(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024176989
(43)【公開日】2024-12-19
(54)【発明の名称】大型ダイヤモンド結晶化法
(51)【国際特許分類】
C01B 32/26 20170101AFI20241212BHJP
【FI】
C01B32/26
【審査請求】未請求
【請求項の数】3
【出願形態】書面
(21)【出願番号】P 2023102834
(22)【出願日】2023-06-07
(71)【出願人】
【識別番号】518440899
【氏名又は名称】パテントフレア株式会社
(72)【発明者】
【氏名】伊藤 学
【テーマコード(参考)】
4G146
【Fターム(参考)】
4G146AA04
4G146AB05
4G146AC26A
4G146BA01
4G146BB23
(57)【要約】
【課題】 半導体集積回路の基板にダイヤモンドを使用すると、大きな電力を制御できるため期待されているが、ダイヤモンドを一定の大きさまで結晶化させることが難しく小さなダイヤモンドに切れ込みを入れるなど手間がかかり、大量生産が難しいという課題があった。
【解決手段】シールドマシンや金属の切削加工機の刃を硬化するための人工ダイヤモンド(粒子状)を、使用して結晶化させることで大量生産が可能となり、課題を解決する。
【選択図】なし
【特許請求の範囲】
【請求項1】
従来の半導体集積回路の基板(土台)であるシリコンの5万倍の大電力を制御できるダイヤモンド半導体集積回路、この基板に使うダイヤモンドを人工的に結晶化させる際に、サファイヤ結晶の上に、切れ込みを入れたダイヤモンドを乗せて作っていた。
これに対し、サファイヤ結晶の上に工業用に利用される人工ダイヤモンド(建設機械の刃などに使われる)を、大量に並べてこれを結晶化して製造する方法。
シールドマシンや金属加工機械の刃などを、硬化するために使われる人工ダイヤモンド(微細な粉末状)を、サファイヤ結晶の上に均一に並べ、これを結晶化工程で大きなダイヤモンド結晶を製造し、このダイヤモンド結晶を、半導体集積回路の基板(土台)として使用する方法。
この方法で、大きなダイヤモンドを結晶化する方法。
【請求項2】
請求項1に記載の方法を使用した部品、装置、宝飾品。
【請求項3】
請求項2に記載の部品、装置、宝飾品を使用した役務、事業。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、ダイヤモンド結晶化技術の応用技術に関する。
【背景技術】
【0002】
人工ダイヤモンド結晶化技術
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0003】
従来、大型のダイヤモンドを結晶化させるためには、サファイヤ結晶の上に小さいダイヤモンドに切れ込みを入れて結晶化させ、ダイヤモンドを大型化していた。
従来よりも、簡素化、効率化した製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0004】
シールドマシンや金属切削機などの刃を硬化するために使われる人工ダイヤモンド(微細な粒子、又は粉末状)を、サファイヤ結晶の上に並べる。
これを結晶化させることで大型のダイヤモンドを製造する。
そして、これを半導体集積回路の基板、宝飾品などに利用する。
この方法で課題を解決する。