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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024178400
(43)【公開日】2024-12-24
(54)【発明の名称】接続構造及び接続構造の製造方法
(51)【国際特許分類】
H05K 1/14 20060101AFI20241217BHJP
【ＦＩ】
H05K1/14 A
【審査請求】有
【請求項の数】11
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2024166435
(22)【出願日】2024-09-25
(62)【分割の表示】P 2022581210の分割
【原出願日】2021-12-15
(31)【優先権主張番号】P 2021022031
(32)【優先日】2021-02-15
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000006231
【氏名又は名称】株式会社村田製作所
(74)【代理人】
【識別番号】110000914
【氏名又は名称】弁理士法人ＷｉｓｅＰｌｕｓ
(72)【発明者】
【氏名】大塚 悠真
(72)【発明者】
【氏名】藤田 頌
(57)【要約】 （修正有）
【課題】各基板電極の接続不良が生じにくく、信頼性が高い接続構造を提供する。
【解決手段】第１熱可塑性樹脂を含む第１基板１０と、第２熱可塑性樹脂を含む第２基板２０の電極接続において、第１基板電極１１（第１主面１０ａに環状配置される場合を除く）と、第２基板電極２１（第４主面２０ｄに環状配置される場合を除く）とを接合する導電性の接合材３０と、上記第１基板電極１１が配置された部分以外の上記第１主面１０ａと、上記第２基板電極２１が配置された部分以外の上記第４主面２０ｄとを電極接着する、絶縁性の接着剤４０とを含み、上記接合材３０の接合温度は、上記第１熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低く、かつ、上記第２熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低く、上記接着剤４０の接着温度は、上記第１熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低く、かつ、上記第２熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低い。
【選択図】図１
【解決手段】第１熱可塑性樹脂を含む第１基板１０と、第２熱可塑性樹脂を含む第２基板２０の電極接続において、第１基板電極１１（第１主面１０ａに環状配置される場合を除く）と、第２基板電極２１（第４主面２０ｄに環状配置される場合を除く）とを接合する導電性の接合材３０と、上記第１基板電極１１が配置された部分以外の上記第１主面１０ａと、上記第２基板電極２１が配置された部分以外の上記第４主面２０ｄとを電極接着する、絶縁性の接着剤４０とを含み、上記接合材３０の接合温度は、上記第１熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低く、かつ、上記第２熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低く、上記接着剤４０の接着温度は、上記第１熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低く、かつ、上記第２熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低い。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１主面と、前記第１主面に対向する第２主面とを有し、第１熱可塑性樹脂を含む第１基板と、
前記第１主面に配置された第１基板電極（但し、前記第１主面に前記第１基板電極が環状に配置される場合を除く）と、
第３主面と、前記第３主面に対向し、かつ、前記第１主面と対面する第４主面とを有し、第２熱可塑性樹脂を含む第２基板と、
前記第４主面に配置された第２基板電極（但し、前記第４主面に前記第２基板電極が環状に配置される場合を除く）と、
前記第１基板電極と前記第２基板電極とを接合する、導電性を有する接合材と、
前記第１基板電極が配置された部分以外の前記第１主面と、前記第２基板電極が配置された部分以外の前記第４主面とを接着する、絶縁性を有する接着剤とを含み、
前記接合材の接合温度は、前記第１熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低く、かつ、前記第２熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低く、
前記接着剤の接着温度は、前記第１熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低く、かつ、前記第２熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低い、接続構造。
前記第１主面に配置された第１基板電極（但し、前記第１主面に前記第１基板電極が環状に配置される場合を除く）と、
第３主面と、前記第３主面に対向し、かつ、前記第１主面と対面する第４主面とを有し、第２熱可塑性樹脂を含む第２基板と、
前記第４主面に配置された第２基板電極（但し、前記第４主面に前記第２基板電極が環状に配置される場合を除く）と、
前記第１基板電極と前記第２基板電極とを接合する、導電性を有する接合材と、
前記第１基板電極が配置された部分以外の前記第１主面と、前記第２基板電極が配置された部分以外の前記第４主面とを接着する、絶縁性を有する接着剤とを含み、
前記接合材の接合温度は、前記第１熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低く、かつ、前記第２熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低く、
前記接着剤の接着温度は、前記第１熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低く、かつ、前記第２熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低い、接続構造。
【請求項2】
前記接着剤は、ポリオレフィン樹脂を含む請求項１に記載の接続構造。
【請求項3】
前記接着剤の誘電率は、前記第１熱可塑性樹脂の誘電率及び前記第２熱可塑性樹脂の誘電率よりも低い請求項１又は２に記載の接続構造。
【請求項4】
前記接合材は、金属ナノ粒子を含む導電性ペーストの焼結体であり、前記接合材の接合温度は、前記金属ナノ粒子の焼結温度である請求項１～３のいずれかに記載の接続構造。
【請求項5】
前記接合材は、鉛フリーはんだであり、前記接合材の接合温度は、前記鉛フリーはんだの融点である請求項１～３のいずれかに記載の接続構造。
【請求項6】
前記接合材は、導電性粒子及び熱硬化性樹脂を含む導電性接着剤であり、前記接合材の接合温度は、前記熱硬化性樹脂の熱硬化温度である請求項１～３のいずれかに記載の接続構造。
【請求項7】
前記第１基板を含む複数の基板が積層された第１基板ブロックと、前記第２基板を含む複数の基板が積層された第２基板ブロックとが接続されている請求項１～６のいずれかに記載の接続構造。
【請求項8】
前記第１基板ブロックの前記第１基板には、複数の基板が積層された第３基板ブロックがさらに接続されている請求項７に記載の接続構造。
【請求項9】
前記第３基板ブロックは、第５主面と、前記第５主面に対向し、かつ、前記第１主面と対面する第６主面とを有し、第３熱可塑性樹脂を含む第３基板と、前記第６主面に配置された第３基板電極とを含み、
前記第１基板電極と前記第３基板電極とは、前記接合材により接合されており、
前記第１基板電極が配置された部分以外の前記第１主面と、前記第３基板電極が配置された部分以外の前記第６主面とは、前記接着剤により接着されており、
前記接合材の接合温度は、第１熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低く、かつ前記第３熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低く、
前記接着剤の接着温度は、第１熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低く、かつ、前記第３熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低い請求項８に記載の接続構造。
前記第１基板電極と前記第３基板電極とは、前記接合材により接合されており、
前記第１基板電極が配置された部分以外の前記第１主面と、前記第３基板電極が配置された部分以外の前記第６主面とは、前記接着剤により接着されており、
前記接合材の接合温度は、第１熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低く、かつ前記第３熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低く、
前記接着剤の接着温度は、第１熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低く、かつ、前記第３熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低い請求項８に記載の接続構造。
【請求項10】
第１主面と、前記第１主面に対向する第２主面とを有し、前記第１主面に第１基板電極を備え、第１熱可塑性樹脂を含む第１基板（但し、前記第１主面に前記第１基板電極が環状に配置される場合を除く）を準備する第１基板準備工程と、
第３主面と、前記第３主面に対向する第４主面とを有し、前記第４主面に第２基板電極を備え、第２熱可塑性樹脂を含む第２基板（但し、前記第４主面に前記第２基板電極が環状に配置される場合を除く）を準備する第２基板準備工程と、
前記第１基板電極と前記第２基板電極とを導電性を有する接合材により接合する接合工程と、
前記第１基板電極が配置された部分以外の前記第１主面と、前記第２基板電極が配置された部分以外の前記第４主面とを絶縁性を有する接着剤により接着する接着工程とを含み、
前記接合工程は、前記第１熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低く、かつ、前記第２熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低い温度で行われ、
前記接着工程は、前記第１熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低く、かつ、前記第２熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低い温度で行われる、接続構造の製造方法。
第３主面と、前記第３主面に対向する第４主面とを有し、前記第４主面に第２基板電極を備え、第２熱可塑性樹脂を含む第２基板（但し、前記第４主面に前記第２基板電極が環状に配置される場合を除く）を準備する第２基板準備工程と、
前記第１基板電極と前記第２基板電極とを導電性を有する接合材により接合する接合工程と、
前記第１基板電極が配置された部分以外の前記第１主面と、前記第２基板電極が配置された部分以外の前記第４主面とを絶縁性を有する接着剤により接着する接着工程とを含み、
前記接合工程は、前記第１熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低く、かつ、前記第２熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低い温度で行われ、
前記接着工程は、前記第１熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低く、かつ、前記第２熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低い温度で行われる、接続構造の製造方法。
【請求項11】
前記接合工程と前記接着工程とを同時に行う請求項１０に記載の接続構造の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、接続構造及び接続構造の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、ＰＣ、デジタル家電等の電気機器分野や、自動車分野等においては、製品の小型化、高性能化が進んでいる。それに伴い、この種の製品における重要な電気的部品であるマザーボードの小型化や高密度化が望まれており、マザーボード上に実装される各種部品の小型化も望まれている。このような各種部品の中には、ＩＣチップ等の電子部品を実装するための基板が含まれている。このような基板として、例えば、複数枚が積層された多層基板が使用されている。
【0003】
特許文献１には、各基板に配置された表面導体同士を電気的に接続するために、各基板を接着する接着層内に導体部を設けた複合配線基板構造体が開示されている。
具体的には、特許文献１には、第１主面及び第２主面を有し、前記第１主面側に半導体回路素子が接続可能な素子搭載部が設定された第１基板と、前記第１基板の前記第２主面側に、接着層を介して接合された第２基板とを備え、前記第１基板の導体部と導通する第１表面導体と、前記第２基板の導体部と導通する第２表面導体とが、前記接着層内の導体部を介して互いに電気的に接続されていることを特徴とする複合配線基板構造体が開示されている。
具体的には、特許文献１には、第１主面及び第２主面を有し、前記第１主面側に半導体回路素子が接続可能な素子搭載部が設定された第１基板と、前記第１基板の前記第２主面側に、接着層を介して接合された第２基板とを備え、前記第１基板の導体部と導通する第１表面導体と、前記第２基板の導体部と導通する第２表面導体とが、前記接着層内の導体部を介して互いに電気的に接続されていることを特徴とする複合配線基板構造体が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２００６－２３７２３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
特許文献１では、基板同士を接着する接着層として、液晶ポリマー、熱可塑性ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトンが用いられており、基板同士を接着する際には熱圧着が行われる。
【0006】
しかしながら、接続しようとする各基板が、熱可塑性樹脂を含むフレキシブル基板であり、これらの基板を熱圧着で接着する場合、熱によりフレキシブル基板が柔らかくなり、基板に配置された配線パターンや基板電極が、ずれたり、沈み込んだりして接続不良が発生しやすくなる。
【0007】
本発明は、上記の問題を解決するためになされたものであり、各基板を接着し、かつ、各基板に配置された各基板電極を接合する接続構造であって、各基板電極の接続不良が生じにくく、信頼性が高い接続構造を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明の接続構造は、第１主面と、上記第１主面に対向する第２主面とを有し、第１熱可塑性樹脂を含む第１基板と、上記第１主面に配置された第１基板電極と、第３主面と、上記第３主面に対向し、かつ、上記第１主面と対面する第４主面とを有し、第２熱可塑性樹脂を含む第２基板と、上記第４主面に配置された第２基板電極と、上記第１基板電極と上記第２基板電極とを接合する、導電性を有する接合材と、上記第１基板電極が配置された部分以外の上記第１主面と、上記第２基板電極が配置された部分以外の上記第４主面とを接着する、絶縁性を有する接着剤とを含み、上記接合材の接合温度は、上記第１熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低く、かつ、上記第２熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低く、上記接着剤の接着温度は、上記第１熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低く、かつ、上記第２熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低い。
【0009】
本発明の接続構造の製造方法は、第１主面と、上記第１主面に対向する第２主面とを有し、上記第１主面に第１基板電極を備え、第１熱可塑性樹脂を含む第１基板を準備する第１基板準備工程と、第３主面と、上記第３主面に対向する第４主面とを有し、上記第４主面に第２基板電極を備え、第２熱可塑性樹脂を含む第２基板を準備する第２基板準備工程と、上記第１基板電極と上記第２基板電極とを導電性を有する接合材により接合する接合工程と、上記第１基板電極が配置された部分以外の上記第１主面と、上記第２基板電極が配置された部分以外の上記第４主面とを絶縁性を有する接着剤により接着する接着工程とを含み、上記接合工程は、上記第１熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低く、かつ、上記第２熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低い温度で行われ、上記接着工程は、上記第１熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低く、かつ、上記第２熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低い温度で行われる。
【発明の効果】
【0010】
本発明によれば、各基板を接着し、かつ、各基板に配置された各基板電極を接合する接続構造であって、各基板電極の接続不良が生じにくく、信頼性が高い接続構造を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0011】
【発明を実施するための形態】
【0012】
以下、本発明の接続構造について説明する。
しかしながら、本発明は、以下の構成に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において適宜変更して適用することができる。なお、以下において記載する本発明の個々の望ましい構成を２つ以上組み合わせたものもまた本発明である。
しかしながら、本発明は、以下の構成に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において適宜変更して適用することができる。なお、以下において記載する本発明の個々の望ましい構成を２つ以上組み合わせたものもまた本発明である。
【0013】
以下に示す各実施形態は例示であり、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換又は組み合わせが可能であることは言うまでもない。第２実施形態以降では、第１実施形態と共通の事項についての記述は省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については、実施形態毎には逐次言及しない。
【0014】
以下に示す図面は模式的なものであり、その寸法や縦横比の縮尺などは実際の製品とは異なる場合がある。
【0015】
［第１実施形態］
図１は、本発明の接続構造の一例を模式的に示す断面図である。
図１は、本発明の接続構造の一例を模式的に示す断面図である。
【0016】
図１に記載の接続構造１は、第１主面１０ａと、第１主面１０ａに対向する第２主面１０ｂとを有し、第１熱可塑性樹脂を含む第１基板１０と、第３主面２０ｃと、第３主面２０ｃに対向し、かつ、第１主面１０ａと対面する第４主面２０ｄとを有し、第２熱可塑性樹脂を含む第２基板２０とを含む。
また、第１主面１０ａには、第１基板電極１１が配置されており、第４主面２０ｄには第２基板電極２１が配置されている。
また、第１主面１０ａには、第１基板電極１１が配置されており、第４主面２０ｄには第２基板電極２１が配置されている。
【0017】
そして、第１基板電極１１と第２基板電極２１とは、導電性を有する接合材３０により接合されている。なお、接続構造１では、第１基板電極１１及び第２基板電極２１は、互いに同じ大きさであり、厚さ方向から見たときに両者が一致して重なるように接合されている。
【0018】
さらに、第１基板電極１１が配置された部分以外の第１主面１０ａと、第２基板電極２１が配置された部分以外の第４主面２０ｄとは、絶縁性を有する接着剤４０により接着されている。
【0019】
また、接続構造１では、接合材３０の接合温度は、第１熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低く、かつ、第２熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低い。
また、接続構造１では、接着剤４０の接着温度は、第１熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低く、かつ、第２熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低い。
また、接続構造１では、接着剤４０の接着温度は、第１熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低く、かつ、第２熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低い。
【0020】
接続構造１を製造する場合、第１基板電極１１と第２基板電極２１との間に接合材３０を配置し、第１基板電極１１が配置された部分以外の第１主面１０ａと第２基板電極２１が配置された部分以外の第４主面２０ｄとの間に接着剤４０を配置し、第１基板１０及び第２基板２０に熱を加えこれらを接続する。
【0021】
接続構造１では、接合材３０の接合温度は、第１熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低く、かつ、第２熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低い。
そのため、第１熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低い温度、かつ、第２熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低い温度で、接合材３０により第１基板電極１１及び第２基板電極２１を接合することができる。つまり、第１熱可塑性樹脂及び第２熱可塑性樹脂が溶融又は軟化する前に、第１基板電極１１と第２基板電極２１とを接合材３０により接続することができる。
その結果、第１基板電極１１及び第２基板電極２１が、それぞれ、第１基板１０及び第２基板２０の配置位置からずれたり沈み込んだりしにくくなる。
そのため、第１熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低い温度、かつ、第２熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低い温度で、接合材３０により第１基板電極１１及び第２基板電極２１を接合することができる。つまり、第１熱可塑性樹脂及び第２熱可塑性樹脂が溶融又は軟化する前に、第１基板電極１１と第２基板電極２１とを接合材３０により接続することができる。
その結果、第１基板電極１１及び第２基板電極２１が、それぞれ、第１基板１０及び第２基板２０の配置位置からずれたり沈み込んだりしにくくなる。
【0022】
また、接続構造１では、接着剤４０の接着温度は、第１熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低く、かつ、第２熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低い。
そのため、第１熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低い温度、かつ、第２熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低い温度で、接着剤４０により第１主面１０ａと第４主面２０ｄとを接着することができる。つまり、第１熱可塑性樹脂及び第２熱可塑性樹脂が溶融又は軟化する前に、第１主面１０ａと第４主面２０ｄとを接着することができる。
その結果、第１基板電極１１及び第２基板電極２１が、それぞれ、第１基板１０及び第２基板２０の配置位置からずれたり沈み込んだりしにくくなる。
すなわち、接続構造１では、第１基板電極１１及び第２基板電極２１が、それぞれ第１基板１０及び第２基板２０に沈み込んでおらず、周囲と同じ高さを維持している。
そのため、第１熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低い温度、かつ、第２熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低い温度で、接着剤４０により第１主面１０ａと第４主面２０ｄとを接着することができる。つまり、第１熱可塑性樹脂及び第２熱可塑性樹脂が溶融又は軟化する前に、第１主面１０ａと第４主面２０ｄとを接着することができる。
その結果、第１基板電極１１及び第２基板電極２１が、それぞれ、第１基板１０及び第２基板２０の配置位置からずれたり沈み込んだりしにくくなる。
すなわち、接続構造１では、第１基板電極１１及び第２基板電極２１が、それぞれ第１基板１０及び第２基板２０に沈み込んでおらず、周囲と同じ高さを維持している。
【0023】
接続構造１は上記構成を有するので、第１基板電極１１及び第２基板電極２１が、それぞれ、第１基板１０及び第２基板２０の配置位置からずれたり沈み込んだりすることに起因する、第１基板電極１１及び第２基板電極２１の接続不良が生じにくい。
【0024】
以下、接続構造１の各構成について詳述する。
【0025】
（第１基板及び第２基板）
第１基板１０は、第１基板電極１１が配置でき、第１熱可塑性樹脂を含めばどのような基板であってもよいが、フレキシブル基板であることが好ましい。
第１基板１０は、第１基板電極１１が配置でき、第１熱可塑性樹脂を含めばどのような基板であってもよいが、フレキシブル基板であることが好ましい。
【0026】
本明細書において、「第１熱可塑性樹脂」とは、熱を加えることにより、溶融又は軟化する性質を有する樹脂を意味する。
【0027】
第１熱可塑性樹脂が熱を加えることにより溶融する場合、その融点は、１５０℃以上、３５０℃以下であることが好ましく、２００℃以上、３５０℃以下であることがより好ましい。
また、第１熱可塑性樹脂が熱を加えることにより軟化する場合、そのガラス転移温度は、１００℃以上、３５０℃以下であることが好ましく、１５０℃以上、３５０℃以下であることがより好ましい。
また、第１熱可塑性樹脂が熱を加えることにより軟化する場合、そのガラス転移温度は、１００℃以上、３５０℃以下であることが好ましく、１５０℃以上、３５０℃以下であることがより好ましい。
【0028】
なお、本明細書において、第１熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度とは、ＪＩＳ Ｋ７１２１における示差走査熱量測定（ＤＳＣ）に準拠して測定した値を意味する。
また、第１熱可塑性樹脂が複数の樹脂を含む場合、「第１熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度」とは、第１熱可塑性樹脂に含まれる質量割合が最も大きい樹脂の融点又はガラス転移温度を意味する。
第１熱可塑性樹脂に含まれる質量割合が最も大きい樹脂が複数種ある場合、「第１熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度」とは、それらの樹脂の融点又はガラス転移温度の平均値を意味する。
第１熱可塑性樹脂が複数の樹脂を含む場合、各樹脂の質量割合及び種類は、フーリエ変換赤外分光法（Ｆｏｕｒｉｅｒ Ｔｒａｎｓｆｏｒｍ Ｉｎｆｒａｒｅｄ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ：ＦＴ－ＩＲ）、ガスクロマトグラフ質量分析法（Ｇａｓ Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ－Ｍａｓｓ ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ：ＧＣ－ＭＳ）等の方法により測定することができる。
また、第１熱可塑性樹脂が複数の樹脂を含む場合、「第１熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度」とは、第１熱可塑性樹脂に含まれる質量割合が最も大きい樹脂の融点又はガラス転移温度を意味する。
第１熱可塑性樹脂に含まれる質量割合が最も大きい樹脂が複数種ある場合、「第１熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度」とは、それらの樹脂の融点又はガラス転移温度の平均値を意味する。
第１熱可塑性樹脂が複数の樹脂を含む場合、各樹脂の質量割合及び種類は、フーリエ変換赤外分光法（Ｆｏｕｒｉｅｒ Ｔｒａｎｓｆｏｒｍ Ｉｎｆｒａｒｅｄ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ：ＦＴ－ＩＲ）、ガスクロマトグラフ質量分析法（Ｇａｓ Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ－Ｍａｓｓ ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ：ＧＣ－ＭＳ）等の方法により測定することができる。
【0029】
第１熱可塑性樹脂としては、特に限定されず、例えば、液晶ポリマー（融点：２４０～３２０℃程度）；ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）（融点：３３０℃程度）、パーフルオロアルコキシアルカン（ＰＦＡ）（融点：３１０℃程度）等のフッ素系樹脂；ポリイミド（ＰＩ）（ガラス転移温度：２５０℃程度）；ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）（ガラス転移温度：２００℃程度）；シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）（融点：２３０℃程度）等であってもよい。
これらの樹脂は常温において柔軟性を有するので、これらの樹脂を用いることにより第１基板をフレキシブル基板にしやすくなる。
また、これらの樹脂は誘電率が低いので、これらの樹脂を含む第１基板１０では、伝送損失を低減することができる。
これらの樹脂は常温において柔軟性を有するので、これらの樹脂を用いることにより第１基板をフレキシブル基板にしやすくなる。
また、これらの樹脂は誘電率が低いので、これらの樹脂を含む第１基板１０では、伝送損失を低減することができる。
【0030】
第１熱可塑性樹脂の誘電率は、３．５以下であることが好ましく、２．０以上、３．０以下であることがより好ましい。
なお、本明細書において誘電率は、比誘電率（εｒ）のことを意味する。
なお、本明細書において誘電率は、比誘電率（εｒ）のことを意味する。
【0031】
なお、第１基板１０に含まれる第１熱可塑性樹脂は、１種類であってもよく、２種類以上であってもよい。
【0032】
第２基板２０は、第２基板電極２１が配置でき、第２熱可塑性樹脂を含めばどのような基板であってもよいが、フレキシブル基板であることが好ましい。
【0033】
本明細書において、「第２熱可塑性樹脂」とは、熱を加えることにより、溶融又は軟化する性質を有する樹脂を意味する。
【0034】
第２熱可塑性樹脂の好ましい融点又はガラス転移温度、好ましい種類、好ましい誘電率等は、上記第１熱可塑性樹脂の好ましい融点又はガラス転移温度、好ましい種類、好ましい誘電率等と同じである。
なお、第２基板２０に含まれる第２熱可塑性樹脂は、１種類であってもよく、２種類以上であってもよい。
なお、第２基板２０に含まれる第２熱可塑性樹脂は、１種類であってもよく、２種類以上であってもよい。
【0035】
接続構造１において、第１熱可塑性樹脂と第２熱可塑性樹脂とは同じ種類の樹脂であってもよく、異なる種類の樹脂であってもよい。
【0036】
第１基板１０は、第１熱可塑性樹脂以外に、ケイ素化合物、窒素化合物等を含んでいてもよい。
また、第２基板２０は、第２熱可塑性樹脂以外に、ケイ素化合物、窒素化合物等を含んでいてもよい。
第１基板１０と第２基板２０とは同じ組成であってもよく、異なる組成であってもよい。
また、第２基板２０は、第２熱可塑性樹脂以外に、ケイ素化合物、窒素化合物等を含んでいてもよい。
第１基板１０と第２基板２０とは同じ組成であってもよく、異なる組成であってもよい。
【0037】
接続構造１では、第１基板１０と第２基板２０とが同じ大きさであり、第１主面１０ａと第４主面２０ｄとが厚さ方向から見たときに一致して重なるように第１基板１０及び第２基板２０が積層されていることが好ましい。
しかし、本発明の接続構造では、第１基板及び第２基板は、厚さ方向から見たときに少なくとも一部が重なるように接合されていてもよい。また、本発明の接続構造では、一方の基板が他方の基板よりも大きく、厚さ方向から見たときに一方の基板が他方の基板の全体と重なるように接合されていてもよく、少なくとも一部が重なるように接合されていてもよい。
しかし、本発明の接続構造では、第１基板及び第２基板は、厚さ方向から見たときに少なくとも一部が重なるように接合されていてもよい。また、本発明の接続構造では、一方の基板が他方の基板よりも大きく、厚さ方向から見たときに一方の基板が他方の基板の全体と重なるように接合されていてもよく、少なくとも一部が重なるように接合されていてもよい。
【0038】
（第１基板電極及び第２基板電極）
第１基板電極１１及び第２基板電極２１は接合材３０を介して互いに接合できれば、どのような材料から形成されていてもよく、どのような形状であってもよい。
第１基板電極１１及び第２基板電極２１は接合材３０を介して互いに接合できれば、どのような材料から形成されていてもよく、どのような形状であってもよい。
【0039】
第１基板電極１１及び第２基板電極２１は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の金属を含む導電部材から形成されていていることが好ましい。
接続構造１において、第１基板電極１１及び第２基板電極２１は、同じ材料から形成されていてもよく、異なる材料から形成されていてもよい。
接続構造１において、第１基板電極１１及び第２基板電極２１は、同じ材料から形成されていてもよく、異なる材料から形成されていてもよい。
【0040】
第１基板電極１１及び第２基板電極２１の接合材３０との接触面には、Ｚｎ／Ｃｒなどの金属防錆層、シランカップリング剤などによる有機防錆層が形成されていてもよい。
また、当該接触面には、プリフラックス処理がされていてもよく、Ｎｉめっき、Ｎｉ／Ａｕめっき、Ｎｉ／Ａｇめっき等のめっき処理がされていてもよい。
また、当該接触面には、プリフラックス処理がされていてもよく、Ｎｉめっき、Ｎｉ／Ａｕめっき、Ｎｉ／Ａｇめっき等のめっき処理がされていてもよい。
【0041】
第１基板電極１１及び第２基板電極２１は、フォトリソグラフィ、印刷、インクジェット、めっき等の方法によりパターン形成されていることが好ましい。
【0042】
なお、接続構造１では、第１基板電極１１及び第２基板電極２１は、互いに同じ大きさであり、厚さ方向から見たときに両者が一致して重なるように接合されている。
しかし、本発明の接続構造では、第１基板電極及び第２基板電極は、厚さ方向から見たときに少なくとも一部が重なるように接合されていてもよい。また、本発明の接続構造では、一方の基板電極が他方の基板電極よりも大きく、厚さ方向から見たときに一方の基板電極が他方の基板電極の全体と重なるように接合されていてもよく、少なくとも一部が重なるように接合されていてもよい。
しかし、本発明の接続構造では、第１基板電極及び第２基板電極は、厚さ方向から見たときに少なくとも一部が重なるように接合されていてもよい。また、本発明の接続構造では、一方の基板電極が他方の基板電極よりも大きく、厚さ方向から見たときに一方の基板電極が他方の基板電極の全体と重なるように接合されていてもよく、少なくとも一部が重なるように接合されていてもよい。
【0043】
（接合材）
接合材３０は、導電性を有し、接合温度において第１基板電極１１と、第２基板電極２１とを接合できれば、特に限定されず、例えば、金属ナノ粒子を含む導電性ペーストの焼結体、鉛フリーはんだ、導電性粒子及び熱硬化性樹脂を含む導電性接着剤等であってもよい。
接合材３０は、導電性を有し、接合温度において第１基板電極１１と、第２基板電極２１とを接合できれば、特に限定されず、例えば、金属ナノ粒子を含む導電性ペーストの焼結体、鉛フリーはんだ、導電性粒子及び熱硬化性樹脂を含む導電性接着剤等であってもよい。
【0044】
なお、本明細書において「接合材の接合温度」とは、接合材３０が軟化や硬化等の性質変化を起こし、第１基板電極１１と第２基板電極２１とを接合できるようになる温度を意味する。
【0045】
接合材３０が金属ナノ粒子を含む導電性ペーストの焼結体である場合、「接合材の接合温度」は金属ナノ粒子の焼結温度を意味する。
金属ナノ粒子の焼結温度は、１５０℃以下であることが好ましく、１００℃以上、１５０℃以下であることがより好ましい。
金属ナノ粒子の焼結温度は、１５０℃以下であることが好ましく、１００℃以上、１５０℃以下であることがより好ましい。
【0046】
金属ナノ粒子としては、特に限定されず、例えば、Ａｇナノ粒子、Ａｕナノ粒子、Ｃｕナノ粒子、Ｎｉナノ粒子等が挙げられる。
【0047】
接合材３０が鉛フリーはんだである場合、「接合材の接合温度」は鉛フリーはんだの融点を意味する。
鉛フリーはんだの融点は、１５０℃以下であることが好ましく、１４０℃以下であることがより好ましい。また、鉛フリーはんだの融点は１００℃以上であることが好ましい。
鉛フリーはんだの融点は、１５０℃以下であることが好ましく、１４０℃以下であることがより好ましい。また、鉛フリーはんだの融点は１００℃以上であることが好ましい。
【0048】
鉛フリーはんだとしては、特に限定されず、２種以上の導体性金属からなる鉛フリーはんだが好ましく、Ｓｎ－Ｂｉ－Ｓｂ－Ｎｉ系の鉛フリーはんだ（融点：１４０℃）、Ｓｎ－Ｂｉ系の鉛フリーはんだ（融点：１３９℃）等がより好ましい。
【0049】
接合材３０が導電性粒子及び熱硬化性樹脂を含む導電性接着剤である場合、「接合材の接合温度」は熱硬化性樹脂の熱硬化温度を意味する。
熱硬化性樹脂の熱硬化温度は、１５０℃以下であることが好ましく、１００℃以上、１５０℃以下であることがより好ましい。
熱硬化性樹脂の熱硬化温度は、１５０℃以下であることが好ましく、１００℃以上、１５０℃以下であることがより好ましい。
【0050】
導電性粒子としては、金属であるＣｕ粒子、Ａｇ粒子、非金属である炭素粒子等が挙げられる。
熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂（硬化温度：８０～１５０℃）、シリコーン樹脂（硬化温度：１００～１５０℃）等が挙げられる。
熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂（硬化温度：８０～１５０℃）、シリコーン樹脂（硬化温度：１００～１５０℃）等が挙げられる。
【0051】
接合材３０の厚さは、特に限定されないが、５μｍ以上、５０μｍ以下であることが好ましい。
【0052】
（接着剤）
接着剤４０は、絶縁性を有し、接着温度において第１主面１０ａと第４主面２０ｄとを接着できれば、その組成は特に限定されない。
例えば、接着剤４０は、ポリオレフィン樹脂を含む接着剤等であってもよい。
ポリオレフィン樹脂としては、エチレン、プロピレンなどの炭素数２以上、４以下のアルケンが重合したポリオレフィン樹脂が好ましい。また、ポリオレフィン樹脂は、不飽和カルボン酸成分により酸変性した酸変性ポリオレフィン樹脂であってもよい。不飽和カルボン酸成分としてはアクリル酸、メタクリル酸などが好ましく、なかでもメタクリル酸がより好ましい。
接着剤４０は、ポリオレフィン樹脂を１種で含んでいてもよく、２種以上を含んでいてもよい。
接着剤４０は、絶縁性を有し、接着温度において第１主面１０ａと第４主面２０ｄとを接着できれば、その組成は特に限定されない。
例えば、接着剤４０は、ポリオレフィン樹脂を含む接着剤等であってもよい。
ポリオレフィン樹脂としては、エチレン、プロピレンなどの炭素数２以上、４以下のアルケンが重合したポリオレフィン樹脂が好ましい。また、ポリオレフィン樹脂は、不飽和カルボン酸成分により酸変性した酸変性ポリオレフィン樹脂であってもよい。不飽和カルボン酸成分としてはアクリル酸、メタクリル酸などが好ましく、なかでもメタクリル酸がより好ましい。
接着剤４０は、ポリオレフィン樹脂を１種で含んでいてもよく、２種以上を含んでいてもよい。
【0053】
なお、接着剤４０はレジストの一部としても機能する。そのため、接着剤４０は、各基板電極間のショートを防ぐ役割も果たす。
【0054】
接着剤４０は、ポリオレフィン樹脂以外にもウレタン樹脂、メラミン樹脂等を含んでいてもよい。
【0055】
接着剤４０に含まれるポリオレフィン樹脂の割合は、５０重量％以上、９５重量％以下であることが好ましい。
【0056】
また、接着剤４０は、エポキシ樹脂等のアンダーフィル材からなっていてもよい。
【0057】
なお、本明細書において「接着剤の接着温度」とは、接着剤４０が軟化や硬化等の性質変化を起こし、第１主面１０ａと第４主面２０ｄとを接着できるようになる温度を意味する。
例えば、接着剤４０がポリオレフィン樹脂を含む接着剤である場合、「接着剤の接着温度」とは、ポリオレフィン樹脂の融点又はガラス転移温度を意味する。
樹脂の融点又はガラス転移温度は、１５０℃以下であることが好ましく、８０℃以上、１５０℃以下であることがより好ましい。
なお、樹脂の融点又はガラス転移温度とは、ＪＩＳ Ｋ７１２１における示差走査熱量測定（ＤＳＣ）に準拠して測定した値を意味する。
接着剤４０が複数の樹脂を含む場合、「接着剤の接着温度」とは、接着剤４０に含まれる質量割合が最も大きい樹脂の融点又はガラス転移温度を意味する。
接着剤４０に含まれる質量割合が最も大きい樹脂が複数種ある場合、「接着剤の接着温度」とは、それらの樹脂の融点又はガラス転移温度の平均値を意味する。
接着剤４０が複数の樹脂を含む場合、各樹脂の質量割合及び種類は、ＦＴ－ＩＲ、ＧＣ－ＭＳ等の方法により測定することができる。
例えば、接着剤４０がポリオレフィン樹脂を含む接着剤である場合、「接着剤の接着温度」とは、ポリオレフィン樹脂の融点又はガラス転移温度を意味する。
樹脂の融点又はガラス転移温度は、１５０℃以下であることが好ましく、８０℃以上、１５０℃以下であることがより好ましい。
なお、樹脂の融点又はガラス転移温度とは、ＪＩＳ Ｋ７１２１における示差走査熱量測定（ＤＳＣ）に準拠して測定した値を意味する。
接着剤４０が複数の樹脂を含む場合、「接着剤の接着温度」とは、接着剤４０に含まれる質量割合が最も大きい樹脂の融点又はガラス転移温度を意味する。
接着剤４０に含まれる質量割合が最も大きい樹脂が複数種ある場合、「接着剤の接着温度」とは、それらの樹脂の融点又はガラス転移温度の平均値を意味する。
接着剤４０が複数の樹脂を含む場合、各樹脂の質量割合及び種類は、ＦＴ－ＩＲ、ＧＣ－ＭＳ等の方法により測定することができる。
【0058】
このような接着剤４０を用いることで、第１基板１０及び第２基板２０の密着強度を向上させることができる。
【0059】
接着剤４０の厚さは、特に限定されないが、３０μｍ以上、８０μｍ以下であることが好ましい。
【0060】
接続構造１では、接着剤４０の誘電率は、第１熱可塑性樹脂の誘電率及び第２熱可塑性樹脂の誘電率より低いことが好ましい。
また、接着剤４０の誘電率は、３．５以下であることが好ましく、２．０以上、３．０以下であることがより好ましい。
このような低誘電率の接着剤４０を用いて、第１主面１０ａ及び第４主面２０ｄを接着すると、接続構造１全体での伝送損失を低減することができる。
また、接着剤４０の誘電率は、３．５以下であることが好ましく、２．０以上、３．０以下であることがより好ましい。
このような低誘電率の接着剤４０を用いて、第１主面１０ａ及び第４主面２０ｄを接着すると、接続構造１全体での伝送損失を低減することができる。
【0061】
接続構造１では、接着剤４０の吸水率は、１％以下であることが好ましく、０．１％以下であることがより好ましい。
このような低吸水率の接着剤４０を用いて第１主面１０ａ及び第４主面２０ｄを接着すると、接着剤４０が空気中の水分を吸収しにくくなる。そのため、吸湿により接続構造１の全体で信頼性が低下することを抑制することができる。
このような低吸水率の接着剤４０を用いて第１主面１０ａ及び第４主面２０ｄを接着すると、接着剤４０が空気中の水分を吸収しにくくなる。そのため、吸湿により接続構造１の全体で信頼性が低下することを抑制することができる。
【0062】
接続構造１において、接着剤４０の構造及び成分はフーリエ変換赤外分光法（ＦＴ－ＩＲ）及びガスクロマトグラフ質量分析計（ＧＣ－ＭＳ）を用いることで判別することができる。
【0063】
接続構造１では、第１熱可塑性樹脂の線膨張係数と、第１基板電極の線膨張係数との比は、第１熱可塑性樹脂の線膨張係数／第１基板電極の線膨張係数＝０．８以上、１．２以下であることが好ましい。
また、第２熱可塑性樹脂の線膨張係数と、第２基板電極の線膨張係数との比は、第２熱可塑性樹脂の線膨張係数／第２基板電極の線膨張係数＝０．８以上、１．２以下であることが好ましい。
このように基板に含まれる熱可塑性樹脂の線膨張係数と、基板電極の線膨張係数との比が１．０に近いと、第１基板及び第２基板を加熱した際に、熱膨張により、基板電極がずれにくくなる。その結果、第１基板電極１１及び第２基板電極２１の接続不良が生じにくくなる。
また、第２熱可塑性樹脂の線膨張係数と、第２基板電極の線膨張係数との比は、第２熱可塑性樹脂の線膨張係数／第２基板電極の線膨張係数＝０．８以上、１．２以下であることが好ましい。
このように基板に含まれる熱可塑性樹脂の線膨張係数と、基板電極の線膨張係数との比が１．０に近いと、第１基板及び第２基板を加熱した際に、熱膨張により、基板電極がずれにくくなる。その結果、第１基板電極１１及び第２基板電極２１の接続不良が生じにくくなる。
【0064】
接続構造１において、第１熱可塑性樹脂及び第２熱可塑性樹脂、第１基板電極及び第２基板電極、接合材、並びに、接着剤の好ましい材料の組み合わせは、以下の通りである。
第１熱可塑性樹脂及び第２熱可塑性樹脂：液晶ポリマー（製品名：メトロサーク、製造元：株式会社村田製作所）又はポリイミド
第１基板電極及び第２基板電極：Ｃｕ
接合材：Ｓｎ－Ｂｉ系の鉛フリーはんだ
接着剤：エチレン・プロピレン共重合体にメタクリル酸を酸変性したポリオレフィン樹脂
第１熱可塑性樹脂及び第２熱可塑性樹脂：液晶ポリマー（製品名：メトロサーク、製造元：株式会社村田製作所）又はポリイミド
第１基板電極及び第２基板電極：Ｃｕ
接合材：Ｓｎ－Ｂｉ系の鉛フリーはんだ
接着剤：エチレン・プロピレン共重合体にメタクリル酸を酸変性したポリオレフィン樹脂
【0065】
なお、本明細書において、線膨張係数とは、ＪＩＳ Ｃ６４８１に準拠して熱機械分析法（ＴＭＡ法）により測定する平面方向の線膨張係数のことを意味する。
【0066】
接着剤４０の誘電率が上記範囲内である場合、接続構造１は、４Ｇ周波数（３．５ＧＨｚ帯）の周波数の信号を伝送する電子機器で用いられることが好ましく、５Ｇ周波数（ｓｕｂ６（３．７ＧＨｚ、４．５ＧＨｚ帯））及びミリ波（２８ＧＨｚ帯）の周波数の信号を伝送する電子機器で用いられることがより好ましい。
一般的に、高周波信号を伝送すると伝送損失が生じやすい。しかし、誘電率が上記範囲内である接着剤４０を有する接続構造１では、伝送損失が生じにくい。そのため、上記の周波数の信号を伝送する電子機器に接続構造１を用いたとしても伝送特性が良好になる。
一般的に、高周波信号を伝送すると伝送損失が生じやすい。しかし、誘電率が上記範囲内である接着剤４０を有する接続構造１では、伝送損失が生じにくい。そのため、上記の周波数の信号を伝送する電子機器に接続構造１を用いたとしても伝送特性が良好になる。
【0067】
次に、本発明の接続構造の別の態様について説明する。
図２は、本発明の接続構造の別の態様の一例を模式的に示す断面図である。
図２に示す接続構造１０１では、第１基板１０を含む複数の基板１１０が積層された第１基板ブロック１１０Ｂと、第２基板２０を含む複数の基板１２０が積層された第２基板ブロック１２０Ｂとが接続されている。
接続構造１０１では、第１基板１０の第２主面１０ｂ側に複数の基板１１０が積層されており、第２基板２０の第３主面２０ｃ側に複数の基板１２０が積層されていること以外は、上記接続構造１と同じ構成である。
図２は、本発明の接続構造の別の態様の一例を模式的に示す断面図である。
図２に示す接続構造１０１では、第１基板１０を含む複数の基板１１０が積層された第１基板ブロック１１０Ｂと、第２基板２０を含む複数の基板１２０が積層された第２基板ブロック１２０Ｂとが接続されている。
接続構造１０１では、第１基板１０の第２主面１０ｂ側に複数の基板１１０が積層されており、第２基板２０の第３主面２０ｃ側に複数の基板１２０が積層されていること以外は、上記接続構造１と同じ構成である。
【0068】
従来の基板ブロックを多層化する場合、基板ブロックを構成する基板が熱可塑性樹脂を含み、熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度を超える温度で基板ブロック同士を接続すると、熱可塑性樹脂が溶融又は軟化し、基板電極や基板ブロック内部の配線ずれ等による接続不良が発生する可能性がある。
【0069】
しかし、接続構造１０１を製造する場合には、第１基板ブロック１１０Ｂの最外部に第１基板１０を配置し、第２基板ブロック１２０Ｂの最外部に第２基板２０を配置して、第１基板１０と第２基板２０とを接続する。この際、第１熱可塑性樹脂及び第２熱可塑性樹脂が、溶融又は軟化する前に、接合材３０により第１基板電極１１及び第２基板電極２１を接合することができ、接着剤４０により第１主面１０ａと第４主面２０ｄとを接着することができる。
そのため、製造された接続構造１０１では、第１基板電極１１及び第２基板電極２１だけでなく、第１基板ブロック１１０Ｂ及び第２基板ブロック１２０Ｂの配線ずれ等による接続不良が生じにくい。
そのため、製造された接続構造１０１では、第１基板電極１１及び第２基板電極２１だけでなく、第１基板ブロック１１０Ｂ及び第２基板ブロック１２０Ｂの配線ずれ等による接続不良が生じにくい。
【0070】
さらに、第１基板ブロック１１０Ｂ及び第２基板ブロック１２０Ｂを接続するので、基板１１０、第１基板１０、第２基板２０及び基板１２０を１枚ずつ接続するよりも、接続構造１０１全体での基板電極や、配線位置等ずれを抑制することができる。
また、基板ブロック単位で接続することにより、歩留まり率を上げることができる。
また、基板ブロック単位で接続することにより、歩留まり率を上げることができる。
【0071】
第１基板ブロック１１０Ｂに含まれる基板１１０は、フレキシブル基板であってもよく、リジッド基板であってもよい。これらの基板は、この分野で使用される一般的な基板を用いることができる。
同様に、第２基板ブロック１２０Ｂに含まれる基板１２０は、フレキシブル基板であってもよく、リジッド基板であってもよい。これらの基板は、この分野で使用される一般的な基板を用いることができる。
また、第１基板ブロック１１０Ｂ及び第２基板ブロック１２０Ｂは、フレキシブル基板及びリジッド基板の両方が積層された複合基板であってもよい。
同様に、第２基板ブロック１２０Ｂに含まれる基板１２０は、フレキシブル基板であってもよく、リジッド基板であってもよい。これらの基板は、この分野で使用される一般的な基板を用いることができる。
また、第１基板ブロック１１０Ｂ及び第２基板ブロック１２０Ｂは、フレキシブル基板及びリジッド基板の両方が積層された複合基板であってもよい。
【0072】
なお、第１基板ブロック１１０Ｂと第２基板ブロック１２０Ｂとの接続は、上記接続構造１において、第１基板１０と第２基板２０とを接続する方法と同じ方法で行うことができる。
【0073】
次に、本発明の接続構造の別の態様について説明する。
図３は、本発明の接続構造の別の態様の一例を模式的に示す断面図である。
図３に示す接続構造２０１では、マザーボードＭに、第１基板ブロック１１０Ｂが配置されており、マザーボードＭに接触していない側の第１基板ブロック１１０Ｂの最外部には、第１基板１０が配置されている。
また、第１基板１０の第１主面１０ａの一部には第２基板ブロック１２０Ｂが接続されており、別の一部には、第１基板ブロック１１０Ｂとの接続基板となる第３基板２１０と、第３基板２１０に積層された複数の基板２２０とからなる第３基板ブロック２１０Ｂが接続されている。
図３は、本発明の接続構造の別の態様の一例を模式的に示す断面図である。
図３に示す接続構造２０１では、マザーボードＭに、第１基板ブロック１１０Ｂが配置されており、マザーボードＭに接触していない側の第１基板ブロック１１０Ｂの最外部には、第１基板１０が配置されている。
また、第１基板１０の第１主面１０ａの一部には第２基板ブロック１２０Ｂが接続されており、別の一部には、第１基板ブロック１１０Ｂとの接続基板となる第３基板２１０と、第３基板２１０に積層された複数の基板２２０とからなる第３基板ブロック２１０Ｂが接続されている。
【0074】
接続構造２０１では、第１基板１０の第１主面１０ａの第２基板ブロック１２０Ｂ及び第３基板ブロック２１０Ｂが接着されていない箇所には、搭載部品２５１が配置されている。
また、第１基板ブロック１１０Ｂが配置されていない箇所のマザーボードＭには、実装部品２５２が配置されている。
また、第１基板ブロック１１０Ｂが配置されていない箇所のマザーボードＭには、実装部品２５２が配置されている。
【0075】
第１基板ブロック１１０Ｂと第２基板ブロック１２０Ｂとは、上記接続構造１０１と同じ構造により接続されている。
【0076】
従って、接続構造２０１を製造する場合、第１基板ブロック１１０Ｂと第２基板ブロック１２０Ｂとを接続する。第１基板ブロック１１０Ｂと第２基板ブロック１２０Ｂとの接続は、上記接続構造１において、第１基板１０と第２基板２０とを接続する方法と同じ方法で行うことができる。
【0077】
次に、第１基板ブロック１１０Ｂと第３基板ブロック２１０Ｂとの接続について説明する。
第３基板ブロック２１０Ｂには、第１基板ブロック１１０Ｂとの接続基板となる第３基板２１０が配置されている。第３基板２１０は、第５主面２１０ｅと、第５主面２１０ｅに対向し、かつ、第１主面１０ａと対面する第６主面２１０ｆを有する。さらに、第６主面２１０ｆには、第３基板電極２１１が配置されている。
第３基板電極２１１は、導電性を有する接合材２３０により、第１基板１０に配置された第１基板電極１１と接合されている。
また、第３基板電極２１１が配置された部分以外の第６主面２１０ｆと第１基板電極１１が配置された部分以外の第１主面１０ａとは、絶縁性を有する接着剤２４０により接着されている。
また、第３基板２１０は、第３熱可塑性樹脂を含む。
第３基板ブロック２１０Ｂには、第１基板ブロック１１０Ｂとの接続基板となる第３基板２１０が配置されている。第３基板２１０は、第５主面２１０ｅと、第５主面２１０ｅに対向し、かつ、第１主面１０ａと対面する第６主面２１０ｆを有する。さらに、第６主面２１０ｆには、第３基板電極２１１が配置されている。
第３基板電極２１１は、導電性を有する接合材２３０により、第１基板１０に配置された第１基板電極１１と接合されている。
また、第３基板電極２１１が配置された部分以外の第６主面２１０ｆと第１基板電極１１が配置された部分以外の第１主面１０ａとは、絶縁性を有する接着剤２４０により接着されている。
また、第３基板２１０は、第３熱可塑性樹脂を含む。
【0078】
接合材２３０の接合温度は、第１熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低く、かつ、第３熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低く、接着剤２４０の接着温度は、第１熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低く、かつ、第３熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低い。
【0079】
接続構造２０１を製造する場合、第１基板電極１１と第３基板電極２１１との間に接合材２３０を配置し、第１基板電極１１が配置された部分以外の第１主面１０ａと第３基板電極２１１が配置された部分以外の第６主面２１０ｆとの間に接着剤２４０を配置し、第１基板１０及び第３基板２１０に熱を加えこれらを接続する。
【0080】
接続構造２０１では、接合材２３０の接合温度は、第１熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低く、かつ、第３熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低い。
そのため、第１熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低い温度、かつ、第３熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低い温度で、接合材２３０により第１基板電極１１及び第３基板電極２１１を接合することができる。つまり、第１熱可塑性樹脂及び第３熱可塑性樹脂が溶融又は軟化する前に、第１基板電極１１と第３基板電極２１１とを接合材２３０により接続することができる。
その結果、第１基板電極１１及び第３基板電極２１１が、それぞれ、第１基板１０及び第３基板２１０の配置位置からずれたり沈み込んだりしにくくなる。
そのため、第１熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低い温度、かつ、第３熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低い温度で、接合材２３０により第１基板電極１１及び第３基板電極２１１を接合することができる。つまり、第１熱可塑性樹脂及び第３熱可塑性樹脂が溶融又は軟化する前に、第１基板電極１１と第３基板電極２１１とを接合材２３０により接続することができる。
その結果、第１基板電極１１及び第３基板電極２１１が、それぞれ、第１基板１０及び第３基板２１０の配置位置からずれたり沈み込んだりしにくくなる。
【0081】
また、接続構造２０１では、接着剤２４０の接着温度は、第１熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低く、かつ、第３熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低い。
そのため、第１熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低い温度、かつ、第３熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低い温度で、接着剤２４０により第１主面１０ａと第６主面２１０ｆとを接着することができる。つまり、第１熱可塑性樹脂及び第３熱可塑性樹脂が溶融又は軟化する前に、第１主面１０ａと第６主面２１０ｆとを接着することができる。
その結果、第１基板電極１１及び第３基板電極２１１が、それぞれ、第１基板１０及び第３基板２１０の配置位置からずれたり沈み込んだりしにくくなる。
そのため、第１熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低い温度、かつ、第３熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低い温度で、接着剤２４０により第１主面１０ａと第６主面２１０ｆとを接着することができる。つまり、第１熱可塑性樹脂及び第３熱可塑性樹脂が溶融又は軟化する前に、第１主面１０ａと第６主面２１０ｆとを接着することができる。
その結果、第１基板電極１１及び第３基板電極２１１が、それぞれ、第１基板１０及び第３基板２１０の配置位置からずれたり沈み込んだりしにくくなる。
【0082】
接続構造２０１は上記構成を有するので、第１基板電極１１及び第３基板電極２１１の接続不良が生じにくい。
【0083】
第３基板２１０、第３基板電極２１１及び第３熱可塑性樹脂の好ましい態様は、上記第１基板１０、第１基板電極１１及び第１熱可塑性樹脂の好ましい態様と同じである。
また、基板２２０は、フレキシブル基板であってもよく、リジッド基板であってもよい。また、第３基板ブロック２１０Ｂは、フレキシブル基板及びリジッド基板の両方が積層された複合基板であってもよい。
また、基板２２０は、フレキシブル基板であってもよく、リジッド基板であってもよい。また、第３基板ブロック２１０Ｂは、フレキシブル基板及びリジッド基板の両方が積層された複合基板であってもよい。
【0084】
接合材２３０及び接着剤２４０の好ましい態様は、上記接合材３０及び上記接着剤４０の好ましい態様と同じである。
【0085】
接続構造２０１を製造する場合において、第１基板ブロック１１０Ｂと第２基板ブロック１２０Ｂとの接続、及び、第１基板ブロック１１０Ｂと第３基板ブロック２１０Ｂとの接続を同時に行ってもよい。また、第２基板ブロック１２０Ｂと、第３基板ブロック２１０Ｂとを別々の時期に接続してもよい。
【0086】
マザーボードＭ、搭載部品２５１及び実装部品２５２は、特に限定されず、この分野で用いられる通常の部品等を用いることができる。
【0087】
上記接続構造２０１において、第３基板ブロック２１０Ｂは、第３基板２１０を含んでいたが、第１基板ブロック１１０Ｂと、第３基板ブロック２１０Ｂとが接続されていれば、第３基板ブロック２１０Ｂは、第３基板２１０を含んでいなくてもよい。
また、第１基板ブロック１１０Ｂと、第３基板ブロック２１０Ｂとは、この分野で用いられる通常の接合材及び接着剤により接続してもよい。
また、第１基板ブロック１１０Ｂと、第３基板ブロック２１０Ｂとは、この分野で用いられる通常の接合材及び接着剤により接続してもよい。
【0088】
図３に示す接続構造２０１のように、第１基板ブロック１１０Ｂにおける第１基板１０の第１主面１０ａの全面を覆わないように第１ブロック１１０Ｂと、第２基板ブロック１２０Ｂ及び第３基板ブロック２１０Ｂを接続することにより、第１基板１０の第１主面１０ａにキャビティ部を形成することができる。接続構造２０１は、このようなキャビティ部を有するので、キャビティ部へ搭載部品２５１を配置することが可能となる。また、集合基板上の他の実装部品２５２を配置するための空間を設けることにより、実装部品２５２により配線が遮られることを回避することができるため複雑な配線の引き回しが可能となる。
【0089】
［第２実施形態］
次に、本発明の接続構造の製造方法について説明する。
本発明の接続構造の製造方法は、第１主面と、上記第１主面に対向する第２主面とを有し、上記第１主面に第１基板電極を備え、第１熱可塑性樹脂を含む第１基板を準備する第１基板準備工程と、第３主面と、上記第３主面に対向する第４主面とを有し、上記第４主面に第２基板電極を備え、第２熱可塑性樹脂を含む第２基板を準備する第２基板準備工程と、上記第１基板電極と上記第２基板電極とを導電性を有する接合材により接合する接合工程と、上記第１基板電極が配置された部分以外の上記第１主面と、上記第２基板電極が配置された部分以外の上記第４主面とを絶縁性を有する接着剤により接着する接着工程とを含み、上記接合工程は、上記第１熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低く、かつ、上記第２熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低い温度で行われ、上記接着工程は、上記第１熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低く、かつ、上記第２熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低い温度で行われ、上記の本発明の接続構造が製造できれば、他にどのような工程等が含まれてもよい。
次に、本発明の接続構造の製造方法について説明する。
本発明の接続構造の製造方法は、第１主面と、上記第１主面に対向する第２主面とを有し、上記第１主面に第１基板電極を備え、第１熱可塑性樹脂を含む第１基板を準備する第１基板準備工程と、第３主面と、上記第３主面に対向する第４主面とを有し、上記第４主面に第２基板電極を備え、第２熱可塑性樹脂を含む第２基板を準備する第２基板準備工程と、上記第１基板電極と上記第２基板電極とを導電性を有する接合材により接合する接合工程と、上記第１基板電極が配置された部分以外の上記第１主面と、上記第２基板電極が配置された部分以外の上記第４主面とを絶縁性を有する接着剤により接着する接着工程とを含み、上記接合工程は、上記第１熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低く、かつ、上記第２熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低い温度で行われ、上記接着工程は、上記第１熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低く、かつ、上記第２熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低い温度で行われ、上記の本発明の接続構造が製造できれば、他にどのような工程等が含まれてもよい。
【0090】
本発明の接続構造の製造方法を、以下に３通り（プロセス１～プロセス３）説明する。
【0091】
［プロセス１］
プロセス１に係る本発明の接続構造の製造方法は、第１基板準備工程、第２基板準備工程、レジスト形成工程、表面処理工程、接着剤供給工程、レジスト除去工程、接合材供給工程、接合工程及び接着工程を含む。
各工程について、以下に説明する。
プロセス１に係る本発明の接続構造の製造方法は、第１基板準備工程、第２基板準備工程、レジスト形成工程、表面処理工程、接着剤供給工程、レジスト除去工程、接合材供給工程、接合工程及び接着工程を含む。
各工程について、以下に説明する。
【0092】
（第１基板準備工程及び第２基板準備工程）
図４は、本発明の接続構造の製造方法における第１基板準備工程及び第２基板準備工程の一例を模式的に示す断面図である。
図４に示すように、第１基板準備工程では、第１主面１０ａと、第１主面１０ａに対向する第２主面１０ｂとを有し、第１主面１０ａに第１基板電極１１を備え、第１熱可塑性樹脂を含む第１基板１０を準備する。
同様に、第２基板準備工程では、第３主面２０ｃと、第３主面２０ｃに対向する第４主面２０ｄとを有し、第４主面２０ｄに第２基板電極２１を備え、第２熱可塑性樹脂を含む第２基板２０を準備する。
第１基板１０、第１熱可塑性樹脂及び第１基板電極１１の好ましい態様、並びに、第２基板２０、第２熱可塑性樹脂及び第２基板電極２１の好ましい態様は既に説明しているのでここでの説明は省略する。
図４は、本発明の接続構造の製造方法における第１基板準備工程及び第２基板準備工程の一例を模式的に示す断面図である。
図４に示すように、第１基板準備工程では、第１主面１０ａと、第１主面１０ａに対向する第２主面１０ｂとを有し、第１主面１０ａに第１基板電極１１を備え、第１熱可塑性樹脂を含む第１基板１０を準備する。
同様に、第２基板準備工程では、第３主面２０ｃと、第３主面２０ｃに対向する第４主面２０ｄとを有し、第４主面２０ｄに第２基板電極２１を備え、第２熱可塑性樹脂を含む第２基板２０を準備する。
第１基板１０、第１熱可塑性樹脂及び第１基板電極１１の好ましい態様、並びに、第２基板２０、第２熱可塑性樹脂及び第２基板電極２１の好ましい態様は既に説明しているのでここでの説明は省略する。
【0093】
（レジスト形成工程）
図５は、本発明の接続構造の製造方法におけるレジスト形成工程の一例を模式的に示す断面図である。
次に、図５に示すように、第１基板電極１１の表面１１ａ及び第２基板電極２１の表面２１ａにレジスト５０を形成する。
レジスト５０は、後述する表面処理工程において第１基板電極１１及び第２基板電極２１を保護できれば、どのような材料からなっていてもよい。
図５は、本発明の接続構造の製造方法におけるレジスト形成工程の一例を模式的に示す断面図である。
次に、図５に示すように、第１基板電極１１の表面１１ａ及び第２基板電極２１の表面２１ａにレジスト５０を形成する。
レジスト５０は、後述する表面処理工程において第１基板電極１１及び第２基板電極２１を保護できれば、どのような材料からなっていてもよい。
【0094】
（表面処理工程）
図６は、本発明の接続構造の製造方法における表面処理工程の一例を模式的に示す断面図である。
次に、図６に示すように、第１基板１０の第１主面１０ａ及び第２基板２０の第４主面２０ｄに表面処理を行う。
表面処理としては、例えば、プラズマ処理、ＵＶ処理、火炎処理等の表面改質処理が挙げられる。
表面改質処理を行うことにより、第１基板１０及び接着剤４０の密着性、並びに、第２基板２０及び接着剤４０の密着性を向上させることができる。
図６は、本発明の接続構造の製造方法における表面処理工程の一例を模式的に示す断面図である。
次に、図６に示すように、第１基板１０の第１主面１０ａ及び第２基板２０の第４主面２０ｄに表面処理を行う。
表面処理としては、例えば、プラズマ処理、ＵＶ処理、火炎処理等の表面改質処理が挙げられる。
表面改質処理を行うことにより、第１基板１０及び接着剤４０の密着性、並びに、第２基板２０及び接着剤４０の密着性を向上させることができる。
【0095】
プラズマ処理としては、特に限定されないが、例えば、酸素ガス、窒素ガス、アルゴンガスによる真空プラズマ、大気圧プラズマを用いる方法が挙げられる。
【0096】
ＵＶ処理としては、特に限定されないが、例えば、希ガスエキシマランプ、希ガスハロゲンエキシマランプ、低圧水銀ランプを用いる方法が挙げられる。
【0097】
火炎処理としては、特に限定されないが、例えば、火炎のみ、有機化合物や無機化合物と混合した火炎を用いる方法が挙げられる。
【0098】
（接着剤供給工程）
図７Ａ及び図７Ｂは、本発明の接続構造の製造方法における接着剤供給工程の一例を模式的に示す断面図である。
次に、図７Ａに示すように、接着剤４０を、第１主面１０ａ及び第４主面２０ｄに供給する。
供給方法としては、印刷法又はディスペンス法等の方法により接着剤４０を供給する方法が挙げられる。
その後、図７Ｂに示すように、スピンコート法又はバーコート法等の方法により接着剤４０をコーティングし、乾燥を行う。
乾燥の条件としては、１００℃以上、１５０℃以下、３０秒以上、６０秒以下の条件であることが好ましい。
図７Ａ及び図７Ｂは、本発明の接続構造の製造方法における接着剤供給工程の一例を模式的に示す断面図である。
次に、図７Ａに示すように、接着剤４０を、第１主面１０ａ及び第４主面２０ｄに供給する。
供給方法としては、印刷法又はディスペンス法等の方法により接着剤４０を供給する方法が挙げられる。
その後、図７Ｂに示すように、スピンコート法又はバーコート法等の方法により接着剤４０をコーティングし、乾燥を行う。
乾燥の条件としては、１００℃以上、１５０℃以下、３０秒以上、６０秒以下の条件であることが好ましい。
【0099】
（レジスト除去工程）
図８は、本発明の接続構造の製造方法におけるレジスト除去工程の一例を模式的に示す断面図である。
次に、図８に示すように、レジスト５０を除去し、第１基板電極１１及び第２基板電極２１を露出させる。レジスト５０の除去方法は、レジスト５０の種類によって適宜設定することが好ましい。
図８は、本発明の接続構造の製造方法におけるレジスト除去工程の一例を模式的に示す断面図である。
次に、図８に示すように、レジスト５０を除去し、第１基板電極１１及び第２基板電極２１を露出させる。レジスト５０の除去方法は、レジスト５０の種類によって適宜設定することが好ましい。
【0100】
（接合材供給工程）
図９は、本発明の接続構造の製造方法における接合材供給工程の一例を模式的に示す断面図である。
次に、図９に示すように、第１基板電極１１の表面１１ａ及び第２基板電極２１の表面２１ａに接合材３０を供給する。
供給方法としては、印刷法や、ディスペンス法又はめっき法等の方法により接合材３０を供給する方法が挙げられる。
接合材３０としては、上記本発明の第１実施形態に係る接続構造で説明した、鉛フリーはんだ、導電性粒子及び熱硬化性樹脂を含む導電性接着剤等を用いることができる。また、焼結前の金属ナノ粒子を含む導電性ペーストを用いることもできる。
図９は、本発明の接続構造の製造方法における接合材供給工程の一例を模式的に示す断面図である。
次に、図９に示すように、第１基板電極１１の表面１１ａ及び第２基板電極２１の表面２１ａに接合材３０を供給する。
供給方法としては、印刷法や、ディスペンス法又はめっき法等の方法により接合材３０を供給する方法が挙げられる。
接合材３０としては、上記本発明の第１実施形態に係る接続構造で説明した、鉛フリーはんだ、導電性粒子及び熱硬化性樹脂を含む導電性接着剤等を用いることができる。また、焼結前の金属ナノ粒子を含む導電性ペーストを用いることもできる。
【0101】
（接合工程及び接着工程）
図１０Ａ及び図１０Ｂは、本発明の接続構造の製造方法における接合工程及び接着工程の一例を模式的に示す断面図である。
次に、図１０Ａに示すように第２基板２０を１８０度反転させ、第１主面１０ａと、第４主面２０ｄとが対面するように、第１基板１０の上に第２基板２０を積層し積層体を作製する。
この際、第１基板電極１１に配置された接合材３０と、第２基板電極２１に配置された接合材３０とが接触するようにする。
図１０Ａ及び図１０Ｂは、本発明の接続構造の製造方法における接合工程及び接着工程の一例を模式的に示す断面図である。
次に、図１０Ａに示すように第２基板２０を１８０度反転させ、第１主面１０ａと、第４主面２０ｄとが対面するように、第１基板１０の上に第２基板２０を積層し積層体を作製する。
この際、第１基板電極１１に配置された接合材３０と、第２基板電極２１に配置された接合材３０とが接触するようにする。
【0102】
その後、図１０Ｂに示すように、第１基板１０及び第２基板２０の上下から加熱加圧し、第１基板電極１１及び第２基板電極２１を接合材３０により接合するとともに、第１主面１０ａ及び第４主面２０ｄを接着剤４０により接着する。
この場合、接合工程と接着工程とが同時に行われることになる。
接合工程と接着工程とを同時に行うと、加熱及び加圧履歴を低減することができるため、各基板及び内部部品が、加熱及び加圧により損傷することを低減することができる。
この場合、接合工程と接着工程とが同時に行われることになる。
接合工程と接着工程とを同時に行うと、加熱及び加圧履歴を低減することができるため、各基板及び内部部品が、加熱及び加圧により損傷することを低減することができる。
【0103】
加熱加圧の条件は、第１熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低く、かつ、第２熱可塑性樹脂の融点又はガラス転移温度より低い温度であり、さらに、接合材３０の接合温度以上の温度、かつ、接着剤４０の接着温度以上の温度で行われれば特に限定されないが、以下の条件であることが好ましい。
【0104】
加熱する温度は、１００℃以上、１５０℃以下であることが好ましく、１２０℃以上、１５０℃以下であることがより好ましい。
加圧する圧力は、０．１ＭＰａ以上、５．０ＭＰａ以下であることが好ましく、０．１ＭＰａ以上、１．０ＭＰａ以下であることがより好ましい。
加熱加圧の時間は、１０秒以上、１８００秒以下であることが好ましく、６０秒以上、１８００秒以下であることがより好ましい。
加圧する圧力は、０．１ＭＰａ以上、５．０ＭＰａ以下であることが好ましく、０．１ＭＰａ以上、１．０ＭＰａ以下であることがより好ましい。
加熱加圧の時間は、１０秒以上、１８００秒以下であることが好ましく、６０秒以上、１８００秒以下であることがより好ましい。
【0105】
特に、接合材３０が金属ナノ粒子を含む導電性ペーストである場合、加熱する温度は、８０℃以上、１５０℃以下であることが好ましく、１００℃以上、１５０℃以下であることがより好ましい。
また、接合材３０が鉛フリーはんだである場合、加熱する温度は、１００℃以上、１５０℃以下であることが好ましく、１３０℃以上、１５０℃以下であることがより好ましい。
また、接合材３０が導電性粒子及び熱硬化性樹脂を含む導電性接着剤である場合、加熱する温度は、１００℃以上、１５０℃以下であることが好ましく、１２０℃以上、１５０℃以下であることがより好ましい。
また、接合材３０が鉛フリーはんだである場合、加熱する温度は、１００℃以上、１５０℃以下であることが好ましく、１３０℃以上、１５０℃以下であることがより好ましい。
また、接合材３０が導電性粒子及び熱硬化性樹脂を含む導電性接着剤である場合、加熱する温度は、１００℃以上、１５０℃以下であることが好ましく、１２０℃以上、１５０℃以下であることがより好ましい。
【0106】
また、接着剤４０が、ポリオレフィン樹脂を含む接着剤である場合、加熱する温度は、８０℃以上、１５０℃以下であることが好ましく、１００℃以上、１５０℃以下であることがより好ましい。
【0107】
以上の工程を経て、図１に示す接続構造１を製造することができる。
【0108】
なお、プロセス１に係る上記本発明の接続構造の製造方法では、第１基板１０及び第２基板２０の両方に接合材３０及び接着剤４０を供給していたが、本発明の接続構造の製造方法では、いずれか一方の基板のみ接合材及び接着剤を供給してもよい。
【0109】
また、プロセス１に係る上記本発明の接続構造の製造方法では、接合材３０及び接着剤４０を各基板に供給した後、接合工程及び接着工程を同時に行っていたが、本発明の接続構造の製造方法では、第１基板電極及び第２基板電極を接合材により接合した後、第１基板と第２基板との間に接着剤を供給し第１主面及び第４主面を接着剤により接着してもよい。すなわち、接合工程と接着工程を別々に分けて行ってもよい。
【0110】
［プロセス２］
プロセス２に係る本発明の接続構造の製造方法は、レジスト形成工程に代えて、以下の撥水コート形成工程を行い、レジスト除去工程に代えてに撥水コート除去工程を行う以外は、上記プロセス１の接続構造の製造方法と同じである。
以下に撥水コート形成工程及び撥水コート除去工程について説明する。
プロセス２に係る本発明の接続構造の製造方法は、レジスト形成工程に代えて、以下の撥水コート形成工程を行い、レジスト除去工程に代えてに撥水コート除去工程を行う以外は、上記プロセス１の接続構造の製造方法と同じである。
以下に撥水コート形成工程及び撥水コート除去工程について説明する。
【0111】
（撥水コート形成工程）
図１１は、本発明の接続構造の製造方法における撥水コート形成工程の一例を模式的に示す断面図である。
撥水コート形成工程では、第１基板電極１１の表面１１ａ及び第２基板電極２１の表面２１ａに撥水処理を行い、撥水コートの形成を行う。
撥水コートとしては、例えば、シランカップリング系の撥水処理剤、プリフラックス等のコートが挙げられる。
第１基板電極１１の表面１１ａ及び第２基板電極２１の表面２１ａに撥水コートの形成を行うことにより、大気中の水分、不純物等の影響で、基板電極間の絶縁抵抗が低下することを防ぐことができる。
図１１は、本発明の接続構造の製造方法における撥水コート形成工程の一例を模式的に示す断面図である。
撥水コート形成工程では、第１基板電極１１の表面１１ａ及び第２基板電極２１の表面２１ａに撥水処理を行い、撥水コートの形成を行う。
撥水コートとしては、例えば、シランカップリング系の撥水処理剤、プリフラックス等のコートが挙げられる。
第１基板電極１１の表面１１ａ及び第２基板電極２１の表面２１ａに撥水コートの形成を行うことにより、大気中の水分、不純物等の影響で、基板電極間の絶縁抵抗が低下することを防ぐことができる。
【0112】
（撥水コート除去工程）
接着剤供給工程を行った後、撥水コートを除去し、第１基板電極１１の表面１１ａ及び第２基板電極２１の表面２１ａを露出させる（図示せず）。撥水コートの除去方法は、撥水コートの種類によって適宜設定することが好ましい。
接着剤供給工程を行った後、撥水コートを除去し、第１基板電極１１の表面１１ａ及び第２基板電極２１の表面２１ａを露出させる（図示せず）。撥水コートの除去方法は、撥水コートの種類によって適宜設定することが好ましい。
【0113】
［プロセス３］
プロセス３に係る本発明の接続構造の製造方法は、プロセス１のレジスト形成工程、表面処理工程、接着剤供給工程及びレジスト除去工程を、以下の接着剤供給工程及びレーザー処理工程に代えた以外は、プロセス１に係る本発明の接続構造の製造方法と同じである。
以下に、接着剤供給工程及びレーザー処理工程について説明する。
プロセス３に係る本発明の接続構造の製造方法は、プロセス１のレジスト形成工程、表面処理工程、接着剤供給工程及びレジスト除去工程を、以下の接着剤供給工程及びレーザー処理工程に代えた以外は、プロセス１に係る本発明の接続構造の製造方法と同じである。
以下に、接着剤供給工程及びレーザー処理工程について説明する。
【0114】
（接着剤供給工程）
図１２Ａ及び図１２Ｂは、本発明の接続構造の製造方法における接着剤供給工程の一例を模式的に示す断面図である。
第１基板準備工程及び第２基板準備工程の後、図１２Ａに示すように、第１基板１０の第１主面１０ａ及び第２基板２０の第４主面２０ｄに接着剤４０を供給する。
この際、第１基板電極１１及び第２基板電極２１も接着剤４０で覆うようにする。
供給方法としては、印刷法又はディスペンス法等の方法により接着剤４０を供給する方法が挙げられる。
その後、図１２Ｂに示すように、スピンコート法又はバーコート法等の方法により接着剤４０をコーティングし、その後、乾燥を行う。
乾燥の条件としては、１００℃以上、１５０℃以下、３０秒以上、６０秒以下の条件であることが好ましい。
図１２Ａ及び図１２Ｂは、本発明の接続構造の製造方法における接着剤供給工程の一例を模式的に示す断面図である。
第１基板準備工程及び第２基板準備工程の後、図１２Ａに示すように、第１基板１０の第１主面１０ａ及び第２基板２０の第４主面２０ｄに接着剤４０を供給する。
この際、第１基板電極１１及び第２基板電極２１も接着剤４０で覆うようにする。
供給方法としては、印刷法又はディスペンス法等の方法により接着剤４０を供給する方法が挙げられる。
その後、図１２Ｂに示すように、スピンコート法又はバーコート法等の方法により接着剤４０をコーティングし、その後、乾燥を行う。
乾燥の条件としては、１００℃以上、１５０℃以下、３０秒以上、６０秒以下の条件であることが好ましい。
【0115】
（レーザー処理工程）
図１３は、本発明の接続構造の製造方法におけるレーザー処理工程の一例を模式的に示す断面図である。
上記接着剤供給工程の後、図１３に示すように、第１基板電極１１及び第２基板電極２１を露出するように、レーザーＬを照射することにより接着剤４０を除去する。
レーザー処理は、特に限定されないが、例えば、ＣＯ２レーザー、ＵＶレーザーを用いる方法が挙げられる。
図１３は、本発明の接続構造の製造方法におけるレーザー処理工程の一例を模式的に示す断面図である。
上記接着剤供給工程の後、図１３に示すように、第１基板電極１１及び第２基板電極２１を露出するように、レーザーＬを照射することにより接着剤４０を除去する。
レーザー処理は、特に限定されないが、例えば、ＣＯ２レーザー、ＵＶレーザーを用いる方法が挙げられる。
【実施例0116】
以下、本発明の接続構造及び接続構造の製造方法をより具体的に開示した実施例を示す。なお、本発明は、これらの実施例のみに限定されるものではない。
【0117】
（実施例１）
（第１基板準備工程及び第２基板準備工程）
第１熱可塑性樹脂としてパラヒドロキシ安息香酸（ＰＨＢ）と６－ヒドロキシ－２－ナフトエ酸（ＨＮＡ）を５０：５０モル比で重合した液晶ポリマー（ＬＣＰ）（融点：２５０℃、誘電率：３．０）を含み、第１主面及び第２主面を有する第１基板を準備した。なお、第１基板はフレキシブル基板である。
その後、第１基板の第１主面の表面にＣｕ箔により第１基板電極を形成した。
（第１基板準備工程及び第２基板準備工程）
第１熱可塑性樹脂としてパラヒドロキシ安息香酸（ＰＨＢ）と６－ヒドロキシ－２－ナフトエ酸（ＨＮＡ）を５０：５０モル比で重合した液晶ポリマー（ＬＣＰ）（融点：２５０℃、誘電率：３．０）を含み、第１主面及び第２主面を有する第１基板を準備した。なお、第１基板はフレキシブル基板である。
その後、第１基板の第１主面の表面にＣｕ箔により第１基板電極を形成した。
【0118】
第２熱可塑性樹脂としてＬＣＰ（融点：２５０℃、誘電率：３．０）を含み、第３主面及び第４主面を有する第２基板を準備した。なお、第２基板はフレキシブル基板である。
その後、第２基板の第４主面の表面にＣｕ箔により第２基板電極を形成した。
その後、第２基板の第４主面の表面にＣｕ箔により第２基板電極を形成した。
【0119】
（レジスト形成工程）
次に、第１基板電極及び第２基板電極の上にレジスト（製品名：ＳＬ－１８２５、製造元：昭和電工マテリアル）を形成した。
次に、第１基板電極及び第２基板電極の上にレジスト（製品名：ＳＬ－１８２５、製造元：昭和電工マテリアル）を形成した。
【0120】
（表面処理工程）
次に、第１基板の第１主面及び第２基板の第４主面にプラズマ処理、ＰＣ－３００（酸素ガス、ＲＦ：１５０Ｗ、Ｆｌｏｗ：１２ｓｃｃｍ、Ｔｉｍｅ：１ｍｉｎ）により表面処理を行った。
次に、第１基板の第１主面及び第２基板の第４主面にプラズマ処理、ＰＣ－３００（酸素ガス、ＲＦ：１５０Ｗ、Ｆｌｏｗ：１２ｓｃｃｍ、Ｔｉｍｅ：１ｍｉｎ）により表面処理を行った。
【0121】
（接着剤供給工程）
絶縁性を有する接着剤として、エチレン・プロピレン共重合体にメタクリル酸を酸変性したポリオレフィン樹脂（製品名：アローベース、製造元：ユニチカ株式会社、融点：１００℃、誘電率：２．４）を準備した。
次に、準備した接着剤を、第１基板の第１主面及び第２基板の第４主面に、ディスペンス法により供給した。バーコート法により接着剤をコーティングし、１００℃、６０秒の条件で接着剤の乾燥を行った。
絶縁性を有する接着剤として、エチレン・プロピレン共重合体にメタクリル酸を酸変性したポリオレフィン樹脂（製品名：アローベース、製造元：ユニチカ株式会社、融点：１００℃、誘電率：２．４）を準備した。
次に、準備した接着剤を、第１基板の第１主面及び第２基板の第４主面に、ディスペンス法により供給した。バーコート法により接着剤をコーティングし、１００℃、６０秒の条件で接着剤の乾燥を行った。
【0122】
（レジスト除去工程）
次に、レジストをアルカリ溶液により除去し、第１基板電極及び第２基板電極を露出させた。
次に、レジストをアルカリ溶液により除去し、第１基板電極及び第２基板電極を露出させた。
【0123】
（接合材供給工程）
次に、融点が１４０℃であるＳｎ－Ｂｉ系はんだ（製品名：Ｌ２０－ＢＬＴ５－Ｔ７Ｆ、製造元：千住金属工業株式会社）を準備し、露出した第１基板電極の表面及び第２基板電極の表面に、マスク印刷により配置した。
次に、融点が１４０℃であるＳｎ－Ｂｉ系はんだ（製品名：Ｌ２０－ＢＬＴ５－Ｔ７Ｆ、製造元：千住金属工業株式会社）を準備し、露出した第１基板電極の表面及び第２基板電極の表面に、マスク印刷により配置した。
【0124】
（接合工程及び接着工程）
次に、第１基板の第１主面と、第２基板の第２主面とが対面するように第１基板に第２基板を積層し積層体を作製した。この際、第１基板電極に配置された接合材と、第２基板電極に配置された接合材とが接触するようにした。
その後、第１基板及び第２基板の上下から１５０℃、１ＭＰａ、１２０秒の条件で加熱加圧した。
以上の工程を経て実施例１に係る接続構造を製造した。
次に、第１基板の第１主面と、第２基板の第２主面とが対面するように第１基板に第２基板を積層し積層体を作製した。この際、第１基板電極に配置された接合材と、第２基板電極に配置された接合材とが接触するようにした。
その後、第１基板及び第２基板の上下から１５０℃、１ＭＰａ、１２０秒の条件で加熱加圧した。
以上の工程を経て実施例１に係る接続構造を製造した。
【0125】
（比較例１）
接合工程及び接着工程における加熱加圧条件を、２６０℃、８ＭＰａ、３００秒とした以外は、実施例１と同様に比較例１に係る接続構造を製造した。
接合工程及び接着工程における加熱加圧条件を、２６０℃、８ＭＰａ、３００秒とした以外は、実施例１と同様に比較例１に係る接続構造を製造した。
【0126】
（基板電極の位置評価）
上記実施例１に係る接続構造を製造する際の、接合工程及び接着工程における、加熱加圧する前の第１基板及び第２基板の積層体を準備した。当該積層体を、第１主面に垂直に切断した。この際、第１基板電極も切断されるようにした。断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察した結果を図１４に示す。
また、実施例１に係る接続構造及び比較例１に係る接続構造を、第１主面に垂直に切断した。この際、第１基板電極も切断されるようにした。各断面を、ＳＥＭで観察した。結果を図１５及び図１６に示す。
図１４は、加熱加圧前の積層体の第１基板の断面写真である。
図１５は、実施例１に係る接続構造の第１基板の断面写真である。
図１６は、比較例１に係る接続構造の第１基板の断面写真である。
上記実施例１に係る接続構造を製造する際の、接合工程及び接着工程における、加熱加圧する前の第１基板及び第２基板の積層体を準備した。当該積層体を、第１主面に垂直に切断した。この際、第１基板電極も切断されるようにした。断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察した結果を図１４に示す。
また、実施例１に係る接続構造及び比較例１に係る接続構造を、第１主面に垂直に切断した。この際、第１基板電極も切断されるようにした。各断面を、ＳＥＭで観察した。結果を図１５及び図１６に示す。
図１４は、加熱加圧前の積層体の第１基板の断面写真である。
図１５は、実施例１に係る接続構造の第１基板の断面写真である。
図１６は、比較例１に係る接続構造の第１基板の断面写真である。
【0127】
図１４及び図１５を比較すると、実施例１に係る接続構造では第１基板電極の沈み込みが観察されなかった。
これは、加熱温度が、接合材の融点及び接着剤の融点以上の温度であり、かつ、第１熱可塑性樹脂の融点及び第２熱可塑性樹脂の融点より低い温度であったため、第１基板電極と第２基板電極の接合の際、及び、第１基板の第１主面と第２基板の第４主面との接着の際に、第１基板及び第２基板が軟化しなかったためと考えられる。
この結果より、実施例１に係る接続構造では、第１基板電極と、第２基板電極とがずれずにしっかりと接合材により接合されていると言える。
そのため、実施例１に係る接続構造では、第１基板電極と第２基板電極との接続不良が生じにくいと考えられる。
これは、加熱温度が、接合材の融点及び接着剤の融点以上の温度であり、かつ、第１熱可塑性樹脂の融点及び第２熱可塑性樹脂の融点より低い温度であったため、第１基板電極と第２基板電極の接合の際、及び、第１基板の第１主面と第２基板の第４主面との接着の際に、第１基板及び第２基板が軟化しなかったためと考えられる。
この結果より、実施例１に係る接続構造では、第１基板電極と、第２基板電極とがずれずにしっかりと接合材により接合されていると言える。
そのため、実施例１に係る接続構造では、第１基板電極と第２基板電極との接続不良が生じにくいと考えられる。
【0128】
図１４及び図１６を比較すると、比較例１に係る接続構造では、第１基板電極の沈み込みが観察された。
これは、加熱温度が、第１熱可塑性樹脂の融点及び第２熱可塑性樹脂の融点以上の温度であったため、第１基板電極と第２基板電極の接合の際、及び、第１基板の第１主面と第２基板の第４主面との接着の際に、第１基板及び第２基板が軟化したためと考えられる。
これは、加熱温度が、第１熱可塑性樹脂の融点及び第２熱可塑性樹脂の融点以上の温度であったため、第１基板電極と第２基板電極の接合の際、及び、第１基板の第１主面と第２基板の第４主面との接着の際に、第１基板及び第２基板が軟化したためと考えられる。
【0129】
（ピール強度試験）
次に、実施例１に係る接続構造について、以下の方法で、第１基板及び第２基板の接着強度を測定した。
図１７は、ピール強度試験の方法を模式的に示す断面図である。
図１７に示すように、ステージ６１の上に配置されたプリント基板としてのＦＲ－１基板６２の上面に両面テープを張り、その上に、第１基板１０の第２主面１０ｂが接するように接続構造１を接着した。
次に、第２基板２０の端部を剥がし、第２基板２０の剥離部が、第１基板１０の第１主面１０ａと垂直になるように、上方に力を加え、ピール強度を測定した。
ピール強度の測定は、引張試験機（機器名：ＴＥＮＳＩＬＯＮ、製造元：エー・アンド・デイ）を用い、測定条件を、ロードセル：５ｋｇ、引張速度：５ｍｍ／ｍｉｎとして測定した。測定は２回行った。結果を図１８に示す。
図１８は、ピール強度試験の結果（ｎ＝２）を示すチャートである。
次に、実施例１に係る接続構造について、以下の方法で、第１基板及び第２基板の接着強度を測定した。
図１７は、ピール強度試験の方法を模式的に示す断面図である。
図１７に示すように、ステージ６１の上に配置されたプリント基板としてのＦＲ－１基板６２の上面に両面テープを張り、その上に、第１基板１０の第２主面１０ｂが接するように接続構造１を接着した。
次に、第２基板２０の端部を剥がし、第２基板２０の剥離部が、第１基板１０の第１主面１０ａと垂直になるように、上方に力を加え、ピール強度を測定した。
ピール強度の測定は、引張試験機（機器名：ＴＥＮＳＩＬＯＮ、製造元：エー・アンド・デイ）を用い、測定条件を、ロードセル：５ｋｇ、引張速度：５ｍｍ／ｍｉｎとして測定した。測定は２回行った。結果を図１８に示す。
図１８は、ピール強度試験の結果（ｎ＝２）を示すチャートである。
【0130】
図１８に示すように、実施例１に係る接続構造では、充分なピール強度を確保することができることがわかった。このようなピール強度が確保できるため、導電性不良、接続不良を防ぐことができる。
【符号の説明】
【0131】
１、１０１、２０１ 接続構造
１０ 第１基板
１０ａ 第１主面
１０ｂ 第２主面
１１ 第１基板電極
１１ａ 第１基板電極の表面
２０ 第２基板
２０ｃ 第３主面
２０ｄ 第４主面
２１ 第２基板電極
２１ａ 第２基板電極の表面
３０、２３０ 接合材
４０、２４０ 接着剤
５０ レジスト
６１ ステージ
６２ ＦＲ－１基板
１１０、１２０、２２０、基板
１１０Ｂ 第１基板ブロック
１２０Ｂ 第２基板ブロック
２１０ 第３基板
２１０Ｂ 第３基板ブロック
２１０ｅ 第５主面
２１０ｆ 第６主面
２１１ 第３基板電極
２５１ 搭載部品
２５２ 実装部品
Ｌ レーザー
Ｍ マザーボード
１０ 第１基板
１０ａ 第１主面
１０ｂ 第２主面
１１ 第１基板電極
１１ａ 第１基板電極の表面
２０ 第２基板
２０ｃ 第３主面
２０ｄ 第４主面
２１ 第２基板電極
２１ａ 第２基板電極の表面
３０、２３０ 接合材
４０、２４０ 接着剤
５０ レジスト
６１ ステージ
６２ ＦＲ－１基板
１１０、１２０、２２０、基板
１１０Ｂ 第１基板ブロック
１２０Ｂ 第２基板ブロック
２１０ 第３基板
２１０Ｂ 第３基板ブロック
２１０ｅ 第５主面
２１０ｆ 第６主面
２１１ 第３基板電極
２５１ 搭載部品
２５２ 実装部品
Ｌ レーザー
Ｍ マザーボード
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7A】
【図7B】
【図8】
【図9】
【図10A】
【図10B】
【図11】
【図12A】
【図12B】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】