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特開 2024-177528出願番号 特願 2024-176957
基板処理方法及びプラズマ処理装置
出願人 東京エレクトロン株式会社（識別番号 219967）
2026年 特許公開件数ランキング 34位 398件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 28位 410件（※）
公報発行日 2024年12月19
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_A1-2024-177528 ログイン済みの方はこのURLへ
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※ 共同出願を含む
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技術分野
要約特許出願時に添付された[要約書]
【課題】プラズマエッチングにおいてマスクのエッチングに対するシリコンを含有する膜のエッチングの選択比を向上する技術を提供する。
【解決手段】例示的基板処理方法は、プラズマ処理装置のチャンバ内に基板を提供する工程を含む。基板は、シリコン含有膜及び該シリコン含有膜上に設けられたマスクを有する。基板処理方法は、チャンバ内において、フッ化水素ガスを含む第１の処理ガスからプラズマを生成する工程を更に含む。プラズマを生成する工程では、プラズマからの化学種により膜がエッチングされる。不活性ガスを除いた第１の処理ガスの全流量に対するフッ化水素ガスの流量は２５体積％以上である。
【選択図】図１
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋
本開示によれば、プラズマエッチングにおいてマスクのエッチングに対するシリコン含有膜のエッチングの選択比を向上する技術を提供できる。
この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
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