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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024001800
(43)【公開日】2024-01-10
(54)【発明の名称】発光装置
(51)【国際特許分類】
H01L 33/62 20100101AFI20231227BHJP
【ＦＩ】
H01L33/62
【審査請求】未請求
【請求項の数】8
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022100686
(22)【出願日】2022-06-22
(71)【出願人】
【識別番号】000002303
【氏名又は名称】スタンレー電気株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110000800
【氏名又は名称】デロイトトーマツ弁理士法人
(72)【発明者】
【氏名】下田 陽一
(72)【発明者】
【氏名】神原 大蔵
(72)【発明者】
【氏名】重枝 裕司
(72)【発明者】
【氏名】市川 幸治
(72)【発明者】
【氏名】石河 裕之
【テーマコード（参考）】
5F142
【Ｆターム（参考）】
5F142AA58
5F142AA86
5F142BA02
5F142BA24
5F142CA03
5F142CA14
5F142CC14
5F142CC16
5F142CC26
5F142CG03
5F142DA14
5F142DB24
5F142FA01
(57)【要約】 （修正有）
【課題】樹脂とリードフレームとの剥離が防止され、ダイシェア強度が高く、また断線不良等が生じ難い発光装置を提供する。
【解決手段】板状の複数のリード電極１２Ａ、１２Ｂと、複数のリード電極の間隙を埋設しつつ前記複数のリード電極の外周全体を囲むように設けられ、複数のリード電極を露出する開口部を有する樹脂枠体と、開口部から露出する複数のリード電極上に実装された半導体発光素子と、を有している。枠体の角部及び／又は外側面は、内部においてリード電極の端部が枠体の外側面２２Ａ、２２Ｂから後退した位置で露出している凹部２３を有する。
【選択図】図１Ｂ
【解決手段】板状の複数のリード電極１２Ａ、１２Ｂと、複数のリード電極の間隙を埋設しつつ前記複数のリード電極の外周全体を囲むように設けられ、複数のリード電極を露出する開口部を有する樹脂枠体と、開口部から露出する複数のリード電極上に実装された半導体発光素子と、を有している。枠体の角部及び／又は外側面は、内部においてリード電極の端部が枠体の外側面２２Ａ、２２Ｂから後退した位置で露出している凹部２３を有する。
【選択図】図１Ｂ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
板状の複数のリード電極と、
前記複数のリード電極の間隙を埋設しつつ前記複数のリード電極の外周全体を囲むように設けられ、前記複数のリード電極を露出する開口部を有する樹脂枠体と、
前記開口部から露出する前記複数のリード電極上に実装された半導体発光素子と、を有し、
前記枠体の角部及び／又は外側面は、内部において前記リード電極の端部が前記枠体の外側面から後退した位置で露出している凹部を有する、半導体発光装置。
前記複数のリード電極の間隙を埋設しつつ前記複数のリード電極の外周全体を囲むように設けられ、前記複数のリード電極を露出する開口部を有する樹脂枠体と、
前記開口部から露出する前記複数のリード電極上に実装された半導体発光素子と、を有し、
前記枠体の角部及び／又は外側面は、内部において前記リード電極の端部が前記枠体の外側面から後退した位置で露出している凹部を有する、半導体発光装置。
【請求項2】
前記凹部内で露出している前記リード電極の前記端部は矩形形状を有する請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項3】
前記凹部内で露出している前記リード電極の前記端部はアーク形状を有する請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項4】
前記凹部は前記リード電極の厚さに相当する高さを有する請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項5】
前記樹脂枠体の裏面は、前記樹脂枠体の前記裏面よりも低い外周部を有する請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項6】
前記リード電極の芯材が腐食性金属であり、前記リード電極の表面層が耐食性金属である請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項7】
前記リード電極の芯材が銅（Ｃｕ）、アルミ（Ａｌ）、鉄（Ｆｅ）の何れか１つ以上を含む金属であり、前記リード電極の表面層が金（Ａｕ）、プラチナ（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、ロジウム（Ｒｈ）の何れか１つ以上を含む金属である請求項６に記載の半導体発光装置。
【請求項8】
前記樹脂枠体は、前記凹部内で露出している前記リード電極の前記端部を前記樹脂枠体の外側面から隔てる区画壁を有する請求項１乃至６のいずれか一項に記載の半導体発光装置
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、発光装置、特にリードフレームに発光ダイオード（ＬＥＤ）などの半導体発光素子が実装された発光装置に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、インサート成形によって樹脂体をリードフレームに設け、ダイサーで切断して形成される発光装置が知られている。
【0003】
例えば、特許文献１には、切り欠き部を設けたリードフレームに樹脂成形体を形成し、切り欠き部に沿って樹脂成形体とリードフレームとを切断して発光装置を形成する方法が開示されている。
【0004】
また、特許文献２には、発光素子と第１及び第２のリードとを一体成形してなる第１の樹脂成形体と、発光素子を被覆する蛍光体を含有する第２の樹脂成形体と有する表面実装型発光装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開２０１０－６２２７２号公報
【特許文献2】特開２００６－１５６７０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
しかしながら、一体成形された樹脂及びリードフレームの切断によって、樹脂とリードフレームとの剥離、ダイシェア強度の低下、断線不良等の問題があった。
【0007】
本発明は上記した点に鑑みてなされたものであり、樹脂とリードフレームとの剥離が防止され、ダイシェア強度が高く、また断線不良等が生じ難い発光装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明の１実施形態による発光装置は、
板状の複数のリード電極と、
前記複数のリード電極の間隙を埋設しつつ前記複数のリード電極の外周全体を囲むように設けられ、前記複数のリード電極を露出する開口部を有する樹脂枠体と、
前記開口部から露出する前記複数のリード電極上に実装された半導体発光素子と、を有し、
前記枠体の角部及び／又は外側面は、内部において前記リード電極の端部が前記枠体の外側面から後退した位置で露出している凹部を有する、半導体発光装置。
板状の複数のリード電極と、
前記複数のリード電極の間隙を埋設しつつ前記複数のリード電極の外周全体を囲むように設けられ、前記複数のリード電極を露出する開口部を有する樹脂枠体と、
前記開口部から露出する前記複数のリード電極上に実装された半導体発光素子と、を有し、
前記枠体の角部及び／又は外側面は、内部において前記リード電極の端部が前記枠体の外側面から後退した位置で露出している凹部を有する、半導体発光装置。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【図1A】本発明の第１の実施形態による発光装置１０の要部を示した概念図であり、上面側から見たときの斜視図である。
【図1B】本発明の第１の実施形態による発光装置１０の要部を示した概念図であり、下面側から見たときの斜視図である。
【図2A】発光装置１０の上面を示す図である。
【図3】被覆部材３５を充填する前の発光装置１０の上面を示す図である。
【図4】発光装置１０の裏面（回路基板への実装面）を示す図である。
【図5】凹部２３を拡大して示す部分拡大斜視図である。
【図6】回路基板４０の配線４１上に発光装置１０をはんだ４５を用いて実装したときのはんだ接合部を拡大して示す部分拡大斜視図である。
【図7】本実施形態の改変例であるアーク状（扇状）の凹部２３を拡大して示す部分拡大斜視図である。
【図8】発光装置１０の製造方法を示すフローチャートである。
【図9A】発光装置１０の製造工程Ｓ１及びＳ２を示す上面図である。
【図9B】発光装置１０の製造工程Ｓ３を示す上面図である。
【図9C】発光装置１０の製造工程Ｓ４を示す上面図である。
【図9D】発光装置１０の製造工程Ｓ５を示す上面図である。
【図9E】発光装置１０の製造工程Ｓ６及びＳ７を示す上面図である。
【図9F】発光装置１０の製造工程Ｓ８を示す上面図である。
【図9G】発光装置１０の製造工程Ｓ９を示す上面図である。
【図10A】リードフレーム１２の交点部Ｘを拡大して示す模式的な上面図である。
【図10B】工程Ｓ４及び工程Ｓ５における交点部Ｘの断面を示す断面図である。
【図10C】アーク状の凹部２３を形成する場合のリードフレーム１２の除去領域ＲＣを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下においては、本発明の好適な実施形態について説明するが、適宜改変し、組合せてもよい。また、以下の説明及び添付図面において、実質的に同一又は等価な部分には同一の参照符を付して説明する。
［第１の実施形態］
図１Ａ及び図１Ｂは、本発明の第１の実施形態による発光装置１０の要部を示した概念図であり、それぞれ上面側及び下面側から見たときの斜視図である。発光装置１０は、複数のリード電極（以下、単にリードともいう。）及び樹脂枠体２２を有している。以下においては、発光装置１０が２つのリード１２Ａ、１２Ｂを有する場合について説明するが、発光装置１０は３つ以上のリードを有していてもよい。
［第１の実施形態］
図１Ａ及び図１Ｂは、本発明の第１の実施形態による発光装置１０の要部を示した概念図であり、それぞれ上面側及び下面側から見たときの斜視図である。発光装置１０は、複数のリード電極（以下、単にリードともいう。）及び樹脂枠体２２を有している。以下においては、発光装置１０が２つのリード１２Ａ、１２Ｂを有する場合について説明するが、発光装置１０は３つ以上のリードを有していてもよい。
【0011】
図１Ａに示すように、樹脂枠体２２には内部に発光素子が搭載された開口部２５が設けられ、当該開口部２５は被覆部材３５によって充填されている。
【0012】
図１Ｂに示すように、発光装置１０の裏面側の四隅には、リード１２Ａ及び１２Ｂの角部が内部で露出する凹部２３が設けられている。
【0013】
図２Ａは発光装置１０の上面を示す図であり、図２Ｂは図２Ａに示すＡ－Ａ線に沿った断面図である。また、図２Ｃは図２Ａに示す方向Ｂから見たときの側面図である。また、図３は被覆部材３５を充填する前の発光装置１０の上面を示す図であり、図４は発光装置１０の裏面（回路基板への実装面）を示す図である。
【0014】
（１）樹脂枠体及びリード
発光装置１０は、板状のリード１２Ａ（第１電極）及びリード１２Ｂ（第２電極）を有している。リード１２Ａ及びリード１２Ｂのコア材（芯材）は、良エッチング性（腐食性）の金属である銅（Ｃｕ）からなり、表面には耐食性の金属であるニッケル／金（Ｎｉ／Ａｕ）がめっきされている。
発光装置１０は、板状のリード１２Ａ（第１電極）及びリード１２Ｂ（第２電極）を有している。リード１２Ａ及びリード１２Ｂのコア材（芯材）は、良エッチング性（腐食性）の金属である銅（Ｃｕ）からなり、表面には耐食性の金属であるニッケル／金（Ｎｉ／Ａｕ）がめっきされている。
【0015】
リード１２Ａ及びリード１２Ｂのコア材としては、腐食性の金属であるアルミニウム（Ａｌ）、鉄－ニッケル－コバルト（Ｆｅ－Ｎｉ－Ｃｏ）等の鉄合金などを用いることができる。
【0016】
また、リード１２Ａ及びリード１２Ｂの表面には、プラチナ（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、ロジウム（Ｒｈ）等の耐食性の金属を用いることができる。
【0017】
本明細書において、リード１２Ａ及び１２Ｂからなるリード対１２（以下、発光装置１０のリードフレーム１２ともいう。）は略同一面上に、リード１２Ａ及び１２Ｂ間の間隙（スリット）１２Ｇによって互いに離間して形成されている。なお、以下において、リード１２Ａ及びリード１２Ｂを特に区別しない場合は、単にリードと称する。
【0018】
リード１２Ａ及び１２Ｂに樹脂枠体２２がインサート成形され、樹脂枠体２２がリード間の間隙を埋設しつつリードの外周全体を囲むように設けられ、樹脂パッケージとして形成されている。すなわち、樹脂枠体２２の外側面及び当該外側面と略同一面において、リードは露出していない。
【0019】
樹脂枠体２２は、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂又はアクリル樹脂に酸化チタン粒子を加えて形成されている（白樹脂）。あるいは、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂又はアクリル樹脂にカーボンブラックを加えて形成してもよい（黒樹脂）。
【0020】
図１Ａ及び図１Ｂに示すように、樹脂枠体２２は矩形形状（矩形柱形状）を有し、互いに平行な２つの外側面２２Ａと、外側面２２Ａに垂直な２つの外側面２２Ｂを有する。また、樹脂枠体２２の裏面側の四隅には、リード１２Ａ及び１２Ｂの角部が内部で露出する凹部２３が設けられている。
【0021】
なお、図２Ｃに示すように、リード１２Ａ及び１２Ｂの角部を除く外側の縁部ＷＳには薄肉部１２Ｔが設けられている。また、図４に示すように、リード１２Ａ及び１２Ｂが対向する縁部ＷＯには薄肉部１２Ｔが設けられている。薄肉部１２Ｔによってリード１２Ａ及び１２Ｂの縁部は樹脂枠体２２の樹脂によって覆われるので、ダイシング等の際に樹脂枠体２２からリードが剥離することが防止される。
【0022】
かかる薄肉部１２Ｔは、いわゆるハーフエッチングによって、リード１２Ａ及び１２Ｂの厚さに対して、例えば５０％程度の深さで削られて形成されている。
【0023】
（２）樹脂枠体の凹部
発光装置１０は、発光装置１０の裏面（すなわち、樹脂枠体２２の裏面）が回路基板などの上に載置され、はんだ等を用いて実装される。図１Ｂ及び図４に示すように、樹脂枠体２２の裏面側（実装面側）の四隅には凹部２３が設けられている。
発光装置１０は、発光装置１０の裏面（すなわち、樹脂枠体２２の裏面）が回路基板などの上に載置され、はんだ等を用いて実装される。図１Ｂ及び図４に示すように、樹脂枠体２２の裏面側（実装面側）の四隅には凹部２３が設けられている。
【0024】
また、上記したように、樹脂枠体２２がリード間の間隙を埋設しつつリードの外周全体を囲むように設けられているが、凹部２３の内部においてはリードの端部が露出している。
【0025】
（矩形状凹部）
図５は、凹部２３を拡大して示す部分拡大斜視図である。凹部２３において、樹脂枠体２２は外側面２２Ａ及び２２Ｂから窪んでおり、凹部２３内においてリード１２Ａの矩形形状の角部が露出している。なお、リード１２Ａの角部が露出している凹部２３について説明するが、リード１２Ｂの角部が露出している凹部２３の場合も同様である。
図５は、凹部２３を拡大して示す部分拡大斜視図である。凹部２３において、樹脂枠体２２は外側面２２Ａ及び２２Ｂから窪んでおり、凹部２３内においてリード１２Ａの矩形形状の角部が露出している。なお、リード１２Ａの角部が露出している凹部２３について説明するが、リード１２Ｂの角部が露出している凹部２３の場合も同様である。
【0026】
具体的には、凹部２３内において、リード１２Ａの角部の端面１２Ｅが樹脂枠体２２の外側面２２Ａ及び２２Ｂよりも内側に後退した位置にあるように形成されている。すなわち、樹脂枠体２２は凹部２３内において、矩形状（Ｌ字形状）の底面２２Ｈを有し、リード１２Ａの端面１２Ｅは外側面２２Ａ及び２２Ｂから間隔ＬＳだけ内側に後退した位置にある（図４）。
【0027】
また、リード１２Ａの当該角部の両側には樹脂枠体２２の区画壁であるフィレットガード２２Ｇが形成されている。樹脂枠体２２のフィレットガード２２Ｇ及び底面２２Ｈによって凹部２３内にはんだフィレットを収容する矩形状の空間が画定されている。すなわち、凹部２３は、はんだフィレットを収容する矩形状の収容部として機能する。
【0028】
後述するように、底面２２Ｈは、リード１２Ａのエッチングによって形成される場合、底面２２Ｈ及びフィレットガード２２Ｇの深さ（高さ）はリード１２Ａの厚さと略同一である。
【0029】
なお、リードフレーム１２のコア材１２Ｃのエッチングによって凹部２３が形成され、当該エッチングのためにリードフレーム表面層（メッキ層）のフライス加工などが併用される場合、図４及び図５に示すように、樹脂枠体２２の裏面２２Ｒの外周部２２Ｒ１は、当該加工によって僅かに裏面２２Ｒよりも低く、裏面２２Ｒに対して段差２２Ｓを有するように形成されている。
【0030】
この場合、発光装置１０の樹脂枠体２２の外側面の下端にバリがあった場合であっても、発光装置１０が回路基板から浮かないように実装することができる。したがって、ダイシェア強度が高く、かつ放熱性及び信頼性を損なうことの無い実装が可能である。
【0031】
また、発光装置１０と同等なサイズの配線パターン上に実装する際に、配線パターン周縁にバリがあった場合であっても発光装置１０が傾くことが防止され、光軸ずれを防止することができる。
【0032】
なお、樹脂枠体２２の裏面２２Ｒは段差２２Ｓを有さず、平坦な面であってもよい。例えば、段差２２Ｓが生じないようにリードフレーム１２の表面層（メッキ層）だけをマイクロフライス等で除去することによって凹部２３を形成してもよい。
【0033】
図６は、回路基板４０の配線（ランド）４１上に発光装置１０をはんだ４５を用いて実装したときのはんだ接合部を拡大して示す部分拡大斜視図である。
【0034】
はんだ４５のフィレットは、凹部２３内に形成されるので、発光装置１０と同程度の大きさの配線上への実装においてもダイシェア強度を高く保つことができる。
【0035】
（アーク状凹部）
図７は、本実施形態の改変例である凹部２３を拡大して示す部分拡大斜視図である。本改変例においては、アーク状（扇状）の凹部２３が形成されている。
図７は、本実施形態の改変例である凹部２３を拡大して示す部分拡大斜視図である。本改変例においては、アーク状（扇状）の凹部２３が形成されている。
【0036】
より詳細には、凹部２３内において、樹脂枠体２２の底面２２Ｈはアーク形状（又は四分円形状）を有し、リード１２Ａの端部の端面（側面）１２Ｅは円柱側面の形状を有している。
【0037】
また、リード１２Ａの当該端部の両側には樹脂枠体２２から延在して突出した区画壁であるフィレットガード２２Ｇが形成されている。樹脂枠体２２のフィレットガード２２Ｇ及び底面２２Ｈによって凹部２３内にはんだフィレットを収容する四分円柱状の空間が画定されている。すなわち、上記アーク状の凹部２３は、はんだフィレットを収容する収容部として機能する。このような、突出したフィレットガード２２Ｇは、はんだフィレットの一部をネッキングするように挟み込むのでダイシェア強度を高くできる。
【0038】
上記矩形状の凹部２３の場合と同様に、はんだ４５のフィレットは、凹部２３内に形成されるので、発光装置１０と同程度の大きさの配線上への実装においてもダイシェア強度を高く保つことができる。
【0039】
なお、上記においては、樹脂枠体２２の凹部２３が矩形状及びアーク状の凹部である場合について説明したが、凹部２３は、内部にリードの端面が露出し、当該リード端面に接続されるはんだフィレットを収容する空間を有するように形成されていればよい。
【0040】
また、凹部２３が発光装置１０（すなわち樹脂枠体２２）の角部に設けられた場合を例に説明したが、これに限らない。例えば、発光装置１０の側部に設けられていてもよい。より詳細には、図４を参照して説明すると、リード１２Ａ又は１２Ｂの隣接するリードとの接続部１２ＡＪ又は１２ＢＪの部分が矩形状（例えば、Ｉ字形状）の凹部２３として形成されていてもよい。したがって、発光装置１０の角部及び／又は側部に凹部２３が設けられていてもよい。
【0041】
（３）発光装置の内部構造及び発光素子
図３に示すように、樹脂枠体２２は、枠体の内側領域である開口部２５（第１の開口部）を有し、リード１２Ａ及びリード１２Ｂの表面の一部が開口部２５から露出している。開口部２５内には半導体発光素子（以下、単に発光素子という。）３０が実装されている。
図３に示すように、樹脂枠体２２は、枠体の内側領域である開口部２５（第１の開口部）を有し、リード１２Ａ及びリード１２Ｂの表面の一部が開口部２５から露出している。開口部２５内には半導体発光素子（以下、単に発光素子という。）３０が実装されている。
【0042】
本実施形態における発光素子３０は、光源素子であるＬＥＤ（Light Emitting Diode）３１と、当該光源素子上に設けられた光学部材である蛍光体３２とからなる。しかしながら、光源素子はレーザダイオード（ＬＤ）などであってもよい。また、当該光学部材は蛍光体に限定されない。また、光学部材が設けられていなくてもよい。
【0043】
より詳細には、例えば、リード１２Ａはアノード電極、リード１２Ｂはカソード電極であり、リード１２Ａ上にＬＥＤ３１のｐ電極が接続されて載置され、ＬＥＤ３１のｎ電極がリード１２Ｂにボンディングワイヤで接続されている。
【0044】
また、ＬＥＤ３１上には板状の蛍光体３２が設けられている。あるいは、発光素子３０はＬＥＤ３１上に設けられた透光体等の光学部材を有していてもよい。蛍光体としては、特に限定されないが、例えばＹＡＧ（イットリウムムアルミニウムガーネット）、ＬｕＡＧ（ルテチウムアルミニウムガーネット）、ＧＹＡＧ（ガドリニウムアルミニウムガーネット）、α、βサイアロン、ＳＣＡＳＮ、ＣＡＳＮ、ＫＦＳ等の各種蛍光体を適宜用いることができる。また、透光体等の光学部材を有する場合は、ＬＥＤ３１の上面（出光面）にカドミウムセレン系（ＣｄＳｎ系）、インジウムリン系（ＩｎＰ系）またはインジウムナイトライド系（ＩｎＮ系）等のナノ粒子光変換部材を配置することもできる。特に、ＬＥＤ３１の上面から百数十ｎｍ以内にナノ粒子光変換部材を配置すると、量子的にカップリングして光変換効率が向上するので好ましい。
【0045】
さらに、開口部２５から露出するリード１２Ｂ上にはツェナーダイオードである保護素子３３が接合されて実装されている。保護素子３３の他方の電極がボンディングワイヤによってリード１２Ａに接続されている。
【0046】
なお、保護素子３３としてバリスタ等を用いることができる。また、キャパシタ、抵抗、受光素子等の受動素子が設けられていてもよい。
【0047】
樹脂枠体２２の開口部２５は、封止樹脂又は被覆樹脂である被覆部材３５によって発光素子３０の周囲の空間が充填されている。なお、図３においては、内部構造の説明のため、被覆部材３５は図示されていない。そして、発光素子３０の表面（すなわち、蛍光体３２の表面）は被覆部材３５から露出している。
【0048】
図３に示すように、樹脂枠体２２は上面視において矩形形状を有し、枠体の内側領域である矩形柱形状の開口部２５を有する。なお、開口部２５は矩形柱形状に限らず、円柱形状、円錐台形状等の形状を有していてもよい。
【0049】
（４）発光装置の製造方法
以下に発光装置１０の製造方法についてフローチャート及び図面を参照して詳細に説明する。
以下に発光装置１０の製造方法についてフローチャート及び図面を参照して詳細に説明する。
【0050】
図８は、発光装置１０の製造方法を示すフローチャートである。また、図９Ａ～９Ｇは、各工程を示す上面図である。なお、図９Ａ，図９Ｂ，図９Ｅ～９Ｇは上面図、図９Ｃ及び図９Ｂは裏面図である。また、各図において、図の明確さのため、装置毎に分割する際の切断線ＣＬを実線で、素子搭載部を点線で示している。
【0051】
（Ｓ１）型抜き工程
準備したリードフレーム１２となる銅（Ｃｕ）板を金型で打ち抜いて打抜き部１２Ｎを形成する（図９Ａ）。なお、打ち抜きの代わりに、レジストマスクを形成し、エッチングで型抜きをしてもよい。また、リードフレーム１２の外縁部の肉薄部１２Ｔを形成する場合、打ち抜き部１２Ｎを形成する前に肉薄部１２Ｔとなる部分が開口したレジストマスクを形成し、エッチングして肉薄化しておく。
準備したリードフレーム１２となる銅（Ｃｕ）板を金型で打ち抜いて打抜き部１２Ｎを形成する（図９Ａ）。なお、打ち抜きの代わりに、レジストマスクを形成し、エッチングで型抜きをしてもよい。また、リードフレーム１２の外縁部の肉薄部１２Ｔを形成する場合、打ち抜き部１２Ｎを形成する前に肉薄部１２Ｔとなる部分が開口したレジストマスクを形成し、エッチングして肉薄化しておく。
【0052】
（Ｓ２）メッキ工程
電解メッキによってリードフレーム１２の上面にニッケル（Ｎｉ)及び金（Ａｕ)をこの順でメッキする（Ｎｉ／Ａｕメッキ）（図９Ａ）。
電解メッキによってリードフレーム１２の上面にニッケル（Ｎｉ)及び金（Ａｕ)をこの順でメッキする（Ｎｉ／Ａｕメッキ）（図９Ａ）。
【0053】
（Ｓ３）枠体成形工程
続いて、インサート成形によって、リードフレーム１２に熱硬化性樹脂の樹脂枠体２２を形成する（図９Ｂ）。樹脂枠体２２は、樹脂枠体２２の内側領域である開口部２５を有し、リード１２Ａ及びリード１２Ｂの表面の一部が開口部２５から露出している。
続いて、インサート成形によって、リードフレーム１２に熱硬化性樹脂の樹脂枠体２２を形成する（図９Ｂ）。樹脂枠体２２は、樹脂枠体２２の内側領域である開口部２５を有し、リード１２Ａ及びリード１２Ｂの表面の一部が開口部２５から露出している。
【0054】
（Ｓ４）メッキ除去工程
図１０Ａは、リードフレーム１２の切断線ＣＬの交点部Ｘ（図９Ｃ、９Ｄを参照）を拡大して示す模式的な上面図であり、図１０Ｂは、工程Ｓ４及び工程Ｓ５における交点部Ｘの断面を示す断面図である。
図１０Ａは、リードフレーム１２の切断線ＣＬの交点部Ｘ（図９Ｃ、９Ｄを参照）を拡大して示す模式的な上面図であり、図１０Ｂは、工程Ｓ４及び工程Ｓ５における交点部Ｘの断面を示す断面図である。
【0055】
まず、ダイシング（矩形歯）によって、切断線ＣＬに沿って一定の幅（メッキ除去部ＲＢ）でリードフレーム１２の表面のメッキ層１２Ｐを除去する（図１０Ｂ、上段）。メッキ除去部ＲＢにはコア材１２Ｃ（Ｃｕ）が露出する（図９Ｃ）。
【0056】
なお、この際、樹脂枠体２２の裏面２２Ｒの外周部２２Ｒ１も削られ、僅かに裏面２２Ｒよりも低い段差２２Ｓが形成される（図５を参照）。
【0057】
なお、ダイシングに限らず、フライス加工等によってメッキ層１２Ｐを除去してもよい。
【0058】
（Ｓ５）リードフレーム除去工程
続いて、エッチング溶液を用い、メッキ除去部のリードフレーム１２のコア材１２Ｃ（Ｃｕ）をエッチングする（図１０Ｂ、中段）。
続いて、エッチング溶液を用い、メッキ除去部のリードフレーム１２のコア材１２Ｃ（Ｃｕ）をエッチングする（図１０Ｂ、中段）。
【0059】
次に、エアーブラストによって樹脂枠体２２側のメッキ層１２Ｐを除去する（図１０Ｂ、下段）。除去手段としては、ウォータージェットブラスト等の方法もある。なお、樹脂枠体２２側のメッキ層１２Ｐを残すこともできる。その場合は、本工程をスキップすればよい。残したメッキ層１２Ｐは、回路基板に発光装置１０をはんだ付けする際に、はんだの誘引壁として機能する。
【0060】
【0061】
図１０Ｃは、アーク状の凹部２３を形成する場合の、リードフレーム１２の除去領域ＲＣを示している。リードフレーム１２の交点部Ｘを円形に除去することで、リードの四隅の端面１２Ｅが円柱側面の形状を有する凹部２３（図７）を形成することができる。
【0062】
（Ｓ６）素子実装工程
金錫（Ａｕ－Ｓｎ）クリームはんだを素子実装部に印刷する。次に、発光素子３１、保護素子３３をはんだ上にマウントする。
金錫（Ａｕ－Ｓｎ）クリームはんだを素子実装部に印刷する。次に、発光素子３１、保護素子３３をはんだ上にマウントする。
【0063】
リフロー（３００℃加熱）を行って金錫はんだを溶融・固化して素子を実装する。
【0064】
金ワイヤを用いて発光素子３１及び保護素子３３のワイヤボンディングを行い、素子実装を行う（図９Ｅ）。
【0065】
（Ｓ７）蛍光体板実装工程
透光性接着材であるシリコーン樹脂を発光素子３１の出光面に塗布する。次に、蛍光体３２を発光素子３１上にマウントする。そして、１８０℃で仮硬化して蛍光体３２を接着する（図９Ｅ）。
透光性接着材であるシリコーン樹脂を発光素子３１の出光面に塗布する。次に、蛍光体３２を発光素子３１上にマウントする。そして、１８０℃で仮硬化して蛍光体３２を接着する（図９Ｅ）。
【0066】
（Ｓ８）被覆部材充填工程
続いて、酸化チタン粒子を含有するシリコーン樹脂からなる被覆樹脂を樹脂枠体２２の開口部２５に充填し、１５０℃、３時間、加熱して樹脂を硬化して被覆部材３５を形成する（図９Ｆ）。
続いて、酸化チタン粒子を含有するシリコーン樹脂からなる被覆樹脂を樹脂枠体２２の開口部２５に充填し、１５０℃、３時間、加熱して樹脂を硬化して被覆部材３５を形成する（図９Ｆ）。
【0067】
（Ｓ９）個片化工程
最後に、ダイサーで素子単位毎に切断し、個片化する。以上の工程により、発光装置１０が製造される（図９Ｇ）。
最後に、ダイサーで素子単位毎に切断し、個片化する。以上の工程により、発光装置１０が製造される（図９Ｇ）。
【0068】
本発明によれば、リードフレーム除去工程（Ｓ５）において、エッチングによりリードフレーム１２が切断されており、個片化工程（Ｓ９）においてはリードフレーム１２を切断することはない。
【0069】
各発光装置に個片化する際にリードフレームを切断すると、リードフレームに掛かった切断応力によって樹脂枠体が剥離する場合があるが、本発明によれば、切断部分のリードフレーム１２が予め除去されているので、リードフレーム１２と樹脂枠体２２が剥離することがない。したがって、ダイシェア強度が高く、また断線不良等が生じ難い発光装置を提供することができる。
【0070】
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、枠体とリードフレームとの剥離が防止され、はんだ接合のダイシェア強度が高く、また断線不良等が生じ難い発光装置を提供することができる。
【符号の説明】
【0071】
１０：発光装置
１２：リードフレーム
１２Ａ，１２Ｂ：リード
１２Ｅ：リードの端面
２２：樹脂枠体
２２Ａ，２２Ｂ：外側面
２２Ｇ：フィレットガード
２２Ｈ：凹部の底面
２２Ｒ：樹脂枠体２２の裏面
２２Ｒ１：裏面２２Ｒの外周部
２３：凹部
３０：発光素子
３１：ＬＥＤ
３２：蛍光体
３５：被覆部材
４０：回路基板
４５：はんだ
ＣＬ：切断線
ＲＢ：メッキ除去部
１２：リードフレーム
１２Ａ，１２Ｂ：リード
１２Ｅ：リードの端面
２２：樹脂枠体
２２Ａ，２２Ｂ：外側面
２２Ｇ：フィレットガード
２２Ｈ：凹部の底面
２２Ｒ：樹脂枠体２２の裏面
２２Ｒ１：裏面２２Ｒの外周部
２３：凹部
３０：発光素子
３１：ＬＥＤ
３２：蛍光体
３５：被覆部材
４０：回路基板
４５：はんだ
ＣＬ：切断線
ＲＢ：メッキ除去部
【図1A】
【図1B】
【図2A】
【図2B】
【図2C】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9A】
【図9B】
【図9C】
【図9D】
【図9E】
【図9F】
【図9G】
【図10A】
【図10B】
【図10C】