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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024178714
(43)【公開日】2024-12-25
(54)【発明の名称】放射線検出モジュール
(51)【国際特許分類】
G01T 1/20 20060101AFI20241218BHJP
H01L 27/146 20060101ALI20241218BHJP
H01L 27/144 20060101ALI20241218BHJP
【ＦＩ】
G01T1/20 L
G01T1/20 E
G01T1/20 G
H01L27/146 D
H01L27/144 K
【審査請求】未請求
【請求項の数】5
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023097076
(22)【出願日】2023-06-13
(71)【出願人】
【識別番号】503382542
【氏名又は名称】キヤノン電子管デバイス株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001737
【氏名又は名称】弁理士法人スズエ国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】榛葉 勇一
【テーマコード（参考）】
2G188
4M118
【Ｆターム（参考）】
2G188AA03
2G188BB02
2G188CC15
2G188CC17
2G188CC19
2G188CC22
2G188DD05
2G188DD11
2G188DD34
2G188DD36
2G188DD41
2G188DD42
2G188DD44
2G188DD47
2G188EE07
2G188EE32
4M118AA10
4M118AB01
4M118BA05
4M118CA02
4M118CB11
4M118FB03
4M118FB09
4M118FB13
4M118GA08
4M118HA02
4M118HA25
4M118HA26
4M118HA30
4M118HA32
(57)【要約】
【課題】 狭額縁化が可能な放射線検出モジュールを提供する。
【解決手段】 放射線検出モジュールは、光電変換基板２と、シンチレータ層５と、配線基板と、防湿カバー７と、封止部８と、を備えている。封止部８は、光電変換基板２と防湿カバー７との間と、上記配線基板と防湿カバー７との間と、に位置している。封止部８は、非検出領域ＮＤＡに枠状に設けられ、光電変換基板２及び防湿カバー７とともにシンチレータ層５を覆っている。
【選択図】図６
【解決手段】 放射線検出モジュールは、光電変換基板２と、シンチレータ層５と、配線基板と、防湿カバー７と、封止部８と、を備えている。封止部８は、光電変換基板２と防湿カバー７との間と、上記配線基板と防湿カバー７との間と、に位置している。封止部８は、非検出領域ＮＤＡに枠状に設けられ、光電変換基板２及び防湿カバー７とともにシンチレータ層５を覆っている。
【選択図】図６
【特許請求の範囲】
【請求項1】
検出領域に位置した光電変換素子と、前記検出領域より外側の非検出領域に位置し前記光電変換素子に電気的に接続されたパッドと、を有する光電変換基板と、
前記光電変換基板の上に設けられ前記検出領域に位置したシンチレータ層と、
前記光電変換基板の前記非検出領域に固定され前記パッドに電気的に接続された配線基板と、
前記光電変換基板及び前記シンチレータ層の上方に設けられ前記検出領域及び前記非検出領域に位置した防湿カバーと、
前記光電変換基板と前記防湿カバーとの間と前記配線基板と前記防湿カバーとの間とに位置し前記非検出領域に枠状に設けられ前記光電変換基板及び前記防湿カバーとともに前記シンチレータ層を覆った封止部と、を備える、
放射線検出モジュール。
前記光電変換基板の上に設けられ前記検出領域に位置したシンチレータ層と、
前記光電変換基板の前記非検出領域に固定され前記パッドに電気的に接続された配線基板と、
前記光電変換基板及び前記シンチレータ層の上方に設けられ前記検出領域及び前記非検出領域に位置した防湿カバーと、
前記光電変換基板と前記防湿カバーとの間と前記配線基板と前記防湿カバーとの間とに位置し前記非検出領域に枠状に設けられ前記光電変換基板及び前記防湿カバーとともに前記シンチレータ層を覆った封止部と、を備える、
放射線検出モジュール。
【請求項2】
前記封止部は、ポリエチレン及びポリプロピレンの少なくとも一方である熱可塑性樹脂を含む材料で形成されている、
請求項１に記載の放射線検出モジュール。
請求項１に記載の放射線検出モジュール。
【請求項3】
前記防湿カバーは、金属層を含むシート、無機絶縁層を含むシート、樹脂層と前記金属層とが積層された第１積層シート、及び前記樹脂層と前記無機絶縁層とが積層された第２積層シートの何れか一である、
請求項１に記載の放射線検出モジュール。
請求項１に記載の放射線検出モジュール。
【請求項4】
防湿部をさらに備え、
前記光電変換基板は、
前記検出領域及び前記非検出領域を延在し前記光電変換素子及び前記パッドに電気的に接続され上面と前記検出領域から最も離れて位置した端面とを含んでいる金属配線と、
前記金属配線の前記上面を覆った絶縁層と、をさらに有し、
前記パッドは、前記絶縁層の上方に設けられ、
前記端面は、前記絶縁層の外側に露出し、
前記防湿部は、前記端面を覆っている、
請求項１に記載の放射線検出モジュール。
前記光電変換基板は、
前記検出領域及び前記非検出領域を延在し前記光電変換素子及び前記パッドに電気的に接続され上面と前記検出領域から最も離れて位置した端面とを含んでいる金属配線と、
前記金属配線の前記上面を覆った絶縁層と、をさらに有し、
前記パッドは、前記絶縁層の上方に設けられ、
前記端面は、前記絶縁層の外側に露出し、
前記防湿部は、前記端面を覆っている、
請求項１に記載の放射線検出モジュール。
【請求項5】
前記パッドと前記配線基板との間に位置し前記パッドを含む前記光電変換基板と前記配線基板とに接合され前記パッドと前記配線基板とに電気的に接続された接続材をさらに備え、
前記防湿部は、前記光電変換基板、前記配線基板、及び前記封止部とともに前記接続材を覆っている、
請求項４に記載の放射線検出モジュール。
前記防湿部は、前記光電変換基板、前記配線基板、及び前記封止部とともに前記接続材を覆っている、
請求項４に記載の放射線検出モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、放射線検出モジュールに関する。
【背景技術】
【0002】
放射線検出器として、例えばＸ線検出器（Ｘ線平面検出器）が知られている。Ｘ線検出器のＸ線検出モジュールは、Ｘ線を蛍光に変換するシンチレータ層と、蛍光を電気信号に変換する光電変換基板と、を備えている。シンチレータ層は、例えばヨウ化セシウム（ＣｓＩ）を含んでいる。また、蛍光の利用効率を高めて感度特性を改善するために、Ｘ線検出モジュールは、シンチレータ層の上に設けられた光反射層をさらに備える場合もある。
【0003】
ここで、水蒸気などに起因する特性の劣化を抑制するために、シンチレータ層と光反射層を、外部雰囲気から隔離する必要がある。そこで、高い防湿性能が得られる構造として、シンチレータ層と光反射層をハット形状の防湿カバーで覆い、防湿カバーの周縁部を光電変換基板に接着する技術が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０２１－１８９１０１号公報
【特許文献2】特開２０２１－１０５５９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本実施形態は、狭額縁化が可能な放射線検出モジュールを提供する。
【課題を解決するための手段】
【0006】
一実施形態に係る放射線検出モジュールは、
検出領域に位置した光電変換素子と、前記検出領域より外側の非検出領域に位置し前記光電変換素子に電気的に接続されたパッドと、を有する光電変換基板と、
前記光電変換基板の上に設けられ前記検出領域に位置したシンチレータ層と、
前記光電変換基板の前記非検出領域に固定され前記パッドに電気的に接続された配線基板と、
前記光電変換基板及び前記シンチレータ層の上方に設けられ前記検出領域及び前記非検出領域に位置した防湿カバーと、
前記光電変換基板と前記防湿カバーとの間と前記配線基板と前記防湿カバーとの間とに位置し前記非検出領域に枠状に設けられ前記光電変換基板及び前記防湿カバーとともに前記シンチレータ層を覆った封止部と、を備える。
検出領域に位置した光電変換素子と、前記検出領域より外側の非検出領域に位置し前記光電変換素子に電気的に接続されたパッドと、を有する光電変換基板と、
前記光電変換基板の上に設けられ前記検出領域に位置したシンチレータ層と、
前記光電変換基板の前記非検出領域に固定され前記パッドに電気的に接続された配線基板と、
前記光電変換基板及び前記シンチレータ層の上方に設けられ前記検出領域及び前記非検出領域に位置した防湿カバーと、
前記光電変換基板と前記防湿カバーとの間と前記配線基板と前記防湿カバーとの間とに位置し前記非検出領域に枠状に設けられ前記光電変換基板及び前記防湿カバーとともに前記シンチレータ層を覆った封止部と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下、本発明の各実施形態、各変形例、及び比較例について、図面を参照しながら説明する。
（一実施形態）
まず、一実施形態に係るＸ線検出器について詳細に説明する。図１は、本実施形態に係るＸ線検出器１を示す断面図である。Ｘ線検出器１は、Ｘ線画像検出器であり、Ｘ線検出パネルを利用するＸ線平面検出器である。Ｘ線検出器１は、例えば、一般医療用途等に用いられている。
（一実施形態）
まず、一実施形態に係るＸ線検出器について詳細に説明する。図１は、本実施形態に係るＸ線検出器１を示す断面図である。Ｘ線検出器１は、Ｘ線画像検出器であり、Ｘ線検出パネルを利用するＸ線平面検出器である。Ｘ線検出器１は、例えば、一般医療用途等に用いられている。
【0009】
図１に示すように、Ｘ線検出器１は、Ｘ線検出モジュール１０、支持基板１２、スペーサ９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄ、筐体５１、入射窓５２等を備えている。Ｘ線検出モジュール１０は、Ｘ線検出パネルＰＮＬ、回路基板１１、ＦＰＣ（フレキシブルプリント基板）２ｅ１等を備えている。Ｘ線検出パネルＰＮＬは、支持基板１２と入射窓５２との間に位置している。Ｘ線検出パネルＰＮＬは、入射窓５２と対向した防湿カバー７を備えている。
【0010】
入射窓５２は、筐体５１の開口に取付けられている。入射窓５２はＸ線を透過させる。そのため、Ｘ線は入射窓５２を透過してＸ線検出パネルＰＮＬに入射される。入射窓５２は、板状に形成され、筐体５１内部を保護する機能を有している。入射窓５２は、Ｘ線吸収率の低い材料で薄く形成することが望ましい。これにより、入射窓５２で生じる、Ｘ線の散乱と、Ｘ線量の減衰とを低減することができる。そして、薄くて軽いＸ線検出器１を実現することができる。
Ｘ線検出モジュール１０、支持基板１２等は、筐体５１及び入射窓５２で囲まれた空間の内部に収容されている。
Ｘ線検出モジュール１０、支持基板１２等は、筐体５１及び入射窓５２で囲まれた空間の内部に収容されている。
【0011】
Ｘ線検出パネルＰＮＬは、薄い部材を積層して構成されているため、軽く機械的強度の低いものである。このため、Ｘ線検出パネルＰＮＬは、粘着シートを介して支持基板１２の平坦な一面に固定されている。支持基板１２は、例えばアルミニウム合金で板状に形成され、Ｘ線検出パネルＰＮＬを安定して保持するために必要な強度を有している。これにより、Ｘ線検出器１に外部から振動や衝撃が加わった際におけるＸ線検出パネルＰＮＬの破損を抑制することができる。
【0012】
支持基板１２の他面には、スペーサ９ａ，９ｂを介して回路基板１１が固定されている。電気絶縁材料で形成されたスペーサ９ａ，９ｂを使用することで、主に金属から構成される支持基板１２から回路基板１１までの電気的絶縁距離を保持することができる。
筐体５１の内面には、スペーサ９ｃ，９ｄを介して回路基板１１が固定されている。電気絶縁材料で形成されたスペーサ９ｃ，９ｄを使用することで、主に金属から構成される筐体５１から回路基板１１までの電気的絶縁距離を保持することができる。筐体５１は、回路基板１１及びスペーサ９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄを介して支持基板１２等を支持している。
筐体５１の内面には、スペーサ９ｃ，９ｄを介して回路基板１１が固定されている。電気絶縁材料で形成されたスペーサ９ｃ，９ｄを使用することで、主に金属から構成される筐体５１から回路基板１１までの電気的絶縁距離を保持することができる。筐体５１は、回路基板１１及びスペーサ９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄを介して支持基板１２等を支持している。
【0013】
回路基板１１にはＦＰＣ２ｅ１に対応するコネクタが実装され、ＦＰＣ２ｅ１はコネクタを介して回路基板１１に電気的に接続されている。ＦＰＣ２ｅ１とＸ線検出パネルＰＮＬとの接続には、ＡＣＦ（異方性導電フィルム）を利用した熱圧着法が用いられる。この方法により、Ｘ線検出パネルＰＮＬの複数の微細なパッドと、ＦＰＣ２ｅ１の複数の微細なパッドとの電気的接続が確保され、ＦＰＣ２ｅ１がＸ線検出パネルＰＮＬに物理的に固定される。なお、Ｘ線検出パネルＰＮＬのパッドと、ＦＰＣ２ｅ１のパッドと、に関しては後述する。
【0014】
上記のように、回路基板１１は、上記コネクタ、ＦＰＣ２ｅ１等を介してＸ線検出パネルＰＮＬに電気的に接続されている。回路基板１１は、Ｘ線検出パネルＰＮＬを電気的に駆動し、かつ、Ｘ線検出パネルＰＮＬからの出力信号を電気的に処理するものである。
【0015】
図２は、本実施形態に係るＸ線検出器１の支持基板１２、Ｘ線検出パネルＰＮＬ、回路基板１１、複数のＦＰＣ２ｅ１，２ｅ２、及び画像伝送部４を示す斜視図である。なお、図２には、Ｘ線検出器１の全ての部材を示していない。後述する封止部等、Ｘ線検出器１のいくつかの部材の図示は、図２において省略している。光電変換基板２に関して、検出領域（後述する検出領域ＤＡ）は示されているが、非検出領域（後述する非検出領域ＮＤＡ）は示されていない。
【0016】
図２に示すように、Ｘ線検出パネルＰＮＬは、光電変換基板２、シンチレータ層５等を備えている。光電変換基板２は、基材２ａ、複数の光電変換部２ｂ、複数のゲート線（又は制御線）Ｇ１、複数のデータ線（又はシグナル線）Ｔ１等を有している。なお、光電変換部２ｂ、ゲート線Ｇ１、データ線Ｔ１、及びＦＰＣ２ｅ１，２ｅ２の数、配置等は図２の例に限定されるものではない。ＦＰＣ２ｅ１，２ｅ２は、それぞれ配線基板として機能している。
【0017】
複数のゲート線Ｇ１は、基材２ａの上方に設けられ、第１方向としての行方向Ｘに延在し、第１方向に交差する第２方向としての列方向Ｙに所定の間隔をあけて並べられている。複数のデータ線Ｔ１は、基材２ａの上方に設けられ、列方向Ｙに延在し、複数のゲート線Ｇ１と交差し、行方向Ｘに所定の間隔をあけて並べられている。
【0018】
複数の光電変換部２ｂは、基材２ａの一方の面側に設けられている。光電変換部２ｂは、ゲート線Ｇ１とデータ線Ｔ１とにより区画された四角形状の領域に設けられている。１つの光電変換部２ｂは、Ｘ線画像の１つの画素に対応している。複数の光電変換部２ｂは、行方向Ｘ及び列方向Ｙにマトリクス状に並べられている。上記のことから、光電変換基板２は、アレイ基板である。
【0019】
各々の光電変換部２ｂは、光電変換素子である薄膜フォトダイオード１５ａと、検出スイッチング素子としてのＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１３ａと、を有している。以下、薄膜フォトダイオード１５ａをＴＦＤ１５ａと言う。ＴＦＴ１３ａは、基材２ａの上方に設けられ、対応する一のゲート線Ｇ１と、対応する一のデータ線Ｔ１とに接続されている。ＴＦＤ１５ａは、基材２ａの上方に設けられ、ＴＦＴ１３ａに電気的に接続されている。
【0020】
ゲート線Ｇ１は、ＦＰＣ２ｅ１を介して回路基板１１に電気的に接続されている。回路基板１１は、ＦＰＣ２ｅ１を介して複数のゲート線Ｇ１に制御信号Ｓ１を与える。データ線Ｔ１は、ＦＰＣ２ｅ２を介して回路基板１１に電気的に接続されている。ＴＦＤ１５ａによって変換された画像データ信号Ｓ２（光電変換部２ｂに蓄積された電荷）は、ＴＦＴ１３ａ、データ線Ｔ１、及びＦＰＣ２ｅ２を介して回路基板１１に伝送される。
【0021】
Ｘ線検出器１は、画像伝送部４を備えている。画像伝送部４は、配線４ａを介して回路基板１１に接続されている。なお、画像伝送部４は、回路基板１１に組込まれてもよい。画像伝送部４は、図示しない複数のアナログ－デジタル変換器によりデジタル信号に変換された画像データの信号に基づいて、Ｘ線画像を生成する。生成されたＸ線画像のデータは、画像伝送部４から外部の機器に向けて出力される。
【0022】
図３は、本実施形態に係るＸ線検出パネルＰＮＬの一部を示す拡大断面図である。
図３に示すように、光電変換基板２は、基材２ａ、複数の光電変換部２ｂ、絶縁層２１，２２，２３，２４，２５を有している。複数の光電変換部２ｂは、検出領域ＤＡに位置している。各々の光電変換部２ｂは、ＴＦＤ１５ａと、ＴＦＴ１３ａと、を備えている。ＴＦＴ１３ａは、ゲート電極ＧＥ、半導体層ＳＣ、ソース電極ＳＥ、及びドレイン電極ＤＥを有している。ＴＦＤ１５ａは、薄膜のフォトダイオードで構成されている。
図３に示すように、光電変換基板２は、基材２ａ、複数の光電変換部２ｂ、絶縁層２１，２２，２３，２４，２５を有している。複数の光電変換部２ｂは、検出領域ＤＡに位置している。各々の光電変換部２ｂは、ＴＦＤ１５ａと、ＴＦＴ１３ａと、を備えている。ＴＦＴ１３ａは、ゲート電極ＧＥ、半導体層ＳＣ、ソース電極ＳＥ、及びドレイン電極ＤＥを有している。ＴＦＤ１５ａは、薄膜のフォトダイオードで構成されている。
【0023】
基材２ａは、板状の形状を有し、絶縁材料で形成されている。上記絶縁材料としては、無アルカリガラスなどのガラスを挙げることができる。本実施形態において、基材２ａは、ガラスで形成されているが、樹脂等の有機絶縁材料で形成されてもよい。基材２ａの平面形状は、例えば四角形である。基材２ａの厚みは、例えば０．５乃至０．７ｍｍである。絶縁層２１は、基材２ａの上に設けられている。
【0024】
絶縁層２１の上に、ゲート電極ＧＥが形成されている。ゲート電極ＧＥは、上記ゲート線Ｇ１に電気的に接続されている。絶縁層２２は、絶縁層２１及びゲート電極ＧＥの上に設けられている。半導体層ＳＣは、絶縁層２２の上に設けられ、ゲート電極ＧＥに対向している。半導体層ＳＣは、非晶質半導体としての非晶質シリコン、多結晶半導体としての多結晶シリコン等の半導体材料で形成されている。
【0025】
絶縁層２２及び半導体層ＳＣの上に、ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥが設けられている。ゲート電極ＧＥ、ソース電極ＳＥ、ドレイン電極ＤＥ、上記ゲート線Ｇ１、及び上記データ線Ｔ１は、アルミニウムやクロムなどの低抵抗金属を用いて形成されている。
【0026】
ソース電極ＳＥは、半導体層ＳＣのソース領域に電気的に接続されている。また、ソース電極ＳＥは、上記データ線Ｔ１に電気的に接続されている。ドレイン電極ＤＥは、半導体層ＳＣのドレイン領域に電気的に接続されている。
【0027】
絶縁層２３は、絶縁層２２、半導体層ＳＣ、ソース電極ＳＥ、及びドレイン電極ＤＥの上に設けられている。導電層ＣＬは、絶縁層２３の上方に形成され、ドレイン電極ＤＥに電気的に接続されている。ＴＦＤ１５ａは、導電層ＣＬの上に形成され、導電層ＣＬに電気的に接続されている。ＴＦＤ１５ａは、成膜工程及びドライエッチング法を用いたパターニング工程を経て形成されている。
【0028】
絶縁層２４は、絶縁層２３、導電層ＣＬ、及びＴＦＤ１５ａの上に設けられている。バイアス線ＢＬ１は、絶縁層２４の上に設けられ、絶縁層２４に形成されたコンタクトホールを通りＴＦＤ１５ａに接続されている。絶縁層２５は、絶縁層２４及びバイアス線ＢＬ１の上に設けられている。
【0029】
絶縁層２１，２２，２３，２４，２５は、無機絶縁材料、有機絶縁材料等の絶縁材料で形成されている。無機絶縁材料としては、酸化物絶縁材料、窒化物絶縁材料、及び酸窒化物絶縁材料を挙げることができる。有機絶縁材料としては樹脂を挙げることができる。
【0030】
シンチレータ層５は、光電変換基板２（複数の光電変換部２ｂ）の上に設けられている。シンチレータ層５は、少なくとも検出領域ＤＡに位置し、複数の光電変換部２ｂの上方を覆っている。シンチレータ層５は、入射されるＸ線を光（蛍光）に変換するように構成されている。
【0031】
なお、ＴＦＤ１５ａは、シンチレータ層５から入射される光を電荷に変換する。変換された電荷はＴＦＤ１５ａに蓄積される。ＴＦＴ１３ａは、ＴＦＤ１５ａへの蓄電及びＴＦＤ１５ａからの放電を切替えることができる。なお、ＴＦＤ１５ａの自己容量が不十分である場合、光電変換基板２はコンデンサ（蓄積キャパシタ）をさらに有し、ＴＦＤ１５ａで変換された電荷をコンデンサに蓄積してもよい。
【0032】
シンチレータ層５は、タリウム賦活ヨウ化セシウム（ＣｓＩ：Ｔｌ）で形成されている。真空蒸着法を用いてシンチレータ層５を形成すれば、複数の柱状結晶の集合体からなるシンチレータ層５が得られる。シンチレータ層５の厚みは、例えば、６００μｍである。シンチレータ層５の最表面において、シンチレータ層５の柱状結晶の太さは、８乃至１２μｍである。
【0033】
シンチレータ層５を形成する材料は、ＣｓＩ：Ｔｌに限定されるものではない。シンチレータ層５は、タリウム賦活ヨウ化ナトリウム（ＮａＩ：Ｔｌ）、ナトリウム賦活ヨウ化セシウム（ＣｓＩ：Ｎａ）、ユーロピウム賦活臭化セシウム（ＣｓＢｒ：Ｅｕ）、ヨウ化ナトリウム（ＮａＩ）等で形成されてもよい。
【0034】
なお、真空蒸着法を用いてシンチレータ層５を形成する際には、開口を有するマスクが用いられる。この場合、光電変換基板２上の開口に対峙する領域にシンチレータ層５が形成される。また、蒸着によるシンチレータ材は、マスクの表面にも堆積する。そして、シンチレータ材は、マスクの開口の近傍にも堆積し、開口の内部に徐々に張り出すように結晶が成長する。マスクから開口の内部に結晶が張り出すと、開口の近傍において、光電変換基板２へのシンチレータ材の蒸着が抑制される。そのため、図２に示したように、シンチレータ層５の周縁近傍は、外側になるに従い厚みが漸減している。
【0035】
又は、シンチレータ層５は、マトリクス状に並べられ、光電変換部２ｂに一対一で設けられ、それぞれ四角柱状の形状を有する複数のシンチレータ部を有してもよい。そのようなシンチレータ層５を形成する際、酸硫化ガドリニウム（Ｇｄ２Ｏ２Ｓ）蛍光体粒子をバインダ材と混合したシンチレータ材を、光電変換基板２上に塗布し、シンチレータ材を焼成して硬化させる。その後、ダイサによりダイシングするなどし、シンチレータ材に格子状の溝部を形成する。上記の場合、複数のシンチレータ部の間には、空気又は酸化防止用の窒素（Ｎ２）等の不活性ガスが封入される。又は、複数のシンチレータ部の間の空間は、大気圧より減圧された空間に設定されてもよい。
【0036】
本実施形態において、Ｘ線検出パネルＰＮＬは、光反射層６をさらに備えている。光反射層６は、シンチレータ層５の上に設けられている。言い換えると、光反射層６は、シンチレータ層５のＸ線の入射側に設けられている。光反射層６は、少なくとも検出領域ＤＡに位置し、シンチレータ層５の上面を覆っている。光反射層６は、光（蛍光）の利用効率を高めて感度特性の向上を図るために設けられている。すなわち、光反射層６は、シンチレータ層５において生じた光のうち、光電変換部２ｂが設けられた側とは反対側に向かう光を反射させて、光電変換部２ｂに向かうようにする。ただし、光反射層６は、必ずしも必要ではなく、Ｘ線検出パネルＰＮＬに求められる感度特性などに応じて設ければよい。
【0037】
例えば、酸化チタン（ＴｉＯ２）等からなる光散乱性粒子と、樹脂と、溶媒とを混合した塗布材料をシンチレータ層５上に塗布し、続いて塗布材料を乾燥することで光反射層６を形成することができる。
【0038】
なお、光反射層６の構造及び光反射層６の製造方法は、上記の例に限定されるものではなく、種々変形可能である。例えば、銀合金やアルミニウムなどの光反射率の高い金属からなる層をシンチレータ層５上に成膜することで光反射層６を形成してもよい。又は、表面が銀合金やアルミニウムなどの光反射率の高い金属層を含むシートや、光散乱性粒子を含む樹脂シート等をシンチレータ層５の上に設けることで光反射層６を形成してもよい。
【0039】
なお、ペースト状の塗布材料をシンチレータ層５の上に塗布し、上記塗布材料を乾燥する場合は、乾燥に伴い塗布材料が収縮するので、シンチレータ層５に引っ張り応力が加わり、シンチレータ層５が光電変換基板２から剥離する場合がある。そのため、シート状の光反射層６を、シンチレータ層５の上に設けることが好ましい。この場合、光反射層６を、例えば、両面テープなどを用いて、シンチレータ層５の上に接合することもできるが、光反射層６をシンチレータ層５の上に載置する方が好ましい。シート状の光反射層６をシンチレータ層５の上に載置すれば、光反射層６の膨張または収縮に起因した、光電変換基板２からシンチレータ層５の剥離を容易に抑制することができる。
【0040】
防湿カバー（防湿シート）７は、シンチレータ層５及び光反射層６を覆っている。防湿カバー７は、空気中に含まれる水分により、光反射層６の特性やシンチレータ層５の特性が劣化するのを抑制するために設けられている。防湿カバー７は、シンチレータ層５の露出部分を完全に覆っている。防湿カバー７は光反射層６等との間に隙間を空けてもよいし、防湿カバー７は光反射層６等と接触してもよい。
【0041】
防湿カバー７は、金属を含むシートで形成されている。上記金属としては、アルミニウムを含む金属、銅を含む金属、マグネシウムを含む金属、タングステンを含む金属、ステンレス、コバール等を挙げることができる。防湿カバー７が金属を含んでいる場合、防湿カバー７は、水分の透過を、防止したり、大幅に抑制したりすることができる。
【0042】
また、防湿カバー７は、樹脂層と金属層とが積層された積層シートで形成されてもよい。この場合、樹脂層は、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、テフロン（登録商標）、低密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、弾性ゴム等の材料で形成することができる。金属層は、例えば、前述した金属を含むものとすることができる。金属層は、スパッタリング法、ラミネート法等を用いて形成することができる。
【0043】
この場合、樹脂層より金属層をシンチレータ層５側に設けた方が好ましい。樹脂層により金属層を覆うことができるので、外力などにより金属層が受け得る損傷を抑制することができる。また、金属層が樹脂層よりもシンチレータ層５側）に設けられていれば、樹脂層を介した透湿によるシンチレータ層５の特性の劣化を抑制することができる。
【0044】
防湿カバー７としては、金属層を含むシート、無機絶縁層を含むシート、樹脂層と金属層とが積層された積層シート（第１積層シート）、及び樹脂層と無機絶縁層とが積層された積層シート（第２積層シート）を挙げることができる。上記のことから、防湿カバー７の無機層は、金属層にかぎらず、無機絶縁層であってもよい。又は、防湿カバー７は、金属層及び無機絶縁層の両方を有してもよい。無機絶縁層は、酸化珪素、酸化アルミニウム等を含む層で形成することができる。無機絶縁層は、スパッタリング法等を用いて形成することができる。
【0045】
金属層を含む積層シートで防湿カバー７を形成する場合には、例えば、樹脂層の厚みを金属層の厚みと実質的に同一とすることができる。防湿カバー７はこの様な厚みを持つ樹脂層を含んでいれば、防湿カバー７の剛性を増加させることができるので、製造工程中において、防湿カバー７におけるピンホールの発生を抑制することができる。なお、一般的に、樹脂の線膨張係数は、金属の線膨張係数よりも大きいため、樹脂層の厚みを大きくし過ぎると、光電変換基板２の反りが発生し易くなる。そのため、防湿カバー７において、樹脂層の厚みは、金属層の厚み以下である方が好ましい。
【0046】
また、防湿カバー７の厚みは、Ｘ線の吸収や剛性などを考慮して決定することができる。この場合、防湿カバー７の厚みを大きくする程、防湿カバー７に吸収されるＸ線の量が多くなる。一方、防湿カバー７の厚みを小さくする程、防湿カバー７は、剛性の低下を招き、破損し易くなる。
【0047】
例えば、防湿カバー７の厚みを１０μｍ未満にすると、防湿カバー７の剛性が低くなりすぎて、外力などによるダメージにより防湿カバー７にピンホールが生じ、リークが発生する恐れがある。防湿カバー７の厚みが５０μｍを超えると、防湿カバー７の剛性が高くなり過ぎて、シンチレータ層５の上端の凹凸への追従性が悪くなる。そのため、前述した隙間やリークパスの確認が困難となる恐れがある。さらに、光電変換基板２の反りが発生し易くなる恐れがある。
【0048】
そのため、防湿カバー７の厚みは、１０μｍ以上、５０μｍ以下であることが好ましい。この場合、防湿カバー７は、例えば、厚みが１０乃至５０μｍのアルミニウム箔とすることができる。アルミニウム箔の厚みが１０乃至５０μｍであれば、厚みが１００μｍのアルミニウム箔に比べてＸ線の透過量を２０乃至３０％程度多くすることができる。また、厚みが１０乃至５０μｍのアルミニウム箔とすれば、前述したリークの発生を抑制することができ、且つ、前述した隙間やリークパスの確認が容易となる。また、光電変換基板２の反りを抑制することができる。
【0049】
金属の熱膨張及び熱収縮を小さくするため、アルミニウムなどの金属の厚さは３０μｍ以下である方が望ましい。すると、防湿カバー７は、１０乃至３０μｍのアルミニウム箔を含んでいる方が望ましい。
【0050】
ここで、人体に対して大量のＸ線照射を行うと健康への悪影響があるため、人体へのＸ線照射量は必要最低限に抑えられる。そのため、医療に用いられるＸ線検出器１の場合には、照射されるＸ線の強度が低くなり、防湿カバー７を透過するＸ線の強度が非常に低くなる恐れがある。本実施形態に係る防湿カバー７は、厚みが１０乃至５０μｍのシートであるため、照射されるＸ線の強度が低い場合であってもＸ線画像の撮影が可能となる。
【0051】
図４は、本実施形態に係るＸ線検出パネルＰＮＬ、回路基板１１、及び複数のＦＰＣ２ｅ１，２ｅ２を示す回路図である。
図２乃至図４に示すように、回路基板１１には、駆動回路としての読み出し回路１１ａ及び検出回路としての信号検出回路１１ｂが設けられている。なお、これらの回路を１つの基板に設けることもできるし、これらの回路を複数の基板に分けて設けることもできる。ＦＰＣ２ｅ１に設けられた複数の配線の他端は、読み出し回路１１ａとそれぞれ電気的に接続されている。ＦＰＣ２ｅ２に設けられた複数の配線の他端は、信号検出回路１１ｂとそれぞれ電気的に接続されている。
図２乃至図４に示すように、回路基板１１には、駆動回路としての読み出し回路１１ａ及び検出回路としての信号検出回路１１ｂが設けられている。なお、これらの回路を１つの基板に設けることもできるし、これらの回路を複数の基板に分けて設けることもできる。ＦＰＣ２ｅ１に設けられた複数の配線の他端は、読み出し回路１１ａとそれぞれ電気的に接続されている。ＦＰＣ２ｅ２に設けられた複数の配線の他端は、信号検出回路１１ｂとそれぞれ電気的に接続されている。
【0052】
読み出し回路１１ａは、ＴＦＴ１３ａのオン状態とオフ状態を切り替える。読み出し回路１１ａは、複数のゲートドライバ１１ａａと行選択回路１１ａｂとを有する。行選択回路１１ａｂには、Ｘ線検出器１の外部に設けられた図示しない画像処理部などから制御信号Ｓ１が入力される。行選択回路１１ａｂは、Ｘ線画像の走査方向に従って、対応するゲートドライバ１１ａａに制御信号Ｓ１を入力する。ゲートドライバ１１ａａは、対応するゲート線Ｇ１に制御信号Ｓ１を入力する。
【0053】
例えば、読み出し回路１１ａは、ＦＰＣ２ｅ１を介して、制御信号Ｓ１を複数のゲート線Ｇ１に順に入力する。ゲート線Ｇ１に入力された制御信号Ｓ１によりＴＦＴ１３ａがオン又はオフされ、ＴＦＴ１３ａがオン状態となることで、ＴＦＤ１５ａからの電荷（画像データ信号Ｓ２）がＦＰＣ２ｅ２に出力される。
【0054】
信号検出回路１１ｂは、複数の積分アンプ１１ｂａ、複数の選択回路１１ｂｂ、及び複数のＡＤコンバータ（Analog-to-digital converter）１１ｂｃを有している。１つの積分アンプ１１ｂａは、１つのデータ線Ｔ１と電気的に接続されている。積分アンプ１１ｂａは、複数の光電変換部２ｂからの画像データ信号Ｓ２を順に受信する。そして、積分アンプ１１ｂａは、一定時間内に流れる電流を積分し、その積分値に対応した電圧を選択回路１１ｂｂへ出力する。この様にすれば、所定の時間内にデータ線Ｔ１を流れる電流の値（電荷量）を電圧値に変換することが可能となる。すなわち、積分アンプ１１ｂａは、シンチレータ層５において発生した蛍光の強弱分布に対応した画像データ情報を、電位情報へと変換する。
【0055】
選択回路１１ｂｂは、読み出しを行う積分アンプ１１ｂａを選択し、電位情報へと変換された画像データ信号Ｓ２を順に読み出す。ＡＤコンバータ１１ｂｃは、読み出された画像データ信号Ｓ２をデジタル信号に順に変換する。デジタル信号に変換された画像データ信号Ｓ２は、配線を介して画像処理部に入力される。なお、デジタル信号に変換された画像データ信号Ｓ２は、無線により画像処理部に送信されてもよい。画像処理部は、デジタル信号に変換された画像データ信号Ｓ２に基づいてＸ線画像を構成する。なお、画像処理部は、回路基板１１と一体化することもできる。
【0056】
図５は、本実施形態に係るＸ線検出パネルＰＮＬを示す平面図であり、パッド２ｄ１，２ｄ２と封止部８との位置関係等を説明するための図である。図５において、シンチレータ層５には右上がりの斜線を付し、封止部８には右下がりの斜線を付している。図６は、図５に示したＸ線検出パネルＰＮＬを線ＶＩ－ＶＩに沿って示す断面図であり、ＦＰＣ２ｅ１及び接続材ＡＤを併せて示す図である。ここでは、図５及び図６を用いてＸ線検出パネルＰＮＬの左側端部とＦＰＣ２ｅ１の構造について説明するが、図５及び図６を用いた説明は、Ｘ線検出パネルＰＮＬの下側端部とＦＰＣ２ｅ２の構造にも適用可能である。
【0057】
図５及び図６に示すように、光電変換基板２は、検出領域ＤＡと、検出領域ＤＡより外側の非検出領域ＮＤＡと、を有している。本実施形態において、非検出領域ＮＤＡは枠状の形状を有している。基材２ａは、検出領域ＤＡと、非検出領域ＮＤＡとに位置している。
【0058】
シンチレータ層５は、少なくとも検出領域ＤＡに位置している。光電変換基板２は、さらに複数のパッド２ｄ１及び複数のパッド２ｄ２を有している。パッド２ｄ１及びパッド２ｄ２は、非検出領域ＮＤＡに位置している。本実施形態において、複数のパッド２ｄ１は基材２ａの左辺に沿って並べられ、複数のパッド２ｄ２は基材２ａの下辺に沿って並べられている。なお、図５には複数のパッドを模式的に示しており、複数のパッドの個数、形状、サイズ、位置、及びピッチは、図５に示す例に限定されるものではない。
【0059】
１つのゲート線Ｇ１は、金属配線であり、検出領域ＤＡ及び非検出領域ＮＤＡを延在し、行方向Ｘに並んだ複数のＴＦＤ１５ａと複数のパッド２ｄ１のうちの１つとに電気的に接続されている。詳しくは、各光電変換部２ｂにおいて、ゲート線Ｇ１は、ＴＦＴ１３ａを介してＴＦＤ１５ａに電気的に接続されている。
【0060】
１つのデータ線Ｔ１は、金属配線であり、検出領域ＤＡ及び非検出領域ＮＤＡを延在し、列方向Ｙに並んだ複数のＴＦＤ１５ａと複数のパッド２ｄ２のうちの１つとに電気的に接続されている。詳しくは、各光電変換部２ｂにおいて、データ線Ｔ１は、ＴＦＴ１３ａを介してＴＦＤ１５ａに電気的に接続されている。
【0061】
ＦＰＣ２ｅ１は、光電変換基板２の非検出領域ＮＤＡに固定されパッド２ｄ１に電気的に接続されている。ＦＰＣ２ｅ１は、接続材ＡＤにより光電変換基板２に固定されている。接続材ＡＤは、ＡＣＦで形成されている。接続材ＡＤは、パッド２ｄ１とＦＰＣ２ｅ１との間に位置している。接続材ＡＤは、パッド２ｄ１を含む光電変換基板２とＦＰＣ２ｅ１とに接合され、パッド２ｄ１とＦＰＣ２ｅ１とに電気的に接続されている。
【0062】
Ｘ線検出パネルＰＮＬは、封止部８をさらに備えている。封止部８は、シンチレータ層５の周囲に設けられている。封止部８は、枠状の形状を有し、シンチレータ層５の周囲を連続的に延在している。封止部８は、光電変換基板２（例えば、上記絶縁層２５）に接合されている。本実施形態において、封止部８は、平面視にて複数のパッド２ｄ１及び複数のパッド２ｄ２に重なっている。詳しくは、封止部８は、平面視にて複数のパッド２ｄ１の全体及び複数のパッド２ｄ２の全体に重なっている。
【0063】
防湿カバー７は、光電変換基板２、シンチレータ層５、及び光反射層６の上方に設けられている。防湿カバー７は、検出領域ＤＡ及び非検出領域ＮＤＡに位置している。防湿カバー７は、図５に示す平面図において、シンチレータ層５を完全に覆っている。図６に示すように、シンチレータ層５のうち光電変換基板２及び封止部８で覆われていない部分は、防湿カバー７で完全に覆われている。防湿カバー７は、封止部８に接合されている。防湿カバー７は、光電変換基板２及び封止部８とともにシンチレータ層５及び光反射層６を密封している。
【0064】
例えば、大気圧よりも減圧された環境において防湿カバー７と封止部８とを接合すれば、防湿カバー７を光反射層６等に接触させることができる。また、一般的に、シンチレータ層５には、その体積の１０乃至４０％程度の空隙が存在する。大気圧よりも減圧された環境において防湿カバー７と封止部８とを接合すれば、Ｘ線検出器１が航空機などで輸送された場合であっても防湿カバー７の破損を抑制することができる。上記のことから、封止部８と防湿カバー７とにより画された空間の圧力は、大気圧よりも低くした方が好ましい。
【0065】
封止部８は、光電変換基板２と防湿カバー７との間と、ＦＰＣ２ｅ１と防湿カバー７との間と、に位置している。封止部８は、非検出領域ＮＤＡに枠状に設けられている。封止部８は、光電変換基板２及び防湿カバー７とともにシンチレータ層５及び光反射層６を覆っている。
【0066】
封止部８は、熱可塑性樹脂を含む材料で形成されている。封止部８は、熱可塑性樹脂を主成分として含む材料で形成されている。封止部８は、１００％熱可塑性樹脂で形成されてもよい。又は、封止部８は、熱可塑性樹脂に添加物が混在した材料で形成されてもよい。
【0067】
封止部８を形成する際、まず、加熱した材料（熱可塑性樹脂）を光電変換基板２の非検出領域ＮＤＡ、ＦＰＣ２ｅ１等の上にディスペンサにて塗布する。その後、上記材料は、固化し、光電変換基板２、ＦＰＣ２ｅ１等に接着される。続いて、防湿カバー７を上記材料の外面に接触させる。次いで、上記材料を防湿カバー７の周縁近傍等とともに加熱する。これにより、上記材料が溶融し、防湿カバー７に接合された封止部８が形成される。
【0068】
ここで、例えば、封止部８が紫外線硬化型樹脂を主成分として含んでいれば、封止部８を、光電変換基板２、防湿カバー７等と接合する際に紫外線を照射する必要がある。ところが、防湿カバー７は金属などを含んでいるため紫外線を透過させることができない。また、防湿カバー７が紫外線を透過するものであると、紫外線によりシンチレータ層５が変色し、シンチレータ層５で発生した光（蛍光）がシンチレータ層５で吸収される恐れがある。
【0069】
これに対し、封止部８は、熱可塑性樹脂を含んでいるので、加熱により容易に接合を行うことができる。また、シンチレータ層５が紫外線により変色することもない。また、封止部８の加熱と冷却に要する時間は短くてすむので、製造時間の短縮、ひいては製造コストの低減を図ることができる。
【0070】
熱可塑性樹脂は、ナイロン、ＰＥＴ（Polyethyleneterephthalate）、ポリウレタン、ポリエステル、ポリ塩化ビニル、ＡＢＳ（Acrylonitrile Butadiene Styrene）、アクリル、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリプロピレン等を利用することができる。この場合、ポリエチレンの水蒸気透過率は０．０６８ｇ・ｍｍ／ｄａｙ・ｍ２であり、ポリプロピレンの水蒸気透過率は０．０４ｇ・ｍｍ／ｄａｙ・ｍ２である。ポリエチレン及びポリプロピレンの水蒸気透過率は低い。そのため、封止部８は、ポリエチレン及びポリプロピレンの少なくとも一方である熱可塑性樹脂を含む材料で形成されている方が望ましい。封止部８が、ポリエチレン及びポリプロピレンの少なくとも一方を主成分として含んでいれば、封止部８の内部を透過してシンチレータ層５に到達する水分を大幅に少なくすることができる。
【0071】
図７は、Ｘ線検出パネルＰＮＬの検出領域ＤＡ及び非検出領域ＮＤＡを示す拡大断面図であり、ＦＰＣ２ｅ１及び接続材ＡＤを併せて示す図である。
図７に示すように、ゲート線Ｇ１は、金属配線である第１配線Ｌ１ａと、金属配線である第２配線Ｌ１ｂと、を有している。第１配線Ｌ１ａは、ゲート電極ＧＥと同様、絶縁層２１と絶縁層２２との間に位置している。第１配線Ｌ１ａは検出領域ＤＡを延在し、第１配線Ｌ１ａの端部は非検出領域ＮＤＡに位置している。第１配線Ｌ１ａ及びゲート電極ＧＥは、同一材料で形成されている。
図７に示すように、ゲート線Ｇ１は、金属配線である第１配線Ｌ１ａと、金属配線である第２配線Ｌ１ｂと、を有している。第１配線Ｌ１ａは、ゲート電極ＧＥと同様、絶縁層２１と絶縁層２２との間に位置している。第１配線Ｌ１ａは検出領域ＤＡを延在し、第１配線Ｌ１ａの端部は非検出領域ＮＤＡに位置している。第１配線Ｌ１ａ及びゲート電極ＧＥは、同一材料で形成されている。
【0072】
第２配線Ｌ１ｂは、ソース電極ＳＥと同様、絶縁層２２と絶縁層２３との間に位置している。第２配線Ｌ１ｂは、非検出領域ＮＤＡに設けられ、第１配線Ｌ１ａと対向する領域からパッド２ｄ１と対向する領域まで延在している。第２配線Ｌ１ｂ及びソース電極ＳＥは、同一材料で形成されている。第２配線Ｌ１ｂは、絶縁層２２に形成されたコンタクトホールを通り第１配線Ｌ１ａに接続されている。
【0073】
パッド２ｄ１は、絶縁層２３の上に形成され、絶縁層２３に形成されたコンタクトホールを通り第２配線Ｌ１ｂに接続されている。パッド２ｄ１は、金属で形成されている。本実施形態において、パッド２ｄ１と対向する領域に絶縁層２４及び絶縁層２５は形成されていない。パッド２ｄ１は、光電変換基板２の上面側に露出している。
なお、本実施形態と異なり、パッド２ｄ１は、金属で形成された金属層と、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明な導電材料で形成された保護層と、の積層体で形成されてもよい。その場合、上記保護層がパッド２ｄ１の上面を有している。パッド２ｄ１の金属層は、ＩＴＯ等の無機材料で形成された保護層で覆われている。そのため、パッド２ｄ１を金属材料のみで形成した場合と比較し、パッド２ｄ１の金属部分の腐食を抑制することができる。
なお、本実施形態と異なり、パッド２ｄ１は、金属で形成された金属層と、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明な導電材料で形成された保護層と、の積層体で形成されてもよい。その場合、上記保護層がパッド２ｄ１の上面を有している。パッド２ｄ１の金属層は、ＩＴＯ等の無機材料で形成された保護層で覆われている。そのため、パッド２ｄ１を金属材料のみで形成した場合と比較し、パッド２ｄ１の金属部分の腐食を抑制することができる。
【0074】
なお、ゲート線Ｇ１は、第２配線Ｌ１ｂ無しに形成されてもよい。その場合、第１配線Ｌ１ａをパッド２ｄ１と対向する領域まで延在して形成し、パッド２ｄ１を絶縁層２２及び絶縁層２３に形成されたコンタクトホールを通して第１配線Ｌ１ａに接続させればよい。
【0075】
シンチレータ層５は、側面５ａ及び上面５ｂを有している。側面５ａは、非検出領域ＮＤＡに位置している。側面５ａは、順テーパ面である。シンチレータ層５の上面５ｂは、光反射層６及び防湿カバー７と対向している。
防湿カバー７は、封止部８の外面に直に接着されている。
防湿カバー７は、封止部８の外面に直に接着されている。
【0076】
ＦＰＣ２ｅ１は、基材３１と、配線Ｌ２と、絶縁層３３と、パッド３４と、を備えている。基材３１は、樹脂等の電気絶縁材料で形成されている。配線Ｌ２は、金属配線であり、基材３１及び絶縁層３３の間に位置している。パッド３４は、絶縁層３３のパッド２ｄ１側の面に設けられ、絶縁層３３に形成されたコンタクトホールを通って配線Ｌ２に接続されている。パッド３４は、高さ方向Ｚにてパッド２ｄ１と対向している。
【0077】
図８は、図７に示したＸ線検出パネルＰＮＬ、ＦＰＣ２ｅ１、及び接続材ＡＤを線ＶＩＩＩ－ＶＩＩＩに沿って示す拡大断面図である。
図８に示すように、光電変換基板２は、複数の第２配線Ｌ１ｂと複数のパッド２ｄ１とを有し、第２配線Ｌ１ｂ及びパッド２ｄ１は一対一で接続されている。ＦＰＣ２ｅ１は、複数の配線３２と複数のパッド３４とを有し、配線３２及びパッド３４は一対一で接続されている。
図８に示すように、光電変換基板２は、複数の第２配線Ｌ１ｂと複数のパッド２ｄ１とを有し、第２配線Ｌ１ｂ及びパッド２ｄ１は一対一で接続されている。ＦＰＣ２ｅ１は、複数の配線３２と複数のパッド３４とを有し、配線３２及びパッド３４は一対一で接続されている。
【0078】
図７及び図８に示すように、封止部８は、絶縁層２３、絶縁層２４、絶縁層２５、シンチレータ層５の側面５ａ、ＦＰＣ２ｅ１、接続材ＡＤ等に接している。接続材ＡＤのうちシンチレータ層５側の側面と、接続材ＡＤのうち列方向Ｙの両端に位置した側面とは、封止部８で覆われている。
ここでは、図７及び図８を用いてＸ線検出パネルＰＮＬの左側端部とＦＰＣ２ｅ１の構造について説明したが、図７及び図８を用いた説明は、Ｘ線検出パネルＰＮＬの下側端部とＦＰＣ２ｅ２の構造にも適用可能である。
ここでは、図７及び図８を用いてＸ線検出パネルＰＮＬの左側端部とＦＰＣ２ｅ１の構造について説明したが、図７及び図８を用いた説明は、Ｘ線検出パネルＰＮＬの下側端部とＦＰＣ２ｅ２の構造にも適用可能である。
【0079】
上記のように構成された一実施形態に係るＸ線検出器１によれば、Ｘ線検出モジュール１０は、光電変換基板２と、シンチレータ層５と、ＦＰＣ２ｅ１と、防湿カバー７と、封止部８と、を備えている。封止部８は、ＦＰＣ２ｅ１と防湿カバー７との間に位置している。ＦＰＣ２ｅ１及びパッド２ｄ１に重なっている領域を、封止部８を形成するための領域として使用することができる。また、封止部８は、ＦＰＣ２ｅ２と防湿カバー７との間に位置している。ＦＰＣ２ｅ２及びパッド２ｄ２に重なっている領域を、封止部８を形成するための領域として使用することができる。
【0080】
封止部８はＦＰＣ２ｅ１及びＦＰＣ２ｅ２に重なっているため、封止部８がＦＰＣ２ｅ１及びＦＰＣ２ｅ２に重なっていない場合と比較し、光電変換基板２の左辺側及び下辺側における非検出領域ＮＤＡの幅を狭くすることができる。そのため、狭額縁化が可能なＸ線検出モジュール１０（Ｘ線検出パネルＰＮＬ）を得ることができ、Ｘ線検出モジュール１０（Ｘ線検出パネルＰＮＬ）の小型化を図ることができる。
【0081】
封止部８は、光電変換基板２のパッドと、ＦＰＣ２ｅ１及び２ｅ２のパッドと、接続材ＡＤとを覆うことができる。そのため、光電変換基板２とＦＰＣ２ｅ１との電気的接続部と、光電変換基板２とＦＰＣ２ｅ２との電気的接続部とが露出している場合と比較し、上記電気的接続部の腐食を抑制することができ、上記電気的接続部における信頼性の向上を図ることができる。
【0082】
封止部８は、熱可塑性樹脂を含む材料で形成されている。そのため、封止部８は、光電変換基板２、シンチレータ層５、ＦＰＣ２ｅ１、及びＦＰＣ２ｅ２の凹凸を吸収することができ、高い密着力を持つ封止部８を形成することができる。
【0083】
（比較例）
次に、比較例に係るＸ線検出器について詳細に説明する。図９は、本比較例に係るＸ線検出パネルＰＮＬ、ＦＰＣ２ｅ１、接続材ＡＤ、及び防湿部４０を示す断面図である。Ｘ線検出器１は、本比較例で説明する構成以外、上記実施形態と同様に構成されている。
次に、比較例に係るＸ線検出器について詳細に説明する。図９は、本比較例に係るＸ線検出パネルＰＮＬ、ＦＰＣ２ｅ１、接続材ＡＤ、及び防湿部４０を示す断面図である。Ｘ線検出器１は、本比較例で説明する構成以外、上記実施形態と同様に構成されている。
【0084】
図９に示すように、封止部８は、ＦＰＣ２ｅ１及びパッド２ｄ１に重なっていない。ＦＰＣ２ｅ１及びパッド２ｄ１は、封止部８より外側に位置し、封止部８に隙間を置いて設けられている。そのため、本比較例において、Ｘ線検出パネルＰＮＬの狭額縁化を図ることは困難である。
【0085】
Ｘ線検出モジュール１０は、防湿部４０をさらに備えている。防湿部４０は、光電変換基板２、ＦＰＣ２ｅ１、接続材ＡＤ等に接している。防湿部４０は、接続材ＡＤのうちシンチレータ層５側の側面、接続材ＡＤのうち列方向Ｙの両端に位置した側面等を覆っている。本比較例において、Ｘ線検出モジュール１０の構成に防湿部４０を追加することにより、光電変換基板２とＦＰＣ２ｅ１との電気的接続部における信頼性の向上を図ることは可能である。
【0086】
（変形例１）
次に、上記実施形態の変形例１に係るＸ線検出器について詳細に説明する。図１０は、本変形例１に係るＸ線検出パネルＰＮＬ、ＦＰＣ２ｅ１、接続材ＡＤ、及び防湿部５０を示す断面図である。Ｘ線検出器１は、本変形例１で説明する構成以外、上記実施形態と同様に構成されている。
次に、上記実施形態の変形例１に係るＸ線検出器について詳細に説明する。図１０は、本変形例１に係るＸ線検出パネルＰＮＬ、ＦＰＣ２ｅ１、接続材ＡＤ、及び防湿部５０を示す断面図である。Ｘ線検出器１は、本変形例１で説明する構成以外、上記実施形態と同様に構成されている。
【0087】
図１０に示すように、Ｘ線検出モジュール１０は、防湿部５０をさらに備えている。防湿部５０は、防湿材料として例えばシリコーン樹脂で形成されている。防湿部５０は、接続材ＡＤのうち光電変換基板２の外周縁側の側面を覆っている。防湿部５０は、光電変換基板２、ＦＰＣ２ｅ１、及び封止部８とともに接続材ＡＤを覆っている。光電変換基板２とＦＰＣ２ｅ１との電気的接続部が外気に晒されることの無いように、上記電気的接続部の全体を防湿部５０等で覆うことができる。これにより、上記電気的接続部の腐食を一層抑制することができる。
【0088】
（変形例２）
次に、上記実施形態の変形例２に係るＸ線検出器について詳細に説明する。図１１は、本変形例２に係る上記Ｘ線検出パネルＰＮＬの検出領域ＤＡ及び非検出領域ＮＤＡを示す拡大断面図であり、ＦＰＣ２ｅ１、接続材ＡＤ、及び防湿部５０を併せて示す図である。Ｘ線検出器１は、本変形例２で説明する構成以外、上記変形例１と同様に構成されている。
次に、上記実施形態の変形例２に係るＸ線検出器について詳細に説明する。図１１は、本変形例２に係る上記Ｘ線検出パネルＰＮＬの検出領域ＤＡ及び非検出領域ＮＤＡを示す拡大断面図であり、ＦＰＣ２ｅ１、接続材ＡＤ、及び防湿部５０を併せて示す図である。Ｘ線検出器１は、本変形例２で説明する構成以外、上記変形例１と同様に構成されている。
【0089】
図１１に示すように、金属配線である第２配線Ｌ１ｂは、上面Ｓａ及び端面Ｓｂを含んでいる。上面Ｓａは、絶縁層２３で覆われている。端面Ｓｂは、検出領域ＤＡから最も離れて位置し、絶縁層２２及び絶縁層２３の外側に露出している。本変形例２のように、第２配線Ｌ１ｂは光電変換基板２の端まで延在し得る。例えば、製造時における光電変換基板２の外形を決定するカッティング工程の前に、第２配線Ｌ１ｂは、検査用のパッド、静電気対策用の電気回路等に接続されている場合があるものである。
パッド２ｄ１は、絶縁層２３の上方に設けられている。
パッド２ｄ１は、絶縁層２３の上方に設けられている。
【0090】
防湿部５０は、光電変換基板２とＦＰＣ２ｅとの電気的接続部だけではなく、端面Ｓｂも覆っている。金属配線（ゲート線Ｇ１、データ線Ｔ１等）が光電変換基板２の端まで延在し、金属配線の端面が露出する場合であっても、防湿部５０は上記端面を覆うことができる。そのため、本変形例２では、金属配線の腐食を抑制することができる。
【0091】
本発明の実施形態を説明したが、上記実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。上記の新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。上記実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【0092】
例えば、上述した技術は、上記Ｘ線検出モジュール１０及び上記Ｘ線検出器１への適用に限定されるものではなく、他のＸ線検出モジュール等の各種の放射線検出モジュール、及び、他のＸ線検出器等の各種の放射線検出器に適用することができる。放射線検出モジュールは、Ｘ線検出パネルＰＮＬの替わりに、放射線を検出する放射線検出パネルを備えていればよい。
【符号の説明】
【0093】
１…Ｘ線検出器、１０…Ｘ線検出モジュール、ＰＮＬ…Ｘ線検出パネル、２…光電変換基板、２ｂ…光電変換部、１３ａ…ＴＦＴ、１５ａ…ＴＦＤ、Ｇ１…ゲート線、Ｔ１…データ線、Ｌ１ａ…第１配線、Ｌ１ｂ…第２配線、Ｓａ…上面、Ｓｂ…端面、２ｄ１，２ｄ２…パッド、２１～２５…絶縁層、５…シンチレータ層、６…光反射層、７…防湿カバー、８…封止部、１１…回路基板、２ｅ１，２ｅ２…ＦＰＣ、３４…パッド、５０…防湿部、ＡＤ…接続材、ＤＡ…検出領域、ＮＤＡ…非検出領域、Ｘ…行方向、Ｙ…列方向。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】