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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024018834
(43)【公開日】2024-02-08
(54)【発明の名称】回路装置及び電子機器
(51)【国際特許分類】
H02J 7/10 20060101AFI20240201BHJP
【ＦＩ】
H02J7/10 H
【審査請求】未請求
【請求項の数】13
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022154698
(22)【出願日】2022-09-28
(31)【優先権主張番号】P 2022121300
(32)【優先日】2022-07-29
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000002369
【氏名又は名称】セイコーエプソン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100104710
【弁理士】
【氏名又は名称】竹腰 昇
(74)【代理人】
【識別番号】100090479
【弁理士】
【氏名又は名称】井上 一
(74)【代理人】
【識別番号】100124682
【弁理士】
【氏名又は名称】黒田 泰
(74)【代理人】
【識別番号】100166523
【弁理士】
【氏名又は名称】西河 宏晃
(72)【発明者】
【氏名】二ノ宮 正也
(72)【発明者】
【氏名】翁 勝美
【テーマコード（参考）】
5G503
【Ｆターム（参考）】
5G503AA01
5G503BA01
5G503BB01
5G503CA02
5G503GA01
(57)【要約】
【課題】バッテリーを定電流充電する回路において、大電流の充電電流から低電流の充電電流まで対応可能な回路装置等を提供すること。
【解決手段】回路装置１００は、電流源回路１４０と第１充電回路１１０と第２充電回路１２０と制御回路１６０とを含む。制御回路１６０は、電流設定値ＩＮＤＡが第１電流範囲であるとき、第１設定値ＳＴＶ１が示す電流値の第１充電電流ＩＣＨ１を第１充電回路１１０から充電ノードＮＢＡＴに供給させる。制御回路１６０は、電流設定値ＩＮＤＡが第２電流範囲であるとき、第２設定値ＳＴＶ２が示す電流値の第２充電電流ＩＣＨ２を第２充電回路１２０から充電ノードＮＢＡＴに供給させる。制御回路１６０は、電流設定値ＩＮＤＡに対する第１充電電流ＩＣＨ１の第１変換特性を補正する第１補正、電流設定値ＩＮＤＡに対する第２充電電流ＩＣＨ２の第２変換特性を補正する第２補正のうち少なくとも一方の補正を行う。
【選択図】 図１
【解決手段】回路装置１００は、電流源回路１４０と第１充電回路１１０と第２充電回路１２０と制御回路１６０とを含む。制御回路１６０は、電流設定値ＩＮＤＡが第１電流範囲であるとき、第１設定値ＳＴＶ１が示す電流値の第１充電電流ＩＣＨ１を第１充電回路１１０から充電ノードＮＢＡＴに供給させる。制御回路１６０は、電流設定値ＩＮＤＡが第２電流範囲であるとき、第２設定値ＳＴＶ２が示す電流値の第２充電電流ＩＣＨ２を第２充電回路１２０から充電ノードＮＢＡＴに供給させる。制御回路１６０は、電流設定値ＩＮＤＡに対する第１充電電流ＩＣＨ１の第１変換特性を補正する第１補正、電流設定値ＩＮＤＡに対する第２充電電流ＩＣＨ２の第２変換特性を補正する第２補正のうち少なくとも一方の補正を行う。
【選択図】 図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
電流源回路と、
前記電流源回路の出力電流に基づいて、定電流の第１充電電流を充電電流として充電ノードに供給する第１充電回路と、
前記電流源回路の前記出力電流に基づいて、前記第１充電電流よりも大きい定電流の第２充電電流を前記充電電流として前記充電ノードに供給する第２充電回路と、
前記充電電流の電流値を示す電流設定値に基づいて、前記第１充電電流の電流値を設定する第１設定値、及び前記第２充電電流の電流値を設定する第２設定値を出力する設定値出力処理を行う制御回路と、
を含み、
前記制御回路は、
前記電流設定値が第１電流範囲であるとき、前記第１設定値が示す電流値の前記第１充電電流を前記第１充電回路から前記充電ノードに供給させる第１電流モードの制御を行い、
前記電流設定値が前記第１電流範囲より高電流側の第２電流範囲であるとき、前記第２設定値が示す電流値の前記第２充電電流を前記第２充電回路から前記充電ノードに供給させる第２電流モードの制御を行い、
前記設定値出力処理において、前記第１設定値を補正することで、前記電流設定値に対する前記第１充電電流の第１変換特性を補正する第１補正、及び前記第２設定値を補正することで、前記電流設定値に対する前記第２充電電流の第２変換特性を補正する第２補正のうち少なくとも一方の補正を行うことを特徴とする回路装置。
前記電流源回路の出力電流に基づいて、定電流の第１充電電流を充電電流として充電ノードに供給する第１充電回路と、
前記電流源回路の前記出力電流に基づいて、前記第１充電電流よりも大きい定電流の第２充電電流を前記充電電流として前記充電ノードに供給する第２充電回路と、
前記充電電流の電流値を示す電流設定値に基づいて、前記第１充電電流の電流値を設定する第１設定値、及び前記第２充電電流の電流値を設定する第２設定値を出力する設定値出力処理を行う制御回路と、
を含み、
前記制御回路は、
前記電流設定値が第１電流範囲であるとき、前記第１設定値が示す電流値の前記第１充電電流を前記第１充電回路から前記充電ノードに供給させる第１電流モードの制御を行い、
前記電流設定値が前記第１電流範囲より高電流側の第２電流範囲であるとき、前記第２設定値が示す電流値の前記第２充電電流を前記第２充電回路から前記充電ノードに供給させる第２電流モードの制御を行い、
前記設定値出力処理において、前記第１設定値を補正することで、前記電流設定値に対する前記第１充電電流の第１変換特性を補正する第１補正、及び前記第２設定値を補正することで、前記電流設定値に対する前記第２充電電流の第２変換特性を補正する第２補正のうち少なくとも一方の補正を行うことを特徴とする回路装置。
【請求項2】
請求項１に記載された回路装置において、
前記制御回路は、
前記第１補正及び前記第２補正の少なくとも一方の補正として、前記第１設定値及び前記第２設定値の少なくとも一方のオフセット補正により前記第１変換特性と前記第２変換特性のオフセット差を低減するオフセット補正、及び前記第１設定値及び前記第２設定値の少なくとも一方の傾き補正により前記第１変換特性と前記第２変換特性の傾きを近づける傾き補正のうち少なくとも一方の補正を行うことを特徴とする回路装置。
前記制御回路は、
前記第１補正及び前記第２補正の少なくとも一方の補正として、前記第１設定値及び前記第２設定値の少なくとも一方のオフセット補正により前記第１変換特性と前記第２変換特性のオフセット差を低減するオフセット補正、及び前記第１設定値及び前記第２設定値の少なくとも一方の傾き補正により前記第１変換特性と前記第２変換特性の傾きを近づける傾き補正のうち少なくとも一方の補正を行うことを特徴とする回路装置。
【請求項3】
請求項１に記載された回路装置において、
前記第１変換特性の補正用の第１傾き補正値及び第１オフセット補正値と、前記第２変換特性の補正用の第２傾き補正値及び第２オフセット補正値と、を記憶する記憶部を含み、
前記制御回路は、
前記第１傾き補正値、前記第１オフセット補正値及び前記電流設定値に基づいて前記第１設定値を演算する前記第１補正を行うことで、前記第１変換特性の補正を行い、
前記第２傾き補正値、前記第２オフセット補正値及び前記電流設定値に基づいて前記第２設定値を演算する前記第２補正を行うことで、前記第２変換特性の補正を行うことを特徴とする回路装置。
前記第１変換特性の補正用の第１傾き補正値及び第１オフセット補正値と、前記第２変換特性の補正用の第２傾き補正値及び第２オフセット補正値と、を記憶する記憶部を含み、
前記制御回路は、
前記第１傾き補正値、前記第１オフセット補正値及び前記電流設定値に基づいて前記第１設定値を演算する前記第１補正を行うことで、前記第１変換特性の補正を行い、
前記第２傾き補正値、前記第２オフセット補正値及び前記電流設定値に基づいて前記第２設定値を演算する前記第２補正を行うことで、前記第２変換特性の補正を行うことを特徴とする回路装置。
【請求項4】
請求項３に記載された回路装置において、
前記電流設定値がＩＮＤＡであり、前記第１傾き補正値がＧＡ１であり、前記第１オフセット補正値がＯＦ１であり、前記第２傾き補正値がＧＡ２であり、前記第１オフセット補正値がＯＦ２であるとき、
前記制御回路は、
ＳＴＶ１＝ＧＡ１×ＩＮＤＡ＋ＯＦ１
ＳＴＶ２＝ＧＡ２×ＩＮＤＡ＋ＯＦ２
により第１設定値ＳＴＶ１及び第２設定値ＳＴＶ２を演算することを特徴とする回路装置。
前記電流設定値がＩＮＤＡであり、前記第１傾き補正値がＧＡ１であり、前記第１オフセット補正値がＯＦ１であり、前記第２傾き補正値がＧＡ２であり、前記第１オフセット補正値がＯＦ２であるとき、
前記制御回路は、
ＳＴＶ１＝ＧＡ１×ＩＮＤＡ＋ＯＦ１
ＳＴＶ２＝ＧＡ２×ＩＮＤＡ＋ＯＦ２
により第１設定値ＳＴＶ１及び第２設定値ＳＴＶ２を演算することを特徴とする回路装置。
【請求項5】
請求項３に記載された回路装置において、
前記記憶部は、
前記第１電流範囲と前記第２電流範囲の境界に対応する閾値を記憶し、
前記制御回路は、
前記電流設定値が前記閾値より小さいときには、前記第１設定値に基づいて前記第１電流モードの制御を行い、
前記電流設定値が前記閾値より大きいときには、前記第２設定値に基づいて前記第２電流モードの制御を行うことを特徴とする回路装置。
前記記憶部は、
前記第１電流範囲と前記第２電流範囲の境界に対応する閾値を記憶し、
前記制御回路は、
前記電流設定値が前記閾値より小さいときには、前記第１設定値に基づいて前記第１電流モードの制御を行い、
前記電流設定値が前記閾値より大きいときには、前記第２設定値に基づいて前記第２電流モードの制御を行うことを特徴とする回路装置。
【請求項6】
請求項３に記載された回路装置において、
前記記憶部は、
不揮発性メモリーであることを特徴とする回路装置。
前記記憶部は、
不揮発性メモリーであることを特徴とする回路装置。
【請求項7】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載された回路装置において、
前記第１電流モードにおいて、前記電流源回路は、前記第１設定値に基づいて第１電流を前記出力電流として前記第１充電回路に供給し、前記第１充電回路は、第１増幅率で前記第１電流を増幅することで前記第１充電電流を供給し、
前記第２電流モードにおいて、前記電流源回路は、前記第２設定値に基づいて第２電流を前記出力電流として前記第２充電回路に供給し、前記第２充電回路は、前記第１増幅率よりも大きい第２増幅率で前記第２電流を増幅することで前記第２充電電流を供給することを特徴とする回路装置。
前記第１電流モードにおいて、前記電流源回路は、前記第１設定値に基づいて第１電流を前記出力電流として前記第１充電回路に供給し、前記第１充電回路は、第１増幅率で前記第１電流を増幅することで前記第１充電電流を供給し、
前記第２電流モードにおいて、前記電流源回路は、前記第２設定値に基づいて第２電流を前記出力電流として前記第２充電回路に供給し、前記第２充電回路は、前記第１増幅率よりも大きい第２増幅率で前記第２電流を増幅することで前記第２充電電流を供給することを特徴とする回路装置。
【請求項8】
請求項７に記載された回路装置において、
第１メタル抵抗と第１ポリ抵抗との比によって前記第１増幅率が設定され、
第２メタル抵抗と第２ポリ抵抗との比によって前記第２増幅率が設定されることを特徴とする回路装置。
第１メタル抵抗と第１ポリ抵抗との比によって前記第１増幅率が設定され、
第２メタル抵抗と第２ポリ抵抗との比によって前記第２増幅率が設定されることを特徴とする回路装置。
【請求項9】
請求項７に記載された回路装置において、
前記電流源回路は、
電流値がバイナリーに重み付けされた第１～第ｎ定電流を出力する第１～第ｎ電流源（ｎは２以上の整数）と、
スイッチ回路と、
を含み、
前記第１電流モードにおいて、前記制御回路は、前記第１設定値に基づいて、前記第１～第ｎ電流源を制御する電流源制御値の第１～第ｎ制御ビット信号を出力し、前記スイッチ回路は、前記第１～第ｎ電流源のうち前記第１～第ｎ制御ビット信号に基づいて選択された電流源からの電流を前記第１電流として前記第１充電回路に供給し、
前記第２電流モードにおいて、前記制御回路は、前記第２設定値に基づいて前記第１～第ｎ制御ビット信号を出力し、前記スイッチ回路は、前記第１～第ｎ電流源のうち前記第１～第ｎ制御ビット信号に基づいて選択された電流源からの電流を前記第２電流として前記第２充電回路に供給することを特徴とする回路装置。
前記電流源回路は、
電流値がバイナリーに重み付けされた第１～第ｎ定電流を出力する第１～第ｎ電流源（ｎは２以上の整数）と、
スイッチ回路と、
を含み、
前記第１電流モードにおいて、前記制御回路は、前記第１設定値に基づいて、前記第１～第ｎ電流源を制御する電流源制御値の第１～第ｎ制御ビット信号を出力し、前記スイッチ回路は、前記第１～第ｎ電流源のうち前記第１～第ｎ制御ビット信号に基づいて選択された電流源からの電流を前記第１電流として前記第１充電回路に供給し、
前記第２電流モードにおいて、前記制御回路は、前記第２設定値に基づいて前記第１～第ｎ制御ビット信号を出力し、前記スイッチ回路は、前記第１～第ｎ電流源のうち前記第１～第ｎ制御ビット信号に基づいて選択された電流源からの電流を前記第２電流として前記第２充電回路に供給することを特徴とする回路装置。
【請求項10】
請求項９に記載された回路装置において、
前記制御回路は、
前記第２電流モードにおいて、前記第２設定値のビット信号のうち第ｉ＋１～第ｉ＋ｎビット信号（ｉは１以上の整数）を前記第１～第ｎ制御ビット信号として出力し、
前記第１電流モードにおいて、前記第１設定値のビット信号のうち第ｉ＋１－ｋ～第ｉ－ｋ＋ｎビット信号（ｋは１以上ｉ以下の整数）を前記第１～第ｎ制御ビット信号として出力することを特徴とする回路装置。
前記制御回路は、
前記第２電流モードにおいて、前記第２設定値のビット信号のうち第ｉ＋１～第ｉ＋ｎビット信号（ｉは１以上の整数）を前記第１～第ｎ制御ビット信号として出力し、
前記第１電流モードにおいて、前記第１設定値のビット信号のうち第ｉ＋１－ｋ～第ｉ－ｋ＋ｎビット信号（ｋは１以上ｉ以下の整数）を前記第１～第ｎ制御ビット信号として出力することを特徴とする回路装置。
【請求項11】
請求項７に記載された回路装置において、
前記電流源回路は、
電流値がバイナリーに重み付けされたｍ個の定電流（ｍは２以上の整数）を出力するｍ個の電流源を有する第１電流源回路と、
電流値がバイナリーに重み付けされたｎ個の定電流（ｎはｍ以上の整数）を出力するｎ個の電流源を有する第２電流源回路と、
を含み、
前記制御回路は、
前記第１設定値に基づいて、前記第１電流源回路の前記ｍ個の電流源を制御するｍビットの第１電流源制御値を出力し、前記第２設定値に基づいて、前記第２電流源回路の前記ｎ個の電流源を制御するｎビットの第２電流源制御値を出力し、
前記第１電流源回路は、
前記ｍ個の電流源のうち前記第１電流源制御値に基づいて選択された電流源からの電流を前記第１電流として前記第１充電回路に供給し、
前記第２電流源回路は、
前記ｎ個の電流源のうち前記第２電流源制御値に基づいて選択された電流源からの電流を前記第２電流として前記第２充電回路に供給することを特徴とする回路装置。
前記電流源回路は、
電流値がバイナリーに重み付けされたｍ個の定電流（ｍは２以上の整数）を出力するｍ個の電流源を有する第１電流源回路と、
電流値がバイナリーに重み付けされたｎ個の定電流（ｎはｍ以上の整数）を出力するｎ個の電流源を有する第２電流源回路と、
を含み、
前記制御回路は、
前記第１設定値に基づいて、前記第１電流源回路の前記ｍ個の電流源を制御するｍビットの第１電流源制御値を出力し、前記第２設定値に基づいて、前記第２電流源回路の前記ｎ個の電流源を制御するｎビットの第２電流源制御値を出力し、
前記第１電流源回路は、
前記ｍ個の電流源のうち前記第１電流源制御値に基づいて選択された電流源からの電流を前記第１電流として前記第１充電回路に供給し、
前記第２電流源回路は、
前記ｎ個の電流源のうち前記第２電流源制御値に基づいて選択された電流源からの電流を前記第２電流として前記第２充電回路に供給することを特徴とする回路装置。
【請求項12】
請求項１１に記載された回路装置において、
前記制御回路は、
前記第２設定値のビット信号のうち第ｉ＋１～第ｉ＋ｎビット信号（ｉは１以上の整数）を前記ｎビットの前記第２電流源制御値として出力し、
前記第１設定値のビット信号のうち第ｉ＋１－ｋ～第ｉ－ｋ＋ｍビット信号（ｋは１以上ｉ以下の整数、ｍは２以上ｎ以下の整数）を前記ｍビットの前記第１電流源制御値として出力することを特徴とする回路装置。
前記制御回路は、
前記第２設定値のビット信号のうち第ｉ＋１～第ｉ＋ｎビット信号（ｉは１以上の整数）を前記ｎビットの前記第２電流源制御値として出力し、
前記第１設定値のビット信号のうち第ｉ＋１－ｋ～第ｉ－ｋ＋ｍビット信号（ｋは１以上ｉ以下の整数、ｍは２以上ｎ以下の整数）を前記ｍビットの前記第１電流源制御値として出力することを特徴とする回路装置。
【請求項13】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載された回路装置と、
前記充電ノードに接続されるバッテリーと、
を含むことを特徴とする電子機器。
前記充電ノードに接続されるバッテリーと、
を含むことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、回路装置及び電子機器等に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１には、電圧の異なる２つの充電用の電源から二次電池を充電する充電装置が開示されている。一方の電源の電圧は、二次電池を充電するときの基準電圧よりも僅かに低く、他方の電源の電圧は、これより高い。充電装置は、バッテリー電圧を検出し、バッテリー電圧が２つの電源の電圧より低いとき、２つの電源によりバッテリーを充電する。充電装置は、二次電池がある程度充電され、バッテリー電圧が、電圧が低い方の電源の電圧を超えたとき、電圧が高い方の電源のみにより二次電池を充電する。この特許文献１では、二次電池が充電されるに従って充電電流が低下していき、その充電電流を検出することで充電を終了させている。そして、二次電池がある程度充電されたとき、バッテリー電圧に基づいて充電用の電源を２つから１つに切り替えることで、充電電流の検出精度を向上させている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開平１０－０２８３３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
バッテリーを定電流充電する回路において、大電流の充電電流から低電流の充電電流まで対応することが困難という課題があった。例えば、設定可能な充電電流の最大値を増加させようとすると電流設定の分解能が低下したり、或いは電流源回路の規模が増加してしまう。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本開示の一態様は、電流源回路と、前記電流源回路の出力電流に基づいて、定電流の第１充電電流を充電電流として充電ノードに供給する第１充電回路と、前記電流源回路の前記出力電流に基づいて、前記第１充電電流よりも大きい定電流の第２充電電流を前記充電電流として前記充電ノードに供給する第２充電回路と、前記充電電流の電流値を示す電流設定値に基づいて、前記第１充電電流の電流値を設定する第１設定値、及び前記第２充電電流の電流値を設定する第２設定値を出力する設定値出力処理を行う制御回路と、を含み、前記制御回路は、前記電流設定値が第１電流範囲であるとき、前記第１設定値が示す電流値の前記第１充電電流を前記第１充電回路から前記充電ノードに供給させる第１電流モードの制御を行い、前記電流設定値が前記第１電流範囲より高電流側の第２電流範囲であるとき、前記第２設定値が示す電流値の前記第２充電電流を前記第２充電回路から前記充電ノードに供給させる第２電流モードの制御を行い、前記設定値出力処理において、前記第１設定値を補正することで、前記電流設定値に対する前記第１充電電流の第１変換特性を補正する第１補正、及び前記第２設定値を補正することで、前記電流設定値に対する前記第２充電電流の第２変換特性を補正する第２補正のうち少なくとも一方の補正を行う回路装置に関係する。
【0006】
また本開示の他の態様は、上記の回路装置と、前記充電ノードに接続されるバッテリーと、を含む電子機器に関係する。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1】第１実施形態における回路装置と電子機器の構成例。
【図2】補正前の第１充電電流及び第２充電電流の特性例。
【図3】制御回路と記憶部の詳細構成例。
【図4】第１実施形態における制御回路の動作説明図。
【図5】補正手法を説明する図。
【図6】オフセット補正の例。
【図7】オフセット補正の例。
【図8】オフセット補正の例。
【図9】オフセット補正の例。
【図10】傾き補正の例。
【図11】傾き補正の例。
【図12】傾き補正の例。
【図13】傾き補正の例。
【図14】閾値設定の例。
【図15】第１充電回路と第２充電回路の詳細構成例。
【図16】第１実施形態における電流源回路の詳細構成例。
【図17】第１実施形態における電流源回路の抵抗比と動作を説明する図。
【図18】第１充電回路、第２充電回路及び電流源回路のパラメーター例。
【図19】第２実施形態における回路装置と電子機器の構成例。
【図20】第２実施形態における制御回路の動作説明図。
【図21】第１充電回路と第１電流源回路の詳細構成例。
【図22】第２充電回路と第２電流源回路の詳細構成例。
【図23】第１電流源回路及び第２電流源回路の抵抗比と動作を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下、本開示の好適な実施形態について詳細に説明する。なお以下に説明する本実施形態は特許請求の範囲に記載された内容を不当に限定するものではなく、本実施形態で説明される構成の全てが必須構成要件であるとは限らない。
【0009】
１．第１実施形態
図１は、第１実施形態における回路装置１００と、その回路装置１００を含む電子機器２００の構成例である。
図１は、第１実施形態における回路装置１００と、その回路装置１００を含む電子機器２００の構成例である。
【0010】
電子機器２００は、回路装置１００とバッテリー１０を含む。バッテリー１０は、二次電池であり、例えばリチウムイオン二次電池、ニッケル水素蓄電池、又はニッケルカドミウム蓄電池等である。電子機器２００は、バッテリー１０を内蔵する又は取り付け可能な機器であればよい。一例としては、電子機器２００は、スマートフォン、タブレット型端末、無線イヤフォン、無線補聴器、スマートウォッチ、デジタルカメラ、又はモバイルバッテリー等である。電子機器２００がスマートフォン等である場合には、電子機器２００は処理装置、記憶装置、無線通信装置、表示装置、又は操作入力装置等を含んでもよい。
【0011】
回路装置１００は、外部から供給される電源に基づいてバッテリー１０を充電する。回路装置１００は、第１充電回路１１０と第２充電回路１２０と電流源回路１４０と基準電圧生成回路１５０と制御回路１６０と記憶部１７０と逆流防止回路１９０と端子ＴＢＡＴとを含む。回路装置１００は、例えば複数の回路素子が半導体基板に集積された集積回路装置である。
【0012】
逆流防止回路１９０は、第１充電回路１１０と第２充電回路１２０の出力ノードＮＣＳＲと、端子ＴＢＡＴに接続された充電ノードＮＢＡＴとの間に設けられる。端子ＴＢＡＴにはバッテリー１０の端子が接続される。制御回路１６０が逆流防止回路１９０をオンにすることで、第１充電回路１１０からの第１充電電流ＩＣＨ１又は第２充電回路１２０からの第２充電電流ＩＣＨ２が、充電電流ＩＢＡＴとして充電ノードＮＢＡＴに供給される。充電電流ＩＢＡＴが端子ＴＢＡＴからバッテリー１０に供給されることで、バッテリー１０が充電される。
【0013】
逆流防止回路１９０は、Ｐ型トランジスターＴＳ１とＮ型トランジスターＴＳ２と抵抗ＲＳとを含む。Ｐ型トランジスターＴＳ１のソースが充電ノードＮＢＡＴに接続され、ドレインが出力ノードＮＣＳＲに接続される。Ｎ型トランジスターＴＳ２のソースがグランドノードに接続され、ドレインがＰ型トランジスターＴＳ１のゲートに接続される。抵抗ＲＳの一端が充電ノードＮＢＡＴに接続され、他端がＰ型トランジスターＴＳ１のゲートに接続される。制御回路１６０がＮ型トランジスターＴＳ２をオフにすると、Ｐ型トランジスターＴＳ１がオフになる。Ｐ型トランジスターＴＳ１は、出力ノードＮＣＳＲから充電ノードＮＢＡＴへの方向を順方向とする寄生ダイオードを有するので、Ｐ型トランジスターＴＳ１がオフのときには、逆流防止回路１９０はバッテリー１０から第１充電回路１１０及び第２充電回路１２０への逆流を防止する。バッテリー１０への充電が行われる際には、制御回路１６０がＮ型トランジスターＴＳ２をオンにする。これにより、Ｐ型トランジスターＴＳ１がオンになる。以下では主に、逆流防止回路１９０のＰ型トランジスターＴＳ１がオンであるときの充電動作を説明する。
【0014】
制御回路１６０は、充電電流の設定値を示す電流設定値ＩＮＤＡに基づいて、その電流設定値ＩＮＤＡが示す電流値でバッテリー１０への充電が行われるように、充電を制御する。電流設定値ＩＮＤＡは、例えば回路装置１００の外部に設けられた処理装置から入力される、或いは制御回路１６０が、バッテリー電圧ＶＢＡＴを検出する不図示の検出回路からの検出結果に基づいて電流設定値ＩＮＤＡを設定してもよい。
【0015】
制御回路１６０は、電流設定値ＩＮＤＡに基づいて、第１充電回路１１０がバッテリー１０を充電する第１充電モードと、第２充電回路１２０がバッテリー１０を充電する第２充電モードとを切り替える。具体的には、制御回路１６０は、電流設定値ＩＮＤＡが閾値未満のとき、第１イネーブル信号ＸＯＮＳをアクティブにして、第１電流モードの第１補正を電流設定値ＩＮＤＡに対して行い、その結果を電流源制御値ＱＤＡとして電流源回路１４０に出力する。制御回路１６０は、電流設定値ＩＮＤＡが閾値以上のとき、第２イネーブル信号ＸＯＮＬをアクティブにして、第２電流モードの第２補正を電流設定値ＩＮＤＡに対して行い、その結果を電流源制御値ＱＤＡとして電流源回路１４０に出力する。但し、第１補正及び第２補正のうち一方のみが行われてもよいし、両方が行われてもよい。第１補正及び第２補正の詳細については後述する。
【0016】
記憶部１７０は、第１補正と第２補正の補正パラメーターと電流設定値ＩＮＤＡの閾値とを記憶する。制御回路１６０は、記憶部１７０から読み出した補正パラメーターに基づいて、第１補正及び第２補正を行う。また制御回路１６０は、記憶部１７０から読み出した閾値に基づいて第１電流モードと第２電流モードを切り替える。記憶部１７０はメモリー又はレジスター等である。メモリーは、例えば不揮発性メモリー又はＲＡＭである。また、メモリーは、不揮発メモリー及びレジスターが複合して構成してもよいし、記憶できるものであればヒューズや回路装置１００の外部の回路等であってもよい。記憶部１７０が不揮発性メモリーであるとき、例えば回路装置１００又は電子機器２００の製造時において閾値及び補正パラメーターが記憶部１７０に書き込まれる。記憶部１７０がＲＡＭ又はレジスターであるとき、例えば回路装置１００の外部の処理装置から不図示のインターフェース回路を介して閾値及び補正パラメーターが記憶部１７０に書き込まれる。
【0017】
基準電圧生成回路１５０は、基準電圧ＶＲＥＦを生成する。基準電圧生成回路１５０は、例えばバンドギャップリファレンス回路であるが、これに限定されない。なお、基準電圧ＶＲＥＦは回路装置１００の外部から供給されてもよい。
【0018】
電流源回路１４０は、基準電圧ＶＲＥＦに基づいて、電流源制御値ＱＤＡにより設定される出力電流を第１充電回路１１０と第２充電回路１２０に供給する。具体的には、電流源回路１４０は、イネーブル信号ＸＯＮＳがアクティブのとき、第１電流ＩＳ１を出力電流として第１充電回路１１０に供給する。電流源回路１４０は、第２イネーブル信号ＸＯＮＬがアクティブのとき、電流源回路１４０は第２電流ＩＳ２を出力電流として第２充電回路１２０に供給する。
【0019】
電源ノードＮＩＮには電源電圧ＶＩＮが供給される。電源電圧ＶＩＮは、例えば回路装置１００の外部電源から供給される。或いは、回路装置１００は、外部電源からの電力を受電して電源電圧ＶＩＮを出力する不図示の受電回路又は電圧変換回路等を含んでもよい。
【0020】
第１充電回路１１０は、イネーブル信号ＸＯＮＳがアクティブのとき、電源電圧ＶＩＮと第１電流ＩＳ１に基づいて第１充電電流ＩＣＨ１を出力ノードＮＣＳＲに出力する。具体的には、第１充電回路１１０は、第１電流ＩＳ１を第１増幅率で増幅し、その増幅後の電流を第１充電電流ＩＣＨ１として出力する。
【0021】
第２充電回路１２０は、第２イネーブル信号ＸＯＮＬがアクティブのとき、電源電圧ＶＩＮと第２電流ＩＳ２に基づいて第２充電電流ＩＣＨ２を出力ノードＮＣＳＲに出力する。具体的には、第２充電回路１２０は、第２電流ＩＳ２を第２増幅率で増幅し、その増幅後の電流を第２充電電流ＩＣＨ２として出力する。第２充電電流ＩＣＨ２の電流値は、第１充電電流ＩＣＨ１の電流値よりも大きい。即ち、電流設定値ＩＮＤＡの閾値に対応した充電電流ＩＢＡＴの閾値をＩｔｈとしたとき、ＩＣＨ１＜Ｉｔｈ≦ＩＣＨ２となっている。
【0022】
以下、第１補正及び第２補正について説明する。まず、図２を用いて補正を行う理由を説明する。図２は、補正前の第１充電電流ＩＣＨ１’及び補正前の第２充電電流ＩＣＨ２’の特性例である。ここでは、電流設定値ＩＮＤＡの閾値を２５６とし、電流設定値ＩＮＤＡの最大値が８１９１であるとする。
【0023】
ＩＮＤＡ＜２５６において第１充電回路１１０がＩＢＡＴ＝ＩＣＨ１’を出力し、２５６≦ＩＮＤＡ≦８１９１において第２充電回路１２０がＩＢＡＴ＝ＩＣＨ２’を出力する。電流設定値ＩＮＤＡから第１充電電流ＩＣＨ１’への変換特性を第１変換特性と呼び、電流設定値ＩＮＤＡから第２充電電流ＩＣＨ２’への変換特性を第２変換特性と呼ぶこととする。このとき、第１充電回路１１０と第２充電回路１２０を切り替えて用いることによって、第１変換特性と第２変換特性との間に特性差が生じる可能性がある。特性差は、オフセット差、傾きの差、又はそれら両方である。例えば、第１充電回路１１０が第１電流ＩＳ１を増幅するときの第１増幅率、又は第２充電回路１２０が第２電流ＩＳ２を増幅するときの第２増幅率が、寄生抵抗等によって理想値からずれることによって、第１変換特性と第２変換特性との間に特性差が生じる。或いは、電流設定値ＩＮＤＡに対する第１電流ＩＳ１の特性と、電流設定値ＩＮＤＡに対する第２電流ＩＳ２の特性との間に、特性差が生じることで、第１変換特性と第２変換特性との間に特性差が生じる。
【0024】
本実施形態では、制御回路１６０が、電流設定値ＩＮＤＡに対して第１補正及び第２補正の少なくとも一方を行うことで、第１変換特性と第２変換特性との間の特性差を補正する。以下、その補正手法の詳細を説明する。
【0025】
図３は、制御回路１６０と記憶部１７０の詳細構成例である。制御回路１６０は、閾値判定部１６３と設定値出力部１６４とを含む。記憶部１７０は、電流設定値ＩＮＤＡの閾値ＴＨＲを記憶する。また記憶部１７０は、第１補正の補正パラメーターである第１傾き補正値ＧＡ１と第１オフセット補正値ＯＦ１を記憶する。また記憶部１７０は、第２補正の補正パラメーターである第２傾き補正値ＧＡ２と第２オフセット補正値ＯＦ２を記憶する。なお、記憶部１７０に記憶される第１補正及び第２補正の補正パラメーターは、第１傾き補正値ＧＡ１、第１オフセット補正値ＯＦ１、第２傾き補正値ＧＡ２、及び第２オフセット補正値ＯＦ２そのものに限らない。これに変えて、これらに関連する補正パラメーターが、補正パラメーターとして記憶部１７０に記憶されてもよい。
【0026】
図４は、第１実施形態における制御回路１６０の動作説明図である。
【0027】
閾値判定部１６３は、電流設定値ＩＮＤＡと閾値ＴＨＲとを比較する。閾値判定部１６３は、電流設定値ＩＮＤＡが閾値ＴＨＲ未満のとき、第１電流モードを示すローレベルのモード制御信号ＭＤを出力し、電流設定値ＩＮＤＡが閾値ＴＨＲ以上のとき、第２電流モードを示すハイレベルのモード制御信号ＭＤを出力する。なお、閾値判定部１６３は、電流設定値ＩＮＤＡが閾値ＴＨＲ以下のとき、第１電流モードを示すローレベルのモード制御信号ＭＤを出力し、電流設定値ＩＮＤＡが閾値ＴＨＲより大きいとき、第２電流モードを示すハイレベルのモード制御信号ＭＤを出力してもよい。電流モードとモード制御信号ＭＤの論理レベルの対応は、上記に限定されない。
【0028】
閾値判定部１６３は、モード制御信号ＭＤがローレベルのとき、ローレベルの第１イネーブル信号ＸＯＮＳと、ハイレベルの第２イネーブル信号ＸＯＮＬとを出力する。なお、ここではローアクティブであるとする。モード制御信号ＭＤがハイレベルのとき、閾値判定部１６３は、ハイレベルの第１イネーブル信号ＸＯＮＳと、ローレベルの第２イネーブル信号ＸＯＮＬとを出力する。
【0029】
設定値出力部１６４は、第１設定値ＳＴＶ１＝ＧＡ１×ＩＮＤＡ＋ＯＦ１を求める第１補正と、第２設定値ＳＴＶ２＝ＧＡ２×ＩＮＤＡ＋ＯＦ２を求める第２補正とを行う。第１設定値ＳＴＶ１は第１傾き補正値ＧＡ１と電流設定値ＩＮＤＡとの積に第１オフセット補正値ＯＦ１を加算したものであり、第２設定値ＳＴＶ２は第２傾き補正値ＧＡ２と電流設定値ＩＮＤＡとの積に第２オフセット補正値ＯＦ２を加算したものである。設定値出力部１６４は、モード制御信号ＭＤがローレベルのとき、第１設定値ＳＴＶ１に基づいて電流源制御値ＱＤＡを出力する。これにより、第１充電モードにおける充電電流ＩＢＡＴ＝ＩＣＨ１は、第１補正により補正された第１設定値ＳＴＶ１によって制御される。設定値出力部１６４は、モード制御信号ＭＤがハイレベルのとき、第２設定値ＳＴＶ２に基づいて電流源制御値ＱＤＡを出力する。これにより、第２充電モードにおける充電電流ＩＢＡＴ＝ＩＣＨ２は、第２補正により補正された第２設定値ＳＴＶ２によって制御される。
【0030】
なお、補正パラメーターは、例えば以下のようにして決定される。回路装置１００の検査工程、又は回路装置１００の設計時のシミュレーション処理において、図２のＩＣＨ１’の傾き値とオフセット値、及びＩＣＨ２’の傾き値とオフセット値を測定する。第１傾き補正値ＧＡ１は、例えば、目標の傾き値を、測定されたＩＣＨ１’の傾き値で割った値である。第１オフセット補正値ＯＦ１は、目標のオフセット値から、測定されたＩＣＨ１’のオフセット値を減算した値である。第２傾き補正値ＧＡ２及び第２オフセット補正値ＯＦ２の決定手法も同様である。但し、上記手法は一例であって、補正パラメーターの決定手法はこれに限定されるものでない。
【0031】
図５は、補正手法を説明する図である。図５の左図に、電流設定値ＩＮＤＡから第２設定値ＳＴＶ２への変換特性を示す。図５の右図に、電流設定値ＩＮＤＡから充電電流ＩＢＡＴへの変換特性を示す。ここでは第２補正のみ行う例を説明するが、第１補正のみ行われてもよいし、第１補正及び第２補正が行われてもよい。
【0032】
左図に示すように、第２補正が行われない場合には第２設定値がＳＴＶ２’＝ＩＮＤＡであり、右図に示すように、電流設定値ＩＮＤＡから第１充電電流ＩＣＨ１への変換特性と、電流設定値ＩＮＤＡから第２充電電流ＩＣＨ２’への変換特性との間に、特性差が生じる。本実施形態によれば、左図に示すように、第２補正が行われることで第２設定値がＳＴＶ２＝ＧＡ２×ＩＮＤＡ＋ＯＦ２に補正されるので、右図に示すように、電流設定値ＩＮＤＡから第２充電電流ＩＣＨ２への変換特性が補正される。これにより、電流設定値ＩＮＤＡから第１充電電流ＩＣＨ１への変換特性と、電流設定値ＩＮＤＡから第２充電電流ＩＣＨ２への変換特性との間の特性差が、低減される。
【0033】
図６～図９は、オフセット補正の例である。図６～図９においてαは正の値である。なお、実際には第１設定値ＳＴＶ１又は第２設定値ＳＴＶ２においてオフセット補正が行われるが、図６～図９には、結果としての第１充電電流ＩＣＨ１又は第２充電電流ＩＣＨ２におけるオフセット補正を示す。
【0034】
図６に示すように、第２充電電流ＩＣＨ２の変換特性が第１充電電流ＩＣＨ１の変換特性に対して正のオフセットを有する場合、設定値出力部１６４は負の第２オフセット補正値ＯＦ２＝－αで、第２充電電流ＩＣＨ２の変換特性を補正する。或いは、図７に示すように、設定値出力部１６４は正の第１オフセット補正値ＯＦ１＝＋αで第１充電電流ＩＣＨ１の変換特性を補正する。
【0035】
図８に示すように、第２充電電流ＩＣＨ２の変換特性が第１充電電流ＩＣＨ１の変換特性に対して負のオフセットを有する場合、設定値出力部１６４は正の第２オフセット補正値ＯＦ２＝＋αで、第２充電電流ＩＣＨ２の変換特性を補正する。或いは、図９に示すように、設定値出力部１６４は負の第１オフセット補正値ＯＦ１＝－αで第１充電電流ＩＣＨ１の変換特性を補正する。
【0036】
図１０～図１３は、傾き補正の例である。図１０～図１３においてβａは正の値且つ１より小さい値であり、βｂは１より大きい値である。なお、実際には第１設定値ＳＴＶ１又は第２設定値ＳＴＶ２において傾き補正が行われるが、ここでは結果としての第１充電電流ＩＣＨ１又は第２充電電流ＩＣＨ２における傾き補正を示す。
【0037】
図１０に示すように、第２充電電流ＩＣＨ２の変換特性の傾きが第１充電電流ＩＣＨ１の変換特性の傾きよりも大きい場合、設定値出力部１６４は、１より小さい第２傾き補正値ＧＡ２＝βａで、第２充電電流ＩＣＨ２の変換特性を補正する。或いは、図１１に示すように、設定値出力部１６４は１より大きい第１傾き補正値ＧＡ１＝βｂで第１充電電流ＩＣＨ１の変換特性を補正する。
【0038】
図１２に示すように、第２充電電流ＩＣＨ２の変換特性の傾きが第１充電電流ＩＣＨ１の変換特性の傾きよりも小さい場合、設定値出力部１６４は、１より大きい第２傾き補正値ＧＡ２＝βｂで、第２充電電流ＩＣＨ２の変換特性を補正する。或いは、図１３に示すように、設定値出力部１６４は１より小さい第１傾き補正値ＧＡ１＝βａで第１充電電流ＩＣＨ１の変換特性を補正する。
【0039】
【0040】
図１４は、閾値設定の例である。例えば、閾値ＴＨＲの基準を２５６としたとき、閾値ＴＨＲは、基準を中心に電流設定値ＩＮＤＡの±１ビット分の範囲で、つまり１２８～５１１の範囲で可変に設定可能である。但し、閾値ＴＨＲの調整範囲は任意であってよい。
【0041】
図１４に示すように、例えば第２充電電流ＩＣＨ２の低電流側に、電流設定値ＩＮＤＡに対して電流値が非線形となる領域が存在したとする。例えば、第２電流ＩＳ２が定電流となったことで第２充電回路１２０内のオペアンプ又はトランジスターが正常に動作しなくなったこと等によって、上記の非線形領域が生じる。このとき、第２充電電流ＩＣＨ２の線形領域で充電モードが切り替わるように、閾値ＴＨＲが基準の２５６より大きい値に設定される。なお、閾値ＴＨＲは、基準の２５６より小さい値に設定されてもよい。例えば、第１充電電流ＩＣＨ１の高電流側に、電流設定値ＩＮＤＡに対して電流値が非線形となる領域が存在した場合に、閾値ＴＨＲが基準の２５６より小さい値に設定されてもよい。
【0042】
以下、第１充電回路１１０、第２充電回路１２０及び電流源回路１４０の詳細構成例とその動作を説明する。図１５は、第１充電回路１１０と第２充電回路１２０の詳細構成例である。
【0043】
第１充電回路１１０は、演算増幅器ＯＰＡ１とＰ型トランジスターＴＡ１と抵抗ＲＣＳＩ１と抵抗ＲＲＳＳ１とを含む。
【0044】
Ｐ型トランジスターＴＡ１のソースは電源ノードＮＩＮに接続され、ドレインはノードＮＣＳ１に接続される。電源ノードＮＩＮには電源電圧ＶＩＮが供給される。抵抗ＲＣＳＩ１の一端がノードＮＣＳ１に接続され、他端がノードＮＣＳＩ１に接続される。抵抗ＲＲＳＳ１の一端がノードＮＣＳ１に接続され、他端が出力ノードＮＣＳＲに接続される。演算増幅器ＯＰＡ１の非反転入力端子はノードＮＣＳＩ１に接続され、反転入力端子は出力ノードＮＣＳＲに接続され、出力ノードはＰ型トランジスターＴＡ１のゲートに接続される。
【0045】
演算増幅器ＯＰＡ１は、第１イネーブル信号ＸＯＮＳがアクティブのとき動作イネーブルとなる。これにより、第１充電電流ＩＣＨ１＝（ＲＣＳＩ１／ＲＲＳＳ１）×ＩＳ１が出力ノードＮＣＳＲに供給され、充電電流ＩＢＡＴとして充電ノードＮＢＡＴに供給される。
【0046】
第２充電回路１２０は、演算増幅器ＯＰＡ２とＰ型トランジスターＴＡ２と抵抗ＲＣＳＩ２と抵抗ＲＲＳＳ２とを含む。
【0047】
Ｐ型トランジスターＴＡ２のソースは電源ノードＮＩＮに接続され、ドレインはノードＮＣＳ２に接続される。抵抗ＲＣＳＩ２の一端がノードＮＣＳ２に接続され、他端がノードＮＣＳＩ２に接続される。抵抗ＲＲＳＳ２の一端がノードＮＣＳ２に接続され、他端が出力ノードＮＣＳＲに接続される。演算増幅器ＯＰＡ２の非反転入力端子はノードＮＣＳＩ２に接続され、反転入力端子は出力ノードＮＣＳＲに接続され、出力ノードはＰ型トランジスターＴＡ２のゲートに接続される。
【0048】
演算増幅器ＯＰＡ２は、第２イネーブル信号ＸＯＮＬがアクティブのとき動作イネーブルとなる。これにより、第２充電電流ＩＣＨ２＝（ＲＣＳＩ２／ＲＲＳＳ２）×ＩＳ２が出力ノードＮＣＳＲに供給され、充電電流ＩＢＡＴとして充電ノードＮＢＡＴに供給される。
【0049】
図１６は、第１実施形態における電流源回路１４０の詳細構成例である。電流源回路１４０は、演算増幅器ＯＰＦとスイッチ回路１４５とＰ型トランジスターＴＦと抵抗ＲＧ１～ＲＧ１３とＮ型トランジスターＴＧ１～ＴＧ１３とを含む。
【0050】
スイッチ回路１４５は、Ｐ型トランジスターＴＥ１とＴＥ２を含む。Ｐ型トランジスターＴＥ１のソースはノードＮＣＳＩ１に接続され、ドレインはノードＮＱに接続される。Ｐ型トランジスターＴＥ２のソースはノードＮＣＳＩ２に接続され、ドレインはノードＮＱに接続される。第１イネーブル信号ＸＯＮＳがローレベルのとき、Ｐ型トランジスターＴＥ１はオンであり、Ｐ型トランジスターＴＦに流れる電流ＩＱが第１電流ＩＳ１としてノードＮＣＳＩ１に流れる。第２イネーブル信号ＸＯＮＬがローレベルのとき、Ｐ型トランジスターＴＥ２はオンであり、Ｐ型トランジスターＴＦに流れる電流ＩＱが第２電流ＩＳ２としてノードＮＣＳＩ２に流れる。
【0051】
Ｐ型トランジスターＴＦのソースはノードＮＱに接続され、ドレインはノードＮＳ３に接続される。演算増幅器ＯＰＦの反転入力端子に基準電圧ＶＲＥＦが入力される。演算増幅器ＯＰＦの非反転入力端子はノードＮＳ３に接続され、出力ノードはＰ型トランジスターＴＦのゲートに接続される。抵抗ＲＧ１の一端はノードＮＳ３に接続され、他端はＮ型トランジスターＴＧ１のドレインに接続される。Ｎ型トランジスターＴＧ１のソースはグランドノードに接続される。同様に、抵抗ＲＧ２～ＲＧ１３の一端はノードＮＳ３に接続され、他端はＮ型トランジスターＴＧ２～ＴＧ１３のドレインに接続される。Ｎ型トランジスターＴＧ２～ＴＧ１３のソースはグランドノードに接続される。以下、電流源制御値ＱＤＡのビット信号を制御ビット信号と呼ぶ。Ｎ型トランジスターＴＧ１のゲートには、電流源制御値ＱＤＡの制御ビット信号ＱＤＡ［０］が入力される。同様に、Ｎ型トランジスターＴＧ２～ＴＧ１３のゲートには、電流源制御値ＱＤＡの制御ビット信号ＱＤＡ［１］～ＱＤＡ［１２］が入力される。
【0052】
演算増幅器ＯＰＦは、第１電流モードと第２電流モードのいずれにおいても動作イネーブルであり、ノードＮＳ３の電圧はＶＳ３＝ＶＲＥＦとなる。抵抗ＲＧ１とＮ型トランジスターＴＧ１を電流源回路１４０の第１電流源と呼ぶ。電流源制御値ＱＤＡの制御ビット信号ＱＤＡ［０］が１のときＮ型トランジスターＴＧ１がオンであり、第１電流源がＶＲＥＦ／ＲＧ１の電流を流す。同様に、抵抗ＲＧ２～ＲＧ１３とＮ型トランジスターＴＧ２～ＴＧ１３を電流源回路１４０の第２～第１３電流源と呼ぶ。電流源制御値ＱＤＡの制御ビット信号ＱＤＡ［１］～ＱＤＡ［１２］が１のときＮ型トランジスターＴＧ２～ＴＧ１３がオンであり、第２～第１３電流源がＶＲＥＦ／ＲＧ２～ＶＲＥＦ／ＲＧ１３の電流を流す。Ｐ型トランジスターＴＦに流れる電流ＩＱは、電流源制御値ＱＤＡの制御ビット信号ＱＤＡ［０］～ＱＤＡ［１２］のうち１である制御ビット信号に対応した電流源が流す電流の合計である。
【0053】
なお、ここでは電流源回路１４０に含まれる電流源の数を１３としたが、電流源回路１４０に含まれる電流源の数はｎ個であればよい。ｎは２以上の整数である。
【0054】
図１７は、第１実施形態における電流源回路１４０の抵抗比と動作を説明する図である。
【0055】
第１～第１３電流源の電流比を決める抵抗ＲＧ１～ＲＧ１３の抵抗比は、ＲＧ１３：ＲＧ１２：・・・：ＲＧ２：ＲＧ１＝０．２５：０．５：・・・：５１２：１０２４である。この逆数比が電流比となるので、第１～第１３電流源が流す電流はバイナリーに重み付けされる。
【0056】
設定値出力部１６４は、電流設定値ＩＮＤＡを補正して第１設定値ＳＴＶ１及び第２設定値ＳＴＶ２を求めるが、このとき電流設定値ＩＮＤＡのＬＳＢよりも高い精度で第１設定値ＳＴＶ１及び第２設定値ＳＴＶ２を演算する。例えば、電流設定値ＩＮＤＡが１３ビットのＩＮＤＡ［１２：０］であるとき、第１設定値ＳＴＶ１は、１８ビットのＳＴＶ１［１７：０］として演算され、第２設定値ＳＴＶ２は、２１ビットのＳＴＶ２［２０：０］として演算される。このとき、電流設定値のＬＳＢであるＩＮＤＡ［０］に相当するビットは、ＳＴＶ１［１７：０］においてＳＴＶ１［８］であり、ＳＴＶ２［２０：０］においてＳＴＶ２［８］である。例えば、第１補正が行われなかった場合にはＳＴＶ１［１７：８］＝ＩＮＤＡ［９：０］となるので、ＳＴＶ１［８］＝ＩＮＤＡ［０］である。第２補正が行われなかった場合にはＳＴＶ２［２０：８］＝ＩＮＤＡ［１２：０］となるので、ＳＴＶ２［８］＝ＩＮＤＡ［０］である。
【0057】
設定値出力部１６４は、第１電流モードつまり第１イネーブル信号ＸＯＮＳがローレベルのとき、ＳＴＶ１［１７：０］の上位１３ビットを電流源制御値ＱＤＡに割り当てて、ＱＤＡ［１２：０］＝ＳＴＶ１［１７：５］を電流源回路１４０に出力する。設定値出力部１６４は、第２電流モードつまり第２イネーブル信号ＸＯＮＬがローレベルのとき、ＳＴＶ２［２０：０］の上位１３ビットを電流源制御値ＱＤＡに割り当てて、ＱＤＡ［１２：０］＝ＳＴＶ２［２０：８］を電流源回路１４０に出力する。ＱＤＡ［１２：０］において、電流設定値のＬＳＢであるＩＮＤＡ［０］に相当するビットは、第１電流モードではＱＤＡ［３］であり、第２電流モードではＱＤＡ［０］である。即ち、電流設定値ＩＮＤＡのＬＳＢに対応する第１電流ＩＳ１の分解能と第２電流ＩＳ２の分解能とが異なることになる。この差は、第１充電回路１１０の第１増幅率と第２充電回路１２０の第２増幅率の違いによって吸収されるので、電流設定値ＩＮＤＡのＬＳＢに対応する第１充電電流ＩＣＨ１の分解能と第２充電電流ＩＣＨ２の分解能は、ほぼ同等になる。この点については図１８においても説明する。
【0058】
なお、ここでは電流設定値ＩＮＤＡに対して下位側に８ビット拡張された第１設定値ＳＴＶ１と第２設定値ＳＴＶ２が演算される例を示した。但し、演算に必要な精度が確保できる範囲で、拡張されるビット数は任意であってよい。また、ここでは第１設定値ＳＴＶ１から電流源制御値ＱＤＡへの割り当てと、第２設定値ＳＴＶ２から電流源制御値ＱＤＡへの割り当てとの間で、３ビットだけシフトされる例を示した。但し、第１増幅率と第２増幅率との関係で第１充電電流ＩＣＨ１と第２充電電流ＩＣＨ２を同分解能にできる範囲で、シフトされるビット数は任意であってよい。
【0059】
図１８の左図は、第１電流モードにおける第１充電回路１１０と電流源回路１４０のパラメーター例であり、図１８の右図は、第２電流モードにおける第２充電回路１２０と第２電流源回路１４２のパラメーター例である。図１８右図には、左図のパラメーターとの関係も示している。なお、図１８には、理想的なパラメーター例、つまり補正しなくても理想的な第１充電電流と第２充電電流の特性が得られるパラメーター例を示す。
【0060】
基準電圧をＶＲＥＦ＝１．２５Ｖとし、抵抗ＲＧ１～ＲＧ１３のユニット抵抗を５ｋΩとし、電流モード切り替えの閾値を２５６とする。以下の記載においては、適宜に四捨五入により丸めた数値を記載する。
【0061】
左図に示すように、第１電流モードにおいて電流設定値ＩＮＤＡのＬＳＢに相当する第４電流源の抵抗は、ＲＧ４＝５ｋΩ×１２８である。このため、電流設定値ＩＮＤＡのＬＳＢに相当する第１電流ＩＳ１の分解能はＶＲＥＦ／ＲＧ４＝１．９５ｕＡとなる。第１電流の最大値ＩＳ１ｍａｘはＩＳ１分解能×２５５＝０．５ｍＡである。ＲＲＳＳ１＝３２Ω、ＲＣＳＩ１＝７００Ωとすると、第１増幅率はＲＣＳＩ１／ＲＲＳＳ１＝２１．９倍である。第１充電電流ＩＣＨ１の分解能はＩＳ１分解能×第１増幅率＝４２．７ｕＡとなり、第１充電電流の最大値ＩＣＨ１ｍａｘはＩＳ１ｍａｘ×第１増幅率＝１０．９ｍＡとなる。抵抗ＲＣＳＩ１の両端の最小電位差は、ＲＣＳＩ１×ＩＳ１分解能＝１．３７ｍＶとなる。
【0062】
右図に示すように、第２電流モードにおいて電流設定値ＩＮＤＡのＬＳＢに相当する第１電流源の抵抗は、ＲＧ１＝５ｋΩ×１０２４である。このため、電流設定値ＩＮＤＡのＬＳＢに相当する第２電流ＩＳ２の分解能はＶＲＥＦ／ＲＧ１＝０．２４４ｕＡとなる。ＱＤＡ［１２：０］＝０ ０００１ ００００ ００００ｂのとき、第２電流が最小値ＩＳ２ｍｉｎ＝ＩＳ２分解能×２５６＝６２．５ｕＡとなる。第２電流の最大値ＩＳ２ｍａｘはＩＳ２分解能×８１９１＝２ｍＡである。ＲＲＳＳ２＝１Ω、ＲＣＳＩ２＝１７５Ωとすると、第２増幅率はＲＣＳＩ２／ＲＲＳＳ２＝１７５倍である。第２充電電流ＩＣＨ２の分解能はＩＳ２分解能×第２増幅率＝４２．７ｕＡとなり、第２充電電流の最大値ＩＣＨ２ｍａｘはＩＳ２ｍａｘ×第２増幅率＝３５０ｍＡとなる。抵抗ＲＣＳＩ２の両端の最小電位差は、ＲＣＳＩ２×ＩＳ２ｍｉｎ＝１０．９ｍＶとなる。なお、左図のパラメーターとの関係は図示の通りである。
【0063】
第２充電電流ＩＣＨ２の最小値は、ＩＳ２ｍｉｎ×第２増幅率＝｛（ＩＳ１分解能／８）×２５６｝×（第１増幅率×８）＝（ＩＳ１分解能×２５６）×第１増幅率＝（ＩＳ１ｍａｘ＋ＩＳ１分解能）×第１増幅率である。ＩＳ１ｍａｘ×第１増幅率は、第１充電電流ＩＣＨ１の最大値であり、ＩＳ１分解能×第１増幅率は、ＩＣＨ１分解能である。また、ＩＣＨ１分解能＝ＩＣＨ２分解能である。即ち、ＩＣＨ１の最大値からＩＣＨ２分解能だけ増加したものが、ＩＣＨ２の最小値となっている。即ち、ＩＣＨ１とＩＣＨ２の切り替え前後においても、理想的には、電流設定値ＩＮＤＡ［１２：０］に対して充電電流ＩＢＡＴは線形になっている。
【0064】
但し、実際に製造された回路は様々な要因で理想的な特性にならない。例えば、寄生抵抗により、第１充電回路１１０の抵抗ＲＲＳＳ１と第２充電回路１２０の抵抗ＲＲＳＳ２が共に、寄生抵抗により０．１Ω増加したとする。このとき、第１増幅率は７００Ω／（３２Ω＋０．１Ω）＝２１．８となり、第２増幅率は１７５Ω／（１Ω＋０．１Ω）＝１５９となる。第２増幅率＝７．３０×第１増幅率となるので、理想的な第２増幅率＝８×第１増幅率の関係からずれてしまう。充電効率の観点から第１電流ＩＳ１と第２電流ＩＳ２を小さくするために第１増幅率と第２増幅率が高くなっているため、寄生抵抗の影響を受けやすい。或いは、第１電流モードにおいて電流設定値ＩＮＤＡのＬＳＢに相当する第４電流源が流す電流は、理想的には、第２電流モードにおいて電流設定値ＩＮＤＡのＬＳＢに相当する第１電流源が流す電流の８倍である。しかし、寄生抵抗等の影響により実際には８倍でない場合には、ＩＳ１分解能がＩＳ２分解能の８倍にならない。
【0065】
以上のような製造誤差等によって、第１充電電流ＩＣＨ１と第２充電電流ＩＣＨ２の間にオフセット差又は傾き差が生じる。本実施形態によれば、図２～図１３等で説明した第１補正及び第２補正の少なくとも一方を行うことで、第１充電電流ＩＣＨ１と第２充電電流ＩＣＨ２の特性差を低減可能である。
【0066】
また図１８において、第１増幅率が第２増幅率より小さいことで、ＩＳ１分解能をＩＳ２分解能より大きくできるので、抵抗ＲＣＳＩ１の最小電位差を大きくできる。ＩＳ１分解能をＩＳ２分解能より大きくすることは、図１７で説明したビット割り当てのシフトによって実現されている。図１８の例において、ＲＣＳＩ１最小電位差は１．３７ｍＶであり、ＲＣＳＩ２最小電位差は１０．９ｍＶである。これらは、演算増幅器ＯＰＦがより高精度な増幅率で増幅するために、十分大きな電位差となっている。これにより、第１充電電流ＩＣＨ１と第２充電電流ＩＣＨ２をより精度が高い分解能で刻むことができる。
【0067】
【0068】
以上の本実施形態において、回路装置１００は、電流源回路１４０と第１充電回路１１０と第２充電回路１２０と制御回路１６０とを含む。第１充電回路１１０は、電流源回路１４０の出力電流に基づいて、定電流の第１充電電流ＩＣＨ１を充電電流ＩＢＡＴとして充電ノードＮＢＡＴに供給する。第２充電回路１２０は、電流源回路１４０の出力電流に基づいて、第１充電電流ＩＣＨ１よりも大きい定電流の第２充電電流ＩＣＨ２を充電電流ＩＢＡＴとして充電ノードＮＢＡＴに供給する。制御回路１６０は、充電電流ＩＢＡＴの電流値を示す電流設定値ＩＮＤＡに基づいて、第１充電電流ＩＣＨ１の電流値を設定する第１設定値ＳＴＶ１、及び第２充電電流ＩＣＨ２の電流値を設定する第２設定値ＳＴＶ２を出力する設定値出力処理を行う。制御回路１６０は、電流設定値ＩＮＤＡが第１電流範囲であるとき、第１設定値ＳＴＶ１が示す電流値の第１充電電流ＩＣＨ１を第１充電回路１１０から充電ノードＮＢＡＴに供給させる第１電流モードの制御を行う。制御回路１６０は、電流設定値ＩＮＤＡが第１電流範囲より高電流側の第２電流範囲であるとき、第２設定値ＳＴＶ２が示す電流値の第２充電電流ＩＣＨ２を第２充電回路１２０から充電ノードＮＢＡＴに供給させる制御を行う。制御回路１６０は、設定値出力処理において、第１補正及び第２補正のうち少なくとも一方の補正を行う。制御回路１６０は、第１補正において、第１設定値ＳＴＶ１を補正することで、電流設定値ＩＮＤＡに対する第１充電電流ＩＣＨ１の第１変換特性を補正する。制御回路１６０は、第２補正において、第２設定値ＳＴＶ２を補正することで、電流設定値ＩＮＤＡに対する第２充電電流ＩＣＨ２の第２変換特性を補正する。
【0069】
本実施形態によれば、電流設定値ＩＮＤＡが第２電流範囲であるとき、第２充電回路１２０に切り替えられ、第１充電電流ＩＣＨ１よりも大きい第２充電電流ＩＣＨ２で充電が行われる。これにより、高充電電流化が実現される。そして、充電電流ＩＢＡＴの電流設定値ＩＮＤＡに応じて第１充電回路１１０と第２充電回路１２０を切り替えることで、充電電流ＩＢＡＴの電流値に応じて最適な定電流充電回路の設計が可能となる。これにより、高充電電流化を実現しつつ、回路規模の増加、充電電流の分解能低下、又は電力効率の低下を抑制することが可能になる。
【0070】
また本実施形態によれば、第１設定値ＳＴＶ１に対する第１補正、及び第２設定値ＳＴＶ２に対する第２補正の少なくとも一方が行われることで、電流設定値ＩＮＤＡから第１充電電流ＩＣＨ１への第１変換特性、及び電流設定値ＩＮＤＡから第２充電電流ＩＣＨ２への第２変換特性の少なくとも一方が補正される。これにより、電流設定値ＩＮＤＡから第１充電電流ＩＣＨ１への第１変換特性と、電流設定値ＩＮＤＡから第２充電電流ＩＣＨ２への第２変換特性との間の特性差が、低減される。
【0071】
また本実施形態では、制御回路１６０は、第１補正及び第２補正の少なくとも一方の補正として、オフセット補正及び傾き補正の少なくとも一方の補正を行う。制御回路１６０は、オフセット補正において、第１設定値ＳＴＶ１及び第２設定値ＳＴＶ２の少なくとも一方のオフセット補正により第１変換特性と第２変換特性のオフセット差を低減する。制御回路１６０は、傾き補正において、第１設定値ＳＴＶ１及び第２設定値ＳＴＶ２の少なくとも一方の傾き補正により第１変換特性と第２変換特性の傾きを近づける。
【0072】
本実施形態によれば、電流設定値ＩＮＤＡから第１充電電流ＩＣＨ１への第１変換特性と、電流設定値ＩＮＤＡから第２充電電流ＩＣＨ２への第２変換特性との間のオフセット差及び傾き差の少なくとも一方が、低減される。これにより、第１変換特性と第２変換特性との間の特性差が低減される。
【0073】
また本実施形態では、回路装置１００は記憶部１７０を含む。記憶部１７０は、第１変換特性の補正用の第１傾き補正値ＧＡ１及び第１オフセット補正値ＯＦ１と、第２変換特性の補正用の第２傾き補正値ＧＡ２及び第２オフセット補正値ＯＦ２と、を記憶する。制御回路１６０は、第１傾き補正値ＧＡ１、第１オフセット補正値ＯＦ１及び電流設定値ＩＮＤＡに基づいて第１設定値ＳＴＶ１を演算する第１補正を行うことで、第１変換特性の補正を行う。制御回路１６０は、第２傾き補正値ＧＡ２、第２オフセット補正値ＯＦ２及び電流設定値ＩＮＤＡに基づいて第２設定値ＳＴＶ２を演算する第２補正を行うことで、第２変換特性の補正を行う。
【0074】
本実施形態によれば、第１傾き補正値ＧＡ１及び第１オフセット補正値ＯＦ１によって補正された第１設定値ＳＴＶ１に基づいて、第１充電電流ＩＣＨ１の電流値が制御される。これにより、電流設定値ＩＮＤＡから第１充電電流ＩＣＨ１への第１変換特性が補正される。また、第２傾き補正値ＧＡ２及び第２オフセット補正値ＯＦ２によって補正された第２設定値ＳＴＶ２に基づいて、第２充電電流ＩＣＨ２の電流値が制御される。これにより、電流設定値ＩＮＤＡから第２充電電流ＩＣＨ２への第２変換特性が補正される。
【0075】
また本実施形態では、制御回路１６０は、ＳＴＶ１＝ＧＡ１×ＩＮＤＡ＋ＯＦ１により第１設定値ＳＴＶ１を演算し、ＳＴＶ２＝ＧＡ２×ＩＮＤＡ＋ＯＦ２により第２設定値ＳＴＶ２を演算する。
【0076】
本実施形態によれば、第１傾き補正値ＧＡ１により第１設定値ＳＴＶ１の傾きが補正され、第１オフセット補正値ＯＦ１により第１設定値ＳＴＶ１のオフセットが補正される。また、第２傾き補正値ＧＡ２により第２設定値ＳＴＶ２の傾きが補正され、第２オフセット補正値ＯＦ２により第２設定値ＳＴＶ２のオフセットが補正される。これにより、電流設定値ＩＮＤＡから第１充電電流ＩＣＨ１への第１変換特性と、電流設定値ＩＮＤＡから第２充電電流ＩＣＨ２への第２変換特性との間のオフセット差及び傾き差が、低減される。
【0077】
また本実施形態では、記憶部１７０は、第１電流範囲と第２電流範囲の境界に対応する閾値ＴＨＲを記憶する。制御回路１６０は、電流設定値ＩＮＤＡが閾値ＴＨＲより小さいときには、第１設定値ＳＴＶ１に基づいて第１電流モードの制御を行う。制御回路１６０は、電流設定値ＩＮＤＡが閾値ＴＨＲより大きいときには、第２設定値ＳＴＶ２に基づいて第２電流モードの制御を行う。
【0078】
本実施形態によれば、所望の閾値ＴＨＲを記憶部１７０に記憶させることで、第１電流範囲と第２電流範囲の境界に対応する閾値ＴＨＲを変更できる。これにより、第１充電モードと第２充電モードを最適な閾値ＴＨＲで切り替え可能となる。例えば、図１４で説明したように、第１充電電流ＩＣＨ１の特性又は第２充電電流ＩＣＨ２の特性に非線形領域がある場合には、その非線形領域を避けて、第１充電モードと第２充電モードを最適な閾値ＴＨＲで切り替え可能である。
【0079】
また本実施形態では、記憶部１７０は、不揮発性メモリーであってもよい。
【0080】
本実施形態によれば、回路装置１００又は電子機器２００の製造時において閾値及び補正パラメーターが記憶部１７０に書き込まれる。これにより、事前に計測された又は事前にシミュレーション処理により最適な閾値及び補正パラメーターを取得しておき、その閾値及び補正パラメーターを不揮発性メモリーに書き込むことが可能となる。
【0081】
また本実施形態では、第１電流モードにおいて、電流源回路１４０は、第１設定値ＳＴＶ１に基づいて第１電流ＩＳ１を出力電流として第１充電回路１１０に供給する。また、第１充電回路１１０は、第１増幅率で第１電流ＩＳ１を増幅することで第１充電電流ＩＣＨ１を供給する。第２電流モードにおいて、電流源回路１４０は、第２設定値ＳＴＶ２に基づいて第２電流ＩＳ２を出力電流として第２充電回路１２０に供給する。また、第２充電回路１２０は、第１増幅率よりも大きい第２増幅率で第２電流ＩＳ２を増幅することで第２充電電流ＩＣＨ２を供給する。
【0082】
本実施形態によれば、第２電流モードにおける第２増幅率が第１電流モードにおける第１増幅率より大きいことで、第２電流モードにおいて、第１充電電流より大きい第２充電電流を生成できる。また、図１８で説明したように、ＩＣＨ１分解能＝ＩＣＨ２分解能であり、ＩＣＨ１分解能＝ＩＳ１分解能×第１増幅率であり、ＲＣＳＩ１最小電位差＝ＲＣＳＩ１×ＩＳ１分解能である。第１増幅率が第２増幅率より小さいことで、ＩＳ１分解能を大きくできるので、ＲＣＳＩ１最小電位差を大きくできる。これにより、第１充電電流ＩＣＨ１の分解能をより精度よく刻むことが可能になる。また、ＩＳ２分解能はＩＳ１分解能より小さくなるが、第１充電回路１１０と第２充電回路１２０を分けたことでＲＣＳＩ２最小電位差＝ＲＣＳＩ２×ＩＳ２ｍｉｎとなっている。これにより、第２充電電流ＩＣＨ２の分解能の値は第１充電電流ＩＣＨ１の分解能と同じになり、第１充電電流ＩＣＨ１と同様、第２充電電流ＩＣＨ２の分解能をより精度よく刻むことが可能になる。
【0083】
また本実施形態では、一例として第１メタル抵抗と第１ポリ抵抗との比によって第１増幅率が設定され、第２メタル抵抗と第２ポリ抵抗との比によって第２増幅率が設定されてもよい。具体的には、第１充電回路１１０の抵抗ＲＲＳＳ１が第１メタル抵抗であり、抵抗ＲＣＳＩ１が第１ポリ抵抗である。また、第２充電回路１２０の抵抗ＲＲＳＳ２が第２メタル抵抗であり、抵抗ＲＣＳＩ２が第２ポリ抵抗である。但し、各抵抗の種類は上記に限定されるものでない。
【0084】
本実施形態によれば、増幅率の分母となる抵抗をメタル抵抗としたことで、その抵抗を小さい抵抗値に設定できる。これにより、増幅率を大きな値にできる。このとき、増幅率が寄生抵抗の影響を受けやすくなることで、第１変換特性と第２変換特性の特性差が生じやすくなる。本実施形態によれば、第１補正及び第２補正の少なくとも一方が行われることで、第１変換特性と第２変換特性の特性差が低減される。
【0085】
また本実施形態では、電流源回路１４０は、電流値がバイナリーに重み付けされた第１～第ｎ定電流を出力する第１～第ｎ電流源と、スイッチ回路１４５と、を含む。第１電流モードにおいて、制御回路１６０は、第１設定値ＳＴＶ１に基づいて、第１～第ｎ電流源を制御する電流源制御値ＱＤＡの第１～第ｎ制御ビット信号ＱＤＡ［０］～ＱＤＡ［ｎ－１］を出力する。スイッチ回路１４５は、第１～第ｎ電流源のうち第１～第ｎ制御ビット信号ＱＤＡ［０］～ＱＤＡ［ｎ－１］に基づいて選択された電流源からの電流を第１電流ＩＳ１として第１充電回路１１０に供給する。第２電流モードにおいて、制御回路１６０は、第２設定値ＳＴＶ２に基づいて第１～第ｎ制御ビット信号ＱＤＡ［０］～ＱＤＡ［ｎ－１］を出力する。スイッチ回路１４５は、第１～第ｎ電流源のうち第１～第ｎ制御ビット信号ＱＤＡ［０］～ＱＤＡ［ｎ－１］に基づいて選択された電流源からの電流を第２電流ＩＳ２として第２充電回路１２０に供給する。
【0086】
【0087】
本実施形態によれば、第１電流モードにおいて、第１補正により補正された第１設定値ＳＴＶ１に基づいて第１電流ＩＳ１の電流値が設定されることで、第１充電電流ＩＣＨ１の電流値が設定される。第２電流モードにおいて、第２補正により補正された第２設定値ＳＴＶ２に基づいて第２電流ＩＳ２の電流値が設定されることで、第２充電電流ＩＣＨ２の電流値が設定される。
【0088】
また本実施形態では、制御回路１６０は、第２電流モードにおいて、第２設定値ＳＴＶ２のビット信号のうち第ｉ＋１～第ｉ＋ｎビット信号ＳＴＶ２［ｉ］～ＳＴＶ２［ｉ＋ｎ－１］を第１～第ｎ制御ビット信号ＱＤＡ［０］～ＱＤＡ［ｎ－１］として出力する。制御回路１６０は、第１電流モードにおいて、第１設定値ＳＴＶ１のビット信号のうち第ｉ＋１－ｋ～第ｉ－ｋ＋ｎビット信号ＳＴＶ１［ｉ－ｋ］～ＳＴＶ１［ｉ－ｋ＋ｎ－１］を第１～第ｎ制御ビット信号ＱＤＡ［０］～ＱＤＡ［ｎ－１］として出力する。
【0089】
なお、図１６～図１８の例では、ｎ＝１３、ｉ＝８、ｋ＝３であるが、ｎは２以上の整数であればよく、ｉは１以上の整数であればよく、ｋは１以上ｉ以下の整数であればよい。電流源回路１４０は、電流値がバイナリーに重み付けされたｎ個の電流源を有している。そして、このうち重みの高いほうから（ｎ－ｋ）個の電流源は、第１電流モードにおいて電流源制御値ＱＤＡ［ｎ―１：ｋ］に対応する。図１７では、例えば、ＱＤＡ［１２：３］に対応した電流源は１０個である。これは、電流設定値のＬＳＢであるＩＮＤＡ［０］に相当するビットはＱＤＡ［３］だからである。電流設定値のＬＳＢより下位ビットのＱＤＡ［ｋ－１：０］に対応した電流源は動作しないように電流源をビットによらずに非アクティブにしてもよいし、ビットによらずにアクティブにしてもよい。また、電流設定値のＬＳＢより下位ビットの電流源にＱＤＡ［ｋ－１：０］を供給して制御してもよい。図１７においてＱＤＡ［ｋ－１：０］はＱＤＡ［２：０］である。
【0090】
本実施形態によれば、図１７と図１８で説明したように、電流設定値ＩＮＤＡのＬＳＢに対応する第１電流ＩＳ１の分解能と第２電流ＩＳ２の分解能とが異なる。本実施形態では、この分解能の差を、第１充電回路１１０の第１増幅率と第２充電回路１２０の第２増幅率の違いによって吸収できるので、電流設定値ＩＮＤＡのＬＳＢに対応する第１充電電流ＩＣＨ１の分解能と第２充電電流ＩＣＨ２の分解能を、ほぼ同等にできる。
【0091】
また、本実施形態によれば、図１８で説明したように、第１増幅率が第２増幅率より小さいことで、第１電流ＩＳ１の分解能を第２電流ＩＳ２の分解能より大きくできる。この分解能の違いは、第２設定値ＳＴＶ２から電流源制御値ＱＤＡへのビット割り当てと、第１設定値ＳＴＶ１から電流源制御値ＱＤＡへのビット割り当てとが、ｋビットだけ異なることで、実現されている。第１電流ＩＳ１の分解能を大きくできることで、第１増幅率に関係する抵抗ＲＣＳＩ１の最小電位差を大きくできるので、演算増幅器ＯＰＦがより高精度な増幅率で増幅するための十分大きな電位差を確保できる。これにより、第１充電電流ＩＣＨ１と第２充電電流ＩＣＨ２をより精度が高い分解能で刻むことができる。
【0092】
２．第２実施形態
図１９は、第２実施形態における回路装置１００と、その回路装置１００を含む電子機器２００の構成例である。第２実施形態は、第１実施形態に対して電流源回路１４０の構成が異なる。第１補正、第２補正及び閾値設定の手法は、第１実施形態と同様である。なお、既に説明した構成要素と同じ構成要素には同じ符号を付し、その構成要素についての説明を適宜に省略する。
図１９は、第２実施形態における回路装置１００と、その回路装置１００を含む電子機器２００の構成例である。第２実施形態は、第１実施形態に対して電流源回路１４０の構成が異なる。第１補正、第２補正及び閾値設定の手法は、第１実施形態と同様である。なお、既に説明した構成要素と同じ構成要素には同じ符号を付し、その構成要素についての説明を適宜に省略する。
【0093】
制御回路１６０は、電流設定値ＩＮＤＡに第１補正を行い、その結果を第１電流源制御値ＱＤＡ１として電流源回路１４０に出力する。また、制御回路１６０は、電流設定値ＩＮＤＡに第２補正を行い、その結果を第２電流源制御値ＱＤＡ２として電流源回路１４０に出力する。但し、第１補正及び第２補正のうち一方のみが行われてもよいし、両方が行われてもよい。
【0094】
電流源回路１４０は、第１電流源回路１４１と第２電流源回路１４２とを含む。第１電流源回路１４１は、第１電流源制御値ＱＤＡ１により設定される電流値の第１電流ＩＳ１を生成し、その第１電流ＩＳ１を第１充電回路１１０に供給する。第２電流源回路１４２は、第２電流源制御値ＱＤＡ２により設定される電流値の第２電流ＩＳ２を生成し、その第２電流ＩＳ２を第２充電回路１２０に供給する。
【0095】
図２０は、第２実施形態における制御回路１６０の動作説明図である。以下、制御回路１６０が含む閾値判定部１６３及び設定値出力部１６４の動作として説明する。閾値判定部１６３の動作については第１実施形態と同様である。
【0096】
設定値出力部１６４は、モード制御信号ＭＤがローレベルのとき、第１設定値ＳＴＶ１に基づいて第１電流源制御値ＱＤＡ１を出力すると共に、第２電流源制御値ＱＤＡ２をゼロに設定する。設定値出力部１６４は図３において電流源制御値ＱＤＡを電流源回路１４０に出力していたが、本実施形態では第１電流源制御値ＱＤＡ１及び第２電流源制御値ＱＤＡ２を電流源回路１４０に出力する。これにより、第１充電モードにおける充電電流ＩＢＡＴ＝ＩＣＨ１は、第１補正により補正された第１設定値ＳＴＶ１によって制御される。設定値出力部１６４は、モード制御信号ＭＤがハイレベルのとき、第２設定値ＳＴＶ２に基づいて第２電流源制御値ＱＤＡ２を出力すると共に、第１電流源制御値ＱＤＡ１をゼロに設定する。これにより、第２充電モードにおける充電電流ＩＢＡＴ＝ＩＣＨ２は、第２補正により補正された第２設定値ＳＴＶ２によって制御される。
【0097】
図２１は、第１充電回路１１０と第１電流源回路１４１の詳細構成例である。第１充電回路１１０の構成は、第１実施形態と同様である。
【0098】
第１電流源回路１４１は、演算増幅器ＯＰＢ１とＰ型トランジスターＴＢ１と抵抗ＲＣ１～ＲＣ１３とＮ型トランジスターＴＣ１～ＴＣ１３とを含む。
【0099】
Ｐ型トランジスターＴＢ１のソースはノードＮＣＳＩ１に接続され、ドレインはノードＮＳ１に接続される。演算増幅器ＯＰＢ１の反転入力端子に基準電圧ＶＲＥＦが入力される。演算増幅器ＯＰＢ１の非反転入力端子はノードＮＳ１に接続され、出力ノードはＰ型トランジスターＴＢ１のゲートに接続される。抵抗ＲＣ１の一端はノードＮＳ１に接続され、他端はＮ型トランジスターＴＣ１のドレインに接続される。Ｎ型トランジスターＴＣ１のソースはグランドノードに接続される。同様に、抵抗ＲＣ２～ＲＣ１３の一端はノードＮＳ１に接続され、他端はＮ型トランジスターＴＣ２～ＴＣ１３のドレインに接続される。Ｎ型トランジスターＴＣ２～ＴＣ１３のソースはグランドノードに接続される。Ｎ型トランジスターＴＣ１のゲートには、第１電流源制御値ＱＤＡ１の制御ビット信号ＱＤＡ１［０］が入力される。同様に、Ｎ型トランジスターＴＣ２～ＴＣ１３のゲートには、第１電流源制御値ＱＤＡ１の制御ビット信号ＱＤＡ１［１］～ＱＤＡ１［１２］が入力される。
【0100】
演算増幅器ＯＰＢ１は、第１イネーブル信号ＸＯＮＳがアクティブのとき動作イネーブルとなる。これにより、ノードＮＳ１の電圧がＶＳ１＝ＶＲＥＦとなる。抵抗ＲＣ１とＮ型トランジスターＴＣ１を第１電流源回路１４１の第１電流源と呼ぶ。第１電流源制御値ＱＤＡ１の制御ビット信号ＱＤＡ［０］が１のときＮ型トランジスターＴＣ１がオンであり、第１電流源がＶＲＥＦ／ＲＣ１の電流を流す。同様に、抵抗ＲＣ２～ＲＣ１３とＮ型トランジスターＴＣ２～ＴＣ１３を第１電流源回路１４１の第２～第１３電流源と呼ぶ。第１電流源制御値ＱＤＡ１の制御ビット信号ＱＤＡ１［１］～ＱＤＡ１［１２］が１のときＮ型トランジスターＴＣ２～ＴＣ１３がオンであり、第２～第１３電流源がＶＲＥＦ／ＲＣ２～ＶＲＥＦ／ＲＣ１３の電流を流す。Ｐ型トランジスターＴＢ１に流れる第１電流ＩＳ１は、第１電流源制御値ＱＤＡ１の制御ビット信号ＱＤＡ１［０］～ＱＤＡ１［１２］のうち１である制御ビット信号に対応した電流源が流す電流の合計である。なお、第１電流源回路１４１に含まれる電流源の数は１３に限定されず、ｍ個であればよい。ｍは２以上ｎ以下の整数である。
【0101】
第１イネーブル信号ＸＯＮＳが非アクティブのときには、演算増幅器ＯＰＡ１とＯＰＢ１は動作ディセーブルになる。このときＰ型トランジスターＴＡ１とＴＢ１がオフになり、第１電流ＩＳ１と第１充電電流ＩＣＨ１は流れない。
【0102】
図２２は、第２充電回路１２０と第２電流源回路１４２の詳細構成例である。第２充電回路１２０の構成は、第１実施形態と同様である。
【0103】
第２電流源回路１４２は、演算増幅器ＯＰＢ２とＰ型トランジスターＴＢ２と抵抗ＲＤ１～ＲＤ１３とＮ型トランジスターＴＤ１～ＴＤ１３とを含む。
【0104】
Ｐ型トランジスターＴＢ２のソースはノードＮＣＳＩ２に接続され、ドレインはノードＮＳ２に接続される。演算増幅器ＯＰＢ２の反転入力端子に基準電圧ＶＲＥＦが入力される。演算増幅器ＯＰＢ２の非反転入力端子はノードＮＳ２に接続され、出力ノードはＰ型トランジスターＴＢ２のゲートに接続される。抵抗ＲＤ１の一端はノードＮＳ２に接続され、他端はＮ型トランジスターＴＤ１のドレインに接続される。Ｎ型トランジスターＴＤ１のソースはグランドノードに接続される。同様に、抵抗ＲＤ２～ＲＤ１３の一端はノードＮＳ２に接続され、他端はＮ型トランジスターＴＤ２～ＴＤ１３のドレインに接続される。Ｎ型トランジスターＴＤ２～ＴＤ１３のソースはグランドノードに接続される。Ｎ型トランジスターＴＤ１のゲートには、第２電流源制御値ＱＤＡ２の制御ビット信号ＱＤＡ２［０］が入力される。同様に、Ｎ型トランジスターＴＤ２～ＴＤ１３のゲートには、第２電流源制御値ＱＤＡ２の制御ビット信号ＱＤＡ２［１］～ＱＤＡ２［１２］が入力される。
【0105】
演算増幅器ＯＰＢ２は、第２イネーブル信号ＸＯＮＬがアクティブのとき動作イネーブルとなる。これにより、ノードＮＳ２の電圧がＶＳ２＝ＶＲＥＦとなる。抵抗ＲＤ１とＮ型トランジスターＴＤ１を第２電流源回路１４２の第１電流源と呼ぶ。第２電流源制御値ＱＤＡ２の制御ビット信号ＱＤＡ２［０］が１のときＮ型トランジスターＴＤ１がオンであり、第１電流源がＶＲＥＦ／ＲＤ１の電流を流す。同様に、抵抗ＲＤ２～ＲＤ１３とＮ型トランジスターＴＤ２～ＴＤ１３を第２電流源回路１４２の第２～第１３電流源と呼ぶ。第２電流源制御値ＱＤＡ２の制御ビット信号ＱＤＡ２［１］～ＱＤＡ２［１２］が１のときＮ型トランジスターＴＤ２～ＴＤ１３がオンであり、第２～第１３電流源がＶＲＥＦ／ＲＤ２～ＶＲＥＦ／ＲＤ１３の電流を流す。Ｐ型トランジスターＴＢ２に流れる第２電流ＩＳ２は、第２電流源制御値ＱＤＡ２の制御ビット信号ＱＤＡ２［０］～ＱＤＡ２［１２］のうち１である制御ビット信号に対応した電流源が流す電流の合計である。なお、第２電流源回路１４２に含まれる電流源の数は１３に限定されず、ｎ個であればよい。
【0106】
第２イネーブル信号ＸＯＮＬが非アクティブのときには、演算増幅器ＯＰＡ２とＯＰＢ２は動作ディセーブルになる。このときＰ型トランジスターＴＡ２とＴＢ２がオフになり、第２電流ＩＳ２と第２充電電流ＩＣＨ２は流れない。
【0107】
図２３は、第１電流源回路１４１及び第２電流源回路１４２の抵抗比と動作を説明する図である。
【0108】
第１電流源回路１４１において第１～第１３電流源の電流比を決める抵抗ＲＣ１～ＲＣ１３の抵抗比は、ＲＣ１３：ＲＣ１２：・・・：ＲＣ２：ＲＣ１＝０．２５：０．５：・・・：５１２：１０２４である。この逆数比が電流比となるので、第１～第１３電流源が流す電流はバイナリーに重み付けされる。設定値出力部１６４は、第１電流モードつまり第１イネーブル信号ＸＯＮＳがローレベルのとき、ＳＴＶ１［１７：０］の上位１３ビットを第１電流源制御値ＱＤＡ１に割り当てて、ＱＤＡ１［１２：０］＝ＳＴＶ１［１７：５］を第１電流源回路１４１に出力する。
【0109】
第２電流源回路１４２において第１～第１３電流源の電流比を決める抵抗ＲＤ１～ＲＤ１３の抵抗比は、ＲＤ１３：ＲＤ１２：・・・：ＲＤ２：ＲＤ１＝０．２５：０．５：・・・：５１２：１０２４である。この逆数比が電流比となるので、第１～第１３電流源が流す電流はバイナリーに重み付けされる。設定値出力部１６４は、第２電流モードつまり第２イネーブル信号ＸＯＮＬがローレベルのとき、ＳＴＶ２［２０：０］の上位１３ビットを第２電流源制御値ＱＤＡ２に割り当てて、ＱＤＡ２［１２：０］＝ＳＴＶ２［２０：８］を第２電流源回路１４２に出力する。
【0110】
【0111】
以上の本実施形態では、電流源回路１４０は、第１電流源回路１４１と第２電流源回路１４２とを含む。第１電流源回路１４１は、電流値がバイナリーに重み付けされたｍ個の定電流を出力するｍ個の電流源を有する。第２電流源回路１４２は、電流値がバイナリーに重み付けされたｎ個の定電流を出力するｎ個の電流源を有する。制御回路１６０は、第１設定値ＳＴＶ１に基づいて、第１電流源回路１４１のｍ個の電流源を制御するｍビットの第１電流源制御信号ＱＤＡ１を出力し、第２設定値ＳＴＶ２に基づいて、第２電流源回路１４２のｎ個の電流源を制御するｎビットの第２電流源制御信号ＱＤＡ２を出力する。第１電流源回路１４１は、ｍ個の電流源のうち第１電流源制御信号ＱＤＡ１に基づいて選択された電流源からの電流を第１電流ＩＳ１として第１充電回路１１０に供給する。第２電流源回路１４２は、ｎ個の電流源のうち第２電流源制御信号ＱＤＡ２に基づいて選択された電流源からの電流を第２電流ＩＳ２として第２充電回路１２０に供給する。
【0112】
【0113】
本実施形態によれば、第１電流モードにおいて、第１補正により補正された第１設定値ＳＴＶ１に基づいて第１電流ＩＳ１の電流値が設定されることで、第１充電電流ＩＣＨ１の電流値が設定される。第２電流モードにおいて、第２補正により補正された第２設定値ＳＴＶ２に基づいて第２電流ＩＳ２の電流値が設定されることで、第２充電電流ＩＣＨ２の電流値が設定される。
【0114】
また本実施形態では、制御回路１６０は、第２設定値ＳＴＶ２のビット信号のうち第ｉ＋１～第ｉ＋ｎビット信号ＳＴＶ２［ｉ］～ＳＴＶ２［ｉ＋ｎ－１］をｎビットの第２電流源制御値ＱＤＡ２［ｎ－１：０］として出力する。制御回路１６０は、第１設定値ＳＴＶ１のビット信号のうち第ｉ＋１－ｋ～第ｉ－ｋ＋ｍビット信号ＳＴＶ１［ｉ－ｋ］～ＳＴＶ１［ｉ－ｋ＋ｍ－１］をｍビットの第１電流源制御値ＱＤＡ１［ｍ－１：０］として出力する。
【0115】
なお、図２１～図２３の例では、ｍ＝ｎ＝１３、ｉ＝８、ｋ＝３であるが、ｍは２以上の整数であればよく、ｎはｍ以上の整数であればよく、ｎ≠ｍであってもよく、ｉは１以上の整数であればよく、ｋは１以上ｉ以下の整数であればよい。
【0116】
本実施形態によれば、第１実施形態と同様に、電流設定値ＩＮＤＡのＬＳＢに対応する第１電流ＩＳ１の分解能と第２電流ＩＳ２の分解能とが異なる。本実施形態では、この分解能の差を、第１充電回路１１０の第１増幅率と第２充電回路１２０の第２増幅率の違いによって吸収できるので、電流設定値ＩＮＤＡのＬＳＢに対応する第１充電電流ＩＣＨ１の分解能と第２充電電流ＩＣＨ２の分解能を、ほぼ同等にできる。
【0117】
また、本実施形態によれば、第１実施形態と同様に、第１増幅率が第２増幅率より小さいことで、第１電流ＩＳ１の分解能を第２電流ＩＳ２の分解能より大きくできる。この分解能の違いは、第２設定値ＳＴＶ２から第２電流源制御値ＱＤＡ２へのビット割り当てと、第１設定値ＳＴＶ１から第１電流源制御値ＱＤＡ１へのビット割り当てとが、ｋビットだけ異なることで、実現されている。第１電流ＩＳ１の分解能を大きくできることで、第１増幅率に関係する抵抗ＲＣＳＩ１の最小電位差を大きくできるので、演算増幅器ＯＰＦがより高精度な増幅率で増幅するための十分大きな電位差を確保できる。これにより、第１充電電流ＩＣＨ１と第２充電電流ＩＣＨ２をより精度が高い分解能で刻むことができる。
【0118】
以上に説明した本実施形態の回路装置は、電流源回路と第１充電回路と第２充電回路と制御回路とを含む。第１充電回路は、電流源回路の出力電流に基づいて、定電流の第１充電電流を充電電流として充電ノードに供給する。第２充電回路は、電流源回路の出力電流に基づいて、第１充電電流よりも大きい定電流の第２充電電流を充電電流として充電ノードに供給する。制御回路は、充電電流の電流値を示す電流設定値に基づいて、第１充電電流の電流値を設定する第１設定値、及び第２充電電流の電流値を設定する第２設定値を出力する設定値出力処理を行う。制御回路は、電流設定値が第１電流範囲であるとき、第１設定値が示す電流値の第１充電電流を第１充電回路から充電ノードに供給させる第１電流モードの制御を行う。制御回路は、電流設定値が第１電流範囲より高電流側の第２電流範囲であるとき、第２設定値が示す電流値の第２充電電流を第２充電回路から充電ノードに供給させる第２電流モードの制御を行う。制御回路は、設定値出力処理において、第１設定値を補正することで、電流設定値に対する第１充電電流の第１変換特性を補正する第１補正、及び第２設定値を補正することで、電流設定値に対する第２充電電流の第２変換特性を補正する第２補正のうち少なくとも一方の補正を行う。
【0119】
本実施形態によれば、充電電流の電流設定値に応じて第１充電回路と第２充電回路を切り替えることで、充電電流の電流値に応じて最適な定電流充電回路の設計が可能となる。これにより、高充電電流化を実現しつつ、回路規模の増加、充電電流の分解能低下、又は電力効率の低下を抑制することが可能になる。また本実施形態によれば、第１設定値に対する第１補正、及び第２設定値に対する第２補正の少なくとも一方が行われることで、電流設定値から第１充電電流への第１変換特性、及び電流設定値から第２充電電流への第２変換特性の少なくとも一方が補正される。これにより、第１変換特性と第２変換特性との間の特性差が低減される。
【0120】
また本実施形態では、制御回路は、第１補正及び第２補正の少なくとも一方の補正として、オフセット補正及び傾き補正のうち少なくとも一方の補正を行ってもよい。制御回路は、オフセット補正において、第１設定値及び第２設定値の少なくとも一方のオフセット補正により第１変換特性と第２変換特性のオフセット差を低減してもよい。制御回路は、傾き補正において、第１設定値及び第２設定値の少なくとも一方の傾き補正により第１変換特性と第２変換特性の傾きを近づけてもよい。
【0121】
本実施形態によれば、電流設定値から第１充電電流への第１変換特性と、電流設定値から第２充電電流への第２変換特性との間のオフセット差及び傾き差の少なくとも一方が、低減される。これにより、第１変換特性と第２変換特性との間の特性差が低減される。
【0122】
また本実施形態では、回路装置は記憶部を含んでもよい。記憶部は、第１変換特性の補正用の第１傾き補正値及び第１オフセット補正値と、第２変換特性の補正用の第２傾き補正値及び第２オフセット補正値と、を記憶してもよい。制御回路は、第１傾き補正値、第１オフセット補正値及び電流設定値に基づいて第１設定値を演算する第１補正を行うことで、第１変換特性の補正を行ってもよい。制御回路は、第２傾き補正値、第２オフセット補正値及び電流設定値に基づいて第２設定値を演算する第２補正を行うことで、第２変換特性の補正を行ってもよい。
【0123】
本実施形態によれば、第１傾き補正値及び第１オフセット補正値によって補正された第１設定値に基づいて、第１充電電流の電流値が制御される。これにより、電流設定値から第１充電電流への第１変換特性が補正される。また、第２傾き補正値及び第２オフセット補正値によって補正された第２設定値に基づいて、第２充電電流の電流値が制御される。これにより、電流設定値から第２充電電流への第２変換特性が補正される。
【0124】
また本実施形態では、電流設定値がＩＮＤＡであり、第１傾き補正値がＧＡ１であり、第１オフセット補正値がＯＦ１であり、第２傾き補正値がＧＡ２であり、第１オフセット補正値がＯＦ２であってもよい。このとき、制御回路は、ＳＴＶ１＝ＧＡ１×ＩＮＤＡ＋ＯＦ１、ＳＴＶ２＝ＧＡ２×ＩＮＤＡ＋ＯＦ２により第１設定値ＳＴＶ１及び第２設定値ＳＴＶ２を演算してもよい。
【0125】
本実施形態によれば、第１傾き補正値により第１設定値の傾きが補正され、第１オフセット補正値により第１設定値のオフセットが補正される。また、第２傾き補正値により第２設定値の傾きが補正され、第２オフセット補正値により第２設定値のオフセットが補正される。これにより、電流設定値から第１充電電流への第１変換特性と、電流設定値から第２充電電流への第２変換特性との間のオフセット差及び傾き差が、低減される。
【0126】
また本実施形態では、記憶部は、第１電流範囲と第２電流範囲の境界に対応する閾値を記憶してもよい。制御回路は、電流設定値が閾値より小さいときには、第１設定値に基づいて第１電流モードの制御を行ってもよい。制御回路は、電流設定値が閾値より大きいときには、第２設定値に基づいて第２電流モードの制御を行ってもよい。
【0127】
本実施形態によれば、所望の閾値を記憶部に記憶させることで、第１電流範囲と第２電流範囲の境界に対応する閾値を変更できる。これにより、第１充電モードと第２充電モードを最適な閾値で切り替え可能となる。例えば、第１充電電流の特性又は第２充電電流の特性に非線形領域がある場合には、その非線形領域を避けて、第１充電モードと第２充電モードを最適な閾値で切り替え可能である。
【0128】
また本実施形態では、記憶部は、不揮発性メモリーであってもよい。
【0129】
本実施形態によれば、回路装置、又は回路装置を含む電子機器の製造時において閾値及び補正パラメーターが記憶部に書き込まれる。これにより、事前に計測された又は事前にシミュレーション処理により最適な閾値及び補正パラメーターを取得しておき、その閾値及び補正パラメーターを不揮発性メモリーに書き込むことが可能となる。
【0130】
また本実施形態では、第１電流モードにおいて、電流源回路は、第１設定値に基づいて第１電流を出力電流として第１充電回路に供給し、第１充電回路は、第１増幅率で第１電流を増幅することで第１充電電流を供給してもよい。第２電流モードにおいて、電流源回路は、第２設定値に基づいて第２電流を出力電流として第２充電回路に供給し、第２充電回路は、第１増幅率よりも大きい第２増幅率で第２電流を増幅することで第２充電電流を供給してもよい。
【0131】
本実施形態によれば、第２電流モードにおける第２増幅率が第１電流モードにおける第１増幅率より大きいことで、第２電流モードにおいて、第１充電電流より大きい第２充電電流を生成できる。また、第１増幅率が第２増幅率より小さいことで、第１電流の分解能を大きくできる。これにより、第１充電電流の分解能をより精度よく刻むことが可能になる。また、第２電流の分解能は第１電流の分解能より小さくなるが、第１充電回路と第２充電回路を分けたことで、第２充電電流の分解能をより精度よく刻むことが可能になる。
【0132】
また本実施形態では、第１メタル抵抗と第１ポリ抵抗との比によって第１増幅率が設定されてもよい。第２メタル抵抗と第２ポリ抵抗との比によって第２増幅率が設定されてもよい。
【0133】
本実施形態によれば、増幅率の分母となる抵抗をメタル抵抗としたことで、その抵抗を小さい抵抗値に設定できる。これにより、増幅率を大きな値にできる。このとき、増幅率が寄生抵抗の影響を受けやすくなることで、第１変換特性と第２変換特性の特性差が生じやすくなる。本実施形態によれば、第１補正及び第２補正の少なくとも一方が行われることで、第１変換特性と第２変換特性の特性差が低減される。
【0134】
また本実施形態では、電流源回路は、電流値がバイナリーに重み付けされた第１～第ｎ定電流を出力する第１～第ｎ電流源と、スイッチ回路と、を含んでもよい。ｎは２以上の整数である。第１電流モードにおいて、制御回路は、第１設定値に基づいて、第１～第ｎ電流源を制御する電流源制御値の第１～第ｎ制御ビット信号を出力してもよい。スイッチ回路は、第１～第ｎ電流源のうち第１～第ｎ制御ビット信号に基づいて選択された電流源からの電流を第１電流として第１充電回路に供給してもよい。第２電流モードにおいて、制御回路は、第２設定値に基づいて第１～第ｎ制御ビット信号を出力してもよい。スイッチ回路は、第１～第ｎ電流源のうち第１～第ｎ制御ビット信号に基づいて選択された電流源からの電流を第２電流として第２充電回路に供給してもよい。
【0135】
本実施形態によれば、第１電流モードにおいて、第１補正により補正された第１設定値に基づいて第１電流の電流値が設定されることで、第１充電電流の電流値が設定される。第２電流モードにおいて、第２補正により補正された第２設定値に基づいて第２電流の電流値が設定されることで、第２充電電流の電流値が設定される。
【0136】
また本実施形態では、制御回路は、第２電流モードにおいて、第２設定値のビット信号のうち第ｉ＋１～第ｉ＋ｎビット信号を第１～第ｎ制御ビット信号として出力してもよい。ｉは１以上の整数である。制御回路は、第１電流モードにおいて、第１設定値のビット信号のうち第ｉ＋１－ｋ～第ｉ－ｋ＋ｎビット信号を第１～第ｎ制御ビット信号として出力してもよい。ｋは１以上ｉ以下の整数である。
【0137】
本実施形態によれば、電流設定値のＬＳＢに対応する第１電流の分解能と第２電流の分解能とが異なる。本実施形態では、この分解能の差を、第１充電回路の第１増幅率と第２充電回路の第２増幅率の違いによって吸収できるので、電流設定値のＬＳＢに対応する第１充電電流の分解能と第２充電電流の分解能を、ほぼ同等にできる。
【0138】
また本実施形態では、電流源回路は、電流値がバイナリーに重み付けされたｍ個の定電流を出力するｍ個の電流源を有する第１電流源回路と、電流値がバイナリーに重み付けされたｎ個の定電流を出力するｎ個の電流源を有する第２電流源回路と、を含んでもよい。ｍは２以上の整数である。ｎはｍ以上の整数である。制御回路は、第１設定値に基づいて、第１電流源回路のｍ個の電流源を制御するｍビットの第１電流源制御値を出力し、第２設定値に基づいて、第２電流源回路のｎ個の電流源を制御するｎビットの第２電流源制御値を出力してもよい。第１電流源回路は、ｍ個の電流源のうち第１電流源制御値に基づいて選択された電流源からの電流を第１電流として第１充電回路に供給してもよい。第２電流源回路は、ｎ個の電流源のうち第２電流源制御値に基づいて選択された電流源からの電流を第２電流として第２充電回路に供給してもよい。
【0139】
本実施形態によれば、第１電流モードにおいて、第１補正により補正された第１設定値に基づいて第１電流の電流値が設定されることで、第１充電電流の電流値が設定される。第２電流モードにおいて、第２補正により補正された第２設定値に基づいて第２電流の電流値が設定されることで、第２充電電流の電流値が設定される。
【0140】
また本実施形態では、制御回路は、第２設定値のビット信号のうち第ｉ＋１～第ｉ＋ｎビット信号をｎビットの第２電流源制御値として出力してもよい。ｉは１以上の整数である。制御回路は、第１設定値のビット信号のうち第ｉ＋１－ｋ～第ｉ－ｋ＋ｍビット信号をｍビットの第１電流源制御値として出力してもよい。ｋは１以上ｉ以下の整数である。ｍは２以上ｎ以下の整数である。
【0141】
本実施形態によれば、電流設定値のＬＳＢに対応する第１電流の分解能と第２電流の分解能とが異なる。本実施形態では、この分解能の差を、第１充電回路の第１増幅率と第２充電回路の第２増幅率の違いによって吸収できるので、電流設定値のＬＳＢに対応する第１充電電流の分解能と第２充電電流の分解能を、ほぼ同等にできる。
【0142】
また本実施形態の電子器機は、上記のいずれかの回路装置と、充電ノードに接続されるバッテリーと、を含む。
【0143】
なお、上記のように本実施形態について詳細に説明したが、本開示の新規事項及び効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できるであろう。従って、このような変形例はすべて本開示の範囲に含まれるものとする。例えば、明細書又は図面において、少なくとも一度、より広義又は同義な異なる用語と共に記載された用語は、明細書又は図面のいかなる箇所においても、その異なる用語に置き換えることができる。また本実施形態及び変形例の全ての組み合わせも、本開示の範囲に含まれる。また回路装置、バッテリー及び電子機器等の構成及び動作等も、本実施形態で説明したものに限定されず、種々の変形実施が可能である。
【符号の説明】
【0144】
１０…バッテリー、１００…回路装置、１１０…第１充電回路、１２０…第２充電回路、１４０…電流源回路、１４１…第１電流源回路、１４２…第２電流源回路、１４５…スイッチ回路、１５０…基準電圧生成回路、１６０…制御回路、１６３…閾値判定部、１６４…設定値出力部、１７０…記憶部、１９０…逆流防止回路、２００…電子機器、ＧＡ１…第１傾き補正値、ＧＡ２…第２傾き補正値、ＩＢＡＴ…充電電流、ＩＣＨ１…第１充電電流、ＩＣＨ２…第２充電電流、ＩＮＤＡ…電流設定値、ＩＳ１…第１電流、ＩＳ２…第２電流、ＮＢＡＴ…充電ノード、ＯＦ１…第１オフセット補正値、ＯＦ２…第２オフセット補正値、ＱＤＡ…電流源制御値、ＱＤＡ１…第１電流源制御値、ＱＤＡ２…第２電流源制御値、ＳＴＶ１…第１設定値、ＳＴＶ２…第２設定値、ＴＨＲ…閾値、ＶＢＡＴ…バッテリー電圧、ＶＩＮ…電源電圧、ＶＲＥＦ…基準電圧、ＸＯＮＬ…第２イネーブル信号、ＸＯＮＳ…第１イネーブル信号
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】