特開 2024-178691 基板及び基板の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024178691

(43)【公開日】2024-12-25

(54)【発明の名称】基板及び基板の製造方法

(51)【国際特許分類】

   G02F 1/1343 20060101AFI20241218BHJP

   G02F 1/1368 20060101ALN20241218BHJP

【ＦＩ】

G02F1/1343

G02F1/1368

【審査請求】未請求

【請求項の数】11

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023097024

(22)【出願日】2023-06-13

(71)【出願人】

【識別番号】520487808

【氏名又は名称】シャープディスプレイテクノロジー株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001036

【氏名又は名称】弁理士法人暁合同特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】岡本 和之

【テーマコード（参考）】

2H092

2H192

【Ｆターム（参考）】

2H092GA17

2H092GA25

2H092GA30

2H092GA33

2H092GA35

2H092GA62

2H092HA03

2H092JA24

2H092MA18

2H092MA19

2H092MA20

2H092NA27

2H192BB12

2H192CB35

2H192CB37

2H192DA24

2H192EA22

2H192EA43

2H192GB33

2H192HA62

2H192JA33

(57)【要約】

【課題】高密度配置を実現する。
【解決手段】基板２１は、ベース部２１Ｆ２と、ベース部２１Ｆ２のベース面２１Ｆ２Ｓ上に配された膜部３６であって、ベース面２１Ｆ２Ｓに接する第１面３６Ａと、第１面３６Ａとは反対側に位置していて第１面３６Ａよりもベース面２１Ｆ２Ｓに沿う第１方向についての寸法が大きい第２面３６Ｂと、を有する膜部３６と、ベース面２１Ｆ２Ｓ上に、膜部３６に対して隣り合って配されていて導電膜２１Ｆ４からなる第１導電部３７と、膜部３６の第２面３６Ｂ上に配されて導電膜２１Ｆ４のうちの第１導電部３７とは別の部分からなる第２導電部３８と、を備える。
【選択図】図５

【特許請求の範囲】

【請求項1】

ベース部と、
前記ベース部のベース面上に配された膜部であって、前記ベース面に接する第１面と、前記第１面とは反対側に位置していて前記第１面よりも前記ベース面に沿う第１方向についての寸法が大きい第２面と、を有する膜部と、
前記ベース面上に、前記膜部に対して隣り合って配されていて導電膜からなる第１導電部と、
前記膜部の前記第２面上に配されて前記導電膜のうちの前記第１導電部とは別の部分からなる第２導電部と、を備える基板。

【請求項2】

前記第２導電部は、前記第２面側から前記ベース面側に向けて垂れ下がる垂下部を有しており、
前記第１導電部は、前記垂下部と平面に視て重畳する重畳部を有する請求項１記載の基板。

【請求項3】

前記膜部は、導電性材料からなる請求項１または請求項２記載の基板。

【請求項4】

配線及び画素電極を備えており、
前記導電膜は、透明電極材料からなり、
前記膜部は、金属材料からなり、
前記膜部及び前記第２導電部は、前記配線を構成し、
前記第１導電部は、前記画素電極を構成する請求項３記載の基板。

【請求項5】

前記膜部は、絶縁性材料からなる請求項１または請求項２記載の基板。

【請求項6】

前記膜部は、前記第１面を有していて第１材料からなる第１膜部と、前記第１膜部上に配され、前記第２面を有していて前記第１材料よりもエッチングレートが低い第２材料からなる第２膜部と、を有する請求項１または請求項２記載の基板。

【請求項7】

ベース部と、
前記ベース部のベース面上に配された膜部であって、前記ベース面に接する第１面と、前記第１面とは反対側に位置していて前記第１面に比べて前記ベース面に沿う第１方向についての寸法が小さいか同じとされる第２面と、前記第１面側から前記第２面側に向けて立ち上がる第３面と、前記第３面とは前記第１方向について反対側に位置していて前記第１面側から前記第２面側に向けて立ち上がる第４面と、を有する膜部と、
前記膜部の前記第３面上に配されて導電膜からなる第１導電部と、
前記膜部の前記第４面上に配されて前記導電膜のうちの前記第１導電部とは別の部分からなる第２導電部と、を備える基板。

【請求項8】

前記膜部と前記導電膜との間に配される絶縁膜を備えており、
前記膜部は、導電性材料からなり、
前記第１導電部及び前記第２導電部は、前記絶縁膜上に配される請求項７記載の基板。

【請求項9】

ベース部のベース面上に膜を成膜し、前記膜をパターニングして前記ベース面上に配された膜部であって、前記ベース面に接する第１面と、前記第１面とは反対側に位置していて前記第１面よりも前記ベース面に沿う第１方向についての寸法が大きい第２面と、を有する膜部を設け、
前記膜部上に導電膜を成膜し、前記導電膜の一部によって前記ベース面上にて前記膜部に対して隣り合って配される第１導電部を設け、前記導電膜のうちの前記第１導電部とは別の部分によって前記膜部の前記第２面上に配される第２導電部を設ける基板の製造方法。

【請求項10】

前記膜として、第１材料からなる第１膜と、前記第１材料よりもエッチングレートが低い第２材料からなる第２膜と、を前記ベース面上に順次に成膜し、
前記第１膜及び前記第２膜をエッチングすることで、前記第１膜の残存部分によって前記第１面を有する第１膜部と、前記第２膜の残存部分によって前記第２面を有する第２膜部と、からなる前記膜部を設ける請求項９記載の基板の製造方法。

【請求項11】

ベース部のベース面上に膜を成膜し、前記膜をパターニングして前記ベース面上に配された膜部であって、前記ベース面に接する第１面と、前記第１面とは反対側に位置していて前記第１面と比べて前記ベース面に沿う第１方向についての寸法が小さいか同じとされる第２面と、前記第１面側から前記第２面側に向けて立ち上がる第３面と、前記第３面とは前記第１方向について反対側に位置していて前記第１面側から前記第２面側に向けて立ち上がる第４面と、を有する膜部を設け、
前記膜部上に導電膜を成膜し、前記導電膜をエッチングすることで、前記導電膜の一部によって前記膜部の前記第３面上に配される第１導電部を設け、前記導電膜のうちの前記第１導電部とは別の部分によって前記膜部の前記第４面上に配される第２導電部を設ける基板の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本明細書が開示する技術は、基板及び基板の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、液晶表示装置を構成する基板及びその製造方法の一例として下記特許文献１に記載されたものが知られている。特許文献１には、基板としてＴＦＴアレイ基板が開示されている。特許文献１では、絶縁性基板にレジスト膜を形成し、ゲート配線およびゲート電極のパターンのレジスト膜を除去し、レジスト膜のパターンを用いて、ウェットエッチングによって絶縁性基板に溝を形成し、レジスト膜を残したまま金属膜をスパッタリングによって堆積し、レジスト膜を剥離することで金属膜をリフトオフして、ゲート配線およびゲート電極が絶縁性基板に埋め込まれた状態とすることで、ゲート配線およびゲート電極の平坦化を行い、溝とゲート配線およびゲート電極との間に絶縁性の液状材料を塗布して焼成し、平坦化膜を形成し、周知の方法を用いて、ＴＦＴアレイ基板を製造している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開平１０－２６８３４３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１に記載のＴＦＴアレイ基板においては、ゲート配線およびゲート電極が絶縁性基板の溝に埋め込まれた状態で設けられている。ゲート配線およびゲート電極が埋め込まれる溝は、レジスト膜のパターンを用いて絶縁性基板をウェットエッチングすることで設けられている。このレジスト膜のパターンに係る精細度は、レジスト膜をパターニングするための設備の性能に依存するものの、当該性能を向上させるのには限度がある。このため、ゲート配線をより高密度に配置することが求められる場合に対応に苦慮していた。

【0005】

本明細書に記載の技術は、上記のような事情に基づいて完成されたものであって、高密度配置を実現することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

（１）本明細書に記載の技術に関わる基板は、ベース部と、前記ベース部のベース面上に配された膜部であって、前記ベース面に接する第１面と、前記第１面とは反対側に位置していて前記第１面よりも前記ベース面に沿う第１方向についての寸法が大きい第２面と、を有する膜部と、前記ベース面上に、前記膜部に対して隣り合って配されていて導電膜からなる第１導電部と、前記膜部の前記第２面上に配されて前記導電膜のうちの前記第１導電部とは別の部分からなる第２導電部と、を備える。

【0007】

（２）また、上記基板は、上記（１）に加え、前記第２導電部は、前記第２面側から前記ベース面側に向けて垂れ下がる垂下部を有しており、前記第１導電部は、前記垂下部と平面に視て重畳する重畳部を有してもよい。

【0008】

（３）また、上記基板は、上記（１）または上記（２）に加え、前記膜部は、導電性材料からなってもよい。

【0009】

（４）また、上基板記は、上記（３）に加え、配線及び画素電極を備えており、前記導電膜は、透明電極材料からなり、前記膜部は、金属材料からなり、前記膜部及び前記第２導電部は、前記配線を構成し、前記第１導電部は、前記画素電極を構成してもよい。

【0010】

（５）また、上記基板は、上記（１）または上記（２）に加え、前記膜部は、絶縁性材料からなってもよい。

【0011】

（６）また、上記基板は、上記（１）から上記（５）のいずれかに加え、前記膜部は、前記第１面を有していて第１材料からなる第１膜部と、前記第１膜部上に配され、前記第２面を有していて前記第１材料よりもエッチングレートが低い第２材料からなる第２膜部と、を有してもよい。

【0012】

（７）本明細書に記載の技術に関わる基板は、ベース部と、前記ベース部のベース面上に配された膜部であって、前記ベース面に接する第１面と、前記第１面とは反対側に位置していて前記第１面に比べて前記ベース面に沿う第１方向についての寸法が小さいか同じとされる第２面と、前記第１面側から前記第２面側に向けて立ち上がる第３面と、前記第３面とは前記第１方向について反対側に位置していて前記第１面側から前記第２面側に向けて立ち上がる第４面と、を有する膜部と、前記膜部の前記第３面上に配されて導電膜からなる第１導電部と、前記膜部の前記第４面上に配されて前記導電膜のうちの前記第１導電部とは別の部分からなる第２導電部と、を備える。

【0013】

（８）また、上記基板は、上記（７）に加え、前記膜部と前記導電膜との間に配される絶縁膜を備えており、前記膜部は、導電性材料からなり、前記第１導電部及び前記第２導電部は、前記絶縁膜上に配されてもよい。

【0014】

（９）本明細書に記載の技術に関わる基板の製造方法は、ベース部のベース面上に膜を成膜し、前記膜をパターニングして前記ベース面上に配された膜部であって、前記ベース面に接する第１面と、前記第１面とは反対側に位置していて前記第１面よりも前記ベース面に沿う第１方向についての寸法が大きい第２面と、を有する膜部を設け、前記膜部上に導電膜を成膜し、前記導電膜の一部によって前記ベース面上にて前記膜部に対して隣り合って配される第１導電部を設け、前記導電膜のうちの前記第１導電部とは別の部分によって前記膜部の前記第２面上に配される第２導電部を設ける。

【0015】

（１０）また、上記基板の製造方法は、上記（９）に加え、前記膜として、第１材料からなる第１膜と、前記第１材料よりもエッチングレートが低い第２材料からなる第２膜と、を前記ベース面上に順次に成膜し、前記第１膜及び前記第２膜をエッチングすることで、前記第１膜の残存部分によって前記第１面を有する第１膜部と、前記第２膜の残存部分によって前記第２面を有する第２膜部と、からなる前記膜部を設けてもよい。

【0016】

（１１）本明細書に記載の技術に関わる基板の製造方法は、ベース部のベース面上に膜を成膜し、前記膜をパターニングして前記ベース面上に配された膜部であって、前記ベース面に接する第１面と、前記第１面とは反対側に位置していて前記第１面と比べて前記ベース面に沿う第１方向についての寸法が小さいか同じとされる第２面と、前記第１面側から前記第２面側に向けて立ち上がる第３面と、前記第３面とは前記第１方向について反対側に位置していて前記第１面側から前記第２面側に向けて立ち上がる第４面と、を有する膜部を設け、前記膜部上に導電膜を成膜し、前記導電膜をエッチングすることで、前記導電膜の一部によって前記膜部の前記第３面上に配される第１導電部を設け、前記導電膜のうちの前記第１導電部とは別の部分によって前記膜部の前記第４面上に配される第２導電部を設ける。

【発明の効果】

【0017】

本明細書に記載の技術によれば、高密度配置を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【0018】

【図1】実施形態１に係る液晶表示装置を構成する液晶パネル、ドライバ及びフレキシブル基板などの平面図

【図2】実施形態１に係る液晶パネル、ドライバ及びフレキシブル基板などの断面図

【図3】実施形態１に係る液晶パネルを構成するアレイ基板の電気的構成を示す回路図

【図4】実施形態１に係る液晶パネルの表示領域の断面図

【図5】実施形態１に係る膜部、第１導電部及び第２導電部を示す断面図

【図6】実施形態１に係るアレイ基板の製造方法に含まれる第６工程にて、フォトマスクを介してレジスト膜を露光した状態を示す図５と同様の断面図

【図7】実施形態１に係るアレイ基板の製造方法に含まれる第６工程にて、現像したレジスト膜をマスクとして用いて第３金属膜をエッチングし始めた状態を示す状態を示す図５と同様の断面図

【図8】実施形態１に係るアレイ基板の製造方法に含まれる第６工程にて、第３金属膜のエッチングが完了した状態を示す図５と同様の断面図

【図9】実施形態１に係るアレイ基板の製造方法に含まれる第６工程にて、第１透明電極膜を成膜した状態を示す図５と同様の断面図

【図10】実施形態２に係る膜部、第１導電部及び第２導電部を示す断面図

【図11】実施形態２に係るアレイ基板の製造方法に含まれる第６工程にて、現像したレジスト膜をマスクとして用いて第３金属膜をエッチングし始めた状態を示す状態を示す図１０と同様の断面図

【図12】実施形態２に係るアレイ基板の製造方法に含まれる第６工程にて、第３金属膜のエッチングが完了した状態を示す図１０と同様の断面図

【図13】実施形態３に係る液晶表示装置を構成する液晶パネル、ドライバ及びフレキシブル基板などの平面図

【図14】実施形態３に係る液晶パネルのアレイ基板に備わる引き出し配線を示す平面図

【図15】実施形態３に係る膜部、第１導電部及び第２導電部を示す断面図

【図16】実施形態３に係るアレイ基板の製造方法に含まれる第１工程にて、フォトマスクを介してレジスト膜を露光した状態を示す図１５と同様の断面図

【図17】実施形態３に係るアレイ基板の製造方法に含まれる第１工程にて、現像したレジスト膜をマスクとして用いて第１金属膜をエッチングし始めた状態を示す状態を示す図１５と同様の断面図

【図18】実施形態３に係るアレイ基板の製造方法に含まれる第１工程にて、第１金属膜のエッチングが完了した状態を示す図１５と同様の断面図

【図19】実施形態３に係るアレイ基板の製造方法に含まれる第２工程を経てから、第３工程にて、第２金属膜を成膜した状態を示す図１５と同様の断面図

【図20】実施形態３に係るアレイ基板の製造方法に含まれる第３工程にて、第２金属膜をエッチングし始めた状態を示す状態を示す図１５と同様の断面図

【図21】実施形態４に係る膜部、第１導電部及び第２導電部を示す断面図

【図22】実施形態５に係る膜部、第１導電部及び第２導電部を示す断面図

【発明を実施するための形態】

【0019】

＜実施形態１＞
実施形態１を図１から図９によって説明する。本実施形態では、表示機能及びタッチパネル機能（位置入力機能）を備える液晶表示装置１０について例示する。なお、各図面の一部にはＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸を示しており、各軸方向が各図面で示した方向となるように描かれている。また、図２，図４から図９の上側を表側とし、同図下側を裏側とする。

【0020】

液晶表示装置１０は、図１に示すように、横長の方形状をなしていて画像を表示可能な液晶パネル（表示装置、表示パネル）１１と、液晶パネル１１に対して表示に利用するための光を照射する外部光源であるバックライト装置（照明装置）と、を少なくとも備える。バックライト装置は、液晶パネル１１に対して裏側（背面側）に配置され、白色の光（白色光）を発する光源（例えばＬＥＤなど）や光源からの光に光学作用を付与することで面状の光に変換する光学部材などを有する。液晶パネル１１は、画面の中央側部分が、画像が表示される表示領域ＡＡとされる。これに対し、液晶パネル１１の画面における表示領域ＡＡを取り囲む額縁状の外周側部分が、画像が表示されない非表示領域ＮＡＡとされる。

【0021】

液晶パネル１１に関して図１に加えて図２を参照して詳しく説明する。液晶パネル１１は、図１及び図２に示すように、一対の基板２０，２１を貼り合わせてなる。一対の基板２０，２１のうち表側（正面側）が対向基板（ＣＦ基板）２０とされ、裏側（背面側）がアレイ基板（基板）２１とされる。対向基板２０及びアレイ基板２１は、いずれもガラス基板２０ＧＳ，２１ＧＳの内面側に各種の膜が積層形成されてなる。一対の基板２０，２１間には、電界印加に伴って光学特性が変化する物質である液晶分子を含む液晶層（媒質層）２２が介在して配される。一対の基板２０，２１の外周端部間には、液晶層２２をシールするシール部２３が介在して設けられている。シール部２３は、液晶層２２を取り囲むよう方形の枠状（無端環状）に形成されている。なお、両基板２０，２１の外面側には、それぞれ偏光板１４が貼り付けられている。

【0022】

対向基板２０は、図１及び図２に示すように、短辺寸法がアレイ基板２１の短辺寸法よりも短い。対向基板２０は、アレイ基板２１に対して短辺方向（Ｙ軸方向）についての一方の端部が揃う形で貼り合わせられている。従って、アレイ基板２１のうち、短辺方向についての他方の端部は、対向基板２０に対して側方に突き出して露出する露出部２１Ａとされる。この露出部２１Ａは、全域が非表示領域ＮＡＡであり、次述する表示機能やタッチパネル機能に係る各種信号を供給するためのドライバ（実装部品、信号供給部）１２及びフレキシブル基板１３が実装されている。

【0023】

図１及び図２に示されるドライバ１２は、内部に駆動回路を有するＬＳＩチップからなる。ドライバ１２は、アレイ基板２１の露出部２１Ａに対してＣＯＧ（Chip On Glass）実装されている。ドライバ１２は、フレキシブル基板１３によって伝送される各種信号を処理する。ドライバ１２は、表示領域ＡＡの配線（具体的には後述するソース配線２７及びタッチ配線３０）に対して各種信号（例えば画像信号、タッチ信号など）を供給するものである。フレキシブル基板１３は、絶縁性及び可撓性を有する合成樹脂材料（例えばポリイミド系樹脂等）からなる基材上に多数本の配線パターンを形成した構成とされる。フレキシブル基板１３は、図１及び図２に示すように、その一端側がアレイ基板２１の露出部２１Ａに、他端側が外部の回路基板に、それぞれ接続されている。フレキシブル基板１３は、露出部２１Ａのうち、ドライバ１２に対してＹ軸方向について表示領域ＡＡ側とは反対側の端部に接続されている。

【0024】

本実施形態に係る液晶パネル１１は、画像を表示する表示機能と、表示される画像に基づいて使用者が入力する位置（入力位置）を検出するタッチパネル機能と、を併有している。液晶パネル１１には、タッチパネル機能を発揮するためのタッチパネルパターンが一体化（インセル化）されている。このタッチパネルパターンは、いわゆる投影型静電容量方式とされており、その検出方式が自己容量方式とされる。タッチパネルパターンは、図１に示すように、液晶パネル１１の板面内においてマトリクス状に並んで配される複数のタッチ電極（位置検出電極）２９から構成されている。タッチ電極２９は、液晶パネル１１の表示領域ＡＡに配されている。従って、液晶パネル１１の表示領域ＡＡは、入力位置を検出可能なタッチ領域（位置入力領域）とほぼ一致しており、非表示領域ＮＡＡが入力位置を検出不能な非タッチ領域（非位置入力領域）とほぼ一致している。そして、使用者が視認する液晶パネル１１の表示領域ＡＡの画像に基づいて位置入力をしようとして液晶パネル１１の表面（表示面）に導電体である指（位置入力体）を近づけると、その指とタッチ電極２９との間で静電容量が形成されることになる。これにより、指の近くにあるタッチ電極２９にて検出される静電容量には指が近づくのに伴って変化が生じ、指から遠くにあるタッチ電極２９とは異なるものとなるので、それに基づいて入力位置を検出することが可能となる。なお、図１での図示以外にも、タッチ電極２９の具体的な設置数は適宜に変更可能である。タッチ電極２９は、平面に視て略方形状をなしており、一辺の寸法が数ｍｍ程度とされる。従って、タッチ電極２９は、平面に視た大きさが後述する画素よりも遙かに大きく、Ｘ軸方向及びＹ軸方向について複数ずつの画素に跨る範囲に配置されている。

【0025】

次に、アレイ基板２１における表示領域ＡＡの構成について図３を用いて説明する。アレイ基板２１の表示領域ＡＡにおける内面側には、図３に示すように、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ、スイッチング素子）２４及び画素電極２５が少なくとも設けられている。ＴＦＴ２４及び画素電極２５は、複数ずつＸ軸方向及びＹ軸方向に沿って間隔を空けて並んでマトリクス状（行列状）に設けられている。これらＴＦＴ２４及び画素電極２５の周りには、互いに直交（交差）するゲート配線（走査配線）２６及びソース配線（画像配線、信号配線）２７が配設されている。ゲート配線２６は、Ｘ軸方向に沿って延在する。ソース配線２７は、Ｙ軸方向に沿って延在する。ＴＦＴ２４は、ゲート配線２６に接続されるゲート電極２４Ａと、ソース配線２７に接続されるソース電極２４Ｂと、画素電極２５に接続されるドレイン電極２４Ｃと、ソース電極２４Ｂ及びドレイン電極２４Ｃに接続されて半導体材料からなる半導体部２４Ｄと、を有する。そして、ＴＦＴ２４は、ゲート配線２６によってゲート電極２４Ａに供給される走査信号に基づいて駆動される。すると、ドライバ１２からソース配線２７によってソース電極２４Ｂに供給される画像信号（データ信号）に係る電位が、半導体部２４Ｄを介してドレイン電極２４Ｃに供給される。その結果、画素電極２５は、画像信号に係る電位に充電される。画素電極２５は、ゲート配線２６とソース配線２７とに取り囲まれた領域に配されており、平面形状が例えば略長方形をなしている。

【0026】

アレイ基板２１の表示領域ＡＡにおける内面側には、図３に示すように、全ての画素電極２５と重畳する形で共通電極２８が形成されている。共通電極２８は、表示領域ＡＡのほぼ全域にわたって延在している。共通電極２８のうち、各画素電極２５と重畳する部分には、各画素電極２５の長辺方向に沿って延在するスリットが複数ずつ開口形成されている。なお、図３では、スリットの図示を省略している。画素電極２５が充電されるのに伴って互いに重畳する画素電極２５と共通電極２８との間に電位差が生じると、スリットの開口縁と画素電極２５との間には、アレイ基板２１の板面に沿う成分に加えて、アレイ基板２１の板面に対する法線方向の成分を含むフリンジ電界（斜め電界）が生じる。従って、このフリンジ電界を利用することで液晶層２２に含まれる液晶分子の配向状態を制御することができる。つまり、本実施形態に係る液晶パネル１１は、動作モードがＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードとされている。そして、この共通電極２８は、既述したタッチ電極２９を構成している。共通電極２８は、既述したスリットに加えて、隣り合うタッチ電極２９の間を仕切る仕切スリットを有する。この仕切スリットによって共通電極２８は、碁盤目状に分割されて相互が電気的に独立した複数のタッチ電極２９からなる。

【0027】

アレイ基板２１の表示領域ＡＡにおける内面側には、図３に示すように、複数のタッチ電極２９に対して接続される複数のタッチ配線（配線、位置検出配線）３０が設けられている。タッチ配線３０は、Ｙ軸方向に沿って延在し、ソース配線２７に並行している。複数のタッチ配線３０は、複数のタッチ電極２９に対して個別に接続されている。タッチ配線３０には、ドライバ１２から表示機能に係る共通信号（基準電位信号）と、タッチ機能に係るタッチ信号（位置検出信号）と、が異なるタイミングでもって（時分割して）供給されるようになっている。ドライバ１２からタッチ配線３０に共通信号が供給されるタイミングが表示期間であり、ドライバ１２からタッチ配線３０にタッチ信号が供給されるタイミングがセンシング期間（位置検出期間）である。表示期間では、共通信号が全てのタッチ配線３０に対して供給されるので、全てのタッチ電極２９が基準電位となって共通電極２８として機能する。このように、本実施形態に係る液晶表示装置１０は、表示機能及びタッチパネル機能を備えるとともに高精細化されたものであるため、ドライバ１２が複数実装されるとともにそれら複数のドライバ１２の高機能化が図られている。

【0028】

対向基板２０における内面側の表示領域ＡＡには、図４に示すように、青色（Ｂ）、緑色（Ｇ）及び赤色（Ｒ）を呈する３色のカラーフィルタ３２が設けられている。互いに異なる色を呈する複数のカラーフィルタ３２は、ゲート配線２６の延在方向（Ｘ軸方向）に隣り合うよう並んで配される。互いに異なる色を呈する複数のカラーフィルタ３２は、ソース配線２７の延在方向（Ｙ軸方向）に沿って延在している。このように、互いに異なる色を呈する複数のカラーフィルタ３２は、全体としてストライプ状に配列されている。これらのカラーフィルタ３２は、アレイ基板２１側の各画素電極２５と平面に視て重畳する配置とされている。この液晶パネル１１においては、Ｘ軸方向に沿って並ぶ赤色、緑色及び青色のカラーフィルタ３２と、各カラーフィルタ３２と対向する３つの画素電極２５と、が３色の画素をそれぞれ構成している。そして、この液晶パネル１１においては、Ｘ軸方向に沿って隣り合う赤色、緑色及び青色の３色の画素によって所定の階調のカラー表示を可能な表示画素が構成されている。また、対向基板２０には、互いに異なる色を呈する複数のカラーフィルタ３２を仕切るよう、ブラックマトリクス３３が設けられている。ブラックマトリクス３３は、平面に視て格子状をなしており、複数ずつのゲート配線２６及びソース配線２７と重畳する。カラーフィルタ３２上（液晶層２２側）には、平坦化のために対向基板２０のほぼ全域にわたってベタ状に配されるオーバーコート膜３４が設けられている。オーバーコート膜３４上には、液晶層２２に含まれる液晶分子を配向させるための配向膜３５が設けられている。

【0029】

ここで、アレイ基板２１の内面側に積層形成された各種の膜について主に図４を参照しつつ説明する。アレイ基板２１には、図４に示すように、下層側（ガラス基板２１ＧＳ側）から順に第１金属膜、ゲート絶縁膜２１Ｆ１、半導体膜、第２金属膜、第１層間絶縁膜（ベース部）２１Ｆ２、第３金属膜（膜）２１Ｆ３、第１透明電極膜（導電膜）２１Ｆ４、第２層間絶縁膜（絶縁膜）２１Ｆ５、第２透明電極膜、配向膜３１が積層形成されている。このうち、第３金属膜２１Ｆ３に関しては図７に図示されており、第１透明電極膜２１Ｆ４に関しては図９に図示されている。第１金属膜、第２金属膜及び第３金属膜２１Ｆ３は、それぞれＣｕ（銅）、Ｔｉ（チタン）、ＡＬ（アルミニウム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（タングステン）等の中から選択される１種類の金属材料からなる単層膜または異なる種類の金属材料からなる積層膜や合金とされることで導電性及び遮光性を有している。このうち、第３金属膜２１Ｆ３は、例えばＣｕ／Ｔｉ、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ等のような積層膜によって構成されてもよい。第１金属膜は、ゲート配線２６やＴＦＴ２４のゲート電極２４Ａなどを構成する。第２金属膜は、ソース配線２７、ＴＦＴ２４のソース電極２４Ｂ及びドレイン電極２４Ｃなどを構成する。第３金属膜２１Ｆ３は、タッチ配線３０の一部などを構成する。第３金属膜２１Ｆ３の膜厚は、第１透明電極膜２１Ｆ４の膜厚よりも大きい。半導体膜は、材料として例えば酸化物半導体、アモルファスシリコン等を用いた薄膜からなり、ＴＦＴ２４の半導体部２４Ｄなどを構成する。第１透明電極膜２１Ｆ４及び第２透明電極膜は、透明電極材料（例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）など）からなる。第１透明電極膜２１Ｆ４は、タッチ配線３０の一部や画素電極２５などを構成する。第２透明電極膜は、共通電極２８（タッチ電極２９）などを構成する。配向膜３１は、ポリアミドなどからなる。配向膜３１は、アレイ基板２１の最内面に位置し、液晶層２２に含まれる液晶分子を配向させる。

【0030】

ゲート絶縁膜２１Ｆ１、第１層間絶縁膜２１Ｆ２及び第２層間絶縁膜２１Ｆ５は、それぞれＳｉＮ_ｘ（窒化ケイ素）、ＳｉＯ_ｘ（酸化ケイ素）、ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ（酸窒化ケイ素）等の無機材料からなる。ゲート絶縁膜２１Ｆ１は、下層側の第１金属膜と、上層側の半導体膜及び第２金属膜と、を絶縁状態に保つ。例えば、第１金属膜からなるゲート配線２６と、第２金属膜からなるソース配線２７と、の交差箇所は、ゲート絶縁膜２１Ｆ１により絶縁状態に保たれる。また、第１金属膜からなるゲート電極２４Ａと、半導体膜からなる半導体部２４Ｄと、の重畳箇所は、ゲート絶縁膜２１Ｆ１により絶縁状態に保たれる。第１層間絶縁膜２１Ｆ２は、下層側の半導体膜及び第２金属膜と、上層側の第３金属膜２１Ｆ３及び第１透明電極膜２１Ｆ４と、を絶縁状態に保つ。第３金属膜２１Ｆ３及び第１透明電極膜２１Ｆ４からなるタッチ配線３０は、第２金属膜からなるソース配線２７に対して第１層間絶縁膜２１Ｆ２を介して重畳して配されている。互いに重畳するタッチ配線３０及びソース配線２７は、第１層間絶縁膜２１Ｆ２により絶縁状態に保たれる。第２層間絶縁膜２１Ｆ５は、下層側の第３金属膜２１Ｆ３及び第１透明電極膜２１Ｆ４と、上層側の第２透明電極膜と、を絶縁状態に保つ。例えば、第１透明電極膜２１Ｆ４を含むタッチ配線３０及び画素電極２５と、第２透明電極膜からなる共通電極２８（タッチ電極２９）と、の重畳箇所は、第２層間絶縁膜２１Ｆ５によって絶縁状態に保たれる。

【0031】

上記したように、本実施形態に係るアレイ基板２１では、図７及び図９に示すように、第１層間絶縁膜２１Ｆ２の上面であるベース面２１Ｆ２Ｓ上に第３金属膜２１Ｆ３と第１透明電極膜２１Ｆ４とが絶縁膜を介することなく連続して設けられている。そして、図５に示すように、第３金属膜２１Ｆ３によってベース面２１Ｆ２Ｓ上に配される膜部３６が構成されるのに対し、第１透明電極膜２１Ｆ４によってベース面２１Ｆ２Ｓ上に配される第１導電部３７と、膜部３６上に配される第２導電部３８と、が構成される。互いに重なり合う膜部３６及び第２導電部３８によってタッチ配線３０が構成されるのに対し、第１導電部３７によって画素電極２５が構成される。タッチ配線３０は、金属材料からなる膜部３６と、透明電極材料からなる第２導電部３８と、の積層構造となっていることから、仮に膜部３６と第２導電部３８とのうちのいずれか一方のみによってタッチ配線を構成した場合に比べると、導電性が高くて配線抵抗が低くなっている。また、タッチ配線３０は、次述する第１導電部３７（画素電極２５）に比べると、低抵抗になっている。これにより、タッチ配線３０により伝送されるタッチ信号や共通信号に鈍りが生じ難くなる。一方、画素電極２５は、透明電極材料からなる第１導電部３７によって構成されているから、画素電極２５の透光性を担保することができるとともに、画素電極２５を充電して共通電極２８との間に電界を発生させることができる。

【0032】

第３金属膜２１Ｆ３からなる膜部３６は、図５に示すように、Ｘ軸方向（第１方向）についての断面形状が、逆テーパ形状（逆台形状）とされている。このＸ軸方向は、第１層間絶縁膜２１Ｆ２のベース面２１Ｆ２Ｓに沿い且つタッチ配線３０の延在方向（Ｙ軸方向）と直交（交差）する方向、つまりタッチ配線３０の幅方向である。膜部３６は、Ｘ軸方向についての寸法（幅寸法）が、Ｚ軸方向についてベース面２１Ｆ２Ｓ側からその反対側に向けて連続的に漸次増加する構成とされる。膜部３６は、Ｚ軸方向についての寸法（高さ寸法）が、後述する第１導電部３７におけるＺ軸方向についての寸法よりも大きい。また、膜部３６は、Ｘ軸方向についての断面形状が対称形状とされる。

【0033】

膜部３６は、図５に示すように、第１層間絶縁膜２１Ｆ２のベース面２１Ｆ２Ｓに接する第１面３６Ａと、第１面３６Ａとは反対側に位置する第２面３６Ｂと、第１面３６Ａと第２面３６Ｂとの間の少なくとも一部を繋ぐ一対の第３面３６Ｃと、を有する。第１面３６Ａは、膜部３６の底面であると言え、接するベース面２１Ｆ２ＳとＺ軸方向について同じ高さとなっている。第２面３６Ｂは、膜部３６の頂面であると言え、第１面３６Ａ及びベース面２１Ｆ２Ｓよりも膜部３６の厚み分高い配置とされる。第３面３６Ｃは、膜部３６の側面であると言える。第１面３６Ａ及び第２面３６Ｂは、Ｘ軸方向についての各中央位置が一致している。第２面３６Ｂは、第１面３６ＡよりもＸ軸方向についての寸法が大きい。第３面３６Ｃは、裏側、つまりベース面２１Ｆ２Ｓ側を指向するよう配されている。第３面３６Ｃは、Ｘ軸方向に対して傾いた傾斜面とされる。一対の第３面３６Ｃは、Ｘ軸方向に対してなす傾斜角度が同一とされる。第３面３６ＣがＸ軸方向に対してなす内角は、鈍角とされる。

【0034】

第１透明電極膜２１Ｆ４からなる第１導電部３７は、図５に示すように、ベース面２１Ｆ２Ｓ上にて上記した膜部３６に対してＸ軸方向について隣り合って配されている。第１導電部３７は、膜部３６をＸ軸方向について両側から挟むよう少なくとも２つが配されている。これに対し、第２導電部３８は、第１透明電極膜２１Ｆ４のうちの第１導電部３７とは別の部分からなり、膜部３６の第２面３６Ｂ上に配されている。第２導電部３８は、膜部３６の高さ分、ベース面２１Ｆ２ＳよりもＺ軸方向について表側に離れた位置（高い位置）に配されている。ここで、膜部３６の高さが第３金属膜２１Ｆ３の膜厚と一致するのに対し、第１導電部３７の厚さが第１透明電極膜２１Ｆ４の膜厚と一致していることから、膜部３６の高さは、第１導電部３７の厚さよりも大きい。そして、膜部３６は、第２面３６Ｂが第１面３６ＡよりもＸ軸方向についての寸法が大きいことから、製造に際して第１透明電極膜２１Ｆ４を成膜すると、第１導電部３７と第２導電部３８との間には、自ずと断切れが生じるようになっている。これにより、第１導電部３７と第２導電部３８との電気的な独立性を担保することができる。本実施形態では、従来のように、第１透明電極膜２１Ｆ４上にレジスト膜を成膜し、そのレジスト膜をパターニングする必要がないことから、レジスト膜をパターニングするための設備（露光装置等）の性能に依らず、第１導電部３７及び第２導電部３８の配置密度を高めることが可能とされる。このように、本実施形態によれば、第１導電部３７及び第２導電部３８を従来よりも高密度に配置することができる。

【0035】

第２導電部３８は、図５に示すように、膜部３６の第２面３６Ｂ側からベース面２１Ｆ２Ｓ側に向けて垂れ下がる垂下部３８Ａを有する。垂下部３８Ａは、第２導電部３８におけるＸ軸方向についての両端位置に一対備わる。一対の垂下部３８Ａは、膜部３６におけるＸ軸方向についての両端部に対してＸ軸方向についてそれぞれ外側に位置している。垂下部３８Ａは、その下端位置が、Ｚ軸方向について第２面３６Ｂとベース面２１Ｆ２Ｓとの間となる配置とされる。これに対し、第１導電部３７は、垂下部３８Ａと平面に視て重畳する重畳部３７Ａを有する。重畳部３７Ａは、第１導電部３７におけるＸ軸方向についての両端位置に一対備わる。重畳部３７Ａは、少なくとも垂下部３８Ａに対して直下となる位置に配されるとともに、垂下部３８Ａの下端部に対してＺ軸方向について間隔を空けて対向している。重畳部３７Ａは、一部が、膜部３６のうちのＸ軸方向についての端部と平面に視て重畳しており、第３面３６Ｃの一部（Ｘ軸方向についての端部）に対して直下に位置している。このように、第１導電部３７及び第２導電部３８は、平面に視て隙間無く配置されている。これにより、第１導電部３７及び第２導電部３８の配置密度をより高くすることができる。

【0036】

本実施形態は以上のような構造であり、続いて液晶パネル１１の製造方法を説明する。液晶パネル１１の製造方法には、対向基板２０を製造する対向基板製造工程（ＣＦ基板製造工程）と、アレイ基板２１を製造するアレイ基板製造工程（基板製造工程）と、製造された対向基板２０とアレイ基板２１とを貼り合わせる貼り合わせ工程と、が含まれている。以下では、このうちのアレイ基板製造工程について説明する。

【0037】

アレイ基板製造工程には、ゲート配線２６及びゲート電極２４Ａ等を形成する第１工程と、ゲート絶縁膜２１Ｆ１を形成する第２工程と、半導体部２４Ｄ等を形成する第３工程と、ソース配線２７、ソース電極２４Ｂ及びドレイン電極２４Ｃ等形成する第４工程と、第１層間絶縁膜２１Ｆ２を形成する第５工程と、タッチ配線３０及び画素電極２５等を形成する第６工程と、第２層間絶縁膜２１Ｆ５を形成する第７工程と、共通電極２８（タッチ電極２９）等を形成する第８工程と、配向膜３１を形成する第９工程と、が少なくとも含まれる。このうちの第６工程及び第７工程に関して図５から図９を用いて説明する。

【0038】

第６工程では、図６に示すように、第１層間絶縁膜２１Ｆ２のベース面２１Ｆ２Ｓ上に第３金属膜２１Ｆ３をベタ状に成膜し、さらに第３金属膜２１Ｆ３上にレジスト膜ＰＲ１をベタ状に成膜する。その後、露光装置と、フォトマスクＰＭ１と、を用いてレジスト膜ＰＲ１を露光する。第６工程で用いられるレジスト膜ＰＲ１は、ポジ型の感光性レジスト材料からなる。ここで、フォトマスクＰＭ１について説明する。フォトマスクＰＭ１は、十分に高い透光性を有する透明な基材ＰＭ１Ａと、基材ＰＭ１Ａの主面に形成される遮光膜ＰＭ１Ｂと、を備える。遮光膜ＰＭ１Ｂは、露光装置の光源からの露光光を遮光し、部分的な開口ＰＭ１Ｃを有する。フォトマスクＰＭ１は、遮光膜ＰＭ１Ｂの形成範囲が光を遮る遮光領域とされ、開口ＰＭ１Ｃの形成範囲（遮光膜ＰＭ１Ｂの非形成範囲）が光を透過する透過領域とされている。遮光膜ＰＭ１Ｂは、複数のタッチ配線３０と重畳するよう設けられている。

【0039】

第６工程において、露光装置の光源から発せられた露光光が、上記のような構成のフォトマスクＰＭ１を介してレジスト膜ＰＲ１に対して照射されると、レジスト膜ＰＲ１は、遮光膜ＰＭ１Ｂと重畳する範囲が非露光とされ、開口ＰＭ１Ｃと重畳する範囲が選択的に露光される。露光に続いて現像が行われると、図７に示すように、ポジ型のレジスト膜ＰＲ１のうちの露光部分は、現像液によって溶解される速度、つまり溶解速度が早いので除去される。一方、非露光部分については溶解速度が遅くなっていて残存することになる。

【0040】

以上のようにしてレジスト膜ＰＲ１をパターニングしたら、図７に示すように、レジスト膜ＰＲ１をマスクとして用いて第３金属膜２１Ｆ３をエッチングする。このとき、エッチング液を用いるウェットエッチングと、真空放電プラズマを用いるドライエッチングと、のいずれかを行うことができる。第３金属膜２１Ｆ３をエッチングすることで第３金属膜２１Ｆ３がパターニングされると、図８に示すように、Ｘ軸方向についての断面形状が逆テーパ形状となる膜部３６が設けられる。このような逆テーパ形状の膜部３６をウェットエッチングによって形成するには、例えば第３金属膜２１Ｆ３の金属材料に対して染み込み易いエッチング液を選択して用いればよい。このような逆テーパ形状の膜部３６をドライエッチングによって形成するには、仮に膜部を順テーパ形状とする場合に比べて、反応ガスに含有させる酸素系ガスの量を多くするなどし、反応ガスの総流量を増加させればよい。このようにして設けられた逆テーパ形状の膜部３６は、第１層間絶縁膜２１Ｆ２のベース面２１Ｆ２Ｓに接する第１面３６Ａと、第１面３６Ａとは反対側に位置していて第１面３６ＡよりもＸ軸方向についての寸法が大きい第２面３６Ｂと、ベース面２１Ｆ２Ｓを指向する第３面３６Ｃと、を有する。その後、膜部３６上に残存したレジスト膜ＰＲ１を剥離する。

【0041】

第６工程では、図９に示すように、膜部３６及びベース面２１Ｆ２Ｓ上に第１透明電極膜２１Ｆ４をベタ状に成膜する。成膜された第１透明電極膜２１Ｆ４は、膜部３６の第２面３６Ｂ上に配される部分と、ベース面２１Ｆ２Ｓ上に配される部分と、を含むことになる。第１透明電極膜２１Ｆ４のうちの膜部３６の第２面３６Ｂ上に配される部分のうち、膜部３６におけるＸ軸方向についての両端部からはみ出した部分がそれぞれ垂れ下がる状態となるとともに、それぞれの下端部がベース面２１Ｆ２Ｓ上に配される部分から物理的に切り離された状態となる。つまり、第１透明電極膜２１Ｆ４のうちの膜部３６の第２面３６Ｂ上に配される部分である第２導電部３８と、ベース面２１Ｆ２Ｓ上に配される部分である第１導電部３７と、の間には、膜部３６による段差に起因した断切れが生じる。これにより、第１導電部３７と第２導電部３８との電気的な独立性を担保することができる。このように、第１透明電極膜２１Ｆ４からなる第１導電部３７及び第２導電部３８を設けるに際し、従来のようにレジスト膜のパターニングを行う必要がないから、第１導電部３７及び第２導電部３８の密度が、従来のようにレジスト膜のパターンに依存することがない。従って、本実施形態によれば、第１導電部３７及び第２導電部３８の配置密度を従来よりも高めることができる。

【0042】

以上のようにして第６工程を終えた後に第７工程を行い、第２層間絶縁膜２１Ｆ５を成膜する。すると、図５に示すように、第２層間絶縁膜２１Ｆ５によって第１導電部３７及び第２導電部３８が覆われるとともに、第２導電部３８の垂下部３８Ａと、第１導電部３７の重畳部３７Ａと、の間に空けられた隙間が充填される。これにより、第１導電部３７と第２導電部３８との絶縁性が担保される。

【0043】

以上説明したように本実施形態のアレイ基板（基板）２１は、第１層間絶縁膜（ベース部）２１Ｆ２と、第１層間絶縁膜２１Ｆ２のベース面２１Ｆ２Ｓ上に配された膜部３６であって、ベース面２１Ｆ２Ｓに接する第１面３６Ａと、第１面３６Ａとは反対側に位置していて第１面３６Ａよりもベース面２１Ｆ２Ｓに沿う第１方向についての寸法が大きい第２面３６Ｂと、を有する膜部３６と、ベース面２１Ｆ２Ｓ上に、膜部３６に対して隣り合って配されていて第１透明電極膜（導電膜）２１Ｆ４からなる第１導電部３７と、膜部３６の第２面３６Ｂ上に配されて第１透明電極膜２１Ｆ４のうちの第１導電部３７とは別の部分からなる第２導電部３８と、を備える。

【0044】

膜部３６における第２面３６Ｂ上に位置する第２導電部３８は、ベース面２１Ｆ２Ｓ上に位置する第１導電部３７に対して膜部３６の分、ベース面２１Ｆ２Ｓよりも高い配置となっている。その上で、膜部３６は、第２面３６Ｂが第１面３６Ａよりもベース面２１Ｆ２Ｓに沿う第１方向についての寸法が大きいことから、第１透明電極膜２１Ｆ４のうちの互いに別の部分からなる第１導電部３７と第２導電部３８との間には、断切れが生じる。これにより、第１導電部３７と第２導電部３８との電気的な独立性を担保することができる。このように、第１導電部３７及び第２導電部３８の密度が、従来のようにレジスト膜のパターンに依存することがないので、従来よりも高密度配置を実現することができる。

【0045】

また、第２導電部３８は、第２面３６Ｂ側からベース面２１Ｆ２Ｓ側に向けて垂れ下がる垂下部３８Ａを有しており、第１導電部３７は、垂下部３８Ａと平面に視て重畳する重畳部３７Ａを有する。このようにすれば、第１導電部３７と第２導電部３８とが平面に視て隙間無く配置される。これにより、第１導電部３７及び第２導電部３８の配置密度をより高くすることができる。

【0046】

また、膜部３６は、導電性材料からなる。このようにすれば、膜部３６及び第２導電部３８が互いに導通するので、第１導電部３７に比べると、低抵抗になる。従って、膜部３６及び第２導電部３８によって例えば信号を伝送する場合、信号に鈍りが生じ難くなる。

【0047】

また、タッチ配線（配線）３０及び画素電極２５を備えており、第１透明電極膜２１Ｆ４は、透明電極材料からなり、膜部３６は、金属材料からなり、膜部３６及び第２導電部３８は、タッチ配線３０を構成し、第１導電部３７は、画素電極２５を構成する。透明電極材料からなる第１導電部３７によって画素電極２５が構成されるので、画素電極２５の透光性を担保することができるとともに、画素電極２５を充電して電界を発生させることができる。金属材料からなる膜部３６と、透明電極材料からなる第２導電部３８と、によってタッチ配線３０が構成されるので、タッチ配線３０によって伝送される信号に鈍りが生じ難くなる。

【0048】

また、本実施形態のアレイ基板２１の製造方法は、第１層間絶縁膜２１Ｆ２のベース面２１Ｆ２Ｓ上に第３金属膜２１Ｆ３を成膜し、第３金属膜２１Ｆ３をパターニングしてベース面２１Ｆ２Ｓ上に配された膜部３６であって、ベース面２１Ｆ２Ｓに接する第１面３６Ａと、第１面３６Ａとは反対側に位置していて第１面３６Ａよりもベース面２１Ｆ２Ｓに沿う第１方向についての寸法が大きい第２面３６Ｂと、を有する膜部３６を設け、膜部３６上に第１透明電極膜２１Ｆ４を成膜し、第１透明電極膜２１Ｆ４の一部によってベース面２１Ｆ２Ｓ上にて膜部３６に対して隣り合って配される第１導電部３７を設け、第１透明電極膜２１Ｆ４のうちの第１導電部３７とは別の部分によって膜部３６の第２面３６Ｂ上に配される第２導電部３８を設ける。

【0049】

ベース面２１Ｆ２Ｓ上に成膜された第３金属膜２１Ｆ３をパターニングして設けられる膜部３６は、第２面３６Ｂが第１面３６Ａよりもベース面２１Ｆ２Ｓに沿う第１方向についての寸法が大きい。そして、膜部３６上に第１透明電極膜２１Ｆ４を成膜すると、第１透明電極膜２１Ｆ４のうち、膜部３６の第２面３６Ｂ上に配される部分である第２導電部３８と、ベース面２１Ｆ２Ｓ上に配される部分である第１導電部３７と、の間には、断切れが生じる。これにより、第１導電部３７と第２導電部３８との電気的な独立性を担保することができる。このように、第１導電部３７及び第２導電部３８の密度が、従来のようにレジスト膜のパターンに依存することがないので、従来よりも高密度配置を実現することができる。

【0050】

＜実施形態２＞
実施形態２を図１０から図１２によって説明する。この実施形態２では、膜部１３６の構成を変更した場合を示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

【0051】

本実施形態に係る膜部１３６は、図１０に示すように、互いに材料が異なる第１膜部３９及び第２膜部４０の積層構造とされる。第１膜部３９は、ベース面１２１Ｆ２Ｓに接する第１面１３６Ａを有していて第１材料からなる。第１膜部３９の第１材料としては、例えばＣｕやＡｌ等が用いられる。また、第１膜部３９は、第３面１３６Ｃの一部（第１面１３６Ａに連なる部分）を有する。第２膜部４０は、第１膜部３９上に配され、第２面１３６Ｂを有していて第１材料よりもエッチングレートが低い第２材料からなる。アレイ基板１２１の製造方法に含まれる第６工程にて第３金属膜１２１Ｆ３（図１１を参照）をエッチングする際のエッチングレートに関して、第２膜部４０の第２材料は、第１膜部３９の第１材料よりも低い。第２膜部４０の第２材料としては、例えばＩＴＯやＴｉ等が用いられている。第２膜部４０は、第１膜部３９よりもＺ軸方向についての寸法が大きくてもよい。また、第２膜部４０は、第３面１３６Ｃの一部（第２面１３６Ｂに連なる部分）を有する。このようにすれば、第６工程において第３金属膜１２１Ｆ３がエッチングされると、第１膜部３９の第１材料が多く除去されるのに対し、第２膜部４０の第２材料が多く残存することで、ベース面１２１Ｆ２Ｓを指向する第３面１３６Ｃを有する膜部１３６を容易に設けることができる。

【0052】

次に、アレイ基板１２１の製造方法に含まれる第６工程について詳しく説明する。第６工程では、図１１に示すように、ベース面１２１Ｆ２Ｓ上に配される上記した第１材料からなる第１膜１２１Ｆ３Ａと、第１膜１２１Ｆ３Ａ上に配されて上記した第２材料からなる第２膜１２１Ｆ３Ｂと、を順次に成膜することで、第３金属膜１２１Ｆ３が成膜される。ここで、次述するエッチングとしてウェットエッチングを行う場合は、第１膜１２１Ｆ３Ａの第１材料として、例えばＣｕが用いられ、Ｃｕよりもエッチングレートが低い第２膜１２１Ｆ３Ｂの材料として、例えばＩＴＯが用いられることで、第３金属膜１２１Ｆ３は、例えばＩＴＯ／Ｃｕの積層膜とされる。一方、エッチングとしてドライエッチングを行う場合は、第１膜１２１Ｆ３Ａの第１材料として、例えばＡｌが用いられ、Ａｌよりもエッチングレートが低い第２膜１２１Ｆ３Ｂの材料として、例えばＴｉが用いられることで、第３金属膜１２１Ｆ３は、例えばＴｉ／Ａｌの積層膜とされる。

【0053】

第６工程において、第３金属膜１２１Ｆ３をエッチングすると、図１２に示すように、第１膜１２１Ｆ３Ａ及び第２膜１２１Ｆ３Ｂがそれぞれ選択的に除去されるとともに、第１膜１２１Ｆ３Ａの残存部分によって第１膜部３９が設けられ、第２膜１２１Ｆ３Ｂの残存部分によって第２膜部４０が設けられる。このとき、第２膜部４０よりもエッチングレートが高い第１膜部３９が多く除去されるのに対し、第１膜部３９の第１材料よりもエッチングレートが低い第２膜部４０が多く残存する。これにより、第２面１３６ＢよりもＸ軸方向についての寸法が小さい第１面１３６Ａを有する第１膜部３９と、第１面１３６Ａよりも第１方向についての寸法が大きい第２面１３６Ｂを有する第２膜部４０と、からなる膜部１３６を容易に設けることができる。

【0054】

以上説明したように本実施形態のアレイ基板１２１によれば、膜部１３６は、第１面１３６Ａを有していて第１材料からなる第１膜部３９と、第１膜部３９上に配され、第２面１３６Ｂを有していて第１材料よりもエッチングレートが低い第２材料からなる第２膜部４０と、を有する。製造に際しては、第１材料からなる第１膜（膜）１２１Ｆ３Ａと、第２材料からなる第２膜（膜）１２１Ｆ３Ｂと、を連続して成膜した後、２つの膜１２１Ｆ３Ａ，１２１Ｆ３Ｂを一括してエッチングすることで、第１膜部３９と第２膜部４０とを有する膜部１３６が設けられる。第２膜部４０の第２材料が第１膜部３９の第１材料よりもエッチングレートが低いので、エッチングを行うことで膜部１３６を容易に設けることができる。

【0055】

また、本実施形態のアレイ基板１２１の製造方法は、第３金属膜１２１Ｆ３として、第１材料からなる第１膜１２１Ｆ３Ａと、第１材料よりもエッチングレートが低い第２材料からなる第２膜１２１Ｆ３Ｂと、をベース面１２１Ｆ２Ｓ上に順次に成膜し、第１膜１２１Ｆ３Ａ及び第２膜１２１Ｆ３Ｂをエッチングすることで、第１膜１２１Ｆ３Ａの残存部分によって第１面１３６Ａを有する第１膜部３９と、第２膜１２１Ｆ３Ｂの残存部分によって第２面１３６Ｂを有する第２膜部４０と、からなる膜部１３６を設ける。このようにすれば、第１膜１２１Ｆ３Ａ及び第２膜１２１Ｆ３Ｂをエッチングする際に、第２膜１２１Ｆ３Ｂよりもエッチングレートが高い第１膜１２１Ｆ３Ａが、第１膜１２１Ｆ３Ａよりもエッチングレートが低い第２膜１２１Ｆ３Ｂよりも多く除去される。これにより、第２面１３６Ｂよりも第１方向についての寸法が小さい第１面１３６Ａを有する第１膜部３９と、第１面１３６Ａよりも第１方向についての寸法が大きい第２面１３６Ｂを有する第２膜部４０と、からなる膜部１３６を容易に設けることができる。

【0056】

＜実施形態３＞
実施形態３を図１３から図２０によって説明する。この実施形態３では、上記した実施形態１とは異なる膜部４２、第１導電部４３及び第２導電部４４を設けた場合を示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

【0057】

本実施形態に係る液晶パネル２１１を構成するアレイ基板２２１の非表示領域ＮＡＡには、図１３に示すように、ソース配線２２７から引き出される引き出し配線４１が設けられている。引き出し配線４１は、表示領域ＡＡにおいてＹ軸方向に沿って延在するソース配線２２７の両端部のうち、Ｙ軸方向についてドライバ２１２に近い側の端部に接続されている。複数の引き出し配線４１は、非表示領域ＮＡＡにおいて、ドライバ２１２の配置領域から表示領域ＡＡに向けて延出する。ここで、ドライバ２１２は、長辺寸法が表示領域ＡＡの短辺寸法よりも小さい。従って、複数の引き出し配線４１は、ドライバ２１２側から表示領域ＡＡ側に向けて扇状に広がるよう引き回されている。これに伴い、引き出し配線４１の一部は、図１４に示すように、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に対して斜め方向に沿って延在する斜め配線部４１Ａとなっている。複数の斜め配線部４１Ａにおける配列ピッチは、複数のソース配線２２７における配列ピッチよりも狭い。

【0058】

ここで、例えば液晶パネル２１１の高精細化が求められる場合、ソース配線２２７及び引き出し配線４１の設置数を多くすることになる。それ以外にも、例えば液晶パネル２１１の狭額縁化が求められる場合、アレイ基板２２１の非表示領域ＮＡＡを狭くすることになる。いずれにおいても、複数の斜め配線部４１Ａにおける配列ピッチをより狭くする必要が生じ、斜め配線部４１Ａを高密度に配置することが求められる傾向にある。以下では、斜め配線部４１Ａの高密度配置を実現するための引き出し配線４１の構成について詳しく説明する。

【0059】

引き出し配線４１の断面構成について図１５を参照しつつ説明する。本実施形態に係る複数の引き出し配線４１には、図１５に示すように、ガラス基板（ベース部）２２１ＧＳの上面であるベース面２２１ＧＳ１上に配される膜部４２からなる第１引き出し配線４１αと、膜部４２に対してゲート絶縁膜（絶縁膜）２２１Ｆ１を介して上層側に配される第１導電部４３からなる第２引き出し配線４１βと、膜部４２に対してゲート絶縁膜２２１Ｆ１を介して上層側に配される第２導電部４４からなる第３引き出し配線４１γと、が含まれる。つまり、膜部４２、第１導電部４３及び第２導電部４４によって３本の引き出し配線４１α～４１γが構成されている。膜部４２、第１導電部４３及び第２導電部４４は、複数ずつ設けられている。

【0060】

第１引き出し配線４１αを構成する膜部４２は、図１５に示すように、Ｘ軸方向（第１方向）についての断面形状が、順テーパ形状（台形状）とされている。このＸ軸方向は、ガラス基板２２１ＧＳのベース面２２１ＧＳ１上に沿い且つ引き出し配線４１の延在方向と直交（交差）する方向、つまり引き出し配線４１の幅方向である。膜部４２は、Ｘ軸方向についての寸法（幅寸法）が、Ｚ軸方向についてベース面２２１ＧＳ１側からその反対側に向けて連続的に漸次減少する構成とされる。また、膜部４２は、Ｘ軸方向についての断面形状が対称形状とされる。

【0061】

膜部４２は、図１５に示すように、ガラス基板２２１ＧＳのベース面２２１ＧＳ１に接する第１面４２Ａと、第１面４２Ａとは反対側に位置する第２面４２Ｂと、それぞれ第１面４２Ａと第２面４２Ｂとの間を繋ぐ第３面４２Ｃ及び第４面４２Ｄと、を有する。第１面４２Ａは、膜部４２の底面であると言え、接するベース面２２１ＧＳ１とＺ軸方向について同じ高さとなっている。第２面４２Ｂは、膜部４２の頂面であると言え、第１面４２Ａ及びベース面２２１ＧＳ１よりも膜部４２の厚み分高い配置とされる。第３面４２Ｃ及び第４面４２Ｄは、いずれも膜部４２の側面であると言える。第１面４２Ａ及び第２面４２Ｂは、Ｘ軸方向についての各中央位置が一致している。そして、第２面４２Ｂは、第１面４２ＡよりもＸ軸方向についての寸法が小さい。第３面４２Ｃは、第１面４２Ａ側から第２面４２Ｂ側に向けて立ち上がり、表側、つまりベース面２２１ＧＳ１側とは反対側を指向するよう配されている。第４面４２Ｄは、第３面４２ＣとはＸ軸方向について反対側に位置していて第１面４２Ａ側から第２面４２Ｂ側に向けて立ち上がる。第４面４２Ｄも、第３面４２Ｃと同様に、表側、つまりベース面２２１ＧＳ１側とは反対側を指向するよう配されている。第３面４２Ｃ及び第４面４２Ｄは、いずれもＸ軸方向に対して傾いた傾斜面とされる。第３面４２Ｃ及び第４面４２Ｄは、Ｘ軸方向に対してなす傾斜角度が同一とされる。第３面４２Ｃ及び第４面４２ＤがＸ軸方向に対してなす内角は、鋭角とされ、例えば４５°よりも大きくて９０°よりも小さくてもよい。このような構成の膜部４２は、上層側のゲート絶縁膜２２１Ｆ１によって覆われている。ゲート絶縁膜２２１Ｆ１のうち、膜部４２を覆う部分は、膜部４２の外形に沿う断面形状となっており、第２面４２Ｂ、第３面４２Ｃ及び第４面４２Ｄのそれぞれに並行する部分を含む。

【0062】

第２引き出し配線４１βを構成する第１導電部４３は、図１５に示すように、ゲート絶縁膜２２１Ｆ１を介して膜部４２の第３面４２Ｃ上に配されている。第１導電部４３は、膜部４２の第３面４２Ｃに並行するよう、Ｘ軸方向に対して傾いた断面形状とされる。Ｘ軸方向に対する第１導電部４３の傾斜角度は、Ｘ軸方向に対する第３面４２Ｃの傾斜角度とほぼ等しい。第３引き出し配線４１γを構成する第２導電部４４は、ゲート絶縁膜２２１Ｆ１を介して膜部４２の第４面４２Ｄ上に配されている。第２導電部４４は、膜部４２の第４面４２Ｄに並行するよう、Ｘ軸方向に対して傾いた断面形状とされる。Ｘ軸方向に対する第２導電部４４の傾斜角度は、Ｘ軸方向に対する第４面４２Ｄの傾斜角度とほぼ等しい。

【0063】

上記した膜部４２は、図１７に示すように、ガラス基板２２１ＧＳのベース面２２１ＧＳ１上に配される第１金属膜２２１Ｆ６からなる。膜部４２によって構成される第１引き出し配線４１αは、接続対象のソース配線２２７（図１３を参照）に対してゲート絶縁膜２２１Ｆ１に設けられたコンタクトホールを通して接続されている。第１導電部４３は、図２０に示すように、ゲート絶縁膜２２１Ｆ１上に配される第２金属膜（導電膜）２２１Ｆ７からなる。第２導電部４４は、第２金属膜２２１Ｆ７のうちの第１導電部４３とは別の部分からなる。製造に際しては、膜部４２上に成膜された第２金属膜２２１Ｆ７をエッチングすることで、第１導電部４３及び第２導電部４４が設けられる。ここで、上記したように、膜部４２は、第２面４２Ｂが第１面４２Ａと比べてＸ軸方向についての寸法が小さいから、第２金属膜２２１Ｆ７をエッチングすると、第２金属膜２２１Ｆ７のうち、第１面４２Ａ側から第２面４２Ｂ側に向けて立ち上がる第３面４２Ｃ及び第４面４２Ｄ上にそれぞれ配される部分が選択的に残存することになり、当該部分によって第１導電部４３及び第２導電部４４が設けられる。本実施形態では、従来のように、第２金属膜２２１Ｆ７上にレジスト膜を成膜し、そのレジスト膜をパターニングする必要がないことから、レジスト膜をパターニングするための設備（露光装置等）の性能に依らず、第１導電部４３及び第２導電部４４の配置密度を高めることが可能とされる。このように、本実施形態によれば、第１導電部４３及び第２導電部４４を従来よりも高密度に配置することができる。また、第１金属膜２２１Ｆ６からなる膜部４２と、第２金属膜２２１Ｆ７からなる第１導電部４３及び第２導電部４４と、は、間に介在するゲート絶縁膜２２１Ｆ１によって絶縁されているので、相互の電気的な独立性が担保される。

【0064】

次に、アレイ基板２２１の製造方法に含まれる第１工程から第３工程について詳しく説明する。第１工程では、図１６に示すように、ガラス基板２２１ＧＳのベース面２２１ＧＳ１上に第１金属膜２２１Ｆ６をベタ状に成膜し、さらに第１金属膜２２１Ｆ６上にレジスト膜ＰＲ２をベタ状に成膜する。その後、露光装置と、フォトマスクＰＭ２と、を用いてレジスト膜ＰＲ２を露光する。第１工程で用いられるレジスト膜ＰＲ２は、ポジ型の感光性レジスト材料からなる。ここで、フォトマスクＰＭ２について説明する。フォトマスクＰＭ２は、十分に高い透光性を有する透明な基材ＰＭ２Ａと、基材ＰＭ２Ａの主面に形成される遮光膜ＰＭ２Ｂと、を備える。遮光膜ＰＭ２Ｂは、露光装置の光源からの露光光を遮光し、部分的な開口ＰＭ２Ｃを有する。フォトマスクＰＭ２は、遮光膜ＰＭ２Ｂの形成範囲が光を遮る遮光領域とされ、開口ＰＭ２Ｃの形成範囲（遮光膜ＰＭ２Ｂの非形成範囲）が光を透過する透過領域とされている。遮光膜ＰＭ２Ｂは、複数の第１引き出し配線４１αと重畳するよう設けられている。

【0065】

第１工程において、露光装置の光源から発せられた露光光が、上記のような構成のフォトマスクＰＭ２を介してレジスト膜ＰＲ２に対して照射されると、レジスト膜ＰＲ２は、遮光膜ＰＭ２Ｂと重畳する範囲が非露光とされ、開口ＰＭ２Ｃと重畳する範囲が選択的に露光される。露光に続いて現像が行われると、図１７に示すように、ポジ型のレジスト膜ＰＲ２のうちの露光部分は、現像液によって溶解される速度、つまり溶解速度が早いので除去される。一方、非露光部分については溶解速度が遅くなっていて残存することになる。

【0066】

以上のようにしてレジスト膜ＰＲ２をパターニングしたら、図１７に示すように、レジスト膜ＰＲ２をマスクとして用いて第１金属膜２２１Ｆ６をエッチングする。このとき、エッチング液を用いるウェットエッチングと、真空放電プラズマを用いるドライエッチングと、のいずれかを行うことができる。第１金属膜２２１Ｆ６をエッチングすることで第１金属膜２２１Ｆ６がパターニングされると、図１８に示すように、Ｘ軸方向についての断面形状が順テーパ形状となる膜部４２が設けられる。このようにして設けられた順テーパ形状の膜部４２は、ガラス基板２２１ＧＳのベース面２２１ＧＳ１に接する第１面４２Ａと、第１面４２Ａとは反対側に位置していて第１面４２ＡよりもＸ軸方向についての寸法が大きい第２面４２Ｂと、ベース面２２１ＧＳ１を指向する第３面４２Ｃと、を有する。その後、膜部４２上に残存したレジスト膜ＰＲ２を剥離する。

【0067】

第２工程では、図１９に示すように、膜部４２及びベース面２２１ＧＳ１上にゲート絶縁膜２２１Ｆ１をベタ状に成膜する。成膜されたゲート絶縁膜２２１Ｆ１は、膜部４２の第２面４２Ｂ、第３面４２Ｃ及び第４面４２Ｄ上に配される部分と、ベース面２２１ＧＳ１上に配される部分と、を含むことになり、このうちの前者は、膜部４２に倣った断面形状となる。続いて、第３工程では、ゲート絶縁膜２２１Ｆ１上に第２金属膜２２１Ｆ７をベタ状に成膜する。成膜された第２金属膜２２１Ｆ７は、ゲート絶縁膜２２１Ｆ１に並行しており、ゲート絶縁膜２２１Ｆ１のうちの膜部４２に乗り上げる部分上に配される部分は、膜部４２に倣った断面形状となる。

【0068】

そして、第３工程では、図２０に示すように、所定のマスクを介することなく、第２金属膜２２１Ｆ７を直接的にエッチングする。つまり、従来であれば、第２金属膜２２１Ｆ７上にレジスト膜を成膜し、露光装置等を用いてパターニングしたレジスト膜をマスクとして用いて第２金属膜２２１Ｆ７をエッチングするのに対し、本実施形態では、そのようなパターニングしたレジスト膜を要することなく、第２金属膜２２１Ｆ７の全域をエッチングしている。このとき、真空放電プラズマを用いるドライエッチングを行うのが好ましいが、エッチング液を用いるウェットエッチングでもよい。エッチングが行われると、第２金属膜２２１Ｆ７のうち、ゲート絶縁膜２２１Ｆ１を介して膜部４２の第３面４２Ｃ及び第４面４２Ｄ上に配される部分は、他の部分よりもＺ軸方向についての高さが大きいことから、エッチングによって除去されずに選択的に残存することになる。この残存部分によって第３面４２Ｃ上に配される第１導電部４３と、第４面４２Ｄ上に配される第２導電部４４と、が設けられる。このように、第２金属膜２２１Ｆ７からなる第１導電部４３及び第２導電部４４を設けるに際し、従来のようにレジスト膜のパターニングを行う必要がないから、第１導電部４３及び第２導電部４４の密度が、従来のようにレジスト膜のパターンに依存することがない。従って、本実施形態によれば、第１導電部４３及び第２導電部４４の配置密度を従来よりも高めることができる。

【0069】

以上説明したように本実施形態のアレイ基板２２１は、ガラス基板（ベース部）２２１ＧＳと、ガラス基板２２１ＧＳのベース面２２１ＧＳ１上に配された膜部４２であって、ベース面２２１ＧＳ１に接する第１面４２Ａと、第１面４２Ａとは反対側に位置していて第１面４２Ａに比べてベース面２２１ＧＳ１に沿う第１方向についての寸法が小さいか同じとされる第２面４２Ｂと、第１面４２Ａ側から第２面４２Ｂ側に向けて立ち上がる第３面４２Ｃと、第３面４２Ｃとは第１方向について反対側に位置していて第１面４２Ａ側から第２面４２Ｂ側に向けて立ち上がる第４面４２Ｄと、を有する膜部４２と、膜部４２の第３面４２Ｃ上に配されて第２金属膜（導電膜）２２１Ｆ７からなる第１導電部４３と、膜部４２の第４面４２Ｄ上に配されて第２金属膜２２１Ｆ７のうちの第１導電部４３とは別の部分からなる第２導電部４４と、を備える。

【0070】

膜部４２は、第２面４２Ｂが第１面４２Ａと比べてベース面２２１ＧＳ１に沿う第１方向についての寸法が小さいか同じとされる。従って、製造に際して膜部４２上に成膜された第２金属膜２２１Ｆ７をエッチングすると、第２金属膜２２１Ｆ７のうち、第１面４２Ａ側から第２面４２Ｂ側に向けて立ち上がる第３面４２Ｃ及び第４面４２Ｄ上にそれぞれ配される部分が選択的に残存することになり、当該部分によって第１導電部４３及び第２導電部４４が設けられる。このように、第１導電部４３及び第２導電部４４の密度が、従来のようにレジスト膜のパターンに依存することがないので、従来よりも高密度配置を実現することができる。

【0071】

また、膜部４２と第２金属膜２２１Ｆ７との間に配されるゲート絶縁膜（絶縁膜）２２１Ｆ１を備えており、膜部４２は、導電性材料からなり、第１導電部４３及び第２導電部４４は、ゲート絶縁膜２２１Ｆ１上に配される。導電性材料からなる膜部４２によって信号等を伝送することが可能となる。導電性材料からなる膜部４２と第１導電部４３及び第２導電部４４との間には、ゲート絶縁膜２２１Ｆ１が介在することで、相互の電気的な独立性が担保される。

【0072】

また、本実施形態のアレイ基板２２１の製造方法は、ガラス基板２２１ＧＳのベース面２２１ＧＳ１上に第１金属膜（膜）２２１Ｆ６を成膜し、第１金属膜２２１Ｆ６をパターニングしてベース面２２１ＧＳ１上に配された膜部４２であって、ベース面２２１ＧＳ１に接する第１面４２Ａと、第１面４２Ａとは反対側に位置していて第１面４２Ａと比べてベース面２２１ＧＳ１に沿う第１方向についての寸法が小さいか同じとされる第２面４２Ｂと、第１面４２Ａ側から第２面４２Ｂ側に向けて立ち上がる第３面４２Ｃと、第３面４２Ｃとは第１方向について反対側に位置していて第１面４２Ａ側から第２面４２Ｂ側に向けて立ち上がる第４面４２Ｄと、を有する膜部４２を設け、膜部４２上に第１透明電極膜（導電膜）２１Ｆ４を成膜し、第２金属膜２２１Ｆ７をエッチングすることで、第２金属膜２２１Ｆ７の一部によって膜部４２の第３面４２Ｃ上に配される第１導電部４３を設け、第２金属膜２２１Ｆ７のうちの第１導電部４３とは別の部分によって膜部４２の第４面４２Ｄ上に配される第２導電部４４を設ける。

【0073】

ベース面２２１ＧＳ１上に成膜された第１金属膜２２１Ｆ６をパターニングして設けられる膜部４２は、第２面４２Ｂが第１面４２Ａと比べてベース面２２１ＧＳ１に沿う第１方向についての寸法が小さいか同じとされる。従って、膜部４２上に成膜した第２金属膜２２１Ｆ７をエッチングすると、第２金属膜２２１Ｆ７のうち、膜部４２の第３面４２Ｃ上に配される部分と、膜部４２の第４面４２Ｄ上に配される部分と、が選択的に残存することになり、当該部分によって第１導電部４３及び第２導電部４４が設けられる。このように、第１導電部４３及び第２導電部４４の密度が、従来のようにレジスト膜のパターンに依存することがないので、従来よりも高密度配置を実現することができる。

【0074】

＜実施形態４＞
実施形態４を図２１によって説明する。この実施形態４では、上記した実施形態３から膜部３４２の構成を変更した場合を示す。なお、上記した実施形態３と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

【0075】

本実施形態に係る膜部３４２は、図２１に示すように、ゲート絶縁膜３２１Ｆ１からなる。つまり、膜部３４２は、絶縁性材料からなる。これに伴い、本実施形態では、複数の引き出し配線３４１は、第１導電部３４３と第２導電部３４４とによって構成される。第１導電部３４３は、膜部３４２の第３面３４２Ｃ上に直接載る形で配され、第２導電部３４４は、膜部３４２の第４面３４２Ｄ上に直接載る形で配される。このような構成であっても、上記した実施形態３と同様の作用及び効果を得ることができる。

【0076】

＜実施形態５＞
実施形態５を図２２によって説明する。この実施形態５では、上記した実施形態１に記載した膜部４３６の構成を変更し、実施形態１に記載した第１導電部４３７及び第２導電部４３８によって実施形態３に記載した引き出し配線４４１を構成した場合を示す。なお、上記した実施形態１，３と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

【0077】

本実施形態に係る膜部４３６、第１導電部４３７及び第２導電部４３８は、図２２に示すように、アレイ基板４２１の非表示領域ＮＡＡに配されており、このうちの第１導電部４３７及び第２導電部４３８が、実施形態３に記載した引き出し配線４４１を構成している（図１３を参照）。そして、膜部４３６は、ガラス基板（ベース部）４２１ＧＳのベース面４２１ＧＳ１上に配されていて、ゲート絶縁膜４２１Ｆ１からなる。つまり、膜部４３６は、絶縁性材料からなる。第１導電部４３７は、ガラス基板４２１ＧＳのベース面４２１ＧＳ１上にて、膜部４３６に対して隣り合って配されていて、第２金属膜の一部からなる。第１導電部４３７は、複数の引き出し配線４４１に含まれる第４引き出し配線４４１δを構成する。第２導電部４３８は、膜部４３６の第２面４３６Ｂ上に配されていて、第２金属膜のうちの第１導電部４３７とは別の部分からなる。第２導電部４３８は、複数の引き出し配線４４１に含まれていて、第４引き出し配線４４１δとは別の第５引き出し配線４４１εを構成する。このように、膜部４３６が絶縁性材料からなることで、第１導電部４３７第２導電部４３８の導電性が同等になる。従って、第１導電部４３７によって構成される第４引き出し配線４４１δと、第２導電部４３８によって構成される第５引き出し配線４４１εと、で配線抵抗が同等になる。これにより、第４引き出し配線４４１δによって伝送される画像信号と、第５引き出し配線４４１εによって伝送される画像信号と、で生じ得る鈍りに差が生じ難くなる。このような構成であっても、上記した実施形態１，３と同様の作用及び効果を得ることができる。

【0078】

以上説明したように本実施形態によれば、膜部４３６は、絶縁性材料からなる。このようにすれば、第１導電部４３７及び第２導電部４３８の導電性が同等になる。従って、第１導電部４３７及び第２導電部４３８によって例えば信号をそれぞれ伝送する場合、第１導電部４３７によって伝送される信号と、第２導電部４３８によって伝送される信号と、で生じ得る鈍りに差が生じ難くなる。

【0079】

＜他の実施形態＞
本明細書が開示する技術は、上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されず、例えば次のような実施形態も技術的範囲に含まれる。

【0080】

（１）実施形態１，２，５に記載した構成において、膜部３６，１３６，４３６は、第３面３６Ｃがベース面２１Ｆ２Ｓ，１２１Ｆ２Ｓや第１面３６Ａ，１３６Ａとほぼ平行となるよう構成されてもよい。

【0081】

（２）実施形態３，４に記載した構成において、膜部４２，３４２は、第２面４２ＢにおけるＸ軸方向についての寸法が、第１面４２ＡにおけるＸ軸方向についての寸法と等しくてもよい。その場合、膜部４２，３４２は、Ｘ軸方向についての断面形状が方形状となり、第３面４２Ｃ，３４２Ｃ及び第４面４２Ｄ，３４２ＤがＸ軸方向に対してベース面２２１ＧＳ１に対してほぼ垂直をなす。

【0082】

（３）実施形態１，２，５に記載した構成において、第２導電部３８，４３８が垂下部３８Ａを有さない構成でもよい。

【0083】

（４）実施形態１，２に記載した構成において、タッチ配線３０以外の配線を、膜部３６，１３６及び第２導電部３８によって構成することも可能である。

【0084】

（５）実施形態１，２に記載した構成において、画素電極２５以外の電極や配線を、第１導電部３７によって構成することも可能である。

【0085】

（６）実施形態１，２に記載した構成において、第１導電部３７及び第２導電部３８を、金属材料（金属膜）によって構成することも可能である。その場合、膜部３６，１３６及び第１導電部３７によって配線を構成し、第２導電部３８によって別の配線を構成することも可能である。また、膜部３６，１３６を絶縁性材料によって構成し、金属材料からなる第１導電部３７によって配線を構成することも可能である。

【0086】

（７）実施形態１，２に記載した構成において、共通電極２８を非分割構成とし、液晶パネル１１にタッチパネル機能を内蔵させなくしてもよい。その場合、タッチ配線３０に代えて共通電極２８に共通信号を供給する共通配線を、膜部３６，１３６及び第２導電部３８によって構成することが可能である。

【0087】

（８）実施形態３から実施形態５に記載した構成において、ソース配線２２７以外の配線（例えばゲート配線２６等）に接続される引き出し配線４１，３４１，４４１を、膜部４２，３４２、第１導電部４３，３４３及び第２導電部４４，３４４のいずれかによって構成することも可能である。

【0088】

（９）実施形態３から実施形態５に記載した構成において、引き出し配線４１，３４１，４４１以外の配線（例えばゲート配線２６ソース配線２２７等）を、膜部４２，３４２、第１導電部４３，３４３及び第２導電部４４，３４４のいずれかによって構成することも可能である。

【0089】

（１０）ベース部は、第１層間絶縁膜２１Ｆ２及びガラス基板２２１ＧＳ，４２１ＧＳ以外であってもよい。

【0090】

（１１）レジスト膜ＰＲ１，ＰＲ２は、ポジ型以外にもネガ型であってもよい。

【0091】

（１２）液晶パネル１１，２１１の平面形状は、縦長の長方形、正方形、円形、半円形、長円形、楕円形、台形などでもよい。

【0092】

（１３）液晶パネル１１，２１１は、透過型以外にも反射型や半透過型であってもよい。

【0093】

（１４）液晶パネル１１，２１１以外の表示パネル（有機ＥＬ表示パネル等）でもよい。

【符号の説明】

【0094】

２１，１２１，２２１，３２１，４２１…アレイ基板（基板）、２１Ｆ２…第１層間絶縁膜（ベース部）、２１Ｆ２Ｓ，１２１Ｆ２Ｓ…ベース面、２１Ｆ３，１２１Ｆ３…第３金属膜（膜）、２１Ｆ４…第１透明電極膜（導電膜）、２５…画素電極、３０…タッチ配線（配線）、３６，１３６，４３６…膜部、３６Ａ，１３６Ａ…第１面、３６Ｂ，１３６Ｂ，４３６Ｂ…第２面、３７，４３７…第１導電部、３７Ａ…重畳部、３８，４３８…第２導電部、３８Ａ…垂下部、３９…第１膜部、４０…第２膜部、４２，３４２…膜部、４２Ａ…第１面、４２Ｂ…第２面、４２Ｃ，３４２Ｃ…第３面、４２Ｄ，３４２Ｄ…第４面、４３，３４３…第１導電部、４４，３４４…第２導電部、１２１Ｆ３Ａ…第１膜、１２１Ｆ３Ｂ…第２膜、２２１ＧＳ，４２１ＧＳ…ガラス基板（ベース部）、２２１ＧＳ１，４２１ＧＳ１…ベース面、２２１Ｆ１，３２１Ｆ１，４２１Ｆ１…ゲート絶縁膜（絶縁膜）、２２１Ｆ６…第１金属膜（膜）、２２１Ｆ７…第２金属膜（導電膜）

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】