特開 2024-18878 プリント回路基板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024018878

(43)【公開日】2024-02-08

(54)【発明の名称】プリント回路基板

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/46 20060101AFI20240201BHJP

   H01L 23/12 20060101ALI20240201BHJP

【ＦＩ】

H05K3/46 Q

H05K3/46 E

H01L23/12 J

H01L23/12 Q

【審査請求】未請求

【請求項の数】16

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023008823

(22)【出願日】2023-01-24

(31)【優先権主張番号】10-2022-0093166

(32)【優先日】2022-07-27

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(71)【出願人】

【識別番号】594023722

【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．

(74)【代理人】

【識別番号】100108453

【弁理士】

【氏名又は名称】村山 靖彦

(74)【代理人】

【識別番号】100110364

【弁理士】

【氏名又は名称】実広 信哉

(72)【発明者】

【氏名】安 相▲ミン▼

【テーマコード（参考）】

5E316

【Ｆターム（参考）】

5E316AA02

5E316AA32

5E316AA43

5E316BB11

5E316CC09

5E316CC10

5E316CC32

5E316CC33

5E316CC34

5E316CC37

5E316CC38

5E316CC39

5E316DD17

5E316DD23

5E316DD24

5E316DD33

5E316EE33

5E316FF13

5E316FF14

5E316FF17

5E316HH06

5E316HH17

5E316JJ06

(57)【要約】

【課題】本開示は、半導体チップなどの電子部品が実装可能なプリント回路基板に関する。
【解決手段】本開示は、複数の配線層を含む基板と、上記基板上に配置され、上記複数の配線層のうち最上側に配置された配線層の少なくとも一部と連結される第１金属ポストと、上記基板上に配置され、上記複数の配線層のうち最上側に配置された配線層の他の少なくとも一部と連結される第２金属ポストと、上記基板上に配置され、上記第１金属ポスト及び第２金属ポストのそれぞれの少なくとも一部を埋め込むレジスト層と、上記第２金属ポスト上で上記レジスト層を貫通し、上記第２金属ポストと連結される金属ビアと、を含む、プリント回路基板に関する。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数の配線層を含む基板と、
前記基板上に配置され、前記複数の配線層のうち最上側に配置された配線層の少なくとも一部と連結される第１金属ポストと、
前記基板上に配置され、前記複数の配線層のうち最上側に配置された配線層の他の少なくとも一部と連結される第２金属ポストと、
前記基板上に配置され、前記第１金属ポスト及び前記第２金属ポストのそれぞれの少なくとも一部を埋め込むレジスト層と、
前記第２金属ポスト上で前記レジスト層を貫通し、前記第２金属ポストと連結される金属ビアと、を含むプリント回路基板。

【請求項2】

前記金属ビアの上面は前記レジスト層の上面から露出する、請求項１に記載のプリント回路基板。

【請求項3】

前記金属ビアの露出した上面と、前記レジスト層の前記第２金属ポストの少なくとも一部を埋め込む領域の上面とは、互いに共面を成す、請求項２に記載のプリント回路基板。

【請求項4】

前記第１金属ポスト及び前記第２金属ポストと前記金属ビアは、それぞれ複数が配置され、
前記レジスト層は、平面上において、複数の第２金属ポスト同士の間と複数の金属ビア同士の間を満たす、請求項２に記載のプリント回路基板。

【請求項5】

前記レジスト層上に配置されるスティフナーをさらに含み、
前記スティフナーは、前記金属ビアの露出した上面と直接接触する、請求項２に記載のプリント回路基板。

【請求項6】

前記レジスト層はキャビティを有し、前記キャビティにより、前記第１金属ポストの一部が前記レジスト層の上面上に突出する、請求項１に記載のプリント回路基板。

【請求項7】

前記キャビティにより、前記レジスト層の上面が段差を有する、請求項６に記載のプリント回路基板。

【請求項8】

前記レジスト層は、前記第１金属ポストの少なくとも一部を埋め込む第１領域と、前記第２金属ポストの少なくとも一部を埋め込む第２領域と、を有し、
前記第１領域は、平面上において前記レジスト層のセンター部分に配置され、
前記第２領域は、平面上において前記レジスト層の外郭部分に配置される、請求項１に記載のプリント回路基板。

【請求項9】

前記第１金属ポストは信号連結用金属ポストを含み、
前記第２金属ポストはダミー用金属ポストを含む、請求項１に記載のプリント回路基板。

【請求項10】

前記第１金属ポスト及び前記第２金属ポストは、前記基板内で互いに電気的に絶縁される、請求項９に記載のプリント回路基板。

【請求項11】

前記第１金属ポストの厚さと前記第２金属ポストの厚さが同一である、請求項１に記載のプリント回路基板。

【請求項12】

前記基板は、コア絶縁層と、前記コア絶縁層の両面にそれぞれビルドアップされた複数のビルドアップ絶縁層と、を含み、
前記コア絶縁層は、前記複数のビルドアップ絶縁層のそれぞれより厚さが厚い、請求項１に記載のプリント回路基板。

【請求項13】

複数の配線層を含む基板と、
前記基板上に配置され、前記複数の配線層のうち最上側に配置された配線層の少なくとも一部と連結される第１金属ポストと、
前記基板上に配置され、前記複数の配線層のうち最上側に配置された配線層の他の少なくとも一部と連結される第２金属ポストと、
前記第１金属ポストの少なくとも一部を埋め込む第１領域、及び前記第２金属ポストの少なくとも一部を埋め込む第２領域を有するレジスト層と、を含み、
前記第１領域は、平面上において前記レジスト層のセンター部分に配置され、
前記第２領域は、平面上において前記レジスト層の外郭部分に配置され、
前記レジスト層は、前記第１領域及び前記第２領域における厚さが異なる、プリント回路基板。

【請求項14】

前記レジスト層は、前記第１領域で前記第１金属ポストの他の少なくとも一部を露出させるキャビティを有し、
前記レジスト層は、前記キャビティにより、前記第１領域における厚さが前記第２領域における厚さより薄い、請求項１３に記載のプリント回路基板。

【請求項15】

前記キャビティ上に配置され、前記第１金属ポストと電気的に連結される半導体チップをさらに含む請求項１４に記載のプリント回路基板。

【請求項16】

前記レジスト層上に配置され、前記キャビティの少なくとも一部を満たし、前記半導体チップの少なくとも一部をモールディングするモールディング材をさらに含む請求項１５に記載のプリント回路基板。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、半導体チップなどの電子部品が実装可能なプリント回路基板に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、プリント回路基板の高度化に伴い、プリント回路基板のビアサイズが縮小されている。これに伴い、ポストの形成などに関する技術も増加しており、これにより、信号伝送率の向上に多くの関心が集中している。また、実装される半導体チップの数が増加しているため、発熱に関する関心も高くなっている。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0003】

本開示の様々な目的の１つは、優れた信号伝送特性及び優れた放熱効果を有するプリント回路基板を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0004】

本開示により提案する様々な解決手段の１つは、基板の最外側に、信号連結などのための第１金属ポストとともに、ダミーなどのための第２金属ポストを形成し、レジスト層を用いて第１金属ポスト及び第２金属ポストのそれぞれの少なくとも一部を埋め込み、さらに、第２金属ポスト上に、レジスト層を貫通して第２金属ポストと連結される金属ビアを形成することである。

【0005】

例えば、一例によるプリント回路基板は、複数の配線層を含む基板と、上記基板上に配置され、上記複数の配線層のうち最上側に配置された配線層の少なくとも一部と連結される第１金属ポストと、上記基板上に配置され、上記複数の配線層のうち最上側に配置された配線層の他の少なくとも一部と連結される第２金属ポストと、上記基板上に配置され、上記第１金属ポスト及び第２金属ポストのそれぞれの少なくとも一部を埋め込むレジスト層と、上記第２金属ポスト上で上記レジスト層を貫通し、上記第２金属ポストと連結される金属ビアと、を含むものであることができる。

【0006】

一方、一例によるプリント回路基板は、複数の配線層を含む基板と、上記基板上に配置され、上記複数の配線層のうち最上側に配置された配線層の少なくとも一部と連結される第１金属ポストと、上記基板上に配置され、上記複数の配線層のうち最上側に配置された配線層の他の少なくとも一部と連結される第２金属ポストと、上記第１金属ポストの少なくとも一部を埋め込む第１領域、及び上記第２金属ポストの少なくとも一部を埋め込む第２領域を有するレジスト層と、を含み、上記第１領域は、平面上において上記レジスト層のセンター部分に配置され、上記第２領域は、平面上において上記レジスト層の外郭部分に配置され、上記レジスト層は、上記第１領域及び第２領域における厚さが異なるものであってもよい。

【発明の効果】

【0007】

本開示の様々な効果の一効果として、優れた信号特性及び優れた放熱効果を有するプリント回路基板を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】電子機器システムの例を概略的に示すブロック図である。

【図2】電子機器の一例を概略的に示した斜視図である。

【図3】プリント回路基板の一例を概略的に示した断面図である。

【図4】図３のＡ－Ａ’に沿った平面構造を概略的に示した平面図である。

【図5】図３のプリント回路基板の変形の一例を概略的に示した断面図である。

【図6】図３のプリント回路基板及び図５のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示した工程断面図である。

【図7】図３のプリント回路基板及び図５のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示した工程断面図である。

【図8】図３のプリント回路基板及び図５のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示した工程断面図である。

【図9】図３のプリント回路基板及び図５のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示した工程断面図である。

【図10】図３のプリント回路基板及び図５のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示した工程断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、添付図面を参照して本開示について説明する。図面において要素の形状及び大きさなどは、より明確な説明のために誇張または縮小されることがある。

【0010】

電子機器
図１は電子機器システムの例を概略的に示すブロック図である。

【0011】

図面を参照すると、電子機器１０００はメインボード１０１０を収容する。メインボード１０１０には、チップ関連部品１０２０、ネットワーク関連部品１０３０、及びその他の部品１０４０などが物理的及び／または電気的に連結されている。これらは、後述の他の電子部品とも結合されて多様な信号ライン１０９０を形成する。

【0012】

チップ関連部品１０２０としては、揮発性メモリー（例えば、ＤＲＡＭ）、不揮発性メモリー（例えば、ＲＯＭ）、フラッシュメモリーなどのメモリーチップ；セントラルプロセッサー（例えば、ＣＰＵ）、グラフィックプロセッサー（例えば、ＧＰＵ）、デジタル信号プロセッサー、暗号化プロセッサー、マイクロプロセッサー、マイクロコントローラーなどのアプリケーションプロセッサーチップ；アナログ－デジタルコンバーター、ＡＳＩＣ（ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ‐ｓｐｅｃｉｆｉｃ ＩＣ、特定用途向け集積回路）などのロジックチップなどが含まれるが、これらに限定されるものではなく、これら以外にも、その他の形態のチップ関連電子部品が含まれることができることはいうまでもない。また、これらのチップ関連部品１０２０が互いに組み合わされてもよいことはいうまでもない。チップ関連部品１０２０は、上述のチップや電子部品を含むパッケージ形態であってもよい。

【0013】

ネットワーク関連部品１０３０としては、Ｗｉ‐Ｆｉ（ＩＥＥＥ ８０２．１１ファミリなど）、ＷｉＭＡＸ（ＩＥＥＥ ８０２．１６ファミリなど）、ＩＥＥＥ ８０２．２０、ＬＴＥ（ｌｏｎｇ ｔｅｒｍ ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ）、Ｅｖ‐ＤＯ、ＨＳＰＡ＋、ＨＳＤＰＡ＋、ＨＳＵＰＡ＋、ＥＤＧＥ、ＧＳＭ、ＧＰＳ、ＧＰＲＳ、ＣＤＭＡ、ＴＤＭＡ、ＤＥＣＴ、ブルートゥース（登録商標）、３Ｇ、４Ｇ、５Ｇ、及びその後のものとして指定された任意の他の無線及び有線プロトコルが含まれるが、これらに限定されるものではなく、これら以外にも、その他の多数の無線または有線標準やプロトコルのうち任意のものが含まれることができる。また、ネットワーク関連部品１０３０が、チップ関連部品１０２０とともに互いに組み合わされてもよいことはいうまでもない。

【0014】

その他の部品１０４０としては、高周波インダクター、フェライトインダクター、パワーインダクター、フェライトビーズ、ＬＴＣＣ（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ‐Ｆｉｒｉｎｇ Ｃｅｒａｍｉｃｓ、低温同時焼成セラミックス）、ＥＭＩ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ、電磁干渉）フィルター、ＭＬＣＣ（Ｍｕｌｔｉ‐Ｌａｙｅｒ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ、多層セラミックキャパシタ）などが含まれるが、これらに限定されるものではなく、これら以外にも、その他の多様な用途のために用いられるチップ部品形態の受動素子などが含まれることができる。また、その他の部品１０４０が、チップ関連部品１０２０及び／またはネットワーク関連部品１０３０と互いに組み合わされてもよいことはいうまでもない。

【0015】

電子機器１０００の種類に応じて、電子機器１０００は、メインボード１０１０に物理的及び／または電気的に連結されているか連結されていない他の電子部品を含むことができる。他の電子部品としては、例えば、カメラモジュール１０５０、アンテナモジュール１０６０、ディスプレイ１０７０、電池１０８０などが挙げられる。但し、これに限定されるものではなく、オーディオコーデック、ビデオコーデック、電力増幅器、羅針盤、加速度計、ジャイロスコープ、スピーカー、大容量記憶装置（例えば、ハードディスクドライブ）、ＣＤ（ｃｏｍｐａｃｔ ｄｉｓｋ）、ＤＶＤ（ｄｉｇｉｔａｌ ｖｅｒｓａｔｉｌｅ ｄｉｓｋ）などであってもよい。これら以外にも、電子機器１０００の種類に応じて、様々な用途のために用いられるその他の電子部品などが含まれることができることはいうまでもない。

【0016】

電子機器１０００は、スマートフォン（ｓｍａｒｔ ｐｈｏｎｅ）、携帯情報端末（ｐｅｒｓｏｎａｌ ｄｉｇｉｔａｌ ａｓｓｉｓｔａｎｔ）、デジタルビデオカメラ（ｄｉｇｉｔａｌ ｖｉｄｅｏ ｃａｍｅｒａ）、デジタルスチルカメラ（ｄｉｇｉｔａｌ ｓｔｉｌｌ ｃａｍｅｒａ）、ネットワークシステム（ｎｅｔｗｏｒｋ ｓｙｓｔｅｍ）、コンピューター（ｃｏｍｐｕｔｅｒ）、モニター（ｍｏｎｉｔｏｒ）、タブレット（ｔａｂｌｅｔ）、ラップトップ（ｌａｐｔｏｐ）、ネットブック（ｎｅｔｂｏｏｋ）、テレビジョン（ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ）、ビデオゲーム（ｖｉｄｅｏ ｇａｍｅ）、スマートウォッチ（ｓｍａｒｔ ｗａｔｃｈ）、オートモーティブ（Ａｕｔｏｍｏｔｉｖｅ）部品などであることができる。但し、これらに限定されるものではなく、これら以外にも、データを処理する任意の他の電子機器であってもよいことはいうまでもない。

【0017】

図２は電子機器の一例を概略的に示した斜視図である。

【0018】

図面を参照すると、電子機器は、例えば、スマートフォン１１００であることができる。スマートフォン１１００の内部にはマザーボード１１１０が収容されており、かかるマザーボード１１１０には種々の部品１１２０が物理的及び／または電気的に連結されている。また、カメラモジュール１１３０及び／またはスピーカー１１４０のように、マザーボード１１１０に物理的及び／または電気的に連結されているか連結されていない他の部品が内部に収容されている。部品１１２０の一部は上述のチップ関連部品であることができ、例えば、部品パッケージ１１２１であることができるが、これに限定されるものではない。部品パッケージ１１２１は、能動部品及び／または受動部品を含む電子部品が表面に実装配置されたプリント回路基板の形態であることができる。または、部品パッケージ１１２１は、能動部品及び／または受動部品が埋め込まれたプリント回路基板の形態であってもよい。一方、電子機器は、必ずしもスマートフォン１１００に限定されるものではなく、上述のように他の電子機器であってもよいことはいうまでもない。

【0019】

プリント回路基板
図３はプリント回路基板の一例を概略的に示した断面図である。

【0020】

図４は図３のＡ－Ａ’に沿った平面構造を概略的に示した平面図である。

【0021】

図面を参照すると、一例によるプリント回路基板１００は、複数の配線層１２１ａ、１２１ｂ、１２２、１２３を含む基板１１０と、基板１１０上に配置され、複数の配線層１２１ａ、１２１ｂ、１２２、１２３のうち最上側に配置された配線層１２２の少なくとも一部と連結される第１金属ポスト１４１と、基板１１０上に配置され、複数の配線層１２２のうち最上側に配置された配線層１２２の他の少なくとも一部と連結される第２金属ポスト１４２と、基板１１０上に配置され、第１金属ポスト１４１及び第２金属ポスト１４２のそれぞれの少なくとも一部を埋め込む第１レジスト層１５１と、第２金属ポスト１４２上で第１レジスト層１５１を貫通し、第２金属ポスト１４２と連結される金属ビア１４３と、を含む。

【0022】

このように、一例によるプリント回路基板１００は、基板１１０の最外側に、半導体チップを実装するための信号連結用金属ポストを含む第１金属ポスト１４１を含むことで、狭いバンプピッチを有する半導体チップも実装可能であり、信号伝送率を高めることができるなど、優れた信号伝送特性を有することができる。また、一例によるプリント回路基板１００は、基板１１０の最外側に、ダミー用金属ポストを含む第２金属ポスト１４２を含むことで、優れた放熱効果を有することができるとともに、電磁波遮蔽効果も有することができる。また、一例によるプリント回路基板１００は、第２金属ポスト１４２上に第１レジスト層１５１を貫通する金属ビア１４３が配置されることで、上述の放熱及び電磁波遮蔽効果をさらに極大化することができる。

【0023】

一方、一例によるプリント回路基板１００は、第１レジスト層１５１上に配置されるスティフナー１６０をさらに含むことができる。スティフナー１６０により、歪み改善効果を有することができる。スティフナー１６０は金属ビア１４３と連結されることができるため、スティフナー１６０が金属物質を含む場合に、より優れた放熱効果を有することができる。

【0024】

一方、一例によるプリント回路基板１００は、基板１１０上の第１レジスト層１５１が配置された側の反対側に配置される第２レジスト層１５２をさらに含むことができる。例えば、第２レジスト層１５２は基板１１０の下側に配置されることができ、複数の配線層１２１ａ、１２１ｂ、１２２、１２３のうち最下側に配置された配線層１２３の少なくとも一部を覆うことができる。これにより、基板１１０の下側を保護することができる。

【0025】

一方、第１レジスト層１５１は、第１金属ポスト１４１の少なくとも一部を埋め込む第１領域Ｒ１と、第２金属ポスト１４２の少なくとも一部を埋め込む第２領域Ｒ２と、を有することができる。第１領域Ｒ１は、平面上において第１レジスト層１５１のセンター部分に配置されることができる。第２領域Ｒ２は、平面上において第１レジスト層１５１の外郭部分に配置されることができる。例えば、平面上において、第２領域Ｒ２は第１領域Ｒ１を取り囲むことができる。第１領域Ｒ１は部品実装領域であり、第２領域Ｒ２はダミー領域であることができる。かかる配置により、上述の放熱及び電磁波遮蔽効果をさらに極大化することができる。

【0026】

一方、金属ビア１４３の上面は、第１レジスト層１５１の上面から露出することができる。より具体的には、金属ビア１４３の上面は、第１レジスト層１５１の第２領域Ｒ２での上面から露出することができる。金属ビア１４３の露出した上面と、第１レジスト層１５１の第２領域Ｒ２での上面は、互いに実質的に共面を成すことができる。この場合、共面をなす面に、より容易にスティフナー１６０を直接形成することができ、これにより、スティフナー１６０は金属ビア１４３の露出した上面と直接接触することができる。この場合、工程をより簡素化することができ、収率向上及びコスト低減が可能である。また、放熱経路を短縮させることで、より優れた放熱効果を有することができる。

【0027】

一方、第１金属ポスト１４１及び第２金属ポスト１４２と金属ビア１４３は、それぞれ複数個が配置されることができる。この時、第１レジスト層１５１は、平面上において複数の第２金属ポスト１４２同士の間を実質的に全て満たすことができる。また、第１レジスト層１５１は、平面上において複数の金属ビア１４３同士の間を実質的に全て満たすことができる。これは、後述の工程のように、複数の第２金属ポスト１４２を第１レジスト層１５１で覆った後、第１レジスト層１５１にビアホールを加工し、めっきにより充填して金属ビア１４３を形成することにより導出される構造的特徴である。この場合、比較的簡単な工程により、より容易に金属ビア１４３を形成することができるという利点がある。

【0028】

一方、第１レジスト層１５１は、第１領域Ｒ１で第１金属ポスト１４１の一部を露出させるキャビティＣを有することができ、キャビティＣにより、第１金属ポスト１４１の一部が第１レジスト層１５１の上面上に突出することができる。また、キャビティＣにより、第１レジスト層１５１の上面が段差を有することができる。すなわち、第１レジスト層１５１は、第１領域Ｒ１及び第２領域Ｒ２における厚さが異なることができる。より具体的には、キャビティＣにより、第１領域Ｒ１における厚さが第２領域Ｒ２における厚さより薄いことができる。厚さは、プリント回路基板１００の研磨または切断断面を基準として、走査型電子顕微鏡または光学顕微鏡、例えば、オリンポス社の光学顕微鏡（×１０００)を用いて測定することができる。厚さが一定ではない場合には、任意の５地点で測定した厚さの平均値で比較することができる。この場合、キャビティＣ上に半導体チップをより安定して実装することができ、また、半導体チップの実装後における半導体パッケージの厚さを減少させることができる。また、第１金属ポスト１４１のみが選択的に突出することができるなど、第２金属ポスト１４２が突出しないことができるため、その他の問題により製品が影響されることを防止することができる。

【0029】

以下では、図面を参照して、一例によるプリント回路基板１００の構成要素についてより詳細に説明する。

【0030】

基板１１０は複数の絶縁層１１１、１１２、１１３を含む。複数の絶縁層１１１、１１２、１１３は、コア絶縁層１１１と、コア絶縁層１１１の両面にそれぞれビルドアップされた複数のビルドアップ絶縁層１１２、１１３と、を含むことができる。例えば、基板１１０はコアタイプの基板であることができる。但し、これに限定されるものではなく、基板１１０は、コア絶縁層１１１が省略され、ビルドアップ絶縁層１１２、１１３の少なくとも１つで構成されたコアレスタイプの基板であってもよいことはいうまでもない。

【0031】

コア絶縁層１１１は絶縁物質を含むことができる。絶縁物質としては、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリイミドなどの熱可塑性樹脂、またはこれらの絶縁樹脂が、シリカなどの無機フィラーと混合された材料、または無機フィラーとともにガラス繊維（Ｇｌａｓｓ Ｆｉｂｅｒ、Ｇｌａｓｓ Ｃｌｏｔｈ、Ｇｌａｓｓ Ｆａｂｒｉｃ）などの芯材に含浸された樹脂、例えば、ＣＣＬ（Ｃｏｐｐｅｒ Ｃｌａｄ Ｌａｍｉｎａｔｅ、銅張積層板）などが用いられることができるが、これに限定されるものではない。コア絶縁層１１１は、それぞれのビルドアップ絶縁層１１２、１１３より厚さが厚いことができるが、これに限定されるものではない。厚さは、プリント回路基板１００の研磨または切断断面を基準として、走査型電子顕微鏡または光学顕微鏡、例えば、オリンポス社の光学顕微鏡（×１０００）を用いて測定することができる。厚さが一定ではない場合には、任意の５地点で測定した厚さの平均値で比較することができる。

【0032】

ビルドアップ絶縁層１１２、１１３も絶縁物質を含むことができる。絶縁物質としては、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリイミドなどの熱可塑性樹脂、またはこれらの絶縁樹脂が、シリカなどの無機フィラーと混合された材料、または無機フィラーとともにガラス繊維などの芯材に含浸された樹脂、例えば、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ‐ｕｐ Ｆｉｌｍ、味の素ビルドアップフィルム）、プリプレグ（Ｐｒｅｐｒｅｇ）、ＲＣＣ（Ｒｅｓｉｎ Ｃｏａｔｅｄ Ｃｏｐｐｅｒ、レジンコート銅箔）などが用いられることができるが、これに限定されるものではない。ビルドアップ絶縁層１１２、１１３の層数は特に限定されず、互いに同一の層数を有することができるが、これに限定されるものではない。

【0033】

基板１１０は複数の配線層１２１ａ、１２１ｂ、１２２、１２３を含む。複数の配線層１２１ａ、１２１ｂ、１２２、１２３は、コア絶縁層１１１の両面にそれぞれ配置されるコア配線層１２１ａ、１２１ｂと、複数のビルドアップ絶縁層１１２、１１３上にそれぞれ配置される複数のビルドアップ配線層１２２、１２３と、を含むことができる。コアレス基板である場合には、コア絶縁層１１１とともにコア配線層１２１ａ、１２１ｂが省略されてもよい。

【0034】

コア配線層１２１ａ、１２１ｂはそれぞれ金属物質を含むことができる。金属物質としては、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、またはこれらの合金などを用いることができる。コア配線層１２１ａ、１２１ｂはそれぞれ無電解めっき層（または化学銅めっき層）と電解めっき層（または電気銅）を含むことができるが、これに限定されるものではない。無電解めっき層として、化学銅めっき層の代わりにスパッタ層が形成されてもよい。必要に応じて、銅箔をさらに含むことができる。コア配線層１２１ａ、１２１ｂは、それぞれ該当層の設計デザインによって多様な機能を果たすことができる。例えば、グランドパターン、パワーパターン、信号パターンなどを含むことができる。ここで、信号パターンは、グランドパターン、パワーパターンなどを除いた各種信号、例えば、データ信号などを含むことができる。これらのパターンは、それぞれライン（ｌｉｎｅ）パターン、プレーン（ｐｌａｎｅ）パターン、及び／またはパッド（ｐａｄ）パターンを含むことができる。

【0035】

ビルドアップ配線層１２２、１２３もそれぞれ金属物質を含むことができる。金属物質としては、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、またはこれらの合金などを用いることができる。ビルドアップ配線層１２２、１２３もそれぞれ無電解めっき層（または化学銅めっき層）と電解めっき層（または電気銅）を含むことができるが、これに限定されるものではない。無電解めっき層として、化学銅めっき層の代わりにスパッタ層が形成されてもよい。必要に応じて、銅箔をさらに含むことができる。ビルドアップ配線層１２２、１２３もそれぞれ該当層の設計デザインによって多様な機能を果たすことができる。例えば、グランドパターン、パワーパターン、信号パターンなどを含むことができる。ここで、信号パターンは、グランドパターン、パワーパターンなどを除いた各種信号、例えば、データ信号などを含むことができる。これらのパターンは、それぞれラインパターン、プレーンパターン、及び／またはパッドパターンを含むことができる。

【0036】

基板１１０は複数のビア層１３１、１３２、１３３を含む。複数のビア層１３１、１３２、１３３は、コア絶縁層１１１を貫通するコアビア層１３１と、複数のビルドアップ絶縁層１１２、１１３をそれぞれ貫通する複数のビルドアップビア層１３２、１３３と、を含むことができる。コアビア層１３１はコア配線層１２１ａ、１２１ｂを電気的に連結することができる。ビルドアップビア層１３２、１３３は、それぞれビルドアップ配線層１２２、１２３を電気的に連結することができ、また、コア配線層１２１ａ、１２１ｂとビルドアップ配線層１２２、１２３を電気的に連結することもできる。コアレス基板である場合には、コア絶縁層１１１とともにコアビア層１３１が省略されてもよい。

【0037】

コアビア層１３１は貫通ビアを含むことができる。貫通ビアは、貫通孔の壁面に形成された金属層と、金属層を満たすプラグと、を含むことができる。金属層は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、またはこれらの合金などの金属物質を含むことができる。プラグは、絶縁材質のインクを含むことができる。金属層は無電解めっき層（または化学銅めっき層）と電解めっき層（または電気銅めっき層）を含むことができるが、これに限定されるものではない。無電解めっき層として、化学銅めっき層の代わりにスパッタ層が形成されてもよい。コアビア層１３１は、設計デザインによって多様な機能を果たすことができる。例えば、グランドビア、パワービア、信号ビアなどを含むことができる。ここで、信号ビアは、グランドビア、パワービアなどを除いた各種信号、例えば、データ信号などを伝達するためのビアを含むことができる。

【0038】

ビルドアップビア層１３２、１３３はマイクロビアを含むことができる。マイクロビアは、ビアホールを満たす充填ビア（ｆｉｌｅｄ ｖｉａ）であるか、または、ビアホールの壁面に沿って配置されるコンフォーマルビア（ｃｏｎｆｏｒｍａｌ ｖｉａ）であることができる。マイクロビアは、スタックタイプ（ｓｔａｃｋｅｄ ｔｙｐｅ）及び／またはスタッガードタイプ（ｓｔａｇｇｅｒｅｄ ｔｙｐｅ）で配置されることができる。ビルドアップビア層１３２、１３３はそれぞれ金属物質を含むことができ、金属物質としては、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、またはこれらの合金などの金属物質を含むことができる。ビルドアップビア層１３２、１３３はそれぞれ無電解めっき層（または化学銅めっき層）と電解めっき層（または電気銅めっき層）を含むことができるが、これに限定されるものではない。無電解めっき層として、化学銅めっき層の代わりにスパッタ層が形成されてもよい。ビルドアップビア層１３２、１３３は、該当層の設計デザインによって多様な機能を果たすことができる。例えば、グランドビア、パワービア、信号ビアなどを含むことができる。ここで、信号ビアは、グランドビア、パワービアなどを除いた各種信号、例えば、データ信号などを伝達するためのビアを含むことができる。

【0039】

金属ポスト１４１、１４２は、１以上の高いアスペクト比（Ａｓｐｅｃｔ Ｒａｔｉｏ）を有することができる。金属ポスト１４１、１４２は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、またはこれらの合金などの金属物質を含むことができる。金属ポスト１４１、１４２はめっき工程により形成されることができ、電解めっき層（または電気銅めっき層）を含むことができるが、これに限定されるものではない。

【0040】

第１金属ポスト１４１は、信号用ポスト、グランド用ポスト、パワー用ポストなどの多様な機能を果たすことができ、少なくとも信号用ポストを含むことができる。第２金属ポスト１４２はダミー用ポストであることができ、ダミー用ポストは、必要に応じて、グランド用ポスト及び／またはパワー用ポストとして機能することもできるが、信号用ポストとは少なくとも基板１１０内で電気的に絶縁されることができる。第１金属ポスト１４１及び第２金属ポスト１４２は、厚さが実質的に互いに同一であることができる。厚さは、プリント回路基板１００の研磨または切断断面を基準として、走査型電子顕微鏡または光学顕微鏡、例えば、オリンパス社の光学顕微鏡（×１０００）を用いて測定することができる。厚さが一定ではない場合には、任意の５地点で測定した厚さの平均値で比較することができる。

【0041】

金属ビア１４３は金属物質を含むことができ、金属物質としては、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、またはこれらの合金などの金属物質を含むことができる。金属ビア１４３は電解めっき層（または電気銅）を含むことができるが、これに限定されるものではない。金属ビア１４３はダミー用ビアであることができ、ダミー用ビアは、必要に応じて、グランド用ビア及び／またはパワー用ビアとして機能することもできるが、信号用ビアとは、少なくとも基板１１０内で電気的に絶縁されることができる。

【0042】

レジスト層１５１、１５２は絶縁物質を含むことができ、絶縁物質としては、液状タイプまたはフィルムタイプの半田レジスト（Ｓｏｌｄｅｒ Ｒｅｓｉｓｔ）が用いられることができる。但し、これに限定されるものではなく、異種の材料が用いられてもよい。第１レジスト層１５１は複数の層で構成されることができ、複数の層は、互いに境界が明確であってもよく、一体化されて境界が不明確であってもよい。

【0043】

スティフナー１６０は、剛性の高い材質、例えば、モジュラスの大きい物質を含むことができる。スティフナー１６０の材料としては特に限定されず、鉄（Ｆｅ）、銅（Ｃｕ）、銅合金、ステンレス鋼などの金属物質や、その他の補強材を含む絶縁物質などが用いられることができるが、これに限定されるものではない。

【0044】

図５は図３のプリント回路基板の変形の一例を概略的に示した断面図である。

【0045】

図面を参照すると、変形の一例によるプリント回路基板５００は、上述のプリント回路基板１００と、プリント回路基板１００上に実装された半導体チップ２１０と、を含む。半導体チップ２１０は、第１レジスト層１５１上に、より具体的には第１レジスト層１５１のキャビティＣ上に配置され、半田２１５などを介して第１金属ポスト１４１と電気的に連結されることができる。必要に応じて、第１レジスト層１５１上に、半導体チップ２１０の少なくとも一部をモールディングするモールディング材２２０がさらに配置されることができる。モールディング材２２０はキャビティＣの少なくとも一部を満たすことができる。必要に応じて、半導体チップ２１０以外にも、その他の電子部品が配置されることができる。

【0046】

半導体チップ２１０は、数百～数百万個以上の素子が１つのチップ内に集積化されている集積回路（ＩＣ：Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）ダイ（Ｄｉｅ）を含むことができる。この時、集積回路は、例えば、セントラルプロセッサー（例えば、ＣＰＵ）、グラフィックプロセッサー（例えば、ＧＰＵ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）、デジタル信号プロセッサー、暗号化プロセッサー、マイクロプロセッサー、マイクロコントローラー、アプリケーションプロセッサー（例えば、ＡＰ）、アナログ－デジタルコンバーター、ＡＳＩＣ（ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ‐ｓｐｅｃｉｆｉｃ ＩＣ）などのロジックチップであることができるが、これに限定されるものではなく、揮発性メモリー（例えば、ＤＲＡＭ）、不揮発性メモリー（例えば、ＲＯＭ）、フラッシュメモリー、ＨＢＭ（Ｈｉｇｈ Ｂａｎｄｗｉｄｔｈ Ｍｅｍｏｒｙ、高帯域幅メモリー）などのメモリーチップ、またはＰＭＩＣ（Ｐｏｗｅｒ Ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ ＩＣ、電力管理集積回路）などの異種のものであってもよいことはいうまでもない。

【0047】

半導体チップ２１０は活性ウエハーをベースとして形成されたものであることができ、この場合、それぞれの本体を成す母材としては、シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）などが用いられることができる。本体には種々の回路が形成されていることができる。それぞれの本体には接続パッドが形成されることができ、接続パッドは、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）などの導電性物質を含むことができる。半導体チップ２１０はベアダイ（ｂａｒｅ ｄｉｅ）であることができ、この場合、接続パッド上には金属バンプが配置されることができる。半導体チップ２１０はパッケージドダイ（ｐａｃｋａｇｅｄ ｄｉｅ）であってもよく、この場合、接続パッド上に再配線層がさらに形成され、再配線層上に金属バンプが配置されることができる。

【0048】

半導体チップ２１０は複数個が配置されることができ、複数の半導体チップ２１０は、互いに同一または異なるタイプであることができる。複数の半導体チップ２１０は、プリント回路基板１００を介して互いに電気的に連結されることができる。

【0049】

半田２１５は半導体チップ２１０をプリント回路基板１００に実装させることができる。半田２１５は、低融点の金属、例えば、スズ（Ｓｎ）‐アルミニウム（Ａｌ）‐銅（Ｃｕ）などで形成されることができ、バンプまたはボールタイプであることができる。但し、これは一例に過ぎず、半導体チップ２１０が必ずしも半田２１５を介して実装されるわけではない。

【0050】

モールディング材２２０は半導体チップ２１０を保護することができる。モールディング材２２０の材料は特に限定されず、ＥＭＣ（Ｅｐｏｘｙ Ｍｏｌｄｉｎｇ Ｃｏｍｐｏｕｎｄ、エポキシモールディングコンパウンド）などの公知のモールディング材が用いられることができる。

【0051】

その他の内容、例えば、一例によるプリント回路基板１００で説明した内容は、矛盾しない限り、変形の一例によるプリント回路基板５００にも適用可能であるため、これについての重複内容の説明は省略する。

【0052】

図６から図１０は、図３のプリント回路基板及び図５のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示した工程断面図である。

【0053】

図６を参照すると、基板１１０を準備する。基板１１０は、例えば、ＣＣＬにビアと配線を形成した後、ＣＣＬの両側にＡＢＦやＰＰＧなどをビルドアップし、ビルドアップされたＡＢＦやＰＰＧなどにそれぞれビアと配線を形成することを繰り返すことで形成することができる。または、デタッチキャリアを用いるコアレス工程により形成してもよい。但し、これに限定されるものではなく、その他のＰＣＢ工程によっても基板１１０を形成することができる。

【0054】

図７を参照すると、基板１１０の最外側に配置された配線層１２２上に、第１金属ポスト１４１及び第２金属ポスト１４２を形成する。第１金属ポスト１４１及び第２金属ポスト１４２は、例えば、最外側の配線層１２２上にめっきレジストを積層し、めっきレジストをパターニングして開口を形成した後、めっきレジストの開口をめっきにより充填し、めっきレジストを剥離することで形成することができるが、これに限定されるものではない。このように、半導体チップが実装されるバンプ領域に第１金属ポスト１４１を形成するだけでなく、ダミー領域にも第２金属ポスト１４２を同時に形成し、第２金属ポスト１４２を除去せずに残すため、工程をより簡素化することができる。

【0055】

図８を参照すると、基板１１０上に第１－１レジスト層１５１ａを形成する。第１－１レジスト層１５１ａは、液状タイプの半田レジストを塗布して形成することができる。第１－１レジスト層１５１ａは、第１金属ポスト１４１及び第２金属ポスト１４２の厚さより薄く形成することができる。これにより、第１金属ポスト１４１及び第２金属ポスト１４２のそれぞれの一部が、第１－１レジスト層１５１ａの上面上に突出することができる。厚さは、プリント回路基板１００の研磨または切断断面を基準として、走査型走査顕微鏡または光学顕微鏡、例えば、オリンパス社の光学顕微鏡（×１０００）を用いて測定することができる。厚さが一定ではない場合には、任意の５地点で測定した厚さの平均値で比較することができる。

【0056】

図９を参照すると、第１－１レジスト層１５１ａの第２金属ポスト１４２を覆う領域上に第１－２レジスト層１５１ｂを形成する。第１－２レジスト層１５１ｂも液状タイプの半田レジストを塗布して形成することができる。その後、第１－２レジスト層１５１ｂに金属ビア１４３を形成する。金属ビア１４３は、第１－２レジスト層１５１ｂを貫通するビアホールを形成した後、めっきにより充填することで形成することができる。第１－２レジスト層１５１ｂは、第１－１レジスト層１５１ａの第１金属ポスト１４１を覆う領域上には形成されず、その結果、第１レジスト層１５１にはキャビティＣが形成されることができる。

【0057】

図１０を参照すると、第１レジスト層１５１及び金属ビア１４３上にスティフナー１６０を形成する。スティフナー１６０は、めっき、蒸着、コーティングなどの多様な方法により形成することができる。また、半田２１５などを用いて半導体チップ２１０を実装する。その後、必要に応じて、モールディング材２２０で半導体チップ２１０をモールディングする。

【0058】

一連の工程を経て、上述のプリント回路基板１００、５００が製造されることができるが、他の工程または変形工程により上述のプリント回路基板１００、５００が製造されてもよいことはいうまでもない。

【0059】

その他の内容、例えば、一例によるプリント回路基板１００と変形の一例によるプリント回路基板５００で説明した内容のうち重複内容の説明は省略する。

【0060】

本開示において、「断面上において」は、対象物を垂直に切断した時の断面形状、または対象物の側面視における断面形状を意味することができる。また、「平面上において」は、対象物を水平に切断した時の形状、または対象物の上面視または底面視における平面形状を意味することができる。

【0061】

本開示において、「実質的に」は、工程誤差による微細な差を含む意味であることができる。例えば、実質的に共面をなすとは、対象が互いに完全に同一平面に存在する場合だけでなく、工程誤差などにより、ほぼ同一平面に存在する場合を含むことができる。また、実質的に厚さが同一であるとは、厚さが完全に同一である場合だけでなく、工程誤差などにより、ほぼ厚さが同一である場合を含むことができる。また、実質的に全て満たすとは、ボイドなどによる微細な空間が存在する場合を含むことができる。

【0062】

本開示において、下側、下部、下面などは、便宜上、図面の断面を基準として、有機インターポーザを含む半導体パッケージの実装面に向かう方向を意味するものとして使用し、上側、上部、上面などは、その反対方向を意味するものとして使用した。但し、これは説明の便宜上方向を定義したものであり、特許請求の範囲の権利範囲が、このような方向についての記載により特に限定されるものではないことはいうまでもない。

【0063】

本開示において、連結されるとは、直接連結されていることのみならず、接着剤層などを介して間接的に連結されていることを含む概念である。また、電気的に連結されるとは、物理的に連結されている場合と連結されていない場合を両方とも含む概念である。また、第１、第２などの表現は、一つの構成要素と他の構成要素を区分させるために用いられ、該当構成要素の順序及び／または重要度などを限定しない。場合によっては、権利範囲から外れることなく、第１構成要素は第２構成要素と命名されることもあり、類似して、第２構成要素は第１構成要素と命名されることもある。

【0064】

本開示で用いられた一例という表現は、互いに同一の実施例を意味するものではなく、それぞれ互いに異なる固有の特徴を強調して説明するために提供されたものである。しかし、上記提示された一例は、他の一例の特徴と結合されて実現されることを排除しない。例えば、特定の一例で説明された事項が他の一例で説明されていなくても、他の一例にその事項と反対または矛盾される説明がない限り、他の一例に係わる説明として理解されることができる。

【0065】

本開示で用いられた用語は、一例を説明するために用いられるものであるだけで、本開示を限定しようとする意図ではない。この時、単数の表現は文脈上明確に異なる意味でない限り、複数の表現を含む。

【符号の説明】

【0066】

１０００ 電子機器
１０１０ メインボード
１０２０ チップ関連部品
１０３０ ネットワーク関連部品
１０４０ その他の部品
１０５０ カメラ
１０６０ アンテナ
１０７０ ディスプレイ
１０８０ 電池
１０９０ 信号ライン
１１００ スマートフォン
１１１０ マザーボード
１１２０ 部品
１１２１ 部品パッケージ
１１３０ カメラモジュール
１１４０ スピーカー
１００、５００ プリント回路基板
１１０ 基板
１１１、１１２、１１３ 絶縁層
１２１ａ、１２１ｂ、１２２、１２３ 配線層
１３１、１３２、１３３ ビア層
１４１、１４２ 金属ポスト
１４３ 金属ビア
１５１、１５２ レジスト層
１６０ スティフナー
２１０ 半導体チップ
２１５ 半田
２２０ モールディング材
Ｃ キャビティ
Ｒ１、Ｒ２ 領域

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】