特開 2024-178913 回路基板及びその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024178913

(43)【公開日】2024-12-25

(54)【発明の名称】回路基板及びその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 23/12 20060101AFI20241218BHJP

   H01L 23/14 20060101ALI20241218BHJP

   H05K 3/46 20060101ALI20241218BHJP

【ＦＩ】

H01L23/12 Z

H01L23/14 R

H05K3/46 T

【審査請求】未請求

【請求項の数】17

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2024083308

(22)【出願日】2024-05-22

(31)【優先権主張番号】10-2023-0075632

(32)【優先日】2023-06-13

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(71)【出願人】

【識別番号】594023722

【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．

(74)【代理人】

【識別番号】110000051

【氏名又は名称】弁理士法人共生国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】姜 哲 文

(72)【発明者】

【氏名】鄭 捧 夫

(72)【発明者】

【氏名】李 晧 ジェ

(72)【発明者】

【氏名】姜 ビョン 救

【テーマコード（参考）】

5E316

【Ｆターム（参考）】

5E316AA33

5E316AA38

5E316AA43

5E316CC04

5E316CC09

5E316CC10

5E316CC32

5E316CC33

5E316CC34

5E316CC37

5E316CC38

5E316CC39

5E316FF07

5E316FF09

5E316FF10

5E316GG15

5E316GG28

5E316HH11

5E316HH40

(57)【要約】      （修正有）

【課題】反りのリスクを低減することができる回路基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の回路基板は、互いに向き合う第１面１００ａと第２面１００ｂとを有する絶縁コア層１００と、少なくとも一部が絶縁コア層に位置して絶縁コア層とは熱膨張係数（ＣＴＥ：Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｅｘｐａｎｓｉｏｎ）が異なる絶縁補助部材４００と、第１面に位置する第１絶縁層２３０及び第１絶縁層に埋め込まれた第１回路配線２１０を含む第１基板部２００と、第２面に位置する第２絶縁層３３０及び第２絶縁層に埋め込まれた第２回路配線３１０を含む第２基板部３００と、を備える。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

互いに向き合う第１面と第２面とを有する絶縁コア層と、
少なくとも一部が前記絶縁コア層に位置して前記絶縁コア層とは熱膨張係数（ＣＴＥ：Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｅｘｐａｎｓｉｏｎ）が異なる絶縁補助部材と、
前記第１面に位置する第１絶縁層と前記第１絶縁層に埋め込まれた第１回路配線とを含む第１基板部と、
前記第２面に位置する第２絶縁層と前記第２絶縁層に埋め込まれた第２回路配線とを含む第２基板部と、を備えることを特徴とする回路基板。

【請求項2】

前記絶縁補助部材は、前記絶縁コア層よりもＣＴＥが高いことを特徴とする請求項１に記載の回路基板。

【請求項3】

前記絶縁補助部材の少なくとも一部は、前記絶縁コア層の中心線と前記第１面との間に位置することを特徴とする請求項１に記載の回路基板。

【請求項4】

前記絶縁コア層は、前記第１面に位置する凹部を有し、
前記絶縁補助部材は、前記凹部に位置することを特徴とする請求項３に記載の回路基板。

【請求項5】

前記凹部は、複数個を含み、
前記複数の凹部は、格子構造を有することを特徴とする請求項４に記載の回路基板。

【請求項6】

前記凹部は、トレンチ構造を有することを特徴とする請求項４に記載の回路基板。

【請求項7】

前記凹部は、複数個を含み、
前記複数の凹部は、互いに交差する部分を有することを特徴とする請求項６に記載の回路基板。

【請求項8】

前記第１基板部のＣＴＥと前記第２基板部のＣＴＥとは、互いに異なることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。

【請求項9】

前記第１基板部のＣＴＥは、前記第２基板部のＣＴＥよりも小さいことを特徴とする請求項８に記載の回路基板。

【請求項10】

前記第１基板部は、前記第１絶縁層の表面に位置する第１接続パッドを更に含み、
前記第２基板部は、前記第２絶縁層の表面に位置する第２接続パッドを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の回路基板。

【請求項11】

前記第１絶縁層の無機フィラー含有量は、前記第２絶縁層の無機フィラー含有量よりも多いことを特徴とする請求項１に記載の回路基板。

【請求項12】

前記第１絶縁層の上に位置して前記第１接続パッドに重なる第１オープニングを有する第１保護層と、
前記第２絶縁層の下に位置して前記第２接続パッドに重なる第２オープニングを有する第２保護層と、を更に含むことを特徴とする請求項１０に記載の回路基板。

【請求項13】

互いに向き合う第１面と第２面とを有する絶縁コア層の前記第１面に凹部を形成する段階と、
前記凹部に前記絶縁コア層とは熱膨張係数（ＣＴＥ：Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｅｘｐａｎｓｉｏｎ）が異なる絶縁補助部材を配置する段階と、
前記絶縁コア層の前記第１面に第１回路配線及び第１絶縁層を形成する段階と、
前記絶縁コア層の前記第２面に第２回路配線及び第２絶縁層を形成する段階と、を有することを特徴とする回路基板の製造方法。

【請求項14】

前記絶縁補助部材を配置する段階は、前記絶縁コア層よりもＣＴＥが高い絶縁材を前記凹部内に配置する段階を含むことを特徴とする請求項１３に記載の回路基板の製造方法。

【請求項15】

前記絶縁コア層の前記第１面に凹部を形成する段階は、レーザーを利用して前記第１面に垂直な第１方向に測定された前記絶縁コア層の厚さの半分よりも小さいか又は同じ深さで前記絶縁コア層を穿孔する段階を含むことを特徴とする請求項１３に記載の回路基板の製造方法。

【請求項16】

前記絶縁コア層の前記第１面に凹部を形成する段階は、
第１サブ絶縁コア層に貫通ホールを形成する段階と、
前記第１サブ絶縁コア層を第２サブ絶縁コア層に結合する段階と、を含むことを特徴とする請求項１３に記載の回路基板の製造方法。

【請求項17】

前記第１サブ絶縁コア層を第２サブ絶縁コア層に結合する段階は、前記第１サブ絶縁コア層と前記第２サブ絶縁コア層との間に接着層を配置する段階を含むことを特徴とする請求項１６に記載の回路基板の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、回路基板及びその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

電子産業の発展に伴い、電子機器が徐々に高性能化するにつれて、半導体パッケージは小型化・薄型化と同時に高密度化されることが求められている。パッケージの高密度化のために実装されるＩＣの数も増加している。また、限られたサイズの回路基板に多くの機能を実装するために、ＩＣのボールピッチはますます縮小されている。

【0003】

このように、限られたサイズの回路基板に多くの機能を実装するための技術が発達するにつれて、製品製造時に反り（Ｗａｒｐａｇｅ）による収率低下に対するリスクはますます大きくなっている。このため、このような反りを改善するための技術開発の重要性がますます高まっている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０１９－８７７２３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本発明は、上記従来の問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、反りのリスクを低減する回路基板及びその製造方法を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0006】

上記目的を達成するためになされた本発明の一態様による回路基板は、互いに向き合う第１面と第２面とを有する絶縁コア層と、少なくとも一部が前記絶縁コア層に位置して前記絶縁コア層とは熱膨張係数（ＣＴＥ：Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｅｘｐａｎｓｉｏｎ）が異なる絶縁補助部材と、前記第１面に位置する第１絶縁層と前記第１絶縁層に埋め込まれた第１回路配線とを含む第１基板部と、前記第２面に位置する第２絶縁層と前記第２絶縁層に埋め込まれた第２回路配線とを含む第２基板部と、を備える。

【0007】

前記絶縁補助部材は、前記絶縁コア層よりもＣＴＥが高くあり得る。
前記絶縁補助部材の少なくとも一部は、前記絶縁コア層の中心線と前記第１面との間に位置し得る。
前記絶縁コア層は、前記第１面に位置する凹部を有し、前記絶縁補助部材は、前記凹部に位置し得る。
前記凹部は、複数個を含み、前記複数の凹部は、格子構造を有し得る。
前記凹部は、トレンチ構造を有し得る。
前記凹部は、複数個を含み、前記複数の凹部は、互いに交差する部分を有し得る。
前記第１基板部のＣＴＥと前記第２基板部のＣＴＥとは、互いに異なり得る。
前記第１基板部のＣＴＥは、前記第２基板部のＣＴＥよりも小さくあり得る。
前記第１基板部は、前記第１絶縁層の表面に位置する第１接続パッドを更に含み、前記第２基板部は、前記第２絶縁層の表面に位置する第２接続パッドを更に含み得る。
前記第１絶縁層の無機フィラー含有量は、前記第２絶縁層の無機フィラー含有量よりも多くあり得る。
前記第１絶縁層上に位置して前記第１接続パッドに重なる第１オープニングを有する第１保護層と、前記第２絶縁層下に位置して前記第２接続パッドに重なる第２オープニングを有する第２保護層とを更に含み得る。

【0008】

上記目的を達成するためになされた本発明の一態様による回路基板の製造方法は、互いに向き合う第１面と第２面とを有する絶縁コア層の前記第１面に凹部を形成する段階と、前記凹部に前記絶縁コア層とは熱膨張係数（ＣＴＥ：Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｅｘｐａｎｓｉｏｎ）が異なる絶縁補助部材を配置する段階と、前記絶縁コア層の前記第１面に第１回路配線及び第１絶縁層を形成する段階と、前記絶縁コア層の前記第２面に第２回路配線及び第２絶縁層を形成する段階と、を有する。

【0009】

前記絶縁補助部材を配置する段階は、前記絶縁コア層よりもＣＴＥが高い絶縁材を前記凹部内に配置する段階を含み得る。
前記絶縁コア層の前記第１面に凹部を形成する段階は、レーザーを利用して前記第１面に垂直な第１方向に測定された前記絶縁コア層の厚さの半分よりも小さいか又は同じ深さで前記絶縁コア層を穿孔する段階を含み得る。
前記絶縁コア層の前記第１面に凹部を形成する段階は、第１サブ絶縁コア層に貫通ホールを形成する段階と、前記第１サブ絶縁コア層を第２サブ絶縁コア層に結合する段階と、を含み得る。
前記第１サブ絶縁コア層を第２サブ絶縁コア層に結合する段階は、前記第１サブ絶縁コア層と前記第２サブ絶縁コア層との間に接着層を配置する段階を含み得る。

【発明の効果】

【0010】

本発明によると、回路基板の中心線を基準に上部と下部との熱膨張係数（ＣＴＥ）の不均衡を緩和して反り現象を改善することができる。

【0011】

しかし、本発明の効果は、上述した効果に限定されるものではない。

【図面の簡単な説明】

【0012】

【図1】一実施形態による回路基板を示した断面図である。

【図2A】図１に示す絶縁補助部材が絶縁コア層に配置された多様な例を示した平面図である。

【図2B】図１に示す絶縁補助部材が絶縁コア層に配置された多様な例を示した平面図である。

【図2C】図１に示す絶縁補助部材が絶縁コア層に配置された多様な例を示した平面図である。

【図2D】図１に示す絶縁補助部材が絶縁コア層に配置された多様な例を示した平面図である。

【図3】図１に示す回路基板の変形例を示した断面図である。

【図4】一実施形態による回路基板の製造方法を示した断面図である。

【図5】一実施形態による回路基板の製造方法を示した断面図である。

【図6】一実施形態による回路基板の製造方法を示した断面図である。

【図7】一実施形態による回路基板の製造方法を示した断面図である。

【図8】一実施形態による回路基板の製造方法を示した断面図である。

【図9】一実施形態による回路基板の製造方法を示した断面図である。

【図10】一実施形態による回路基板の製造方法を示した断面図である。

【図11】一実施形態による回路基板の製造方法を示した断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0013】

以下、本発明を実施するための形態の具体例を、図面を参照しながら詳細に説明する。

【0014】

本発明は、いくつかの異なる形態で実施することができ、ここで説明する実施形態に限定されない。

【0015】

図面において、本発明を明確に説明するために、説明とは関係ない部分は省略し、明細書全体を通じて同一又は類似の構成要素に対して同一の参照符号を付ける。

【0016】

また、図面に示した各構成の大きさ及び厚さは説明の便宜のために任意に示したものであり、本発明は必ずしも図示したものに限定されない。図面において、複数の層及び領域を明確に表現するために、サイズ、厚さを拡大して示した。また、図面において、説明の便宜上、一部の層及び領域の厚さを誇張して示した。

【0017】

図面は、本明細書に開示した実施形態を容易に理解できるようにするためのものであり、図面によって本明細書に開示した技術的思想が制限されるものではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれる全ての変更、均等物、又は代替物を含むものとして理解されるべきである。

【0018】

第１、第２などのように序数を含む用語は、様々な構成要素を説明するために使用するが、構成要素は用語によって限定されない。用語は、一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的でのみ使用される。

【0019】

また、層、膜、領域、プレートなどの部分が他の部分の「上に」又は「の上に」ある場合、これは他の部分の「直上に」ある場合だけでなく、その間に別の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の「直上に」にあると言う場合は、真ん中に他の部分がないことを意味する。また、基準となる部分の「上に」又は「の上に」あるという場合は、基準となる部分の上又は下に位置することであり、必ずしも重力反対方向に向かって「上に」又は「の上に」位置することを意味するものではない。

【0020】

明細書全体において、「含む」又は「有する」などの用語は、明細書上に記載された特徴、数値、段階、動作、構成要素、部品、又はこれらを組み合わせたものが存在することを指定するものであって、一つ又はそれ以上の他の特徴や数値、段階、動作、構成要素、部品、又はこれらを組み合わせたものの存在又は付加の可能性を予め排除しないものと理解されるべきである。したがって、ある部分がある構成要素を「含む」とする場合、これは、特に反対の記載がない限り、他の構成要素を除外するものではなく、他の構成要素を更に含むことがあることを意味する。

【0021】

また、明細書全体において、「平面上」とは対象部分を上から見た場合を意味し、「断面上」とは対象部分を垂直に切った断面を横から見た場合を意味する。

【0022】

また、明細書全体において、「接続される」とは、２つ以上の構成要素が直接的に接続されることだけを意味するものではなく、２つ以上の構成要素が他の構成要素を通じて間接的に接続されること、物理的に接続されるだけでなく電気的に接続されること、又は位置や機能に応じて異なる名称で呼ばれるが一体であることを意味する。

【0023】

明細書全体において、基板は平面上に広く断面上に薄い構造を有し、「基板の平面方向」は基板の広くて平坦な面に平行な方向であり、「基板の厚さ方向」は基板の広くて平坦な面に垂直な方向を意味する。

【0024】

以下、図面を参照して、多様な実施形態及びその変形例を詳細に説明する。

【0025】

図１は、一実施形態による回路基板を示した断面図である。

【0026】

図１を参照すると、本実施形態による回路基板は、絶縁コア層１００、絶縁コア層１００の上に位置する第１基板部２００、絶縁コア層１００の下に位置する第２基板部３００、及び絶縁コア層１００に位置する絶縁補助部材４００を含む。

【0027】

絶縁コア層１００は、予め設定された面積及び厚さを有する。絶縁コア層１００は、互いに向き合う第１面１００ａと第２面１００ｂとを有する。絶縁コア層１００は、平面上に広く断面上に薄い構造を有する。第１面１００ａ又は第２面１００ｂに垂直な方向は、絶縁コア層１００の広くて平坦な面に垂直な方向を意味する。

【0028】

絶縁コア層１００は、エポキシ樹脂、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）などの熱硬化性樹脂、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）などの熱可塑性樹脂を含み、これと共にガラス繊維又は無機フィラーのような補強剤を含む樹脂などを含む。例えば、絶縁コア層１００は、プレプレグ（Ｐｒｅｐｒｅｇ）、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄｕｐ Ｆｉｌｍ）、ＰＩＤ（Ｐｈｏｔｏ Ｉｍａｇｅａｂｌｅ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）、ＢＴ（Ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ Ｔｒｉａｚｉｎｅ）樹脂などを含む。

【0029】

絶縁コア層１００は、中心線ＣＬから第１面１００ａまで位置する第１絶縁コア層１１０と、中心線ＣＬから第２面１００ｂまで位置する第２絶縁コア層１２０を含む。絶縁コア層１００は、第１面１００ａから絶縁コア層１００の一部に形成される凹部ＤＴを有する。凹部ＤＴは、第１絶縁コア層１１０に形成される。第１面１００ａに垂直な第１方向に測定された凹部ＤＴの深さは、第１方向に測定された絶縁コア層１００の厚さの半分よりも小さいか又は同じである。即ち、凹部ＤＴは、第１絶縁コア層１１０に形成され、第２絶縁コア層１２０までは延びない。

【0030】

第１基板部２００は、絶縁コア層１００の第１面１００ａ上に位置する。第１基板部２００は、第１回路配線２１０、第１絶縁層２３０、第１接続パッド２５０、及び第１保護層２７０を含む。

【0031】

第１回路配線２１０は、絶縁コア層１００の第１面１００ａ上に位置する。第１回路配線２１０は、電気的信号を伝達する。第１回路配線２１０は、多様なパターンで配置される。第１回路配線２１０は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタニウム（Ｔｉ）、又はこれらの合金などの導電性物質を含む。

【0032】

図１では、第１回路配線２１０の一つの配線層が第１面１００ａに配置されるものとして示しているが、これに限定されるものではなく、第１回路配線２１０は、多層の配線層で構成され得る。即ち、第１回路配線２１０は、第１面１００ａに位置する配線層を含めて、その上に積層される多層の配線層で構成され得、これも本発明の範囲に属する。多層の配線層間は、ビア層で連結される。

【0033】

第１絶縁層２３０は、絶縁コア層１００の第１面１００ａ上に位置する。第１回路配線２１０は、第１絶縁層２３０に埋め込まれる（ｅｍｂｅｄｄｅｄ）。第１絶縁層２３０は、エポキシ樹脂、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）などの熱硬化性樹脂、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）などの熱可塑性樹脂などを含む。また、第１絶縁層２３０は、ガラス繊維又は無機フィラーなどの補強剤を含む樹脂などを含む。一例として、第１絶縁層２３０は、プレプレグ（Ｐｒｅｐｒｅｇ）、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄｕｐ Ｆｉｌｍ）、ＰＩＤ（Ｐｈｏｔｏ Ｉｍａｇｅａｂｌｅ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）などを含むが、これに限定されるものではない。

【0034】

第１接続パッド２５０は、第１絶縁層２３０上に位置する。即ち、第１接続パッド２５０は、第１絶縁層２３０の表面に位置する。第１絶縁層２３０の表面は、第１絶縁層２３０が第１面１００ａに接触する面に対向する面を意味する。第１接続パッド２５０は、第１絶縁層２３０上に多様なパターンで配置される。第１接続パッド２５０は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタニウム（Ｔｉ）、又はこれらの合金などの導電性物質を含む。

【0035】

図示していないが、第１絶縁層２３０に第１回路配線２１０と第１接続パッド２５０とを電気的に接続するビア層が形成される。一例として、ビアは、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタニウム（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、又はこれらの合金などを含む。ビアは、第１回路配線２１０と同じ素材で形成される。

【0036】

第１保護層２７０は、第１絶縁層２３０上に位置する。第１保護層２７０は、ソルダーレジスト（Ｓｏｌｄｅｒ ｒｅｓｉｓｔ）などの絶縁物質を含む。第１保護層２７０は、第１接続パッド２５０に重なる第１オープニング２７５を有する。即ち、第１接続パッド２５０は、第１オープニング２７５によって外部に露出する。

【0037】

第２基板部３００は、絶縁コア層１００の第２面１００ｂの下に位置する。第２基板部３００は、第２回路配線３１０、第２絶縁層３３０、第２接続パッド３５０、及び第２保護層３７０を含む。

【0038】

第２回路配線３１０は、絶縁コア層１００の第２面１００ｂの下に位置する。第２回路配線３１０は、電気的信号を伝達する。第２回路配線３１０は、多様なパターンで配置される。第２回路配線３１０は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタニウム（Ｔｉ）、又はこれらの合金などの導電性物質を含む。

【0039】

図１では、第２回路配線３１０の一つの配線層が第２面１００ｂに配置されるものとして示しているが、これに限定されるものではなく、第２回路配線３１０は、多層の配線層で構成され得る。即ち、第２回路配線３１０は、第２面１００ｂに位置する配線層を含めて、その下に積層される多層の配線層で構成され得、これも本発明の範囲に属する。多層の配線層間は、ビア層で連結される。

【0040】

第２絶縁層３３０は、絶縁コア層１００の第２面１００ｂの下に位置する。第２回路配線３１０は、第２絶縁層３３０に埋め込まれる。第２絶縁層３３０は、エポキシ樹脂、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）などの熱硬化性樹脂、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）などの熱可塑性樹脂などを含む。また、第２絶縁層３３０は、ガラス繊維又は無機フィラーなどの補強剤を含む樹脂などを含む。一例として、第２絶縁層３３０は、プレプレグ（Ｐｒｅｐｒｅｇ）、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄｕｐ Ｆｉｌｍ）、ＰＩＤ（Ｐｈｏｔｏ Ｉｍａｇｅａｂｌｅ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）などを含むが、これに限定されるものではない。

【0041】

第２接続パッド３５０は、第２絶縁層３３０の下に位置する。即ち、第２接続パッド３５０は、第２絶縁層３３０の表面に位置する。第２絶縁層３３０の表面は、第２絶縁層３３０が第２面１００ｂに接触する面に対向する面を意味する。第２接続パッド３５０は、第２絶縁層３３０の下に多様なパターンで配置される。第２接続パッド３５０は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタニウム（Ｔｉ）、又はこれらの合金などの導電性物質を含む。

【0042】

図示していないが、第２絶縁層３３０に第２回路配線３１０と第２接続パッド３５０とを電気的に接続するビア層が形成される。一例として、ビアは、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタニウム（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、又はこれらの合金などを含む。ビアは、第２回路配線３１０と同じ素材で形成される。

【0043】

第２保護層３７０は、第２絶縁層３３０の下に位置する。第２保護層３７０は、ソルダーレジスト（Ｓｏｌｄｅｒ ｒｅｓｉｓｔ）などの絶縁物質を含む。第２保護層３７０は、第２接続パッド３５０に重なる第２オープニング３７５を有する。即ち、第２接続パッド３５０は、第２オープニング３７５によって外部に露出する。

【0044】

第１基板部２００と第２基板部３００とは、熱膨張係数（ＣＴＥ：Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｅｘｐａｎｓｉｏｎ）が互いに異なる。第１基板部２００及び第２基板部３００のＣＴＥは、ＴＭＡ（Ｔｈｅｒｍａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ａｎａｌｚｅｒ）、Ｄｉｌａｔｏｍｅｔｅｒなどの熱膨張係数測定装置を利用して測定することができる。例えば、熱膨張係数測定装置を利用して、基板の平面方向、即ち基板の広くて平坦な面に平行な方向に第１基板部２００及び第２基板部３００が膨張又は収縮した長さを測定してＣＴＥを求める。また、第１基板部２００及び第２基板部３００の第１回路配線２１０、第２回路配線３１０、第１絶縁層２３０、第２絶縁層３３０、第１接続パッド２５０、第２接続パッド３５０、第１保護層２７０、及び第２保護層３７０がそれぞれ膨張又は収縮した長さを基板の平面方向に測定して、それぞれのＣＴＥを求める。第１基板部２００及び第２基板部３００のＣＴＥは、各構成要素のＣＴＥを加重平均したものとする。即ち、第１基板部２００のＣＴＥは、第１回路配線２１０、第１絶縁層２３０、第１接続パッド２５０、及び第１保護層２７０のそれぞれのＣＴＥを加重平均したものとし、第２基板部３００のＣＴＥは、第２回路配線３１０、第２絶縁層３３０、第２接続パッド３５０、及び第２保護層３７０のそれぞれのＣＴＥを加重平均したものとする。第１及び第２基板部（２００、３００）の構成により、第１回路配線２１０のＣＴＥと第１絶縁層２３０のＣＴＥとの加重平均を第１基板部２００のＣＴＥとして、そして第２回路配線３１０のＣＴＥと第２絶縁層３３０のＣＴＥとの加重平均を第２基板部３００のＣＴＥとして使用する。第１基板部２００及び第２基板部３００のＣＴＥを測定するために試料を利用し、膨張（Ｅｘｐａｎｓｉｏｎ）又は圧縮（Ｔｅｎｓｉｏｎ）された変位（Ｄｉｓｐｌａｃｅｍｅｎｔ）を測定する。

【0045】

第１基板部２００と第２基板部３００とのＣＴＥの差は、素材、回路配線の差、又は絶縁層の無機フィラーの含有量を含む様々な原因によって発生する。一例として、第１回路配線２１０よりも第２回路配線３１０の面積が小さく、第１基板部２００よりも第２基板部３００のＣＴＥがより大きい場合がある。この時、第１回路配線２１０を構成する配線層よりも第２回路配線３１０を構成する配線層が多く、第１回路配線２１０よりも第２回路配線３１０の面積が大きい場合がある。他の例として、第１絶縁層２３０の無機フィラー含有量が第２絶縁層３３０の無機フィラー含有量よりも多く、第１基板部２００のＣＴＥが第２基板部３００のＣＴＥよりも小さい場合がある。

【0046】

絶縁補助部材４００は、少なくとも一部が絶縁コア層１００に位置する。絶縁補助部材４００は、第１絶縁コア層１１０に位置する部分を含む。即ち、絶縁補助部材４００は、絶縁コア層１００の中心線（ＣＬ）から第１面１００ａの間に位置する部分を含む。

【0047】

絶縁補助部材４００は、絶縁コア層１００の凹部ＤＴに位置する。絶縁補助部材４００の上面４００ａは、第１面１００ａと略同じ高さで形成されるが、これに限定されるものではない。例えば、絶縁補助部材４００の上面４００ａ又は上面４００ａを含む一部分が絶縁コア層１００から露出して、第１基板部２００が露出した部分を覆う。

【0048】

絶縁補助部材４００は、絶縁性素材を含み、絶縁コア層１００とは異なる素材で構成される。絶縁補助部材４００と絶縁コア層１００とは、熱膨張係数（ＣＴＥ：Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｅｘｐａｎｓｉｏｎ）が互いに異なる。

【0049】

一例として、絶縁補助部材４００は、絶縁コア層１００のＣＴＥよりも高い絶縁性樹脂材を含む。したがって、絶縁補助部材４００及び第１絶縁コア層１１０で形成されるＣＴＥは、第２絶縁コア層１２０のＣＴＥよりも高い。この時、絶縁補助部材４００及び第１絶縁コア層１１０で形成されるＣＴＥは、絶縁補助部材４００のＣＴＥと第１絶縁コア層１１０のＣＴＥとを加重平均したものとする。絶縁補助部材４００は、平面上で回路基板全体に配置される。

【0050】

絶縁補助部材４００は、第１基板部２００と第２基板部３００とのＣＴＥの不均衡を補完する。一例として、第１基板部２００よりも第２基板部３００のＣＴＥが大きく、ＣＴＥの不均衡による反り（Ｗａｒｐａｇｅ）の危険性がある場合、絶縁コア層１００よりもＣＴＥが大きい絶縁補助部材４００を第１絶縁コア層１１０に配置することにより、ＣＴＥの不均衡を除去又は緩和することができる。即ち、第１基板部２００のＣＴＥが第２基板部３００のＣＴＥよりも低い場合、絶縁コア層１００のＣＴＥよりも高いＣＴＥを有する絶縁補助部材４００を第１絶縁コア層１１０に配置することにより、中心線ＣＬを基準に上部のＣＴＥと下部のＣＴＥとが同一又は類似するように調整される。

【0051】

図２Ａ～図２Ｄは、図１に示す絶縁補助部材が絶縁コア層に配置された多様な例を示した平面図である。

【0052】

絶縁補助部材４００は、予め設定された面積及び厚さを有する。絶縁補助部材４００は、プレート構造であり、平面状で、円形、楕円形、多角形である。図２を参照すると、絶縁補助部材４００は、一定のパターンを形成するように配置される。一例として、絶縁補助部材４００は、格子構造で配置される（図２Ａ、図２Ｂ参照）。また、絶縁補助部材４００は、長く形成された溝状のトレンチ（ｔｒｅｎｃｈ）構造に形成される（図２Ｃ参照）。トレンチ構造の絶縁補助部材４００が交差するように配置される（図２Ｄ参照）。但し、絶縁補助部材４００の配置は、図２Ａ～図２Ｄで示す構造に限定されるものではなく、多様なパターンで絶縁補助部材４００が形成され得る。

【0053】

図３は、図１に示す回路基板の変形例を示した断面図である。

【0054】

図３に示す回路基板は、基本的に図１に示す回路基板と同様の積層構造を有する。即ち、変形例による回路基板は、絶縁コア層１００、絶縁コア層１００上に位置する第１基板部２００、絶縁コア層１００の下に位置する第２基板部３００、及び絶縁コア層１００に位置する絶縁補助部材４００を含む。第１及び第２基板部（２００、３００）は、それぞれ第１及び第２回路配線（２１０、３１０）、第１及び第２絶縁層（２３０、３３０）、第１及び第２接続パッド（２５０、３５０）、そして第１及び第２保護層（２７０、３７０）を含む。

【0055】

絶縁補助部材４００は、平面上で回路基板の一部に位置する。予め設定された第１基板部２００と第２基板部３００との間のＣＴＥの不均衡を計算する。第１基板部２００と第２基板部３００とのＣＴＥの差が部分的に大きい場合、該当する部分に絶縁補助部材４００を配置することにより、サドル（Ｓａｄｄｌｅ）などの複合的な反り（Ｗａｒｐａｇｅ）が発生することを防止することができる。第１基板部２００及び第２基板部３００のＣＴＥを導出するために、ガーバー（Ｇｅｒｂｅｒ）ファイルなどを利用する。

【0056】

一例として、図３を参照すると、第１面１００ａに垂直な第１方向に重なる一部分（Ｐ１）において、第１基板部２００と第２基板部３００と間のＣＴＥの不均衡が大きい場合、その一部分Ｐ１の第２絶縁コア層１２０に絶縁補助部材４００を配置してＣＴＥの不均衡を緩和する。

【0057】

図４～図１１は、一実施形態による回路基板の製造方法を示した断面図である。

【0058】

以下、図１～図３と共に図４～図１１を参照して、一実施例による回路基板の製造方法を説明する。

【0059】

図４を参照すると、先ず、絶縁コア層１００を用意する。一例として、絶縁コア層１００を用意するために、絶縁コア層１００を形成するプレプレグ（ｐｒｅｐｒｅｇ）の一面又は両面に薄膜金属層ＭＳが積層された銅箔積層板（Ｃｏｐｐｅｒ Ｃｌａｄ Ｌａｍｉｎａｔｅ：ＣＣＬ）を使用する。

【0060】

図５を参照すると、絶縁コア層１００に凹部ＤＴを形成する。凹部ＤＴは、第１面１００ａに形成される。例えば、凹部ＤＴは、プレート構造に平面状で、円形、楕円形、多角形に形成される。また他の例として、凹部ＤＴは、トレンチ（ｔｒｅｎｃｈ）構造で形成される。

【0061】

図６及び図７は、図５の凹部ＤＴを形成する方法を示した平面図である。

【0062】

図６に示したように、絶縁コア層１００を一定の深さに穿孔して凹部ＤＴを形成する。一例として、レーザーを利用して凹部ＤＴを形成する。凹部ＤＴは、第１方向に測定される深さが絶縁コア層１００の厚さの半分よりも小さいか又は同一に形成される。

【0063】

他の例として、図７に示すように、絶縁コア層１００を形成するために、第１サブ絶縁コア層ＳＣ１及び第２サブ絶縁コア層ＳＣ２を用意する。第１サブ絶縁コア層ＳＣ１は、第２サブ絶縁コア層ＳＣ２よりも厚さが薄いか又は同じである。第１サブ絶縁コア層ＳＣ１を貫通する貫通ホールＰＨを形成する。貫通ホールＰＨを形成するために、ドリル又はパンチを利用する。次に、第１サブ絶縁コア層ＳＣ１と第２サブ絶縁コア層ＳＣ２とを結合する。結合のために、第１サブ絶縁コア層ＳＣ１と第２サブ絶縁コア層ＳＣ２との間に接着層ＡＬを配置し、接着層ＡＬを媒介として第１サブ絶縁コア層ＳＣ１と第２サブ絶縁コア層ＳＣ２とを結合して絶縁コア層１００を形成する。

【0064】

図８を参照すると、凹部ＤＴに絶縁補助部材４００を配置する。絶縁補助部材４００は凹部ＤＴ内に形成され、凹部ＤＴから突出することも可能である。絶縁補助部材４００は、絶縁コア層１００よりもＣＴＥが高い絶縁性素材で形成される。絶縁補助部材４００は、第１基板部２００と第２基板部３００とのＣＴＥの差に応じて多様な形状及び大きさを有し、多様なパターンで配置される。本実施形態では、絶縁補助部材４００が第１面１００ａと同じ高さで形成されるものとして示しているが、これに限定されるものではない。一例として、凹部ＤＴ内に絶縁コア層１００よりもＣＴＥが高い絶縁材を挿入して絶縁補助部材４００を形成する。

【0065】

図９を参照すると、絶縁コア層１００の第１面１００ａ上に第１回路配線２１０を形成し、第２面１００ｂの下に第２回路配線３１０を形成する。第１回路配線２１０は、絶縁コア層１００上にメッキレジストを積層し、露光及び現像して第１回路配線２１０が形成される部分のみに除去されたメッキレジストパターンを形成した後、メッキレジストパターンが形成されていない部分に導電性金属を積層することによって、第１回路配線２１０を形成する。第２回路配線３１０も同様な方法で形成される。

【0066】

図１０を参照すると、絶縁コア層１００の第１面１００ａ上に第１回路配線２１０を覆う第１絶縁層２３０を形成し、第２面１００ｂの下に第２回路配線３１０を覆う第２絶縁層３３０を形成する。

【0067】

図示していないが、第１絶縁層２３０及び第２絶縁層３３０にそれぞれ第１回路配線２１０及び第２回路配線３１０を露出するビアを形成する。

【0068】

図９及び図１０では、第１回路配線２１０、第１絶縁層２３０、第２回路配線３１０、及び第２絶縁層３３０がそれぞれ一つの層を積層するものとして示しているが、これに限定されるものではない。即ち、積層された絶縁層上に更に他の回路配線層と更に他の絶縁層が積層され、このような積層が繰り返し実施される。また、第１回路配線２１０及び第２回路配線３１０に含まれる回路配線層の数は、それぞれ異なるように積層することができる。

【0069】

次に、図１１に示したように、第１絶縁層２３０上に第１接続パッド２５０を形成し、第２絶縁層３３０の下に第２接続パッド３５０を形成する。第１及び第２接続パッド（２５０、３５０）は、先に第１及び第２回路配線（２１０、３１０）を形成した方法と同様の方法で形成される。

【0070】

次に、再び図１を参照すると、第１絶縁層２３０上に第１保護層２７０を形成し、第２絶縁層３３０の下に第２保護層３７０を形成する。

【0071】

以上、本発明の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。

【符号の説明】

【0072】

１００ 絶縁コア層
１００ａ、１００ｂ 第１、第２面
１１０ 第１絶縁コア層
１２０ 第２絶縁コア層
２００、３００ 第１、第２基板部
２１０、３１０ 第１、第２回路配線
２３０、３３０ 第１、第２絶縁層
２５０、３５０ 第１、第２接続パッド
２７０、３７０ 第１、第２保護層
２７５、３７５ 第１、第２オープニング
４００ 絶縁補助部材
４００ａ 上面
ＡＬ 接着層
ＣＬ 中心線
ＤＴ 凹部
ＭＳ 薄膜金属層
ＰＨ 貫通ホール
Ｐ１ 一部分
ＳＣ１、ＳＣ２ 第１、第２サブ絶縁コア層

【図1】

【図2A】

【図2B】

【図2C】

【図2D】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】