特開 2024-178272 表示パネル

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024178272

(43)【公開日】2024-12-24

(54)【発明の名称】表示パネル

(51)【国際特許分類】

   H10K 59/80 20230101AFI20241217BHJP

   H10K 59/35 20230101ALI20241217BHJP

   H10K 50/10 20230101ALI20241217BHJP

   H10K 50/14 20230101ALI20241217BHJP

   H10K 50/17 20230101ALI20241217BHJP

   H10K 50/18 20230101ALI20241217BHJP

   H10K 50/814 20230101ALI20241217BHJP

   H10K 50/824 20230101ALI20241217BHJP

   H10K 59/10 20230101ALI20241217BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20241217BHJP

【ＦＩ】

H10K59/80

H10K59/35

H10K50/10 321

H10K50/14

H10K50/17

H10K50/18

H10K50/814

H10K50/824

H10K59/10

H10K59/35 553

G09F9/30 339Z

G09F9/30 365

【審査請求】有

【請求項の数】1

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2024160664

(22)【出願日】2024-09-18

(62)【分割の表示】P 2023097508の分割

【原出願日】2018-11-28

(31)【優先権主張番号】P 2017230849

(32)【優先日】2017-11-30

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(31)【優先権主張番号】P 2018095869

(32)【優先日】2018-05-18

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(71)【出願人】

【識別番号】000153878

【氏名又は名称】株式会社半導体エネルギー研究所

(72)【発明者】

【氏名】中村 太紀

(72)【発明者】

【氏名】江口 晋吾

(72)【発明者】

【氏名】青山 智哉

(72)【発明者】

【氏名】杉澤 希

(72)【発明者】

【氏名】丸山 純矢

(72)【発明者】

【氏名】藤田 一彦

(72)【発明者】

【氏名】佐藤 将孝

(72)【発明者】

【氏名】川島 進

(57)【要約】      （修正有）

【課題】表示パネルの表示ムラを抑制する。画素の開口率の高い表示パネルを提供する。
【解決手段】第１の画素電極、第２の画素電極、第３の画素電極、第１の発光層、第２の発光層、第３の発光層、第１の共通層、第２の共通層、共通電極、及び補助配線を有する、表示パネルである。第１の共通層は、第１の画素電極上及び第２の画素電極上に位置する。第１の共通層は、第１の発光層と重なる部分と、第２の発光層と重なる部分と、を有する。第２の共通層は、第３の画素電極上に位置する。第２の共通層は、第３の発光層と重なる部分を有する。共通電極は、第１の共通層及び第１の発光層を介して第１の画素電極と重なる部分と、第１の共通層及び第２の発光層を介して第２の画素電極と重なる部分と、第２の共通層及び第３の発光層を介して第３の画素電極と重なる部分と、補助配線の上面に接する部分と、を有する。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１の画素電極、第２の画素電極、第３の画素電極、第１の発光層、第２の発光層、第３の発光層、第１の共通層、第２の共通層、共通電極、及び補助配線を有し、
前記第１の発光層は、前記第１の画素電極上に位置し、
前記第２の発光層は、前記第２の画素電極上に位置し、
前記第３の発光層は、前記第３の画素電極上に位置し、
前記第１の発光層は、前記第２の発光層と異なる色の光を発する機能を有し、
前記第１の発光層は、前記第３の発光層と同じ色の光を発する機能を有し、
前記第１の共通層は、前記第１の画素電極上及び前記第２の画素電極上に位置し、
前記第１の共通層は、前記第１の発光層と重なる部分と、前記第２の発光層と重なる部分と、を有し、
前記第２の共通層は、前記第３の画素電極上に位置し、
前記第２の共通層は、前記第３の発光層と重なる部分を有し、
前記共通電極は、前記第１の共通層及び前記第１の発光層を介して前記第１の画素電極と重なる部分と、前記第１の共通層及び前記第２の発光層を介して前記第２の画素電極と重なる部分と、前記第２の共通層及び前記第３の発光層を介して前記第３の画素電極と重なる部分と、前記補助配線の上面に接する部分と、を有する、表示パネル。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の一態様は、表示パネル、表示装置、表示モジュール、電子機器、表示パネルの作
製方法に関する。

【0002】

なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本発明の一態様の技術分野と
しては、半導体装置、表示装置、発光装置、電子機器、照明装置、入出力装置（例えば、
タッチパネルなど）、それらの駆動方法、又はそれらの製造方法を一例として挙げること
ができる。

【背景技術】

【0003】

近年、解像度の高い表示パネルが求められている。例えば、フルハイビジョン（画素数１
９２０×１０８０）、４Ｋ（画素数３８４０×２１６０もしくは４０９６×２１６０等）
、さらには８Ｋ（画素数７６８０×４３２０もしくは８１９２×４３２０等）といった画
素数の多い表示パネルが盛んに開発されている。

【0004】

また、表示パネルの大型化が求められている。例えば、家庭用のテレビジョン装置では、
画面サイズが対角５０インチを超えるものが主流となっている。画面のサイズが大きく画
素数が多いほど、一度に表示可能な情報量を多くできるため、デジタルサイネージ等では
更なる大画面化が求められている。

【0005】

エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ、以下ＥＬと記す
）現象を利用した発光素子（ＥＬ素子とも記す）は、薄型軽量化が容易である、入力信号
に対し高速に応答可能である、直流低電圧電源を用いて駆動可能である等の特徴を有し、
表示パネルへの応用が検討されている。例えば、特許文献１に、有機ＥＬ素子が適用され
た、可撓性を有する発光装置が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【特許文献1】特開２０１４－１９７５２２号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

上面射出（トップエミッション）構造の表示パネルは、トランジスタ、容量素子、及び配
線等を、発光素子の発光領域と重ねて配置することができるため、下面射出（ボトムエミ
ッション）構造の表示パネルに比べて、画素の開口率を高めることができる。一方で、ト
ップエミッション構造の表示パネルでは、発光素子が発した光を、共通電極を介して外部
に取り出すため、共通電極が可視光を透過する必要がある。可視光を透過する導電材料を
用いることで、共通電極の抵抗が高くなるという問題が生じる。共通電極の抵抗に起因す
る電圧降下が生じることで、表示面内の電位分布が不均一になり、発光素子の輝度がばら
ついて、表示品位が低下してしまう。

【0008】

本発明の一態様は、表示パネルまたは表示装置の表示ムラまたは輝度ムラの抑制を課題の
一とする。本発明の一態様は、表示品位の高い表示パネルまたは表示装置を提供すること
を課題の一とする。本発明の一態様は、画素の開口率の高い表示パネルまたは表示装置を
提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、信頼性の高い表示パネルまたは表示
装置を提供することを課題の一とする。

【0009】

本発明の一態様は、表示装置の大型化を課題の一とする。本発明の一態様は、継ぎ目が視
認されにくい広い表示領域を有する表示装置を提供することを課題の一とする。本発明の
一態様は、表示装置の薄型化または軽量化を課題の一とする。本発明の一態様は、曲面に
沿って表示することが可能な表示装置を提供することを課題の一とする。本発明の一態様
は、一覧性に優れた表示装置を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、新規
な表示パネルまたは表示装置を提供することを課題の一とする。

【0010】

なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は
、必ずしも、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。明細書、図面、請求
項の記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。

【課題を解決するための手段】

【0011】

本発明の一態様は、第１の画素電極、第２の画素電極、第３の画素電極、第１の発光層、
第２の発光層、第３の発光層、第１の共通層、第２の共通層、共通電極、及び補助配線を
有する、表示パネルである。第１の発光層は、第１の画素電極上に位置する。第２の発光
層は、第２の画素電極上に位置する。第３の発光層は、第３の画素電極上に位置する。第
１の発光層は、第２の発光層と異なる色の光を発する機能を有する。第１の発光層は、第
３の発光層と同じ色の光を発する機能を有する。第１の共通層は、第１の画素電極上及び
第２の画素電極上に位置する。第１の共通層は、第１の発光層と重なる部分と、第２の発
光層と重なる部分と、を有する。第２の共通層は、第３の画素電極上に位置する。第２の
共通層は、第３の発光層と重なる部分を有する。共通電極は、第１の共通層及び第１の発
光層を介して第１の画素電極と重なる部分と、第１の共通層及び第２の発光層を介して第
２の画素電極と重なる部分と、第２の共通層及び第３の発光層を介して第３の画素電極と
重なる部分と、補助配線の上面に接する部分と、を有する。第１の共通層は、第２の共通
層と接する部分を有していてもよい。第１の共通層は、第２の共通層と重なる部分を有し
ていてもよい。

【0012】

第１の共通層は、第１の画素電極と第１の発光層との間に位置してもよい。第１の共通層
は、第１の発光層と共通電極との間に位置してもよい。

【0013】

本発明の一態様は、第１の画素電極、第２の画素電極、第３の画素電極、第１の有機化合
物層、第２の有機化合物層、共通電極、及び補助配線を有する表示パネルである。第１の
有機化合物層は、第１の画素電極上及び第２の画素電極上に位置する。第２の有機化合物
層は、第３の画素電極上に位置する。第１の有機化合物層は、第２の有機化合物層と同じ
色の光を発する機能を有する。共通電極は、第１の有機化合物層を介して第１の画素電極
と重なる部分と、第１の有機化合物層を介して第２の画素電極と重なる部分と、第２の有
機化合物層を介して第３の画素電極と重なる部分と、補助配線の上面に接する部分と、を
有する。第１の有機化合物層は、第２の有機化合物層と接する部分を有していてもよい。
第１の有機化合物層は、第２の有機化合物層と重なる部分を有していてもよい。

【0014】

第１の有機化合物層と第２の有機化合物層は、それぞれ、複数の発光層を積層して有して
いてもよい。第１の有機化合物層と第２の有機化合物層は、白色の光を発する機能を有し
ていてもよい。

【0015】

補助配線は、第１の画素電極と同一面上に位置してもよい。

【0016】

上記各構成の表示パネルは、さらにトランジスタを有していてもよく、補助配線は、トラ
ンジスタが有するゲート電極またはソース電極と同一面上に位置してもよい。

【0017】

第１の画素電極、第２の画素電極、及び第３の画素電極は、それぞれ、反射電極と、反射
電極上の透明電極と、を有してもよい。

【0018】

共通電極は、可視光に対する透過性及び反射性の双方を有していてもよい。

【0019】

補助配線は、第１の画素電極、第２の画素電極、及び第３の画素電極と重ならないことが
好ましい。

【0020】

本発明の一態様は、上記のいずれかの構成の表示パネルと、コネクタまたは集積回路と、
を有する、表示モジュールである。

【0021】

本発明の一態様は、第１の表示パネル及び第２の表示パネルを有する表示装置である。第
１の表示パネル及び第２の表示パネルは、それぞれ、上記のいずれかの構成の表示パネル
である。第１の表示パネルは、第１の表示領域を有する。第２の表示パネルは、第２の表
示領域及び可視光を透過する領域を有する。第２の表示領域は、可視光を透過する領域と
隣接する。第１の表示領域は、可視光を透過する領域と重なる部分を有する。

【0022】

本発明の一態様は、可撓性を有する表示パネルと、第１の衝撃緩和層と、第２の衝撃緩和
層と、第１の支持体と、第２の支持体と、第１の歯車と、第２の歯車と、を有する表示装
置である。表示パネルは、第１の衝撃緩和層と第２の衝撃緩和層との間に位置する。第１
の支持体及び第２の支持体は、それぞれ、第１の衝撃緩和層を介して、表示パネルと重な
る。第１の支持体は、第１の歯車と接続される。第２の支持体は、第２の歯車と接続され
る。第１の歯車と第２の歯車が互いにかみ合うことで、第１の支持体と第２の支持体の動
きは同期されている。第１の衝撃緩和層は、第１の支持体に固定されている領域と、第２
の支持体に固定されている領域と、第１の支持体及び第２の支持体のどちらにも固定され
ていない領域と、を有する。表示装置は、第１の支持体と第２の支持体が略同一平面に位
置する展開状態及び第１の支持体と第２の支持体が互いに重なる曲げ状態の一方から他方
に変形するよう構成されている。曲げ状態では、表示パネルの表示面が内側にくるよう、
表示パネルが曲げられる。第１の衝撃緩和層及び第２の衝撃緩和層は、それぞれ、ウレタ
ン、アクリル、及びシリコーンのうち少なくとも一つを有することが好ましい。

【0023】

本発明の一態様は、上記いずれかの構成の表示装置と、アンテナ、バッテリ（二次電池な
ど）、筐体、カメラ、スピーカ、マイク、及び操作ボタンのうち少なくとも一つと、を有
する、電子機器である。

【0024】

本発明の一態様は、絶縁表面上に、第１の画素電極、第２の画素電極、及び第３の画素電
極を形成し、第１の画素電極及び第２の画素電極上に第１の共通層を形成し、第１の共通
層の形成工程とは別の工程で、第３の画素電極上に第２の共通層を形成し、第１のマスク
を用いて、第１の画素電極上に第１の発光層を形成し、かつ、第３の画素電極上に第３の
発光層を形成し、第１の発光層の形成工程とは別の工程で、第２のマスクを用いて、第２
の画素電極上に第２の発光層を形成し、第１の共通層、第２の共通層、第１の発光層、第
２の発光層、及び第３の発光層上に共通電極を形成する、表示パネルの作製方法である。

【0025】

上記作製方法において、第３のマスクを用いて、第１の共通層を形成し、第１の共通層を
形成した後、第３のマスクを絶縁表面に対して平行に１画素分移動させてから、第３のマ
スクを用いて、第２の共通層を形成してもよい。または、上記作製方法において、第３の
マスクを用いて、第１の共通層を形成し、第４のマスクを用いて、第２の共通層を形成し
てもよい。このとき、第３のマスクの開口パターンは、第４のマスクの開口パターンに対
して１画素分ずれている。

【0026】

本発明の一態様は、絶縁表面上に、第１の画素電極、第２の画素電極、及び第３の画素電
極を形成し、第１の画素電極及び第２の画素電極上に第１の有機化合物層を形成し、第１
の有機化合物層の形成工程とは別の工程で、第３の画素電極上に第２の有機化合物層を形
成し、第１の有機化合物層及び第２の有機化合物層上に共通電極を形成する、表示パネル
の作製方法である。第１の有機化合物層は、第２の有機化合物層と同じ色の光を発する機
能を有する。

【0027】

上記作製方法において、第１のマスクを用いて、第１の有機化合物層を形成し、第１の有
機化合物層を形成した後、第１のマスクを絶縁表面に対して平行に１画素分移動させてか
ら、第１のマスクを用いて、第２の有機化合物層を形成してもよい。または、上記作製方
法において、第１のマスクを用いて、第１の有機化合物層を形成し、第２のマスクを用い
て、第２の有機化合物層を形成してもよい。このとき、第１のマスクの開口パターンは、
第２のマスクの開口パターンに対して１画素分ずれている。

【0028】

上記各作製方法において、第１の画素電極、第２の画素電極、及び第３の画素電極の形成
工程と同一の工程で、補助配線を形成してもよい。

【発明の効果】

【0029】

本発明の一態様により、表示パネルまたは表示装置の表示ムラまたは輝度ムラの抑制が可
能となる。本発明の一態様により、表示品位の高い表示パネルまたは表示装置を提供でき
る。本発明の一態様は、画素の開口率の高い表示パネルまたは表示装置を提供できる。本
発明の一態様により、信頼性の高い表示パネルまたは表示装置を提供できる。

【0030】

本発明の一態様により、表示装置の大型化が可能となる。本発明の一態様により、継ぎ目
が視認されにくい広い表示領域を有する表示装置を提供できる。本発明の一態様により、
表示装置の薄型化または軽量化が可能となる。本発明の一態様により、曲面に沿って表示
することが可能な表示装置を提供できる。本発明の一態様により、一覧性に優れた表示装
置を提供できる。本発明の一態様により、新規な表示パネルまたは表示装置を提供できる
。

【0031】

なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は
、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。明細書、図面、請求項の記載から
、これら以外の効果を抽出することが可能である。

【図面の簡単な説明】

【0032】

【図1】（Ａ）表示パネルの一例を示す上面図。（Ｂ）（Ｃ）表示パネルの一例を示す断面図。

【図2】（Ａ）（Ｂ）表示パネルの一例を示す上面図。（Ｃ）（Ｄ）表示パネルの一例を示す断面図。

【図3】表示パネルの作製方法の一例を示す断面図。

【図4】表示パネルの作製方法の一例を示す上面図。

【図5】表示パネルの作製方法の一例を示す断面図。

【図6】表示パネルの作製方法の一例を示す断面図。

【図7】（Ａ）（Ｃ）表示パネルの一例を示す上面図。（Ｂ）表示パネルの一例を示す断面図。

【図8】画素の一例を示す上面図。

【図9】（Ａ）（Ｃ）比較例の表示パネルを示す上面図。（Ｂ）比較例の表示パネルを示す断面図。

【図10】（Ａ）表示パネルの一例を示す上面図（Ｂ）表示パネルの一例を示す断面図。

【図11】表示パネルの一例を示す断面図。

【図12】（Ａ）表示パネルの一例を示す上面図。（Ｂ）（Ｃ）表示パネルの配置例を示す斜視図。

【図13】（Ａ）（Ｂ）表示パネルの一例を示す上面図。（Ｃ）表示パネルの一例を示す断面図。

【図14】表示装置の一例を示す断面図。

【図15】表示パネルの一例を示す上面図。

【図16】表示パネルの一例を示す断面図。

【図17】（Ａ）表示パネルの一例を示す上面図。（Ｂ）表示パネルの一例を示す断面図。

【図18】表示パネルの作製方法の一例を示す断面図。

【図19】トランジスタの一例を示す断面図。

【図20】（Ａ）画素の一例を示すブロック図。（Ｂ）画素の一例を示す図。

【図21】画素の動作例を示すタイミングチャート。

【図22】電子機器の一例を示す図。

【図23】接続部の断面ＳＴＥＭ写真。

【図24】表示パネルの作製方法の一例を示す断面図。

【図25】補助配線の断面ＳＴＥＭ写真。

【図26】（Ａ）表示パネルの一例を示す断面図。（Ｂ）表示パネルの一例を示す上面図。

【図27】接続部の断面ＳＴＥＭ写真。

【図28】（Ａ）（Ｂ）表示パネルの保存試験の試料を説明する斜視図。（Ｃ）～（Ｆ）表示パネルの保存試験の結果を示す写真。

【図29】（Ａ）（Ｂ）（Ｃ１）（Ｄ）表示パネルの貼り付け方法の一例を示す写真。（Ｃ２）表示パネルの貼り付け方法の一例を示す側面図。（Ｅ）表示パネルを示す写真。

【図30】表示装置の一例を示す側面図。

【図31】実施例の表示装置を示す写真。

【図32】表示装置の一例を示す背面図。

【図33】（Ａ）（Ｃ）表示パネルの一例を示す下面図。（Ｂ）（Ｄ）表示パネルの一例を示す上面図。（Ｅ）表示装置の一例を示す側面図。

【図34】実施例の表示装置を示す写真。

【図35】画素の開口率を見積もった結果を示す図。

【図36】実施例の表示装置を示す斜視図。

【図37】実施例の表示装置を示す写真。

【発明を実施するための形態】

【0033】

実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定さ
れず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し
得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の
記載内容に限定して解釈されるものではない。

【0034】

なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同
一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の
機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。

【0035】

また、図面において示す各構成の、位置、大きさ、範囲などは、理解の簡単のため、実際
の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、必ず
しも、図面に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。

【0036】

なお、「膜」という言葉と、「層」という言葉とは、場合によっては、又は、状況に応じ
て、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」
という用語に変更することが可能である。または、例えば、「絶縁膜」という用語を、「
絶縁層」という用語に変更することが可能である。

【0037】

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示パネル及び表示装置について図１～図１８を用
いて説明する。

【0038】

本実施の形態の表示パネルは、表示素子として発光素子を有する、トップエミッション構
造の表示パネルである。

【0039】

具体的には、本発明の一態様の表示パネルは、第１の画素電極、第２の画素電極、第３の
画素電極、第１の発光層、第２の発光層、第３の発光層、第１の共通層、第２の共通層、
共通電極、及び補助配線を有する。第１の発光層は、第１の画素電極上に位置する。第２
の発光層は、第２の画素電極上に位置する。第３の発光層は、第３の画素電極上に位置す
る。第１の発光層は、第２の発光層と異なる色の光を発する機能を有する。第１の発光層
は、第３の発光層と同じ色の光を発する機能を有する。第１の共通層は、第１の画素電極
上及び第２の画素電極上に位置する。第１の共通層は、第１の発光層と重なる部分と、第
２の発光層と重なる部分と、を有する。第２の共通層は、第３の画素電極上に位置する。
第２の共通層は、第３の発光層と重なる部分を有する。共通電極は、第１の共通層及び第
１の発光層を介して第１の画素電極と重なる部分と、第１の共通層及び第２の発光層を介
して第２の画素電極と重なる部分と、第２の共通層及び第３の発光層を介して第３の画素
電極と重なる部分と、補助配線の上面に接する部分と、を有する。

【0040】

発光素子の共通電極に補助配線を接続させることで、共通電極の抵抗に起因する電圧降下
を抑制し、表示品位の高い表示パネルを実現することができる。発光素子の共通層が、第
１の共通層と第２の共通層に分けて設けられることで、画素の開口率を高めることができ
る。そのため、表示パネルの画素部に補助配線を設けることで画素の開口率が低下するこ
とを、抑制できる。画素の開口率が高いほど、表示パネルにおいてある輝度を得るために
必要な副画素の輝度を低くすることができる。これにより、発光素子の寿命を延ばすこと
ができる。また、表示パネルは、高い輝度を表現することができる。

【0041】

［表示パネルの比較例］
図９（Ａ）～（Ｃ）を用いて、比較例である、補助配線を有する表示パネルについて説明
する。図９（Ａ）に、表示パネルが有する画素電極１１１及び補助配線１２０の上面図を
示す。図９（Ｂ）に、図９（Ａ）に示す一点鎖線Ｘ－Ｙ間の断面図を示す。

【0042】

図９（Ａ）に示すように、同一面（図９（Ｂ）では絶縁層１０１）上に、共通電極１１３
の補助配線１２０と画素電極１１１とを設けることができる。図９（Ｂ）に示すように、
補助配線１２０上に絶縁層１０４の開口部を設け、かつＥＬ層１１２を全層色ごとに塗り
分けることで、接続部１２２において、補助配線１２０と共通電極１１３とを接続させる
ことができる。

【0043】

ここで、一つの画素１３０が、赤色、緑色、青色（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の３つの副画素で構成さ
れる場合を考える。ＥＬ層１１２の全層を色ごとに塗り分けようとすると成膜工程が非常
に多くなる。したがって、発光層を色ごとに塗り分ける場合であっても、正孔注入層、正
孔輸送層、電子輸送層、及び電子注入層などのうち、３色の副画素で共通の構成にできる
層は一括で成膜することが好ましい。

【0044】

図９（Ｃ）に、ＥＬ層１１２を形成する際に用いることができるメタルマスクの一例を示
す。マスク１５０を用いることで、３つの副画素で共通の構成の層（共通層）を一括で成
膜でき、かつ接続部１２２にはＥＬ層１１２が成膜されない。しかし、マスクを使用する
場合、マスクの影の領域に蒸着材料が堆積することによるパターンのぼけや位置ずれが生
じる。したがって、接続部１２２にＥＬ層１１２が成膜されないよう、２つの画素１３０
の間にはマスク１５０の非開口部が広く存在し（図９（Ｃ）中の非開口部の幅Ｗ１参照）
、マスク１５０の開口率が小さくなってしまう。また、マスクにたわみが生じることを防
ぐために、マスクのテンションを十分に確保する必要性がある。マスクの強度を保つため
には、マスクの非開口部の幅を所定の長さよりも短くできないという問題もある。

【0045】

そこで、本発明の一態様では、ＥＬ層に含まれる共通層を２回に分けて形成する。共通層
を２回に分けて形成することで、共通層を１回で形成する場合に比べて、画素の開口率を
高めることができる。これにより、表示パネルの画素部に補助配線を設けても、画素の開
口率の低下を抑制できる。なお、共通層を３回以上に分けて形成することもできるが、成
膜工程が非常に多くなるため、２回が好ましい。以下、具体的な構成について説明する。

【0046】

［表示パネルの具体例１］
図１～図７を用いて、本発明の一態様である、補助配線を有する表示パネルについて説明
する。

【0047】

図１（Ａ）、図２（Ａ）、（Ｂ）に、それぞれ、表示パネルが有する共通層１６１ａ及び
共通層１６１ｂの上面図を示す。図２（Ａ）、（Ｂ）は、図１（Ａ）の変形例ともいえる
。図１（Ｂ）に、図１（Ａ）に示す一点鎖線Ａ１－Ａ２間の断面図を示す。図１（Ｃ）に
、図１（Ａ）に示す一点鎖線Ａ１１－Ａ１２間の断面図を示す。図２（Ｃ）に、図２（Ａ
）に示す一点鎖線Ａ３－Ａ４間の断面図を示す。図２（Ｄ）に、図２（Ａ）に示す一点鎖
線Ａ５－Ａ６間の断面図を示す。

【0048】

図１（Ａ）に示すように、図１（Ｂ）は、画素１３０ａが有する赤色の副画素（Ｒ）及び
緑色の副画素（Ｇ）と、画素１３０ａに隣接する画素１３０ｂが有する青色の副画素（Ｂ
）と、を含む断面図である。また、図１（Ｃ）は、画素１３０ａが有する赤色の副画素（
Ｒ）及び緑色の副画素（Ｇ）と、画素１３０ａに隣接する画素１３０ｃが有する赤色の副
画素（Ｒ）と、を含む断面図である。

【0049】

図１（Ｂ）に示す表示パネルは、絶縁層１０１上に、画素電極１１１及び補助配線１２０
を有する。画素電極１１１の端部及び補助配線１２０の端部は、それぞれ、絶縁層１０４
によって覆われている。絶縁層１０４の開口を介して、画素電極１１１上にＥＬ層が設け
られている。補助配線１２０及びＥＬ層上には共通電極１１３が設けられている。共通電
極１１３は、複数の色の副画素、さらには複数の画素に共通して設けられる。

【0050】

ＥＬ層は、複数の色の副画素に共通して設けられる共通層（図１（Ｂ）では、共通層１６
１及び共通層１６５）と、色ごとに設けられる層（図１（Ｂ）では発光層１６３）とを有
する。なお、共通層１６１ａと共通層１６１ｂをまとめて共通層１６１と記すことがある
。同様に、各副画素が有する発光層をまとめて発光層１６３、共通層１６５ａと共通層１
６５ｂをまとめて共通層１６５と記すことがある。また、図中、各色の発光層の厚さは概
略等しく示すが、発光層の厚さは色ごとに異なっていてもよい。

【0051】

ＥＬ層が有する共通層は、画素電極と発光層の間に位置してもよく、発光層と共通電極の
間に位置してもよい。本実施の形態では、発光素子が、画素電極１１１と発光層１６３の
間に位置する共通層１６１と、発光層１６３と共通電極１１３の間に位置する共通層１６
５の双方を有する例を示すが、発光素子は、共通層１６１及び共通層１６５のうち一方の
みを有していてもよい。

【0052】

図１（Ａ）～（Ｃ）に示すように、同じ画素に含まれる複数の発光素子は、同じ共通層１
６１（共通層１６１ａまたは１６１ｂ）を有し、隣り合う画素に含まれる２つの発光素子
は、一方が共通層１６１ａを有し、他方が共通層１６１ｂを有する。

【0053】

画素電極１１１は、ＥＬ層を介して共通電極１１３と重なる。画素電極１１１及び共通電
極１１３の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加すると、ＥＬ層に陽極側から正
孔が注入され、陰極側から電子が注入される。注入された電子と正孔はＥＬ層において再
結合し、ＥＬ層に含まれる発光物質が発光する。

【0054】

接続部１２２において、補助配線１２０は共通電極１１３と接する。つまり、補助配線１
２０は、共通電極１１３と電気的に接続されている。共通電極１１３が補助配線１２０と
電気的に接続されているため、共通電極１１３の抵抗に起因する電圧降下を抑制できる。
これにより、表示パネルの輝度ムラを抑制し、表示パネルの表示品位を高めることができ
る。なお、補助配線１２０は、画素電極１１１と重ならない。また、補助配線１２０は、
画素電極１１１と電気的に絶縁されている。

【0055】

画素１３０ａ及び画素１３０ｄにおいて、赤色の副画素（Ｒ）は、図１（Ｂ）に示す発光
素子１１０Ｒを有する。発光素子１１０Ｒは、画素電極１１１、共通層１６１ａ、発光層
１６３Ｒ、共通層１６５ａ、及び共通電極１１３を有する。一方、画素１３０ｂ及び画素
１３０ｃにおいて、赤色の副画素（Ｒ）が有する発光素子は、共通層１６１ａ及び共通層
１６５ａを有さず、共通層１６１ｂ及び共通層１６５ｂを有する（図１（Ｃ）参照）。

【0056】

画素１３０ａ及び画素１３０ｄにおいて、緑色の副画素（Ｇ）は、図１（Ｂ）に示す発光
素子１１０Ｇを有する。発光素子１１０Ｇは、画素電極１１１、共通層１６１ａ、発光層
１６３Ｇ、共通層１６５ａ、及び共通電極１１３を有する。一方、画素１３０ｂ及び画素
１３０ｃにおいて、緑色の副画素（Ｇ）が有する発光素子は、共通層１６１ａ及び共通層
１６５ａを有さず、共通層１６１ｂ及び共通層１６５ｂを有する。

【0057】

画素１３０ｂ及び画素１３０ｃにおいて、青色の副画素（Ｂ）は、図１（Ｂ）に示す発光
素子１１０Ｂを有する。発光素子１１０Ｂは、画素電極１１１、共通層１６１ｂ、発光層
１６３Ｂ、共通層１６５ｂ、及び共通電極１１３を有する。一方、画素１３０ａ及び画素
１３０ｄにおいて、青色の副画素（Ｂ）が有する発光素子は、共通層１６１ｂ及び共通層
１６５ｂを有さず、共通層１６１ａ及び共通層１６５ａを有する。

【0058】

領域１７０において、共通層１６１ａと共通層１６１ｂとは接する。同様に、領域１７０
において、共通層１６５ａと共通層１６５ｂとは接する。領域１７０において、共通層１
６５ａは、共通層１６１ａ上に接している。同様に、領域１７０において、共通層１６５
ｂは、共通層１６１ｂ上に接している。

【0059】

図１（Ａ）に示すように、共通層１６１ａ及び共通層１６１ｂのどちらも設けられていな
い領域は、接続部１２２とその周囲のみである。つまり、共通層１６１が設けられていな
い複数の領域が、互いに離れて存在しているといえる。メタルマスクを用いて共通層１６
１を１回で形成する場合、共通層１６１の形成されていない複数の領域を互いに離して形
成することは構造上困難である。そのため、図１（Ａ）に示す共通層１６１の上面レイア
ウトは、共通層１６１を複数回に分けて形成することで得られる特徴的なレイアウト、つ
まり、本発明の一態様における特徴的なレイアウトといえる。

【0060】

なお、成膜時のマスクの位置ずれなどによっては、図２（Ａ）～（Ｄ）に示すように、共
通層１６１ａと共通層１６１ｂが重なる箇所、及び共通層１６１ａと共通層１６１ｂが離
間する箇所が生じることがある。

【0061】

図２（Ａ）では、画素１３０ａが有する共通層１６１ａが、画素１３０ｂが有する共通層
１６１ｂと重なっており、画素１３０ｃが有する共通層１６１ｂが、画素１３０ｄが有す
る共通層１６１ａと離れている例を示す。

【0062】

図２（Ｃ）に示す領域１７１において、共通層１６１ａ上に共通層１６１ｂが位置してい
る。同様に、領域１７１において、共通層１６５ａ上に共通層１６５ｂが位置している。

【0063】

図２（Ｄ）に示す領域１７２において、共通層１６１ａと共通層１６１ｂとは離れている
。同様に、領域１７２において、共通層１６５ａと共通層１６５ｂとは離れている。

【0064】

図２（Ｂ）では、画素１３０ａ及び画素１３０ｄが有する共通層１６１ａが、それぞれ、
画素１３０ｂが有する共通層１６１ｂと重なっており、画素１３０ｃが有する共通層１６
１ｂと離れている。

【0065】

図２（Ａ）、（Ｂ）においても、接続部１２２とその周囲には、共通層１６１ａ及び共通
層１６１ｂのどちらも設けられていない。つまり、共通層１６１が設けられていない複数
の領域が、互いに離れて存在している。図２（Ａ）、（Ｂ）に示す共通層１６１の上面レ
イアウトも、共通層１６１を複数回に分けて形成することで得られる特徴的なレイアウト
、つまり、本発明の一態様における特徴的なレイアウトといえる。

【0066】

なお、図１（Ｂ）及び図２（Ｃ）、（Ｄ）では、共通層１６１の端部と共通層１６５の端
部が揃っている例を示したが、これに限られない。

【0067】

本発明の一態様の表示パネルは、トップエミッション構造であるため、画素電極１１１は
、光を取り出さない側の電極である。画素電極１１１は、可視光を反射する導電膜を有す
ることが好ましい。また、発光素子に微小光共振器（マイクロキャビティ）構造を適用す
る場合、画素電極１１１は、反射電極であることが好ましい。反射電極の可視光の反射率
は、４０％以上１００％以下、好ましくは７０％以上１００％以下とする。

【0068】

本発明の一態様の表示パネルでは、同じ導電膜を加工することで、画素電極１１１及び補
助配線１２０を作製することができる。画素電極１１１及び補助配線１２０に用いる材料
の抵抗率は、共通電極１１３に用いる材料の抵抗率よりも低いことが好ましい。

【0069】

可視光を反射する導電膜は、例えば、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タングス
テン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料、又は
これら金属材料を含む合金を用いることができる。また、上記金属材料又は合金に、ラン
タン、ネオジム、又はゲルマニウム等が添加されていてもよい。また、アルミニウムとチ
タンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金、アルミニ
ウム、ニッケル、及びランタンの合金（Ａｌ－Ｎｉ－Ｌａ）等のアルミニウムを含む合金
（アルミニウム合金）、銀と銅の合金、銀とパラジウムと銅の合金（Ａｇ－Ｐｄ－Ｃｕ、
ＡＰＣとも記す）、又は銀とマグネシウムの合金等の銀を含む合金を用いて形成すること
ができる。銀と銅を含む合金は、耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム合金
膜に接する金属膜又は金属酸化物膜を積層することで、アルミニウム合金膜の酸化を抑制
することができる。該金属膜、金属酸化物膜の材料としては、チタン、酸化チタンなどが
挙げられる。また、後述する可視光を透過する導電膜と金属材料または合金を含む膜とを
積層してもよい。例えば、銀とインジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏ
ｘｉｄｅ）の積層膜、銀とマグネシウムの合金とＩＴＯの積層膜などを用いることができ
る。

【0070】

ＥＬ層は、少なくとも発光層を有する。ＥＬ層は、複数の発光層を有していてもよい。Ｅ
Ｌ層は、発光層以外の層として、正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブ
ロック材料、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、又はバイポーラ性の物質（
電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質）等を含む層をさらに有していてもよい。ＥＬ層は
、１種または複数種の発光物質を含む。発光物質は、有機化合物であっても無機化合物で
あってもよい。

【0071】

共通層１６１は、正孔注入層を有することが好ましい。共通層１６１は、さらに、正孔輸
送層を有していてもよい。共通層１６５は、電子注入層を有することが好ましい。共通層
１６５は、さらに、電子輸送層を有していてもよい。

【0072】

正孔注入層は、陽極からＥＬ層に正孔（ホール）を注入する層であり、正孔注入性の高い
材料を含む層である。正孔注入性の高い材料としては、正孔輸送性材料とアクセプター性
材料（電子受容性材料）を含む複合材料を用いることが好ましい。

【0073】

正孔輸送層は、正孔注入層によって、陽極から注入された正孔を発光層に輸送する層であ
り、正孔輸送性材料を含む層である。

【0074】

発光層は、発光物質を含む層である。なお、発光物質としては、青色、紫色、青紫色、緑
色、黄緑色、黄色、橙色、赤色などの発光色を呈する物質を適宜用いる。複数の発光層に
異なる発光物質を用いることにより異なる発光色を呈する構成（例えば、補色の関係にあ
る発光色を組み合わせて得られる白色発光）とすることができる。さらに、一つの発光層
が異なる発光物質を有する積層構造であってもよい。発光層に用いることができる発光物
質としては、特に限定は無く、一重項励起エネルギーを可視光領域の発光に変える発光物
質、または三重項励起エネルギーを可視光領域の発光に変える発光物質を用いることがで
きる。一重項励起エネルギーを発光に変える発光物質としては、蛍光を発する物質（蛍光
材料）が挙げられる。また、三重項励起エネルギーを発光に変える発光物質としては、例
えば、燐光を発する物質（燐光材料）、及び、熱活性化遅延蛍光を示す熱活性化遅延蛍光
（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ ａｃｔｉｖａｔｅｄ ｄｅｌａｙｅｄ ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃ
ｅ：ＴＡＤＦ）材料が挙げられる。青色発光物質として一重項励起エネルギーを可視光領
域の発光に換える発光物質を用い、緑色及び赤色発光物質としては三重項励起エネルギー
を可視光領域の発光に変える発光物質を用いると、ＲＧＢのスペクトルバランスが良くな
るため好ましい。発光層は、発光物質（ゲスト材料）に加えて、１種または複数種の化合
物（ホスト材料、アシスト材料）を有していてもよい。ホスト材料、アシスト材料として
は、発光物質（ゲスト材料）のエネルギーギャップより大きなエネルギーギャップを有す
る物質を、一種もしくは複数種選択して用いることができる。ホスト材料、アシスト材料
としては、励起錯体を形成する化合物を組み合わせて用いることが好ましい。効率よく励
起錯体を形成するためには、正孔を受け取りやすい化合物（正孔輸送性材料）と、電子を
受け取りやすい化合物（電子輸送性材料）とを組み合わせることが特に好ましい。

【0075】

電子輸送層は、電子注入層によって、陰極から注入された電子を発光層に輸送する層であ
り、電子輸送性材料を含む層である。

【0076】

電子注入層は、陰極からＥＬ層に電子を注入する層であり、電子注入性の高い材料を含む
層である。

【0077】

発光素子にマイクロキャビティ構造を適用する場合、電極またはＥＬ層によって、光学調
整を行うことができる。ＥＬ層を構成する層の少なくとも一層を用いて光学調整を行う場
合、当該層を発光層と同様に色ごとに設けてもよい。例えば、正孔輸送層を色ごとに異な
る厚さで形成することで、光学調整を行ってもよい。

【0078】

ＥＬ層には低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物
（量子ドット材料等）を含んでいてもよい。ＥＬ層を構成する層は、それぞれ、蒸着法（
真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成するこ
とができる。

【0079】

発光素子は、ＥＬ層を１つ有するシングル素子であってもよいし、複数のＥＬ層が電荷発
生層を介して積層されたタンデム素子であってもよい。

【0080】

本発明の一態様では、量子ドットなどの無機化合物を用いた発光素子を適用してもよい。

【0081】

共通電極１１３は、光を取り出す側の電極である。共通電極１１３は、可視光を透過する
導電膜を有することが好ましい。また、発光素子にマイクロキャビティ構造を適用する場
合、共通電極１１３は、可視光に対する透過性及び反射性の双方を有していることが好ま
しく、半透過・半反射電極であることが好ましい。半透過・半反射電極の可視光の反射率
は、２０％以上８０％以下、好ましくは４０％以上７０％以下とする。

【0082】

可視光を透過する導電膜は、例えば、酸化インジウム、ＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物、
酸化亜鉛（ＺｎＯ）、ガリウム亜鉛酸化物（Ｇａ－Ｚｎ酸化物）、アルミニウム亜鉛酸化
物（Ａｌ－Ｚｎ酸化物）などを用いて形成することができる。また、金、銀、白金、マグ
ネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウ
ム、もしくはチタン等の金属材料、これら金属材料を含む合金、又はこれら金属材料の窒
化物（例えば、窒化チタン）等も、透光性を有する程度に薄く形成することで用いること
ができる。また、上記材料の積層膜を導電膜として用いることができる。例えば、銀とマ
グネシウムの合金とＩＴＯの積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好
ましい。また、グラフェン等を用いてもよい。

【0083】

画素電極１１１及び共通電極１１３は、それぞれ、蒸着法又はスパッタリング法を用いて
形成することができる。そのほか、インクジェット法などの吐出法、スクリーン印刷法な
どの印刷法、又はメッキ法を用いて形成することができる。

【0084】

図１（Ｂ）に示す表示パネルの作製方法について、図３～図６を用いて説明する。

【0085】

なお、表示パネルを構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、導電膜等）は、スパッタリング法
、化学気相堆積（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、
真空蒸着法、パルスレーザ堆積（ＰＬＤ：Ｐｕｌｓｅｄ Ｌａｓｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉ
ｏｎ）法、原子層成膜（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法
等を用いて形成することができる。ＣＶＤ法としては、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶ
Ｄ：Ｐｌａｓｍａ Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔ
ｉｏｎ）法や、熱ＣＶＤ法でもよい。熱ＣＶＤ法の例として、有機金属化学気相堆積（Ｍ
ＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ ＣＶＤ）法を使ってもよい。

【0086】

表示パネルを構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、導電膜等）は、スピンコート、ディップ
、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ド
クターナイフ、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、ナイフコート等の方法
により形成することができる。

【0087】

表示パネルを構成する薄膜を加工する際には、リソグラフィ法等を用いて加工することが
できる。または、遮蔽マスクを用いた成膜方法により、島状の薄膜を形成してもよい。ま
たは、ナノインプリント法、サンドブラスト法、リフトオフ法などにより薄膜を加工して
もよい。フォトリソグラフィ法としては、加工したい薄膜上にレジストマスクを形成して
、エッチング等により当該薄膜を加工し、レジストマスクを除去する方法と、感光性を有
する薄膜を成膜した後に、露光、現像を行って、当該薄膜を所望の形状に加工する方法と
、がある。

【0088】

リソグラフィ法において光を用いる場合、露光に用いる光は、例えばｉ線（波長３６５ｎ
ｍ）、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）、またはこれらを混合させた光
を用いることができる。そのほか、紫外線やＫｒＦレーザ光、またはＡｒＦレーザ光等を
用いることもできる。また、液浸露光技術により露光を行ってもよい。また、露光に用い
る光として、極端紫外光（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ－ｖｉｏｌｅｔ）やＸ線
を用いてもよい。また、露光に用いる光に換えて、電子ビームを用いることもできる。極
端紫外光、Ｘ線または電子ビームを用いると、極めて微細な加工が可能となるため好まし
い。なお、電子ビームなどのビームを走査することにより露光を行う場合には、フォトマ
スクは不要である。

【0089】

薄膜のエッチングには、ドライエッチング法、ウエットエッチング法、サンドブラスト法
などを用いることができる。

【0090】

まず、絶縁層１０１上に導電膜１３１を形成する（図３（Ａ））。

【0091】

次に、導電膜１３１を加工することで、絶縁層１０１上に画素電極１１１及び補助配線１
２０を形成する（図３（Ｂ））。次に、画素電極１１１の端部及び補助配線１２０の端部
を覆うように絶縁層１０４を形成する（図３（Ｃ））。画素電極１１１の上面及び補助配
線１２０の上面が露出するよう、絶縁層１０４には開口を設ける。

【0092】

次に、マスク１５５を用いて、共通層１６１ａを形成する（図３（Ｃ）、図４（Ａ））。
図４（Ａ）に示すように、マスク１５５には、列方向、行方向ともに１画素おきに共通層
１６１ａが形成されるように、開口が設けられている。図４（Ａ）に示す画素１３０ａに
共通層１６１ａが形成される際、画素１３０ａと隣接する４つの画素には共通層１６１ａ
が形成されない。例えば共通層１６１ａは、画素１３０ａ及び画素１３０ｄに相当する領
域に形成され、画素１３０ｂ、画素１３０ｃ、及び接続部１２２に相当する領域には形成
されない。マスク１５５としては、メタルマスクが好適である。

【0093】

次に、マスク１５５を絶縁層１０１に対して平行に１画素分移動させる。マスク１５５を
移動させる方向は、一方向とし、画素配列における列方向であっても行方向であってもよ
い。

【0094】

次に、マスク１５５を用いて、共通層１６１ｂを形成する（図３（Ｄ）、図４（Ｂ））。
図４（Ｂ）に示すように、マスク１５５を１画素分ずらすことで、共通層１６１ａが形成
されていない画素に、共通層１６１ｂが形成される。例えば、共通層１６１ｂは、画素１
３０ｂ及び画素１３０ｃに相当する領域に形成され、画素１３０ａ、画素１３０ｄ、及び
接続部１２２に相当する領域には形成されない。

【0095】

なお、共通層１６１ｂの形成には、マスク１５５の開口パターンに対して、１画素分ずれ
た開口パターンを有する別のマスクを用いてもよい。

【0096】

図４（Ｃ）に示すように、共通層１６１を２回に分けて形成することで、共通層１６１を
全ての画素に形成でき、かつ、接続部１２２に形成されないようにすることができる。共
通層１６１を２回に分けて形成することで、共通層１６１を１回で形成する場合に比べて
、画素の開口率を高くすることができる。

【0097】

次に、発光層１６３Ｂ、発光層１６３Ｇ、発光層１６３Ｒをそれぞれ別の工程で形成する
（図３（Ｅ）、図５（Ａ））。発光層の形成順は限定されない。図３（Ｅ）では、発光層
１６３Ｂを最初に形成する例を示す。短波長の色の層から形成することで、別の色の画素
に意図せず発光材料などが入り込んでも表示不良を生じにくくできる場合がある。

【0098】

また、発光層以外の層も、色ごとに形成してもよい。例えば、共通層１６１として正孔注
入層を形成した後、正孔輸送層及び発光層を色ごとに形成してもよい。このとき、正孔輸
送層と発光層は連続して成膜することで発光素子の信頼性を高めることができる。具体的
には、図６（Ａ）に示すように、青色用正孔輸送層１６３Ｂ＿１を形成し、続いて、青色
用発光層１６３Ｂ＿２を形成し、次に、図６（Ｂ）に示すように、緑色用正孔輸送層１６
３Ｇ＿１を形成し、続いて、緑色用発光層１６３Ｇ＿２を形成し、次に、図６（Ｃ）に示
すように、赤色用正孔輸送層１６３Ｒ＿１を形成した後、続いて、赤色用発光層１６３Ｒ
＿２を形成する。なお、正孔輸送層の厚さを色ごとに変えることで、正孔輸送層に光学調
整の機能をもたせてもよい。

【0099】

次に、マスク１５５を用いて、共通層１６５ａを形成する（図５（Ｂ））。共通層１６５
ａは、共通層１６１ａと同様に、画素１３０ａ及び画素１３０ｄに相当する領域に形成さ
れ、画素１３０ｂ、画素１３０ｃ、及び接続部１２２に相当する領域には形成されない。

【0100】

次に、マスク１５５を絶縁層１０１に対して平行に１画素分移動させる。

【0101】

次に、マスク１５５を用いて、共通層１６５ｂを形成する（図５（Ｃ））。共通層１６５
ｂは、共通層１６１ｂと同様に、画素１３０ｂ及び画素１３０ｃに相当する領域に形成さ
れ、画素１３０ａ、画素１３０ｄ、及び接続部１２２に相当する領域には形成されない。

【0102】

なお、共通層１６５ｂの形成には、マスク１５５の開口パターンに対して、１画素分ずれ
た開口パターンを有する別のマスクを用いてもよい。

【0103】

そして、補助配線１２０、共通層１６５ａ、及び共通層１６５ｂを覆うように、共通電極
１１３を形成する（図５（Ｄ））。これにより、接続部１２２において、補助配線１２０
と共通電極１１３とが接続される。

【0104】

以上のように、発光層１６３を色ごとに形成するだけでなく、共通層１６１及び共通層１
６５を２回に分けて形成することで、共通層を１回で形成する場合に比べて画素の開口率
を高めることができる。これにより、補助配線１２０を表示パネルの画素部に設けても、
表示パネルの画素の開口率を高くすることができる。したがって、表示パネルにおいてあ
る輝度を得るために必要な副画素の輝度を低下させることができ、発光素子の寿命を延ば
すことができる。また、マスク１５５の非開口部の幅を十分に確保できるため、マスク１
５５に十分な強さのテンションをかけることができ、マスク１５５の精度を向上させるこ
とができる。

【0105】

なお、ＥＬ層が有する全ての層が、複数の色の副画素に共通して設けられる共通層であっ
てもよい。表示パネルは、塗り分け方式に限定されず、例えば、カラーフィルタ方式を適
用することもできる。

【0106】

図７（Ａ）に、表示パネルが有するＥＬ層１１２ａ及びＥＬ層１１２ｂの上面図を示す。
図７（Ｂ）に、図７（Ａ）に示す一点鎖線Ａ７－Ａ８間の断面図を示す。

【0107】

図７（Ａ）に示すように、図７（Ｂ）は、画素１３０ａが有する赤色の副画素（Ｒ）及び
緑色の副画素（Ｇ）と、画素１３０ａに隣接する画素１３０ｂが有する青色の副画素（Ｂ
）と、を含む断面図である。

【0108】

図７（Ｂ）に示す表示パネルは、絶縁層１０１上に、画素電極１１１及び補助配線１２０
を有する。画素電極１１１の端部及び補助配線１２０の端部は、それぞれ、絶縁層１０４
によって覆われている。絶縁層１０４の開口を介して、画素電極１１１上にＥＬ層１１２
ａまたはＥＬ層１１２ｂが設けられている。補助配線１２０、ＥＬ層１１２ａ、及びＥＬ
層１１２ｂ上には共通電極１１３が設けられている。接続部１２２において、補助配線１
２０は共通電極１１３と接する。つまり、補助配線１２０は、共通電極１１３と電気的に
接続される。画素電極１１１は、ＥＬ層１１２ａまたはＥＬ層１１２ｂを介して、共通電
極１１３と重なる。対向基板１２１の一方の面側には、着色層ＣＦＲ、着色層ＣＦＧ、着
色層ＣＦＢ、及び遮光層ＢＭなどが位置する。対向基板１２１としては、硬質基板、フィ
ルム基板、偏光板などが挙げられる。

【0109】

画素１３０ａ及び画素１３０ｄにおいて、赤色の副画素（Ｒ）は、図７（Ｂ）に示す発光
素子１１０Ｒを有する。発光素子１１０Ｒは、画素電極１１１、ＥＬ層１１２ａ、及び共
通電極１１３を有する。発光素子１１０Ｒからの光は、着色層ＣＦＲを介して、対向基板
１２１側に取り出される。一方、画素１３０ｂ及び画素１３０ｃにおいて、赤色の副画素
（Ｒ）が有する発光素子は、ＥＬ層１１２ａを有さず、ＥＬ層１１２ｂを有する。

【0110】

画素１３０ａ及び画素１３０ｄにおいて、緑色の副画素（Ｇ）は、図７（Ｂ）に示す発光
素子１１０Ｇを有する。発光素子１１０Ｇは、画素電極１１１、ＥＬ層１１２ａ、及び共
通電極１１３を有する。発光素子１１０Ｇからの光は、着色層ＣＦＧを介して、対向基板
１２１側に取り出される。一方、画素１３０ｂ及び画素１３０ｃにおいて、緑色の副画素
（Ｇ）が有する発光素子は、ＥＬ層１１２ａを有さず、ＥＬ層１１２ｂを有する。

【0111】

画素１３０ｂ及び画素１３０ｃにおいて、青色の副画素（Ｂ）は、図７（Ｂ）に示す発光
素子１１０Ｂを有する。発光素子１１０Ｂは、画素電極１１１、ＥＬ層１１２ｂ、及び共
通電極１１３を有する。発光素子１１０Ｂからの光は、着色層ＣＦＢを介して、対向基板
１２１側に取り出される。一方、画素１３０ａ及び画素１３０ｄにおいて、青色の副画素
（Ｂ）が有する発光素子は、ＥＬ層１１２ｂを有さず、ＥＬ層１１２ａを有する。

【0112】

各色の副画素が有する発光素子は、白色発光を呈することが好ましい。

【0113】

領域１７０において、ＥＬ層１１２ａとＥＬ層１１２ｂとは接する。図２（Ａ）～（Ｄ）
に示す構成と同様に、成膜時のマスクの位置ずれなどによっては、ＥＬ層１１２ａとＥＬ
層１１２ｂが重なる箇所及びＥＬ層１１２ａとＥＬ層１１２ｂが離間する箇所も生じるこ
とがある。

【0114】

また、マスク１５５の開口のサイズによっては、共通層１６１ａと共通層１６１ｂは接し
ないこともある。このような場合であっても、共通層１６１が１回で形成されたか、複数
回に分けて形成されたか、判別できることがある。例えば、１回目に形成された共通層１
６１ａと２回目に形成された共通層１６１ｂとで、多少の位置ずれが生じることがある。
そのため、図７（Ｃ）に示すように、画素１３０ａが有する共通層１６１ａと画素１３０
ｂが有する共通層１６１ｂとの間の距離Ｗａと、画素１３０ｄが有する共通層１６１ａと
画素１３０ｃが有する共通層１６１ｂとの間の距離Ｗｂと、に差が生じることがある。こ
のように、共通層１６１を２回に分けて形成すると、共通層１６１のピッチが一列ごとま
たは一行ごとに異なる特徴的なレイアウトとなることがある。以上のように、共通層１６
１のピッチが異なることから、共通層１６１を複数回に分けて形成したことが確認できる
ことがある。

【0115】

なお、ＥＬ層が導電性の高い層を有する場合、当該導電性の高い層を介して、隣接する発
光素子に電流がリークし、所望の発光素子以外が発光してしまうことがある（クロストー
ク現象ともいう）。図７（Ｃ）に示す共通層１６１は、画素ごとに分離して設けられてい
るため、クロストークを抑制することができる。

【0116】

なお、副画素の配列は、図１（Ａ）の構成に限定されないが、図１（Ａ）の構成は、開口
率を高められるため、好ましい。図８（Ａ）、（Ｂ）に、図１（Ａ）とは異なる、副画素
の配列を示す。図８（Ａ）は、ストライプ配列を適用した例であり、図８（Ｂ）は、マト
リクス配列を適用した例である。そのほか、副画素の配列には、Ｓストライプ配列、ペン
タイル配列、ベイヤー配列などを適用することができる。

【0117】

着色層は特定の波長域の光を透過する有色層である。例えば、赤色、緑色、青色、又は黄
色の波長域の光を透過するカラーフィルタなどを用いることができる。着色層に用いるこ
とのできる材料としては、金属材料、樹脂材料、顔料又は染料が含まれた樹脂材料などが
挙げられる。

【0118】

遮光層ＢＭは、隣接する着色層の間に設けられている。遮光層ＢＭは隣接する発光素子か
らの発光を遮り、隣接する発光素子間における混色を抑制する。ここで、着色層の端部を
、遮光層ＢＭと重なるように設けることにより、光漏れを抑制することができる。遮光層
ＢＭとしては、発光素子からの発光を遮る材料を用いることができ、例えば、金属材料、
又は、顔料もしくは染料を含む樹脂材料等を用いてブラックマトリクスを形成することが
できる。なお、遮光層ＢＭは、駆動回路などの画素部以外の領域に設けると、導波光など
による意図しない光漏れを抑制できるため好ましい。

【0119】

［表示パネルの具体例２］
図１０（Ａ）に、表示パネル１０Ａの上面図を示す。図１０（Ｂ）に、表示パネル１０Ａ
の断面図を示す。図１０（Ｂ）は、図１０（Ａ）に示す一点鎖線Ｂ１－Ｂ２間の断面図に
相当する。

【0120】

図１０（Ａ）に示す表示パネル１０Ａは、画素部７１及び駆動回路７８を有する。表示パ
ネルにはＦＰＣ７４が接続されている。表示パネルには、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐ
ｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）などのコネクタやＩＣ（集積回路）を接続することがで
きる。例えば、表示パネルに走査線駆動回路を内蔵し、信号線駆動回路を外付けすること
で、表示モジュールを作製することができる。

【0121】

表示パネル１０Ａは、塗り分け方式が適用されたトップエミッション構造の表示パネルで
ある。表示パネル１０Ａは補助配線を有するため、共通電極１１３の抵抗に起因する電圧
降下を抑制し、表示ムラを低減させることができる。また、ＥＬ層に含まれる共通層を２
回に分けて形成しているため、表示パネル１０Ａは画素部７１に補助配線を有していても
画素の開口率が高い。

【0122】

図１０（Ｂ）に示すように、表示パネル１０Ａは、基板３６１、絶縁層３６７、トランジ
スタ３０１、３０３、導電層３０７、絶縁層３１４、発光素子２０Ａ、２０Ｂ、２１Ａ、
絶縁層１０４、保護層１０９、補助配線１２０ａ、１２０ｂ、接着層３１８、及び基板３
７１等を有する。

【0123】

発光素子２０Ａ、２０Ｂ、２１Ａは、それぞれ、画素電極１１１ａ、１１１ｂ、ＥＬ層、
及び共通電極１１３を有する。

【0124】

画素電極１１１ａは、トランジスタ３０３のソースまたはドレインと電気的に接続されて
いる。これらは、直接接続されるか、他の導電層を介して接続される。

【0125】

発光素子２０Ａ、２０Ｂ、２１Ａが有する画素電極１１１ｂは、光学調整層としての機能
を有する。発光素子にマイクロキャビティ構造を適用することで、表示パネルから色純度
の高い光を取り出すことができる。画素電極は、積層構造に限られず、単層構造であって
もよい。

【0126】

絶縁層１０４は、画素電極１１１ａ、１１１ｂの端部を覆っている。隣り合う２つの画素
電極は、絶縁層１０４によって電気的に絶縁されている。また、画素電極は、補助配線と
も、絶縁層１０４によって電気的に絶縁されている。

【0127】

ＥＬ層は、複数の色の副画素に共通して設けられる共通層（図１０（Ｂ）では、共通層１
６１及び共通層１６５）と、色ごとに設けられる層（図１０（Ｂ）では発光層１６３）と
を有する。ここで、図１０（Ｂ）に示す発光素子２０Ａは、発光素子２０Ｂと同じ画素に
含まれ、発光素子２１Ａとは異なる画素に含まれる。発光素子２１Ａが含まれる画素は、
発光素子２０Ａが含まれる画素と隣接している。同じ画素に含まれる発光素子２０Ａと発
光素子２０Ｂは、どちらも共通層１６１ａ及び共通層１６５ａを有する。これら２つの発
光素子を含む画素と隣接する画素に含まれる発光素子２１Ａは、共通層１６１ｂ及び共通
層１６５ｂを有する。領域１７２において、共通層１６１ａと共通層１６１ｂは離間して
おり、同様に、共通層１６５ａと共通層１６５ｂも離間している。発光素子２０Ａ及び発
光素子２１Ａは発光層１６３Ａを有し、発光素子２０Ｂは発光層１６３Ｂを有する。つま
り、ここでは、発光素子２０Ａを有する副画素が、発光素子２１Ａを有する副画素と同じ
色を呈し、発光素子２０Ｂを有する副画素とは異なる色を呈する例を示している。ＥＬ層
の端部は、共通電極１１３に覆われている。共通電極１１３は、ＥＬ層の端部を覆い、Ｅ
Ｌ層の端部の外側で絶縁層１０４と接している。さらに、共通電極１１３は、接続部１２
２において、補助配線１２０ｂと接している。

【0128】

保護層１０９は、共通電極１１３の端部を覆い、共通電極１１３の端部の外側で絶縁層１
０４と接している。さらに、保護層１０９は、表示パネル１０Ａの端部及びその近傍にお
いて、絶縁層３１４の端部及び絶縁層１０４の端部を覆い、絶縁層３１４の端部及び絶縁
層１０４の端部の外側で、絶縁層３１３と接している。本実施の形態の表示パネルは、各
種絶縁層及び保護層１０９において、有機膜の端部よりも無機膜（または無機絶縁膜）の
端部が外側に位置するように設けられ、表示パネルの端部及びその近傍において、無機膜
（または無機絶縁膜）どうしが接して積層されることが好ましい。これにより、表示パネ
ルの外部から水分等の不純物が入り込みにくくなり、トランジスタ及び発光素子の劣化を
抑制することができる。

【0129】

補助配線１２０ａ、１２０ｂは、絶縁層１０４の開口を介して、共通電極１１３と電気的
に接続されている。補助配線１２０ａは、画素電極１１１ａと同一の材料、同一の工程で
形成することができる。補助配線１２０ｂは、画素電極１１１ｂと同一の材料、同一の工
程で形成することができる。

【0130】

なお、共通電極１１３の補助配線は、画素電極と同一の工程で形成することに限られない
。例えば、補助配線は、表示パネルが有する各種配線や、トランジスタの電極の少なくと
も一つと同一の材料、同一の工程で形成することができる。補助配線を、表示パネルが有
する他の導電層と同一レイヤに形成することで、表示パネルの形成工程を増やすことなく
、表示パネルに補助配線を設けることができる。一方、補助配線を、表示パネルが有する
他の導電層とは別レイヤに形成することで、補助配線を広い面積で設けることができるた
め、共通電極１１３の抵抗に起因する電圧降下をより効果的に抑制することができる。

【0131】

図１１に、補助配線１２０を、トランジスタのソース及びドレインと同一の材料、同一の
工程で形成した例を示す。

【0132】

また、図１１では、ＥＬ層が有する全ての層が、複数の色の副画素に共通して設けられる
共通層である例を示す。ＥＬ層は少なくとも発光層を有する。発光素子２０Ａは、発光素
子２０Ｂと同じ画素に含まれ、発光素子２１Ａとは異なる画素に含まれる。発光素子２１
Ａが含まれる画素は、発光素子２０Ａが含まれる画素と隣接している。同じ画素に含まれ
る発光素子２０Ａと発光素子２０Ｂは、どちらもＥＬ層１１２ａを有する。これら２つの
発光素子を含む画素と隣接する画素に含まれる発光素子２１Ａは、ＥＬ層１１２ｂを有す
る。領域１７２において、ＥＬ層１１２ａとＥＬ層１１２ｂは離間している。ＥＬ層の端
部は、共通電極１１３に覆われている。共通電極１１３は、ＥＬ層の端部を覆い、ＥＬ層
の端部の外側で絶縁層１０４と接している。さらに、共通電極１１３は、接続部１２２に
おいて、補助配線１２０と接している。図１１では、ＥＬ層１１２ａ及びＥＬ層１１２ｂ
を３層構造で示すが、ＥＬ層の層数に限定はない。基板３７１の一方の面側には、着色層
ＣＦＡ、着色層ＣＦＢ、及び遮光層ＢＭなどが位置する。発光素子２０Ａと発光素子２１
Ａはどちらも着色層ＣＦＡと重なる。つまり、ここでは、発光素子２０Ａを有する副画素
と、発光素子２１Ａを有する副画素が同じ色を呈する例を示している。発光素子２０Ｂは
着色層ＣＦＢと重なる。つまり、ここでは、発光素子２０Ａを有する副画素と、発光素子
２０Ｂを有する副画素が異なる色を呈する例を示している。

【0133】

発光素子及び補助配線については、表示パネルの具体例１での説明も参照できる。

【0134】

表示パネルは、発光素子を覆う保護層１０９を有することが好ましい。保護層１０９とし
て、バリア性の高い膜を用いることで、発光素子に水分や酸素などの不純物が入り込むこ
とを抑制できる。これにより、発光素子の劣化を抑制し、表示パネルの信頼性を高めるこ
とができる。

【0135】

発光素子の発光は、保護層１０９を介して、表示パネルの外部に取り出されるため、保護
層１０９は、可視光に対する透過性が高いことが好ましい。

【0136】

保護層１０９は、無機膜（または無機絶縁膜）を有することが好ましい。発光素子を無機
膜で覆うことで、水分や酸素などの不純物が外部から発光素子に入り込むことを抑制でき
る。発光素子を構成する有機化合物や金属材料が、不純物と反応することで、発光素子は
劣化してしまうことがある。このことから、発光素子に不純物が入りにくい構成を適用す
ることで、発光素子の劣化が抑制され、発光素子の信頼性を高めることができる。

【0137】

無機膜（または無機絶縁膜）は、防湿性が高く、水が拡散、透過しにくいことが好ましい
。さらに、無機膜（または無機絶縁膜）は、水素及び酸素の一方または双方が拡散、透過
しにくいことが好ましい。これにより、無機膜（または無機絶縁膜）をバリア膜として機
能させることができる。そして、発光素子に対して外部から不純物が拡散することを効果
的に抑制でき、信頼性の高い表示パネルを実現できる。

【0138】

保護層１０９は、１層以上の絶縁膜を有することが好ましい。保護層１０９には、酸化絶
縁膜、窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、及び窒化酸化絶縁膜などを用いることができる。酸
化絶縁膜としては、酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化ゲルマ
ニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ランタン膜、酸化ネオジム膜
、酸化ハフニウム膜、及び酸化タンタル膜などが挙げられる。窒化絶縁膜としては、窒化
シリコン膜及び窒化アルミニウム膜などが挙げられる。酸化窒化絶縁膜としては、酸化窒
化シリコン膜などが挙げられる。窒化酸化絶縁膜としては、窒化酸化シリコン膜などが挙
げられる。

【0139】

なお、本明細書などにおいて、酸化窒化物とは、その組成として、窒素よりも酸素の含有
量が多い材料を指し、窒化酸化物とは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い
材料を指す。

【0140】

特に、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、及び酸化アルミニウム膜は、それぞれ防湿
性が高いため、保護層１０９として好適である。

【0141】

また、保護層１０９には、ＩＴＯ、Ｇａ－Ｚｎ酸化物、Ａｌ－Ｚｎ酸化物、またはＩｎ－
Ｇａ－Ｚｎ酸化物などを含む無機膜を用いることもできる。当該無機膜は、高抵抗である
ことが好ましく、具体的には、共通電極１１３よりも高抵抗であることが好ましい。当該
無機膜は、さらに窒素を含んでいてもよい。

【0142】

保護層１０９は、ＣＶＤ法、スパッタリング法、ＡＬＤ法等を用いて形成することができ
る。保護層１０９として、それぞれ異なる成膜方法を用いて形成された絶縁膜を２層以上
積層してもよい。

【0143】

スパッタリング法及びＡＬＤ法は、低温での成膜が可能である。発光素子に含まれるＥＬ
層は、耐熱性が低い。このため、発光素子を作製した後に形成する保護層１０９は、比較
的低温、代表的には１００℃以下で形成することが好ましく、スパッタリング法及びＡＬ
Ｄ法が適している。

【0144】

スパッタリング法を用いて形成する無機膜の厚さは、５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下が好
ましく、１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下がより好ましい。

【0145】

ＡＬＤ法を用いて形成する無機膜の厚さは、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下が好ましく、５ｎ
ｍ以上５０ｎｍ以下がより好ましい。

【0146】

保護層１０９の水蒸気透過率は、１×１０^－２ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）未満、好ましくは５
×１０^－３ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）以下、好ましくは１×１０^－４ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）以
下、好ましくは１×１０^－５ｇ（ｍ^２・ｄａｙ）以下、好ましくは１×１０^－６ｇ／（ｍ
^２・ｄａｙ）以下である。水蒸気透過率が低いほど、外部からトランジスタ及び発光素子
への水の拡散を低減することができる。

【0147】

保護層１０９の厚さは、１ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であり、５０ｎｍ以上５００ｎｍ以
下が好ましく、１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下がより好ましい。絶縁層の厚さが薄いほど
、表示パネル全体の厚さも薄くすることができ、好ましい。絶縁層の厚さが薄いほどスル
ープットが向上するため、表示パネルの生産性を高めることができる。

【0148】

絶縁層１０４に用いることができる有機絶縁材料としては、例えば、アクリル樹脂、エポ
キシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、ポリシロキサン樹
脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、及びフェノール樹脂等が挙げられる。また、絶縁層１０
４の代わりに、無機絶縁層を用いてもよい。無機絶縁層には、保護層１０９に用いること
ができる無機絶縁膜を用いることができる。

【0149】

画素電極の端部を覆う絶縁層として、無機絶縁膜を用いると、有機絶縁膜を用いる場合に
比べて、発光素子に不純物が入りにくく、発光素子の信頼性を高めることができる。画素
電極の端部を覆う絶縁層として、有機絶縁膜を用いると、無機絶縁膜を用いる場合に比べ
て、段差被覆性が高く、画素電極の形状の影響を受けにくい。そのため、発光素子のショ
ートを防止できる。

【0150】

なお、絶縁層１０４及び保護層１０９は、それぞれ、無機絶縁膜及び有機絶縁膜の一方ま
たは双方を用いた、単層構造または積層構造とすることができる。

【0151】

基板３６１と基板３７１とは、接着層３１８によって貼り合わされている。基板３６１、
基板３７１、及び接着層３１８で封止された空間１０５は、窒素やアルゴンなどの不活性
ガス、または樹脂で充填されていることが好ましい。

【0152】

基板３６１及び基板３７１には、ガラス、石英、樹脂、金属、合金、半導体などの材料を
用いることができる。発光素子からの光を取り出す側の基板には、該光を透過する材料を
用いる。基板３６１及び基板３７１として、可撓性を有する基板を用いることが好ましい
。また、基板３６１または基板３７１として偏光板を用いてもよい。

【0153】

なお、表示パネルに円偏光板を重ねる場合、表示パネルが有する基板には、光学等方性の
高い基板を用いることが好ましい。光学等方性が高い基板は、複屈折が小さい（複屈折量
が小さい、ともいえる）。

【0154】

光学等方性が高い基板のリタデーション（位相差）値の絶対値は、３０ｎｍ以下が好まし
く、２０ｎｍ以下がより好ましく、１０ｎｍ以下がさらに好ましい。

【0155】

光学等方性が高いフィルムとしては、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ、セルローストリ
アセテートともいう）フィルム、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）フィルム、シクロ
オレフィンコポリマー（ＣＯＣ）フィルム、及びアクリルフィルム等が挙げられる。

【0156】

また、基板としてフィルムを用いる場合、フィルムが吸水することで、表示パネルにしわ
が発生するなどの形状変化が生じる恐れがある。そのため、基板には、吸水率の低いフィ
ルムを用いることが好ましい。例えば、吸水率が１％以下のフィルムを用いることが好ま
しく、０．１％以下のフィルムを用いることがより好ましく、０．０１％以下のフィルム
を用いることがさらに好ましい。

【0157】

接着層には、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌
気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。また、接着シート等を用いて
もよい。

【0158】

駆動回路７８はトランジスタ３０１を有する。画素部７１はトランジスタ３０３を有する
。

【0159】

各トランジスタは、ゲート、ゲート絶縁層３１１、半導体層、バックゲート、ソース、及
びドレインを有する。ゲート（図１０（Ｂ）、図１１では下側のゲート）と半導体層は、
ゲート絶縁層３１１を介して重なる。バックゲート（図１０（Ｂ）、図１１では上側のゲ
ート）と半導体層は、絶縁層３１２及び絶縁層３１３を介して重なる。

【0160】

トランジスタ３０１、３０３には、チャネルが形成される半導体層を２つのゲートで挟持
する構成が適用されている。２つのゲートを接続し、これらに同一の信号を供給すること
によりトランジスタを駆動することが好ましい。このようなトランジスタは他のトランジ
スタと比較して電界効果移動度を高めることが可能であり、オン電流を増大させることが
できる。その結果、高速駆動が可能な回路を作製することができる。さらには、回路部の
占有面積を縮小することが可能となる。オン電流の大きなトランジスタを適用することで
、表示パネルまたは表示装置を大型化、または高精細化したときに配線数が増大したとし
ても、各配線における信号遅延を低減することが可能であり、表示ムラを抑制することが
できる。または、２つのゲートのうち、一方に閾値電圧を制御するための電位を与え、他
方に駆動のための電位を与えることで、トランジスタの閾値電圧を制御することができる
。

【0161】

駆動回路７８と画素部７１とで、トランジスタの構造が異なっていてもよい。駆動回路７
８及び画素部７１は、それぞれ、複数の種類のトランジスタを有していてもよい。

【0162】

トランジスタ、さらには容量素子、配線等を、発光素子の発光領域と重ねて配置すること
で、画素部７１の開口率を高めることができる。

【0163】

絶縁層３１２、絶縁層３１３、及び絶縁層３１４のうち、少なくとも一層には、水または
水素などの不純物が拡散しにくい材料を用いることが好ましい。外部から不純物がトラン
ジスタに拡散することを効果的に抑制することが可能となり、表示パネルの信頼性を高め
ることができる。絶縁層３１４は、平坦化層としての機能を有する。

【0164】

絶縁層３６７は、下地膜としての機能を有する。絶縁層３６７には、水または水素などの
不純物が拡散しにくい材料を用いることが好ましい。

【0165】

接続部３０６は、導電層３０７を有する。導電層３０７は、トランジスタのソース及びド
レインと同一の材料、及び同一の工程で形成することができる。導電層３０７は、駆動回
路７８に外部からの信号や電位を伝達する外部入力端子と電気的に接続する。ここでは、
外部入力端子としてＦＰＣ７４を設ける例を示している。接続体３１９を介してＦＰＣ７
４と導電層３０７は電気的に接続する。

【0166】

接続体３１９としては、様々な異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ
Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）及び異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏ
ｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。

【0167】

［表示装置の具体例］
次に、複数の表示パネルを有する表示装置について、図１２を用いて説明する。

【0168】

図１２（Ａ）に、表示パネルＤＰの上面図を示し、図１２（Ｂ）、（Ｃ）に、表示パネル
ＤＰを４つ有する表示装置の斜視図を示す。

【0169】

複数の表示パネルＤＰを一以上の方向（例えば、一列またはマトリクス状等）に並べるこ
とで、広い表示領域を有する表示装置を作製することができる。

【0170】

複数の表示パネルＤＰを用いて大型の表示装置を作製する場合、１つの表示パネルＤＰの
大きさは大型である必要がない。したがって、表示パネルＤＰを作製するための製造装置
を大型化しなくてもよく、省スペース化が可能である。また、中小型の表示パネルの製造
装置を用いることができ、表示装置の大型化のために新規な製造装置を利用しなくてもよ
いため、製造コストを抑えることができる。また、表示パネルＤＰの大型化に伴う歩留ま
りの低下を抑制できる。

【0171】

表示パネルＤＰの大きさが同じである場合、１つの表示パネルＤＰを有する表示部に比べ
、複数の表示パネルＤＰを有する表示部の方が、表示領域が広く、一度に表示できる情報
量が多い等の効果を有する。

【0172】

ここで、表示パネルＤＰが、画素部７１を囲むように非表示領域を有する場合を考える。
このとき、例えば、複数の表示パネルＤＰの出力画像を合わせて一つの画像を表示すると
、当該一つの画像は、表示装置の使用者にとって分離したように視認されてしまう。

【0173】

表示パネルＤＰの非表示領域を狭くする（狭額縁な表示パネルＤＰを用いる）ことで、各
表示パネルＤＰの表示が分離して見えることを抑制できるが、表示パネルＤＰの非表示領
域を完全になくすことは困難である。

【0174】

また、表示パネルＤＰの非表示領域の面積が狭いと、表示パネルＤＰの端部と表示パネル
ＤＰ内の素子との距離が短くなり、表示パネルＤＰの外部から侵入する不純物によって、
素子が劣化しやすくなる場合がある。

【0175】

そこで、本発明の一態様では、複数の表示パネルＤＰの一部が重なるように配置する。重
ねた２つの表示パネルＤＰのうち、少なくとも表示面側（上側）に位置する表示パネルＤ
Ｐは、可視光を透過する領域７２を画素部７１と隣接して有する。本発明の一態様では、
下側に配置される表示パネルＤＰの画素部７１と、上側に配置される表示パネルＤＰの可
視光を透過する領域７２とが重なる。したがって、重ねた２つの表示パネルＤＰの画素部
７１の間の非表示領域を縮小すること、さらには無くすことができる。これにより、使用
者から表示パネルＤＰの継ぎ目が認識されにくい、大型の表示装置を実現することができ
る。

【0176】

上側に位置する表示パネルＤＰの非表示領域の少なくとも一部は、可視光を透過する領域
７２であり、下側に位置する表示パネルＤＰの画素部７１と重ねることができる。また、
下側に位置する表示パネルＤＰの非表示領域の少なくとも一部は、上側に位置する表示パ
ネルＤＰの画素部７１、または可視光を遮る領域７３と重ねることができる。これらの部
分については、表示装置の狭額縁化（画素部以外の面積の縮小化）に影響しないため、面
積の縮小化をしなくてもよい。

【0177】

表示パネルＤＰの非表示領域が広いと、表示パネルＤＰの端部と表示パネルＤＰ内の素子
との距離が長くなり、表示パネルＤＰの外部から侵入する不純物によって、素子が劣化す
ることを抑制できる。例えば、表示素子として有機ＥＬ素子を用いる場合は、表示パネル
ＤＰの端部と有機ＥＬ素子との距離を長くするほど、表示パネルＤＰの外部から水分や酸
素等の不純物が有機ＥＬ素子に侵入しにくくなる（または到達しにくくなる）。本発明の
一態様の表示装置では、表示パネルＤＰの非表示領域の面積を十分に確保できるため、有
機ＥＬ素子等を用いた表示パネルＤＰを適用しても、信頼性が高い大型の表示装置を実現
できる。

【0178】

このように、表示装置に複数の表示パネルＤＰが設けられる場合、隣接する表示パネルＤ
Ｐ間において画素部７１が連続するように、複数の表示パネルＤＰが配置されることが好
ましい。

【0179】

図１２（Ａ）に示す表示パネルＤＰは、画素部７１、可視光を透過する領域７２、及び可
視光を遮る領域７３を有する。可視光を透過する領域７２及び可視光を遮る領域７３は、
それぞれ、画素部７１と隣接して設けられる。図１２（Ａ）では、表示パネルＤＰにＦＰ
Ｃ７４が設けられている例を示す。

【0180】

画素部７１には、複数の画素が含まれる。可視光を透過する領域７２には、表示パネルＤ
Ｐを構成する一対の基板、及び当該一対の基板に挟持された表示素子を封止するための封
止材などが設けられていてもよい。このとき、可視光を透過する領域７２に設けられる部
材には、可視光に対して透光性を有する材料を用いる。可視光を遮る領域７３には、画素
部７１に含まれる画素と電気的に接続された配線などが設けられていてもよい。また、可
視光を遮る領域７３には、走査線駆動回路及び信号線駆動回路の一方又は双方が設けられ
ていてもよい。また、可視光を遮る領域７３には、ＦＰＣ７４と接続された端子、当該端
子と接続された配線などが設けられていてもよい。

【0181】

図１２（Ｂ）、（Ｃ）は、図１２（Ａ）に示す表示パネルＤＰを２×２のマトリクス状に
（縦方向及び横方向にそれぞれ２つずつ）配置した例である。図１２（Ｂ）は、表示パネ
ルＤＰの表示面側の斜視図であり、図１２（Ｃ）は、表示パネルＤＰの表示面とは反対側
の斜視図である。

【0182】

４つの表示パネルＤＰ（表示パネルＤＰａ、ＤＰｂ、ＤＰｃ、ＤＰｄ）は、互いに重なる
領域を有するように配置されている。具体的には、１つの表示パネルＤＰが有する可視光
を透過する領域７２が、他の表示パネルＤＰが有する画素部７１の上（表示面側）に重畳
する領域を有するように、表示パネルＤＰａ、ＤＰｂ、ＤＰｃ、ＤＰｄが配置されている
。また、１つの表示パネルＤＰが有する可視光を遮る領域７３が、他の表示パネルＤＰの
画素部７１の上に重畳しないように、表示パネルＤＰａ、ＤＰｂ、ＤＰｃ、ＤＰｄが配置
されている。４つの表示パネルＤＰが重なる部分では、表示パネルＤＰａ上に表示パネル
ＤＰｂが重なり、表示パネルＤＰｂ上に表示パネルＤＰｃが重なり、表示パネルＤＰｃ上
に表示パネルＤＰｄが重なっている。

【0183】

表示パネルＤＰａ、ＤＰｂの短辺同士が互いに重なり、画素部７１ａの一部と、可視光を
透過する領域７２ｂの一部と、が重なっている。また、表示パネルＤＰａ、ＤＰｃの長辺
同士が互いに重なり、画素部７１ａの一部と、可視光を透過する領域７２ｃの一部と、が
重なっている。

【0184】

画素部７１ｂの一部は、可視光を透過する領域７２ｃの一部、及び可視光を透過する領域
７２ｄの一部と重なっている。また、画素部７１ｃの一部は、可視光を透過する領域７２
ｄの一部と重なっている。

【0185】

したがって、画素部７１ａ～７１ｄがほぼ継ぎ目なく配置された領域を表示装置の表示領
域７９とすることができる。

【0186】

ここで、表示パネルＤＰは、可撓性を有していることが好ましい。例えば、表示パネルＤ
Ｐを構成する一対の基板は可撓性を有することが好ましい。

【0187】

これにより、例えば、図１２（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、表示パネルＤＰａのＦＰＣ７
４ａの近傍を湾曲させ、ＦＰＣ７４ａに隣接する表示パネルＤＰｂの画素部７１ｂの下側
に、表示パネルＤＰａの一部、及びＦＰＣ７４ａの一部を配置することができる。その結
果、ＦＰＣ７４ａを表示パネルＤＰｂの裏面と物理的に干渉することなく配置することが
できる。また、表示パネルＤＰａと表示パネルＤＰｂとを重ねて固定する場合に、ＦＰＣ
７４ａの厚さを考慮する必要がないため、可視光を透過する領域７２ｂの上面と、表示パ
ネルＤＰａの上面との高さの差を低減できる。その結果、画素部７１ａ上に位置する表示
パネルＤＰｂの端部を目立たなくすることができる。

【0188】

さらに、各表示パネルＤＰに可撓性を持たせることで、表示パネルＤＰｂの画素部７１ｂ
における上面の高さを、表示パネルＤＰａの画素部７１ａにおける上面の高さと一致する
ように、表示パネルＤＰｂを緩やかに湾曲させることができる。そのため、表示パネルＤ
Ｐａと表示パネルＤＰｂとが重なる領域近傍を除き、各表示領域の高さを揃えることが可
能で、表示領域７９に表示する映像の表示品位を高めることができる。

【0189】

上記では、表示パネルＤＰａと表示パネルＤＰｂの関係を例に説明したが、他の隣接する
２つの表示パネルＤＰ間でも同様である。

【0190】

なお、隣接する２つの表示パネルＤＰ間の段差を軽減するため、表示パネルＤＰの厚さは
薄いことが好ましい。例えば、表示パネルＤＰの厚さは、１ｍｍ以下が好ましく、３００
μｍ以下がより好ましく、１００μｍ以下がさらに好ましい。

【0191】

［表示パネルの具体例３］
図１３（Ａ）、（Ｂ）に表示パネル１５Ａの上面図を示す。図１３（Ａ）における一点鎖
線Ｃ１－Ｃ２間の断面図を図１３（Ｃ）に示す。

【0192】

図１３（Ａ）、（Ｂ）に示す表示パネルは、画素部７１、可視光を透過する領域７２、及
び駆動回路７８を有する。表示パネルにはＦＰＣ７４が接続されている。図１３（Ａ）、
（Ｂ）では、可視光を透過する領域７２が、画素部７１に隣接し、画素部７１の２辺に沿
って配置されている例を示す。

【0193】

図１３（Ａ）に示す表示パネルの角部は、角ばっており、図１３（Ｂ）に示す表示パネル
の角部は、丸くなっている。フィルム基板を用いた表示パネルは、様々な上面形状で作製
することができる。例えば、表示パネルの角部が曲率を有する形状の方が、表示パネルの
分断の際にクラックが生じにくく作製しやすいことがある。

【0194】

表示パネル１５Ａは、塗り分け方式が適用されたトップエミッション構造の表示パネルで
ある。表示パネル１５Ａは２辺にわたって可視光を透過する領域７２を有する。可視光を
透過する領域７２には共通電極１１３の引き回し配線を配置できないため、電圧降下の影
響がより顕著になる。電圧降下が生じると、表示パネル１５Ａを複数用いて図１２に示す
表示装置を作製した場合、隣接する表示パネルとの輝度の不連続性が、表示装置全体の輝
度ムラとして認識されやすい。しかし、表示パネル１５Ａは補助配線を有するため、共通
電極１１３の抵抗に起因する電圧降下を抑制し、表示ムラを低減させることができる。ま
た、ＥＬ層に含まれる共通層を２回に分けて形成しているため、表示パネル１５Ａは画素
部７１に補助配線を有していても画素の開口率が高い。

【0195】

図１３（Ｃ）に示すように、表示パネル１５Ａは、基板３６１、接着層３６３、絶縁層３
６５、トランジスタ３０１、３０３、導電層３０７、絶縁層３１４、発光素子２０Ａ、２
０Ｂ、２１Ａ、絶縁層１０４、保護層１０９、補助配線１２０ａ、１２０ｂ、接着層３１
７、及び基板３７１等を有する。

【0196】

基板３６１と基板３７１とは、接着層３１７によって貼り合わされている。また、基板３
６１と絶縁層３６５とは、接着層３６３によって貼り合わされている。

【0197】

表示パネル１５Ａは、作製基板上に形成されたトランジスタ、発光素子等を、基板３６１
上に転置することで形成される構成である。

【0198】

発光素子２０Ａ、２０Ｂ、２１Ａは、それぞれ、画素電極１１１ａ、１１１ｂ、ＥＬ層、
及び共通電極１１３を有する。

【0199】

画素電極１１１ａは、トランジスタ３０３のソースまたはドレインと電気的に接続されて
いる。これらは、直接接続されるか、他の導電層を介して接続される。

【0200】

発光素子２０Ａ、２０Ｂ、２１Ａが有する画素電極１１１ｂは、光学調整層としての機能
を有する。図１０（Ｂ）などでは、画素電極１１１ｂが画素電極１１１ａを覆う例を示し
たが、図１３（Ｃ）に示すように、画素電極１１１ｂは画素電極１１１ａの側面を覆わな
くてもよい。

【0201】

駆動回路７８はトランジスタ３０１を有する。画素部７１はトランジスタ３０３を有する
。

【0202】

各トランジスタは、バックゲート、ゲート絶縁層３１１、半導体層、ゲート絶縁層、ゲー
ト、絶縁層３１５、ソース、及びドレインを有する。半導体層は、チャネル形成領域と一
対の低抵抗領域とを有する。バックゲート（図１３（Ｃ）では下側のゲート）とチャネル
形成領域は、ゲート絶縁層３１１を介して重なる。ゲート（図１３（Ｃ）では上側のゲー
ト）とチャネル形成領域は、ゲート絶縁層を介して重なる。ソース及びドレインは、それ
ぞれ、絶縁層３１５に設けられた開口を介して、低抵抗領域と電気的に接続される。

【0203】

図１３（Ｃ）に示す表示パネル１５Ａの画素部７１、駆動回路７８、及び接続部３０６の
構成は、表示パネル１０Ａ（図１０（Ｂ））と多くの部分で共通しているため、上記の説
明を参照できる。

【0204】

可視光を透過する領域７２に含まれる各層は、可視光を透過する。図１３（Ｃ）では、可
視光を透過する領域７２が、基板３６１、接着層３６３、絶縁層３６５、ゲート絶縁層３
１１、絶縁層３１５、保護層１０９、接着層３１７、及び基板３７１を有する例を示す。
この積層構造において、各界面の屈折率の差が小さくなるよう各層の材料を選択すること
が好ましい。互いに接する２つの層の屈折率を小さくすることで、使用者が、２つの表示
パネルの継ぎ目を視認しにくくなる。

【0205】

また、可視光を透過する領域７２は、画素部７１の可視光を透過する領域７２近傍の部分
に比べて、絶縁層の数が少ないことが好ましい。可視光を透過する領域７２が有する絶縁
層の数を少なくすることで、屈折率の差の大きい界面を減らすことができる。これにより
、可視光を透過する領域７２における外光の反射を抑制することができる。そして、可視
光を透過する領域７２の可視光の透過率を高めることができる。これにより、下側に配置
される表示パネルの表示における、可視光を透過する領域７２を介して視認される部分と
、該領域を介さずに視認される部分との輝度（明るさ）の差を、小さくすることができる
。したがって、表示装置の表示ムラもしくは輝度ムラを抑制することができる。

【0206】

図１３（Ｃ）に示す表示パネル１５Ａを２枚重ねて有する表示装置の断面図の一例を、図
１４に示す。

【0207】

図１４に示す表示装置において、表示面側（上側）に位置する表示パネルは、可視光を透
過する領域７２を画素部７１と隣接して有する。下側の表示パネルの画素部７１は、上側
の表示パネルの可視光を透過する領域７２と重なっている。そして、下側の表示パネルの
可視光を遮る領域（駆動回路７８及び接続部３０６など）は、上側の表示パネルの画素部
７１と重なっている。したがって、重ねた２つの表示パネルの画素部の間の非表示領域を
縮小すること、さらには無くすことができる。これにより、使用者から表示パネルの継ぎ
目が認識されにくい、大型の表示装置を実現することができる。

【0208】

また、図１４に示す表示装置は、下側の表示パネルの画素部７１と上側の表示パネルの可
視光を透過する領域７２との間に、空気よりも屈折率が高く、可視光を透過する透光層１
０２を有する。これにより、２つの表示パネルの間に空気が入ることを抑制でき、屈折率
の差による界面での反射を低減することができる。そして、表示装置における表示ムラま
たは輝度ムラの抑制が可能となる。

【0209】

次に、図１３（Ａ）に示す領域Ｎにおける共通層の構成について、図１５を用いて説明す
る。ここでは、１つのマスク１５５を用いて、共通層１６１ａと共通層１６１ｂを形成す
る場合について説明する。

【0210】

図１５（Ａ）に示すように、マスク１５５を用いて共通層１６１ａを形成した後、マスク
１５５をＸ方向またはＹ方向に１画素分ずらすと、同じマスク１５５を用いて共通層１６
１ｂも形成することができる。図１５（Ｂ）には、マスク１５５をＸ方向に１画素分ずら
して、共通層１６１ｂを形成する場合を示す。ここで、図１５（Ｂ）に示すように、共通
層１６１ｂは、可視光を透過する領域７２にも、Ｙ方向に１画素おきに形成されることに
なる。図１５（Ｃ）に共通層１６１ａと共通層１６１ｂの上面図を示す。このとき、図１
５（Ｄ）に示すように、共通電極１１３は、可視光を透過する領域７２に形成された共通
層１６１ｂを覆い、かつ共通電極１１３の端部は、共通層１６１ｂの端部よりも外側に位
置するように設けることが好ましい。特に、共通電極１１３の端部は、無機膜と接してい
ることが好ましい。これにより、可視光を透過する領域７２において、共通層１６１ｂに
不純物が入り込むことを抑制できる。

【0211】

なお、上記構成は、図１３（Ａ）に示す領域Ｎに限られず、図１０（Ａ）に示す領域Ｎに
適用することもできる。つまり、１つのマスクを用いて、共通層１６１ａと共通層１６１
ｂを形成する場合、表示パネルの画素部７１の外側に共通層１６１ａまたは共通層１６１
ｂが概略等しいピッチで設けられる。この点も、共通層１６１を複数回に分けて形成する
ことで得られる特徴、つまり、本発明の一態様における特徴といえる。

【0212】

また、図１６（Ａ）、（Ｂ）に、表示パネルの変形例を示す。図１６（Ａ）、（Ｂ）に示
す表示パネルは、作製基板上に形成された保護層３７５及び遮光層ＢＭを、基板３７１に
転置することで形成される構成である。基板３７１と保護層３７５とは、接着層３７３に
よって貼り合わされている。このように、発光素子上の保護層１０９を設けず、対向基板
側に保護層を設けてもよい。

【0213】

図１６（Ａ）では、トランジスタ３０３のソースまたはドレインと、発光素子の画素電極
１１１ａとが、導電層１２８ａを介して電気的に接続されている。このように、発光素子
とトランジスタの間に導電層のレイヤを設けてもよい。具体的には、トランジスタ３０３
を覆う絶縁層３１４ａ上に導電層１２８ａが設けられ、導電層１２８ａ上に絶縁層３１４
ｂが設けられ、絶縁層３１４ｂ上に画素電極１１１ａが設けられている。画素電極１１１
ａは、絶縁層３１４ｂの開口を介して導電層１２８ａと接続され、導電層１２８ａは、絶
縁層３１４ａの開口を介してトランジスタ３０３のソースまたはドレインと接続されてい
る。さらに、絶縁層３１４ａ上には、導電層１２８ｂが設けられている。導電層１２８ｂ
は、導電層１２８ａと同一の材料、同一の工程で形成することができる。導電層１２８ｂ
は、共通電極１１３と電気的に接続されるため、共通電極１１３の補助配線として機能す
ることができる。接続部１２２において、共通電極１１３は、絶縁層１０４の開口を介し
て、補助配線１２０ｂと接続する。補助配線１２０ｂは補助配線１２０ａ上に接して設け
られている。補助配線１２０ａは、絶縁層３１４ｂの開口を介して、導電層１２８ｂと接
続されている。このように、共通電極１１３は画素電極と同一レイヤの導電層と、他のレ
イヤの導電層との双方と電気的に接続されていてもよい。また、補助配線１２０ａ、１２
０ｂを設けず、共通電極１１３と導電層１２８ｂとを直接接続させてもよい。

【0214】

図１６（Ｂ）は、補助配線１２０のレイヤを、トランジスタ、配線、及び発光素子のレイ
ヤとは別に設ける例である。補助配線１２０のみのレイヤを設けることで、補助配線１２
０を広い面積で設けることができる。これにより、共通電極１１３の抵抗に起因する電圧
降下をより効果的に抑制することができる。図１６（Ｂ）において、絶縁層３１４ａ上に
導電層１２８が設けられ、導電層１２８上に絶縁層３１４ｂが設けられ、絶縁層３１４ｂ
上に補助配線１２０が設けられ、補助配線１２０上に絶縁層３１４ｃが設けられている。
絶縁層１０４及び絶縁層３１４ｃに設けられた開口を介して、共通電極１１３と補助配線
１２０とが電気的に接続されている。絶縁層３１４ａに設けられた開口を介して、導電層
１２８とトランジスタが電気的に接続されている。絶縁層３１４ｂ及び絶縁層３１４ｃに
設けられた開口を介して、画素電極と導電層１２８が電気的に接続されている。

【0215】

［表示パネルの具体例４］
図１７（Ａ）に表示パネル１５Ｂの上面図を示す。図１７（Ａ）における一点鎖線Ｃ３－
Ｃ４間の断面図を図１７（Ｂ）に示す。

【0216】

図１７（Ａ）に示す表示パネル１５Ｂは、画素部７１、可視光を透過する領域７２、及び
駆動回路７８を有する。表示パネル１５ＢにはＦＰＣ７４が接続されている。表示パネル
１５Ａ（図１３（Ａ））が表示面側にＦＰＣ７４が接続される構成であるのに対し、表示
パネル１５Ｂは、表示面とは反対側（裏面側）にＦＰＣ７４が接続される構成である。図
１７（Ａ）では、可視光を透過する領域７２が、画素部７１に隣接し、画素部７１の２辺
に沿って配置されている例を示す。

【0217】

表示パネル１５Ａと表示パネル１５Ｂは、主に、接続部３０６の構成が異なる。

【0218】

表示パネル１５Ｂの接続部３０６では、導電層３０９とＦＰＣ７４とが接続体３１９を介
して電気的に接続されている。導電層３０９は絶縁層３６５の開口を介して導電層３０８
と電気的に接続されている。

【0219】

次に、表示パネル１５Ｂの作製方法について、接続部３０６に着目して図１８を用いて説
明する。

【0220】

まず、作製基板３５１上に剥離層３５３を形成し、剥離層３５３上に被剥離層を形成する
（図１８（Ａ））。被剥離層としては、まず、剥離層３５３上に導電層３０９を形成し、
剥離層３５３上及び導電層３０９上に絶縁層３６５を形成し、絶縁層３６５に導電層３０
９と重なる開口を設ける。そして、開口を介して導電層３０９と接続する導電層３０８を
形成する。導電層３０８は、トランジスタのゲートと同一の材料、同一の工程で形成する
ことができる。なお、トランジスタのソース及びドレインと同一の材料、同一の工程で形
成してもよい。そして、ゲート絶縁層３１１から基板３７１までを順に形成していく。

【0221】

次に、作製基板３５１を剥離する。図１８（Ｂ１）では、剥離層３５３と導電層３０９及
び絶縁層３６５との界面で剥離が生じる例を示す。これにより、導電層３０９を露出する
ことができる。そして、図１８（Ｃ１）に示すように、接続体３１９を用いて導電層３０
９とＦＰＣ７４とを電気的に接続することができる。

【0222】

また、図１８（Ｂ２）に示すように、剥離層３５３中で剥離が生じることもある。このと
き、作製基板３５１側に剥離層３５３ａが残存し、導電層３０９に接して剥離層３５３ｂ
が残存する。作製基板３５１の剥離後、導電層３０９が露出していない場合は、剥離層３
５３ｂの一部を除去することで、導電層３０９を露出させることが好ましい。その後、図
１８（Ｃ２）に示すように、接続体３１９を用いて導電層３０９とＦＰＣ７４とを電気的
に接続することができる。

【0223】

作製基板３５１は、搬送が容易となる程度に剛性を有し、かつ作製工程にかかる温度に対
して耐熱性を有する。作製基板３５１に用いることができる材料としては、例えば、ガラ
ス、石英、セラミック、サファイヤ、樹脂、半導体、金属及び合金などが挙げられる。ガ
ラスとしては、例えば、無アルカリガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケ
イ酸ガラス等が挙げられる。

【0224】

剥離層３５３は、有機材料または無機材料を用いて形成することができる。

【0225】

剥離層３５３に用いることができる有機材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリ
ル樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベン
ゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。

【0226】

剥離層３５３に用いることができる無機材料としては、タングステン、モリブデン、チタ
ン、タンタル、ニオブ、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、亜鉛、ルテニウム、ロジウ
ム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、シリコンから選択された元素を含む金属、該
元素を含む合金、及び該元素を含む化合物等が挙げられる。シリコンを含む層の結晶構造
は、非晶質、微結晶、多結晶のいずれでもよい。

【0227】

剥離界面にレーザを照射することで、作製基板３５１を剥離してもよい。レーザとしては
、エキシマレーザ、固体レーザなどを用いることができる。例えば、ダイオード励起固体
レーザ（ＤＰＳＳ）を用いてもよい。または、垂直方向に引っ張る力をかけることにより
作製基板３５１を剥離してもよい。

【0228】

表示パネル１５Ｂは、表示面とは反対側（裏面側）にＦＰＣ７４が接続される。例えば、
表示パネル１５Ｂを用いることで、実施例２にて後述する図３２のマルチディスプレイを
作製することができる。

【0229】

［トランジスタの構成例］
次に、表示パネルまたは表示装置に用いることができるトランジスタについて、説明する
。

【0230】

表示パネルまたは表示装置が有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、プ
レーナ型のトランジスタとしてもよいし、スタガ型のトランジスタとしてもよいし、逆ス
タガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート構造またはボトムゲート構造の
いずれのトランジスタ構造としてもよい。または、チャネルの上下にゲート電極が設けら
れていてもよい。

【0231】

図１９（Ａ）、（Ｂ）に、トランジスタの構成例を示す。各トランジスタは、絶縁層１４
１と絶縁層２０８の間に設けられている。絶縁層１４１は、下地膜としての機能を有する
ことが好ましい。絶縁層２０８は、平坦化膜としての機能を有することが好ましい。

【0232】

図１９（Ａ）に示すトランジスタ２２０は、半導体層２０４に金属酸化物を有する、ボト
ムゲート構造のトランジスタである。金属酸化物は、酸化物半導体として機能することが
できる。

【0233】

トランジスタの半導体には、酸化物半導体を用いることが好ましい。シリコンよりもバン
ドギャップが広く、且つキャリア密度の小さい半導体材料を用いると、トランジスタのオ
フ状態における電流を低減できるため好ましい。

【0234】

トランジスタ２２０は、導電層２０１、絶縁層２０２、導電層２０３ａ、導電層２０３ｂ
、及び半導体層２０４を有する。導電層２０１は、ゲートとして機能する。絶縁層２０２
は、ゲート絶縁層として機能する。半導体層２０４は、絶縁層２０２を介して、導電層２
０１と重なる。導電層２０３ａ及び導電層２０３ｂは、それぞれ、半導体層２０４と電気
的に接続される。トランジスタ２２０は、絶縁層２１１と絶縁層２１２によって覆われて
いることが好ましい。絶縁層２１１及び絶縁層２１２には各種無機絶縁膜を用いることが
できる。特に、絶縁層２１１には、酸化物絶縁膜が好適であり、絶縁層２１２には、窒化
物絶縁膜が好適である。

【0235】

図１９（Ｂ）に示すトランジスタ２３０は、半導体層にポリシリコンを有する、トップゲ
ート構造のトランジスタである。

【0236】

トランジスタ２３０は、導電層２０１、絶縁層２０２、導電層２０３ａ、導電層２０３ｂ
、半導体層、及び絶縁層２１３を有する。導電層２０１は、ゲートとして機能する。絶縁
層２０２は、ゲート絶縁層として機能する。半導体層は、チャネル形成領域２１４ａ及び
一対の低抵抗領域２１４ｂを有する。半導体層はさらにＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐ
ｅｄ Ｄｒａｉｎ）領域を有していてもよい。図１９（Ｂ）では、チャネル形成領域２１
４ａと低抵抗領域２１４ｂの間にＬＤＤ領域２１４ｃを有する例を示す。チャネル形成領
域２１４ａは、絶縁層２０２を介して、導電層２０１と重なる。導電層２０３ａは、絶縁
層２０２及び絶縁層２１３に設けられた開口を介して、一対の低抵抗領域２１４ｂの一方
と電気的に接続される。同様に、導電層２０３ｂは、一対の低抵抗領域２１４ｂの他方と
電気的に接続される。絶縁層２１３には、各種無機絶縁膜を用いることができる。特に、
絶縁層２１３には窒化物絶縁膜が好適である。

【0237】

［金属酸化物］
半導体層には、酸化物半導体として機能する金属酸化物を用いることが好ましい。以下で
は、半導体層に適用可能な金属酸化物について説明する。

【0238】

金属酸化物は、少なくともインジウムまたは亜鉛を含むことが好ましい。特に、インジウ
ム及び亜鉛を含むことが好ましい。また、それらに加えて、アルミニウム、ガリウム、イ
ットリウムまたは錫などが含まれていることが好ましい。また、ホウ素、チタン、鉄、ニ
ッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハ
フニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種、または
複数種が含まれていてもよい。

【0239】

ここでは、金属酸化物が、インジウム、元素Ｍ、及び亜鉛を有するＩｎ－Ｍ－Ｚｎ酸化物
である場合を考える。なお、元素Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、または
錫などとする。そのほかの元素Ｍに適用可能な元素としては、ホウ素、チタン、鉄、ニッ
ケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフ
ニウム、タンタル、タングステン、マグネシウムなどがある。ただし、元素Ｍとして、前
述の元素を複数組み合わせても構わない場合がある。

【0240】

なお、本明細書等において、窒素を有する金属酸化物も金属酸化物（ｍｅｔａｌ ｏｘｉ
ｄｅ）と総称する場合がある。また、窒素を有する金属酸化物を、金属酸窒化物（ｍｅｔ
ａｌ ｏｘｙｎｉｔｒｉｄｅ）と呼称してもよい。例えば、亜鉛酸窒化物（ＺｎＯＮ）な
どの窒素を有する金属酸化物を、半導体層に用いてもよい。

【0241】

酸化物半導体（金属酸化物）は、単結晶酸化物半導体と、それ以外の非単結晶酸化物半導
体と、に分けられる。非単結晶酸化物半導体としては、例えば、ＣＡＡＣ－ＯＳ（ｃ－ａ
ｘｉｓ ａｌｉｇｎｅｄ ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃ
ｔｏｒ）、多結晶酸化物半導体、ｎｃ－ＯＳ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ｏｘｉ
ｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、擬似非晶質酸化物半導体（ａ－ｌｉｋｅ ＯＳ：
ａｍｏｒｐｈｏｕｓ－ｌｉｋｅ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、及び非晶
質酸化物半導体などがある。

【0242】

ＣＡＡＣ－ＯＳは、ｃ軸配向性を有し、かつａ－ｂ面方向において複数のナノ結晶が連結
し、歪みを有した結晶構造となっている。なお、歪みとは、複数のナノ結晶が連結する領
域において、格子配列の揃った領域と、別の格子配列の揃った領域と、の間で格子配列の
向きが変化している箇所を指す。

【0243】

ナノ結晶は、六角形を基本とするが、正六角形状とは限らず、非正六角形状である場合が
ある。また、歪みにおいて、五角形及び七角形などの格子配列を有する場合がある。なお
、ＣＡＡＣ－ＯＳにおいて、歪み近傍においても、明確な結晶粒界（グレインバウンダリ
ーともいう。）を確認することは難しい。すなわち、格子配列の歪みによって、結晶粒界
の形成が抑制されていることがわかる。これは、ＣＡＡＣ－ＯＳが、ａ－ｂ面方向におい
て酸素原子の配列が稠密でないことや、金属元素が置換することで原子間の結合距離が変
化することなどによって、歪みを許容することができるためである。

【0244】

また、ＣＡＡＣ－ＯＳは、インジウム、及び酸素を有する層（以下、Ｉｎ層）と、元素Ｍ
、亜鉛、及び酸素を有する層（以下、（Ｍ，Ｚｎ）層）とが積層した、層状の結晶構造（
層状構造ともいう）を有する傾向がある。なお、インジウムと元素Ｍは、互いに置換可能
であり、（Ｍ，Ｚｎ）層の元素Ｍがインジウムと置換した場合、（Ｉｎ，Ｍ，Ｚｎ）層と
表すこともできる。また、Ｉｎ層のインジウムが元素Ｍと置換した場合、（Ｉｎ，Ｍ）層
と表すこともできる。

【0245】

ＣＡＡＣ－ＯＳは結晶性の高い金属酸化物である。一方、ＣＡＡＣ－ＯＳは、明確な結晶
粒界を確認することが難しいため、結晶粒界に起因する電子移動度の低下が起こりにくい
といえる。また、金属酸化物の結晶性は不純物の混入や欠陥の生成などによって低下する
場合があるため、ＣＡＡＣ－ＯＳは不純物や欠陥（酸素欠損（Ｖ_Ｏ：ｏｘｙｇｅｎ ｖａ
ｃａｎｃｙともいう。）など）の少ない金属酸化物ともいえる。したがって、ＣＡＡＣ－
ＯＳを有する金属酸化物は、物理的性質が安定する。そのため、ＣＡＡＣ－ＯＳを有する
金属酸化物は熱に強く、信頼性が高い。

【0246】

ｎｃ－ＯＳは、微小な領域（例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の領域、特に１ｎｍ以上３
ｎｍ以下の領域）において原子配列に周期性を有する。また、ｎｃ－ＯＳは、異なるナノ
結晶間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、膜全体で配向性が見られない。した
がって、ｎｃ－ＯＳは、分析方法によっては、ａ－ｌｉｋｅ ＯＳや非晶質酸化物半導体
と区別が付かない場合がある。

【0247】

なお、インジウムと、ガリウムと、亜鉛と、を有する金属酸化物の一種である、インジウ
ム－ガリウム－亜鉛酸化物（以下、ＩＧＺＯ）は、上述のナノ結晶とすることで安定な構
造をとる場合がある。特に、ＩＧＺＯは、大気中では結晶成長がし難い傾向があるため、
大きな結晶（ここでは、数ｍｍの結晶、または数ｃｍの結晶）よりも小さな結晶（例えば
、上述のナノ結晶）とする方が、構造的に安定となる場合がある。

【0248】

ａ－ｌｉｋｅ ＯＳは、ｎｃ－ＯＳと非晶質酸化物半導体との間の構造を有する金属酸化
物である。ａ－ｌｉｋｅ ＯＳは、鬆または低密度領域を有する。すなわち、ａ－ｌｉｋ
ｅ ＯＳは、ｎｃ－ＯＳ及びＣＡＡＣ－ＯＳと比べて、結晶性が低い。

【0249】

酸化物半導体（金属酸化物）は、多様な構造をとり、それぞれが異なる特性を有する。本
発明の一態様の酸化物半導体は、非晶質酸化物半導体、多結晶酸化物半導体、ａ－ｌｉｋ
ｅ ＯＳ、ｎｃ－ＯＳ、ＣＡＡＣ－ＯＳのうち、二種以上を有していてもよい。

【0250】

半導体層として機能する金属酸化物膜は、不活性ガス及び酸素ガスのいずれか一方または
双方を用いて成膜することができる。なお、金属酸化物膜の成膜時における酸素の流量比
（酸素分圧）に、特に限定はない。ただし、電界効果移動度が高いトランジスタを得る場
合においては、金属酸化物膜の成膜時における酸素の流量比（酸素分圧）は、０％以上３
０％以下が好ましく、５％以上３０％以下がより好ましく、７％以上１５％以下がさらに
好ましい。

【0251】

金属酸化物は、エネルギーギャップが２ｅＶ以上であることが好ましく、２．５ｅＶ以上
であることがより好ましく、３ｅＶ以上であることがさらに好ましい。このように、エネ
ルギーギャップの広い金属酸化物を用いることで、トランジスタのオフ電流を低減するこ
とができる。

【0252】

金属酸化物膜は、スパッタリング法により形成することができる。そのほか、ＰＬＤ法、
ＰＥＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ＡＬＤ法、真空蒸着法などを用いてもよい。

【0253】

以上のように、本実施の形態の表示パネルは、発光素子の共通電極と接続される補助配線
を有し、かつ、画素の開口率が高い。これにより、表示パネルの輝度ムラを抑制し、表示
パネルの表示品位を高めることができる。また、信頼性が高く、高輝度の表示が可能な表
示パネルを実現できる。

【0254】

本実施の形態は、他の実施の形態及び実施例と適宜組み合わせることができる。また、本
明細書において、１つの実施の形態の中に、複数の構成例が示される場合は、構成例を適
宜組み合わせることが可能である。

【0255】

（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示パネルについて、図２０及び図２１を用いて説
明する。

【0256】

図２０（Ａ）に画素のブロック図を示す。本実施の形態の画素は、スイッチングトランジ
スタ（Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ Ｔｒ）、駆動トランジスタ（Ｄｒｉｖｉｎｇ Ｔｒ）、発光
素子（ＯＬＥＤ）に加えて、メモリ（Ｍｅｍｏｒｙ）を有する。

【0257】

メモリには、データＤＡＴＡ＿Ｗが供給される。表示データＤＡＴＡに加えて、データＤ
ＡＴＡ＿Ｗが画素に供給されることで、発光素子に流れる電流が大きくなり、表示パネル
は高い輝度を表現することができる。

【0258】

データＤＡＴＡ＿Ｗの電位をＶ_ｗ、表示データＤＡＴＡの電位をＶ_ｄａｔａ、メモリの容
量をＣ_ｗと表すとき、駆動トランジスタのゲート電圧Ｖ_ｇは、式（１）で表すことができ
る。

【0259】

【数1】

【0260】

Ｖ_ｗ＝Ｖ_ｄａｔａとしたとき、Ｖ_ｇにはＶ_ｄａｔａより大きな電圧が印加され、より大き
な電流を流すことができる。すなわち、発光素子に流れる電流が大きくなり、輝度が高く
なる。

【0261】

図２０（Ｂ）に、画素の具体的な回路図を示す。

【0262】

図２０（Ｂ）に示す画素は、トランジスタＭ１、トランジスタＭ２、トランジスタＭ３、
トランジスタＭ４、トランジスタＭ５、容量素子Ｃｓ、容量素子Ｃｗ、及び発光素子１２
４を有する。

【0263】

トランジスタＭ１のソースまたはドレインの一方は、容量素子Ｃｗの一方の電極と電気的
に接続される。容量素子Ｃｗの他方の電極は、トランジスタＭ４のソースまたはドレイン
の一方と電気的に接続される。トランジスタＭ４のソースまたはドレインの一方は、トラ
ンジスタＭ２のゲートと電気的に接続される。トランジスタＭ２のゲートは、容量素子Ｃ
ｓの一方の電極と電気的に接続される。容量素子Ｃｓの他方の電極は、トランジスタＭ２
のソースまたはドレインの一方と電気的に接続される。トランジスタＭ２のソースまたは
ドレインの一方は、トランジスタＭ５のソースまたはドレインの一方と電気的に接続され
る。トランジスタＭ５のソースまたはドレインの一方は、トランジスタＭ３のソースまた
はドレインの一方と電気的に接続される。トランジスタＭ５のソースまたはドレインの他
方は、発光素子１２４の一方の電極と電気的に接続される。図２０（Ｂ）に示す各トラン
ジスタは、ゲートと電気的に接続されたバックゲートを有するが、バックゲートの接続は
これに限定されない。また、トランジスタにバックゲートを設けなくてもよい。

【0264】

ここで、容量素子Ｃｗの他方の電極、トランジスタＭ４のソースまたはドレインの一方、
トランジスタＭ２のゲート、及び容量素子Ｃｓの一方の電極が接続されるノードをノード
ＮＭとする。また、トランジスタＭ５のソースまたはドレインの他方及び発光素子１２４
の一方の電極が接続されるノードをノードＮＡとする。

【0265】

トランジスタＭ１のゲートは、配線Ｇ１と電気的に接続される。トランジスタＭ３のゲー
トは、配線Ｇ１と電気的に接続される。トランジスタＭ４のゲートは、配線Ｇ２に電気的
に接続される。トランジスタＭ５のゲートは、配線Ｇ３と電気的に接続される。トランジ
スタＭ１のソースまたはドレインの他方は、配線ＤＡＴＡと電気的に接続される。トラン
ジスタＭ３のソースまたはドレインの他方は、配線Ｖ０と電気的に接続される。トランジ
スタＭ４のソースまたはドレインの他方は、配線ＤＡＴＡ＿Ｗと電気的に接続される。

【0266】

トランジスタＭ２のソースまたはドレインの他方は、電源線１２７（高電位）と電気的に
接続される。発光素子１２４の他方の電極は、共通配線１２９と電気的に接続される。な
お、共通配線１２９には、任意の電位を供給することができる。

【0267】

配線Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３は、トランジスタの動作を制御するための信号線としての機能を有
することができる。配線ＤＡＴＡは、画素に画像信号を供給する信号線としての機能を有
することができる。また、配線ＤＡＴＡ＿Ｗは、記憶回路ＭＥＭにデータを書き込むため
の信号線としての機能を有することができる。配線ＤＡＴＡ＿Ｗは、画素に補正信号を供
給する信号線としての機能を有することができる。配線Ｖ０は、トランジスタＭ４の電気
特性を取得するためのモニタ線としての機能を有する。また、配線Ｖ０からトランジスタ
Ｍ３を介して容量素子Ｃｓの一方の電極に特定の電位を供給することにより、画像信号の
書き込みを安定化させることもできる。

【0268】

トランジスタＭ２、トランジスタＭ４、及び容量素子Ｃｗは、記憶回路ＭＥＭを構成する
。ノードＮＭは記憶ノードであり、トランジスタＭ４を導通させることで、配線ＤＡＴＡ
＿Ｗに供給された信号をノードＮＭに書き込むことができる。トランジスタＭ４に極めて
オフ電流が低いトランジスタを用いることで、ノードＮＭの電位を長時間保持することが
できる。

【0269】

トランジスタＭ４には、例えば、金属酸化物をチャネル形成領域に用いたトランジスタ（
以下、ＯＳトランジスタ）を用いることができる。これにより、トランジスタＭ４のオフ
電流を極めて低くすることができ、ノードＮＭの電位を長時間保持することができる。こ
のとき、画素を構成するその他のトランジスタにも、ＯＳトランジスタを用いることが好
ましい。金属酸化物の具体例は、実施の形態１を参照できる。

【0270】

ＯＳトランジスタはエネルギーギャップが大きいため、極めて低いオフ電流特性を示す。
また、ＯＳトランジスタは、インパクトイオン化、アバランシェ降伏、及び短チャネル効
果などが生じないなどＳｉをチャネル形成領域に有するトランジスタ（以下、Ｓｉトラン
ジスタ）とは異なる特徴を有し、信頼性の高い回路を形成することができる。

【0271】

また、トランジスタＭ４に、Ｓｉトランジスタを適用してもよい。このとき、画素を構成
するその他のトランジスタにも、Ｓｉトランジスタを用いることが好ましい。

【0272】

Ｓｉトランジスタとしては、アモルファスシリコンを有するトランジスタ、結晶性のシリ
コン（代表的には、低温ポリシリコン）を有するトランジスタ、単結晶シリコンを有する
トランジスタなどが挙げられる。

【0273】

また、１つの画素は、ＯＳトランジスタとＳｉトランジスタとの両方を有していてもよい
。

【0274】

画素において、ノードＮＭに書き込まれた信号は、配線ＤＡＴＡから供給される画像信号
と容量結合され、ノードＮＡに出力することができる。なお、トランジスタＭ１は、画素
を選択する機能を有することができる。トランジスタＭ５は、発光素子１２４の発光を制
御するスイッチとしての機能を有することができる。

【0275】

例えば、配線ＤＡＴＡ＿ＷからノードＮＭに書き込まれた信号がトランジスタＭ２の閾値
電圧（Ｖ_ｔｈ）より大きい場合、画像信号が書き込まれる前にトランジスタＭ２が導通し
、発光素子１２４が発光してしまう。したがって、トランジスタＭ５を設け、ノードＮＭ
の電位が確定したのちにトランジスタＭ５を導通させ、発光素子１２４を発光させること
が好ましい。

【0276】

すなわち、ノードＮＭに所望の補正信号を格納しておけば、供給した画像信号に当該補正
信号を付加することができる。なお、補正信号は伝送経路上の要素によって減衰すること
があるため、当該減衰を考慮して生成することが好ましい。

【0277】

図２１（Ａ）、（Ｂ）に示すタイミングチャートを用いて、図２０（Ｂ）に示す画素の動
作の詳細を説明する。なお、配線ＤＡＴＡ＿Ｗに供給される補正信号（Ｖｐ）は正負の任
意の信号を用いることができるが、ここでは正の信号が供給される場合を説明する。また
、以下の説明においては、高電位を“Ｈ”、低電位を“Ｌ”で表す。

【0278】

まず、図２１（Ａ）を用いて補正信号（Ｖｐ）をノードＮＭに書き込む動作を説明する。
当該動作は、フレーム毎に行ってもよく、少なくとも、画像信号を供給する前に１度書き
込めばよい。また、適宜、リフレッシュ動作を行い、同じ補正信号をノードＮＭに書き直
してもよい。

【0279】

時刻Ｔ１に配線Ｇ１の電位を“Ｈ”、配線Ｇ２の電位を“Ｌ”、配線Ｇ３の電位を“Ｌ”
、配線ＤＡＴＡの電位を“Ｌ”とすると、トランジスタＭ１が導通し、容量素子Ｃｗの他
方の電極の電位は“Ｌ”となる。

【0280】

当該動作は、後の容量結合動作を行うためのリセット動作である。また、時刻Ｔ１以前は
、前フレームにおける発光素子１２４の発光動作が行われているが、上記リセット動作に
よってノードＮＭの電位が変化し発光素子１２４に流れる電流が変化するため、トランジ
スタＭ５を非導通とし、発光素子１２４の発光を停止することが好ましい。

【0281】

時刻Ｔ２に配線Ｇ１の電位を“Ｈ”、配線Ｇ２の電位を“Ｈ”、配線Ｇ３の電位を“Ｌ”
、配線ＤＡＴＡの電位を“Ｌ”とすると、トランジスタＭ４が導通し、配線ＤＡＴＡ＿Ｗ
の電位（補正信号（Ｖｐ））がノードＮＭに書き込まれる。

【0282】

時刻Ｔ３に配線Ｇ１の電位を“Ｈ”、配線Ｇ２の電位を“Ｌ”、配線Ｇ３の電位を“Ｌ”
、配線ＤＡＴＡの電位を“Ｌ”とすると、トランジスタＭ４が非導通となり、ノードＮＭ
に補正信号（Ｖｐ）が保持される。

【0283】

時刻Ｔ４に配線Ｇ１の電位を“Ｌ”、配線Ｇ２の電位を“Ｌ”、配線Ｇ３の電位を“Ｌ”
、配線ＤＡＴＡの電位を“Ｌ”とすると、トランジスタＭ１が非導通となり、補正信号（
Ｖｐ）の書き込み動作が終了する。

【0284】

次に、図２１（Ｂ）を用いて画像信号（Ｖｓ）の補正動作と、発光素子１２４を発光させ
る動作を説明する。

【0285】

時刻Ｔ１１に配線Ｇ１の電位を“Ｈ”、配線Ｇ２の電位を“Ｌ”、配線Ｇ３の電位を“Ｌ
”、配線ＤＡＴＡ＿Ｗの電位を“Ｌ”とすると、トランジスタＭ１が導通し、容量素子Ｃ
ｗの容量結合によりノードＮＭの電位に配線ＤＡＴＡの電位が付加される。すなわち、ノ
ードＮＭは、画像信号（Ｖｓ）に補正信号（Ｖｐ）が付加された電位（Ｖｓ＋Ｖｐ）とな
る。

【0286】

時刻Ｔ１２に配線Ｇ１の電位を“Ｌ”、配線Ｇ２の電位を“Ｌ”、配線Ｇ３の電位を“Ｌ
”、配線ＤＡＴＡ＿Ｗの電位を“Ｌ”とすると、トランジスタＭ１が非導通となり、ノー
ドＮＭの電位がＶｓ＋Ｖｐに確定される。

【0287】

時刻Ｔ１３に配線Ｇ１の電位を“Ｌ”、配線Ｇ２の電位を“Ｌ” 、配線Ｇ３の電位を“
Ｈ”、配線ＤＡＴＡ＿Ｗの電位を“Ｌ”とすると、トランジスタＭ５が導通し、ノードＮ
Ａの電位はＶｓ＋Ｖｐとなり、発光素子１２４が発光する。なお、厳密にはノードＮＡの
電位は、Ｖｓ＋ＶｐからトランジスタＭ２の閾値電圧（Ｖ_ｔｈ）分だけ低い値となるが、
ここではＶ_ｔｈは十分に小さく無視できる値とする。

【0288】

以上が画像信号（Ｖｓ）の補正動作と、発光素子１２４を発光させる動作である。なお、
先に説明した補正信号（Ｖｐ）の書き込み動作と、画像信号（Ｖｓ）の入力動作は連続し
て行ってもよいが、全ての画素に補正信号（Ｖｐ）を書き込んだのちに画像信号（Ｖｓ）
の入力動作を行うことが好ましい。本発明の一態様では複数の画素に同じ画像信号を同時
に供給することができるため、先に全ての画素に補正信号（Ｖｐ）を書き込むことで動作
速度を向上させることができる。

【0289】

以上のように、画像信号と補正信号を用いて発光素子を発光させることで、発光素子に流
れる電流を大きくすることができ、高い輝度を表現できる。ソースドライバの出力電圧以
上の電圧を駆動トランジスタのゲート電圧として印加できるため、ソースドライバの消費
電力を削減することができる。

【0290】

本実施の形態は、他の実施の形態及び実施例と適宜組み合わせることができる。

【0291】

（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器について、図２２を用いて説明する。

【0292】

本実施の形態の電子機器は、表示部に本発明の一態様の表示装置を有する。本発明の一態
様の表示装置は、表示パネルの数を増やすことにより、表示領域の面積を上限なく大きく
することが可能である。したがって、本発明の一態様の表示装置はデジタルサイネージま
たはＰＩＤ（Ｐｕｂｌｉｃ Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）などに好適に用
いることができる。

【0293】

本実施の形態の電子機器の表示部には、例えばフルハイビジョン、４Ｋ２Ｋ、８Ｋ４Ｋ、
１６Ｋ８Ｋ、またはそれ以上の解像度を有する映像を表示させることができる。また、表
示部の画面サイズとしては、対角２０インチ以上、対角３０インチ以上、対角５０インチ
以上、対角６０インチ以上、または対角７０インチ以上とすることができる。

【0294】

電子機器としては、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパー
ソナルコンピュータ、コンピュータ用などのモニタ、デジタルサイネージ、パチンコ機な
どの大型ゲーム機などの比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジ
タルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端
末、音響再生装置、などが挙げられる。

【0295】

本実施の形態の電子機器は、家屋もしくはビルの内壁もしくは外壁、または、自動車の内
装もしくは外装の曲面に沿って組み込むことができる。

【0296】

本実施の形態の電子機器は、アンテナを有していてもよい。アンテナで信号を受信するこ
とで、表示部で映像や情報等の表示を行うことができる。また、電子機器がアンテナ及び
二次電池を有する場合、アンテナを、非接触電力伝送に用いてもよい。

【0297】

本実施の形態の電子機器は、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、
距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放
射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を測定する機能を含むもの）を有し
ていてもよい。

【0298】

本実施の形態の電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静
止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダ
ー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）を実行する
機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出す機能
等を有することができる。

【0299】

図２２（Ａ）にテレビジョン装置の一例を示す。テレビジョン装置７１００は、筐体７１
０１に表示部７０００が組み込まれている。ここでは、スタンド７１０３により筐体７１
０１を支持した構成を示している。

【0300】

表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。

【0301】

図２２（Ａ）に示すテレビジョン装置７１００の操作は、筐体７１０１が備える操作スイ
ッチや、別体のリモコン操作機７１１１により行うことができる。または、表示部７００
０にタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部７０００に触れることでテレビジョ
ン装置７１００を操作してもよい。リモコン操作機７１１１は、当該リモコン操作機７１
１１から出力する情報を表示する表示部を有していてもよい。リモコン操作機７１１１が
備える操作キーまたはタッチパネルにより、チャンネル及び音量の操作を行うことができ
、表示部７０００に表示される映像を操作することができる。

【0302】

なお、テレビジョン装置７１００は、受信機及びモデムなどを備えた構成とする。受信機
により一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介して有線または無
線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双
方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能であ
る。

【0303】

図２２（Ｂ）に、ノート型パーソナルコンピュータの一例を示す。ノート型パーソナルコ
ンピュータ７２００は、筐体７２１１、キーボード７２１２、ポインティングデバイス７
２１３、外部接続ポート７２１４等を有する。筐体７２１１に、表示部７０００が組み込
まれている。

【0304】

表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。

【0305】

図２２（Ｃ）、（Ｄ）に、デジタルサイネージの一例を示す。

【0306】

図２２（Ｃ）に示すデジタルサイネージ７３００は、筐体７３０１、表示部７０００、及
びスピーカ７３０３等を有する。さらに、ＬＥＤランプ、操作キー（電源スイッチ、また
は操作スイッチを含む）、接続端子、各種センサ、マイクロフォン等を有することができ
る。

【0307】

図２２（Ｄ）は円柱状の柱７４０１に取り付けられたデジタルサイネージ７４００である
。デジタルサイネージ７４００は、柱７４０１の曲面に沿って設けられた表示部７０００
を有する。

【0308】

図２２（Ｃ）、（Ｄ）において、表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用す
ることができる。

【0309】

表示部７０００が広いほど、一度に提供できる情報量を増やすことができる。また、表示
部７０００が広いほど、人の目につきやすく、例えば、広告の宣伝効果を高めることがで
きる。

【0310】

表示部７０００にタッチパネルを適用することで、表示部７０００に画像または動画を表
示するだけでなく、使用者が直感的に操作することができ、好ましい。また、路線情報も
しくは交通情報などの情報を提供するための用途に用いる場合には、直感的な操作により
ユーザビリティを高めることができる。

【0311】

また、図２２（Ｃ）、（Ｄ）に示すように、デジタルサイネージ７３００またはデジタル
サイネージ７４００は、ユーザが所持するスマートフォン等の情報端末機７３１１または
情報端末機７４１１と無線通信により連携可能であることが好ましい。例えば、表示部７
０００に表示される広告の情報を、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１の画面
に表示させることができる。また、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１を操作
することで、表示部７０００の表示を切り替えることができる。

【0312】

また、デジタルサイネージ７３００またはデジタルサイネージ７４００に、情報端末機７
３１１または情報端末機７４１１の画面を操作手段（コントローラ）としたゲームを実行
させることもできる。これにより、不特定多数のユーザが同時にゲームに参加し、楽しむ
ことができる。

【0313】

本実施の形態は、他の実施の形態及び実施例と適宜組み合わせることができる。

【実施例0314】

本実施例では、補助配線の構成について検討し、実際に表示パネルを作製した結果につい
て説明する。

【0315】

［補助配線の例１］
まず、表示パネルの具体例１で説明した図１（Ａ）に示す画素１３０ａと図１（Ｂ）に示
す接続部１２２について検討した。また、検討した結果をもとに実際に表示パネルを作製
し、当該表示パネルの接続部１２２の断面観察を行った。

【0316】

まず、接続部１２２について検討した結果、画素サイズが２２５μｍ□（１３インチ、ｈ
ｉｇｈ ｄｅｆｉｎｉｓｉｏｎ（ＨＤ））、メタルマスク開口端と画素開口端との距離、
及びメタルマスク開口端と接続部１２２中央部との距離がそれぞれ２０μｍの条件で設計
した場合、画素１３０ａの開口率は４１．１％と見積もられた。共通層を１回で形成する
場合は、３０％程度の開口率になると試算されており、共通層を２回に分けて形成するこ
とで開口率を大幅に向上できることがわかった。

【0317】

次に、実際に作製した表示パネルにおける接続部１２２のＳＴＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ
Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）写真を図２３に
示す。図２３に示すように、接続部１２２において、補助配線１２０に共通電極１１３を
接続することができた。

【0318】

［補助配線の例２］
また、複数の色の副画素に共通して設けられる共通層を、表示パネルの表示領域全体に形
成しても、補助配線と共通電極とを電気的に接続できる方法を検討した。さらに、実際に
表示パネルを作製し、補助配線と共通電極とが電気的に接続されているかを評価した。具
体的な方法について、図２４を用いて説明する。

【0319】

まず、図２４（Ａ）に示すように、絶縁層１０１上に、反射電極１２５ａと透明電極１２
５ｂとをこの順で形成した。次に、図２４（Ｂ）に示すように、透明電極１２５ｂのみを
加工し、画素電極１１１ｂ及び補助配線１２０ｂを形成した。次に、図２４（Ｃ）に示す
ように、反射電極１２５ａを加工し、画素電極１１１ａ及び補助配線１２０ａを形成した
。このとき、補助配線１２０ａの端部が、補助配線１２０ｂの端部よりも内側になるよう
に、エッチング時間を調整し、ひさし形状の補助配線を形成した。加工には、等方性エッ
チングが可能なウエットエッチングを用いた。図２５（Ａ）に実際に作製した、ひさし形
状の補助配線のＳＴＥＭ写真を示す。図２５（Ａ）より、補助配線１２０ａの端部が、補
助配線１２０ｂの端部よりも内側にある、ひさし形状の補助配線が形成できたことがわか
った。

【0320】

その後、絶縁層１０４を形成した（図２４（Ｄ））。絶縁層１０４は、画素電極１１１ａ
及び画素電極１１１ｂの端部を覆い、かつ、補助配線１２０ａ及び補助配線１２０ｂの端
部を覆わないように形成した。そして、図２４（Ｅ）に示すように、ひさし形状の補助配
線によってＥＬ層１１２が段切れするように、ＥＬ層１１２を形成した。さらに、図２４
（Ｅ）に示すように、補助配線１２０ｂの側面と共通電極１１３とが接続するよう、共通
電極１１３を形成した。実際に、ＥＬ層１１２及び共通電極１１３を形成した後、抵抗測
定を行った結果、補助配線と共通電極１１３とが電気的に接続されていることが確認でき
た。

【0321】

図２５（Ｂ）に、実際に作製した、ひさし形状の補助配線のＳＴＥＭ写真を示す。なお、
図２５（Ｂ）に示す試料は、図２５（Ａ）とは異なる試料である。図２５（Ｂ）では、補
助配線１２０ａ、１２０ｂをまとめて１２０と記す。図２５（Ｂ）に示すように、ＥＬ層
１１２は切断されており、補助配線１２０と共通電極１１３とが互いに接続されているこ
とが確認できた。

【0322】

［補助配線の例３］
また、対向基板側に補助配線を設ける構成を検討し、実際に表示パネルを作製し、補助配
線と共通電極の接続部の断面観察を行った。具体的な方法について、図２６を用いて説明
する。

【0323】

図２６（Ａ）に示すように、絶縁層１０１側の絶縁層１０４が設けられている位置と合う
ように、対向基板１２１側にスペーサ１０８と補助配線１０６とを形成した。また、絶縁
層１０４上にスペーサ１０７を形成した。つまり、スペーサ１０７、スペーサ１０８、及
び補助配線１０６を、２つの副画素の間に配置されるように形成した。そして、補助配線
１０６と共通電極１１３とが接触するように、接着層１０３を用いて、対向基板１２１と
絶縁層１０１とを貼り合わせた。

【0324】

図２６（Ｂ）に、表示パネルの上面図を示す。表示パネルは、画素部７１、可視光を透過
する領域７２、及び可視光を遮る領域７３（引き回し配線）を有する。画素部７１の３か
所について、断面観察を行った。図２７（Ａ）～（Ｃ）に示すように、いずれの箇所にお
いても、補助配線１０６と共通電極１１３とが接触していることが確認できた。

【実施例0325】

本実施例では、本発明の一態様の表示装置を作製した結果について説明する。

【0326】

［表示パネルの保存試験］
フレキシブルディスプレイは、温度変化及び湿度変化により形状が変化してしまうことが
ある。そこで、図２８（Ａ）、（Ｂ）に示すように、フレキシブルディスプレイである表
示パネル１９０を支持体１９５に貼り付けて保存試験を行った。

【0327】

表示パネル１９０は、図１２（Ａ）に示す表示パネルＤＰと同様に、２辺に可視光を透過
する領域７２を有する。可視光を透過する領域７２の少なくとも一部は他の表示パネルに
重ねるため、支持体１９５と重ならない。

【0328】

図２８（Ａ）に示すように、比較試料（Ｒｅｆ）では、支持体１９５の外周四辺付近にの
み表示パネル１９０を貼り付けることで、支持体１９５に表示パネル１９０を固定した。
図２８（Ｂ）に示すように、試料（Ｓａｍｐｌｅ）では、支持体１９５の一面全体に表示
パネル１９０を貼り付けることで、支持体１９５に表示パネル１９０を固定した。支持体
１９５には熱膨張係数（ＣＴＥ：Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｅｘ
ｐａｎｓｉｏｎ）が２４ｐｐｍ／℃のアルミニウム板を用いた。

【0329】

保存試験では、試料及び比較試料を、３０℃で１２時間保存した後、さらに０℃で１２時
間保存した。

【0330】

図２８（Ｃ）に、保存試験前の比較試料（Ｒｅｆ）を示し、図２８（Ｄ）に保存試験前の
試料（Ｓａｍｐｌｅ）を示す。図２８（Ｅ）に、保存試験後の比較試料（Ｒｅｆ）を示し
、図２８（Ｆ）に保存試験後の試料（Ｓａｍｐｌｅ）を示す。

【0331】

図２８（Ｅ）に示すように、保存試験後の比較試料（Ｒｅｆ）の表示面にはしわが生じて
いた。一方、図２８（Ｄ）、（Ｆ）に示すように、試料（Ｓａｍｐｌｅ）は、保存試験の
前後で差が確認されなかった。

【0332】

このことから、支持体１９５の一面全体に表示パネル１９０を貼り付けることで、フレキ
シブルディスプレイの形状変化を抑制できることがわかった。

【0333】

また、上記試料とはＣＴＥの異なる支持体の一面全体に表示パネルを貼り付けて上記と同
様の保存試験を行った。ＣＴＥが７０ｐｐｍ／℃のアクリル板を用いた場合、支持体１９
５の一面全体に表示パネル１９０を貼り付けていても、表示面にしわが生じていた。一方
、同じ樹脂板であっても、ＣＴＥが６０ｐｐｍ／℃のガラス繊維強化プラスチック（ＧＦ
ＲＰ）板を用いた場合、表示面に生じるしわは抑制されていた。

【0334】

以上のことから、ＣＴＥの小さい支持体の一面全体にフレキシブルディスプレイを貼り付
けることで、フレキシブルディスプレイの形状変化をさらに抑制できることがわかった。

【0335】

また、フレキシブルディスプレイに用いるフィルムが吸水することでも、フレキシブルデ
ィスプレイの形状変化が生じることがある。図２８（Ａ）、（Ｂ）に示す表示パネル１９
０は支持体１９５と重ならない部分を有し、当該部分は他の部分に比べて吸水により膨張
しやすく、しわが発生しやすいことがわかった。したがって、吸水率の小さいフィルムを
用いることが好ましいことがわかった。

【0336】

［表示パネルの貼り付け方法］
表示パネルを複数並べて配置する際、複数の表示パネルの位置を微調整するためにアライ
メント機構を用いることができる。一方で、アライメント機構を採用するとその分のスペ
ースが必要となり、表示装置さらには電子機器の大型化につながってしまう。そこで、ア
ライメント機構を用いなくても、複数の表示パネルを所望の位置に配置できるよう、表示
パネルを支持体に高精度で貼り付ける治具を作製した。

【0337】

図２９（Ａ）～（Ｄ）を用いて、表示パネル１９０を支持体１９５に高精度で貼り付ける
方法及び治具について説明する。

【0338】

図２９（Ａ）に示す治具は、パネルホルダー４１６を複数有する。治具は、パネルホルダ
ー４１６と重なる部分に吸着孔を有し、スイッチ４１７をＯＮにすることで表示パネル１
９０を真空吸着することができる。さらに、パネルホルダー４１６は、表示パネル１９０
を上から押さえることができる。このように、パネルホルダー４１６を用いることで、表
示パネル１９０の支持体１９５と重ならない辺（本実施例では長辺）を固定することがで
きる。

【0339】

まず、両面テープの、支持体１９５に貼り付ける側のセパレータフィルムを剥がし、支持
体１９５の一面全体に両面テープを貼り付けた。なお、表示パネルに貼り付ける側のセパ
レータフィルムは剥がさず残したままとした。そして、図２９（Ａ）に示すように、両面
テープを貼り付けた支持体１９５を治具の既定の位置に配置した。

【0340】

次に、図２９（Ｂ）に示すように、支持体１９５上に表示パネル１９０を配置した。アジ
ャスター４１５に表示パネル１９０を当てて、図２９（Ｂ）に示す点線に沿って表示パネ
ル１９０を配置した。そして、スイッチ４１７をＯＮにすることで表示パネル１９０を吸
着し、パネルホルダー４１６を用いて、表示パネル１９０を上から押さえた。

【0341】

次に、図２９（Ｃ１）、（Ｃ２）に示すように、表示パネル１９０を持ち上げた状態でセ
パレータフィルムを剥がしながら、表示パネル１９０を固定した側（パネルホルダー４１
６側）から支持体１９５に表示パネル１９０を徐々に貼り付けた。ここで、パネルホルダ
ー４１６によって表示パネル１９０を固定した側からセパレータフィルムを剥がすことが
、表示パネル１９０を支持体１９５に高精度で貼り付けるために、重要な点である。

【0342】

図２９（Ｄ）に、支持体１９５への表示パネル１９０の貼り付けが完了し、治具から取り
外した状態を示す。θ方向のずれを算出したところ、約０．０２°以下であり、ずれの程
度が小さいことが確認できた。治具を用いることで、支持体１９５に高精度で表示パネル
１９０を貼り合わせることができた。また、図２９（Ｅ）に、支持体１９５に貼り付けら
れた表示パネル１９０が、画像を表示している状態を示す。図２９（Ｅ）に示すように、
支持体１９５に貼り付けられた後の表示パネル１９０が、正常に画像を表示することを確
認できた。

【0343】

［表示装置］
次に、形状変化が抑制され、かつ、高精度で貼り合わされた支持体及び表示パネルを４（
２×２）セット用いて、２種類の表示装置を作製した。

【0344】

１つ目は、表示パネルと駆動回路をモジュール化したマルチディスプレイである。図３０
に当該マルチディスプレイの側面図を示す。また、図３１（Ａ）に表示結果を示し、図３
１（Ｂ）に側面の写真を示す。

【0345】

図３０に示すように、表示パネル１９０は支持体１９５（アルミニウム板）の一方の面に
貼り付けられている。図２９を用いて説明した表示パネルの貼り付け方法を用いて、表示
パネル１９０を支持体１９５に貼り付けた。支持体１９５は曲率半径Ｒ＝５ｍｍの曲面を
有し、表示パネル１９０は該曲面に沿って曲げられている。表示パネル１９０は、支持体
１９５から延在する部分を有する。当該部分は、隣接する表示パネル１９０と重なる。支
持体１９５の他方の面には、駆動回路３７２が固定されている。表示パネル１９０と駆動
回路３７２は、ＦＰＣ３７４によって電気的に接続されている。支持体１９５と表示パネ
ル１９０が高精度で貼り合わされているため、アライメント機構が必要なく、表示パネル
１９０を設計されたフレームに固定するだけでシームレスな映像を得ることができる。支
持体１９５と表示パネル１９０を合わせた厚さ（図３０における厚さＴ）は３５ｍｍ以下
であった。

【0346】

光学部材２４０は、表示パネル１９０側から、支持材２９２、円偏光板２９５、及び反射
防止部材２９６をこの順で有する。支持材２９２としては、アクリル板を用いた。円偏光
板２９５は、視認者側に直線偏光板２９５ａが位置し、表示パネル１９０側に１／４λ板
２９５ｂが位置する。反射防止部材２９６としては、反射防止フィルム（ＡＲ（Ａｎｔｉ
－Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ）フィルムともいう）を用いた。

【0347】

さらに、表示パネル１９０または光学部材２４０にタッチセンサを内蔵させる、表示パネ
ル１９０または光学部材２４０にタッチパネルを貼り付ける等により、マルチディスプレ
イにタッチパネルの機能を設けることもできる。

【0348】

図３１（Ａ）に示すように、作製したマルチディスプレイは、継ぎ目が視認されにくく、
自然な映像が得られた。

【0349】

２つ目は、表示パネルから駆動回路を離して設けたマルチディスプレイである。まず、図
３２及び図３３を用いて、３種類の表示パネルの構成について説明する。

【0350】

図３２は、マルチディスプレイの背面図である。図３２に示すマルチディスプレイでは、
表示パネル１９０ａ～１９０ｄそれぞれの背面に、ＦＰＣ３７４ｓの一端及びＦＰＣ３７
４ｇの一端が接続されている。図１７（Ａ）、（Ｂ）に示した表示パネル１５Ｂのように
、表示パネルの背面に導電層を露出させることで、表示パネルの背面にＦＰＣを接続させ
ることができる。

【0351】

さらに、ＦＰＣ３７４ｓの他端は長尺のＦＰＣ３７４ａの一端と接続されており、ＦＰＣ
３７４ｇの他端は長尺のＦＰＣ３７４ｂの一端と接続されており、ＦＰＣ３７４ａの他端
及びＦＰＣ３７４ｂの他端は駆動回路（駆動回路３７２ａ～３７２ｄのいずれか）と接続
されている。このように、長尺のＦＰＣを用いて電源線や信号線の引き回しを行うことで
、表示パネルの裏側にはＦＰＣしか存在せず、薄型軽量の表示パネルの特長を活かしたデ
ィスプレイを作製することができる。例えば、壁掛けディスプレイとして好適である。

【0352】

また、図３３（Ａ）～（Ｅ）に別の構成の表示パネルを示す。図３３（Ａ）、（Ｃ）は表
示パネルの下面図であり、図３３（Ｂ）、（Ｄ）は表示パネルの上面図であり、図３３（
Ｅ）は、図３３（Ｃ）、（Ｄ）に示す表示パネルを用いた表示装置の側面図である。図３
３（Ａ）、（Ｂ）に示すように、表示パネル１５Ｃの表示面側にＦＰＣを接続させる場合
、ＦＰＣを表示パネル１５Ｃの裏面側に曲げてもよい。また、図３３（Ｃ）～（Ｅ）に示
すように、表示パネル１５Ｄの表示面側にＦＰＣを接続させ、表示パネル１５Ｄ自体を裏
面側に曲げてもよい。表示パネルにおけるＦＰＣの接続部、さらにはＩＣの接続部を裏面
側に曲げることで、表示パネルの非表示領域を縮小でき、狭額縁のディスプレイを実現で
きるため好ましい。このように、ＦＰＣを表示パネルの表示面側に接続させても、長尺の
ＦＰＣを用いて電源線や信号線の引き回しを行うことで、表示パネルの裏側にはＦＰＣし
か存在せず、薄型軽量の表示パネルの特長を活かしたディスプレイを作製することができ
る。なお、ＦＰＣ及び表示パネルを曲げる角度は１８０°に限られない。

【0353】

表示パネルの仕様を表１に示す。当該表示パネルの画素構成は図１（Ａ）に示す画素１３
０ａと同様であり、ＥＬ層の共通層を２回に分けて形成した。また、当該表示パネルは、
発光素子の共通電極と電気的に接続される補助配線を有する。補助配線１２０の構成は、
図１（Ａ）、（Ｂ）に示す接続部１２２と同様であり、画素電極１１１と同一レイヤに設
けられた補助配線１２０が、共通電極１１３と電気的に接続されている。また、当該表示
パネルは、図２０（Ｂ）に示す画素を有する。

【0354】

【表1】

【0355】

当該表示パネルを４（２×２）枚用いて、２６インチ、ＷＱＨＤのマルチディスプレイを
作製した。ＦＰＣは、表示パネルの表示面側に接続した。表示パネルの支持体として厚さ
１ｍｍのアルミニウム板を用いた。支持体は曲率半径Ｒ＝３ｍｍの曲面を有する。表示パ
ネルを該曲面に沿って曲げることで、図３３（Ｃ）～（Ｅ）に示すように、表示パネルに
おけるＦＰＣの接続部及びＩＣの接続部を表示パネルの裏面側に曲げた。表示パネル及び
支持体は一対のアクリル板で挟持した。表示面側のアクリル板（支持材２９２）には円偏
光板２９５とＡＲフィルム（反射防止部材２９６）を配置した（図３３（Ｅ）の光学部材
２４０参照）。図３４（Ａ）、（Ｃ）に表示結果を示し、図３４（Ｂ）に側面の写真を示
す。図３４（Ｂ）に示すように、支持体と表示パネルを合わせた厚さＴ（図３３（Ｅ）参
照）は約１３ｍｍと、１つ目のマルチディスプレイ（図３１）よりも薄型にすることがで
きた。図３４（Ａ）、（Ｃ）に示すように、マルチディスプレイは、継ぎ目が視認されに
くく、自然な映像が得られた。

【0356】

なお、当該表示パネルを１枚用い、表示領域の４％の面積で発光させたときの輝度を測定
した結果を示す。なお、測定は、円偏光板を介して行った。図２０（Ｂ）に示す表示デー
タＤＡＴＡのみを用いた表示の輝度は９１８ｃｄ／ｍ^２であったが、表示データＤＡＴＡ
にデータＤＡＴＡ＿Ｗを追加した表示の輝度は、３１４９ｃｄ／ｍ^２であった。このこと
から、表示データＤＡＴＡにデータＤＡＴＡ＿Ｗを組み合わせることで、高輝度の表示を
実現できるとわかった。