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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024179304
(43)【公開日】2024-12-26
(54)【発明の名称】配線基板及び配線基板の製造方法
(51)【国際特許分類】
H05K 1/16 20060101AFI20241219BHJP
H05K 3/46 20060101ALI20241219BHJP
【ＦＩ】
H05K1/16 D
H05K3/46 Q
H05K3/46 B
【審査請求】未請求
【請求項の数】20
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023098046
(22)【出願日】2023-06-14
(71)【出願人】
【識別番号】000003193
【氏名又は名称】ＴＯＰＰＡＮホールディングス株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110003708
【氏名又は名称】弁理士法人鈴榮特許綜合事務所
(72)【発明者】
【氏名】中村 司
【テーマコード（参考）】
4E351
5E316
【Ｆターム（参考）】
4E351AA03
4E351AA04
4E351AA13
4E351BB03
4E351BB24
4E351BB33
4E351CC03
4E351CC06
4E351DD04
4E351DD06
4E351DD10
4E351DD11
4E351DD17
4E351DD19
4E351DD20
4E351DD21
4E351GG01
4E351GG20
5E316AA32
5E316AA33
5E316AA43
5E316CC09
5E316CC10
5E316CC18
5E316CC32
5E316CC34
5E316CC35
5E316CC36
5E316CC37
5E316CC38
5E316DD02
5E316DD17
5E316DD25
5E316DD33
5E316EE08
5E316FF07
5E316FF09
5E316FF10
5E316FF15
5E316GG15
5E316GG17
5E316GG28
5E316HH33
5E316JJ04
(57)【要約】
【課題】キャパシタと絶縁層との密着性を十分に確保し、キャパシタと絶縁層との間の剥離の発生を抑制する。
【解決手段】配線基板１は、第１面を有するガラス基板と、ガラス基板の第１面の上方に設けられる第１電極ＢＥ、第１電極の上方に設けられる誘電体層１６、及び誘電体層の上方に設けられる第２電極ＴＥを含むキャパシタと、ガラス基板の第１面及びキャパシタを覆う第１絶縁層とを含む。誘電体層の第２面と向かい合う第１電極の第３面は、誘電体層の第２面と接触している接触部ＣＰと、誘電体層の第２面と接触していない非接触部ＮＰとを含む。接触部の外周ＯＣ１は、鋸歯状の形状を有する。
【選択図】図３
【解決手段】配線基板１は、第１面を有するガラス基板と、ガラス基板の第１面の上方に設けられる第１電極ＢＥ、第１電極の上方に設けられる誘電体層１６、及び誘電体層の上方に設けられる第２電極ＴＥを含むキャパシタと、ガラス基板の第１面及びキャパシタを覆う第１絶縁層とを含む。誘電体層の第２面と向かい合う第１電極の第３面は、誘電体層の第２面と接触している接触部ＣＰと、誘電体層の第２面と接触していない非接触部ＮＰとを含む。接触部の外周ＯＣ１は、鋸歯状の形状を有する。
【選択図】図３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１面を有するガラス基板と、
前記ガラス基板の前記第１面の上方に設けられる第１電極、前記第１電極の上方に設けられる誘電体層、及び前記誘電体層の上方に設けられる第２電極を含むキャパシタと、
前記ガラス基板の前記第１面及び前記キャパシタを覆う第１絶縁層と
を備え、
前記誘電体層の第２面と向かい合う前記第１電極の第３面は、前記誘電体層の前記第２面と接触している接触部と、前記誘電体層の前記第２面と接触していない非接触部とを含み、
前記接触部の外周は、鋸歯状の形状を有する、
配線基板。
前記ガラス基板の前記第１面の上方に設けられる第１電極、前記第１電極の上方に設けられる誘電体層、及び前記誘電体層の上方に設けられる第２電極を含むキャパシタと、
前記ガラス基板の前記第１面及び前記キャパシタを覆う第１絶縁層と
を備え、
前記誘電体層の第２面と向かい合う前記第１電極の第３面は、前記誘電体層の前記第２面と接触している接触部と、前記誘電体層の前記第２面と接触していない非接触部とを含み、
前記接触部の外周は、鋸歯状の形状を有する、
配線基板。
【請求項2】
前記接触部のＬＥＲ（Line Edge Roughness）は、１０００ｎｍ以上５０００ｎｍ以下である、
請求項１記載の配線基板。
請求項１記載の配線基板。
【請求項3】
前記誘電体層の前記第２面の外周は、矩形の形状を有する、
請求項１または２記載の配線基板。
請求項１または２記載の配線基板。
【請求項4】
前記第１電極は、第１シード層と第１導電層とを積層した構造を含み、
前記接触部の前記外周は、前記第１シード層の厚さの１．２倍以上４０倍以下の範囲で前記誘電体層の端面よりも内側に位置する、
請求項１または２記載の配線基板。
前記接触部の前記外周は、前記第１シード層の厚さの１．２倍以上４０倍以下の範囲で前記誘電体層の端面よりも内側に位置する、
請求項１または２記載の配線基板。
【請求項5】
前記第２電極は、第２シード層と第２導電層とを積層した構造を含み、
前記接触部の前記外周は、前記第２シード層の厚さの１．２倍以上４０倍以下の範囲で前記誘電体層の端面よりも内側に位置する、
請求項１または２記載の配線基板。
前記接触部の前記外周は、前記第２シード層の厚さの１．２倍以上４０倍以下の範囲で前記誘電体層の端面よりも内側に位置する、
請求項１または２記載の配線基板。
【請求項6】
前記接触部の前記外周と前記誘電体層の端面との間の距離は、０μｍよりも大きく１２μｍ以下である、
請求項１または２記載の配線基板。
請求項１または２記載の配線基板。
【請求項7】
前記接触部における前記第１電極の厚さは、前記非接触部における前記第１電極の厚さよりも厚い、
請求項１または２記載の配線基板。
請求項１または２記載の配線基板。
【請求項8】
前記誘電体層は、透過性を有する材料からなる、
請求項１または２記載の配線基板。
請求項１または２記載の配線基板。
【請求項9】
前記第１電極の前記第３面のサイズは、前記誘電体層の前記第２面のサイズよりも大きい、
請求項１または２記載の配線基板。
請求項１または２記載の配線基板。
【請求項10】
前記第２面と向かい合う前記誘電体層の第４面のサイズは、前記誘電体層の前記第４面と向かい合う前記第２電極の第５面のサイズよりも大きい、
請求項１または２記載の配線基板。
請求項１または２記載の配線基板。
【請求項11】
前記第１絶縁層は、絶縁樹脂からなる、
請求項１または２記載の配線基板。
請求項１または２記載の配線基板。
【請求項12】
前記第１電極と前記誘電体層との間に設けられる密着層
を更に備える、
請求項１または２記載の配線基板。
を更に備える、
請求項１または２記載の配線基板。
【請求項13】
ガラス基板の上方に第１シード層を形成することと、
前記第１シード層の一部の上に第１導電層を形成することと、
前記第１シード層及び前記第１導電層の上方に誘電体層を形成することと、
前記誘電体層の上方に第２シード層を形成することと、
前記第２シード層の一部の上に第２導電層を形成することと、
前記第２導電層を覆うマスクを形成して、前記第２シード層及び前記誘電体層を除去することと、
前記第１導電層の表面の端部をエッチングすることと、
前記第１シード層を除去することと、
前記ガラス基板の表面、前記第１シード層、前記第１導電層、前記誘電体層、前記第２シード層、及び前記第２導電層を覆うように第１絶縁層を形成することと
を備える、
配線基板の製造方法。
前記第１シード層の一部の上に第１導電層を形成することと、
前記第１シード層及び前記第１導電層の上方に誘電体層を形成することと、
前記誘電体層の上方に第２シード層を形成することと、
前記第２シード層の一部の上に第２導電層を形成することと、
前記第２導電層を覆うマスクを形成して、前記第２シード層及び前記誘電体層を除去することと、
前記第１導電層の表面の端部をエッチングすることと、
前記第１シード層を除去することと、
前記ガラス基板の表面、前記第１シード層、前記第１導電層、前記誘電体層、前記第２シード層、及び前記第２導電層を覆うように第１絶縁層を形成することと
を備える、
配線基板の製造方法。
【請求項14】
前記第１導電層の表面の端部をエッチングすることは、前記第１導電層の前記表面の端部に、表面粗さが３０ｎｍ以上７０ｎｍ以下の範囲の荒れを生成することを含む、
請求項１３記載の配線基板の製造方法。
請求項１３記載の配線基板の製造方法。
【請求項15】
前記第１シード層を除去することは、前記第１シード層の厚さの１．２倍以上４０倍以下の範囲で前記第１シード層をエッチングすることを含む、
請求項１３または１４記載の配線基板の製造方法。
請求項１３または１４記載の配線基板の製造方法。
【請求項16】
前記第１絶縁層を形成することは、前記第１シード層の除去によって前記第１導電層の一部が除去された部分に、前記第１絶縁層を埋め込むことを含む、
請求項１５記載の配線基板の製造方法。
請求項１５記載の配線基板の製造方法。
【請求項17】
ガラス基板の上方に第１シード層を形成することと、
前記第１シード層の一部の上に第１導電層を形成することと、
前記第１シード層を除去することと、
前記ガラス基板及び前記第１導電層の上方に誘電体層を形成することと、
前記誘電体層の一部を覆うマスクを形成して、前記誘電体層を除去することと、
前記第１導電層の表面の端部をエッチングすることと、
前記ガラス基板、前記第１導電層、及び前記誘電体層の上方に第２シード層を形成することと、
前記第２シード層の一部の上に第２導電層を形成することと、
前記第２導電層を覆うマスクを形成して、前記第２シード層を除去することと、
前記ガラス基板の表面、前記第１シード層、前記第１導電層、前記誘電体層、前記第２シード層、及び前記第２導電層を覆うように第１絶縁層を形成することと
を備える、
配線基板の製造方法。
前記第１シード層の一部の上に第１導電層を形成することと、
前記第１シード層を除去することと、
前記ガラス基板及び前記第１導電層の上方に誘電体層を形成することと、
前記誘電体層の一部を覆うマスクを形成して、前記誘電体層を除去することと、
前記第１導電層の表面の端部をエッチングすることと、
前記ガラス基板、前記第１導電層、及び前記誘電体層の上方に第２シード層を形成することと、
前記第２シード層の一部の上に第２導電層を形成することと、
前記第２導電層を覆うマスクを形成して、前記第２シード層を除去することと、
前記ガラス基板の表面、前記第１シード層、前記第１導電層、前記誘電体層、前記第２シード層、及び前記第２導電層を覆うように第１絶縁層を形成することと
を備える、
配線基板の製造方法。
【請求項18】
前記第１導電層の表面の端部をエッチングすることは、前記第１導電層の前記表面の端部に、表面粗さが３０ｎｍ以上７０ｎｍ以下の範囲の荒れを生成することを含む、
請求項１７記載の配線基板の製造方法。
請求項１７記載の配線基板の製造方法。
【請求項19】
前記第２シード層を除去することは、前記第２シード層の厚さの１．２倍以上４０倍以下の範囲で前記第２シード層をエッチングすることを含む、
請求項１７または１８記載の配線基板の製造方法。
請求項１７または１８記載の配線基板の製造方法。
【請求項20】
前記第１絶縁層を形成することは、前記第２シード層の除去によって前記第１導電層の一部が除去された部分に、前記第１絶縁層を埋め込むことを含む、
請求項１９記載の配線基板の製造方法。
請求項１９記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、配線基板及び配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
ガラス材料をコア基板として用いた多層配線基板が知られている。多層配線基板は、ガラスインターポーザとして多用されている。多層配線基板には、受動回路の一部として、誘電体層を金属層と金属層で挟持したＭＩＭ（Metal Insulator Metal）構造を有するキャパシタが形成されることがある。
【0003】
ＭＩＭ構造のキャパシタは、例えば、次のように形成される。まず、ガラス基板の上方に第１シード層を設け、第１シード層を用いてめっき等により第１導電層を設けて、第１シード層及び第１導電層をキャパシタの下部電極（金属層）とする。次に、当該下部電極の上方に誘電体層を設ける。次に、当該誘電体層の上方に第２シード層を設け、第２シード層を用いてめっき等により第２導電層を設けて、第２シード層及び第２導電層をキャパシタの上部電極（金属層）とする。ＭＩＭ構造のキャパシタ形成後、当該キャパシタを覆うように第１絶縁層（例えば、樹脂）が形成される。
【0004】
特許文献１には、ＭＩＭ構造のキャパシタの下部電極と誘電体層との境界付近に段差を形成した構造が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】国際公開第２０１９／２４４３８２号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
シード層を用いて下部電極や上部電極を形成するＭＩＭ構造のキャパシタにおいては、シード層の膜厚が薄いことから、シード層を除去する際に、例えば、下部電極（導電層）のサイドエッチングが発生しやすい。
【0007】
誘電体層の下に下部電極がサイドエッチングされた部分が発生した場合、樹脂（絶縁層）によってＭＩＭ構造のキャパシタを覆う際に、サイドエッチングされた部分において、樹脂が誘電体層と下部電極との接触部分に到達しない箇所が発生する場合がある。この場合、誘電体層及び下部電極と樹脂との密着力が弱くなり、誘電体層及び下部電極と樹脂との間で剥離が発生する可能性がある。即ち、キャパシタと絶縁層との間で剥離が発生する可能性がある。
【0008】
本発明は、キャパシタと絶縁層との密着性を十分に確保し、キャパシタと絶縁層との間の剥離の発生を抑制し得る技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
本発明の一側面によると、第１面を有するガラス基板と、前記ガラス基板の前記第１面の上方に設けられる第１電極、前記第１電極の上方に設けられる誘電体層、及び前記誘電体層の上方に設けられる第２電極を含むキャパシタと、前記ガラス基板の前記第１面及び前記キャパシタを覆う第１絶縁層とを備え、前記誘電体層の第２面と向かい合う前記第１電極の第３面は、前記誘電体層の前記第２面と接触している接触部と、前記誘電体層の前記第２面と接触していない非接触部とを含み、前記接触部の外周は、鋸歯状の形状を有する配線基板が提供される。
【0010】
本発明の他の側面によると、前記接触部のＬＥＲ（Line Edge Roughness）は、１０００ｎｍ以上５０００ｎｍ以下である上記側面に係る配線基板が提供される。
【0011】
本発明の更に他の側面によると、前記誘電体層の前記第２面の外周は、矩形の形状を有する上記側面の何れかに係る配線基板が提供される。
【0012】
本発明の更に他の側面によると、前記第１電極は、第１シード層と第１導電層とを積層した構造を含み、前記接触部の前記外周は、前記第１シード層の厚さの１．２倍以上４０倍以下の範囲で前記誘電体層の端面よりも内側に位置する上記側面の何れかに係る配線基板が提供される。
【0013】
本発明の更に他の側面によると、前記第２電極は、第２シード層と第２導電層とを積層した構造を含み、前記接触部の前記外周は、前記第２シード層の厚さの１．２倍以上４０倍以下の範囲で前記誘電体層の端面よりも内側に位置する上記側面の何れかに係る配線基板が提供される。
【0014】
本発明の更に他の側面によると、前記接触部の前記外周と前記誘電体層の端面との間の距離は、０μｍよりも大きく１２μｍ以下である上記側面の何れかに係る配線基板が提供される。
【0015】
本発明の更に他の側面によると、前記接触部における前記第１電極の厚さは、前記非接触部における前記第１電極の厚さよりも厚い上記側面の何れかに係る配線基板が提供される。
【0016】
本発明の更に他の側面によると、前記誘電体層は、透過性を有する材料からなる上記側面の何れかに係る配線基板が提供される。
【0017】
本発明の更に他の側面によると、前記第１電極の前記第３面のサイズは、前記誘電体層の前記第２面のサイズよりも大きい上記側面の何れかに係る配線基板が提供される。
【0018】
本発明の更に他の側面によると、前記第２面と向かい合う前記誘電体層の第４面のサイズは、前記誘電体層の前記第４面と向かい合う前記第２電極の第５面のサイズよりも大きい上記側面の何れかに係る配線基板が提供される。
【0019】
本発明の更に他の側面によると、前記第１絶縁層は、絶縁樹脂からなる上記側面の何れかに係る配線基板が提供される。
【0020】
本発明の更に他の側面によると、前記第１電極と前記誘電体層との間に設けられる密着層を更に備える上記側面の何れかに係る配線基板が提供される。
【0021】
本発明の更に他の側面によると、ガラス基板の上方に第１シード層を形成することと、前記第１シード層の一部の上に第１導電層を形成することと、前記第１シード層及び前記第１導電層の上方に誘電体層を形成することと、前記誘電体層の上方に第２シード層を形成することと、前記第２シード層の一部の上に第２導電層を形成することと、前記第２導電層を覆うマスクを形成して、前記第２シード層及び前記誘電体層を除去することと、前記第１導電層の表面の端部をエッチングすることと、前記第１シード層を除去することと、前記ガラス基板の表面、前記第１シード層、前記第１導電層、前記誘電体層、前記第２シード層、及び前記第２導電層を覆うように第１絶縁層を形成することとを備える配線基板の製造方法が提供される。
【0022】
本発明の更に他の側面によると、前記第１導電層の表面の端部をエッチングすることは、前記第１導電層の前記表面の端部に、表面粗さが３０ｎｍ以上７０ｎｍ以下の範囲の荒れを生成することを含む上記側面に係る配線基板の製造方法が提供される。
【0023】
本発明の更に他の側面によると、前記第１シード層を除去することは、前記第１シード層の厚さの１．２倍以上４０倍以下の範囲で前記第１シード層をエッチングすることを含む上記側面の何れかに係る配線基板の製造方法が提供される。
【0024】
本発明の更に他の側面によると、前記第１絶縁層を形成することは、前記第１シード層の除去によって前記第１導電層の一部が除去された部分に、前記第１絶縁層を埋め込むことを含む上記側面に係る配線基板の製造方法が提供される。
【0025】
本発明の更に他の側面によると、ガラス基板の上方に第１シード層を形成することと、前記第１シード層の一部の上に第１導電層を形成することと、前記第１シード層を除去することと、前記ガラス基板及び前記第１導電層の上方に誘電体層を形成することと、前記誘電体層の一部を覆うマスクを形成して、前記誘電体層を除去することと、前記第１導電層の表面の端部をエッチングすることと、前記ガラス基板、前記第１導電層、及び前記誘電体層の上方に第２シード層を形成することと、前記第２シード層の一部の上に第２導電層を形成することと、前記第２導電層を覆うマスクを形成して、前記第２シード層を除去することと、前記ガラス基板の表面、前記第１シード層、前記第１導電層、前記誘電体層、前記第２シード層、及び前記第２導電層を覆うように第１絶縁層を形成することとを備える配線基板の製造方法が提供される。
【0026】
本発明の更に他の側面によると、前記第１導電層の表面の端部をエッチングすることは、前記第１導電層の前記表面の端部に、表面粗さが３０ｎｍ以上７０ｎｍ以下の範囲の荒れを生成することを含む上記側面に係る配線基板の製造方法が提供される。
【0027】
本発明の更に他の側面によると、前記第２シード層を除去することは、前記第２シード層の厚さの１．２倍以上４０倍以下の範囲で前記第２シード層をエッチングすることを含む上記側面の何れかに係る配線基板の製造方法が提供される。
【0028】
本発明の更に他の側面によると、前記第１絶縁層を形成することは、前記第２シード層の除去によって前記第１導電層の一部が除去された部分に、前記第１絶縁層を埋め込むことを含む上記側面に係る配線基板の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【0029】
本発明によれば、キャパシタと絶縁層との密着性を十分に確保し、キャパシタと絶縁層との間の剥離の発生を抑制し得る技術が提供される。
【図面の簡単な説明】
【0030】
【発明を実施するための形態】
【0031】
以下に、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。以下に説明する実施形態は、上記側面の何れかをより具体化したものである。以下に記載する事項は、単独で又は複数を組み合わせて、上記側面の各々に組み入れることができる。
【0032】
また、以下に示す実施形態は、本発明の技術的思想を具体化するための構成を例示するものであって、本発明の技術的思想は、下記の構成部材の材質、形状、及び構造等によって限定されるものではない。本発明の技術的思想には、請求の範囲に記載された請求項が規定する技術的範囲内において、種々の変更を加えることができる。
【0033】
なお、同様又は類似した機能を有する要素については、以下で参照する図面において同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。また、図面は模式的なものであり、或る方向の寸法と別の方向の寸法との関係、及び、或る部材の寸法と他の部材の寸法との関係等は、現実のものとは異なり得る。
【0034】
【0035】
図１に示す配線基板１は、ガラスコア配線基板である。一例によれば、配線基板１は、インターポーザとして使用する配線基板、即ち、ガラスインターポーザである。
【0036】
図１に示すように、配線基板１は、ガラス基板１１、第１密着層１２、第１シード層１３、第１導電層１４、第２密着層１５、誘電体層１６、第３密着層１７、第２シード層１８、第２導電層１９、及び第１絶縁層２１を含む。
【0037】
ガラス基板１１は、光透過性を有する透明のガラス材料である。ガラス基板１１の成分、及び成分の配合比率は、特に限定されない。ガラス基板１１の例としては、珪酸塩を主成分とするガラス材料が挙げられるが、その他のガラス材料であってもよい。ガラス基板１１の具体例としては、無アルカリガラス、アルカリガラス、ホウ珪酸ガラス、石英ガラス、サファイアガラス、感光性ガラス等が挙げられるが、ガラス基板１１に半導体チップを実装して用いる場合には、無アルカリガラスがより好ましい。
【0038】
ガラス基板１１の線膨張係数は、例えば、－１ｐｐｍ／Ｋ以上１５．０ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましい。ガラス基板１１の線膨張係数が－１ｐｐｍ／Ｋ未満である場合、ガラス材料自体を選定することが困難となり安価に作製できない。ガラス基板１１の線膨張係数が１５．０ｐｐｍ／Ｋを超える場合、他層との線膨張係数の差が大きくなり、他層との接続信頼性が低下する。また、ガラス基板１１に半導体チップを実装する場合には半導体チップとの接続信頼性が低下する。なお、ガラス基板１１の線膨張係数は、０．５ｐｐｍ／Ｋ以上８．０ｐｐｍ／Ｋ以下であることがより好ましく、１．０ｐｐｍ／Ｋ以上４．０ｐｐｍ／Ｋ以下であることが更に好ましい。
【0039】
ガラス基板１１の製造方法は、特に限定されない。ガラス基板１１の製造方法の例としては、フロート法、ダウンドロー法、フュージョン法、アップドロー法、ロールアウト法等が挙げられるが、その他の方法であってもよい。即ち、ガラス基板１１としては、いずれの方法によって作製されたガラス材料を用いてもよい。
【0040】
ガラス基板１１の厚さは、例えば、０ｍｍよりも大きく１ｍｍ以下であることが好ましく、ガラス基板１１に貫通孔を形成するプロセスの容易性や製造時のハンドリング性を考慮すると、０．１ｍｍ以上０．８ｍｍ以下であることがより好ましい。
【0041】
ガラス基板１１には、予め反射防止膜又は赤外線（ＩＲ）カットフィルタ等の機能膜が形成されてもよい。また、強度付与、帯電防止付与、着色、テクスチャー制御等の機能が付与されてもよい。これら機能膜の例として、強度付与については、ハードコート膜、帯電防止付与については、帯電防止膜、着色については、光学フィルタ膜、テクスチャー制御については、アンチグレア、光散乱膜等が挙げられるが、これらに限定されない。これら機能膜の形成方法としては、蒸着、スパッタリング法、ウエット方式等の成膜技術が用いられる。
【0042】
ガラス基板１１は、第１面Ｓ１、及び第１面Ｓ１と向かい合う第２面Ｓ２を有する。第１面Ｓ１と第２面Ｓ２とは、平行である。
【0043】
以下では、第１面Ｓ１及び第２面Ｓ２と平行な面をＸＹ平面とする。ＸＹ平面において互いに直交する方向をＸ方向及びＹ方向とする。ＸＹ平面に略垂直な方向をＺ方向とする。また、第１面Ｓ１は、ガラス基板１１の表面とも表記する。第２面Ｓ２は、ガラス基板１１の裏面とも表記する。
【0044】
なお、図１には図示が省略されているが、ガラス基板１１には、各々が第１面Ｓ１から第２面Ｓ２まで達する１以上の貫通孔が設けられている。即ち、貫通孔の各々は、ガラス基板１１をＺ方向に貫通している。
【0045】
貫通孔の各々は、例えば、順テーパ形状を有する。即ち、貫通孔の開口径又は断面積（第１面Ｓ１に対して平行な断面の面積）は、第１面Ｓ１側から第２面Ｓ２側に向かって大きくなっている。
【0046】
貫通孔の各々は、例えば、逆テーパ形状を有してもよい。即ち、貫通孔の開口径又は断面積は、第１面Ｓ１側から第２面Ｓ２側に向かって小さくなっていてもよい。
【0047】
また、貫通孔の各々は、第１面Ｓ１と第２面Ｓ２との間に、貫通孔の開口径又は断面積が極小値をとる位置（以下、「第１位置」と表記する）を有してもよい。即ち、貫通孔の開口径又は断面積は、第１面Ｓ１側から第１位置に向かって小さくなっており、第１位置から第２面Ｓ２側に向かって大きくなっていてもよい。換言すると、貫通孔の各々は、第１面Ｓ１から第１位置までの逆テーパ形状部分、及び第１位置から第２面Ｓ２までの順テーパ形状部分を有する形状であってもよい。
【0048】
貫通孔の各々は、第１面Ｓ１と第２面Ｓ２との間に、貫通孔の開口径又は断面積が極大値をとる位置（以下、「第２位置」と表記する）を有してもよい。即ち、貫通孔の開口径又は断面積は、第１面Ｓ１側から第２位置に向かって大きくなっており、第２位置から第２面Ｓ２側に向かって小さくなっていてもよい。換言すると、貫通孔の各々は、第１面Ｓ１から第２位置までの順テーパ形状部分、及び第２位置から第２面Ｓ２までの逆テーパ形状部分を有する形状であってもよい。
【0049】
第１密着層１２は、ガラス基板１１の第１面Ｓ１上に設けられている。第１密着層１２は、ガラス基板１１と第１シード層１３との密着性を高める。第１密着層１２の材料は、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、ＡｌＳｉ、ＡｌＳｉＣｕ、ＡｌＣｕ、ＮｉＦｅ、Ｃｕ合金単体、またはこれらのうちの複数を組み合わせたものが用いられる。密着性、電気伝導性、製造の容易性の観点及びコスト面を考慮すると、Ｔｉが好ましい。
【0050】
第１密着層１２は、例えば、スパッタリング法によって形成される。なお、ガラス基板１１と第１シード層１３との密着性が十分である場合には、第１密着層１２は設けられなくてもよい。
【0051】
第１密着層１２の厚さは、例えば、１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であることが好ましい。第１密着層１２の厚さが１０ｎｍ未満である場合、密着性が不十分となる可能性がある。第１密着層１２の厚さが１０００ｎｍを超える場合、成膜に時間がかかりすぎて量産性に欠けるばかりでなく、不要部分の除去にも時間がかかる可能性がある。なお、第１密着層１２の厚さは、１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることがより好ましい。
【0052】
第１シード層１３は、第１密着層１２上（ガラス基板１１の第１面Ｓ１の上方）に設けられている。第１密着層１２が設けられない場合、第１シード層１３は、ガラス基板１１の第１面Ｓ１上に設けられる。第１シード層１３は、第１導電層１４をセミアディティブ法で形成する際の電解めっきの給電層として機能する。第１シード層１３の材料は、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、ＡｌＳｉ、ＡｌＳｉＣｕ、ＡｌＣｕ、ＮｉＦｅ、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＡＺＯ、ＺｎＯ、ＰＺＴ、ＴｉＮ、Ｃｕ３Ｎ４、Ｃｕ合金単体、またはこれらのうちの複数を組み合わせたものが用いられる。
【0053】
第１シード層１３は、例えば、スパッタリング法又はＣＶＤ（chemical vapor deposition）法によって形成される。なお、第１シード層１３上に無電解めっき層（無電解銅めっき、無電解ニッケルめっき等）が形成されてもよい。
【0054】
第１シード層１３の厚さは、例えば、５０ｎｍ以上５０００ｎｍ以下であることが好ましい。第１シード層１３の厚さが５０ｎｍ未満である場合、第１導電層１４の電解めっき工程において通電不良が発生する可能性がある。第１シード層１３の厚さが５０００ｎｍを超える場合、不要部分の除去に時間がかかる可能性がある。なお、第１シード層１３の厚さは、１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることがより好ましい。ここで、第１シード層１３の厚さは、第１シード層１３のうち、第１密着層１２上（第１密着層１２が設けられない場合は、ガラス基板１１上）に設けられた部分の厚さである。
【0055】
第１導電層１４は、第１シード層１３上に設けられている。第１導電層１４の材料は、例えば、銅が用いられる。
【0056】
第１導電層１４の形成方法としては、例えば、電解銅めっきが簡便かつ安価であり、電気伝導性が良好であることから好ましい。第１導電層１４は、電解銅めっきの他、電解ニッケルめっき、電解クロムめっき、電解パラジウムめっき、電解金めっき、電解ロジウムめっき、電解イリジウムめっき等で形成されてもよい。
【0057】
第１導電層１４の厚さ（電解銅めっきの厚さ）は、例えば、３μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましい。第１導電層１４の厚さが３μｍ未満の場合、第１導電層１４を形成した後のエッチング処理によって回路が消失する可能性がある。更に、回路の接続信頼性、電気伝導性が低下する可能性がある。第１導電層１４の厚さが３０μｍを超える場合、３０μｍを超える厚さのレジスト層を形成する必要があり、製造コストがかかる。更に、レジスト解像性が低下することから、ピッチ３０μｍ以下の微細な配線形成が困難となる。なお、第１導電層１４の厚さは、５μｍ以上２５μｍ以下であることがより好ましく、１０μｍ以上２０μｍ以下であることが更に好ましい。
【0058】
第１導電層１４は、第３面Ｓ３、及び第３面Ｓ３と向かい合う第４面Ｓ４を有する。第４面Ｓ４は、ガラス基板１１の第１面Ｓ１と向かい合う。以下では、第３面Ｓ３は、第１導電層１４の表面とも表記する。
【0059】
第２密着層１５は、第１導電層１４上に設けられている。第２密着層１５は、第１導電層１４と誘電体層１６との密着性を高める。第２密着層１５には、第１密着層１２について例示する材料を使用することができる。
【0060】
第２密着層１５は、例えば、スパッタリング法によって形成される。なお、第１導電層１４と誘電体層１６との密着性が十分である場合には、第２密着層１５は設けられなくてもよい。
【0061】
第２密着層１５の厚さは、第１密着層１２と同様に、例えば、１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であることが好ましく、１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることがより好ましい。
【0062】
誘電体層１６は、第２密着層１５上（第１導電層１４の上方）に設けられている。第２密着層１５が設けられない場合、誘電体層１６は、第１導電層１４上に設けられる。誘電体層１６の材料は、絶縁性、比誘電率の観点から、例えば、アルミナ、シリカ、シリコンナイトライド、タンタルオキサイド、酸化チタン、チタン酸カルシウム、チタン酸バリウム、及びチタン酸ストロンチウムから選択される少なくとも１つの材料が用いられる。
【0063】
誘電体層１６は、例えば、ＣＶＤ法によって形成される。
【0064】
誘電体層１６の厚さは、例えば、１０ｎｍ以上５０００ｎｍ以下であることが好ましい。誘電体層１６の厚さが１０ｎｍ未満である場合、絶縁性を保つことができずにキャパシタとしての機能が発現しない。誘電体層１６の厚さが５０００ｎｍを超える場合、成膜に時間がかかりすぎて量産性に欠けるばかりでなく、不要部分の除去にも時間がかかる可能性がある。なお、誘電体層１６の厚さは、５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であることがより好ましい。
【0065】
誘電体層１６は、第５面Ｓ５、及び第５面Ｓ５と向かい合う第６面Ｓ６を有する。第６面Ｓ６は、第１導電層１４の第３面Ｓ３と向かい合う。
【0066】
第３密着層１７は、誘電体層１６上に設けられている。第３密着層１７は、誘電体層１６と第２シード層１８との密着性を高める。第３密着層１７には、第１密着層１２について例示する材料を使用することができる。
【0067】
第３密着層１７は、例えば、スパッタリング法によって形成される。誘電体層１６と第２シード層１８との密着性が十分である場合には、第３密着層１７は設けられなくてもよい。
【0068】
第３密着層１７の厚さは、第１密着層１２と同様に、例えば、１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であることが好ましく、１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることがより好ましい。第１密着層１２、第２密着層１５及び第３密着層１７の厚さは、異なってもよいが、構造上単純になるため、同じであることが好ましい。
【0069】
第２シード層１８は、第３密着層１７上（誘電体層１６の上方）に設けられている。第３密着層１７が設けられない場合、第２シード層１８は、誘電体層１６上に設けられる。第２シード層１８は、第２導電層１９をセミアディティブ法で形成する際の電解めっきの給電層として機能する。第２シード層１８には、第１シード層１３について例示する材料を使用することができる。エッチングによる不要部分の除去が簡便になるため、銅が好ましい。
【0070】
第２シード層１８は、例えば、スパッタリング法又はＣＶＤ法によって形成される。なお、第２シード層１８上に無電解めっき層（無電解銅めっき、無電解ニッケルめっき等）が形成されてもよい。
【0071】
第２シード層１８の厚さは、第１シード層１３と同様に、例えば、５０ｎｍ以上５０００ｎｍ以下であることが好ましく、１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることがより好ましい。ここで、第２シード層１８の厚さは、第２シード層１８のうち、第３密着層１７上（第３密着層１７が設けられない場合は、誘電体層１６上）に設けられた部分の厚さである。
【0072】
第２導電層１９は、第２シード層１８上に設けられている。第２導電層１９の材料は、例えば、銅が用いられる。
【0073】
第２導電層１９の形成方法としては、例えば、電解銅めっきが簡便かつ安価であり、電気伝導性が良好であることから好ましい。第２導電層１９は、電解銅めっきの他、電解ニッケルめっき、電解クロムめっき、電解パラジウムめっき、電解金めっき、電解ロジウムめっき、電解イリジウムめっき等で形成されてもよい。
【0074】
第２導電層１９の厚さ（電解銅めっきの厚さ）は、第１導電層１４と同様に、例えば、３μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以上２５μｍ以下であることがより好ましく、１０μｍ以上２０μｍ以下であることが更に好ましい。
【0075】
第２導電層１９は、第７面Ｓ７、及び第７面Ｓ７と向かい合う第８面Ｓ８を有する。第８面Ｓ８は、誘電体層１６の第５面Ｓ５と向かい合う。
【0076】
以上で説明した第１シード層１３、第１導電層１４、誘電体層１６、第２シード層１８、及び第２導電層１９は、ＭＩＭ構造のキャパシタ（以下、「ＭＩＭキャパシタ」と表記する）Ｃ１を構成する。換言すると、配線基板１は、ＭＩＭキャパシタＣ１を含む。第１シード層１３及び第１導電層１４は、ＭＩＭキャパシタＣ１の下部電極ＢＥである。下部電極ＢＥは、第１シード層１３と第１導電層１４とを積層した構造を含み、ガラス基板１１の第１面Ｓ１の上方に設けられる。なお、本明細書では、第１導電層１４のみ、及び第１密着層１２と第１シード層１３と第１導電層１４とを積層した構造も下部電極ＢＥと称する。誘電体層１６は、ＭＩＭキャパシタＣ１の誘電体層である。誘電体層１６は、下部電極ＢＥの上方に設けられる。第２シード層１８及び第２導電層１９は、ＭＩＭキャパシタＣ１の上部電極ＴＥである。上部電極ＴＥは、第２シード層１８と第２導電層１９とを積層した構造を含み、誘電体層１６の上方に設けられる。なお、本明細書では、第２導電層１９のみ、及び第３密着層１７と第２シード層１８と第２導電層１９とを積層した構造も上部電極ＴＥと称する。
【0077】
図１の例では、第１導電層１４の第３面Ｓ３のサイズは、誘電体層１６の第６面Ｓ６のサイズよりも大きい。誘電体層１６の第５面Ｓ５のサイズは、第２導電層１９の第８面Ｓ８のサイズよりも大きい。第１導電層１４、誘電体層１６、及び第２導電層１９をこのようなサイズに形成することにより、下部電極ＢＥと上部電極ＴＥとの間におけるショートの発生を抑制できるとともに、プロセスを簡便にすることができる。
【0078】
第１絶縁層２１は、ガラス基板１１の第１面Ｓ１、第１密着層１２、第１シード層１３、第１導電層１４、第２密着層１５、誘電体層１６、第３密着層１７、第２シード層１８、及び第２導電層１９を被覆する。即ち、第１絶縁層２１は、ガラス基板１１の第１面Ｓ１及びキャパシタＣ１を覆っている。なお、第１絶縁層２１には、第１導電層１４及び第２導電層１９の位置にビアが設けられてもよい。
【0079】
第１絶縁層２１の材料は、例えば、絶縁樹脂が好ましい。絶縁樹脂の成分、及び成分の配合比率、並びに絶縁樹脂の製造方法は特に限定されない。絶縁樹脂の例としては、エポキシ樹脂、ポリイミド、マレイミド樹脂、ポリエチレンテレフタラート、ポリフェニレンオキシド、液晶ポリマー、及びこれらの複合材料、並びに感光性ポリイミド樹脂、感光性ポリベンゾオキサゾール、感光性アクリル－エポキシ樹脂等が挙げられる。
【0080】
第１絶縁層２１の厚さは、例えば、０μｍよりも大きく１００μｍ以下であることが好ましく、第１絶縁層２１にビアを形成するプロセスの容易性や製造時のハンドリング性を考慮すると、１０μｍ以上５０μｍ以下であることがより好ましい。
【0081】
【0082】
図２に示すように、誘電体層１６の端部の下には、誘電体層１６と第１導電層１４（下部電極ＢＥ）との間に、第１絶縁層２１が埋め込まれた部分がある。この部分は、例えば、第１シード層１３のエッチング時に、サイドエッチングにより第１導電層１４が除去された部分（以下、「サイドエッチング部ＳＰ」と表記する）である。図２は、サイドエッチング部ＳＰに、後工程で第１絶縁層２１が埋め込まれた状態を示している。
【0083】
換言すると、誘電体層１６の第６面Ｓ６と向かい合う第１導電層１４の第３面Ｓ３は、誘電体層１６の第６面Ｓ６と接触している接触部ＣＰと、誘電体層１６の第６面Ｓ６と接触していない非接触部ＮＰとを含む。即ち、第１導電層１４と誘電体層１６とは、一部において接触している。このため、接触部ＣＰにおける第１導電層１４（下部電極ＢＥ）の厚さは、非接触部ＮＰにおける第１導電層１４の厚さよりも厚い。以下では、第１導電層１４の第３面Ｓ３の接触部ＣＰと非接触部ＮＰとの境界を、「境界ＢＤ」又は「接触部ＣＰの外周ＯＣ１」と表記する。また、接触部ＣＰの外周ＯＣ１と誘電体層１６の端面Ｓ９との間の距離を「距離Ａ」又は「サイドエッチング量Ａ」と表記する。
【0084】
なお、本明細書において、第１導電層１４の接触部ＣＰは、第２密着層１５がない場合には、第１導電層１４の第３面Ｓ３のうちの誘電体層１６の第６面Ｓ６と直接接触している部分を指し、第２密着層１５がある場合には、第１導電層１４の第３面Ｓ３のうちの第２密着層１５と直接接触している部分を指す。また、第１導電層１４と誘電体層１６とが接触しているとは、第２密着層１５がない場合には、第１導電層１４と誘電体層１６とが直接接触している状態を指し、第２密着層１５がある場合には、第１導電層１４と第２密着層１５とが直接接触し、且つ誘電体層１６と第２密着層１５とが直接接触している状態を指す。
【0085】
また、本明細書において、第１導電層１４の非接触部ＮＰは、第２密着層１５がない場合には、第１導電層１４の第３面Ｓ３のうちの誘電体層１６の第６面Ｓ６と直接接触していない部分を指し、第２密着層１５がある場合には、第１導電層１４の第３面Ｓ３のうちの第２密着層１５と直接接触していない部分を指す。また、第１導電層１４と誘電体層１６とが接触していないとは、第２密着層１５がない場合には、第１導電層１４と誘電体層１６とが直接接触していない状態を指し、第２密着層１５がある場合には、第１導電層１４と第２密着層１５とが直接接触しておらず、且つ誘電体層１６と第２密着層１５とが直接接触している状態を指す。
【0086】
第１シード層１３をエッチングする際に、第１シード層１３のエッチング量を第１シード層１３の厚さに調整することにより、第１導電層１４のサイドエッチングが発生しないようにすることは可能である。しかしながら、第１シード層１３の厚さのばらつきを考慮すると、第１シード層１３を除去しきれない箇所が発生する可能性がある。このため、本実施形態では、第１シード層１３の厚さのばらつきも考慮して、第１シード層１３をエッチングする際に、第１導電層１４のサイドエッチング量Ａが第１シード層１３の厚さよりも大きくなるように、第１シード層１３のエッチング量を調整する。このように調整することにより、良好な品質を得ることができる。
【0087】
第１導電層１４のサイドエッチング量Ａは、例えば、第１シード層１３の厚さをＴとすると、以下の式のように表される。
Ａ＝ Ｔ × １．２～４０
１．２≦ Ａ／Ｔ ≦ ４０
即ち、第１導電層１４のサイドエッチング量Ａは、第１シード層１３の厚さＴの１．２倍以上４０倍以下であることが好ましい。換言すると、上記の式を満たすように第１シード層１３のエッチング量を調整することが好ましい。これにより、第１導電層１４の接触部ＣＰの外周ＯＣ１は、例えば、第１シード層１３の厚さＴの１．２倍以上４０倍以下の範囲で誘電体層１６の端面Ｓ９よりも内側に位置する。サイドエッチング量Ａが第１シード層１３のエッチング量の１．２倍未満である場合、第１シード層１３の膜が残る箇所が発生する可能性がある。サイドエッチング量Ａが第１シード層１３のエッチング量の４０倍を超える場合、第１絶縁層２１の形成時にサイドエッチング部ＳＰへの樹脂の入り込みが不足してサイドエッチング部ＳＰにボイドが発生し、キャパシタＣ１と第１絶縁層２１との密着性が悪化する可能性がある。また、誘電体層１６と第１導電層１４との接触部分が小さくなるため、少しの応力がかかることにより、誘電体層１６の割れが発生する可能性がある。
Ａ＝ Ｔ × １．２～４０
１．２≦ Ａ／Ｔ ≦ ４０
即ち、第１導電層１４のサイドエッチング量Ａは、第１シード層１３の厚さＴの１．２倍以上４０倍以下であることが好ましい。換言すると、上記の式を満たすように第１シード層１３のエッチング量を調整することが好ましい。これにより、第１導電層１４の接触部ＣＰの外周ＯＣ１は、例えば、第１シード層１３の厚さＴの１．２倍以上４０倍以下の範囲で誘電体層１６の端面Ｓ９よりも内側に位置する。サイドエッチング量Ａが第１シード層１３のエッチング量の１．２倍未満である場合、第１シード層１３の膜が残る箇所が発生する可能性がある。サイドエッチング量Ａが第１シード層１３のエッチング量の４０倍を超える場合、第１絶縁層２１の形成時にサイドエッチング部ＳＰへの樹脂の入り込みが不足してサイドエッチング部ＳＰにボイドが発生し、キャパシタＣ１と第１絶縁層２１との密着性が悪化する可能性がある。また、誘電体層１６と第１導電層１４との接触部分が小さくなるため、少しの応力がかかることにより、誘電体層１６の割れが発生する可能性がある。
【0088】
また、第１導電層１４のサイドエッチング量Ａは、例えば、０μｍよりも大きく１２μｍ以下であることが好ましい。サイドエッチング量Ａが０μｍである場合、上述のように、第１シード層１３の膜が残る箇所が発生する可能性がある。サイドエッチング量Ａが１２μｍを超える場合、上述のように、サイドエッチング部ＳＰにボイドが発生し、キャパシタＣ１と第１絶縁層２１との密着性が悪化する可能性がある。また、上述のように、誘電体層１６の割れが発生する可能性がある。
【0089】
なお、第１絶縁層２１に使用される絶縁樹脂には、フィラーが含まれていてもよい。絶縁樹脂にフィラーが含まれる場合、フィラーの最大粒径は、第１シード層１３の厚さＴ以下であることが好ましい。フィラーの最大粒径が第１シード層１３の厚さＴよりも大きい場合、サイドエッチング部ＳＰにフィラーが入り込まず、絶縁樹脂の充填が不十分になり、サイドエッチング部ＳＰにボイドが発生し、キャパシタＣ１と第１絶縁層２１との密着性が悪化する可能性がある。また、誘電体層１６と第１導電層１４との接触部分が小さくなるため、少しの応力がかかることにより、誘電体層１６の割れが発生する可能性がある。
【0090】
一方、絶縁樹脂にフィラーが含まれない場合、絶縁樹脂の流動性がフィラー含有の絶縁樹脂よりも優れるため、サイドエッチング部ＳＰへの絶縁樹脂の充填率は、フィラー含有の絶縁樹脂よりも高くなる。このため、キャパシタＣ１と第１絶縁層２１との密着性を十分に確保し、誘電体層１６の割れの発生を抑制できる。
【0091】
図３は、図１に示す配線基板１の上面図である。図３には、第１導電層１４の接触部ＣＰの外周ＯＣ１が実線で示されている。なお、図３において、ガラス基板１１、第１密着層１２、第１シード層１３、第２密着層１５、第３密着層１７、第２シード層１８、及び第１絶縁層２１は、図示を省略している。
【0092】
図３に示すように、第１導電層１４の接触部ＣＰの外周ＯＣ１は、上面視で（Ｚ方向から見て）、鋸歯状の形状（ガタツキ）を有する。即ち、接触部ＣＰの外周ＯＣ１は、上面視で直線ではない。換言すると、接触部ＣＰの外周ＯＣ１と誘電体層１６の端面Ｓ９との間の距離Ａは、一定ではない。これにより、第１絶縁層２１の形成時に、サイドエッチング部ＳＰにおいて、鋸歯状の形状を有する接触部ＣＰの外周ＯＣ１の凹凸の凹み部分に樹脂が入り込む。このため、アンカー効果により、樹脂が第１導電層１４及び誘電体層１６と強固に密着することが可能となる。
【0093】
なお、誘電体層１６は、透過性を有する材料であってもよい。透過性を有する材料は、例えば、シリコンナイトライド、酸化シリコン等である。誘電体層１６として透過性を有する材料を用いることにより、上面視で、境界ＢＤ（接触部ＣＰの外周ＯＣ１）を確認することができる。
【0094】
また、ミクロトームや集束イオンビーム（ＦＩＢ）等を用いて試料の連続断面スライスと断面観察を交互に行い、得られた二次元連続画像を三次元再構築する方法として、例えば、シリアルセクショニング法がある。この方法を使用することにより、上面視で、境界ＢＤ（接触部ＣＰの外周ＯＣ１）が鋸歯状の形状を有する（直線ではない）ことを確認することができる。
【0095】
図３に示すように、誘電体層１６の第６面Ｓ６の外周ＯＣ２は、矩形の形状を有する。これにより、誘電率のばらつきが抑制されるため、キャパシタＣ１の静電容量が安定化する。
【0096】
図４は、図３に示す配線基板１の一部（領域Ｒ２）を拡大して示す上面図である。なお、図４において、ガラス基板１１、第１密着層１２、第１シード層１３、第２密着層１５、第３密着層１７、第２シード層１８、及び第１絶縁層２１は、図示を省略している。
【0097】
ここで、Ｘ方向における第１導電層１４のサイドエッチング量Ａの最大値と最小値との差、及びＹ方向における第１導電層１４のサイドエッチング量Ａの最大値と最小値との差を、第１導電層１４の接触部ＣＰのＬＥＲ（Line Edge Roughness）と定義する。ＬＥＲは、例えば、１０００ｎｍ以上５０００ｎｍ以下であることが好ましい。ＬＥＲが１０００ｎｍ未満である場合、アンカー効果が得られず、第１絶縁層２１と、第１導電層１４及び誘電体層１６との密着性が不十分となり、第１絶縁層２１と、第１導電層１４及び誘電体層１６との間で剥離が発生する可能性がある。ＬＥＲが５０００ｎｍを超える場合、キャパシタＣ１の寄生容量がばらつく可能性がある。
【0098】
＜１．２＞配線基板の製造方法
上記の配線基板１は、例えば、以下の方法により製造することができる。
上記の配線基板１は、例えば、以下の方法により製造することができる。
【0099】
【0100】
＜１．２．１＞第１工程
図５には図示されていないが、この方法では、まず、ガラス基板１１に、ガラス基板１１の表面から裏面に貫通する１以上の貫通孔を形成する。ガラス基板１１としては、上述した方法によって作製されたガラス材料が使用される。ガラス基板１１の厚さは、例えば、０ｍｍよりも大きく１ｍｍ以下の範囲の厚さとすることができる。貫通孔は、例えば、レーザ光照射によって形成される。形成された貫通孔は、上述したいずれかの形状を有する。
図５には図示されていないが、この方法では、まず、ガラス基板１１に、ガラス基板１１の表面から裏面に貫通する１以上の貫通孔を形成する。ガラス基板１１としては、上述した方法によって作製されたガラス材料が使用される。ガラス基板１１の厚さは、例えば、０ｍｍよりも大きく１ｍｍ以下の範囲の厚さとすることができる。貫通孔は、例えば、レーザ光照射によって形成される。形成された貫通孔は、上述したいずれかの形状を有する。
【0101】
＜１．２．２＞第２工程
次に、図５に示すように、ガラス基板１１の表面及び貫通孔内に第１密着層１２及び第１シード層１３をこの順に形成する。これにより、ガラス基板１１の上方及び貫通孔内に第１シード層１３が形成される。
次に、図５に示すように、ガラス基板１１の表面及び貫通孔内に第１密着層１２及び第１シード層１３をこの順に形成する。これにより、ガラス基板１１の上方及び貫通孔内に第１シード層１３が形成される。
【0102】
第１密着層１２は、例えば、スパッタリング法によって形成される。第１密着層１２としては、上述した材料、例えば、チタンが使用される。ガラス基板１１上に形成される第１密着層１２の厚さは、例えば、１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の範囲の厚さとすることができる。
【0103】
第１シード層１３は、例えば、スパッタリング法及び無電解めっきによって形成される。例えば、スパッタリング法により、上述した材料、例えば、銅を形成した後、無電解めっきにより金属層（無電解めっき層）を付加形成する。第１シード層１３をスパッタリング法のみで形成すると、貫通孔の内壁に金属膜が均一に形成できない可能性がある。このため、スパッタリング法により銅を形成した後に無電解めっきにより金属層を増強するのが好ましい。無電解めっきの例としては、無電解銅めっき、無電解ニッケルめっき等が挙げられるが、ガラス又はチタン、銅との密着性がよいことから無電解ニッケルめっきが好ましい。
【0104】
無電解ニッケルめっき層の厚さが厚過ぎると、微細な配線形成が困難となる可能性がある。また、膜応力が増加することによって、密着性が低下する可能性がある。このため、無電解ニッケルめっき層の厚さは、０μｍよりも大きく１μｍ以下の範囲の厚さとすることができる。なお、無電解ニッケルめっき層の厚さは、０μｍよりも大きく０．５μｍ以下であることがより好ましく、０μｍよりも大きく０．３μｍ以下であることが更に好ましい。
【0105】
また、無電解ニッケルめっき層には、還元剤に由来する共析物であるリンや、無電解ニッケルめっき液中に含まれる硫黄や鉛やビスマス等が含まれていてもよい。
【0106】
第１密着層１２上に形成される第１シード層１３の厚さＴは、例えば、５０ｎｍ以上５０００ｎｍ以下の範囲の厚さとすることができる。
【0107】
なお、ガラス基板１１と第１シード層１３との密着性が十分である場合には、第１密着層１２は設けられなくてもよい。この場合、本工程では、ガラス基板１１の表面及び貫通孔内に第１シード層１３を形成する。
【0108】
＜１．２．３＞第３工程
次に、図５に示すように、第１シード層１３上にマスクパターン（以下、「マスク」とも表記する）を形成する。マスクパターンは、例えば、第１シード層１３上にレジスト層５１を設け、第１導電層１４が設けられる部分が露出するように位置合わせを行い、フォトリソグラフィー法によって、レジスト層５１へのパターン露光及び現像を行うことにより形成される。形成されたマスクパターン（レジスト層５１）は、第１導電層１４に対応する位置に開口部を有している。レジスト層５１としては、ネガ型ドライフィルムレジスト、ネガ型液状レジスト、ポジ型液状レジストが挙げられるが、レジスト層５１の形成が簡便でかつ安価であるため、ネガ型ドライフィルムレジストが好ましい。
次に、図５に示すように、第１シード層１３上にマスクパターン（以下、「マスク」とも表記する）を形成する。マスクパターンは、例えば、第１シード層１３上にレジスト層５１を設け、第１導電層１４が設けられる部分が露出するように位置合わせを行い、フォトリソグラフィー法によって、レジスト層５１へのパターン露光及び現像を行うことにより形成される。形成されたマスクパターン（レジスト層５１）は、第１導電層１４に対応する位置に開口部を有している。レジスト層５１としては、ネガ型ドライフィルムレジスト、ネガ型液状レジスト、ポジ型液状レジストが挙げられるが、レジスト層５１の形成が簡便でかつ安価であるため、ネガ型ドライフィルムレジストが好ましい。
【0109】
第１シード層１３上に形成されるレジスト層５１の厚さは、第１導電層１４の厚さにも依存するが、例えば、５μｍ以上２５μｍ以下の範囲の厚さとすることができる。レジスト層５１の厚さが５μｍ未満である場合、第１導電層１４となる電解めっき層を５μｍ以上の厚さに形成できなくなり、回路の接続信頼性が低下する可能性がある。レジスト層５１の厚さが２５μｍを超える場合、ピッチ３０μｍ以下の微細配線を形成することが困難となる。
【0110】
＜１．２．４＞第４工程
次に、図６に示すように、第１シード層１３に給電し、メッキ液に浸漬することによって、マスクパターン（レジスト層５１）が形成されていない第１シード層１３上（第１シード層１３の一部の上）に、第１導電層１４である金属層（電解めっき層）を形成する。電解めっきの例としては、例えば、電解銅めっきである。第１シード層１３上に形成される第１導電層１４の厚さは、例えば、３μｍ以上３０μｍ以下の範囲の厚さとすることができる。
次に、図６に示すように、第１シード層１３に給電し、メッキ液に浸漬することによって、マスクパターン（レジスト層５１）が形成されていない第１シード層１３上（第１シード層１３の一部の上）に、第１導電層１４である金属層（電解めっき層）を形成する。電解めっきの例としては、例えば、電解銅めっきである。第１シード層１３上に形成される第１導電層１４の厚さは、例えば、３μｍ以上３０μｍ以下の範囲の厚さとすることができる。
【0111】
＜１．２．５＞第５工程
次に、図７に示すように、レジスト層５１を除去し、第１シード層１３の一部を露出させる。レジスト層５１の除去方法は、何ら特定の方法に限定されるものではないが、例えば、アルカリ水溶液によって剥離除去することができる。
次に、図７に示すように、レジスト層５１を除去し、第１シード層１３の一部を露出させる。レジスト層５１の除去方法は、何ら特定の方法に限定されるものではないが、例えば、アルカリ水溶液によって剥離除去することができる。
【0112】
＜１．２．６＞第６工程
次に、図８に示すように、第１シード層１３及び第１導電層１４を覆うように第２密着層１５を形成した後、第２密着層１５上に、誘電体層１６、第３密着層１７、及び第２シード層１８をこの順に形成する。これにより、第１シード層１３及び第１導電層１４の上方に誘電体層１６が形成される。誘電体層１６の上方に第２シード層１８が形成される。第２密着層１５、誘電体層１６、第３密着層１７、及び第２シード層１８の形成方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、ＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy）法、レーザアブレーション法、ＣＶＤ法等が挙げられるが、これらに限定されない。
次に、図８に示すように、第１シード層１３及び第１導電層１４を覆うように第２密着層１５を形成した後、第２密着層１５上に、誘電体層１６、第３密着層１７、及び第２シード層１８をこの順に形成する。これにより、第１シード層１３及び第１導電層１４の上方に誘電体層１６が形成される。誘電体層１６の上方に第２シード層１８が形成される。第２密着層１５、誘電体層１６、第３密着層１７、及び第２シード層１８の形成方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、ＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy）法、レーザアブレーション法、ＣＶＤ法等が挙げられるが、これらに限定されない。
【0113】
第２密着層１５は、第１密着層１２と同様の方法で形成される。第２密着層１５の材料、並びに第１シード層１３及び第１導電層１４を覆うように形成される第２密着層１５の厚さは、第１密着層１２と同様である。
【0114】
誘電体層１６は、例えば、ＣＶＤ法により形成される。誘電体層１６としては、上述した材料、例えば、シリコンナイトライドが使用される。第２密着層１５上に形成される誘電体層１６の厚さは、例えば、１０ｎｍ以上５０００ｎｍ以下の範囲の厚さとすることができる。
【0115】
第３密着層１７は、第１密着層１２と同様の方法で形成される。第３密着層１７の材料、及び誘電体層１６上に形成される第３密着層１７の厚さは、第１密着層１２と同様である。
【0116】
第２シード層１８は、第１シード層１３と同様の方法で形成される。第２シード層１８の材料、及び第３密着層１７上に形成される第２シード層１８の厚さは、第１シード層１３と同様である。
【0117】
本実施形態では、第１導電層１４の形成後に、第１シード層１３及び第１密着層１２の不要部分を除去することなく、第２密着層１５、誘電体層１６、第３密着層１７、及び第２シード層１８を形成する。このため、第２シード層１８を形成する際に、第２シード層１８の付きまわり性の異常を抑制することができる。この結果、第２導電層１９についても安定して形成することができる。
【0118】
なお、第１導電層１４と誘電体層１６との密着性が十分である場合には、第２密着層１５は設けられなくてもよい。この場合、本工程では、第１シード層１３及び第１導電層１４を覆うように誘電体層１６を形成する。また、誘電体層１６と第２シード層１８との密着性が十分である場合には、第３密着層１７は設けられなくてもよい。この場合、本工程では、誘電体層１６上に第２シード層１８を形成する。
【0119】
＜１．２．７＞第７工程
次に、図９に示すように、第２シード層１８上にマスクパターンを形成する。マスクパターンは、例えば、第２シード層１８上にレジスト層５２を設け、第２導電層１９が設けられる部分が露出するように位置合わせを行い、フォトリソグラフィー法によって、レジスト層５２へのパターン露光及び現像を行うことにより形成される。形成されたマスクパターン（レジスト層５２）は、第２導電層１９に対応する位置に開口部を有している。レジスト層５２の開口部は、断面積（ガラス基板１１の第１面Ｓ１に対して平行な断面の面積）が第１導電層１４の第３面Ｓ３のサイズよりも小さくなるように形成される。レジスト層５２としては、レジスト層５１と同様のレジストが使用される。
次に、図９に示すように、第２シード層１８上にマスクパターンを形成する。マスクパターンは、例えば、第２シード層１８上にレジスト層５２を設け、第２導電層１９が設けられる部分が露出するように位置合わせを行い、フォトリソグラフィー法によって、レジスト層５２へのパターン露光及び現像を行うことにより形成される。形成されたマスクパターン（レジスト層５２）は、第２導電層１９に対応する位置に開口部を有している。レジスト層５２の開口部は、断面積（ガラス基板１１の第１面Ｓ１に対して平行な断面の面積）が第１導電層１４の第３面Ｓ３のサイズよりも小さくなるように形成される。レジスト層５２としては、レジスト層５１と同様のレジストが使用される。
【0120】
＜１．２．８＞第８工程
次に、図９に示すように、第２シード層１８に給電し、メッキ液に浸漬することによって、マスクパターン（レジスト層５２）が形成されていない第２シード層１８上（第２シード層１８の一部の上）に、第２導電層１９である金属層（電解めっき層）を形成する。電解めっきの例としては、例えば、電解銅めっきである。第２シード層１８上に形成される第２導電層１９の厚さは、例えば、３μｍ以上３０μｍ以下の範囲の厚さとすることができる。
次に、図９に示すように、第２シード層１８に給電し、メッキ液に浸漬することによって、マスクパターン（レジスト層５２）が形成されていない第２シード層１８上（第２シード層１８の一部の上）に、第２導電層１９である金属層（電解めっき層）を形成する。電解めっきの例としては、例えば、電解銅めっきである。第２シード層１８上に形成される第２導電層１９の厚さは、例えば、３μｍ以上３０μｍ以下の範囲の厚さとすることができる。
【0121】
＜１．２．９＞第９工程
次に、図１０に示すように、レジスト層５２を除去し、第２シード層１８の一部を露出させる。レジスト層５２の除去方法は、レジスト層５１の除去方法と同様である。
次に、図１０に示すように、レジスト層５２を除去し、第２シード層１８の一部を露出させる。レジスト層５２の除去方法は、レジスト層５１の除去方法と同様である。
【0122】
＜１．２．１０＞第１０工程
次に、図１０に示すように、第２シード層１８及び第２導電層１９上にマスクパターンを形成する。マスクパターンは、レジスト層５３を使用し、上述したマスクパターンと同様の方法で形成することができる。形成されたマスクパターン（レジスト層５３）は、第２シード層１８の一部及び第２導電層１９を覆っている。レジスト層５３は、断面積（ガラス基板１１の第１面Ｓ１に対して平行な断面の面積）が第１導電層１４の第３面Ｓ３のサイズよりも小さく、且つ第２導電層１９の第７面Ｓ７及び第８面Ｓ８のサイズよりも大きくなるように形成される。レジスト層５３としては、レジスト層５１と同様のレジストが使用される。
次に、図１０に示すように、第２シード層１８及び第２導電層１９上にマスクパターンを形成する。マスクパターンは、レジスト層５３を使用し、上述したマスクパターンと同様の方法で形成することができる。形成されたマスクパターン（レジスト層５３）は、第２シード層１８の一部及び第２導電層１９を覆っている。レジスト層５３は、断面積（ガラス基板１１の第１面Ｓ１に対して平行な断面の面積）が第１導電層１４の第３面Ｓ３のサイズよりも小さく、且つ第２導電層１９の第７面Ｓ７及び第８面Ｓ８のサイズよりも大きくなるように形成される。レジスト層５３としては、レジスト層５１と同様のレジストが使用される。
【0123】
次に、図１１に示すように、第２シード層１８、第３密着層１７、誘電体層１６、及び第２密着層１５の不要部分をエッチングにより除去する。除去方法としては、化学エッチング又はドライエッチングを用いることができる。各層で異なる除去方法を採用してもよいし、全ての層で同じ除去方法を採用してもよい。レジスト層５３は、断面積が上述のサイズになるように形成されるため、第２シード層１８、第３密着層１７、誘電体層１６、及び第２密着層１５は、図１１に示すように、例えば、第２シード層１８、第３密着層１７、誘電体層１６、及び第２密着層１５の各々の端面が、第１導電層１４の端面Ｓ１０よりも内側、且つ第２導電層１９の端面Ｓ１１よりも外側に位置するように、エッチングされる。即ち、誘電体層１６は、第１導電層１４よりも小さいサイズで形成される。
【0124】
なお、第２シード層１８及び第３密着層１７の不要部分の除去は、本工程で実施することに限定されず、例えば、本工程の前に第２導電層１９をマスクとして、第２シード層１８及び第３密着層１７の不要部分が除去されてもよい。
【0125】
＜１．２．１１＞第１１工程
次に、図１１に示すように、レジスト層５３を除去し、第２シード層１８の一部及び第２導電層１９を露出させる。レジスト層５３の除去方法は、レジスト層５１の除去方法と同様である。
次に、図１１に示すように、レジスト層５３を除去し、第２シード層１８の一部及び第２導電層１９を露出させる。レジスト層５３の除去方法は、レジスト層５１の除去方法と同様である。
【0126】
＜１．２．１２＞第１２工程
次に、第１導電層１４の表面の端部（露出部）をエッチングする。これにより、図１２に示すように、第１導電層１４の表面の端部に荒れが生成される。以下、本工程のエッチング処理を「シード層エッチング前処理」とも表記する。図１２は、図１１に示す断面図の一部（領域Ｒ３）を拡大して示す断面図である。なお、図１２において、第１シード層１３、第２密着層１５、第３密着層１７、及び第２シード層１８は、図示を省略している。
次に、第１導電層１４の表面の端部（露出部）をエッチングする。これにより、図１２に示すように、第１導電層１４の表面の端部に荒れが生成される。以下、本工程のエッチング処理を「シード層エッチング前処理」とも表記する。図１２は、図１１に示す断面図の一部（領域Ｒ３）を拡大して示す断面図である。なお、図１２において、第１シード層１３、第２密着層１５、第３密着層１７、及び第２シード層１８は、図示を省略している。
【0127】
本工程では、エッチングにより、第１導電層１４の表面の端部に、表面粗さが３０ｎｍ以上７０ｎｍ以下の範囲の荒れを生成する。例えば、第１導電層１４の表面の表面粗さが３０ｎｍ以上７０ｎｍ以下の範囲になるように、後述する第１３工程の第１シード層１３の除去処理で使用されるエッチング液の濃度、処理時間、及び処理温度を調節してエッチングを行うことができる。表面粗さが３０ｎｍ未満である場合、後述する第１４工程の第１絶縁層２１形成時にアンカー効果が発現されなくなるため、第１導電層１４及び誘電体層１６と第１絶縁層２１との密着力が弱くなり、第１絶縁層２１が剥離しやすくなる。表面粗さが７０ｎｍを超える場合、誘電体層１６と第１導電層１４との界面にサイドエッチングが入りやすくなるため、誘電体層１６と第１導電層１４との接触部分が小さくなる。当該接触部分に応力が集中する。このため、誘電体層１６と第１導電層１４との密着力が弱くなり、誘電体層１６が剥離しやすくなる。なお、本明細書において、表面粗さは、算術平均粗さＲａに対応する。算術平均粗さＲａは、ＪＩＳ Ｂ０６０１：２００１で規定される表面性状パラメータである。
【0128】
＜１．２．１３＞第１３工程
次に、第１シード層１３及び第１密着層１２の不要部分をエッチングにより除去する。除去方法としては、化学エッチング又はドライエッチングを用いることができる。各層で異なる除去方法を採用してもよいし、全ての層で同じ除去方法を採用してもよい。例えば、第１シード層１３の無電解めっき層及び銅層、並びに第１密着層１２を順次化学エッチングにより除去する方法を用いることができるが、これに限定されない。エッチング液の種類は、除去する金属の種類により適宜選択される。
次に、第１シード層１３及び第１密着層１２の不要部分をエッチングにより除去する。除去方法としては、化学エッチング又はドライエッチングを用いることができる。各層で異なる除去方法を採用してもよいし、全ての層で同じ除去方法を採用してもよい。例えば、第１シード層１３の無電解めっき層及び銅層、並びに第１密着層１２を順次化学エッチングにより除去する方法を用いることができるが、これに限定されない。エッチング液の種類は、除去する金属の種類により適宜選択される。
【0129】
本工程では、第１導電層１４のサイドエッチング量Ａが第１シード層１３の厚さＴの１．２倍以上４０倍以下の範囲になるように、第１シード層１３をエッチングする。例えば、第１シード層１３の厚さＴの１．２倍以上４０倍以下の範囲で第１シード層１３をエッチングすることができる。
【0130】
本工程により、図２に示すように、第１導電層１４がサイドエッチングされることによって、サイドエッチング部ＳＰが形成される。第１２工程において第１導電層１４の表面の端部に荒れが生成されるため、本工程の第１シード層１３の除去時の誘電体層１６の端部の下へのエッチング液の侵入に差が生じる。このため、図３に示すように、第１導電層１４の接触部ＣＰの外周ＯＣ１は鋸歯状の形状となる。
【0131】
＜１．２．１４＞第１４工程
次に、真空ラミネーターやロールコーター等を用いて、ガラス基板１１の表面、第１密着層１２、第１シード層１３、第１導電層１４、第２密着層１５、誘電体層１６、第３密着層１７、第２シード層１８、及び第２導電層１９を覆うように第１絶縁層２１を形成する。このとき、第１シード層１３の除去によって第１導電層１４の一部が除去された部分（サイドエッチング部ＳＰ）に、第１絶縁層２１が埋め込まれる。サイドエッチング部ＳＰにおいて、鋸歯状の形状を有する接触部ＣＰの外周ＯＣ１の凹凸の凹み部分に樹脂が入り込む。このため、アンカー効果により、樹脂が第１導電層１４及び誘電体層１６と強固に密着することが可能となる。これにより、図１に示す配線基板１（ガラス基板１１の表面にキャパシタＣ１が形成された配線基板１）の構造を得る。第１絶縁層２１としては、上述した材料、例えば、絶縁樹脂が使用される。第１絶縁層２１の厚さは、例えば、０μｍよりも大きく１００μｍ以下の範囲の厚さとすることができる。
次に、真空ラミネーターやロールコーター等を用いて、ガラス基板１１の表面、第１密着層１２、第１シード層１３、第１導電層１４、第２密着層１５、誘電体層１６、第３密着層１７、第２シード層１８、及び第２導電層１９を覆うように第１絶縁層２１を形成する。このとき、第１シード層１３の除去によって第１導電層１４の一部が除去された部分（サイドエッチング部ＳＰ）に、第１絶縁層２１が埋め込まれる。サイドエッチング部ＳＰにおいて、鋸歯状の形状を有する接触部ＣＰの外周ＯＣ１の凹凸の凹み部分に樹脂が入り込む。このため、アンカー効果により、樹脂が第１導電層１４及び誘電体層１６と強固に密着することが可能となる。これにより、図１に示す配線基板１（ガラス基板１１の表面にキャパシタＣ１が形成された配線基板１）の構造を得る。第１絶縁層２１としては、上述した材料、例えば、絶縁樹脂が使用される。第１絶縁層２１の厚さは、例えば、０μｍよりも大きく１００μｍ以下の範囲の厚さとすることができる。
【0132】
＜１．２．１５＞第１５工程
次に、図１３に示すように、第１絶縁層２１の第１導電層１４及び第２導電層１９の位置にビアを形成する。
次に、図１３に示すように、第１絶縁層２１の第１導電層１４及び第２導電層１９の位置にビアを形成する。
【0133】
次に、第１絶縁層２１の上面、第１絶縁層２１に設けられたビアの側壁、並びに第１導電層１４及び第２導電層１９のうち当該ビアの位置で露出した部分を被覆するように、第３シード層２２を形成する。第３シード層２２は、第１シード層１３と同様の方法で形成される。第３シード層２２の材料は、第１シード層１３と同様である。なお、第３シード層２２を形成する前に、第１絶縁層２１の上面、第１絶縁層２１に設けられたビアの側壁、並びに第１導電層１４及び第２導電層１９のうち当該ビアの位置で露出した部分を被覆するように、密着層を形成してもよい。
【0134】
次に、第３シード層２２上にマスクパターンを形成する。マスクパターンは、例えば、第３シード層２２上にレジスト層を設け、第３導電層２３が設けられる部分が露出するように位置合わせを行い、フォトリソグラフィー法によって、当該レジスト層へのパターン露光及び現像を行うことにより形成される。形成されたマスクパターン（レジスト層）は、第３導電層２３に対応する位置に開口部を有している。
【0135】
次に、第３シード層２２に給電し、メッキ液に浸漬することによって、マスクパターン（レジスト層）が形成されていない第３シード層２２上に、第３導電層２３である金属層（電解めっき層）を形成する。電解めっきの例としては、例えば、電解銅めっきであることが簡便かつ安価であり、電気伝導性が良好であることから好ましい。第３導電層２３は、電解銅めっきの他、電解ニッケルめっき、電解クロムめっき、電解パラジウムめっき、電解金めっき、電解ロジウムめっき、電解イリジウムめっき等で形成されてもよい。
【0136】
第３導電層２３の厚さ（電解銅めっきの厚さ）は、第１導電層１４と同様に、例えば、３μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以上２５μｍ以下であることがより好ましく、１０μｍ以上２０μｍ以下であることが更に好ましい。
【0137】
次に、レジスト層を除去し、第３シード層２２の一部を露出させる。レジスト層の除去方法は、レジスト層５１の除去方法と同様である。
【0138】
次に、第３シード層２２の不要部分（露出部）をエッチングにより除去する。第３シード層２２の除去方法は、第１シード層１３の除去方法と同様である。
【0139】
次に、第１絶縁層２１、第３シード層２２、及び第３導電層２３を覆うように第２絶縁層２４を形成する。第２絶縁層２４は、第１絶縁層２１と同様の方法で形成される。第２絶縁層２４の材料は、第１絶縁層２１と同様である。
【0140】
次に、第２絶縁層２４の第３導電層２３の位置にビアを形成する。
【0141】
本工程により、第３導電層２３は、第１導電層１４の一部、第２導電層１９、及び第１絶縁層２１の一部の上方に設けられる。第３導電層２３は、第１絶縁層２１に設けられたビアに導電材料が埋め込まれたビア部、第２絶縁層２４のビアの位置で露出したパッド部、及びこれら以外の配線部を含む。第３導電層２３のビア部は、第１導電層１４である配線部、又は第２導電層１９であるキャパシタＣ１の上部電極を第３導電層２３のパッド部に接続している。換言すると、第３導電層２３は、回路形成のための配線及びキャパシタＣ１の引き出し配線として用いられる。なお、第３導電層２３のパッド部は、外部接続端子として形成されてもよい。
【0142】
また、ガラス基板１１の裏面にも、第２乃至第１５工程を実施し、第１密着層１２、第１シード層１３、第１導電層１４、第２密着層１５、誘電体層１６、第３密着層１７、第２シード層１８、第２導電層１９、第１絶縁層２１、第３シード層２２、第３導電層２３、及び第２絶縁層２４を形成する。これにより、図１３に示す配線基板１の構造を得る。なお、図１３において、第２密着層１５、第３密着層１７、及び第２シード層１８は、図示を省略している。
【0143】
なお、配線基板１上の回路や積層構造は、公知のセミアディティブ法又はサブトラクティブ法を用いて形成することができる。
【0144】
配線基板１を形成した後に外部接続端子を形成することもできる。外部接続端子に、はんだボールを形成することもできる。
【0145】
配線基板１において、回路や積層構造、外部接続端子、及びはんだボールは、ガラス基板１１の片面に設けられてもよいし、ガラス基板１１の両面に設けられてもよい。配線基板１には、半導体チップ、及びチップ部品（抵抗、キャパシタ、及びインダクタ等）が搭載されてもよい。
【0146】
＜１．３＞効果
上述した技術は、例えば、以下に記載する効果を奏する。
上述した技術は、例えば、以下に記載する効果を奏する。
【0147】
本実施形態では、エッチングにより第１導電層１４の表面の端部に荒れを生じさせた後、エッチングにより第１シード層１３の不要部分を除去する。その後、第１絶縁層２１によってキャパシタＣ１を覆う。
【0148】
エッチングにより第１シード層１３の不要部分を除去すると、第１導電層１４は等方的にサイドエッチングされる。このとき、第１導電層１４の表面の端部に荒れが存在するため、誘電体層１６の端部の下へのエッチング液の侵入に差が生じる。これにより、第１導電層１４のサイドエッチング量Ａにばらつきが生じる。このため、第１導電層１４の接触部ＣＰの外周ＯＣ１は、鋸歯状の形状となる。
【0149】
第１絶縁層２１によってキャパシタＣ１を覆うと、樹脂はサイドエッチング部ＳＰにも入り込む。このとき、接触部ＣＰの外周ＯＣが鋸歯状の形状を有するため、サイドエッチング部ＳＰにおいて、接触部ＣＰの外周ＯＣ１の凹凸の凹み部分に樹脂が入り込む。このため、アンカー効果により、樹脂が第１導電層１４及び誘電体層１６と強固に密着することが可能となる。
【0150】
従って、本実施形態によれば、キャパシタＣ１と第１絶縁層２１との密着性を十分に確保し、キャパシタＣ１と第１絶縁層２１との間の剥離の発生を抑制できる。
【0151】
＜２＞第２実施形態
本発明の第２実施形態は、配線基板を以下の方法により製造すること以外は、第１実施形態と同様である。
本発明の第２実施形態は、配線基板を以下の方法により製造すること以外は、第１実施形態と同様である。
【0152】
【0153】
第２実施形態に係る配線基板の製造方法では、第１実施形態の第６乃至第１４工程が第１６乃至第２６工程に置き換えられる。以下では、第１６乃至第２６工程について説明する。
【0154】
＜２．１．１＞第１６工程
第１乃至第５工程を実施した後、図１４に示すように、第１シード層１３及び第１密着層１２の不要部分をエッチングにより除去する。除去方法としては、化学エッチング又はドライエッチングを用いることができる。各層で異なる除去方法を採用してもよいし、全ての層で同じ除去方法を採用してもよい。例えば、第１シード層１３の無電解めっき層及び銅層、並びに第１密着層１２を順次化学エッチングにより除去する方法を用いることができるが、これに限定されない。エッチング液の種類は、除去する金属の種類により適宜選択される。
第１乃至第５工程を実施した後、図１４に示すように、第１シード層１３及び第１密着層１２の不要部分をエッチングにより除去する。除去方法としては、化学エッチング又はドライエッチングを用いることができる。各層で異なる除去方法を採用してもよいし、全ての層で同じ除去方法を採用してもよい。例えば、第１シード層１３の無電解めっき層及び銅層、並びに第１密着層１２を順次化学エッチングにより除去する方法を用いることができるが、これに限定されない。エッチング液の種類は、除去する金属の種類により適宜選択される。
【0155】
＜２．１．２＞第１７工程
次に、図１５に示すように、ガラス基板１１の表面、第１密着層１２、第１シード層１３、及び第１導電層１４を覆うように第２密着層１５を形成した後、第２密着層１５上に誘電体層１６を形成する。これにより、ガラス基板１１及び第１導電層１４の上方に誘電体層１６が形成される。第２密着層１５及び誘電体層１６の形成方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、ＭＢＥ法、レーザアブレーション法、ＣＶＤ法等が挙げられるが、これらに限定されない。
次に、図１５に示すように、ガラス基板１１の表面、第１密着層１２、第１シード層１３、及び第１導電層１４を覆うように第２密着層１５を形成した後、第２密着層１５上に誘電体層１６を形成する。これにより、ガラス基板１１及び第１導電層１４の上方に誘電体層１６が形成される。第２密着層１５及び誘電体層１６の形成方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、ＭＢＥ法、レーザアブレーション法、ＣＶＤ法等が挙げられるが、これらに限定されない。
【0156】
なお、第１導電層１４と誘電体層１６との密着性が十分である場合には、第２密着層１５は設けられなくてもよい。この場合、本工程では、ガラス基板１１の表面、第１密着層１２、第１シード層１３、及び第１導電層１４を覆うように誘電体層１６を形成する。
【0157】
＜２．１．３＞第１８工程
次に、図１６に示すように、誘電体層１６上にマスクパターンを形成する。マスクパターンは、レジスト層５４を使用し、第１実施形態で説明したマスクパターンと同様の方法で形成することができる。形成されたマスクパターン（レジスト層５４）は、誘電体層１６の一部を覆っている。レジスト層５４は、断面積（ガラス基板１１の第１面Ｓ１に対して平行な断面の面積）が第１導電層１４の第３面Ｓ３のサイズよりも小さくなるように形成される。レジスト層５４としては、レジスト層５１と同様のレジストが使用される。
次に、図１６に示すように、誘電体層１６上にマスクパターンを形成する。マスクパターンは、レジスト層５４を使用し、第１実施形態で説明したマスクパターンと同様の方法で形成することができる。形成されたマスクパターン（レジスト層５４）は、誘電体層１６の一部を覆っている。レジスト層５４は、断面積（ガラス基板１１の第１面Ｓ１に対して平行な断面の面積）が第１導電層１４の第３面Ｓ３のサイズよりも小さくなるように形成される。レジスト層５４としては、レジスト層５１と同様のレジストが使用される。
【0158】
次に、誘電体層１６及び第２密着層１５の不要部分をエッチングにより除去する。除去方法としては、化学エッチング又はドライエッチングを用いることができる。各層で異なる除去方法を採用してもよいし、全ての層で同じ除去方法を採用してもよい。誘電体層１６は、ドライエッチングにより除去することが好ましい。レジスト層５４は、断面積が上述のサイズになるように形成されるため、誘電体層１６及び第２密着層１５は、図１７に示すように、例えば、誘電体層１６及び第２密着層１５の各々の端面が、第１導電層１４の端面Ｓ１０よりも内側に位置するように、エッチングされる。即ち、誘電体層１６は、第１導電層１４よりも小さいサイズで形成される。
【0159】
＜２．１．４＞第１９工程
次に、図１７に示すように、レジスト層５４を除去し、誘電体層１６を露出させる。レジスト層５４の除去方法は、レジスト層５１の除去方法と同様である。
次に、図１７に示すように、レジスト層５４を除去し、誘電体層１６を露出させる。レジスト層５４の除去方法は、レジスト層５１の除去方法と同様である。
【0160】
＜２．１．５＞第２０工程
次に、図１７に示すように、第１導電層１４の表面の端部（露出部）をエッチングする。これにより、図１８に示すように、第１導電層１４の表面の端部に荒れが生成される。以下、本工程のエッチング処理を「シード層エッチング前処理」とも表記する。図１８は、図１７に示す断面図の一部（領域Ｒ４）を拡大して示す断面図である。なお、図１８において、第１シード層１３及び第２密着層１５は、図示を省略している。
次に、図１７に示すように、第１導電層１４の表面の端部（露出部）をエッチングする。これにより、図１８に示すように、第１導電層１４の表面の端部に荒れが生成される。以下、本工程のエッチング処理を「シード層エッチング前処理」とも表記する。図１８は、図１７に示す断面図の一部（領域Ｒ４）を拡大して示す断面図である。なお、図１８において、第１シード層１３及び第２密着層１５は、図示を省略している。
【0161】
本工程では、エッチングにより、第１導電層１４の表面の端部に、表面粗さが３０ｎｍ以上７０ｎｍ以下の範囲の荒れを生成する。例えば、第１導電層１４の表面の表面粗さが３０ｎｍ以上７０ｎｍ以下の範囲になるように、後述する第２５工程の第２シード層１８の除去処理で使用されるエッチング液の濃度、処理時間、及び処理温度を調節してエッチングを行うことができる。
【0162】
＜２．１．６＞第２１工程
次に、図１９に示すように、ガラス基板１１の表面、第１密着層１２、第１シード層１３、第１導電層１４、第２密着層１５、及び誘電体層１６を覆うように第３密着層１７を形成した後、第３密着層１７上に第２シード層１８を形成する。これにより、ガラス基板１１、第１導電層１４、及び誘電体層１６の上方に第２シード層１８が形成される。第３密着層１７及び第２シード層１８の形成方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、ＭＢＥ法、レーザアブレーション法、ＣＶＤ法等が挙げられるが、これらに限定されない。
次に、図１９に示すように、ガラス基板１１の表面、第１密着層１２、第１シード層１３、第１導電層１４、第２密着層１５、及び誘電体層１６を覆うように第３密着層１７を形成した後、第３密着層１７上に第２シード層１８を形成する。これにより、ガラス基板１１、第１導電層１４、及び誘電体層１６の上方に第２シード層１８が形成される。第３密着層１７及び第２シード層１８の形成方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、ＭＢＥ法、レーザアブレーション法、ＣＶＤ法等が挙げられるが、これらに限定されない。
【0163】
なお、誘電体層１６と第２シード層１８との密着性が十分である場合には、第３密着層１７は設けられなくてもよい。この場合、本工程では、ガラス基板１１の表面、第１密着層１２、第１シード層１３、第１導電層１４、第２密着層１５、及び誘電体層１６を覆うように第２シード層１８を形成する。
【0164】
＜２．１．７＞第２２工程
次に、図１９に示すように、第２シード層１８上にマスクパターンを形成する。マスクパターンは、例えば、第２シード層１８上にレジスト層５５を設け、第２導電層１９が設けられる部分が露出するように位置合わせを行い、フォトリソグラフィー法によって、レジスト層５５へのパターン露光及び現像を行うことにより形成される。形成されたマスクパターン（レジスト層５５）は、第２導電層１９に対応する位置に開口部を有している。レジスト層５５の開口部は、断面積（ガラス基板１１の第１面Ｓ１に対して平行な断面の面積）が第１導電層１４の第３面Ｓ３のサイズよりも小さく、且つ誘電体層１６の第５面Ｓ５のサイズよりも小さくなるように形成される。レジスト層５５としては、レジスト層５１と同様のレジストが使用される。
次に、図１９に示すように、第２シード層１８上にマスクパターンを形成する。マスクパターンは、例えば、第２シード層１８上にレジスト層５５を設け、第２導電層１９が設けられる部分が露出するように位置合わせを行い、フォトリソグラフィー法によって、レジスト層５５へのパターン露光及び現像を行うことにより形成される。形成されたマスクパターン（レジスト層５５）は、第２導電層１９に対応する位置に開口部を有している。レジスト層５５の開口部は、断面積（ガラス基板１１の第１面Ｓ１に対して平行な断面の面積）が第１導電層１４の第３面Ｓ３のサイズよりも小さく、且つ誘電体層１６の第５面Ｓ５のサイズよりも小さくなるように形成される。レジスト層５５としては、レジスト層５１と同様のレジストが使用される。
【0165】
＜２．１．８＞第２３工程
次に、図１９に示すように、第２シード層１８に給電し、メッキ液に浸漬することによって、マスクパターン（レジスト層５５）が形成されていない第２シード層１８上（第２シード層１８の一部の上）に、第２導電層１９である金属層（電解めっき層）を形成する。電解めっきの例としては、例えば、電解銅めっきである。第２シード層１８上に形成される第２導電層１９の厚さは、例えば、３μｍ以上３０μｍ以下の範囲の厚さとすることができる。
次に、図１９に示すように、第２シード層１８に給電し、メッキ液に浸漬することによって、マスクパターン（レジスト層５５）が形成されていない第２シード層１８上（第２シード層１８の一部の上）に、第２導電層１９である金属層（電解めっき層）を形成する。電解めっきの例としては、例えば、電解銅めっきである。第２シード層１８上に形成される第２導電層１９の厚さは、例えば、３μｍ以上３０μｍ以下の範囲の厚さとすることができる。
【0166】
＜２．１．９＞第２４工程
次に、図２０に示すように、レジスト層５５を除去し、第２シード層１８の一部を露出させる。レジスト層５５の除去方法は、レジスト層５１の除去方法と同様である。
次に、図２０に示すように、レジスト層５５を除去し、第２シード層１８の一部を露出させる。レジスト層５５の除去方法は、レジスト層５１の除去方法と同様である。
【0167】
＜２．１．１０＞第２５工程
次に、図２０に示すように、第２シード層１８及び第２導電層１９上にマスクパターンを形成する。マスクパターンは、レジスト層５６を使用し、上述したマスクパターンと同様の方法で形成することができる。形成されたマスクパターン（レジスト層５６）は、第２シード層１８の一部及び第２導電層１９を覆っている。レジスト層５６は、断面積（ガラス基板１１の第１面Ｓ１に対して平行な断面の面積）が第１導電層１４の第３面Ｓ３のサイズよりも小さく、且つ第２導電層１９の第７面Ｓ７及び第８面Ｓ８のサイズよりも大きくなるように形成される。レジスト層５６としては、レジスト層５１と同様のレジストが使用される。
次に、図２０に示すように、第２シード層１８及び第２導電層１９上にマスクパターンを形成する。マスクパターンは、レジスト層５６を使用し、上述したマスクパターンと同様の方法で形成することができる。形成されたマスクパターン（レジスト層５６）は、第２シード層１８の一部及び第２導電層１９を覆っている。レジスト層５６は、断面積（ガラス基板１１の第１面Ｓ１に対して平行な断面の面積）が第１導電層１４の第３面Ｓ３のサイズよりも小さく、且つ第２導電層１９の第７面Ｓ７及び第８面Ｓ８のサイズよりも大きくなるように形成される。レジスト層５６としては、レジスト層５１と同様のレジストが使用される。
【0168】
次に、第２シード層１８及び第３密着層１７の不要部分をエッチングにより除去する。除去方法としては、化学エッチング又はドライエッチングを用いることができる。各層で異なる除去方法を採用してもよいし、全ての層で同じ除去方法を採用してもよい。例えば、第２シード層１８の無電解めっき層及び銅層、並びに第３密着層１７を順次化学エッチングにより除去する方法を用いることができるが、これに限定されない。エッチング液の種類は、除去する金属の種類により適宜選択される。レジスト層５６は、断面積が上述のサイズになるように形成されるため、第２シード層１８及び第３密着層１７は、図１１と同様に、例えば、第２シード層１８及び第３密着層１７の各々の端面が、第１導電層１４の端面Ｓ１０よりも内側、且つ第２導電層１９の端面Ｓ１１よりも外側に位置するように、エッチングされる。
【0169】
本工程では、第１導電層１４のサイドエッチング量Ａが第２シード層１８の厚さの１．２倍以上４０倍以下の範囲になるように、第２シード層１８をエッチングする。例えば、第２シード層１８の厚さの１．２倍以上４０倍以下の範囲で第２シード層１８をエッチングすることができる。
【0170】
本工程により、図２に示すように、第１導電層１４がサイドエッチングされることによって、サイドエッチング部ＳＰが形成される。第２０工程において第１導電層１４の表面の端部に荒れが生成されるため、本工程の第２シード層１８の除去時の誘電体層１６の端部の下へのエッチング液の侵入に差が生じる。このため、図３に示すように、第１導電層１４の接触部ＣＰの外周ＯＣ１は鋸歯状の形状となる。また、第１導電層１４の接触部ＣＰの外周ＯＣ１は、例えば、第２シード層１８の厚さの１．２倍以上４０倍以下の範囲で誘電体層１６の端面Ｓ９よりも内側に位置する。
【0171】
なお、第２シード層１８及び第３密着層１７の不要部分の除去は、本工程で実施することに限定されず、例えば、本工程の前に第２導電層１９をマスクとして、第２シード層１８及び第３密着層１７の不要部分が除去されてもよい。
【0172】
＜２．１．１１＞第２６工程
次に、真空ラミネーターやロールコーター等を用いて、ガラス基板１１の表面、第１密着層１２、第１シード層１３、第１導電層１４、第２密着層１５、誘電体層１６、第３密着層１７、第２シード層１８、及び第２導電層１９を覆うように第１絶縁層２１を形成する。このとき、第２シード層１８の除去によって第１導電層１４の一部が除去された部分（サイドエッチング部ＳＰ）に、第１絶縁層２１が埋め込まれる。これにより、図１に示す配線基板１の構造を得る。第１絶縁層２１としては、上述した材料、例えば、絶縁樹脂が使用される。第１絶縁層２１の厚さは、例えば、０μｍよりも大きく１００μｍ以下の範囲の厚さとすることができる。
次に、真空ラミネーターやロールコーター等を用いて、ガラス基板１１の表面、第１密着層１２、第１シード層１３、第１導電層１４、第２密着層１５、誘電体層１６、第３密着層１７、第２シード層１８、及び第２導電層１９を覆うように第１絶縁層２１を形成する。このとき、第２シード層１８の除去によって第１導電層１４の一部が除去された部分（サイドエッチング部ＳＰ）に、第１絶縁層２１が埋め込まれる。これにより、図１に示す配線基板１の構造を得る。第１絶縁層２１としては、上述した材料、例えば、絶縁樹脂が使用される。第１絶縁層２１の厚さは、例えば、０μｍよりも大きく１００μｍ以下の範囲の厚さとすることができる。
【0173】
本工程を実施した後、第１５工程を実施する。
【0174】
＜２．２＞効果
第２実施形態は、第１実施形態と同様の効果を奏する。
第２実施形態は、第１実施形態と同様の効果を奏する。
【実施例0175】
以下に、本発明に関連して行った試験について記載する。
【0176】
＜試験＞
実施例１～実施例４では、第１実施形態及び第２実施形態に係る配線基板の製造方法を採用して配線基板１をそれぞれ２０個製造した。なお、第１実施形態に係る配線基板の製造方法を採用した場合、シード層の厚さＴは、第１シード層１３の厚さを指す。第２実施形態に係る配線基板の製造方法を採用した場合、シード層の厚さＴは、第２シード層１８の厚さを指す。
実施例１～実施例４では、第１実施形態及び第２実施形態に係る配線基板の製造方法を採用して配線基板１をそれぞれ２０個製造した。なお、第１実施形態に係る配線基板の製造方法を採用した場合、シード層の厚さＴは、第１シード層１３の厚さを指す。第２実施形態に係る配線基板の製造方法を採用した場合、シード層の厚さＴは、第２シード層１８の厚さを指す。
【0177】
実施例１では、シード層のエッチングによる、第１導電層１４のサイドエッチング量Ａを０．５μｍとした。サイドエッチング量Ａ／シード層の厚さＴを２とした。シード層エッチング前処理により、第１導電層１４の表面の端部に、表面粗さが３０ｎｍ以上７０ｎｍ以下の範囲の荒れを生成した。シード層のエッチングにより、１０００ｎｍ以上５０００ｎｍ以下の範囲のＬＥＲが形成された。
【0178】
実施例２では、シード層のエッチングによる、第１導電層１４のサイドエッチング量Ａを１μｍとした。サイドエッチング量Ａ／シード層の厚さＴを３とした。シード層エッチング前処理により、第１導電層１４の表面の端部に、表面粗さが３０ｎｍ以上７０ｎｍ以下の範囲の荒れを生成した。シード層のエッチングにより、１０００ｎｍ以上５０００ｎｍ以下の範囲のＬＥＲが形成された。
【0179】
実施例３では、シード層のエッチングによる、第１導電層１４のサイドエッチング量Ａを５μｍとした。サイドエッチング量Ａ／シード層の厚さＴを１７とした。シード層エッチング前処理により、第１導電層１４の表面の端部に、表面粗さが３０ｎｍ以上７０ｎｍ以下の範囲の荒れを生成した。シード層のエッチングにより、１０００ｎｍ以上５０００ｎｍ以下の範囲のＬＥＲが形成された。
【0180】
実施例４では、シード層のエッチングによる、第１導電層１４のサイドエッチング量Ａを１２μｍとした。サイドエッチング量Ａ／シード層の厚さＴを４０とした。シード層エッチング前処理により、第１導電層１４の表面の端部に、表面粗さが３０ｎｍ以上７０ｎｍ以下の範囲の荒れを生成した。シード層のエッチングにより、１０００ｎｍ以上５０００ｎｍ以下の範囲のＬＥＲが形成された。
【0181】
比較例１及び比較例２では、シード層エッチング前処理を実施しないこと以外は第１実施形態と同様の製造方法により配線基板をそれぞれ２０個製造した。
【0182】
比較例１では、シード層のエッチングによる、第１導電層１４のサイドエッチング量Ａを５μｍとした。サイドエッチング量Ａ／シード層の厚さＴを１７とした。第１導電層１４の表面の端部に、表面粗さが３０ｎｍ以上７０ｎｍ以下の範囲の荒れを生成しなかった。シード層のエッチングにより、１０００ｎｍ以上５０００ｎｍ以下の範囲のＬＥＲは形成されなかった。
【0183】
比較例２では、シード層のエッチングによる、第１導電層１４のサイドエッチング量Ａを１２μｍとした。サイドエッチング量Ａ／シード層の厚さＴを４０とした。第１導電層１４の表面の端部に、表面粗さが３０ｎｍ以上７０ｎｍ以下の範囲の荒れを生成しなかった。シード層のエッチングにより、１０００ｎｍ以上５０００ｎｍ以下の範囲のＬＥＲは形成されなかった。
【0184】
比較例３では、シード層エッチング前処理を実施せず、シード層のエッチングによる、第１導電層１４のサイドエッチング量Ａを０μｍとし、サイドエッチング量Ａ／シード層の厚さＴを０としたこと以外は第１実施形態と同様の製造方法により配線基板を２０個製造した。第１導電層１４の表面の端部に、表面粗さが３０ｎｍ以上７０ｎｍ以下の範囲の荒れを生成しなかった。シード層のエッチングにより、１０００ｎｍ以上５０００ｎｍ以下の範囲のＬＥＲは形成されなかった。
【0185】
これらの配線基板について、熱冷衝撃試験を実施した。熱冷衝撃試験では、－４０℃から＋１２５℃の範囲で配線基板の雰囲気温度を変動させるサイクルを１０００回繰り返した。熱冷衝撃試験の実施後、これらの配線基板について、断面観察により、シード層の膜残りの有無を確認した。また、断面観察により、ＭＩＭキャパシタＣ１の第１導電層１４及び誘電体層１６と第１絶縁層２１との間の剥離の有無を確認し、２０個の検体における剥離発生率を算出した。以下の表１に結果を示す。
【0186】
【表1】
【0187】
表１に示すように、比較例１及び比較例２において製造された配線基板では、シード層の膜残りの発生は見られなかった。比較例３において製造された配線基板では、シード層の膜残りの発生が見られた。これに対し、実施例１～実施例４において製造された配線基板では、シード層（第１シード層１３又は第２シード層１８）の膜残りの発生は見られなかった。
【0188】
比較例１において製造された配線基板では、ＭＩＭキャパシタＣ１の第１導電層１４及び誘電体層１６と第１絶縁層２１との間の剥離の発生が見られた（剥離発生率＝８％）。比較例２において製造された配線基板では、ＭＩＭキャパシタＣ１の第１導電層１４及び誘電体層１６と第１絶縁層２１との間の剥離の発生が見られた（剥離発生率＝１４％）。これに対し、実施例１～実施例４において製造された配線基板では、ＭＩＭキャパシタＣ１の第１導電層１４及び誘電体層１６と第１絶縁層２１との間の剥離の発生は見られなかった（剥離発生率＝０％）。また、誘電体層１６の四隅の剥離の発生も見られなかった。
【符号の説明】
【0189】
１…配線基板、１１…ガラス基板、１２…第１密着層、１３…第１シード層、１４…第１導電層、１５…第２密着層、１６…誘電体層、１７…第３密着層、１８…第２シード層、１９…第２導電層、２１…第１絶縁層、２２…第３シード層、２３…第３導電層、２４…第２絶縁層
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
