特開 2024-177861 プラズマ生成機構及び光源装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024177861

(43)【公開日】2024-12-24

(54)【発明の名称】プラズマ生成機構及び光源装置

(51)【国際特許分類】

   G03F 1/84 20120101AFI20241217BHJP

   H05G 2/00 20060101ALI20241217BHJP

   G03F 7/20 20060101ALI20241217BHJP

【ＦＩ】

G03F1/84

H05G2/00 K

G03F7/20 503

【審査請求】未請求

【請求項の数】19

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023096232

(22)【出願日】2023-06-12

(71)【出願人】

【識別番号】000102212

【氏名又は名称】ウシオ電機株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110003339

【氏名又は名称】弁理士法人南青山国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】後藤 直樹

【テーマコード（参考）】

2H195

2H197

4C092

【Ｆターム（参考）】

2H195BD02

2H195BD14

2H197CA10

2H197GA01

2H197GA04

2H197GA05

2H197GA24

2H197HA03

4C092AA06

4C092AA15

4C092AC09

(57)【要約】

【課題】プラズマ生成に伴って生じるデブリの堆積を防止することが可能なプラズマ生成機構及び光源装置を提供すること。
【解決手段】
本発明の一形態に係るプラズマ生成機構は、エネルギービームの照射により液状のプラズマ原料をプラズマ化して放射線を取り出す光源装置が備えるプラズマ生成機構であって、回転体と、回転駆動源と、原料供給部と、遮蔽部と、加熱機構と、導液部とを具備する。前記回転体は、回転軸の周りに回転する面である回転面を有する。前記回転駆動源は、前記回転体を前記回転軸の周りに回転させる。前記原料供給部は、前記プラズマ原料を前記回転面に供給する。前記遮蔽部は、前記回転面のうち前記エネルギービームが照射される照射位置に対向する。前記加熱機構は、前記遮蔽部を前記プラズマ原料の融点以上の温度に加熱する。前記導液部は、前記遮蔽部から流入する前記プラズマ原料を前記原料供給部に導く。
【選択図】図４

【特許請求の範囲】

【請求項1】

エネルギービームの照射により液状のプラズマ原料をプラズマ化して放射線を取り出す光源装置が備えるプラズマ生成機構であって、
回転軸の周りに回転する面である回転面を有する回転体と、
前記回転体を前記回転軸の周りに回転させる回転駆動源と、
前記プラズマ原料を前記回転面に供給する原料供給部と、
前記回転面のうち前記エネルギービームが照射される照射位置に対向する遮蔽部と、
前記遮蔽部を前記プラズマ原料の融点以上の温度に加熱する加熱機構と、
前記遮蔽部から流入する前記プラズマ原料を前記原料供給部に導く導液部と
を具備するプラズマ生成機構。

【請求項2】

請求項１に記載のプラズマ生成機構であって、
前記原料供給部は、前記導液部から流入する前記プラズマ原料を貯留する貯留槽を有し、
前記回転体は、前記回転面の一部が前記貯留槽に貯留された前記プラズマ原料に浸漬されている
プラズマ生成機構。

【請求項3】

請求項１に記載のプラズマ生成機構であって、
前記加熱機構は、前記遮蔽部の前記回転体とは反対側に配置されている
プラズマ生成機構。

【請求項4】

請求項２に記載のプラズマ生成機構であって、
前記加熱機構は、前記貯留槽に配置されている
プラズマ生成機構。

【請求項5】

請求項１に記載のプラズマ生成機構であって、
前記回転体を囲み、前記回転面と対向する対向面を有するカバーをさらに具備し、
前記対向面には開口が設けられ、
前記遮蔽部は、前記開口を介して前記照射位置に対向する遮蔽面を有する
プラズマ生成機構。

【請求項6】

請求項５に記載のプラズマ生成機構であって、
前記遮蔽面は、前記対向面より前記回転面から離隔する
プラズマ生成機構。

【請求項7】

請求項６に記載のプラズマ生成機構であって、
前記原料供給部は、前記導液部から流入する前記プラズマ原料を貯留する貯留槽を有し、
前記対向面は、前記回転軸に垂直な方向から見て前記貯留槽の周縁に一致する
プラズマ生成機構。

【請求項8】

請求項１に記載のプラズマ生成機構であって、
前記回転体を囲み、前記回転面と対向する対向面を有するカバーをさらに具備し、
前記対向面は前記導液部と前記原料供給部の間に位置し、
前記導液部は、前記遮蔽部から流入する前記プラズマ原料を前記対向面上に流入させる
プラズマ生成機構。

【請求項9】

請求項８に記載のプラズマ生成機構であって、
前記遮蔽部は、前記照射位置に対向する遮蔽面を有し、
前記導液部は、前記遮蔽面から前記対向面に向かって次第に前記回転面に接近する導液面を有する
プラズマ生成機構。

【請求項10】

請求項９に記載のプラズマ生成機構であって、
前記導液面は傾斜面状である
プラズマ生成機構。

【請求項11】

請求項９に記載のプラズマ生成機構であって、
前記導液面は曲面状である
プラズマ生成機構。

【請求項12】

請求項９に記載のプラズマ生成機構であって、
前記遮蔽面は、前記プラズマ原料が流れる溝を有する
プラズマ生成機構。

【請求項13】

請求項９に記載のプラズマ生成機構であって、
前記遮蔽面及び前記導液面は前記照射位置から等距離の半球面状である
プラズマ生成機構。

【請求項14】

請求項１に記載のプラズマ生成機構であって、
前記回転体を囲み、前記回転面と対向する対向面を有するカバーをさらに具備し、
前記遮蔽部及び前記導液部を有し、前記カバーに対して着脱可能である遮蔽体を備える
プラズマ生成機構。

【請求項15】

請求項１に記載のプラズマ生成機構であって、
前記回転面における前記プラズマ原料の膜厚を調節する膜厚調整機構
をさらに具備するプラズマ生成機構。

【請求項16】

請求項１に記載のプラズマ生成機構であって、
前記エネルギービームは、レーザ光である
プラズマ生成機構。

【請求項17】

請求項１に記載のプラズマ生成機構であって、
前記放射線は、極端紫外光又はＸ線である
プラズマ生成機構。

【請求項18】

請求項１に記載のプラズマ生成機構であって
前記プラズマ原料は、スズ、リチウム、ガドリニウム、テルビウム、ガリウム、ビスマス又はこれらの材料のうちの少なくとも１つを含む合金である
プラズマ生成機構。

【請求項19】

エネルギービームの照射により液状のプラズマ原料をプラズマ化して放射線を取り出す光源装置であって、
回転軸の周りに回転する面である回転面を有する回転体と、前記回転体を前記回転軸の周りに回転させる回転駆動源と、前記プラズマ原料を前記回転面に供給する原料供給部と、前記回転面のうち前記エネルギービームが照射される照射位置に対向する遮蔽部と、前記遮蔽部を前記プラズマ原料の融点以上の温度に加熱する加熱機構と、前記遮蔽部から流入する前記プラズマ原料を前記原料供給部に導く導液部とを備えるプラズマ生成機構と、
前記照射位置に前記エネルギービームを入射させるビーム源と
を具備する光源装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、エネルギービーム照射位置にプラズマ原料を供給し、プラズマを生成するプラズマ生成機構及び光源装置に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、Ｘ線は、医療用用途、工業用用途、研究用用途に用いられてきた。医療用分野においては、Ｘ線は、胸部Ｘ線写真撮影、歯科Ｘ線写真撮影や、ＣＴ（Computer Tomogram）といった用途に用いられている。工業用分野においては、Ｘ線は、構造物や溶接部などの物質内部を観察する非破壊検査、断層非破壊検査といった用途に用いられている。研究用分野においては、Ｘ線は、物質の結晶構造を解析するためのＸ線回折、物質の構成元素を分析するためのＸ線分光（蛍光Ｘ線分析）といった用途に用いられている。Ｘ線のうち比較的波長の長い軟Ｘ線領域にある波長１３．５ｎｍの極端紫外光（以下、「ＥＵＶ（Extreme Ultra Violet）光」ともいう）は、近年露光光として使用されている。

【0003】

ＥＵＶを発生させるＥＵＶ光源装置には、溶融したスズ又はリチウム等であるプラズマ原料にエネルギービームを照射して励起させることにより高温プラズマを発生させ、その高温プラズマからＥＵＶ光を取り出すものがある。エネルギービームとしてレーザ光を用いる方法はＬＰＰ(Laser Produced Plasma)、放電を用いる方法はＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）又はＬＤＰ（Laser Assisted Discharge Produced Plasma）と呼ばれている。

【0004】

ＬＰＰ方式のＥＵＶ光源装置としては、プラズマ原料の液滴に対してレーザ光を集光することにより原料を励起させてプラズマを発生させるものが知られている。それに対して近年、回転体の遠心力によりレーザ光の照射領域へプラズマ原料を供給する方法が開発された（例えば、特許文献1参照）。この方法では、下部が貯留されたプラズマ原料に浸漬された状態で回転体が回転することにより、回転体表面にプラズマ原料が付着し、回転体表面上の照射領域にプラズマ原料が供給される。この方法は、プラズマ原料を液滴として供給する必要がないため、液滴にレーザ光を集光する方式と比べて比較的簡易な構成で、高輝度の放射線を得ることが可能となる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開２０１４－２１６２８６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

しかしながら、プラズマ原料に対してレーザ光を照射すると、プラズマ原料の蒸気及び煙霧であるデブリがプラズマと共に発生する。特許文献１に記載のようにプラズマ原料を塗布した回転体表面にレーザ光を照射すると、回転体表面の法線方向に多くのデブリが噴出し、回転体のカバーのうち照射領域に対向する領域（以下、対向領域）に付着する。

【0007】

貯留されているプラズマ原料はヒーターにより加熱され、溶融しているが、対向領域近傍まではその熱が及びにくく、対向領域に付着したデブリは固化する。デブリの噴出量が多いと、飛来してくる方向に向かってデブリが堆積し、ＥＵＶの発光機構に影響を与える恐れがある。

【0008】

さらに、回転体表面に付着したプラズマ原料のうち、レーザ光が照射されなかったプラズマ原料は貯留槽に戻り、再利用される。しかしながら、デブリが対向領域において堆積すると、その分のプラズマ原料が貯留槽に戻らず、貯留されているプラズマ原料が減少することになる。特にレーザ光の照射周波数が高いとプラズマ原料の減少量も増加するため、早期に補給を行う必要が生じる。

【0009】

以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、プラズマ生成に伴って生じるデブリの堆積を防止することが可能なプラズマ生成機構及び光源装置を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0010】

上記目的を達成するため、本発明の一形態に係るプラズマ生成機構は、エネルギービームの照射により液状のプラズマ原料をプラズマ化して放射線を取り出す光源装置が備えるプラズマ生成機構であって、回転体と、回転駆動源と、原料供給部と、遮蔽部と、加熱機構と、導液部とを具備する。
前記回転体は、回転軸の周りに回転する面である回転面を有する。
前記回転駆動源は、前記回転体を前記回転軸の周りに回転させる。
前記原料供給部は、前記プラズマ原料を前記回転面に供給する。
前記遮蔽部は、前記回転面のうち前記エネルギービームが照射される照射位置に対向する。
前記加熱機構は、前記遮蔽部を前記プラズマ原料の融点以上の温度に加熱する。
前記導液部は、前記遮蔽部から流入する前記プラズマ原料を前記原料供給部に導く。

【0011】

この構成によれば、液状のプラズマ原料は原料供給部から回転面に供給されており、回転面上の照射位置にエネルギービームが照射されると、プラズマが生成すると共にデブリが噴出する。デブリは照射位置に対向する遮蔽部に到達するが、遮蔽部はプラズマ原料の融点以上に加熱されているため、遮蔽部に到達したデブリは溶融して液状のプラズマ原料となり、導液部を介して原料供給部に戻る。したがって、デブリとなったプラズマ原料を再利用することが可能となり、プラズマ原料の補給頻度を低減させることができる。また、デブリが遮蔽部上に堆積しないため、放射線の放出に対するデブリの悪影響を回避することができる。

【0012】

前記原料供給部は、前記導液部から流入する前記プラズマ原料を貯留する貯留槽を有し、
前記回転体は、前記回転面の一部が前記貯留槽に貯留された前記プラズマ原料に浸漬されていてもよい。

【0013】

前記加熱機構は、前記遮蔽部の前記回転体とは反対側に配置されていてもよい。

【0014】

前記加熱機構は、前記貯留槽に配置されていてもよい。

【0015】

前記プラズマ生成機構は、前記回転体を囲み、前記回転面と対向する対向面を有するカバーをさらに具備し、
前記対向面には開口が設けられ、
前記遮蔽部は、前記開口を介して前記照射位置に対向する遮蔽面を有してもよい。

【0016】

前記遮蔽面は、前記対向面より前記回転面から離隔してもよい。

【0017】

前記原料供給部は、前記導液部から流入する前記プラズマ原料を貯留する貯留槽を有し、
前記対向面は、前記回転軸に垂直な方向から見て前記貯留槽の周縁に一致してもよい。

【0018】

前記回転体を囲み、前記回転面と対向する対向面を有するカバーをさらに具備し、
前記対向面は前記導液部と前記原料供給部の間に位置し、
前記導液部は、前記遮蔽部から流入する前記プラズマ原料を前記対向面上に流入させてもよい。

【0019】

前記遮蔽部は、前記照射位置に対向する遮蔽面を有し、
前記導液部は、前記遮蔽面から前記対向面に向かって次第に前記回転面に接近する導液面を有してもよい。

【0020】

前記導液面は傾斜面状であってもよい。

【0021】

前記導液面は曲面状であってもよい。

【0022】

前記遮蔽面は、前記プラズマ原料が流れる溝を有してもよい。

【0023】

前記遮蔽面及び前記導液面は前記照射位置から一定距離の半球面状であってもよい。

【0024】

前記プラズマ生成機構は、前記回転体を囲み、前記回転面と対向する対向面を有するカバーをさらに具備し、
前記遮蔽部及び前記導液部を有し、前記カバーに対して着脱可能である遮蔽体を備えてもよい。

【0025】

前記エネルギービームは、レーザ光であってもよい。

【0026】

前記放射線は、極端紫外光又はＸ線であってもよい。

【0027】

前記プラズマ原料は、スズ、リチウム、ガドリニウム、テルビウム、ガリウム、ビスマス又はこれらの材料のうちの少なくとも１つを含む合金であってもよい。

【0028】

上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る光源装置は、エネルギービームの照射により液状のプラズマ原料をプラズマ化して放射線を取り出す光源装置であって、プラズマ生成機構と、ビーム源とを具備する。
前記プラズマ生成機構は、回転軸の周りに回転する面である回転面を有する回転体と、前記回転体を前記回転軸の周りに回転させる回転駆動源と、前記プラズマ原料を前記回転面に供給する原料供給部と、前記回転面のうち前記エネルギービームが照射される照射位置に対向する遮蔽部と、前記遮蔽部を前記プラズマ原料の融点以上の温度に加熱する加熱機構と、前記遮蔽部から流入する前記プラズマ原料を前記原料供給部に導く導液部とを備える。
前記ビーム源は、前記照射位置に前記エネルギービームを入射させる。

【発明の効果】

【0029】

本発明によれば、プラズマ生成に伴って生じるデブリの堆積を防止することが可能なプラズマ生成機構及び光源装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0030】

【図1】本発明の第１の実施形態に係る光源装置の模式図である。

【図2】上記光源装置の一部構成の拡大図である。

【図3】上記光源装置が備えるプラズマ生成機構の模式図である。

【図4】上記プラズマ生成機構が備える回転体ユニットの斜視図である。

【図5】上記回転体ユニットの断面図である。

【図6】上記回転体ユニットの断面図である。

【図7】上記回転体ユニットの分解斜視図である。

【図8】上記回転体ユニットが備える第２カバー部材の斜視図である。

【図9】上記第２カバー部材の斜視図である。

【図10】上記第２カバー部材の断面図である。

【図11】上記回転体ユニットの断面図である。

【図12】上記回転体ユニットの一部構成の断面図である。

【図13】上記回転体ユニットの動作を示す模式図である。

【図14】他の構成を有する回転体ユニットの斜視図である。

【図15】上記回転体ユニットの断面図である。

【図16】他の構成を有する回転体ユニットの斜視図である。

【図17】上記回転体ユニットの断面図である。

【図18】上記回転体ユニットの一部構成の断面図である。

【図19】他の構成を有する回転体ユニットの斜視図である。

【図20】上記回転体ユニットの一部を拡大した斜視図である。

【図21】上記回転体ユニットの断面図である。

【図22】上記回転体ユニットの一部構成の断面図である。

【図23】他の構成を有する回転体ユニットの斜視図である。

【図24】上記回転体ユニットが備える遮蔽体の分解斜視図である。

【図25】上記回転体ユニットの一部構成の断面図である。

【図26】上記回転体ユニットが備える第２カバー部材の斜視図である。

【発明を実施するための形態】

【0031】

（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態に係る光源装置について説明する。

【0032】

［光源装置の基本構成］
図１は、本実施形態に係る光源装置１００の構成例を示す模式図であり、図２は光源装置１００の一部を拡大した模式図である。光源装置１００は、ＬＰＰ(Laser Produced Plasma)方式の光源装置である。即ち、光源装置１００は、図２に示すようにプラズマ原料１０１にエネルギービームＥＢを照射することで、プラズマ原料１０１を励起してプラズマＰを発生させ、プラズマＰから放出される放射線Ｒを取り出して光源として用いる装置である。放射線ＲはＥＵＶ（Extreme Ultraviolet：極端紫外）光、Ｘ線又はその他の電磁波である。

【0033】

プラズマ原料１０１はスズ（Ｓｎ）、リチウム（Ｌｉ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ガリウム（Ｇａ）、ビスマス（Ｂｉ）又はこれらの材料のうちの少なくとも１つを含む合金であり、液状である。放射線ＲとしてＥＵＶ光が出射される場合は、プラズマ原料１０１として溶融したＳｎやＬｉが用いられる。放射線ＲとしてＸ線が出射される場合は、プラズマ原料１０１として溶融したＧａやＧａ合金、Ｓｎ化合物等が用いられる。

【0034】

図１は、光源装置１００を設置面から所定の高さの位置で水平方向に沿って切断した場合の模式的な断面を、鉛直上方から見た場合の図である。図１では、光源装置１００の構成及び動作を理解しやすいように、断面の構成等を説明する必要のない部分については、断面の図示を省略している。以下、Ｘ方向を水平方向のうち左右方向（Ｘ軸の正側が右側、負側が左側）、Ｙ方向を水平方向のうち前後方向（Ｙ軸の正側が前方側、負側が後方側）、Ｚ方向を鉛直方向（Ｚ軸の正側が上方側、負側が下方側）として説明を行う。もちろん、本技術の適用について、光源装置１００が使用される向き等が限定される訳ではない。

【0035】

図１に示すように光源装置１００は、筐体１０２、真空チャンバ１０３、エネルギービーム入射チャンバ１０４、放射線出射チャンバ１０５、プラズマ生成機構１０６、制御部１０７及びビーム源１０８を備える。

【0036】

図１に示す例では、筐体１０２は、おおよその外形が立方体形状となるように構成されている。なお筐体１０２の形状は立方体形状に限定されず、任意の立体形状が用いられてよい。筐体１０２は、前方面に形成される出射孔１０２ａと、右側面に形成される入射孔１０２ｂと、左側面に形成される貫通孔１０２ｃとを有する。筐体１０２の材料は限定されず、例えば金属が用いられる。

【0037】

本実施形態では、前方面の出射孔１０２ａを通り、略Ｙ方向（前後方向）に延在するように、放射線Ｒの出射軸ＥＡが設定されている。放射線Ｒは、出射軸ＥＡに沿って取り出され、出射孔１０２ａから前方側に向かって放出される。また本実施形態では、右側面の入射孔１０２ｂから、後方側に向かって左斜めに延在するように、エネルギービームＥＢの入射軸ＩＡが設定されている。

【0038】

図１に示すように、筐体１０２の外部にはエネルギービームＥＢを出射するビーム源１０８が設置されている。ビーム源１０８は、入射軸ＩＡに沿ってエネルギービームＥＢが筐体１０２の内部に入射するように設置されている。エネルギービームＥＢとしては、電子ビームやレーザ光を使用することが可能である。ビーム源１０８の構成としては、これらのエネルギービームＥＢを出射可能な任意の構成が採用されてよい。

【0039】

光源装置１００には、複数のチャンバを含むチャンバ部Ｃが設けられている。具体的には、チャンバ部Ｃは、真空チャンバ１０３、エネルギービーム入射チャンバ（以下、単に入射チャンバという）１０４、及び放射線出射チャンバ(以下、単に出射チャンバという)１０５を含む。真空チャンバ１０３と入射チャンバ１０４は互いに連結され、真空チャンバ１０３と出射チャンバ１０５は互いに連結されている。

【0040】

入射チャンバ１０４は、エネルギービームＥＢの入射軸ＩＡ上に位置するように構成され、出射チャンバ１０５は、放射線Ｒの出射軸ＥＡ上に位置するように構成されている。また真空チャンバ１０３には、プラズマＰを発生させるプラズマ生成機構１０６が配置されている。

【0041】

本実施形態では、チャンバ本体１０９と、チャンバ本体１０９の前方面から前方側に突出する外側突出部１０９ａと、チャンバ本体１０９の内周面から内部側に突出する２つの内側突出部１０９ｂ及び１０９ｃとにより、チャンバ部Ｃ（真空チャンバ１０３、入射チャンバ１０４及び出射チャンバ１０５）が構成されている。チャンバ本体１０９の材料としては、金属材料が用いられる。

【0042】

チャンバ本体１０９は、おおよその外形が直方体形状となるように構成され、前後左右の各面が、筐体１０２の前後左右の各面とそれぞれ対向するように配置されている。また、チャンバ本体１０９は、前方面と右側面との間の右前角部が、エネルギービームＥＢの入射軸ＩＡ上に位置するように配置される。

【0043】

図１に示すように、チャンバ本体１０９の前方面には、出射孔１０９ｄが形成されている。出射孔１０９ｄは、放射線Ｒの出射軸ＥＡ上で、筐体１０２の前方面の出射孔１０２ａと並ぶ位置に形成される。チャンバ本体１０９の出射孔１０９ｄの周縁部から、前方側に突出するように外側突出部１０９ａが形成されている。外側突出部１０９ａは、筐体１０２の出射孔１０２ａに内接するように、筐体１０２の出射孔１０２ａよりも前方側に大きく突出するように構成されている。

【0044】

また、チャンバ本体１０９の内部側において、出射孔１０９ｄの周縁部から内部側に突出するように、内側突出部１０９ｂが形成されている。外側突出部１０９ａ及び内側突出部１０９ｂに囲まれた空間が、出射チャンバ１０５として機能する。出射チャンバ１０５を構成する外側突出部１０９ａ及び内側突出部１０９ｂ自体を出射チャンバと呼ぶことも可能である。外側突出部１０９ａ及び内側突出部１０９ｂは、チャンバ本体１０９と一体的に形成されてもよいし、別個に形成されたのちにチャンバ本体１０９に接続されてもよい。また、内側突出部１０９ｂは設けられなくてもよい。

【0045】

出射チャンバ１０５は、放射線Ｒの出射軸ＥＡを中心軸として、コーン形状となるように構成されている。出射チャンバ１０５は、放射線Ｒの出射軸ＥＡに沿った方向において、中央部分の断面積が大きく、前後の端部に近づくにつれて断面積が小さくなるように構成されている。即ち、出射チャンバ１０５は、前後の端部に近づくにつれて絞られるような形状を有する。また出射チャンバ１０５は、前後の端部に放射線Ｒを通す開口部（アパーチャー）が設けられている。

【0046】

出射チャンバ１０５の前方側の端部（外側突出部１０９ａの前方側の端部）には、マスク検査装置等の利用装置が接続される。図１に示す例では、利用装置の一部をなすチャンバとして、アプリケーションチャンバ１１０が接続されている。アプリケーションチャンバ１１０内の圧力は大気圧であってもよい。また、アプリケーションチャンバ１１０の内部は、必要に応じてガス注入路よりガス（例えば、不活性ガス）を導入してパージしてもよい。またアプリケーションチャンバ１１０の内部のガスは図示を省略した排気手段により排気されてもよい。

【0047】

出射チャンバ１０５とアプリケーションチャンバ１１０との間には、プラズマＰが生成される領域とアプリケーションチャンバ１１０とを物理的に分離するフィルタ膜１１１が設けられている。フィルタ膜１１１は放射線Ｒを透過可能な構造を有し、プラズマＰの発生に伴って飛散するプラズマ原料１０１やデブリのアプリケーションチャンバ１１０への進入を防止する。

【0048】

出射チャンバ１０５の内部には、出射チャンバ１０５の内に入射した放射線Ｒを利用装置内（アプリケーションチャンバ１１０内）に導光して集光するためのコレクタ（集光鏡）１１２が配置されている。図１では、出射チャンバ１０５に入射し集光される放射線Ｒの成分がハッチングにて図示されている。

【0049】

また出射チャンバ１０５の内部には、遮蔽部材（中央掩蔽）１１３が配置されている。遮蔽部材１１３は、放射線Ｒの出射軸ＥＡ上にて、チャンバ本体１０９の出射孔１０９ｄ、筐体１０２の出射孔１０２ａ及びフィルタ膜１１１と並ぶように配置される。本実施形態では、遮蔽部材１１３により、コレクタ１１２によって集光されない放射線成分を遮光することが可能である。なお、遮蔽部材１１３は設けられてなくてもよい。

【0050】

チャンバ本体１０９の右前角部には、入射窓１１４が設けられている。入射窓１１４は、エネルギービームＥＢの入射軸ＩＡ上で、筐体１０２の右側面の入射孔１０２ｂと並ぶ位置に配置されている。また、チャンバ本体１０９の右前角部の内部側において、入射窓１１４を囲む位置からエネルギービームＥＢの入射軸ＩＡの方向に沿って突出するように、内側突出部１０９ｃが形成されている。

【0051】

チャンバ本体１０９の内部空間のうち、内側突出部１０９ｃに囲まれた空間が、入射チャンバ１０４として機能する。入射チャンバ１０４を構成する内側突出部１０９ｃ及びチャンバ本体１０９の右前角部の部分自体を、入射チャンバと呼ぶことも可能である。内側突出部１０９ｃは、チャンバ本体１０９と一体的に形成されてもよいし、別個に形成されたのちにチャンバ本体１０９に接続されてもよい。

【0052】

入射チャンバ１０４は、エネルギービームＥＢの入射軸ＩＡを中心軸として、コーン形状となるように構成されている。入射チャンバ１０４は、エネルギービームＥＢの入射軸ＩＡの方向において、チャンバ本体１０９の内部側の端部に近づくにつれて断面積が小さくなるように構成されている。即ち、入射チャンバ１０４は、内部側の端部に近づくにつれて絞られるような形状を有する。また入射チャンバ１０４は、内部側の端部にエネルギービームＥＢを通す開口部（アパーチャー）が設けられている。

【0053】

入射チャンバ１０４の内部には、飛散したプラズマ原料１０１やデブリを捕捉するための捕捉機構が配置される。図１に示す例では、捕捉機構として、エネルギービームＥＢを透過し、プラズマ原料１０１やデブリを捕捉する板状の回転部材である回転式窓１１５が配置されている。回転式窓１１５を回転させることで、回転式窓１１５のビーム透過領域の実質的な面積が増大し、回転式窓１１５の交換頻度を低減することが可能となる。

【0054】

また、図１に示すように、出射チャンバ１０５及び入射チャンバ１０４には、ガス注入路１１６ａ及び１１６ｂがそれぞれ設けられ、図示を省略したガス供給装置から、出射チャンバ１０５及び入射チャンバ１０４の内部にガスが供給される。出射チャンバ１０５には、放射線Ｒに対して透過率の高いガスが供給される。また入射チャンバ１０４には、エネルギービームＥＢに対して透過率の高いガスが供給される。

【0055】

出射チャンバ１０５及び入射チャンバ１０４に供給されるガスは同じ種類のガスであってもよいし、異なる種類のガスであってもよい。例えばアルゴンやヘリウムは、エネルギービームＥＢ及び放射線Ｒの両方に対して透過率の高いガスとして用いることが可能である。この他、出射チャンバ１０５及び入射チャンバ１０４に供給されるガスの種類は限定されない。ガスを供給することで、出射チャンバ１０５及び入射チャンバ１０４の内部圧力を真空チャンバ１０３の内部圧力よりも高い圧力に設定し、デブリ等の侵入を抑制することが可能となる。

【0056】

チャンバ本体１０９の内部空間のうち、出射チャンバ１０５として機能する内側突出部１０９ｂの内部空間及び入射チャンバ１０４として機能する内側突出部１０９ｃの内部空間を除く空間が、真空チャンバ１０３として機能する。真空チャンバ１０３を構成する部分自体を、真空チャンバと呼ぶことも可能である。

【0057】

図１に示すように、チャンバ本体１０９は、筐体１０２の左側面の貫通孔１０２ｃから筐体１０２の外部に突出する部分を有し、その先端が排気用ポンプ１１７に接続されている。排気用ポンプ１１７の具体的な構成は限定されず、真空ポンプ等の任意のポンプが用いられてよい。排気用ポンプ１１７により真空チャンバ１０３内が排気され、真空チャンバ１０３が減圧される。これにより、真空チャンバ１０３内にて生成される放射線Ｒの減衰が抑制される。真空チャンバ１０３内は、入射チャンバ１０４及び出射チャンバ１０５に対して減圧雰囲気であればよく、必ずしも真空雰囲気でなくてもよい。また、真空チャンバ１０３内に不活性ガスが供給されていてもよい。

【0058】

本実施形態では、入射軸ＩＡと出射軸ＥＡとの間の領域に向けて左右方向に延在するようにガス放出口１１８が設置されている。ガス放出口１１８は、チャンバ本体１０９の右側面に、シール部材等を介して設置される。ガス放出口１１８は、図示を省略したガス供給装置に接続され、チャンバ本体１０９内にガスを供給する。図１に示す例では、ガス放出口１１８から、入射軸ＩＡと出射軸ＥＡとの間の領域の右側から左右方向に沿って左側に向かってガスが吹き付けられる。これにより、プラズマＰから放出されるデブリを、入射軸ＩＡ及び出射軸ＥＡから遠ざかる方向に移動させることが可能となる。また、ガス放出口１１８はチャンバ本体１０９内にガスを供給できればよく、チャンバ本体１０９の他の場所に設けられてもよい。

【0059】

プラズマ生成機構１０６は、真空チャンバ１０３内にてプラズマＰを生成し、放射線Ｒ（Ｘ線又はＥＵＶ光）を放出するための機構である。プラズマ生成機構１０６は、図２に示すように回転体１２０を備え、回転体１２０にはエネルギービームＥＢが入射する。回転体１２０は、エネルギービームＥＢの照射位置Ｉが入射軸ＩＡと出射軸ＥＡとの交点の位置に配置されるように、真空チャンバ１０３内に配置されている。プラズマ生成機構１０６の詳細については後述する。

【0060】

制御部１０７は、光源装置１００が有する各構成要素の動作を制御する。例えば、制御部１０７により、ビーム源１０８や排気用ポンプ１１７の動作が制御される。制御部１０７は、例えばＣＰＵやメモリ（ＲＡＭ、ＲＯＭ）等のコンピュータに必要なハードウェア回路を有する。ＣＰＵがメモリに記憶されている制御プログラムをＲＡＭにロードして実行することにより、種々の処理が実行される。制御部１０７として、例えばＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）等のＰＬＤ(Programmable Logic Device)、その他ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）等のデバイスが用いられてもよい。図１では、制御部１０７は機能ブロックとして模式的に図示されているが、制御部１０７が構成される位置等は任意に設計されてよい。

【0061】

また、図１に示すように、本実施形態では、チャンバ本体１０９の前面側にて真空チャンバ１０３と空間的に接続される領域に、放射線診断部１１９が設けられている。放射線診断部１１９は、放射線Ｒの出射軸ＥＡとは異なる方向に放射される放射線Ｒが入射する位置に配置されている。放射線診断部１１９は、プラズマＰからの放射線Ｒの状態を測定する。ここで放射線Ｒの状態とは、放射線Ｒの強度、波長、スペクトルといった放射線Ｒの物理的状態である。例えば、放射線Ｒの有無を検出する検出器や、放射線の出力を測定する測定器により放射線診断部１１９が構成される。放射線診断部１１９による測定結果は、放射線Ｒの診断や、以下で説明する原料滴下装置の動作制御に用いられる。

【0062】

［プラズマ生成機構の構成］
プラズマ生成機構１０６は上述のように、真空チャンバ１０３内にてプラズマＰを生成し、放射線Ｒ（Ｘ線又はＥＵＶ光）を放出するための機構である。図３はプラズマ生成機構１０６の模式図である。図２及び図３に示すようにプラズマ生成機構１０６は、回転体１２０、回転駆動源１３１、軸部１３２、貯留槽１３３、膜厚調整機構１３４を備える。

【0063】

回転駆動源１３１は、真空チャンバ１０３外に配置され、回転体１２０の回転動力を生成する。回転駆動源１３１は例えばモータである。軸部１３２は、チャンバ本体１０９及び筐体１０２を貫通して回転駆動源１３１と回転体１２０を接続し、回転駆動源１３１において生成された回転動力を回転体１２０に伝達する。貯留槽１３３は回転体１２０の鉛直下方に配置され、プラズマ原料１０１を貯留する。

【0064】

回転体１２０は、真空チャンバ１０３内に配置され、軸部１３２と接続されている。回転体１２０は図３に矢印Ｓで示すように、軸部１３２の回転により回転する。以下、回転体１２０及び軸部１３２の回転軸を回転軸Ｍとする。

【0065】

図３に示すように回転体１２０は円板形状を有する。以下、軸部１３２と反対側の回転体１２０の面を回転面１２０ａとする。回転軸Ｍは、例えば水平方向（Ｘ-Ｙ方向）に平行であり、回転面１２０ａが鉛直方向に平行となるように配置されている。回転面１２０ａは一部が貯留槽１３３に貯留されたプラズマ原料１０１に浸漬されており、回転に伴ってプラズマ原料１０１が付着する。回転面１２０ａに付着したプラズマ原料１０１は回転体１２０の回転に伴って照射位置Iに輸送され、照射位置Iに照射されるエネルギービームＥＢによりプラズマ化される。

【0066】

膜厚調整機構１３４は図３に示すように回転体１２０に配置され、回転面１２０ａに付着したプラズマ原料１０１の膜厚を調整する。膜厚調整機構１３４は例えばチャネル構造を有する構造体であって、その内側に回転体１２０を挟むように所定の間隙をもって配置され、間隙に流入しなかったプラズマ原料１０１を削ぎ取ることでプラズマ原料１０１の膜厚を調整する。膜厚調整機構１３４は回転体１２０の回転方向において照射位置Iの上流側に設けられ、照射位置Iでのプラズマ原料１０１の膜厚を規定する。

【0067】

プラズマ生成機構１０６では、上述のように貯留槽１３３に貯留されたプラズマ原料１０１が回転体１２０の回転面１２０ａに付着し、回転体１２０の回転によって照射位置Iに輸送される。したがって、貯留槽１３３はプラズマ原料１０１を回転面１２０ａに供給する「原料供給部」として機能する。

【0068】

［回転体ユニットの構成について］
プラズマ生成機構１０６は、回転体１２０を収容する回転体ユニットを備える。図４は回転体ユニット１５０の構成を示す斜視図である。同図に示すように回転体ユニット１５０は回転体１２０、カバー１６０及び加熱機構１８０を備え、回転体１２０はカバー１６０内に収容されている。なお、図１乃至図３ではカバー１６０及び加熱機構１８０の図示は省略されている。図５及び図６は回転体ユニット１５０の断面図である。図５は図４のＡ１－Ａ１線（Ｘ－Ｙ平面）での断面図であり、図６は図４のＡ２－Ａ２線（Ｙ－Ｚ平面）での断面図である。

【0069】

カバー１６０は、回転体１２０を囲んでデブリの飛散を防止すると共に、貯留槽１３３を形成する。カバー１６０は第１カバー部材１６１及び第２カバー部材１６２から構成されている。図７は第１カバー部材１６１と第２カバー部材１６２を分解して示す回転体ユニット１５０の分解斜視図である。同図に示すように、カバー１６０の内部には回転体１２０が収容されている。また、カバー１６０の鉛直下方部分にはプラズマ原料１０１が貯留されており、カバー１６０の鉛直下方部分は貯留槽１３３を構成する。貯留槽１３３の周囲には図示しない加熱機構が設けられており、貯留槽１３３に貯留されたプラズマ原料１０１を加熱し、溶融させる。

【0070】

第１カバー部材１６１は図７に示すように底部１６１ａと側壁部１６１ｂを有する。底部１６１ａは円板形状を有し、図５に示すように中央部に貫通孔１６１ｃが設けられている。貫通孔１６１ｃは軸部１３２が挿通される孔である。側壁部１６１ｂは円筒形状を有し、底部１６１ａの周縁に連続する。

【0071】

第２カバー部材１６２は図７に示すように第１カバー部材１６１の側壁部１６１ｂに接合される。図８は回転面１２０ａとは反対側から見た第２カバー部材１６２の斜視図であり、図９は回転面１２０ａ側から見た第２カバー部材１６２の斜視図である。図１０は第２カバー部材１６２の断面図であり、図８及び図９におけるＡ３－Ａ３線（Ｙ－Ｚ平面）での断面図である。

【0072】

図８乃至図１０に示すように、第２カバー部材１６２は平板部１６３、遮蔽部１６４及び導液部１６５を有する。平板部１６３は平板形状を有し、図７に示すように回転体１２０の回転面１２０ａに対向する。図９に示すように、回転面１２０ａと対向する平板部１６３の表面を対向面１６３ａとする。対向面１６３ａは回転面１２０ａと平行な面であり、例えば鉛直方向に平行な面である。

【0073】

図９に示すように平板部１６３には、開口１６３ｂ、入射孔１６６及び出射孔１６７が設けられている。開口１６３ｂは対向面１６３ａに対して遮蔽部１６４が陥没して設けられていることにより形成された開口である。入射孔１６６は第２カバー部材１６２を貫通して設けられ、エネルギービームＥＢが入射する孔である。出射孔１６７も第２カバー部材１６２を貫通して設けられ、放射線Ｒが出射する孔である。

【0074】

対向面１６３ａは、図７に示すように第１カバー部材１６１と共に貯留槽１３３を形成する。図１１は回転体ユニット１５０の断面を回転軸Ｍに垂直な方向（Ｚ方向）から見た平面図であり、図４のＡ４－Ａ４線（Ｘ－Ｙ平面）での断面図である。同図において貯留槽１３３の周縁Ｔ（破線）を示す。周縁Ｔは貯留槽１３３に貯留されているプラズマ原料１０１の液面の周縁である。同図に示すように対向面１６３ａは回転軸Ｍに垂直な方向（Ｚ方向）から見て周縁Ｔに一致する。

【0075】

遮蔽部１６４は照射位置Ｉに対向し、プラズマ生成に伴って生じるデブリを遮蔽する。図１２は回転体ユニット１５０の遮蔽部１６４近傍の断面図であり、図４のＡ２－Ａ２線（Ｙ－Ｚ平面）での断面図である。同図に示すように遮蔽部１６４は、回転面１２０ａの照射位置Ｉに対向する遮蔽面１６４ａを有する。遮蔽面１６４ａは回転面１２０ａと平行であり、例えば鉛直方向に平行な面とすることができる。また遮蔽面１６４ａは回転面１２０ａと平行な面でなくてもよく、後述するように曲面や傾斜面であってもよい。

【0076】

遮蔽面１６４ａは対向面１６３ａから陥没して設けられており、対向面１６３ａよりも回転面１２０ａから離隔し、対向面１６３ａの開口１６３ｂ（図１０参照）を介して照射位置Ｉに対向する。遮蔽部１６４には図８に示すように、入射孔１６６及び出射孔１６７が平板部１６３に連続して設けられている。

【0077】

導液部１６５は遮蔽部１６４と平板部１６３の間に設けられ、遮蔽部１６４から流入するプラズマ原料１０１を、原料供給部である貯留槽１３３に導く。具体的には導液部１６５は図１２に示すように、遮蔽面１６４ａと対向面１６３ａの間に位置する導液面１６５ａを有する。

【0078】

導液面１６５ａは遮蔽面１６４ａ上から流入するプラズマ原料１０１を貯留しない形状を有する。具体的には導液面１６５ａは遮蔽面１６４ａから対向面１６３ａに向かって次第に回転面１２０ａに接近する形状を有する。図１０においては曲面状の導液面１６５ａを示す。また、導液面１６５ａは後述するように傾斜面状であってもよい。さらに導液面１６５ａは全体が次第に回転面１２０ａに接近する形状でなくてもよく、少なくとも一部が水平面状であってもよい。

【0079】

加熱機構１８０は遮蔽部１６４をプラズマ原料１０１の融点以上の温度に加熱する。加熱機構１８０は図１２に示すように、遮蔽部１６４の遮蔽面１６４ａとは反対側に配置され、遮蔽部１６４に接触する。また、加熱機構１８０は導液部１６５の導液面１６５ａとは反対側にも配置されてもよい。さらに、加熱機構１８０として、貯留槽１３３に配置され、貯留槽１３３に貯留されたプラズマ原料１０１を溶融させるための加熱機構を利用してもよい。加熱機構１８０は例えば抵抗加熱式ヒーターである。

【0080】

［光源装置の動作及び効果］
光源装置１００の動作及び効果について説明する。図１３は光源装置１００の動作を示す模式図である。回転体ユニット１５０においては上述のように回転体１２０が回転すると、貯留槽１３３に貯留されたプラズマ原料１０１が回転面１２０ａに付着する（図３参照）。この状態でビーム源１０８（図１参照）からエネルギービームＥＢが出射されると、エネルギービームＥＢは入射孔１６６（図４参照）を介して回転面１２０ａ上の照射位置Ｉに入射する。

【0081】

エネルギービームＥＢは照射位置Iにおいてプラズマ原料１０１をプラズマ化し、図１３に示すようにプラズマＰを発生させる。プラズマＰからは放射線Ｒ（図２参照）が放出され、出射孔１６７（図４参照）を介して出射される。このプラズマ化に伴い、図１３に示すように照射位置Iからはプラズマ原料１０１の蒸気及び煙霧であるデブリＤが噴出する。デブリＤは主に回転面１２０ａの法線方向Ｈ（Ｙ方向）に沿って噴出する。

【0082】

ここで、回転体ユニット１５０においては照射位置Iに対向して遮蔽面１６４ａが設けられているため、照射位置Iから噴出したデブリＤは遮蔽面１６４ａに到達する。遮蔽面１６４ａは加熱機構１８０によってプラズマ原料１０１の融点以上に加熱されているため、遮蔽面１６４ａに到達したデブリＤは溶融し、液状のプラズマ原料１０１となって遮蔽面１６４ａ上を流下する（図中、矢印Ｆ１）。

【0083】

遮蔽面１６４ａ上を流下したプラズマ原料１０１は導液面１６５ａ上に流入し、導液面１６５ａ上を流下する。導液面１６５ａはプラズマ原料１０１を貯留しない形状を有しているため、プラズマ原料１０１は導液面１６５ａ上を流下し（図中、矢印Ｆ２）、対向面１６３ａ上に流入する。対向面１６３ａ上に流入したプラズマ原料１０１は対向面１６３ａ上を流下し（図中、矢印Ｆ３）、貯留槽１３３に流入する。

【0084】

これにより、デブリＤとなって噴出したプラズマ原料１０１を貯留槽１３３に回収し、再利用することが可能となる。仮に遮蔽部１６４が設けられていなければ、デブリＤは第２カバー部材１６２のうち照射位置Iに対向する領域に到達して固化し、堆積する。すると堆積したデブリＤによって入射孔１６６及び出射孔１６７の閉塞等が生じ、放射線Ｒの放出に悪影響が生じるおそれがある。また、デブリＤが堆積するとその分のプラズマ原料１０１が貯留槽１３３に戻らず、プラズマ原料１０１の消費量が増大するため、プラズマ原料１０１の補給を短期間で行う必要が生じる。

【0085】

これに対して光源装置１００では、デブリＤは遮蔽面１６４ａ上に堆積しないため、放射線Ｒの放出に悪影響が生じない。また、デブリＤとなって噴出したプラズマ原料１０１は貯留槽１３３に戻るため、プラズマ原料１０１の消費量を抑制し、プラズマ原料１０１の補給頻度を低減させることが可能となる。

【0086】

さらに遮蔽面１６４ａは対向面１６３ａに対して回転面１２０ａから離隔して設けられている（図１３参照）。遮蔽面１６４ａが回転面１２０ａに接近していると、遮蔽面１６４ａ上で溶融しているプラズマ原料１０１がエネルギービームＥＢの照射による衝撃波により飛散するおそれがある。特に照射位置Iにおいては膜厚調整機構１３４によりプラズマ原料１０１の膜厚が調整されているが、この膜厚が飛散したプラズマ原料１０１により変動するおそれがある。

【0087】

また、遮蔽面１６４ａが回転面１２０ａに接近していると、噴出したデブリＤが遮蔽面１６４ａに衝突して反射され、溶融せずに回転面１２０ａに付着するおそれもある。照射位置Ｉにおけるプラズマ原料１０１の膜厚変動や異物の付着は放射線Ｒの出力を不安定とする原因となる。したがって、遮蔽面１６４ａを回転面１２０ａから離隔して設けることにより、これらの問題を解消し、放射線Ｒの出力を安定化させることが可能となる。

【0088】

なお、遮蔽面１６４ａと共に対向面１６３ａを回転面１２０ａから離隔させることも可能であるが、その場合、貯留槽１３３の容積が増加し、貯留されているプラズマ原料１０１を溶融させるためのエネルギーが増大する。このため、対向面１６３ａに対して遮蔽面１６４ａを回転面１２０ａから離隔させる方が好適である。

【0089】

［遮蔽部及び導液部の形状について］
遮蔽部１６４及び導液部１６５は以下のような形状とすることも可能である。図１４は遮蔽部１６４及び導液部１６５が他の形状を有する回転体ユニット１５０の斜視図である。図１５はこの回転体ユニット１５０の断面図であり、図１４のＡ５－Ａ５線（Ｘ－Ｙ平面）での断面図である。これらの図に示すように遮蔽部１６４と平板部１６３の間には間隙１６８が設けられてもよい。上述のように照射位置Iにおいて生じるデブリＤは主に回転面１２０ａの法線方向Ｈ（Ｙ方向）に沿って噴出する（図１３参照）ため、間隙１６８が設けられていてもデブリＤのほぼ全量が遮蔽面１６４ａに到達し、再利用される。

【0090】

図１６は遮蔽部１６４及び導液部１６５が別の形状を有する回転体ユニット１５０の斜視図である。図１７及び図１８はこの回転体ユニット１５０の断面図であり、図１７は図１６のＡ６－Ａ６線（Ｘ－Ｙ平面）での断面図、図１８は図１４のＡ７－Ａ７線（Ｙ－Ｚ平面）での断面図である。これらの図に示すように遮蔽部１６４及び導液部１６５は半球状であり、遮蔽面１６４ａ及び導液面１６５ａは照射位置Iを中心とする半球面状である。換言すれば導液面１６５ａは遮蔽面１６４ａから対向面１６３ａに向かって次第に回転面１２０ａに接近する曲面状である。

【0091】

この構造においては遮蔽面１６４ａ及び導液面１６５ａが照射位置Ｉから等距離となる。上述したエネルギービームＥＢの照射による衝撃波は等方的に広がるため、遮蔽面１６４ａ及び導液面１６５ａにおける衝撃波を抑制することができる。また、遮蔽面１６４ａ及び導液面１６５ａによるデブリＤの反射も抑制することが可能となる。

【0092】

図１９は遮蔽部１６４及び導液部１６５が別の形状を有する回転体ユニット１５０の斜視図である。図２０は遮蔽部１６４の拡大図である。図２１及び図２２はこの回転体ユニット１５０の断面図であり、図２１は図１９のＡ８－Ａ８線（Ｘ－Ｙ平面）での断面図、図２２は図１９のＡ９－Ａ９線（Ｙ－Ｚ平面）での断面図である。これらの図に示すように遮蔽部１６４及び導液部１６５は平面構造主体の形状である。

【0093】

具体的には遮蔽面１６４ａは中心部が水平面（Ｘ－Ｙ平面）内において回転面１２０ａから最も離隔する形状を有する。導液面１６５ａは中心部が水平面（Ｘ－Ｙ平面）内において回転面１２０ａから最も離隔し、かつ遮蔽面１６４ａから対向面１６３ａに向かって次第に回転面１２０ａに接近する傾斜面状である。以下、遮蔽面１６４ａ及び導液面１６５ａの中心部において回転面１２０ａから最も離隔した谷状部分を集液部１６９とする。

【0094】

図２０及び図２１に示すように遮蔽面１６４ａには溝１７０が設けられている。溝１７０は、溝１７０を伝うプラズマ原料１０１を導液面１６５ａに導くものであり、溝１７０を伝うプラズマ原料１０１が集液部１６９に集まり、集液部１６９から対向面１６３ａ上に流れやすくなっている。遮蔽部１６４及び導液部１６５を平面構造主体の形状とすることで製造が容易となる。なお、図１９において加熱機構１８０は遮蔽部１６４上のみに設けられているが、導液部１６５上にも設けられてもよい。

【0095】

図２３は遮蔽部１６４及び導液部１６５が他の構成を有する回転体ユニット１５０の斜視図であり、図２４はその一部構成の分解斜視図である。図２５は、この回転体ユニット１５０の断面図であり、図２３のＡ１０－Ａ１０線（Ｘ－Ｙ平面）での断面図である。これらの図に示すように、回転体ユニット１５０は第２カバー部材１６２に対して着脱可能な遮蔽体１９０を有し、遮蔽体１９０が遮蔽部１６４及び導液部１６５を有するものであってもよい。

【0096】

図２６はこの場合の第２カバー部材１６２の斜視図である。同図に示すように第２カバー部材１６２には遮蔽部１６４及び導液部１６５が設けられておらず、平板部１６３には開口１６３ｂ、貫通孔１６３ｃ、入射孔１６６及び出射孔１６７が設けられている。

【0097】

図２４に示すように遮蔽体１９０は、遮蔽部１６４、導液部１６５、係合部１９１及び貫通孔１９２を有する。同図に示すように、貫通孔１６３ｃにスタッド１９３が挿入される。遮蔽体１９０は、係合部１９１が開口１６３ｂに係合し、ネジ１９４が貫通孔１９２を介してスタッド１９３にネジ留めされることで第２カバー部材１６２に固定される。遮蔽体１９０はネジ１９４を外すことで第２カバー部材１６２から取り外すことが可能である。スタッド１９２の数は例えば２本であるが、１本又は３本以上であってもよい。

【0098】

係合部１９１は、導液部１６５の遮蔽部１６４とは反対側の端部に設けられ、開口１６３ｂの周囲において対向面１６３ａに当接し、遮蔽体１９０の下方を第２カバー部材１６２に対して固定する。係合部１９１はプラズマ原料１０１が漏出しないように、導液面１６５ａから連続して対向面１６３ａ上に重畳する形状が好適である。

【0099】

この構成においては、遮蔽体１９０が第２カバー部材１６２に対して着脱可能であることにより、遮蔽体１９０の交換が可能である。上述のように遮蔽面１６４ａは照射位置Ｉから噴出するデブリが直接に到達する面であるため、所定時間毎に交換が必要である。この構成では遮蔽体１９０の交換が可能であるため、メンテナンス性に優れる。

【0100】

この他にも遮蔽部１６４及び導液部１６５は各種構成とすることができ、遮蔽部１６４は照射位置Ｉに対向するものであればよい。導液部１６５は遮蔽部１６４から流入するプラズマ原料１０１を貯留槽１３３に導くことが可能なものであればよい。各種の構成において遮蔽面１６４ａには、プラズマ原料１０１を導液面１６５ａに導く溝１７０を設けることができる。

【0101】

（本開示について）
本開示において、「略」という文言が使用される場合、これはあくまで説明の理解を容易とするための使用であり、「略」という文言の使用／不使用に特別な意味があるわけではない。即ち、本開示において、「中心」「中央」「均一」「等しい」「同じ」「直交」「平行」「対称」「延在」「軸方向」「円形状」「円弧形状」「矩形状」「長方形状」「多角形状」「リング形状」「立方体形状」「直方体形状」「円柱形状」「円盤形状」「コーン形状」等の、形状、サイズ、位置関係、状態等を規定する概念は、「実質的に中心」「実質的に中央」「実質的に均一」「実質的に等しい」「実質的に同じ」「実質的に直交」「実質的に平行」「実質的に対称」「実質的に延在」「実質的に軸方向」「実質的に円形状」「実質的に円弧形状」「実質的に矩形状」「実質的に長方形状」「実質的に多角形状」「実質的にリング形状」「実質的に立方体形状」「実質的に直方体形状」「実質的に円柱形状」「実質的に円盤形状」「実質的にコーン形状」等を含む概念とする。例えば「完全に中心」「完全に中央」「完全に均一」「完全に等しい」「完全に同じ」「完全に直交」「完全に平行」「完全に対称」「完全に延在」「完全に軸方向」「完全に円形状」「完全に円弧形状」「完全に矩形状」「完全に長方形状」「完全に多角形状」「完全にリング形状」「完全に立方体形状」「完全に直方体形状」「完全に円柱形状」「完全に円盤形状」「完全にコーン形状」等を基準とした所定の範囲（例えば±１０％の範囲）に含まれる状態も含まれる。従って、「略」の文言が付加されていない場合でも、いわゆる「略」を付加して表現される概念が含まれ得る。反対に、「略」を付加して表現された状態について、完全な状態が排除される訳ではない。

【0102】

本開示において、「Ａより大きい」「Ａより小さい」といった「より」を使った表現は、Ａと同等である場合を含む概念と、Ａと同等である場合を含まない概念の両方を包括的に含む表現である。例えば「Ａより大きい」は、Ａと同等は含まない場合に限定されず、「Ａ以上」も含む。また「Ａより小さい」は、「Ａ未満」に限定されず、「Ａ以下」も含む。本技術を実施する際には、上記で説明した効果が発揮されるように、「Ａより大きい」及び「Ａより小さい」に含まれる概念から、具体的な設定等を適宜採用すればよい。

【0103】

以上説明した本技術に係る特徴部分のうち、少なくとも２つの特徴部分を組み合わせることも可能である。即ち各実施形態で説明した種々の特徴部分は、各実施形態の区別なく、任意に組み合わされてもよい。また上記で記載した種々の効果は、あくまで例示であって限定されるものではなく、また他の効果が発揮されてもよい。

【符号の説明】

【0104】

１００…光源装置
１０１…プラズマ原料
１０６…プラズマ生成機構
１０８…ビーム源
１２０…回転体
１３１…回転駆動源
１３２…軸部
１３３…貯留槽
１３４…膜厚調整機構
１５０…回転体ユニット
１６０…カバー
１６１…第１カバー部材
１６２…第２カバー部材
１６４…遮蔽部
１６５…導液部
１７０…溝
１８０…加熱機構
１９０…遮蔽体

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】

【図24】

【図25】

【図26】