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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024176796
(43)【公開日】2024-12-19
(54)【発明の名称】トランスチップおよび信号伝達装置
(51)【国際特許分類】
H01F 27/29 20060101AFI20241212BHJP
H01L 21/822 20060101ALI20241212BHJP
H01L 25/04 20230101ALI20241212BHJP
H01F 17/00 20060101ALI20241212BHJP
H01F 27/32 20060101ALI20241212BHJP
H01F 30/10 20060101ALI20241212BHJP
【ＦＩ】
H01F27/29 123
H01L27/04 E
H01L25/04 Z
H01F27/29 P
H01F17/00 B
H01F27/32 130
H01F30/10 D
H01F30/10 F
【審査請求】未請求
【請求項の数】19
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023095602
(22)【出願日】2023-06-09
(71)【出願人】
【識別番号】000116024
【氏名又は名称】ローム株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100105957
【弁理士】
【氏名又は名称】恩田 誠
(74)【代理人】
【識別番号】100068755
【弁理士】
【氏名又は名称】恩田 博宣
(72)【発明者】
【氏名】山下 宜久
【テーマコード（参考）】
5E044
5E070
5F038
【Ｆターム（参考）】
5E044CA02
5E070AA11
5E070AB08
5E070CB12
5E070CB17
5E070CB18
5E070EA01
5E070EB04
5F038AZ04
5F038AZ05
5F038BE07
5F038BE10
5F038CA10
(57)【要約】
【課題】第１コイルと第２コイルとの必要な絶縁耐圧を確保しつつも素子絶縁層の厚さを薄くすること。
【解決手段】トランスチップ５０は、素子絶縁層５２内において裏面寄りに配置された第１コイルと、素子絶縁層５２内において表面５２Ａ寄りに配置され、Ｚ方向において第１コイルと対向する第２コイル２２と、表面５２Ａ上に形成された第１内周パッド５７Ａおよび第２内周パッド５８Ａと、第１コイルの第１内周端部と第１内周パッド５７Ａとを電気的に接続する第１内周接続部８０Ａと、第２コイル２２の第２内周端部と第２内周パッド５８Ａとを電気的に接続する第２内周接続部９０Ａと、を備える。平面視において、第１内周パッド５７Ａ、第２内周パッド５８Ａ、第１内周接続部８０Ａ、および第２内周接続部９０Ａは、第１コイルおよび第２コイル２２によって囲まれた内側領域２３に配置されている。
【選択図】図４
【解決手段】トランスチップ５０は、素子絶縁層５２内において裏面寄りに配置された第１コイルと、素子絶縁層５２内において表面５２Ａ寄りに配置され、Ｚ方向において第１コイルと対向する第２コイル２２と、表面５２Ａ上に形成された第１内周パッド５７Ａおよび第２内周パッド５８Ａと、第１コイルの第１内周端部と第１内周パッド５７Ａとを電気的に接続する第１内周接続部８０Ａと、第２コイル２２の第２内周端部と第２内周パッド５８Ａとを電気的に接続する第２内周接続部９０Ａと、を備える。平面視において、第１内周パッド５７Ａ、第２内周パッド５８Ａ、第１内周接続部８０Ａ、および第２内周接続部９０Ａは、第１コイルおよび第２コイル２２によって囲まれた内側領域２３に配置されている。
【選択図】図４
【特許請求の範囲】
【請求項1】
複数の絶縁膜の積層構造によって構成され、厚さ方向において互いに反対側を向く表面および裏面を含む絶縁層と、
前記絶縁層内において前記裏面寄りに配置され、環状に形成され、第１内周端部を含む第１コイルと、
前記絶縁層内において前記表面寄りに配置され、環状に形成され、第２内周端部を含み、前記厚さ方向において前記第１コイルと対向する第２コイルと、
前記表面上に形成された第１内周パッドおよび第２内周パッドと、
前記第１コイルの前記第１内周端部と前記第１内周パッドとを電気的に接続する第１内周接続部と、
前記第２コイルの前記第２内周端部と前記第２内周パッドとを電気的に接続する第２内周接続部と、
を備え、
前記厚さ方向から視て、前記第１内周パッド、前記第２内周パッド、前記第１内周接続部、および前記第２内周接続部は、前記第１コイルおよび前記第２コイルによって囲まれた内側領域に配置されている
トランスチップ。
前記絶縁層内において前記裏面寄りに配置され、環状に形成され、第１内周端部を含む第１コイルと、
前記絶縁層内において前記表面寄りに配置され、環状に形成され、第２内周端部を含み、前記厚さ方向において前記第１コイルと対向する第２コイルと、
前記表面上に形成された第１内周パッドおよび第２内周パッドと、
前記第１コイルの前記第１内周端部と前記第１内周パッドとを電気的に接続する第１内周接続部と、
前記第２コイルの前記第２内周端部と前記第２内周パッドとを電気的に接続する第２内周接続部と、
を備え、
前記厚さ方向から視て、前記第１内周パッド、前記第２内周パッド、前記第１内周接続部、および前記第２内周接続部は、前記第１コイルおよび前記第２コイルによって囲まれた内側領域に配置されている
トランスチップ。
【請求項2】
前記絶縁層の前記裏面に接しており、前記絶縁層を支持する基板を備え、
前記第１コイルは、前記複数の絶縁膜のうち前記裏面を構成する最下層の絶縁膜上において前記最下層の絶縁膜に接するように形成されている
請求項１に記載のトランスチップ。
前記第１コイルは、前記複数の絶縁膜のうち前記裏面を構成する最下層の絶縁膜上において前記最下層の絶縁膜に接するように形成されている
請求項１に記載のトランスチップ。
【請求項3】
前記第２コイルは、前記複数の絶縁膜のうち前記表面を構成する最上層の絶縁膜に接した状態で当該絶縁膜よって覆われている
請求項２に記載のトランスチップ。
請求項２に記載のトランスチップ。
【請求項4】
前記第１コイルおよび前記第２コイルは、長手方向および短手方向を有する環状に形成されており、
前記第１内周パッドおよび前記第２内周パッドは、前記厚さ方向から視て前記長手方向に互いに離隔して配列されている
請求項１に記載のトランスチップ。
前記第１内周パッドおよび前記第２内周パッドは、前記厚さ方向から視て前記長手方向に互いに離隔して配列されている
請求項１に記載のトランスチップ。
【請求項5】
前記第１内周パッドは、前記長手方向において前記内側領域の第１端部に配置されており、
前記第２内周パッドは、前記長手方向において前記内側領域の前記第１端部とは反対側の第２端部に配置されている
請求項４に記載のトランスチップ。
前記第２内周パッドは、前記長手方向において前記内側領域の前記第１端部とは反対側の第２端部に配置されている
請求項４に記載のトランスチップ。
【請求項6】
前記第１内周接続部は、
前記厚さ方向において前記第１コイルと同じ位置に設けられ、前記第１内周端部から前記長手方向に延びる第１内周配線層と、
前記第１内周配線層と前記第１内周パッドとを電気的に接続する第１内周接続層と、
を含む
請求項４に記載のトランスチップ。
前記厚さ方向において前記第１コイルと同じ位置に設けられ、前記第１内周端部から前記長手方向に延びる第１内周配線層と、
前記第１内周配線層と前記第１内周パッドとを電気的に接続する第１内周接続層と、
を含む
請求項４に記載のトランスチップ。
【請求項7】
前記第１内周接続層は、
前記厚さ方向において前記第２コイルと同じ位置に設けられ、前記厚さ方向において前記第１内周配線層および前記第１内周パッドの双方と対向する第１中間配線層と、
前記厚さ方向において前記第１内周配線層と前記第１中間配線層とを接続する第１内周ビアと、
前記厚さ方向において前記第１中間配線層と前記第１内周パッドとを接続する第２内周ビアと、
を含む
請求項６に記載のトランスチップ。
前記厚さ方向において前記第２コイルと同じ位置に設けられ、前記厚さ方向において前記第１内周配線層および前記第１内周パッドの双方と対向する第１中間配線層と、
前記厚さ方向において前記第１内周配線層と前記第１中間配線層とを接続する第１内周ビアと、
前記厚さ方向において前記第１中間配線層と前記第１内周パッドとを接続する第２内周ビアと、
を含む
請求項６に記載のトランスチップ。
【請求項8】
前記第１内周接続部と前記第２コイルとの間の最短距離は、前記厚さ方向における前記第１コイルと前記第２コイルとの間の距離以上である
請求項６に記載のトランスチップ。
請求項６に記載のトランスチップ。
【請求項9】
前記第２内周接続部は、
前記厚さ方向において前記第２コイルと同じ位置に設けられ、前記第２内周端部から前記長手方向に延び、前記厚さ方向において前記第２内周パッドと対向する部分を含む第２内周配線層と、
前記第２内周パッドと前記第２内周配線層とを電気的に接続する第２内周接続層と、
を含む
請求項４に記載のトランスチップ。
前記厚さ方向において前記第２コイルと同じ位置に設けられ、前記第２内周端部から前記長手方向に延び、前記厚さ方向において前記第２内周パッドと対向する部分を含む第２内周配線層と、
前記第２内周パッドと前記第２内周配線層とを電気的に接続する第２内周接続層と、
を含む
請求項４に記載のトランスチップ。
【請求項10】
前記表面上において前記第１コイルおよび前記第２コイルよりも外方に形成された第１外周パッドおよび第２外周パッドと、
前記第１コイルの第１外周端部と前記第１外周パッドとを電気的に接続する第１外周接続部と、
前記第２コイルの第２外周端部と前記第２外周パッドとを電気的に接続する第２外周接続部と、
を備える
請求項１に記載のトランスチップ。
前記第１コイルの第１外周端部と前記第１外周パッドとを電気的に接続する第１外周接続部と、
前記第２コイルの第２外周端部と前記第２外周パッドとを電気的に接続する第２外周接続部と、
を備える
請求項１に記載のトランスチップ。
【請求項11】
前記第１コイルおよび前記第２コイルは、長手方向および短手方向を有する環状に形成されており、
前記第１外周パッドは、前記厚さ方向から視て前記長手方向において前記第１内周パッドと同じ位置に配置されており、
前記第２外周パッドは、前記厚さ方向から視て前記長手方向において前記第２内周パッドと同じ位置に配置されている
請求項１０に記載のトランスチップ。
前記第１外周パッドは、前記厚さ方向から視て前記長手方向において前記第１内周パッドと同じ位置に配置されており、
前記第２外周パッドは、前記厚さ方向から視て前記長手方向において前記第２内周パッドと同じ位置に配置されている
請求項１０に記載のトランスチップ。
【請求項12】
前記第１コイルおよび前記第２コイルは、長手方向および短手方向を有する環状に形成されており、
前記長手方向における前記第１外周パッドと前記第２外周パッドとの間の距離は、前記長手方向における前記第１内周パッドと前記第２内周パッドとの間の距離以上である
請求項１０に記載のトランスチップ。
前記長手方向における前記第１外周パッドと前記第２外周パッドとの間の距離は、前記長手方向における前記第１内周パッドと前記第２内周パッドとの間の距離以上である
請求項１０に記載のトランスチップ。
【請求項13】
前記第１外周接続部は、
前記厚さ方向において前記第１コイルと同じ位置に設けられ、前記第１外周端部から前記短手方向に延び、前記厚さ方向において前記第１外周パッドと対向する部分を含む第１外周配線層と、
前記第１外周配線層と前記第１外周パッドとを電気的に接続する第１外周接続層と、
を含む
請求項１１に記載のトランスチップ。
前記厚さ方向において前記第１コイルと同じ位置に設けられ、前記第１外周端部から前記短手方向に延び、前記厚さ方向において前記第１外周パッドと対向する部分を含む第１外周配線層と、
前記第１外周配線層と前記第１外周パッドとを電気的に接続する第１外周接続層と、
を含む
請求項１１に記載のトランスチップ。
【請求項14】
前記第１外周接続層は、
前記厚さ方向において前記第２コイルと同じ位置に設けられ、前記厚さ方向において前記第１外周配線層および前記第１外周パッドの双方と対向する第２中間配線層と、
前記厚さ方向において前記第１外周配線層と前記第２中間配線層とを接続する第１外周ビアと、
前記厚さ方向において前記第２中間配線層と前記第１外周パッドとを接続する第２外周ビアと、
を含む
請求項１３に記載のトランスチップ。
前記厚さ方向において前記第２コイルと同じ位置に設けられ、前記厚さ方向において前記第１外周配線層および前記第１外周パッドの双方と対向する第２中間配線層と、
前記厚さ方向において前記第１外周配線層と前記第２中間配線層とを接続する第１外周ビアと、
前記厚さ方向において前記第２中間配線層と前記第１外周パッドとを接続する第２外周ビアと、
を含む
請求項１３に記載のトランスチップ。
【請求項15】
前記第２外周接続部は、
前記厚さ方向において前記第２コイルと同じ位置に設けられ、前記第２外周端部から前記短手方向に延び、前記厚さ方向において前記第２外周パッドと対向する部分を含む第２外周配線層と、
前記第２外周配線層と前記第２外周パッドとを電気的に接続する第２外周接続層と、
を含む
請求項１１に記載のトランスチップ。
前記厚さ方向において前記第２コイルと同じ位置に設けられ、前記第２外周端部から前記短手方向に延び、前記厚さ方向において前記第２外周パッドと対向する部分を含む第２外周配線層と、
前記第２外周配線層と前記第２外周パッドとを電気的に接続する第２外周接続層と、
を含む
請求項１１に記載のトランスチップ。
【請求項16】
前記第１内周パッドおよび前記第２内周パッドの各々は、複数設けられ、
複数の前記第１内周パッドは、前記厚さ方向から視て前記第１コイルおよび前記第２コイルの前記長手方向に配列されており、
複数の前記第２内周パッドは、前記厚さ方向から視て前記第１コイルおよび前記第２コイルの前記長手方向に配列されている
請求項４に記載のトランスチップ。
複数の前記第１内周パッドは、前記厚さ方向から視て前記第１コイルおよび前記第２コイルの前記長手方向に配列されており、
複数の前記第２内周パッドは、前記厚さ方向から視て前記第１コイルおよび前記第２コイルの前記長手方向に配列されている
請求項４に記載のトランスチップ。
【請求項17】
前記第１内周パッドおよび前記第２内周パッドの各々は、複数設けられ、
複数の前記第１内周パッドは、前記厚さ方向から視て前記第１コイルおよび前記第２コイルの前記短手方向に配列されており、
複数の前記第２内周パッドは、前記厚さ方向から視て前記第１コイルおよび前記第２コイルの前記短手方向に配列されている
請求項４に記載のトランスチップ。
複数の前記第１内周パッドは、前記厚さ方向から視て前記第１コイルおよび前記第２コイルの前記短手方向に配列されており、
複数の前記第２内周パッドは、前記厚さ方向から視て前記第１コイルおよび前記第２コイルの前記短手方向に配列されている
請求項４に記載のトランスチップ。
【請求項18】
請求項１～１７のいずれか一項に記載のトランスチップと、
第１回路と、
前記第１回路と前記トランスチップを介して接続された第２回路と、
を備え、
前記第１回路と前記第２回路とは、前記トランスチップを介して信号を伝達するように構成されている
信号伝達装置。
第１回路と、
前記第１回路と前記トランスチップを介して接続された第２回路と、
を備え、
前記第１回路と前記第２回路とは、前記トランスチップを介して信号を伝達するように構成されている
信号伝達装置。
【請求項19】
前記第１回路を含む第１チップと、
前記第２回路を含む第２チップと、
を含む
請求項１８に記載の信号伝達装置。
前記第２回路を含む第２チップと、
を含む
請求項１８に記載の信号伝達装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、トランスチップおよび信号伝達装置に関する。
【背景技術】
【0002】
信号伝達装置の一例として、トランジスタ等のスイッチング素子のゲート電極にゲート電圧を印加する絶縁型のゲートドライバが知られている。このようなゲートドライバに用いられるトランスチップの一例として、素子絶縁層内において、素子絶縁層の厚さ方向に対向配置された第１コイルおよび第２コイルを含む構造が知られている（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１６－２８４０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
ところで、上記のように構成されるトランスチップでは、第１コイルと第２コイルとの必要な絶縁耐圧を確保しつつも素子絶縁層の厚さを薄くすることが好ましい。
【課題を解決するための手段】
【0005】
上記課題を解決するトランスチップは、複数の絶縁膜の積層構造によって構成され、厚さ方向において互いに反対側を向く表面および裏面を含む絶縁層と、前記絶縁層内において前記裏面寄りに配置され、環状に形成され、第１内周端部を含む第１コイルと、前記絶縁層内において前記表面寄りに配置され、環状に形成され、第２内周端部を含み、前記厚さ方向において前記第１コイルと対向する第２コイルと、前記表面上に形成された第１内周パッドおよび第２内周パッドと、前記第１コイルの前記第１内周端部と前記第１内周パッドとを電気的に接続する第１内周接続部と、前記第２コイルの前記第２内周端部と前記第２内周パッドとを電気的に接続する第２内周接続部と、を備え、前記厚さ方向から視て、前記第１内周パッド、前記第２内周パッド、前記第１内周接続部、および前記第２内周接続部は、前記第１コイルおよび前記第２コイルによって囲まれた内側領域に配置されている。
【0006】
上記課題を解決する信号伝達装置は、上記トランスチップと、第１回路と、前記第１回路と前記絶縁チップを介して接続された第２回路と、を備え、前記第１回路と前記第２回路とは、前記トランスチップを介して信号を伝達するように構成されている。
【発明の効果】
【0007】
上記トランスチップおよび信号伝達装置によれば、第１コイルと第２コイルとの必要な絶縁耐圧を確保しつつも素子絶縁層の厚さを薄くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下、添付図面を参照して本開示における絶縁チップおよび信号伝達装置のいくつかの実施形態について説明する。なお、説明を簡単かつ明確にするために、図面に示される構成要素は必ずしも一定の縮尺で描かれていない。また、理解を容易にするために、断面図では、ハッチング線が省略されている場合がある。添付の図面は、本開示の実施形態を例示するに過ぎず、本開示を制限するものとみなされるべきではない。
【0010】
以下の詳細な記載は、本開示の例示的な実施形態を具体化する装置、システム、および方法を含む。この詳細な記載は本来説明のためのものに過ぎず、本開示の実施形態またはこのような実施形態の適用および使用を限定することを意図していない。
【0011】
［信号伝達装置の構成］
図１～図３を参照して、一実施形態の信号伝達装置１０の概略構成について説明する。図１は一実施形態の信号伝達装置１０の回路構成の一例を簡略化して示している。図２は一実施形態の信号伝達装置１０内部の概略平面構造を示している。図３は図２の信号伝達装置１０の一部の内部構造を簡略化して示している。なお、図３では、図面の理解を容易にするため、ハッチング線を省略している。
図１～図３を参照して、一実施形態の信号伝達装置１０の概略構成について説明する。図１は一実施形態の信号伝達装置１０の回路構成の一例を簡略化して示している。図２は一実施形態の信号伝達装置１０内部の概略平面構造を示している。図３は図２の信号伝達装置１０の一部の内部構造を簡略化して示している。なお、図３では、図面の理解を容易にするため、ハッチング線を省略している。
【0012】
図１に示すように、信号伝達装置１０は、１次側端子１１と２次側端子１２との間を電気的に絶縁しつつパルス信号を伝達するように構成されている。信号伝達装置１０は、例えばデジタルアイソレータである。デジタルアイソレータの一例はＤＣ／ＤＣコンバータである。信号伝達装置１０は、１次側端子１１に電気的に接続された１次側回路１３と、２次側端子１２に電気的に接続された２次側回路１４と、１次側回路１３と２次側回路１４とを電気的に絶縁するトランス１５と、を有する信号伝達回路１０Ａを含む。ここで、本開示においては、１次側回路１３は「第１回路」に対応し、２次側回路１４は「第２回路」に対応している。
【0013】
１次側回路１３は、第１電圧Ｖ１が印加されることによって動作するように構成されている。１次側回路１３は、例えば外部の制御装置（図示略）に電気的に接続されている。
２次側回路１４は、第１電圧Ｖ１とは異なる第２電圧Ｖ２が印加されることによって動作するように構成されている。第１電圧Ｖ１および第２電圧Ｖ２は直流電圧である。２次側回路１４は、例えば制御装置の制御対象となる駆動回路（図示略）に電気的に接続されている。駆動回路の一例は、スイッチング素子を含むスイッチング回路である。スイッチング素子としては、例えばＳｉＭＯＳＦＥＴ、ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ、ＩＧＢＴ等が挙げられる。２次側回路１４は、スイッチング素子のゲートに電気的に接続されている。そして、２次側回路１４は、スイッチング素子のゲートにゲート駆動信号を供給する。
２次側回路１４は、第１電圧Ｖ１とは異なる第２電圧Ｖ２が印加されることによって動作するように構成されている。第１電圧Ｖ１および第２電圧Ｖ２は直流電圧である。２次側回路１４は、例えば制御装置の制御対象となる駆動回路（図示略）に電気的に接続されている。駆動回路の一例は、スイッチング素子を含むスイッチング回路である。スイッチング素子としては、例えばＳｉＭＯＳＦＥＴ、ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ、ＩＧＢＴ等が挙げられる。２次側回路１４は、スイッチング素子のゲートに電気的に接続されている。そして、２次側回路１４は、スイッチング素子のゲートにゲート駆動信号を供給する。
【0014】
信号伝達回路１０Ａにおいては、制御装置からの制御信号が１次側端子１１を介して１次側回路１３に入力されると、１次側回路１３からトランス１５を介して２次側回路１４に信号が伝達される。そして、２次側回路１４に伝達された信号は、２次側回路１４から２次側端子１２を介して駆動回路に出力される。
【0015】
１次側回路１３から２次側回路１４に向けて伝達される信号、すなわち１次側回路１３から出力される信号としては、例えばスイッチング素子を駆動させるための信号である。この信号の一例は、セット信号（ＳＥＴ）およびリセット信号（ＲＥＳＥＴ）が挙げられる。セット信号は制御装置からの制御信号の立上りを伝達する信号であり、リセット信号は制御装置からの制御信号の立下りを伝達する信号である。セット信号およびリセット信号は、スイッチング素子のゲート駆動信号を生成するための信号であるといえる。
【0016】
より詳細には、１次側回路１３は、制御装置から入力された制御信号に基づいてセット信号およびリセット信号を生成する。一例では、１次側回路１３は、制御信号の立上りに応答することによってセット信号を生成する一方、制御信号の立下りに応答することによってリセット信号を生成する。そして、１次側回路１３は、生成したセット信号およびリセット信号を２次側回路１４に向けて送信する。
【0017】
２次側回路１４は、１次側回路１３から受信したセット信号およびリセット信号に基づいて、スイッチング素子を駆動するためのゲート駆動信号を生成する。そして、２次側回路１４は、ゲート駆動信号をスイッチング素子のゲートに供給する。つまり、２次側回路１４は、１次側回路１３から出力された信号に基づいてスイッチング素子のゲートに供給するゲート駆動信号を生成するともいえる。より詳細には、２次側回路１４は、セット信号に基づいてスイッチング素子をオンするゲート駆動信号を生成した後、そのゲート駆動信号をスイッチング素子のゲートに供給する。一方、２次側回路１４は、リセット信号に基づいてスイッチング素子をオフするゲート駆動信号を生成した後、そのゲート駆動信号をスイッチング素子のゲートに供給する。このように、信号伝達装置１０によってスイッチング素子のオンオフが制御される。
【0018】
２次側回路１４は、例えばセット信号およびリセット信号が入力されるＲＳ型フリップフロップ回路と、ＲＳ型フリップフロップ回路の出力信号に基づいてゲート駆動信号を生成するドライバ部と、を含む。ただし、２次側回路１４の具体的な回路構成は任意に変更可能である。
【0019】
上述のとおり、１次側回路１３と２次側回路１４とは、トランス１５によって電気的に絶縁されている。より詳細には、トランス１５によって１次側回路１３と２次側回路１４との間で直流電圧が伝達されることが規制されている一方、セット信号およびリセット信号等の各種信号の伝達は可能となっている。
【0020】
すなわち、１次側回路１３と２次側回路１４とが絶縁されている状態とは、１次側回路１３と２次側回路１４との間において、直流電圧の伝達が遮断されている状態を意味し、１次側回路１３と２次側回路１４との間における信号の伝達については許容している。
【0021】
信号伝達装置１０の絶縁耐圧は、例えば２５００Ｖｒｍｓ以上７５００Ｖｒｍｓ以下である。一例では、信号伝達装置１０の絶縁耐圧は、５０００Ｖｒｍｓ程度である。ただし、信号伝達装置１０の絶縁耐圧の具体的な数値はこれに限られず任意に変更可能である。
【0022】
図１に示す例では、１次側回路１３のグランドＧＮＤ１と２次側回路１４のグランドＧＮＤ２とが独立して設けられている。以下、１次側回路１３のグランドＧＮＤ１の電位を第１基準電位とし、２次側回路１４のグランドＧＮＤ２の電位を第２基準電位とする。この場合、第１電圧Ｖ１は第１基準電位からの電圧であり、第２電圧Ｖ２は第２基準電位からの電圧である。第１電圧Ｖ１は例えば４．５Ｖ以上５．５Ｖ以下であり、第２電圧Ｖ２は例えば９Ｖ以上２４Ｖ以下である。
【0023】
次に、信号伝達装置１０の詳細な構成について説明する。
信号伝達装置１０は、１次側回路１３から２次側回路１４に向けてセット信号およびリセット信号の２種類の信号を伝達させることに対応させて、トランス１５を２つ含む。より詳細には、信号伝達装置１０は、１次側回路１３から２次側回路１４へのセット信号の伝達に用いられるトランス１５と、１次側回路１３から２次側回路１４へのリセット信号の伝達に用いられるトランス１５と、を含む。以下、説明の便宜上、セット信号の伝達に用いられるトランス１５を「トランス１５Ａ」とし、リセット信号の伝達に用いられるトランス１５を「トランス１５Ｂ」とする。
信号伝達装置１０は、１次側回路１３から２次側回路１４に向けてセット信号およびリセット信号の２種類の信号を伝達させることに対応させて、トランス１５を２つ含む。より詳細には、信号伝達装置１０は、１次側回路１３から２次側回路１４へのセット信号の伝達に用いられるトランス１５と、１次側回路１３から２次側回路１４へのリセット信号の伝達に用いられるトランス１５と、を含む。以下、説明の便宜上、セット信号の伝達に用いられるトランス１５を「トランス１５Ａ」とし、リセット信号の伝達に用いられるトランス１５を「トランス１５Ｂ」とする。
【0024】
信号伝達装置１０は、１次側回路１３とトランス１５Ａとを接続する１次側信号線１６Ａと、１次側回路１３とトランス１５Ｂとを接続する１次側信号線１６Ｂと、を含む。このため、１次側信号線１６Ａは、セット信号を１次側回路１３からトランス１５Ａに伝達する。１次側信号線１６Ｂは、リセット信号を１次側回路１３からトランス１５Ｂに伝達する。
【0025】
信号伝達装置１０は、トランス１５Ａと２次側回路１４とを接続する２次側信号線１７Ａと、トランス１５Ｂと２次側回路１４とを接続する２次側信号線１７Ｂと、を含む。このため、２次側信号線１７Ａは、セット信号をトランス１５Ａから２次側回路１４に伝達する。２次側信号線１７Ｂは、リセット信号をトランス１５Ｂから２次側回路１４に伝達する。
【0026】
トランス１５Ａは、１次側回路１３と２次側回路１４とを電気的に絶縁する一方、１次側回路１３から２次側回路１４にセット信号を伝達するように構成されている。トランス１５Ｂは、１次側回路１３と２次側回路１４とを電気的に絶縁する一方、１次側回路１３から２次側回路１４にリセット信号を伝達するように構成されている。
【0027】
トランス１５Ａ，１５Ｂは、第１コイル２１および第２コイル２２を含む。第１コイル２１と第２コイル２２とは、互いに電気的に絶縁されており、かつ磁気結合可能に構成されている。
【0028】
トランス１５Ａ，１５Ｂの第１コイル２１は、１次側回路１３に電気的に接続されている。一例では、トランス１５Ａの第１コイル２１の第１端は１次側信号線１６Ａによって１次側回路１３に電気的に接続され、トランス１５Ａの第１コイル２１の第２端は１次側回路１３のグランドＧＮＤ１に電気的に接続されている。トランス１５Ｂの第１コイル２１の第１端は１次側信号線１６Ｂによって１次側回路１３に電気的に接続され、トランス１５Ｂの第１コイル２１の第２端は１次側回路１３のグランドＧＮＤ１に電気的に接続されている。したがって、トランス１５Ａ，１５Ｂの第１コイル２１の第２端の電位は、第１基準電位となる。第１基準電位は例えば０Ｖである。
【0029】
トランス１５Ａ，１５Ｂの第２コイル２２は、２次側回路１４に電気的に接続されている。一例では、トランス１５Ａの第２コイル２２の第１端は２次側信号線１７Ａによって２次側回路１４に電気的に接続され、トランス１５Ａの第２コイル２２の第２端は２次側回路１４のグランドＧＮＤ２に電気的に接続されている。トランス１５Ｂの第２コイル２２の第１端は２次側信号線１７Ｂによって２次側回路１４に電気的に接続され、トランス１５Ｂの第２コイル２２の第２端は２次側回路１４のグランドＧＮＤ２に電気的に接続されている。したがって、トランス１５Ａ，１５Ｂの第２コイル２２の第２端の電位は、第２基準電位となる。２次側回路１４のグランドＧＮＤ２は、例えば２次側回路１４に電気的に接続されたスイッチング回路におけるスイッチング素子のソースに電気的に接続されている。
【0030】
ところで、スイッチング回路の使用態様によっては、スイッチング回路の動作にともないスイッチング素子のソースが変動する。この場合、スイッチング素子のソースは、例えば６００Ｖ以上となる場合がある。したがって、２次側回路１４のグランドＧＮＤ２、つまり第２基準電位は、６００Ｖ以上となる場合がある。このため、トランス１５Ａ，１５Ｂは、第１基準電位および第２基準電位に応じた絶縁耐圧が求められる。
【0031】
このように、第２基準電位が６００Ｖ以上となる場合、２次側回路１４は１次側回路１３よりも高い電位で動作するため、換言すると第２電圧Ｖ２が第１電圧Ｖ１よりも高くなるため、「高圧回路」と称することができる。一方、１次側回路１３は２次側回路１４よりも低い電位で動作するため、換言すると第１電圧Ｖ１が第２電圧Ｖ２よりも低くなるため、「低圧回路」と称することができる。このため、トランス１５Ａ，１５Ｂのうち１次側回路１３（低圧回路）に電気的に接続された第１コイル２１は「低圧コイル」と称することができる。また、トランス１５Ａ，１５Ｂのうち２次側回路１４（高圧回路）に電気的に接続された第２コイル２２は「高圧コイル」と称することができる。
【0032】
図２は、信号伝達装置１０の内部構成を示す平面図の一例を示している。なお、図１では、信号伝達装置１０の回路構成を簡略化して示しているため、図２の信号伝達装置１０の外部端子（１次側端子１１および２次側端子１２）の数は、図１の信号伝達装置１０の外部端子の数よりも多い。また、図２の信号伝達装置１０における１次側回路１３から２次側回路１４に信号を伝達する信号線の数（後述するワイヤＷ１～Ｗ４の数）は、図１の信号伝達装置１０の信号線の数よりも多い。
【0033】
図３は、信号伝達装置１０の内部構成を示す断面図の一例を示している。なお、図３は、信号伝達装置１０の内部構成を簡略化して示しているため、後述する第１チップ３０、第２チップ４０、およびトランスチップ５０の断面構造は簡略化されている。このため、図３に示すトランスチップ５０の断面構造は、図７～図１３のトランスチップ５０の断面構造とは異なっている。
【0034】
図２に示すように、信号伝達装置１０は、複数の半導体チップが１パッケージ化された半導体装置である。信号伝達装置１０のパッケージ形式は、ＳＯ（Small Outline）系であり、図２の例ではＳＯＰ（Small Outline Package）である。信号伝達装置１０は、半導体チップとして、第１チップ３０、第２チップ４０、およびトランスチップ５０を含む。また、信号伝達装置１０は、第１チップ３０が配置された第１リードフレーム６０と、第２チップ４０が配置された第２リードフレーム７０と、各チップ３０，４０，５０および各リードフレーム６０，７０の一部を封止する封止樹脂１３０と、を含む。なお、信号伝達装置１０のパッケージ形式は任意に変更可能である。また、図２において、封止樹脂１３０は、信号伝達装置１０の内部構造を説明する都合上、二点鎖線で示されている。
【0035】
封止樹脂１３０は、電気絶縁性を有する材料によって形成されている。一例では、封止樹脂１３０は、例えばエポキシ樹脂を含む樹脂によって形成されている。封止樹脂１３０は、Ｚ方向を厚さ方向とする矩形板状に形成されている。封止樹脂１３０は、４つの樹脂側面１３１～１３４を有する。樹脂側面１３１，１３２は、封止樹脂１３０のＸ方向の両端面を構成している。樹脂側面１３３，１３４は、封止樹脂１３０のＹ方向の両端面を構成している。なお、以降の説明において、Ｚ方向から信号伝達装置１０およびその構成要素を視ることを「平面視」という。またＸ方向およびＹ方向は、平面視においてＺ方向と交差する方向であり、互いに直交している。一例では、Ｘ方向およびＹ方向の双方はＺ方向と直交する方向である。
【0036】
第１リードフレーム６０および第２リードフレーム７０の各々は、導体であり、例えばＣｕ（銅）、Ｆｅ（鉄）等を含む材料によって形成されている。各リードフレーム６０，７０は、封止樹脂１３０の内外に跨って設けられている。
【0037】
第１リードフレーム６０は、封止樹脂１３０内に配置された第１ダイパッド６１と、封止樹脂１３０の内外に跨って配置された複数の第１リード６２と、を含む。各第１リード６２は、１次側端子１１（図１参照）を構成している。
【0038】
図２の例では、第１ダイパッド６１には、第１チップ３０およびトランスチップ５０の双方が配置されている。平面視において、第１ダイパッド６１は、そのＸ方向の中央が封止樹脂１３０のＸ方向の中央よりも樹脂側面１３１の近くとなるように配置されている。一例では、第１ダイパッド６１は、封止樹脂１３０から露出されていない。第１ダイパッド６１は、Ｚ方向を厚さ方向とする矩形平板状に形成されている。平面視における第１ダイパッド６１の形状は、Ｙ方向が長手方向となり、Ｘ方向が短手方向となる矩形状である。
【0039】
複数の第１リード６２は、Ｙ方向において互いに離隔して配列されている。複数の第１リード６２のうちＹ方向の両端に配置された第１リード６２の各々は、第１ダイパッド６１と一体化されている。各第１リード６２の一部は、樹脂側面１３１から封止樹脂１３０の外方に向けて突出している。
【0040】
第２リードフレーム７０は、封止樹脂１３０内に配置された第２ダイパッド７１と、封止樹脂１３０の内外に跨って配置された複数の第２リード７２と、を含む。各第２リード７２は、２次側端子１２（図１参照）を構成している。
【0041】
図２の例では、第２ダイパッド７１には、第２チップ４０が配置されている。平面視において、第２ダイパッド７１は、第１ダイパッド６１よりも樹脂側面１３２寄りに第１ダイパッド６１に対してＸ方向に離隔して配置されている。このように、Ｘ方向において第１ダイパッド６１および第２ダイパッド７１が配列されているため、Ｘ方向は第１ダイパッド６１および第２ダイパッド７１の配列方向であるといえる。
【0042】
一例では、第２ダイパッド７１は、封止樹脂１３０から露出されていない。第２ダイパッド７１は、Ｚ方向を厚さ方向とする矩形平板状に形成されている。平面視における第２ダイパッド７１の形状は、Ｙ方向が長手方向となり、Ｘ方向が短手方向となる矩形状である。第１ダイパッド６１および第２ダイパッド７１のＸ方向の寸法は、配置される半導体チップのサイズや数に応じて設定される。このため、第１チップ３０およびトランスチップ５０が配置された第１ダイパッド６１のＸ方向の寸法は、第２チップ４０が配置された第２ダイパッド７１のＸ方向の寸法よりも大きい。
【0043】
複数の第２リード７２は、Ｙ方向において互いに離隔して配列されている。図２に示す例では、複数の第２リード７２のうち一対の第２リード７２は、第２ダイパッド７１と一体化されている。一対の第２リード７２は、Ｙ方向の両端に配置された第２リード７２の各々とＹ方向に隣り合う第２リード７２である。各第２リード７２の一部は、樹脂側面１３２から封止樹脂１３０の外方に向けて突出している。
【0044】
一例では、第２リード７２の数は、第１リード６２の数と同じである。図２に示すとおり、平面視において、複数の第１リード６２は、第１ダイパッド６１および第２ダイパッド７１の配列方向（Ｘ方向）と直交する方向（Ｙ方向）に配列されている。複数の第２リード７２も同様に、第１ダイパッド６１および第２ダイパッド７１の配列方向（Ｘ方向）と直交する方向（Ｙ方向）に配列されている。なお、第１リード６２の数および第２リード７２の数はそれぞれ任意に変更可能である。
【0045】
図２の例では、第１ダイパッド６１は、第１ダイパッド６１と一体化された一対の第１リード６２によって支持されている。第２ダイパッド７１は、第２ダイパッド７１と一体化された一対の第２リード７２によって支持されている。このため、各ダイパッド６１，７１には、樹脂側面１３３，１３４から露出する吊りリードが設けられていない。このため、第１リードフレーム６０と第２リードフレーム７０との間の絶縁距離を大きくとることができる。
【0046】
第１チップ３０およびトランスチップ５０は、第１ダイパッド６１上においてＸ方向に互いに離隔して配列されている。第２チップ４０は、Ｘ方向においてトランスチップ５０に対して第１チップ３０とは反対側に配置されている。このように、第１チップ３０、第２チップ４０、およびトランスチップ５０は、Ｘ方向において互いに離隔して配列されている。第１チップ３０、第２チップ４０、およびトランスチップ５０は、第１ダイパッド６１および第２ダイパッド７１の配列方向と同じ方向に配列されているといえる。Ｘ方向において第１リード６２から第２リード７２に向けて、第１チップ３０、トランスチップ５０、および第２チップ４０の順に配列されている。つまり、トランスチップ５０は、Ｘ方向において第１チップ３０と第２チップ４０との間に配置されているといえる。
【0047】
第１チップ３０は、図１に示す１次側回路１３を含む。第１チップ３０は、Ｚ方向が厚さ方向となる矩形板状に形成されている。平面視における第１チップ３０の形状は、Ｘ方向が短手方向となり、Ｙ方向が長手方向となる矩形状である。図３に示すように、第１チップ３０は、Ｚ方向において互いに反対側を向くチップ表面３１およびチップ裏面３２を有する。第１チップ３０のチップ裏面３２は、導電性接合材ＳＤによって第１ダイパッド６１に接合されている。導電性接合材ＳＤは、例えばはんだペーストやＡｇ（銀）ペーストが用いられている。
【0048】
第１チップ３０のチップ表面３１には、複数の第１電極パッド３３、複数の第２電極パッド３４、および複数の第３電極パッド３５が形成されている。第１電極パッド３３、第２電極パッド３４、および第３電極パッド３５は、１次側回路１３と電気的に接続されている。
【0049】
複数の第１電極パッド３３は、チップ表面３１のうちチップ表面３１のＸ方向の中央よりも第１リード６２寄りに配置されている。複数の第１電極パッド３３はＹ方向において互いに離隔して配列されている。複数の第２電極パッド３４は、チップ表面３１のＸ方向の両端部のうちトランスチップ５０に近い方の端部に配置されている。複数の第２電極パッド３４はＹ方向において互いに離隔して配列されている。複数の第３電極パッド３５は、チップ表面３１のＹ方向の両端部に分散して配置されている。
【0050】
図３に示すように、第１チップ３０は、１次側回路１３が形成された基板３６を含む。基板３６は、例えば半導体基板である。半導体基板の一例は、Ｓｉを含む材料によって形成された基板である。基板３６上には、配線層３７が形成されている。基板３６は、チップ裏面３２を構成し、配線層３７はチップ表面３１を構成している。
【0051】
配線層３７は、例えばＺ方向に積層された複数の絶縁膜と、絶縁膜に埋め込まれた金属層と、を含む。金属層は、第１チップ３０の配線パターンを構成している。金属層は、例えば１次側回路１３と各電極パッド３３～３５とを電気的に接続している。つまり、各電極パッド３３～３５は、配線層３７を介して１次側回路１３に電気的に接続されている。金属層は、例えばＴｉ（チタン）、ＴｉＮ（窒化チタン）、Ａｕ（金）、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ（アルミニウム）、およびＷ（タングステン）のうち１つまたは複数が適宜選択されたものを含む材料によって形成されている。
【0052】
図２に示すように、第２チップ４０は、図１に示す２次側回路１４を含む。第２チップ４０は、Ｚ方向が厚さ方向となる矩形板状に形成されている。平面視における第２チップ４０の形状は、Ｘ方向が短手方向となり、Ｙ方向が長手方向となる矩形状である。図３に示すように、第２チップ４０は、Ｚ方向において互いに反対側を向くチップ表面４１およびチップ裏面４２を有する。第２チップ４０のチップ裏面４２は、導電性接合材ＳＤによって第２ダイパッド７１に接合されている。
【0053】
第２チップ４０のチップ表面４１には、複数の第１電極パッド４３、複数の第２電極パッド４４、および複数の第３電極パッド４５が形成されている。第１電極パッド４３、第２電極パッド４４、および第３電極パッド４５は、２次側回路１４と電気的に接続されている。
【0054】
複数の第１電極パッド４３は、チップ表面４１のＸ方向の両端部のうちトランスチップ５０に近い方の端部に形成されている。複数の第１電極パッド４３は、Ｙ方向において互いに離隔して配列されている。複数の第２電極パッド４４は、チップ表面４１のＸ方向の両端部のうち第２リード７２に近い方の端部に形成されている。複数の第２電極パッド４４は、Ｙ方向において互いに離隔して配列されている。複数の第３電極パッド４５は、チップ表面４１のＹ方向の両端部に分散して配置されている。
【0055】
図３に示すように、第２チップ４０は、２次側回路１４が形成された基板４６を含む。基板４６は、例えば半導体基板である。半導体基板の一例は、Ｓｉを含む材料によって形成された基板である。基板４６上には、配線層４７が形成されている。基板４６は、チップ裏面４２を構成し、配線層４７はチップ表面４１を構成している。
【0056】
配線層４７は、例えばＺ方向に積層された複数の絶縁膜と、絶縁膜に埋め込まれた金属層と、を含む。金属層は、第２チップ４０の配線パターンを構成している。金属層は、例えば２次側回路１４と各電極パッド４３～４５とを電気的に接続している。つまり、各電極パッド４３～４５は、配線層４７を介して２次側回路１４に電気的に接続されている。金属層は、例えばＴｉ、ＴｉＮ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、およびＷのうち１つまたは複数が適宜選択されたものを含む材料によって形成されている。
【0057】
トランスチップ５０は、図１に示すトランス１５Ａ，１５Ｂを含んで１チップ化されたものである。つまり、トランスチップ５０は、第１チップ３０および第２チップ４０とは別のトランス１５Ａ，１５Ｂ専用のチップである。トランスチップ５０は、チップ表面５０Ａと、このチップ表面５０Ａとは反対側を向くチップ裏面５０Ｂと、を有する。チップ表面５０Ａは例えば第１チップ３０のチップ表面３１と同じ側を向き、チップ裏面５０Ｂは例えば第１チップ３０のチップ裏面３２と同じ側を向いている。トランスチップ５０のチップ裏面５０Ｂは、導電性接合材ＳＤによって第１ダイパッド６１に接合されている。
【0058】
図２および図３に示すように、トランスチップ５０のチップ表面５０Ａには、複数の第１電極パッド５７が形成されている。複数の第１電極パッド５７は、チップ表面５０ＡのＸ方向の両端部のうち第１チップ３０に近い方の端部に形成されている。複数の第１電極パッド５７は、Ｙ方向において互いに離隔して配列されている。トランスチップ５０のチップ表面５０Ａには、複数の第２電極パッド５８が形成されている。複数の第２電極パッド５８は、Ｙ方向において互いに離隔して配列されている。
【0059】
信号伝達装置１０の絶縁耐圧を予め設定された絶縁耐圧とするため、各リードフレーム６０，７０が最も接近する第１ダイパッド６１と第２ダイパッド７１とを互いに離隔させる必要がある。このため、平面視においてトランスチップ５０と第２チップ４０とのＸ方向の間の距離は、トランスチップ５０と第１チップ３０とのＸ方向の間の距離よりも大きくなる。一方、トランスチップ５０と第１チップ３０とは第１ダイパッド６１上に配置されているため、互いに近づけてもよい。このため、トランスチップ５０は、第２チップ４０よりも第１チップ３０寄りに配置されているといえる。
【0060】
第１チップ３０、トランスチップ５０、および第２チップ４０の各々には、複数のワイヤＷ１～Ｗ４が接続されている。各ワイヤＷ１～Ｗ４は、ワイヤボンディング装置によって形成されたボンディングワイヤであり、例えばＡｕ、Ａｌ、Ｃｕ等を含む導体によって形成されている。
【0061】
第１チップ３０は、ワイヤＷ１によって第１リードフレーム６０と電気的に接続されている。より詳細には、第１チップ３０の複数の第１電極パッド３３および複数の第３電極パッド３５と、複数の第１リード６２とがワイヤＷ１によって個別に電気的に接続されている。複数の第３電極パッド３５は、複数の第１リード６２のうち第１ダイパッド６１と一体化された一対の第１リード６２とワイヤＷ１によって個別に電気的に接続されている。これにより、１次側回路１３と複数の第１リード６２（１次側端子１１）とが電気的に接続されている。図２の例では、第１ダイパッド６１と一体化された一対の第１リード６２がグランド端子を構成し、かつワイヤＷ１によって１次側回路１３と第１ダイパッド６１とが電気的に接続されている。このため、第１ダイパッド６１が１次側回路１３のグランドＧＮＤ１と同じ電位となる。
【0062】
第２チップ４０は、ワイヤＷ４によって第２リードフレーム７０と電気的に接続されている。より詳細には、第２チップ４０の複数の第２電極パッド４４および複数の第３電極パッド４５と、複数の第２リード７２とがワイヤＷ４によって個別に電気的に接続されている。複数の第３電極パッド４５は、複数の第２リード７２のうち第２ダイパッド７１と一体化された一対の第２リード７２とワイヤＷ４によって個別に電気的に接続されている。これにより、２次側回路１４と複数の第２リード７２（２次側端子１２）とが電気的に接続されている。図２の例では、第２ダイパッド７１と一体化された一対の第２リード７２がグランド端子を構成し、かつワイヤＷ４によって２次側回路１４と第２ダイパッド７１とが電気的に接続されている。このため、第２ダイパッド７１が２次側回路１４のグランドＧＮＤ２と同じ電位となる。
【0063】
トランスチップ５０は、第１チップ３０とワイヤＷ２によって電気的に接続されている。また、トランスチップ５０は、第２チップ４０とワイヤＷ３によって電気的に接続されている。より詳細には、トランスチップ５０の複数の第１電極パッド５７は、第１チップ３０の複数の第２電極パッド３４とワイヤＷ２によって個別に電気的に接続されている。トランスチップ５０の複数の第２電極パッド５８は、第２チップ４０の複数の第１電極パッド３３とワイヤＷ３によって個別に電気的に接続されている。
【0064】
なお、トランス１５Ａ，１５Ｂの第１コイル２１（図３参照）は、ワイヤＷ２および第１チップ３０等を介して１次側回路１３のグランドＧＮＤ１に電気的に接続されている。トランス１５Ａ，１５Ｂの第２コイル２２（図３参照）は、ワイヤＷ３および第２チップ４０等を介して２次側回路１４のグランドＧＮＤ２に電気的に接続されている。
【0065】
［トランスチップの構成］
図３～図１３を参照して、トランスチップ５０の構成の一例について説明する。
図４は、トランスチップ５０の平面構造の一例を模式的に示している。図５は、図３のＦ５－Ｆ５線でトランスチップ５０を切断した断面構造であり、トランス１５Ａ，１５Ｂの第１コイル２１を主に示している。図６は、図３のＦ６－Ｆ６線でトランスチップ５０を切断した断面構造であり、トランス１５Ａ，１５Ｂの第２コイル２２を主に示している。図７は、図４のＦ７－Ｆ７線でトランスチップ５０を切断した断面構造であり、主に第１コイル２１および第２コイル２２の断面構造を示している。図８は、図７の第１電極パッド５７およびその周辺を拡大した断面構造を示している。図９は、図７の第２電極パッド５８およびその周辺を拡大した断面構造を示している。図１０は、図４のＦ１０－Ｆ１０線でトランスチップ５０を切断した断面構造であり、主に第１コイル２１と第１電極パッド５７との接続構造を示している。図１１は、図１０のＹ方向の中央部を拡大した断面構造を示している。図１２は、図４のＦ１２－Ｆ１２線でトランスチップ５０を切断した断面構造であり、主に第２コイル２２と第２電極パッド５８との接続構造を示している。図１３は、図１２のＹ方向の中央部を拡大した断面構造を示している。なお、図面を容易に理解するため、図４では、後述する樹脂層５６を省略している。
図３～図１３を参照して、トランスチップ５０の構成の一例について説明する。
図４は、トランスチップ５０の平面構造の一例を模式的に示している。図５は、図３のＦ５－Ｆ５線でトランスチップ５０を切断した断面構造であり、トランス１５Ａ，１５Ｂの第１コイル２１を主に示している。図６は、図３のＦ６－Ｆ６線でトランスチップ５０を切断した断面構造であり、トランス１５Ａ，１５Ｂの第２コイル２２を主に示している。図７は、図４のＦ７－Ｆ７線でトランスチップ５０を切断した断面構造であり、主に第１コイル２１および第２コイル２２の断面構造を示している。図８は、図７の第１電極パッド５７およびその周辺を拡大した断面構造を示している。図９は、図７の第２電極パッド５８およびその周辺を拡大した断面構造を示している。図１０は、図４のＦ１０－Ｆ１０線でトランスチップ５０を切断した断面構造であり、主に第１コイル２１と第１電極パッド５７との接続構造を示している。図１１は、図１０のＹ方向の中央部を拡大した断面構造を示している。図１２は、図４のＦ１２－Ｆ１２線でトランスチップ５０を切断した断面構造であり、主に第２コイル２２と第２電極パッド５８との接続構造を示している。図１３は、図１２のＹ方向の中央部を拡大した断面構造を示している。なお、図面を容易に理解するため、図４では、後述する樹脂層５６を省略している。
【0066】
図３に示すように、トランスチップ５０は、基板５１と、基板５１上に形成された素子絶縁層５２と、を含む。素子絶縁層５２は、「絶縁層」の一例である。
基板５１は、例えば半導体基板によって構成されている。基板５１は、例えばＳｉ（シリコン）を含む材料によって形成された基板である。基板５１に用いられるＳｉ基板としては、単結晶の真性半導体材料によって構成される半導体基板、アクセプタ型不純物を含むｐ型半導体基板、ドナー型不純物を含むｎ型半導体基板等が挙げられる。
基板５１は、例えば半導体基板によって構成されている。基板５１は、例えばＳｉ（シリコン）を含む材料によって形成された基板である。基板５１に用いられるＳｉ基板としては、単結晶の真性半導体材料によって構成される半導体基板、アクセプタ型不純物を含むｐ型半導体基板、ドナー型不純物を含むｎ型半導体基板等が挙げられる。
【0067】
なお、基板５１は、半導体基板として、ワイドバンドギャップ半導体または化合物半導体が用いられてもよい。また、基板５１は、半導体基板に代えて、ガラスを含む材料で形成された絶縁基板が用いられてもよい。ワイドバンドギャップ半導体は、２．０ｅＶ以上のバンドギャップを有する半導体基板である。ワイドバンドギャップ半導体は、ＳｉＣ（炭化シリコン）、ＧａＮ（窒化ガリウム）、Ｇａ２Ｏ３（酸化ガリウム）等であってもよい。化合物半導体は、ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体であってもよい。化合物半導体は、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）、ＩｎＮ（窒化インジウム）、ＧａＮ、およびＧａＡｓ（ヒ化ガリウム）のうち少なくとも１つを含んでいてもよい。
【0068】
基板５１は、Ｚ方向を厚さ方向とする矩形平板状に形成されている。一例では、基板５１は、平面視においてＸ方向が短手方向となり、Ｙ方向が長手方向となる長方形状である。基板５１は、Ｚ方向において互いに反対側を向く基板表面５１Ａおよび基板裏面５１Ｂを含む。基板裏面５１Ｂは、トランスチップ５０のチップ裏面５０Ｂを構成している。基板表面５１Ａは、素子絶縁層５２と接する面である。
【0069】
基板表面５１Ａ上に形成された素子絶縁層５２は、Ｚ方向において互いに反対側を向く表面５２Ａおよび裏面５２Ｂを含む。裏面５２Ｂは、基板表面５１Ａに接している。素子絶縁層５２は、基板５１によって支持されている。ここで、Ｚ方向は「素子絶縁層の厚さ方向」の一例である。このため、平面視は、「素子絶縁層の厚さ方向から視て」と言い換えることができる。
【0070】
図４に示すように、素子絶縁層５２は、素子側面５２Ｃ～５２Ｆを含む。素子側面５２Ｃ～５２Ｆは、素子絶縁層５２の表面５２Ａと裏面５２Ｂ（図３参照）とのＺ方向の間に設けられており、かつ表面５２Ａと裏面５２Ｂとを繋いでいる。素子側面５２Ｃおよび素子側面５２Ｄは、素子絶縁層５２のＸ方向の両端面を構成している。素子側面５２Ｅおよび素子側面５２Ｆは、素子絶縁層５２のＹ方向の両端面を構成している。素子側面５２Ｃは、素子絶縁層５２に対して第１チップ３０（図３参照）寄りの素子側面を構成している。素子側面５２Ｄは、素子絶縁層５２に対して第２チップ４０（図３参照）寄りの素子側面を構成している。素子側面５２Ｅは封止樹脂１３０の樹脂側面１３３（図２参照）寄りの素子側面を構成している。素子側面５２Ｆは封止樹脂１３０の樹脂側面１３４（図２参照）寄りの素子側面を構成している。
【0071】
図７に示すように、素子絶縁層５２は、複数の絶縁膜の積層構造によって構成されている。より詳細には、図８に示すように、素子絶縁層５２は、複数の第１絶縁膜５２Ｐおよび複数の第２絶縁膜５２Ｑを含む。複数の第１絶縁膜５２Ｐおよび複数の第２絶縁膜５２Ｑは、Ｚ方向において１つずつ交互に積層されている。
【0072】
第１絶縁膜５２Ｐは、エッチングストッパ膜であり、例えばＳｉＮ（窒化シリコン）、ＳｉＣ、ＳｉＣＮ（窒素添加炭化シリコン）のうち少なくとも１つを含む材料によって形成されている。また、第１絶縁膜５２Ｐは、例えばＣｕの拡散防止の機能を有してよい。つまり、第１絶縁膜５２Ｐは、Ｃｕの拡散防止膜であってよい。
【0073】
第２絶縁膜５２Ｑは、層間絶縁膜であり、例えばＳｉＯ２（酸化シリコン）を含む材料によって形成された酸化膜である。第２絶縁膜５２Ｑは、第１絶縁膜５２Ｐよりも厚い膜厚を有する。第１絶縁膜５２Ｐは、例えば５０ｎｍ以上１０００ｎｍ未満の膜厚を有する。第２絶縁膜５２Ｑは、例えば５００ｎｍ以上５０００ｎｍ以下の膜厚を有する。この実施形態では、第１絶縁膜５２Ｐは３００ｎｍ程度の膜厚を有し、第２絶縁膜５２Ｑは２０００ｎｍ程度の膜厚を有する。なお、図面を容易に理解するため、図面における第１絶縁膜５２Ｐの膜厚と第２絶縁膜５２Ｑの膜厚との比率は、実際の第１絶縁膜５２Ｐの膜厚と第２絶縁膜５２Ｑの膜厚との比率とは異なる。
【0074】
素子絶縁層５２の複数の絶縁膜のうち最上層の絶縁膜は、例えば第１絶縁膜５２Ｐによって形成されている。素子絶縁層５２の複数の絶縁膜のうち最下層の絶縁膜は、例えば第２絶縁膜５２Ｑによって形成されている。このため、素子絶縁層５２の表面５２Ａは第１絶縁膜５２Ｐによって形成されており、素子絶縁層５２の裏面５２Ｂは第２絶縁膜５２Ｑによって形成されている。
【0075】
図４～図６に示すように、トランス１５Ａ，１５Ｂの第１コイル２１および第２コイル２２の各々は、素子絶縁層５２に設けられている。第１コイル２１および第２コイル２２の各々は、例えばＴｉ、ＴｉＮ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、およびＷのうち１つまたは複数が適宜選択されたものを含む材料によって構成されている。一例では、第１コイル２１はＣｕを含む材料によって形成されていてよい。一例では、第２コイル２２はＣｕを含む材料によって形成されていてよい。つまり、第１コイル２１および第２コイル２２は、同じ材料によって形成されていてよい。
【0076】
図３に示すように、トランス１５Ａ，１５Ｂの第１コイル２１は、素子絶縁層５２内において裏面５２Ｂ寄りに配置されている。図５に示す例では、トランス１５Ａ，１５Ｂの第１コイル２１は、素子絶縁層５２の複数の絶縁膜のうち最下層の絶縁膜上においてその絶縁膜に接するように形成されている。
【0077】
トランス１５Ａ，１５Ｂの第２コイル２２は、素子絶縁層５２内において表面５２Ａ寄りに配置されている。図６に示す例では、トランス１５Ａ，１５Ｂの第２コイル２２は、素子絶縁層５２の複数の絶縁膜のうち最上層の絶縁膜の直下においてその絶縁膜に接するように形成されている。つまり、第２コイル２２は、最上層の絶縁膜によって覆われている。トランス１５Ａ，１５Ｂの第２コイル２２は、Ｚ方向においてトランス１５Ａ，１５Ｂの第１コイル２１と対向している。
【0078】
図５に示すように、平面視において、トランス１５Ａの第１コイル２１とトランス１５Ｂの第１コイル２１とは、Ｘ方向において互いに同じ位置であってＹ方向において互いに離隔して配列されている。図４および図６に示すように、平面視において、トランス１５Ａの第２コイル２２とトランス１５Ｂの第２コイル２２とは、Ｘ方向において互いに同じ位置であってＹ方向において互いに離隔して配列されている。トランス１５Ａ，１５Ｂの第２コイル２２とＺ方向に対向配置されたトランス１５Ａの第１コイル２１およびトランス１５Ｂの第１コイル２１は、平面視においてトランス１５Ａの第２コイル２２とトランス１５Ｂの第２コイル２２と同じ位置に配置されている。
【0079】
図５および図６に示すとおり、トランス１５Ｂの第１コイル２１および第２コイル２２の各々の構成および配置態様は、トランス１５Ａの第１コイル２１および第２コイル２２と同じであるため、以降では、トランス１５Ａの第１コイル２１および第２コイル２２について詳細に説明し、トランス１５Ｂの第１コイル２１および第２コイル２２について詳細な説明は省略する。
【0080】
図５に示すように、トランス１５Ａの第１コイル２１は、環状に形成されている。一例では、第１コイル２１は、平面視において導線を同心状に巻き回すことによって渦巻き状に形成されている。第１コイル２１は、第１コイル２１の内周側の端部を構成する第１内周端部２１Ａと、第１コイル２１の外周側の端部を構成する第１外周端部２１Ｂと、を含む。第１内周端部２１Ａは、第１コイル２１を構成するように巻き回された導線の長さ方向の両端部のうち内周側の端部である。第１外周端部２１Ｂは、第１コイル２１を構成するように巻き回された導線の長さ方向の両端部のうち外周側の端部である。ここで、導線の長さ方向の両端部は、第１コイル２１を構成するように巻き回された導線の巻き始めの端部および巻き終わりの端部である。
【0081】
一例では、第１コイル２１は、平面視において長手方向および短手方向を有する環状に形成されている。図５に示す例では、第１コイル２１は、平面視においてＸ方向が長手方向となり、Ｙ方向が短手方向となる環状（渦巻き状）に形成されている。図５に示す例では、第１コイル２１は、平面視においてトラック形状である。
【0082】
一例では、第１コイル２１のＸ方向の寸法ＬＸ１は、第１コイル２１のＹ方向の寸法ＬＹ１の２倍以上であってよい。第１コイル２１のＸ方向の寸法ＬＸ１は、例えば素子絶縁層５２のＸ方向の寸法ＬＸ３の１／２よりも大きくてよい。第１コイル２１のＸ方向の寸法ＬＸ１は、例えば素子絶縁層５２のＸ方向の寸法ＬＸ３の３／４よりも小さくてよい。図５に示す例では、第１コイル２１のＸ方向の寸法ＬＸ１は、例えば素子絶縁層５２のＸ方向の寸法ＬＸ３の２／３程度である。
【0083】
第１コイル２１は、Ｘ方向に沿って延びる一対の直線部２１Ｃ，２１Ｄと、一対の直線部２１Ｃ，２１Ｄを接続する一対の湾曲部２１Ｅ，２１Ｆと、を含む。一対の直線部２１Ｃ，２１Ｄは、Ｘ方向において互いに揃った状態でＹ方向において離隔して配列されている。直線部２１Ｃは、直線部２１Ｄよりも素子側面５２Ｅ寄りに配置されている。湾曲部２１Ｅ，２１Ｆの各々は、例えば平面視において半円環状に形成されている。湾曲部２１Ｅは、一対の直線部２１Ｃ，２１ＤのＸ方向の両端部のうち素子側面５２Ｃに近い方の端部に接続されている。湾曲部２１Ｆは、一対の直線部２１Ｃ，２１ＤのＸ方向の両端部のうち素子側面５２Ｄに近い方の端部に接続されている。
【0084】
図６に示すように、トランス１５Ａの第２コイル２２は、環状に形成されている。一例では、第２コイル２２は、平面視において導線を同心状に巻き回すことによって渦巻き状に形成されている。第２コイル２２は、第２コイル２２の内周側の端部を構成する第２内周端部２２Ａと、第２コイル２２の外周側の端部を構成する第２外周端部２２Ｂと、を含む。第２内周端部２２Ａは、第２コイル２２を構成するように巻き回された導線の長さ方向の両端部のうち内周側の端部である。第２外周端部２２Ｂは、第２コイル２２を構成するように巻き回された導線の長さ方向の両端部のうち外周側の端部である。ここで、導線の長さ方向の両端部は、第２コイル２２を構成するように巻き回された導線の巻き始めの端部および巻き終わりの端部である。
【0085】
一例では、第２コイル２２は、平面視において長手方向および短手方向を有する環状に形成されている。図６に示す例では、第２コイル２２は、平面視においてＸ方向が長手方向となり、Ｙ方向が短手方向となる環状（渦巻き状）に形成されている。図６に示す例では、第２コイル２２は、平面視においてトラック形状である。
【0086】
一例では、第２コイル２２のＸ方向の寸法ＬＸ２は、第２コイル２２のＹ方向の寸法ＬＹ２の２倍以上である。第２コイル２２のＸ方向の寸法ＬＸ２は、例えば素子絶縁層５２のＸ方向の寸法ＬＸ３の１／２よりも大きい。第２コイル２２のＸ方向の寸法ＬＸ２は、例えば素子絶縁層５２のＸ方向の寸法ＬＸ３の２／３よりも大きい。第２コイル２２のＸ方向の寸法ＬＸ２は、例えば素子絶縁層５２のＸ方向の寸法ＬＸ３の４／５よりも小さい。一例では、第２コイル２２のＸ方向の寸法ＬＸ２は、例えば素子絶縁層５２のＸ方向の寸法ＬＸ３の３／４程度である。
【0087】
一例では、第２コイル２２の導線による巻回数は、例えば第１コイル２１の導線による巻回数よりも多い。このため、第２コイル２２のＸ方向の寸法ＬＸ２は、第１コイル２１のＸ方向の寸法ＬＸ１よりも大きい。第２コイル２２のＹ方向の寸法ＬＹ２は、第１コイル２１のＹ方向の寸法ＬＹ１よりも大きい。なお、平面視における第２コイル２２のサイズは任意に変更可能である。一例では、平面視における第２コイル２２のサイズは第１コイル２１と同じであってもよい。つまり、第２コイル２２の導線による巻回数は、第１コイル２１の導線による巻回数と同じであってもよい。
【0088】
第２コイル２２は、Ｘ方向に延びる一対の直線部２２Ｃ，２２Ｄと、一対の直線部２２Ｃ，２２Ｄを接続する一対の湾曲部２２Ｅ，２２Ｆと、を含む。一対の直線部２２Ｃ，２２Ｄは、Ｘ方向において互いに揃った状態でＹ方向において離隔して配列されている。直線部２２Ｃは、直線部２２Ｄよりも素子側面５２Ｅ寄りに配置されている。湾曲部２２Ｅ，２２Ｆの各々は、例えば平面視において半円環状に形成されている。湾曲部２２Ｅは、一対の直線部２２Ｃ，２２ＤのＸ方向の両端部のうち素子側面５２Ｃに近い方の端部に接続されている。湾曲部２２Ｆは、一対の直線部２２Ｃ，２２ＤのＸ方向の両端部のうち素子側面５２Ｄに近い方の端部に接続されている。
【0089】
図４に示すように、素子絶縁層５２は、平面視において第１コイル２１および第２コイル２２によって囲まれた領域である内側領域２３を含む。内側領域２３は、平面視において長手方向および短手方向を有する長円状に形成されている。図４の例では、内側領域２３は、Ｘ方向が長手方向となり、Ｙ方向が短手方向となる長円状に形成されている。つまり、内側領域２３の長手方向は第２コイル２２（第１コイル２１）の長手方向と一致し、内側領域２３の短手方向は第２コイル２２（第１コイル２１）の短手方向と一致している。内側領域２３は、第１端部２３Ａおよび第２端部２３Ｂを含む。第１端部２３Ａは、内側領域２３のＸ方向（長手方向）の両端部のうち湾曲部２２Ｅ（湾曲部２１Ｅ）に近い方の端部である。第２端部２３Ｂは、内側領域２３のＸ方向の両端部のうち湾曲部２２Ｆ（湾曲部２１Ｆ）に近い方の端部である。つまり、第２端部２３Ｂは、第２コイル２２（第１コイル２１）の長手方向（Ｘ方向）において内側領域２３の第１端部２３Ａとは反対側の端部である。
【0090】
図４に示すように、複数の第１電極パッド５７は、平面視においてトランス１５Ａ，１５Ｂの内側領域２３に形成された第１内周パッド５７Ａ，５７Ｂと、第１コイル２１および第２コイル２２よりも外方に形成された第１外周パッド５７Ｃと、を含む。第１内周パッド５７Ａ，５７Ｂおよび第１外周パッド５７Ｃは、素子絶縁層５２の表面５２Ａ上に形成されている。
【0091】
第１内周パッド５７Ａは、トランス１５Ａの内側領域２３に形成されている。第１内周パッド５７Ｂは、トランス１５Ｂの内側領域２３に形成されている。第１外周パッド５７Ｃは、平面視においてトランス１５Ａの第１コイル２１（第２コイル２２）とトランス１５Ｂの第１コイル２１（第２コイル２２）とのＹ方向の間に配置されている。
【0092】
複数の第２電極パッド５８は、平面視においてトランス１５Ａ，１５Ｂの内側領域２３に形成された第２内周パッド５８Ａ，５８Ｂと、第１コイル２１および第２コイル２２よりも外方に形成された第２外周パッド５８Ｃと、を含む。第２内周パッド５８Ａ，５８Ｂおよび第２外周パッド５８Ｃは、素子絶縁層５２の表面５２Ａ上に形成されている。
【0093】
第２内周パッド５８Ａは、トランス１５Ａの内側領域２３に形成されている。第２内周パッド５８Ｂは、トランス１５Ｂの内側領域２３に形成されている。第２外周パッド５８Ｃは、平面視においてトランス１５Ａの第１コイル２１（第２コイル２２）とトランス１５Ｂの第１コイル２１（第２コイル２２）とのＹ方向の間に配置されている。
【0094】
このように、平面視において、トランス１５Ａの内側領域２３には、第１内周パッド５７Ａおよび第２内周パッド５８Ａが配置されている。図４の例では、第１内周パッド５７Ａおよび第２内周パッド５８Ａは、Ｙ方向において同じ位置であってＸ方向において互いに離隔して配列されている。つまり、第１内周パッド５７Ａおよび第２内周パッド５８Ａは、平面視において第２コイル２２（第１コイル２１）の長手方向に互いに離隔して配列されているといえる。
【0095】
第１内周パッド５７Ａは、内側領域２３のＸ方向の中央よりも第１端部２３Ａ寄りに配置されている。一例では、第１内周パッド５７Ａは、第２コイル２２の一対の直線部２２Ｃ，２２Ｄに対して湾曲部２２Ｅ寄りに配置されている。図４の例では、第１内周パッド５７Ａは、内側領域２３の第１端部２３Ａに配置されている。
【0096】
第２内周パッド５８Ａは、内側領域２３のＸ方向の中央よりも第２端部２３Ｂ寄りに配置されている。一例では、第２内周パッド５８Ａは、第２コイル２２の一対の直線部２２Ｃ，２２Ｄに対して湾曲部２２Ｆ寄りに配置されている。図４の例では、第２内周パッド５８Ａは、内側領域２３の第２端部２３Ｂに配置されている。このため、第１内周パッド５７Ａと第２内周パッド５８ＡとのＸ方向の間の距離ＤＰは、第２コイル２２のＸ方向の寸法ＬＸ２の１／３以上である。また一例では、距離ＤＰは、寸法ＬＸ２の１／２よりも小さい。
【0097】
なお、第１内周パッド５７Ｂおよび第２内周パッド５８Ｂの配置態様は、第１内周パッド５７Ａおよび第２内周パッド５８Ａの配置態様と同様であるため、その詳細な説明を省略する。
【0098】
第１外周パッド５７Ｃおよび第２外周パッド５８Ｃは、Ｙ方向において互いに同じ位置であってＸ方向において互いに離隔して配列されている。一例では、第１外周パッド５７Ｃは、平面視において第１内周パッド５７Ａ，５７ＢとＸ方向において同じ位置に形成されている。一例では、第２外周パッド５８Ｃは、平面視において第２内周パッド５８Ａ，５８ＢとＸ方向において同じ位置に配置されている。このため、この実施形態では、Ｘ方向における第１外周パッド５７Ｃと第２外周パッド５８Ｃとの間の距離ＤＱは、Ｘ方向における第１内周パッド５７Ａと第２内周パッド５８Ａとの間の距離ＤＰと等しい。ここで、距離ＤＱと距離ＤＰとの差が例えば距離ＤＱの１０％以内であれば、距離ＤＱが距離ＤＰと等しいといえる。なお、距離ＤＱおよび距離ＤＰはそれぞれ任意に変更可能である。一例では、距離ＤＱは、距離ＤＰよりも大きくてもよい。
【0099】
図８に示すように、トランスチップ５０は、素子絶縁層５２上に形成された表面側絶縁層５３を含む。表面側絶縁層５３は、保護層５４およびパッシベーション層５５を含む。
保護層５４は、素子絶縁層５２を保護する膜である。保護層５４は、素子絶縁層５２上に形成されている。一例では、保護層５４は、平面視において素子絶縁層５２よりも一回り小さく形成されている。保護層５４は、素子絶縁層５２の表面５２Ａに接している。保護層５４は、例えばＳｉＯ２を含む材料によって形成されている。保護層５４は、例えば複数の保護膜の積層構造によって形成されている。図９に示す例では、保護層５４は、素子絶縁層５２の表面５２Ａ上に形成された第１保護膜５４Ａと、第１保護膜５４Ａ上に積層された第２保護膜５４Ｂと、を含む。図４に示す第１内周パッド５７Ａ，５７Ｂ、第２内周パッド５８Ａ，５８Ｂ、第１外周パッド５７Ｃ、および第２外周パッド５８Ｃの各々は、第１保護膜５４Ａ上に形成されている。
保護層５４は、素子絶縁層５２を保護する膜である。保護層５４は、素子絶縁層５２上に形成されている。一例では、保護層５４は、平面視において素子絶縁層５２よりも一回り小さく形成されている。保護層５４は、素子絶縁層５２の表面５２Ａに接している。保護層５４は、例えばＳｉＯ２を含む材料によって形成されている。保護層５４は、例えば複数の保護膜の積層構造によって形成されている。図９に示す例では、保護層５４は、素子絶縁層５２の表面５２Ａ上に形成された第１保護膜５４Ａと、第１保護膜５４Ａ上に積層された第２保護膜５４Ｂと、を含む。図４に示す第１内周パッド５７Ａ，５７Ｂ、第２内周パッド５８Ａ，５８Ｂ、第１外周パッド５７Ｃ、および第２外周パッド５８Ｃの各々は、第１保護膜５４Ａ上に形成されている。
【0100】
パッシベーション層５５は、トランスチップ５０の表面保護膜である。パッシベーション層５５は、保護層５４上に形成されている。一例では、パッシベーション層５５は、平面視において保護層５４の全面にわたり形成されている。パッシベーション層５５は、保護層５４の表面に接している。パッシベーション層５５は、例えばＳｉＮ、ＳｉＯ２のうち少なくとも１つを含む材料によって形成されている。一例では、パッシベーション層５５は、ＳｉＮを含む材料によって形成されている。
【0101】
図７、図１０、および図１２に示すように、表面側絶縁層５３は、複数の第１開口部５３Ａ、複数の第２開口部５３Ｂ、および複数の第３開口部５３Ｃを含む。この実施形態では、第１内周パッド５７Ａ，５７Ｂ、第２内周パッド５８Ａ，５８Ｂ、第１外周パッド５７Ｃおよび第２外周パッド５８Ｃの数に応じて、第１～第３開口部５３Ａ～５３Ｃの各々が２つ形成されている。第１～第３開口部５３Ａ～５３Ｃは、パッシベーション層５５および保護層５４のうち第２保護膜５４Ｂの双方をその厚さ方向に貫通する貫通孔である。
【0102】
２つの第１開口部５３Ａのうち１つの第１開口部５３Ａは、トランス１５Ａに対応する第１内周パッド５７Ａを露出するように形成されている。図示していないが、２つの第１開口部５３Ａのうち別の１つの第１開口部５３Ａは、トランス１５Ｂに対応する第１内周パッド５７Ｂを露出するように形成されている。
【0103】
２つの第２開口部５３Ｂのうち１つの第２開口部５３Ｂは、トランス１５Ａに対応する第２内周パッド５８Ａを露出するように形成されている。図示していないが、２つの第２開口部５３Ｂのうち別の１つの第２開口部５３Ｂは、トランス１５Ｂに対応する第２内周パッド５８Ｂを露出するように形成されている。
【0104】
２つの第３開口部５３Ｃのうち１つの第３開口部５３Ｃは、第１外周パッド５７Ｃを露出するように形成されている。図示していないが、２つの第３開口部５３Ｃのうち別の１つの第３開口部５３Ｃは、第２外周パッド５８Ｃを露出するように形成されている。
【0105】
トランスチップ５０は、パッシベーション層５５上に形成された樹脂層５６を含む。樹脂層５６は、パッシベーション層５５の上面に対して部分的に形成されている。一例では、樹脂層５６は、平面視において第２コイル２２と重なる位置に形成されている。このため、樹脂層５６は、平面視において内側領域２３の大部分を露出するように形成されている。より詳細には、樹脂層５６は、平面視において内側領域２３の外周縁と重なる一方、内側領域２３の外周縁よりも内方は露出するように形成されている。樹脂層５６は、例えばポリイミド（ＰＩ）を含む材料によって形成されている。
【0106】
図４に示すように、トランスチップ５０は、第１内周接続部８０Ａ，８０Ｂおよび第２内周接続部９０Ａ，９０Ｂを備える。
図７および図８に示すように、第１内周接続部８０Ａは、トランス１５Ａの第１コイル２１の第１内周端部２１Ａと第１内周パッド５７Ａとを電気的に接続している。第１内周接続部８０Ａは、平面視においてトランス１５Ａの内側領域２３に設けられている。第１内周接続部８０Ａは、素子絶縁層５２および表面側絶縁層５３内に設けられている。つまり、トランス１５Ａの第１コイル２１と第１内周パッド５７Ａとは、トランスチップ５０内において互いに電気的に接続されている。
図７および図８に示すように、第１内周接続部８０Ａは、トランス１５Ａの第１コイル２１の第１内周端部２１Ａと第１内周パッド５７Ａとを電気的に接続している。第１内周接続部８０Ａは、平面視においてトランス１５Ａの内側領域２３に設けられている。第１内周接続部８０Ａは、素子絶縁層５２および表面側絶縁層５３内に設けられている。つまり、トランス１５Ａの第１コイル２１と第１内周パッド５７Ａとは、トランスチップ５０内において互いに電気的に接続されている。
【0107】
図８に示すように、第１内周接続部８０Ａは、第１内周配線層８１および第１内周接続層８２を含む。
第１内周配線層８１は、第１コイル２１の第１内周端部２１Ａに接続されている。第１内周配線層８１は、第１内周端部２１ＡからＸ方向に延びている。第１内周配線層８１は、Ｚ方向において第１コイル２１と同じ位置に形成されている。一例では、第１内周配線層８１は、Ｚ方向において第１コイル２１と同じ位置に形成されている。第１内周配線層８１は、平面視において第１内周パッド５７Ａと重なる位置まで延びている。第１内周配線層８１は、平面視においてＸ方向が長さ方向となり、Ｙ方向が幅方向となる帯状に形成されている。このため、第１内周配線層８１のＸ方向の長さは、第１内周配線層８１のＹ方向の長さよりも長い。第１内周配線層８１は、例えばＴｉ、ＴｉＮ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、およびＷのうち１つまたは複数が適宜選択されたものを含む材料によって構成されている。一例では、第１内周配線層８１は、第１コイル２１と同じ材料によって形成されていてよい。
第１内周配線層８１は、第１コイル２１の第１内周端部２１Ａに接続されている。第１内周配線層８１は、第１内周端部２１ＡからＸ方向に延びている。第１内周配線層８１は、Ｚ方向において第１コイル２１と同じ位置に形成されている。一例では、第１内周配線層８１は、Ｚ方向において第１コイル２１と同じ位置に形成されている。第１内周配線層８１は、平面視において第１内周パッド５７Ａと重なる位置まで延びている。第１内周配線層８１は、平面視においてＸ方向が長さ方向となり、Ｙ方向が幅方向となる帯状に形成されている。このため、第１内周配線層８１のＸ方向の長さは、第１内周配線層８１のＹ方向の長さよりも長い。第１内周配線層８１は、例えばＴｉ、ＴｉＮ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、およびＷのうち１つまたは複数が適宜選択されたものを含む材料によって構成されている。一例では、第１内周配線層８１は、第１コイル２１と同じ材料によって形成されていてよい。
【0108】
第１内周接続層８２は、第１内周配線層８１と第１内周パッド５７Ａとを電気的に接続している。第１内周接続層８２は、Ｚ方向に延びている。第１内周接続層８２は、平面視において第１内周パッド５７Ａと第１内周配線層８１との双方と重なる位置に配置されている。第１内周接続層８２は、第１ビア８３、中間配線層８４、および第２ビア８５を含む。中間配線層８４は「第１中間配線層」の一例であり、第１ビア８３は「第１内周ビア」の一例であり、第２ビア８５は「第２内周ビア」の一例である。
【0109】
中間配線層８４は、Ｚ方向において第２コイル２２と同じ位置に形成されている。中間配線層８４は、平面視において第１内周パッド５７Ａよりも一回り小さい矩形状に形成されている。中間配線層８４は、Ｚ方向において第１内周配線層８１および第１内周パッド５７Ａの双方と対向している。第１内周接続部８０Ａと第２コイル２２との最短距離ＤＭ１は、第１コイル２１と第２コイル２２とのＺ方向の間の距離ＤＣ以上である。一例では、最短距離ＤＭ１は、距離ＤＣよりも大きくてよい。ここで、最短距離ＤＭ１は、中間配線層８４と第２コイル２２との間の最短距離である。
【0110】
第１ビア８３は、第１内周配線層８１と中間配線層８４とをＺ方向に接続している。第１ビア８３は、第１内周配線層８１と中間配線層８４とのＺ方向の間の素子絶縁層５２をＺ方向に貫通している。第１ビア８３は、Ｘ方向およびＹ方向において互いに離隔して複数設けられている。
【0111】
第２ビア８５は、中間配線層８４と第１内周パッド５７ＡとをＺ方向に接続している。第２ビア８５は、中間配線層８４と第１内周パッド５７ＡとのＺ方向の間に介在する絶縁層をＺ方向に貫通している。具体的には、第２ビア８５は、素子絶縁層５２のうち最上層の絶縁膜および保護層５４の第１保護膜５４ＡをＺ方向に貫通している。第２ビア８５は、Ｘ方向およびＹ方向において互いに離隔して複数設けられている。平面視における各第２ビア８５のＸ方向の寸法およびＹ方向の寸法はそれぞれ、各第１ビア８３のＸ方向の寸法およびＹ方向の寸法よりも小さい。第２ビア８５の数は、第１ビア８３の数よりも多い。なお、第１ビア８３および第２ビア８５の各々のサイズおよび数は任意に変更可能である。
【0112】
第１ビア８３、中間配線層８４、および第２ビア８５は、例えばＴｉ、ＴｉＮ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、およびＷのうち１つまたは複数が適宜選択されたものを含む材料によって構成されている。一例では、第１ビア８３は、第１コイル２１と同じ材料によって形成されていてよい。一例では、中間配線層８４は、第１コイル２１と同じ材料によって形成されていてよい。一例では、第２ビア８５は、第１コイル２１とは異なる材料によって形成されていてよい。第２ビア８５は、例えばＷを含む材料によって形成されていてよい。
【0113】
図１０に示すように、第１内周接続部８０Ｂは、トランス１５Ｂの第１コイル２１と第１内周パッド５７Ｂとを電気的に接続している。第１内周接続部８０Ｂは、平面視においてトランス１５Ｂの内側領域２３に設けられている。第１内周接続部８０Ｂは、素子絶縁層５２および表面側絶縁層５３内に設けられている。つまり、トランス１５Ｂの第１コイル２１と第１内周パッド５７Ｂとは、トランスチップ５０内において電気的に接続されている。第１内周接続部８０Ｂの構成は、第１内周接続部８０Ａの構成と同じである。このため、第１内周接続部８０Ｂの各構成要素は、第１内周接続部８０Ａの各構成要素と同じ符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【0114】
第２内周接続部９０Ａは、トランス１５Ａの第２コイル２２の第２内周端部２２Ａと第２内周パッド５８Ａとを電気的に接続している。第２内周接続部９０Ａは、平面視においてトランス１５Ａの内側領域２３に配置されている。図４に示すように、第２内周接続部９０Ａは、平面視において第１内周接続部８０Ａに対して湾曲部２２Ｆ寄りに第１内周接続部８０ＡからＸ方向に離隔して設けられている。第２内周接続部９０Ａは、素子絶縁層５２および表面側絶縁層５３内に設けられている。つまり、トランス１５Ａの第２コイル２２と第２内周パッド５８Ａとは、トランスチップ５０内において電気的に接続されている。
【0115】
第２内周接続部９０Ａは、第２内周配線層９１および第２内周接続層９２を含む。
第２内周配線層９１は、第２コイル２２の第２内周端部２２Ａに接続されている。第２内周配線層９１は、第２内周端部２２ＡからＸ方向に延びている。図９に示すように、第２内周配線層９１は、Ｚ方向において第２コイル２２と同じ位置に形成されている。つまり、第２内周配線層９１は、Ｚ方向において中間配線層８４と同じ位置に形成されている。第２内周配線層９１は、平面視において第２内周パッド５８Ａと重なる位置まで延びている。つまり、第２内周配線層９１は、Ｚ方向において第２内周パッド５８Ａと対向する部分を含む。図示していないが、第２内周配線層９１のうち平面視において第２内周パッド５８Ａと重なる部分である重なり部のＹ方向の寸法は、第２内周配線層９１のうち重なり部以外の部分のＹ方向の寸法よりも大きい。つまり、重なり部は、平面視において第２内周接続層９２が形成されるスペースを確保している。
第２内周配線層９１は、第２コイル２２の第２内周端部２２Ａに接続されている。第２内周配線層９１は、第２内周端部２２ＡからＸ方向に延びている。図９に示すように、第２内周配線層９１は、Ｚ方向において第２コイル２２と同じ位置に形成されている。つまり、第２内周配線層９１は、Ｚ方向において中間配線層８４と同じ位置に形成されている。第２内周配線層９１は、平面視において第２内周パッド５８Ａと重なる位置まで延びている。つまり、第２内周配線層９１は、Ｚ方向において第２内周パッド５８Ａと対向する部分を含む。図示していないが、第２内周配線層９１のうち平面視において第２内周パッド５８Ａと重なる部分である重なり部のＹ方向の寸法は、第２内周配線層９１のうち重なり部以外の部分のＹ方向の寸法よりも大きい。つまり、重なり部は、平面視において第２内周接続層９２が形成されるスペースを確保している。
【0116】
第２内周接続層９２は、第２内周配線層９１と第２内周パッド５８Ａとを電気的に接続している。第２内周接続層９２は、平面視において第２内周配線層９１と第２内周パッド５８Ａとの双方と重なる位置に形成されている。第２内周接続層９２は、素子絶縁層５２のうち最上層の絶縁膜および保護層５４の第１保護膜５４ＡをＺ方向に貫通している。一例では、第２内周接続層９２は、Ｚ方向に延びるビアである。第２内周接続層９２は、Ｘ方向およびＹ方向において互いに離隔して複数設けられている。一例では、第２内周接続層９２の数は、第２ビア８５の数と同じである。なお、第２内周接続層９２の数は任意に変更可能である。
【0117】
第２内周配線層９１および第２内周接続層９２は、例えばＴｉ、ＴｉＮ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、およびＷのうち１つまたは複数が適宜選択されたものを含む材料によって構成されている。一例では、第２内周配線層９１は、第２コイル２２と同じ材料によって形成されていてよい。一例では、第２内周接続層９２は、第２コイル２２とは異なる材料によって形成されていてよい。第２内周接続層９２は、例えばＷを含む材料によって形成されていてよい。
【0118】
第２内周接続部９０Ｂは、トランス１５Ｂの第２コイル２２と第２内周パッド５８Ｂとを電気的に接続している。第２内周接続部９０Ｂは、平面視においてトランス１５Ｂの内側領域２３に設けられている。第２内周接続部９０Ｂは、平面視において第１内周接続部８０Ｂに対して湾曲部２２Ｆ寄りに第１内周接続部８０ＢからＸ方向に離隔して設けられている。第２内周接続部９０Ｂは、素子絶縁層５２および表面側絶縁層５３内に設けられている。つまり、トランス１５Ｂの第２コイル２２と第２内周パッド５８Ｂとは、トランスチップ５０内において電気的に接続されている。第２内周接続部９０Ｂの構成は、第２内周接続部９０Ａの構成と同じである。このため、第２内周接続部９０Ｂの各構成要素は、第２内周接続部９０Ａの各構成要素と同じ符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【0119】
図１０および図１２に示すように、トランスチップ５０は、第１外周接続部１００および第２外周接続部１１０を備える。
図１０に示すように、第１外周接続部１００は、トランス１５Ａ，１５Ｂの第１コイル２１の各々と第１外周パッド５７Ｃとを電気的に接続している。第１外周接続部１００は、平面視において第１コイル２１および第２コイル２２よりも外方に設けられている。
図１０に示すように、第１外周接続部１００は、トランス１５Ａ，１５Ｂの第１コイル２１の各々と第１外周パッド５７Ｃとを電気的に接続している。第１外周接続部１００は、平面視において第１コイル２１および第２コイル２２よりも外方に設けられている。
【0120】
図１１に示すように、第１外周接続部１００は、第１外周配線層１０１および第１外周接続層１０２を含む。
第１外周配線層１０１は、Ｚ方向において第１コイル２１と同じ位置に形成されている。第１外周配線層１０１は、トランス１５Ａの第１コイル２１の第１外周端部２１Ｂと、トランス１５Ｂの第１コイル２１の第１外周端部２１Ｂとを接続している。第１外周配線層１０１は、Ｙ方向に延びている。第１外周配線層１０１は、Ｚ方向において第１外周パッド５７Ｃと対向する部分を含む。
第１外周配線層１０１は、Ｚ方向において第１コイル２１と同じ位置に形成されている。第１外周配線層１０１は、トランス１５Ａの第１コイル２１の第１外周端部２１Ｂと、トランス１５Ｂの第１コイル２１の第１外周端部２１Ｂとを接続している。第１外周配線層１０１は、Ｙ方向に延びている。第１外周配線層１０１は、Ｚ方向において第１外周パッド５７Ｃと対向する部分を含む。
【0121】
第１外周接続層１０２は、第１外周配線層１０１と第１外周パッド５７Ｃとを電気的に接続している。第１外周接続層１０２は、平面視において第１外周パッド５７Ｃと第１外周配線層１０１との双方と重なる位置に形成されている。第１外周接続層１０２は、第１ビア１０３、中間配線層１０４、および第２ビア１０５を含む。ここで、中間配線層１０４は「第２中間配線層」の一例であり、第１ビア１０３は「第１外周ビア」の一例であり、第２ビア１０５は「第２外周ビア」の一例である。
【0122】
中間配線層１０４は、Ｚ方向において第２コイル２２と同じ位置に形成されている。中間配線層１０４は、平面視において第１外周パッド５７Ｃよりも一回り小さい矩形状に形成されている。中間配線層１０４は、Ｚ方向において第１外周配線層１０１および第１外周パッド５７Ｃの双方と対向している。中間配線層１０４と第２コイル２２との最短距離ＤＭ２は、第１コイル２１と第２コイル２２とのＺ方向の間の距離ＤＣ以上である。一例では、最短距離ＤＭ２は、距離ＤＣよりも大きくてよい。
【0123】
第１ビア１０３は、第１外周配線層１０１と中間配線層１０４とをＺ方向に接続している。第１ビア１０３は、第１外周配線層１０１と中間配線層１０４とのＺ方向の間の素子絶縁層５２をＺ方向に貫通している。第１ビア１０３は、Ｘ方向およびＹ方向において互いに離隔して複数設けられている。
【0124】
第２ビア１０５は、中間配線層１０４と第１外周パッド５７ＣとをＺ方向に接続している。第２ビア１０５は、中間配線層１０４と第１外周パッド５７ＣとのＺ方向の間に介在する絶縁層をＺ方向に貫通している。具体的には、第２ビア１０５は、素子絶縁層５２のうち最上層の絶縁膜および保護層５４の第１保護膜５４ＡをＺ方向に貫通している。第２ビア１０５は、Ｘ方向およびＹ方向において互いに離隔して複数設けられている。平面視における各第２ビア１０５のＸ方向の寸法およびＹ方向の寸法はそれぞれ、各第１ビア１０３のＸ方向の寸法およびＹ方向の寸法よりも小さい。第２ビア１０５の数は、第１ビア１０３の数よりも多い。なお、第１ビア１０３および第２ビア１０５の各々のサイズおよび数は任意に変更可能である。
【0125】
素子絶縁層５２には、第１外周接続部１００と基板５１とを電気的に接続するビア１０６が設けられている。ビア１０６は、平面視において第１外周パッド５７Ｃと重なる位置に配置されている。ビア１０６は、基板５１と第１外周配線層１０１とを接続している。
【0126】
第１ビア１０３、中間配線層１０４、第２ビア１０５、およびビア１０６は、例えばＴｉ、ＴｉＮ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、およびＷのうち１つまたは複数が適宜選択されたものを含む材料によって構成されている。一例では、第１ビア１０３は、第１コイル２１と同じ材料によって形成されていてよい。一例では、中間配線層１０４は、第１コイル２１と同じ材料によって形成されていてよい。一例では、第２ビア１０５およびビア１０６は、第１コイル２１とは異なる材料によって形成されていてよい。第２ビア１０５およびビア１０６は、例えばＷを含む材料によって形成されていてよい。
【0127】
図１２に示すように、第２外周接続部１１０は、トランス１５Ａ，１５Ｂの第２コイル２２の各々と第２外周パッド５８Ｃとを電気的に接続している。第２外周接続部１１０は、平面視において第１コイル２１および第２コイル２２よりも外方に設けられている。
【0128】
図１３に示すように、第２外周接続部１１０は、第２外周配線層１１１および第２外周接続層１１２を含む。
第２外周配線層１１１は、Ｚ方向において第２コイル２２と同じ位置に形成されている。第２外周配線層１１１は、トランス１５Ａの第２コイル２２の第２外周端部２２Ｂと、トランス１５Ｂの第２コイル２２の第２外周端部２２Ｂとを接続している。第２外周配線層１１１は、第２外周端部２２ＢからＹ方向に延びている。第２外周配線層１１１は、平面視において第２外周パッド５８Ｃと重なる部分を含む。
第２外周配線層１１１は、Ｚ方向において第２コイル２２と同じ位置に形成されている。第２外周配線層１１１は、トランス１５Ａの第２コイル２２の第２外周端部２２Ｂと、トランス１５Ｂの第２コイル２２の第２外周端部２２Ｂとを接続している。第２外周配線層１１１は、第２外周端部２２ＢからＹ方向に延びている。第２外周配線層１１１は、平面視において第２外周パッド５８Ｃと重なる部分を含む。
【0129】
第２外周接続層１１２は、第２外周配線層１１１と第２外周パッド５８Ｃとを電気的に接続している。第２外周接続層１１２は、平面視において第２外周配線層１１１と第２外周パッド５８Ｃとの双方と重なる位置に形成されている。第２外周接続層１１２は、素子絶縁層５２のうち最上層の絶縁膜および保護層５４の第１保護膜５４ＡをＺ方向に貫通している。一例では、第２外周接続層１１２は、Ｚ方向に延びるビアである。第２外周接続層１１２は、Ｘ方向およびＹ方向において互いに離隔して複数設けられている。一例では、第２外周接続層１１２の数は、第２ビア１０５の数と同じである。なお、第２外周接続層１１２の数は任意に変更可能である。
【0130】
第２外周配線層１１１および第２外周接続層１１２は、例えばＴｉ、ＴｉＮ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、およびＷのうち１つまたは複数が適宜選択されたものを含む材料によって構成されている。一例では、第２外周配線層１１１は、第２コイル２２と同じ材料によって形成されていてよい。一例では、第２外周接続層１１２は、第２コイル２２とは異なる材料によって形成されていてよい。第２外周接続層１１２は、例えばＷを含む材料によって形成されていてよい。
【0131】
図４～図１３に示すように、トランスチップ５０は、素子絶縁層５２に設けられた導電性のシールリング５９を備える。シールリング５９は、平面視において素子絶縁層５２の外周部に設けられている。シールリング５９は、平面視においてトランス１５Ａ，１５Ｂ、第１内周接続部８０Ａ，８０Ｂ、第２内周接続部９０Ａ，９０Ｂ、第１外周接続部１００、第２外周接続部１１０、複数の第１電極パッド５７、および複数の第２電極パッド５８を囲む環状に形成されている。一例では、シールリング５９は、平面視においてＹ方向が長手方向となり、Ｘ方向が短手方向となる長方形状に形成されている。シールリング５９は、トランスチップ５０の外部から素子絶縁層５２内に進入した異物がトランス１５Ａ，１５Ｂ、第１内周接続部８０Ａ，８０Ｂ、第２内周接続部９０Ａ，９０Ｂ、第１外周接続部１００、および第２外周接続部１１０に付着することを抑制するように構成されている。シールリング５９は、例えばＴｉ、ＴｉＮ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、およびＷのうち１つまたは複数が適宜選択されたものを含む材料によって構成されている。一例では、シールリング５９は、第１コイル２１および第２コイル２２と同じ材料によって形成されている。
【0132】
図８および図９に示すように、シールリング５９は、素子絶縁層５２のうち最上層の絶縁膜および最下層の絶縁膜を除く絶縁膜をＺ方向に貫通している。このため、シールリング５９は、基板５１からＺ方向に離隔して設けられているといえる。シールリング５９と基板５１とのＺ方向の間には、複数のビア５９Ａが設けられている。各ビア５９Ａは、シールリング５９と基板５１とをＺ方向において接続している。これにより、シールリング５９と基板５１とが電気的に接続されている。
【0133】
［作用］
この実施形態のトランスチップ５０の作用について説明する。
図１４は、比較例のトランスチップ５０Ｘの平面構造を模式的に示している。図１５は、図１４のＦ１５－Ｆ１５線でトランスチップ５０Ｘを切断した断面構造であって、トランス１５Ａおよびその周辺の断面構造を模式的に示している。比較例のトランスチップ５０Ｘでは、トランスチップ５０と比較して、第１電極パッド５７の位置と、第１コイル２１および第２コイル２２の形状とが主に異なる。以下のトランスチップ５０Ｘの説明において、トランスチップ５０と共通する構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する場合がある。
この実施形態のトランスチップ５０の作用について説明する。
図１４は、比較例のトランスチップ５０Ｘの平面構造を模式的に示している。図１５は、図１４のＦ１５－Ｆ１５線でトランスチップ５０Ｘを切断した断面構造であって、トランス１５Ａおよびその周辺の断面構造を模式的に示している。比較例のトランスチップ５０Ｘでは、トランスチップ５０と比較して、第１電極パッド５７の位置と、第１コイル２１および第２コイル２２の形状とが主に異なる。以下のトランスチップ５０Ｘの説明において、トランスチップ５０と共通する構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する場合がある。
【0134】
図１４に示すように、比較例のトランスチップ５０Ｘでは、平面視における第２コイル２２Ｘの形状はＹ方向が長手方向となり、Ｘ方向が短手方向となる環状に形成されている。なお、図示していないが、平面視における第１コイル２１Ｘの形状は第２コイル２２Ｘと同じである。このため、内側領域２３Ｘは、Ｙ方向が長手方向となり、Ｘ方向が短手方向となる長円状に形成されている。
【0135】
１つの第２電極パッド５８は平面視においてトランス１５Ａの内側領域２３Ｘ内に配置されており、別の１つの第２電極パッド５８は平面視においてトランス１５Ｂの内側領域２３Ｘ内に配置されている。一方、第１電極パッド５７は、平面視において第１コイル２１Ｘおよび第２コイル２２Ｘよりも素子側面５２Ｃ寄りに配置されている。
【0136】
図１５に示すように、第１コイル２１Ｘの第１内周端部２１Ａと第１電極パッド５７とを電気的に接続する第１内周接続部８０ＡＸは、第１内周配線層８１Ｘ、第１内周接続層８２Ｘ、および第１外周接続部８６Ｘを含む。なお、第１内周接続部８０ＢＸも第１内周接続部８０ＡＸと同じ構成である。
【0137】
第１電極パッド５７が第１コイル２１Ｘよりも素子側面５２Ｃ寄りに配置されているため、第１内周配線層８１Ｘは、平面視において第１コイル２１Ｘと交差するように設けられる必要がある。このため、第１内周配線層８１Ｘは、第１コイル２１Ｘよりも素子絶縁層５２の裏面５２Ｂ寄りに配置する必要がある。その結果、第１内周配線層８１Ｘのための専用の絶縁膜を素子絶縁層５２に設ける必要があるため、素子絶縁層５２の絶縁膜の積層数が増加する。
【0138】
この実施形態のトランスチップ５０は、図４に示すように、第１電極パッド５７としての第１内周パッド５７Ａおよび第２電極パッド５８としての第２内周パッド５８Ａの双方が内側領域２３に配置されている。このため、図７に示すように、第１内周パッド５７Ａと第１コイル２１の第１内周端部２１Ａとを電気的に接続する第１内周接続部８０Ａの第１内周配線層８１が平面視において第１コイル２１と交差するように設ける必要がない。また、第２内周パッド５８Ａと第２コイル２２の第２内周端部２２Ａとを電気的に接続する第２内周接続部９０Ａの第２内周配線層９１が平面視において第２コイル２２を跨ぐ必要がない。つまり、第１内周配線層８１はＺ方向において第１コイル２１と同じ位置に配置することができ、第２内周配線層９１はＺ方向において第２コイル２２と同じ位置に配置することができる。したがって、素子絶縁層５２の絶縁膜の積層数の増加を抑制することができる。
【0139】
［効果］
この実施形態のトランスチップ５０によれば、以下の効果が得られる。
（１）トランスチップ５０は、複数の絶縁膜の積層構造によって構成され、Ｚ方向において互いに反対側を向く表面５２Ａおよび裏面５２Ｂを含む素子絶縁層５２と、素子絶縁層５２内において裏面５２Ｂ寄りに配置され、環状に形成され、第１内周端部２１Ａを含む第１コイル２１と、素子絶縁層５２内において表面５２Ａ寄りに配置され、環状に形成され、第２内周端部２２Ａを含み、Ｚ方向において第１コイル２１と対向する第２コイル２２と、表面５２Ａ上に形成された第１内周パッド５７Ａおよび第２内周パッド５８Ａと、第１コイル２１の第１内周端部２１Ａと第１内周パッド５７Ａとを電気的に接続する第１内周接続部８０Ａと、第２コイル２２の第２内周端部２２Ａと第２内周パッド５８Ａとを電気的に接続する第２内周接続部９０Ａと、を備える。平面視において、第１内周パッド５７Ａ、第２内周パッド５８Ａ、第１内周接続部８０Ａ、および第２内周接続部９０Ａは、第１コイル２１および第２コイル２２によって囲まれた内側領域２３に配置されている。
この実施形態のトランスチップ５０によれば、以下の効果が得られる。
（１）トランスチップ５０は、複数の絶縁膜の積層構造によって構成され、Ｚ方向において互いに反対側を向く表面５２Ａおよび裏面５２Ｂを含む素子絶縁層５２と、素子絶縁層５２内において裏面５２Ｂ寄りに配置され、環状に形成され、第１内周端部２１Ａを含む第１コイル２１と、素子絶縁層５２内において表面５２Ａ寄りに配置され、環状に形成され、第２内周端部２２Ａを含み、Ｚ方向において第１コイル２１と対向する第２コイル２２と、表面５２Ａ上に形成された第１内周パッド５７Ａおよび第２内周パッド５８Ａと、第１コイル２１の第１内周端部２１Ａと第１内周パッド５７Ａとを電気的に接続する第１内周接続部８０Ａと、第２コイル２２の第２内周端部２２Ａと第２内周パッド５８Ａとを電気的に接続する第２内周接続部９０Ａと、を備える。平面視において、第１内周パッド５７Ａ、第２内周パッド５８Ａ、第１内周接続部８０Ａ、および第２内周接続部９０Ａは、第１コイル２１および第２コイル２２によって囲まれた内側領域２３に配置されている。
【0140】
この構成によれば、平面視において第１内周接続部８０Ａおよび第２内周接続部９０Ａの双方が内側領域２３に配置されているため、平面視において第１内周接続部８０Ａおよび第２内周接続部９０Ａが第１コイル２１および第２コイル２２と交差するように設けられる必要がなくなる。これにより、第１内周接続部８０Ａおよび第２内周接続部９０Ａのための専用の絶縁膜を素子絶縁層５２に設ける必要がなくなるため、素子絶縁層５２の絶縁膜の積層数の増加を抑制することができる。したがって、第１コイル２１と第２コイル２２との必要な絶縁耐圧を確保しつつも素子絶縁層５２の厚さを薄くすることができる。
【0141】
（２）第１コイル２１および第２コイル２２は、長手方向および短手方向を有する環状に形成されている。第１内周パッド５７Ａおよび第２内周パッド５８Ａは、平面視において長手方向に互いに離隔して配列されている。
【0142】
この構成によれば、長手方向における第１内周パッド５７Ａと第２内周パッド５８Ａとの間の距離を大きくとることができる。したがって、第１内周パッド５７Ａと第２内周パッド５８Ａとの間の距離に起因してトランスチップ５０の耐圧が低下することを抑制することができる。
【0143】
（３）第１内周パッド５７Ａは、長手方向において内側領域２３の第１端部２３Ａに配置されている。第２内周パッド５８Ａは、長手方向において内側領域２３の第２端部２３Ｂに配置されている。
【0144】
この構成によれば、長手方向における第１内周パッド５７Ａと第２内周パッド５８Ａとの間の距離をさらに大きくとることができる。したがって、第１内周パッド５７Ａと第２内周パッド５８Ａとの間の距離に起因したトランスチップ５０の耐圧低下の抑制効果を高めることができる。
【0145】
（４）トランスチップ５０は、素子絶縁層５２を支持する基板５１を備える。基板５１は、素子絶縁層５２の裏面５２Ｂに接している。第１コイル２１は、複数の絶縁膜のうち裏面５２Ｂを構成する最下層の絶縁膜上において最下層の絶縁膜に接するように形成されている。
【0146】
この構成によれば、素子絶縁層５２内に設けられた第１コイル２１と第２コイル２２とのＺ方向の間の距離を大きくとることができる。したがって、トランスチップ５０の耐圧の向上を図ることができる。
【0147】
（５）第２コイル２２は、複数の絶縁膜のうち表面５２Ａを構成する最上層の絶縁膜に接した状態で当該絶縁膜によって覆われている。
この構成によれば、素子絶縁層５２内に設けられた第１コイル２１と第２コイル２２とのＺ方向の間の距離を大きくとることができる。したがって、トランスチップ５０の耐圧の向上を図ることができる。
この構成によれば、素子絶縁層５２内に設けられた第１コイル２１と第２コイル２２とのＺ方向の間の距離を大きくとることができる。したがって、トランスチップ５０の耐圧の向上を図ることができる。
【0148】
（６）第１内周接続部８０Ａは、Ｚ方向において第１コイル２１と同じ位置に設けられ、第１内周端部２１Ａから第１コイル２１の長手方向（Ｘ方向）に延びる第１内周配線層８１と、Ｚ方向において第１内周配線層８１と第１内周パッド５７Ａとを電気的に接続する第１内周接続層８２と、を含む。
【0149】
この構成によれば、トランスチップ５０内において第１コイル２１の第１内周端部２１Ａと第１内周パッド５７Ａとが電気的に接続されている。このため、トランスチップ５０の外部において第１コイル２１の第１内周端部２１Ａと第１内周パッド５７Ａとが電気的に接続される構成と比較して、第１コイル２１の第１内周端部２１Ａと第１内周パッド５７Ａとの間の導電経路を短くすることができる。
【0150】
（７）第１内周接続部８０Ａと第２コイル２２との間の最短距離ＤＭ１は、Ｚ方向における第１コイル２１と第２コイル２２との間の距離ＤＣ以上である。
この構成によれば、第１内周接続部８０Ａと第２コイル２２との間の距離に起因するトランスチップ５０の耐圧の低下を抑制することができる。
この構成によれば、第１内周接続部８０Ａと第２コイル２２との間の距離に起因するトランスチップ５０の耐圧の低下を抑制することができる。
【0151】
（８）第２内周接続部９０Ａは、Ｚ方向において第２コイル２２と同じ位置に設けられ、第２内周端部２２Ａから第２コイル２２の長手方向（Ｘ方向）に延び、Ｚ方向において第２内周パッド５８Ａと対向する部分を含む第２内周配線層９１と、第２内周パッド５８Ａと第２内周配線層９１とを接続する第２内周接続層９２と、を含む。
【0152】
この構成によれば、トランスチップ５０内において第２コイル２２の第２内周端部２２Ａと第２内周パッド５８Ａとが電気的に接続されている。このため、トランスチップ５０の外部において第２コイル２２の第２内周端部２２Ａと第２内周パッド５８Ａとが電気的に接続される構成と比較して、第２コイル２２の第２内周端部２２Ａと第２内周パッド５８Ａとの間の導電経路を短くすることができる。
【0153】
（１０）トランスチップ５０は、素子絶縁層５２の表面５２Ａ上において第１コイル２１および第２コイル２２よりも外方に形成された第１外周パッド５７Ｃおよび第２外周パッド５８Ｃと、第１コイル２１の第１外周端部２１Ｂと第１外周パッド５７Ｃとを電気的に接続する第１外周接続部１００と、第２コイル２２の第２外周端部２２Ｂと第２外周パッド５８Ｃとを電気的に接続する第２外周接続部１１０と、を備える。第１外周接続部１００は、Ｚ方向において第１コイル２１と同じ位置に設けられ、第１外周端部２１Ｂから第１コイル２１の短手方向（Ｙ方向）に延び、Ｚ方向において第１外周パッド５７Ｃと対向する部分を含む第１外周配線層１０１と、Ｚ方向において第１外周配線層１０１と第１外周パッド５７Ｃとを接続する第１外周接続層１０２と、を含む。
【0154】
この構成によれば、トランスチップ５０内において第１コイル２１の第１外周端部２１Ｂと第１外周パッド５７Ｃとが電気的に接続されている。このため、トランスチップ５０の外部において第１コイル２１の第１外周端部２１Ｂと第１外周パッド５７Ｃとが電気的に接続される構成と比較して、第１コイル２１の第１外周端部２１Ｂと第１外周パッド５７Ｃとの間の導電経路を短くすることができる。
【0155】
（１１）第２外周接続部１１０は、Ｚ方向において第２コイル２２と同じ位置に設けられ、第２コイル２２の第２外周端部２２Ｂから第２コイル２２の短手方向（Ｙ方向）に延び、Ｚ方向において第２外周パッド５８Ｃと対向する部分を含む第２外周配線層１１１と、Ｚ方向において第２外周配線層１１１と第２外周パッド５８Ｃとを接続する第２外周接続層１１２と、を含む。
【0156】
この構成によれば、トランスチップ５０内において第２コイル２２の第２外周端部２２Ｂと第２外周パッド５８Ｃとが電気的に接続されている。このため、トランスチップ５０の外部において第２コイル２２の第２外周端部２２Ｂと第２外周パッド５８Ｃとが電気的に接続される構成と比較して、第２コイル２２の第２外周端部２２Ｂと第２外周パッド５８Ｃとの間の導電経路を短くすることができる。
【0157】
＜変更例＞
上記各実施形態は例えば以下のように変更することができる。上記各実施形態と以下の各変更例は、技術的な矛盾が生じない限り、互いに組み合わせることができる。なお、以下の変更例において、上記各実施形態と共通する部分については、上記各実施形態と同一符号を付し、その説明を省略する。
上記各実施形態は例えば以下のように変更することができる。上記各実施形態と以下の各変更例は、技術的な矛盾が生じない限り、互いに組み合わせることができる。なお、以下の変更例において、上記各実施形態と共通する部分については、上記各実施形態と同一符号を付し、その説明を省略する。
【0158】
［トランスチップの変更例］
・第１内周パッド５７Ａ，５７Ｂ、第２内周パッド５８Ａ，５８Ｂ、第１外周パッド５７Ｃ、および第２外周パッド５８Ｃの数はそれぞれ任意に変更可能である。一例では、第１内周パッド５７Ａは複数設けられていてよい。第１内周パッド５７Ｂは複数設けられていてよい。第２内周パッド５８Ａは複数設けられていてよい。第２内周パッド５８Ｂは複数設けられていてよい。第１外周パッド５７Ｃは複数設けられていてよい。第２外周パッド５８Ｃは複数設けられていてよい。
・第１内周パッド５７Ａ，５７Ｂ、第２内周パッド５８Ａ，５８Ｂ、第１外周パッド５７Ｃ、および第２外周パッド５８Ｃの数はそれぞれ任意に変更可能である。一例では、第１内周パッド５７Ａは複数設けられていてよい。第１内周パッド５７Ｂは複数設けられていてよい。第２内周パッド５８Ａは複数設けられていてよい。第２内周パッド５８Ｂは複数設けられていてよい。第１外周パッド５７Ｃは複数設けられていてよい。第２外周パッド５８Ｃは複数設けられていてよい。
【0159】
複数の第１内周パッド５７Ａ，５７Ｂ、複数の第２内周パッド５８Ａ，５８Ｂ、複数の第１外周パッド５７Ｃ、および複数の第２外周パッド５８Ｃの配置態様は任意に変更可能である。例えば図１６に示す第１例、図１７に示す第２例、および図１８に示す第３例が挙げられる。
【0160】
図１６に示すように、第１例では、トランスチップ５０は、２つの第１内周パッド５７Ａを構成する第１内周電極層１２１を含む。第１内周電極層１２１は、Ｚ方向を厚さ方向とする矩形平板状に形成されている。平面視において第１内周電極層１２１は、Ｘ方向が長手方向となり、Ｙ方向が短手方向となる長方形状に形成されている。第１内周電極層１２１は、素子絶縁層５２上に設けられている。第１内周電極層１２１は、表面側絶縁層５３によって覆われている。表面側絶縁層５３は、第１内周電極層１２１を露出するように設けられた２つの第１開口部５３Ａを含む。２つの第１開口部５３Ａは、Ｙ方向において互いに揃った位置でＸ方向において互いに離隔して形成されている。このように、第１内周電極層１２１のうち２つの第１開口部５３Ａから露出した部分がそれぞれ第１内周パッド５７Ａを構成している。つまり、２つの第１内周パッド５７Ａは、Ｙ方向において互いに揃った位置でＸ方向において互いに離隔して形成されている。
【0161】
トランスチップ５０は、２つの第２内周パッド５８Ａを構成する第２内周電極層１２２を含む。第２内周電極層１２２は、Ｚ方向を厚さ方向とする矩形平板状に形成されている。平面視において第２内周電極層１２２は、Ｘ方向が長手方向となり、Ｙ方向が短手方向となる長方形状に形成されている。第２内周電極層１２２は、素子絶縁層５２上に設けられている。第２内周電極層１２２は、表面側絶縁層５３によって覆われている。表面側絶縁層５３は、第２内周電極層１２２を露出するように設けられた２つの第２開口部５３Ｂを含む。２つの第２開口部５３Ｂは、Ｙ方向において互いに揃った位置でＸ方向において互いに離隔して形成されている。このように、第２内周電極層１２２のうち２つの第２開口部５３Ｂから露出した部分がそれぞれ第２内周パッド５８Ａを構成している。つまり、２つの第２内周パッド５８Ａは、Ｙ方向において互いに揃った位置でＸ方向において互いに離隔して形成されている。
【0162】
トランスチップ５０は、２つの第１外周パッド５７Ｃを構成する第１外周電極層１２３を含む。第１外周電極層１２３は、Ｚ方向を厚さ方向とする矩形平板状に形成されている。平面視において第１外周電極層１２３は、Ｘ方向が長手方向となり、Ｙ方向が短手方向となる長方形状に形成されている。第１外周電極層１２３は、素子絶縁層５２上に設けられている。第１外周電極層１２３は、表面側絶縁層５３によって覆われている。表面側絶縁層５３は、第１外周電極層１２３が露出するように設けられた２つの第３開口部５３Ｃを含む。２つの第３開口部５３Ｃは、Ｙ方向において互いに揃った位置でＸ方向において互いに離隔して形成されている。このように、第１外周電極層１２３のうち２つの第３開口部５３Ｃから露出した部分がそれぞれ第１外周パッド５７Ｃを構成している。つまり、２つの第１外周パッド５７Ｃは、Ｙ方向において互いに揃った位置でＸ方向において互いに離隔して形成されている。
【0163】
トランスチップ５０は、２つの第２外周パッド５８Ｃを構成する第２外周電極層１２４を含む。第２外周電極層１２４は、Ｚ方向を厚さ方向とする矩形平板状に形成されている。平面視において第２外周電極層１２４は、Ｘ方向が長手方向となり、Ｙ方向が短手方向となる長方形状に形成されている。第２外周電極層１２４は、素子絶縁層５２上に設けられている。第２外周電極層１２４は、表面側絶縁層５３によって覆われている。表面側絶縁層５３は、第２外周電極層１２４が露出するように設けられた２つの第３開口部５３Ｃを含む。２つの第３開口部５３Ｃは、Ｙ方向において互いに揃った位置でＸ方向において互いに離隔して形成されている。このように、第２外周電極層１２４のうち２つの第３開口部５３Ｃから露出した部分がそれぞれ第２外周パッド５８Ｃを構成している。つまり、２つの第２外周パッド５８Ｃは、Ｙ方向において互いに揃った位置でＸ方向において互いに離隔して形成されている。なお、２つの第１内周パッド５７Ｂおよび２つの第２内周パッド５８Ｂの構成は、２つの第１内周パッド５７Ａおよび２つの第２内周パッド５８Ａの構成と同じである。
【0164】
図１７に示すように、第２例では、第１例と比較して、２つの第１内周パッド５７Ａ、２つの第１内周パッド５７Ｂ、２つの第２内周パッド５８Ａ、２つの第２内周パッド５８Ｂ、２つの第１外周パッド５７Ｃ、および２つの第２外周パッド５８Ｃの配置態様が異なる。
【0165】
２つの第１内周パッド５７Ａは、Ｘ方向において互いに揃った位置でＹ方向において互いに離隔して形成されている。２つの第２内周パッド５８Ａは、Ｘ方向において互いに揃った位置でＹ方向において互いに離隔して形成されている。このため、第１内周パッド５７Ａと第２内周パッド５８ＡとのＸ方向の間の距離ＤＰは、第１例の距離ＤＰ（図１６参照）よりも大きい。
【0166】
２つの第１内周パッド５７Ｂは、Ｘ方向において互いに揃った位置でＹ方向において互いに離隔して形成されている。２つの第２内周パッド５８Ｂは、Ｘ方向において互いに揃った位置でＹ方向において互いに離隔して形成されている。このため、第１内周パッド５７Ｂと第２内周パッド５８ＢとのＸ方向の間の距離ＤＰは、第１例の距離ＤＰ（図１６参照）よりも大きい。
【0167】
２つの第１外周パッド５７Ｃは、Ｘ方向において互いに揃った位置でＹ方向において互いに離隔して形成されている。２つの第２外周パッド５８Ｃは、Ｘ方向において互いに揃った位置でＹ方向において互いに離隔して形成されている。
【0168】
図１８に示すように、第３例では、２つの第１内周パッド５７Ａおよび２つの第１内周パッド５７Ｂの配置態様が第２例とは異なる。
２つの第１内周パッド５７Ａは、Ｙ方向において互いに揃った位置でＸ方向において互いに離隔して形成されている。２つの第１内周パッド５７Ｂは、Ｙ方向において互いに揃った位置でＸ方向において互いに離隔して形成されている。
２つの第１内周パッド５７Ａは、Ｙ方向において互いに揃った位置でＸ方向において互いに離隔して形成されている。２つの第１内周パッド５７Ｂは、Ｙ方向において互いに揃った位置でＸ方向において互いに離隔して形成されている。
【0169】
なお、第３例において、２つの第１内周パッド５７Ａおよび２つの第１内周パッド５７Ｂに代えて、２つの第２内周パッド５８Ａおよび２つの第２内周パッド５８Ｂの配置態様が第２例とは異なっていてもよい。この場合、２つの第２内周パッド５８Ａは、Ｙ方向において互いに揃った位置でＸ方向において互いに離隔して形成されている。２つの第２内周パッド５８Ｂは、Ｙ方向において互いに揃った位置でＸ方向において互いに離隔して形成されている。また、第１例～第３例において、第１外周パッド５７Ｃは１つであってもよい。第２外周パッド５８Ｃは１つであってもよい。
【0170】
・図１９に示すように、平面視において、第２内周パッド５８Ａと第２コイル２２との最短距離ＤＭ３は、第１内周パッド５７Ａと第２コイル２２との最短距離よりも小さくてもよい。ここで、第１内周パッド５７Ａと第２コイル２２との最短距離は、第２コイル２２と中間配線層８４との間の最短距離ＤＭ１（図８参照）によって定義できる。この場合、最短距離ＤＭ３は、第１コイル２１と第２コイル２２との間の距離ＤＣ（図８参照）よりも小さくてもよい。
【0171】
・第１コイル２１は、Ｘ方向が短手方向となり、Ｙ方向が長手方向となる環状に形成されていてもよい。
・第２コイル２２は、Ｘ方向が短手方向となり、Ｙ方向が長手方向となる環状に形成されていてもよい。
・第２コイル２２は、Ｘ方向が短手方向となり、Ｙ方向が長手方向となる環状に形成されていてもよい。
【0172】
・平面視における第１コイル２１および第２コイル２２の形状は任意に変更可能である。一例では、第１コイル２１は、平面視において円環状に形成されていてもよい。第２コイル２２は、平面視において円環状に形成されていてもよい。また別の例では、第１コイル２１は、平面視において矩形環状に形成されていてもよい。第２コイル２２は、平面視において矩形環状に形成されていてもよい。
【0173】
・Ｚ方向における第２コイル２２の配置位置は任意に変更可能である。一例では、第２コイル２２は、素子絶縁層５２の複数の絶縁膜のうち最上層の絶縁膜を貫通するように設けられていてもよい。この場合、第２コイル２２は、表面側絶縁層５３によって覆われている。より詳細には、第２コイル２２は、保護層５４によって覆われている。
【0174】
・Ｚ方向における第１コイル２１の配置位置は任意に変更可能である。一例では、第１コイル２１は、素子絶縁層５２の複数の絶縁膜のうち最下層の絶縁膜からＺ方向に離隔した位置に配置されていてもよい。
【0175】
・Ｘ方向における第１外周パッド５７Ｃの配置位置は任意に変更可能である。一例では、第１外周パッド５７Ｃは、Ｘ方向において第１内周パッド５７Ａ，５７Ｂと異なる位置に配置されていてもよい。
【0176】
・Ｘ方向における第２外周パッド５８Ｃの配置位置は任意に変更可能である。一例では、第２外周パッド５８Ｃは、Ｘ方向において第２内周パッド５８Ａ，５８Ｂと異なる位置に配置されていてもよい。
【0177】
・Ｘ方向における第１外周パッド５７Ｃと第２外周パッド５８Ｃとの間の距離ＤＱ（図４参照）は、任意に変更可能である。一例では、距離ＤＱは、Ｘ方向における第１内周パッド５７Ａと第２内周パッド５８Ａとの間の距離ＤＰよりも大きくてもよい。また、距離ＤＱは、Ｘ方向における第１内周パッド５７Ｂと第２内周パッド５８Ｂとの間の距離ＤＰよりも大きくてもよい。
【0178】
・表面側絶縁層５３から保護層５４およびパッシベーション層５５のいずれかを省略してもよい。一例では、表面側絶縁層５３から保護層５４が省略された場合、パッシベーション層５５は素子絶縁層５２と接するように素子絶縁層５２上に形成される。一例では、表面側絶縁層５３からパッシベーション層５５が省略された場合、樹脂層５６は保護層５４と接するように保護層５４上に形成される。
【0179】
・第１内周パッド５７Ａ，５７Ｂの構成は任意に変更可能である。一例では、第１内周パッド５７Ａ，５７Ｂは、第１内周接続部８０Ａ，８０Ｂの中間配線層８４と接するように形成されていてもよい。この場合、第１内周接続部８０Ａ，８０Ｂから第２ビア８５が省略される。
【0180】
・第２内周パッド５８Ａ，５８Ｂの構成は任意に変更可能である。一例では、第２内周パッド５８Ａ，５８Ｂは、第２内周接続部９０Ａ，９０Ｂの第２内周配線層９１と接するように形成されていてもよい。この場合、第２内周接続部９０Ａ，９０Ｂの第２内周接続層９２が省略される。
【0181】
・第１外周パッド５７Ｃの構成は任意に変更可能である。一例では、第１外周パッド５７Ｃは、第１外周接続部１００の中間配線層１０４と接するように形成されていてもよい。この場合、第１外周接続部１００から第２ビア１０５が省略される。
【0182】
・第２外周パッド５８Ｃの構成は任意に変更可能である。一例では、第２外周パッド５８Ｃは、第２外周接続部１１０の第２外周配線層１１１と接するように形成されていてもよい。この場合、第２外周接続層１１２が省略される。
【0183】
・シールリング５９と基板５１とを電気的に接続するビア５９Ａを省略してもよい。この場合、シールリング５９は、例えば電気的にフローティング状態となる。
・第１外周接続部１００と基板５１とを電気的に接続するビア１０６を省略してもよい。
・第１外周接続部１００と基板５１とを電気的に接続するビア１０６を省略してもよい。
【0184】
・トランスチップ５０から表面側絶縁層５３を省略してもよい。
・トランスチップ５０から樹脂層５６を省略してもよい。
・トランスチップ５０からシールリング５９を省略してもよい。
・トランスチップ５０から樹脂層５６を省略してもよい。
・トランスチップ５０からシールリング５９を省略してもよい。
【0185】
［信号伝達装置の変更例］
・トランスチップ５０の配置構成は任意に変更可能である。一例では、トランスチップ５０は、第２ダイパッド７１に配置されていてもよい。この場合、第２ダイパッド７１には、トランスチップ５０および第２チップ４０の双方が配置されている。
・トランスチップ５０の配置構成は任意に変更可能である。一例では、トランスチップ５０は、第２ダイパッド７１に配置されていてもよい。この場合、第２ダイパッド７１には、トランスチップ５０および第２チップ４０の双方が配置されている。
【0186】
・図２０に示すように、トランスチップ５０が１次側回路１３を含んでいてもよい。より詳細には、１次側回路１３は、例えば基板５１に設けられている。図２０に示すトランスチップ５０は、第１内周接続部８０Ａ（図７参照）に代えて、第１回路接続部１４０および第２回路接続部１５０を含む。第１回路接続部１４０は、第１内周パッド５７Ａと１次側回路１３とを電気的に接続している。第２回路接続部１５０は、トランス１５Ａの第１コイル２１の第１内周端部２１Ａ（図５参照）と１次側回路１３とを電気的に接続している。
【0187】
図示していないが、トランスチップ５０は、第１内周接続部８０Ｂ（図４参照）に代えて、第１回路接続部１４０および第２回路接続部１５０を含む。第１回路接続部１４０は、第１内周パッド５７Ｂ（図４参照）と１次側回路１３とを電気的に接続している。第２回路接続部１５０は、トランス１５Ｂの第１コイル２１の第１内周端部２１Ａ（図５参照）と１次側回路１３とを電気的に接続している。
【0188】
２つの第１回路接続部１４０および２つの第２回路接続部１５０は、例えば素子絶縁層５２に設けられている。トランス１５Ａに対応する第１回路接続部１４０および第２回路接続部１５０は、平面視においてトランス１５Ａの内側領域２３に配置されている。トランス１５Ｂに対応する第１回路接続部１４０および第２回路接続部１５０は、平面視においてトランス１５Ｂの内側領域２３に配置されている。各第１回路接続部１４０および各第２回路接続部１５０は、例えば配線層およびビアを含む。この場合、複数の第１電極パッド５７は、第１リードフレーム６０の複数の第１リード６２（図２参照）に複数のワイヤＷ５によって個別に電気的に接続されている。
【0189】
・図２１に示すように、トランスチップ５０が２次側回路１４を含んでいてもよい。より詳細には、２次側回路１４は、例えば基板５１に設けられている。図２１に示すトランスチップ５０は、第１内周接続部８０Ａ（図７参照）に代えて、第３回路接続部１６０および第４回路接続部１７０を含む。第３回路接続部１６０は、第１内周パッド５７Ａと２次側回路１４とを電気的に接続している。第４回路接続部１７０は、トランス１５Ａの第１コイル２１の第１内周端部２１Ａ（図５参照）と２次側回路１４とを電気的に接続している。つまり、図２１に示すトランスチップ５０は、上記実施形態とは異なり、トランス１５Ａの第２コイル２２が１次側回路１３と電気的に接続されており、トランス１５Ａの第１コイル２１が２次側回路１４と電気的に接続されている。
【0190】
図示していないが、トランスチップ５０は、第１内周接続部８０Ｂ（図４参照）に代えて、第３回路接続部１６０および第４回路接続部１７０を含む。第３回路接続部１６０は、第１内周パッド５７Ｂ（図４参照）と２次側回路１４とを電気的に接続している。第４回路接続部１７０は、トランス１５Ｂの第１コイル２１の第１内周端部２１Ａ（図５参照）と２次側回路１４とを電気的に接続している。このため、トランスチップ５０は、トランス１５Ｂの第２コイル２２が１次側回路１３と電気的に接続されており、トランス１５Ｂの第１コイル２１が２次側回路１４と電気的に接続されている。
【0191】
２つの第３回路接続部１６０および２つの第４回路接続部１７０は、例えば素子絶縁層５２に設けられている。トランス１５Ａに対応する第３回路接続部１６０および第４回路接続部１７０は、平面視においてトランス１５Ａの内側領域２３に配置されている。トランス１５Ｂに対応する第３回路接続部１６０および第４回路接続部１７０は、平面視においてトランス１５Ｂの内側領域２３に配置されている。この場合、複数の第１電極パッド５７は、第２リードフレーム７０の複数の第２リード７２（図２参照）に複数のワイヤＷ６によって個別に電気的に接続されている。複数の第２電極パッド５８は、第１チップ３０の複数の第２電極パッド３４に複数のワイヤＷ２によって個別に電気的に接続されている。
【0192】
・信号伝達装置１０は、例えば複数のトランスチップを備えていてよい。一例では、図２２に示すように、信号伝達装置１０は、２つのトランスチップ５０を備えていてよい。ここで、便宜上、２つのトランスチップ５０を「第１トランスチップ５０Ｐ」および「第２トランスチップ５０Ｑ」とする。第１トランスチップ５０Ｐは、第１リードフレーム６０の第１ダイパッド６１に配置されている。第２トランスチップ５０Ｑは、第２リードフレーム７０の第２ダイパッド７１に配置されている。このように、第１ダイパッド６１には第１トランスチップ５０Ｐおよび第１チップ３０の双方が配置され、第２ダイパッド７１には第２トランスチップ５０Ｑおよび第２チップ４０の双方が配置されている。
【0193】
第１トランスチップ５０Ｐは、第１チップ３０に対して第２チップ４０寄りに配置されている。第２トランスチップ５０Ｑは、第２チップ４０に対して第１チップ３０寄りに配置されている。このため、第１リードフレーム６０の第１リード６２から第２リードフレーム７０の第２リード７２に向けて、第１チップ３０、第１トランスチップ５０Ｐ、第２トランスチップ５０Ｑ、および第２チップ４０の順に配置されている。
【0194】
第１チップ３０と第１トランスチップ５０Ｐとは複数のワイヤＷ２によって電気的に接続されている。第２チップ４０と第２トランスチップ５０Ｑとは複数のワイヤＷ３によって電気的に接続されている。複数のワイヤＷ２による第１チップ３０と第１トランスチップ５０Ｐとの接続態様は上記実施形態の複数のワイヤＷ２による第１チップ３０とトランスチップ５０の接続態様と同じである。複数のワイヤＷ３は、第２トランスチップ５０Ｑの複数の第１電極パッド５７と第２チップ４０の複数の第１電極パッド４３とを個別に電気的に接続している。このため、第２トランスチップ５０Ｑの第１コイル２１は、第２チップ４０の２次側回路１４と電気的に接続されている。
【0195】
第１トランスチップ５０Ｐと第２トランスチップ５０Ｑとは、複数のワイヤＷ７によって電気的に接続されている。より詳細には、第１トランスチップ５０Ｐの複数の第２電極パッド５８は、第２トランスチップ５０Ｑの複数の第２電極パッド５８と複数のワイヤＷ７によって個別に接続されている。これにより、第１トランスチップ５０Ｐの第２コイル２２と第２トランスチップ５０Ｑの第２コイル２２とが電気的に接続されている。
【0196】
この構成によれば、第１チップ３０と第２チップ４０との間を、第１トランスチップ５０Ｐおよび第２トランスチップ５０Ｑによる二重絶縁構造によって絶縁しているため、１つのトランスチップによって第１チップ３０と第２チップ４０とを絶縁する構成と比較して、信号伝達装置１０の絶縁耐圧の向上を図ることができる。
【0197】
加えて、第１チップ３０および第２チップ４０とは別に第１トランスチップ５０Ｐおよび第２トランスチップ５０Ｑがそれぞれ設けられているため、異なる第１チップ３０および第２チップ４０に対して共通のトランスチップを用いることができる。これにより、第１チップ３０および第２チップ４０の少なくとも一方が異なる複数種類の信号伝達装置１０を製造する場合に製造コストを低減することができる。
【0198】
・トランスチップ５０は、各実施形態の信号伝達装置１０以外にも適用可能である。
第１例では、トランスチップ５０は、例えば１次側回路モジュールに適用されてもよい。１次側回路モジュールは、第１チップ３０と、トランスチップ５０と、これらチップ３０，５０を封止する封止樹脂と、を備える。また１次側回路モジュールは、第１チップ３０およびトランスチップ５０の双方が配置された第１ダイパッド６１を備える。この場合、１次側回路モジュールは「絶縁モジュール」に対応している。なお、図２０に示すように、トランスチップ５０が１次側回路１３を含む構成であってもよい。この場合、第１チップ３０は省略される。
第１例では、トランスチップ５０は、例えば１次側回路モジュールに適用されてもよい。１次側回路モジュールは、第１チップ３０と、トランスチップ５０と、これらチップ３０，５０を封止する封止樹脂と、を備える。また１次側回路モジュールは、第１チップ３０およびトランスチップ５０の双方が配置された第１ダイパッド６１を備える。この場合、１次側回路モジュールは「絶縁モジュール」に対応している。なお、図２０に示すように、トランスチップ５０が１次側回路１３を含む構成であってもよい。この場合、第１チップ３０は省略される。
【0199】
第２例では、トランスチップ５０は、例えば２次側回路モジュールに適用されてもよい。２次側回路モジュールは、第２チップ４０と、トランスチップ５０と、これらチップ４０，５０を封止する封止樹脂と、を備える。また２次側回路モジュールは、第２チップ４０およびトランスチップ５０が配置された第２ダイパッド７１を備える。この場合、２次側回路モジュールは「絶縁モジュール」に対応している。
【0200】
第３例では、トランスチップ５０がモジュール化されてもよい。つまり、絶縁モジュールは、トランスチップ５０と、トランスチップ５０を封止する封止樹脂と、を備える。また、絶縁モジュールは、トランスチップ５０が配置されたダイパッドを備える。
【0201】
・上記第１例～第３例に基づいて、信号伝達装置１０の構成は以下のように変更してもよい。
一例では、信号伝達装置１０は、上記１次側回路モジュールと第２チップ４０とを備えていてもよい。この場合、第２チップ４０が第２ダイパッド７１に配置され、第２ダイパッド７１および第２チップ４０の双方が封止樹脂によって封止されたモジュールによって構成されていてもよい。つまり、このモジュールは、１次側回路モジュールとは別に設けられている。信号伝達装置１０は、１次側回路モジュールと上記モジュールとを備える。
一例では、信号伝達装置１０は、上記１次側回路モジュールと第２チップ４０とを備えていてもよい。この場合、第２チップ４０が第２ダイパッド７１に配置され、第２ダイパッド７１および第２チップ４０の双方が封止樹脂によって封止されたモジュールによって構成されていてもよい。つまり、このモジュールは、１次側回路モジュールとは別に設けられている。信号伝達装置１０は、１次側回路モジュールと上記モジュールとを備える。
【0202】
また一例では、信号伝達装置１０は、上記２次側回路モジュールと第１チップ３０とを備えていてもよい。この場合、第１チップ３０が第１ダイパッド６１に配置され、第１ダイパッド６１および第１チップ３０の双方が封止樹脂によって封止されたモジュールによって構成されていてもよい。つまり、このモジュールは、２次側回路モジュールとは別に設けられている。信号伝達装置１０は、２次側回路モジュールと上記モジュールとを備える。
【0203】
また一例では、信号伝達装置１０は、絶縁モジュールと、第１チップ３０と、第２チップ４０と、を備えていてもよい。この場合、第１チップ３０が第１ダイパッド６１に配置され、第１ダイパッド６１および第１チップ３０の双方が封止樹脂によって封止された第１モジュールによって構成されていてもよい。第２チップ４０が第２ダイパッド７１に配置され、第２ダイパッド７１および第２チップ４０の双方が封止樹脂によって封止された第２モジュールによって構成されていてもよい。つまり、第１モジュール、第２モジュール、および絶縁モジュールは、互いに個別に設けられている。信号伝達装置１０は、第１モジュール、第２モジュール、および絶縁モジュールを備える。
【0204】
・上記各実施形態では、信号伝達装置１０は、１次側回路１３から２次側回路１４にセット信号およびリセット信号が伝達されたが、これに限られない。一例では、信号伝達装置１０は、２次側回路１４から１次側回路１３に信号が伝達されてもよい。一例では、信号伝達装置１０は、１次側回路１３から２次側回路１４に信号が伝達され、２次側回路１４から１次側回路１３から信号が伝達されるような双方向に信号が伝達されてもよい。
【0205】
本明細書に記載の様々な例のうち１つまたは複数を、技術的に矛盾しない範囲で組み合わせることができる。
本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単に対象物を区別するために用いられており、対象物を順位づけするものではない。
本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単に対象物を区別するために用いられており、対象物を順位づけするものではない。
【0206】
本明細書において、「ＡおよびＢのうち少なくとも１つ」とは、「Ａのみ、または、Ｂのみ、またはＡおよびＢの両方」を意味するものとして理解されるべきである。
本開示で使用される「～上に」という用語は、文脈によって明らかにそうでないことが示されない限り、「～上に」と「～の上方に」の意味を含む。したがって、例えば「第１要素が第２要素上に配置される」という表現は、或る実施形態では第１要素が第２要素に接触して第２要素上に直接配置され得るが、他の実施形態では第１要素が第２要素に接触することなく第２要素の上方に配置され得ることが意図される。すなわち、「～上に」という用語は、第１要素と第２要素との間に他の要素が形成される構造を排除しない。
本開示で使用される「～上に」という用語は、文脈によって明らかにそうでないことが示されない限り、「～上に」と「～の上方に」の意味を含む。したがって、例えば「第１要素が第２要素上に配置される」という表現は、或る実施形態では第１要素が第２要素に接触して第２要素上に直接配置され得るが、他の実施形態では第１要素が第２要素に接触することなく第２要素の上方に配置され得ることが意図される。すなわち、「～上に」という用語は、第１要素と第２要素との間に他の要素が形成される構造を排除しない。
【0207】
本開示で使用されるＺ方向は必ずしも鉛直方向である必要はなく、鉛直方向に完全に一致している必要もない。したがって、本開示による種々の構造は、本明細書で説明されるＺ方向の「上」および「下」が鉛直方向の「上」および「下」であることに限定されない。例えばＸ方向が鉛直方向であってもよく、またはＹ方向が鉛直方向であってもよい。
【0208】
＜付記＞
本開示から把握できる技術的思想を以下に記載する。なお、限定する意図ではなく理解の補助のため、付記に記載される構成要素には、上記実施形態中の対応する構成要素の参照符号が付されている。参照符号は、理解の補助のために例として示すものであり、各付記に記載された構成要素は、参照符号で示される構成要素に限定されるべきではない。
本開示から把握できる技術的思想を以下に記載する。なお、限定する意図ではなく理解の補助のため、付記に記載される構成要素には、上記実施形態中の対応する構成要素の参照符号が付されている。参照符号は、理解の補助のために例として示すものであり、各付記に記載された構成要素は、参照符号で示される構成要素に限定されるべきではない。
【0209】
［付記１］
複数の絶縁膜（５２Ｐ，５２Ｑ）の積層構造によって構成され、厚さ方向（Ｚ方向）において互いに反対側を向く表面（５２Ａ）および裏面（５２Ｂ）を含む絶縁層（５２）と、
前記絶縁層（５２）内において前記裏面（５２Ｂ）寄りに配置され、環状に形成され、第１内周端部（２１Ａ）を含む第１コイル（２１）と、
前記絶縁層（５２）内において前記表面（５２Ａ）寄りに配置され、環状に形成され、第２内周端部（２２Ａ）を含み、前記厚さ方向（Ｚ方向）において前記第１コイル（２１）と対向する第２コイル（２２）と、
前記表面（５２Ａ）上に形成された第１内周パッド（５７Ａ）および第２内周パッド（５８Ａ）と、
前記第１コイル（２１）の前記第１内周端部（２１Ａ）と前記第１内周パッド（５７Ａ）とを電気的に接続する第１内周接続部（８０Ａ）と、
前記第２コイル（２２）の前記第２内周端部（２２Ａ）と前記第２内周パッド（５８Ａ）とを電気的に接続する第２内周接続部（９０Ａ）と、
を備え、
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記第１内周パッド（５７Ａ）、前記第２内周パッド（５８Ａ）、前記第１内周接続部（８０Ａ）、および前記第２内周接続部（９０Ａ）は、前記第１コイル（２１）および前記第２コイル（２２）によって囲まれた内側領域（２３）に配置されている
トランスチップ（５０）。
複数の絶縁膜（５２Ｐ，５２Ｑ）の積層構造によって構成され、厚さ方向（Ｚ方向）において互いに反対側を向く表面（５２Ａ）および裏面（５２Ｂ）を含む絶縁層（５２）と、
前記絶縁層（５２）内において前記裏面（５２Ｂ）寄りに配置され、環状に形成され、第１内周端部（２１Ａ）を含む第１コイル（２１）と、
前記絶縁層（５２）内において前記表面（５２Ａ）寄りに配置され、環状に形成され、第２内周端部（２２Ａ）を含み、前記厚さ方向（Ｚ方向）において前記第１コイル（２１）と対向する第２コイル（２２）と、
前記表面（５２Ａ）上に形成された第１内周パッド（５７Ａ）および第２内周パッド（５８Ａ）と、
前記第１コイル（２１）の前記第１内周端部（２１Ａ）と前記第１内周パッド（５７Ａ）とを電気的に接続する第１内周接続部（８０Ａ）と、
前記第２コイル（２２）の前記第２内周端部（２２Ａ）と前記第２内周パッド（５８Ａ）とを電気的に接続する第２内周接続部（９０Ａ）と、
を備え、
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記第１内周パッド（５７Ａ）、前記第２内周パッド（５８Ａ）、前記第１内周接続部（８０Ａ）、および前記第２内周接続部（９０Ａ）は、前記第１コイル（２１）および前記第２コイル（２２）によって囲まれた内側領域（２３）に配置されている
トランスチップ（５０）。
【0210】
［付記２］
前記絶縁層（５２）の前記裏面（５２Ｂ）に接しており、前記絶縁層（５２）を支持する基板（５１）を備え、
前記第１コイル（２１）は、前記複数の絶縁膜（５２Ｐ，５２Ｑ）のうち前記裏面（５２Ｂ）を構成する最下層の絶縁膜（５２Ｑ）上において前記最下層の絶縁膜（５２Ｑ）に接するように形成されている
付記１に記載のトランスチップ。
前記絶縁層（５２）の前記裏面（５２Ｂ）に接しており、前記絶縁層（５２）を支持する基板（５１）を備え、
前記第１コイル（２１）は、前記複数の絶縁膜（５２Ｐ，５２Ｑ）のうち前記裏面（５２Ｂ）を構成する最下層の絶縁膜（５２Ｑ）上において前記最下層の絶縁膜（５２Ｑ）に接するように形成されている
付記１に記載のトランスチップ。
【0211】
［付記３］
前記第２コイル（２２）は、前記複数の絶縁膜（５２Ｐ，５２Ｑ）のうち前記表面（５２Ａ）を構成する最上層の絶縁膜（５２Ｐ）に接した状態で当該絶縁膜（５２Ｐ）によって覆われている
付記２に記載のトランスチップ。
前記第２コイル（２２）は、前記複数の絶縁膜（５２Ｐ，５２Ｑ）のうち前記表面（５２Ａ）を構成する最上層の絶縁膜（５２Ｐ）に接した状態で当該絶縁膜（５２Ｐ）によって覆われている
付記２に記載のトランスチップ。
【0212】
［付記４］
前記第１コイル（２１）および前記第２コイル（２２）は、長手方向（Ｘ方向）および短手方向（Ｙ方向）を有する環状に形成されており、
前記第１内周パッド（５７Ａ）および前記第２内周パッド（５８Ａ）は、前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記長手方向（Ｘ方向）に互いに離隔して配列されている
付記１～３のいずれか１つに記載のトランスチップ。
前記第１コイル（２１）および前記第２コイル（２２）は、長手方向（Ｘ方向）および短手方向（Ｙ方向）を有する環状に形成されており、
前記第１内周パッド（５７Ａ）および前記第２内周パッド（５８Ａ）は、前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記長手方向（Ｘ方向）に互いに離隔して配列されている
付記１～３のいずれか１つに記載のトランスチップ。
【0213】
［付記５］
前記第１内周パッド（５７Ａ）は、前記長手方向（Ｘ方向）において前記内側領域（２３）の第１端部（２３Ａ）に配置されており、
前記第２内周パッド（５８Ａ）は、前記長手方向（Ｘ方向）において前記内側領域（２３）の前記第１端部（２３Ａ）とは反対側の第２端部（２３Ｂ）に配置されている
付記４に記載のトランスチップ。
前記第１内周パッド（５７Ａ）は、前記長手方向（Ｘ方向）において前記内側領域（２３）の第１端部（２３Ａ）に配置されており、
前記第２内周パッド（５８Ａ）は、前記長手方向（Ｘ方向）において前記内側領域（２３）の前記第１端部（２３Ａ）とは反対側の第２端部（２３Ｂ）に配置されている
付記４に記載のトランスチップ。
【0214】
［付記６］
前記第１内周接続部（８０Ａ）は、
前記厚さ方向（Ｚ方向）において前記第１コイル（２１）と同じ位置に設けられ、前記第１内周端部（２１Ａ）から前記長手方向（Ｘ方向）に延びる第１内周配線層（８１）と、
前記第１内周配線層（８１）と前記第１内周パッド（５７Ａ）とを電気的に接続する第１内周接続層（８２）と、
を含む、付記４または５に記載のトランスチップ。
前記第１内周接続部（８０Ａ）は、
前記厚さ方向（Ｚ方向）において前記第１コイル（２１）と同じ位置に設けられ、前記第１内周端部（２１Ａ）から前記長手方向（Ｘ方向）に延びる第１内周配線層（８１）と、
前記第１内周配線層（８１）と前記第１内周パッド（５７Ａ）とを電気的に接続する第１内周接続層（８２）と、
を含む、付記４または５に記載のトランスチップ。
【0215】
［付記７］
前記第１内周接続層（８２）は、
前記厚さ方向（Ｚ方向）において前記第２コイル（２２）と同じ位置に設けられ、前記厚さ方向（Ｚ方向）において前記第１内周配線層（８１）および前記第１内周パッド（５７Ａ）の双方と対向する第１中間配線層（８４）と、
前記厚さ方向（Ｚ方向）において前記第１内周配線層（８１）と前記第１中間配線層（８４）とを接続する第１内周ビア（８３）と、
前記厚さ方向（Ｚ方向）において前記第１中間配線層（８４）と前記第１内周パッド（５７Ａ）とを接続する第２内周ビア（８５）と、
を含む、付記６に記載のトランスチップ。
前記第１内周接続層（８２）は、
前記厚さ方向（Ｚ方向）において前記第２コイル（２２）と同じ位置に設けられ、前記厚さ方向（Ｚ方向）において前記第１内周配線層（８１）および前記第１内周パッド（５７Ａ）の双方と対向する第１中間配線層（８４）と、
前記厚さ方向（Ｚ方向）において前記第１内周配線層（８１）と前記第１中間配線層（８４）とを接続する第１内周ビア（８３）と、
前記厚さ方向（Ｚ方向）において前記第１中間配線層（８４）と前記第１内周パッド（５７Ａ）とを接続する第２内周ビア（８５）と、
を含む、付記６に記載のトランスチップ。
【0216】
［付記８］
前記第１内周接続部（８０Ａ）と前記第２コイル（２２）との間の最短距離（ＤＭ１）は、前記厚さ方向（Ｚ方向）における前記第１コイル（２１）と前記第２コイル（２２）との間の距離（ＤＣ）以上である
付記６または７に記載のトランスチップ。
前記第１内周接続部（８０Ａ）と前記第２コイル（２２）との間の最短距離（ＤＭ１）は、前記厚さ方向（Ｚ方向）における前記第１コイル（２１）と前記第２コイル（２２）との間の距離（ＤＣ）以上である
付記６または７に記載のトランスチップ。
【0217】
［付記９］
前記第２内周接続部（９０Ａ）は、
前記厚さ方向（Ｚ方向）において前記第２コイル（２２）と同じ位置に設けられ、前記第２内周端部（２２Ａ）から前記長手方向（Ｘ方向）に延び、前記厚さ方向（Ｚ方向）において前記第２内周パッド（５８Ａ）と対向する部分を含む第２内周配線層（９１）と、
前記第２内周パッド（５８Ａ）と前記第２内周配線層（９１）とを電気的に接続する第２内周接続層（９２）と、
を含む、付記４～８のいずれか１つに記載のトランスチップ。
前記第２内周接続部（９０Ａ）は、
前記厚さ方向（Ｚ方向）において前記第２コイル（２２）と同じ位置に設けられ、前記第２内周端部（２２Ａ）から前記長手方向（Ｘ方向）に延び、前記厚さ方向（Ｚ方向）において前記第２内周パッド（５８Ａ）と対向する部分を含む第２内周配線層（９１）と、
前記第２内周パッド（５８Ａ）と前記第２内周配線層（９１）とを電気的に接続する第２内周接続層（９２）と、
を含む、付記４～８のいずれか１つに記載のトランスチップ。
【0218】
［付記１０］
前記表面（５２Ａ）上において前記第１コイル（２１）および前記第２コイル（２２）よりも外方に形成された第１外周パッド（５７Ｃ）および第２外周パッド（５８Ｃ）と、
前記第１コイル（２１）の第１外周端部（２１Ｂ）と前記第１外周パッド（５７Ｃ）とを電気的に接続する第１外周接続部（１００）と、
前記第２コイル（２２）の第２外周端部（２２Ｂ）と前記第２外周パッド（５８Ｃ）とを電気的に接続する第２外周接続部（１１０）と、
を備える、付記１～９のいずれか１つに記載のトランスチップ。
前記表面（５２Ａ）上において前記第１コイル（２１）および前記第２コイル（２２）よりも外方に形成された第１外周パッド（５７Ｃ）および第２外周パッド（５８Ｃ）と、
前記第１コイル（２１）の第１外周端部（２１Ｂ）と前記第１外周パッド（５７Ｃ）とを電気的に接続する第１外周接続部（１００）と、
前記第２コイル（２２）の第２外周端部（２２Ｂ）と前記第２外周パッド（５８Ｃ）とを電気的に接続する第２外周接続部（１１０）と、
を備える、付記１～９のいずれか１つに記載のトランスチップ。
【0219】
［付記１１］
前記第１コイル（２１）および前記第２コイル（２２）は、長手方向（Ｘ方向）および短手方向（Ｙ方向）を有する環状に形成されており、
前記第１外周パッド（５７Ｃ）は、前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記長手方向（Ｘ方向）において前記第１内周パッド（５７Ａ）と同じ位置に配置されており、
前記第２外周パッド（５８Ｃ）は、前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記長手方向（Ｘ方向）において前記第２内周パッド（５８Ａ）と同じ位置に配置されている
付記１０に記載のトランスチップ。
前記第１コイル（２１）および前記第２コイル（２２）は、長手方向（Ｘ方向）および短手方向（Ｙ方向）を有する環状に形成されており、
前記第１外周パッド（５７Ｃ）は、前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記長手方向（Ｘ方向）において前記第１内周パッド（５７Ａ）と同じ位置に配置されており、
前記第２外周パッド（５８Ｃ）は、前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記長手方向（Ｘ方向）において前記第２内周パッド（５８Ａ）と同じ位置に配置されている
付記１０に記載のトランスチップ。
【0220】
［付記１２］
前記第１コイル（２１）および前記第２コイル（２２）は、長手方向（Ｘ方向）および短手方向（Ｙ方向）を有する環状に形成されており、
前記長手方向（Ｘ方向）における前記第１外周パッド（５７Ｃ）と前記第２外周パッド（５８Ｃ）との間の距離（ＤＱ）は、前記長手方向（Ｘ方向）における前記第１内周パッド（５７Ａ）と前記第２内周パッド（５８Ａ）との間の距離（ＤＰ）以上である
付記１０に記載のトランスチップ。
前記第１コイル（２１）および前記第２コイル（２２）は、長手方向（Ｘ方向）および短手方向（Ｙ方向）を有する環状に形成されており、
前記長手方向（Ｘ方向）における前記第１外周パッド（５７Ｃ）と前記第２外周パッド（５８Ｃ）との間の距離（ＤＱ）は、前記長手方向（Ｘ方向）における前記第１内周パッド（５７Ａ）と前記第２内周パッド（５８Ａ）との間の距離（ＤＰ）以上である
付記１０に記載のトランスチップ。
【0221】
［付記１３］
前記第１外周接続部（１００）は、
前記厚さ方向（Ｚ方向）において前記第１コイル（２１）と同じ位置に設けられ、前記第１外周端部（２１Ｂ）から前記短手方向（Ｙ方向）に延び、前記厚さ方向（Ｚ方向）において前記第１外周パッド（５７Ｃ）と対向する部分を含む第１外周配線層（１０１）と、
前記第１外周配線層（１０１）と前記第１外周パッド（５７Ｃ）とを電気的に接続する第１外周接続層（１０２）と、
を含む、付記１１または１２に記載のトランスチップ。
前記第１外周接続部（１００）は、
前記厚さ方向（Ｚ方向）において前記第１コイル（２１）と同じ位置に設けられ、前記第１外周端部（２１Ｂ）から前記短手方向（Ｙ方向）に延び、前記厚さ方向（Ｚ方向）において前記第１外周パッド（５７Ｃ）と対向する部分を含む第１外周配線層（１０１）と、
前記第１外周配線層（１０１）と前記第１外周パッド（５７Ｃ）とを電気的に接続する第１外周接続層（１０２）と、
を含む、付記１１または１２に記載のトランスチップ。
【0222】
［付記１４］
前記第１外周接続層（１０２）は、
前記厚さ方向（Ｚ方向）において前記第２コイル（２２）と同じ位置に設けられ、前記厚さ方向（Ｚ方向）において前記第１外周配線層（１０１）および前記第１外周パッド（５７Ｃ）の双方と対向する第２中間配線層（１０４）と、
前記厚さ方向（Ｚ方向）において前記第１外周配線層（１０１）と前記第２中間配線層（１０４）とを接続する第１外周ビア（１０３）と、
前記厚さ方向（Ｚ方向）において前記第２中間配線層（１０４）と前記第１外周パッド（５７Ｃ）とを接続する第２外周ビア（１０５）と、
を含む、付記１３に記載のトランスチップ。
前記第１外周接続層（１０２）は、
前記厚さ方向（Ｚ方向）において前記第２コイル（２２）と同じ位置に設けられ、前記厚さ方向（Ｚ方向）において前記第１外周配線層（１０１）および前記第１外周パッド（５７Ｃ）の双方と対向する第２中間配線層（１０４）と、
前記厚さ方向（Ｚ方向）において前記第１外周配線層（１０１）と前記第２中間配線層（１０４）とを接続する第１外周ビア（１０３）と、
前記厚さ方向（Ｚ方向）において前記第２中間配線層（１０４）と前記第１外周パッド（５７Ｃ）とを接続する第２外周ビア（１０５）と、
を含む、付記１３に記載のトランスチップ。
【0223】
［付記１５］
前記第２外周接続部（１１０）は、
前記厚さ方向（Ｚ方向）において前記第２コイル（２２）と同じ位置に設けられ、前記第２外周端部（２２Ｂ）から前記短手方向（Ｙ方向）に延び、前記厚さ方向（Ｚ方向）において前記第２外周パッド（５８Ｃ）と対向する部分を含む第２外周配線層（１１１）と、
前記厚さ方向（Ｚ方向）において前記第２外周配線層（１１１）と前記第２外周パッド（５８Ｃ）とを電気的に接続する第２外周接続層（１１２）と、
を含む、付記１１～１４のいずれか１つに記載のトランスチップ。
前記第２外周接続部（１１０）は、
前記厚さ方向（Ｚ方向）において前記第２コイル（２２）と同じ位置に設けられ、前記第２外周端部（２２Ｂ）から前記短手方向（Ｙ方向）に延び、前記厚さ方向（Ｚ方向）において前記第２外周パッド（５８Ｃ）と対向する部分を含む第２外周配線層（１１１）と、
前記厚さ方向（Ｚ方向）において前記第２外周配線層（１１１）と前記第２外周パッド（５８Ｃ）とを電気的に接続する第２外周接続層（１１２）と、
を含む、付記１１～１４のいずれか１つに記載のトランスチップ。
【0224】
［付記１６］
前記第１内周パッド（５７Ａ）および前記第２内周パッド（５８Ａ）の各々は、複数設けられ、
複数の前記第１内周パッド（５７Ａ）は、前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記第１コイル（２１）および前記第２コイル（２２）の前記長手方向（Ｘ方向）に配列されており、
複数の前記第２内周パッド（５８Ａ）は、前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記第１コイル（２１）および前記第２コイル（２２）の前記長手方向（Ｘ方向）に配列されている
付記４～９のいずれか１つに記載のトランスチップ。
前記第１内周パッド（５７Ａ）および前記第２内周パッド（５８Ａ）の各々は、複数設けられ、
複数の前記第１内周パッド（５７Ａ）は、前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記第１コイル（２１）および前記第２コイル（２２）の前記長手方向（Ｘ方向）に配列されており、
複数の前記第２内周パッド（５８Ａ）は、前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記第１コイル（２１）および前記第２コイル（２２）の前記長手方向（Ｘ方向）に配列されている
付記４～９のいずれか１つに記載のトランスチップ。
【0225】
［付記１７］
前記第１内周パッド（５７Ａ）および前記第２内周パッド（５８Ａ）の各々は、複数設けられ、
複数の前記第１内周パッド（５７Ａ）は、前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記第１コイル（２１）および前記第２コイル（２２）の前記短手方向（Ｙ方向）に配列されており、
複数の前記第２内周パッド（５８Ａ）は、前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記第１コイル（２１）および前記第２コイル（２２）の前記短手方向（Ｙ方向）に配列されている
付記４～９のいずれか１つに記載のトランスチップ。
前記第１内周パッド（５７Ａ）および前記第２内周パッド（５８Ａ）の各々は、複数設けられ、
複数の前記第１内周パッド（５７Ａ）は、前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記第１コイル（２１）および前記第２コイル（２２）の前記短手方向（Ｙ方向）に配列されており、
複数の前記第２内周パッド（５８Ａ）は、前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記第１コイル（２１）および前記第２コイル（２２）の前記短手方向（Ｙ方向）に配列されている
付記４～９のいずれか１つに記載のトランスチップ。
【0226】
［付記１８］
付記１～１７のいずれか１つに記載のトランスチップ（５０）と、
第１回路（１３）と、
前記第１回路（１３）と前記トランスチップ（５０）を介して接続された第２回路（１４）と、
を備え、
前記第１回路（１３）と前記第２回路（１４）とは、前記トランスチップ（５０）を介して信号を伝達するように構成されている
信号伝達装置（１０）。
付記１～１７のいずれか１つに記載のトランスチップ（５０）と、
第１回路（１３）と、
前記第１回路（１３）と前記トランスチップ（５０）を介して接続された第２回路（１４）と、
を備え、
前記第１回路（１３）と前記第２回路（１４）とは、前記トランスチップ（５０）を介して信号を伝達するように構成されている
信号伝達装置（１０）。
【0227】
［付記１９］
前記第１回路（１３）を含む第１チップ（３０）と、
前記第２回路（１４）を含む第２チップ（４０）と、
を含む、付記１８に記載の信号伝達装置（１０）。
前記第１回路（１３）を含む第１チップ（３０）と、
前記第２回路（１４）を含む第２チップ（４０）と、
を含む、付記１８に記載の信号伝達装置（１０）。
【0228】
［付記２０］
前記トランスチップ（５０）は、第１トランスチップ（５０Ａ）および第２トランスチップ（５０Ｂ）を含み、
前記第１トランスチップ（５０Ａ）の前記第２コイル（２２）は、前記第２トランスチップ（５０Ｂ）の前記第１コイル（２１）と電気的に接続されている
付記１８に記載の信号伝達装置。
前記トランスチップ（５０）は、第１トランスチップ（５０Ａ）および第２トランスチップ（５０Ｂ）を含み、
前記第１トランスチップ（５０Ａ）の前記第２コイル（２２）は、前記第２トランスチップ（５０Ｂ）の前記第１コイル（２１）と電気的に接続されている
付記１８に記載の信号伝達装置。
【0229】
［付記２１］
前記第１回路（１３）を含む第１チップ（３０）と、
前記第２回路（１４）を含む第２チップ（４０）と、
前記第１チップ（３０）および前記第１トランスチップ（５０Ａ）の双方が配置された第１ダイパッド（６１）と、
前記第２チップ（４０）および前記第２トランスチップ（５０Ｂ）の双方が配置された第２ダイパッド（７１）と、
を備える、付記２０に記載の信号伝達装置。
前記第１回路（１３）を含む第１チップ（３０）と、
前記第２回路（１４）を含む第２チップ（４０）と、
前記第１チップ（３０）および前記第１トランスチップ（５０Ａ）の双方が配置された第１ダイパッド（６１）と、
前記第２チップ（４０）および前記第２トランスチップ（５０Ｂ）の双方が配置された第２ダイパッド（７１）と、
を備える、付記２０に記載の信号伝達装置。
【0230】
［付記２２］
トランスチップ（５０）と、
第１回路（１３）と、
前記第１回路（１３）と前記トランスチップ（５０）を介して接続された第２回路（１４）と、
を備え、
前記第１回路（１３）と前記第２回路（１４）とは、前記トランスチップ（５０）を介して信号を伝達するように構成されており、
前記トランスチップ（５０）は、前記第１回路（１３）を含み、
前記第２回路（１４）は、前記トランスチップ（５０）とは別に設けられており、
前記トランスチップ（５０）は、
複数の絶縁膜（５２Ｐ，５２Ｑ）の積層構造によって構成され、厚さ方向（Ｚ方向）において互いに反対側を向く表面（５２Ａ）および裏面（５２Ｂ）を含む絶縁層（５２）と、
前記絶縁層（５２）内において前記裏面（５２Ｂ）寄りに配置され、環状に形成され、第１内周端部（２１Ａ）を含む第１コイル（２１）と、
前記絶縁層（５２）内において前記表面（５２Ａ）寄りに配置され、環状に形成され、第２内周端部（２２Ａ）を含み、前記厚さ方向（Ｚ方向）において前記第１コイル（２１）と対向する第２コイル（２２）と、
前記表面（５２Ａ）上に形成された第１内周パッド（５７Ａ）および第２内周パッド（５８Ａ）と、
前記第１回路（１３）と前記第１内周パッド（５７Ａ）とを電気的に接続する第１回路接続部（１４０）と、
前記第２コイル（２２）の前記第２内周端部（２２Ａ）と前記第２内周パッド（５８Ａ）とを電気的に接続する第２内周接続部（９０Ａ）と、
を備え、
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記第１内周パッド（５７Ａ）、前記第２内周パッド（５８Ａ）、前記第１回路接続部（１４０）、および前記第２内周接続部（９０Ａ）は、前記第１コイル（２１）および前記第２コイル（２２）によって囲まれた内側領域（２３）に配置されている
信号伝達装置（１０）。
トランスチップ（５０）と、
第１回路（１３）と、
前記第１回路（１３）と前記トランスチップ（５０）を介して接続された第２回路（１４）と、
を備え、
前記第１回路（１３）と前記第２回路（１４）とは、前記トランスチップ（５０）を介して信号を伝達するように構成されており、
前記トランスチップ（５０）は、前記第１回路（１３）を含み、
前記第２回路（１４）は、前記トランスチップ（５０）とは別に設けられており、
前記トランスチップ（５０）は、
複数の絶縁膜（５２Ｐ，５２Ｑ）の積層構造によって構成され、厚さ方向（Ｚ方向）において互いに反対側を向く表面（５２Ａ）および裏面（５２Ｂ）を含む絶縁層（５２）と、
前記絶縁層（５２）内において前記裏面（５２Ｂ）寄りに配置され、環状に形成され、第１内周端部（２１Ａ）を含む第１コイル（２１）と、
前記絶縁層（５２）内において前記表面（５２Ａ）寄りに配置され、環状に形成され、第２内周端部（２２Ａ）を含み、前記厚さ方向（Ｚ方向）において前記第１コイル（２１）と対向する第２コイル（２２）と、
前記表面（５２Ａ）上に形成された第１内周パッド（５７Ａ）および第２内周パッド（５８Ａ）と、
前記第１回路（１３）と前記第１内周パッド（５７Ａ）とを電気的に接続する第１回路接続部（１４０）と、
前記第２コイル（２２）の前記第２内周端部（２２Ａ）と前記第２内周パッド（５８Ａ）とを電気的に接続する第２内周接続部（９０Ａ）と、
を備え、
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記第１内周パッド（５７Ａ）、前記第２内周パッド（５８Ａ）、前記第１回路接続部（１４０）、および前記第２内周接続部（９０Ａ）は、前記第１コイル（２１）および前記第２コイル（２２）によって囲まれた内側領域（２３）に配置されている
信号伝達装置（１０）。
【0231】
［付記２３］
前記トランスチップ（５０）は、前記第１コイル（２１）の前記第１内周端部（２１Ａ）と前記第１回路（１３）とを電気的に接続する第２回路接続部（１５０）を含み、
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記第２回路接続部（１５０）は、前記内側領域（２３）に配置されている
付記２２に記載の信号伝達装置。
前記トランスチップ（５０）は、前記第１コイル（２１）の前記第１内周端部（２１Ａ）と前記第１回路（１３）とを電気的に接続する第２回路接続部（１５０）を含み、
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記第２回路接続部（１５０）は、前記内側領域（２３）に配置されている
付記２２に記載の信号伝達装置。
【0232】
［付記２４］
トランスチップ（５０）と、
第１回路（１３）と、
前記第１回路（１３）と前記トランスチップ（５０）を介して接続された第２回路（１４）と、
を備え、
前記第１回路（１３）と前記第２回路（１４）とは、前記トランスチップ（５０）を介して信号を伝達するように構成されており、
前記トランスチップ（５０）は、前記第２回路（１４）を含み、
前記第１回路（１３）は、前記トランスチップ（５０）とは別に設けられており、
前記トランスチップ（５０）は、
複数の絶縁膜（５２Ｐ，５２Ｑ）の積層構造によって構成され、厚さ方向（Ｚ方向）において互いに反対側を向く表面（５２Ａ）および裏面（５２Ｂ）を含む絶縁層（５２）と、
前記絶縁層（５２）内において前記裏面（５２Ｂ）寄りに配置され、環状に形成され、第１内周端部（２１Ａ）を含む第１コイル（２１）と、
前記絶縁層（５２）内において前記表面（５２Ａ）寄りに配置され、環状に形成され、第２内周端部（２２Ａ）を含み、前記厚さ方向（Ｚ方向）において前記第１コイル（２１）と対向する第２コイル（２２）と、
前記表面（５２Ａ）上に形成された第１内周パッド（５７Ａ）および第２内周パッド（５８Ａ）と、
前記第２回路（１４）と前記第１内周パッド（５７Ａ）とを電気的に接続する第３回路接続部（１６０）と、
前記第２コイル（２２）の前記第２内周端部（２２Ａ）と前記第２内周パッド（５８Ａ）とを電気的に接続する第２内周接続部（９０Ａ）と、
を備え、
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記第１内周パッド（５７Ａ）、前記第２内周パッド（５８Ａ）、前記第２内周接続部（９０Ａ）、および前記第３回路接続部（１６０）は、前記第１コイル（２１）および前記第２コイル（２２）によって囲まれた内側領域（２３）に配置されている
信号伝達装置（１０）。
トランスチップ（５０）と、
第１回路（１３）と、
前記第１回路（１３）と前記トランスチップ（５０）を介して接続された第２回路（１４）と、
を備え、
前記第１回路（１３）と前記第２回路（１４）とは、前記トランスチップ（５０）を介して信号を伝達するように構成されており、
前記トランスチップ（５０）は、前記第２回路（１４）を含み、
前記第１回路（１３）は、前記トランスチップ（５０）とは別に設けられており、
前記トランスチップ（５０）は、
複数の絶縁膜（５２Ｐ，５２Ｑ）の積層構造によって構成され、厚さ方向（Ｚ方向）において互いに反対側を向く表面（５２Ａ）および裏面（５２Ｂ）を含む絶縁層（５２）と、
前記絶縁層（５２）内において前記裏面（５２Ｂ）寄りに配置され、環状に形成され、第１内周端部（２１Ａ）を含む第１コイル（２１）と、
前記絶縁層（５２）内において前記表面（５２Ａ）寄りに配置され、環状に形成され、第２内周端部（２２Ａ）を含み、前記厚さ方向（Ｚ方向）において前記第１コイル（２１）と対向する第２コイル（２２）と、
前記表面（５２Ａ）上に形成された第１内周パッド（５７Ａ）および第２内周パッド（５８Ａ）と、
前記第２回路（１４）と前記第１内周パッド（５７Ａ）とを電気的に接続する第３回路接続部（１６０）と、
前記第２コイル（２２）の前記第２内周端部（２２Ａ）と前記第２内周パッド（５８Ａ）とを電気的に接続する第２内周接続部（９０Ａ）と、
を備え、
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記第１内周パッド（５７Ａ）、前記第２内周パッド（５８Ａ）、前記第２内周接続部（９０Ａ）、および前記第３回路接続部（１６０）は、前記第１コイル（２１）および前記第２コイル（２２）によって囲まれた内側領域（２３）に配置されている
信号伝達装置（１０）。
【0233】
［付記２５］
前記トランスチップ（５０）は、前記第１コイル（２１）の前記第１内周端部（２１Ａ）と前記第２回路（１４）とを電気的に接続する第４回路接続部（１７０）を含み、
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記第４回路接続部（１７０）は、前記内側領域（２３）に配置されている
付記２５に記載の信号伝達装置。
前記トランスチップ（５０）は、前記第１コイル（２１）の前記第１内周端部（２１Ａ）と前記第２回路（１４）とを電気的に接続する第４回路接続部（１７０）を含み、
前記厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記第４回路接続部（１７０）は、前記内側領域（２３）に配置されている
付記２５に記載の信号伝達装置。
【0234】
以上の説明は単に例示である。本開示の技術を説明する目的のために列挙された構成要素および方法（製造プロセス）以外に、より多くの考えられる組み合わせおよび置換が可能であることを当業者は認識し得る。本開示は、特許請求の範囲を含む本開示の範囲内に含まれる全ての代替、変形、および変更を包含することが意図される。
【符号の説明】
【0235】
１０…信号伝達装置
１０Ａ…信号伝達回路
１１…１次側端子
１２…２次側端子
１３…１次側回路（第１回路）
１４…２次側回路（第２回路）
１５，１５Ａ，１５Ｂ…トランス
１６Ａ，１６Ｂ…１次側信号線
１７Ａ，１７Ｂ…２次側信号線
２１…第１コイル
２１Ａ…第１内周端部
２１Ｂ…第１外周端部
２１Ｃ，２１Ｄ…直線部
２１Ｅ，２１Ｆ…湾曲部
２２…第２コイル
２２Ａ…第２内周端部
２２Ｂ…第２外周端部
２２Ｃ，２２Ｄ…直線部
２２Ｅ，２２Ｆ…湾曲部
２３…内側領域
２３Ａ…第１端部
２３Ｂ…第２端部
３０…第１チップ
３１…チップ表面
３２…チップ裏面
３３…第１電極パッド
３４…第２電極パッド
３５…第３電極パッド
３６…基板
３７…配線層
４０…第２チップ
４１…チップ表面
４２…チップ裏面
４３…第１電極パッド
４４…第２電極パッド
４５…第３電極パッド
４６…基板
４７…配線層
５０…トランスチップ
５０Ａ…チップ表面
５０Ｂ…チップ裏面
５０Ｐ…第１トランスチップ
５０Ｑ…第２トランスチップ
５１…基板
５１Ａ…基板表面
５１Ｂ…基板裏面
５２…素子絶縁層
５２Ａ…表面
５２Ｂ…裏面
５２Ｃ～５２Ｆ…素子側面
５２Ｐ…第１絶縁膜
５２Ｑ…第２絶縁膜
５３…表面側絶縁層
５３Ａ…第１開口部
５３Ｂ…第２開口部
５３Ｃ…第３開口部
５４…保護層
５４Ａ…第１保護膜
５４Ｂ…第２保護膜
５５…パッシベーション層
５６…樹脂層
５７…第１電極パッド
５７Ａ，５７Ｂ…第１内周パッド
５７Ｃ…第１外周パッド
５８…第２電極パッド
５８Ａ，５８Ｂ…第２内周パッド
５８Ｃ…第２外周パッド
５９…シールリング
５９Ａ…ビア
６０…第１リードフレーム
６１…第１ダイパッド
６２…第１リード
７０…第２リードフレーム
７１…第２ダイパッド
７２…第２リード
８０Ａ，８０Ｂ…第１内周接続部
８１…第１内周配線層
８２…第１内周接続層
８３…第１ビア
８４…中間配線層
８５…第２ビア
９０Ａ，９０Ｂ…第２内周接続部
９１…第２内周配線層
９２…第２内周接続層
１００…第１外周接続部
１０１…第１外周配線層
１０２…第１外周接続層
１０３…第１ビア
１０４…中間配線層
１０５…第２ビア
１０６…ビア
１１０…第２外周接続部
１１１…第２外周配線層
１１２…第２外周接続層
１２１…第１内周電極層
１２２…第２内周電極層
１２３…第１外周電極層
１２４…第２外周電極層
１３０…封止樹脂
１３１～１３４…樹脂側面
１４０…第１回路接続部
１５０…第２回路接続部
１６０…第３回路接続部
１７０…第４回路接続部
Ｗ１～Ｗ７…ワイヤ
ＳＤ…導電性接合材
ＬＸ１…第１コイルのＸ方向の寸法
ＬＹ１…第１コイルのＹ方向の寸法
ＬＸ２…第２コイルのＸ方向の寸法
ＬＹ２…第２コイルのＹ方向の寸法
ＬＸ３…素子絶縁層のＸ方向の寸法
ＤＣ…第１コイルと第２コイルとの間の距離
ＤＭ１，ＤＭ２…第２コイルと中間配線層との間の最短距離
ＤＭ３…第２内周パッドと第２コイルとの間の最短距離
ＤＰ…第１内周パッドと第２内周パッドとのＸ方向の間の距離
ＤＱ…第１外周パッドと第２外周パッドとのＸ方向の間の距離
１０Ａ…信号伝達回路
１１…１次側端子
１２…２次側端子
１３…１次側回路（第１回路）
１４…２次側回路（第２回路）
１５，１５Ａ，１５Ｂ…トランス
１６Ａ，１６Ｂ…１次側信号線
１７Ａ，１７Ｂ…２次側信号線
２１…第１コイル
２１Ａ…第１内周端部
２１Ｂ…第１外周端部
２１Ｃ，２１Ｄ…直線部
２１Ｅ，２１Ｆ…湾曲部
２２…第２コイル
２２Ａ…第２内周端部
２２Ｂ…第２外周端部
２２Ｃ，２２Ｄ…直線部
２２Ｅ，２２Ｆ…湾曲部
２３…内側領域
２３Ａ…第１端部
２３Ｂ…第２端部
３０…第１チップ
３１…チップ表面
３２…チップ裏面
３３…第１電極パッド
３４…第２電極パッド
３５…第３電極パッド
３６…基板
３７…配線層
４０…第２チップ
４１…チップ表面
４２…チップ裏面
４３…第１電極パッド
４４…第２電極パッド
４５…第３電極パッド
４６…基板
４７…配線層
５０…トランスチップ
５０Ａ…チップ表面
５０Ｂ…チップ裏面
５０Ｐ…第１トランスチップ
５０Ｑ…第２トランスチップ
５１…基板
５１Ａ…基板表面
５１Ｂ…基板裏面
５２…素子絶縁層
５２Ａ…表面
５２Ｂ…裏面
５２Ｃ～５２Ｆ…素子側面
５２Ｐ…第１絶縁膜
５２Ｑ…第２絶縁膜
５３…表面側絶縁層
５３Ａ…第１開口部
５３Ｂ…第２開口部
５３Ｃ…第３開口部
５４…保護層
５４Ａ…第１保護膜
５４Ｂ…第２保護膜
５５…パッシベーション層
５６…樹脂層
５７…第１電極パッド
５７Ａ，５７Ｂ…第１内周パッド
５７Ｃ…第１外周パッド
５８…第２電極パッド
５８Ａ，５８Ｂ…第２内周パッド
５８Ｃ…第２外周パッド
５９…シールリング
５９Ａ…ビア
６０…第１リードフレーム
６１…第１ダイパッド
６２…第１リード
７０…第２リードフレーム
７１…第２ダイパッド
７２…第２リード
８０Ａ，８０Ｂ…第１内周接続部
８１…第１内周配線層
８２…第１内周接続層
８３…第１ビア
８４…中間配線層
８５…第２ビア
９０Ａ，９０Ｂ…第２内周接続部
９１…第２内周配線層
９２…第２内周接続層
１００…第１外周接続部
１０１…第１外周配線層
１０２…第１外周接続層
１０３…第１ビア
１０４…中間配線層
１０５…第２ビア
１０６…ビア
１１０…第２外周接続部
１１１…第２外周配線層
１１２…第２外周接続層
１２１…第１内周電極層
１２２…第２内周電極層
１２３…第１外周電極層
１２４…第２外周電極層
１３０…封止樹脂
１３１～１３４…樹脂側面
１４０…第１回路接続部
１５０…第２回路接続部
１６０…第３回路接続部
１７０…第４回路接続部
Ｗ１～Ｗ７…ワイヤ
ＳＤ…導電性接合材
ＬＸ１…第１コイルのＸ方向の寸法
ＬＹ１…第１コイルのＹ方向の寸法
ＬＸ２…第２コイルのＸ方向の寸法
ＬＹ２…第２コイルのＹ方向の寸法
ＬＸ３…素子絶縁層のＸ方向の寸法
ＤＣ…第１コイルと第２コイルとの間の距離
ＤＭ１，ＤＭ２…第２コイルと中間配線層との間の最短距離
ＤＭ３…第２内周パッドと第２コイルとの間の最短距離
ＤＰ…第１内周パッドと第２内周パッドとのＸ方向の間の距離
ＤＱ…第１外周パッドと第２外周パッドとのＸ方向の間の距離
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】