特開 2024-179827 振動デバイス

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024179827

(43)【公開日】2024-12-26

(54)【発明の名称】振動デバイス

(51)【国際特許分類】

   H03H 9/19 20060101AFI20241219BHJP

   H03B 5/32 20060101ALI20241219BHJP

【ＦＩ】

H03H9/19 E

H03B5/32 H

【審査請求】未請求

【請求項の数】10

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023099037

(22)【出願日】2023-06-16

(71)【出願人】

【識別番号】000002369

【氏名又は名称】セイコーエプソン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100179475

【弁理士】

【氏名又は名称】仲井 智至

(74)【代理人】

【識別番号】100216253

【弁理士】

【氏名又は名称】松岡 宏紀

(74)【代理人】

【識別番号】100225901

【弁理士】

【氏名又は名称】今村 真之

(72)【発明者】

【氏名】古賀 嵩祥

(72)【発明者】

【氏名】山本 雄介

(72)【発明者】

【氏名】西澤 竜太

【テーマコード（参考）】

5J079

5J108

【Ｆターム（参考）】

5J079AA04

5J079BA43

5J079BA47

5J079HA03

5J079HA07

5J079HA16

5J079HA22

5J079HA30

5J108AA01

5J108BB02

5J108CC05

5J108DD02

5J108EE03

5J108EE14

5J108GG03

5J108GG14

5J108GG20

(57)【要約】

【課題】Ｑ値の高い振動素子を有する振動デバイスを提供する。
【解決手段】振動デバイス１は、ベース１０と、振動部２２、振動部２２より厚さが薄い薄肉部２３、及び薄肉部２３を介して振動部２２に接続されている支持部２４を含み、支持部２４において金属バンプ２７によりベース１０に接合された振動素子２０と、を備え、振動部２２の厚さをｔ１とし、薄肉部２３の表面２３ｓから振動部２２の表面２２ｓまでの長さをｈ１としたとき、０．０１≦ｈ１／ｔ１≦０．１５６を満たす。
【選択図】図４

【特許請求の範囲】

【請求項1】

ベースと、
振動部、前記振動部より厚さが薄い薄肉部、及び前記薄肉部を介して前記振動部に接続されている支持部を含み、前記支持部において金属バンプにより前記ベースに接合された振動素子と、を備え、
前記振動部の厚さをｔ１とし、
前記薄肉部の表面から前記振動部の表面までの長さをｈ１としたとき、
０．０１≦ｈ１／ｔ１≦０．１５６を満たす、
振動デバイス。

【請求項2】

前記ｈ１及び前記ｔ１は、
０．０２９≦ｈ１／ｔ１≦０．１２を満たす、
請求項１に記載の振動デバイス。

【請求項3】

前記ｈ１及び前記ｔ１は、
０．０４８≦ｈ１／ｔ１≦０．０９５を満たす、
請求項１に記載の振動デバイス。

【請求項4】

前記支持部は、前記振動部と同じ厚さである、
請求項１に記載の振動デバイス。

【請求項5】

前記振動部は、厚み滑り振動し、
前記厚み滑り振動の振動方向に沿った前記振動素子の長さをＬ１とし、
前記振動方向における、前記支持部と前記振動部との間の前記薄肉部の長さをＬ２としたとき、
０．０９２≦Ｌ２／Ｌ１≦０．１１０９を満たす、
請求項１に記載の振動デバイス。

【請求項6】

前記Ｌ１及び前記Ｌ２は、
０．０９３５≦Ｌ２／Ｌ１≦０．１０８５を満たす、
請求項５に記載の振動デバイス。

【請求項7】

前記Ｌ１及び前記Ｌ２は、
０．０９５１≦Ｌ２／Ｌ１≦０．１０６５を満たす、
請求項５に記載の振動デバイス。

【請求項8】

前記ベースは、シリコン基板を含む、
請求項１乃至請求項７の何れか一項に記載の振動デバイス。

【請求項9】

前記シリコン基板に接合され、前記シリコン基板との間で前記振動素子を収容する蓋体を更に備え、
前記シリコン基板は、第１面及び前記第１面とは反対側の第２面を含み、
前記第１面側に前記振動素子が前記金属バンプにより接合され、
前記振動素子と電気的に接続された発振回路が前記シリコン基板に形成されている、
請求項８に記載の振動デバイス。

【請求項10】

前記振動素子は、水晶振動素子であり、
前記金属バンプと前記ベースとの間に、水晶基板を有する、
請求項１又は請求項５に記載の振動デバイス。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、振動デバイスに関する。

【背景技術】

【0002】

振動する振動部及び振動部より厚さが薄く振動部の外縁に一体化された薄肉部を有するメサ型構造の振動素子を備え、振動エネルギーを振動部に閉じ込めＱ値を向上させた振動デバイスが知られている。
例えば特許文献１では、振動素子としてのメサ型構造の振動片をベース基板に接合する接合材の大きさを最適化することで、振動片に生じる屈曲振動の振幅を減衰させた振動デバイスとしての振動子が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１６－１５２４７７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかしながら、特許文献１に記載の振動デバイスは、接合材として金属バンプを用いた場合、導電性接着剤に比べ硬度が高いため、振動素子の振動状態への影響が大きくなり、振動特性が劣化しＱ値が低下するという課題があった。

【課題を解決するための手段】

【0005】

振動デバイスは、ベースと、振動部、前記振動部より厚さが薄い薄肉部、及び前記薄肉部を介して前記振動部に接続されている支持部を含み、前記支持部において金属バンプにより前記ベースに接合された振動素子と、を備え、前記振動部の厚さをｔ１とし、前記薄肉部の表面から前記振動部の表面までの長さをｈ１としたとき、０．０１≦ｈ１／ｔ１≦０．１５６を満たす。

【図面の簡単な説明】

【0006】

【図1】第１実施形態に係る振動デバイスの概略構造を示す平面図。

【図2】図１のＡ１－Ａ１線での断面図。

【図3】第１実施形態に係る振動デバイスの備える振動素子の概略構造を示す平面図。

【図4】図３のＡ２－Ａ２線での断面図。

【図5】薄肉部の表面から振動部の表面までの長さに対する振動素子のＱ値を示す図。

【図6】支持部と振動部との間隔に対する振動素子のＱ値を示す図。

【図7】第２実施形態に係る振動デバイスの概略構造を示す平面図。

【図8】図７のＢ１－Ｂ１線での断面図。

【図9】第２実施形態に係る振動デバイスの備える振動素子の概略構造を示す平面図。

【図10】図９のＢ２－Ｂ２線での断面図。

【図11】第３実施形態に係る振動デバイスの概略構造を示す平面図。

【図12】図１１のＣ１－Ｃ１線での断面図。

【図13】第３実施形態に係る振動デバイスの備える振動素子の概略構造を示す平面図。

【図14】図１３のＣ２－Ｃ２線での断面図。

【図15】第４実施形態に係る振動デバイスの概略構造を示す平面図。

【図16】図１５のＤ－Ｄ線での断面図。

【発明を実施するための形態】

【0007】

１．第１実施形態
先ず、第１実施形態に係る振動デバイス１について、図１～図６を参照して説明する。
尚、説明の便宜上、以降の各図には、互いに直交する３つの軸として、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸を図示している。また、Ｘ軸に沿った方向を「Ｘ方向」、Ｙ軸に沿った方向を「Ｙ方向」、Ｚ軸に沿った方向を「Ｚ方向」と言う。また、各軸方向の矢印先端側を「プラス側」、基端側を「マイナス側」、Ｚ方向プラス側を「上」、Ｚ方向マイナス側を「下」とも言う。

【0008】

振動デバイス１は、図１及び図２に示すように、ベース１０と、ベース１０の第１面１１に配置されている振動素子２０と、振動素子２０をベース１０に接合する金属バンプ２７と、振動素子２０を覆ってベース１０の第１面１１に接合されている蓋体１６と、を有する。

【0009】

ベース１０は、シリコン基板であり、表裏関係にある第１面１１及び第２面１２を有し、第１面１１に振動素子２０が金属バンプ２７により接合され、２つの内部端子１４が設けられている。また、振動素子２０と電気的に接続された発振回路１３がシリコン基板に設けられている。尚、本実施形態では、発振回路１３は、シリコン基板であるベース１０の第１面１１側に設けられている。換言すれば、ベース１０は、第１面１１を能動面とした半導体集積回路基板である。発振回路１３は、振動素子２０を発振させてクロック信号等の基準信号の周波数を生成する。尚、発振回路１３と内部端子１４とは、電気的に接続されている。

【0010】

ベース１０の第２面１２には、基準信号の周波数を出力する外部端子１５が複数設けられている。外部端子１５は、図示しない配線や貫通電極により発振回路１３と電気的に接続されている。尚、外部端子１５は、ベース１０との間に、図示しない絶縁層を介して配置してもよい。

【0011】

蓋体１６は、ベース１０側に開口する凹部２５が設けられており、ベース１０の第１面１１に接合部材１７を介して接合され、ベース１０と共に振動素子２０を収容する収容空間２６を構成している。尚、収容空間２６内は、減圧状態、好ましくはより真空に近い状態となっている。これにより、粘性抵抗が減り、振動素子２０の発振特性が向上する。また、蓋体１６の構成材料としては、シリコンが好適であり、ガラスやセラミック等でも構わない。

【0012】

振動素子２０は、図３及び図４に示すように、振動部２２、薄肉部２３、及び支持部２４を有する基板２１と、振動部２２の上下面に設けられた励振電極３１及び支持部２４の下面に設けられた２つのパッド電極３２と、を有する。尚、振動部２２は、矢印Ｓで示す振動方向に厚み滑り振動する。また、振動素子２０は、支持部２４において、金属バンプ２７によりベース１０に接合されている。

【0013】

基板２１は、振動方向となるＸ方向の長さが長い矩形であり、振動部２２と、振動部２２より厚みが薄い薄肉部２３と、振動部２２と同じ厚さである支持部２４と、を有する。支持部２４は、薄肉部２３を介して振動部２２に接続され、金属バンプ２７によりベース１０に接合されている。尚、薄肉部２３は、平面視で、振動部２２を取り囲むように配置され、振動部２２の上面及び下面からそれぞれ同じ深さに凹んでいる。よって、基板２１は、両面メサ型構造である。また、基板２１の構成材料としては、水晶であり、ＡＴカット水晶基板が好適である。

【0014】

振動部２２の上下面に設けられた励振電極３１は、平面視で、振動部２２の外形より内側に形成されており、２つの励振電極３１が重なるように配置されている。振動部２２の上面に設けられた励振電極３１は、Ｘ方向マイナス側に延在するリード電極３３と基板２１のＸ方向マイナス側の側面に設けられた側面電極３４を介して、支持部２４の下面に設けられた一方のパッド電極３２に電気的に接続されている。また、振動部２２の下面に設けられた励振電極３１は、Ｘ方向マイナス側に延在するリード電極３３を介して、支持部２４の下面に設けられた他方のパッド電極３２に電気的に接続されている。

【0015】

振動素子２０の２つのパッド電極３２は、ベース１０の第１面１１に設けられた２つの内部端子１４とそれぞれ重なる位置に配置され、金属バンプ２７を介して機械的・電気的に接合されている。そのため、振動部２２の上下面に設けられた励振電極３１とベース１０に設けられた発振回路１３とが電気的に接続されるため、振動素子２０を発振させることができる。

【0016】

振動素子２０は、基板２１のＸ方向マイナス側端部に配置された支持部２４を金属バンプ２７によりベース１０に接合した片持ち梁構造とすることで、金属バンプ２７から振動部２２までの間隔を長くし、接合に伴う金属バンプ２７の残留応力が振動特性に影響するのを小さくすることができる。従って、金属バンプ２７から振動部２２までの間隔が長ければ長いほど振動特性への影響を小さくすることができる。しかし、振動素子２０のＸ方向の長さが長くなり、小型化が課題となる。

【0017】

そこで、振動素子２０の小型化を図りつつ、振動素子２０のＱ値向上を図る方法として、メサ部となる振動部２２の表面２２ｓと薄肉部２３の表面２３ｓとの段差に対する振動素子２０のＱ値への影響を調査した。

【0018】

図４に示すように、振動部２２の厚さをｔ１とし、振動部２２の表面２２ｓから薄肉部２３の表面２３ｓまでの長さをｈ１とした場合に、段差となる長さｈ１を変化させた場合の振動素子２０のＱ値をシミュレーションした結果を図５に示す。

【0019】

尚、シミュレーションに用いた振動素子２０の図３及び図４に示す各部寸法は、Ｌ１＝７００μｍ、Ｌ２＝８３μｍ、Ｌ３＝４７８μｍ、Ｌ４＝９０μｍ、Ｍ１＝５００μｍ、Ｍ２＝３５．３μｍ、ｔ１＝２９．２μｍとし、ｈ１を０μｍ～７μｍと変化させてシミュレーションしている。

【0020】

図５は、横軸に振動部２２の厚さｔ１を基準としたｈ１／ｔ１とし、縦軸に長さｈ１が０μｍである場合の振動素子２０のＱ値をＱ０として基準としたＱ／Ｑ０とし、ｈ１／ｔ１に対するＱ値をシミュレーションした結果をプロットし近似曲線を示している。尚、本シミュレーションでは、上面の段差である長さｈ１と下面の段差の長さが同じ値である場合をシミュレーションしている。

【0021】

図５に示す近似曲線は、ｈ１／ｔ１が大きくなるにつれＱ／Ｑ０が大きくなり、ｈ１／ｔ１が０．０７付近でＱ／Ｑ０が最大値となる。その後、ｈ１／ｔ１が大きくなるにつれＱ／Ｑ０は、小さくなる傾向を示している。

【0022】

図５より、厚さｔ１と長さｈ１との関係が０．０１≦ｈ１／ｔ１≦０．１５６を満たしている場合は、長さｈ１が０μｍであるｈ１／ｔ１がゼロである場合の振動素子２０のＱ０値に比べ、２倍以上にＱ値を大きくすることができる。

【0023】

また、図５より、厚さｔ１と長さｈ１との関係が０．０２９≦ｈ１／ｔ１≦０．１２を満たしている場合は、長さｈ１が０μｍであるｈ１／ｔ１がゼロである場合の振動素子２０のＱ０値に比べ、３．５倍以上にＱ値を大きくすることができる。

【0024】

また、図５より、厚さｔ１と長さｈ１との関係が０．０４８≦ｈ１／ｔ１≦０．０９５を満たしている場合は、長さｈ１が０μｍであるｈ１／ｔ１がゼロである場合の振動素子２０のＱ０値に比べ、４．４倍以上にＱ値を大きくすることができる。

【0025】

従って、メサ部の高さである振動部２２の表面２２ｓから薄肉部２３の表面２３ｓまでの長さｈ１と、振動部２２の厚みｔ１と、の比を上述した範囲とすることで、振動エネルギーを効率良く振動部２２領域内に閉じ込めることができるので、導電性接着剤に比べ硬度が高い金属バンプ２７で接合した場合でも、長さｈ１が０μｍであるｈ１／ｔ１がゼロである場合の振動素子２０のＱ０値に比べ、振動素子２０のＱ値を大きくすることができる。

【0026】

次に、振動素子２０の小型化を図りつつ、振動素子２０のＱ値の更なる向上を図る方法として、メサ部の高さである振動部２２の表面２２ｓから薄肉部２３の表面２３ｓまでの長さｈ１を一定とし、支持部２４と振動部２２との間隔に対する振動素子２０のＱ値への影響を調査した。

【0027】

図３に示すように、厚み滑り振動の振動方向に沿った振動素子２０の長さをＬ１とし、振動方向における、支持部２４と振動部２２との間の薄肉部２３の長さをＬ２とした場合に、間隔となる長さＬ２を変化させた場合の振動素子２０のＱ値をシミュレーションした結果を図６に示す。

【0028】

尚、シミュレーションに用いた振動素子２０の図３及び図４に示す各部寸法は、Ｌ１＝７２０μｍ、Ｌ３＝４５３μｍ、Ｌ４＝９０μｍ、Ｍ１＝４９３μｍ、Ｍ２＝３１．５μｍ、ｔ１＝２８．５μｍ、ｈ１＝２μｍとし、Ｌ２を６１μｍ～８９μｍと変化させてシミュレーションしている。また、ｔ１＝２８．５μｍ、ｈ１＝２μｍであるため、ｈ１／ｔ１は０．０７となり、Ｑ値は、長さｈ１が０μｍである場合の振動素子２０のＱ０値に比べ、２．５倍以上である。

【0029】

図６は、横軸に振動素子２０の長さＬ１を基準としたＬ２／Ｌ１とし、縦軸に長さＬ２が８９μｍであるＬ２／Ｌ１が０．１２４の場合の振動素子２０のＱ値をＱ０として基準としたＱ／Ｑ０とし、Ｌ２／Ｌ１に対するＱ値をシミュレーションした結果をプロットし近似曲線を示している。尚、本シミュレーションでは、上面の段差である長さｈ１と下面の段差の長さが同じ値である場合をシミュレーションしている。

【0030】

図６に示す近似曲線は、基準としたＬ２／Ｌ１が０．１２４よりＬ２／Ｌ１が小さくなるにつれＱ／Ｑ０が大きくなり、Ｌ２／Ｌ１が０．１２付近でＱ／Ｑ０が最大値となる。その後、Ｌ２／Ｌ１が小さくなるにつれＱ／Ｑ０は、小さくなる傾向を示している。

【0031】

図６より、振動素子２０の長さＬ１と支持部２４と振動部２２との間隔である長さＬ２との関係が０．０９２≦Ｌ２／Ｌ１≦０．１１０９を満たしている場合は、Ｌ２／Ｌ１が０．１２４である場合の振動素子２０のＱ０値に比べ、１．２倍以上にＱ値を大きくすることができる。

【0032】

また、図６より、長さＬ１と長さＬ２との関係が０．０９３５≦Ｌ２／Ｌ１≦０．１０８５を満たしている場合は、Ｌ２／Ｌ１が０．１２４である場合の振動素子２０のＱ０値に比べ、１．２５倍以上にＱ値を大きくすることができる。

【0033】

また、図６より、長さＬ１と長さＬ２との関係が０．０９５１≦Ｌ２／Ｌ１≦０．１０６５を満たしている場合は、Ｌ２／Ｌ１が０．１２４である場合の振動素子２０のＱ０値に比べ、１．３倍以上にＱ値を大きくすることができる。

【0034】

従って、振動素子２０の長さＬ１と、支持部２４と振動部２２との間の薄肉部２３の長さＬ２と、の比を上述した範囲とすることで、振動エネルギーを更に効率良く振動部２２領域内に閉じ込めることができるので、Ｌ２／Ｌ１が０．１２４である場合の振動素子２０のＱ０値に比べ、振動素子２０のＱ値を大きくすることができる。

【0035】

上述したように、本実施形態の振動デバイス１は、メサ部の高さである振動部２２の表面２２ｓから薄肉部２３の表面２３ｓまでの長さｈ１と、振動部２２の厚みｔ１と、の関係が０．０１≦ｈ１／ｔ１≦０．１５６を満たしているので、ｈ１／ｔ１がゼロである場合の振動素子２０のＱ０値に比べ、２倍以上にＱ値を大きくすることができる。そのため、メサ型構造の振動素子２０を導電性接着剤に比べ硬度が高い金属バンプ２７でベース１０に接合によるＱ値の劣化よりも振動エネルギー閉じ込め効果によるＱ値向上が図れ、高いＱ値を有する振動素子２０を備えた振動デバイス１を得ることができる。

【0036】

また、長さｈ１と、厚さｔ１と、の関係が０．０２９≦ｈ１／ｔ１≦０．１２を満たしているので、ｈ１／ｔ１がゼロである場合の振動素子２０のＱ０値に比べ、３．５倍以上にＱ値を大きくすることができる。

【0037】

また、長さｈ１と、厚さｔ１と、の関係が０．０４８≦ｈ１／ｔ１≦０．０９５を満たしているので、ｈ１／ｔ１がゼロである場合の振動素子２０のＱ０値に比べ、４．４倍以上にＱ値を大きくすることができる。

【0038】

２．第２実施形態
次に、第２実施形態に係る振動デバイス１ａについて、図７～図１０を参照して説明する。

【0039】

本実施形態の振動デバイス１ａは、第１実施形態の振動デバイス１に比べ、振動素子２０ａの構造が異なること以外は第１実施形態の振動デバイス１と同様である。尚、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。

【0040】

振動デバイス１ａは、図７及び図８に示すように、ベース１０と、ベース１０の第１面１１に配置されている振動素子２０ａと、振動素子２０ａをベース１０に接合する金属バンプ２７と、振動素子２０ａを覆ってベース１０の第１面１１に接合されている蓋体１６と、を有する。

【0041】

振動素子２０ａの基板２１ａは、図９及び図１０に示すように、振動方向となるＸ方向の長さが長い矩形であり、振動部２２ａと、振動部２２ａより厚みが薄い薄肉部２３ａと、薄肉部２３ａより厚みが厚い支持部２４ａと、を有する。支持部２４ａは、薄肉部２３ａを介して振動部２２ａに接続されている。

【0042】

振動素子２０ａは、薄肉部２３ａが、平面視で、振動部２２ａを取り囲むように配置され、振動部２２ａの下面から凹んでいる。よって、基板２１ａは、上面側がフラットで、下面側にメサ部を有する片面メサ型構造である。

【0043】

本実施形態の振動デバイス１ａは、振動素子２０ａが片面メサ型構造であるが、メサ部の高さである振動部２２ａの表面２２ｓから薄肉部２３の表面２３ｓまでの長さｈ１と、振動部２２ａの厚みｔ１と、の比を所定の範囲とすることで、第１実施形態と同等の効果を得ることができる。

【0044】

３．第３実施形態
次に、第３実施形態に係る振動デバイス１ｂについて、図１１～図１４を参照して説明する。

【0045】

本実施形態の振動デバイス１ｂは、第１実施形態の振動デバイス１に比べ、振動素子２０ｂの構造が異なること以外は第１実施形態の振動デバイス１と同様である。尚、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。

【0046】

振動デバイス１ｂは、図１１及び図１２に示すように、ベース１０と、ベース１０の第１面１１に配置されている振動素子２０ｂと、振動素子２０ｂをベース１０に接合する金属バンプ２７と、振動素子２０ｂを覆ってベース１０の第１面１１に接合されている蓋体１６と、を有する。

【0047】

振動素子２０ｂの基板２１ｂは、図１３及び図１４に示すように、振動方向となるＸ方向の長さが長い矩形であり、振動部２２と、振動部２２より厚みが薄い薄肉部２３と、薄肉部２３と厚みが同じ支持部２４ｂと、を有している。また、支持部２４ｂは、薄肉部２３を介して振動部２２に接続されている。

【0048】

本実施形態の振動デバイス１ｂは、振動素子２０ｂの支持部２４ｂが薄肉部２３と厚みが同じであるが、メサ部の高さである振動部２２の表面２２ｓから薄肉部２３の表面２３ｓまでの長さｈ１と、振動部２２の厚みｔ１と、の比を所定の範囲とすることで、第１実施形態と同等の効果を得ることができる。

【0049】

４．第４実施形態
次に、第４実施形態に係る振動デバイス１ｃについて、図１５及び図１６を参照して説明する。

【0050】

本実施形態の振動デバイス１ｃは、第１実施形態の振動デバイス１に比べ、金属バンプ２７とベース１０との間に水晶基板１８が配置されていること以外は第１実施形態の振動デバイス１と同様である。尚、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。

【0051】

振動デバイス１ｃは、図１５及び図１６に示すように、ベース１０と、ベース１０の第１面１１に配置されている振動素子２０と、振動素子２０をベース１０に接合する金属バンプ２７と、金属バンプ２７とベース１０との間に配置された水晶基板１８と、振動素子２０を覆ってベース１０の第１面１１に接合されている蓋体１６と、を有する。尚、振動素子２０は、水晶振動素子である。

【0052】

振動デバイス１ｃは、金属バンプ２７とベース１０との間に水晶基板１８が配置されている。水晶基板１８は、接合部材１９を介してベース１０に接合されている。そのため、振動素子２０を金属バンプ２７によってベース１０に直接接合した場合に比べ、ベース１０と振動素子２０との線膨張係数の違いにより生じる応力を低減することができる。尚、水晶基板１８の結晶方向は、振動素子２０の結晶方向と同じであることが好ましい。結晶方向を同じにすることで、ベース１０と振動素子２０との線膨張係数の違いにより生じる応力をより低減することができる。

【0053】

本実施形態の振動デバイス１ｃは、金属バンプ２７とベース１０との間に水晶基板１８が配置されているので、ベース１０と振動素子２０との線膨張係数の違いにより生じる応力を低減することができ、メサ部の高さである振動部２２の表面２２ｓから薄肉部２３の表面２３ｓまでの長さｈ１と、振動部２２の厚みｔ１と、の比を所定の範囲とすることで、第１実施形態と同等の効果を得ることができる。

【0054】

５．変形例
尚、本発明は上述した実施形態に限定されず、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。
上述した第１～第４実施形態では、ベース１０の第１面１１側に発振回路１３が形成された場合について説明したが、ベース１０の第２面１２側に発振回路１３を形成してもよい。その場合、更にベース１０の第１面１１から第２面１２に貫通し、振動素子２０と発振回路１３との間を電気的に接続する貫通電極をベース１０に形成してもよい。

【符号の説明】

【0055】

１，１ａ，１ｂ，１ｃ…振動デバイス、１０…ベース、１１…第１面、１２…第２面、１３…発振回路、１４…内部端子、１５…外部端子、１６…蓋体、１７…接合部材、１８…水晶基板、１９…接合部材、２０…振動素子、２１…基板、２２…振動部、２２ｓ…表面、２３…薄肉部、２３ｓ…表面、２４…支持部、２５…凹部、２６…収容空間、２７…金属バンプ、３１…励振電極、３２…パッド電極、３３…リード電極、３４…側面電極、Ｌ１，Ｌ２…長さ、ｈ１…長さ、ｔ１…厚さ、Ｓ…矢印。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】