特開 2024-178969 プリント配線板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024178969

(43)【公開日】2024-12-26

(54)【発明の名称】プリント配線板

(51)【国際特許分類】

   H05K 1/02 20060101AFI20241219BHJP

【ＦＩ】

H05K1/02 C

H05K1/02 J

【審査請求】未請求

【請求項の数】16

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023097405

(22)【出願日】2023-06-14

(71)【出願人】

【識別番号】000000158

【氏名又は名称】イビデン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100122622

【弁理士】

【氏名又は名称】森 徳久

(72)【発明者】

【氏名】桑原 雅

(72)【発明者】

【氏名】籠橋 進

(72)【発明者】

【氏名】酒井 純

(72)【発明者】

【氏名】吉川 恭平

(72)【発明者】

【氏名】伊西 拓弥

【テーマコード（参考）】

5E338

【Ｆターム（参考）】

5E338AA03

5E338BB12

5E338CC01

5E338CD13

5E338CD32

5E338EE11

(57)【要約】

【課題】高い品質を有するプリント配線板の提供。
【解決手段】プリント配線板は、第１電子部品を搭載するための第１電極と第２電子部品を搭載するための第２電極を有する搭載用導体層と、搭載用導体層下に位置し、第１電極と第２電極を電気的に接続する接続配線を有する接続用導体層と、搭載用導体層と接続用導体層の間に配置され、第１開口と第２開口を含む複数の開口を有する樹脂絶縁層と、第１開口内に形成され第１電極と接続配線を電気的に繋ぐ第１接続ビア導体と、第２開口内に形成され第２電極と接続配線を電気的に繋ぐ第２接続ビア導体、とを有する。搭載用導体層と第１接続ビア導体と第２接続ビア導体はシード層とシード層上の電解めっき層で形成されている。シード層は、樹脂絶縁層上の第１部分と開口の内壁面上の第２部分と開口から露出する接続用導体層上の第３部分を有しており、第１部分の厚さは第２部分の厚さと第３部分の厚さより厚い。
【選択図】図４

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１電子部品を搭載するための第１電極と第２電子部品を搭載するための第２電極を有する搭載用導体層と、
前記搭載用導体層下に位置し、前記第１電極と前記第２電極を電気的に接続する接続配線を有する接続用導体層と、
前記搭載用導体層と前記接続用導体層の間に配置され、第１開口と第２開口を含む複数の開口を有する樹脂絶縁層と、
前記第１開口内に形成され前記第１電極と前記接続配線を電気的に繋ぐ第１接続ビア導体と、
前記第２開口内に形成され前記第２電極と前記接続配線を電気的に繋ぐ第２接続ビア導体、とを有するプリント配線板であって、
前記搭載用導体層と前記第１接続ビア導体と前記第２接続ビア導体はシード層と前記シード層上の電解めっき層で形成されており、
前記シード層は、前記樹脂絶縁層上の第１部分と前記開口の内壁面上の第２部分と前記開口から露出する前記接続用導体層上の第３部分を有しており、前記第１部分の厚さは前記第２部分の厚さと前記第３部分の厚さより厚い。

【請求項2】

請求項１のプリント配線板であって、前記第３部分の厚さは前記第２部分の厚さより厚い。

【請求項3】

請求項１のプリント配線板であって、前記シード層は、第１層と前記第１層上に形成される第２層を有しており、
前記第１層の前記第１部分の厚さは前記第１層の前記第２部分の厚さおよび前記第１層の前記第３部分の厚さより厚く、前記第１層の前記第３部分の厚さは前記第１層の前記第２部分の厚さより厚い。

【請求項4】

請求項３のプリント配線板であって、前記第２層の前記第１部分の厚さは前記第２層の前記第２部分の厚さおよび前記第２層の前記第３部分の厚さより厚く、前記第２層の前記第３部分の厚さは前記第２層の前記第２部分の厚さより厚い。

【請求項5】

請求項２のプリント配線板であって、前記第２部分の厚さと前記第１部分の厚さとの比（第２部分の厚さ／第１部分の厚さ）は０．２以上、０．６以下であり、前記第３部分の厚さと前記第１部分の厚さとの比（第３部分の厚さ／第１部分の厚さ）は０．５以上０．９以下である。

【請求項6】

請求項１のプリント配線板であって、前記樹脂絶縁層は樹脂と第１無機粒子と第２無機粒子を含み、前記第１無機粒子は平坦部を有し、前記内壁面は前記樹脂と前記平坦部で形成されている。

【請求項7】

請求項６のプリント配線板であって、前記内壁面を形成する前記樹脂の面と前記平坦部との間に段差が形成されている。

【請求項8】

請求項６のプリント配線板であって、前記開口を形成することは、前記開口の前記内壁面を形成する前記樹脂から突出する突出部分を有する無機粒子を形成することを含み、前記第１無機粒子は前記無機粒子の前記突出部分を除去することで形成される。

【請求項9】

請求項６のプリント配線板であって、前記開口を形成することは、前記第２無機粒子から突出部分を有する無機粒子を形成することを含み、前記開口の前記内壁面は前記突出部分を除去することで形成される前記第１無機粒子の露出面を含む。

【請求項10】

請求項１のプリント配線板であって、さらに、前記接続用導体層と前記樹脂絶縁層の間に接着層を有し、前記接着層は前記接続用導体層に接し、前記樹脂絶縁層は前記接着層に接している。

【請求項11】

請求項１０のプリント配線板であって、前記接着層はほぼ平滑な平滑膜と前記平滑膜から突出している突出部で形成されている。

【請求項12】

請求項１のプリント配線板であって、前記第１電極の数と前記第２電極の数と前記接続配線の数は複数であって、前記接続配線のそれぞれはほぼ平行に配置され、複数の前記接続配線の内、最小の幅を有する前記接続配線は最小の接続配線であって、前記最小の接続配線の幅は１μｍ以上、３μｍ以下であって、隣接する前記接続配線間にスペースが存在し、複数の前記スペースの内、最小の幅を有する前記スペースは最小のスペースであって、前記最小のスペースの幅は１μｍ以上、３μｍ以下である。

【請求項13】

請求項１のプリント配線板であって、前記シード層は第１層と前記第１層上に形成される第２層を有しており、前記第１層と前記第２層はスパッタリング製膜であって、前記第１層は銅とアルミニウムと特定金属を含有する合金からなり、前記第２層は銅で形成されている。

【請求項14】

請求項１３のプリント配線板であって、前記特定金属はケイ素である。

【請求項15】

請求項６のプリント配線板であって、前記第１無機粒子は酸素元素を含む。

【請求項16】

請求項１のプリント配線板であって、さらに、前記第１電極上に形成されている第１バンプと前記第２電極上に形成されている第２バンプを有し、前記第１バンプと前記第２バンプは半田、または、めっきで形成されている。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本明細書によって開示される技術は、プリント配線板に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１は、第１導体層と、第１導体層上に形成されている絶縁層と、絶縁層上に形成されている第２導体層とを有するプリント配線板を開示している。絶縁層は第１導体層を露出するビア導体用の貫通孔を有する。貫通孔内に第１導体層と第２導体層を接続するビア導体が形成されている。ビア導体は無電解めっき層および電解めっき層で形成されている。絶縁層は樹脂と無機粒子を含む。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１５－１２６１０３号公報

【発明の概要】

【0004】

［特許文献１の課題］
特許文献１の図１７に示されるように、特許文献１は貫通孔の壁面（内周面）上に中間層を有する。中間層は、無機粒子間に形成されている隙間により、複雑な凹凸面を有する。中間層に含まれる無機粒子は絶縁層に含まれる無機粒子と同じである。特許文献１の図１８に示されるように、特許文献１は、貫通孔内に無電解めっき膜を形成する。しかしながら、凹凸が複雑であると、隙間を無電解めっき膜で完全に充填することは難しいと考えられる。無電解めっき膜が析出する時、反応により発生するガスが隙間を充填することを阻害すると考えられる。特許文献１の技術によれば、ビア導体がボイドを含むと考えられる。特許文献１のビア導体の側壁は複雑な凹凸面上に形成されている。そのため、特許文献１のビア導体は高速な信号を伝送することができないと考えられる。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明のプリント配線板は、第１電子部品を搭載するための第１電極と第２電子部品を搭載するための第２電極を有する搭載用導体層と、前記搭載用導体層下に位置し、前記第１電極と前記第２電極を電気的に接続する接続配線を有する接続用導体層と、前記搭載用導体層と前記接続用導体層の間に配置され、第１開口と第２開口を含む複数の開口を有する樹脂絶縁層と、前記第１開口内に形成され前記第１電極と前記接続配線を電気的に繋ぐ第１接続ビア導体と、前記第２開口内に形成され前記第２電極と前記接続配線を電気的に繋ぐ第２接続ビア導体、とを有する。前記搭載用導体層と前記第１接続ビア導体と前記第２接続ビア導体はシード層と前記シード層上の電解めっき層で形成されている。前記シード層は、前記樹脂絶縁層上の第１部分と前記開口の内壁面上の第２部分と前記開口から露出する前記接続用導体層上の第３部分を有しており、前記第１部分の厚さは前記第２部分の厚さと前記第３部分の厚さより厚い。

【0006】

本発明の実施形態のプリント配線板では、第２部分の厚さが第１部分の厚さより小さい。シード層形成後のビア導体（第１接続ビア導体、第２接続ビア導体等）用の開口の体積を大きくすることができる。ビア導体用の開口の径が小さくても、ビア導体用の開口を電解めっき層で充填することができる。接続用導体層とビア導体（第１接続ビア導体、第２接続ビア導体等）は第３部分を介して接続される。第３部分の厚さが第１部分の厚さより小さい。実施形態は第３部分の影響を小さくすることができる。第３部分を介する接続抵抗が高くなりがたい。高品質のプリント配線板が提供される。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】実施形態のプリント配線板を模式的に示す平面図。

【図2】図１のＩＩ－ＩＩ間の断面図。

【図3】図１のＩＩＩ－ＩＩＩ間の断面図。

【図4】実施形態のプリント配線板の一部を模式的に示す拡大断面図。

【図5】実施形態のプリント配線板の一部を模式的に示す拡大断面図。

【図6】シード層の一部を模式的に示す拡大断面図。

【図7】実施形態の改変例のプリント配線板を模式的に示す断面図。

【図8A】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図8B】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図8C】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図8D】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す拡大断面図。

【図8E】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図8F】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図8G】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図8H】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図9】３つの接続用内部導体層を有するプリント配線板を模式的に示す断面図。

【発明を実施するための形態】

【0008】

［実施形態］
図１は実施形態のプリント配線板２を示す平面図である。図２は図１のＩＩ－ＩＩ間の断面図である。図３は図１のＩＩＩ－ＩＩＩ間の断面図である。図４と図５は実施形態のプリント配線板２の一部を示す拡大断面図である。図１と図２に示されるように、プリント配線板２は上面２ａと上面２ａと反対側の下面２ｂを有する。プリント配線板２は、第１電子部品Ｅ１を搭載するための第１搭載領域Ａ１と第２電子部品Ｅ２を搭載するための第２搭載領域Ａ２を有する。第１搭載領域Ａ１は第１電子部品Ｅ１直下に位置する。第２搭載領域Ａ２は第２電子部品Ｅ２直下に位置する。図１中に実線で示されている丸は電子部品を搭載するためのバンプ（金属ポスト）２４１、２４２、２４３、２４４を示す。点線で描かれている配線はプリント配線板２内に埋まっている接続配線３６を示す。第１電子部品Ｅ１と第２電子部品Ｅ２の例はロジックＩＣ、メモリ等の電子部品である。

【0009】

図１～図３に示されるように、プリント配線板２は、導体層１０と樹脂絶縁層（第１樹脂絶縁層）２０と接続用導体層３０とビア導体４１、４２、１４１、１４２、１４３、１４４と樹脂絶縁層（第２樹脂絶縁層）１２０と搭載用導体層１３０とバンプ２４１、２４２、２４３、２４４を有する。図２に示されるように、ビア導体４１、１４１、１４３は第１搭載領域Ａ１の直下に配置されている。バンプ２４１、２４３は第１搭載領域Ａ１の直上に配置されている。ビア導体４２、１４２、１４４は第２搭載領域Ａ２の直下に配置されている。バンプ２４２、２４４は第２搭載領域Ａ２の直上に配置されている。

【0010】

接続用導体層３０は接続配線３６を含む。接続配線３６を介して、第１電子部品Ｅ１から第２電子部品Ｅ２へデータが伝送される。接続配線３６は第１電子部品Ｅ１から第２電子部品Ｅ２へデータを送るための経路の一部である。搭載用導体層１３０は電極１３１、１３２、１３３、１３４を含む。第１電子部品Ｅ１と接続配線３６間の経路（第１経路）内にバンプ２４１と電極１３１とビア導体１４１が配置されている。第１経路は第１電子部品Ｅ１直下に位置する。第２電子部品Ｅ２と接続配線３６間の経路（第２経路）内にバンプ２４２と電極１３２とビア導体１４２が配置されている。第２経路は第２電子部品Ｅ２直下に位置する。バンプ２４１と電極１３１、ビア導体１４１、バンプ２４２、電極１３２、ビア導体１４２も経路の一部である。バンプ２４１、２４２を接続バンプ（接続金属ポスト）と呼ぶことができる。第１電子部品Ｅ１直下に位置する接続バンプ２４１は第１接続バンプ（第１接続金属ポスト）であり、第２電子部品Ｅ２直下に位置する接続バンプ２４２は第２接続バンプ（第２接続金属ポスト）である。電極１３１、１３２を接続電極と呼ぶことができる。第１電子部品Ｅ１直下に位置する接続電極１３１は第１接続電極であり、第２電子部品Ｅ２直下に位置する接続電極１３２は第２接続電極である。ビア導体１４１、１４２を接続ビア導体と呼ぶことができる。第１電子部品Ｅ１直下に位置する接続ビア導体１４１は第１接続ビア導体であり、第２電子部品Ｅ２直下に位置する接続ビア導体１４２は第２接続ビア導体である。第１接続バンプは第１バンプ（第１金属ポスト）と呼ばれても良い。第１接続電極は第１電極と呼ばれても良い。第１接続ビア導体は第１ビア導体と呼ばれても良い。第２接続バンプは第２バンプ（第２金属ポスト）と呼ばれても良い。第２接続電極は第２電極と呼ばれても良い。第２接続ビア導体は第２ビア導体と呼ばれても良い。第１電子部品Ｅ１直下に位置し、接続配線３６に電気的に繋がっている第１バンプと第１電極と第１ビア導体は第１経路を形成する。第２電子部品Ｅ２直下に位置し、接続配線３６に電気的に繋がっている第２バンプと第２電極と第２ビア導体は第２経路を形成する。

【0011】

ビア導体４１、４２、１４３、１４４と電極１３３、１３４とバンプ２４３、２４４は経路を形成しない。これらのビア導体４１、４２、１４３、１４４と電極１３３、１３４とバンプ２４３、２４４は電子部品内の電源ライン、もしくは、グランドラインと電気的に繋がっている。これらのビア導体４１、４２、１４３、１４４と電極１３３、１３４とバンプ２４３、２４４は接続配線３６と独立している。これらのビア導体４１、４２、１４３、１４４と電極１３３、１３４とバンプ２４３、２４４は接続配線３６に電気的に繋がっていない。

【0012】

図２に示されるように、導体層１０はパッド１２、１４を含む。パッド１２、１４はプリント配線板２の下面２ｂから露出する。パッド１２、１４は別のプリント配線板や電子部品と接続するために用いられる。導体層１０は主に銅によって形成される。

【0013】

樹脂絶縁層（第１樹脂絶縁層）２０は導体層１０上に形成されている。樹脂絶縁層２０は第１面２０ａと第１面２０ａと反対側の第２面２０ｂを有する。樹脂絶縁層２０の第２面２０ｂはプリント配線板２の下面２ｂを形成する。樹脂絶縁層２０の第２面２０ｂは導体層１０と対向する。樹脂絶縁層２０は導体層１０を露出する開口（ビア導体用の開口）２１、２２を有する。開口２１は第１搭載領域Ａ１の直下に位置し、パッド１２を露出する。開口２１は樹脂絶縁層２０の第１面２０ａからパッド１２に至る。開口２２は第２搭載領域Ａ２の直下に位置し、パッド１４を露出する。開口２２は樹脂絶縁層２０の第１面２０ａからパッド１４に至る。樹脂絶縁層２０は樹脂８０と樹脂８０内に分散されている多数の無機粒子９０で形成されている。樹脂８０はエポキシ系樹脂である。樹脂の例は熱硬化性樹脂と光硬化性樹脂である。無機粒子９０はガラス粒子である。無機粒子９０はアルミナであってもよい。

【0014】

図２と図４に示されるように、無機粒子９０は第１無機粒子９１と第２無機粒子９２を含む。第２無機粒子９２は樹脂絶縁層（第１樹脂絶縁層２０、第２樹脂絶縁層１２０等）内に埋まっている。第１無機粒子９１は開口（ビア導体用の開口）の内壁面を形成する。第２無機粒子９２の形は球である。第１無機粒子９１の形状は球を平面で切断することで得られる。第１無機粒子９１の形状は第２無機粒子９２を平面で切断することで得られる。第１無機粒子９１の形状と第２無機粒子９２の形状は異なる。

【0015】

樹脂絶縁層２０の第１面２０ａは樹脂８０のみで形成されている。第１面２０ａから無機粒子９０（第２無機粒子９２）は露出しない。第１面２０ａは第２無機粒子９２の表面を含まない。樹脂絶縁層２０の第１面２０ａには凹凸が形成されていない。第１面２０ａは荒らされていない。第１面２０ａは平滑に形成されている。

【0016】

図４に示されるように、開口（ビア導体用の開口）の内壁面２３は樹脂８０と第１無機粒子９１で形成されている。図４には開口の代表例として開口２１が示されている。第１無機粒子９１は平坦部９１ａを有する。平坦部９１ａは内壁面２３を形成する。内壁面２３は樹脂８０と平坦部９１ａで形成されている。平坦部９１ａと内壁面２３を形成する樹脂８０の面は、ほぼ共通な面を形成する。内壁面２３を形成する樹脂８０上に凹凸が形成されない。内壁面２３を形成する樹脂８０の面は平滑である。平坦部９１ａの露出面９１ｂ（内壁面２３を形成する面）上に凹凸が形成されない。平坦部９１ａの露出面９１ｂは平滑である。内壁面２３は平滑に形成される。内壁面２３の算術平均粗さ（Ｒａ）は１．０μｍ以下である。

【0017】

第１無機粒子９１の平坦部９１ａは第１無機粒子９１の周りに形成されている樹脂８０の面（内壁面２３を形成する面）８０ａを延長することで得られる面とほぼ一致する。図２と図４中に実質的な直線で描かれている平坦部９１ａは平面を意味している。図２と図４に示される断面において平坦部９１ａは平面である。平坦部９１ａは完全な平面でなくてもよい。平坦部９１ａは実質的な平面であってほぼ平滑な面である。

【0018】

図４に示されるように、開口２１の内壁面２３は傾斜している。パッド１２の上面と内壁面２３との間の角度（傾斜角度）θ１は７０°以上８５°以下である。パッド１２の上面は導体層１０の上面に含まれる。樹脂絶縁層２０の第１面２０ａと内壁面２３との間の角度（傾斜角度）θ２は９５°以上１１０°以下である。

【0019】

図２と図４に示される断面では開口２１等のビア導体用の開口の形状は略逆台形に示されている。しかしながら、実際のビア導体用の開口の形状は略逆円錐台形状である。そのため実際のビア導体用の開口の内壁面（側壁）は略曲面である。すなわち、平坦部９１ａと樹脂８０で形成される共通な面は略曲面で形成される内壁面（側壁）を含む。

【0020】

内壁面は、第１無機粒子９１の露出面９１ｂとその露出面９１ｂを有する第１無機粒子９１を囲んでいる樹脂８０の面８０ａとの間に段差を有することができる。露出面９１ｂは樹脂８０の面８０ａから凹んでいる。あるいは、露出面９１ｂは樹脂８０の面８０ａから出っ張っている。例えば、露出面９１ｂと樹脂８０の面８０ａとの間に段差が存在する。段差の量（露出面９１ｂと樹脂８０の面８０ａとの間の距離）は５μｍ以下である。段差の量は３μｍ以下であることが好ましい。段差の量は１．５μｍ以下であることがより好ましい。段差が形成されていても、段差が小さいので、露出面９１ｂと樹脂８０の面８０ａはほぼ共通な面を形成する。

【0021】

樹脂絶縁層２０に形成されている開口２１、２２のそれぞれは同様である。樹脂絶縁層２０に形成されている開口２１、２２のそれぞれは同様な内壁面２３、２４を有する。各開口２１、２２の内壁面２３、２４は樹脂８０の面８０ａと第１無機粒子９１の露出面９１ｂで形成されている。

【0022】

図２と図３に示されるように、接続用導体層（第１接続用導体層）３０は樹脂絶縁層２０の第１面２０ａ上に形成されている。図２に示されるように、接続用導体層３０はパッド３２、３４と接続配線３６を含む。接続配線３６は一端と一端と反対側の他端を有する。パッド３２は第１パッド３２であって、接続配線３６の一端に直接繋がっている。パッド３４は第２パッド３４であって、接続配線３６の他端に直接繋がっている。第１パッド３２は第１搭載領域Ａ１の直下に形成されている。第２パッド３４は第２搭載領域Ａ２の直下に形成されている。図３に示されるように、一つの接続用導体層３０は複数の接続配線３６を含む。図示されていないが、一つの接続用導体層３０は複数の第１パッド３２と複数の第２パッド３４を含む。各接続配線３６の両端に一つの第１パッド３２と一つの第２パッド３４が繋がっている。接続用導体層３０内の接続配線３６は第１パッド３２と第２パッド３４を含むことができる。第１パッド３２は第１経路に含まれる。第２パッド３４は第２経路に含まれる。接続配線３６に直接繋がっているパッド（第１パッド３２、第２パッド３４等）は接続パッドと呼ばれても良い。第１パッド３２を第１接続パッドと呼ぶことができる。第２パッド３４を第２接続パッドと呼ぶことができる。第１電子部品Ｅ１直下に位置し、接続配線３６に直接繋がっている第１パッド３２は第１経路を形成する。第２電子部品Ｅ２直下に位置し、接続配線３６に直接繋がっている第２パッド３４は第２経路を形成する。

【0023】

接続配線３６のそれぞれはほぼ平行に配置されている。複数の接続配線３６の内、最小の幅Ｗ１を有する接続配線３６は最小の接続配線３６ａである。最小の接続配線３６ａの幅Ｗ１は１μｍ以上、３μｍ以下である。隣接する接続配線３６間にはスペース３７が存在する。複数のスペース３７の内、最小の幅Ｇ１を有するスペース３７は最小のスペース３７ａである。最小のスペース３７ａの幅Ｇ１は１μｍ以上、３μｍ以下である。

【0024】

複数の接続配線３６の内、最大の幅Ｗ２を有する接続配線３６は最大の接続配線３６ｂである。最大の接続配線３６ｂの幅Ｗ２は５μｍ以下である。最大の接続配線３６ｂの幅Ｗ２は３μｍ以下であることが好ましい。複数のスペース３７の内、最大の幅Ｇ２を有するスペースは最大のスペース３７ｂである。最大のスペース３７ｂの幅Ｇ２は５μｍ以下である。最大のスペース３７ｂの幅Ｇ２は３μｍ以下であることが好ましい。

【0025】

各接続配線３６の幅は１μｍ以上、３μｍ以下であることが好ましい。各スペース３７の幅は１μｍ以上、３μｍ以下であることが好ましい。

【0026】

接続配線３６のそれぞれはアスペクト比（厚み／幅）を有する。アスペクト比は２．０以上、４．０以下である。

【0027】

接続用導体層３０は主に銅によって形成される。接続用導体層３０は、樹脂絶縁層２０の第１面２０ａ上のシード層３０ａとシード層３０ａ上の電解めっき層３０ｂで形成されている。シード層３０ａはスパッタリングによって形成されている。シード層３０ａは樹脂絶縁層２０の第１面２０ａ上の第１層３１ａと第１層３１ａ上の第２層３１ｂで形成されている。第１層３１ａは樹脂絶縁層２０の第１面２０ａに接している。例えば、シード層３０ａと第１層３１ａは銅合金で形成され、第２層３１ｂは銅で形成される。第２層３１ｂは必須ではない。第１層３１ａと第２層３１ｂはスパッタリングで形成される。両者はスパッタリング製膜である。

【0028】

第１層３１ａは銅とアルミニウムと特定金属を含有する合金からなる。特定金属の例は、ニッケル、亜鉛、ガリウム、ケイ素、マグネシウムである。合金は１種類の特定金属、または、２種類の特定金属、または、３種類の特定金属を含むことが好ましい。合金中のアルミニウムの含有量は１．０ａｔ％以上１５．０ａｔ％以下である。特定金属の例はケイ素である。合金中の特定金属の含有量は０．５ａｔ％以上１０．０ａｔ％以下である。第１層３１ａは不純物を含んでも良い。不純物の例は酸素と炭素である。第１層３１ａは酸素、または、炭素を含むことができる。第１層３１ａは酸素と炭素を含むことができる。実施形態では、合金はさらに炭素を含有している。合金中の炭素の含有量は５０ｐｐｍ以下である。合金はさらに酸素を含有している。合金中の酸素の含有量は１００ｐｐｍ以下である。上記各元素の含有量の値は一例である。第１層３１ａを形成する元素の中で銅の量が最も大きい。次いで、アルミニウムの量が大きい。特定金属の量はアルミニウムの量より小さい。従って、銅は主の金属であり、アルミニウムは第１の副の金属であり、特定金属は第２の副の金属である。不純物の量は特定金属の量より小さい。

【0029】

第２層３１ｂは銅で形成されている。第２層３１ｂを形成している銅の含有量は９９．９ａｔ％以上である。第２層３１ｂ中の銅の含有量は９９．９５ａｔ％以上であることが好ましい。電解めっき層３０ｂは銅で形成されている。電解めっき層３０ｂを形成している銅の含有量は９９．９ａｔ％以上である。電解めっき層３０ｂ中の銅の含有量は９９．９５ａｔ％以上であることが好ましい。

【0030】

図４に示されるように、シード層３０ａは、第１面２０ａ上の第１部分Ｐ１と、開口２１の内壁面２３上の第２部分Ｐ２と、開口２１から露出するパッド１２上の第３部分Ｐ３を有している。第３部分Ｐ３は開口２１により露出される導体層１０上に形成されている。第３部分Ｐ３を形成するシード層３０ａは開口２１のボトム開口を塞いでいる。第３部分Ｐ３を形成する第１層３１ａは開口２１のボトム開口を塞いでいる。ボトム開口はパッド１２の上面上に位置する。

【0031】

図６はシード層３０ａの一部を示す拡大断面図である。図６（ａ）は図４中の符号ＶＩ－１で示される部分（第１部分Ｐ１）を示す。図６（ｂ）は図４中の符号ＶＩ－２で示される部分（第２部分Ｐ２）を示す。図６（ｃ）は図４中の符号ＶＩ－３で示される部分（第３部分Ｐ３）を示す。図６に示されるように、第１部分Ｐ１の厚さＴ１は、第２部分Ｐ２の厚さＴ２と第３部分Ｐ３の厚さＴ３より厚い。第３部分Ｐ３の厚さＴ３は第２部分Ｐ２の厚さＴ２より厚い。

【0032】

シード層３０ａが複数の層で形成される場合、厚さＴ１と厚さＴ２と厚さＴ３は各層の厚さの合計である。第１層３１ａの第１部分Ｐ１の厚さＴ１ａは、第１層３１ａの第２部分Ｐ２の厚さＴ２ａと第１層３１ａの第３部分Ｐ３の厚さＴ３ａより厚い。第１層３１ａの第３部分Ｐ３の厚さＴ３ａは第１層３１ａの第２部分Ｐ２の厚さＴ２ａより厚い。他の層の厚さも第１層３１ａの厚さと同様な関係を有する。従って、シード層３０ａが２層で形成される場合、第２層３１ｂの第１部分Ｐ１の厚さＴ１ｂは、第２層３１ｂの第２部分Ｐ２の厚さＴ２ｂと第２層３１ｂの第３部分Ｐ３の厚さＴ３ｂより厚い。第２層３１ｂの第３部分Ｐ３の厚さＴ３ｂは第２層３１ｂの第２部分Ｐ２の厚さＴ２ｂより厚い。

【0033】

第２部分Ｐ２の厚さＴ２と第１部分Ｐ１の厚さＴ１との比（第２部分Ｐ２の厚さＴ２／第１部分Ｐ１の厚さＴ１）は０．２以上、０．６以下である。第３部分Ｐ３の厚さＴ３と第１部分Ｐ１の厚さＴ１との比（第３部分Ｐ３の厚さＴ３／第１部分Ｐ１の厚さＴ１）は０．５以上０．９以下である。厚さＴ２ａと厚さＴ１ａとの比（厚さＴ２ａ／厚さＴ１ａ）と厚さＴ２ｂと厚さＴ１ｂとの比（厚さＴ２ｂ／厚さＴ１ｂ）は０．２以上、０．６以下である。厚さＴ３ａと厚さＴ１ａとの比（厚さＴ３ａ／厚さＴ１ａ）と厚さＴ３ｂと厚さＴ１ｂとの比（厚さＴ３ｂ／厚さＴ１ｂ）は０．５以上０．９以下である。

【0034】

第２層３１ｂの厚さは第１層３１ａの厚さより厚い。厚さＴ１ｂは厚さＴ１ａより厚い。厚さＴ２ｂは厚さＴ２ａより厚い。厚さＴ３ｂは厚さＴ３ａより厚い。

【0035】

シード層３０ａが第１層３１ａのみで形成される場合、第１層３１ａの第１部分Ｐ１の厚さＴ１ａは、第１層３１ａの第２部分Ｐ２の厚さＴ２ａと第１層３１ａの第３部分Ｐ３の厚さＴ３ａより厚い。第１層３１ａの第３部分Ｐ３の厚さＴ３ａは第１層３１ａの第２部分Ｐ２の厚さＴ２ａより厚い。

【0036】

シード層３０ａの第１部分Ｐ１の厚さＴ１は、０．０２μｍ以上１．０μｍ以下である。第１層３１ａの第１部分Ｐ１の厚さＴ１ａは、０．０１μｍ以上０．５μｍ以下である。第２層３１ｂの第１部分Ｐ１の厚さＴ１ｂは、０．０１μｍ以上０．９μｍ以下である。シード層３０ａの第１部分Ｐ１の厚さＴ１が０．０２μｍ未満であると、樹脂絶縁層２０とシード層３０ａ間の密着強度が低い。第１部分Ｐ１の厚さＴ１が１．０μｍを越えると、シード層３０ａを除去するためのエッチング量が多い。配線幅の制御が難しい。

【0037】

シード層３０ａの第２部分Ｐ２の厚さＴ２は、０．００４μｍ以上０．６μｍ以下である。第１層３１ａの第２部分Ｐ２の厚さＴ２ａは、０．００２μｍ以上０．３μｍ以下である。第２層３１ｂの第２部分Ｐ２の厚さＴ２ｂは、０．００２μｍ以上０．５４μｍ以下である。

【0038】

シード層３０ａの第３部分Ｐ３の厚さＴ３は、０．０１μｍ以上０．９μｍ以下である。第１層３１ａの第３部分Ｐ３の厚さＴ３ａは、０．００５μｍ以上０．４５μｍ以下である。第２層３１ｂの第３部分Ｐ３の厚さＴ３ｂは、０．００５μｍ以上０．８１μｍ以下である。

【0039】

実施形態は、接続用導体層３０の表面（上面と側面）上に接着層１００を形成することができる。接着層１００は必須ではない。接続用導体層３０の表面は第１表面と第２表面で形成される。表面の内、第１表面はビア導体用の開口により露出される部分である。第２表面は第１表面以外の部分である。第１表面は接着層１００で覆われず、第２表面は接着層１００で覆われる。接着層１００は接続用導体層３０に接している。接着層１００は接続用導体層３０の第２表面に接している。接着層１００は樹脂で形成されている。接着層１００は有機製の材料（有機製樹脂）で形成されている。有機製の材料の例は窒素系有機化合物である。窒素系有機化合物は例えばテトラゾール化合物である。窒素系有機化合物の例は特開２０１５－５４９８７号公報に開示されている。接着層１００は接続用導体層３０から露出する樹脂絶縁層２０の第１面２０ａを覆っていない。接着層１００は接続用導体層３０と第２樹脂絶縁層１２０の間に形成されている。接着層１００は接続用導体層３０と樹脂絶縁層（第２樹脂絶縁層）１２０で挟まれている。接着層１００は接続用導体層３０と樹脂絶縁層１２０を接着している。接続配線３６は第２表面のみを有することができる。

【0040】

図５は接続配線３６の第２表面上に形成されている接着層１００の一部を示す拡大断面図である。図５に示されるように、接着層１００は、ほぼ平滑な平滑膜１０２と平滑膜１０２から突出している複数の突出部１０４で形成されている。パッド（パッド３２、３４等）の第２表面上に形成されている接着層１００は、図５と同様な平滑膜１０２と複数の突出部１０４で形成されている。形状も同様である。

【0041】

平滑膜１０２はほぼ均一な厚みＴを有する。平滑膜１０２の厚みＴは、１０ｎｍ以上、１２０ｎｍ以下である。突出部１０４から露出する平滑膜１０２の面積（Ｓ１）と接着層１００の面積（Ｓ２）との比（Ｓ１／Ｓ２）は０．１以上、０．５以下である。接続用導体層３０の第２表面上の平滑膜１０２は接続用導体層３０の第２表面の形状にほぼ沿って形成されている。接続用導体層３０の上面と側面にうねりが形成されている場合、平滑膜１０２はそのうねりに追随している。

【0042】

突出部１０４は複数の突起１０６で形成されている。複数の突起１０６により、突出部１０４の上面に凹凸が形成される。１ｍｍ^２あたりの突起１０６の数は５以上、１５以下である。突出部１０４は、平滑膜１０２の上面と突出部１０４の頂部間に高さＨ１、Ｈ２を有する。高さＨ１、Ｈ２の最大値は、平滑膜１０２の厚みＴの１０倍以上３０倍以下である。高さＨ１、Ｈ２は、２００ｎｍ以上、４５０ｎｍ以下である。

【0043】

図２に示されるように、開口（ビア導体用の開口２１、２２）内にビア導体４１、４２が形成されている。ビア導体４１、４２は導体層１０と接続用導体層３０を電気的に接続する。ビア導体４１、４２と接続用導体層３０は同時に形成される。ビア導体４１、４２はシード層３０ａとシード層３０ａ上の電解めっき層３０ｂで形成されている。ビア導体４１、４２を形成するシード層３０ａと接続用導体層３０を形成するシード層３０ａは共通である。ビア導体４１、４２を形成する電解めっき層３０ｂと接続用導体層３０を形成する電解めっき層３０ｂは共通である。ビア導体４１、４２を形成するシード層３０ａは、ビア導体用の開口２１、２２の内壁面２３、２４上とビア導体用の開口２１、２２から露出するパッド１２、１４上に形成されている第１層３１ａと第１層３１ａ上の第２層３１ｂで形成されている。第１層３１ａはパッド１２、１４と内壁面２３、２４に接している。樹脂絶縁層（第１樹脂絶縁層）２０は接続用導体層（第１接続用導体層）３０を支えている。樹脂絶縁層（第１樹脂絶縁層）２０の第１面２０ａと接している接続用導体層（第１接続用導体層）３０と樹脂絶縁層（第１樹脂絶縁層）２０を貫通するビア導体４１、４２は同時に形成される。実施形態は、ビア導体４１、４２を形成するシード層３０ａの厚みを薄くすることができる。実施形態は、ビア導体４１、４２を形成する第１層３１ａの厚みを薄くすることができる。実施形態は、ビア導体４１、４２を形成する第２層３１ｂの厚みを薄くすることができる。従って、実施形態は微細な接続配線３６を有する接続用導体層３０を形成することができる。

【0044】

図２に示されるように、第１面１２０ａと第１面１２０ａと反対側の第２面１２０ｂを有する樹脂絶縁層（第２樹脂絶縁層）１２０は、接着層１００を介して接続用導体層３０と樹脂絶縁層２０上に形成されている。樹脂絶縁層１２０は接着層１００によって接続用導体層３０と接着している。樹脂絶縁層１２０は接着層１００に接している。樹脂絶縁層１２０の第２面１２０ｂは接続用導体層３０と対向する。樹脂絶縁層１２０は樹脂絶縁層２０と同様に樹脂８０と無機粒子９０（第１無機粒子９１、第２無機粒子９２）で形成されている。従って、樹脂絶縁層（第２樹脂絶縁層）１２０の材質と樹脂絶縁層（第１樹脂絶縁層）２０の材質は同様である。樹脂絶縁層１２０の第１面１２０ａと樹脂絶縁層２０の第１面２０ａは同様である。

【0045】

樹脂絶縁層１２０は開口（ビア導体用の開口）１２１、１２２、１２３、１２４を有する。開口１２１は第１パッド３２を露出する第１開口１２１である。開口１２２は第２パッド３４を露出する第２開口１２２である。第１開口１２１と開口１２３は第１搭載領域Ａ１の直下に形成されている。第２開口１２２と開口１２４は第２搭載領域Ａ２の直下に形成されている。第１開口１２１と第２開口１２２は接続配線３６に直接繋がっているパッド３２、３４に至る。このような開口（第１開口１２１、第２開口１２２等）は接続ビア導体用の開口と呼ばれてもよい。第１電子部品Ｅ１直下に位置する第１開口１２１は第１接続ビア導体用開口であり、第２電子部品Ｅ２直下に位置する第２開口１２２は第２接続ビア導体用開口である。第１開口１２１と第２開口１２２、開口１２３、１２４は図４に示されている開口２１と同様である。従って、第１開口１２１の内壁面１２５と第２開口１２２の内壁面１２６と開口１２３、１２４の内壁面は図４に示されている開口２１の内壁面２３と同様である。樹脂絶縁層（第２樹脂絶縁層）１２０を貫通するビア導体用の開口の内壁面と樹脂絶縁層（第１樹脂絶縁層）２０を貫通するビア導体用の開口の内壁面は同様である。各樹脂絶縁層を貫通するビア導体用の開口のそれぞれは、実質的に同様な内壁面を有する。

【0046】

搭載用導体層１３０は樹脂絶縁層１２０の第１面１２０ａ上に形成されている。搭載用導体層１３０を支える樹脂絶縁層１２０は最上の樹脂絶縁層である。搭載用導体層１３０は最上の樹脂絶縁層の第１面に接している。搭載用導体層１３０は複数の第１電極１３１と複数の第２電極１３２を含む。搭載用導体層１３０は第１電極１３１と第２電極１３２以外の電極１３３、１３４を含む。第１電極１３１と電極１３３は第１搭載領域Ａ１に形成されている。第１電極１３１と電極１３３を介してプリント配線板２上に第１電子部品Ｅ１が実装される。第２電極１３２と電極１３４は第２搭載領域Ａ２に形成されている。第２電極１３２と電極１３４を介してプリント配線板２に第２電子部品Ｅ２が実装される。搭載用導体層１３０は、さらに、複数の接続配線（第２接続配線）を有しても良い。その場合、第２接続配線は一端と一端と反対側の他端を有する。第２接続配線の一端は一つの第１電極１３１に直接繋がっている。第２接続配線の他端は一つの第２電極１３２に直接繋がっている。第２接続配線は第１電極１３１と第２電極１３２を電気的に接続している。第２接続配線を介して第１電子部品Ｅ１から第２電子部品Ｅ２へデータが伝送される。搭載用導体層１３０内の接続配線は必須ではない。搭載用導体層１３０内の接続配線は第１電極１３１と第２電極１３２を含むことができる。

【0047】

搭載用導体層１３０と接続用導体層３０は同様である。従って、搭載用導体層１３０は、シード層１３０ａとシード層１３０ａ上の電解めっき層１３０ｂで形成されている。シード層１３０ａは第１層１３１ａと第１層１３１ａ上の第２層１３１ｂで形成されている。搭載用導体層１３０を形成するシード層１３０ａと接続用導体層３０を形成するシード層３０ａは同様である。搭載用導体層１３０を形成する第１層１３１ａと接続用導体層３０を形成する第１層３１ａは同様である。搭載用導体層１３０を形成する第２層１３１ｂと接続用導体層３０を形成する第２層３１ｂは同様である。搭載用導体層１３０を形成する電解めっき層１３０ｂと接続用導体層３０を形成する電解めっき層３０ｂは同様である。

【0048】

搭載用導体層１３０が接続配線を含む場合、搭載用導体層１３０内の接続配線と接続用導体層３０内の接続配線３６は同様である。従って、搭載用導体層１３０内の接続配線に関する幅Ｗ１、Ｇ１、Ｗ２、Ｇ２のそれぞれは接続用導体層３０内の接続配線３６に関する幅Ｗ１、Ｇ１、Ｗ２、Ｇ２のそれぞれと同様である。搭載用導体層１３０内の接続配線のアスペクト比（厚み／幅）は２．０以上、４．０以下である。

【0049】

実施形態は搭載用導体層１３０の表面（上面と側面）上に接着層１５０を形成することができる。接着層１５０は必須ではない。搭載用導体層１３０の表面は第３表面と第４表面で形成される。表面の内、第３表面は開口により露出される部分である。開口の例はバンプ形成用の開口である。第４表面は第３表面以外の部分である。第３表面は接着層１５０で覆われず、第４表面は接着層１５０で覆われる。搭載用導体層１３０の第４表面を覆う接着層１５０は接続用導体層３０の第２表面を覆う接着層１００と同様である。従って、接着層１５０は、ほぼ平滑な平滑膜１０２と平滑膜１０２から突出している突出部１０４で形成されている（図５参照）。接着層１５０は搭載用導体層１３０から露出する樹脂絶縁層１２０の第１面１２０ａを覆っていない。接着層１５０は搭載用導体層１３０と絶縁層２２０を接着している。搭載用導体層１３０が接続配線を含む場合、接続配線は第４表面のみを有することができる。

【0050】

樹脂絶縁層１２０を貫通する各開口（ビア導体用の開口）１２１、１２２、１２３、１２４にビア導体１４１、１４２、１４３、１４４が形成されている。第１開口１２１内に形成されているビア導体１４１は第１接続ビア導体１４１である。第１接続ビア導体１４１は接続配線３６の一端から延びている第１パッド３２に繋がる。第２開口１２２内に形成されているビア導体１４２は第２接続ビア導体１４２である。第２接続ビア導体１４２は接続配線３６の他端から延びている第２パッド３４に繋がる。第１接続ビア導体１４１と第２接続ビア導体１４２は接続用導体層３０と搭載用導体層１３０を電気的に接続する。第１接続ビア導体１４１は第１パッド３２と第１電極１３１を電気的に接続する。第２接続ビア導体１４２は第２パッド３４と第２電極１３２を電気的に接続する。第１接続ビア導体１４１は第１電極１３１と接続配線３６を電気的に接続する。第２接続ビア導体１４２は第２電極１３２と接続配線３６を電気的に接続する。接続ビア導体１４１、１４２用の開口１２１、１２２の内壁面１２５、１２６は第１無機粒子９１の露出面９１ｂと樹脂８０の面８０ａで形成される。第１無機粒子９１の露出面９１ｂと樹脂８０の面８０ａはほぼ共通な面を形成する。接続ビア導体用の開口の内壁面はほぼ平坦である。そのため、第１電極１３１から第２電極１３２に至るデータが接続ビア導体１４１、１４２を通過する時、データが劣化しがたい。実施形態の接続ビア導体は高速なデータを伝送するためのビア導体に適する。実施形態のプリント配線板２は、接続ビア導体を介して大容量のデータを伝送することができる。

【0051】

接続ビア導体はシード層１３０ａとシード層１３０ａ上の電解めっき層１３０ｂで形成されている。第１接続ビア導体１４１と第２接続ビア導体１４２は接続ビア導体の例である。接続ビア導体１４１、１４２を形成するシード層１３０ａと搭載用導体層１３０を形成するシード層１３０ａは共通である。接続ビア導体１４１、１４２を形成する第１層１３１ａと搭載用導体層１３０を形成する第１層１３１ａは共通である。接続ビア導体１４１、１４２を形成する第２層１３１ｂと搭載用導体層１３０を形成する第２層１３１ｂは共通である。接続ビア導体１４１、１４２を形成する電解めっき層１３０ｂと搭載用導体層１３０を形成する電解めっき層１３０ｂは共通である。接続ビア導体１４１、１４２を形成するシード層１３０ａは、接続ビア導体用の開口１２１、１２２の内壁面１２５、１２６と接続ビア導体用の開口１２１、１２２から露出するパッド３２、３４上に形成されている第１層１３１ａと第１層１３１ａ上の第２層１３１ｂで形成されている。第１層１３１ａは内壁面１２５、１２６とパッド３２、３４に接している。接続ビア導体用の開口１２１、１２２以外の開口１２３、１２４内にビア導体１４３、１４４が形成されている。

【0052】

接続ビア導体１４１、１４２とビア導体１４３、１４４を形成するシード層１３０ａとビア導体４１、４２を形成するシード層３０ａは同様である。接続ビア導体１４１、１４２とビア導体１４３、１４４を形成する第１層１３１ａとビア導体４１、４２を形成する第１層３１ａは同様である。接続ビア導体１４１、１４２とビア導体１４３、１４４を形成する第２層１３１ｂとビア導体４１、４２を形成する第２層３１ｂは同様である。接続ビア導体１４１、１４２とビア導体１４３、１４４を形成する電解めっき層１３０ｂとビア導体４１、４２を形成する電解めっき層３０ｂは同様である。

【0053】

第１面１２０ａ上の第１部分Ｐ１と開口１２１、１２２の内壁面１２５、１２６上の第２部分Ｐ２と開口１２１、１２２から露出するパッド３２、３４上の第３部分Ｐ３を有しているシード層１３０ａとシード層３０ａは同様である。そのため、シード層１３０ａとシード層３０ａは第１部分Ｐ１と第２部分Ｐ２と第３部分Ｐ３に関して同様な厚みの関係を有する。第１層１３１ａと第１層３１ａは第１部分Ｐ１と第２部分Ｐ２と第３部分Ｐ３に関して同様な厚みの関係を有する。第２層１３１ｂと第２層３１ｂは第１部分Ｐ１と第２部分Ｐ２と第３部分Ｐ３に関して同様な厚みの関係を有する。従って、シード層１３０ａと第１層１３１ａ、第２層１３１ｂは第１部分Ｐ１と第２部分Ｐ２、第３部分Ｐ３に関して次の関係を有する。第１部分Ｐ１の厚さは第２部分Ｐ２の厚さと第３部分Ｐ３の厚さより厚い。第３部分Ｐ３の厚さは第２部分Ｐ２の厚さより厚い。第２層１３１ｂの厚さは第１層１３１ａの厚さより厚い。第２層１３１ｂを形成する各部分（第１部分Ｐ１、第２部分Ｐ２、第３部分Ｐ３）の厚さは第１層１３１ａを形成する各部分（第１部分Ｐ１、第２部分Ｐ２、第３部分Ｐ３）の厚さより厚い。同様な厚みの関係は各部分（第１部分Ｐ１、第２部分Ｐ２、第３部分Ｐ３）の厚みの範囲や厚みの比（第２部分Ｐ２の厚さ／第１部分Ｐ１の厚さ、第３部分Ｐ３の厚さ／第１部分Ｐ１の厚さ等）を含む。

【0054】

搭載用導体層は搭載用導体層を支える樹脂絶縁層（搭載用樹脂絶縁層）の直上に形成される。搭載用導体層は搭載用樹脂絶縁層に接する。搭載用導体層を形成するシード層と搭載用樹脂絶縁層を貫通しているビア導体を形成するシード層は共通である。両者は同時に形成される。搭載用導体層を形成する第１層と搭載用樹脂絶縁層を貫通しているビア導体を形成する第１層は共通である。両者は同時に形成される。搭載用導体層を形成する第２層と搭載用樹脂絶縁層を貫通しているビア導体を形成する第２層は共通である。両者は同時に形成される。第１層と第２層はシード層を形成する。搭載用導体層を形成する電解めっき層と搭載用樹脂絶縁層を貫通するビア導体を形成している電解めっき層は共通である。両者は同時に形成される。搭載用樹脂絶縁層を貫通しているビア導体用の開口の内壁面と図４に示される開口２１の内壁面２３は同様である。そのため、実施形態は搭載用導体層を形成するシード層の厚みを薄くすることができる。搭載用導体層は微細な接続配線を有することができる。

【0055】

第１面２２０ａと第１面２２０ａと反対側の第２面２２０ｂを有する絶縁層２２０が搭載用導体層１３０と樹脂絶縁層１２０の第１面１２０ａ上に形成されている。実施形態は搭載用導体層１３０上に接着層１５０を形成することができる。その場合、絶縁層２２０は、接着層１５０を介して搭載用導体層１３０上に形成される。搭載用導体層１３０上に形成される接着層１５０と接続用導体層３０上の接着層１００は同様である。絶縁層２２０は接着層１５０によって搭載用導体層１３０と接着している。絶縁層２２０の第２面２２０ｂは搭載用導体層１３０と対向する。絶縁層２２０はソルダーレジスト層として機能する。絶縁層２２０の材質と樹脂絶縁層２０、１２０の材質は異なることが好ましい。絶縁層２２０は例えば感光剤を含むエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂を用いて形成されている。

【0056】

絶縁層２２０は電極１３１、１３２、１３３、１３４を露出する開口（バンプ用開口）２２１、２２２、２２３、２２４を有する。開口２２１は第１電極１３１を露出する第１開口（バンプ用第１開口）２２１である。開口２２２は第２電極１３２を露出する第２開口（バンプ用第２開口）２２２である。第１開口２２１と開口２２３は第１搭載領域Ａ１の直上に形成されている。第２開口２２２と開口２２４は第２搭載領域Ａ２の直上に形成されている。

【0057】

バンプ２４１、２４２、２４３、２４４が開口（バンプ用開口）２２１、２２２、２２３、２２４から露出する電極１３１、１３２、１３３、１３４上に形成されている。第１開口（バンプ用第１開口）２２１から露出する第１電極１３１上に形成されているバンプ２４１は第１バンプ２４１である。第２開口（バンプ用第２開口）２２２から露出する第２電極１３２上に形成されているバンプ２４２は第２バンプ２４２である。バンプ２４１、２４２、２４３、２４４は電子部品（第１電子部品Ｅ１、第２電子部品Ｅ２等）をプリント配線板２上に実装するためのバンプの例である。第１バンプ２４１とバンプ２４３は第１搭載領域Ａ１上に位置し、それらのバンプ２４１、２４３を介してプリント配線板２上に第１電子部品Ｅ１が実装される。第２バンプ２４２とバンプ２４４は第２搭載領域Ａ２上に位置し、それらのバンプ２４２、２４４を介してプリント配線板２上に第２電子部品Ｅ２が実装される。

【0058】

各バンプ２４１、２４２、２４３、２４４は開口２２１、２２２、２２３、２２４を充填する部分（第１部分）と第１部分上の第２部分（ランド）で形成される。第２部分は第１部分の直上と開口２２１、２２２、２２３、２２４の周りの絶縁層２２０の第１面２２０ａ上に形成されている。第２部分は絶縁層２２０の第１面２２０ａから突出している。第１部分と第２部分は連続している。両者は一体的に形成されている。第１バンプ２４１によって第１電子部品Ｅ１と第１電極１３１が電気的に接続される。第２バンプ２４２によって第２電子部品Ｅ２と第２電極１３２が電気的に接続される。第１電子部品Ｅ１と第２電子部品Ｅ２は第１バンプ２４１と第１接続ビア導体１４１と接続配線３６と第２接続ビア導体１４２と第２バンプ２４２を介して接続される。第１電子部品Ｅ１から第２電子部品Ｅ２にデータが送られる時、データは接続ビア導体と接続配線を含む経路を介して伝送される。接続ビア導体と接続配線はほぼ平坦な面上に形成されているスパッタリング製シード層を含むため、実施形態のプリント配線板２は第１電子部品Ｅ１から第２電子部品Ｅ２に大容量のデータを高速に送ることができる。データが伝送される時、データの劣化が発生しがたい。

【0059】

バンプ２４１、２４２、２４３、２４４はシード層２３０ａとシード層２３０ａ上の電解めっき層２３０ｂで形成されている。シード層２３０ａは第１層２３１ａと第１層２３１ａ上の第２層２３１ｂで形成されている。バンプ（第１バンプ２４１、第２バンプ２４２等）を形成するシード層２３０ａと接続用導体層３０を形成するシード層３０ａは同様である。バンプを形成する第１層２３１ａと接続用導体層３０を形成する第１層３１ａは同様である。バンプを形成する第２層２３１ｂと接続用導体層３０を形成する第２層３１ｂは同様である。バンプを形成する電解めっき層２３０ｂと接続用導体層３０を形成する電解めっき層３０ｂは同様である。改変例ではバンプ２４１、２４２、２４３、２４４は半田で形成されていてもよい。

【0060】

バンプ２４１、２４２、２４３、２４４の頂部上に機能層２６０が形成されている。機能層２６０は例えばニッケル、スズ、パラジウム、又は、金などのめっき膜である。機能層２６０は必須ではない。

【0061】

［実施形態の改変例］
図７は、実施形態の改変例のプリント配線板３を示す断面図である。図７に示されるように、プリント配線板３は、実施形態のプリント配線板２と支持体４を有する。支持体４は実施形態のプリント配線板２の下面２ｂに付着している。支持体４は、基材５と、基材５の両面に積層されている第１金属層６と、第１金属層６上に形成されている剥離層７と、剥離層７上に積層されている第２金属層８を含む。第２金属層８上に実施形態のプリント配線板２が積層されている。

【0062】

基材５の例はガラス、シリコン、ガラス繊維などの補強材を含む基板である。基材５の剛性はプリント配線板２の剛性より高い。そのため、改変例のプリント配線板３では、プリント配線板と電子部品（第１電子部品Ｅ１、第２電子部品Ｅ２等）間の接続信頼性を高くすることができる。

【0063】

［実施形態のプリント配線板２の製造方法］
図８Ａ～図８Ｈは実施形態のプリント配線板２の製造方法を示す。図８Ａ～図８Ｃ、図８Ｅ～図８Ｈは断面図である。図８Ｄは拡大断面図である。図８Ａは支持体４と支持体４上に形成されている導体層１０を示す。支持体４は図７の支持体４と同様である。第２金属層８上にめっきレジストが形成される。めっきレジストから露出する第２金属層８上にパッド１２、１４を含む導体層１０が形成される。第２金属層８は導体層１０を形成するためのシード層として働く。その後めっきレジストが除去される。実施形態はめっきレジストの除去前に導体層１０の上面を例えばＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）によって研磨することができる。

【0064】

図８Ｂに示されるように第２金属層８と導体層１０上に樹脂絶縁層（第１樹脂絶縁層）２０と保護膜５０が形成される。樹脂絶縁層２０の第２面２０ｂが第２金属層８と対向している。樹脂絶縁層２０の第１面２０ａ上に保護膜５０が形成されている。樹脂絶縁層２０は樹脂８０と無機粒子９０（第２無機粒子９２）を有する。無機粒子９０は樹脂８０内に埋まっている。樹脂絶縁層２０の第１面２０ａは樹脂８０のみで形成されている。樹脂絶縁層２０の第１面２０ａから無機粒子９０は露出しない。樹脂絶縁層２０の第１面２０ａは無機粒子９０の表面を含まない。樹脂絶縁層２０の第１面２０ａには凹凸が形成されていない。

【0065】

図８Ｃに示されるように保護膜５０の上からレーザ光Ｌが照射される。レーザ光Ｌは保護膜５０と樹脂絶縁層２０を同時に貫通する。導体層１０のパッド１２、１４に至るビア導体用の開口２１、２２が形成される。レーザ光Ｌは例えばＵＶレーザ光、ＣＯ２レーザ光である。開口２１、２２によりパッド１２、１４が露出する。ビア導体用の開口２１、２２が形成される時、樹脂絶縁層２０の第１面２０ａは保護膜５０で覆われている。そのため、ビア導体用の開口２１、２２が形成される時に樹脂が飛散しても樹脂絶縁層２０の第１面２０ａに樹脂が付着することが抑制される。

【0066】

図８Ｄは、レーザ光照射後の開口（ビア導体用の開口）の内壁面２３ｂを示す。ビア導体用の開口の代表例として、開口２１が描かれている。開口２２と開口２１は同様である。開口２２の内壁面２４ｂと開口２１の内壁面２３ｂは同様である。内壁面２３ｂは樹脂８０と樹脂８０から突出している無機粒子９０で形成されている。内壁面の形状を制御するため、レーザ光照射後の内壁面２３ｂは処理される。樹脂８０から突出している無機粒子９０を選択的に除去することが好ましい。これにより、無機粒子９０から第１無機粒子９１が形成される。例えば、レーザ光照射後の内壁面２３ｂを薬品で処理することで、樹脂８０から突出している無機粒子９０が選択的に除去される。あるいは、レーザ光照射後の内壁面２３ｂをプラズマで処理することで、樹脂８０から突出している無機粒子９０が選択的に除去される。選択的に除去することは、無機粒子９０のエッチング速度が樹脂８０のエッチング速度より大きいことを含む。例えば、両者のエッチング速度差は１０倍以上である。あるいは、両者のエッチング速度差は５０倍以上である。あるいは、両者のエッチング速度差は１００倍以上である。レーザ光照射後の内壁面２３ｂを処理することで、平坦部９１ａを有する第１無機粒子９１が得られる。レーザ光照射後の内壁面２３ｂを処理するための条件を制御することで、実施形態は内壁面２３の形状を制御することができる。条件の例は、温度、濃度、時間、ガスの種類や圧力である。無機粒子９０のエッチング速度と樹脂のエッチング速度が制御される。

【0067】

樹脂絶縁層２０にレーザ光Ｌを照射することで、樹脂８０に埋まっている第２無機粒子９２の一部がレーザ光照射後の内壁面２３ｂを形成する。レーザ光照射後の内壁面２３ｂを形成する第２無機粒子９２は、樹脂８０から突出している突出部分Ｐと樹脂８０に埋まっている部分Ｅで形成される。レーザ光照射後の内壁面２３ｂが処理される。例えば、四フッ化メタンを含むガスのプラズマで内壁面２３ｂが処理される。突出部分Ｐが選択的に除去され、実施形態の内壁面２３が形成される。第２無機粒子９２から第１無機粒子９１が形成される。突出部分Ｐを選択的に除去することで、平坦部９１ａを有する第１無機粒子９１が形成される。平坦部９１ａは平面である。球の形を持つ第２無機粒子９２が平面で切断されると、第１無機粒子９１の形状が得られる。内壁面２３は平坦部９１ａと樹脂８０の面８０ａで形成され、平坦部９１ａの露出面９１ｂと樹脂８０の面８０ａはほぼ同一平面上に位置する。例えば、スパッタリングで内壁面２３ｂ上にシード層３０ａが形成されると、突出部分Ｐはスパッタ膜（スパッタリング製膜）の成長を阻害する。例えば、内壁面２３ｂ上に連続しているシード層３０ａが形成されない。あるいは、シード層３０ａの厚みを厚くすることが必要である。微細な導体回路を形成することができない。実施形態では、突出部分Ｐが除去される。実施形態はスパッタリングで形成されるシード層３０ａの厚みを薄くすることができる。スパッタリングで形成されるシード層３０ａの厚みが薄くても、連続しているシード層３０ａが得られる。接続配線３６の幅が目標値を満足する。隣接する接続配線３６間のスペース３７の幅が目標値を満足する。突出部分Ｐを有する内壁面２３ｂ上に形成されるビア導体は参考例のビア導体である。もし、参考例のビア導体が経路内に存在すると、第１電子部品Ｅ１から第２電子部品Ｅ２へ移動するデータは参考例のビア導体を通らなければならない。その場合、突出部分Ｐの影響によりデータが劣化すると考えられる。実施形態では、突出部分Ｐが除去される。実施形態はデータの劣化を抑えることができる。

【0068】

開口（ビア導体用の開口）を形成することは、突出部分Ｐを有する無機粒子（第２無機粒子９２）９０を形成することを含む。開口２１は開口（ビア導体用の開口）の代表例である。突出部分Ｐは開口２１の内壁面２３ｂを形成する樹脂８０から突出している。第１無機粒子９１は無機粒子（第２無機粒子９２）９０の突出部分Ｐを除去することで形成される。開口２１の内壁面２３は第１無機粒子９１の露出面９１ｂを含む。第１無機粒子９１の露出面９１ｂは突出部分Ｐを除去することで形成される。

【0069】

球の形を持つ第２無機粒子９２を平面で切断することで第１無機粒子９１の形状を得ることは、無機粒子９０の突出部分Ｐを除去することを含む。実際の開口２１の内壁面２３は略曲面である。突出部分Ｐを除去することで平坦部９１ａが形成されるので、平坦部９１ａの露出面９１ｂは曲面を含む。すなわち、平坦部９１ａと樹脂８０で共通な面を形成することは実質的な曲面で形成される内壁面２３を形成することを含む。

【0070】

内壁面２３上に凹凸が形成されない。内壁面２３は平滑に形成される。レーザ光照射後の内壁面２３ｂを処理するための条件を制御することで、凹凸の大きさが制御される。

【0071】

開口２１内が洗浄される。開口２１内を洗浄することにより、開口２１形成時に発生する樹脂残渣が除去される。開口２１内の洗浄はプラズマによって行われる。即ち洗浄はドライプロセスで行われる。洗浄はデスミア処理を含む。

【0072】

開口２１内が洗浄される時、樹脂絶縁層２０の第１面２０ａは保護膜５０で覆われている。第１面２０ａはプラズマの影響を受けない。第１面２０ａは樹脂８０のみで形成されている。第１面２０ａから無機粒子９０は露出しない。第１面２０ａは無機粒子９０の表面を含まない。第１面２０ａは凹凸を有さない。第１面２０ａは平滑に形成されている。

【0073】

レーザ光照射後の内壁面２３ｂを処理することが開口２１内を洗浄することを含む場合、実施形態は開口２１内を洗浄することを削除することができる。

【0074】

図８Ｅに示されるように、ビア導体用の開口２１、２２内を洗浄することの後に、樹脂絶縁層２０から保護膜５０が除去される。レーザ光照射後の内壁面２３ｂ、２４ｂを処理することがビア導体用の開口内を洗浄することを含む場合、レーザ光照射後の内壁面２３ｂ、２４ｂを処理することの後に、樹脂絶縁層２０から保護膜５０が除去される。レーザ光照射後の内壁面２３ｂ、２４ｂが処理される時、保護膜５０は樹脂絶縁層２０の第１面２０ａを覆っている。保護膜５０除去後、第１面２０ａを荒らすことは行われない。

【0075】

図８Ｆに示されるように、第１面２０ａ上にシード層３０ａが形成される。シード層３０ａはスパッタリングによって形成される。シード層３０ａの形成はドライプロセスで行われる。シード層３０ａはビア導体用の開口の内壁面２３、２４とビア導体用の開口２１、２２から露出するパッド１２、１４上にも形成される。

【0076】

例えば、スパッタリングはマスクを介して行われる。まず、各ビア導体用の開口２１、２２を覆う第１マスクが樹脂絶縁層２０上に配置される。第１マスクは樹脂絶縁層２０の第１面２０ａのみを露出する。第１マスクを介して樹脂絶縁層２０の第１面２０ａ上に厚さＴ１ａを有する第１部分Ｐ１が形成される。第１マスクが除去される。ビア導体４１、４２用の開口２１、２２の内壁面２３、２４のみを露出する第２マスクが樹脂絶縁層２０上に配置される。第２マスクを介して内壁面２３、２４上に厚さＴ２ａを有する第２部分Ｐ２が形成される。内壁面２３、２４は樹脂の面と前記平坦部との間に段差を有する。第２マスクが除去される。開口２１、２２から露出されるパッド１２、１４のみを露出する第３マスクが樹脂絶縁層２０上に配置される。第３マスクを介してパッド１２、１４上に厚さＴ３ａを有する第３部分Ｐ３が形成される。第３マスクが除去される。これにより、第１層３１ａが第１面２０ａ上に形成される。開口２１、２２から露出する内壁面２３、２４とパッド１２、１４上に第１層３１ａが形成される。その後、第１層３１ａ上に第２層３１ｂが形成される。第１層３１ａの形成方法と第２層３１ｂの形成方法は同様である。第１層３１ａは銅とアルミニウムと特定金属（例えば、ケイ素）を含有する合金で形成される。第２層３１ｂは銅で形成される。

【0077】

スパッタリングで第１層３１ａと第２層３１ｂが形成される。スパッタリングの条件の例が次に示される。ターゲットと樹脂絶縁層２０の第１面２０ａ間の距離が５０ｍｍ以上２５０ｍｍ以下である。電圧が１５ｅＶ以上５０ｅＶ以下である。ガス濃度が０．１Ｐａ以上１．０Ｐａ以下である。例えば、処理時間を変えることで、シード層３０ａの第１部分Ｐ１の厚さＴ１と第２部分Ｐ２の厚さＴ２と第３部分Ｐ３の厚さＴ３が調整される。第１層３１ａの第１部分Ｐ１の厚さＴ１ａは、第１層３１ａの第２部分Ｐ２の厚さＴ２ａおよび第１層３１ａの第３部分Ｐ３の厚さＴ３ａより厚い。第１層３１ａの第３部分Ｐ３の厚さＴ３ａは第１層３１ａの第２部分Ｐ２の厚さＴ２ａより厚い。第２層３１ｂの第１部分Ｐ１の厚さＴ１ｂは、第２層３１ｂの第２部分Ｐ２の厚さＴ２ｂおよび第２層３１ｂの第３部分Ｐ３の厚さＴ３ｂより厚い。第２層３１ｂの第３部分Ｐ３の厚さＴ３ｂは第２層３１ｂの第２部分Ｐ２の厚さＴ２ｂより厚い。この結果、シード層３０ａの第１部分Ｐ１の厚さＴ１は第２部分Ｐ２の厚さＴ２および第３部分Ｐ３の厚さＴ３より厚い。シード層３０ａの第３部分Ｐ３の厚さＴ３は第２部分Ｐ２の厚さＴ２より厚い。

【0078】

第２層３１ｂの厚さと第１層３１ａの厚さとの比（第２層３１ｂの厚さ／第１層３１ａの厚さ）は１．２以上２以下である。比（厚さＴ１ｂ／厚さＴ１ａ）と比（厚さＴ２ｂ／厚さＴ２ａ）、比（厚さＴ３ｂ／厚さＴ３ａ）は１．２以上２以下である。

【0079】

第１部分Ｐ１は樹脂絶縁層２０の第１面２０ａ上に形成され、第２部分Ｐ２は樹脂絶縁層２０の内壁面２３、２４上に形成されている。第１部分Ｐ１と第２部分Ｐ２は共に樹脂絶縁層２０上に形成されている。第１部分Ｐ１はパッド３２、３４と接続配線３６のシード層３０ａを形成する。第２部分Ｐ２はビア導体４１、４２のシード層３０ａを形成する。樹脂絶縁層２０の熱膨張係数とシード層３０ａの熱膨張係数は異なる。そのため、プリント配線板２が熱衝撃を受けると、シード層３０ａにストレスが働くと考えられる。普通、接続配線３６はビア導体４１、４２よりかなり長く曲がっている部分を含む。そのため、大きなストレスが接続配線３６内の曲がっている部分に集中するはずである。それに対し、ビア導体４１、４２は短く、ほぼ真っすぐに形成されている。そのため、ビア導体４１、４２に関しては、ストレスの集中は起こりがたい。従って、樹脂絶縁層２０の第１面２０ａ上のシード層３０ａの破断を避けるために、接続配線３６を形成するシード層３０ａの厚さは大きいことが好ましい。それに対し、ビア導体４１、４２を形成する内壁面２３、２４上のシード層３０ａの厚みは小さくてもよい。そのため、実施形態は、厚さＴ１を厚さＴ２より大きくしている。

【0080】

第２部分Ｐ２の厚さＴ２を薄くすることで、実施形態はシード層３０ａを形成するために必要な時間を短縮することができる。

【0081】

第１面２０ａは平坦性に優れる。スパッタリングを用いて第１面２０ａ上にシード層３０ａが形成されるとき、ターゲットと第１面２０ａ間の距離がほぼ一定である。実施形態はほぼ均一な厚みを有するシード層３０ａを形成することができる。実施形態は樹脂絶縁層２０の第１面２０ａ上の第１層３１ａの厚みのバラツキと第２層３１ｂの厚みのバラツキを小さくすることができる。樹脂絶縁層２０の第１面２０ａ上の接続配線３６の幅が目標値を満足する。隣接する接続配線３６間のスペース３７の幅が目標値を満足する。実施形態は接続配線３６の幅のバラツキを小さくすることができる。実施形態はスペース３７の幅のバラツキを小さくすることができる。樹脂絶縁層２０の第１面２０ａ上に複数の接続配線３６が形成されても、それぞれの接続配線３６を介して伝送されるデータがほぼ遅延なく電子部品に至る。

【0082】

例えば、第１層３１ａは銅合金で形成される。シード層３０ａの第１層３１ａは銅とアルミニウムとケイ素を含有する合金によって形成されている。アルミニウムは高い延性と高い展性を有する。そのため、樹脂絶縁層２０と第１層３１ａ間の密着力が高い。ヒートサイクルにより樹脂絶縁層２０が伸縮したとしても、アルミニウムを含むシード層３０ａがその伸縮に追従することができると考えられる。樹脂絶縁層２０の第１面２０ａが平滑であっても、シード層３０ａは樹脂絶縁層２０から剥がれ難い。アルミニウムは酸化しやすいと考えられる。第１無機粒子９１が酸素（酸素元素）を含む無機粒子９０であると、内壁面２３、２４上に形成される第１層３１ａは内壁面２３、２４を形成する無機粒子９０内の酸素を介して第１無機粒子９１に密着すると考えられる。第１層３１ａと内壁面２３、２４が強く接合される。実施形態は内壁面２３、２４と第１層３１ａ間の密着力を高くすることができる。シード層３０ａは内壁面２３、２４から剥がれ難い。内壁面２３、２４を形成する無機粒子９０は酸素元素を含むことが好ましい。

【0083】

シード層３０ａ上にめっきレジストが形成される。めっきレジストは、ビア導体４１、４２と接続配線３６と接続配線３６から延びるパッド３２、３４を形成するための開口を有する。

【0084】

めっきレジストから露出するシード層３０ａ上に電解めっき層３０ｂが形成される。電解めっき層３０ｂはめっきレジストの開口を充填する。電解めっき層３０ｂは開口２１、２２を充填する。電解めっき層３０ｂの一部はめっきレジストの上面より上方に突出する。その場合、電解めっき層３０ｂはめっきレジストの上面を部分的に覆う。あるいは、電解めっき層３０ｂはめっきレジストの上面を完全に覆う。

【0085】

電解めっき層３０ｂが研磨される。研磨によって電解めっき層３０ｂの厚みが薄くなる。電解めっき層３０ｂの厚みとシード層３０ａの厚みの合計が所定値に達する。電解めっき層３０ｂとともにめっきレジストも研磨される。研磨手法の例はＣＭＰである。研磨後の電解めっき層３０ｂの上面の算術平均粗さ（Ｒａ）は０．３μｍ以下である。

【0086】

電解めっき層３０ｂの研磨後にめっきレジストが除去される。電解めっき層３０ｂから露出するシード層３０ａが除去される。図８Ｇに示されるように、樹脂絶縁層２０上のシード層３０ａと電解めっき層３０ｂによって、パッド３２、３４と接続配線３６が形成される。接続用導体層３０が形成される。ビア導体用の開口２１、２２内のシード層３０ａと電解めっき層３０ｂによって、ビア導体４１、４２が形成される。接続用導体層３０とビア導体４１、４２は同時に形成される。

【0087】

シード層形成後の開口２１０、２１１の例が図８Ｆに示されている。厚さＴ２が薄いと、シード層３０ａ形成後のビア導体用の開口２１０、２１１の体積を大きくすることができる。そのため、電解めっき液が開口２１０、２１１内に入りやすい。ビア導体４１、４２を形成する電解めっき層３０ｂ内にボイドが形成され難い。実施形態は低い抵抗を有するビア導体４１、４２を形成することができる。開口２１、２２の開口径（パッド１２、１４上の径）Ｄ（図８Ｅ参照）が３０μｍ以下でも、実施形態はボイドを含まないビア導体４１、４２を形成することができる。開口径Ｄが１０μｍ以上、２５μｍ以下であっても、ビア導体４１、４２を介する接続信頼性が長期間安定である。このように、第２部分Ｐ２の厚さＴ２を小さくすることで、実施形態はコストや生産性、信頼性を改善することができる。従って、厚さＴ２は厚さＴ１より小さいことが好ましい。

【0088】

図８Ｈに示されるように、接続用導体層３０の上面と側面上に接着層１００が形成される。接着層１００は、図８Ｇに示される途中基板を窒素系有機化合物を含む薬液に浸漬することによって形成される。薬液のｐｈは７以下である。途中基板を薬液に浸漬することで接続用導体層３０の上面と側面上に平滑膜１０２と突出部１０４を有する接着層１００が形成される。途中基板が薬液に浸漬される前に接続用導体層３０の上面と側面を覆っている酸化膜が除去される。改変例では接着層１００は、接続用導体層３０上に薬液を塗布することによって形成される。接着層１００が形成されると、途中基板が薬液から取り出される。接着層１００が乾燥される。乾燥前の接着層１００の上面は平滑でもよい。その場合、乾燥により、接着層の一部が凝集する。凝集することで、平滑膜１０２と突出部１０４を含む接着層１００が形成される。

【0089】

接続用導体層３０と樹脂絶縁層２０上に、樹脂絶縁層（第２樹脂絶縁層）１２０と搭載用導体層１３０とビア導体１４１、１４２、１４３、１４４が形成される。ビア導体は接続ビア導体を含む。接続ビア導体の例は第１接続ビア導体１４１と第２接続ビア導体１４２である。樹脂絶縁層１２０と樹脂絶縁層２０は同様な方法で形成される。搭載用導体層１３０と接続用導体層３０は同様な方法で形成される。ビア導体１４１、１４２、１４３、１４４とビア導体４１、４２は同様な方法で形成される。樹脂絶縁層１２０にレーザ光Ｌでビア導体用の開口１２１、１２２、１２３、１２４が形成される時、レーザ光Ｌは接続用導体層３０を覆う接着層１００を除去する。あるいは、レーザ光Ｌによって接着層１００が完全に除去されない。その場合ビア導体用の開口１２１、１２２、１２３、１２４内を洗浄することによりビア導体用の開口１２１、１２２、１２３、１２４の底の接着層１００が除去される。ビア導体用の開口１２１、１２２、１２３、１２４によって接続用導体層３０が露出される。ビア導体用の開口は接続ビア導体用の開口を含む。接続ビア導体用の開口の例は第１開口（第１接続ビア導体用開口）１２１と第２開口（第２接続ビア導体用開口）１２２である。

【0090】

実施形態は接続ビア導体を形成する第１層の厚みを薄くすることができる。実施形態は接続ビア導体を形成する第２層の厚みを薄くすることができる。第１層と第２層はシード層を形成する。実施形態はシード層形成後の接続ビア導体用の開口の体積を大きくすることができる。シード層形成後の接続ビア導体用の開口をシード層形成後の開口と呼ぶことができる。シード層形成後の開口内に電解めっき層を形成することでシード層と電解めっき層からなる接続ビア導体が形成される。接続ビア導体用の開口の径が小さくても、シード層形成後の接続ビア導体用の開口内に電解めっき液が入り込みやすい。接続ビア導体を形成する電解めっき層がボイドを含みがたい。低抵抗な接続ビア導体が形成される。経路が接続ビア導体を含んでも、実施形態のプリント配線板２は高速なデータを伝送することができる。シード層形成後の開口２１０、２１１の例が図８Ｆに示されている。シード層形成後の開口２１０、２１１はシード層で囲まれている。開口２１０、２１１の底と側面はシード層に接している。

【0091】

搭載用導体層１３０の上面と側面上に接着層１５０が形成される。接着層１５０と接着層１００は同様である。搭載用導体層１３０と樹脂絶縁層１２０上に絶縁層２２０が形成される。絶縁層２２０は電極（第１電極１３１、第２電極１３２等）を露出する開口２２１、２２２、２２３、２２４を有する。開口２２１、２２２、２２３、２２４により露出される電極１３１、１３２、１３３、１３４上にバンプ（第１バンプ２４１、第２バンプ２４２等）が形成される。バンプ２４１、２４２、２４３、２４４上に機能層２６０が形成される。改変例のプリント配線板３が得られる。

【0092】

支持体４が除去される。例えば加熱や紫外線照射によって、支持体４の剥離層７が軟化又は脆弱化する。第１金属層６と第２金属層８の間で両者が分離される。その後第２金属層８がエッチングで除去される。プリント配線板２の下面２ｂが露出する。実施形態のプリント配線板２が得られる。

【0093】

実施形態のプリント配線板２では、ビア導体用の開口の内壁面は第１無機粒子９１の平坦部９１ａと樹脂８０によって形成される。平坦部９１ａと内壁面を形成する樹脂８０の面８０ａはほぼ共通な面を形成する。内壁面は平滑に形成される。そのため、開口の内壁面上に均一な厚みのシード層３０ａが形成される。シード層３０ａは薄く形成される。シード層３０ａが除去される時、エッチング量が少ない。そのため、電解めっき層３０ｂのエッチング量が少ない。接続用導体層３０と搭載用導体層１３０内の各導体回路が設計値通りの幅を有する。高い品質を有するプリント配線板２が提供される。

【0094】

接続配線３６を介して第１電子部品Ｅ１から第２電子部品Ｅ２へデータが伝送される。データが伝送される時、低損失が好ましい。接続用導体層が内層の導体層であるとき、第１電子部品Ｅ１と第２電子部品Ｅ２間のデータ伝送用の経路は接続配線に繋がっているビア導体を含む。経路を形成するビア導体は接続ビア導体である。経路がビア導体（接続ビア導体）を含んだとしても、実施形態のプリント配線板２の接続ビア導体用の開口の内壁面は第１無機粒子９１の露出面９１ｂと樹脂８０の面８０ａで形成される。内壁面はほぼ平坦である。実施形態によれば、データがビア導体を通過するとき、実施形態のプリント配線板２は損失を抑えることができる。内層の導体層は隣接する樹脂絶縁層で挟まれる。内層の導体層で形成される接続用導体層（接続用内部導体層）が複数であるとき、接続用内部導体層ＣＩの数は３以上であることが好ましい。接続用内部導体層ＣＩの数は７以下であることが好ましい。さらに、接続用内部導体層ＣＩの数は５以下であることが好ましい。３つの接続用内部導体層ＣＩを有するプリント配線板２００の例が図９に示される。図９に示されるように、第１接続パッドＰａ１と第１接続電極Ｄ１を繋ぐ経路が複数のビア導体Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３を有する時、経路内の全ビア導体Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３は図４に示される開口２１と同様なビア導体用の開口内に形成される。ビア導体Ｖ１とビア導体Ｖ２とビア導体Ｖ３は第１接続ビア導体であり、第１経路を形成する。ビア導体Ｖ１とビア導体Ｖ２とビア導体Ｖ３は異なる樹脂絶縁層に形成される。第２接続パッドＰａ２と第２接続電極Ｄ２を繋ぐ経路が複数のビア導体Ｖ４、Ｖ５、Ｖ６を有する時、経路内の全ビア導体Ｖ４、Ｖ５、Ｖ６は図４に示される開口２１と同様なビア導体用の開口内に形成される。ビア導体Ｖ４とビア導体Ｖ５とビア導体Ｖ６は第２接続ビア導体であり、第２経路を形成する。ビア導体Ｖ４とビア導体Ｖ５とビア導体Ｖ６は異なる樹脂絶縁層に形成される。

【0095】

接続用内部導体層は第１無機粒子９１と第２無機粒子９２を含む樹脂絶縁層で挟まれることが好ましい。接続用内部導体層を挟む樹脂絶縁層は共にビア導体用の開口を有する。そして、ビア導体用の開口の内壁面は第１無機粒子９１の露出面９１ｂと樹脂８０の面８０ａで形成される。接続用内部導体層を形成する各接続配線は設計値に近い幅を有する。実施形態は高密度な接続配線群を形成することができる。

【0096】

各ビア導体用の開口の内壁面が第１無機粒子９１の露出面９１ｂと樹脂８０の面８０ａで形成されるので、各ビア導体の内壁面の形状がほぼ同じである。接続ビア導体を含む経路が複数であっても、実施形態は径路間の伝送速度の差を小さくすることができる。

【0097】

実施形態のプリント配線板２ではパッド１２、１４、３２、３４を形成する電解めっき層とビア導体４１、４２、１４１、１４２を形成する電解めっき層は第３部分Ｐ３を形成するシード層３０ａ、１３０ａを挟んでいる。パッドはビア導体用の開口により露出される導体回路の一例である。シード層３０ａ、１３０ａはスパッタリングを用いて形成される。電解めっきとスパッタリングは異なる手法なので、プリント配線板２が熱衝撃を受けると、両者の収縮量や膨張量は異なると考えられる。そのため、ビア導体４１、４２、１４１、１４２を介する接続信頼性はシード層３０ａ、１３０ａとパッド１２、１４、３２、３４を形成する電解めっき層間で低下しやすい。あるいは、接続信頼性は、シード層３０ａ、１３０ａとビア導体４１、４２、１４１、１４２を形成する電解めっき層間で低下しやすい。電解めっき製膜（電解めっき層３０ｂ、１３０ｂ等）とスパッタリング製シード層間で接続信頼性が低下しやすい。接続信頼性に対するスパッタリング製シード層３０ａ、１３０ａの影響度を小さくするため、パッド１２、１４、３２、３４上のスパッタリング製シード層３０ａ、１３０ａの厚さは薄いことが好ましい。そのため、実施形態は、第３部分Ｐ３の厚さＴ３を薄くする。具体的には、実施形態は厚さＴ３を厚さＴ１より小さくする。これにより、ビア導体４１、４２、１４１、１４２がスパッタリング製シード層３０ａ、１３０ａと電解めっき層３０ｂ、１３０ｂを有しても、実施形態は高い接続信頼性を有するプリント配線板２を提供することができる。

【0098】

シード層３０ａ、１３０ａの第１部分Ｐ１の厚さＴ１は第２部分Ｐ２の厚さＴ２と第３部分Ｐ３の厚さＴ３より厚い。そのため、第１面２０ａ、１２０ａ上のシード層３０ａ、１３０ａが破断しがたい。第１部分Ｐ１が破断しがたい。接続配線３６が破断し難い。接続配線３６が微小なクラックを含みがたい。実施形態が複数の接続配線を有しても、各接続配線の抵抗がほぼ等しい。実施形態は複数の接続配線３６を介して同時に高速なデータを伝送することができる。大容量なデータが接続配線３６を介して伝送される。高品質のプリント配線板２が提供される。

【0099】

信号や電源がパッド１２、１４、３２、３４からビア導体４１、４２、１４１、１４２に移動する時、信号や電源はシード層３０ａ、１３０ａの第１層３１ａ、１３１ａを通る。第１層３１ａ、１３１ａを形成する合金に含まれるアルミニウムの比抵抗は銅の比抵抗より大きい。そのため、信号や電源が第１層３１ａ、１３１ａ内を流れる時、第１層３１ａ、１３１ａを移動する距離は短いことが好ましい。実施形態では第１層３１ａ、１３１ａの第１部分Ｐ１の厚さＴ１ａが第２部分Ｐ２の厚さＴ２ａと第３部分Ｐ３の厚さＴ３ａより厚い。そのため信号や電源がパッド１２、１４、３２、３４からビア導体４１、４２、１４１、１４２に移動する時、第１層３１ａ、１３１ａの第３部分Ｐ３を通過する距離が短い。信号や電源はシード層３０ａ、１３０ａの第３部分Ｐ３から電解めっき層３０ｂ、１３０ｂに直接移動しやすい。信号や電源が第３部分Ｐ３から第２部分Ｐ２に移動することなく、第３部分Ｐ３からビア導体４１、４２、１４１、１４２を形成する電解めっき層３０ｂ、１３０ｂに移動することが好ましい。実施形態では、第２部分Ｐ２の厚さＴ２は第１部分Ｐ１の厚さＴ１および第３部分Ｐ３の厚さＴ３より小さい。そのため、実施形態は第２部分Ｐ２の抵抗を大きくすることができる。電流は低い抵抗を有する部分を流れるので、信号や電源は第３部分Ｐ３からビア導体４１、４２、１４１、１４２を形成する電解めっき層３０ｂ、１３０ｂに直接移動しやすい。シード層３０ａ、１３０ａがビア導体４１、４２、１４１、１４２を介する信号の伝送速度や電源供給に悪影響を与え難い。プリント配線板２にロジックＩＣが実装されても、ロジックＩＣが誤動作しがたい。

【0100】

実施形態のプリント配線板２では樹脂絶縁層２０の第１面２０ａは樹脂８０で形成されている。第１面２０ａには無機粒子９０が露出しない。第１面２０ａには凹凸が形成されない。樹脂絶縁層２０の第１面２０ａ近傍部分の比誘電率の標準偏差が大きくなることが抑制される。樹脂絶縁層２０の第１面２０ａの比誘電率は場所によって大きく変わらない。複数の接続配線３６が樹脂絶縁層２０の第１面２０ａに接していても、実施形態は接続配線３６間の電気信号の伝搬速度の差を小さくすることができる。そのため、実施形態のプリント配線板２ではノイズが抑制される。実施形態のプリント配線板２にロジックＩＣが実装されても、各接続配線３６で伝達されるデータがロジックＩＣにほぼ同時に到達する。実施形態はロジックＩＣの誤動作を抑制することができる。各接続配線３６の長さが５ｍｍ以上であっても、伝搬速度の差を小さくすることができる。各接続配線３６の長さが１０ｍｍ以上、２０ｍｍ以下であっても、実施形態はロジックＩＣの誤動作を抑制することができる。樹脂絶縁層１２０の第１面１２０ａも樹脂絶縁層２０の第１面２０ａと同様である。そのため搭載用導体層１３０内の接続配線も接続用導体層３０内の接続配線３６と同様の効果を有する。高い品質を有するプリント配線板２が提供される。

【0101】

実施形態のプリント配線板２は、接続用導体層３０と樹脂絶縁層１２０との間に接着層１００を有する。接着層１００は接続用導体層３０と樹脂絶縁層１２０を接着している。そのため、接続配線３６の上面と側面が平滑であっても樹脂絶縁層１２０が接続配線３６から剥がれ難い。接続配線３６の上面と側面を荒らすことは行われないことが好ましい。接着層１００はほぼ平滑な平滑膜１０２と平滑膜１０２から突出している突出部１０４で形成されている。接着層１００が突出部１０４と平滑膜１０２によって形成される凹凸を有する。接着層１００は複数の突起１０６によって形成される凹凸を有する。そのため、接続用導体層３０と樹脂絶縁層１２０が接着層１００を介して十分に密着する。高い品質を有するプリント配線板２が提供される。例えば、プリント配線板２の各辺の長さが５０ｍｍ以上であっても、樹脂絶縁層１２０が接続用導体層３０から剥がれがたい。プリント配線板２の各辺の長さが１００ｍｍ以上であっても、接着層１００起因のクラックが樹脂絶縁層１２０内に発生しがたい。接続用導体層３０が５μｍ以下の幅を有する導体回路を含んでも、樹脂絶縁層１２０が接続用導体層３０から剥がれがたい。接続用導体層３０が３μｍ以下の幅を有する導体回路を含んでも、接着層１００起因のクラックが樹脂絶縁層１２０内に発生しがたい。搭載用導体層１３０と絶縁層２２０との間に形成されている接着層１５０も接着層１００と同様の効果を有する。高い品質を有するプリント配線板２が提供される。

【0102】

第１層が特定金属としてケイ素を含み、無機粒子がガラス粒子であると、内壁面上の第１層と第１無機粒子はケイ素を含む。両者はケイ素を介して強く接着されると考えられる。シード層が内壁面から剥がれ難い。

【0103】

第１層がアルミニウムを含み、無機粒子が酸素を含むと、第１層と第１無機粒子（ガラス粒子等の酸素を含む無機粒子）が強く接着されると考えられる。第１層がアルミニウムを含み、無機粒子が酸素を含む場合、第１層は特定金属を含まなくても良い。この場合、第１層は銅とアルミニウムと不純物で形成される。

【0104】

［実施形態の別例１］
実施形態の別例１では、第１層を形成する合金に含まれる特定金属は、ニッケル、亜鉛、ガリウム、ケイ素、マグネシウムのうちの少なくとも１つである。

【0105】

［実施形態の別例２］
実施形態の別例２では、第１層を形成する合金は炭素を含有していない。

【0106】

［実施形態の別例３］
実施形態の別例３では、第１層を形成する合金は酸素を含有していない。

【0107】

本明細書内では、平面は内壁面の形状と平坦部９１ａの形状、第１無機粒子９１の形状に対し用いられている。これらに対し用いられている平面の意味は図２と図４に示されている。すなわち、図２と図４では、内壁面はほぼまっすぐに描かれている。図２と図４中の内壁面の形状はほぼ直線である。本明細書内の平面は、断面中に示されている実質的な直線を含む。図２と図４の第１無機粒子９１の断面に示されるように、断面では、平面で切断することは直線で切断することを含む。本明細書内の平面は完全な平面を意味せず実質的な平面を含む。実質的な平面は小さな凹凸を含んでもよい。

【符号の説明】

【0108】

２ ：プリント配線板
３０ ：接続用導体層
３０ａ ：シード層
３０ｂ ：電解めっき層
３１ａ ：第１層
３１ｂ ：第２層
３６ ：接続配線
３７ ：スペース
９０ ：無機粒子
９１ ：第１無機粒子
９１ａ ：平坦部
９１ｂ ：露出面
９２ ：第２無機粒子
１００ ：接着層
１０２ ：平滑膜
１０４ ：突出部
１２０ ：樹脂絶縁層
１２１ ：第１開口
１２２ ：第２開口
１２５ ：内壁面
１２６ ：内壁面
１３０ ：搭載用導体層
１３０ａ：シード層
１３０ｂ：電解めっき層
１３１ａ：第１層
１３１ｂ：第２層
１３１ ：第１電極
１３２ ：第２電極
１４１ ：第１接続ビア導体
１４２ ：第２接続ビア導体
１５０ ：接着層
２４１ ：第１バンプ
２４２ ：第２バンプ
Ｅ１ ：第１電子部品
Ｅ２ ：第２電子部品
Ｐ１ ：第１部分
Ｐ２ ：第２部分
Ｐ３ ：第３部分

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8A】

【図8B】

【図8C】

【図8D】

【図8E】

【図8F】

【図8G】

【図8H】

【図9】