特開 2024-180083 表示装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024180083

(43)【公開日】2024-12-26

(54)【発明の名称】表示装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 33/08 20100101AFI20241219BHJP

   H01L 33/48 20100101ALI20241219BHJP

   G02B 27/02 20060101ALI20241219BHJP

【ＦＩ】

H01L33/08

H01L33/48

G02B27/02 Z

【審査請求】有

【請求項の数】19

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023099524

(22)【出願日】2023-06-16

【国等の委託研究の成果に係る記載事項】（出願人による申告）本願は、令和２年度、国立研究開発法人 科学技術振興機構（ＪＳＴ）、研究成果最適展開支援プログラム（Ａ－ＳＴＥＰ）「高臨場感ＶＲ／ＡＲディスプレイのための高輝度フルカラーモノリシックＬＥＤの開発」委託研究の成果である、産業技術力強化法第１７条の適用を受ける特許出願

(71)【出願人】

【識別番号】000005049

【氏名又は名称】シャープ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110000338

【氏名又は名称】弁理士法人 ＨＡＲＡＫＥＮＺＯ ＷＯＲＬＤ ＰＡＴＥＮＴ ＆ ＴＲＡＤＥＭＡＲＫ

(72)【発明者】

【氏名】上田 吉裕

【テーマコード（参考）】

2H199

5F142

5F241

【Ｆターム（参考）】

2H199CA02

2H199CA12

2H199CA25

5F142CD02

5F142DB24

5F142GA01

5F241AA14

5F241CA05

5F241CA40

5F241CA74

5F241CA92

5F241CB11

5F241CB27

5F241FF01

(57)【要約】

【課題】表示装置における発光素子間の迷光の伝搬を低減し、表示装置の表示品位を改善する。
【解決手段】表示装置は、第１発光領域（１４）を有する第１発光素子（１０）、第２発光領域（２４）を有する第２発光素子（２０）、および第３発光領域（３４）を有する第３発光素子（３０）を備える。各発光領域の何れかの位置は互いに３回回転対称の位置にある。隣接する２つの発光領域の間において向かい合う２辺は交差する方向に延伸する。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１発光領域を有する第１発光素子と、前記第１発光素子と隣接するとともに第２発光領域を有する第２発光素子と、前記第１発光素子および前記第２発光素子の双方と隣接するとともに第３発光領域を有する第３発光素子を備え、
平面視において、前記第１発光領域、前記第２発光領域、および前記第３発光領域のそれぞれの何れかの部分が互いに３回回転対称の位置にあり、
前記第１発光領域と前記第２発光領域との間、前記第２発光領域と前記第３発光領域との間、および前記第３発光領域と前記第１発光領域との間において、平面視において向かい合う２辺は交差する方向に延伸する表示装置。

【請求項2】

平面視において、前記第１発光領域、前記第２発光領域、および前記第３発光領域のそれぞれの図心が互いに３回回転対称の位置にある請求項１に記載の表示装置。

【請求項3】

平面視において、前記第１発光領域、前記第２発光領域、および前記第３発光領域は同一の形状を有する請求項１または２に記載の表示装置。

【請求項4】

平面視において、前記第１発光領域、前記第２発光領域、および前記第３発光領域のうち少なくとも一つが、他の何れかの発光領域を当該発光領域の外側を中心に回転させて、回転させた当該発光領域の内側を中心に回転させた領域と一致する請求項３に記載の表示装置。

【請求項5】

平面視において、前記第１発光領域、前記第２発光領域、および前記第３発光領域のそれぞれが四角形状である請求項１または２に記載の表示装置。

【請求項6】

平面視において、前記第１発光領域、前記第２発光領域、および前記第３発光領域のそれぞれがひし形、平行四辺形、または台形の何れかである請求項５に記載の表示装置。

【請求項7】

前記第１発光素子は第１発光層を含み、前記第２発光素子は第２発光層を含み、前記第３発光素子は第３発光層を含む請求項１または２に記載の表示装置。

【請求項8】

前記第１発光素子、前記第２発光素子、および前記第３発光素子が位置する第１基板を備えた請求項７に記載の表示装置。

【請求項9】

前記第１基板の、前記第１発光素子、前記第２発光素子、および前記第３発光素子の側の表面である第１表面と、前記第１発光層、前記第２発光層、および前記第３発光層の何れかの側面とが成す第１角度が鋭角または鈍角である請求項８に記載の表示装置。

【請求項10】

前記第１発光層、前記第２発光層、および前記第３発光層のうち少なくとも２つは、互いに、前記第１基板の、前記第１発光素子、前記第２発光素子、および前記第３発光素子の側の表面である第１表面からの距離が異なる請求項８に記載の表示装置。

【請求項11】

前記第１発光素子、前記第２発光素子、および前記第３発光素子のそれぞれと接合材を介して接合する第２基板を備えた請求項７に記載の表示装置。

【請求項12】

前記第２基板の、前記接合材の側の表面である第２表面と、前記第１発光層、前記第２発光層、および前記第３発光層の何れかの側面とが成す第２角度が鋭角または鈍角である請求項１１に記載の表示装置。

【請求項13】

前記第２基板は、前記第１発光素子、前記第２発光素子、および前記第３発光素子のそれぞれを駆動する画素回路を含む請求項１１に記載の表示装置。

【請求項14】

前記第１発光層、前記第２発光層、および前記第３発光層のうち少なくとも２つは、互いに、前記第２基板の、前記接合材の側の表面である第２表面からの距離が異なる請求項１１に記載の表示装置。

【請求項15】

平面視において、前記第１発光領域、前記第２発光領域、および前記第３発光領域の少なくとも一つは、平面視において周囲よりも外側に突出する凸部と、平面視において周囲よりも内側に窪む凹部と、の少なくとも一方を有する請求項１または２に記載の表示装置。

【請求項16】

前記第１発光素子は第１光を発し、前記第２発光素子は前記第１光と異なる波長を有する第２光を発し、前記第３発光素子は前記第１光および前記第２光の双方と異なる波長を有する第３光を発する請求項１または２に記載の表示装置。

【請求項17】

平面視において前記第１発光素子に隣接するとともに前記第２光を発する第４発光素子と、平面視において前記第１発光素子に隣接するとともに前記第３光を発する第５発光素子と、を備えた請求項１６に記載の表示装置。

【請求項18】

前記第１光が青色光であり、前記第２光が緑色光であり、前記第３光が赤色光である請求項１６に記載の表示装置。

【請求項19】

前記第１発光素子と、前記第２発光素子と、前記第３発光素子と、を含む発光装置を備えたウェアラブルデバイスである請求項１または２に記載の表示装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は発光素子を複数備えた表示装置に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１はサブピクセルごとにマイクロＬＥＤを備えたマイクロＬＥＤディスプレイ装置を開示する。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１８－１８５５１５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１に記載のマイクロＬＥＤディスプレイ装置のように、サブ画素ごとに発光素子を備えた表示装置においては、あるサブ画素から出射した光が他のサブ画素まで伝搬する迷光が生じる場合がある。迷光は表示装置の表示品位を低下させ得る。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本開示の一態様に係る表示装置は、第１発光領域を有する第１発光素子と、前記第１発光素子と隣接するとともに第２発光領域を有する第２発光素子と、前記第１発光素子および前記第２発光素子の双方と隣接するとともに第３発光領域を有する第３発光素子を備え、平面視において、前記第１発光領域、前記第２発光領域、および前記第３発光領域のそれぞれの何れかの位置が互いに３回回転対称の位置にあり、前記第１発光領域と前記第２発光領域との間、前記第２発光領域と前記第３発光領域との間、および前記第３発光領域と前記第１発光領域との間において、平面視において向かい合う２辺は交差する方向に延伸する。

【発明の効果】

【0006】

発光素子の間における迷光の伝搬を低減し、表示品位を改善する。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】実施形態１に係る表示装置の画素の拡大平面図である。

【図2】実施形態１に係る表示装置の概略平面図である。

【図3】実施形態１に係る表示装置の拡大平面図である。

【図4】実施形態１に係る表示装置の概略側断面図である。

【図5】実施形態１に係る発光素子の積層構造を説明するための模式図である。

【図6】実施形態１に係る表示装置の他の概略側断面図である。

【図7】実施形態１に係る表示装置の製造方法を示すフローチャートである。

【図8】実施形態１に係る表示装置の製造方法を示す工程断面図である。

【図9】実施形態１に係る表示装置の製造方法を示す他の工程断面図である。

【図10】実施例と比較例とのそれぞれに係る表示装置における、発光領域の図心からの距離と輝度との関係を示すグラフである。

【図11】実施形態２に係る表示装置の画素の拡大平面図である。

【図12】実施形態３に係る表示装置の概略側断面図である。

【図13】実施形態４に係る表示装置の画素の拡大平面図である。

【図14】実施形態５に係る表示装置の拡大平面図である。

【図15】実施形態５に係るウェアラブルデバイスの概略断面図である。

【図16】実施形態５に係る他のウェアラブルデバイスの概略断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

〔実施形態１〕
＜表示装置：概要＞
以下、本開示の実施形態について図面を参照しつつ説明する。なお、各図面において、同様の構成については同一の符号を付してその説明を省略する。

【0009】

図２は本実施形態に係る表示装置１の概略平面図である。表示装置１は、例えば、テレビまたはスマートフォン等のディスプレイ、あるいは、ＨＭＤ、ＶＲゴーグル、ＡＲゴーグル等のウェアラブルデバイスに用いることのできる装置である。表示装置１は、表示部ＤＡと表示部ＤＡの外周に形成された額縁部ＮＡとを備える。表示装置１は、表示部ＤＡに形成された後述する複数の発光素子のそれぞれからの発光を制御することにより、表示部ＤＡにおいて表示を行う。額縁部ＮＡには、表示部ＤＡの複数の発光素子のそれぞれを駆動するためのドライバ等が形成されてもよい。

【0010】

＜表示装置：画素および発光素子の配置＞
本実施形態に係る表示装置１の詳細について、図３を参照して説明する。図３は、表示装置１の表示部ＤＡの拡大平面図であり、特に、図２に示す領域Ｅについて拡大して示す平面図である。なお、図３を含む本開示における表示装置１の表示部ＤＡの拡大平面図は、各部材をより明確に示すために、後述する発光素子のそれぞれの発光領域を抜き出して示す。

【0011】

表示装置１は、第１発光素子としての青色発光素子１０と、第２発光素子としての緑色発光素子２０と、第３発光素子としての赤色発光素子３０と、を発光素子としてそれぞれ複数備える。表示装置１は、青色発光素子１０、緑色発光素子２０、および赤色発光素子３０を一つずつ含む画素Ｐを複数含む。

【0012】

青色発光素子１０は第１光として青色光を発し、緑色発光素子２０は第２光として緑色光を発し、赤色発光素子は第３光として赤色光を発する。表示装置１は各画素Ｐの発光素子のそれぞれを個別に駆動して、各画素から青色光、緑色光、および赤色光を個々に取り出す。これにより、表示装置１は表示部ＤＡにおいてフルカラー表示を行う。

【0013】

本実施形態において、青色発光素子１０は、当該青色発光素子１０を含む画素Ｐに含まれる緑色発光素子２０および赤色発光素子３０と隣接する。また、青色発光素子１０は、当該青色発光素子１０を含む画素Ｐとは異なる画素Ｐに含まれる、第４発光素子としての緑色発光素子４０、および第５発光素子として赤色発光素子５０と隣接してもよい。なお、本開示において、「２つの発光素子が隣接する」とは、平面視当該２つの発光素子の各発光領域の向かい合う辺の間に他の発光素子が位置しないことを指す。

【0014】

本実施形態において、隣接する２つの画素Ｐは、各画素Ｐにおける青色発光素子１０、緑色発光素子２０、および赤色発光素子３０の位置関係が互いに異なっていてもよい。これにより表示装置１は、同一周期にて同一発光色の発光領域が視認されることに伴う表示品位の低下を抑制する。また、本実施形態において各発光素子は、隣接する２つの発光素子の発光色が異なるように配置されてもよい。これにより表示装置１は、隣接する２つの発光素子の発光領域が見かけ上つながり実質的に解像度が低下することに伴う表示品位の低下を抑制する。

【0015】

＜表示装置：基板＞
表示装置１の表示部ＤＡにおける構造について、図４を参照してさらに詳細に説明する。図４は表示装置１の概略側断面図であり、特に、図３に示すＩＶ－ＩＶ線矢視断面図である。換言すれば、図４は表示装置１の青色発光素子１０、緑色発光素子２０、および赤色発光素子３０を通る側断面について示す。

【0016】

図４に示すように表示装置１は、第１基板２と、第１基板２に対向する第２基板７と、第１基板２と第２基板７との間の青色発光素子１０、緑色発光素子２０、および赤色発光素子３０と、を備える。第１基板２および第２基板７は例えば表示部ＤＡおよび額縁部ＮＡにわたって形成される。なお、特に言及しない限り本開示においては、第１基板２から各発光素子への方向を「下方向」、第２基板７から各発光素子への方向を「上方向」として説明する。

【0017】

第１基板２は透光性を有する硬直な基板であり、例えば、第２基板７の側に位置する第１表面２ＦにＣ面を有するサファイアを含むサファイア基板である。第１表面２Ｆ上には、青色発光素子１０、緑色発光素子２０、および赤色発光素子３０が位置する。第２基板７は、青色発光素子１０、緑色発光素子２０、および赤色発光素子３０のそれぞれを後述する方法にて駆動する画素回路７１を含む。また、表示装置１は、第２基板７の第１基板２の側に位置する第２表面７Ｆ上に接合材６を備える。第２基板７は接合材６を介して青色発光素子１０、緑色発光素子２０、および赤色発光素子３０と接合する。第１基板２と第２基板７とは額縁部ＮＡ等の各発光素子の周囲において接合材等によって接合されてもよい。

【0018】

＜表示装置：発光素子：積層構造＞
青色発光素子１０、緑色発光素子２０、および赤色発光素子３０は、第１基板２の側から順に、下地層３、電子輸送層４、第１発光層としての青色発光層１３、および正孔輸送層５を備える。また、緑色発光素子２０、および赤色発光素子３０は、青色発光層１３直下の正孔輸送層５の下面の一部に、第１基板２の側から順に、電子輸送層４、第２発光層としての緑色発光層２３、および正孔輸送層５を備える。さらに、赤色発光素子３０は、緑色発光層２３直下の正孔輸送層５の下面の一部に、第１基板２の側から順に、電子輸送層４、第３発光層としての赤色発光層３３、および正孔輸送層５を備える。

【0019】

青色発光層１３、緑色発光層２３、および赤色発光層３３のそれぞれと第１基板２との間に位置する層の数は互いに異なる。したがって、青色発光層１３、緑色発光層２３、および赤色発光層３３のそれぞれから第１基板２の第１表面２Ｆまでの距離Ｌ１、距離Ｌ２、および距離Ｌ３は互いに異なる。また、第１基板２の第１表面２Ｆと第２基板７の第２表面７Ｆとは略平行である。このため、青色発光層１３、緑色発光層２３、および赤色発光層３３のそれぞれから第２基板７の第２表面７Ｆまでの距離Ｌ４、距離Ｌ５、および距離Ｌ６が互いに異なる。

【0020】

本実施形態に係る各発光素子の積層構造について、図５を参照して詳細に説明する。図５は、青色発光素子１０の下地層３から正孔輸送層５までの積層構造を抜き出して示す模式図である。

【0021】

下地層３は、サファイア基板である第１基板２のサファイア結晶と後述する電子輸送層４の半導体の結晶との格子整合のための層である。下地層３は、第１基板２の側から順に、第１バッファ層８１と第２バッファ層８２とを含む。第１バッファ層８１は第１表面２Ｆ上に、例えば６００℃以下の低温にてエピタキシャル成長された半導体結晶を含み、例えば膜厚４０ｎｍの窒化ガリウム結晶を含んでもよい。第２バッファ層８２は第１バッファ層８１上にエピタキシャル成長された半導体結晶を含み、例えば膜厚２μｍのノンドープの窒化ガリウム結晶を含んでもよい。第２バッファ層８２は電子輸送層４と正孔輸送層５との間のそれぞれにも形成されてよい。

【0022】

電子輸送層４は後述するカソードからの電子を発光層に輸送する層である。電子輸送層４は、第２バッファ層８２上にエピタキシャル成長されたｎ型半導体結晶を含み、例えば、ドーパントとしてＳｉ等の１４族元素を有する膜厚２μｍの窒化ガリウム結晶を含んでもよい。

【0023】

正孔輸送層５は、後述するアノードからの正孔を発光層に輸送する層である。正孔輸送層５は、第１基板２の側から順に、第１ｐ型半導体層８３、第２ｐ型半導体層８４、第１ｎ型半導体層８５、第２ｎ型半導体層８６を含む。

【0024】

第１ｐ型半導体層８３および第２ｐ型半導体層８４のそれぞれは、エピタキシャル成長により形成されたｐ型半導体結晶を含む。例えば、第１ｐ型半導体層８３は膜厚２０ｎｍの窒化アルミニウムガリウム結晶を含んでもよく、第２ｐ型半導体層８４は膜厚１２０ｎｍの窒化ガリウム結晶を含んでもよい。第１ｐ型半導体層８３および第２ｐ型半導体層８４はドーパントとしてＭｇ等の２族元素を有してもよい。

【0025】

第１ｎ型半導体層８５および第２ｎ型半導体層８６のそれぞれは、エピタキシャル成長により形成されたｎ型半導体結晶を含む。例えば、第１ｎ型半導体層８５は膜厚２５ｎｍの窒化ガリウム結晶を含んでもよく、第２ｎ型半導体層８６は膜厚４００ｎｍの窒化ガリウム結晶を含んでもよい。第１ｎ型半導体層８５および第２ｎ型半導体層８６はドーパントとしてＳｉ等の１４族元素を有してもよい。

【0026】

青色発光層１３、緑色発光層２３、および赤色発光層３３は、電子輸送層４はからの電子と正孔輸送層５からの正孔との再結合により生成された励起子によって発光する発光材料を含む。青色発光層１３、緑色発光層２３、および赤色発光層３３のそれぞれの発光材料は、青色光、緑色光、および赤色光を発し、例えば多重量子井戸構造を有してもよい。

【0027】

例えば、波長４５０〔ｎｍ〕程度の青色光を発する青色発光層１３として、厚さ５０〔ｎｍ〕であってＩｎ（インジウム）の組成比が２０％の窒化インジウムガリウム（ＩｎとＧａの原子比が１：４の混晶）を用いることができる。例えば、波長５５０〔ｎｍ〕程度の緑色光を発する緑色発光層２３として、Ｉｎの組成比が２５％の窒化インジウムガリウム（混晶）を用いることができる。例えば、波長６３０〔ｎｍ〕程度の赤色光を発する赤色発光層３３として、Ｉｎの組成比が３０％の窒化インジウムガリウム（混晶）を用いることができる。

【0028】

＜表示装置：発光素子：電極＞
図４の参照に戻ると、青色発光素子１０、緑色発光素子２０、および赤色発光素子３０のそれぞれは、アノード１１、アノード２１、およびアノード３１を備える。各アノードは各発光素子の最も第２基板７に近接する正孔輸送層５の下面と電気的に接続する。また、各アノードは接合材６等を介して各画素回路７１と電気的に接続し、各画素回路７１を介して個々に電圧が印加される。

【0029】

青色発光素子１０、緑色発光素子２０、および赤色発光素子３０のそれぞれは、カソード１２、カソード２２、およびカソード３２を備える。各カソードは各発光素子の最も第２基板７に近接する正孔輸送層５の下面の一部と電気的に接続する。各カソードは接合材６等を介して不図示の補助電源に接続され、共通の電圧が印加される。

【0030】

本実施形態において、電子輸送層４はｎ型の半導体層であり、正孔輸送層５は各アノードの側にｎ型の半導体層を含む。このため、表示装置１は、各アノードの材料と各カソードの材料との間において仕事関数に差異を生じさせる必要が低減し、例えば、各アノードの材料と各カソードの材料との材料を同一とできる。各アノードおよび各カソードは例えばＴｉ、Ａｌ、Ｔｉの積層構造を有してもよい。

【0031】

なお、本実施形態に係る表示装置１は、青色発光素子１０、緑色発光素子２０、および赤色発光素子３０をそれぞれ複数備える構成に限定されない。例えば表示装置１は、青色発光素子１０、緑色発光素子２０、および赤色発光素子３０のうち何れかを複数備えた単色の表示装置であってもよい。

【0032】

また表示装置１は、各発光素子から出射した光の波長を変換する波長変換層を各発光素子より光取り出し側に備えてもよい。例えば、表示装置１は、複数の青色発光素子１０を備え、平面視において一部の青色発光素子１０と重なる位置に、緑色光および赤色光を発する蛍光体を含む緑色変換層および赤色変換層を波長変換層として平面視において配列して備えてもよい。あるいは、表示装置１は、複数の紫外光を発する発光素子を備えてもよい。この場合、表示装置１は、平面視において各発光素子と重なる位置に、青色光、緑色光、および赤色光を発する蛍光体を含む青色変換層、緑色変換層、および赤色変換層を波長変換層として平面視において配列して備えてもよい。これにより、表示装置１は同一発光色の発光素子のみを複数備えつつカラー表示を可能としてもよい。

【0033】

＜発光素子の発光原理＞
表示装置１は、不図示のドライバ等を介して画素回路７１のそれぞれを駆動することにより、各発光素子のアノードに個別に電圧を印加することにより、各発光素子のアノードとカソードとの間に電位差を生じさせる。これにより、表示装置１は、各アノードから正孔輸送層５に正孔を、各カソードから電子輸送層４に電子を注入させる。

【0034】

なお、各アノードからの正孔は、正孔輸送層５の第２ｎ型半導体層８６および第１ｎ型半導体層８５をトンネルし第２ｐ型半導体層８４に注入されてもよい。この場合、表示装置１は、各アノードと各カソードとの材料を同一としつつ、各発光素子における電極からの電荷の注入を効率的に達成できる。表示装置１は、各発光素子の電極から発光層に正孔と電子とを注入させ発光層を発光させることにより、各発光素子から光を取り出す。

【0035】

なお、青色発光素子１０において、カソード１２からの電子は青色発光層１３の直上の電子輸送層４を経由して青色発光層１３に注入されればよく、換言すれば下地層３を経由しなくともよい。また、緑色発光素子２０において、カソード２２からの電子は緑色発光層２３の直上の電子輸送層４を経由して緑色発光層２３に注入されればよく、換言すれば当該電子輸送層４よりも第１基板２の側の各層を経由しなくともよい。さらに、赤色発光素子３０において、カソード３２からの電子は赤色発光層３３の直上の電子輸送層４を経由して赤色発光層３３に注入されればよく、換言すれば当該電子輸送層４よりも第１基板２の側の各層を経由しなくともよい。

【0036】

＜発光素子の発光領域＞
本実施形態に係る表示装置１の画素Ｐにおける各発光素子について、図１を参照してより詳細に説明する。図１は表示装置１の他の拡大平面図であり、特に図３に示す画素Ｐについてさらに拡大した平面図である。図１においては各発光層のうち当該発光層を備えた発光素子を駆動した場合に発光する領域を抜き出して示している。

【0037】

青色発光素子１０、緑色発光素子２０、および赤色発光素子３０は、それぞれの発光領域として第１発光領域１４、第２発光領域２４、および第３発光領域３４を有する。第１発光領域１４、第２発光領域２４、および第３発光領域３４は平面視において四角形状を有し、本実施形態においては特にひし形形状を有する。このため、第１発光領域１４、第２発光領域２４、および第３発光領域３４のそれぞれは、平面視において４つの端辺１５、端辺２５、および端辺３５を有する。

【0038】

隣接する２つの画素Ｐの距離を保ちつつ各発光領域を拡大する観点から、各画素Ｐが含む発光領域は平面視における外形が略正六角形となる領域に収まることが望ましい。画素Ｐが含む各発光領域が平面視において四角形状を有することにより、画素Ｐの外形をより略正六角形に近接させることが可能となる。さらに画素Ｐの外形を略正六角形に近接させる観点から、画素Ｐが含む各発光領域の外形は、平面視においてひし形、平行四辺形、あるいは台形であってもよい。

【0039】

なお、各発光素子の製造時におけるマスクパターンを簡素とし表示装置１の製造をより容易とする観点から、第１発光領域１４、第２発光領域２４、および第３発光領域３４は平面視において同一の形状を有してもよい。本開示において、「同一の形状を有する」とは２つの部材が完全に一致する形状を有することを必ずしも指さず、例えば製造誤差等の差異を許容する。

【0040】

各発光素子の発光領域の端辺の一つは、平面視において他の発光素子の発光領域の端辺の一つと互いに向かい合う。ここで、当該互いに向かい合う２辺は、平面視において交差する方向に延伸し、換言すれば当該２辺は平面視において非平行である。例えば、端辺１５と端辺２５との間、端辺２５と端辺３５との間、および端辺３５と端辺１５との間において、互いに向かい合う２辺は平面視において交差する方向に延伸する。

【0041】

第１発光領域１４、第２発光領域２４、および第３発光領域３４のそれぞれは、図心１６、図心２６、および図心３６を有する。本実施形態において、各発光領域の図心は、平面視における各発光領域の２つの対角線の交点と一致してもよい。本開示において、平面視におけるある領域の図心とは、平面視における当該領域を断面とした場合において断面一次モーメントが０となる位置を指す。

【0042】

＜発光領域の位置関係＞
画素Ｐ内における各発光領域の位置関係について説明するために、図１には点線にて仮想的な図形Ｔが示される。図形Ｔは平面視において図心ＴＣを有する正三角形状の図形であり、３つの頂点ＴＶを有する。このため、図形Ｔは平面視において図心ＴＣを中心とした３回回転対称の図形であり、さらに、３つの頂点ＴＶは互いに平面視における図心ＴＣを中心とした３回回転対称の位置にある。

【0043】

本実施形態において、図心１６、図心２６、および図心３６のそれぞれは、平面視において図形Ｔの頂点ＴＶと重なる。このため、図心１６、図心２６、および図心３６のそれぞれは、平面視において互いに３回回転対称の位置にある。

【0044】

また、画素Ｐ内における各発光領域の位置関係について説明するために、図１には点線にて仮想的な第２発光領域２４Ａ、および第３発光領域３４Ａが示される。第２発光領域２４Ａおよび第３発光領域３４Ａのそれぞれは、平面視において、第１発光領域１４の外側に位置する点、特に図心ＴＣを中心に第１発光領域１４を回転させた領域と一致する。

【0045】

ここで、第２発光領域２４は、平面視において第２発光領域２４Ａの内側に位置する点、特に第２発光領域２４Ａの図心を中心に回転させた領域と一致する。また、第３発光領域３４は、平面視において第３発光領域３４Ａの内側に位置する点、特に第３発光領域３４Ａの図心を中心に回転させた領域と一致する。これにより、表示装置１は、端辺１５と端辺２５との間、および端辺１５と端辺３５との間において、互いに向かい合う２辺が平面視において非平行である構成を容易に達成する。

【0046】

＜迷光の低減＞
各発光領域の位置関係により奏される効果について図１を参照し説明する。

【0047】

表示装置１の各発光素子からの光は、各発光層から第１基板２または第２基板７への方向に取り出されることにより、表示部ＤＡにおける表示に用いられる。一方、表示装置１の各発光素子からの光には、各発光層の側面から出射する光が含まれ、当該光はある発光素子から他の発光素子への方向に伝搬する成分を含む。

【0048】

例えば、各発光素子から表示装置の表示面と平行な方向に伝搬する光は表示に用いることが困難である。このため、当該光の発生は各発光素子からの光の取り出し効率の低下につながる。

【0049】

また、ある発光素子から他の発光素子への方向に伝搬する光のうち、表示装置の表示面と平行な方向からずれた方向に伝搬する光は、当該他の発光素子と平面視において重なる位置から取り出される場合がある。当該光は本来取り出されることを想定した位置と異なる位置において取り出された迷光であり、表示装置の表示品位を低下させる。さらに、迷光は発光素子の間において多重反射する場合があり、表示装置の表示品位のさらなる低下につながる場合がある。

【0050】

本実施形態において、隣接する２つの発光領域の間において向かい合う２辺は平面視において非平行である。このため、ある発光素子の発光層の側面から出射した光は他の発光素子に入射した場合に屈折する。さらに、本実施形態において、発光領域のそれぞれの一部は平面視において３回回転対称の位置にある。このため、上述したように屈折した光は、平面視において一部が互いに３回回転対称に位置にある発光領域を含む３つの発光素子の間を旋回するように伝搬させることを可能とする。

【0051】

例えば、図１に示すように、青色発光層１３の側面から光ＳＬ１が緑色発光素子２０への方向に出射したとする。この場合、緑色発光素子２０に入射した光ＳＬ１は第２発光領域２４の端辺２５において屈折し、光ＳＬ２として緑色発光素子２０内を伝搬する。さらに、光ＳＬ２は第２発光領域２４の他の端辺２５において再度屈折し、赤色発光素子３０へ向かって伝搬する光ＳＬ３となる。以上を繰り返すことにより、画素Ｐ内の何れかの発光層の側面から出射した光は、平面視において画素Ｐ内を旋回するように伝搬する。したがって、表示装置１は当該光が画素Ｐの外部に取り出され迷光となることを抑制する。

【0052】

以上より、本実施形態に係る表示装置１は、ある発光素子の発光層の側面から出射した光が離れた発光素子と平面視において重なる位置から取り出されることを低減する。したがって、表示装置１は迷光の発生を低減し表示品位を改善する。また、本実施形態に係る表示装置１は、相対的に各発光層から表示面に向かう方向への光の強度を高め、各発光素子からの光の取り出し効率を向上させる。

【0053】

特に、本実施形態において、図心１６、図心２６、および図心３６のそれぞれは、平面視において互いに３回回転対称の位置にある。これにより表示装置１は、第１発光領域１４、第２発光領域２４、および第３発光領域３４の平面視における位置の回転対称性を高め、より迷光を低減できる。

【0054】

＜発光層の側面と基板の表面との関係＞
図６を参照して、本実施形態に係る発光素子をより詳細に説明する。図６は本実施形態に係る表示装置１の他の概略側断面図である。特に図６は図１に示すＶＩ－ＶＩ線矢視断面図であり、換言すれば赤色発光素子３０を通る断面における表示装置１の概略側断面図である。

【0055】

赤色発光素子３０の外側面は、青色発光層１３の外側面１３Ｓ、緑色発光層２３の外側面２３Ｓ、および赤色発光層３３の外側面３３Ｓを含み、略面一である。ここで、赤色発光素子３０の外側面は、第１基板２の第１表面２Ｆと第１角度Ａ１を成し、第２基板７の第２表面７Ｆと第２角度Ａ２を成す。

【0056】

本実施形態において、赤色発光素子３０は第１基板２の側に先端の側を有する錐台形状の部分を有してもよい。この場合、当該部分において、第１角度Ａ１は鋭角であり、第２角度Ａ２は鈍角である。換言すれば、外側面１３Ｓ、外側面２３Ｓ、および外側面３３Ｓは、第１表面２Ｆと鋭角を成し第２表面７Ｆと鈍角を成す。

【0057】

なお、青色発光素子１０および緑色発光素子２０は、第２基板７の側の各層の一部が接合材６に置き換わる点を除き、赤色発光素子３０と同一の構成を有する。このため、青色発光素子１０および緑色発光素子２０においても、各発光層の外側面は、第１表面２Ｆと鋭角を成し第２表面７Ｆと鈍角を成す。

【0058】

上記構成により表示装置１は、各発光層の外側面から出射した光のうち第１表面２Ｆまたは第２表面７Ｆに平行な方向に伝搬する光の成分を低減でき、各発光素子からの光の取り出し効率を向上させる。また、表示装置１は、各発光素子の外側面、特に各発光層の外側面における迷光が遠方まで伝搬することを低減し、表示品位を改善する。

【0059】

＜表示装置の製造方法＞
本実施形態に係る表示装置１の製造方法について、図７から図９を参照して説明する。図７は、表示装置１の製造方法について示すフローチャートである。図８および図９は、表示装置１の製造方法について示す工程断面図である。本実施形態における工程断面図は、何れも図４に示す表示装置１の断面と対応する位置における表示装置１の断面を示す。

【0060】

図７に示すように、表示装置１の製造方法においては、はじめに第１基板２を準備する（ステップＳ１）。ステップＳ１においては、第１表面２Ｆを上方に向けた第１基板２を準備する。ステップＳ１においては、大判の第１基板２を準備してもよく、この場合、表示装置１の製造方法においては、後に第２基板７とともに切断し個々の表示装置１に個片化してもよい。

【0061】

次いで、第１基板２の第１表面２Ｆ上への、下地層３の成膜（ステップＳ２）、電子輸送層４の成膜（ステップＳ３）、発光層の成膜（ステップＳ４）、および正孔輸送層５の成膜（ステップＳ５）を順に実行する。各層の成膜は上述した通りの方法により実行してもよい。また、表示装置１が複数の発光層を備える場合、ステップＳ３からステップＳ５を発光層の層数だけ繰り返し実行してもよい。これにより、図８のステップＳ５に示すように。第１基板２上に複数の半導体層の積層構造が形成される。

【0062】

次いで、当該半導体層をエッチングする（ステップＳ６）。ステップＳ６においては、例えば、ドライエッチングにより半導体層をエッチングしてもよい。ステップＳ６は、レジストの成膜、フォトリソグラフィによるレジストのパターニング、平面視においてレジストから露出する半導体層のエッチング、およびレジストの除去を、繰り返し実行することによって実行してもよい。

【0063】

ステップＳ６において、各発光素子の形成位置においては、当該発光素子が含む発光層の直上の正孔輸送層５および直下の電子輸送層４のそれぞれの一部が露出するようにエッチングを行う。例えば、青色発光素子１０の形成位置においては、青色発光層１３の直上の正孔輸送層５および直下の電子輸送層４のそれぞれの一部が露出するようにエッチングを行う。

【0064】

さらに、各発光素子の形成位置の間においては、第１基板２上の全ての半導体層を除去する。ステップＳ６においては、各発光素子の形成位置の間における半導体層の除去におけるパターニングおよびエッチングの条件を変更することにより、各層の端面と第１表面２Ｆとの成す角度、換言すれば第１角度Ａ１を制御してもよい。以上により、図８のステップＳ８に示す構造が形成される。なお、各発光素子の形成位置の間における半導体層を除去は、後述する電極の形成後に実行してもよい。

【0065】

次いで、各発光素子のアノードおよびカソードを含む電極を形成する（ステップＳ７）。例えば、ステップＳ７においては、ステップＳ６により露出した電子輸送層４の上面および正孔輸送層５の上面を含む位置に、レジストパターンを形成した後、Ｔｉ、Ａｌ、Ｔｉの順に金属薄膜を蒸着法等により成膜する。次いで、レジストパターンを除去することにより成膜した金属薄膜をパターニングする。以上により、図８のステップＳ７に示すように、各発光素子の形成位置において、正孔輸送層５の上面に各アノードが形成され、電子輸送層４の上面に各カソードが形成される。上述した製造方法は各アノードと各カソードとの材料が同一である場合に実行でき、各アノードの成膜工程と各カソードの成膜工程とを別々に実行する必要を低減し、表示装置１の製造方法をより簡素とする。

【0066】

以上により、第１基板２上に半導体層および電極が形成された第１積層体ＬＡ１が形成される。この後、本実施形態においては、第１基板２上の青色発光素子１０、緑色発光素子２０、赤色発光素子３０の側面を覆う保護層を形成する工程を実行してもよい。

【0067】

本実施形態に係る表示装置１の製造方法においては、上述した第１積層体ＬＡ１の形成とは別に、第２基板７を準備する（ステップＳ８）。ステップＳ８においては、第２表面７Ｆを上方に向けた第２基板７を準備する。ステップＳ８においては、第２基板７に画素回路７１を形成してもよい。

【0068】

次いで、第２表面７Ｆ上に接合材６を形成する（ステップＳ９）。接合材６は、例えば、感光性樹脂の成膜とフォトリソグラフィによる当該感光性樹脂のパターニングとにより形成されてもよい。ステップＳ８においては、後述する第２積層体ＬＡ２に貼り付けられる第１積層体ＬＡ１に形成された各層の高さを考慮して各接合材６の高さが設計される。ステップＳ８においては、画素回路７１とアノードとの間、および補助電極とカソードとの間の電気的接続を実現するためのコンタクト部を接合材６に形成してもよい。

【0069】

以上により、第２基板７上に接合材６が形成された第２積層体ＬＡ２が形成される。

【0070】

ステップＳ７とステップＳ９との完了後、本実施形態に係る表示装置１の製造方法においては、第１積層体ＬＡ１と第２積層体ＬＡ２とを張り合わせる（ステップＳ１０）。ステップＳ１０においては、例えば、第１表面２Ｆと第２表面７Ｆとを向い合せ、第１基板２と第２基板７とを不図示の接着材料等により接合することにより、第１積層体ＬＡ１と第２積層体ＬＡ２とを張り合わせる。以上により、表示装置１の製造方法が完了する。なお、第１積層体ＬＡ１と第２積層体ＬＡ２とを張り合わせた後、レーザリフトオフ法等により第１基板２を各発光素子から剥離してもよい。

【0071】

＜表示装置の光学特性の評価＞
以下、実施例と比較例とのそれぞれに係る表示装置を作製し、各表示装置の光学特性を評価した。

【0072】

実施例に係る表示装置は、本実施形態に係る表示装置１と同一の構成を有し、上述した表示装置１の製造方法と同一の方法によって製造した。比較例に係る表示装置は、本実施形態に係る表示装置１と比較して、平面視における各発光素子の発光領域の形状のみが異なる。比較例に係る表示装置の各発光領域は矩形状であり、平面視において行列方向に配列する。また、比較例に係る表示装置において隣接する２つの発光領域の向かい合う２辺は略平行に延伸する。

【0073】

実施例と比較例とのそれぞれにおいて、各表示装置の何れか１つの発光素子のみを発光させ、各表示装置の表示面の各位置における輝度を測定した。図１０は、実施例に係る表示装置における測定結果を示すグラフＧ１、および比較例に係る表示装置における測定結果を示すグラフＧ２およびグラフＧ３である。図１０に示すそれぞれのグラフにおいて、縦軸は発光させた発光素子が有する発光領域の図心からの平面視における距離（単位μｍ）、横軸は輝度（単位Ｗ／μｍ^２）を表す。グラフＧ１およびグラフＧ２は、実施例および比較例のそれぞれに係る表示装置のうち、図４に示す測定面ＭＡにおける測定結果を示し、グラフＧ３は、比較例に係る表示装置のうち、図４に示す測定面ＭＢにおける測定結果を示す。測定面ＭＡは第１基板２の第１表面２Ｆから内部側に２００ｎｍ離れた位置にあり、測定面ＭＡは第１基板２の第１表面２Ｆと各発光素子との界面に位置する。なお、図１０に示すそれぞれのグラフのデータは、最大輝度を示すことが可能なスケールにてプロットされており、各軸の縮尺がグラフごとに異なる点に留意されたい。

【0074】

図１０の各グラフの比較から明らかであるように、実施例に係る表示装置は比較例に係る表示装置と比較して、発光させた発光素子の発光領域の図心近傍における輝度が高く、図心から１０μｍ程度離れた位置において輝度が急激に低下する。さらに、実施例に係る表示装置は比較例に係る表示装置と比較して、当該図心から１００μｍ以上離れた位置における輝度がほとんど得られない。このことから、実施例に係る表示装置は比較例に係る表示装置と比較して、発光させた発光素子の発光領域より離れた位置において取り出される迷光を低減することがわかる。

【0075】

〔実施形態２〕
＜発光領域の形状の変形例＞
他の実施形態に係る表示装置について、図１１を参照して説明する。図１１は、本実施形態に係る表示装置１の拡大平面図であり、図１に示す領域と同一の領域を拡大して示す。

【0076】

本実施形態に係る表示装置１は、前実施形態に係る表示装置１と比較して、各発光素子の形成位置を除いて同一の構成を備える。本実施形態において、特に、本実施形態において、図心１６、図心２６、および図心３６は、平面視において図形Ｔの頂点ＴＶとは異なる位置にある。ただし、図形Ｔの各頂点ＴＶは、第１発光領域１４、第２発光領域２４、および第３発光領域３４のそれぞれの一部分と平面視において重なる。本実施形態に係る表示装置１は、前実施形態に係る表示装置１の製造方法のうち、ステップＳ６における半導体層のエッチング位置を変更した製造方法により製造できる。

【0077】

以上により、本実施形態に係る表示装置１においても、第１発光領域１４、第２発光領域２４、および第３発光領域３４のそれぞれの何れかの部分が互いに３回回転対称の位置にある。したがって、本実施形態に係る表示装置１は、前実施形態において説明した理由と同一の理由から、発光素子の間における迷光の伝搬を低減して表示品位を改善する。

【0078】

〔実施形態３〕
＜発光素子の形状の変形例＞
他の実施形態に係る表示装置について、図１２を参照して説明する。図１２は、本実施形態に係る表示装置１の概略側断面図であり、図６に示す側断面と同一の位置における側
断面を示す。

【0079】

本実施形態に係る表示装置１は、前述の各実施形態に係る表示装置１と比較して、第１角度Ａ１が鈍角であり、かつ第２角度が鋭角である点を除いて同一の構成を備える。本実施形態において、表示装置１の各発光素子は第２基板７の側に先端の側を有する錐台形状を有してもよい。本実施形態に係る表示装置１は、前実施形態に係る表示装置１の製造方法のうち、ステップＳ６における半導体層のエッチングの条件、およびステップＳ９における接合材６の形成の条件を変更した製造方法により製造できる。本実施形態に係る表示装置１は、前述した理由と同一の理由から、各発光素子からの光の取り出し効率を向上させる、また、各発光層の外側面における迷光が遠方まで伝搬することを低減し、表示品位を改善する。

【0080】

〔実施形態４〕
＜発光領域の凹凸＞
他の実施形態に係る表示装置について、図１３を参照して説明する。図１３は、本実施形態に係る表示装置１の拡大平面図であり、図１に示す領域と同一の領域を拡大して示す。

【0081】

本実施形態に係る表示装置１は、前述の各実施形態に係る表示装置１と比較して、各発光素子の発光領域の平面視における形状を除いて同一の構成を備える。本実施形態に係る何れかの発光素子の発光領域は、平面視において周囲よりも外側に突出する凸部と、平面視において周囲よりも内側に窪む凹部と、の少なくとも一方を有する。

【0082】

例えば、図１３に示すように、第１発光領域１４は凸部１８と凹部１９とを有し、第２発光領域２４は凸部２８と凹部２９とを有し、第３発光領域３４は凸部３８と凹部３９とを有する。本実施形態に係る表示装置１は、前実施形態に係る表示装置１の製造方法のうち、ステップＳ６における半導体層のエッチング位置を変更した製造方法により製造できる。

【0083】

なお、本実施形態において、各発光領域の端辺は、平面視における各発光領域の頂点同士を結ぶ線分上に位置するとする。このため、本実施形態においても、端辺１５と端辺２５との間、端辺２５と端辺３５との間、および端辺３５と端辺１５との間において、互いに向かい合う２辺は平面視において交差する方向に延伸する。本実施形態に係る表示装置１は、前述の理由と同一の理由から、発光素子の間における迷光の伝搬を低減して表示品位を改善する。

【0084】

さらに、本実施形態に係る各発光領域は凹部および凸部を備える。このため、本実施形態に係る表示装置１は、隣接する２つの発光層の向かい合う側面の延伸方向をさらに異ならせる。したがって、本実施形態に係る表示装置１は、前述の理由と同一の理由から、さらに発光素子の間における迷光の伝搬を低減して表示品位を改善する。

【0085】

〔実施形態５〕
＜発光素子の配列の変形例＞
他の実施形態に係る表示装置について、図１４を参照して説明する。図１４は、本実施形態に係る表示装置１の拡大平面図であり、図３に示す領域と同一の領域を拡大して示す。

【0086】

本実施形態に係る表示装置１は、前述の各実施形態に係る表示装置１と比較して、各発光素子の配列方法を除き構成が異なる。特に、本実施形態に係る表示装置１は、青色発光素子１０、緑色発光素子２０、および赤色発光素子３０の平面視における位置関係が、全ての画素Ｐにおいて同一である。本実施形態に係る表示装置１は、前実施形態に係る表示装置１の製造方法のうち、ステップＳ６における半導体層のエッチング位置を変更した製造方法により製造できる。

【0087】

ただし、本実施形態においても、青色発光素子１０は、当該青色発光素子１０を含む画素Ｐに含まれる緑色発光素子２０および赤色発光素子３０と隣接する。また、青色発光素子１０は、当該青色発光素子１０を含む画素Ｐとは異なる画素Ｐに含まれる、緑色発光素子４０および赤色発光素子５０と隣接する。さらに、本実施形態において各発光素子は、隣接する２つの発光素子の発光色が異なるように配置される。これにより表示装置１は、隣接する２つの発光素子の発光領域が見かけ上つながり実質的に解像度が低下することに伴う表示品位の低下を抑制する。

【0088】

〔実施形態６〕
＜ウェアラブルデバイス＞
図１５および図１６は、本実施形態に係るウェアラブルデバイスの構成例を表す概略断面図である。図１５に示すウェアラブルデバイス９０、および図１６に示すウェアラブルデバイス９１のそれぞれは、発光装置９２を備える。発光装置９２は、前述の各実施形態に係る画素Ｐを複数有し、画素Ｐは前述の各実施形態に係る青色発光素子１０、緑色発光素子２０、および赤色発光素子３０を含む。

【0089】

ウェアラブルデバイス９０、およびウェアラブルデバイス９１のそれぞれは、身体または他の装置等に装着可能である。図１５に示すように、ウェアラブルデバイス９０において、画素Ｐからの光は、そのまま人間の目あるいはセンサ等に入射してもよい。図１６に示すように、ウェアラブルデバイス９１において、画素Ｐからの光は、投影物９３を介して入射してもよい。ウェアラブルデバイス９０、およびウェアラブルデバイス９１のそれぞれは、発光装置９２の映像に外界９４を重ね合わせることもできる。

【0090】

＜まとめ＞
本開示の態様１に係る表示装置は、第１発光領域を有する第１発光素子と、前記第１発光素子と隣接するとともに第２発光領域を有する第２発光素子と、前記第１発光素子および前記第２発光素子の双方と隣接するとともに第３発光領域を有する第３発光素子を備え、平面視において、前記第１発光領域、前記第２発光領域、および前記第３発光領域のそれぞれの何れかの部分が互いに３回回転対称の位置にあり、前記第１発光領域と前記第２発光領域との間、前記第２発光領域と前記第３発光領域との間、および前記第３発光領域と前記第１発光領域との間において、平面視において向かい合う２辺は交差する方向に延伸する。

【0091】

本開示の態様２に係る表示装置は、上記の態様１において、平面視において、前記第１発光領域、前記第２発光領域、および前記第３発光領域のそれぞれの図心が互いに３回回転対称の位置にあってもよい。

【0092】

本開示の態様３に係る表示装置は、上記の態様１または２において、平面視において、前記第１発光領域、前記第２発光領域、および前記第３発光領域は同一の形状を有してもよい。

【0093】

本開示の態様４に係る表示装置は、上記の態様３において、平面視において、前記第１発光領域、前記第２発光領域、および前記第３発光領域のうち少なくとも一つが、他の何れかの発光領域を当該発光領域の外側を中心に回転させて、回転させた当該発光領域の内側を中心に回転させた領域と一致してもよい。

【0094】

本開示の態様５に係る表示装置は、上記の態様１から４の何れかにおいて、平面視において、前記第１発光領域、前記第２発光領域、および前記第３発光領域のそれぞれが四角形状であってもよい。

【0095】

本開示の態様６に係る表示装置は、上記の態様５において、平面視において、前記第１発光領域、前記第２発光領域、および前記第３発光領域のそれぞれがひし形、平行四辺形、または台形の何れかであってもよい。

【0096】

本開示の態様７に係る表示装置は、上記の態様１から６の何れかにおいて、前記第１発光素子は第１発光層を含み、前記第２発光素子は第２発光層を含み、前記第３発光素子は第３発光層を含んでもよい。

【0097】

本開示の態様８に係る表示装置は、上記の態様７において、前記第１発光素子、前記第２発光素子、および前記第３発光素子が位置する第１基板を備えてもよい。

【0098】

本開示の態様９に係る表示装置は、上記の態様８において、前記第１基板の、前記第１発光素子、前記第２発光素子、および前記第３発光素子の側の表面である第１表面と、前記第１発光層、前記第２発光層、および前記第３発光層の何れかの側面とが成す第１角度が鋭角または鈍角であってもよい。

【0099】

本開示の態様１０に係る表示装置は、上記の態様８または９において、前記第１発光層、前記第２発光層、および前記第３発光層のうち少なくとも２つは、互いに、前記第１基板の、前記第１発光素子、前記第２発光素子、および前記第３発光素子の側の表面である第１表面からの距離が異なってもよい。

【0100】

本開示の態様１１に係る表示装置は、上記の態様７から１０の何れかにおいて、前記第１発光素子、前記第２発光素子、および前記第３発光素子のそれぞれと接合材を介して接合する第２基板を備えてもよい。

【0101】

本開示の態様１２に係る表示装置は、上記の態様１１において、前記第２基板の、前記接合材の側の表面である第２表面と、前記第１発光層、前記第２発光層、および前記第３発光層の何れかの側面とが成す第２角度が鋭角または鈍角であってもよい。

【0102】

本開示の態様１３に係る表示装置は、上記の態様１１または１２において、前記第２基板は、前記第１発光素子、前記第２発光素子、および前記第３発光素子のそれぞれを駆動する画素回路を含んでもよい。

【0103】

本開示の態様１４に係る表示装置は、上記の態様１１から１３の何れかにおいて、前記第１発光層、前記第２発光層、および前記第３発光層のうち少なくとも２つは、互いに、前記第２基板の、前記接合材の側の表面である第２表面からの距離が異なってもよい。

【0104】

本開示の態様１５に係る表示装置は、上記の態様１から１４の何れかにおいて、平面視において、前記第１発光領域、前記第２発光領域、および前記第３発光領域の少なくとも一つは、平面視において周囲よりも外側に突出する凸部と、平面視において周囲よりも内側に窪む凹部と、の少なくとも一方を有してもよい。

【0105】

本開示の態様１６に係る表示装置は、上記の態様１から１５の何れかにおいて、前記第１発光素子は第１光を発し、前記第２発光素子は前記第１光と異なる波長を有する第２光を発し、前記第３発光素子は前記第１光および前記第２光の双方と異なる波長を有する第３光を発してもよい。

【0106】

本開示の態様１７に係る表示装置は、上記の態様１６において、平面視において前記第１発光素子に隣接するとともに前記第２光を発する第４発光素子と、平面視において前記第１発光素子に隣接するとともに前記第３光を発する第５発光素子と、を備えてもよい。

【0107】

本開示の態様１８に係る表示装置は、上記の態様１６または１７において、前記第１光が青色光であり、前記第２光が緑色光であり、前記第３光が赤色光であってもよい。

【0108】

本開示の態様１９に係る表示装置は、上記の態様１から１８の何れかにおいて、前記第１発光素子と、前記第２発光素子と、前記第３発光素子と、を含む発光装置を備えたウェアラブルデバイスであってもよい。

【0109】

本開示は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本開示の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。

【符号の説明】

【0110】

１ 表示装置
２ 第１基板
２Ｆ 第１表面
６ 接合材
７ 第２基板
７Ｆ 第２表面
１０ 青色発光素子（第１発光素子）
１３ 青色発光層（第１発光層）
１４ 第１発光領域
１６ （第１発光領域の）図心
２０ 緑色発光素子（第２発光素子）
２３ 緑色発光層（第２発光層）
２４ 第２発光領域
２６ （第２発光領域の）図心
３０ 赤色発光素子（第３発光素子）
３３ 赤色発光層（第３発光層）
３４ 第３発光領域
３６ （第３発光領域の）図心
７１ 画素回路
Ａ１ 第１角度
Ａ２ 第２角度

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】