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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024179942
(43)【公開日】2024-12-26
(54)【発明の名称】表示装置の製造装置
(51)【国際特許分類】
H10K 71/00 20230101AFI20241219BHJP
H10K 59/10 20230101ALI20241219BHJP
H10K 71/16 20230101ALI20241219BHJP
H10K 71/20 20230101ALI20241219BHJP
G09F 9/00 20060101ALI20241219BHJP
【ＦＩ】
H10K71/00
H10K59/10
H10K71/16
H10K71/20
G09F9/00 338
【審査請求】未請求
【請求項の数】12
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023099287
(22)【出願日】2023-06-16
(71)【出願人】
【識別番号】502356528
【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ
(74)【代理人】
【識別番号】110001737
【氏名又は名称】弁理士法人スズエ国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】濱田 夕慎
(72)【発明者】
【氏名】竹中 貴史
(72)【発明者】
【氏名】水越 寛文
(72)【発明者】
【氏名】高山 健
【テーマコード（参考）】
3K107
5G435
【Ｆターム（参考）】
3K107AA01
3K107BB01
3K107CC45
3K107GG03
3K107GG04
3K107GG13
3K107GG32
3K107GG41
5G435AA17
5G435BB05
5G435KK10
(57)【要約】
【課題】製造歩留まりの低下を抑制する。
【解決手段】一実施形態によれば、製造装置は、表示装置を製造するメイン製造ラインと、メイン製造ラインに接続されたサブラインと、を備え、メイン製造ラインは、前処理部と、下電極の上に有機層、上電極、及び、キャップ層を順に形成するための複数の蒸着チャンバーを有するインライン型の第１蒸着装置と、キャップ層の上に封止層の第１無機絶縁層を形成するための第１ＣＶＤ装置と、第１無機絶縁層の厚さを低減するためのドライエッチング装置と、第１無機絶縁層の上に封止層の第２無機絶縁層を形成するための第２ＣＶＤ装置と、を備え、サブラインは処理基板を搬送するための搬送経路としてメイン製造ラインとは別の迂回路を形成し、メイン製造ライン及びサブラインはループ状の搬送経路を形成している。
【選択図】図１２
【解決手段】一実施形態によれば、製造装置は、表示装置を製造するメイン製造ラインと、メイン製造ラインに接続されたサブラインと、を備え、メイン製造ラインは、前処理部と、下電極の上に有機層、上電極、及び、キャップ層を順に形成するための複数の蒸着チャンバーを有するインライン型の第１蒸着装置と、キャップ層の上に封止層の第１無機絶縁層を形成するための第１ＣＶＤ装置と、第１無機絶縁層の厚さを低減するためのドライエッチング装置と、第１無機絶縁層の上に封止層の第２無機絶縁層を形成するための第２ＣＶＤ装置と、を備え、サブラインは処理基板を搬送するための搬送経路としてメイン製造ラインとは別の迂回路を形成し、メイン製造ライン及びサブラインはループ状の搬送経路を形成している。
【選択図】図１２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
下電極が形成された処理基板を搬送しながら表示装置を製造するメイン製造ラインと、
前記メイン製造ラインに接続されたサブラインと、を備え、
前記メイン製造ラインは、
前記処理基板に対して前処理を行う前処理部と、
前記前処理部に対して前記処理基板の搬送方向に沿った下流側に位置し、前記下電極の上に有機層、上電極、及び、キャップ層を順に形成するための複数の蒸着チャンバーを有するインライン型の第１蒸着装置と、
前記第１蒸着装置の下流側に位置し、前記キャップ層の上に封止層の第１無機絶縁層を形成するための少なくとも１つの第１ＣＶＤ装置と、
前記第１ＣＶＤ装置の下流側に位置し、前記第１無機絶縁層の厚さを低減するための少なくとも１つのドライエッチング装置と、
前記ドライエッチング装置の下流側に位置し、前記第１無機絶縁層の上に封止層の第２無機絶縁層を形成するための少なくとも１つの第２ＣＶＤ装置と、を備え、
前記サブラインは、前記処理基板を搬送するための搬送経路として、前記メイン製造ラインとは別の迂回路を形成し、
前記メイン製造ライン及び前記サブラインは、ループ状の搬送経路を形成している、
表示装置の製造装置。
前記メイン製造ラインに接続されたサブラインと、を備え、
前記メイン製造ラインは、
前記処理基板に対して前処理を行う前処理部と、
前記前処理部に対して前記処理基板の搬送方向に沿った下流側に位置し、前記下電極の上に有機層、上電極、及び、キャップ層を順に形成するための複数の蒸着チャンバーを有するインライン型の第１蒸着装置と、
前記第１蒸着装置の下流側に位置し、前記キャップ層の上に封止層の第１無機絶縁層を形成するための少なくとも１つの第１ＣＶＤ装置と、
前記第１ＣＶＤ装置の下流側に位置し、前記第１無機絶縁層の厚さを低減するための少なくとも１つのドライエッチング装置と、
前記ドライエッチング装置の下流側に位置し、前記第１無機絶縁層の上に封止層の第２無機絶縁層を形成するための少なくとも１つの第２ＣＶＤ装置と、を備え、
前記サブラインは、前記処理基板を搬送するための搬送経路として、前記メイン製造ラインとは別の迂回路を形成し、
前記メイン製造ライン及び前記サブラインは、ループ状の搬送経路を形成している、
表示装置の製造装置。
【請求項2】
前記第１ＣＶＤ装置、前記ドライエッチング装置、及び、前記第２ＣＶＤ装置は、前記サブラインに接続されている、請求項１に記載の表示装置の製造装置。
【請求項3】
前記サブラインは、前記前処理部と前記第１蒸着装置との間、及び、前記第１蒸着装置と前記第１ＣＶＤ装置との間で、前記メイン製造ラインに接続されている、請求項１に記載の表示装置の製造装置。
【請求項4】
前記メイン製造ラインは、さらに、
前記下電極の上に前記有機層、前記上電極、及び、前記キャップ層を形成するための複数の蒸着チャンバーを有するインライン型の第２蒸着装置と、
前記第１蒸着装置及び前記第２蒸着装置の上流側に接続され、且つ、前記サブラインに接続された第１ローテーションチャンバーと、
前記第１蒸着装置及び前記第２蒸着装置の下流側に接続され、且つ、前記サブラインに接続された第２ローテーションチャンバーと、を備えている、
請求項１に記載の表示装置の製造装置。
前記下電極の上に前記有機層、前記上電極、及び、前記キャップ層を形成するための複数の蒸着チャンバーを有するインライン型の第２蒸着装置と、
前記第１蒸着装置及び前記第２蒸着装置の上流側に接続され、且つ、前記サブラインに接続された第１ローテーションチャンバーと、
前記第１蒸着装置及び前記第２蒸着装置の下流側に接続され、且つ、前記サブラインに接続された第２ローテーションチャンバーと、を備えている、
請求項１に記載の表示装置の製造装置。
【請求項5】
前記メイン製造ラインは、さらに、
前記第１ＣＶＤ装置に接続された第３ローテーションチャンバーと、
前記ドライエッチング装置に接続された第４ローテーションチャンバーと、
前記第２ＣＶＤ装置に接続された第５ローテーションチャンバーと、を備えている、
請求項４に記載の表示装置の製造装置。
前記第１ＣＶＤ装置に接続された第３ローテーションチャンバーと、
前記ドライエッチング装置に接続された第４ローテーションチャンバーと、
前記第２ＣＶＤ装置に接続された第５ローテーションチャンバーと、を備えている、
請求項４に記載の表示装置の製造装置。
【請求項6】
前記メイン製造ラインは、さらに、
前記第２ローテーションチャンバーと前記第３ローテーションチャンバーとを接続する第１搬送チャンバーと、
前記第３ローテーションチャンバーと前記第４ローテーションチャンバーとを接続する第２搬送チャンバーと、
前記第４ローテーションチャンバーと前記第５ローテーションチャンバーとを接続する第３搬送チャンバーと、
第６ローテーションチャンバーと、
前記第５ローテーションチャンバーと前記第６ローテーションチャンバーとを接続する第４搬送チャンバーと、を備える、
請求項５に記載の表示装置の製造装置。
前記第２ローテーションチャンバーと前記第３ローテーションチャンバーとを接続する第１搬送チャンバーと、
前記第３ローテーションチャンバーと前記第４ローテーションチャンバーとを接続する第２搬送チャンバーと、
前記第４ローテーションチャンバーと前記第５ローテーションチャンバーとを接続する第３搬送チャンバーと、
第６ローテーションチャンバーと、
前記第５ローテーションチャンバーと前記第６ローテーションチャンバーとを接続する第４搬送チャンバーと、を備える、
請求項５に記載の表示装置の製造装置。
【請求項7】
前記メイン製造ラインは、さらに、
前記前処理部と前記第１ローテーションチャンバーとの間に接続され、前記前処理部において水平姿勢で搬送された前記処理基板の姿勢を垂直姿勢に変換する姿勢変換チャンバーを備え、
前記処理基板は、前記第１蒸着装置、前記第１ＣＶＤ装置、前記ドライエッチング装置、及び、前記第２ＣＶＤ装置において、垂直姿勢で搬送される、
請求項４に記載の表示装置の製造装置。
前記前処理部と前記第１ローテーションチャンバーとの間に接続され、前記前処理部において水平姿勢で搬送された前記処理基板の姿勢を垂直姿勢に変換する姿勢変換チャンバーを備え、
前記処理基板は、前記第１蒸着装置、前記第１ＣＶＤ装置、前記ドライエッチング装置、及び、前記第２ＣＶＤ装置において、垂直姿勢で搬送される、
請求項４に記載の表示装置の製造装置。
【請求項8】
前記サブラインは、
第７ローテーションチャンバーと、
第８ローテーションチャンバーと、
前記第１ＣＶＤ装置に接続された第９ローテーションチャンバーと、
前記ドライエッチング装置に接続された第１０ローテーションチャンバーと、
前記第２ＣＶＤ装置に接続された第１１ローテーションチャンバーと、
第１２ローテーションチャンバーと、
前記第７ローテーションチャンバーと前記第８ローテーションチャンバーとを接続する第５搬送チャンバーと、
前記第８ローテーションチャンバーと前記第９ローテーションチャンバーとを接続する第６搬送チャンバーと、
前記第９ローテーションチャンバーと前記第１０ローテーションチャンバーとを接続する第７搬送チャンバーと、
前記第１０ローテーションチャンバーと前記第１１ローテーションチャンバーとを接続する第８搬送チャンバーと、
前記第１１ローテーションチャンバーと前記第１２ローテーションチャンバーとを接続する第９搬送チャンバーと、
前記第１ローテーションチャンバーと前記第７ローテーションチャンバーとを接続する第１０搬送チャンバーと、
前記第２ローテーションチャンバーと前記第８ローテーションチャンバーとを接続する第１１搬送チャンバーと、
前記第６ローテーションチャンバーと前記第１２ローテーションチャンバーとを接続する第１２搬送チャンバーと、を備える、
請求項６に記載の表示装置の製造装置。
第７ローテーションチャンバーと、
第８ローテーションチャンバーと、
前記第１ＣＶＤ装置に接続された第９ローテーションチャンバーと、
前記ドライエッチング装置に接続された第１０ローテーションチャンバーと、
前記第２ＣＶＤ装置に接続された第１１ローテーションチャンバーと、
第１２ローテーションチャンバーと、
前記第７ローテーションチャンバーと前記第８ローテーションチャンバーとを接続する第５搬送チャンバーと、
前記第８ローテーションチャンバーと前記第９ローテーションチャンバーとを接続する第６搬送チャンバーと、
前記第９ローテーションチャンバーと前記第１０ローテーションチャンバーとを接続する第７搬送チャンバーと、
前記第１０ローテーションチャンバーと前記第１１ローテーションチャンバーとを接続する第８搬送チャンバーと、
前記第１１ローテーションチャンバーと前記第１２ローテーションチャンバーとを接続する第９搬送チャンバーと、
前記第１ローテーションチャンバーと前記第７ローテーションチャンバーとを接続する第１０搬送チャンバーと、
前記第２ローテーションチャンバーと前記第８ローテーションチャンバーとを接続する第１１搬送チャンバーと、
前記第６ローテーションチャンバーと前記第１２ローテーションチャンバーとを接続する第１２搬送チャンバーと、を備える、
請求項６に記載の表示装置の製造装置。
【請求項9】
前記第１蒸着装置は、
前記有機層として、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、発光層、正孔ブロック層、電子輸送層、及び、電子注入層をそれぞれ形成するための第１乃至第７蒸着チャンバーと、
前記上電極を形成するための第８蒸着チャンバーと、
前記キャップ層として、第１透明層及び第２透明層をそれぞれ形成するための第９及び第１０蒸着チャンバーと、を備える、
請求項１に記載の表示装置の製造装置。
前記有機層として、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、発光層、正孔ブロック層、電子輸送層、及び、電子注入層をそれぞれ形成するための第１乃至第７蒸着チャンバーと、
前記上電極を形成するための第８蒸着チャンバーと、
前記キャップ層として、第１透明層及び第２透明層をそれぞれ形成するための第９及び第１０蒸着チャンバーと、を備える、
請求項１に記載の表示装置の製造装置。
【請求項10】
前記第１蒸着装置は、
前記有機層として、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、第１発光層、第２発光層、第３発光層、正孔ブロック層、電子輸送層、及び、電子注入層をそれぞれ形成するための第１乃至第９蒸着チャンバーと、
前記上電極を形成するための第１０蒸着チャンバーと、
前記キャップ層として、第１透明層及び第２透明層をそれぞれ形成するための第１１及び第１２蒸着チャンバーと、を備え、
前記第４蒸着チャンバー、前記第５蒸着チャンバー、及び、前記第６蒸着チャンバーは、互いに異なる発光材料を放射する蒸着源を備えている、
請求項１に記載の表示装置の製造装置。
前記有機層として、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、第１発光層、第２発光層、第３発光層、正孔ブロック層、電子輸送層、及び、電子注入層をそれぞれ形成するための第１乃至第９蒸着チャンバーと、
前記上電極を形成するための第１０蒸着チャンバーと、
前記キャップ層として、第１透明層及び第２透明層をそれぞれ形成するための第１１及び第１２蒸着チャンバーと、を備え、
前記第４蒸着チャンバー、前記第５蒸着チャンバー、及び、前記第６蒸着チャンバーは、互いに異なる発光材料を放射する蒸着源を備えている、
請求項１に記載の表示装置の製造装置。
【請求項11】
複数の前記第１ＣＶＤ装置は、前記第９ローテーションチャンバーに接続され、
複数の前記ドライエッチング装置は、第１０ローテーションチャンバーに接続され、
複数の前記第２ＣＶＤ装置は、第１１ローテーションチャンバーに接続されている、
請求項８に記載の表示装置の製造装置。
複数の前記ドライエッチング装置は、第１０ローテーションチャンバーに接続され、
複数の前記第２ＣＶＤ装置は、第１１ローテーションチャンバーに接続されている、
請求項８に記載の表示装置の製造装置。
【請求項12】
前記メイン製造ラインは、さらに、前記第１蒸着装置の中間部に第１３ローテーションチャンバーを備え、
前記サブラインは、前記第１３ローテーションチャンバーに接続されている、
請求項８に記載の表示装置の製造装置。
前記サブラインは、前記第１３ローテーションチャンバーに接続されている、
請求項８に記載の表示装置の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、表示装置の製造装置に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を適用した表示装置が実用化されている。この表示素子は、薄膜トランジスタを含む画素回路と、画素回路に接続された下電極と、下電極を覆う有機層と、有機層を覆う上電極と、を備えている。有機層は、発光層の他に、正孔輸送層や電子輸送層などの機能層を含んでいる。
このような表示装置を製造するための製造装置において、製造歩留まりの低下の抑制といった要求がある。
このような表示装置を製造するための製造装置において、製造歩留まりの低下の抑制といった要求がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０００－１９５６７７号公報
【特許文献2】特開２００４－２０７２１７号公報
【特許文献3】特開２００８－１３５３２５号公報
【特許文献4】特開２００９－３２６７３号公報
【特許文献5】特開２０１０－１１８１９１号公報
【特許文献6】国際公開第２０１８／１７９３０８号
【特許文献7】米国特許出願公開第２０２２／００７７２５１号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明の目的は、製造歩留まりの低下を抑制することが可能な表示装置の製造装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0005】
一実施形態によれば、表示装置の製造装置は、
下電極が形成された処理基板を搬送しながら表示装置を製造するメイン製造ラインと、前記メイン製造ラインに接続されたサブラインと、を備え、前記メイン製造ラインは、前記処理基板に対して前処理を行う前処理部と、前記前処理部に対して前記処理基板の搬送方向に沿った下流側に位置し、前記下電極の上に有機層、上電極、及び、キャップ層を順に形成するための複数の蒸着チャンバーを有するインライン型の第１蒸着装置と、前記第１蒸着装置の下流側に位置し、前記キャップ層の上に封止層の第１無機絶縁層を形成するための少なくとも１つの第１ＣＶＤ装置と、前記第１ＣＶＤ装置の下流側に位置し、前記第１無機絶縁層の厚さを低減するための少なくとも１つのドライエッチング装置と、前記ドライエッチング装置の下流側に位置し、前記第１無機絶縁層の上に封止層の第２無機絶縁層を形成するための少なくとも１つの第２ＣＶＤ装置と、を備え、前記サブラインは、前記処理基板を搬送するための搬送経路として、前記メイン製造ラインとは別の迂回路を形成し、前記メイン製造ライン及び前記サブラインは、ループ状の搬送経路を形成している。
下電極が形成された処理基板を搬送しながら表示装置を製造するメイン製造ラインと、前記メイン製造ラインに接続されたサブラインと、を備え、前記メイン製造ラインは、前記処理基板に対して前処理を行う前処理部と、前記前処理部に対して前記処理基板の搬送方向に沿った下流側に位置し、前記下電極の上に有機層、上電極、及び、キャップ層を順に形成するための複数の蒸着チャンバーを有するインライン型の第１蒸着装置と、前記第１蒸着装置の下流側に位置し、前記キャップ層の上に封止層の第１無機絶縁層を形成するための少なくとも１つの第１ＣＶＤ装置と、前記第１ＣＶＤ装置の下流側に位置し、前記第１無機絶縁層の厚さを低減するための少なくとも１つのドライエッチング装置と、前記ドライエッチング装置の下流側に位置し、前記第１無機絶縁層の上に封止層の第２無機絶縁層を形成するための少なくとも１つの第２ＣＶＤ装置と、を備え、前記サブラインは、前記処理基板を搬送するための搬送経路として、前記メイン製造ラインとは別の迂回路を形成し、前記メイン製造ライン及び前記サブラインは、ループ状の搬送経路を形成している。
【図面の簡単な説明】
【0006】
【発明を実施するための形態】
【0007】
一実施形態について図面を参照しながら説明する。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
【0008】
なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向を第１方向Ｘと称し、Ｙ軸に沿った方向を第２方向Ｙと称し、Ｚ軸に沿った方向を第３方向Ｚと称する。第３方向Ｚと平行に各種要素を見ることを平面視という。
【0009】
本実施形態に係る表示装置は、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パーソナルコンピュータ、車載機器、タブレット端末、スマートフォン、携帯電話端末等に搭載され得る。
【0010】
図１は、表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。
表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０の上に、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡよりも外側の周辺領域ＳＡと、を有する表示パネルＰＮＬを備えている。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。
表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０の上に、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡよりも外側の周辺領域ＳＡと、を有する表示パネルＰＮＬを備えている。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。
【0011】
本実施形態においては、平面視における基板１０の形状が長方形である。ただし、基板１０の平面視における形状は長方形に限らず、正方形、円形あるいは楕円形などの他の形状であってもよい。
【0012】
表示領域ＤＡは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、複数の副画素ＳＰを含む。一例では、画素ＰＸは、第１色の副画素ＳＰ１、第２色の副画素ＳＰ２、及び、第３色の副画素ＳＰ３を含む。第１色、第２色、及び、第３色は、互いに異なる色である。なお、画素ＰＸは、副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３とともに、あるいは副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のいずれかに代えて、白色などの他の色の副画素ＳＰを含んでもよい。
【0013】
副画素ＳＰは、画素回路１と、画素回路１によって駆動される表示素子２０と、を備えている。画素回路１は、画素スイッチ２と、駆動トランジスタ３と、キャパシタ４と、を備えている。画素スイッチ２及び駆動トランジスタ３は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイッチング素子である。
【0014】
画素スイッチ２のゲート電極は、走査線ＧＬに接続されている。画素スイッチ２のソース電極及びドレイン電極の一方は信号線ＳＬに接続され、他方は駆動トランジスタ３のゲート電極及びキャパシタ４に接続されている。駆動トランジスタ３において、ソース電極及びドレイン電極の一方は電源線ＰＬ及びキャパシタ４に接続され、他方は表示素子２０のアノードに接続されている。
【0015】
なお、画素回路１の構成は図示した例に限らない。例えば、画素回路１は、より多くの薄膜トランジスタ及びキャパシタを備えてもよい。
【0016】
表示素子２０は、発光素子としての有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）であり、有機ＥＬ素子と称する場合がある。
【0017】
周辺領域ＳＡには、詳述しないが、ＩＣチップやフレキシブルプリント回路基板を接続するための端子が設けられている。
【0018】
図２は、副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のレイアウトの一例を示す図である。
図２の例においては、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに並んでいる。副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ２が第１方向Ｘに並び、副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ３が第１方向Ｘに並んでいる。
図２の例においては、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに並んでいる。副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ２が第１方向Ｘに並び、副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ３が第１方向Ｘに並んでいる。
【0019】
副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３がこのようなレイアウトである場合、表示領域ＤＡには、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに交互に配置された列と、複数の副画素ＳＰ１が第２方向Ｙに配置された列とが形成される。これらの列は、第１方向Ｘに交互に並んでいる。
【0020】
なお、副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のレイアウトは図２の例に限られない。他の一例として、各画素ＰＸにおける副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３が第１方向Ｘに順に並んでいてもよい。
【0021】
表示領域ＤＡには、無機絶縁層５及び隔壁６が配置されている。無機絶縁層５は、副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３においてそれぞれ開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３を有している。これらの開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３を有する無機絶縁層５は、リブと称する場合がある。
【0022】
隔壁６は、平面視において無機絶縁層５と重なっている。隔壁６は、開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３を囲む格子状に形成されている。隔壁６は、無機絶縁層５と同様に副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３において開口を有するということもできる。
【0023】
副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３は、表示素子２０として、それぞれ表示素子２０１、２０２、２０３を備えている。
【0024】
副画素ＳＰ１の表示素子２０１は、開口ＡＰ１とそれぞれ重なる下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１、及び、有機層ＯＲ１を備えている。下電極ＬＥ１の周縁部は、無機絶縁層５で覆われている。下電極ＬＥ１、有機層ＯＲ１、及び、上電極ＵＥ１を備える表示素子２０１は、平面視において隔壁６で囲まれている。有機層ＯＲ１及び上電極ＵＥ１のそれぞれの周縁部は、平面視において無機絶縁層５に重なっている。有機層ＯＲ１は、例えば青波長域の光を放つ発光層を含む。
【0025】
副画素ＳＰ２の表示素子２０２は、開口ＡＰ２とそれぞれ重なる下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２、及び、有機層ＯＲ２を備えている。下電極ＬＥ２の周縁部は、無機絶縁層５で覆われている。下電極ＬＥ２、有機層ＯＲ２、及び、上電極ＵＥ２を備える表示素子２０２は、平面視において隔壁６で囲まれている。有機層ＯＲ２及び上電極ＵＥ２のそれぞれの周縁部は、平面視において無機絶縁層５に重なっている。有機層ＯＲ２は、例えば緑波長域の光を放つ発光層を含む。
【0026】
副画素ＳＰ３の表示素子２０３は、開口ＡＰ３とそれぞれ重なる下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３、及び、有機層ＯＲ３を備えている。下電極ＬＥ３の周縁部は、無機絶縁層５で覆われている。下電極ＬＥ３、有機層ＯＲ３、及び、上電極ＵＥ３を備える表示素子２０３は、平面視において隔壁６で囲まれている。有機層ＯＲ３及び上電極ＵＥ３のそれぞれの周縁部は、平面視において無機絶縁層５に重なっている。有機層ＯＲ３は、例えば赤波長域の光を放つ発光層を含む。
【0027】
図２の例においては、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３の外形は点線で示し、有機層ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３、及び、上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３の外形は一点鎖線で示している。なお、図示した下電極、有機層、上電極のそれぞれの外形は、正確な形状を反映したものとは限らない。
【0028】
下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３は、例えば、表示素子のアノードに相当する。上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３は、表示素子のカソード、あるいは、共通電極に相当する。
【0029】
下電極ＬＥ１は、コンタクトホールＣＨ１を通じて副画素ＳＰ１の画素回路１（図１参照）に接続されている。下電極ＬＥ２は、コンタクトホールＣＨ２を通じて副画素ＳＰ２の画素回路１に接続されている。下電極ＬＥ３は、コンタクトホールＣＨ３を通じて副画素ＳＰ３の画素回路１に接続されている。
【0030】
図２の例においては、開口ＡＰ１の面積、開口ＡＰ２の面積、及び、開口ＡＰ３の面積は、互いに異なる。開口ＡＰ１の面積が開口ＡＰ２の面積よりも大きく、開口ＡＰ２の面積が開口ＡＰ３の面積よりも大きい。換言すると、開口ＡＰ１から露出した下電極ＬＥ１の面積は開口ＡＰ２から露出した下電極ＬＥ２の面積よりも大きく、開口ＡＰ２から露出した下電極ＬＥ２の面積は開口ＡＰ３から露出した下電極ＬＥ３の面積よりも大きい。
【0031】
図３は、図２中のＡ－Ｂ線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。
回路層１１は、基板１０の上に配置されている。回路層１１は、図１に示した画素回路１などの各種回路と、走査線ＧＬ、信号線ＳＬ、電源線ＰＬなどの各種配線と、を含む。回路層１１は、絶縁層１２により覆われている。絶縁層１２は、回路層１１により生じる凹凸を平坦化する有機絶縁層である。
回路層１１は、基板１０の上に配置されている。回路層１１は、図１に示した画素回路１などの各種回路と、走査線ＧＬ、信号線ＳＬ、電源線ＰＬなどの各種配線と、を含む。回路層１１は、絶縁層１２により覆われている。絶縁層１２は、回路層１１により生じる凹凸を平坦化する有機絶縁層である。
【0032】
下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３は、絶縁層１２の上に配置され、互いに離間している。無機絶縁層５は、絶縁層１２及び下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３の上に配置されている。無機絶縁層５の開口ＡＰ１は下電極ＬＥ１に重なり、開口ＡＰ２は下電極ＬＥ２に重なり、開口ＡＰ３は下電極ＬＥ３に重なっている。下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３の周縁部は、無機絶縁層５で覆われている。下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３のうち、互いに隣接する下電極の間では、絶縁層１２が無機絶縁層５により覆われている。下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３は、絶縁層１２に設けられたコンタクトホールを通じて副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のそれぞれの画素回路１に接続されている。なお、絶縁層１２のコンタクトホールは、図３では省略するが、図２のＣＨ１、ＣＨ２、ＣＨ３に相当する。
【0033】
隔壁６は、無機絶縁層５の上に配置された導電性を有する下部（茎）６１と、下部６１の上に配置された上部（笠）６２と、を含む。図の右側に示した隔壁６の下部６１は、開口ＡＰ１と開口ＡＰ２との間に位置している。図の左側に示した隔壁６の下部６１は、開口ＡＰ２と開口ＡＰ３との間に位置している。上部６２は、下部６１よりも大きい幅を有している。上部６２の両端部は、下部６１の側面よりも突出している。このような隔壁６の形状は、オーバーハング状と呼ばれる。
【0034】
有機層ＯＲ１は、開口ＡＰ１を通じて下電極ＬＥ１に接触し、開口ＡＰ１から露出した下電極ＬＥ１を覆うとともに、その周縁部が無機絶縁層５の上に位置している。上電極ＵＥ１は、有機層ＯＲ１を覆い、下部６１に接触している。
【0035】
有機層ＯＲ２は、開口ＡＰ２を通じて下電極ＬＥ２に接触し、開口ＡＰ２から露出した下電極ＬＥ２を覆うとともに、その周縁部が無機絶縁層５の上に位置している。上電極ＵＥ２は、有機層ＯＲ２を覆い、下部６１に接触している。
【0036】
有機層ＯＲ３は、開口ＡＰ３を通じて下電極ＬＥ３に接触し、開口ＡＰ３から露出した下電極ＬＥ３を覆うとともに、その周縁部が無機絶縁層５の上に位置している。上電極ＵＥ３は、有機層ＯＲ３を覆い、下部６１に接触している。
【0037】
図３の例においては、副画素ＳＰ１はキャップ層ＣＰ１及び封止層ＳＥ１を有し、副画素ＳＰ２はキャップ層ＣＰ２及び封止層ＳＥ２を有し、副画素ＳＰ３はキャップ層ＣＰ３及び封止層ＳＥ３を有している。キャップ層ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３は、それぞれ有機層ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３から放たれた光の取り出し効率を向上させる光学調整層としての役割を有している。
【0038】
キャップ層ＣＰ１は、上電極ＵＥ１の上に配置されている。
キャップ層ＣＰ２は、上電極ＵＥ２の上に配置されている。
キャップ層ＣＰ３は、上電極ＵＥ３の上に配置されている。
キャップ層ＣＰ２は、上電極ＵＥ２の上に配置されている。
キャップ層ＣＰ３は、上電極ＵＥ３の上に配置されている。
【0039】
封止層ＳＥ１は、キャップ層ＣＰ１の上に配置され、隔壁６に接触し、副画素ＳＰ１の各部材を連続的に覆っている。
封止層ＳＥ２は、キャップ層ＣＰ２の上に配置され、隔壁６に接触し、副画素ＳＰ２の各部材を連続的に覆っている。
封止層ＳＥ３は、キャップ層ＣＰ３の上に配置され、隔壁６に接触し、副画素ＳＰ３の各部材を連続的に覆っている。
封止層ＳＥ２は、キャップ層ＣＰ２の上に配置され、隔壁６に接触し、副画素ＳＰ２の各部材を連続的に覆っている。
封止層ＳＥ３は、キャップ層ＣＰ３の上に配置され、隔壁６に接触し、副画素ＳＰ３の各部材を連続的に覆っている。
【0040】
図３の例においては、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１のそれぞれの一部は、副画素ＳＰ１の周囲の隔壁６の上に位置している。これらの部分は、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１のうち開口ＡＰ１に位置する部分（表示素子２０１を構成する部分）から離間している。
同様に、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、及び、キャップ層ＣＰ２のそれぞれの一部は、副画素ＳＰ２の周囲の隔壁６の上に位置し、これらの部分は、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、及び、キャップ層ＣＰ２のうち開口ＡＰ２に位置する部分（表示素子２０２を構成する部分）から離間している。
同様に、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、及び、キャップ層ＣＰ３のそれぞれの一部は、副画素ＳＰ３の周囲の隔壁６の上に位置し、これらの部分は、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、及び、キャップ層ＣＰ３のうち開口ＡＰ３に位置する部分（表示素子２０３を構成する部分）から離間している。
なお、隔壁６の上においては、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、キャップ層ＣＰ１、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、キャップ層ＣＰ２、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、及び、キャップ層ＣＰ３が存在しない場合があり得る。
同様に、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、及び、キャップ層ＣＰ２のそれぞれの一部は、副画素ＳＰ２の周囲の隔壁６の上に位置し、これらの部分は、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、及び、キャップ層ＣＰ２のうち開口ＡＰ２に位置する部分（表示素子２０２を構成する部分）から離間している。
同様に、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、及び、キャップ層ＣＰ３のそれぞれの一部は、副画素ＳＰ３の周囲の隔壁６の上に位置し、これらの部分は、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、及び、キャップ層ＣＰ３のうち開口ＡＰ３に位置する部分（表示素子２０３を構成する部分）から離間している。
なお、隔壁６の上においては、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、キャップ層ＣＰ１、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、キャップ層ＣＰ２、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、及び、キャップ層ＣＰ３が存在しない場合があり得る。
【0041】
封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３の端部は、隔壁６の上に位置している。図３の例においては、副画素ＳＰ１、ＳＰ２間の隔壁６の上に位置する封止層ＳＥ１、ＳＥ２の端部同士が離間し、副画素ＳＰ２、ＳＰ３間の隔壁６の上に位置する封止層ＳＥ２、ＳＥ３の端部同士が離間している。
【0042】
封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３は、樹脂層１３によって覆われている。樹脂層１３は、封止層１４によって覆われている。封止層１４は、樹脂層１５によって覆われている。
【0043】
無機絶縁層５、封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３、及び、封止層１４は、例えば、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、または、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）などの無機絶縁材料で形成されている。
【0044】
隔壁６の下部６１は、導電材料で形成され、上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３と電気的に接続されている。隔壁６の上部６２は、例えば導電材料によって形成されているが、絶縁材料で形成されもよい。下部６１は、上部６２とは異なる材料で形成されている。
【0045】
下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３は、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）などの酸化物導電材料で形成された透明電極と、銀などの金属材料で形成された金属電極とを含む多層体である。
【0046】
有機層ＯＲ１は、発光層ＥＭ１を含む。有機層ＯＲ２は、発光層ＥＭ２を含む。有機層ＯＲ３は、発光層ＥＭ３を含む。発光層ＥＭ１、発光層ＥＭ２、及び、発光層ＥＭ３は、互いに異なる材料で形成されている。一例では、発光層ＥＭ１は、青波長域の光を放つ材料によって形成され、発光層ＥＭ２は、緑波長域の光を放つ材料によって形成され、発光層ＥＭ３は、赤波長域の光を放つ材料によって形成されている。
また、有機層ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３の各々は、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層などの複数の機能層を含む。
また、有機層ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３の各々は、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層などの複数の機能層を含む。
【0047】
上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３は、例えば、マグネシウム及び銀の合金（ＭｇＡｇ）などの金属材料で形成されている。
【0048】
キャップ層ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３は、複数の薄膜の多層体である。複数の薄膜は、いずれも透明であり、しかも、互いに異なる屈折率を有している。
【0049】
【0050】
まず、図４に示すように、処理基板ＳＵＢを用意する。処理基板ＳＵＢを用意する工程は、絶縁層１２の上に、副画素ＳＰ１の下電極ＬＥ１、副画素ＳＰ２の下電極ＬＥ２、副画素ＳＰ３の下電極ＬＥ３を形成する工程と、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３の各々と重なる開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３を有する無機絶縁層５を形成する工程と、無機絶縁層５の上に位置する下部６１及び下部６１の上に位置し下部６１の側面から突出した上部６２を含む隔壁６を形成する工程と、を含む。なお、無機絶縁層５に開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３を形成した後に、隔壁６を形成してもよいし、隔壁６を形成した後に、開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３を形成してもよい。
【0051】
続いて、表示素子２０１を形成する。
まず、後述するインライン型の蒸着装置に、処理基板ＳＵＢを搬入する。そして、図５に示すように、隔壁６をマスクとして、下電極ＬＥ１の上に、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、発光層（ＥＭ１）、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層などの各層を形成するための材料を順次蒸着して、有機層ＯＲ１を形成する。
その後、隔壁６をマスクとして、有機層ＯＲ１の上に、マグネシウム及び銀の混合物を蒸着して、上電極ＵＥ１を形成する。上電極ＵＥ１は、有機層ＯＲ１を覆い、下部６１に接触している。
その後、隔壁６をマスクとして、上電極ＵＥ１の上に、第１透明層ＴＬ１を形成するための高屈折率材料及び第２透明層ＴＬ２を形成するための低屈折率材料を順次蒸着して、キャップ層ＣＰ１を形成する。
これらの有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１は、真空環境を維持した状態で連続して形成される。
まず、後述するインライン型の蒸着装置に、処理基板ＳＵＢを搬入する。そして、図５に示すように、隔壁６をマスクとして、下電極ＬＥ１の上に、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、発光層（ＥＭ１）、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層などの各層を形成するための材料を順次蒸着して、有機層ＯＲ１を形成する。
その後、隔壁６をマスクとして、有機層ＯＲ１の上に、マグネシウム及び銀の混合物を蒸着して、上電極ＵＥ１を形成する。上電極ＵＥ１は、有機層ＯＲ１を覆い、下部６１に接触している。
その後、隔壁６をマスクとして、上電極ＵＥ１の上に、第１透明層ＴＬ１を形成するための高屈折率材料及び第２透明層ＴＬ２を形成するための低屈折率材料を順次蒸着して、キャップ層ＣＰ１を形成する。
これらの有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１は、真空環境を維持した状態で連続して形成される。
【0052】
その後、後述するＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ－Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置に処理基板ＳＵＢを搬入する。そして、キャップ層ＣＰ１及び隔壁６を連続的に覆うように、封止層ＳＥ１を形成する。
【0053】
有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、キャップ層ＣＰ１、及び、封止層ＳＥ１は、少なくとも表示領域ＤＡの全体に形成され、副画素ＳＰ１だけでなく副画素ＳＰ２、ＳＰ３にも配置されている。有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１は、オーバーハング状の隔壁６によって分断される。
【0054】
有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１がそれぞれ蒸着によって形成される際に、蒸着源から放たれた材料は、上部６２によって遮られる。このため、上部６２の上には、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１のそれぞれの一部が積層される。上部６２の上に位置する有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１の各々は、下電極ＬＥ１の直上に位置する有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１から離間している。
封止層ＳＥ１は、隔壁６の直上のキャップ層ＣＰ１を覆うとともに、下電極ＬＥ１の直上のキャップ層ＣＰ１を覆い、かつ、隔壁６に接している。
封止層ＳＥ１は、隔壁６の直上のキャップ層ＣＰ１を覆うとともに、下電極ＬＥ１の直上のキャップ層ＣＰ１を覆い、かつ、隔壁６に接している。
【0055】
【0056】
まず、図６の上段に示すように、ＣＶＤ装置において、第１無機絶縁層ＩＬ１を形成する。第１無機絶縁層ＩＬ１は、シリコン窒化物で形成する。
副画素ＳＰ１に位置する第１無機絶縁層ＩＬ１に着目すると、第１無機絶縁層ＩＬ１は、キャップ層ＣＰ１に接し、隔壁６の下部６１の側面に接し、また、隔壁６の上部６２に接している。また、第１無機絶縁層ＩＬ１は、上部６２の下方に、閉じた空隙Ｖを有している。下電極ＬＥ１の直上において、第１無機絶縁層ＩＬ１は、厚さＴ１０１を有している。
副画素ＳＰ１に位置する第１無機絶縁層ＩＬ１に着目すると、第１無機絶縁層ＩＬ１は、キャップ層ＣＰ１に接し、隔壁６の下部６１の側面に接し、また、隔壁６の上部６２に接している。また、第１無機絶縁層ＩＬ１は、上部６２の下方に、閉じた空隙Ｖを有している。下電極ＬＥ１の直上において、第１無機絶縁層ＩＬ１は、厚さＴ１０１を有している。
【0057】
その後、図６の中段に示すように、ドライエッチング装置において、レジストを介することなく、第１無機絶縁層ＩＬ１の全体の異方性ドライエッチングを行う。異方性ドライエッチングでは、等方性ドライエッチングと比較して、サイドエッチングが進行しにくい。このため、下電極ＬＥ１、ＬＥ２の直上に位置する第１無機絶縁層ＩＬ１の厚さが低減し、また、隔壁６の上部６２の直上に位置する第１無機絶縁層ＩＬ１の厚さが低減し、さらには、空隙Ｖの先端側の第１無機絶縁層ＩＬ１が除去され、空隙Ｖが開放される。異方性ドライエッチングを行った後の第１無機絶縁層ＩＬ１は、下電極ＬＥ１の直上において厚さＴ１０２を有している。厚さＴ１０２は、厚さＴ１０１より小さい。
【0058】
なお、隔壁６の上部６２の下方に位置する第１無機絶縁層ＩＬ１は、ほとんど除去されない。つまり、異方性ドライエッチングを行った後において、第１無機絶縁層ＩＬ１は、隔壁６の下部６１の側面、及び、隔壁６の上部６２の底面を覆っている。
【0059】
その後、図６の下段に示すように、ＣＶＤ装置において、第１無機絶縁層ＩＬ１の上に第２無機絶縁層ＩＬ２を形成する。第２無機絶縁層ＩＬ２は、第１無機絶縁層ＩＬ１と同一材料で形成する。つまり、第２無機絶縁層ＩＬ２は、シリコン窒化物で形成される。第１無機絶縁層ＩＬ１及び第２無機絶縁層ＩＬ２が同一材料で形成された場合、両者の界面はほとんど認識されない。つまり、図６に示した封止層ＳＥ１は、第１無機絶縁層ＩＬ１及び第２無機絶縁層ＩＬ２の積層体であるが、単一層とみなすことができる。このため、封止層ＳＥ１の内部での不所望な光の反射や散乱が抑制される。
【0060】
また、図示した例では、封止層ＳＥ１は、上部６２の下方に、空隙を含まない。このように、封止層ＳＥ１が空隙を含まないことにより、空隙を起点としたクラックを防止することができる。なお、封止層ＳＥ１は、図６の上段に示した空隙Ｖよりも小さい空隙を含む場合があり得る。
【0061】
続いて、図７に示すように、封止層ＳＥ１の上に、所定の形状にパターニングされたレジストＲＳを形成する。レジストＲＳは、副画素ＳＰ１とその周囲の隔壁６の一部に重なっている。
【0062】
続いて、図８に示すように、レジストＲＳをマスクとしてエッチングを行うことにより、レジストＲＳから露出した封止層ＳＥ１、キャップ層ＣＰ１、上電極ＵＥ１、及び、有機層ＯＲ１を順次除去する。これにより、副画素ＳＰ２の下電極ＬＥ２及び副画素ＳＰ３の下電極ＬＥ３が露出する。
その後、レジストＲＳを除去する。これにより、副画素ＳＰ１に表示素子２０１が形成される。
その後、レジストＲＳを除去する。これにより、副画素ＳＰ１に表示素子２０１が形成される。
【0063】
続いて、図９に示すように、表示素子２０２を形成する。表示素子２０２を形成する手順は、表示素子２０１を形成する手順と同様である。すなわち、下電極ＬＥ２の上に、発光層ＥＭ２を含む有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、キャップ層ＣＰ２、及び、封止層ＳＥ２を順に形成する。その後、封止層ＳＥ２の上にレジストを形成し、このレジストをマスクとしたエッチングにより、封止層ＳＥ２、キャップ層ＣＰ２、上電極ＵＥ２、及び、有機層ＯＲ２が順次パターニングされる。このパターニングの後、レジストを除去する。これにより、副画素ＳＰ２に表示素子２０２が形成され、副画素ＳＰ３の下電極ＬＥ３が露出する。
【0064】
続いて、図１０に示すように、表示素子２０３を形成する。表示素子２０３を形成する手順は、表示素子２０１を形成する手順と同様である。すなわち、下電極ＬＥ３の上に、発光層ＥＭ３を含む有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、キャップ層ＣＰ３、及び、封止層ＳＥ３を順に形成する。その後、封止層ＳＥ３の上にレジストを形成し、このレジストをマスクとしたエッチングにより、封止層ＳＥ３、キャップ層ＣＰ３、上電極ＵＥ３、及び、有機層ＯＲ３が順次パターニングされる。このパターニングの後、レジストを除去する。これにより、副画素ＳＰ３に表示素子２０３が形成される。
【0065】
その後、図３に示した樹脂層１３、封止層１４、及び、樹脂層１５を順に形成する。これにより、表示装置ＤＳＰが完成する。
【0066】
なお、以上の製造工程においては、最初に表示素子２０１が形成され、次に表示素子２０２が形成され、最後に表示素子２０３が形成される場合を想定したが、表示素子２０１、２０２、２０３の形成順はこの例に限られない。
【0067】
次に、表示素子２０の構成例について説明する。
【0068】
図１１は、表示素子２０の一構成例を示す図である。
図１１に示す表示素子２０は、上記の表示素子２０１、２０２、２０３のいずれにも相当し得るものである。
なお、ここでは、下電極ＬＥがアノードに相当し、上電極ＵＥがカソードに相当する場合を例に説明する。
図１１に示す表示素子２０は、上記の表示素子２０１、２０２、２０３のいずれにも相当し得るものである。
なお、ここでは、下電極ＬＥがアノードに相当し、上電極ＵＥがカソードに相当する場合を例に説明する。
【0069】
表示素子２０は、下電極ＬＥ（ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３）と上電極ＵＥ（ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３）との間に有機層ＯＲ（ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３）を備えている。
【0070】
有機層ＯＲにおいて、正孔注入層ＨＩＬ、正孔輸送層ＨＴＬ、電子ブロック層ＥＢＬ、発光層ＥＭＬ、正孔ブロック層ＨＢＬ、電子輸送層ＥＴＬ、及び、電子注入層ＥＩＬは、この順に積層されている。
なお、有機層ＯＲは、上記した機能層の他に、必要に応じてキャリア発生層などの他の機能層を含んでいてもよいし、上記した機能層の少なくとも１つが省略されてもよい。
なお、有機層ＯＲは、上記した機能層の他に、必要に応じてキャリア発生層などの他の機能層を含んでいてもよいし、上記した機能層の少なくとも１つが省略されてもよい。
【0071】
発光層ＥＭＬは、図３に示した発光層ＥＭ１、ＥＭ２、ＥＭ３のいずれかに相当する。
【0072】
キャップ層ＣＰ（ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３）は、第１透明層ＴＬ１と、第２透明層ＴＬ２と、を含む。第１透明層ＴＬ１は、上電極ＵＥの上に配置されている。第１透明層ＴＬ１は、上電極ＵＥよりも高い屈折率を有する高屈折率層である。第２透明層ＴＬ２は、第１透明層ＴＬ１の上に配置されている。第２透明層ＴＬ２は、第１透明層ＴＬ１よりも小さい屈折率を有する低屈折率層である。封止層ＳＥ（ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３）は、第２透明層ＴＬ２の上に配置されている。なお、キャップ層ＣＰは、省略されてもよい。
【0073】
なお、有機層ＯＲの構成については、図示したように有機層ＯＲが１層の発光層ＥＭＬを備える構成に限らず、有機層ＯＲが複数の発光層を備える構成であってもよい。
【0074】
次に、表示装置ＤＳＰの製造装置１００について説明する。
【0075】
図１２は、製造装置１００の一構成例を示す図である。なお、図中に示す直線の矢印は、処理基板の搬送方向を示している。
【0076】
製造装置１００は、メイン製造ライン１０１と、メイン製造ライン１０１に接続されたサブライン１０２、１０３と、を備えている。メイン製造ライン１０１においては、処理基板は、図の左側から右側に向かって搬送される。
【0077】
メイン製造ライン１０１は、前処理部ＰＲＥと、インライン型の蒸着装置ＩＤ１、ＩＤ２と、ＣＶＤ装置ＣＶＤ１、ＣＶＤ２、ＣＶＤ３、ＣＶＤ４、ＣＶＤ５、ＣＶＤ６、ＣＶＤ７、ＣＶＤ８と、ドライエッチング装置ＤＲＹ１、ＤＲＹ２、ＤＲＹ３、ＤＲＹ４と、を備えている。
【0078】
前処理部ＰＲＥは、基板カセットステーションＣＡＳに接続されている。
蒸着装置ＩＤ１、ＩＤ２は、前処理部ＰＲＥに対して、処理基板の搬送方向に沿った下流側に位置している。
ＣＶＤ装置ＣＶＤ１～ＣＶＤ４は、蒸着装置ＩＤ１、ＩＤ２に対して下流側に位置している。
ドライエッチング装置ＤＲＹ１～ＤＲＹ４は、ＣＶＤ装置ＣＶＤ１～ＣＶＤ４に対して下流側に位置している。
ＣＶＤ装置ＣＶＤ５～ＣＶＤ８は、ドライエッチング装置ＤＲＹ１～ＤＲＹ４に対して下流側に位置している。
なお、メイン製造ライン１０１において、表示装置を製造するためには、１つの蒸着装置ＩＤ１と、１つのＣＶＤ装置ＣＶＤ１と、１つのドライエッチング装置ＤＲＹ１と、１つのＣＶＤ装置ＣＶＤ５が設けられていればよい。
蒸着装置ＩＤ１、ＩＤ２は、前処理部ＰＲＥに対して、処理基板の搬送方向に沿った下流側に位置している。
ＣＶＤ装置ＣＶＤ１～ＣＶＤ４は、蒸着装置ＩＤ１、ＩＤ２に対して下流側に位置している。
ドライエッチング装置ＤＲＹ１～ＤＲＹ４は、ＣＶＤ装置ＣＶＤ１～ＣＶＤ４に対して下流側に位置している。
ＣＶＤ装置ＣＶＤ５～ＣＶＤ８は、ドライエッチング装置ＤＲＹ１～ＤＲＹ４に対して下流側に位置している。
なお、メイン製造ライン１０１において、表示装置を製造するためには、１つの蒸着装置ＩＤ１と、１つのＣＶＤ装置ＣＶＤ１と、１つのドライエッチング装置ＤＲＹ１と、１つのＣＶＤ装置ＣＶＤ５が設けられていればよい。
【0079】
基板カセットステーションＣＡＳは、下電極ＬＥ、無機絶縁層５、隔壁６などが形成された複数の処理基板（図４に示した処理基板ＳＵＢ）を収容している。
【0080】
前処理部ＰＲＥは、基板カセットステーションＣＡＳに接続されたロードロックチャンバーＬＬ１と、処理基板に対してベーク処理を行う複数のベークチャンバーＢＫ１、ＢＫ２、ＢＫ３と、処理基板に対してプラズマ処理を行う複数のプラズマチャンバーＰＬ１、ＰＬ２、ＰＬ３と、搬送ロボットチャンバーＲＢ１と、を備えている。
搬送ロボットチャンバーＲＢ１は、ロードロックチャンバーＬＬ１、ベークチャンバーＢＫ１～ＢＫ３、及び、プラズマチャンバーＰＬ１～ＰＬ３に接続され、処理基板を水平姿勢で搬送するロボットを備えている。
搬送ロボットチャンバーＲＢ１は、ロードロックチャンバーＬＬ１、ベークチャンバーＢＫ１～ＢＫ３、及び、プラズマチャンバーＰＬ１～ＰＬ３に接続され、処理基板を水平姿勢で搬送するロボットを備えている。
【0081】
蒸着装置ＩＤ１、ＩＤ２は、同一構成であり、有機層ＯＲ、上電極ＵＥ、及び、キャップ層ＣＰをそれぞれ形成するための複数の蒸着チャンバーを備えている。後に詳述するが、蒸着装置ＩＤ１、ＩＤ２の各々において、複数の蒸着チャンバーは、一方向に並んでいる。例えば、蒸着装置ＩＤ１、ＩＤ２の各々は、図５に示した有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１を形成するように構成されている。
【0082】
ＣＶＤ装置ＣＶＤ１～ＣＶＤ４は、いずれも同一構成であり、例えば、図６に示した第１無機絶縁層ＩＬ１を形成するように構成されている。
【0083】
ドライエッチング装置ＤＲＹ１～ＤＲＹ４は、いずれも同一構成であり、第１無機絶縁層ＩＬ１の厚さを低減するように構成されている。
【0084】
ＣＶＤ装置ＣＶＤ５～ＣＶＤ８は、いずれも同一構成であり、例えば、図６に示した第２無機絶縁層ＩＬ２を形成するように構成されている。
【0085】
図示した例では、メイン製造ライン１０１は、さらに、姿勢変換チャンバーＶＣＳ１と、ローテーションチャンバーＲＯＴ１、ＲＯＴ２、ＲＯＴ３、ＲＯＴ４、ＲＯＴ５、ＲＯＴ６と、搬送チャンバーＴＲＦ１、ＴＲＦ２、ＴＲＦ３、ＴＲＦ４と、姿勢変換チャンバーＶＣＳ２と、搬送ロボットチャンバーＲＢ２と、ロードロックチャンバーＬＬ２と、を備えている。
【0086】
姿勢変換チャンバーＶＣＳ１は、前処理部ＰＲＥとローテーションチャンバーＲＯＴ１との間に接続されている。姿勢変換チャンバーＶＣＳ１は、前処理部ＰＲＥにおいて水平姿勢で搬送された処理基板を９０°回転して、処理基板の姿勢を垂直姿勢に変換する機構を備えている。また、姿勢変換チャンバーＶＣＳ１は、静電チャックにより処理基板を専用のキャリアに固定する機構も備えている。ローテーションチャンバーＲＯＴ１に搬入される処理基板ＳＵＢの姿勢は、垂直姿勢である。
【0087】
ローテーションチャンバーＲＯＴ１～ＲＯＴ６は、いずれも同一構成であり、回転機構を備えている。回転機構は、垂直姿勢で搬入された処理基板を保持し、処理基板の法線に直交する回転軸を中心として、回転可能に構成されている。回転機構の回転角度は、例えば、９０°、１８０°、２７０°であるが、その他の角度であってもよい。
【0088】
ローテーションチャンバーＲＯＴ１は、姿勢変換チャンバーＶＣＳ１に接続されるとともに、蒸着装置ＩＤ１、ＩＤ２の上流側に接続されている。
ローテーションチャンバーＲＯＴ２は、蒸着装置ＩＤ１、ＩＤ２の下流側に接続されている。
ローテーションチャンバーＲＯＴ３は、複数のＣＶＤ装置ＣＶＤ１～ＣＶＤ４に接続されている。
ローテーションチャンバーＲＯＴ４は、複数のドライエッチング装置ＤＲＹ１～ＤＲＹ４に接続されている。
ローテーションチャンバーＲＯＴ５は、複数のＣＶＤ装置ＣＶＤ５～ＣＶＤ８に接続されている。
ローテーションチャンバーＲＯＴ６は、ローテーションチャンバーＲＯＴ５の下流側に位置している。
ローテーションチャンバーＲＯＴ２は、蒸着装置ＩＤ１、ＩＤ２の下流側に接続されている。
ローテーションチャンバーＲＯＴ３は、複数のＣＶＤ装置ＣＶＤ１～ＣＶＤ４に接続されている。
ローテーションチャンバーＲＯＴ４は、複数のドライエッチング装置ＤＲＹ１～ＤＲＹ４に接続されている。
ローテーションチャンバーＲＯＴ５は、複数のＣＶＤ装置ＣＶＤ５～ＣＶＤ８に接続されている。
ローテーションチャンバーＲＯＴ６は、ローテーションチャンバーＲＯＴ５の下流側に位置している。
【0089】
搬送チャンバーＴＲＦ１～ＴＲＦ４は、垂直姿勢の処理基板を一方向に搬送する搬送機構を備えている。
【0090】
搬送チャンバーＴＲＦ１は、ローテーションチャンバーＲＯＴ２とローテーションチャンバーＲＯＴ３とを接続している。
搬送チャンバーＴＲＦ２は、ローテーションチャンバーＲＯＴ３とローテーションチャンバーＲＯＴ４とを接続している。
搬送チャンバーＴＲＦ３は、ローテーションチャンバーＲＯＴ４とローテーションチャンバーＲＯＴ５とを接続している。
搬送チャンバーＴＲＦ４は、ローテーションチャンバーＲＯＴ５とローテーションチャンバーＲＯＴ６とを接続している。
搬送チャンバーＴＲＦ２は、ローテーションチャンバーＲＯＴ３とローテーションチャンバーＲＯＴ４とを接続している。
搬送チャンバーＴＲＦ３は、ローテーションチャンバーＲＯＴ４とローテーションチャンバーＲＯＴ５とを接続している。
搬送チャンバーＴＲＦ４は、ローテーションチャンバーＲＯＴ５とローテーションチャンバーＲＯＴ６とを接続している。
【0091】
メイン製造ライン１０１においては、処理基板は、蒸着装置ＩＤ１、ＩＤ２、ＣＶＤ装置ＣＶＤ１～ＣＶＤ８、ドライエッチング装置ＤＲＹ１～ＤＲＹ４、ローテーションチャンバーＲＯＴ１～ＲＯＴ６、搬送チャンバーＴＲＦ１～ＴＲＦ４において、垂直姿勢で搬送される。
【0092】
姿勢変換チャンバーＶＣＳ２は、ローテーションチャンバーＲＯＴ６に接続されている。姿勢変換チャンバーＶＣＳ２は、ローテーションチャンバーＲＯＴ６において垂直姿勢で搬送された処理基板を９０°回転して、処理基板の姿勢を水平姿勢に変換する機構を備えている。また、姿勢変換チャンバーＶＣＳ２は、静電チャックによる固定を解除し、キャリアから処理基板を取り外す機構も備えている。
【0093】
搬送ロボットチャンバーＲＢ２は、姿勢変換チャンバーＶＣＳ２、及び、ロードロックチャンバーＬＬ２に接続され、処理基板を水平姿勢で搬送するロボットを備えている。ロードロックチャンバーＬＬ２は、基板カセットステーションＣＡＳに接続されている。
【0094】
サブライン１０２は、ローテーションチャンバーＲＯＴ１１、ＲＯＴ１２、ＲＯＴ１３、ＲＯＴ１４、ＲＯＴ１５、ＲＯＴ１６と、搬送チャンバーＴＲＦ１１、ＴＲＦ１２、ＴＲＦ１３、ＴＲＦ１４、ＴＲＦ１５、ＴＲＦ１６、ＴＲＦ１７、ＴＲＦ１８と、姿勢変換チャンバーＶＣＳ１１、ＶＣＳ１２と、を備えている。
サブライン１０２は、複数のＣＶＤ装置ＣＶＤ１、ＣＶＤ３に接続され、複数のドライエッチング装置ＤＲＹ１、ＤＲＹ３に接続され、複数のＣＶＤ装置ＣＶＤ５、ＣＶＤ７に接続されている。また、サブライン１０２は、前処理部ＰＲＥと蒸着装置ＩＤ１との間、及び、前処理部ＰＲＥと蒸着装置ＩＤ２との間でメイン製造ライン１０１に接続されている。また、サブライン１０２は、蒸着装置ＩＤ１とＣＶＤ装置ＣＶＤ１～ＣＶＤ４との間、及び、蒸着装置ＩＤ２とＣＶＤ装置ＣＶＤ１～ＣＶＤ４との間でメイン製造ライン１０１に接続されている。
サブライン１０２は、複数のＣＶＤ装置ＣＶＤ１、ＣＶＤ３に接続され、複数のドライエッチング装置ＤＲＹ１、ＤＲＹ３に接続され、複数のＣＶＤ装置ＣＶＤ５、ＣＶＤ７に接続されている。また、サブライン１０２は、前処理部ＰＲＥと蒸着装置ＩＤ１との間、及び、前処理部ＰＲＥと蒸着装置ＩＤ２との間でメイン製造ライン１０１に接続されている。また、サブライン１０２は、蒸着装置ＩＤ１とＣＶＤ装置ＣＶＤ１～ＣＶＤ４との間、及び、蒸着装置ＩＤ２とＣＶＤ装置ＣＶＤ１～ＣＶＤ４との間でメイン製造ライン１０１に接続されている。
【0095】
ローテーションチャンバーＲＯＴ１１～ＲＯＴ１６は、いずれも同一構成であり、ローテーションチャンバーＲＯＴ１などと同様に、垂直姿勢の処理基板を保持して回転可能な回転機構を備えている。
【0096】
ローテーションチャンバーＲＯＴ１３は、複数のＣＶＤ装置ＣＶＤ１、ＣＶＤ３に接続されている。
ローテーションチャンバーＲＯＴ１４は、複数のドライエッチング装置ＤＲＹ１、ＤＲＹ３に接続されている。
ローテーションチャンバーＲＯＴ１５は、複数のＣＶＤ装置ＣＶＤ５、ＣＶＤ７に接続されている。
ローテーションチャンバーＲＯＴ１４は、複数のドライエッチング装置ＤＲＹ１、ＤＲＹ３に接続されている。
ローテーションチャンバーＲＯＴ１５は、複数のＣＶＤ装置ＣＶＤ５、ＣＶＤ７に接続されている。
【0097】
搬送チャンバーＴＲＦ１１～ＴＲＦ１８は、垂直姿勢の処理基板を双方向に搬送可能な搬送機構を備えている。
【0098】
搬送チャンバーＴＲＦ１１は、ローテーションチャンバーＲＯＴ１１とローテーションチャンバーＲＯＴ１２とを接続している。
搬送チャンバーＴＲＦ１２は、ローテーションチャンバーＲＯＴ１２とローテーションチャンバーＲＯＴ１３とを接続している。
搬送チャンバーＴＲＦ１３は、ローテーションチャンバーＲＯＴ１３とローテーションチャンバーＲＯＴ１４とを接続している。
搬送チャンバーＴＲＦ１４は、ローテーションチャンバーＲＯＴ１４とローテーションチャンバーＲＯＴ１５とを接続している。
搬送チャンバーＴＲＦ１５は、ローテーションチャンバーＲＯＴ１５とローテーションチャンバーＲＯＴ１６とを接続している。
搬送チャンバーＴＲＦ１６は、ローテーションチャンバーＲＯＴ１とローテーションチャンバーＲＯＴ１１とを接続している。
搬送チャンバーＴＲＦ１７は、ローテーションチャンバーＲＯＴ２とローテーションチャンバーＲＯＴ１２とを接続している。
搬送チャンバーＴＲＦ１８は、ローテーションチャンバーＲＯＴ６とローテーションチャンバーＲＯＴ１６とを接続している。
搬送チャンバーＴＲＦ１２は、ローテーションチャンバーＲＯＴ１２とローテーションチャンバーＲＯＴ１３とを接続している。
搬送チャンバーＴＲＦ１３は、ローテーションチャンバーＲＯＴ１３とローテーションチャンバーＲＯＴ１４とを接続している。
搬送チャンバーＴＲＦ１４は、ローテーションチャンバーＲＯＴ１４とローテーションチャンバーＲＯＴ１５とを接続している。
搬送チャンバーＴＲＦ１５は、ローテーションチャンバーＲＯＴ１５とローテーションチャンバーＲＯＴ１６とを接続している。
搬送チャンバーＴＲＦ１６は、ローテーションチャンバーＲＯＴ１とローテーションチャンバーＲＯＴ１１とを接続している。
搬送チャンバーＴＲＦ１７は、ローテーションチャンバーＲＯＴ２とローテーションチャンバーＲＯＴ１２とを接続している。
搬送チャンバーＴＲＦ１８は、ローテーションチャンバーＲＯＴ６とローテーションチャンバーＲＯＴ１６とを接続している。
【0099】
姿勢変換チャンバーＶＣＳ１１は、ローテーションチャンバーＲＯＴ１２に接続されている。姿勢変換チャンバーＶＣＳ１２は、ローテーションチャンバーＲＯＴ１６に接続されている。姿勢変換チャンバーＶＣＳ１１、１２は、垂直姿勢で搬送された処理基板の姿勢を水平姿勢に変換する機構を備えている。また、姿勢変換チャンバーＶＣＳ１１、１２は、静電チャックによる固定を解除し、キャリアから処理基板を取り外す機構も備えている。
【0100】
サブライン１０３は、ローテーションチャンバーＲＯＴ２１、ＲＯＴ２２、ＲＯＴ２３、ＲＯＴ２４、ＲＯＴ２５、ＲＯＴ２６と、搬送チャンバーＴＲＦ２１、ＴＲＦ２２、ＴＲＦ２３、ＴＲＦ２４、ＴＲＦ２５、ＴＲＦ２６、ＴＲＦ２７、ＴＲＦ２８と、姿勢変換チャンバーＶＣＳ２１、ＶＣＳ２２と、を備えている。
サブライン１０３は、複数のＣＶＤ装置ＣＶＤ２、ＣＶＤ４に接続され、複数のドライエッチング装置ＤＲＹ２、ＤＲＹ４に接続され、複数のＣＶＤ装置ＣＶＤ６、ＣＶＤ８に接続されている。また、サブライン１０３は、前処理部ＰＲＥと蒸着装置ＩＤ１との間、及び、前処理部ＰＲＥと蒸着装置ＩＤ２との間でメイン製造ライン１０１に接続されている。また、サブライン１０３は、蒸着装置ＩＤ１とＣＶＤ装置ＣＶＤ１～ＣＶＤ４との間、及び、蒸着装置ＩＤ２とＣＶＤ装置ＣＶＤ１～ＣＶＤ４との間でメイン製造ライン１０１に接続されている。
サブライン１０３は、複数のＣＶＤ装置ＣＶＤ２、ＣＶＤ４に接続され、複数のドライエッチング装置ＤＲＹ２、ＤＲＹ４に接続され、複数のＣＶＤ装置ＣＶＤ６、ＣＶＤ８に接続されている。また、サブライン１０３は、前処理部ＰＲＥと蒸着装置ＩＤ１との間、及び、前処理部ＰＲＥと蒸着装置ＩＤ２との間でメイン製造ライン１０１に接続されている。また、サブライン１０３は、蒸着装置ＩＤ１とＣＶＤ装置ＣＶＤ１～ＣＶＤ４との間、及び、蒸着装置ＩＤ２とＣＶＤ装置ＣＶＤ１～ＣＶＤ４との間でメイン製造ライン１０１に接続されている。
【0101】
ローテーションチャンバーＲＯＴ２１～ＲＯＴ２６は、いずれも同一構成であり、ローテーションチャンバーＲＯＴ１などと同様に、垂直姿勢の処理基板を保持して回転可能な回転機構を備えている。
【0102】
ローテーションチャンバーＲＯＴ２３は、複数のＣＶＤ装置ＣＶＤ２、ＣＶＤ４に接続されている。
ローテーションチャンバーＲＯＴ２４は、複数のドライエッチング装置ＤＲＹ２、ＤＲＹ４に接続されている。
ローテーションチャンバーＲＯＴ２５は、複数のＣＶＤ装置ＣＶＤ６、ＣＶＤ８に接続されている。
ローテーションチャンバーＲＯＴ２４は、複数のドライエッチング装置ＤＲＹ２、ＤＲＹ４に接続されている。
ローテーションチャンバーＲＯＴ２５は、複数のＣＶＤ装置ＣＶＤ６、ＣＶＤ８に接続されている。
【0103】
搬送チャンバーＴＲＦ２１～ＴＲＦ２８は、垂直姿勢の処理基板を双方向に搬送可能な搬送機構を備えている。
【0104】
搬送チャンバーＴＲＦ２１は、ローテーションチャンバーＲＯＴ２１とローテーションチャンバーＲＯＴ２２とを接続している。
搬送チャンバーＴＲＦ２２は、ローテーションチャンバーＲＯＴ２２とローテーションチャンバーＲＯＴ２３とを接続している。
搬送チャンバーＴＲＦ２３は、ローテーションチャンバーＲＯＴ２３とローテーションチャンバーＲＯＴ２４とを接続している。
搬送チャンバーＴＲＦ２４は、ローテーションチャンバーＲＯＴ２４とローテーションチャンバーＲＯＴ２５とを接続している。
搬送チャンバーＴＲＦ２５は、ローテーションチャンバーＲＯＴ２５とローテーションチャンバーＲＯＴ２６とを接続している。
搬送チャンバーＴＲＦ２６は、ローテーションチャンバーＲＯＴ１とローテーションチャンバーＲＯＴ２１とを接続している。
搬送チャンバーＴＲＦ２７は、ローテーションチャンバーＲＯＴ２とローテーションチャンバーＲＯＴ２２とを接続している。
搬送チャンバーＴＲＦ２８は、ローテーションチャンバーＲＯＴ６とローテーションチャンバーＲＯＴ２６とを接続している。
搬送チャンバーＴＲＦ２２は、ローテーションチャンバーＲＯＴ２２とローテーションチャンバーＲＯＴ２３とを接続している。
搬送チャンバーＴＲＦ２３は、ローテーションチャンバーＲＯＴ２３とローテーションチャンバーＲＯＴ２４とを接続している。
搬送チャンバーＴＲＦ２４は、ローテーションチャンバーＲＯＴ２４とローテーションチャンバーＲＯＴ２５とを接続している。
搬送チャンバーＴＲＦ２５は、ローテーションチャンバーＲＯＴ２５とローテーションチャンバーＲＯＴ２６とを接続している。
搬送チャンバーＴＲＦ２６は、ローテーションチャンバーＲＯＴ１とローテーションチャンバーＲＯＴ２１とを接続している。
搬送チャンバーＴＲＦ２７は、ローテーションチャンバーＲＯＴ２とローテーションチャンバーＲＯＴ２２とを接続している。
搬送チャンバーＴＲＦ２８は、ローテーションチャンバーＲＯＴ６とローテーションチャンバーＲＯＴ２６とを接続している。
【0105】
姿勢変換チャンバーＶＣＳ２１は、ローテーションチャンバーＲＯＴ２２に接続されている。姿勢変換チャンバーＶＣＳ２２は、ローテーションチャンバーＲＯＴ２６に接続されている。姿勢変換チャンバーＶＣＳ２１、２２は、垂直姿勢で搬送された処理基板の姿勢を水平姿勢に変換する機構を備えている。また、姿勢変換チャンバーＶＣＳ２１、２２は、静電チャックによる固定を解除し、キャリアから処理基板を取り外す機構も備えている。
【0106】
なお、詳述しないが、姿勢変換チャンバーＶＣＳ１１、ＶＣＳ１２、ＶＣＳ２１、ＶＣＳ２２は、それぞれ搬送ロボットチャンバーＲＢに接続されている。搬送ロボットチャンバーＲＢの各々は、基板カセットステーションＣＡＳに接続されたロードロックチャンバーと接続されている。
【0107】
このようなサブライン１０２、１０３は、処理基板を搬送するための搬送経路として、メイン製造ライン１０１とは別の迂回路を形成している。このようなサブライン１０２、１０３がメイン製造ライン１０１に接続されることにより、メイン製造ライン１０１及びサブライン１０２、１０３は、ループ状の搬送経路を形成している。
なお、図示した例では、製造装置１００は、２つのサブライン１０２、１０３を備えているが、少なくとも１つのサブライン１０２を備えていれば、ループ状の搬送経路を形成することができる。
なお、図示した例では、製造装置１００は、２つのサブライン１０２、１０３を備えているが、少なくとも１つのサブライン１０２を備えていれば、ループ状の搬送経路を形成することができる。
【0108】
図１２に示す構成例においては、例えば、蒸着装置ＩＤ１は第１蒸着装置に相当し、蒸着装置ＩＤ２は第２蒸着装置に相当する。また、ＣＶＤ装置ＣＶＤ１～ＣＤＶ４は第１ＣＶＤ装置に相当し、ＣＶＤ装置ＣＶＤ５～ＣＤＶ８は第２ＣＶＤ装置に相当する。
【0109】
また、ローテーションチャンバーＲＯＴ１は第１ローテーションチャンバーに相当し、ローテーションチャンバーＲＯＴ２は第２ローテーションチャンバーに相当し、ローテーションチャンバーＲＯＴ３は第３ローテーションチャンバーに相当し、ローテーションチャンバーＲＯＴ４は第４ローテーションチャンバーに相当し、ローテーションチャンバーＲＯＴ５は第５ローテーションチャンバーに相当し、ローテーションチャンバーＲＯＴ６は第６ローテーションチャンバーに相当し、ローテーションチャンバーＲＯＴ１１は第７ローテーションチャンバーに相当し、ローテーションチャンバーＲＯＴ１２は第８ローテーションチャンバーに相当し、ローテーションチャンバーＲＯＴ１３は第９ローテーションチャンバーに相当し、ローテーションチャンバーＲＯＴ１４は第１０ローテーションチャンバーに相当し、ローテーションチャンバーＲＯＴ１５は第１１ローテーションチャンバーに相当し、ローテーションチャンバーＲＯＴ１６は第１２ローテーションチャンバーに相当する。
【0110】
また、搬送チャンバーＴＲＦ１は第１搬送チャンバーに相当し、搬送チャンバーＴＲＦ２は第２搬送チャンバーに相当し、搬送チャンバーＴＲＦ３は第３搬送チャンバーに相当し、搬送チャンバーＴＲＦ４は第４搬送チャンバーに相当し、搬送チャンバーＴＲＦ１１は第５搬送チャンバーに相当し、搬送チャンバーＴＲＦ１２は第６搬送チャンバーに相当し、搬送チャンバーＴＲＦ１３は第７搬送チャンバーに相当し、搬送チャンバーＴＲＦ１４は第８搬送チャンバーに相当し、搬送チャンバーＴＲＦ１５は第９搬送チャンバーに相当し、搬送チャンバーＴＲＦ１６は第１０搬送チャンバーに相当し、搬送チャンバーＴＲＦ１７は第１１搬送チャンバーに相当し、搬送チャンバーＴＲＦ１８は第１２搬送チャンバーに相当する。
【0111】
このような製造装置１００によれば、前処理部ＰＲＥにおいては、複数のベークチャンバー及び複数のプラズマチャンバーが設けられており、複数の処理基板の前処理を同時に行うことができる。
また、蒸着装置ＩＤ１、ＩＤ２においては、複数の処理基板に対して有機層ＯＲ、上電極ＵＥ、及び、キャップ層ＣＰの形成を同時に行うことができる。
また、ＣＶＤ装置ＣＶＤ１～ＣＶＤ４においては、複数の処理基板に対して第１無機絶縁層ＩＬ１の形成を同時に行うことができる。
また、ドライエッチング装置ＤＲＹ１～ＤＲＹ４においては、複数の処理基板に対して第１無機絶縁層ＩＬ１の厚さ低減を同時に行うことができる。
また、ＣＶＤ装置ＣＶＤ５～ＣＶＤ８においては、複数の処理基板に対して第２無機絶縁層ＩＬ２の形成を同時に行うことができる。
したがって、製造歩留まりを向上することができる。
また、蒸着装置ＩＤ１、ＩＤ２においては、複数の処理基板に対して有機層ＯＲ、上電極ＵＥ、及び、キャップ層ＣＰの形成を同時に行うことができる。
また、ＣＶＤ装置ＣＶＤ１～ＣＶＤ４においては、複数の処理基板に対して第１無機絶縁層ＩＬ１の形成を同時に行うことができる。
また、ドライエッチング装置ＤＲＹ１～ＤＲＹ４においては、複数の処理基板に対して第１無機絶縁層ＩＬ１の厚さ低減を同時に行うことができる。
また、ＣＶＤ装置ＣＶＤ５～ＣＶＤ８においては、複数の処理基板に対して第２無機絶縁層ＩＬ２の形成を同時に行うことができる。
したがって、製造歩留まりを向上することができる。
【0112】
また、製造装置１００が同一処理を行う複数の装置を備えているため、一部の装置に故障が発生したり、一部の装置をメンテナンスしたりする場合であっても、製造停止することなく、メイン製造ライン１０１を稼働し続けることができる。
【0113】
図１３は、蒸着装置ＩＤ１の一構成例を示す図である。
【0114】
蒸着装置ＩＤ１は、複数の蒸着チャンバーＥＶ１、ＥＶ２、ＥＶ３、ＥＶ４、ＥＶ５、ＥＶ６、ＥＶ７、ＥＶ８、ＥＶ９、ＥＶ１０を備えている。これらの蒸着チャンバーＥＶ１～ＥＶ１０は、一方向に沿って並んでいる。
【0115】
蒸着チャンバーＥＶ１は、蒸着源Ｓ１を備えている。蒸着源Ｓ１は、正孔注入層ＨＩＬを形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ２は、蒸着源Ｓ２を備えている。蒸着源Ｓ２は、正孔輸送層ＨＴＬを形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ３は、蒸着源Ｓ３を備えている。蒸着源Ｓ３は、電子ブロック層ＥＢＬを形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ４は、蒸着源Ｓ４を備えている。蒸着源Ｓ４は、発光層ＥＭＬを形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ５は、蒸着源Ｓ５を備えている。蒸着源Ｓ５は、正孔ブロック層ＨＢＬを形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ２は、蒸着源Ｓ２を備えている。蒸着源Ｓ２は、正孔輸送層ＨＴＬを形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ３は、蒸着源Ｓ３を備えている。蒸着源Ｓ３は、電子ブロック層ＥＢＬを形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ４は、蒸着源Ｓ４を備えている。蒸着源Ｓ４は、発光層ＥＭＬを形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ５は、蒸着源Ｓ５を備えている。蒸着源Ｓ５は、正孔ブロック層ＨＢＬを形成するための材料を放射するように構成されている。
【0116】
蒸着チャンバーＥＶ６は、蒸着源Ｓ６を備えている。蒸着源Ｓ６は、電子輸送層ＥＴＬを形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ７は、蒸着源Ｓ７を備えている。蒸着源Ｓ７は、電子注入層ＥＩＬを形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ８は、蒸着源Ｓ８を備えている。蒸着源Ｓ８は、上電極ＵＥを形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ９は、蒸着源Ｓ９を備えている。蒸着源Ｓ９は、第１透明層ＴＬ１を形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ１０は、蒸着源Ｓ１０を備えている。蒸着源Ｓ１０は、第２透明層ＴＬ２を形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ７は、蒸着源Ｓ７を備えている。蒸着源Ｓ７は、電子注入層ＥＩＬを形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ８は、蒸着源Ｓ８を備えている。蒸着源Ｓ８は、上電極ＵＥを形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ９は、蒸着源Ｓ９を備えている。蒸着源Ｓ９は、第１透明層ＴＬ１を形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ１０は、蒸着源Ｓ１０を備えている。蒸着源Ｓ１０は、第２透明層ＴＬ２を形成するための材料を放射するように構成されている。
【0117】
蒸着装置ＩＤ１に搬入される前の処理基板ＳＵＢは、水平姿勢で搬送され、姿勢変換チャンバーＶＣＳ１において、キャリアＣＲに固定される。また、姿勢変換チャンバーＶＣＳ１において、処理基板ＳＵＢの姿勢は、垂直姿勢に変換される。垂直姿勢の処理基板ＳＵＢは、蒸着装置ＩＤ１に搬入される。蒸着装置ＩＤ１においては、処理基板ＳＵＢが垂直姿勢で搬送されながら、各蒸着チャンバーにおいて各材料が順次蒸着される。
【0118】
図１３に示す構成例においては、例えば、蒸着チャンバーＥＶ１は第１蒸着チャンバーに相当し、蒸着チャンバーＥＶ２は第２蒸着チャンバーに相当し、蒸着チャンバーＥＶ３は第３蒸着チャンバーに相当し、蒸着チャンバーＥＶ４は第４蒸着チャンバーに相当し、蒸着チャンバーＥＶ５は第５蒸着チャンバーに相当し、蒸着チャンバーＥＶ６は第６蒸着チャンバーに相当し、蒸着チャンバーＥＶ７は第７蒸着チャンバーに相当し、蒸着チャンバーＥＶ８は第８蒸着チャンバーに相当し、蒸着チャンバーＥＶ９は第９蒸着チャンバーに相当し、蒸着チャンバーＥＶ１０は第１０蒸着チャンバーに相当する。
【0119】
図１４は、蒸着装置ＩＤ１の他の構成例を示す図である。
【0120】
蒸着装置ＩＤ１は、複数の蒸着チャンバーＥＶ１、ＥＶ２、ＥＶ３、ＥＶ４、ＥＶ５、ＥＶ６、ＥＶ７、ＥＶ８、ＥＶ９、ＥＶ１０、ＥＶ１１、ＥＶ１２を備えている。これらの蒸着チャンバーＥＶ１～ＥＶ１２は、一方向に沿って並んでいる。
【0121】
蒸着チャンバーＥＶ１は、蒸着源Ｓ１を備えている。蒸着源Ｓ１は、正孔注入層ＨＩＬを形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ２は、蒸着源Ｓ２を備えている。蒸着源Ｓ２は、正孔輸送層ＨＴＬを形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ３は、蒸着源Ｓ３を備えている。蒸着源Ｓ３は、電子ブロック層ＥＢＬを形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ２は、蒸着源Ｓ２を備えている。蒸着源Ｓ２は、正孔輸送層ＨＴＬを形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ３は、蒸着源Ｓ３を備えている。蒸着源Ｓ３は、電子ブロック層ＥＢＬを形成するための材料を放射するように構成されている。
【0122】
蒸着チャンバーＥＶ４は、蒸着源Ｓ４を備えている。蒸着源Ｓ４は、発光層ＥＭ１を形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ５は、蒸着源Ｓ５を備えている。蒸着源Ｓ５は、発光層ＥＭ２を形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ６は、蒸着源Ｓ６を備えている。蒸着源Ｓ６は、発光層ＥＭ３を形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着源Ｓ４、Ｓ５、Ｓ６の各々から放射される材料は、互いに異なる色を放つ発光材料である。
蒸着チャンバーＥＶ５は、蒸着源Ｓ５を備えている。蒸着源Ｓ５は、発光層ＥＭ２を形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ６は、蒸着源Ｓ６を備えている。蒸着源Ｓ６は、発光層ＥＭ３を形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着源Ｓ４、Ｓ５、Ｓ６の各々から放射される材料は、互いに異なる色を放つ発光材料である。
【0123】
蒸着チャンバーＥＶ７は、蒸着源Ｓ７を備えている。蒸着源Ｓ７は、正孔ブロック層ＨＢＬを形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ８は、蒸着源Ｓ８を備えている。蒸着源Ｓ８は、電子輸送層ＥＴＬを形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ９は、蒸着源Ｓ９を備えている。蒸着源Ｓ９は、電子注入層ＥＩＬを形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ８は、蒸着源Ｓ８を備えている。蒸着源Ｓ８は、電子輸送層ＥＴＬを形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ９は、蒸着源Ｓ９を備えている。蒸着源Ｓ９は、電子注入層ＥＩＬを形成するための材料を放射するように構成されている。
【0124】
蒸着チャンバーＥＶ１０は、蒸着源Ｓ１０を備えている。蒸着源Ｓ１０は、上電極ＵＥを形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ１１は、蒸着源Ｓ１１を備えている。蒸着源Ｓ１１は、第１透明層ＴＬ１を形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ１２は、蒸着源Ｓ１２を備えている。蒸着源Ｓ１２は、第２透明層ＴＬ２を形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ１１は、蒸着源Ｓ１１を備えている。蒸着源Ｓ１１は、第１透明層ＴＬ１を形成するための材料を放射するように構成されている。
蒸着チャンバーＥＶ１２は、蒸着源Ｓ１２を備えている。蒸着源Ｓ１２は、第２透明層ＴＬ２を形成するための材料を放射するように構成されている。
【0125】
蒸着装置ＩＤ１に搬入される前の処理基板ＳＵＢは、水平姿勢で搬送され、姿勢変換チャンバーＶＣＳ１において、キャリアＣＲに固定される。また、姿勢変換チャンバーＶＣＳ１において、処理基板ＳＵＢの姿勢は、垂直姿勢に変換される。垂直姿勢の処理基板ＳＵＢは、蒸着装置ＩＤ１に搬入される。
【0126】
このような蒸着装置ＩＤ１において、表示素子２０１を形成する場合には、処理基板ＳＵＢが垂直姿勢で搬送されながら、蒸着チャンバーＥＶ１～ＥＶ４において各材料が順次蒸着される。その後、蒸着チャンバーＥＶ５、ＥＶ６においては、処理基板ＳＵＢは、材料が蒸着されることなく搬送される。その後、蒸着チャンバーＥＶ７～ＥＶ１２において各材料が順次蒸着される。
【0127】
表示素子２０２を形成する場合には、処理基板ＳＵＢが垂直姿勢で搬送されながら、蒸着チャンバーＥＶ１～ＥＶ３において各材料が順次蒸着される。その後、蒸着チャンバーＥＶ４においては、処理基板ＳＵＢは、材料が蒸着されることなく搬送される。その後、蒸着チャンバーＥＶ５においては、材料が蒸着される。その後、蒸着チャンバーＥＶ６においては、処理基板ＳＵＢは、材料が蒸着されることなく搬送される。その後、蒸着チャンバーＥＶ７～ＥＶ１２において各材料が順次蒸着される。
【0128】
表示素子２０３を形成する場合には、処理基板ＳＵＢが垂直姿勢で搬送されながら、蒸着チャンバーＥＶ１～ＥＶ３において各材料が順次蒸着される。その後、蒸着チャンバーＥＶ４、ＥＶ５においては、処理基板ＳＵＢは、材料が蒸着されることなく搬送される。その後、蒸着チャンバーＥＶ６～ＥＶ１２において各材料が順次蒸着される。
【0129】
図１４に示す構成例においては、例えば、蒸着チャンバーＥＶ１は第１蒸着チャンバーに相当し、蒸着チャンバーＥＶ２は第２蒸着チャンバーに相当し、蒸着チャンバーＥＶ３は第３蒸着チャンバーに相当し、蒸着チャンバーＥＶ４は第４蒸着チャンバーに相当し、蒸着チャンバーＥＶ５は第５蒸着チャンバーに相当し、蒸着チャンバーＥＶ６は第６蒸着チャンバーに相当し、蒸着チャンバーＥＶ７は第７蒸着チャンバーに相当し、蒸着チャンバーＥＶ８は第８蒸着チャンバーに相当し、蒸着チャンバーＥＶ９は第９蒸着チャンバーに相当し、蒸着チャンバーＥＶ１０は第１０蒸着チャンバーに相当し、蒸着チャンバーＥＶ１１は第１１蒸着チャンバーに相当し、蒸着チャンバーＥＶ１２は第１２蒸着チャンバーに相当する。また、発光層ＥＭ１は第１発光層に相当し、発光層ＥＭ２は第２発光層に相当し、発光層ＥＭ３は第３発光層に相当する。
【0130】
図１４に示した構成例によれば、蒸着装置ＩＤ１は、表示素子２０１～２０３のすべてを形成するために適用することができる。つまり、表示素子２０１～２０３をそれぞれ形成するための個別のメイン製造ライン１０１を必要とせず、製造装置１００の規模を縮小することができる。
【0131】
【0132】
図１５は、ＣＶＤ装置及びドライエッチング装置の概要を示す図である。
【0133】
ＣＶＤ装置ＣＶＤ１～ＣＶＤ４は、それぞれ処理基板ＳＵＢと対向する対向電極ＣＥＣを備えている。対向電極ＣＥＣは、処理基板ＳＵＢとの間で、原料ガスをプラズマ化するのに必要な電圧が印加される電極である。
【0134】
ＣＶＤ装置ＣＶＤ１、ＣＶＤ３に着目すると、ＣＶＤ装置ＣＶＤ１、ＣＶＤ３の各々は、ローテーションチャンバーＲＯＴ３に接続されたゲートと、ローテーションチャンバーＲＯＴ１３に接続されたゲートと、を有している。このため、ＣＶＤ装置ＣＶＤ１、ＣＶＤ３の各々は、ローテーションチャンバーＲＯＴ３との間で処理基板ＳＵＢの搬入・搬出が可能であり、また、ローテーションチャンバーＲＯＴ１３との間で処理基板ＳＵＢの搬入・搬出が可能である。
また、ＣＶＤ装置ＣＶＤ１、ＣＶＤ３の各々において、対向電極ＣＥＣは、処理基板ＳＵＢの搬送経路の外側に設けられている。
また、ＣＶＤ装置ＣＶＤ１、ＣＶＤ３の各々において、対向電極ＣＥＣは、処理基板ＳＵＢの搬送経路の外側に設けられている。
【0135】
ＣＶＤ装置ＣＶＤ２、ＣＶＤ４の各々は、ローテーションチャンバーＲＯＴ３との間で処理基板ＳＵＢの搬入・搬出が可能であり、また、ローテーションチャンバーＲＯＴ２３との間で処理基板ＳＵＢの搬入・搬出が可能である。
【0136】
ドライエッチング装置ＤＲＹ１～ＤＲＹ４は、それぞれ処理基板ＳＵＢと対向する対向電極ＣＥＤを備えている。対向電極ＣＥＤは、処理基板ＳＵＢとの間で、エッチングガスをプラズマ化するのに必要な電圧が印加される電極である。
【0137】
ドライエッチング装置ＤＲＹ１、ＤＲＹ３に着目すると、ドライエッチング装置ＤＲＹ１、ＤＲＹ３の各々は、ローテーションチャンバーＲＯＴ４に接続されたゲートと、ローテーションチャンバーＲＯＴ１４に接続されたゲートと、を有している。このため、ドライエッチング装置ＤＲＹ１、ＤＲＹ３の各々は、ローテーションチャンバーＲＯＴ４との間で処理基板ＳＵＢの搬入・搬出が可能であり、また、ローテーションチャンバーＲＯＴ１４との間で処理基板ＳＵＢの搬入・搬出が可能である。
また、ドライエッチング装置ＤＲＹ１、ＤＲＹ３の各々において、対向電極ＣＥＤは、処理基板ＳＵＢの搬送経路の外側に設けられている。
また、ドライエッチング装置ＤＲＹ１、ＤＲＹ３の各々において、対向電極ＣＥＤは、処理基板ＳＵＢの搬送経路の外側に設けられている。
【0138】
ドライエッチング装置ＤＲＹ２、ＤＲＹ４の各々は、ローテーションチャンバーＲＯＴ４との間で処理基板ＳＵＢの搬入・搬出が可能であり、また、ローテーションチャンバーＲＯＴ２４との間で処理基板ＳＵＢの搬入・搬出が可能である。
【0139】
メイン製造ライン１０１において、搬送チャンバーＴＲＦ１、ＴＲＦ２、ＴＲＦ３の各々は、蒸着装置ＩＤ１から搬送された処理基板ＳＵＢを一方向に搬送するための搬送経路と、蒸着装置ＩＤ２から搬送された処理基板ＳＵＢを一方向に搬送するための搬送経路と、を有している。搬送チャンバーＴＲＦ１などにおいては、キャリアＣＲが搬送経路の内側に位置し、処理基板ＳＵＢが搬送経路の外側に位置している。ローテーションチャンバーＲＯＴ３は、回転軸ＡＸを中心として回転可能な回転機構ＲＴを備えている。回転機構ＲＴは、図中の矢印で示すように、右回り及び左回りの双方向に回転可能である。ローテーションチャンバーＲＯＴ４も、ローテーションチャンバーＲＯＴ３と同様に構成されている。ローテーションチャンバーＲＯＴ３などにおいては、キャリアＣＲが回転軸ＡＸに面している。
【0140】
サブライン１０２において、搬送チャンバーＴＲＦ１１、ＴＲＦ１２、ＴＲＦ１３の各々は、処理基板ＳＵＢを双方向に搬送するための２つの搬送経路を有している。ローテーションチャンバーＲＯＴ１３、ＲＯＴ１４は、ローテーションチャンバーＲＯＴ３と同様に構成されている。
【0141】
サブライン１０３において、搬送チャンバーＴＲＦ２１、ＴＲＦ２２、ＴＲＦ２３の各々は、処理基板ＳＵＢを双方向に搬送するための２つの搬送経路を有している。ローテーションチャンバーＲＯＴ２３、ＲＯＴ２４は、ローテーションチャンバーＲＯＴ３と同様に構成されている。
【0142】
ここで、再び図１２に戻り、製造装置１００において、表示装置ＤＳＰを製造する際の処理基板の流れについて説明する。
【0143】
まず、通常モードの処理基板の流れについて説明する。
【0144】
基板カセットステーションＣＡＳから取り出された処理基板は、ロードロックチャンバーＬＬ１に搬入される。その後、処理基板は、ベークチャンバーＢＫ１～ＢＫ３のいずれかに搬入され、ベーク処理される。その後、処理基板は、プラズマチャンバーＰＬ１～ＰＬ３のいずれかに搬入され、プラズマ処理される。
【0145】
その後、処理基板は、水平姿勢で姿勢変換チャンバーＶＣＳ１に搬入され、キャリアに固定される。さらに、処理基板の姿勢は、垂直姿勢に変換される。その後、処理基板は、ローテーションチャンバーＲＯＴ１を経由して、蒸着装置ＩＤ１または蒸着装置ＩＤ２に搬入される。蒸着装置ＩＤ１または蒸着装置ＩＤ２においては、処理基板の上に、有機層ＯＲ、上電極ＵＥ、キャップ層ＣＰが順に形成される。
【0146】
その後、処理基板は、ローテーションチャンバーＲＯＴ２、搬送チャンバーＴＲＦ１を経由して、ローテーションチャンバーＲＯＴ３に搬入される。ローテーションチャンバーＲＯＴ３においては、処理基板を保持した回転機構が９０°回転する。その後、処理基板は、ＣＶＤ装置ＣＶＤ１～ＣＶＤ４のいずれかに搬入される。ＣＶＤ装置ＣＶＤ１～ＣＶＤ４において、処理基板の上に、第１無機絶縁層ＩＬ１が形成される。
【0147】
その後、処理基板は、再びローテーションチャンバーＲＯＴ３に搬入される。ローテーションチャンバーＲＯＴ３においては、処理基板を保持した回転機構が９０°回転する。その後、処理基板は、搬送チャンバーＴＲＦ２を経由して、ローテーションチャンバーＲＯＴ４に搬入される。ローテーションチャンバーＲＯＴ４においては、処理基板を保持した回転機構が９０°回転する。その後、処理基板は、ドライエッチング装置ＤＲＹ１～ＤＲＹ４のいずれかに搬入される。ドライエッチング装置ＤＲＹ１～４において、第１無機絶縁層ＩＬ１の厚さが低減される。
【0148】
その後、処理基板は、再びローテーションチャンバーＲＯＴ４に搬入される。ローテーションチャンバーＲＯＴ４においては、処理基板を保持した回転機構が９０°回転する。その後、処理基板は、搬送チャンバーＴＲＦ３を経由して、ローテーションチャンバーＲＯＴ５に搬入される。ローテーションチャンバーＲＯＴ５においては、処理基板を保持した回転機構が９０°回転する。その後、処理基板は、ＣＶＤ装置ＣＶＤ５～ＣＶＤ８のいずれかに搬入される。ＣＶＤ装置ＣＶＤ５～ＣＶＤ８において、処理基板の上に、第２無機絶縁層ＩＬ２が形成される。
【0149】
その後、処理基板は、再びローテーションチャンバーＲＯＴ５に搬入される。ローテーションチャンバーＲＯＴ５においては、処理基板を保持した回転機構が９０°回転する。その後、処理基板は、搬送チャンバーＴＲＦ４、及び、ローテーションチャンバーＲＯＴ６を経由して、垂直姿勢で姿勢変換チャンバーＶＣＳ２に搬入され、キャリアから解放される。さらに、処理基板の姿勢は、水平姿勢に変換される。その後、処理基板は、ロードロックチャンバーＬＬ２に搬入された後、基板カセットステーションＣＡＳに搬入される。
【0150】
次に、製造装置１００を構成する一部の装置に不具合が発生した場合に、処理基板を迂回する迂回モードについて、いくつかのケースを説明する。
【0151】
（ケース１）ドライエッチング装置ＤＲＹ１～ＤＲＹ４が使用不可
【0152】
例えば、蒸着装置ＩＤ１から搬出された処理基板は、ローテーションチャンバーＲＯＴ２、搬送チャンバーＴＲＦ２７、ローテーションチャンバーＲＯＴ２２、及び、姿勢変換チャンバーＶＣＳ２１を経由して、基板カセットステーションＣＡＳに回収される。
蒸着装置ＩＤ２から搬出された処理基板は、ローテーションチャンバーＲＯＴ２、搬送チャンバーＴＲＦ１７、ローテーションチャンバーＲＯＴ１２、及び、姿勢変換チャンバーＶＣＳ１１を経由して、基板カセットステーションＣＡＳに回収される。
蒸着装置ＩＤ２から搬出された処理基板は、ローテーションチャンバーＲＯＴ２、搬送チャンバーＴＲＦ１７、ローテーションチャンバーＲＯＴ１２、及び、姿勢変換チャンバーＶＣＳ１１を経由して、基板カセットステーションＣＡＳに回収される。
【0153】
ＣＶＤ装置ＣＶＤ１、ＣＶＤ３で処理された処理基板は、ローテーションチャンバーＲＯＴ１３、搬送チャンバーＴＲＦ１２、ローテーションチャンバーＲＯＴ１２、及び、姿勢変換チャンバーＶＣＳ１１を経由して、基板カセットステーションＣＡＳに回収される。
ＣＶＤ装置ＣＶＤ２、ＣＶＤ４で処理された処理基板は、ローテーションチャンバーＲＯＴ２３、搬送チャンバーＴＲＦ２２、ローテーションチャンバーＲＯＴ２２、及び、姿勢変換チャンバーＶＣＳ２１を経由して、基板カセットステーションＣＡＳに回収される。
ＣＶＤ装置ＣＶＤ２、ＣＶＤ４で処理された処理基板は、ローテーションチャンバーＲＯＴ２３、搬送チャンバーＴＲＦ２２、ローテーションチャンバーＲＯＴ２２、及び、姿勢変換チャンバーＶＣＳ２１を経由して、基板カセットステーションＣＡＳに回収される。
【0154】
このように、製造途中の処理基板を速やかに回収することができ、復旧までの時間を短縮することができる。
【0155】
（ケース２－１）ＣＶＤ装置ＣＶＤ５～ＣＶＤ８が使用不可
【0156】
ドライエッチング装置ＤＲＹ１、ＤＲＹ３で処理された処理基板は、ローテーションチャンバーＲＯＴ１４、搬送チャンバーＴＲＦ１４、ローテーションチャンバーＲＯＴ１５、搬送チャンバーＴＲＦ１５、ローテーションチャンバーＲＯＴ１６、及び、姿勢変換チャンバーＶＣＳ１２を経由して、基板カセットステーションＣＡＳに回収される。
ドライエッチング装置ＤＲＹ２、ＤＲＹ４で処理された処理基板は、ローテーションチャンバーＲＯＴ２４、搬送チャンバーＴＲＦ２４、ローテーションチャンバーＲＯＴ２５、搬送チャンバーＴＲＦ２５、ローテーションチャンバーＲＯＴ２６、及び、姿勢変換チャンバーＶＣＳ２２を経由して、基板カセットステーションＣＡＳに回収される。
このように、製造途中の処理基板を速やかに回収することができ、復旧までの時間を短縮することができる。
ドライエッチング装置ＤＲＹ２、ＤＲＹ４で処理された処理基板は、ローテーションチャンバーＲＯＴ２４、搬送チャンバーＴＲＦ２４、ローテーションチャンバーＲＯＴ２５、搬送チャンバーＴＲＦ２５、ローテーションチャンバーＲＯＴ２６、及び、姿勢変換チャンバーＶＣＳ２２を経由して、基板カセットステーションＣＡＳに回収される。
このように、製造途中の処理基板を速やかに回収することができ、復旧までの時間を短縮することができる。
【0157】
（ケース２－２）ＣＶＤ装置ＣＶＤ５～ＣＶＤ８が使用不可
【0158】
ドライエッチング装置ＤＲＹ１、ＤＲＹ３で処理された処理基板は、ローテーションチャンバーＲＯＴ１４、搬送チャンバーＴＲＦ１３、及び、ローテーションチャンバーＲＯＴ１３を経由して、ＣＶＤ装置ＣＶＤ１、ＣＶＤ３のいずれかに搬入される。そして、ＣＶＤ装置ＣＶＤ１、ＣＶＤ３のいずれかにおいて、処理基板の上に、第２無機絶縁層ＩＬ２が形成される。つまり、ＣＶＤ装置ＣＶＤ１～ＣＶＤ４は、ＣＶＤ装置ＣＶＤ５～ＣＶＤ８の代わりに代用される。
このため、一部の製造装置に不具合が発生しても、表示装置の製造を継続することができる。
このため、一部の製造装置に不具合が発生しても、表示装置の製造を継続することができる。
【0159】
（ケース３）ローテーションチャンバーＲＯＴ４が使用不可
【0160】
ＣＶＤ装置ＣＶＤ１、ＣＶＤ３で処理された処理基板は、ローテーションチャンバーＲＯＴ１３、搬送チャンバーＴＲＦ１３、及び、ローテーションチャンバーＲＯＴ１４を経由して、ドライエッチング装置ＤＲＹ１、ＤＲＹ３のいずれかに搬入される。ドライエッチング装置ＤＲＹ１、ＤＲＹ３で処理された処理基板は、ローテーションチャンバーＲＯＴ１４、搬送チャンバーＴＲＦ１４、及び、ローテーションチャンバーＲＯＴ１５を経由して、ＣＶＤ装置ＣＶＤ５、ＣＶＤ７のいずれかに搬入される。
つまり、メイン製造ライン１０１のいずれかの搬送系が使用不可の場合であっても、サブライン１０２、１０３を経由して処理基板を搬送することで、表示装置の製造を継続することができる。
つまり、メイン製造ライン１０１のいずれかの搬送系が使用不可の場合であっても、サブライン１０２、１０３を経由して処理基板を搬送することで、表示装置の製造を継続することができる。
【0161】
（ケース４）蒸着層の確認
【0162】
通常モードを開始する前に、蒸着装置ＩＤ１で形成される蒸着層（有機層ＯＲ、上電極ＵＥ、及び、キャップ層ＣＰ）の状態を確認するモードでは、蒸着装置ＩＤ１から搬出された処理基板は、ローテーションチャンバーＲＯＴ２、搬送チャンバーＴＲＦ２７、ローテーションチャンバーＲＯＴ２２、及び、姿勢変換チャンバーＶＣＳ２１を経由して、基板カセットステーションＣＡＳに回収される。
これにより、他の層の影響を受けることなく蒸着層の状態を確認することができる。
これにより、他の層の影響を受けることなく蒸着層の状態を確認することができる。
【0163】
（ケース５）封止層の厚さの確認
【0164】
通常モードを開始する前に、ＣＶＤ装置ＣＶＤ１、ＣＶＤ３で形成される第１無機絶縁層ＩＬ１の厚さを確認するモードでは、ローテーションチャンバーＲＯＴ１から搬出された処理基板は、搬送チャンバーＴＲＦ１６、ローテーションチャンバーＲＯＴ１１、搬送チャンバーＴＲＦ１１、ローテーションチャンバーＲＯＴ１２、搬送チャンバーＴＲＦ１２、及び、ローテーションチャンバーＲＯＴ１３を経由して、ＣＶＤ装置ＣＶＤ１、ＣＶＤ３のいずれかに搬入される。ＣＶＤ装置ＣＶＤ１、ＣＶＤ３において、第１無機絶縁層ＩＬ１が形成された処理基板は、ローテーションチャンバーＲＯＴ１３、搬送チャンバーＴＲＦ１２、ローテーションチャンバーＲＯＴ１２、及び、姿勢変換チャンバーＶＣＳ１１を経由して、基板カセットステーションＣＡＳに回収される。
これにより、他の層の影響を受けることなく第１無機絶縁層ＩＬ１の厚さを確認することができる。
これにより、他の層の影響を受けることなく第１無機絶縁層ＩＬ１の厚さを確認することができる。
【0165】
次に、製造装置１００の他の構成例について説明する。
【0166】
図１６は、製造装置１００の他の構成例を示す図である。なお、図１６においては、製造装置１００のうち、前処理部ＰＲＥからＣＶＤ装置ＣＶＤ１～ＣＶＤ４までの区間を示し、ドライエッチング装置ＤＲＹ１～ＤＲＹ４から下流側の装置の図示を省略している。
【0167】
【0168】
メイン製造ライン１０１は、蒸着装置ＩＤ１の中間部、及び、蒸着装置ＩＤ２の中間部に位置するローテーションチャンバーＲＯＴ１－１を備えている。
【0169】
蒸着装置ＩＤ１は、複数の蒸着チャンバーが並んだチャンバー群ＩＤ１－１と、複数の蒸着チャンバーが並んだチャンバー群ＩＤ１－２と、を有している。例えば、チャンバー群ＩＤ１－１は、図１３に示した蒸着チャンバーＥＶ１～ＥＶ５によって構成されている。また、チャンバー群ＩＤ１－２は、図１３に示した蒸着チャンバーＥＶ６～ＥＶ１０によって構成されている。
蒸着装置ＩＤ２は、複数の蒸着チャンバーが並んだチャンバー群ＩＤ２－１と、複数の蒸着チャンバーが並んだチャンバー群ＩＤ２－２と、を有している。
蒸着装置ＩＤ２は、複数の蒸着チャンバーが並んだチャンバー群ＩＤ２－１と、複数の蒸着チャンバーが並んだチャンバー群ＩＤ２－２と、を有している。
【0170】
ローテーションチャンバーＲＯＴ１－１は、チャンバー群ＩＤ１－１とチャンバー群ＩＤ１－２との間に接続され、また、チャンバー群ＩＤ２－１とチャンバー群ＩＤ２－２との間に接続されている。また、ローテーションチャンバーＲＯＴ１－１は、サブライン１０２、１０３とも接続されている。
【0171】
サブライン１０２は、ローテーションチャンバーＲＯＴ１１とローテーションチャンバーＲＯＴ１２との間に、搬送チャンバーＴＲＦ１１－１、ＴＲＦ１１－２と、ローテーションチャンバーＲＯＴ１１－１と、搬送チャンバーＴＲＦ１６－１と、を備えている。
【0172】
搬送チャンバーＴＲＦ１１－１は、ローテーションチャンバーＲＯＴ１１とローテーションチャンバーＲＯＴ１１－１とを接続している。
搬送チャンバーＴＲＦ１１－２は、ローテーションチャンバーＲＯＴ１１－１とローテーションチャンバーＲＯＴ１２とを接続している。
搬送チャンバーＴＲＦ１６－１は、ローテーションチャンバーＲＯＴ１－１とローテーションチャンバーＲＯＴ１１－１とを接続している。
搬送チャンバーＴＲＦ１１－２は、ローテーションチャンバーＲＯＴ１１－１とローテーションチャンバーＲＯＴ１２とを接続している。
搬送チャンバーＴＲＦ１６－１は、ローテーションチャンバーＲＯＴ１－１とローテーションチャンバーＲＯＴ１１－１とを接続している。
【0173】
サブライン１０３は、ローテーションチャンバーＲＯＴ２１とローテーションチャンバーＲＯＴ２２との間に、搬送チャンバーＴＲＦ２１－１、ＴＲＦ２１－２と、ローテーションチャンバーＲＯＴ２１－１と、搬送チャンバーＴＲＦ２６－１と、を備えている。
【0174】
搬送チャンバーＴＲＦ２１－１は、ローテーションチャンバーＲＯＴ２１とローテーションチャンバーＲＯＴ２１－１とを接続している。
搬送チャンバーＴＲＦ２１－２は、ローテーションチャンバーＲＯＴ２１－１とローテーションチャンバーＲＯＴ２２とを接続している。
搬送チャンバーＴＲＦ２６－１は、ローテーションチャンバーＲＯＴ１－１とローテーションチャンバーＲＯＴ２１－１とを接続している。
搬送チャンバーＴＲＦ２１－２は、ローテーションチャンバーＲＯＴ２１－１とローテーションチャンバーＲＯＴ２２とを接続している。
搬送チャンバーＴＲＦ２６－１は、ローテーションチャンバーＲＯＴ１－１とローテーションチャンバーＲＯＴ２１－１とを接続している。
【0175】
図１６に示す構成例においては、例えば、ローテーションチャンバーＲＯＴ１－１は、第１３ローテーションチャンバーに相当する。
【0176】
このような構成例においても、上記の構成例と同様の効果が得られる。
【0177】
加えて、蒸着装置ＩＤ１、ＩＤ２の一部の蒸着チャンバーが使用不可となった場合に、速やかに製造途中の処理基板を回収することができる。
【0178】
あるいは、チャンバー群ＩＤ１－１の一部の蒸着チャンバーが使用不可となった場合、チャンバー群ＩＤ２－１は、チャンバー群ＩＤ１－１の代わりに代用することができる。同様に、チャンバー群ＩＤ２－２の一部の蒸着チャンバーが使用不可となった場合、チャンバー群ＩＤ１－２は、チャンバー群ＩＤ２－２の代わりに代用することができる。このため、一部の蒸着チャンバーに不具合が発生しても、表示装置の製造を継続することができる。
【0179】
以上説明したように、本実施形態によれば、製造歩留まりの低下を抑制することが可能な表示装置の製造装置及び表示装置の製造方法を提供することができる。
【0180】
以上、本発明の実施形態として説明した製造装置及び製造方法を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての製造装置及び製造方法も、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に属する。
【0181】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【0182】
また、上述の実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【0183】
ＤＳＰ…表示装置 １０…基板
５…無機絶縁層 ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３…開口
６…隔壁 ６１…下部 ６２…上部
ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３…副画素
２０、２０１、２０２、２０３…表示素子（有機ＥＬ素子）
ＬＥ、ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３…下電極
ＵＥ、ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３…上電極
ＯＲ、ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３…有機層
ＣＰ、ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３…キャップ層
ＴＬ１…第１透明層 ＴＬ２…第２透明層
１００…製造装置
１０１…メイン製造ライン１０２、１０３…サブライン
ＲＯＴ…ローテーションチャンバー ＴＲＦ…搬送チャンバー
ＩＤ１、ＩＤ２…蒸着装置 ＣＶＤ…ＣＶＤ装置
ＤＲＹ…ドライエッチング装置 ＶＣＳ…姿勢変換チャンバー
５…無機絶縁層 ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３…開口
６…隔壁 ６１…下部 ６２…上部
ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３…副画素
２０、２０１、２０２、２０３…表示素子（有機ＥＬ素子）
ＬＥ、ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３…下電極
ＵＥ、ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３…上電極
ＯＲ、ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３…有機層
ＣＰ、ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３…キャップ層
ＴＬ１…第１透明層 ＴＬ２…第２透明層
１００…製造装置
１０１…メイン製造ライン１０２、１０３…サブライン
ＲＯＴ…ローテーションチャンバー ＴＲＦ…搬送チャンバー
ＩＤ１、ＩＤ２…蒸着装置 ＣＶＤ…ＣＶＤ装置
ＤＲＹ…ドライエッチング装置 ＶＣＳ…姿勢変換チャンバー
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】