特開 2024-179617 ＮＡＮＤストレージデバイス

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024179617

(43)【公開日】2024-12-26

(54)【発明の名称】ＮＡＮＤストレージデバイス

(51)【国際特許分類】

   G11C 16/34 20060101AFI20241219BHJP

   G06F 12/00 20060101ALI20241219BHJP

   G11C 16/04 20060101ALI20241219BHJP

【ＦＩ】

G11C16/34 120

G06F12/00 550Z

G06F12/00 597U

G11C16/04 170

【審査請求】未請求

【請求項の数】11

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023098601

(22)【出願日】2023-06-15

(71)【出願人】

【識別番号】000004260

【氏名又は名称】株式会社デンソー

(74)【代理人】

【識別番号】110001128

【氏名又は名称】弁理士法人ゆうあい特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】木全 哲也

【テーマコード（参考）】

5B160

5B225

【Ｆターム（参考）】

5B160NA02

5B225CA19

5B225DE08

5B225DE16

5B225DE20

5B225EA05

5B225FA01

5B225FA10

(57)【要約】

【課題】ＮＡＮＤストレージデバイスにおいて、ＮＡＮＤメモリに含まれるデータの特性に応じたセルフリフレッシュの閾値設定を行うことができるようにする。
【解決手段】ＮＡＮＤストレージデバイス１の内蔵コントローラ１２は、ＮＡＮＤメモリ１１の第１領域中のブロック毎のビットエラー率と第１リフレッシュ閾値Ｔｈ１との比較に基づき、第１領域のデータのセルフリフレッシュを行うか否か判定する。そして同様に、ＮＡＮＤメモリ１１の第２領域中のブロック毎のビットエラー率と第２リフレッシュ閾値Ｔｈ２との比較に基づき、第２領域のデータのセルフリフレッシュを行うか否か判定する。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

ＮＡＮＤストレージデバイスであって、
当該ＮＡＮＤストレージデバイスに内蔵されるＮＡＮＤメモリ（１１）と、
当該ＮＡＮＤストレージデバイスに内蔵され、前記ＮＡＮＤストレージデバイスの外部にある外部機器（２）からのコマンドに従って前記ＮＡＮＤメモリに対して読み書きを行う内蔵コントローラ（１２）と、を備え、
前記内蔵コントローラは、第１リフレッシュ閾値（Ｔｈ１）と第２リフレッシュ閾値（Ｔｈ２）を読み出し、前記ＮＡＮＤメモリのうち第１領域（Ｒ１）についてのビットエラー量と前記第１リフレッシュ閾値との比較に基づいて前記第１領域のデータのセルフリフレッシュを行うか否か判定し、前記ＮＡＮＤメモリのうち前記第１領域とは異なる第２領域（Ｒ２）についてのビットエラー量と前記第２リフレッシュ閾値との比較に基づいて、前記第２領域のデータのセルフリフレッシュを行うか否かを判定する、ＮＡＮＤストレージデバイス。

【請求項2】

前記第１リフレッシュ閾値および前記第２リフレッシュ閾値の一方または両方は、前記外部機器からのコマンドに基づいて変更可能である請求項１に記載のＮＡＮＤストレージデバイス。

【請求項3】

前記ＮＡＮＤメモリには、前記外部機器が実行するプログラムまたは前記外部機器が使用する地図データが記憶され、
前記第１リフレッシュ閾値および前記第２リフレッシュ閾値の一方または両方は、前記プログラムまたは前記地図データの更新時に、前記外部機器からのコマンドに基づいて変更可能である請求項１または２に記載のＮＡＮＤストレージデバイス。

【請求項4】

前記内蔵コントローラは、前記第１リフレッシュ閾値と前記第２リフレッシュ閾値を読み出すと共に、前記ＮＡＮＤメモリ中で前記第１領域が占める範囲を指定する第１範囲値（Ｒｒ１）と、前記ＮＡＮＤメモリ中で前記第２領域が占める範囲を指定する第２範囲値（Ｒｒ２）とを読み出し、前記第１範囲値により指定された前記第１領域についてのビットエラー量と前記第１リフレッシュ閾値との比較に基づいて前記第１領域のデータのセルフリフレッシュを行うか否か判定し、前記第２範囲値により指定された前記第２領域についてのビットエラー量と前記第２リフレッシュ閾値との比較に基づいて、前記第２領域のデータのセルフリフレッシュを行うか否かを判定する、請求項１または２に記載のＮＡＮＤストレージデバイス。

【請求項5】

前記第１範囲値および前記第２範囲値の一方または両方は、前記外部機器からのコマンドに基づいて変更可能である請求項４に記載のＮＡＮＤストレージデバイス。

【請求項6】

前記ＮＡＮＤメモリには、前記外部機器が実行するプログラムまたは前記外部機器が使用する地図データが記憶され、
前記第１範囲値および前記第２範囲値の一方または両方は、前記プログラムまたは前記地図データの更新時に、前記外部機器からのコマンドに基づいて変更可能である請求項４に記載のＮＡＮＤストレージデバイス。

【請求項7】

前記第１領域には、前記外部機器が実行するプログラムが記憶され、
前記第２領域には、前記外部機器が前記プログラムを実行する際に使用する地図データが記憶され、
前記第１リフレッシュ閾値よりも前記第２リフレッシュ閾値の方が大きい、請求項１または２に記載のＮＡＮＤストレージデバイス。

【請求項8】

前記第２領域には、前記プログラムまたは前記地図データを更新するための更新用一時データが記憶される、請求項７に記載のＮＡＮＤストレージデバイス。

【請求項9】

前記第１領域には、前記外部機器が前記プログラムを実行する際に参照および変更する動的学習データが記憶される、請求項７に記載のＮＡＮＤストレージデバイス。

【請求項10】

前記第１領域に記憶されるデータのデータサイズよりも、前記第２領域に記憶されるデータのデータサイズの方が大きく、
前記第１リフレッシュ閾値よりも前記第２リフレッシュ閾値の方が大きく、
前記第１領域に記憶されるデータのデータサイズに対する前記第１領域の容量の比は、前記第２領域に記憶されるデータのデータサイズに対する前記第２領域の容量の比よりも大きい、請求項１または２に記載のＮＡＮＤストレージデバイス。

【請求項11】

車両に搭載される、請求項１または２に記載のＮＡＮＤストレージデバイス。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、ＮＡＮＤストレージデバイスに関するものである。

【背景技術】

【0002】

従来、ＮＡＮＤメモリを有するＮＡＮＤストレージデバイスにおいては、データが書き込まれてから時間が経過したり、データが何度も読み出されたりすることで、ビットエラーが発生する場合がある。これに対応するため、領域のブロック毎にビットエラー発生率が閾値を超えた場合にセルフリフレッシュを行ってビットエラーを抑制する技術が、例えば特許文献１に記載されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０２０－２７６７６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

上記のような技術について、発明者の検討によれば、以下のような問題がある。すなわち、セルフリフレッシュの閾値が低すぎると、必要以上にリフレッシュがなされ、ＮＡＮＤメモリ中のメモリセルが摩耗する。一方、閾値が高すぎると、比較的長い期間リフレッシュがされない状態でＮＡＮＤストレージデバイスの電源がオフになり、その後長期間（例えば１年）オフの状態が継続してリフレッシュが行われないという状況が発生し得る。そのような場合には、ビットエラーが増えすぎてデータが消失してしまう可能性がある。

【0005】

本開示は、ＮＡＮＤストレージデバイスにおいて、ＮＡＮＤメモリに含まれるデータの特性に応じたセルフリフレッシュの閾値設定を行うことができるようにすることを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

上記目的を達成するための請求項１に記載の発明は、ＮＡＮＤストレージデバイスが、
当該ＮＡＮＤストレージデバイスに内蔵されるＮＡＮＤメモリ（１１）と、
当該ＮＡＮＤストレージデバイスに内蔵され、前記ＮＡＮＤストレージデバイスの外部にある外部機器（２）からのコマンドに従って前記ＮＡＮＤメモリに対して読み書きを行う内蔵コントローラ（１２）と、を備え、
前記内蔵コントローラは、第１リフレッシュ閾値（Ｔｈ１）と第２リフレッシュ閾値（Ｔｈ２）を読み出し、前記ＮＡＮＤメモリのうち第１領域（Ｒ１）についてのビットエラー量と前記第１リフレッシュ閾値との比較に基づいて前記第１領域のデータのセルフリフレッシュを行うか否か判定し、前記ＮＡＮＤメモリのうち前記第１領域とは異なる第２領域（Ｒ２）についてのビットエラー量と前記第２リフレッシュ閾値との比較に基づいて、前記第２領域のデータのセルフリフレッシュを行うか否かを判定する。

【0007】

このように、ＮＡＮＤメモリ中の領域毎に、リフレッシュを開始する閾値を設定できるようにすることで、各領域に含まれるデータ特性に応じたセルフリフレッシュの閾値設定が可能になる。

【0008】

なお、各構成要素等に付された括弧付きの参照符号は、その構成要素等と後述する実施形態に記載の具体的な構成要素等との対応関係の一例を示すものである。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】第１実施形態に係る制御システムの構成図である。

【図2】ＮＡＮＤメモリ中の構成を示す図である。

【図3】内蔵コントローラのプロセッサが実行する誤り訂正処理のフローチャートである。

【図4】内蔵コントローラのプロセッサが実行するリフレッシュ処理のフローチャートである。

【図5】第２実施形態におけるデータサーバ、制御装置、ＮＡＮＤストレージデバイスの作動を示すシーケンス図である。

【図6】第３実施形態におけるＮＡＮＤメモリ中の各種データのサイズを示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

（第１実施形態）
以下、本開示の第１実施形態について説明する。図１に示すように、本実施形態に係る制御システムは、ＮＡＮＤストレージデバイス１と、制御装置２とを有する。この制御システムは、車両に搭載されている。制御システムは、１つのユニットとして一体的に形成されていてもよいし、別体に形成されてもよい。ＮＡＮＤストレージデバイス１にとっては、この制御装置２はＮＡＮＤストレージデバイス１の外部にある外部機器に相当する。以下、この制御システムが車両に搭載されて当該車両の走行を支援する装置である例について、説明する。

【0011】

制御装置２は、通信インターフェース２１、メモリ２２、演算回路２３等を有する。通信インターフェース２１は、不図示の車内ＬＡＮを介して車両に搭載された各種機器と通信を実現するためのインターフェース回路である。通信インターフェース２１を介して通信する機器としては、例えば、車両のパワートレインを駆動する駆動制御装置、車両の制動を制御する制動制御装置、車両の操舵を制御する操舵制御装置、車両の外部の装置と無線通信するための車外通信装置等がある。

【0012】

また、通信インターフェース２１を介して通信する他の機器としては、例えば、車両の位置、進行方向、走行速度、加速度、ヨーレート等の走行挙動を検出する検出装置がある。また通信インターフェース２１を介して通信する他の機器としては、車両の周囲の物体（例えば、先行車両、後続車両、歩行者等）等の車両周辺状況を検出する検出装置がある。また通信インターフェース２１を介して通信する他の機器としては、車両のアクセルペダルの踏み込み量、ブレーキペダルの踏み込み量、ステアリングハンドルの操作量等のドライバによる運転操作を検出する検出装置がある。

【0013】

メモリ２２は、不揮発性記憶媒体および揮発性記憶媒体を有する。不揮発性記憶媒体（例えばＲＯＭ）には、演算回路２３が実行するプログラムが記録されている。揮発性記憶媒体（例えばＲＡＭ）は、演算回路２３が各種処理を実行する際の作業領域として使用される。これら不揮発性記憶媒体も揮発性記憶媒体も、非遷移的実体的記憶媒体である。

【0014】

演算回路２３は、メモリ２２の不揮発性記憶媒体およびＮＡＮＤストレージデバイス１からプログラムを読み出して実行し、実行の際には、必要に応じてＮＡＮＤストレージデバイス１にデータを記録する。演算回路２３は、ＮＡＮＤストレージデバイス１から読み出したプログラムを実行することで、車両の走行を支援する処理を実現する。

【0015】

ＮＡＮＤストレージデバイス１は、ＮＡＮＤメモリ１１および内蔵コントローラ１２を有する。ＮＡＮＤストレージデバイス１は、ｅＭＭＣ、ＵＦＳ、ＳＳＤ等のマネージドＮＡＮＤデバイスである。ｅＭＭＣは、ｅｍｂｅｄｄｅｄ ＭｕｌｔｉＭｅｄｉａＣａｒｄの略である。ＵＦＳは、Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ Ｆｌａｓｈ Ｓｔｏｒａｇｅの略である。ＳＳＤは、Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅの略である。

【0016】

ＮＡＮＤメモリ１１は、ＮＡＮＤ型のフラッシュメモリであり、データ消去の最小単位であるブロックを複数個有する。ＮＡＮＤメモリ１１も、非遷移的実体的記憶媒体である。図２に示すように、ＮＡＮＤメモリ１１は、第１領域Ｒ１と第２領域Ｒ２を有している。第１領域Ｒ１と第２領域Ｒ２は重複しない。第１領域Ｒ１、第２領域Ｒ２のそれぞれは、複数のブロックから構成されている。第１領域Ｒ１よりも第２領域の方が、データ容量が大きい。

【0017】

第１領域Ｒ１には、プログラムＤ１１および動的学習データＤ１２が記録されている。プログラムＤ１１は、制御装置２の演算回路２３が読み出して実行するプログラムであり、例えば、走行支援用プログラムを含んでいる。以下では、プログラムＤ１１が走行支援用プログラムである例について説明する。

【0018】

動的学習データＤ１２は、制御装置２によってプログラムＤ１１が実行される際に参照および変更される。具体的には、演算回路２３は、プログラムＤ１１を実行している際に、上述の各種検出装置から通信インターフェース２１を介して検出結果を繰り返し（例えば定期的に）取得する。そして、検出結果または検出結果に応じて算出された各種の動作パラメータを、動的学習データＤ１２として、第１領域Ｒ１に逐次記録する。そして演算回路２３は、逐次、第１領域Ｒ１から上記検出結果を読み出し、読み出した検出結果を用いた学習を行い、その学習の結果得られた動作パラメータに従って、プログラムＤ１１を実行する。あるいは演算回路２３は、逐次、第１領域Ｒ１から上記動作パラメータを読み出し、プログラムＤ１１を実行において、読み出した動作パラメータに従った作動を実現する。

【0019】

プログラムＤ１１は、内容が少しでも壊れると制御装置２が誤作動してしまう可能性があるので、データの消失をより確実に防ぎたいという要請がある。また、動的学習データＤ１２も、プログラムＤ１１と同様の理由で、データの消失をより確実に防ぎたいという要請がある。動的学習データＤ１２は更に、データの書き込みも繰り返し（例えば定期的に）発生するので、データの消失を更に確実に防ぎたいという要請がある。したがって、プログラムＤ１１も、動的学習データＤ１２も、比較的短い間隔でリフレッシュを行うことが望ましい。

【0020】

第２領域Ｒ２には、地図データＤ２１および更新用一時データＤ２２が記録されている。地図データＤ２１は、制御装置２の演算回路２３がプログラムＤ１１を読み出して実行する際に使用される。地図データＤ２１は、多数の道路の位置、形状、車線数、車線毎の復員といった、自動運転等の運転支援に必要な高精細な道路情報を含んでいる。

【0021】

更新用一時データＤ２２は、上述の車外通信装置を介して車両の外部のデータサーバから取得される、プログラムＤ１１および地図データＤ２１の更新用一時データである。演算回路２３は、繰り返し（例えば定期的に）通信インターフェース２１を用いることで車外通信装置を介してデータサーバと無線通信を行うことで、更新用一時データＤ２２をダウンロードしてＮＡＮＤストレージデバイス１の第２領域Ｒ２に記録する。

【0022】

地図データＤ２１は、比較的短い期間（例えば数週間）程度経過したら一部が消失して読み出せなくなってしまっても大きな問題はない。なぜなら、読み出せなくなった場合、データサーバから再度ダウンロードすることが可能だからである。また、更新用一時データＤ２２も、より短い期間（例えば数日）程度経過したら一部が消失して読み出せなくなってしまっても、問題ない。これは、更新用一時データＤ２２は、ダウンロード後１日以内に更新のために使用されることが殆どで、更新の処理が終わってしまえば不要なデータだからである。したがって、地図データＤ２１も、更新用一時データＤ２２も、リフレッシュ間隔は比較的長くても構わない。むしろ、リフレッシュ間隔を長くして第２領域の摩耗を防止する方が好ましい。

【0023】

内蔵コントローラ１２は、制御装置２からのコマンドに基づいてＮＡＮＤメモリ１１に対してデータの読み出しおよび書き込みを行う装置であり、図１に示すように、メモリ１２１、Ｉ／Ｏ１２２、プロセッサ１２３等を有する。

【0024】

メモリ１２１は、不揮発性記憶媒体および揮発性記憶媒体を有する。不揮発性記憶媒体（例えばＲＯＭ、ＥＰＲＯＭ）には、処理回路が実行するプログラムが記録されている。揮発性記憶媒体（例えばＲＡＭ）は、処理回路が各種処理を実行する際の作業領域として使用される。これら不揮発性記憶媒体も揮発性記憶媒体も、非遷移的実体的記憶媒体である。

【0025】

また、メモリ１２１の不揮発性記憶媒体には、図１に示すように、第１リフレッシュ閾値Ｔｈ１、第２リフレッシュ閾値Ｔｈ２が記録されている。第１リフレッシュ閾値Ｔｈ１は、第１領域Ｒ１のブロック毎のビットエラー率と比較する閾値であって、第１領域Ｒ１のセルフリフレッシュを行うか否かの判定基準となる閾値である。第２リフレッシュ閾値Ｔｈ２は、第２領域Ｒ２のブロック毎のビットエラー率と比較する閾値であって、第２領域Ｒ２のセルフリフレッシュを行うか否かの判定基準となる閾値である。第１リフレッシュ閾値Ｔｈ１よりも第２リフレッシュ閾値Ｔｈ２の方が大きい。

【0026】

また、メモリ１２１の不揮発性記憶媒体には、図１に示すように、第１範囲値Ｒｒ１、第２範囲値Ｒｒ２が記録されている。第１範囲値Ｒｒ１は、ＮＡＮＤメモリ１１中で第１領域Ｒ１が占める物理アドレスの範囲を指定する値である。第２範囲値Ｒｒ２は、ＮＡＮＤメモリ１１中で第１領域Ｒ１が占める物理アドレスの範囲を指定する値である。第１範囲値Ｒｒ１よりも第２範囲値Ｒｒ２の方が、より広いアドレス範囲を示している。

【0027】

なお、他の例として、これら第１リフレッシュ閾値Ｔｈ１、第２リフレッシュ閾値Ｔｈ２、第１範囲値Ｒｒ１、第２範囲値Ｒｒ２は、内蔵コントローラ１２のメモリ１２１ではなく、ＮＡＮＤメモリ１１内に記録されていてもよい。あるいは、第１リフレッシュ閾値Ｔｈ１、第２リフレッシュ閾値Ｔｈ２、第１範囲値Ｒｒ１、第２範囲値Ｒｒ２の一部がメモリ１２１に記録され、残りの一部がＮＡＮＤメモリ１１に記録されていてもよい。

【0028】

Ｉ／Ｏ１２２は、制御装置２を相手にデータおよびコマンドの授受を行うためのインターフェースであると共に、ＮＡＮＤメモリ１１へのデータの読み出しおよび書き込みを行うためのインターフェースである。

【0029】

プロセッサ１２３は、メモリ１２１の不揮発性記憶媒体からプログラムを読み出して実行する回路である。プログラムを読み出して実行する処理としては、論理アドレスから物理アドレスへの変換、不良ブロックの管理、ウェアレベリング、誤り訂正、リフレッシュ等がある。

【0030】

論理アドレスから物理アドレスへの変換は、制御装置２から受けるコマンド内に含まれるアドレスである論理アドレスの値を、ＮＡＮＤメモリ１１中のメモリセルに割り当てられるアドレスである物理アドレスに変換する処理である。

【0031】

不良ブロックの管理は、ＮＡＮＤメモリ１１中で不良となったブロックを他のブロック（すなわち、スペアブロック）で代替する処理である。代替する際には、不良となったブロックに割り当てられていた論理アドレスが、代替するブロックに割り当て直される。なお、第１領域Ｒ１中のブロックに不良が発生した場合は、同じ第１領域Ｒ１中の他のブロックが代替し、第２領域Ｒ２中のブロックに不良が発生した場合は、同じ第２領域Ｒ２中の他のブロックが代替する。

【0032】

ウェアレベリングは、ＮＡＮＤメモリ１１中のブロック間の書き換え回数の偏りを緩和するため、書き換え回数が所定の基準より大きいブロックから、それよりも書き換え回数が少ない別のブロックに、同じ論理アドレスを割り当て直す処理である。なお、ウェアレベリングは、同じ領域内でのみ行われる。すなわち、ウェアレベリングによって第１領域Ｒ１中のブロックと同じ論理アドレスが割り当てられる先のブロックは、同じ第１領域Ｒ１中のブロックである。また、ウェアレベリングによって第２領域Ｒ２中のブロックと同じ論理アドレスが割り当てられる先のブロックは、同じ第２領域Ｒ２中のブロックである。

【0033】

以上のような構成の制御システムの作動例について、以下説明する。制御装置２の演算回路２３は、プログラムＤ１１等のプログラムの実行中に、データをＮＡＮＤストレージデバイス１から読み出す必要が生じた場合は、ＮＡＮＤストレージデバイス１に対して読み出し用のコマンドを送信する。このコマンドには、ＮＡＮＤメモリ１１中の読み出し対象の論理アドレス範囲も含まれている。この読み出し用のコマンドが内蔵コントローラ１２で受信されると、プロセッサ１２３は、受信したコマンドに従ってＮＡＮＤメモリ１１中の当該論理アドレス範囲が割り当てられた物理アドレス範囲からデータを読み出す。そしてプロセッサ１２３は、読み出したデータを制御装置２に送信する。これにより、制御装置２によるＮＡＮＤストレージデバイス１からのデータの読み出しが実現する。

【0034】

また、演算回路２３は、プログラムＤ１１等のプログラムの実行中に、データをＮＡＮＤストレージデバイス１から読み出す必要が生じた場合は、ＮＡＮＤストレージデバイス１に対して書き込みのコマンドおよび書き込むデータを送信する。このコマンドには、ＮＡＮＤメモリ１１中の書き込み先の論理アドレス範囲も含まれている。この書き込み用のコマンドおよびデータが内蔵コントローラ１２で受信されると、プロセッサ１２３は、受信したコマンドに従って当該データをＮＡＮＤメモリ１１中の当該論理アドレス範囲が割り当てられた物理アドレス範囲に記録する。これにより、制御装置２によるＮＡＮＤストレージデバイス１へのデータの書き込みが実現する。

【0035】

演算回路２３は、プログラムＤ１１を実行することで、車両走行支援を行う。具体的には、上述の走行挙動を検出する検出装置、車両周辺状況を検出する検出装置、運転操作を検出する検出装置から検出結果を取得し、ＮＡＮＤストレージデバイス１から地図データＤ２１を読み出す。そして、取得した検出結果および読み出した地図データＤ２１に基づいて、車両の駆動、制動、操舵のうち１つまたは複数について、実現すべき状態を算出する。そして、算出した状態が実現するよう、駆動制御装置、制動制御装置、操舵制御装置のうち対応する１つまたは複数に、制御指令を送信する。

【0036】

また、上記のように制御システムが作動しているとき、ＮＡＮＤストレージデバイス１の内蔵コントローラ１２において、プロセッサ１２３は、ＮＡＮＤメモリ１１からデータを読み出す際に、図３に示す誤り訂正の処理を行う。

【0037】

図３の処理においてプロセッサ１２３は、まずステップＳ１１０では、読み出したデータに対してＥＣＣを用いた誤り検出を行い、当該データに誤りが発生したか否かを判定する。ＥＣＣは、Ｅｒｒｏｒ Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ Ｃｏｄｅの略称である。誤りが発生していない場合は、今回の誤り訂正の処理を終了する。誤りが発生した場合は、ステップＳ１２０に進む。

【0038】

ステップＳ１２０では、ＮＡＮＤメモリ１１中の誤りが発生したデータの訂正を行う。続いてステップＳ１３０では、誤りが発生したデータを含むＮＡＮＤメモリ１１中のブロックのビットエラー率を、今回発生した誤りを反映するよう、更新する。なお、ブロック毎のビットエラー率の情報は、メモリ１２１の不揮発性記憶媒体に記録されてもよいし、ＮＡＮＤメモリ１１に記録されてもよい。

【0039】

続いてステップＳ１４０では、誤りが発生した領域を特定する。具体的には、まず、第１範囲値Ｒｒ１、第２範囲値Ｒｒ２を読み出す。そして、誤りが発生したデータが記憶されている領域の物理アドレスと、第１範囲値Ｒｒ１、第２範囲値Ｒｒ２の情報に基づいて、誤りが発生した領域が第１領域Ｒ１か第２領域Ｒ２かを特定する。

【0040】

続いてステップＳ１５０では、特定した領域の、セルフリフレッシュに関する閾値を取得する。すなわち、誤りが発生した領域が第１領域Ｒ１であれば第１リフレッシュ閾値Ｔｈ１を取得し、誤りが発生した領域が第２領域Ｒ２であれば第２リフレッシュ閾値Ｔｈ２を取得する。

【0041】

続いてステップＳ１６０では、取得した閾値と、更新後のビットエラー率（すなわちＢＥＲ）とを比較し、後者の方が大きければステップＳ１７０に進み、そうでなければステップＳ１７０をバイパスして今回の誤り訂正の処理を終了する。

【0042】

ステップＳ１７０では、リフレッシュ依頼リストに、今回エラーが発生したブロックの識別番号を記録する。リフレッシュ依頼リストは、セルフリフレッシュをすべきブロックの識別番号（例えば物理アドレス）をリストとして含むデータであり、メモリ１２１の不揮発性記憶媒体に記録されてもよいし、ＮＡＮＤメモリ１１に記録されてもよい。ステップＳ１７０の後、今回の誤り訂正の処理を終了する。

【0043】

また、プロセッサ１２３は、繰り返し定期的に、図４に示すリフレッシュ処理を行う。リフレッシュ処理においてプロセッサ１２３は、まずステップＳ２１０で、リフレッシュ依頼リストを読み出す。続いてステップＳ２２０では、リフレッシュ依頼リスト中に記録されているすべての識別番号について、それぞれに該当するブロックのリフレッシュを行う。このリフレッシュにより、対象となったブロックにおけるデータの消失を未然に防止できる。ステップＳ２２０の後、リフレッシュ処理が終了する。

【0044】

［１］以上の通り、内蔵コントローラ１２は、ＮＡＮＤメモリ１１の第１領域Ｒ１中のブロック毎のビットエラー率と第１リフレッシュ閾値Ｔｈ１との比較に基づき、第１領域Ｒ１のデータのセルフリフレッシュを行うか否か判定する。そして同様に、ＮＡＮＤメモリ１１の第２領域Ｒ２中のブロック毎のビットエラー率と第２リフレッシュ閾値Ｔｈ２との比較に基づき、第２領域Ｒ２のデータのセルフリフレッシュを行うか否か判定する。

【0045】

このように、ＮＡＮＤメモリ１１中の領域毎に、リフレッシュを開始する閾値を設定できるようにすることで、各領域に含まれるデータ特性に応じたセルフリフレッシュの閾値設定が可能になる。

【0046】

例えば、本実施形態に示すように、より重要な、すなわち、データの消失を防ぐ必要性がより高いデータを記憶する第１領域Ｒ１に関する第１リフレッシュ閾値Ｔｈ１を第２リフレッシュ閾値Ｔｈ２よりも小さくすることができる。このようにすることで、重要なデータについてはリフレッシュの頻度を高くすることで消失の可能性を低減できる。

【0047】

また、車両が長期間（例えば１年間）使用されず、それに伴いＮＡＮＤストレージデバイス１も長期間作動せず、その間リフレッシュできなかったとする。その場合でも、最後に第１領域Ｒ１のブロックをリフレッシュしてから長期間の非作動が始まるまでの時間間隔が比較的短いので、データ消失の可能性が低減される。

【0048】

［２］また、内蔵コントローラ１２は、第１範囲値Ｒｒ１と第２範囲値Ｒｒ２とを読み出す。そして、第１範囲値Ｒｒ１により指定された第１領域Ｒ１のブロック毎のビットエラー率と第１リフレッシュ閾値Ｔｈ１との比較に基づいて第１領域Ｒ１のデータのセルフリフレッシュを行うか否かを判定する。また、第２範囲値Ｒｒ２により指定された第２領域Ｒ２のブロック毎のビットエラー率と第２リフレッシュ閾値Ｔｈ２との比較に基づいて第２領域Ｒ２のデータのセルフリフレッシュを行うか否かを判定する。このようにすることで、ＮＡＮＤメモリ１１中で第１領域Ｒ１が占める範囲と第２領域Ｒ２が占める範囲が調整可能となる。

【0049】

（第２実施形態）
次に第２実施形態について、図５を用いて説明する。本実施形態では、第１実施形態に対して、ＮＡＮＤメモリ１１中のプログラムＤ１１または地図データＤ２１の更新の作動が追加される。その他の構成および作動は、第１実施形態と同じである。

【0050】

本実施形態では、図５に示すように、制御装置２の演算回路２３は、ステップＳ３１０で、車外通信装置を介して更新データの要求を車外のデータサーバに無線送信する。データサーバは、この更新データの要求を受信すると、ステップＳ４１０で、更新用一時データＤ２２およびパラメータ更新値を、制御装置２宛に送信する。

【0051】

更新用一時データＤ２２は、第１実施形態と同様、上述の車外通信装置を介して車両の外部のデータサーバから取得される、プログラムＤ１１および地図データＤ２１の更新用一時データ（例えば、更新前と更新後の差分データ）である。

【0052】

パラメータ更新値は、更新用一時データＤ２２が制御システムで反映された後に第１リフレッシュ閾値Ｔｈ１、第２リフレッシュ閾値Ｔｈ２、第１範囲値Ｒｒ１、第２範囲値Ｒｒ２が取るべき値である。これらは、現在のＮＡＮＤストレージデバイス１に記録されている第１リフレッシュ閾値Ｔｈ１、第２リフレッシュ閾値Ｔｈ２、第１範囲値Ｒｒ１、第２範囲値Ｒｒ２とすべて同じである場合も、一部が異なっている場合も、すべてが異なっている場合もある。

【0053】

第１リフレッシュ閾値Ｔｈ１、第２リフレッシュ閾値Ｔｈ２、第１範囲値Ｒｒ１、第２範囲値Ｒｒ２の一部または全部を変化させるのは、ＮＡＮＤメモリ１１中に記録されるデータの使われ方およびサイズの一方または両方が変化することが原因の場合がある。その場合、更新用一時データＤ２２の作成者は、変化の態様に応じて、第１リフレッシュ閾値Ｔｈ１、第２リフレッシュ閾値Ｔｈ２、第１範囲値Ｒｒ１、第２範囲値Ｒｒ２の一部または全部を変化させるよう、パラメータ更新値のデータを作成する。そして作成者は、更新用一時データＤ２２およびパラメータ更新値をデータサーバに保存する。

【0054】

例えば、更新用一時データを適用することでプログラムＤ１１が部分的に変更された結果、地図データＤ２１の読み出し頻度が高くなる場合は、第２リフレッシュ閾値Ｔｈ２を現在より低い値に変更してもよい。

【0055】

また例えば、更新用一時データを適用することでプログラムＤ１１が部分的に変更された結果、動的学習データＤ１２の書き込み頻度および読み出し頻度が高くなる場合は、第１リフレッシュ閾値Ｔｈ１を現在より低い値に変更してもよい。

【0056】

また例えば、更新用一時データを適用することで地図データＤ２１のデータサイズが増大する場合、第１領域Ｒ１を現在よりも小さくし、第２領域Ｒ２を現在よりも大きくするよう、第１範囲値Ｒｒ１、第２範囲値Ｒｒ２を変更してもよい。逆に、更新用一時データを適用することで地図データＤ２１のデータサイズが減少する場合、第１領域Ｒ１を現在よりも大きくし、第２領域Ｒ２を現在よりも小さくするよう、第１範囲値Ｒｒ１、第２範囲値Ｒｒ２を変更してもよい。

【0057】

演算回路２３は、このように送信された更新用一時データＤ２２およびパラメータ更新値を、ステップＳ３２０で受信し、続くステップＳ３３０で、更新用一時データＤ２２をＮＡＮＤメモリ１１の第２領域Ｒ２に記録する。パラメータ更新値は、ＮＡＮＤメモリ１１に記録してもよいし、メモリ２２の不揮発性記憶媒体に記録してもよい。

【0058】

その後、演算回路２３は、処理負荷が低いタイミング、車両が走行していないタイミング、あらかじめ定められた時刻が到来したタイミング等、更新すべきタイミングが訪れた場合に、ステップＳ３４０に進む。そしてステップＳ３４０で、更新用一時データＤ２２の内容に従って、ＮＡＮＤメモリ１１中のプログラムＤ１１および地図データＤ２１を更新する。

【0059】

続いてステップＳ３５０では、パラメータ更新値に記載の第１リフレッシュ閾値Ｔｈ１、第２リフレッシュ閾値Ｔｈ２、第１範囲値Ｒｒ１、第２範囲値Ｒｒ２を含むパラメータ設定コマンドを、ＮＡＮＤストレージデバイス１の内蔵コントローラ１２に送信する。内蔵コントローラ１２のプロセッサ１２３は、ステップＳ５１０で、Ｉ／Ｏ１２２を介してこのパラメータ設定コマンドを受信する。

【0060】

そしてプロセッサ１２３は続くステップＳ５２０で、受信したパラメータ設定コマンドに含まれる値と一致するよう、メモリ１２１内の第１リフレッシュ閾値Ｔｈ１、第２リフレッシュ閾値Ｔｈ２、第１範囲値Ｒｒ１、第２範囲値Ｒｒ２を、必要があれば変更する。

【0061】

以上のような処理により、プログラムＤ１１、地図データＤ２１の更新、および、それに伴うメモリ１２１内の第１リフレッシュ閾値Ｔｈ１、第２リフレッシュ閾値Ｔｈ２、第１範囲値Ｒｒ１、第２範囲値Ｒｒ２の更新が、完了する。その後は、新たな第１リフレッシュ閾値Ｔｈ１、第２リフレッシュ閾値Ｔｈ２、第１範囲値Ｒｒ１、第２範囲値Ｒｒ２に従って、誤り訂正の処理、およびリフレッシュ処理が実行される。

【0062】

［１］以上説明した通り、第１リフレッシュ閾値Ｔｈ１および第２リフレッシュ閾値Ｔｈ２の一方または両方は、制御装置２からのコマンドに基づいて変更可能である。このようにすることで、状況に応じた第１リフレッシュ閾値Ｔｈ１および第２リフレッシュ閾値Ｔｈ２の柔軟な調整が可能となる。第１範囲値Ｒｒ１および第２範囲値Ｒｒ２の一方または両方についても同様である。

【0063】

［２］そしてその更新は、プログラムＤ１１または地図データＤ２１の更新時に、当該更新と連動して、実現可能である。このようにすることで、プログラムまたは地図データの更新の内容に対応した第１リフレッシュ閾値Ｔｈ１および第２リフレッシュ閾値Ｔｈ２の柔軟な調整が可能となる。第１範囲値Ｒｒ１および第２範囲値Ｒｒ２の一方または両方についても同様である。

【0064】

なお、本実施形態と第１実施形態で共通する構成および作動からは、第１、第２実施形態と同様の効果が得られる。

【0065】

（第３実施形態）
次に第３実施形態について説明する。本実施形態は、第１、第２実施形態に対して、プログラムＤ１１、動的学習データＤ１２、地図データＤ２１、更新用一時データＤ２２の各々のデータサイズと第１領域Ｒ１、第２領域Ｒ２の容量との関係について、更に規定するものである。ここでいうデータサイズは、論理アドレス上で占めるデータサイズをいい、容量とは、ＮＡＮＤメモリ１１中の物理アドレスに基づく容量をいう。

【0066】

図６に示すように、本実施形態におけるプログラムＤ１１のデータサイズをＤＳ１１とし、動的学習データＤ１２のデータサイズをＤＳ１２とし、地図データＤ２１のデータサイズをＤＳ２１として、更新用一時データＤ２２のデータサイズをＤＳ２２とする。そして、第１領域Ｒ１の容量をＲＳ１、第２領域Ｒ２の容量をＲＳ２とすると、
ＲＳ１／（ＤＳ１１＋ＤＳ１２）＞ＲＳ２／（ＤＳ２１＋ＤＳ２２）
という式が成立する。

【0067】

すなわち、第１領域Ｒ１に記憶されるデータのデータサイズに対する第１領域Ｒ１の容量の比は、第２領域Ｒ２に記憶されるデータのデータサイズに対する第２領域Ｒ２の容量の比よりも、大きい。

【0068】

第１リフレッシュ閾値Ｔｈ１が第２リフレッシュ閾値Ｔｈ２よりも小さいと、第１領域Ｒ１で発生するリフレッシュの頻度が増す。しかし、上記のように、第１領域Ｒ１に記憶されるデータのデータサイズに対する第１領域Ｒ１の容量の比を大きく取ることで、第１領域全体としての摩耗は低く抑えることができる。

【0069】

なお、このようにしても、ＤＳ１１＋ＤＳ１２＜ＤＳ２１＋ＤＳ２２、ＲＳ１＜ＲＳ２という関係は成立している。地図データＤ２１のデータサイズが他のデータに比べて非常に大きいからである。ＲＳ１＜ＲＳ２という関係が成立しているので、ＤＳ１１＋ＤＳ１２に対するＲＳ１の比を大きくしても、ＮＡＮＤメモリ１１全体の容量の増加量は比較的抑えられる。

【0070】

なお、本実施形態と第１、第２実施形態で共通する構成および作動からは、第１、第２実施形態と同様の効果が得られる。

【0071】

（他の実施形態）
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、適宜変更が可能である。また、上記各実施形態は、互いに無関係なものではなく、組み合わせが明らかに不可な場合を除き、適宜組み合わせが可能である。また、上記各実施形態において、実施形態を構成する要素は、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではない。また、上記各実施形態において、実施形態の構成要素の個数、数値、量、範囲等の数値が言及されている場合、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではない。また、上記実施形態において、センサから車両の外部環境情報（例えば車外の湿度）を取得することが記載されている場合、そのセンサを廃し、車両の外部のサーバまたはクラウドからその外部環境情報を受信することも可能である。あるいは、そのセンサを廃し、車両の外部のサーバまたはクラウドからその外部環境情報に関連する関連情報を取得し、取得した関連情報からその外部環境情報を推定することも可能である。特に、ある量について複数個の値が例示されている場合、特に別記した場合および原理的に明らかに不可能な場合を除き、それら複数個の値の間の値を採用することも可能である。また、上記各実施形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に特定の形状、位置関係等に限定される場合等を除き、その形状、位置関係等に限定されるものではない。また、本発明は、上記各実施形態に対する以下のような変形例および均等範囲の変形例も許容される。なお、以下の変形例は、それぞれ独立に、上記実施形態に適用および不適用を選択できる。すなわち、以下の変形例のうち任意の組み合わせを、上記実施形態に適用することができる。

【0072】

また、本開示に記載の演算回路２３、プロセッサ１２３およびその手法は、コンピュータプログラムにより具体化された一つ乃至は複数の機能を実行するようにプログラムされたプロセッサ及びメモリを構成することによって提供された専用コンピュータにより、実現されてもよい。あるいは、本開示に記載の演算回路２３、プロセッサ１２３およびその手法は、一つ以上の専用ハードウェア論理回路によってプロセッサを構成することによって提供された専用コンピュータにより、実現されてもよい。もしくは、本開示に記載の制御部及びその手法は、一つ乃至は複数の機能を実行するようにプログラムされたプロセッサ及びメモリと一つ以上のハードウェア論理回路によって構成されたプロセッサとの組み合わせにより構成された一つ以上の専用コンピュータにより、実現されてもよい。また、コンピュータプログラムは、コンピュータにより実行されるインストラクションとして、コンピュータ読み取り可能な非遷移有形記録媒体に記憶されていてもよい。

【0073】

（変形例１）
上記実施形態においては、ＮＡＮＤメモリ１１内の記憶領域が第１領域Ｒ１と第２領域Ｒ２を有し、それぞれ異なるリフレッシュ閾値（すなわち、第１リフレッシュ閾値Ｔｈ１、第２リフレッシュ閾値Ｔｈ２）が割り当てられる。しかし、ＮＡＮＤメモリ１１内の記憶領域は、更に第３領域を有し、第３領域には第１リフレッシュ閾値Ｔｈ１、第２リフレッシュ閾値Ｔｈ２とは別に第３リフレッシュ閾値が割り当てられていてもよい。第４領域以降も同様である。

【0074】

（変形例２）
上記実施形態では、第１領域Ｒ１についてのビットエラー量として、第１領域Ｒ１中のブロック毎のビットエラー率を例示しているが、これに限られない。第２領域Ｒ２についても同様である。

【0075】

（変形例３）
上記実施形態では、外部機器の一例として、車両の走行支援を行う制御装置２が例示されているが、外部機器は、車両の走行支援でなく他の処理（例えば、ルートナビゲーション）を行う処理装置であってもよい。また、外部機器およびＮＡＮＤストレージデバイス１は、車両に搭載されていない装置（例えば、ドメインコントローラ）でもよい。

【0076】

（本開示の観点）
［第１の観点］
ＮＡＮＤストレージデバイスであって、
当該ＮＡＮＤストレージデバイスに内蔵されるＮＡＮＤメモリ（１１）と、
当該ＮＡＮＤストレージデバイスに内蔵され、前記ＮＡＮＤストレージデバイスの外部にある外部機器（２）からのコマンドに従って前記ＮＡＮＤメモリに対して読み書きを行う内蔵コントローラ（１２）と、を備え、
前記内蔵コントローラは、第１リフレッシュ閾値（Ｔｈ１）と第２リフレッシュ閾値（Ｔｈ２）を読み出し、前記ＮＡＮＤメモリのうち第１領域（Ｒ１）についてのビットエラー量と前記第１リフレッシュ閾値との比較に基づいて前記第１領域のデータのセルフリフレッシュを行うか否か判定し、前記ＮＡＮＤメモリのうち前記第１領域とは異なる第２領域（Ｒ２）についてのビットエラー量と前記第２リフレッシュ閾値との比較に基づいて、前記第２領域のデータのセルフリフレッシュを行うか否かを判定する、ＮＡＮＤストレージデバイス。
［第２の観点］
前記第１リフレッシュ閾値および前記第２リフレッシュ閾値の一方または両方は、前記外部機器からのコマンドに基づいて変更可能である第１の観点に記載のＮＡＮＤストレージデバイス。
［第３の観点］
前記ＮＡＮＤメモリには、前記外部機器が実行するプログラムまたは前記外部機器が使用する地図データが記憶され、
前記第１リフレッシュ閾値および前記第２リフレッシュ閾値の一方または両方は、前記プログラムまたは前記地図データの更新時に、前記外部機器からのコマンドに基づいて変更可能である第１または第２の観点に記載のＮＡＮＤストレージデバイス。
［第４の観点］
前記内蔵コントローラは、前記第１リフレッシュ閾値と前記第２リフレッシュ閾値を読み出すと共に、前記ＮＡＮＤメモリ中で前記第１領域が占める範囲を指定する第１範囲値（Ｒｒ１）と、前記ＮＡＮＤメモリ中で前記第２領域が占める範囲を指定する第２範囲値（Ｒｒ２）とを読み出し、前記第１範囲値により指定された前記第１領域についてのビットエラー量と前記第１リフレッシュ閾値との比較に基づいて前記第１領域のデータのセルフリフレッシュを行うか否か判定し、前記第２範囲値により指定された前記第２領域についてのビットエラー量と前記第２リフレッシュ閾値との比較に基づいて、前記第２領域のデータのセルフリフレッシュを行うか否かを判定する、第１ないし第３の観点のいずれか１つに記載のＮＡＮＤストレージデバイス。
［第５の観点］
前記第１範囲値および前記第２範囲値の一方または両方は、前記外部機器からのコマンドに基づいて変更可能である第４の観点に記載のＮＡＮＤストレージデバイス。
［第６の観点］
前記ＮＡＮＤメモリには、前記外部機器が実行するプログラムまたは前記外部機器が使用する地図データが記憶され、
前記第１範囲値および前記第２範囲値の一方または両方は、前記プログラムまたは前記地図データの更新時に、前記外部機器からのコマンドに基づいて変更可能である第４または第５の観点に記載のＮＡＮＤストレージデバイス。
［第７の観点］
前記第１領域には、前記外部機器が実行するプログラムが記憶され、
前記第２領域には、前記外部機器が前記プログラムを実行する際に使用する地図データが記憶され、
前記第１リフレッシュ閾値よりも前記第２リフレッシュ閾値の方が大きい、第１または第４の観点に記載のＮＡＮＤストレージデバイス。
［第８の観点］
前記第２領域には、前記プログラムまたは前記地図データを更新するための更新用一時データが記憶される、第７の観点に記載のＮＡＮＤストレージデバイス。
［第９の観点］
前記第１領域には、前記外部機器が前記プログラムを実行する際に参照および変更する動的学習データが記憶される、第７または第８の観点に記載のＮＡＮＤストレージデバイス。
［第１０の観点］
前記第１領域に記憶されるデータのデータサイズよりも、前記第２領域に記憶されるデータのデータサイズの方が大きく、
前記第１リフレッシュ閾値よりも前記第２リフレッシュ閾値の方が大きく、
前記第１領域に記憶されるデータのデータサイズに対する前記第１領域の容量の比は、前記第２領域に記憶されるデータのデータサイズに対する前記第２領域の容量の比よりも大きい、第１ないし第９の観点のいずれか１つに記載のＮＡＮＤストレージデバイス。
［第１１の観点］
車両に搭載される、第１ないし第１０の観点のいずれか１つに記載のＮＡＮＤストレージデバイス。

【符号の説明】

【0077】

１ ＮＡＮＤストレージデバイス
２ 制御装置
１１ ＮＡＮＤメモリ
１２ 内蔵コントローラ
Ｒ１ 第１領域
Ｒ２ 第２領域
Ｔｈ１ 第１リフレッシュ閾値
Ｔｈ２ 第２リフレッシュ閾値
Ｒｒ１ 第１範囲値
Ｒｒ２ 第２範囲値

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】