特開 2024-19821 光ファイバー式ウェハー温度センサー、ウェハー温度計測センサーシステム及びウェハー温度計測センサーの製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024019821

(43)【公開日】2024-02-14

(54)【発明の名称】光ファイバー式ウェハー温度センサー、ウェハー温度計測センサーシステム及びウェハー温度計測センサーの製造方法

(51)【国際特許分類】

   G01K 11/3206 20210101AFI20240206BHJP

   G01K 1/14 20210101ALI20240206BHJP

【ＦＩ】

G01K11/3206

G01K1/14 L

【審査請求】未請求

【請求項の数】8

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022122530

(22)【出願日】2022-08-01

(71)【出願人】

【識別番号】390019839

【氏名又は名称】三星電子株式会社

【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．

【住所又は居所原語表記】１２９，Ｓａｍｓｕｎｇ－ｒｏ，Ｙｅｏｎｇｔｏｎｇ－ｇｕ，Ｓｕｗｏｎ－ｓｉ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ－ｄｏ，Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ

(74)【代理人】

【識別番号】100103894

【弁理士】

【氏名又は名称】家入 健

(72)【発明者】

【氏名】森谷 義明

(72)【発明者】

【氏名】今井 範章

【テーマコード（参考）】

2F056

【Ｆターム（参考）】

2F056CL07

(57)【要約】

【課題】ＦＢＧ式光ファイバーをウェハーの渦巻形状の溝に埋め込むことにより、少ない本数の光ファイバーで多数の測定点で温度を測定できる光ファイバー式ウェハー温度センサー、ウェハー温度計測センサーシステム及びウェハー温度計測センサーの製造方法を提供すること。
【解決手段】ウェハー温度計測センサー１００は、第１のウェハー１０１と、第２のウェハー１０２と、ＦＢＧ（Fiber Bragg Gratings）式光ファイバー１０３とを備え、第１のウェハー１０１及び第２のウェハー１０２は接合しており、第１のウェハー１０１及び第２のウェハー１０２の少なくとも１つに、ウェハー同士が接合する面で渦巻形状の溝１１１が形成されており、ＦＢＧ式光ファイバー１０３は、溝１１１に埋め込まれており、ＦＢＧ式光ファイバー１０３は、溝１１１内で２点以上の温度計測点を有する。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１のウェハーと、第２のウェハーと、ＦＢＧ（Fiber Bragg Gratings）式光ファイバーとを備え、
前記第１のウェハー及び前記第２のウェハーは接合しており、
前記第１のウェハー及び前記第２のウェハーの少なくとも１つに、ウェハー同士が接合する面で渦巻形状の溝が形成されており、
前記ＦＢＧ式光ファイバーは、前記溝に埋め込まれており、
前記ＦＢＧ式光ファイバーは、前記溝内で２点以上の温度計測点を有する、ウェハー温度計測センサー。

【請求項2】

前記第１のウェハー及び前記第２のウェハーの少なくとも１つに、前記接合面以外の面が、Y、Al、Siの元素のいずれかが含まれる材料で構成される、または、Y、Al、Siの元素が含まれる材料でコーティングされている、請求項１に記載のウェハー温度計測センサー。

【請求項3】

前記第１のウェハー及び前記第２のウェハーはSi、Al、Ga、Inのいずれかの元素を含む材料で構成されている、請求項１に記載のウェハー温度計測センサー。

【請求項4】

前記第１のウェハー及び前記第２のウェハーは、２５℃におけるヤング率が１０ＭＰａ以下であり、且つ－１５０℃におけるヤング率が５０００ＭＰａ以下である接合剤を用いて積層されている、請求項１に記載のウェハー温度計測センサー。

【請求項5】

前記第１のウェハー及び前記第２のウェハーは、表面粗さＲａで５ｎｍ以下に研磨された接合面を常温接合によって積層されている、請求項１に記載のウェハー温度計測センサー。

【請求項6】

前記第１のウェハー及び前記第２のウェハーの少なくとも１つに、ウェハー同士が接合する面で渦巻形状の複数の溝が形成されており、
前記溝の数に対応する数の前記ＦＢＧ式光ファイバーが、前記溝に埋め込まれている、請求項１に記載のウェハー温度計測センサー。

【請求項7】

第１のウェハーと、第２のウェハーと、ＦＢＧ（Fiber Bragg Gratings）式光ファイバーと、発光部及び受光部を有する検出器と、前記ＦＢＧ式光ファイバーと前記検出器の間で光を中継する光学系ケーブルと、前記受光部からの信号を処理するコンピュータとを備え、
前記第１のウェハー及び前記第２のウェハーは接合しており、
前記第１のウェハー及び前記第２のウェハーの少なくとも１つに、ウェハー同士が接合する面で溝が形成されており、
前記ＦＢＧ式光ファイバーは、前記溝に埋め込まれており、
前記ＦＢＧ式光ファイバーは、前記溝内で２点以上の温度計測点を有する、ウェハー温度計測センサーシステム。

【請求項8】

第１のウェハー及び第２のウェハーの少なくとも１つに、ウェハー同士が接合する面で渦巻形状の溝をサンドブラストにより形成し、
前記溝にＦＢＧ式光ファイバーを埋め込み、
前記第１のウェハーと前記第２のウェハーを接合する、ウェハー温度計測センサーの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は光ファイバー式ウェハー温度センサー、ウェハー温度計測センサーシステム及びウェハー温度計測センサーの製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

現状、半導体製造装置で処理されるシリコンウェハーの温度計測手法として、以下に示す３つの手法が主に用いられている。

【0003】

第１の手法は、２種の異なる金属線を接合した温度センサーをウェハー表面に貼り付け、温度差によって発生した微弱電圧を測定し温度換算する手法である。

【0004】

第２の手法は温度測定に必要な電子部品(センサー、CPU、バッテリー、レジスター、キャパシター)をシリコンウェハーに挟み込み作成した温度測定ツールを半導体製造装置内ウェハー処理時と同じ経路、近しいプロセス処理を行い、温度を計測する手法である。

【0005】

第３の手法は、ウェハー内温度測定個所へ励起発光体を設置、光ファイバー、反射鏡を用い励起発光体へレーザー光を出力、励起発光体からの反射光を検出器に集光、温度測定を行う手法である。

【0006】

例えば、特許文献１には、第１の手法について記載されている。

【0007】

また、第２の手法の例としてKLA TENCORのオン・ウェハーがある。オン・ウェハーは二枚のウェハーを積層し、ウェハー間に温度計測に必要な電子部品(Sensor, Crystal Oscillator、CPU、Battery、Resistor、Capacitor)を挟み込んだ構造となっている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0008】

【特許文献1】特開平１０－９９６３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0009】

しかしそれぞれの手法には以下の問題がある。
第１の手法に関しては、チャンバーでエッチング、成膜を行う際低周波領域(主に3M[Hz]～13M[Hz])、高周波領域(主に60M[Hz]～100M[Hz])を利用しプラズマを発生させ処理を行う。しかしプラズマからの電磁波の影響で電圧を検出できず温度測定できない。

【0010】

第２の手法に関しては、構成部品が低温環境になると性能が著しく低下、もしくは正常に動作せず温度測定できない。例えばウェハーが12℃以下の温度状態で大気圧、湿度60%で20℃以上の環境に暴露されると測定器に結露が発生、水分により内部CPUに動作不良が発生する。もしくは0℃以下の低温環境下ではバッテリー容量が小さくなり可動電圧が取れず正常に動作しない。

【0011】

第３の手法では光ファイバー1本に対して発光体1点の温度測定しかできず、大面積の基板内で多くの点を温度測定する際には、測定点分のファイバーが必要となり、全体の構成が複雑化してしまう。また、ファイバー本数の増加につれて溝本数も増加してしまう為に、基板強度に影響を与えてしまい、取り扱い時に破損しやすいなどが生じる。

【課題を解決するための手段】

【0012】

一実施形態のウェハー温度計測センサーは、第１のウェハーと、第２のウェハーと、ＦＢＧ（Fiber Bragg Gratings）式光ファイバーとを備え、前記第１のウェハー及び前記第２のウェハーは接合しており、前記第１のウェハー及び前記第２のウェハーの少なくとも１つに、ウェハー同士が接合する面で渦巻形状の溝が形成されており、前記ＦＢＧ式光ファイバーは、前記溝に埋め込まれており、前記ＦＢＧ式光ファイバーは、前記溝内で２点以上の温度計測点を有するようにした。

【0013】

一実施形態のウェハー温度計測センサーによれば、ＦＢＧ式光ファイバーをウェハーの渦巻形状の溝に埋め込むことにより、少ない本数の光ファイバーで多数の測定点で温度を測定できる。

【0014】

一実施形態のウェハー温度計測センサーは、前記第１のウェハー及び前記第２のウェハーの少なくとも１つに、前記接合面以外の面が、Y、Al、Siの元素のいずれかが含まれる材料で構成される、または、Y、Al、Siの元素が含まれる材料でコーティングされるようにした。

【0015】

一実施形態のウェハー温度計測センサーによれば、プラズマ環境によるダメージを軽減できる。

【0016】

一実施形態のウェハー温度計測センサーは、前記第１のウェハー及び前記第２のウェハーはSi、Al、Ga、Inのいずれかの元素を含む材料で構成した。

【0017】

一実施形態のウェハー温度計測センサーによれば、通常使用されている基板材料をセンサーに用いることで、センサーによる温度測定においてもプロセス中の温度プロファイルとの整合性を担保することができる。

【0018】

一実施形態のウェハー温度計測センサーは、前記第１のウェハー及び前記第２のウェハーは、２５℃におけるヤング率が１０ＭＰａ以下であり、且つ－１５０℃におけるヤング率が５０００ＭＰａ以下である接合剤を用いて積層した。

【0019】

一実施形態のウェハー温度計測センサーによれば、温度変化でウェハーが剥離したり損傷したりしにくくなる。

【0020】

一実施形態のウェハー温度計測センサーは、前記第１のウェハー及び前記第２のウェハーは、表面粗さＲａで５ｎｍ以下に研磨された接合面を常温接合によって積層した。

【0021】

一実施形態のウェハー温度計測センサーによれば、常温接合を用いることで、熱伝導の悪い接着剤を介さずにウェハーが接合されるので、より温度変化に敏感となり、精度が向上できる。

【0022】

一実施形態のウェハー温度計測センサーは、前記第１のウェハー及び前記第２のウェハーの少なくとも１つに、ウェハー同士が接合する面で渦巻形状の複数の溝が形成されており、前記溝の数に対応する数の前記ＦＢＧ式光ファイバーが、前記溝に埋め込まれているようにした。

【0023】

一実施形態のウェハー温度計測センサーによれば、より多くの測定点で温度を測定できる。

【0024】

一実施形態のウェハー温度計測センサーシステムは、第１のウェハーと、第２のウェハーと、ＦＢＧ（Fiber Bragg Gratings）式光ファイバーと、発光部及び受光部を有する検出器と、前記ＦＢＧ式光ファイバーと前記検出器の間で光を中継する光学系ケーブルと、前記受光部からの信号を処理するコンピュータとを備え、前記第１のウェハー及び前記第２のウェハーは接合しており、前記第１のウェハー及び前記第２のウェハーの少なくとも１つに、ウェハー同士が接合する面で溝が形成されており、前記ＦＢＧ式光ファイバーは、前記溝に埋め込まれており、前記ＦＢＧ式光ファイバーは、前記溝内で２点以上の温度計測点を有するようにした。

【0025】

一実施形態のウェハー温度計測センサーシステムによれば、ＦＢＧ式光ファイバーをウェハーの渦巻形状の溝に埋め込むことにより、少ない本数の光ファイバーで多数の測定点で温度を測定できる。

【0026】

一実施形態のウェハー温度計測センサーの製造方法は、第１のウェハー及び第２のウェハーの少なくとも１つに、ウェハー同士が接合する面で渦巻形状の溝をサンドブラストにより形成し、前記溝にＦＢＧ式光ファイバーを埋め込み、前記第１のウェハーと前記第２のウェハーを接合するようにした。

【0027】

一実施形態のウェハー温度計測センサーの製造方法によれば、ＦＢＧ式光ファイバーをウェハーの渦巻形状の溝に埋め込むことにより、少ない本数の光ファイバーで多数の測定点で温度を測定するウェハー温度計測センサーを製造できる。

【発明の効果】

【0028】

本開示の光ファイバー式ウェハー温度センサー、ウェハー温度計測センサーシステム及びウェハー温度計測センサーの製造方法は、ＦＢＧ式光ファイバーをウェハーの渦巻形状の溝に埋め込むことにより、少ない本数の光ファイバーで多数の測定点で温度を測定できる。

【図面の簡単な説明】

【0029】

【図1】実施の形態１にかかるウェハー温度計測センサーの一例を示す断面図である。

【図2】実施の形態１にかかるウェハー温度計測センサーの第１のウェハー及び第２のウェハーを示す概略図である。

【図3】実施の形態１にかかるウェハー温度計測センサーの断面の一部分を拡大した図である。

【図4】実施の形態１にかかるウェハー温度計測センサーの一例を示す上面図である。

【図5】実施の形態１にかかるウェハー温度計測センサーシステムの一例を示すブロック図である。

【図6】実施の形態１にかかるウェハー温度計測センサーの検量線作成例を示す略図である。

【図7】実施の形態１にかかるウェハー温度計測センサーの検量線の一例を示すグラフである。

【図8】実施の形態１にかかるウェハー温度計測センサーのスペクトルの一例を示すグラフである。

【図9】実施の形態１にかかるウェハー温度計測センサーの検量線の一例を示すグラフである。

【図10】実施の形態１にかかるウェハー温度計測センサーのスペクトルの一例を示すグラフである。

【発明を実施するための形態】

【0030】

（実施の形態１）
以下、図面を参照して本開示の実施の形態について説明する。図１は、実施の形態１にかかるウェハー温度計測センサーの一例を示す断面図である。また、図２は、実施の形態１にかかるウェハー温度計測センサーの第１のウェハー及び第２のウェハーを示す概略図である。

【0031】

図１において、ウェハー温度計測センサー１００は、第１のウェハー１０１と、第２のウェハー１０２と、ＦＢＧ（Fiber Bragg Gratings）式光ファイバー１０３とを備える。そして第１のウェハー１０１と第２のウェハー１０２は、接合されている。

【0032】

第１のウェハー１０１と第２のウェハー１０２は、２５℃におけるヤング率が１０ＭＰａ以下であり、且つ－１５０℃におけるヤング率が５０００ＭＰａ以下である接合剤を用いて積層されているのが好適である。例えば、シリコーン接着剤を第１のウェハー１０１と第２のウェハー１０２の接合面に塗布し、第１のウェハー１０１と第２のウェハー１０２とを重ねた状態でシリコーン接着剤の硬化処理を実施することにより、硬化処理を実施して第１のウェハー１０１と第２のウェハー１０２が接合される。

【0033】

第１のウェハー１０１は、Si、Al、Ga、Inのいずれかの元素を含む材料で構成されている。例えば、第１のウェハー１０１は、高純度ケイ素製が好適である。

【0034】

第２のウェハー１０２は、Si、Al、Ga、Inのいずれかの元素を含む材料で構成されている。例えば、第２のウェハー１０２も、高純度ケイ素製が好適である。

【0035】

第１のウェハー１０１と第２のウェハー１０２の少なくとも１つに、接合面以外の面が、Y、Al、Siの元素のいずれかが含まれる材料で構成されるようにしてもよい。また、第１のウェハー１０１と第２のウェハー１０２の少なくとも１つに、接合面以外の面が、Y、Al、Siの元素が含まれる材料でコーティングされているようにしてもよい。

【0036】

第１のウェハー１０１には、ウェハー同士が接合する面で渦巻形状の溝１１１が形成されている。渦巻形状の溝１１１の数は、１つでもよいし、複数であってもよい。

【0037】

溝１１１は、溝のサイズからサンドブラトにより形成されることが好適である。サンドブラストで形成することにより、エッチングにより形成するより安価な設備で製造できる。なお、費用をかけてもよい場合、エッチングにより溝１１１を形成してもよい。

【0038】

なお、溝は、第１のウェハー１０１及び第２のウェハー１０２の少なくとも１つに、ウェハー同士が接合する面で形成されていればよい。したがって、第１のウェハー１０１及び第２のウェハー１０２の両方に、ウェハー同士が接合する面で形成されていてもよい。

【0039】

ＦＢＧ式光ファイバー１０３は、複数の反射縞が格子状に並んだグレーティングを有する光ファイバーである。このグレーティングに広帯域のスペクトルをもった光が入射すると、ある特別な波長だけを反射する。温度変化によりＦＢＧ式光ファイバー１０３は長さが変化する。すなわち、格子状に並んだ反射縞の間隔も変化する。したがって、反射する光の波長は温度に依存する。

【0040】

ＦＢＧ式光ファイバー１０３は、溝１１１に埋め込まれている。また、ＦＢＧ式光ファイバー１０３は、溝１１１内で２点以上の温度計測点１３１を有する。図２において、温度計測点１３１は、ＦＢＧ式光ファイバー１０３と識別するために、黒丸で表現しているが、実際には、ＦＢＧ式光ファイバー１０３内で、特定の波長の光が反射する構造となっている。

【0041】

次に、ＦＢＧ式光ファイバー１０３を溝１１１に埋め込む方法について説明する。図３は、実施の形態１にかかるウェハー温度計測センサーの断面の一部分を拡大した図である。

【0042】

ＦＢＧ式光ファイバー１０３と溝１１１の隙間に接着剤で固定することが望ましい。具体的には、エポキシ接着剤で固定することが望ましい。

【0043】

次に、ＦＢＧ式光ファイバー１０３の配置について説明する。図４は、実施の形態１にかかるウェハー温度計測センサーの一例を示す上面図である。図４の例では、３本のＦＢＧ式光ファイバー１０３が第１のウェハー１０１に形成された溝１１１に沿って渦巻き形状に配置されている。図４において、丸に数字が記載された表現は、計測点を示すものであるが、実際の形状ではない。実際のＦＢＧ式光ファイバー１０３では、計測点は特定の波長の光が反射する構造となっている。

【0044】

図４において、計測点１－１４を有するＦＢＧ式光ファイバー１０３と、計測点１５－２９を有するＦＢＧ式光ファイバー１０３と、計測点３０－４１を有するＦＢＧ式光ファイバー１０３が配置されている。

【0045】

この３本のＦＢＧ式光ファイバー１０３は、渦巻き形状に配置されているので、互いに交わらずに配置できる。この結果、溝１１１は、ＦＢＧ式光ファイバー１０３の交差のために複雑な立体的形状とする必要がない。したがって溝１１１の加工が容易になる。

【0046】

そして、３本のＦＢＧ式光ファイバー１０３により４１点の計測点で温度を測定できる。すなわち、少ない光ファイバーの数で、多数の計測点の温度を測定できる。

【0047】

次に、ウェハー温度計測センサーシステムの構成について説明する。図５は、実施の形態１にかかるウェハー温度計測センサーシステムの一例を示すブロック図である。図５において、図１と同一の構成は、同じ番号を付し、説明を省略する。

【0048】

図５において、ウェハー温度計測センサーシステム５００は、ウェハー温度計測センサー１００と、光学系ケーブル５０１と、検出器５０２と、コンピュータ５０３とを備える。検出器５０２は、発光部５２１と、受光部５２２を備える。

【0049】

光学系ケーブル５０１は、ＦＢＧ式光ファイバー１０３と検出器５０２の間で光を中継する光学系ケーブルである。

【0050】

発光部５２１は、光学系ケーブル５０１を経由してＦＢＧ式光ファイバー１０３の内部に光を発する。

【0051】

受光部５２２は、光学系ケーブル５０１を経由して、ＦＢＧ式光ファイバー１０３の各測定点において反射した光を受光する。そして、受光部５２２は、受光した光を電気信号に変換する。そして受光部５２２は、電気信号をコンピュータ５０３に出力する。

【0052】

コンピュータ５０３は、受光部５２２からの電気信号を処理する。具体的には、コンピュータ５０３は、受光部５２２が受光した光のピーク波長から温度を算出する。温度を正確に算出するには、予めピーク波長と温度との関係について検量線を作成することが望ましい。

【0053】

図６は、実施の形態１にかかるウェハー温度計測センサーの検量線作成例を示す略図である。図６に示すように、ウェハー温度計測センサー１００をヒーター６０１で加熱するとともに、熱電対６０２で測定した温度をデータロガー６０３で記録する。そして、ウェハー温度計測センサー１００の受光部５２２が検出した光のピークの波長と、熱電対６０２で測定された温度とを対応づけることにより、検量線が作成される。

【0054】

図７は、実施の形態１にかかるウェハー温度計測センサーの検量線の一例を示すグラフである。図７において、縦軸は測定された温度であり、横軸は受光した光のピーク波長である。図７のグラフでは、５０～２２０℃で検量線を作成している。

【0055】

次に、温度未知のステージ上にウェハー温度計測センサー１００を搭載して、真空チャンバー内でプラズマを照射しながら波長を計測した。図８は、実施の形態１にかかるウェハー温度計測センサーのスペクトルの一例を示すグラフである。

【0056】

得られた波長と検量線からプロセス温度の計測をしたところ、プラズマ照射時にウェハー温度が７０～７４℃であった。

【0057】

次に、０℃以下の低温域で、検量線を作成し、温度を測定した。
検量線は想定される温度領域（－５５～２５℃）で同様に実施した。図９は、実施の形態１にかかるウェハー温度計測センサーの検量線の一例を示すグラフである。縦軸は測定された温度であり、横軸は受光した光のピーク波長である。図７のグラフでは、－５５～２５℃で検量線を作成している。

【0058】

次に、温度未知のステージ上に温度センサーを搭載して、真空チャンバー内でステージを冷やしながら波長を計測した。図１０は、実施の形態１にかかるウェハー温度計測センサーのスペクトルの一例を示すグラフである。

【0059】

得られた波長と検量線から、温度を計測したところ、ウェハー温度が－４２～－３９℃であった。

【0060】

このように、実施の形態１のウェハー温度計測センサー及びウェハー温度計測センサーシステムによれば、外部環境の影響を受けにくい光の波長と、ファイバー内部に作製されたグレーティング（反射板）幅の物理的な変化により温度計測をすることから、Plasma照射時の高周波や0℃以下の低温でもウェハーの温度を測定できる。

【0061】

また、実施の形態１のウェハー温度計測センサー及びウェハー温度計測センサーシステムによれば、ウェハーを積層してファイバーを覆うことで使用する光ファイバーをプラズマ、反応性ガスから保護すると共に、ウェハー表面の温度測定がより正確にできる。

【0062】

また、実施の形態１のウェハー温度計測センサー及びウェハー温度計測センサーシステムによれば、ＦＢＧ式光ファイバーをウェハーの渦巻形状の溝に埋め込むことにより、少ない本数の光ファイバーで多数の測定点で温度を測定できる。

【0063】

（実施の形態２）
実施の形態２では、第１のウェハー１０１と第２のウェハー１０２は、表面粗さＲａで５ｎｍ以下に研磨された接合面を常温接合によって積層されている。

【0064】

その他の構成及び製造方法は、実施の形態１と同様である。

【0065】

そして、実施の形態１と同様に、プラズマ照射時と冷却時の温度を測定したところ、７０～７２℃及び－４２～－４０℃であることを確認した。

【0066】

このように、常温接合を用いることで、熱伝導の悪い接着剤を介さずにウェハーが接合されるので、より温度変化に敏感となり、精度が向上できる。

【0067】

なお、本開示は上記実施の形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。

【0068】

例えば、様々な処理を行う機能ブロックとして図面に記載される各要素は、ハードウェア的には、ＣＰＵ、メモリ、その他の回路で構成することができ、ソフトウェア的には、メモリにロードされたプログラムなどによって実現される。したがって、これらの機能ブロックがハードウェアのみ、ソフトウェアのみ、またはそれらの組合せによっていろいろな形で実現できることは当業者には理解されるところであり、いずれかに限定されるものではない。

【0069】

また、上述したプログラムは、様々なタイプの非一時的なコンピュータ可読媒体を用いて格納され、コンピュータに供給できる。非一時的なコンピュータ可読媒体は、様々なタイプの実体のある記録媒体を含む。非一時的なコンピュータ可読媒体の例は、磁気記録媒体（例えばフレキシブルディスク、磁気テープ、ハードディスクドライブ）、光磁気記録媒体（例えば光磁気ディスク）、ＣＤ－ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＣＤ－Ｒ、ＣＤ－Ｒ／Ｗ、半導体メモリ（例えば、マスクＲＯＭ、ＰＲＯＭ（Programmable ROM）、ＥＰＲＯＭ（Erasable PROM）、フラッシュＲＯＭ、ＲＡＭ（Random Access Memory））を含む。また、プログラムは、様々なタイプの一時的なコンピュータ可読媒体によってコンピュータに供給されてもよい。一時的なコンピュータ可読媒体の例は、電気信号、光信号、及び電磁波を含む。一時的なコンピュータ可読媒体は、電線及び光ファイバー等の有線通信路、又は無線通信路を介して、プログラムをコンピュータに供給できる。

【符号の説明】

【0070】

１００ ウェハー温度計測センサー
１０１ 第１のウェハー
１０２ 第２のウェハー
１０３ ＦＢＧ式光ファイバー
１１１ 溝
１３１ 温度計測点
５００ ウェハー温度計測センサーシステム
５０１ 光学系ケーブル
５０２ 検出器
５０３ コンピュータ
５２１ 発光部
５２２ 受光部
６０１ ヒーター
６０２ 熱電対
６０３ データロガー

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】