の少なくとも１つの蒸着方向を、上電極ＵＥ１の蒸着方向と同じ方向に、かつ上電極ＵＥ１の蒸着方向よりも小さい角度で傾斜させてもよい。この場合においても、コンタクト辺において上電極ＵＥ１を有機層ＯＲ１よりも下部６１の近くまで形成することができる。
【0127】
さらに他の例として、有機層ＯＲ１を構成する複数の薄膜の全てが、Ｚ方向と平行な軸を有するノズルを用いて形成されてもよい。あるいは、有機層ＯＲ１を構成する複数の薄膜のうち少なくとも１つがＺ方向に対し傾斜した軸を有するノズルを用いて形成され、上電極ＵＥ１がＺ方向と平行な軸を有するノズルを用いて形成されてもよい。
【0128】
図９乃至図１８に例示した製造方法においては、搬送装置ＣＤによって基板１０Ｘが移動方向ＦＤに搬送されることにより、静止した蒸着源ＤＳ１～ＤＳ８に対して基板１０Ｘが相対的に移動する構成を例示した。他の例として、蒸着源ＤＳ１～ＤＳ８による蒸着に際し、基板１０Ｘが各チャンバＣ１～Ｃ８内で静止し、この基板１０Ｘに対して蒸着源ＤＳ１～ＤＳ８が相対的に移動してもよい。この場合においては、例えば、蒸着装置ＤＤ１～ＤＤ８がそれぞれ蒸着源ＤＳ１～ＤＳ８をチャンバＣ１～Ｃ８内で移動させるための駆動機構を備える。
【0129】
以上、有機層ＯＲ１および上電極ＵＥ１について述べた変形例は、有機層ＯＲ２，ＯＲ３および上電極ＵＥ２，ＵＥ３についても同様に適用できる。
【0130】
隔壁６の構成は、図５などに示したものに限られない。以下に、隔壁６に適用し得るいくつかの変形例を示す。
【0131】
図１９は、隔壁６に適用し得る構成の第１変形例を示す概略的な断面図である。この図の例においては、ボトム層６３の両端部が軸層６４の側面と揃っている。図示した隔壁６の右側の側面は、上電極ＵＥ１とのコンタクト辺に相当する。すなわち、図中の右側の副画素ＳＰ１の上電極ＵＥ１は、ボトム層６３および軸層６４の側面に接触している。一方で、右側の副画素ＳＰ１の有機層ＯＲ１は、ボトム層６３および軸層６４の側面と離間している。他の例として、当該有機層ＯＲ１がボトム層６３および軸層６４の側面に接触してもよい。
【0132】
図２０は、隔壁６に適用し得る構成の第２変形例を示す概略的な断面図である。この図の例においては、下部６１がボトム層６３を備えていない。すなわち、下部６１は、軸層６４によって構成されている。この図においても、隔壁６の右側の側面がコンタクト辺に相当し、当該側面に上電極ＵＥ１が接触している。図１９の例と同じく、右側の副画素ＳＰ１の有機層ＯＲ１が軸層６４の側面と離間している。他の例として、当該有機層ＯＲ１が軸層６４の側面に接触してもよい。
【0133】
以上、本発明の実施形態として説明した表示装置、表示装置の製造方法および製造装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置、製造方法および製造装置も、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に属する。
【0134】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【0135】
また、上述の実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【0136】
ＤＳＰ…表示装置、ＤＡ…表示領域、ＳＡ…周辺領域、ＰＸ…画素、ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３…副画素、ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３…下電極、ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３…有機層、ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３…上電極、ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３…封止層、ＤＤ１～ＤＤ８…蒸着装置、ＤＳ１～ＤＳ８…蒸着源、Ｎ０，Ｎ１，Ｎ２…ノズル、５…リブ、６…隔壁、６１…下部、６２…上部、６３…ボトム層、６４…軸層、１００…製造装置。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8A】
【図8B】
【図8C】
【図8D】
【図8E】
【図8F】
【図8G】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】