特開 2024-19067 プローブヘッド及びプローブアセンブリ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024019067

(43)【公開日】2024-02-08

(54)【発明の名称】プローブヘッド及びプローブアセンブリ

(51)【国際特許分類】

   G01R 1/067 20060101AFI20240201BHJP

【ＦＩ】

G01R1/067 B

G01R1/067 C

【審査請求】未請求

【請求項の数】18

【出願形態】ＯＬ

【外国語出願】

(21)【出願番号】P 2023120336

(22)【出願日】2023-07-24

(31)【優先権主張番号】111128543

(32)【優先日】2022-07-29

(33)【優先権主張国・地域又は機関】TW

(71)【出願人】

【識別番号】523281076

【氏名又は名称】晝思有限公司

【氏名又は名称原語表記】ＡＺＯＴＨ ＳＴＵＤＩＯ ＬＴＤ． ＣＯ．

(74)【代理人】

【識別番号】100228304

【弁理士】

【氏名又は名称】呂 勁毅

(72)【発明者】

【氏名】林卓儀

【テーマコード（参考）】

2G011

【Ｆターム（参考）】

2G011AA09

2G011AB01

2G011AB03

2G011AB04

2G011AB07

2G011AC14

(57)【要約】      （修正有）

【課題】より安定なプローブ測定性及びより長い使用寿命等の利点を有する、半導体装置を電気的に測定するためのプローブヘッドを提供する。
【解決手段】プローブヘッド１００は、プローブヘッド本体１１０と、プローブヘッド本体の一端面１１１に結合する少なくとも１つの多辺形錐状の接触部１２０を含み、プローブヘッド本体は、軸方向に沿って順番に積層されて結合する少なくとも３つの本体部を有し、第２本体部１１３の外径は、第１本体部１１２及び第３本体部１１４の外径よりも大きい。少なくとも１つ接触部は、プローブヘッド本体の端面の周辺に沿って設置され、接触部のそれぞれは、プローブヘッド本体の中心部分から上かつ外へ傾斜する斜辺又は斜面１２２を有し、斜辺又は斜面は、プローブヘッド本体の中心軸に向けて位置づけられ、第１本体部の硬度は、少なくとも１つ接触部の硬度以上である。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

半導体装置を電気的に測定するためのプローブヘッドであって、
中心軸方向に沿って順番に積層されて結合する、接触面を有する第１本体部、第２本体部、及び第３本体部を含むプローブヘッド本体と、
前記中心軸に向ける斜辺又は斜面を有し、前記接触面に結合して前記接触面の周辺に配置される多辺形錐状の少なくとも１つの接触部と、を備え、
前記斜辺又は斜面は、前記中心軸に近づく位置から上かつ外へ傾斜し、電気的測定を行う際に、測定対象の中心領域から離れた側部で前記測定対象に接触し、
前記少なくとも１つの接触部の前記斜辺の長さは、６５０μｍよりも小さく、
前記斜辺又は斜面と前記接触面のなす角は、約４０°～８０°であることを特徴とするプローブヘッド。

【請求項2】

前記少なくとも１つの接触部の前記斜面の面積は、０．２ｍｍ^２よりも小さいことを特徴とする請求項１記載のプローブヘッド。

【請求項3】

前記第２本体部は、前記第１本体部の外径及び前記第３本体部の外径よりも大きい外径を有することで、プローブヘッド本体の凸縁部を形成し、
前記凸縁部は、前記第１本体部及び前記第３本体部にリベットするための制限空間を提供することを特徴とする請求項１又は２記載のプローブヘッド。

【請求項4】

前記第１本体部の硬度は、前記少なくとも１つの接触部の硬度以上であることを特徴とする請求項１又は２記載のプローブヘッド。

【請求項5】

前記少なくとも１つの接触部は、対応する接触部と前記第１本体部との間に設置されるパッド層をさらに含むことを特徴とする請求項１又は２記載のプローブヘッド。

【請求項6】

前記少なくとも１つ接触部は、ニッケル又はニッケル合金を含むことを特徴とする請求項１又は２記載のプローブヘッド。

【請求項7】

前記少なくとも１つ接触部は、パラジウム又はパラジウム合金を含むことを特徴とする請求項１又は２記載のプローブヘッド。

【請求項8】

前記第１本体部は、ニッケル又はニッケル合金を含むことを特徴とする請求項１又は２記載のプローブヘッド。

【請求項8】

前記第２本体部及び前記第３本体部は、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、ホウ素（Ｂ）、金（Ａｕ）、カーボン（Ｃ）、インジウム（Ｉｎ）、ルテニウム（Ｒｕ）、錫（Ｓｎ）、ロジウム（Ｒｈ）から選択される少なくとも１種類の元素を含む請求項１又は２記載のプローブヘッド。

【請求項10】

前記ニッケル合金は、ニッケル（Ｎｉ）、及び鉄（Ｆｅ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、ホウ素（Ｂ）、炭素（Ｃ）、コバルト（Ｃｏ）、銀（Ａｇ）、マンガン（Ｍｎ）、パラジウム（Ｐｄ）、ロジウム（Ｒｈ）から選択される少なくとも１種類の合金元素を含む請求項６記載のプローブヘッド。

【請求項11】

前記ニッケル合金は、ニッケル（Ｎｉ）、及び鉄（Ｆｅ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、ホウ素（Ｂ）、炭素（Ｃ）、コバルト（Ｃｏ）、銀（Ａｇ）、マンガン（Ｍｎ）、パラジウム（Ｐｄ）、ロジウム（Ｒｈ）から選択される少なくとも１種類の合金元素を含む請求項８記載のプローブヘッド。

【請求項12】

前記パラジウム合金は、パラジウム（Ｐｄ）、及びニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、インジウム（Ｉｎ）、炭素（Ｃ）、コバルト（Ｃｏ）、銀（Ａｇ）、マンガン（Ｍｎ）から選択される少なくとも１種類の合金元素を含む請求項７記載のプローブヘッド。

【請求項13】

前記少なくとも１つ接触部は、ビッカース硬度が約５００以上であることを特徴とする請求項１又は２記載のプローブヘッド。

【請求項14】

前記第１本体部は、ビッカース硬度が約７００～１２００であることを特徴とする請求項１又は２記載のプローブヘッド。

【請求項15】

前記第２本体部及び第３本体部は、導電率が国際的に採択された焼鈍標準軟銅の３０％以上である材料を含むことを特徴とする請求項１又は２記載のプローブヘッド。

【請求項16】

前記少なくとも１つの接触部は、２つ又は複数の接触部を有し、前記２つ又は複数の接触部同士の距離は１０μｍ以上であることを特徴とする請求項１又は２記載のプローブヘッド。

【請求項17】

中空パイプと、
請求項１又は２記載のプローブヘッドであって、前記プローブヘッドのプローブヘッド本体は、少なくとも部分的に前記中空パイプの一端から前記中空パイプに挿入されるとともに、前記中空パイプに結合されるプローブヘッドと、
前記中空パイプの他端から部分的に前記中空パイプに入れるプランジャーと、
前記中空パイプ内において、前記プローブヘッドと前記プランジャーの間に設置され、前記プローブヘッドを前記中空パイプの外側に向けて軸方向に付勢するためのバネと、を含むプローブアセンブリ。

【請求項18】

前記プローブヘッド本体の前記第１本体部及び前記第３本体部における制限空間で前記プローブヘッドを前記中空パイプにリベットすることにより、前記プローブヘッドと前記中空パイプを結合することを特徴とする請求項１７記載のプローブアセンブリ。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、プローブヘッドに関し、具体的には、プローブヘッドにより測定対象に生じた凹み変形量及び接触位置を改善するプローブに関するものである。

【背景技術】

【0002】

半導体製造産業では、半導体装置の安定性、及び正常に働くことができるかどうかを確認するために、完成した半導体装置を電気的に測定する必要がある。測定している期間において、通常、測定装置及び測定ソケットを用いて半導体装置を測定する。測定装置は、パットを含む。測定ソケットは、半導体装置の端子を測定装置のパットに接続することにより、半導体装置の端子と測定装置を電気的に接続することで、電気信号を交換する。

【0003】

通常、測定ソケットには、測定部とするプローブアレイが設けられる。前記プローブアレイは、複数のプローブアセンブリを有する。プローブアセンブリは、それぞれ、プローブヘッドと、弾性部材と、プローブヘッドに結合するパイプケーシングとを少なくとも有する。一例として、図１は、従来のプローブアセンブリ１を分解する立体図を示す。プローブアセンブリ１は、概ね、プローブヘッド１０と、プローブヘッド１０に結合するパイプケーシング２０とを有する。図１に示すように、プローブヘッド１０は、プローブヘッド本体１２、及び当該プローブヘッド本体１２の一端に形成される接触部１４を有する。図１に示すように、従来のプローブヘッド１０の接触部１４は、ピラミッド形となる錐状である。このような従来のプローブヘッド１０を用いて半導体装置を測定する場合、プローブヘッド１０の接触部１４は、その錐状先端で半導体装置端子のバンプ１６と接触する（図２に示す）。

【0004】

従来、プローブヘッド１０の接触部１４の摩耗を低減し、プローブヘッド１０の使用寿命を延長するために、接触部１４は、高硬度及び高耐摩耗性の材料（例えば、ニッケル及びニッケル合金材料）で製造される。測定する際に、弾性部材を押して変形することにより、プローブに必要な付勢力を生じる。この付勢力がプローブヘッドの接触部に伝達することにより、接触部がバンプの水平方向に対して垂直下向き力を与えるようになる。これにより、接触部は、バンプの表面の金属酸化物を貫通してバンプに接触することで、電気信号を交換することできる。したがって、毎回プローブヘッド１０の接触部１４とバンプ１６が接触するとき、バンプ１６の中心又は中心領域で破壊的な凹みの圧痕を生成するのみならず、接触する際に生じた金属屑も残留するため、バンプの完全性を破壊し、パッケージの歩留まりが低下するおそれがある。また、バンプに残留した金属屑は、電気的測定の結果の一致性及び安定性に影響を与える。

【0005】

従来のプローブヘッドは、上記のような欠点及び課題が多数存在するため、半導体装置の測定に係る技術分野において、上記課題を解決できるプローブヘッドが望ましい。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

発明者らは、上述のような従来のプローブヘッドの欠点を鑑み、鋭意研究及び試験改良をした結果、新規なプローブヘッド構造を開発した。当該新規なプローブヘッド構造は、接触部及び本体部を含み、前記接触部は、検出対象中心領域から離れた傾斜の接触構造を有するとともに、前記本体は、高硬度及び高導電性の材料を含むことで、従来のプローブヘッドの上記欠点を効率的に解決することができるのみならず、より安定なプローブ測定性及びより長い使用寿命等の利点を有する。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本発明の一態様によれば、半導体装置を電気的に検出するためのプローブヘッドを提供する。前記プローブヘッドは、中心軸方向に沿って順番に積層されて結合する、接触面を有する第１本体部、第２本体部、及び第３本体部を含むプローブヘッド本体と、前記中心軸に向ける斜辺又は斜面を有し、前記接触面に結合して前記接触面の周辺に配置される多辺形錐状の少なくとも１つの接触部と、を備え、前記斜辺又は斜面は、前記中心軸に近づく位置から上かつ外へ傾斜し、電気的測定を行う際に、測定対象の中心領域から離れた側部で前記測定対象に接触し、前記第１本体部の硬度は、前記少なくとも１つの接触部の硬度以上である。

【0008】

一実施例によれば、前記少なくともの１つ接触部は、それぞれ、前記検出対象に接触するための斜辺を有し、前記斜辺は、それぞれの接触部の底部から上かつ外へ傾斜し、前記プローブヘッド本体の中心に対向して位置づけてもよい。本明細書では、「斜辺」とは、「直線」又は「曲率を有する直線」等の形状を含む。

【0009】

他の実施例によれば、前記少なくともの１つ接触部は、それぞれ、前記検出対象に接触するための斜面を有し、前記斜面は、それぞれの接触部の底部から上かつ外へ傾斜し、前記プローブヘッド本体の中心に対向して位置づけてもよい。本明細書では、「斜面」とは、「平面」又は「多辺形を有する平面」等の形状を含む。

【0010】

本発明の実施例によれば、前記少なくとも１つの接触部の前記斜辺又は斜面は、一端が延長して前記プローブヘッド本体の前記接触面と交差し、前記接触面とのなす角が約４０°～８０°であってもよい。

【0011】

本発明の実施例によれば、前記第２本体部は、前記第１本体部の外径及び前記第３本体部の外径よりも大きい外径を有することで、プローブヘッド本体の凸縁部を形成し、前記凸縁部は、前記第１本体部及び前記第３本体部にリベットするための制限空間を提供してもよい。

【0012】

本発明の実施例によれば、前記プローブヘッド本体の前記接触面と垂直する方向から見るとき、前記少なくとも１つ接触部は、部分的に第１本体部の範囲外に超えてもよい。

【0013】

本発明の実施例によれば、前記少なくとも１つ接触部は、対応する接触部と前記第１本体部との間に設置されるパッド層をさらに含んでもよい。

【0014】

本発明の実施例によれば、前記接触部は、ニッケル又はニッケル合金を含んでもよい。

【0015】

本発明の実施例によれば、前記接触部は、パラジウム又はパラジウム合金を含んでもよい。

【0016】

本発明の実施例によれば、前記第１本体部は、ニッケル又はニッケル合金を含んでもよい。

【0017】

本発明の実施例によれば、前記第２本体部及び前記第３本体部は、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、ホウ素（Ｂ）、金（Ａｕ）、カーボン（Ｃ）、インジウム（Ｉｎ）、ルテニウム（Ｒｕ）、錫（Ｓｎ）、ロジウム（Ｒｈ）から選択される少なくとも１種類の元素を含んでもよい。

【0018】

本発明の実施例によれば、前記ニッケル合金は、ニッケル（Ｎｉ）、及び鉄（Ｆｅ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、ホウ素（Ｂ）、炭素（Ｃ）、コバルト（Ｃｏ）、銀（Ａｇ）、マンガン（Ｍｎ）、パラジウム（Ｐｄ）、ロジウム（Ｒｈ）から選択される少なくとも１種類の合金元素を含んでもよい。

【0019】

本発明の実施例によれば、前記パラジウム合金は、パラジウム（Ｐｄ）、及びニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、インジウム（Ｉｎ）、炭素（Ｃ）、コバルト（Ｃｏ）、銀（Ａｇ）、マンガン（Ｍｎ）から選択される少なくとも１種類の合金元素を含んでもよい。

【0020】

本発明の実施例によれば、前記接触部は、ビッカース硬度（Ｖｉｃｋｅｒｓ ｈａｒｄｎｅｓｓ（Ｈｖ））が約５００以上であり、前記第１本体部は、ビッカース硬度が約７００～１２００であり、前記第２本体部及び第３本体部は、それぞれ導電率が国際的に採択された焼鈍標準軟銅の３０％以上である材料を含んでもよい。

【0021】

本発明の実施例によれば、前記第２本体部と前記第３本体部は、互いに積層されてもよい。

【0022】

本発明の実施例によれば、前記少なくとも１つの接触部の斜辺の長さは、６５０μｍよりも小さい。

【0023】

本発明の実施例によれば、前記少なくとも１つの接触部の斜面の面積は、０．２ｍｍ^２よりも小さい。

【0024】

本発明の実施例によれば、前記少なくとも１つの接触部は、２つ又は複数の接触部を有し、前記２つ又は複数の接触部同士の距離は１０μｍ以上であってもよい。

【0025】

本発明の実施例によれば、前記接触部は、先端がヒント又は微小な平面であってもよい。

【発明の効果】

【0026】

本発明によれば、従来のプローブヘッドの欠点を効率的に解決することができるのみならず、より安定なプローブ測定性及びより長い使用寿命等の利点を有する。

【図面の簡単な説明】

【0027】

【図1】図１は、従来のプローブアセンブリを分解する立体模式図である。

【図2】図２は、従来のプローブヘッドと半導体装置端子のバンプの接触を示す模式平面図である。

【図3】図３は、本発明の第１実施例に係るプローブヘッドの模式立体図である。

【図4】図４は、第１実施例に係るプローブヘッドとバンプの接触を示す模式側面図である。

【図5】図５は、第１実施例に係るプローブヘッドが接触部と第１本体部との間に設置されるパッド層を含む変化例を示す立体模式図である。

【図6】図６Ａ、６Ｂは、第１実施例に係るプローブヘッドが１つ、４つの接触部を含む態様をそれぞれ示す立体模式図である。

【図7】図７は、第１実施例に係るプローブヘッドと中空パイプがリベットされる構造を示す一部断面側面図である。

【図8】図８は、第１実施例に係る接触部が部分的に接触面の外部を超える態様を示す立体模式図である。

【図9】図９は、本発明の第２実施例に係るプローブヘッドの模式立体図である。

【図10】図１０は、第２実施例に係るプローブヘッドとバンプの接触を示す模式側面図である。

【図11】図１１は、第２実施例に係るプローブヘッドが接触部と第１本体部との間に設置されるパッド層を含む変化例を示す立体模式図である。

【図12】図１２Ａ、１２Ｂは、第２実施例に係るプローブヘッドが１つ、４つの接触部を含む態様をそれぞれ示す立体模式図である。

【図13】図１３は、本発明に係るプローブヘッドを含む本発明の第２態様に係る半導体装置を電気的に測定するためのプローブアセンブリを分解する模式立体図である。

【発明を実施するための形態】

【0028】

図３～図１３を参照しながら、本発明に係る半導体装置を電気的に測定するためのプローブヘッド及びプローブアセンブリについて説明する。

【0029】

図３は、本発明の第１実施例に係るプローブヘッド１００の模式立体図である。図３に示すように、第１実施例に係るプローブヘッド１００は、略円筒形となるプローブヘッド本体１１０と、前記プローブヘッド本体１１０に結合される２つの多辺形錐状の接触部１２０とを含む。前記プローブヘッド本体１１０の形状は、図３に示すような略円筒形となる以外、他の実施例において、プローブヘッド本体１１０は、他の形状、例えば、多角柱形状であってもよい。前記プローブヘッド本体１１０は、中心軸方向に沿って順番に積層されて結合する複数の本体部を含む。例えば、前記プローブヘッド本体１１０は、前記２つの接触部１２０が結合される接触面１１１を有する第１本体部１１２と、一端が前記第１本体部１１２の他端に結合される第２本体部１１３と、一端が前記第１本体部１１２の他端に結合される第３本体部１１４とを有する。前記第２本体部１１３の外径は、第１本体部１１２の外径及び第３本体部１１４の外径よりも大きいことで、前記プローブ本体１１０の凸縁部を形成する。前記凸縁部は、中空パイプと組み合わせてプローブアセンブリを形成する際に、プローブヘッド１００を中空パイプに制限的にリベットするための機能を提供する。前記第１本体部１１２の硬度は、前記２つの接触部１２０の硬度以上であることが好ましい。

【0030】

図３に示すように、前記２つの接触部１２０は、前記接触面１１１の周辺に配置される。それぞれの接触部１２０は、斜辺１２２を有する。当該斜辺１２２は、一端が前記プローブヘッド本体１１０の前記接触面１１１と交差するとともに、前記接触面１１１とのなす角が約４０°～８０°である。当該斜辺１２２は、プローブヘッド本体１１０の中心に近づく位置から上かつ外へ傾斜することにより、前記斜辺１２２と前記バンプ１６の表面との接触は、前記バンプ１６（即ち、検出対象）の側部１６１（參見図４）になるため、バンプ１６の中心領域で破壊的な凹みが生じなくなる。

【0031】

図３において、斜辺１２２は、「線」として示されるが、当該斜辺１２２は、「曲率を有する直線」であってもよい。したがって、接触部１２０の斜辺１２２とバンプ１６の表面が接触した後、前記バンプ１６の側部１６１には、対応する「直線」又は「曲率を有する直線」の形状を有する。

【0032】

接触部１２０の斜辺１２２は、前記バンプ１６とのなす角が約４０°～８０°になるように、前記バンプ１６と接触する。したがって、接触部１２０の斜辺１２２と接触してバンプ１６が受ける接触力は、水平方向の分力により減少することで、前記接触部１２０の斜辺１２２と前記バンプ１６との間の摩擦を低減するとともに、接触部１２０の耐摩耗性を向上する。言い換えれば、接触部１２０が同一又は優れた耐摩耗性を有する場合、ニッケル又はニッケル合金よりも硬度が低い材料を採用することができ、耐摩耗性のみならず、多様化の測定需要にも満たす。

【0033】

より詳しく言えば、接触部１２０の耐摩耗性に影響しないことを前提として、接触部１２０は、高い耐摩耗性のニッケル又はニッケル合金材料の代わりに、低い耐摩耗性のパラジウム又はパラジウム合金材料を採用することができる。このようなパラジウム又はパラジウム合金材料は、バンプ１６の材料に粘着しない特性を有するだけでなく、ニッケル又はニッケル合金材料のように磁気吸引効果も有しない。よって、耐摩耗性及び高周波性を有する接触部１２０を形成することができるから、耐摩耗性及び高周波性の測定需要を同時に満たす。

【0034】

また、斜辺１２２とのなす角が４０°よりも小さい場合は、斜辺１２２の垂直方向における分力が小さすぎるため、接触部１２０とバンプ１６との接触が確実ではない可能性があるため、電気的伝送がよくない。一方、斜辺１２２とのなす角が８０°よりも大きい場合は、斜辺１２２の垂直方向における分力が大きすぎるため、バンプ１６の完全性が破壊されやすい。

【0035】

また、接触部１２０は、ビッカース硬度（Ｈｖ）が約５００以上である。接触部１２０は、ニッケル又はニッケル合金を含んでもよい。当該ニッケル合金は、ニッケル（Ｎｉ）を含む以外、鉄（Ｆｅ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、ホウ素（Ｂ）、炭素（Ｃ）、コバルト（Ｃｏ）、銀（Ａｇ）、マンガン（Ｍｎ）、パラジウム（Ｐｄ）、ロジウム（Ｒｈ）から選択される少なくとも１種類の合金元素を含んでもよい。

【0036】

接触部１２０は、パラジウム又はパラジウム合金を含んでもよい。当該パラジウム合金は、パラジウム（Ｐｄ）を含む以外、ニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、インジウム（Ｉｎ）、炭素（Ｃ）、コバルト（Ｃｏ）、銀（Ａｇ）、マンガン（Ｍｎ）から選択される少なくとも１種類の合金元素を含んでもよい。

【0037】

また、接触部１２０の斜辺１２２の長さは、６５０μｍよりも小さくてもよい。

【0038】

また、それぞれの接触部１２０と第１本体部１１２との間には、パッド層Ｐを設けてもよい（図５参照）。当該パッド層Ｐは、接触部１２０の自由端から第１本体部１１２までの距離を増加することができる。

【0039】

図３に示す実施例に係るプローブヘッド１００は、２つの接触部１２０を含むが、本発明に係るプローブヘッドは、実際には、少なくとも１つ接触部を含んでもよい。例えば、他の実施例において、本発明に係るプローブヘッドは、１つの接触部（図６Ａ）、３つの接触部、４つの接触部（図６Ｂ）、５つの接触部、７つの接触部等を含んでもよい。

【0040】

第１本体部１１２の硬度は、接触部１２０の硬度以上である。言い換えれば、第１本体部１１２は、比較的に剛性の高い構造であることで、測定時に接触部１２０が受けた機械的衝撃を低減することができるから、接触電気信号がより安定になる。本実施例では、第１本体部１１２は、ビッカース硬度（Ｈｖ）が約７００～１２００である。

【0041】

第２本体部１１３及び第３本体部１１４は、導電率が国際的に採択された焼鈍標準軟銅の３０％以上である材料を含むことで、パイプとリベットする場合には、導電性が向上する。また、第２本体部１１３は、第１本体部１１２の外径及び第３本体部の外径１１４よりも大きい外径を有することで、凸縁部を形成する。第１本体部１１２及び第３本体部１１４は、当該凸縁部により、第２本体部１１３を制限的に固定する制限空間を形成する。例えば、プローブヘッド１００をプローブアセンブリの中空パイプ５１０の一端にリベットする場合、第１本体部１１２及び第３本体部１１４の制限空間で中空パイプ５１０が変形して凹むことにより、プローブヘッド１００と中空パイプ５１０との相対的運動を制限するとともに、プローブヘッド１００を前記中空パイプ５１０にリベットする（図７参照）。

【0042】

図３に示す実施例において、接触部１２０は、プローブ本体１１０の接触面１１１の周辺に設置され、接触面１１１の範囲内に位置する態様が示されたが、他の実施例において、接触部１２０は、少なくとも部分的に接触面１１１の範囲外を超えるように設置されてもよい（図８参照）。

【0043】

さらに、図９～図１２を参照しながら、本発明の第２実施例に係るプローブヘッド２００について説明する。図９は、第２実施例に係るプローブヘッド２００の模式立体図である。

【0044】

図９に示すように、第２実施例に係るプローブヘッド２００は、第１実施例と同様なプローブヘッド本体１１０と、前記プローブヘッド本体１１０に結合される２つの多角錐形状の接触部２２０とを含む。以下、第１実施例と異なる部分のみ説明する。

【0045】

図９に示すように、第２実施例に係るプローブヘッド２００と第１実施例に係るプローブヘッド１００との差異点として、第２実施例に係るプローブヘッド２００の接触部２２０は、プローブヘッド２００の中心に向ける斜面２２２を有する。当該斜面２２２は、一端が前記プローブヘッド本体１１０に向けて延長して前記接触面１１１と交差するとともに、前記接触面１１１とのなす角が約４０°～８０°である。当該斜面２２２は、プローブヘッド本体１１０の中心に近づく位置から上かつ外へ傾斜することにより、前記斜面２２２と前記バンプ１６本体との接触は、前記バンプ１６本体の側部１６１（參見図１０）になるため、バンプ１６の中心領域で、破壊的な凹みが生じなくなる。

【0046】

本発明の第２実施例によれば、接触部２２０の斜面２２２とバンプ１６の本体が接触した後、前記バンプ１６本体の側部１６１には、「平面」又は「多辺形平面」の形状を有するようになる。

【0047】

本発明の第２実施例によれば、前記それぞれの接触部２２０の斜面２２２の面積は、０．２ｍｍ^２よりも小さい。

【0048】

第２実施例は、第１実施例と類似し、それぞれの接触部２２０と第１本体部１１２との間には、パッド層Ｐ（図５参照）を設けてもよい（図１１参照）。前記パッド層Ｐは、接触部１２０の自由端から第１本体部１１２までの距離を増加することができる。さらに、第２実施例に係るプローブヘッドは、少なくとも１つの接触部、例えば、１つの接触部（図１２Ａ）、３つの接触部、４つの接触部（図１２Ｂ）、５つの接触部、７つの接触部等を含んでもよい。

【0049】

次に、図１３を参照しながら、本発明に係るプローブヘッドを含むプローブアセンブリ５００について説明する。図１３に示すように、プローブアセンブリ５００は、中空パイプ５１０と、本発明の上記態様に係るプローブヘッド（例えば、図３に示すようなプローブヘッド１００）であって、プローブヘッド本体１１０が、少なくとも部分的に前記中空パイプ５１０の一端から前記中空パイプ５１０に挿入されるとともに、前記中空パイプ５１０に結合されるプローブヘッドと、前記中空パイプ５１０の他端から部分的に前記中空パイプ５１０に入れるプランジャー５３０と、前記中空パイプ５１０内において、前記プローブヘッド１００と前記プランジャー５３０の間に設置され、前記中空パイプの外側に向けて軸方向に付勢するように一端が前記プローブヘッド１００に当接し、他端が前記プランジャー５３０に当接するバネ５４０とを含む。プローブヘッド１００と中空パイプ５１０が結合する方式として、プローブヘッド本体１１０の第２本体部１１３により形成された凸縁部の上側面、下側面における制限空間でリベットすることにより、プローブヘッド１００を前記中空パイプ５１０の一端にリベットして固定する（図７参照）。

【0050】

本発明に係るプローブヘッド及びプローブアセンブリの態様及び例示的な実施例について、本明細書に記載されている実施例及び添付している図面を参照しながら説明したが、本発明は、本明細書の記載及び添付している図面に係る特徴及び構成に限定されない。上記各実施例は、あくまでも例示したものであり、当業者であれば、上記各実施例同士の内容を互いに組み合わせることを言うまでもない。本発明に係る他の可能な修正及び変化は、添付している特許請求の範囲及びそれに均等する範囲によって定められるものに含まれる。

【符号の説明】

【0051】

１：プローブアセンブリ
１０：プローブヘッド
１２：プローブヘッド本体
１４：接触部
１６：バンプ
２０：パイプケーシング
１００、２００：プローブヘッド
１１０：プローブヘッド本体
１１１：接触面
１２０：接触部
１１２：第１本体部
１１３：第２本体部
１１４：第３本体部
１２２：斜辺
１６１：側部
２２２：斜面
Ｐ：パッド層
５００：プローブアセンブリ
５１０：中空パイプ
５３０：プランジャー
５４０：バネ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6A】

【図6B】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12A】

【図12B】

【図13】

【外国語明細書】