特開 2024-179653 電磁弁マニホールド

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024179653

(43)【公開日】2024-12-26

(54)【発明の名称】電磁弁マニホールド

(51)【国際特許分類】

   F16K 31/06 20060101AFI20241219BHJP

   F16K 49/00 20060101ALI20241219BHJP

【ＦＩ】

F16K31/06 305U

F16K49/00 A

F16K31/06 305K

【審査請求】未請求

【請求項の数】7

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023098661

(22)【出願日】2023-06-15

(71)【出願人】

【識別番号】000106760

【氏名又は名称】ＣＫＤ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100105957

【弁理士】

【氏名又は名称】恩田 誠

(74)【代理人】

【識別番号】100068755

【弁理士】

【氏名又は名称】恩田 博宣

(72)【発明者】

【氏名】伊藤 新治

【テーマコード（参考）】

3H066

3H106

【Ｆターム（参考）】

3H066AA01

3H066BA37

3H106DA04

3H106DA23

3H106DB02

3H106DB12

3H106DB23

3H106DB32

3H106DC02

3H106DC18

3H106DD05

3H106EE44

3H106GA01

3H106GB01

3H106GC19

3H106GC23

(57)【要約】

【課題】コイルを効率良く冷却すること。
【解決手段】電磁弁１１とマニホールドベース１２との間には、コイル５１から生じる熱を吸熱するペルチェ素子８５が介在されている。ペルチェ素子８５によって吸熱された熱は、マニホールドベース１２に放熱される。コイル５１から生じる熱は、磁気フレーム５６の第２延在壁５６ｃ及び伝熱部材８７を介してペルチェ素子８５の第１面８５ａから吸熱される。そして、ペルチェ素子８５によって吸熱された熱が、ペルチェ素子８５の第２面８５ｂからマニホールドベース１２に放熱される。
【選択図】図４

【特許請求の範囲】

【請求項1】

ボディに形成された流路を切り換える弁体、及び前記弁体を移動させるソレノイドを備えている電磁弁と、
前記電磁弁が設置されるマニホールドベースと、を備え、
前記ソレノイドは、
コイルと、
固定鉄心と、
前記コイルに電力が供給されることで前記固定鉄心に発生する吸引力により前記固定鉄心に吸着されるプランジャと、
前記プランジャを前記固定鉄心から離間する方向へ付勢するプランジャばねと、を備え、
前記電磁弁は、前記プランジャの移動に伴い前記弁体が移動することにより、前記流路を切り換える電磁弁マニホールドであって、
前記マニホールドベースは、金属製であり、
前記電磁弁と前記マニホールドベースとの間には、前記コイルから生じる熱を吸熱するペルチェ素子が介在されており、
前記ペルチェ素子によって吸熱された熱は、前記マニホールドベースに放熱されることを特徴とする電磁弁マニホールド。

【請求項2】

前記ソレノイドは、前記コイルの周囲で前記固定鉄心及び前記プランジャと協働して磁路を形成する磁気フレームを備え、
前記ペルチェ素子は、前記磁気フレームと熱的に結合されていることを特徴とする請求項１に記載の電磁弁マニホールド。

【請求項3】

前記磁気フレームと前記ペルチェ素子との間には、弾性変形可能な伝熱部材が介在されていることを特徴とする請求項２に記載の電磁弁マニホールド。

【請求項4】

前記マニホールドベースは、
前記ペルチェ素子が設置される素子設置面を有する基部と、
前記基部における前記素子設置面とは反対側に位置する面から突出する板状の複数のフィンと、を有していることを特徴とする請求項１～請求項３のいずれか一項に記載の電磁弁マニホールド。

【請求項5】

前記マニホールドベースは、前記電磁弁からの流体を外部へ排出する排出流路を有し、
前記排出流路から外部へ排出された流体が隣り合うフィン同士の間を流れることを特徴とする請求項４に記載の電磁弁マニホールド。

【請求項6】

前記マニホールドベースは、前記電磁弁からの流体を外部へ排出する排出流路を有し、
前記各フィンには、前記排出流路の一部が貫通していることを特徴とする請求項４に記載の電磁弁マニホールド。

【請求項7】

前記コイルに対して通電制御を行う制御回路を備え、
前記制御回路は、前記コイルへの通電と同期して前記ペルチェ素子への通電も行うことを特徴とする請求項１に記載の電磁弁マニホールド。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、電磁弁マニホールドに関する。

【背景技術】

【0002】

電磁弁マニホールドは、電磁弁と、マニホールドベースと、を備えている。マニホールドベースには、電磁弁が設置されている。電磁弁は、弁体、及びソレノイドを備えている。弁体は、電磁弁のボディに形成された流路を切り換える。ソレノイドは、弁体を移動させる。ソレノイドは、コイルと、固定鉄心と、プランジャと、プランジャばねと、を備えている。プランジャは、コイルに電力が供給されることで固定鉄心に発生する吸引力により固定鉄心に吸着される。プランジャばねは、プランジャを固定鉄心から離間する方向へ付勢する。そして、電磁弁は、プランジャの移動に伴い弁体が移動することにより、ボディの流路を切り換える。

【0003】

ところで、電磁弁の弁体の応答性を良好なものとするためには、固定鉄心に発生する吸引力を大きくする必要がある。固定鉄心に発生する吸引力を大きくするためには、コイルに供給される電力を大きくする必要がある。コイルに供給される電力が大きくなるほど、コイルから生じる熱が増大する。そこで、例えば特許文献１では、電磁弁全体を空冷することにより電磁弁を冷却している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０２１－１１３５７２号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

しかしながら、特許文献１のように、電磁弁全体を空冷することにより電磁弁を冷却するだけでは、コイルが十分に冷却され難い。したがって、コイルを効率良く冷却することが望まれている。

【課題を解決するための手段】

【0006】

上記課題を解決するための各態様を記載する。
［態様１］
ボディに形成された流路を切り換える弁体、及び前記弁体を移動させるソレノイドを備えている電磁弁と、
前記電磁弁が設置されるマニホールドベースと、を備え、
前記ソレノイドは、
コイルと、
固定鉄心と、
前記コイルに電力が供給されることで前記固定鉄心に発生する吸引力により前記固定鉄心に吸着されるプランジャと、
前記プランジャを前記固定鉄心から離間する方向へ付勢するプランジャばねと、を備え、
前記電磁弁は、前記プランジャの移動に伴い前記弁体が移動することにより、前記流路を切り換える電磁弁マニホールドであって、
前記マニホールドベースは、金属製であり、
前記電磁弁と前記マニホールドベースとの間には、前記コイルから生じる熱を吸熱するペルチェ素子が介在されており、
前記ペルチェ素子によって吸熱された熱は、前記マニホールドベースに放熱されることを特徴とする電磁弁マニホールド。

【0007】

［態様２］
前記ソレノイドは、前記コイルの周囲で前記固定鉄心及び前記プランジャと協働して磁路を形成する磁気フレームを備え、
前記ペルチェ素子は、前記磁気フレームと熱的に結合されていることを特徴とする［態様１］に記載の電磁弁マニホールド。

【0008】

［態様３］
前記磁気フレームと前記ペルチェ素子との間には、弾性変形可能な伝熱部材が介在されていることを特徴とする［態様２］に記載の電磁弁マニホールド。

【0009】

［態様４］
前記マニホールドベースは、
前記ペルチェ素子が設置される素子設置面を有する基部と、
前記基部における前記素子設置面とは反対側に位置する面から突出する板状の複数のフィンと、を有していることを特徴とする［態様１］～［態様３］のいずれか１つに記載の電磁弁マニホールド。

【0010】

［態様５］
前記マニホールドベースは、前記電磁弁からの流体を外部へ排出する排出流路を有し、
前記排出流路から外部へ排出された流体が隣り合うフィン同士の間を流れることを特徴とする［態様４］に記載の電磁弁マニホールド。

【0011】

［態様６］
前記マニホールドベースは、前記電磁弁からの流体を外部へ排出する排出流路を有し、
前記各フィンには、前記排出流路の一部が貫通していることを特徴とする［態様４］に記載の電磁弁マニホールド。

【0012】

［態様７］
前記コイルに対して通電制御を行う制御回路を備え、
前記制御回路は、前記コイルへの通電と同期して前記ペルチェ素子への通電も行うことを特徴とする［態様１］～［態様６］のいずれか１つに記載の電磁弁マニホールド。

【発明の効果】

【0013】

この発明によれば、コイルを効率良く冷却することができる。

【図面の簡単な説明】

【0014】

【図1】図１は、実施形態における電磁弁マニホールドを示す断面図である。

【図2】図２は、電磁弁マニホールドの正面図である。

【図3】図３は、電磁弁マニホールドの一部分を拡大して示す断面図である。

【図4】図４は、電磁弁マニホールドの一部分を拡大して示す断面図である。

【図5】図５は、変更例における電磁弁マニホールドを示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0015】

以下、電磁弁マニホールドに具体化した一実施形態を図１～図４にしたがって説明する。
＜電磁弁マニホールドの概略構成＞
図１及び図２に示すように、電磁弁マニホールド１０は、電磁弁１１と、マニホールドベース１２と、を備えている。図２に示すように、電磁弁マニホールド１０は、電磁弁１１を複数備えている。複数の電磁弁１１は、マニホールドベース１２に対して、一方向に並んだ状態でマニホールドベース１２に載置されている。なお、以下の説明では、複数の電磁弁１１が並んでいる一方向を「複数の電磁弁１１の並設方向」と記載する。このように、マニホールドベース１２には、複数の電磁弁１１が設置されている。

【0016】

＜電磁弁＞
図１に示すように、電磁弁１１は、ボディ１３を備えている。ボディ１３は、弁ボディ１４と、ハウジング１５と、を有している。弁ボディ１４は、長四角ブロック状である。弁ボディ１４は、樹脂製である。したがって、弁ボディ１４は、非磁性材料により形成されている。弁ボディ１４は、マニホールドベース１２に対向する対向面１４ａを有している。対向面１４ａは、平坦面状である。

【0017】

ハウジング１５は、四角筒状である。ハウジング１５は、樹脂製である。したがって、ハウジング１５は、非磁性材料により形成されている。ハウジング１５は、弁ボディ１４の長手方向の第１端に連結されている。

【0018】

図３に示すように、ボディ１３は、弁孔１６を有している。弁孔１６は、弁ボディ１４に形成されている。弁孔１６は、円孔状である。弁孔１６の軸方向は、弁ボディ１４の長手方向に一致している。

【0019】

弁孔１６は、第１孔１７、第２孔１８、第３孔１９、及び第４孔２０を有している。第１孔１７、第２孔１８、第３孔１９、及び第４孔２０は、孔径がそれぞれ異なっている。第１孔１７、第２孔１８、第３孔１９、及び第４孔２０は、弁ボディ１４におけるハウジング１５とは反対側の端面からハウジング１５に向けてこの順で配置されるとともに弁ボディ１４の長手方向にそれぞれ延びている。第２孔１８は、第１孔１７よりも孔径が小さい。第３孔１９は、第２孔１８よりも孔径が小さい。第４孔２０は、第２孔１８及び第３孔１９よりも孔径が大きく、且つ、第１孔１７よりも孔径が小さい。

【0020】

第１孔１７と第２孔１８とは、第１段差面２１によって接続されている。第１段差面２１は、弁ボディ１４の長手方向に対して直交する方向に延びる環状である。第２孔１８と第３孔１９とは、第２段差面２２によって接続されている。第２段差面２２は、弁ボディ１４の長手方向に対して直交する方向に延びる環状である。第３孔１９と第４孔２０とは、第３段差面２３によって接続されている。第３段差面２３は、弁ボディ１４の長手方向に対して直交する方向に延びる環状である。また、第１孔１７における第２孔１８とは反対側の端部は、雌ねじ孔２４になっている。

【0021】

ボディ１３は、供給ポート２５、出力ポート２６、及び排出ポート２７を有している。供給ポート２５、出力ポート２６、及び排出ポート２７は、弁ボディ１４に形成されている。供給ポート２５、出力ポート２６、及び排出ポート２７は、弁ボディ１４の長手方向にこの順に並んで弁ボディ１４に形成されている。供給ポート２５は、弁ボディ１４の長手方向において、出力ポート２６よりもハウジング１５とは反対側に位置している。排出ポート２７は、弁ボディ１４の長手方向において、出力ポート２６よりもハウジング１５寄りに位置している。本実施形態の電磁弁１１は、３ポート電磁弁である。

【0022】

供給ポート２５、出力ポート２６、及び排出ポート２７それぞれの第１端は、弁孔１６に連通している。供給ポート２５及び出力ポート２６の第１端は、第１孔１７に連通している。排出ポート２７の第１端は、第２孔１８に連通している。供給ポート２５、出力ポート２６、及び排出ポート２７それぞれの第２端は、弁ボディ１４の対向面１４ａに開口している。

【0023】

電磁弁１１は、弁体２８を備えている。弁体２８は、弁孔１６内に収容されている。弁体２８は、弁孔１６内を弁孔１６の軸方向へ往復動可能である。本実施形態の弁体２８は、ポペット弁である。

【0024】

電磁弁１１は、プラグ２９を備えている。プラグ２９は、弁ボディ１４に取り付けられている。プラグ２９は、弁孔１６におけるハウジング１５とは反対側の端部を閉塞している。プラグ２９は、円板状の端壁２９ａと、円筒状の周壁２９ｂと、を有している。周壁２９ｂは、端壁２９ａの外周部から延びている。周壁２９ｂは、弁孔１６の内周面に沿って延びている。プラグ２９は、雄ねじ２９ｃを有している。雄ねじ２９ｃは、端壁２９ａの外周面に形成されている。雄ねじ２９ｃは、雌ねじ孔２４に螺合可能に構成されている。プラグ２９は、雄ねじ２９ｃが雌ねじ孔２４に螺合されることにより、弁ボディ１４の弁孔１６に取り付けられている。プラグ２９の端壁２９ａは、弁孔１６におけるハウジング１５とは反対側の端部を閉塞している。

【0025】

周壁２９ｂは、供給ポート２５における第１孔１７への開口周囲を通過して、出力ポート２６における第１孔１７への開口周囲まで延びている。周壁２９ｂの内側は、第１孔１７に連通している。周壁２９ｂにおける供給ポート２５と対向する部分には、連通孔２９ｈが形成されている。

【0026】

電磁弁１１は、円環状の第１シール部材３１を備えている。第１シール部材３１は、周壁２９ｂの外周面に装着されている。第１シール部材３１は、第１孔１７の内周面における供給ポート２５と出力ポート２６との間の部分と周壁２９ｂの外周面との間をシールする。そして、第１シール部材３１によって、第１孔１７の内周面における供給ポート２５と出力ポート２６との間の部分と周壁２９ｂの外周面との間を介した供給ポート２５と出力ポート２６との間の流体の洩れが規制されている。

【0027】

電磁弁１１は、円環状の第２シール部材３２を備えている。第２シール部材３２は、周壁２９ｂの外周面に装着されている。第２シール部材３２は、第１孔１７の内周面における供給ポート２５よりも出力ポート２６とは反対側の部分と周壁２９ｂの外周面との間をシールする。そして、第２シール部材３２によって、第１孔１７の内周面における供給ポート２５よりも出力ポート２６とは反対側の部分と周壁２９ｂの外周面との間を介した供給ポート２５からの流体の洩れが規制されている。

【0028】

電磁弁１１は、円環状の第１弁座３３を備えている。第１弁座３３は、プラグ２９に設けられている。第１弁座３３は、周壁２９ｂの先端面から突出している。第１弁座３３は、弁ボディ１４の軸方向において第１段差面２１と対向している。

【0029】

電磁弁１１は、円環状の第２弁座３４を備えている。第２弁座３４は、弁ボディ１４に設けられている。第２弁座３４は、第１段差面２１から第１弁座３３に向けて突出している。第１弁座３３及び第２弁座３４は、弁ボディ１４の軸方向で互いに向き合っている。第１孔１７における第１弁座３３と第２弁座３４との間は、弁室３５になっている。

【0030】

弁体２８は、円柱状の軸部３６と、円環状の大径部３７と、を有している。大径部３７は、軸部３６の外周面から突出している。軸部３６は、第４孔２０から第３孔１９及び第２孔１８を通過して第１孔１７内に突出している。軸部３６の一部分は、プラグ２９の周壁２９ｂ内に入り込んでいる。軸部３６の外径は、第３孔１９の孔径よりも僅かに小さい。軸部３６の外周面は、弁体２８が弁孔１６の軸方向に移動する際に、第３孔１９の内周面に摺接する。したがって、第３孔１９の内周面は、弁体２８が弁孔１６の軸方向に移動する際に、弁体２８における弁孔１６の軸方向への移動をガイドするガイド面として機能している。

【0031】

弁体２８は、弁部３８を有している。弁部３８は、ゴム製である。弁部３８は、円環状である。弁部３８は、大径部３７の外周面を覆うように大径部３７に装着されている。弁部３８は、弁孔１６の軸方向で第１弁座３３及び第２弁座３４の間に配置されている。したがって、弁部３８は、弁室３５内に収容されている。弁部３８は、第１弁座３３及び第２弁座３４に対して接離可能になっている。

【0032】

電磁弁１１は、軸部材３９を備えている。軸部材３９は、軸部３６におけるプラグ２９側の端面に取り付けられている。軸部材３９は、プラグ２９の周壁２９ｂ内に配置されている。軸部材３９は、圧入部４０と、大径部４１と、軸部４２と、を有している。大径部４１は、圧入部４０の外径よりも大径である。軸部４２は、大径部４１における圧入部４０とは反対側の部位に連続している。そして、軸部材３９は、圧入部４０が、軸部３６におけるプラグ２９側の端面に形成された圧入孔３６ｈに圧入されることにより、軸部３６に取り付けられている。軸部材３９は、弁体２８と一体的に移動可能である。大径部４１の外径は、周壁２９ｂの内径よりも僅かに小さい。

【0033】

周壁２９ｂ内において、大径部４１とプラグ２９の端壁２９ａとの間はばね収容室４３になっている。ばね収容室４３には、弁体ばね４４が収容されている。弁体ばね４４は、大径部４１とプラグ２９との間に介在されている。弁体ばね４４は、弁部３８が第１弁座３３から離間する方向へ軸部材３９及び弁体２８を付勢している。

【0034】

大径部４１の外周面にはパッキン４５が装着されている。パッキン４５は、プラグ２９の連通孔２９ｈよりもプラグ２９の端壁２９ａ寄りに位置している。そして、パッキン４５によって、大径部４１の外周面と周壁２９ｂの内周面との間を介した供給ポート２５からばね収容室４３への流体の洩れが規制されている。

【0035】

図４に示すように、ハウジング１５は、端壁１５ａと、周壁１５ｂと、を有している。周壁１５ｂは、端壁１５ａの外周部から筒状に延びている。周壁１５ｂの軸線は、弁孔１６の軸線に一致している。端壁１５ａには、挿通孔１５ｃが形成されている。挿通孔１５ｃの軸線は、周壁１５ｂの軸線に一致している。

【0036】

＜ソレノイド＞
電磁弁１１は、ソレノイド５０を備えている。ソレノイド５０は、コイル５１と、固定鉄心５２と、プランジャ５３と、プランジャばね５４と、を備えている。固定鉄心５２及びプランジャ５３は、磁性材製である。ソレノイド５０は、筒状のボビン５５を備えている。ボビン５５は、樹脂製である。したがって、ボビン５５は、非磁性材料により形成されている。ボビン５５は、ハウジング１５内に収容されている。ボビン５５には、コイル５１が巻回されている。ボビン５５の軸線は、ハウジング１５の周壁１５ｂの軸線に一致している。

【0037】

ソレノイド５０は、磁気フレーム５６を備えている。磁気フレーム５６は、磁性材製である。磁気フレーム５６は、ハウジング１５に一体化されている。磁気フレーム５６は、端壁５６ａと、第１延在壁５６ｂと、第２延在壁５６ｃと、を有している。端壁５６ａは、平板状である。端壁５６ａは、ハウジング１５の端壁１５ａの内面に沿って延びている。端壁５６ａには、雌ねじ孔５６ｄが形成されている。雌ねじ孔５６ｄは、挿通孔１５ｃの内側に位置している。雌ねじ孔５６ｄの軸線は、挿通孔１５ｃの軸線に一致している。

【0038】

第１延在壁５６ｂ及び第２延在壁５６ｃは、長細平板状である。第１延在壁５６ｂ及び第２延在壁５６ｃは、端壁５６ａから互いに平行に延びている。第１延在壁５６ｂ及び第２延在壁５６ｃの長手方向は、周壁１５ｂの軸方向に一致している。第１延在壁５６ｂ及び第２延在壁５６ｃは、ボビン５５及びコイル５１の外側を通過している。第１延在壁５６ｂは、ハウジング１５の周壁１５ｂに埋設されている。したがって、第１延在壁５６ｂは、ハウジング１５の周壁１５ｂによって覆われている。第２延在壁５６ｃは、ハウジング１５の周壁１５ｂによって覆われることなく外部へ露出している。各電磁弁１１は、第２延在壁５６ｃがマニホールドベース１２側に位置する状態で、マニホールドベース１２に対して配置されている。

【0039】

固定鉄心５２は、ハウジング１５内に収容されている。固定鉄心５２は、軸部５２ａと、環状のフランジ部５２ｂと、を有している。フランジ部５２ｂは、軸部５２ａの端部から軸部５２ａの軸方向に対して直交する方向に突出している。軸部５２ａは、ボビン５５の内側に対してハウジング１５の端壁１５ａ側から挿入されている。軸部５２ａの軸方向の長さは、ボビン５５の軸方向の長さよりも短い。軸部５２ａにおけるフランジ部５２ｂとは反対側の端面は平坦面状である。そして、軸部５２ａにおけるフランジ部５２ｂとは反対側の端面は、プランジャ５３が吸着される吸着面５２ｅになっている。したがって、固定鉄心５２は、プランジャ５３が吸着される吸着面５２ｅを有している。フランジ部５２ｂの外周面には、雄ねじ５２ｃが形成されている。雄ねじ５２ｃは、磁気フレーム５６の雌ねじ孔５６ｄに螺合されている。

【0040】

プランジャ５３は、柱状である。プランジャ５３は、ボビン５５の内側から弁ボディ１４の弁孔１６内に突出している。プランジャ５３は、固定鉄心５２よりも弁ボディ１４寄りに位置している。プランジャ５３の軸線は、固定鉄心５２の軸部５２ａの軸線と一致している。プランジャ５３における固定鉄心５２側の端面５３ａは平坦面状である。プランジャ５３の端面５３ａは、固定鉄心５２の吸着面５２ｅに面接触可能である。プランジャ５３における固定鉄心５２とは反対側の端面５３ｂは、弁体２８に接離可能である。

【0041】

ソレノイド５０は、筒状の磁性コア５７を備えている。磁性コア５７は、磁気フレーム５６の第１延在壁５６ｂ及び第２延在壁５６ｃ各々の先端側の内側に配置されている。磁性コア５７は、プランジャ５３の軸方向において、ボビン５５よりも弁ボディ１４寄りに位置している。磁性コア５７の外周面は、第１延在壁５６ｂの内面における先端側の部位、及び第２延在壁５６ｃの内面における先端側の部位それぞれに接触している。プランジャ５３は、磁性コア５７の内側を通過している。

【0042】

プランジャ５３の外周面における固定鉄心５２とは反対側の端部には、環状の鍔部５３ｆが突出している。鍔部５３ｆは、弁孔１６の第４孔２０の内側に位置している。プランジャばね５４は、磁性コア５７とプランジャ５３の鍔部５３ｆとの間に介在されている。プランジャばね５４の第１端は、磁性コア５７の端面に支持されている。プランジャばね５４の第２端は、プランジャ５３の鍔部５３ｆに支持されている。プランジャばね５４は、プランジャ５３の端面５３ａが固定鉄心５２の吸着面５２ｅに対して離間する方向へプランジャ５３を付勢している。したがって、プランジャばね５４は、プランジャ５３を固定鉄心５２から離間する方向へ付勢する。プランジャばね５４の付勢力は、弁体ばね４４の付勢力よりも大きい。

【0043】

電磁弁１１は、カバー６０を備えている。カバー６０は、ハウジング１５を覆うように弁ボディ１４に取り付けられている。電磁弁１１は、制御基板６１を備えている。制御基板６１は、カバー６０内に収容されている。制御基板６１は、コイル５１に電気的に接続されている。そして、図示しない外部制御機器からの電力が制御基板６１を介してコイル５１に供給される。

【0044】

制御基板６１は、制御回路６２を有している。したがって、電磁弁マニホールド１０は、制御回路６２を備えている。制御回路６２は、外部制御機器から制御基板６１を介したコイル５１への電力の供給を制御する。したがって、制御回路６２は、コイル５１に対して通電制御を行う。

【0045】

＜マニホールドベース＞
図１及び図２に示すように、マニホールドベース１２は、四角ブロック状である。マニホールドベース１２は、金属製である。マニホールドベース１２は、例えば、アルミニウムや銅等の熱伝導性の高い金属によって形成されている。

【0046】

マニホールドベース１２は、流路ブロック部７０と、ヒートシンク部７１と、を有している。図１に示すように、流路ブロック部７０は、弁ボディ１４が載置される載置面７０ａを有している。流路ブロック部７０の載置面７０ａには、弁ボディ１４が載置されている。流路ブロック部７０の載置面７０ａと弁ボディ１４の対向面１４ａとは互いに向き合っている。

【0047】

マニホールドベース１２は、供給流路７２、出力流路７３、及び排出流路７４を有している。供給流路７２は、供給主流路７２ａと、複数の供給分配流路７２ｂと、を有している。供給主流路７２ａ及び各供給分配流路７２ｂは、流路ブロック部７０に形成されている。供給主流路７２ａは、流路ブロック部７０の内部を複数の電磁弁１１の並設方向に延びている。供給主流路７２ａには、図示しない流体供給源からの流体が流れている。各供給分配流路７２ｂは、各電磁弁１１に対応して１つずつ設けられている。各供給分配流路７２ｂの第１端は、供給主流路７２ａに連通している。そして、各供給分配流路７２ｂには、供給主流路７２ａを流れる流体がそれぞれ分配される。各供給分配流路７２ｂの第２端は、流路ブロック部７０の載置面７０ａに開口している。そして、各供給分配流路７２ｂの第２端は、各電磁弁１１の供給ポート２５にそれぞれ連通している。供給主流路７２ａを流れる流体は、各供給分配流路７２ｂを介して各電磁弁１１の供給ポート２５に供給される。

【0048】

出力流路７３は、流路ブロック部７０に複数形成されている。各出力流路７３は、各電磁弁１１に対応して１つずつ設けられている。各出力流路７３の第１端は、流路ブロック部７０の載置面７０ａに開口している。そして、各出力流路７３の第１端は、各電磁弁１１の出力ポート２６にそれぞれ連通している。各出力流路７３の第２端は、図示しない配管等を介して図示しない流体圧機器にそれぞれ接続されている。

【0049】

排出流路７４は、複数の排出個別流路７４ａと、排出集合流路７４ｂと、を有している。各排出個別流路７４ａ及び排出集合流路７４ｂは、流路ブロック部７０に形成されている。排出集合流路７４ｂは、流路ブロック部７０の内部を複数の電磁弁１１の並設方向に延びている。各排出個別流路７４ａは、各電磁弁１１に対応して１つずつ設けられている。各排出個別流路７４ａの第１端は、流路ブロック部７０の載置面７０ａに開口している。そして、各排出個別流路７４ａの第１端は、各電磁弁１１の排出ポート２７にそれぞれ連通している。各排出個別流路７４ａの第２端は、排出集合流路７４ｂに連通している。そして、各電磁弁１１の排出ポート２７から排出される流体は、各排出個別流路７４ａを介して排出集合流路７４ｂに排出される。

【0050】

図１及び図２に示すように、マニホールドベース１２は、基部８０と、複数のフィン８１と、を有している。基部８０及び複数のフィン８１は、ヒートシンク部７１を構成している。基部８０及び複数のフィン８１は、流路ブロック部７０と一体形成されている。したがって、ヒートシンク部７１は、流路ブロック部７０と一体形成されている。

【0051】

図２に示すように、基部８０は、平板状である。基部８０は、複数の電磁弁１１の並設方向に延びている。基部８０の厚み方向の一方の面は、素子設置面８０ａになっている。したがって、基部８０は、素子設置面８０ａを有している。素子設置面８０ａは、段差面８０ｂを介して流路ブロック部７０の載置面７０ａに連続している。素子設置面８０ａは、載置面７０ａよりも電磁弁１１から離間した位置に配置されている。

【0052】

複数のフィン８１は、平板状である。複数のフィン８１は、基部８０における素子設置面８０ａとは反対側に位置する面から突出している。複数のフィン８１は、各々の厚み方向が一致した状態で、基部８０における素子設置面８０ａとは反対側に位置する面から突出している。各フィン８１の厚み方向は、複数の電磁弁１１の並設方向に一致している。各フィン８１は、各電磁弁１１に対応した位置に１つずつ配置されている。各フィン８１は、基部８０の厚み方向で各電磁弁１１と重なる位置にそれぞれ配置されている。

【0053】

図１及び図２に示すように、各フィン８１には、貫通孔８１ｈが形成されている。図１に示すように、各貫通孔８１ｈの第１端は、排出集合流路７４ｂに連通している。各貫通孔８１ｈの第２端は、各フィン８１における流路ブロック部７０とは反対側の端面に開口している。そして、各電磁弁１１の排出ポート２７から排出される流体は、各排出個別流路７４ａ、排出集合流路７４ｂ、及び各貫通孔８１ｈを介して外部へ排出される。したがって、各貫通孔８１ｈは、電磁弁１１からの流体を外部へ排出する排出流路７４の一部を構成している。そして、各フィン８１には、排出流路７４の一部が貫通している。

【0054】

電磁弁マニホールド１０は、設置対象８２に対して設置されている。電磁弁マニホールド１０は、断熱材８３を備えている。電磁弁マニホールド１０は、マニホールドベース１２が断熱材８３を介して設置対象８２に載置されることにより、設置対象８２に対して設置されている。したがって、マニホールドベース１２と設置対象８２との間には、断熱材８３が介在されている。

【0055】

＜ペルチェ素子＞
図４に示すように、電磁弁１１とマニホールドベース１２との間には、ペルチェ素子８５が介在されている。ペルチェ素子８５は、平板状である。ペルチェ素子８５は、リード線８６を介して制御基板６１に電気的に接続されている。制御回路６２は、コイル５１への通電と同期してペルチェ素子８５への通電も行う。制御基板６１からコイル５１への電力の供給が行われると、制御基板６１からリード線８６を介したペルチェ素子８５への電力の供給も同期して行われる。一方で、制御基板６１からコイル５１への電力の供給が停止されると、制御基板６１からリード線８６を介したペルチェ素子８５への電力の供給も同期して停止される。

【0056】

ペルチェ素子８５は、例えば、Ｐ型半導体とＮ型半導体とが電気的に接続されることで構成されている。そして、ペルチェ素子８５は、制御基板６１から電力が供給されると、ペルチェ素子８５の第１面８５ａが吸熱面として作用するとともにペルチェ素子８５の第２面８５ｂが放熱面として作用する。このようなペルチェ素子８５は既に公知である。

【0057】

ペルチェ素子８５は、素子設置面８０ａに設置されている。したがって、素子設置面８０ａには、ペルチェ素子８５が設置される。ペルチェ素子８５は、ペルチェ素子８５の第２面８５ｂが素子設置面８０ａに面接触した状態で素子設置面８０ａに設置されている。

【0058】

磁気フレーム５６とペルチェ素子８５との間には、伝熱部材８７が介在されている。伝熱部材８７は、弾性変形可能に構成されている。伝熱部材８７は、例えば、ゴム部材である。伝熱部材８７は、ペルチェ素子８５の第１面８５ａに対して、例えば、接着剤等によって接合されている。ペルチェ素子８５は、伝熱部材８７を介して磁気フレーム５６の第２延在壁５６ｃの外面と熱的に結合されている。したがって、ペルチェ素子８５は、磁気フレーム５６と熱的に結合されている。

【0059】

コイル５１から生じる熱は、磁気フレーム５６の第２延在壁５６ｃ及び伝熱部材８７を介してペルチェ素子８５に伝達される。ペルチェ素子８５は、制御基板６１から電力が供給されている状態では、コイル５１から生じる熱を、磁気フレーム５６の第２延在壁５６ｃ及び伝熱部材８７を介して第１面８５ａから吸熱する。したがって、ペルチェ素子８５は、コイル５１から生じる熱を吸熱する。そして、ペルチェ素子８５によって吸熱された熱は、第２面８５ｂからマニホールドベース１２に放熱される。

【0060】

［実施形態の作用］
次に、本実施形態の作用について説明する。
制御回路６２におけるコイル５１に対する通電制御が行われて、制御基板６１からコイル５１へ電力が供給されると、コイル５１が励磁される。コイル５１が励磁されると、コイル５１の周囲で固定鉄心５２、磁気フレーム５６、磁性コア５７、及びプランジャ５３を通過する環状の磁路が形成される。したがって、磁気フレーム５６は、コイル５１の周囲で固定鉄心５２及びプランジャ５３と協働して磁路を形成する。すると、コイル５１の励磁作用により固定鉄心５２に吸引力が発生する。そして、固定鉄心５２に発生する吸引力がプランジャばね５４の付勢力に打ち勝って、プランジャ５３が固定鉄心５２に向けて移動し、プランジャ５３の端面５３ａが固定鉄心５２の吸着面５２ｅに吸着した状態となる。したがって、プランジャ５３は、コイル５１に電力が供給されることで固定鉄心５２に発生する吸引力により固定鉄心５２に吸着される。

【0061】

このプランジャ５３の移動に伴い、軸部材３９及び弁体２８が、弁体ばね４４の付勢力によって、弁部３８が第１弁座３３から離間する方向へ移動し、弁部３８が第２弁座３４に着座する。これにより、供給ポート２５と出力ポート２６とが、連通孔２９ｈ、周壁２９ｂの内側、及び弁室３５を介して連通し、出力ポート２６と排出ポート２７との連通が遮断される。したがって、弁体２８は、供給ポート２５と出力ポート２６との連通を許容し、且つ、出力ポート２６と排出ポート２７との連通を遮断する第１切換状態となる。そして、流体供給源からの流体が、供給流路７２、供給ポート２５、連通孔２９ｈ、周壁２９ｂの内側、弁室３５、出力ポート２６、及び出力流路７３を介して流体圧機器に供給される。

【0062】

一方、制御基板６１からコイル５１への電力の供給が停止すると、コイル５１の励磁作用により発生する固定鉄心５２の吸引力が消滅する。そして、プランジャばね５４の付勢力によって、プランジャ５３の端面５３ａが固定鉄心５２の吸着面５２ｅから離間する方向へプランジャ５３が移動する。さらに、プランジャばね５４の付勢力が弁体ばね４４の付勢力に打ち勝つことで、プランジャ５３の端面５３ｂが弁体２８の軸部３６に当接しながら、弁体２８及び軸部材３９を押圧する。そして、弁部３８が第２弁座３４から離間する方向へ移動して、弁部３８が第１弁座３３に着座する。これにより、出力ポート２６と排出ポート２７とが、弁室３５及び第２孔１８を介して連通し、供給ポート２５と出力ポート２６との連通が遮断される。したがって、弁体２８は、供給ポート２５と出力ポート２６との連通を遮断し、且つ、出力ポート２６と排出ポート２７との連通を許容する第２切換状態となる。そして、流体圧機器からの流体が、出力流路７３、出力ポート２６、弁室３５、第２孔１８、排出ポート２７、及び排出流路７４を介して外部に排出される。

【0063】

このように、ソレノイド５０は、弁体２８を移動させる。弁体２８は、ボディ１３に形成された流路を切り換える。電磁弁１１は、プランジャ５３の移動に伴い弁体２８が移動することにより、ボディ１３に形成された流路を切り換える。

【0064】

ところで、このような電磁弁マニホールド１０においては、電磁弁１１の弁体２８の応答性を良好なものとするためには、固定鉄心５２に発生する吸引力を大きくする必要がある。固定鉄心５２に発生する吸引力を大きくするためには、コイル５１に供給される電力を大きくする必要がある。コイル５１に供給される電力が大きくなるほど、コイル５１から生じる熱が増大する。

【0065】

このとき、制御回路６２におけるコイル５１に対する通電制御が行われており、コイル５１から熱が生じているときに、制御回路６２におけるペルチェ素子８５に対する通電制御が行われる。よって、コイル５１から生じる熱が、磁気フレーム５６の第２延在壁５６ｃ及び伝熱部材８７を介してペルチェ素子８５の第１面８５ａから吸熱される。そして、ペルチェ素子８５によって吸熱された熱が、ペルチェ素子８５の第２面８５ｂからマニホールドベース１２の基部８０に放熱される。基部８０に放熱された熱は、各フィン８１に伝達されて各フィン８１から外部へ放熱される。その結果、コイル５１が効率良く冷却される。

【0066】

制御基板６１からコイル５１への電力の供給が停止すると、制御基板６１からペルチェ素子８５への電力の供給も停止される。すると、ペルチェ素子８５の第１面８５ａからの吸熱が行われなくなる。このとき、各フィン８１が排出流路７４を流れる流体によって冷却される。したがって、マニホールドベース１２に蓄積されている熱がマニホールドベース１２から放熱される。

【0067】

［実施形態の効果］
上記実施形態では以下の効果を得ることができる。
（１）電磁弁１１とマニホールドベース１２との間には、コイル５１から生じる熱を吸熱するペルチェ素子８５が介在されている。ペルチェ素子８５によって吸熱された熱は、マニホールドベース１２に放熱される。これによれば、コイル５１から生じる熱がペルチェ素子８５によって吸熱されるとともに、ペルチェ素子８５によって吸熱された熱が、マニホールドベース１２に放熱されるため、コイル５１を効率良く冷却することができる。

【0068】

（２）ペルチェ素子８５は、磁気フレーム５６と熱的に結合されている。これによれば、コイル５１から生じる熱が磁気フレーム５６を介してペルチェ素子８５に効率良く伝達されるため、ペルチェ素子８５によってコイル５１から生じる熱を効率良く吸熱することができる。

【0069】

（３）磁気フレーム５６とペルチェ素子８５との間には、弾性変形可能な伝熱部材８７が介在されている。これによれば、磁気フレーム５６とペルチェ素子８５との間で生じる寸法公差を伝熱部材８７が弾性変形することにより吸収することができる。したがって、磁気フレーム５６とペルチェ素子８５とを伝熱部材８７を介して確実に熱的に結合させることができるため、コイル５１から生じる熱を磁気フレーム５６を介してペルチェ素子８５にさらに効率良く伝達させることができる。その結果、ペルチェ素子８５によってコイル５１から生じる熱をさらに効率良く吸熱することができる。

【0070】

（４）マニホールドベース１２は、ペルチェ素子８５が設置される素子設置面８０ａを有する基部８０と、基部８０における素子設置面８０ａとは反対側に位置する面から突出する板状の複数のフィン８１と、を有している。これによれば、ペルチェ素子８５によって吸熱された熱が、基部８０及び各フィン８１に伝達されて各フィン８１から外部へ放熱される。このように、基部８０における素子設置面８０ａとは反対側に位置する面から板状のフィン８１が複数突出している構成は、マニホールドベース１２の放熱面積を確保する上で好適な構成である。したがって、マニホールドベース１２の放熱性の向上を図ることができるため、コイル５１をさらに効率良く冷却することができる。

【0071】

（５）各フィン８１には、排出流路７４の一部が貫通している。これによれば、各フィン８１が排出流路７４を流れる流体によって冷却されるため、マニホールドベース１２の放熱性の向上をさらに図ることができる。したがって、コイル５１をさらに効率良く冷却することができる。

【0072】

（６）制御回路６２は、コイル５１への通電と同期してペルチェ素子８５への通電も行う。これによれば、制御回路６２におけるコイル５１に対する通電制御が行われており、コイル５１から熱が生じているときに、制御回路６２におけるペルチェ素子８５に対する通電制御が行われる。したがって、ペルチェ素子８５に対する消費電力を極力抑えつつも、コイル５１を効率良く冷却することができる。

【0073】

（７）マニホールドベース１２と設置対象８２との間には、断熱材８３が介在されている。これによれば、設置対象８２からの熱がマニホールドベース１２に伝達されてしまうことを抑制することができる。

【0074】

（８）ペルチェ素子８５によってコイル５１を効率良く冷却することができるため、電磁弁１１において使用温度範囲を拡大することができる。また、ペルチェ素子８５によってコイル５１を効率良く冷却することができるため、例えば、弁体２８を高速で移動させる際のコイル５１の蓄熱作用を抑制することができる。したがって、長時間に亘って弁体２８を高速で移動させることが可能となる。

【0075】

［変更例］
なお、上記実施形態は、以下のように変更して実施することができる。上記実施形態及び以下の変更例は、技術的に矛盾しない範囲で互いに組み合わせて実施することができる。

【0076】

・図５に示すように、各フィン８１に貫通孔８１ｈが形成されていなくてもよい。排出流路７４は、排出口８８を有している。排出口８８は、流路ブロック部７０に形成されている。排出口８８の第１端は、排出集合流路７４ｂに連通している。排出口８８の第２端は、流路ブロック部７０における各フィン８１に対向する面に開口している。そして、各電磁弁１１の排出ポート２７から排出される流体は、各排出個別流路７４ａ、排出集合流路７４ｂ、及び排出口８８を介して外部へ排出される。排出口８８から外部へ排出された流体は、隣り合うフィン８１同士の間を流れる。このように、電磁弁マニホールド１０は、排出流路７４から外部へ排出される流体が隣り合うフィン８１同士の間を流れる構成であってもよい。これによれば、排出流路７４から外部へ排出された流体が隣り合うフィン８１同士の間を流れることにより、フィン８１から放熱した熱がフィン８１同士の間で滞留してしまうことを抑制することができる。したがって、マニホールドベース１２の放熱性の向上をさらに図ることができるため、コイル５１をさらに効率良く冷却することができる。

【0077】

・実施形態において、磁気フレーム５６の第２延在壁５６ｃが、ハウジング１５の周壁１５ｂによって覆われていてもよい。そして、ペルチェ素子８５が、伝熱部材８７を介してハウジング１５の周壁１５ｂの外面と熱的に結合されていてもよい。この場合であっても、コイル５１から生じる熱は、磁気フレーム５６の第２延在壁５６ｃ、ハウジング１５の周壁１５ｂ、及び伝熱部材８７を介してペルチェ素子８５に伝達される。

【0078】

・実施形態において、磁気フレーム５６とペルチェ素子８５との間に伝熱部材８７が介在されていなくてもよい。
・実施形態において、各フィン８１の厚み方向が、複数の電磁弁１１の並設方向に一致しておらず、各フィン８１の厚み方向が、例えば、弁ボディ１４の長手方向に一致していてもよい。この場合、各フィン８１には、フィン８１の厚み方向に貫通する貫通孔が形成されている。そして、電磁弁１１からの流体が各フィン８１の貫通孔内を流れるように構成されていてもよい。この場合、各フィン８１に形成される貫通孔は、排出流路７４の一部を構成している。したがって、各フィン８１には、排出流路７４の一部が貫通している。

【0079】

・実施形態において、マニホールドベース１２は、複数のフィン８１を有していない構成であってもよい。要は、マニホールドベース１２は、ペルチェ素子８５によって吸熱された熱を放熱することが可能な構成であればよい。

【0080】

・実施形態において、制御回路６２は、コイル５１への通電と、ペルチェ素子８５への通電とを別々に行うようにしてもよい。
・実施形態において、電磁弁マニホールド１０は、ペルチェ素子８５への電力の供給が、コイル５１への電力の供給源とは別の供給源から行われる構成であってもよい。

【0081】

・実施形態において、伝熱部材８７は、例えば、弾性変形可能に構成された金属部材であってもよい。
・実施形態において、電磁弁１１の数は特に限定されるものではない。

【0082】

・実施形態において、電磁弁１１は、例えば、ボディ１３に出力ポート及び排出ポートがそれぞれ２つずつ形成された５ポート電磁弁であってもよい。例えば、電磁弁１１が５ポート電磁弁である場合、弁体２８は、スプール弁である。要は、電磁弁１１は、３ポート電磁弁に限定されるものではない。

【符号の説明】

【0083】

１０…電磁弁マニホールド、１１…電磁弁、１２…マニホールドベース、１３…ボディ、２８…弁体、５０…ソレノイド、５１…コイル、５２…固定鉄心、５３…プランジャ、５４…プランジャばね、５６…磁気フレーム、６２…制御回路、７４…排出流路、８０…基部、８０ａ…素子設置面、８１…フィン、８５…ペルチェ素子、８７…伝熱部材。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】