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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024178347
(43)【公開日】2024-12-24
(54)【発明の名称】電子機器
(51)【国際特許分類】
H02J 7/00 20060101AFI20241217BHJP
H01L 29/786 20060101ALI20241217BHJP
H10B 12/00 20230101ALI20241217BHJP
H02J 7/35 20060101ALI20241217BHJP
H10B 41/70 20230101ALI20241217BHJP
H02J 50/10 20160101ALI20241217BHJP
【ＦＩ】
H02J7/00 301D
H01L29/78 613B
H01L29/78 618B
H10B12/00 801
H02J7/35 K
H10B41/70
H02J50/10
【審査請求】有
【請求項の数】2
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2024164963
(22)【出願日】2024-09-24
(62)【分割の表示】P 2022177834の分割
【原出願日】2011-01-19
(31)【優先権主張番号】P 2010010382
(32)【優先日】2010-01-20
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000153878
【氏名又は名称】株式会社半導体エネルギー研究所
(72)【発明者】
【氏名】山崎 舜平
(72)【発明者】
【氏名】小山 潤
(57)【要約】
【課題】電磁誘導方式の非接触充電により供給される電力が小さくても動作可能な携帯電
子機器を提供する。
【解決手段】携帯電子機器は、酸化物半導体を用いたトランジスタを有する反射型液晶デ
ィスプレイと、非接触充電により充電可能な充電池を有する電源部と、不揮発性半導体記
憶装置を有する信号処理部と、を有する。携帯電子機器において、充電池に蓄えられた電
力は、前記反射型液晶ディスプレイ及び前記信号処理部に用いられる。
【選択図】図１
子機器を提供する。
【解決手段】携帯電子機器は、酸化物半導体を用いたトランジスタを有する反射型液晶デ
ィスプレイと、非接触充電により充電可能な充電池を有する電源部と、不揮発性半導体記
憶装置を有する信号処理部と、を有する。携帯電子機器において、充電池に蓄えられた電
力は、前記反射型液晶ディスプレイ及び前記信号処理部に用いられる。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１のアンテナと、
第２のアンテナと、
メモリと、
蓄電可能な電池と、を有し、
前記第１のアンテナは、非接触で電力を受電する機能を有し、
前記第１のアンテナで受電された前記電力は、前記蓄電可能な電池に充電され、
前記第２のアンテナは、データを受信する機能を有し、
前記メモリは、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのソース又はドレインと電気的に接続され、
前記第１のトランジスタは、チャネルがシリコンに設けられ、
前記第２のトランジスタは、チャネルが酸化物半導体に設けられる、電子機器。
第２のアンテナと、
メモリと、
蓄電可能な電池と、を有し、
前記第１のアンテナは、非接触で電力を受電する機能を有し、
前記第１のアンテナで受電された前記電力は、前記蓄電可能な電池に充電され、
前記第２のアンテナは、データを受信する機能を有し、
前記メモリは、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのソース又はドレインと電気的に接続され、
前記第１のトランジスタは、チャネルがシリコンに設けられ、
前記第２のトランジスタは、チャネルが酸化物半導体に設けられる、電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
技術分野は、非接触充電方式の携帯電子機器に関する。
【背景技術】
【0002】
ディスプレイに電子化された書籍データを表示し、読書を可能とする電子書籍装置などの
携帯電子機器が普及しつつある。このような機器は、持ち歩いて使用することが想定され
ており、本体に内蔵された電池によって駆動できるように作られている。したがって、こ
れらの機器は、外部の電源装置を用いて電力を供給することが適当である。
携帯電子機器が普及しつつある。このような機器は、持ち歩いて使用することが想定され
ており、本体に内蔵された電池によって駆動できるように作られている。したがって、こ
れらの機器は、外部の電源装置を用いて電力を供給することが適当である。
【0003】
特許文献１では、ＡＣアダプタを用いて電源を供給する電子書籍装置が提案されている。
【0004】
特許文献２では、表示部と、外部より操作入力を行うためのコンソール部と、無線信号の
送受信をするためのアンテナ部と、コンソール部で入力された信号およびアンテナ部で送
受信するための信号を制御するためのコントローラ部と、アンテナ部で受信した無線信号
を電力に変換し表示部を駆動するための電力として保持するバッテリー部とを有する表示
装置が提案されている。
送受信をするためのアンテナ部と、コンソール部で入力された信号およびアンテナ部で送
受信するための信号を制御するためのコントローラ部と、アンテナ部で受信した無線信号
を電力に変換し表示部を駆動するための電力として保持するバッテリー部とを有する表示
装置が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開２００７－１４７８７１号公報
【特許文献2】特開２００８－１８１１０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
ＡＣアダプタから電源を供給するためには、携帯電子機器側に金属端子などの接点を設け
る必要がある。そのため、接点の耐久性が要求される。また、接触不良、または短絡若し
くは水分などによる漏電の発生に対する対策が必要である。
る必要がある。そのため、接点の耐久性が要求される。また、接触不良、または短絡若し
くは水分などによる漏電の発生に対する対策が必要である。
【0007】
また、電磁誘導方式の非接触充電により供給される電力が小さくても携帯電子機器の動作
を可能とするためには、携帯電子機器の消費電力の低減が必要である。
を可能とするためには、携帯電子機器の消費電力の低減が必要である。
【0008】
本発明の一態様では、電磁誘導方式の非接触充電により供給される電力が小さくても動作
可能な携帯電子機器を提供することを課題とする。
可能な携帯電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
本発明の一態様は、酸化物半導体を用いたトランジスタを有する反射型液晶ディスプレイ
と、非接触充電により充電可能な充電池を有する電源部と、不揮発性半導体記憶装置を有
する信号処理部と、を有することを特徴とする携帯電子機器である。
と、非接触充電により充電可能な充電池を有する電源部と、不揮発性半導体記憶装置を有
する信号処理部と、を有することを特徴とする携帯電子機器である。
【0010】
または、本発明の一態様は、第１の酸化物半導体を用いた第１のトランジスタを有する反
射型液晶ディスプレイと、非接触充電により充電可能な充電池を有する電源部と、不揮発
性半導体記憶装置と、を有し、不揮発性半導体記憶装置は、第２のトランジスタと、第３
のトランジスタと、容量素子と、を有し、第２のトランジスタは、第１の端子が第１の配
線と電気的に接続され、第２の端子が第２の配線と電気的に接続され、ゲートが第３のト
ランジスタの第１の端子および容量素子の一方の電極と電気的に接続され、第３のトラン
ジスタは、第２の端子が第３の配線と電気的に接続され、ゲートが第４の配線と電気的に
接続され、容量素子は、他方の電極が第５の配線と電気的に接続されていることを特徴と
する携帯電子機器である。
射型液晶ディスプレイと、非接触充電により充電可能な充電池を有する電源部と、不揮発
性半導体記憶装置と、を有し、不揮発性半導体記憶装置は、第２のトランジスタと、第３
のトランジスタと、容量素子と、を有し、第２のトランジスタは、第１の端子が第１の配
線と電気的に接続され、第２の端子が第２の配線と電気的に接続され、ゲートが第３のト
ランジスタの第１の端子および容量素子の一方の電極と電気的に接続され、第３のトラン
ジスタは、第２の端子が第３の配線と電気的に接続され、ゲートが第４の配線と電気的に
接続され、容量素子は、他方の電極が第５の配線と電気的に接続されていることを特徴と
する携帯電子機器である。
【0011】
第３のトランジスタは、第２の酸化物半導体を用いたトランジスタであってもよい。第２
の酸化物半導体は第１の酸化物半導体と同じでもよいし、異なってもよい。
の酸化物半導体は第１の酸化物半導体と同じでもよいし、異なってもよい。
【0012】
充電池に蓄えられた電力は、反射型液晶ディスプレイ及び信号処理部に用いられてもよい
。
。
【0013】
電源部は、太陽電池を有していてもよい。
【0014】
酸化物半導体は真性または実質的に真性であり、トランジスタの単位チャネル幅あたりの
オフ電流が室温において１００ａＡ／μｍ以下（ａは１０－１８を表す）、好ましくは１
ａＡ／μｍ以下、さらに好ましくは１ｚＡ／μｍ以下（ｚは１０－２１を表す）であるこ
とを特徴とする。なお、本明細書において、「真性」とは、キャリア濃度が１×１０１２
／ｃｍ３未満である半導体の状態を指し、「実質的に真性」とは、キャリア濃度が１×１
０１２／ｃｍ３以上１×１０１４／ｃｍ３未満である半導体の状態を指すものとする。
オフ電流が室温において１００ａＡ／μｍ以下（ａは１０－１８を表す）、好ましくは１
ａＡ／μｍ以下、さらに好ましくは１ｚＡ／μｍ以下（ｚは１０－２１を表す）であるこ
とを特徴とする。なお、本明細書において、「真性」とは、キャリア濃度が１×１０１２
／ｃｍ３未満である半導体の状態を指し、「実質的に真性」とは、キャリア濃度が１×１
０１２／ｃｍ３以上１×１０１４／ｃｍ３未満である半導体の状態を指すものとする。
【発明の効果】
【0015】
非接触による充電が可能であるため、携帯電子機器側に金属端子などの接点を設ける必要
がない。また、電磁誘導方式の非接触充電により供給される電力が小さくても動作可能な
携帯電子機器を提供することができる。
がない。また、電磁誘導方式の非接触充電により供給される電力が小さくても動作可能な
携帯電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0016】
【図1】携帯電子機器のブロック図
【図2】携帯電子機器と充電器の構成例を示す図
【図3】不揮発性半導体記憶装置の回路構成の一例を示す図
【図4】液晶表示装置の表示パネルの一例を示す概略図及び表示パネルの駆動方法の一例を示す図
【図5】携帯電子機器のブロック図
【図6】アンテナと太陽電池と充電池の接続関係を示す図
【図7】携帯電子機器の構成例を示す図
【図8】トランジスタの構造の一例を示す図
【図9】トランジスタの作製方法の一例を示す図
【図10】トランジスタの電気特性を示すグラフ
【発明を実施するための形態】
【0017】
以下、開示される発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。ただし、発明は以
下の説明に限定されず、その発明の趣旨およびその範囲から逸脱することなく、その態様
および詳細をさまざまに変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。したがって
発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
下の説明に限定されず、その発明の趣旨およびその範囲から逸脱することなく、その態様
および詳細をさまざまに変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。したがって
発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【0018】
【0019】
図１は、本実施の形態に係る携帯電子機器のブロック図である。携帯電子機器１は、ディ
スプレイ１０、電源部２０および信号処理部３０から構成されている。なお、以下では携
帯電子機器１を電子書籍装置（「電子書籍端末装置」、ともいう）に具現化した例を掲げ
て説明する。
スプレイ１０、電源部２０および信号処理部３０から構成されている。なお、以下では携
帯電子機器１を電子書籍装置（「電子書籍端末装置」、ともいう）に具現化した例を掲げ
て説明する。
【0020】
（電源部２０）
電源部２０は、アンテナ２１、整流回路２２、充電池２３およびＤＣ－ＤＣコンバータ２
４を備えている。
電源部２０は、アンテナ２１、整流回路２２、充電池２３およびＤＣ－ＤＣコンバータ２
４を備えている。
【0021】
（アンテナ２１）
アンテナ２１は、非接触充電のための受電コイルである。
アンテナ２１は、非接触充電のための受電コイルである。
【0022】
また、図２は、携帯電子機器と充電器の構成例である。図２に示すように、携帯電子機
器１はアンテナ２１、充電器４０は送電コイル４１を、それぞれ搭載している。非接触充
電は、両者の間に、金属端子を介さずに、コイル間の電磁誘導で電力を非接触で伝送して
行う。
器１はアンテナ２１、充電器４０は送電コイル４１を、それぞれ搭載している。非接触充
電は、両者の間に、金属端子を介さずに、コイル間の電磁誘導で電力を非接触で伝送して
行う。
【0023】
非接触充電は、携帯電子機器１と充電器４０との間で、充電用の金属端子などの接点を必
要としない。そのため、接点の接触不良が生じることがなく、または短絡若しくは水分な
どによる漏電などが発生しにくい。
要としない。そのため、接点の接触不良が生じることがなく、または短絡若しくは水分な
どによる漏電などが発生しにくい。
【0024】
（整流回路２２）
アンテナ２１で受電された電力は、整流回路２２により整流され、充電池２３に充電され
る。
アンテナ２１で受電された電力は、整流回路２２により整流され、充電池２３に充電され
る。
【0025】
（充電池２３）
充電池２３は、充電を行うことにより電気を蓄えて電池として繰り返し使用することが可
能な蓄電手段である。充電池２３として、例えばリチウムイオン電池やリチウムイオンキ
ャパシタなどを適用できる。また、充電池２３には、過充電および過放電を防止する制御
回路が含まれている。
充電池２３は、充電を行うことにより電気を蓄えて電池として繰り返し使用することが可
能な蓄電手段である。充電池２３として、例えばリチウムイオン電池やリチウムイオンキ
ャパシタなどを適用できる。また、充電池２３には、過充電および過放電を防止する制御
回路が含まれている。
【0026】
（ＤＣ－ＤＣコンバータ２４）
充電池２３に蓄えられた電力は、ＤＣ－ＤＣコンバータ２４を介して、ディスプレイ１０
や信号処理部３０に送られ、これらの電源として使用される。
充電池２３に蓄えられた電力は、ＤＣ－ＤＣコンバータ２４を介して、ディスプレイ１０
や信号処理部３０に送られ、これらの電源として使用される。
【0027】
（信号処理部３０）
信号処理部３０は、アンテナ３１、ダウンコンバータ３２、信号処理回路３３、ＮＶＭ３
４（ＮｏｎＶｏｌａｔｉｌｅ Ｍｅｍｏｒｙ；不揮発性メモリ）およびディスプレイコン
トローラ３５を備えている。
信号処理部３０は、アンテナ３１、ダウンコンバータ３２、信号処理回路３３、ＮＶＭ３
４（ＮｏｎＶｏｌａｔｉｌｅ Ｍｅｍｏｒｙ；不揮発性メモリ）およびディスプレイコン
トローラ３５を備えている。
【0028】
（アンテナ３１）
アンテナ３１は、携帯電子機器１のユーザが選択した電子化された書籍データ（以下、「
電子書籍データ」という）のダウンロード開始要求をサーバへ送信し、要求に応じてサー
バから送信された電子書籍データを受信する。
アンテナ３１は、携帯電子機器１のユーザが選択した電子化された書籍データ（以下、「
電子書籍データ」という）のダウンロード開始要求をサーバへ送信し、要求に応じてサー
バから送信された電子書籍データを受信する。
【0029】
（ダウンコンバータ３２、信号処理回路３３）
アンテナ３１が受信した電子書籍データは、ダウンコンバータ３２によりダウンコンバー
トされてベースバンド信号へと変換される。ベースバンド信号は信号処理回路３３で処理
される。
アンテナ３１が受信した電子書籍データは、ダウンコンバータ３２によりダウンコンバー
トされてベースバンド信号へと変換される。ベースバンド信号は信号処理回路３３で処理
される。
【0030】
（ＮＶＭ３４）
アンテナ３１が受信した電子書籍データはディスプレイの１画面分の情報より多いため、
その受信したデータはＮＶＭ３４に格納される。
アンテナ３１が受信した電子書籍データはディスプレイの１画面分の情報より多いため、
その受信したデータはＮＶＭ３４に格納される。
【0031】
ここで、図３を参照して、ＮＶＭ３４に適用可能な不揮発性半導体記憶装置の回路構成の
一例について説明する。
一例について説明する。
【0032】
図３に示す不揮発性半導体記憶装置は、トランジスタ７１、トランジスタ７２および容量
素子７３により構成されている。
素子７３により構成されている。
【0033】
トランジスタ７１には、酸化物半導体以外の材料を用いたトランジスタが適している。酸
化物半導体以外の材料としては、例えば、単結晶シリコンや結晶性シリコンなどが挙げら
れる。酸化物半導体以外の材料を用いたトランジスタは、高速動作が可能であるため、不
揮発性半導体記憶装置からの高速なデータ読み出し動作が可能となる。
化物半導体以外の材料としては、例えば、単結晶シリコンや結晶性シリコンなどが挙げら
れる。酸化物半導体以外の材料を用いたトランジスタは、高速動作が可能であるため、不
揮発性半導体記憶装置からの高速なデータ読み出し動作が可能となる。
【0034】
一方、トランジスタ７２には、酸化物半導体を用いたトランジスタが適している。酸化物
半導体を用いたトランジスタは、オフ電流が極めて小さいという特徴を有している。その
ため、不揮発性半導体記憶装置に格納されたデータを長時間にわたって保持することが可
能となる。したがって、リフレッシュ動作が不要あるいは低頻度となり、不揮発性半導体
記憶装置の消費電力を低くすることができる。
半導体を用いたトランジスタは、オフ電流が極めて小さいという特徴を有している。その
ため、不揮発性半導体記憶装置に格納されたデータを長時間にわたって保持することが可
能となる。したがって、リフレッシュ動作が不要あるいは低頻度となり、不揮発性半導体
記憶装置の消費電力を低くすることができる。
【0035】
トランジスタ７１は、ゲートがトランジスタ７２のソースまたはドレインの一方と、ソー
スが配線５０（ソース線）と、ドレインが配線５１（ビット線）と、それぞれ接続されて
いる。また、トランジスタ７２は、ソースまたはドレインの他方が配線５２（第１の信号
線）と、ゲートが配線５３（第２の信号線）と、それぞれ接続されている。そして、容量
素子７３の電極の一方がトランジスタ７１のゲートおよびトランジスタ７２のソースまた
はドレインの一方と、他方が配線５４（ワード線）と、それぞれ接続されている。
スが配線５０（ソース線）と、ドレインが配線５１（ビット線）と、それぞれ接続されて
いる。また、トランジスタ７２は、ソースまたはドレインの他方が配線５２（第１の信号
線）と、ゲートが配線５３（第２の信号線）と、それぞれ接続されている。そして、容量
素子７３の電極の一方がトランジスタ７１のゲートおよびトランジスタ７２のソースまた
はドレインの一方と、他方が配線５４（ワード線）と、それぞれ接続されている。
【0036】
続いて、図３に示す不揮発性半導体記憶装置へのデータ書き込み動作について説明する。
【0037】
まず、配線５３に接続されたトランジスタ７２のゲートに電圧を印加し、トランジスタ７
２を導通状態とする。その結果、配線５２とトランジスタ７１は導通し、トランジスタ７
１のゲートおよび容量素子７３に電圧が印加されることにより、データ書き込みがなされ
る。
２を導通状態とする。その結果、配線５２とトランジスタ７１は導通し、トランジスタ７
１のゲートおよび容量素子７３に電圧が印加されることにより、データ書き込みがなされ
る。
【0038】
その後、トランジスタ７２を非導通状態とすることにより、トランジスタ７１のゲートに
印加されていた電圧は保持され、データの格納がなされる。このとき、トランジスタ７１
を導通状態とする電圧がゲートに印加されていれば、トランジスタ７１の導通状態が長時
間にわたって保持される。一方、トランジスタ７１を非導通状態とする電圧がゲートに印
加されていれば、トランジスタ７１の非導通状態が長時間にわたって保持される。
印加されていた電圧は保持され、データの格納がなされる。このとき、トランジスタ７１
を導通状態とする電圧がゲートに印加されていれば、トランジスタ７１の導通状態が長時
間にわたって保持される。一方、トランジスタ７１を非導通状態とする電圧がゲートに印
加されていれば、トランジスタ７１の非導通状態が長時間にわたって保持される。
【0039】
次に、図３に示す不揮発性半導体記憶装置からのデータ読み出し動作について説明する。
【0040】
トランジスタ７１の導通状態または非導通状態が保持されている場合において、配線５０
に定電圧を印加し、かつ、配線５４に読み出し電圧を印加する。その結果、トランジスタ
７１が導通状態である場合は、配線５１の電圧が変化する。一方、トランジスタ７１が非
導通状態である場合には、配線５１の電圧は変化しない。したがって、配線５０と配線５
１との電圧を比較することにより、この不揮発性半導体記憶装置に格納されているデータ
を読み出すことができる。
に定電圧を印加し、かつ、配線５４に読み出し電圧を印加する。その結果、トランジスタ
７１が導通状態である場合は、配線５１の電圧が変化する。一方、トランジスタ７１が非
導通状態である場合には、配線５１の電圧は変化しない。したがって、配線５０と配線５
１との電圧を比較することにより、この不揮発性半導体記憶装置に格納されているデータ
を読み出すことができる。
【0041】
図３に示す不揮発性半導体記憶装置へのデータ書き換え動作は、データ書き込み動作と同
様である。
様である。
【0042】
（ディスプレイコントローラ３５）
ディスプレイコントローラ３５は、ディスプレイ１０で表示する内容のデータを伝送する
。
ディスプレイコントローラ３５は、ディスプレイ１０で表示する内容のデータを伝送する
。
【0043】
電子書籍データは、その大半が静止画であるため、データの書き換え速度はあまり必要と
されない。したがって、ダウンコンバータ３２、信号処理回路３３、ＮＶＭ３４およびデ
ィスプレイコントローラ３５の高速動作は要求されない。そのため、これらの回路は、低
電圧駆動が可能である。よって、電磁誘導方式の非接触充電により供給される電力が小さ
くても、携帯電子機器１の動作が可能である。
されない。したがって、ダウンコンバータ３２、信号処理回路３３、ＮＶＭ３４およびデ
ィスプレイコントローラ３５の高速動作は要求されない。そのため、これらの回路は、低
電圧駆動が可能である。よって、電磁誘導方式の非接触充電により供給される電力が小さ
くても、携帯電子機器１の動作が可能である。
【0044】
（ディスプレイ１０）
ディスプレイ１０は、電子書籍データの内容を表示する。ここで、ディスプレイ１０とし
て、反射型液晶ディスプレイや電気泳動ディスプレイなどの自ら発光しないディスプレイ
を用いることにより、ディスプレイ１０による消費電力を１０ｍＷ以下に設定することが
可能となる。したがって、電磁誘導方式の非接触充電により供給される電力が小さくても
、携帯電子機器１の動作が可能である。
ディスプレイ１０は、電子書籍データの内容を表示する。ここで、ディスプレイ１０とし
て、反射型液晶ディスプレイや電気泳動ディスプレイなどの自ら発光しないディスプレイ
を用いることにより、ディスプレイ１０による消費電力を１０ｍＷ以下に設定することが
可能となる。したがって、電磁誘導方式の非接触充電により供給される電力が小さくても
、携帯電子機器１の動作が可能である。
【0045】
【0046】
図４（Ａ）は、液晶表示装置の表示パネルの一例を示す概略図である。この表示パネル６
０は、画素部６１、ゲート信号線６２、ゲート信号線駆動回路６２Ｄ、データ信号線６３
、データ信号線駆動回路６３Ｄ、画素６４、コモン電極６５、容量線６６および端子部６
７を備えている。
０は、画素部６１、ゲート信号線６２、ゲート信号線駆動回路６２Ｄ、データ信号線６３
、データ信号線駆動回路６３Ｄ、画素６４、コモン電極６５、容量線６６および端子部６
７を備えている。
【0047】
【0048】
続いて、図４（Ｃ）を参照して、表示パネルの駆動方法の一例について説明する。
【0049】
まず、画像信号ＢＫ／Ｗを画素に書き込むために、トランジスタ７５を導通状態として、
画像信号に基づく電圧を液晶素子７６の画素電極に供給する期間Ｔ１（以下、「書き込み
期間Ｔ１」と記す）を設ける。書き込み期間Ｔ１において、駆動回路制御信号がディスプ
レイ１０の駆動回路およびディスプレイコントローラ３５に供給されるため、これらの回
路は動作している。
画像信号に基づく電圧を液晶素子７６の画素電極に供給する期間Ｔ１（以下、「書き込み
期間Ｔ１」と記す）を設ける。書き込み期間Ｔ１において、駆動回路制御信号がディスプ
レイ１０の駆動回路およびディスプレイコントローラ３５に供給されるため、これらの回
路は動作している。
【0050】
書き込み期間Ｔ１を経て、液晶素子７６の画素電極には、電圧Ｖｐｉｘが発生する。その
後、トランジスタ７５を非導通状態とすることにより、液晶素子７６の画素電極には電圧
Ｖｐｉｘが保持される。
後、トランジスタ７５を非導通状態とすることにより、液晶素子７６の画素電極には電圧
Ｖｐｉｘが保持される。
【0051】
続く液晶素子７６の画素電極に電圧Ｖｐｉｘが保持される期間Ｔ２（以下、「保持期間Ｔ
２」と記す）において、画像信号ＢＫ／Ｗの書き込みはなされない。また、駆動回路制御
信号はディスプレイ１０の駆動回路およびディスプレイコントローラ３５に供給されず、
これらの回路は非動作となる。
２」と記す）において、画像信号ＢＫ／Ｗの書き込みはなされない。また、駆動回路制御
信号はディスプレイ１０の駆動回路およびディスプレイコントローラ３５に供給されず、
これらの回路は非動作となる。
【0052】
保持期間Ｔ２の長さは、トランジスタ７５のオフ電流Ｉ７５および液晶素子７６を流れる
電流Ｉ７６により変動する。これらの電流の変動に起因する画面のちらつきを防止するた
めに、定期的に画面を書き換えるリフレッシュ動作が必要となる。
電流Ｉ７６により変動する。これらの電流の変動に起因する画面のちらつきを防止するた
めに、定期的に画面を書き換えるリフレッシュ動作が必要となる。
【0053】
ここで、酸化物半導体を用いたトランジスタ７５のオフ電流Ｉ７５は極めて小さい。した
がって、保持期間Ｔ２は、液晶素子７６を流れる電流Ｉ７６のみに寄与する。そのため、
通常１秒間に６０回行われる画面の書き換えを、その１／１０００程度の回数とすること
が可能となる。
がって、保持期間Ｔ２は、液晶素子７６を流れる電流Ｉ７６のみに寄与する。そのため、
通常１秒間に６０回行われる画面の書き換えを、その１／１０００程度の回数とすること
が可能となる。
【0054】
先述のとおり、保持期間Ｔ２中は、ディスプレイ１０の駆動回路およびディスプレイコン
トローラ３５の動作を停止することができる。そのため、ディスプレイ１０およびディス
プレイコントローラ３５による消費電力も、１／１０００程度に低減することが可能とな
る。
トローラ３５の動作を停止することができる。そのため、ディスプレイ１０およびディス
プレイコントローラ３５による消費電力も、１／１０００程度に低減することが可能とな
る。
【0055】
次に、トランジスタに用いる酸化物半導体について説明する。
【0056】
トランジスタに用いる酸化物半導体は、ドナーの原因である水素、水分、水酸基または水
酸化物（水素化合物ともいう）などの不純物を意図的に排除したのち、これらの不純物の
排除工程において同時に減少してしまう酸素を供給することで、高純度化および電気的に
ｉ型（真性）化されている。これは、トランジスタの電気的特性の変動を抑制するためで
ある。
酸化物（水素化合物ともいう）などの不純物を意図的に排除したのち、これらの不純物の
排除工程において同時に減少してしまう酸素を供給することで、高純度化および電気的に
ｉ型（真性）化されている。これは、トランジスタの電気的特性の変動を抑制するためで
ある。
【0057】
酸化物半導体に含まれる水素を極力除去することで、酸化物半導体中のキャリア密度は、
１×１０１４／ｃｍ３未満、好ましくは１×１０１２／ｃｍ３未満、より好ましくは１×
１０１０／ｃｍ３未満となる。
１×１０１４／ｃｍ３未満、好ましくは１×１０１２／ｃｍ３未満、より好ましくは１×
１０１０／ｃｍ３未満となる。
【0058】
ワイドギャップ半導体である酸化物半導体は、少数キャリア密度が低く、また、少数キャ
リアが誘起されにくい。そのため、酸化物半導体を用いたトランジスタにおいては、トン
ネル電流が発生し難く、ひいては、オフ電流が流れ難い。
リアが誘起されにくい。そのため、酸化物半導体を用いたトランジスタにおいては、トン
ネル電流が発生し難く、ひいては、オフ電流が流れ難い。
【0059】
また、ワイドギャップ半導体である酸化物半導体を用いたトランジスタにおいては、衝突
イオン化ならびにアバランシェ降伏が起きにくい。したがって、酸化物半導体を用いたト
ランジスタは、ホットキャリア劣化に対して耐性がある。ホットキャリア劣化の主な要因
は、アバランシェ降伏によってキャリアが増大し、高速に加速されたキャリアがゲート絶
縁膜へ注入されることである。
イオン化ならびにアバランシェ降伏が起きにくい。したがって、酸化物半導体を用いたト
ランジスタは、ホットキャリア劣化に対して耐性がある。ホットキャリア劣化の主な要因
は、アバランシェ降伏によってキャリアが増大し、高速に加速されたキャリアがゲート絶
縁膜へ注入されることである。
【0060】
なお、本明細書においてオフ電流とは、室温において、－２０Ｖ以上－５Ｖ以下の範囲で
任意のゲート電圧を印加したときに、しきい値電圧Ｖｔｈが正であるｎチャネル型トラン
ジスタのソース－ドレイン間を流れる電流を指す。なお、室温とは、１５℃以上２５℃以
下の温度を指す。
任意のゲート電圧を印加したときに、しきい値電圧Ｖｔｈが正であるｎチャネル型トラン
ジスタのソース－ドレイン間を流れる電流を指す。なお、室温とは、１５℃以上２５℃以
下の温度を指す。
【0061】
本明細書に開示する酸化物半導体を用いたトランジスタは、室温において、チャネル幅１
μｍあたりの電流値が、１００ａＡ／μｍ以下、好ましくは１ａＡ／μｍ以下、さらに好
ましくは１０ｚＡ／μｍ以下である。
μｍあたりの電流値が、１００ａＡ／μｍ以下、好ましくは１ａＡ／μｍ以下、さらに好
ましくは１０ｚＡ／μｍ以下である。
【0062】
先述のとおり、高純度化および電気的にｉ型（真性）化された酸化物半導体を用いること
により、オフ電流値が極めて小さいトランジスタを提供できる。以下、評価用素子（ＴＥ
Ｇとも呼ぶ）を作製し、得られたオフ電流特性の測定結果について説明する。
により、オフ電流値が極めて小さいトランジスタを提供できる。以下、評価用素子（ＴＥ
Ｇとも呼ぶ）を作製し、得られたオフ電流特性の測定結果について説明する。
【0063】
作製したＴＥＧには、Ｌ／Ｗ＝３μｍ／５０μｍ（膜厚ｄは３０ｎｍ）のトランジスタを
２００個並列に接続することにより、Ｌ／Ｗ＝３μｍ／１００００μｍのトランジスタを
設けた。なお、Ｗはチャネル幅、Ｌはチャネル長を示す。
２００個並列に接続することにより、Ｌ／Ｗ＝３μｍ／１００００μｍのトランジスタを
設けた。なお、Ｗはチャネル幅、Ｌはチャネル長を示す。
【0064】
図１０は、ＴＥＧに設けたトランジスタの電気特性（ｌｏｇ（Ｉｄ）－Ｖｇ）を示すグラ
フである。図１０において、横軸はゲート電圧Ｖｇ［Ｖ］を表し、縦軸はドレイン電流Ｉ
ｄ［Ａ］を表している。なお、基板温度は室温であり、ソース－ドレイン間電圧Ｖｄは１
Ｖ（グラフは破線）または１０Ｖ（グラフは実線）のいずれかである。このとき、ソース
－ゲート間電圧Ｖｇを－２０Ｖ～＋２０Ｖまで変化させ、ドレイン電流Ｉｄの変化特性を
測定した。
フである。図１０において、横軸はゲート電圧Ｖｇ［Ｖ］を表し、縦軸はドレイン電流Ｉ
ｄ［Ａ］を表している。なお、基板温度は室温であり、ソース－ドレイン間電圧Ｖｄは１
Ｖ（グラフは破線）または１０Ｖ（グラフは実線）のいずれかである。このとき、ソース
－ゲート間電圧Ｖｇを－２０Ｖ～＋２０Ｖまで変化させ、ドレイン電流Ｉｄの変化特性を
測定した。
【0065】
図１０に示すように、チャネル幅Ｗが１００００μｍのトランジスタは、Ｖｄが１Ｖおよ
び１０Ｖのいずれにおいても、オフ電流は１×１０－１３Ａ以下となっている。これは、
測定機（半導体パラメータ・アナライザ、Ａｇｉｌｅｎｔ ４１５６Ｃ；Ａｇｉｌｅｎｔ
社製）の分解能（１００ｆＡ）以下である。このオフ電流値は、チャネル幅１μｍあたり
に換算すると、１０ａＡ／μｍに相当する。
び１０Ｖのいずれにおいても、オフ電流は１×１０－１３Ａ以下となっている。これは、
測定機（半導体パラメータ・アナライザ、Ａｇｉｌｅｎｔ ４１５６Ｃ；Ａｇｉｌｅｎｔ
社製）の分解能（１００ｆＡ）以下である。このオフ電流値は、チャネル幅１μｍあたり
に換算すると、１０ａＡ／μｍに相当する。
【0066】
【0067】
図５は、本実施の形態に係る携帯電子機器のブロック図である。携帯電子機器２は、図１
に示す携帯電子機器１の電源部２０に太陽電池２５を加えた構成である。太陽電池２５を
備える構成とすることで、携帯電子機器２が、太陽光または照明光にさらされる場合に、
太陽電池２５によって充電池２３を充電することができる。
に示す携帯電子機器１の電源部２０に太陽電池２５を加えた構成である。太陽電池２５を
備える構成とすることで、携帯電子機器２が、太陽光または照明光にさらされる場合に、
太陽電池２５によって充電池２３を充電することができる。
【0068】
【0069】
太陽電池を備える携帯電子機器の構成例を、図７を参照して説明する。
【0070】
図７に示す携帯電子機器２は、開いた状態でディスプレイ１０に電子書籍データが表示さ
れる構造である。したがって、太陽電池２５もまた、携帯電子機器２を開いた状態で外面
に露出するように設ければ、ディスプレイ１０に電子書籍データを表示させつつ、太陽電
池２５による充電を行うことが可能となる。
れる構造である。したがって、太陽電池２５もまた、携帯電子機器２を開いた状態で外面
に露出するように設ければ、ディスプレイ１０に電子書籍データを表示させつつ、太陽電
池２５による充電を行うことが可能となる。
【0071】
特に、ディスプレイ１０として、反射型液晶ディスプレイや電気泳動ディスプレイなどの
自ら発光しないディスプレイを用いている場合の使用環境は、太陽電池２５による充電が
可能であるため適している。
自ら発光しないディスプレイを用いている場合の使用環境は、太陽電池２５による充電が
可能であるため適している。
【0072】
【0073】
図８（Ａ）および図８（Ｂ）は、トランジスタの平面および断面構造の一例を示す図であ
る。図８（Ａ）は、トップゲート構造のトランジスタの平面図である。図８（Ｂ）は、図
８（Ａ）中、直線Ｃ１－Ｃ２で示す部位の断面図である。
る。図８（Ａ）は、トップゲート構造のトランジスタの平面図である。図８（Ｂ）は、図
８（Ａ）中、直線Ｃ１－Ｃ２で示す部位の断面図である。
【0074】
トランジスタ４１０は、基板４００上に、絶縁層４０７、酸化物半導体層４１２、第１の
電極４１５ａ、第２の電極４１５ｂ、ゲート絶縁層４０２およびゲート電極４１１を有し
ている。そして、第１の電極４１５ａには配線層４１４ａ、第２の電極４１５ｂには配線
層４１４ｂがそれぞれ接している。
電極４１５ａ、第２の電極４１５ｂ、ゲート絶縁層４０２およびゲート電極４１１を有し
ている。そして、第１の電極４１５ａには配線層４１４ａ、第２の電極４１５ｂには配線
層４１４ｂがそれぞれ接している。
【0075】
なお、図８（Ａ）および図８（Ｂ）に示すトランジスタ４１０はシングルゲート構造のト
ランジスタであるが、トランジスタの構造はこれに限定されない。例えば、マルチゲート
構造のトランジスタを適用してもよい。
ランジスタであるが、トランジスタの構造はこれに限定されない。例えば、マルチゲート
構造のトランジスタを適用してもよい。
【0076】
【0077】
まず、基板４００上に下地膜となる絶縁層４０７を形成する。絶縁層４０７は、処理室内
の残留水分を除去しつつ成膜するとよい。絶縁層４０７に水素、水、水酸基または水酸化
物などが含まれないようにするためである。
の残留水分を除去しつつ成膜するとよい。絶縁層４０７に水素、水、水酸基または水酸化
物などが含まれないようにするためである。
【0078】
次に、絶縁層４０７上に、酸化物半導体層をスパッタリング法により成膜する。なお、酸
化物半導体層の成膜前に、絶縁層４０７が形成された基板４００を予備加熱するとよい。
酸化物半導体層に、水素、水分および水酸基が極力含まれないようにするためである。予
備加熱により、基板４００に吸着した水素、水分などの不純物は脱離し、排気される。
化物半導体層の成膜前に、絶縁層４０７が形成された基板４００を予備加熱するとよい。
酸化物半導体層に、水素、水分および水酸基が極力含まれないようにするためである。予
備加熱により、基板４００に吸着した水素、水分などの不純物は脱離し、排気される。
【0079】
酸化物半導体層を成膜するためのターゲットとしては、酸化亜鉛を主成分とする金属酸化
物のターゲットを用いることができる。例えば、組成比が、Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：Ｚ
ｎＯ＝１：１：１、すなわち、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：０．５のターゲットを用いる
ことができる。これ以外にも、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１またはＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝
１：１：２の組成比を有するターゲットを用いることもできる。
物のターゲットを用いることができる。例えば、組成比が、Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：Ｚ
ｎＯ＝１：１：１、すなわち、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：０．５のターゲットを用いる
ことができる。これ以外にも、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１またはＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝
１：１：２の組成比を有するターゲットを用いることもできる。
【0080】
その他、Ｉｎ－Ｓｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系金属酸化物、Ｉｎ－Ｓｎ－Ｚｎ－Ｏ系金属酸化物
、Ｉｎ－Ａｌ－Ｚｎ－Ｏ系金属酸化物、Ｓｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系金属酸化物、Ａｌ－Ｇａ
－Ｚｎ－Ｏ系金属酸化物、Ｓｎ－Ａｌ－Ｚｎ－Ｏ系金属酸化物、Ｉｎ－Ｚｎ－Ｏ系金属酸
化物、Ｓｎ－Ｚｎ－Ｏ系金属酸化物、Ａｌ－Ｚｎ－Ｏ系金属酸化物、Ｚｎ－Ｍｇ－Ｏ系金
属酸化物、Ｓｎ－Ｍｇ－Ｏ系金属酸化物、Ｉｎ－Ｍｇ－Ｏ系金属酸化物、Ｉｎ－Ｏ系金属
酸化物、Ｓｎ－Ｏ系金属酸化物、Ｚｎ－Ｏ系金属酸化物などの金属酸化物のターゲットを
用いることができる。
、Ｉｎ－Ａｌ－Ｚｎ－Ｏ系金属酸化物、Ｓｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系金属酸化物、Ａｌ－Ｇａ
－Ｚｎ－Ｏ系金属酸化物、Ｓｎ－Ａｌ－Ｚｎ－Ｏ系金属酸化物、Ｉｎ－Ｚｎ－Ｏ系金属酸
化物、Ｓｎ－Ｚｎ－Ｏ系金属酸化物、Ａｌ－Ｚｎ－Ｏ系金属酸化物、Ｚｎ－Ｍｇ－Ｏ系金
属酸化物、Ｓｎ－Ｍｇ－Ｏ系金属酸化物、Ｉｎ－Ｍｇ－Ｏ系金属酸化物、Ｉｎ－Ｏ系金属
酸化物、Ｓｎ－Ｏ系金属酸化物、Ｚｎ－Ｏ系金属酸化物などの金属酸化物のターゲットを
用いることができる。
【0081】
また、酸化物半導体層として、ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＞０）で表記される酸化物半
導体を有する薄膜を用いることもできる。ここで、Ｍは、Ｇａ、Ａｌ、ＭｎおよびＣｏか
ら選ばれた１つまたは複数の金属元素である。例えば、Ｍとして、Ｇａ、ＧａおよびＡｌ
、ＧａおよびＭｎ、もしくはＧａおよびＣｏが挙げられる。
導体を有する薄膜を用いることもできる。ここで、Ｍは、Ｇａ、Ａｌ、ＭｎおよびＣｏか
ら選ばれた１つまたは複数の金属元素である。例えば、Ｍとして、Ｇａ、ＧａおよびＡｌ
、ＧａおよびＭｎ、もしくはＧａおよびＣｏが挙げられる。
【0082】
成膜した酸化物半導体層は、第１のフォトリソグラフィ工程により島状の酸化物半導体層
４１２に加工される（図９（Ａ）参照）。その後、酸化物半導体層４１２から水素、水、
および水酸基などを除去するために、酸化物半導体層４１２が形成された基板４００を電
気炉に導入し、加熱処理する。この加熱処理は、酸化物半導体層４１２に対する脱水化ま
たは脱水素化の効果を奏する。
４１２に加工される（図９（Ａ）参照）。その後、酸化物半導体層４１２から水素、水、
および水酸基などを除去するために、酸化物半導体層４１２が形成された基板４００を電
気炉に導入し、加熱処理する。この加熱処理は、酸化物半導体層４１２に対する脱水化ま
たは脱水素化の効果を奏する。
【0083】
この加熱処理の温度は、４００℃以上７５０℃以下、好ましくは４００℃以上基板の歪み
点未満とする。また、この加熱処理の雰囲気は、水、水素などが含まれないようにする。
点未満とする。また、この加熱処理の雰囲気は、水、水素などが含まれないようにする。
【0084】
この加熱処理の後、連続して酸素雰囲気または窒素および酸素を含む雰囲気（例えば、窒
素：酸素の体積比＝４：１）で加熱処理するとよい。酸化物半導体層４１２中に生じた酸
素欠損を修復するためである。
素：酸素の体積比＝４：１）で加熱処理するとよい。酸化物半導体層４１２中に生じた酸
素欠損を修復するためである。
【0085】
図９（Ｂ）に、絶縁層４０７および酸化物半導体層４１２上に、第１の電極４１５ａおよ
び第２の電極４１５ｂを形成した状態を示す。第１の電極４１５ａは、ソース電極および
ドレイン電極の一方として機能する。第２の電極４１５ｂは、ソース電極およびドレイン
電極の他方として機能する。
び第２の電極４１５ｂを形成した状態を示す。第１の電極４１５ａは、ソース電極および
ドレイン電極の一方として機能する。第２の電極４１５ｂは、ソース電極およびドレイン
電極の他方として機能する。
【0086】
図９（Ｃ）に、絶縁層４０７、酸化物半導体層４１２、第１の電極４１５ａおよび第２の
電極４１５ｂ上にゲート絶縁層４０２を形成した状態を示す。なお、ゲート絶縁層４０２
の成膜雰囲気には、水素が含まれないようにするとよい。
電極４１５ｂ上にゲート絶縁層４０２を形成した状態を示す。なお、ゲート絶縁層４０２
の成膜雰囲気には、水素が含まれないようにするとよい。
【0087】
【0088】
図９（Ｅ）に、ゲート絶縁層４０２、開口４２１ａ、および開口４２１ｂ上に、ゲート電
極４１１、第１の配線層４１４ａおよび第２の配線層４１４ｂを形成した状態を示す。
極４１１、第１の配線層４１４ａおよび第２の配線層４１４ｂを形成した状態を示す。
【0089】
以上のように、真性または実質的に真性な酸化物半導体を用いたトランジスタを作製する
ことができる。
ことができる。
【符号の説明】
【0090】
１ 携帯電子機器
２ 携帯電子機器
１０ ディスプレイ
２０ 電源部
２１ アンテナ
２２ 整流回路
２３ 充電池
２４ ＤＣ－ＤＣコンバータ
２５ 太陽電池
３０ 信号処理部
３１ アンテナ
３２ ダウンコンバータ
３３ 信号処理回路
３４ ＮＶＭ
３５ ディスプレイコントローラ
４０ 充電器
４１ 送電コイル
５０ 配線
５１ 配線
５２ 配線
５３ 配線
５４ 配線
６０ 表示パネル
６１ 画素部
６２ ゲート信号線
６２Ｄ ゲート信号線駆動回路
６３ データ信号線
６３Ｄ データ信号線駆動回路
６４ 画素
６５ コモン電極
６６ 容量線
６７ 端子部
７１ トランジスタ
７２ トランジスタ
７３ 容量素子
７５ トランジスタ
７６ 液晶素子
７７ 保持容量
４００ 基板
４０２ ゲート絶縁層
４０７ 絶縁層
４１０ トランジスタ
４１１ ゲート電極
４１２ 酸化物半導体層
４１４ａ 配線層
４１４ｂ 配線層
４１５ａ 電極
４１５ｂ 電極
４２１ａ 開口
４２１ｂ 開口
２ 携帯電子機器
１０ ディスプレイ
２０ 電源部
２１ アンテナ
２２ 整流回路
２３ 充電池
２４ ＤＣ－ＤＣコンバータ
２５ 太陽電池
３０ 信号処理部
３１ アンテナ
３２ ダウンコンバータ
３３ 信号処理回路
３４ ＮＶＭ
３５ ディスプレイコントローラ
４０ 充電器
４１ 送電コイル
５０ 配線
５１ 配線
５２ 配線
５３ 配線
５４ 配線
６０ 表示パネル
６１ 画素部
６２ ゲート信号線
６２Ｄ ゲート信号線駆動回路
６３ データ信号線
６３Ｄ データ信号線駆動回路
６４ 画素
６５ コモン電極
６６ 容量線
６７ 端子部
７１ トランジスタ
７２ トランジスタ
７３ 容量素子
７５ トランジスタ
７６ 液晶素子
７７ 保持容量
４００ 基板
４０２ ゲート絶縁層
４０７ 絶縁層
４１０ トランジスタ
４１１ ゲート電極
４１２ 酸化物半導体層
４１４ａ 配線層
４１４ｂ 配線層
４１５ａ 電極
４１５ｂ 電極
４２１ａ 開口
４２１ｂ 開口
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【手続補正書】
【提出日】2024-10-22
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
ディスプレイと、第１のアンテナと、第２のアンテナと、メモリと、蓄電可能な電池と、を有し、
前記第１のアンテナは、非接触で電力を受電する機能を有し、
前記第１のアンテナで受電された前記電力は、前記蓄電可能な電池に充電され、
前記第２のアンテナは、データを受信する機能を有し、
前記ディスプレイは、第１のトランジスタを有し、
前記メモリは、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、を有し、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタは、チャネル領域にＩｎ－Ｏ系金属酸化物を有し、
前記第２のトランジスタは、チャネル領域にシリコンを有し、
前記第３のトランジスタは、チャネル領域にＩｎ－Ｏ系金属酸化物を有する、電子機器。
前記第１のアンテナは、非接触で電力を受電する機能を有し、
前記第１のアンテナで受電された前記電力は、前記蓄電可能な電池に充電され、
前記第２のアンテナは、データを受信する機能を有し、
前記ディスプレイは、第１のトランジスタを有し、
前記メモリは、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、を有し、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタは、チャネル領域にＩｎ－Ｏ系金属酸化物を有し、
前記第２のトランジスタは、チャネル領域にシリコンを有し、
前記第３のトランジスタは、チャネル領域にＩｎ－Ｏ系金属酸化物を有する、電子機器。
【請求項2】
ディスプレイと、第１のアンテナと、第２のアンテナと、メモリと、蓄電可能な電池と、を有し、
前記第１のアンテナは、非接触で電力を受電する機能を有し、
前記第１のアンテナで受電された前記電力は、前記蓄電可能な電池に充電され、
前記第２のアンテナは、データを受信する機能を有し、
前記ディスプレイは、第１のトランジスタを有し、
前記メモリは、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、を有し、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタは、チャネル領域にＩｎ－Ｏ系金属酸化物を有し、
前記第２のトランジスタは、チャネル領域にシリコンを有し、
前記第３のトランジスタは、チャネル領域にＩｎ－Ｏ系金属酸化物を有し、
前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタの少なくとも一方は、ゲート電極がチャネル領域の上方に位置する領域を有する、電子機器。
前記第１のアンテナは、非接触で電力を受電する機能を有し、
前記第１のアンテナで受電された前記電力は、前記蓄電可能な電池に充電され、
前記第２のアンテナは、データを受信する機能を有し、
前記ディスプレイは、第１のトランジスタを有し、
前記メモリは、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、を有し、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタは、チャネル領域にＩｎ－Ｏ系金属酸化物を有し、
前記第２のトランジスタは、チャネル領域にシリコンを有し、
前記第３のトランジスタは、チャネル領域にＩｎ－Ｏ系金属酸化物を有し、
前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタの少なくとも一方は、ゲート電極がチャネル領域の上方に位置する領域を有する、電子機器。