特開2024-180784IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

撮像装置、撮像装置の制御方法、及びプログラムに関するものである。

要約特許出願時に添付された[要約書]

【課題】低照度撮影においても画質の低下を抑制可能な撮像装置を提供する。
【解決手段】撮像装置であって、アバランシェフォトダイオードを有する光電変換素子と、補正対象となる画素の位置情報に基づいて、光電変換素子が取得した信号に対して補正を行う信号処理部と、1フレーム分の信号を取得する期間におけるパルス信号のパルス数を制御する制御手段と、を有し、信号処理部が補正を行う信号か否かを判定するための閾値は、第1のモードと、パルス信号のパルス数が第1のモードより少ない第2のモードとで異なる。
【選択図】図1

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

特許文献1には、撮影モードが複数ある場合において、取得した信号についての欠陥画素の検出、補正方法に関して開示されていない。また、高照度撮影から低照度撮影に切り替えた際に駆動パルス信号数を変化させることについても開示されていない。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

目的を達成するために、本発明の一側面としての撮像装置は、アバランシェフォトダイオードを有する光電変換素子と、補正対象となる画素の位置情報に基づいて、前記光電変換素子が取得した信号に対して補正を行う信号処理部と、1フレーム分の信号を取得する期間におけるパルス信号のパルス数を制御する制御手段と、を有し、前記信号処理部が前記補正を行う信号か否かを判定するための閾値は、第1のモードと、前記パルス・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明によれば、低照度撮影においても画質の低下を抑制可能な撮像装置を提供することができる。

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 実施例1に係る撮像装置の構成の図である。
【図2】 実施例1に係る欠陥画素検出部の内部構成の図である。
【図3】 実施例1に係る欠陥画素検出部の欠陥画素閾値データの形式の一例の図である。
【図4】 実施例1に係る欠陥画素補正部の内部構成の図である。
【図5】 実施例1に係る光電変換素子の図である。
【図6】 実施例1に係るセンサ基板の図である。
【図7】 実施例1に係る回路基板の図である。
【図8】 実施例1に係る光電変換素子の画素に対応した等価回路の図である。
【図9】 実施例1に係る光電変換素子のタイミングチャートの図である。
【図10】 実施例1に係る画素間クロストークを説明する図の図である。
【図11】 従来の光電変換装置の高照度条件と低照度条件での光電変換素子のタイミングチャートの図である。
【図12】 従来の光電変換装置の高照度条件と低照度条件での光電変換素子の出力カウント数の図である。
【図13】 実施例1に係る高照度条件と低照度条件での光電変換素子の画素間クロストークの影響の図である。
【図14】 実施例1に係る高照度条件と低照度条件での光電変換素子のタイミングチャートの図である。
【図15】 実施例1に係る高照度条件と低照度条件での光電変換素子の出力カウント数の図である。
【図16】 実施例1に係る高照度条件と低照度条件での光電変換素子の画素間クロストークの影響の図である。
【図17】 実施例1に係る制御信号CLKのパルス信号数とクラスター状の欠陥の画素レベルの関係の図である。
【図18】 実施例1に係るCLKのパルス信号数とクラスター状の欠陥の中心画素に対する隣接画素のレベルとの関係の図である。
【図19】 実施例1に係る画像内の欠陥のイメージと欠陥画素のデータの図である。
【図20】 実施例1に係る制御信号CLKのパルス信号数に応じた欠陥画素の検出の流れの図である。
【図21】 実施例1に係る制御信号CLKのパルス信号数に応じた欠陥画素の補正の流れの図である。
【図22】 実施例2に係る欠陥画素のデータの図である。
【図23】 実施例3に係る欠陥画素検出部の内部構成の図である。

選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図

1 撮像装置 101 レンズ 102 撮像素子 103 信号処理部 104 制御部 105 RAM 106 ROM 107 出力部 108 欠陥画素検出部 109 欠陥画素補正部 110 映像信号生成部 111 画像処理部

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