特開 2024-180611 成膜装置および成膜方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024180611

(43)【公開日】2024-12-26

(54)【発明の名称】成膜装置および成膜方法

(51)【国際特許分類】

   C23C 16/505 20060101AFI20241219BHJP

   C23C 16/42 20060101ALI20241219BHJP

   H01L 21/31 20060101ALI20241219BHJP

【ＦＩ】

C23C16/505

C23C16/42

H01L21/31 C

【審査請求】未請求

【請求項の数】12

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2024181464

(22)【出願日】2024-10-17

(62)【分割の表示】P 2023573113の分割

【原出願日】2023-05-09

(31)【優先権主張番号】P 2022167462

(32)【優先日】2022-10-19

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(71)【出願人】

【識別番号】301071413

【氏名又は名称】株式会社 セルバック

(74)【代理人】

【識別番号】100095407

【弁理士】

【氏名又は名称】木村 満

(74)【代理人】

【識別番号】100132883

【弁理士】

【氏名又は名称】森川 泰司

(74)【代理人】

【識別番号】100174388

【弁理士】

【氏名又は名称】龍竹 史朗

(74)【代理人】

【識別番号】100165489

【弁理士】

【氏名又は名称】榊原 靖

(72)【発明者】

【氏名】和田 和夫

(57)【要約】

【課題】孔または溝の側壁に高い確度で選択的に成膜することができる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１は、チャンバ１０１と、基板を支持するステージ１９０と、チャンバ１０１内へ原料ガスを供給する原料ガス供給部と、チャンバ１０１内に供給される原料ガスに高周波の電磁場を印加することによりチャンバ１０１内にプラズマを発生させる高周波印加部１０２と、チャンバ１０１内の原料ガスを含む気体を排気するための真空ポンプ１８１と、基板に高周波のバイアスを印加するバイアス印加部１０６と、を備える。チャンバ１０１の周壁における基板のＺ軸方向への投影領域の－Ｘ方向側に位置する部分に導入口１０１２ａが配設され、周壁における投影領域の＋Ｘ方向側に位置する部分に排気口１０１１ａが配設されている。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

チャンバと、
前記チャンバ内に配置され孔または溝が形成された成膜対象物の成膜対象部分側とは反対側から前記成膜対象物を支持するステージと、
前記チャンバ内へ前記成膜対象物に成膜する膜の基となる原料ガスを導入する原料ガス供給部と、
前記チャンバ内に供給される前記原料ガスに高周波の電磁場を印加することにより前記チャンバ内にプラズマを発生させる高周波印加部と、
前記チャンバ内の原料ガスを含む気体を排気するためのポンプと、
前記ステージに支持された前記成膜対象物に高周波のバイアスを印加するバイアス印加部と、を備え、
前記チャンバには、周壁における前記ステージに保持された前記成膜対象物の前記ステージと前記成膜対象物との並び方向への投影領域を挟んで対向する一方に位置する部分に前記原料ガス供給部から前記原料ガスを前記チャンバの内側へ導入する導入口が配設され、前記周壁における前記投影領域を挟んで対向する他方に位置する部分に前記チャンバ内の前記気体を前記ポンプにより排気するための排気口が配設されている、
成膜装置。

【請求項2】

前記成膜対象物は、孔または溝が形成された基板であり、前記成膜対象部分が前記孔または前記溝の側壁であり、
前記原料ガス供給部は、前記チャンバ内へ前記膜の基となる原料ガスとして、ＳｉＨ_４ガスおよびＯ_２ガスを供給し、
前記チャンバ内の圧力は、１Ｐａで維持され、
前記チャンバ内へ導入される前記ＳｉＨ_４ガスの流量は、５ｓｃｃｍよりも大きく且つ３０ｓｃｃｍ未満であり、前記チャンバ内へ導入される前記Ｏ_２ガスの流量は、１０ｓｃｃｍよりも大きく且つ２００ｓｃｃｍ未満である、
請求項１に記載の成膜装置。

【請求項3】

前記バイアス印加部は、前記成膜対象物に１０００Ｗの高周波電力を印加し、
前記チャンバ内へ導入される前記ＳｉＨ_４ガスの流量は、１０ｓｃｃｍであり、
前記チャンバ内へ導入される前記Ｏ_２ガスの流量は、２０ｓｃｃｍである、
請求項２に記載の成膜装置。

【請求項4】

前記チャンバ内へ前記成膜対象物をエッチングするためのＡｒガスを導入するＡｒガス供給部を更に備え、
前記原料ガス供給部は、前記原料ガスを供給する前に、前記Ａｒガス供給部からＡｒガスを前記チャンバ内へ導入した状態で、前記高周波印加部が、前記チャンバ内に供給されたＡｒガスに高周波の電磁場を印加することにより前記チャンバ内にＡｒプラズマを発生させ、前記成膜対象物を前記Ａｒプラズマに２ｍｉｎ以上且つ１０ｍｉｎ以下の時間だけ曝露させ、
前記チャンバ内へ導入される前記Ａｒガスの流量は、３００ｓｃｃｍ以上且つ５００ｓｃｃｍ以下である、
請求項１から３のいずれか１項に記載の成膜装置。

【請求項5】

前記Ａｒプラズマ曝露工程において、前記チャンバ内の圧力は、２Ｐａで維持され、
前記チャンバ内へ導入される前記Ａｒガスの流量は、３００ｓｃｃｍである、
請求項４に記載の成膜装置。

【請求項6】

前記高周波印加部は、
高周波電力を発生する高周波発生源と、
前記チャンバの外側に配置されるとともに、前記チャンバ内に前記原料ガスが充填された状態で前記高周波発生源が発生した前記高周波電力が供給されることにより、前記チャンバ内に高周波磁界を発生させて前記チャンバ内にプラズマを発生させる誘導コイルと、を有し、
前記誘導コイルは、
平面視渦巻き状に延在し、中央部側の一端部が前記高周波発生源の出力端に電気的に接続され、外側の他端部が接地された第１渦巻き部と、
平面視渦巻き状に延在し、前記第１渦巻き部と隣り合う位置に配置されるとともに、中央部側の一端部が前記高周波発生源の出力端に電気的に接続され、外側の他端部が接地された第２渦巻き部と、を有し、
前記第２渦巻き部の巻回方向は、前記第１渦巻き部の巻回方向と逆向きである、
請求項１から３のいずれか１項に記載の成膜装置。

【請求項7】

ステージに支持された孔または溝が形成された成膜対象物に高周波電圧を印加しながら、前記成膜対象物に成膜する膜の元となる原料ガスを、前記成膜対象物の前記ステージと前記成膜対象物との並び方向への投影領域を挟んで対向する一方から前記成膜対象物の上側を通って前記投影領域を挟んで対向する他方へ流しつつ、前記原料ガスに高周波の電磁場を印加することによりプラズマを発生させることで、前記成膜対象物に成膜する成膜工程を含む、
成膜方法。

【請求項8】

前記成膜工程において、
前記ステージは、チャンバ内に配置され、
前記チャンバの周壁における前記成膜対象物の前記ステージと前記成膜対象物との並び方向への投影領域を挟んで対向する一方に位置する部分に配設された前記原料ガスを前記チャンバの内側へ導入する導入口から前記チャンバ内へ前記原料ガスを導入し、前記周壁における前記投影領域を挟んで対向する他方に位置する部分に配設された前記チャンバ内の前記原料ガスを含む気体を排気するための排気口から前記チャンバ内の前記気体を排出する、
請求項７に記載の成膜方法。

【請求項9】

前記成膜対象物は、孔または溝が形成された基板であり、成膜対象部分が前記孔または前記溝の側壁であり、
前記成膜工程において、
前記原料ガスは、少なくともＳｉＨ_４ガスおよびＯ_２ガスを含み、
成膜時の圧力を、１Ｐａで維持し、
前記ＳｉＨ_４ガスの流量を、５ｓｃｃｍよりも大きく且つ３０ｓｃｃｍ未満に設定し、
前記Ｏ_２ガスの流量を、１０ｓｃｃｍよりも大きく且つ２００ｓｃｃｍ未満に設定する、
請求項７または８に記載の成膜方法。

【請求項10】

前記成膜工程において、
前記ＳｉＨ_４ガスの流量を、１０ｓｃｃｍに設定し、
前記Ｏ_２ガスの流量を、２０ｓｃｃｍに設定し、
前記成膜対象物に１０００Ｗの高周波電力を印加する、
請求項９に記載の成膜方法。

【請求項11】

前記成膜工程の前に、Ａｒガスを前記ステージが内側に配置されたチャンバ内へ導入した状態で、前記チャンバ内に供給されたＡｒガスに高周波の電磁場を印加することにより前記チャンバ内にＡｒプラズマを発生させ、前記成膜対象物を前記Ａｒプラズマに２ｍｉｎ以上且つ１０ｍｉｎ以下の時間だけ曝露させるＡｒプラズマ曝露工程を更に含み、
前記チャンバ内へ導入される前記Ａｒガスの流量は、３００ｓｃｃｍ以上且つ５００ｓｃｃｍ以下である、
請求項７または８に記載の成膜方法。

【請求項12】

前記Ａｒプラズマ曝露工程において、
前記チャンバ内の圧力は、２Ｐａで維持され、
前記チャンバ内へ導入される前記Ａｒガスの流量は、３００ｓｃｃｍである、
請求項１１に記載の成膜方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、成膜装置および成膜方法に関する。

【背景技術】

【0002】

基板の前面側に沿って配置されたレベル間誘電体（ＩＬＤ）構造内に配されている複数の金属配線層と、基板の裏面側に沿って配された誘電体層と、誘電体層の上に配された導電性ボンドパッドと、複数の金属配線層のうちの１つの金属配線層から、基板および誘電体層を貫き、導電性ボンドパッドまで延伸する裏面側基板貫通ビア（ＢＴＳＶ）と、導電性ボンドパッドの上に配された導電性バンプと、ＢＴＳＶの側壁に沿って配されたＢＴＳＶライナを備える集積チップが提案されている（例えば特許文献１参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１９－９１８４０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

ところで、特許文献１に記載されたような集積チップの製造方法において、ＢＴＳＶ開口の底に露出する金属配線層とＢＴＳＶと間に誘電体膜が介在しないようにＢＴＳＶ開口の内壁にＢＴＳＶライナの元となる誘電体膜を高い確度で選択的に成膜することが要請されている。

【0005】

本発明は、上記事由に鑑みてなされたものであり、孔または溝の側壁に高い確度で選択的に成膜することができる成膜装置および成膜方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

上記目的を達成するために、本発明に係る成膜装置は、
チャンバと、
前記チャンバ内に配置され孔または溝が形成された成膜対象物の成膜対象部分側とは反対側から前記成膜対象物を支持するステージと、
前記チャンバ内へ前記成膜対象物に成膜する膜の基となる原料ガスを導入する原料ガス供給部と、
前記チャンバ内に供給される前記原料ガスに高周波の電磁場を印加することにより前記チャンバ内にプラズマを発生させる高周波印加部と、
前記チャンバ内の原料ガスを含む気体を排気するためのポンプと、
前記ステージに支持された前記成膜対象物に高周波のバイアスを印加するバイアス印加部と、を備え、
前記チャンバには、周壁における前記ステージに保持された前記成膜対象物の前記ステージと前記成膜対象物との並び方向への投影領域を挟んで対向する一方に位置する部分に前記原料ガス供給部から前記原料ガスを前記チャンバの内側へ導入する導入口が配設され、前記周壁における前記投影領域を挟んで対向する他方に位置する部分に前記チャンバ内の前記気体を前記ポンプにより排気するための排気口が配設されている。

【発明の効果】

【0007】

本発明によれば、導入口からチャンバ内に導入された原料ガスが、成膜対象物のステージ側とは反対側に沿って排気口に向かって流れるので、成膜対象部分が成膜対象物に形成された孔または溝の側壁である場合、孔または溝の底部分への膜の形成が抑制され、成膜対象部分である孔または溝の側壁に高い確度で選択的に成膜することができる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】本発明の実施の形態１に係る成膜装置の概略構成図である。

【図2】実施の形態１に係る成膜装置の正面図である。

【図3】実施の形態１に係る成膜装置の一部の底面図である。

【図4A】実施の形態１に係る半導体製造方法における多層構造形成工程後の状態を示す断面図である。

【図4B】実施の形態１に係る半導体製造方法における貫通孔形成工程後の状態を示す断面図である。

【図5A】実施の形態１に係る半導体製造方法における側壁成膜工程後の状態を示す断面図である。

【図5B】実施の形態１に係る半導体製造方法におけるシンタ工程後の状態を示す断面図である。

【図6】実施の形態１に係る半導体製造方法における電極埋込工程後の状態を示す断面図である。

【図7A】比較例１に係る成膜方法により成膜した基板の断面のＳＥＭ写真である。

【図7B】比較例２に係る成膜方法により成膜した基板の断面のＳＥＭ写真である。

【図7C】比較例３に係る成膜方法により成膜した基板の断面のＳＥＭ写真である。

【図8A】実施例１に係る成膜方法により成膜した基板の断面のＳＥＭ写真である。

【図8B】比較例４に係る成膜方法により成膜した基板の断面のＳＥＭ写真である。

【図8C】比較例５に係る成膜方法により成膜した基板の断面のＳＥＭ写真である。

【図9A】比較例６に係る成膜方法により成膜した基板の断面のＳＥＭ写真である。

【図9B】比較例７に係る成膜方法により成膜した基板の断面のＳＥＭ写真である。

【図10】本発明の実施の形態２に係る成膜装置の概略構成図である。

【図11A】実施例２に係る成膜方法により成膜した基板の断面のＳＥＭ写真である。

【図11B】実施例２に係る成膜方法により成膜した基板の断面のＳＥＭ写真である。

【図12A】実施例３に係る成膜方法により成膜した基板の断面のＳＥＭ写真である。

【図12B】実施例３に係る成膜方法により成膜した基板の断面のＳＥＭ写真である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

（実施の形態１）
以下、本発明の一実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。本発明に係る成膜装置は、チャンバと、チャンバ内に配置され成膜対象物の成膜対象部分側とは反対側から成膜対象物を支持するステージと、チャンバ内へ成膜対象物に成膜する膜の基となる原料ガスを導入する原料ガス供給部と、チャンバ内に供給される原料ガスまたはエッチャントガスに高周波の電磁場を印加することによりチャンバ内にプラズマを発生させる高周波印加部と、チャンバ内の原料ガスを含む気体を排気するためのポンプと、ステージに支持された成膜対象物に高周波のバイアスを印加するバイアス印加部と、を備える。そして、チャンバには、その周壁におけるステージに保持された成膜対象物のステージと成膜対象物との並び方向への投影領域を挟んで対向する一方に位置する部分に原料ガス供給部から原料ガスをチャンバの内側へ導入する導入口が配設され、周壁における投影領域を挟んで対向する他方に位置する部分にチャンバ内の気体をポンプにより排気するための排気口が配設されている。

【0010】

本実施の形態に係る成膜装置は、いわゆる誘導結合プラズマ型ＣＶＤ装置であり、図１に示すように、この成膜装置１は、チャンバ１０１と、ステージ１９０と、高周波印加部１０２と、バイアス印加部１０６と、原料ガス供給部１２１、１２２、１２３と、を備える。また、成膜装置１は、図２に示すように、チャンバ１０１を支持する支持台１０９を備える。この成膜装置１は、例えばチャンバ１０１内に配置された基板Ｗ１の上面側にＳｉＯ_２のような酸化膜、ＳｉＯＮのような酸窒化絶縁膜、ＳｉＮのような窒化膜等の絶縁膜を成膜する。ここで、基板Ｗ１は、例えばＳｉ基板、サファイヤ基板、ガラス基板等が挙げられる。

【0011】

チャンバ１０１は、扁平な矩形箱状であり厚さ方向における一面側が開放されたチャンバ本体１０１１と、チャンバ本体１０１１の開放部分を覆う蓋体１０１２と、を有する。蓋体１０１２は、環状でありチャンバ本体１０１１の＋Ｚ方向側の端面全体に亘って配設されたＯリングのようなシール部材（図示せず）を介してチャンバ本体１０１１に装着されておりチャンバ１０１内が密閉されている。また、蓋体１０１２を厚さ方向から見たときの蓋体１０１２の中央部には、開口部１０１２ｂが形成されている。そして、蓋体１０１２には、後述する供給管１２５から供給される原料ガス、エッチャントガスをチャンバ１０１内へ導入するための導入口１０１２ａが形成されている。この導入口１０１２ａは、蓋体１０１２の開口部１０１２ｂの内壁に開口している。また、蓋体１０１２の＋Ｚ方向側には、ガラスのような誘電体材料から形成され開口部１０１２ｂを閉塞するように配置された誘電体窓１４１と、誘電体窓１４１を蓋体１０１２に固定する窓固定部材１４２と、が配設されている。

【0012】

支持台１０９は、＋Ｚ方向側にチャンバ１０１が載置されたベース部材１０９２と、ベース部材１０９２を支持する支持フレーム１０９１と、を有する。支持フレーム１０９１は、外形が略直方体状となるようにフレームを組み合わせることにより形成されており、内側にフレームで囲まれた略直方体状の領域Ｓ１が形成されている。

【0013】

図１に戻って、ステージ１９０は、チャンバ１０１内に配置され、絶縁膜を成膜する対象となる基板Ｗ１を支持する。このステージ１９０は、Ａｌ、ＳＵＳ、Ｃｕ等の金属で形成されている。また、ステージ１９０には、基板Ｗ１を加熱するためのヒータ１９１が埋設されている。

【0014】

原料ガス供給部１２１、１２２、１２３は、チャンバ１０１内へ絶縁膜の基となる原料ガスを導入する。原料ガスとしては、例えばＳｉＨ_４、Ｏ_２、Ｎ_２が挙げられる。原料ガス供給部１２１は、例えばＳｉＨ_４ガスを貯留するガス貯留部１２１ａと、ガス貯留部１２１ａからＳｉＨ_４ガスが供給される供給管１２１ｂと、を有する。また、原料ガス供給部１２１は、供給管１２１ｂに接続され供給管１２１ｂを流れる原料ガスを希釈するための希釈用ガスを供給管１２１ｂ内へ供給する供給管１２１ｅを有する。希釈用ガスとしては、例えばＨ_２ガスを採用することができる。更に、原料ガス供給部１２１は、供給管１２１ｂを流れる原料ガスの流量を調節するための流量調節バルブ１２１ｃと、供給管１２１ｅを流れる希釈用ガスの流量を調節するための流量調節バルブ１２１ｄと、を有する。原料ガス供給部１２２は、例えばＯ_２ガスを貯留するガス貯留部１２２ａと、ガス貯留部１２１ａからＯ_２ガスが供給される供給管１２２ｂと、供給管１２２ｂを流れるＯ_２ガスの流量を調節するための流量調節バルブ１２２ｃと、を有する。原料ガス供給部１２３は、例えばＮ_２ガスを貯留するガス貯留部１２３ａと、ガス貯留部１２３ａからＮ_２ガスが供給される供給管１２３ｂと、供給管１２３ｂを流れるＮ_２ガスの流量を調節するための流量調節バルブ１２３ｃと、を有する。供給管１２１ｂ、１２２ｂ、１２３ｂは、供給管１２５に共通接続されている。供給管１２５は、図２に示すように、長尺の管状であり供給管１２１ｂ、１２２ｂ、１２３ｂが共通接続された第１部位１２５１と、長尺の管状であり一端部で第１部位１２５１の内側に連通し＋Ｚ方向側まで屈曲しながら延在する第２部位１２５２と、を有する。また、供給管１２５の第２部位１２５２の他端部は、結合部１２５３を介して蓋体１０１２に配設された後述する導入口１０１２ａに連通している。

【0015】

図１に戻って、チャンバ１０１には、周壁おけるステージ１０９に保持された基板Ｗ１のステージ１９０と基板Ｗ１の並び方向、即ちＺ軸方向の投影領域Ａ１を挟んで対向する－Ｘ方向に位置する部分に原料ガスをチャンバ１０１の内側へ導入する導入口１０１２ａが配設されている。また、チャンバ１０１の周壁における投影領域Ａ１を挟んで対向する＋Ｘ方向に位置する部分には、チャンバ１０１内の原料ガスが真空ポンプ１８１により排気される排気口１０１１ａが配設されている。真空ポンプ１８１は、チャンバ１０１の周壁に配設された排気口１０１１ａに連通する排気管１８２に接続されている。真空ポンプ１８１は、例えばターボ分子ポンプを採用することができる。この真空ポンプ１８１が動作することにより、チャンバ１０１内の原料ガスを含む気体が排気口１０１１ａおよび排気管１８２を通じて排気され、チャンバ１０１内が減圧状態となる。

【0016】

高周波印加部１０２は、高周波電力を発生する高周波発生源１０２１と、整合器１０２２と、チャンバ１０１の外側においてチャンバ１０１の誘電体窓１４１に対向して配置された誘導コイル１０２３と、を有する。また、高周波印加部１０２は、図２に示すように、扁平な矩形箱状であり高周波発生源１０２１および整合器１０２２を収納する筐体１０２４ａと、扁平な矩形箱状であり誘導コイル１０２３の一部を収納する筐体１０２４ｂと、を有する。更に、高周波印加部１０２は、筐体１０２４ｂの－Ｚ方向側において誘導コイル１０２３を囲繞するように配置された枠体１０２５を有する。

【0017】

誘導コイル１０２３は、金属のような導体から長尺に形成され、チャンバ１０１の外側に配置されるとともに、チャンバ１０１内に原料ガスのような気体が充填された状態で高周波発生源１０２１から高周波電力が供給されることにより、チャンバ１０１内に高周波磁界を発生させてチャンバ１０１内にプラズマＰＬＭを発生させる。誘導コイル１０２３は、枠体１０２５の内側における＋Ｙ方向側の領域に配置されたサブコイル１０２３１と－Ｙ方向側に配置されたサブコイル１０２３２とを含む。また、筐体１０２４ｂの内側の領域と枠体１０２５の内側の領域は、図３に示す遮蔽板１０２４ｃにより隔てられており、誘導コイル１０２３は、この遮蔽板１０２４ｃに固定されている。

【0018】

サブコイル１０２３１は、図３に示すように、平面視渦巻き状に延在している渦巻き部１０２３１ａと、平面視渦巻き状に延在しＸ軸方向において渦巻き部１０２３１ａと隣り合う位置に配置された渦巻き部１０２３１ｂと、を有する。ここで、渦巻き部１０２３１ａ、１０２３１ｂは、それぞれ、最も外側に位置する端部が固定部材１０２３３を介して遮蔽板１０２４ｃに接地されている。渦巻き部１０２３１ａは、－Ｚ方向側から見たときに右回りに渦巻き状に延在しており、渦巻き部１０２３１ｂは、左回りに渦巻き状に延在している。また、サブコイル１０２３１は、渦巻き部１０２３１ａ、１０２３１ｂの最も外側における＋Ｙ方向置された端部同士を連結する連結部１０２３１ｃを有する。更に、サブコイル１０２３１の渦巻き部１０２３１ａ、１０２３１ｂそれぞれのＸ軸方向における中央部に配置された端部は、高周波発生源１０２１の出力端に電気的に接続されている。また、サブコイル１０２３２も、平面視渦巻き状に延在している渦巻き部１０２３２ａと、平面視渦巻き状に延在しＸ軸方向において渦巻き部１０２３２ａと隣り合う位置に配置された渦巻き部１０２３２ｂと、を有する。ここで、渦巻き部１０２３１ａ、１０２３１ｂは、それぞれ、最も外側に位置する端部が固定部材１０２３３を介して遮蔽板１０２４ｃに接地されている。渦巻き部１０２３２ａは、－Ｚ方向側から見たときに左回りに渦巻き状に延在し、渦巻き部１０２３２ｂは、右回りに渦巻き状に延在している。また、サブコイル１０２３２も、渦巻き部１０２３２ａ、１０２３２ｂの最も外側における＋Ｙ方向側に配置された端部同士を連結する連結部１０２３２ｃを有する。更に、サブコイル１０２３２の渦巻き部１０２３２ａ、１０２３２ｂそれぞれのＸ軸方向における中央部に配置された端部も、高周波発生源１０２１の出力端に電気的に接続されている。

【0019】

遮蔽板１０２４ｃは、Ｙ軸方向における中央部よりも＋Ｙ方向側でＸ軸方向に並列し遮蔽板１０２４ｃの厚さ方向に貫通する４つの貫通孔１０２４ｃ１が設けられている。そして、サブコイル１０２３１、１０２３２それぞれの端部が、遮蔽板１０２４ｃの－Ｚ方向側から貫通孔１０２４ｃ１に挿通されて遮蔽板１０２４ｃの＋Ｚ方向側へ延在している。また、サブコイル１０２３１、１０２３２それぞれの端部は、絶縁保持部１０２３５を介して遮蔽板１０２４ｃに固定されている。絶縁保持部１０２３５は、例えばセラミックスから形成されている。

【0020】

また、サブコイル１０２３１の渦巻き部１０２３１ａ、１０２３１ｂそれぞれの最も－Ｙ方向側の部分が、遮蔽板１０２４ｃの－Ｚ方向側に配置された固定部材１０２３４により遮蔽板１０２４ｃに固定され、渦巻き部１０２３１ａ、１０２３１ｂそれぞれの連結部１０２３１ｃに接続される端部が、遮蔽板１０２４ｃの－Ｚ方向側に配置された固定部材１０２３３により遮蔽板１０２４ｃに固定されている。また、サブコイル１０２３２の渦巻き部１０２３２ａ、１０２３２ｂそれぞれの最も－Ｙ方向側の部分も、遮蔽板１０２４ｃの－Ｚ方向側に配置された固定部材１０２３４より遮蔽板１０２４ｃに固定され、渦巻き部１０２３２ａ、１０２３２ｂそれぞれの連結部１０２３２ｃに接続される端部も、遮蔽板１０２４ｃの－Ｚ方向側に配置された固定部材１０２３３より遮蔽板１０２４ｃに固定されている。ここで、固定部材１０２３４は、サブコイル１０２３１、１０２３２が内側に配置される溝が形成された絶縁ブロック１０２３４ａと、平面視長方形状であり絶縁ブロック１０２３４ａにおける溝１０２３４ａ２側に配置されサブコイル１０２３１、１０２３２を絶縁ブロック１０２３４ａに固定するための固定片１０２３４ｂと、を有する。絶縁ブロック１０２３４ａは、例えばセラミックスから形成され、固定片１０２３４ｂは、例えば銅のような金属から形成されている。固定部材１０２３３は、例えば銅のような金属から形成されている。

【0021】

図１に戻って、高周波印加部１０２は、誘導コイル１０２３に高周波数（例えば周波数１３．５６ＭＨｚ）の交流を印加することにより、チャンバ１０１内に供給された原料ガスまたはエッチャントガスに高周波数の電磁場を印加する。これにより、チャンバ１０１内にプラズマＰＬＭが発生する。バイアス印加部１０６は、ステージ１９０に支持された基板Ｗ１に高周波のバイアスを印加する。バイアス印加部１０６は、ステージ１９０に対して０Ｖと－２０００Ｖの負電圧との間で振動する高周波電圧（例えば周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電圧）を印加する。バイアス印加部１０６は、高周波発生源１０６１と整合器１０６２とを有する。

【0022】

次に、本実施の形態に係る配線層の製造方法について図４乃至図６を参照しながら説明する。まず、図４Ａに示すような、Ｓｉ基板である基板Ｗ１と、基板Ｗ１上に形成された絶縁体層Ｌ１と、絶縁体層Ｌ１に埋設された金属層Ｐ１と、金属層Ｐ１上に形成された金属層Ｐ２と、金属層Ｐ２を覆うように形成された絶縁体層Ｌ３と、絶縁体層Ｌ３上に形成された絶縁体層Ｌ４と、絶縁体層Ｌ２上に配置されたＳｉ基板である基板Ｗ２と、基板Ｗ２上に形成された絶縁体層Ｌ２と、を備える複合基板を準備する。ここで、絶縁体層Ｌ１、Ｌ２、Ｌ４は、ＳｉＯ_２から形成され、絶縁体層Ｌ３は、ＳｉＮから形成されている。また、金属層Ｐ１は、Ｃｕから形成され、金属層Ｐ２は、ＴｉまたはＮｉから形成されている。更に、基板Ｗ２の厚さＴＨ１は、例えば３０μｍ以上５０μｍ以下に設定されている。

【0023】

次に、図４Ｂに示すように、絶縁体層Ｌ２、基板Ｗ２、絶縁体層Ｌ４、Ｌ３を貫通して金属層Ｐ２の表面にまで到達する貫通孔ＴＲ１をエッチングにより形成する。続いて、本実施の形態に係る成膜装置１を使用して、図５Ａに示すように、貫通孔ＴＲ１の内側壁並びに絶縁体層Ｌ２の上面にライナ層Ｌ５を形成する。ここで、ライナ層Ｌ５は、ＳｉＯ_２、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ等から形成されている。ここで、複合基板におけるライナ層Ｌ５を成膜する成膜対象部分は、貫通孔ＴＲ１の側壁になる。ここで、成膜装置１は、ステージ１９０により絶縁体層Ｌ２側とは反対側から支持された複合基板成にバイアス印加部１０６により高周波電圧を印加しながら、ＳｉＨ_４ガスおよびＯ_２ガスを、複合基板の厚さ方向への投影領域（図１の投影領域Ａ１を参照）を挟んで対向する一方から複合基板の絶縁体層Ｌ２側を通って投影領域を挟んで対向する他方へ流しつつ、ＳｉＨ_４ガスおよびＯ_２ガスに高周波の電磁場を印加することによりプラズマを発生させることで、貫通孔ＴＲ１の側壁にＳｉＯ_２から形成されたライナ層Ｌ５を成膜する。このとき、チャンバ１０１内の圧力を、１Ｐａで維持する。また、チャンバ１０１内へ導入されるＳｉＨ_４ガスの流量は、５ｓｃｃｍよりも大きく且つ３０ｓｃｃｍ未満に設定され、チャンバ１０１内へ導入されるＯ_２ガスの流量は、１０ｓｃｃｍよりも大きく且つ２００ｓｃｃｍ未満に設定される。その後、複合基板を加熱することにより図５Ｂに示すように、メタライズ層Ｐ３を形成する。次に、図６に示すように、貫通孔ＴＲ１を金属層Ｐ４で埋め込むことにより配線層を形成する。

【0024】

ここで、本実施の形態に係る成膜方法の一実施例の成膜方法について、比較例に係る成膜方法と比較しながら説明する。実施例１並びに比較例１乃至７に係る成膜方法では、幅１μｍ、深さ３μｍ、長さ５０ｍｍの溝を５μｍ間隔で５本形成された直径４インチのＳｉ基板上にＳｉＯ_２膜の成膜を行った。この溝が形成されたＳｉ基板は、次のようにして作製した。まず、硫酸と過酸化水素水との混合液（ＳＰＭ）を用いてスピン洗浄を行うことによりＳｉ基板表面に付着した有機物を除去した後、Ｓｉ基板を９０℃で９０分間維持することにより乾燥させた。次に、スピンコート技術を利用してヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）をＳｉ基板表面に塗布した後、ポジ型のフォトレジストをＳｉ基板表面に塗布した。続いて、フォトレジストにおける溝を形成する部分に対応する箇所にレーザ光を照射した後、フォトレジストを１１０℃で９０分間維持した。そして、Ｓｉ基板を現像液に浸漬させることによりレーザ光が照射された部分を除去してから、フォトレジストをマスクとしてドライエッチングを行いＳｉ基板に溝を形成し、その後、レジストを除去することで溝が形成されたＳｉ基板を得た。

【0025】

実施例並びに比較例に係る成膜方法では、溝が形成されたＳｉ基板を、前述のステージ１９０に保持させてから、チャンバ１０１内にＳｉＨ_４ガス、Ｏ_２ガス、Ｎ_２ガスを導入するとともに、バイアス印加部１０６によりＳｉ基板に高周波バイアスを印加しつつＳｉＯ_２の成膜を行った。ここで、実施例１並びに比較例１乃至７に係る成膜方法では、いずれもチャンバ１０１内の圧力を１Ｐａで維持した。実施例１並びに比較例１乃至７に係る成膜方法それぞれにおける各原料ガスのガス流量、高周波印加部１０２から出力される高周波電力（ＲＦ電力（ＩＣＰ））、バイアス印加部１０６から出力される高周波電力（ＲＦ電力（Ｂｉａｓ））並びに成膜時間は、下記表１に示す通りである。

【0026】

【表1】

【0027】

なお、比較例４に係る成膜方法では、表１の「比較例４」に対応する上段の条件でＳｉＯ_２膜の成膜を行った後、下段の条件でＳｉＯ_２膜の成膜を行った。また、比較例５に係る成膜方法では、表１の「比較例５」に対応する条件でＳｉＯ_２膜の成膜を行った後、エッチャントガスであるＣＦ_４ガスを２００ｓｃｃｍの流量でチャンバ１０１内に供給してチャンバ１０１内の圧力を１Ｐａで維持した状態で１０分間ＳｉＯ_２膜をエッチングする処理を１２回繰り返した。

【0028】

比較例１乃至３に係る成膜方法によりＳｉＯ_２膜の成膜を行った後の前述のＳｉ基板の断面をＳＥＭで観察した結果を、それぞれ、図７Ａ乃至図７Ｃに示す。図７Ａ乃至図７Ｃの破線で囲んだ部分ＰＡ１１、ＰＡ２１、ＰＡ３１に示すように、いずれの成膜方法においても溝の上端がＳｉＯ_２膜で塞がれた状態となった。また、溝の底部には、破線で囲んだ部分ＰＡ１２、ＰＡ２２、ＰＡ３２に示すように、いずれの成膜方法においても高さ約３００ｎｍ乃至４００ｎｍのＳｉＯ_２膜の堆積が確認された。

【0029】

実施例１並びに比較例４、５に係る成膜方法によりＳｉＯ_２膜の成膜を行った後の前述のＳｉ基板の断面をＳＥＭで観察した結果を、それぞれ、図８Ａ乃至図８Ｃに示す。図８Ａに示すように、実施例１に係る成膜方法では、溝の上端がＳｉＯ_２膜で塞がれておらず、且つ、溝の底部にもＳｉＯ_２膜の堆積が確認されなかった。即ち、ＳｉＯ_２膜が、溝の側壁のみに選択的に形成されていることが確認された。一方、図８Ｂおよび図８Ｃの破線で囲んだ部分ＰＡ４１、ＰＡ４２に示すように、比較例４、５に係る成膜方法では、溝の一部がＳｉＯ_２膜で塞がれた状態となった。なお、比較例４、５のいずれの成膜方法においても溝の底部にＳｉＯ_２膜の堆積は確認されなかった。

【0030】

比較例６、７に係る成膜方法によりＳｉＯ_２膜の成膜を行った後の前述のＳｉ基板の断面をＳＥＭで観察した結果を、それぞれ、図９Ａおよび図９Ｂに示す。図９Ａおよび図９Ｂに示すように、比較例６、７に係る成膜方法では、溝の側壁から底部に亘ってＳｉＯ_２膜が堆積した状態が確認された。

【0031】

これらの結果から、溝の側壁に選択的にＳｉＯ_２膜を成膜する場合、成膜時にチャンバ１０１内へ導入されるＳｉＨ_４ガスの流量が、５ｓｃｃｍよりも大きく且つ３０ｓｃｃｍ未満であり、チャンバ１０１内へ導入されるＯ_２ガスの流量が、１０ｓｃｃｍよりも大きく且つ３０ｓｃｃｍ未満であることが好ましいことが判った。特に、実施例１に係る成膜方法に対応する結果から、成膜時において、バイアス印加部１０６によりＳｉ基板に１０００Ｗの高周波電力を印加しつつ、チャンバ１０１内へ導入されるＳｉＨ_４ガスの流量を１０ｓｃｃｍとし、チャンバ１０１内へ導入されるＯ_２ガスの流量を、２０ｓｃｃｍとすることがより好ましいことが判った。

【0032】

以上説明したように、本実施の形態に係る成膜装置１によれば、チャンバ１０１の導入口１０１２ａからチャンバ１０１内に導入された原料ガスが、複合基板の表面に沿ってチャンバ１０１の排気口１０１１ａに向かって流れる。従って、例えば図４Ｂに示すように、複合基板に貫通孔ＴＲ１が形成されている場合、貫通孔ＴＲ１の底の金属層Ｐ２が露出した部分への膜形成が抑制され、貫通孔ＴＲ１の側壁に高い確度で選択的にライナ層Ｌ５を成膜することができる。

【0033】

また、本実施の形態に係る誘導コイル１０２３は、サブコイル１０２３１、１０２３２を有し、サブコイル１０２３１の渦巻き部１０２３１ａの巻回方向が、渦巻き部１０２３１ｂの巻回方向と逆向きになっている。また、サブコイル１０２３２の渦巻き部１０２３２ａの巻回方向も、渦巻き部１０２３２ｂの巻回方向と逆向きになっている。これにより、サブコイル１０２３１、１０２３２それぞれで発生する磁場の分布を均一にすることができるので、チャンバ１０１内に比較的均一なプラズマＰＬＭを発生させることができる。

【0034】

（実施の形態２）
本実施の形態に係る成膜方法は、成膜対象物の成膜対象部分側基板上に絶縁体層を成膜する成膜工程の前に、Ａｒガスをチャンバ内へ導入した状態で、チャンバ内に供給されたＡｒガスに高周波の電磁場を印加することによりチャンバ内にＡｒプラズマを発生させ、成膜対象物の成膜対象部分側を、Ａｒイオンを含むＡｒプラズマに曝露させるＡｒプラズマ曝露工程を含む点で実施の形態１と相違する。

【0035】

図１０に示すように、本実施の形態に係る成膜装置２００１は、チャンバ１０１と、ステージ１９０と、高周波印加部１０２と、バイアス印加部１０６と、原料ガス供給部１２１、１２２、１２３と、Ａｒガス供給部２１２４と、を備える。なお、図１０において、実施の形態１と同様の構成については図１と同一の符号を付している。Ａｒガス供給部２１２４は、チャンバ１０１内へＡｒガスを導入する。Ａｒガス供給部２１２４は、例えばＡｒガスを貯留するガス貯留部１２４ａと、ガス貯留部１２４ａからＡｒガスが供給される供給管１２４ｂと、を有する。また、Ａｒガス供給部２１２４は、供給管１２４ｂに接続され供給管１２４ｂを流れるＡｒガスを希釈するための希釈用ガスを供給管１２４ｂ内へ供給する供給管１２４ｅを有する。希釈用ガスとしては、例えばＨ_２ガスを採用することができる。更に、Ａｒガス供給部２１２４は、供給管１２４ｂを流れるＡｒガスの流量を調節するための流量調節バルブ１２４ｃと、供給管１２４ｅを流れる希釈用ガスの流量を調節するための流量調節バルブ１２４ｄと、を有する。また、供給管１２４ｂは、蓋体１０１２に配設された導入口（図示せず）を介してチャンバ１０１内に連通している。

【0036】

本実施の形態に係る配線層の製造方法は、実施の形態１に係る配線層の製造方法と略同様であり、図５Ａに示すように、貫通孔ＴＲ１の内側壁並びに絶縁体層Ｌ２の上面にライナ層Ｌ５を形成する工程のみが実施の形態１と相違する。本実施の形態では、まず、成膜装置２００１において、Ａｒガスをチャンバ１０１内へ導入した状態で、チャンバ１０１内に供給されたＡｒガスに高周波の電磁場を印加することによりチャンバ１０１内にプラズマを発生させる。そして、チャンバ１０１内において、複合基板における貫通孔ＴＲ１が開口する側を、Ａｒイオンを含むプラズマに２ｍｉｎ以上且つ１０ｍｉｎ以下の時間だけ曝露させるＡｒプラズマ曝露工程を行う。ここで、チャンバ１０１内へ導入されるＡｒガスの流量は、３００ｓｃｃｍ以上且つ５００ｓｃｃｍ以下に設定される。また、チャンバ１０１内の圧力は、２Ｐａで維持される。Ａｒプラズマ曝露工程において、プラズマに含まれるＡｒが貫通孔ＴＲ１の側壁に照射され、貫通孔ＴＲ１の開口端部がエッチングされる。次に、成膜装置２００１は、チャンバ１０１内からＡｒガスを排出した後、ステージ１９０により絶縁体層Ｌ２側とは反対側から支持された複合基板成にバイアス印加部１０６により高周波電圧を印加しながら、ＳｉＨ_４ガスおよびＯ_２ガスをチャンバ１０１内に導入して、ＳｉＨ_４ガスおよびＯ_２ガスに高周波の電磁場を印加することによりプラズマを発生させることで、貫通孔ＴＲ１の側壁にＳｉＯ_２から形成されたライナ層Ｌ５を成膜する成膜工程を行う。このとき、チャンバ１０１内の圧力を、１Ｐａで維持する。

【0037】

ここで、本実施の形態に係る成膜方法の実施例２および実施例３の成膜方法について説明する。各実施例に係る成膜方法では、前述の実施例１と同様に、幅１μｍ、深さ３μｍ、長さ５０ｍｍの溝を５μｍ間隔で５本形成された直径４インチのＳｉ基板上にＳｉＯ_２膜の成膜を行った。この溝が形成されたＳｉ基板の作製方法は、前述の実施例１の場合と同様である。実施例２、３に係る成膜方法では、溝が形成されたＳｉ基板を、前述のステージ１９０に保持させてから、前述のＡｒプラズマ曝露工程を行った後、チャンバ１０１内にＳｉＨ_４ガス、Ｏ_２ガス、Ｎ_２ガスを導入するとともに、バイアス印加部１０６によりＳｉ基板に高周波バイアスを印加しつつＳｉＯ_２の成膜を行う成膜工程を行った。ここで、実施例２および実施例３に係る成膜方法では、いずれもＡｒプラズマ曝露工程におけるチャンバ１０１内の圧力を２Ｐａで維持し、Ａｒガスの流量を４００ｓｃｃｍに設定した。また、Ａｒプラズマ曝露工程におけるＳｉ基板の溝が形成された面側のＡｒイオンを含むプラズマへの曝露時間は、実施例２では１０ｍｉｎに設定し、実施例３では５ｍｉｎに設定した。また、実施例２および実施例３に係る成膜工程におけるＳｉＨ_４ガス、Ｏ_２ガス、Ｎ_２ガスそれぞれのガス流量は、いずれも１０ｓｃｃｍ、１００ｓｃｃｍ、１００ｓｃｃｍに設定し、チャンバ１０１内の圧力を１Ｐａで維持した。更に、高周波印加部１０２から出力される高周波電力（ＲＦ電力（ＩＣＰ））、バイアス印加部１０６から出力される高周波電力（ＲＦ電力（Ｂｉａｓ））は、いずれも１００Ｗ、５００Ｗに設定した。また、実施例２に係る成膜工程における成膜時間は、６０ｍｉｎに設定し、実施例３に係る成膜工程における成膜時間は、１００ｍｉｎに設定した。

【0038】

実施例２に係る成膜方法によりＳｉＯ_２膜の成膜を行った後の前述のＳｉ基板の断面をＳＥＭで観察した結果を、それぞれ、図１１Ａおよび図１１Ｂに示す。なお、図１１Ｂの写真は、図１１Ａの写真における破線で囲んだ部分ＡＰ２０１を拡大した写真である。図１１Ａおよび図１１Ｂに示すように、実施例２に係る成膜方法では、溝の上端がＳｉＯ_２膜で塞がれておらず、且つ、溝の底部にもＳｉＯ_２膜の堆積が確認されなかった。即ち、ＳｉＯ_２膜が、溝の側壁のみに選択的に形成されていることが確認された。また、実施例３に係る成膜方法によりＳｉＯ_２膜の成膜を行った後の前述のＳｉ基板の断面をＳＥＭで観察した結果を、それぞれ、図１２Ａおよび図１２Ｂに示す。なお、図１２Ｂの写真は、図１２Ａの写真における破線で囲んだ部分ＡＰ２０２を拡大した写真である。図１２Ａおよび図１２Ｂに示すように、実施例２に係る成膜方法においても、溝の上端がＳｉＯ_２膜で塞がれておらず、且つ、溝の底部にもＳｉＯ_２膜の堆積が確認されなかった。即ち、ＳｉＯ_２膜が、溝の側壁のみに選択的に形成されていることが確認された。また、図８Ａの写真と、図１１Ａ乃至図１２Ｂの写真との比較結果から、実施例２および実施例３に係る成膜方法では、実施例１に係る成膜方法に比べて、ＳｉＯ_２膜が溝の側壁に選択的に成膜されていることが確認できる。

【0039】

これらの結果から、溝の側壁に選択的にＳｉＯ_２膜を成膜する場合、成膜工程の前に、Ｓｉ基板の溝が形成された面側を、Ａｒイオンを含むプラズマに曝露することが好ましいことが判った。

【0040】

以上説明したように、本実施の形態に係る成膜方法によれば、ＳｉＯ_２膜を成膜する成膜工程の前に、Ａｒガスをチャンバ１０１内へ導入した状態で、チャンバ１０１内に供給されたＡｒガスに高周波の電磁場を印加することによりチャンバ１０１内にプラズマを発生させ、複合基板をプラズマに曝露させるＡｒプラズマ曝露工程を含む。これにより、例えば図４Ｂに示すように、複合基板に貫通孔ＴＲ１が形成されている場合、貫通孔ＴＲ１の底の金属層Ｐ２が露出した部分への膜形成が抑制され、貫通孔ＴＲ１の側壁に高い確度で選択的にライナ層Ｌ５を成膜することができる。

【0041】

以上、本発明の各実施の形態について説明したが、本発明は前述の実施の形態の構成に限定されるものではない。例えば基板Ｗ上にＳｉＮ膜、ＡｌＮ膜等の他の種類の膜を成膜するものであってもよい。

【0042】

本発明は、本発明の広義の精神と範囲を逸脱することなく、様々な実施の形態及び変形が可能とされるものである。また、上述した実施の形態は、この発明を説明するためのものであり、本発明の範囲を限定するものではない。すなわち、本発明の範囲は、実施の形態ではなく、請求の範囲によって示される。そして、請求の範囲内及びそれと同等の発明の意義の範囲内で施される様々な変形が、この発明の範囲内とみなされる。

【0043】

本出願は、２０２２年１０月１９日に出願された日本国特許出願特願２０２２－１６７４６２号に基づく。本明細書中に日本国特許出願特願２０２２－１６７４６２号の明細書、特許請求の範囲および図面全体を参照として取り込むものとする。

【産業上の利用可能性】

【0044】

本発明は、ＭＥＭＳ（Micro Electron Mechanical System）、ＭＯＳ－ＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor）等の電子デバイスの製造に好適である。

【符号の説明】

【0045】

１，２００１：成膜装置、１０１：チャンバ、１０２：高周波印加部、１０６：バイアス印加部、１０９：支持台、１２１、１２２、１２３：原料ガス供給部、１８１：真空ポンプ、１８２：排気管、１９０：ステージ、１２１ａ，１２２ａ、１２３ａ、１２４ａ：ガス貯留部、１２１ｂ，１２１ｅ，１２２ｂ，１２３ｂ，１２４ｂ，１２４ｅ，１２５：供給管、１２１ｃ，１２１ｄ，１２２ｃ，１２３ｃ、１２４ｃ、１２４ｄ：流量調節バルブ、１４１：誘電体窓、１４２：窓固定部材、１９０：ステージ、１９１：ヒータ、１０１１：チャンバ本体、１０１１ａ：排気口、１０１２：蓋体、１０１２ａ：導入口、１０１２ｂ：開口部、１０２１，１０６１：高周波発生源、１０２２，１０６２：整合器、１０２３：誘導コイル、１０２４ａ，１０２４ｂ：筐体、１０２４ｃ：遮蔽板、１０２４ｃ１：貫通孔、１０２５：枠体、１０９１：支持フレーム、１０９２：ベース部材、１２５１：第１部位、１２５２：第２部位、１２５３：結合部、２１２４：Ａｒガス供給部、１０２３１，１０２３２：サブコイル、１０２３１ａ，１０２３１ｂ，１０２３２ａ，１０２３２ｂ：渦巻き部、１０２３１ｃ，１０２３２ｃ：連結部、１０２３３，１０２３４：固定部材、１０２３４ａ：絶縁ブロック、１０２３４ｂ：固定片、１０２３５：絶縁保持部、Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３：絶縁体層、Ｌ５：ライナ層、Ｐ１，Ｐ２：金属層、Ｐ３：メタライズ層、ＰＬＭ：プラズマ、ＴＲ１：貫通孔、Ｗ１，Ｗ２：基板

【図1】

【図2】

【図3】

【図4A】

【図4B】

【図5A】

【図5B】

【図6】

【図7A】

【図7B】

【図7C】

【図8A】

【図8B】

【図8C】

【図9A】

【図9B】

【図10】

【図11A】

【図11B】

【図12A】

【図12B】