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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024178926
(43)【公開日】2024-12-25
(54)【発明の名称】半導体デバイスを製造するための装置
(51)【国際特許分類】
C23C 16/455 20060101AFI20241218BHJP
H01L 21/205 20060101ALI20241218BHJP
H01L 21/31 20060101ALI20241218BHJP
【ＦＩ】
C23C16/455
H01L21/205
H01L21/31 B
【審査請求】未請求
【請求項の数】20
【出願形態】ＯＬ
【外国語出願】
(21)【出願番号】P 2024093628
(22)【出願日】2024-06-10
(31)【優先権主張番号】102023000012138
(32)【優先日】2023-06-13
(33)【優先権主張国・地域又は機関】IT
(71)【出願人】
【識別番号】524075076
【氏名又は名称】エルピーイー・エッセ・ピ・ア
(74)【代理人】
【識別番号】100108453
【弁理士】
【氏名又は名称】村山 靖彦
(74)【代理人】
【識別番号】100110364
【弁理士】
【氏名又は名称】実広 信哉
(74)【代理人】
【識別番号】100133400
【弁理士】
【氏名又は名称】阿部 達彦
(72)【発明者】
【氏名】フランチェスコ・コレア
(72)【発明者】
【氏名】ステファノ・ポッリ
(72)【発明者】
【氏名】シルヴィオ・ロベルト・マーリオ・プレーティ
(72)【発明者】
【氏名】ダニーロ・クリッパ
(72)【発明者】
【氏名】ジアンルカ・ヴァレンテ
(72)【発明者】
【氏名】ルーネ・ベルゲ
【テーマコード（参考）】
4K030
5F045
【Ｆターム（参考）】
4K030EA05
4K030EA06
4K030EA11
4K030GA02
4K030KA04
4K030KA12
4K030KA23
4K030KA45
5F045AA03
5F045AA06
5F045AD14
5F045AD15
5F045AD16
5F045AD17
5F045AD18
5F045AF02
5F045AF03
5F045BB01
5F045DP19
5F045DP28
5F045DQ05
5F045EF13
5F045EJ09
5F045EK06
5F045EM02
5F045EM10
(57)【要約】 （修正有）
【課題】半導体デバイスを製造するための装置を提供する。
【解決手段】基材１０１と、化学蒸着（ＣＶＤ）プロセスによって前記基材上に適用された膜とを含むタイプの半導体デバイスを製造するための装置であって、
－プロセスチャンバ２の第一の基準軸Ｚに沿って、かつ基材が第一の基準軸に対して直交している平行な平面内に存在する配向に従って、基材を配置するプロセスチャンバと、
－プロセスチャンバを所定の内部温度に加熱するための加熱システムと、
－プロセスガスをプロセスチャンバに送達するための送達ユニット４と、
－プロセスチャンバからプロセス排気ガスを抽出するための排気ガス抽出ユニット６と、を備える、装置である。
【選択図】図３
【解決手段】基材１０１と、化学蒸着（ＣＶＤ）プロセスによって前記基材上に適用された膜とを含むタイプの半導体デバイスを製造するための装置であって、
－プロセスチャンバ２の第一の基準軸Ｚに沿って、かつ基材が第一の基準軸に対して直交している平行な平面内に存在する配向に従って、基材を配置するプロセスチャンバと、
－プロセスチャンバを所定の内部温度に加熱するための加熱システムと、
－プロセスガスをプロセスチャンバに送達するための送達ユニット４と、
－プロセスチャンバからプロセス排気ガスを抽出するための排気ガス抽出ユニット６と、を備える、装置である。
【選択図】図３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基材（１０１）と、化学蒸着（ＣＶＤ）プロセスによって前記基材上に適用された膜とを含むタイプの半導体デバイスを製造するための装置（１０）であって、
－ 基材（１０１）（１０１’）を第一の基準軸（Ｚ）に沿って配置するプロセスチャンバ（２）であって、前記基材（１０１）が、前記第一の基準軸（Ｚ）に実質的に直交している平行平面内に存在している、プロセスチャンバ（２）と、
－ 前記プロセスチャンバ（２）を所定の内部温度に加熱するための加熱システムと、
－ プロセスガスを前記プロセスチャンバ（２）に送達するための送達ユニット（４）と、
－ 前記プロセスチャンバ（２）からプロセス排気ガスを抽出するための排気ガス抽出ユニット（６）と、を備え、
前記装置が、前記プロセスチャンバ（２）を封入し、かつ前記送達ユニット（４）によって排出される前記プロセスガスを受け入れる入口（８Ａ）と、前記プロセス排気ガスを前記排気ガス抽出ユニット（６）に向かって方向付ける出口（８Ｂ）とを有するケース（８）を備え、前記装置（１０）が、前記入口（８Ａ）から前記出口（８Ｂ）へ、かつ前記プロセスチャンバ（２）内に配置された前記基材（１０１’）を横切って前記ケース（８）を横断するガス流を生成する、前記入口（８Ａ）と前記出口（８Ｂ）との間の圧力差を構築するように構成され、
－ 前記ケース（８）を囲み、かつ外側から前記ケース（８）を分離するように構成されているハウジング構造（１４）と、
－ 前記ハウジング構造（１４）の内側と流体連通している入口（７４）および出口（７６）と、
－ 前記入口（７４）を介して、前記ハウジング構造（１４）の内側に不活性ガスを供給し、かつ前記ハウジング構造（１４）内に不活性ガスの制御された雰囲気（８０）を作り出すための供給ユニット（７８）と、を備える、装置（１０）。
－ 基材（１０１）（１０１’）を第一の基準軸（Ｚ）に沿って配置するプロセスチャンバ（２）であって、前記基材（１０１）が、前記第一の基準軸（Ｚ）に実質的に直交している平行平面内に存在している、プロセスチャンバ（２）と、
－ 前記プロセスチャンバ（２）を所定の内部温度に加熱するための加熱システムと、
－ プロセスガスを前記プロセスチャンバ（２）に送達するための送達ユニット（４）と、
－ 前記プロセスチャンバ（２）からプロセス排気ガスを抽出するための排気ガス抽出ユニット（６）と、を備え、
前記装置が、前記プロセスチャンバ（２）を封入し、かつ前記送達ユニット（４）によって排出される前記プロセスガスを受け入れる入口（８Ａ）と、前記プロセス排気ガスを前記排気ガス抽出ユニット（６）に向かって方向付ける出口（８Ｂ）とを有するケース（８）を備え、前記装置（１０）が、前記入口（８Ａ）から前記出口（８Ｂ）へ、かつ前記プロセスチャンバ（２）内に配置された前記基材（１０１’）を横切って前記ケース（８）を横断するガス流を生成する、前記入口（８Ａ）と前記出口（８Ｂ）との間の圧力差を構築するように構成され、
－ 前記ケース（８）を囲み、かつ外側から前記ケース（８）を分離するように構成されているハウジング構造（１４）と、
－ 前記ハウジング構造（１４）の内側と流体連通している入口（７４）および出口（７６）と、
－ 前記入口（７４）を介して、前記ハウジング構造（１４）の内側に不活性ガスを供給し、かつ前記ハウジング構造（１４）内に不活性ガスの制御された雰囲気（８０）を作り出すための供給ユニット（７８）と、を備える、装置（１０）。
【請求項2】
前記ケース（８）が、第二の基準軸に沿って連続して配置されている、
－ 前記入口（８Ａ）を含む入口セクション（８Ｃ）と、
－ 前記プロセスチャンバ（２）を囲む中央セクション（８Ｄ）と、
－ 前記出口（２Ｂ）を含む出口セクション（８Ｅ）と、を備える、請求項１に記載の装置。
－ 前記入口（８Ａ）を含む入口セクション（８Ｃ）と、
－ 前記プロセスチャンバ（２）を囲む中央セクション（８Ｄ）と、
－ 前記出口（２Ｂ）を含む出口セクション（８Ｅ）と、を備える、請求項１に記載の装置。
【請求項3】
前記ケース（８）が、前記中央セクション（８Ｄ）内の前記ガス流の速度が前記入口セクションおよび前記出口セクション（８Ｃ、８Ｅ）内よりも低くなるように、前記入口セクションおよび前記出口セクション（８Ｃ、８Ｅ）に対して前記中央セクション（８Ｄ）で拡大されている断面流れ面積を有する、請求項２に記載の装置。
【請求項4】
前記ケース（８）が、前記第一の基準軸（Ｚ）に沿った寸法が、前記入口セクション、前記中央セクション、および前記出口セクション（８Ｃ、８Ｄ、８Ｅ）全体にわたって均一かつ一定である断面流れ面積を有する、請求項２または３に記載の装置。
【請求項5】
前記入口セクション（８Ｃ）が、前記第一の基準軸（Ｚ）に沿って延びているフィン（８Ｆ）の線状シリーズを含み、前記フィンが、前記入口（８ａ）に面し、かつ前記ケース入口（８Ａ）に入る前記ガス流を、リニア構成（１０１’）内の前記基材（１０１）の位置に対応する複数の位置に均一に分配するように、前記第一の基準軸（Ｚ）に沿って均等に離隔している、請求項１～４のいずれか一項に記載の装置。
【請求項6】
前記ケース（８）が、前記第二の基準軸（Ｙ）に沿って共に概して延びている一対の向かい合っている壁（８１）と、前記第一の基準軸（Ｚ）に沿って互いに向かい合っている前記一対の壁（８１）のエッジに取り付けられている一対の端部閉鎖部（８２）と、を備える、請求項１～５のいずれか一項に記載の装置。
【請求項7】
前記第二の基準軸（Ｙ）を基準として、
前記一対の向かい合っている壁（８１）の各々が、上流端の平坦な部分（８１Ｃ）と、下流端の平坦な部分（８１Ｅ）と、前記ケース（８）の外側に面している凸側を有する中央の凹状円筒部分（８１Ｄ）とを有し、
前記一対の端部閉鎖部（８２）のそれぞれが、上流端の平坦な部分（８２Ｃ）、下流端の平坦な部分（８２Ｅ）、および中央の平坦な部分（８２Ｄ）を有し、
前記一対の壁（８１）および前記一対の端部閉鎖部（８２）が：
前記一対の向かい合っている壁（８１）の前記上流端の平坦な部分（８１Ｃ）および前記一対の端部閉鎖部（８２）の前記上流端の平坦な部分（８２Ｃ）が、前記入口（８Ａ）を含む前記ケース（８）の入口セクション（８Ｃ）を一緒に形成し、
前記一対の向かい合っている壁（８１）の前記中央部分（８１Ｄ）および前記一対の端部閉鎖部（８２）の前記中央部分（８２Ｄ）が、前記プロセスチャンバ（２）を囲んでいる前記ケース（８）の中央セクション（８Ｄ）を一緒に形成し、
前記一対の向かい合っている壁（８１）の前記下流端の平坦な部分（８１Ｅ）および前記一対の端部閉鎖部（８２）の前記下流端の平坦な部分（８２Ｅ）が、前記出口（８Ｂ）を含む前記ケース（８）の出口セクション（８Ｅ）を一緒に形成するように、一緒に組み立てられている、請求項６に記載の装置。
前記一対の向かい合っている壁（８１）の各々が、上流端の平坦な部分（８１Ｃ）と、下流端の平坦な部分（８１Ｅ）と、前記ケース（８）の外側に面している凸側を有する中央の凹状円筒部分（８１Ｄ）とを有し、
前記一対の端部閉鎖部（８２）のそれぞれが、上流端の平坦な部分（８２Ｃ）、下流端の平坦な部分（８２Ｅ）、および中央の平坦な部分（８２Ｄ）を有し、
前記一対の壁（８１）および前記一対の端部閉鎖部（８２）が：
前記一対の向かい合っている壁（８１）の前記上流端の平坦な部分（８１Ｃ）および前記一対の端部閉鎖部（８２）の前記上流端の平坦な部分（８２Ｃ）が、前記入口（８Ａ）を含む前記ケース（８）の入口セクション（８Ｃ）を一緒に形成し、
前記一対の向かい合っている壁（８１）の前記中央部分（８１Ｄ）および前記一対の端部閉鎖部（８２）の前記中央部分（８２Ｄ）が、前記プロセスチャンバ（２）を囲んでいる前記ケース（８）の中央セクション（８Ｄ）を一緒に形成し、
前記一対の向かい合っている壁（８１）の前記下流端の平坦な部分（８１Ｅ）および前記一対の端部閉鎖部（８２）の前記下流端の平坦な部分（８２Ｅ）が、前記出口（８Ｂ）を含む前記ケース（８）の出口セクション（８Ｅ）を一緒に形成するように、一緒に組み立てられている、請求項６に記載の装置。
【請求項8】
前記ケース（８）が、熱伝導性材料、好ましくは黒鉛または炭化ケイ素で作製され、前記加熱システムが、前記ケースを加熱するように配置されている、請求項１～７のいずれか一項に記載の装置。
【請求項9】
前記加熱システムが、前記ケース（８）を加熱するための熱放射を発生するヒーター（３）を備える、請求項８に記載の装置。
【請求項10】
前記加熱システムが、前記ケース（８）の一対の向かい合っている壁（８１）に面して、かつそれに沿って走行するように、前記ケース（８）の外側に配置された熱放射ヒーター（３）の２つのシリーズ（３Ａ、３Ｂ）を備え、前記一対の向かい合っている壁（８１）が、前記第二の基準軸（Ｙ）に沿って概して延びている、請求項９に記載の装置。
【請求項11】
ヒーター（３）の各シリーズ（３Ａ、３Ｂ）が、前記第二の基準軸（Ｙ）に沿って、前記それぞれのケース壁（８１）の輪郭と一致する線（Ｍ）に従っている、請求項１０に記載の装置。
【請求項12】
前記加熱システムが、前記ケース（８）の前記入口セクション（８Ｃ）を、前記ケース（８）の前記中央セクションおよび出口セクション（８Ｄ、８Ｅ）よりも高い温度に加熱するように構成されている、請求項１０または１１に記載の装置。
【請求項13】
前記送達ユニット（４）が、前記プロセスガスが排出される複数のオリフィスを有するバッフルプレート（４２Ａ）を備え、前記バッフルプレート（４２Ａ）が、前記ケースの前記入口（８Ａ）に対して平行に、かつ前記第二の基準軸（Ｙ）に対して直交するように設定されている、請求項１～１２のいずれか一項に記載の装置。
【請求項14】
前記排気ガス抽出ユニット（６）が、前記排気ガスが抜かれる複数のオリフィスを有するバッフルプレート（６２Ａ）を備え、前記バッフルプレート（６２Ａ）が、前記ケース（８）の前記出口（８Ｂ）に対して平行に、かつ前記第二の基準軸（Ｙ）に対して直交するように設定されている、請求項１～１３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項15】
前記送達ユニット（４）が、送達されている前記プロセスガスを冷却するための冷却管を備え、かつ／または前記排気ガス抽出ユニット（６）が、抽出されている前記プロセス排気ガスを冷却するための冷却管を備える、請求項１～１４のいずれか一項に記載の装置。
【請求項16】
－ 前記送達ユニット（４）を、前記ケース（８）の前記入口（８Ａ）に流体接続し、同時に、前記後者から前記前者を空間的に分離する中間ダクト（１５）、および／または
－ 前記排気ガス抽出ユニット（６）を、前記ケース（８）の前記出口（８Ｂ）に流体接続し、同時に、前記後者から前記前者を空間的に分離する、中間ダクト（１６）、
を備える、請求項１～１５のいずれか一項に記載の装置。
－ 前記排気ガス抽出ユニット（６）を、前記ケース（８）の前記出口（８Ｂ）に流体接続し、同時に、前記後者から前記前者を空間的に分離する、中間ダクト（１６）、
を備える、請求項１～１５のいずれか一項に記載の装置。
【請求項17】
前記第一の基準軸（Ｚ）が、垂直であり、前記第二の基準軸（Ｙ）が、水平である、請求項１～１６のいずれか一項に記載の装置。
【請求項18】
前記装置が、前記排気ガス抽出ユニット（６）および前記出口（７６）に流体接続され、かつ、作動時に、前記ケース（８）を横断する前記ガス流の前記圧力を下回る、前記ハウジング構造（１４）内の前記制御された雰囲気（８０）内の所定の最小圧力を決定するように構成されている、減圧発生器（７０、７２）をさらに備える、
請求項１～１７のいずれか一項に記載の装置。
請求項１～１７のいずれか一項に記載の装置。
【請求項19】
前記ケース（８）、前記送達ユニット（４）、および前記排気ガス抽出ユニット（６）を支持する基部（１２）を備え、
前記ハウジング構造（１４）が、前記ハウジング構造（１４）と前記基部（１２）とが一緒に結合され、前記ケース（８）を前記外側から分離する第一の位置と、前記ハウジング構造（１４）が前記基部（１２）から取り外され、前記ケース（８）が前記外側からアクセスすることができる第二の位置との間で、前記基部（１２）に対して、前記第一の基準軸（Ｚ）に沿って、移動可能である、請求項１８に記載の装置。
前記ハウジング構造（１４）が、前記ハウジング構造（１４）と前記基部（１２）とが一緒に結合され、前記ケース（８）を前記外側から分離する第一の位置と、前記ハウジング構造（１４）が前記基部（１２）から取り外され、前記ケース（８）が前記外側からアクセスすることができる第二の位置との間で、前記基部（１２）に対して、前記第一の基準軸（Ｚ）に沿って、移動可能である、請求項１８に記載の装置。
【請求項20】
基材（１０１）と、化学蒸着（ＣＶＤ）プロセスによって前記基材上に適用された膜とを備えるタイプの半導体デバイスを製造するための方法であって、
－ プロセスチャンバ（２）の第一の基準軸（Ｚ）に沿って、かつ前記基材（１０１）が前記第一の基準軸（Ｚ）に対して直交している平行な平面内に存在する配向に従って、リニア構成（１０１’）において基材（１０１）を配置することと、
－ 加熱システムによって、前記プロセスチャンバ（２）を所定の内部温度に加熱することと、
－ 送達ユニット（４）によって、プロセスガスを前記プロセスチャンバ（２）に送達することであって、
前記プロセスチャンバ（２）内で、前記プロセスガスがＣＶＤプロセスを受けて、前記リニア構成（１０１’）の各基材（１０１）上に膜を形成し、プロセス排気ガスが生成される、送達することと、
－ 排気ガス抽出ユニット（６）によって、前記プロセスチャンバ（２）において生成された前記プロセス排気ガスを抽出することと、を含み、
前記方法が、前記プロセスチャンバ（２）を囲み、かつ前記送達ユニット（４）によって排出された前記プロセスガスを受け入れる入口（２Ａ）と、前記プロセス排気ガスを前記排気ガス抽出ユニット（６）に向かって方向付ける出口（２Ｂ）とを有するケース（８）を提供することを含み、かつ、前記第一の基準軸（Ｚ）に対して横方向に第二の基準軸（Ｙ）に沿って移動し、かつ前記プロセスチャンバ（２）内に配置された前記基材リニア構成（１０１’）を横切って移動することによって、前記入口（２Ａ）から前記出口（２Ｂ）へと前記ケース（８）を横断し、前記リニア構成（１０１’）で配置されたすべての前記基材（１０１）を覆うガス流を生成することを含む、方法。
－ プロセスチャンバ（２）の第一の基準軸（Ｚ）に沿って、かつ前記基材（１０１）が前記第一の基準軸（Ｚ）に対して直交している平行な平面内に存在する配向に従って、リニア構成（１０１’）において基材（１０１）を配置することと、
－ 加熱システムによって、前記プロセスチャンバ（２）を所定の内部温度に加熱することと、
－ 送達ユニット（４）によって、プロセスガスを前記プロセスチャンバ（２）に送達することであって、
前記プロセスチャンバ（２）内で、前記プロセスガスがＣＶＤプロセスを受けて、前記リニア構成（１０１’）の各基材（１０１）上に膜を形成し、プロセス排気ガスが生成される、送達することと、
－ 排気ガス抽出ユニット（６）によって、前記プロセスチャンバ（２）において生成された前記プロセス排気ガスを抽出することと、を含み、
前記方法が、前記プロセスチャンバ（２）を囲み、かつ前記送達ユニット（４）によって排出された前記プロセスガスを受け入れる入口（２Ａ）と、前記プロセス排気ガスを前記排気ガス抽出ユニット（６）に向かって方向付ける出口（２Ｂ）とを有するケース（８）を提供することを含み、かつ、前記第一の基準軸（Ｚ）に対して横方向に第二の基準軸（Ｙ）に沿って移動し、かつ前記プロセスチャンバ（２）内に配置された前記基材リニア構成（１０１’）を横切って移動することによって、前記入口（２Ａ）から前記出口（２Ｂ）へと前記ケース（８）を横断し、前記リニア構成（１０１’）で配置されたすべての前記基材（１０１）を覆うガス流を生成することを含む、方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
発明の技術分野
本発明は、基材と、化学蒸着（ＣＶＤ）プロセスによって基材上に適用される膜とを含むタイプの半導体デバイスを製造するための装置に関する。
本発明は、基材と、化学蒸着（ＣＶＤ）プロセスによって基材上に適用される膜とを含むタイプの半導体デバイスを製造するための装置に関する。
【背景技術】
【0002】
このタイプの装置は、複数の基材を配置し、プロセスチャンバに供給されるプロセスガスがＣＶＤプロセスを受けて複数の基材上に膜を形成するプロセスチャンバを備える。
【0003】
このような装置によって実行される製造プロセスの一態様は、ＣＶＤプロセスが、プロセスチャンバ内に配置されたすべての基材上に実質的に同一の膜（例えば、実質的に同じ厚さを有する）の形成につながることであり得る。
【0004】
これは、プロセスチャンバ内で、温度、ガス流量、および圧力などの均一な条件が、複数の基材によって占められるすべての位置で確立され得る場合に達成され得る。
【0005】
特開第２０１４１２３６１６号、特許第５７８３８５９号、および特許第２５５００２４号は、特定の先行技術の装置を開示している。
【発明の概要】
【0006】
発明の概要
本発明は、半導体デバイスを製造するための装置を提案する
本発明は、半導体デバイスを製造するための装置を提案する
【0007】
本発明は、概して、請求項１に記載の装置に関する。
【0008】
本発明はまた、請求項２０に記載の方法にも関する。
【0009】
特許請求の範囲は、本明細書に提供される教示の不可欠な部分を形成する。
【0010】
図面の簡単な説明および本発明の一つ以上の実施形態の詳細な説明
本発明のさらなる特徴および利点は、非限定的な例としてのみ提供される添付の図面を参照する以下の説明から明らかになるであろう。それにおいて、以下の通りである。
本発明のさらなる特徴および利点は、非限定的な例としてのみ提供される添付の図面を参照する以下の説明から明らかになるであろう。それにおいて、以下の通りである。
【図面の簡単な説明】
【0011】
【図1】本明細書に記載の装置の好ましい実施形態を示す。
【発明を実施するための形態】
【0012】
以下の説明では、実施形態のより深い理解を提供することを目的とした様々な具体的な詳細を例示する。実施形態は、具体的な詳細の一つ以上なしで、または他の方法、構成要素、もしくは材料などで実現され得る。他の場合では、実施形態の様々な態様が不明瞭になるのを避けるために、知られている構造、材料、または操作については、詳細に示さず、または説明しない。
【0013】
本明細書で使用される参考文献は、単に便宜上使用され、したがって、保護の範囲または実施形態の範囲を規定しない。
【0014】
上述のように、本明細書に記載の装置は、化学蒸着（ＣＶＤ）プロセスまたは低圧化学蒸着（ＬＰＣＶＤ）プロセスによって、基材上に適用（例えば、堆積）された基材および膜を含むタイプの半導体デバイスを製造するための装置である。例えば、堆積した膜は、炭化ケイ素を含んでもよく、または炭化ケイ素からなってもよい。
【0015】
図１～図８を参照すると、参照番号１０によって全体的に示される装置は、
ＣＶＤプロセスを受ける基材１０１（例えば、ケイ素または黒鉛ウエハ）を配置するプロセスチャンバ２と、
プロセスガスをプロセスチャンバに送達するための送達ユニット４と、
プロセスチャンバからプロセス排気ガスを抽出するための排気ガス抽出ユニット６と、を備える。
ＣＶＤプロセスを受ける基材１０１（例えば、ケイ素または黒鉛ウエハ）を配置するプロセスチャンバ２と、
プロセスガスをプロセスチャンバに送達するための送達ユニット４と、
プロセスチャンバからプロセス排気ガスを抽出するための排気ガス抽出ユニット６と、を備える。
【0016】
一つ以上の好ましい実施形態では、例えば、例示した実施形態（図４～図６を参照）では、装置１０は、プロセスチャンバ２を囲み、かつ、送達ユニット４によって排出されたプロセスガスを受け入れる入口８Ａと、プロセス排気ガスを排気ガス抽出ユニット６に向かって方向付ける出口８Ｂとを有する、ケース８を備える。
【0017】
一つ以上の好ましい実施形態では、例えば、例示した実施形態では、ケース８は、基準軸Ｙに沿って連続して配置されている、入口セクション８Ｃ、中央セクション８Ｄ、および出口セクション８Ｅを備える。
【0018】
中央セクション８Ｄは、プロセスチャンバ２を囲む。一方で、入口セクション８Ｃは入口８Ａを含み、出口セクション８Ｅは出口８Ｂを含み、入口８Ａおよび出口８Ｂは両方とも、中央セクション８Ｄによって囲まれたプロセスチャンバ２と流体連通している。
【0019】
中央セクション８Ｄは、基準軸Ｙに直交する基準軸Ｚに沿って、かつ、基材１０１が基準軸Ｚに対して直交している平行な平面に存在する配向に従って、リニア構成１０１’に配置された複数の基材１０１を受け入れるように構成される。
【0020】
一つ以上の好ましい実施形態では、例えば、例示した実施形態では、基準軸Ｚは垂直であり、一方、基準軸Ｙは水平である。
【0021】
代替的な実施形態では、基準軸Ｚは水平であり、基準軸Ｙは垂直である。さらなる代替的な実施形態では、基準軸ＺおよびＹの両方が水平である。
【0022】
基材１０１は、好ましくは、上述のリニア構成１０１’に従って基材を保持かつ支持するように構成されているラック７（または任意の他の同等のフレーム）上に装填される。
【0023】
図示した例では、ラック７は、１２０°の一定の往復角距離で二つの端部７Ａの周縁エッジ（ｐｅｒｉｐｈｅｒａｌ ｅｄｇｅ）上に位置付けられた三つの長軸方向のポスト７Ｂによって互いに接続された二つの向かい合っているディスク形状の端部７Ａを備える。
【0024】
ポスト７Ｂは、リニア構成１０１’の配置に従って平行な横たわる平面上に基材１０１を支持できる内部突出ピンのそれぞれ長軸方向のシリーズ（図示せず）を有する。
【0025】
好ましくは、ラック７は、ＣＶＤプロセス中に、ラック７およびそれによって運ばれる基材１０１を作製するための回転機構（図示せず）が取り付けられ、基準軸Ｚに対して平行な回転軸を中心に回転する。
【0026】
ケース８は、入口８Ａと出口８Ｂとの間に圧力差を構築するように構成され、入口８Ａから出口８Ｂへとケース８を横断するガス流を発生させる。特に、発生したガス流は、基準軸Ｙに沿って直列に、入口セクション８Ｃ、中央セクション８Ｄ、および出口セクション８Ｅを通過して移動し、中央セクション８Ｄでは、ガス流は、基材リニア構成１０１’を横切って通過し、すべての基材１０１上を流れる。
【0027】
一つ以上の好ましい実施形態では、例えば、例示した実施形態では、ケース８は、断面流れ面積を有し、基準軸Ｚに沿った寸法Ｈは、入口セクション、中央セクション、および出口セクション８Ｃ、８Ｄ、８Ｅ全体にわたって均一かつ一定である。
【0028】
一方で、一つ以上の好ましい実施形態では、例えば、例示した実施形態では、ケース８の断面流れ面積は、基準軸Ｚに対して直交する方向に、入口および出口セクション８Ｃ、８Ｅに対して中央セクション８Ｄで拡大される寸法Ｌを有し、この特徴の結果として、中央セクション８Ｄのガス流速は、入口および出口セクション８Ｃ、８Ｅよりも低い。
【0029】
ケース８は、好ましくは、熱伝導性であり、かつ高温に対して耐性のある材料で作製され、なお、「高温」とは、ＣＶＤプロセス中にプロセスチャンバで通常必要とされる温度の範囲を表す１０００℃を超えかつ最大１４００℃の温度を意味することに留意する。好ましくは、ケース８は、黒鉛で作製される。
【0030】
上記を考慮して、ケース８は、プロセスチャンバ２を囲み、かつ、プロセスチャンバ２へのプロセスガスの供給と、同じプロセスチャンバからのプロセス排気ガスの除去とを制御する流体動的システムを作り出す成形ダクトとして構成される。
【0031】
一つ以上の好ましい実施形態では、例えば、例示した実施形態では、入口セクション８Ｃは、基準軸Ｚに対して平行なリニア構成で延びていて、かつ入口８Ａに面しているフィン８Ｆのシリーズを含み、各フィン８Ｆは、基準軸Ｚに対して直交して存在し、すべてのフィン８Ｆは、ケース入口８Ａに入るガス流を、リニア構成１０１’において基材１０１の位置に対応する複数の位置に均一に分配かつ案内するように、軸Ｚに沿って均等に離隔させ、かつ位置付けられている。好ましくは、フィン８Ｆは、黒鉛で作製される。
【0032】
構造上の観点から、ケース８は、特定の用途のニーズに従って異なる方法で実現することができる。
【0033】
一つ以上の好ましい実施形態では、例えば、例示した実施形態では、ケース８は、両方とも基準軸Ｙに沿って概して延びている一対の向かい合っている壁８１と、基準軸Ｚに沿って互いに向かい合っている一対の壁８１のエッジ８１’に取り付けられている一対の端部閉鎖部８２とを備える。
【0034】
基準軸Ｙを参照すると、一対の向かい合っている壁８１の各々は、上流端の平坦な部分８１Ｃと、下流端の平坦な部分８１Ｅと、ケース８の外側に面している凸面を有する中央の凹状（例えば、円筒形）部分８１Ｄとを有する。
【0035】
同様に、基準軸Ｙを参照すると、一対の端部閉鎖部８２の各々は、上流端の平坦な部分８２Ｃ、下流端の平坦な部分８２Ｅ、および中央の平坦な部分８２Ｄを有する。
【0036】
一対の壁８１および一対の端部閉鎖部８２は、特に、以下のような手法で一緒に組み立てられてケース８を形成する：
一対の向かい合っている壁８１の上流端の平坦な部分８１Ｃおよび一対の端部閉鎖部８２の上流端の平坦な部分８２Ｃは、ケース８の入口セクション８Ｃを一緒に形成し、
－ 一対の向かい合っている壁８１の中央部分８１Ｄおよび一対の端部閉鎖部８２の中央部分８２Ｄは、ケース８の中央セクション８Ｄを一緒に形成し、
－ 一対の向かい合っている壁８１の下流端の平坦な部分８１Ｅおよび一対の端部閉鎖部８２の下流端の平坦な部分８２Ｅは、ケース８の出口セクション８Ｅを一緒に形成している。
一対の向かい合っている壁８１の上流端の平坦な部分８１Ｃおよび一対の端部閉鎖部８２の上流端の平坦な部分８２Ｃは、ケース８の入口セクション８Ｃを一緒に形成し、
－ 一対の向かい合っている壁８１の中央部分８１Ｄおよび一対の端部閉鎖部８２の中央部分８２Ｄは、ケース８の中央セクション８Ｄを一緒に形成し、
－ 一対の向かい合っている壁８１の下流端の平坦な部分８１Ｅおよび一対の端部閉鎖部８２の下流端の平坦な部分８２Ｅは、ケース８の出口セクション８Ｅを一緒に形成している。
【0037】
さらに、装置１０は、プロセスチャンバ２を所定の内部温度に加熱するための加熱システムを備え、その温度は、通常、上述の１０００℃～１４００℃の温度の範囲内である。
【0038】
一つ以上の好ましい実施形態では、例えば、例示した実施形態（図３を参照）では、加熱システムは、ケース８の外側に位置付けられ、かつケース８を加熱するための熱放射を発生させる複数のヒーター３を備える。
【0039】
放射加熱されるケース８は、その回転に伴い、プロセスチャンバ２およびその中に含有される基材を所定の内部温度に加熱する、「高温壁」を構成する。
【0040】
一つ以上の好ましい実施形態では、例えば、例示した実施形態では、ヒーター３は、基準軸Ｚに対して平行に、かつ同じ軸Ｚに沿ってケース８の寸法（すなわち、図示した例における高さ）と実質的に等しい長さだけ長軸方向に延びている。
【0041】
一つ以上の好ましい実施形態では、例えば、例示した実施形態では、加熱システムは、ケースの外側に配置され、一対の向かい合っている壁８１に面して、かつそれらに沿って走る熱放射ヒーター３の２つのシリーズ３Ａ、３Ｂを備え、特に、一つ以上の好ましい実施形態では、例えば、例示した実施形態では、ヒーター３の各シリーズは、基準軸Ｙに沿ってそれぞれの面している壁８１の輪郭に一致する線Ｍに従っている。好ましくは、各シリーズのヒーター３は、互いに均等に離隔している。
【0042】
一つ以上の実施形態では、例えば、例示した実施形態では、各シリーズ３Ａまたは３Ｂは、それぞれの壁８１の上流端部分８１Ｃの開始から、その中央部分８１Ｄの終わりまでほぼ延びている。
【0043】
したがって、ヒーター３は、主にかつ支配的にケース８の入口および中央セクション８Ｃ、８Ｄを加熱するように配置されている。
【0044】
好ましくは、加熱システムは、入口セクション８Ｃを中央セクション８Ｄよりも高い温度に加熱するように構成される。
【0045】
この目的のために、一つ以上の好ましい実施形態では、例えば、例示した実施形態では、ヒーター３の各シリーズは、入口セクション８Ｄの領域に追加のヒーター３’を有し、これは、線Ｍの後ろ（すなわち、線Ｍよりもケース８からさらに離れている）、好ましくは、１つのヒーター３と、シリーズの次のヒーターとの間の中間位置に配置される。
【0046】
このようにして、加熱システムは、ケース８の入口セクション８Ｃを通って流れるプロセスガスの温度のより急激な上昇を決めることができる。
【0047】
送達ユニット４および排気ガス抽出ユニット６は両方とも、ケース８の外側に配置され、ケース８に流体接続され（以下でより詳細に説明される）、その結果、送達ユニット４によって排出されるプロセスガスはケース８の入口８Ａに到達することができ、出口８Ｂを介してケース８から流れ出るプロセス排気ガスは抽出ユニット６に到達することができる。
【0048】
一つ以上の好ましい実施形態では、例えば、例示した実施形態（図１～３を参照）では、装置１０は、ケース８、送達ユニット４、および排気ガス抽出ユニット６を支持する固定基部１２を備える。
【0049】
基部１２は、送達ユニット４を受容するための第一のシート１２Ｂと、排気ガス抽出ユニット６を受け入れるための第二のシート１２Ｃとを有する、プレート１２Ａ、例えば、鋼で作製されたプレート１２Ａを備える。
【0050】
断熱ブロック１２Ｄは、プレート１２Ａ上において、第一のシート１２Ｂと第二のシート１２Ｃとの間に配置され、プレート１２Ａから分離してケース８をそれ自体の上に受け入れるように構成される。断熱ブロック１２Ｄは、好ましくは、発泡体で作製され、よりさらに好ましくは、黒鉛発泡体で作製される。
【0051】
一つ以上の好ましい実施形態では、例えば、例示した実施形態（図７、７Ａ、７Ｂ、および７Ｃを参照）では、送達ユニット４には、送達ユニットによって排出される前にプロセスガスを冷却するための内側冷却管４４（図７Ｃを参照）が設けられている。冷却管４４は、冷却媒体（例えば、水）を熱調整し、冷却管４４を通して循環させるためのシステムに接続されている。
【0052】
冷却管４４を通って循環する冷却媒体によって及ぼされる冷却作用は、プロセスガスの反応が早期に活性化されることを避けるために、ケース８に到達するまでプロセスガスの温度を所定の閾値未満に維持する機能を有する。これは、プロセスガスが早期に消費され、それ故に無駄になることを防止し、またプロセスガスの反応の結果として生成される粒子による送達ユニット４の詰まりのリスクも防止する。
【0053】
【0054】
接続部分４１は、プレート１２Ａのシート１２Ｂにおいて受け入れられ、例えば、ネジによってプレート１２Ａに送達ユニットを固定するための外側フランジ４１Ａが設けられている。
【0055】
さらに、送達パイロン４２は、基部１２の断熱ブロック１２Ｄに固定され、基準軸Ｚに対して平行に延びる一対の向かい合っているポスト１１（図２および図３を参照）の間の空間内に受け入れられ、送達パイロン４２は、例えば、ねじによって二つのポスト１１に固定される。
【0056】
接続部分４１は、プロセスガスが送達ユニット４に入る入口４１Ｃと、送達ユニット４内に設けられた冷却管４４の一部を形成する入口４１Ｄおよび出口４１Ｅとを有する。
【0057】
入口４１Ｃは、プロセスガスの供給に流体接続される。一方で、入口４１Ｄおよび出口４１Ｅは、冷却媒体の熱調整および循環のために上記のシステムに接続される。
【0058】
図３、図７、図７Ａ、図７Ｂ、および図７Ｃを参照すると、送達パイロン４２は、接続部分４１から開始して基準軸Ｚに対して平行に延び、かつ後者の入口４１Ｃと内部的に流体連通している閉じたハウジング４２Ｂを有する。
【0059】
ハウジング４２Ｂは、バッフルプレート４２Ａによって区切られ、ケース８の入口８Ａに向かって方向付けられている片側を備える。
【0060】
バッフルプレート４２Ａは、入口ダクト４１Ｃを介して送達ユニット４に供給されるプロセスガスがそれを通って、ケース８の入口８Ａに向かって送達ユニットから排出される、複数のオリフィス４２’を有する。
【0061】
上述の複数のオリフィス４２’は、バッフルプレート４２Ａにおいて、その延長領域のほぼ全域にわたって作製される。
【0062】
バッフルプレート４２Ａは、基準軸Ｚおよびそれと直交する方向に沿って、入口８Ａの対応する寸法とほぼ等しい寸法を有する。
【0063】
一つ以上の好ましい実施形態では、例えば、例示した実施形態では、送達パイロン４２は、バッフルプレート４２Ａに隣接し、かつ平行である内側バッフルプレート４２Ａ’をさらに備える。
【0064】
内側バッフルプレート４２Ａ’は、好ましくは、バッフルプレート４２Ａよりも大きい幅（基準軸Ｚに対して直交する方向に沿って）を有し、かつバッフルプレート４２Ａのオリフィスに対してずらされた配置に従って位置付けられる複数のオリフィスを有する。
【0065】
バッフルプレート４２Ａに対して向かい合っているハウジング４２Ｂの側面は、カバー４２Ｃによって閉じられ、プロセスガスの漏れを回避するために、第一のシール４２Ｄは、カバー４２Ｃと内側バッフルプレート４２Ａ’との間に取り付けられ、第二のシール４２Ｅは、内側バッフルプレート４２Ａ’とバッフルプレート４２Ａとの間に取り付けられ、第三のシール４２Ｆは、バッフルプレート４２Ａとハウジング４２Ｂの周縁エッジ（ｐｅｒｉｍｅｔｒａｌ ｅｄｇｅ）４２Ｇとの間に取り付けられている。
【0066】
一つ以上の好ましい実施形態では、例えば、例示した実施形態（図７、図７Ａ、図７Ｂ、および図７Ｃを参照）では、バッフルプレート４２Ａは、ハウジング４２Ｂのバッフルプレート４２Ａと同じ側に位置していて、かつバッフルプレート４２Ａを囲んでいるハウジング４２Ｂの端部分４２Ｈに対して、内側にずれた位置に配置されている。
【0067】
端部分４２Ｈは、バッフルプレート４２Ａを越えてケース８に向かう方向に突出し、バッフルプレート４２Ａを介してハウジング４２Ｂの内側から流れ出るプロセスガスによって横断される中央導管セクション４２Ｉを形成する。
【0068】
【0069】
一つ以上の好ましい実施形態では、例えば、例示した実施形態（図７、図７Ａ、図７Ｂ、および図７Ｃを参照）では、冷却管４４は、ハウジング４２Ｂの端部分４２Ｈに作製され、導管セクション４２Ｉを取り囲むように配置され、バッフルプレート４２Ａに平行な平面に含有される軌道に沿って走り、後者の輪郭、具体的には、その２つの垂直セグメントおよびその上部の水平セグメントに沿って走っている。
【0070】
以上のことから、冷却管４４のそのような配置により、プロセスガスの流れが、加熱されたケース８に対して既に触れていて、また送達ユニット４に対しても触れている場合でも、冷却媒体が、その冷却作用を発揮できることに留意することができる。このようにして、冷却媒体によって発揮される冷却作用は、プロセスガスの温度を所定の閾値未満に維持することについて最大の有効性を実証し、また送達ユニット４を、加熱されたケース８の高温から保護する。
【0071】
送達ユニット４と同様に、一つ以上の好ましい実施形態では、例えば、例示した実施形態（図３、図８、図８Ａ、図８Ｂ、および図８Ｃを参照）では、排気ガス抽出ユニット６には、ケース８から受け入れたプロセス排気ガスを冷却するための冷却管６４が設けられている。冷却管６４は、冷却媒体（例えば、水）を熱調整し、それを、冷却管４４を通して循環させるためのシステムに接続されている。
【0072】
冷却管６４を通って循環する冷却媒体によって作動する冷却作用は、排気ガス中に残留している可能性のあるプロセスガス残留物がプロセス反応を開始し、抽出ユニットの詰まりにつながる可能性のある粒子を生成するのを防止するために、排気ガスの温度を所定の閾値未満に低下させる機能を有する。
【0073】
一つ以上の好ましい実施形態では、例えば、例示した実施形態（図３、図８、図８Ａ、図８Ｂ、および図８Ｃを参照）では、排気ガス抽出ユニット６は、その下端に接続部分６１が設けられている抽出パイロン６２を備える。
【0074】
接続部分６１は、プレート１２Ａのシート１２Ｃ内に受け入れられ、接続部分６１には、抽出ユニット６をプレート１２Ａに対して、例えば、ねじによって固定するための外側フランジ６１Ａが設けられている。
【0075】
一方で、抽出パイロン６２は、基部１２の断熱ブロック１２Ｄに固定され、基準軸Ｚに対して平行に延びている一対の向かい合っているポスト１３（図２および図３を参照）の間の空間内に受け入れられ、抽出パイロン６２は、例えば、ねじによって、二つのポスト１３に固定されている。
【0076】
接続部分６１は、出口管６１Ｃ（そこを通って、抽出パイロン６２によって吸引された排気ガスは抽出ユニット６から流出する）を有し、また、抽出ユニット６内に設けられた冷却管６４の一部を形成する入口６１Ｄおよび出口６１Ｅを有する。入口６１Ｄおよび出口６１Ｅは、冷却媒体の熱調整および循環のために上記のシステムに接続される。
【0077】
一つ以上の好ましい実施形態では、例えば、例示した実施形態では、抽出パイロン６２は、基準軸Ｚに対して平行に延びていて、かつ接続部分６１の出口ダクト６２Ｃと内部的に流体連通している閉じたハウジング６２Ｂを有する。
【0078】
一つ以上の好ましい実施形態では、例えば、例示した実施形態では、ハウジング６２Ｂは、バッフルプレート６２Ａによって区切られ、ケース８の出口８Ｂに向かって方向付けられている片側を備える。
【0079】
バッフルプレート６２Ａは、基準軸Ｚに対して平行に延びているオリフィス６２’の単一の列を有し、それを通して出口８Ｂから来るプロセス排気ガスが抽出ユニット６内に吸引される。
【0080】
好ましくは、バッフルプレート６２Ａは、基準軸Ｚに沿って出口８Ｂの寸法にほぼ等しい長さだけ、基準軸Ｚに対して平行に延びている。
【0081】
一つ以上の好ましい実施形態では、例えば、例示した実施形態では、抽出パイロン６２および出口管６１Ｃは両方とも、高温に耐性のある材料で作製された内側ライナー６３（図８Ａを参照）を有し、それのみとプロセス排気ガスが接触し、抽出パイロン６２の他の部分および容器本体６１Ｂの他の部分を排気ガスの高温から保護することを意図している。好ましくは、内側ライナーは黒鉛で作製される。ハウジング６２Ｂに含有されるライナー６３は、バッフルプレート６２Ａのオリフィス６２’の列と整列される穴６３’のそれぞれの列を有する。
【0082】
一つ以上の好ましい実施形態では、例えば、例示した実施形態（図８Ａおよび８Ｃを参照）では、冷却管６４は、ハウジング６２Ｂの壁に作製された空洞として実現され、バッフルプレート６２Ａを囲むように配置され、バッフルプレート４２Ａに対して平行な平面に含有され、かつ後者の輪郭、具体的には、その２つの垂直セグメントと上部の水平セグメントに従う軌道に沿って走行している。
【0083】
上記を考慮して、冷却管６４のそのような配置により、冷却媒体の冷却作用を、加熱されたケース８に曝露される抽出ユニット６の領域に集中させることができることに留意することができる。このようにして、排気ガスは、抽出ユニット６に入るとすぐに冷却され、後者は、加熱されたケース８の高温から効果的に保護される。
【0084】
一つ以上の好ましい実施形態では、例えば、例示した実施形態（図３を参照）では、装置１０は、ケース８の入口８Ａと送達パイロン４２との間に、およびケース８の出口８Ｂと抽出パイロン６２との間にそれぞれ位置付けられ、かつ、送達パイロン４２を入口８Ａに、および抽出パイロン６２を出口８Ｂに、それぞれ流体接続する中間ダクトセクション１５、１６をさらに備える。
【0085】
このようにして、ダクトセクション１５、１６は、二つのパイロン４２、６２をケース８から空間的に分離し、それ故に対応する移行領域を作り出し、それによって温度勾配がガス流内に確立され、次いで二つのパイロン４２、６２は、より低温のガス流にさらされるようになる。二つのセクション１５、１６は両方とも、好ましくは、高温に対して耐性のある材料、例えば、黒鉛で作製される。
【0086】
一つ以上の好ましい実施形態では、例えば、例示した実施形態（図１～図３を参照）では、装置１０は、第一の位置（図１に示した）であって、そこでは、ハウジング構造１４と基部が一緒に結合され、ケース８を外側から分離している、第一の位置と、第二の位置（図３に示した）であって、そこでは、ハウジング構造１４が基部１２から取り外され、ケース８が外側からアクセスすることができる、第二の位置との間を、基部１２に対して基準軸Ｚに沿って移動可能なハウジング構造１４を備える。
【0087】
図１を参照すると、装置１０は、上述の第一の位置と第二の位置との間でハウジング構造１４を移動させるための駆動システムを備える。
【0088】
駆動システムは、ハウジング構造１４の示された動きを実現するように適合された従来の手段を備えることができる。
【0089】
例示した実施例では、装置１０は、ハウジング構造１４の二つの向かい合っている側に配置され、かつハウジング構造を支持する二対の駆動ユニット２０を備える。各駆動ユニット２０は、基準軸Ｚに対して平行な一対のガイド２２と、ハウジング構造１４が接続されるスライダー２４とを備える。さらに、各駆動ユニット２０は、基準軸Ｚに対して平行なシャフト２６を備え、それは、モーター２７によって回転駆動され、シャフト２６の回転が基準軸Ｚに沿ったスライダーの対応する移動を決定するように、スライダー２４の内部ねじ穴と係合する。
【0090】
作動中、四つの駆動ユニット２０は、基準軸Ｚに沿ったハウジング構造１４の移動を一緒に駆動するように同期制御される。
【0091】
一つ以上の好ましい実施形態では、例えば、例示した実施形態（図２および図３を参照）では、ハウジング構造１４は、断熱材で作製された内側ハウジング１４１を備える。好ましくは、内側ハウジング１４１は、発泡体で作製され、さらに好ましくは、黒鉛発泡体で作製される。
【0092】
一つ以上の好ましい実施形態では、例えば、例示した実施形態では、内側ハウジング１４１は、基準軸Ｚの周りに延びている横壁１４１Ａと、横壁１４１Ａの上部に置かれたカバー１４１Ｂとを備える。
【0093】
横壁１４１Ａは、基準軸Ｚに対して平行に走る二つの向かい合っている開口部１４１Ｃ、１４１Ｄを含む。
【0094】
ハウジング構造１４の上述の第一の位置では、内側ハウジング１４１は、その横壁１４１Ａが基部１２のブロック１２Ｄ上に載置され、ケース８および中間ダクト１５、１６を内部に受け入れるように置かれる。同時に、開口部１４１Ｃ、１４１Ｄは、各開口部がそれぞれのポストおよびパイロンによって外側に対して閉じられるような形状結合（ｓｈａｐｅ ｃｏｕｐｌｉｎｇ）によって、関連するパイロン４２を有するポスト１１および関連するパイロン６２を有するポスト１３をそれぞれ受け入れる。
【0095】
一つ以上の好ましい実施形態では、例えば、例示した実施形態（図３を参照）では、ハウジング構造１４はまた、外側ハウジング１４２も備え、その外側ハウジング１４２は、内側ハウジング１４１を囲み、かつそれを運ぶ。好ましくは、外側ハウジングは、鋼で作製される。
【0096】
外側ハウジング１４２は、基準軸Ｚの周りに延びる閉じた横壁１４２Ａと、閉じた横壁１４２の上部に置かれたカバー１４２Ｂとを備える。横壁１４２Ａは、二つのハウジング間に空の空間を作り出すように、ある距離を保つ内側ハウジング１４１の横壁１４１Ａを囲む。
【0097】
ハウジング構造１４の上述の第一の位置では、外側ハウジング１４２は、その横壁１４２Ａが基部１２のプレート１２Ａ上に載置された状態で置かれ、ポスト１１、１３およびパイロン４２、６２の内側ハウジング１４１から突出している部分を、内側ハウジング１４１を囲むその内部空間内に受け入れる。
【0098】
外側ハウジング１４２は、外側に対して、それが基部１２と一緒に区切る内側空間を密封して閉じるように構成されている。以下に記載されるように、作動中、外側ハウジング１４２は、実際には、内側ハウジング１４１の内側、および外側ハウジング１４２と内側ハウジング１４１との間に備えられた内側空間の両方を充填している不活性ガスの制御された雰囲気を含有することが意図される。
【0099】
一つ以上の好ましい実施形態では、例えば、例示した実施形態では、加熱システムの上述のヒーター３は、ハウジング構造１４と一緒に移動するように、ハウジング構造１４が第一の位置から第二の位置へと移動する時、およびその逆に移動する時に、外側ハウジング１４２のカバー１４２Ｂ上に取り付けられる。
【0100】
特に、ヒーター３は、カバー１４２Ｂに吊るされていて、基準軸Ｚに対して平行に延び、かつ、内側ハウジング１４１のカバー１４１Ｂ上に作製された開口部１４１Ｄを通過する内側ハウジング１４１の内側まで延び、ヒーター３は、ハウジング構造１４がその第一の位置にある時に、上述の二つのシリーズ３Ａ、３Ｂに従って、かつケース８の向かい合っている壁８１に対して上述の相対位置に見いだされるように、相互に配置される。
【0101】
一つ以上の好ましい実施形態では、例えば、例示した実施形態（図３を参照）では、外側ハウジング１４２のカバー１４２Ｂ上にはまた、そのカバー１４１Ｂ上に作製された対応する開口部１４１Ｅを通して内側ハウジング１４１の内側内へ突出する温度プローブ５も取り付けられる。
【0102】
ここで図９を参照すると、上述のように、送達ユニット４は、プロセスガスを送達ユニット４に供給するために、その入口４１Ｃを経由して供給ユニット７に流体接続される。
【0103】
好ましくは、供給ユニット７は、プロセスガスの所定の流量を送達ユニット４に供給するように構成されるのであり、例えば、供給ユニット７は、供給ユニット７が送達ユニット４に供給するプロセスガスの流量を調節する流れセンサーを含んでもよい。
【0104】
一方で、抽出ユニット６は、その出口ダクト６１Ｃを経由して、圧力制御弁７２の介在を介して、例えば、スロットル弁の介在を介して、ポンプ７０に流体接続される。一方、ポンプ７０は、プロセス排気ガスを処理するためのシステムに流体接続される。ポンプ７０および圧力制御弁７２は共に、作動時に、装置内の所定の最小圧力を決定する傾向がある減圧発生器または真空発生器を形成する。例えば、最小圧力は、１０～６００ｍｂａｒの範囲であり得る。
【0105】
一つ以上の好ましい実施形態では、装置１０はまた、ハウジング構造１４の内側に、制御された雰囲気８０を、生成するための手段も備える。
【0106】
特に、一つ以上の好ましい実施形態では、例えば、例示した実施形態（図３を参照）では、プレート１２Ａは、外側ハウジング１４２の内側と、より具体的には、外側ハウジング１４２と内側ハウジング１４１との間に備えられた内側空間と、流体連通する少なくとも入口７４を備える。
【0107】
入口７４は、入口７４を介してハウジング構造１４の内部に不活性ガスを供給して、ハウジング構造１４の内側に不活性ガスの制御された雰囲気８０を形成し、かつ維持する供給ユニット７８に接続される。供給ユニット７８は、加圧タンクによって供給される不活性ガスの流量を制御するための流れ制御弁に関連付けられている、不活性ガスを含有する加圧タンクを備え得る。
【0108】
不活性ガスは、例えば、ヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）、アルゴン（Ａｒ）、クリプトン（Ｋｒ）、またはキセノン（Ｘｅ）などの希ガスであり得る。好ましくは、希ガスは、大気中に比較的豊富であるため、アルゴンガスであり得る。別の方法として、不活性ガスは、窒素であってもよい。不活性ガスは、供給ユニット７８の加圧タンクにおいて提供され得る。
【0109】
さらに、プレート１２Ａは、ハウジング構造１４から制御された雰囲気の不活性ガスを抽出するための少なくとも出口７６を備え、これは、ハウジング構造１４の内側と、より具体的には、外側ハウジング１４２と内側ハウジング１４１との間に備えられた内側空間と流体連通している。
【0110】
一つ以上の好ましい実施形態では、例えば、例示した実施形態では、出口７６は、具体的には、同じ出口ダクト６１Ｃ上に設けられた管継手６１Ｆを介して、抽出ユニット６の出口ダクト６１Ｃに流体接続される。
【0111】
一つ以上の好ましい実施形態では、例えば、例示した実施形態では、出口７６は、内側ハウジング１４１に対して入口７４の反対側に位置付けられ、例えば、図３および図９に示したように、入口７４は、送達ユニット４に近接して位置付けることができ、一方、出口７６は、抽出ユニット６に近接して位置付けることができる。
【0112】
入口７４を介してハウジング構造１４内へ流れる不活性ガスは、外側ハウジング１４２と内側ハウジング１４１との間の内側空間、ならびにケース８の周りの内側ハウジング１４１の内側の空間を充填し、内側ハウジング１４１は密封して閉じられていない。
【0113】
これは、作動時に、二つのハウジング１４１および１４２の内側空間の両方が、制御された雰囲気８０を含有し、同じ圧力にあることを意味する。
【0114】
上記を考慮すると、ここで、ポンプ７０は、スロットル弁７２と協働して作動して、抽出ユニット６の下流に所定の最小圧力を確立し、また、ハウジング構造１４内の制御された雰囲気に関しても、ハウジング構造１４内の領域と、抽出ユニット６の下流の領域との間の流体連通のために、実質的に同じ圧力が確立される、ことに留意することができる。
【0115】
逆に、送達ユニット４、ケース８、および抽出ユニット６を通る流路に沿って、プロセスガスは、同じ流路に沿って、かつ抽出ユニット６の下流の上記領域まで、プロセスガスの流れを決定する傾向がある圧力差に起因して、より高い圧力を維持する。
【0116】
これは、最終的なガス漏れが、プロセスガスの流路から制御された雰囲気８０まででのみ起こる可能性があり、その逆はないことを意味する。
【0117】
次いで、制御された雰囲気８０へと漏れたガスは、出口７６を介して不活性ガスと一緒に除去される。
【0118】
この点に関して、ケース８および内側ハウジング１４１がさらされる高温および大きな温度範囲の両方により、これらの二つの構造に漏れ防止密封閉鎖を設けることが技術的に非常に難しくなることに留意することが重要である。ここで説明する解決策では、この問題は、いずれの場合でも、ハウジング構造１４内に作り出された制御された雰囲気８０によって回避されており、これは、可能性のあるガス漏れを包含し、出口７６を介してそれらをパージするように作動する。
【0119】
反対に、制御された雰囲気８０を収容する必要がある外側ハウジング１４２は、ケース８および内側ハウジング１４１よりも低温にさらされるため、密封閉鎖を容易に設けることができる。
【0120】
ガス漏れの問題を解決することに加えて、制御された雰囲気８０はまた、装置の構成要素を早期劣化から保護するように機能する。
【0121】
明らかに、本発明の原理が保持されることを条件として、構成の詳細および実施形態の態様は、添付の特許請求の範囲において定義される本発明の範囲から逸脱することなく、単に非限定的な例として本明細書に例示したものから、かなりの程度まで変化させることができる。例えば、添付の図面において例示した好ましい実施形態による装置１０は、基準軸Ｙおよび基準軸Ｚの両方が水平であるように、または基準軸Ｙが垂直であり、基準軸Ｚが水平であるように、異なる配向に従って設置することができる。
【符号の説明】
【0122】
２ プロセスチャンバ
２Ａ 入口
２Ｂ 出口
３ 熱放射ヒーター
３Ａ シリーズ
３Ｂ シリーズ
４ 送達ユニット
５ 温度プローブ
６ 抽出ユニット
７ 供給ユニット
７Ａ 端部
７Ｂ ポスト
８ ケース
８Ａ 入口
８Ｂ 出口
８Ｃ 出口セクション
８Ｃ 入口セクション
８Ｄ 中央セクション
８Ｅ 出口セクション
８Ｆ フィン
１０ 装置
１１ ポスト
１２ 基部
１２Ａ プレート
１２Ｂ 第一のシート
１２Ｃ 第二のシート
１２Ｄ 断熱ブロック
１３ ポスト
１４ ハウジング構造
１５ 中間ダクトセクション
１６ 中間ダクトセクション
２０ 駆動ユニット
２２ ガイド
２４ スライダー
２６ シャフト
２７ モーター
４１ 接続部分
４１Ａ 外側フランジ
４１Ｃ 入口
４１Ｄ 入口
４１Ｅ 出口
４２ 送達パイロン
４２Ａ バッフルプレート
４２Ｂ ハウジング
４２Ｃ カバー
４２Ｄ 第一のシール
４２Ｅ 第二のシール
４２Ｆ 第三のシール
４２Ｇ 周縁エッジ
４２Ｈ 端部分
４２Ｉ 導管セクション
４４ 冷却管
４４ 内側冷却管
６１ 接続部分
６１Ａ 外側フランジ
６１Ｂ 容器本体
６１Ｃ 出口管
６１Ｄ 入口
６１Ｅ 出口
６１Ｆ 管継手
６２ 抽出パイロン
６２Ａ バッフルプレート
６２Ｂ ハウジング
６２Ｃ 出口ダクト
６３ 内側ライナー
６３’ 穴
６４ 冷却管
７０ ポンプ
７２ 圧力制御弁
７４ 入口
７６ 出口
７８ 供給ユニット
８０ 雰囲気
８１ 壁
８１Ｃ 上流端部分
８１Ｄ 凹状円筒部分
８１Ｅ 部分
８２ 端部閉鎖部
８２Ｃ 部分
８２Ｄ 中央部分
１０１ 基材
１４１ 内側ハウジング
１４１Ａ 横壁
１４１Ｂ カバー
１４１Ｃ 開口部
１４１Ｄ 開口部
１４１Ｅ 開口部
１４２ 外側ハウジング
１４２Ａ 横壁
１４２Ｂ カバー
２Ａ 入口
２Ｂ 出口
３ 熱放射ヒーター
３Ａ シリーズ
３Ｂ シリーズ
４ 送達ユニット
５ 温度プローブ
６ 抽出ユニット
７ 供給ユニット
７Ａ 端部
７Ｂ ポスト
８ ケース
８Ａ 入口
８Ｂ 出口
８Ｃ 出口セクション
８Ｃ 入口セクション
８Ｄ 中央セクション
８Ｅ 出口セクション
８Ｆ フィン
１０ 装置
１１ ポスト
１２ 基部
１２Ａ プレート
１２Ｂ 第一のシート
１２Ｃ 第二のシート
１２Ｄ 断熱ブロック
１３ ポスト
１４ ハウジング構造
１５ 中間ダクトセクション
１６ 中間ダクトセクション
２０ 駆動ユニット
２２ ガイド
２４ スライダー
２６ シャフト
２７ モーター
４１ 接続部分
４１Ａ 外側フランジ
４１Ｃ 入口
４１Ｄ 入口
４１Ｅ 出口
４２ 送達パイロン
４２Ａ バッフルプレート
４２Ｂ ハウジング
４２Ｃ カバー
４２Ｄ 第一のシール
４２Ｅ 第二のシール
４２Ｆ 第三のシール
４２Ｇ 周縁エッジ
４２Ｈ 端部分
４２Ｉ 導管セクション
４４ 冷却管
４４ 内側冷却管
６１ 接続部分
６１Ａ 外側フランジ
６１Ｂ 容器本体
６１Ｃ 出口管
６１Ｄ 入口
６１Ｅ 出口
６１Ｆ 管継手
６２ 抽出パイロン
６２Ａ バッフルプレート
６２Ｂ ハウジング
６２Ｃ 出口ダクト
６３ 内側ライナー
６３’ 穴
６４ 冷却管
７０ ポンプ
７２ 圧力制御弁
７４ 入口
７６ 出口
７８ 供給ユニット
８０ 雰囲気
８１ 壁
８１Ｃ 上流端部分
８１Ｄ 凹状円筒部分
８１Ｅ 部分
８２ 端部閉鎖部
８２Ｃ 部分
８２Ｄ 中央部分
１０１ 基材
１４１ 内側ハウジング
１４１Ａ 横壁
１４１Ｂ カバー
１４１Ｃ 開口部
１４１Ｄ 開口部
１４１Ｅ 開口部
１４２ 外側ハウジング
１４２Ａ 横壁
１４２Ｂ カバー
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図7A】
【図7B】
【図7C】
【図8】
【図8A】
【図8B】
【図8C】
【図9】
【外国語明細書】