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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024019823
(43)【公開日】2024-02-14
(54)【発明の名称】表示装置の製造方法及び表示装置
(51)【国際特許分類】
H05B 33/10 20060101AFI20240206BHJP
H10K 59/10 20230101ALI20240206BHJP
H05B 33/12 20060101ALI20240206BHJP
H05B 33/22 20060101ALI20240206BHJP
H05B 33/02 20060101ALI20240206BHJP
H05B 33/04 20060101ALI20240206BHJP
G09F 9/00 20060101ALI20240206BHJP
G09F 9/30 20060101ALI20240206BHJP
【ＦＩ】
H05B33/10
H01L27/32
H05B33/12 B
H05B33/22 Z
H05B33/22 A
H05B33/22 C
H05B33/02
H05B33/04
G09F9/00 338
G09F9/30 365
【審査請求】未請求
【請求項の数】15
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022122532
(22)【出願日】2022-08-01
(71)【出願人】
【識別番号】502356528
【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ
(74)【代理人】
【識別番号】110001737
【氏名又は名称】弁理士法人スズエ国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】羽成 淳
【テーマコード（参考）】
3K107
5C094
5G435
【Ｆターム（参考）】
3K107AA01
3K107BB01
3K107BB08
3K107CC23
3K107CC29
3K107CC45
3K107DD71
3K107DD72
3K107DD74
3K107DD75
3K107DD89
3K107EE32
3K107EE48
3K107FF15
3K107GG04
3K107GG12
5C094AA31
5C094BA27
5C094GB01
5C094HA05
5C094HA08
5G435AA14
5G435BB05
5G435KK05
5G435LL04
5G435LL07
5G435LL08
5G435LL17
(57)【要約】
【課題】信頼性の低下を抑制する。
【解決手段】一実施形態によれば、表示装置の製造方法は、基板の上方に下電極を形成し、前記下電極と重なる開口を有するリブを形成し、前記リブの上に位置する下部及び前記下部の上に位置し前記下部の側面から突出した上部を含む隔壁を形成した処理基板を用意し、マスクを設置せずに前記処理基板を蒸着装置に搬入し、前記下電極の上に有機層を形成し、前記有機層の上に上電極を形成し、前記処理基板を前記蒸着装置から搬出し、前記有機層を形成する工程は、第１ブロック層を形成する工程と、前記第１ブロック層の上に第１発光層を形成する工程と、前記第１発光層の上に第２ブロック層を形成する工程と、を含み、前記第１発光層を形成する際の材料の広がり角度は、前記第１ブロック層を形成する際の材料の広がり角度より小さく、前記第２ブロック層を形成する際の材料の広がり角度は、前記第１発光層を形成する際の材料の広がり角度より大きい。
【選択図】図１５
【解決手段】一実施形態によれば、表示装置の製造方法は、基板の上方に下電極を形成し、前記下電極と重なる開口を有するリブを形成し、前記リブの上に位置する下部及び前記下部の上に位置し前記下部の側面から突出した上部を含む隔壁を形成した処理基板を用意し、マスクを設置せずに前記処理基板を蒸着装置に搬入し、前記下電極の上に有機層を形成し、前記有機層の上に上電極を形成し、前記処理基板を前記蒸着装置から搬出し、前記有機層を形成する工程は、第１ブロック層を形成する工程と、前記第１ブロック層の上に第１発光層を形成する工程と、前記第１発光層の上に第２ブロック層を形成する工程と、を含み、前記第１発光層を形成する際の材料の広がり角度は、前記第１ブロック層を形成する際の材料の広がり角度より小さく、前記第２ブロック層を形成する際の材料の広がり角度は、前記第１発光層を形成する際の材料の広がり角度より大きい。
【選択図】図１５
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板の上方に下電極を形成し、前記下電極と重なる開口を有するリブを形成し、前記リブの上に位置する下部及び前記下部の上に位置し前記下部の側面から突出した上部を含む隔壁を形成した処理基板を用意し、
マスクを設置せずに前記処理基板を蒸着装置に搬入し、前記下電極の上に有機層を形成し、前記有機層の上に上電極を形成し、前記処理基板を前記蒸着装置から搬出し、
前記有機層を形成する工程は、第１ブロック層を形成する工程と、前記第１ブロック層の上に第１発光層を形成する工程と、前記第１発光層の上に第２ブロック層を形成する工程と、を含み、
前記第１発光層を形成する際の材料の広がり角度は、前記第１ブロック層を形成する際の材料の広がり角度より小さく、
前記第２ブロック層を形成する際の材料の広がり角度は、前記第１発光層を形成する際の材料の広がり角度より大きい、表示装置の製造方法。
マスクを設置せずに前記処理基板を蒸着装置に搬入し、前記下電極の上に有機層を形成し、前記有機層の上に上電極を形成し、前記処理基板を前記蒸着装置から搬出し、
前記有機層を形成する工程は、第１ブロック層を形成する工程と、前記第１ブロック層の上に第１発光層を形成する工程と、前記第１発光層の上に第２ブロック層を形成する工程と、を含み、
前記第１発光層を形成する際の材料の広がり角度は、前記第１ブロック層を形成する際の材料の広がり角度より小さく、
前記第２ブロック層を形成する際の材料の広がり角度は、前記第１発光層を形成する際の材料の広がり角度より大きい、表示装置の製造方法。
【請求項2】
前記第１ブロック層は、電子ブロック層であり、
前記有機層を形成する工程は、前記第１ブロック層を形成する前に、前記下電極の上に正孔注入層を形成する工程と、前記正孔注入層の上に正孔輸送層を形成する工程と、を含み、
前記第１ブロック層を形成する際の材料の広がり角度は、前記正孔注入層及び前記正孔輸送層をそれぞれ形成する際の材料の広がり角度より大きい、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
前記有機層を形成する工程は、前記第１ブロック層を形成する前に、前記下電極の上に正孔注入層を形成する工程と、前記正孔注入層の上に正孔輸送層を形成する工程と、を含み、
前記第１ブロック層を形成する際の材料の広がり角度は、前記正孔注入層及び前記正孔輸送層をそれぞれ形成する際の材料の広がり角度より大きい、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項3】
前記第２ブロック層は、正孔ブロック層であり、
前記有機層を形成する工程は、前記第２ブロック層を形成した後に、前記第２ブロック層の上に電子輸送層を形成する工程と、前記電子輸送層の上に電子注入層を形成する工程と、を含み、
前記電子輸送層及び前記電子注入層をそれぞれ形成する際の材料の広がり角度は、前記第１発光層を形成する際の材料の広がり角度より大きい、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
前記有機層を形成する工程は、前記第２ブロック層を形成した後に、前記第２ブロック層の上に電子輸送層を形成する工程と、前記電子輸送層の上に電子注入層を形成する工程と、を含み、
前記電子輸送層及び前記電子注入層をそれぞれ形成する際の材料の広がり角度は、前記第１発光層を形成する際の材料の広がり角度より大きい、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項4】
前記上電極を形成する際の材料の広がり角度は、前記電子注入層を形成する際の材料の広がり角度より大きく、
前記上電極は、前記隔壁の前記下部に接している、請求項３に記載の表示装置の製造方法。
前記上電極は、前記隔壁の前記下部に接している、請求項３に記載の表示装置の製造方法。
【請求項5】
前記有機層を形成する工程は、前記第１発光層を形成した後であって前記第２ブロック層を形成する前に、前記第１発光層の上に第２発光層を形成する工程と、を含み、
前記第２発光層は、前記第１発光層とは異なる材料であり且つ前記第１発光層と同等色を発光する材料によって形成し、
前記第２発光層を形成する際の材料の広がり角度は、前記第１ブロック層を形成する際の材料の広がり角度より小さく、
前記第２ブロック層を形成する際の材料の広がり角度は、前記第２発光層を形成する際の材料の広がり角度より大きい、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
前記第２発光層は、前記第１発光層とは異なる材料であり且つ前記第１発光層と同等色を発光する材料によって形成し、
前記第２発光層を形成する際の材料の広がり角度は、前記第１ブロック層を形成する際の材料の広がり角度より小さく、
前記第２ブロック層を形成する際の材料の広がり角度は、前記第２発光層を形成する際の材料の広がり角度より大きい、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項6】
前記有機層を形成する工程は、前記第１発光層を形成した後であって前記第２ブロック層を形成する前に、前記第１発光層の上に電荷発生層を形成する工程と、前記電荷発生層の上に第２発光層を形成する工程と、を含み、
前記第２発光層は、前記第１発光層とは異なる材料であり且つ前記第１発光層と同等色を発光する材料によって形成し、
前記電荷発生層及び前記第２発光層をそれぞれ形成する際の材料の広がり角度は、前記第１ブロック層を形成する際の材料の広がり角度より小さく、
前記第２ブロック層を形成する際の材料の広がり角度は、前記電荷発生層及び前記第２発光層をそれぞれ形成する際の材料の広がり角度より大きい、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
前記第２発光層は、前記第１発光層とは異なる材料であり且つ前記第１発光層と同等色を発光する材料によって形成し、
前記電荷発生層及び前記第２発光層をそれぞれ形成する際の材料の広がり角度は、前記第１ブロック層を形成する際の材料の広がり角度より小さく、
前記第２ブロック層を形成する際の材料の広がり角度は、前記電荷発生層及び前記第２発光層をそれぞれ形成する際の材料の広がり角度より大きい、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項7】
さらに、前記上電極を形成した後に、透明なキャップ層を形成する工程を含む、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項8】
前記蒸着装置から搬出された前記処理基板において、前記隔壁の上に形成された前記有機層、前記上電極、及び、前記キャップ層は、前記開口において前記下電極の上に形成された前記有機層、前記上電極、及び、前記キャップ層から離間している、請求項７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項9】
さらに、前記キャップ層を形成した後に、無機絶縁材料で封止層を形成し、
前記封止層は、前記隔壁の上の前記キャップ層を覆うとともに前記下電極の直上の前記キャップ層を覆い、且つ、前記隔壁の前記下部に接している、請求項８に記載の表示装置の製造方法。
前記封止層は、前記隔壁の上の前記キャップ層を覆うとともに前記下電極の直上の前記キャップ層を覆い、且つ、前記隔壁の前記下部に接している、請求項８に記載の表示装置の製造方法。
【請求項10】
さらに、前記封止層を形成した後に、前記封止層の上にパターニングしたレジストを形成し、
前記レジストから露出した前記封止層を除去し、
前記レジストから露出した前記キャップ層を除去し、
前記レジストから露出した前記上電極を除去し、
前記レジストから除去した前記有機層を除去する、請求項９に記載の表示装置の製造方法。
前記レジストから露出した前記封止層を除去し、
前記レジストから露出した前記キャップ層を除去し、
前記レジストから露出した前記上電極を除去し、
前記レジストから除去した前記有機層を除去する、請求項９に記載の表示装置の製造方法。
【請求項11】
基板と、
前記基板の上方に配置された下電極と、
無機絶縁材料で形成され、前記下電極と重なる開口を有するリブと、
前記リブの上に配置され導電材料で形成された下部と、前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁と、
前記開口において前記下電極の上に配置された有機層と、
前記有機層の上に配置され、前記隔壁の前記下部に接する上電極と、
前記上電極の上に配置されたキャップ層と、
前記キャップ層を覆い、前記隔壁の前記下部に接する封止層と、を備え、
前記有機層は、第１発光層と、前記下電極と前記第１発光層との間に位置する第１ブロック層と、前記上電極と前記第１発光層との間に位置する第２ブロック層と、を含み、
前記第１発光層は、前記隔壁から離間し、
前記第１ブロック層及び前記第２ブロック層は、前記隔壁と前記第１発光層との間で互いに接している、表示装置。
前記基板の上方に配置された下電極と、
無機絶縁材料で形成され、前記下電極と重なる開口を有するリブと、
前記リブの上に配置され導電材料で形成された下部と、前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁と、
前記開口において前記下電極の上に配置された有機層と、
前記有機層の上に配置され、前記隔壁の前記下部に接する上電極と、
前記上電極の上に配置されたキャップ層と、
前記キャップ層を覆い、前記隔壁の前記下部に接する封止層と、を備え、
前記有機層は、第１発光層と、前記下電極と前記第１発光層との間に位置する第１ブロック層と、前記上電極と前記第１発光層との間に位置する第２ブロック層と、を含み、
前記第１発光層は、前記隔壁から離間し、
前記第１ブロック層及び前記第２ブロック層は、前記隔壁と前記第１発光層との間で互いに接している、表示装置。
【請求項12】
前記第１ブロック層は、電子ブロック層であり、
前記有機層は、さらに、前記下電極の上に配置された正孔注入層と、前記正孔注入層の上に配置された正孔輸送層と、を含み、
前記正孔注入層及び前記正孔輸送層は、前記隔壁から離間し、
前記第１ブロック層は、前記隔壁と前記正孔注入層との間、及び、前記隔壁と前記正孔輸送層との間で前記リブに接している、請求項１１に記載の表示装置。
前記有機層は、さらに、前記下電極の上に配置された正孔注入層と、前記正孔注入層の上に配置された正孔輸送層と、を含み、
前記正孔注入層及び前記正孔輸送層は、前記隔壁から離間し、
前記第１ブロック層は、前記隔壁と前記正孔注入層との間、及び、前記隔壁と前記正孔輸送層との間で前記リブに接している、請求項１１に記載の表示装置。
【請求項13】
前記第２ブロック層は、正孔ブロック層であり、
前記有機層は、さらに、前記第２ブロック層の上に配置された電子輸送層と、前記電子輸送層の上に配置された電子注入層と、を含み、
前記上電極は、前記電子注入層の上に配置されている、請求項１２に記載の表示装置。
前記有機層は、さらに、前記第２ブロック層の上に配置された電子輸送層と、前記電子輸送層の上に配置された電子注入層と、を含み、
前記上電極は、前記電子注入層の上に配置されている、請求項１２に記載の表示装置。
【請求項14】
前記有機層は、さらに、前記第１発光層の上に配置された第２発光層を含み、
前記第２発光層は、前記第１発光層とは異なる材料であり且つ前記第１発光層と同等色を発光する材料によって形成され、
前記第２発光層は、前記隔壁から離間し、
前記第１ブロック層及び前記第２ブロック層は、前記隔壁と前記第２発光層との間で互いに接している、請求項１１に記載の表示装置。
前記第２発光層は、前記第１発光層とは異なる材料であり且つ前記第１発光層と同等色を発光する材料によって形成され、
前記第２発光層は、前記隔壁から離間し、
前記第１ブロック層及び前記第２ブロック層は、前記隔壁と前記第２発光層との間で互いに接している、請求項１１に記載の表示装置。
【請求項15】
前記有機層は、さらに、前記第１発光層の上に配置された電荷発生層と、前記電荷発生層の上に配置された第２発光層と、を含み、
前記第２発光層は、前記第１発光層とは異なる材料であり且つ前記第１発光層と同等色を発光する材料によって形成され、
前記電荷発生層及び前記第２発光層は、前記隔壁から離間し、
前記第１ブロック層及び前記第２ブロック層は、前記隔壁と前記電荷発生層との間、及び、前記隔壁と前記第２発光層との間で互いに接している、請求項１１に記載の表示装置。
前記第２発光層は、前記第１発光層とは異なる材料であり且つ前記第１発光層と同等色を発光する材料によって形成され、
前記電荷発生層及び前記第２発光層は、前記隔壁から離間し、
前記第１ブロック層及び前記第２ブロック層は、前記隔壁と前記電荷発生層との間、及び、前記隔壁と前記第２発光層との間で互いに接している、請求項１１に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、表示装置の製造方法及び表示装置に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を適用した表示装置が実用化されている。この表示素子は、薄膜トランジスタを含む画素回路と、画素回路に接続された下電極と、下電極を覆う有機層と、有機層を覆う上電極と、を備えている。有機層は、発光層の他に、正孔輸送層や電子輸送層などの機能層を含んでいる。
このような表示素子を製造する過程において、信頼性の低下を抑制する技術が必要とされている。
このような表示素子を製造する過程において、信頼性の低下を抑制する技術が必要とされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０００－１９５６７７号公報
【特許文献2】特開２００４－２０７２１７号公報
【特許文献3】特開２００８－１３５３２５号公報
【特許文献4】特開２００９－３２６７３号公報
【特許文献5】特開２０１０－１１８１９１号公報
【特許文献6】国際公開第２０１８／１７９３０８号
【特許文献7】米国特許出願公開第２０２２／００７７２５１号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明の目的は、信頼性の低下を抑制することが可能な表示装置の製造方法及び表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0005】
一実施形態によれば、表示装置の製造方法は、
基板の上方に下電極を形成し、前記下電極と重なる開口を有するリブを形成し、前記リブの上に位置する下部及び前記下部の上に位置し前記下部の側面から突出した上部を含む隔壁を形成した処理基板を用意し、マスクを設置せずに前記処理基板を蒸着装置に搬入し、前記下電極の上に有機層を形成し、前記有機層の上に上電極を形成し、前記処理基板を前記蒸着装置から搬出し、前記有機層を形成する工程は、第１ブロック層を形成する工程と、前記第１ブロック層の上に第１発光層を形成する工程と、前記第１発光層の上に第２ブロック層を形成する工程と、を含み、前記第１発光層を形成する際の材料の広がり角度は、前記第１ブロック層を形成する際の材料の広がり角度より小さく、前記第２ブロック層を形成する際の材料の広がり角度は、前記第１発光層を形成する際の材料の広がり角度より大きい。
基板の上方に下電極を形成し、前記下電極と重なる開口を有するリブを形成し、前記リブの上に位置する下部及び前記下部の上に位置し前記下部の側面から突出した上部を含む隔壁を形成した処理基板を用意し、マスクを設置せずに前記処理基板を蒸着装置に搬入し、前記下電極の上に有機層を形成し、前記有機層の上に上電極を形成し、前記処理基板を前記蒸着装置から搬出し、前記有機層を形成する工程は、第１ブロック層を形成する工程と、前記第１ブロック層の上に第１発光層を形成する工程と、前記第１発光層の上に第２ブロック層を形成する工程と、を含み、前記第１発光層を形成する際の材料の広がり角度は、前記第１ブロック層を形成する際の材料の広がり角度より小さく、前記第２ブロック層を形成する際の材料の広がり角度は、前記第１発光層を形成する際の材料の広がり角度より大きい。
【0006】
一実施形態によれば、表示装置は、
基板と、前記基板の上方に配置された下電極と、無機絶縁材料で形成され、前記下電極と重なる開口を有するリブと、前記リブの上に配置され導電材料で形成された下部と、前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁と、前記開口において前記下電極の上に配置された有機層と、前記有機層の上に配置され、前記隔壁の前記下部に接する上電極と、前記上電極の上に配置されたキャップ層と、前記キャップ層を覆い、前記隔壁の前記下部に接する封止層と、を備え、前記有機層は、第１発光層と、前記下電極と前記第１発光層との間に位置する第１ブロック層と、前記上電極と前記第１発光層との間に位置する第２ブロック層と、を含み、前記第１発光層は、前記隔壁から離間し、前記第１ブロック層及び前記第２ブロック層は、前記隔壁と前記第１発光層との間で互いに接している。
基板と、前記基板の上方に配置された下電極と、無機絶縁材料で形成され、前記下電極と重なる開口を有するリブと、前記リブの上に配置され導電材料で形成された下部と、前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁と、前記開口において前記下電極の上に配置された有機層と、前記有機層の上に配置され、前記隔壁の前記下部に接する上電極と、前記上電極の上に配置されたキャップ層と、前記キャップ層を覆い、前記隔壁の前記下部に接する封止層と、を備え、前記有機層は、第１発光層と、前記下電極と前記第１発光層との間に位置する第１ブロック層と、前記上電極と前記第１発光層との間に位置する第２ブロック層と、を含み、前記第１発光層は、前記隔壁から離間し、前記第１ブロック層及び前記第２ブロック層は、前記隔壁と前記第１発光層との間で互いに接している。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【発明を実施するための形態】
【0008】
一実施形態について図面を参照しながら説明する。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
【0009】
なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向を第１方向と称し、Ｙ軸に沿った方向を第２方向と称し、Ｚ軸に沿った方向を第３方向と称する。第３方向Ｚと平行に各種要素を見ることを平面視という。
【0010】
本実施形態に係る表示装置は、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パーソナルコンピュータ、車載機器、タブレット端末、スマートフォン、携帯電話端末等に搭載され得る。
【0011】
図１は、表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。
表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０の上に、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周辺の周辺領域ＳＡと、を有している。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。
表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０の上に、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周辺の周辺領域ＳＡと、を有している。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。
【0012】
本実施形態においては、平面視における基板１０の形状が長方形である。ただし、基板１０の平面視における形状は長方形に限らず、正方形、円形あるいは楕円形などの他の形状であってもよい。
【0013】
表示領域ＤＡは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、複数の副画素ＳＰを含む。一例では、画素ＰＸは、第１色の副画素ＳＰ１、第２色の副画素ＳＰ２、及び、第３色の副画素ＳＰ３を含む。第１色、第２色、及び、第３色は、互いに異なる色である。なお、画素ＰＸは、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３とともに、あるいは副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のいずれかに代えて、白色などの他の色の副画素ＳＰを含んでもよい。
【0014】
副画素ＳＰは、画素回路１と、画素回路１によって駆動される表示素子２０と、を備えている。画素回路１は、画素スイッチ２と、駆動トランジスタ３と、キャパシタ４と、を備えている。画素スイッチ２及び駆動トランジスタ３は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイッチング素子である。
【0015】
画素スイッチ２のゲート電極は、走査線ＧＬに接続されている。画素スイッチ２のソース電極及びドレイン電極の一方は信号線ＳＬに接続され、他方は駆動トランジスタ３のゲート電極及びキャパシタ４に接続されている。駆動トランジスタ３において、ソース電極及びドレイン電極の一方は電源線ＰＬ及びキャパシタ４に接続され、他方は表示素子２０のアノードに接続されている。
【0016】
なお、画素回路１の構成は図示した例に限らない。例えば、画素回路１は、より多くの薄膜トランジスタ及びキャパシタを備えてもよい。
【0017】
表示素子２０は、発光素子としての有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）であり、有機ＥＬ素子と称する場合がある。
【0018】
図２は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトの一例を示す図である。
図２の例においては、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに並んでいる。さらに、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３がそれぞれ副画素ＳＰ１と第１方向Ｘに並んでいる。
図２の例においては、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに並んでいる。さらに、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３がそれぞれ副画素ＳＰ１と第１方向Ｘに並んでいる。
【0019】
副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がこのようなレイアウトである場合、表示領域ＤＡには、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに交互に配置された列と、複数の副画素ＳＰ１が第２方向Ｙに繰り返し配置された列とが形成される。これらの列は、第１方向Ｘに交互に並ぶ。
【0020】
なお、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトは図２の例に限られない。他の一例として、各画素ＰＸにおける副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３が第１方向Ｘに順に並んでいてもよい。
【0021】
表示領域ＤＡには、リブ５及び隔壁６が配置されている。リブ５は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３においてそれぞれ開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を有している。
【0022】
隔壁６は、平面視においてリブ５と重なっている。隔壁６は、第１方向Ｘに延びる複数の第１隔壁６ｘと、第２方向Ｙに延びる複数の第２隔壁６ｙと、を有している。複数の第１隔壁６ｘは、第２方向Ｙに隣り合う開口ＡＰ２，ＡＰ３の間、及び、第２方向Ｙに隣り合う２つの開口ＡＰ１の間にそれぞれ配置されている。第２隔壁６ｙは、第１方向Ｘに隣り合う開口ＡＰ１，ＡＰ２の間、及び、第１方向Ｘに隣り合う開口ＡＰ１，ＡＰ３の間にそれぞれ配置されている。
【0023】
図２の例においては、第１隔壁６ｘ及び第２隔壁６ｙは、互いに接続されている。これにより、隔壁６は、全体として開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を囲う格子状に形成されている。隔壁６は、リブ５と同様に副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３において開口を有するということもできる。
【0024】
副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３は、表示素子２０として、それぞれ表示素子２０１，２０２，２０３を備えている。
副画素ＳＰ１は、開口ＡＰ１とそれぞれ重なる下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１及び有機層ＯＲ１を備えている。副画素ＳＰ２は、開口ＡＰ２とそれぞれ重なる下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２及び有機層ＯＲ２を備えている。副画素ＳＰ３は、開口ＡＰ３とそれぞれ重なる下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３及び有機層ＯＲ３を備えている。
副画素ＳＰ１は、開口ＡＰ１とそれぞれ重なる下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１及び有機層ＯＲ１を備えている。副画素ＳＰ２は、開口ＡＰ２とそれぞれ重なる下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２及び有機層ＯＲ２を備えている。副画素ＳＰ３は、開口ＡＰ３とそれぞれ重なる下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３及び有機層ＯＲ３を備えている。
【0025】
図２の例においては、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３の外形は点線で示し、有機層ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３、及び、上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３の外形は一点鎖線で示している。下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３のそれぞれの周縁部は、リブ５に重なっている。なお、図示した下電極、有機層、上電極のそれぞれの外形は、正確な形状を反映したものとは限らない。
【0026】
下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１、及び、有機層ＯＲ１は、副画素ＳＰ１の表示素子２０１を構成する。下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２、及び、有機層ＯＲ２は、副画素ＳＰ２の表示素子２０２を構成する。下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３、及び、有機層ＯＲ３は、副画素ＳＰ３の表示素子２０３を構成する。
【0027】
下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３は、例えば、表示素子のアノードに相当する。上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３は、表示素子のカソード、あるいは、共通電極に相当する。
【0028】
下電極ＬＥ１は、コンタクトホールＣＨ１を通じて副画素ＳＰ１の画素回路１（図１参照）に接続されている。下電極ＬＥ２は、コンタクトホールＣＨ２を通じて副画素ＳＰ２の画素回路１に接続されている。下電極ＬＥ３は、コンタクトホールＣＨ３を通じて副画素ＳＰ３の画素回路１に接続されている。
【0029】
図２の例においては、開口ＡＰ１の面積が開口ＡＰ２の面積よりも大きく、開口ＡＰ２の面積が開口ＡＰ３の面積よりも大きい。換言すると、開口ＡＰ１から露出した下電極ＬＥ１の面積は開口ＡＰ２から露出した下電極ＬＥ２の面積よりも大きく、開口ＡＰ２から露出した下電極ＬＥ２の面積は開口ＡＰ３から露出した下電極ＬＥ３の面積よりも大きい。
【0030】
例えば、副画素ＳＰ１の表示素子２０１は、青波長域の光を放つように構成される。また、副画素ＳＰ２の表示素子２０２は、緑波長域の光を放つように構成され、また、副画素ＳＰ３の表示素子２０３は、赤波長域の光を放つように構成される。
【0031】
図３は、図２中のＡ－Ｂ線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。
上述の基板１０の上に回路層１１が配置されている。回路層１１は、図１に示した画素回路１、走査線ＧＬ、信号線ＳＬ、及び、電源線ＰＬなどの各種回路や配線を含む。回路層１１は、絶縁層１２により覆われている。絶縁層１２は、回路層１１により生じる凹凸を平坦化する平坦化膜として機能する。
上述の基板１０の上に回路層１１が配置されている。回路層１１は、図１に示した画素回路１、走査線ＧＬ、信号線ＳＬ、及び、電源線ＰＬなどの各種回路や配線を含む。回路層１１は、絶縁層１２により覆われている。絶縁層１２は、回路層１１により生じる凹凸を平坦化する平坦化膜として機能する。
【0032】
下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、絶縁層１２の上に配置されている。リブ５は、絶縁層１２及び下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の上に配置されている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の端部は、リブ５により覆われている。つまり、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の端部は、絶縁層１２とリブ５との間に配置されている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３のうち、互いに隣接する下電極の間では、絶縁層１２がリブ５により覆われている。
【0033】
隔壁６は、リブ５の上に配置された下部（茎）６１と、下部６１の上に配置された上部（笠）６２と、を含む。図の左側に示した隔壁６の下部６１は、開口ＡＰ１と開口ＡＰ２との間に位置している。図の右側に示した隔壁６の下部６１は、開口ＡＰ２と開口ＡＰ３との間に位置している。上部６２は、下部６１よりも大きい幅を有している。これにより、上部６２の両端部が下部６１の側面よりも突出している。このような隔壁６の形状は、オーバーハング状ということもできる。上部６２のうち、下部６１よりも開口ＡＰ１に向かって突出した部分は突出部６２１と称し、下部６１よりも開口ＡＰ２に向かって突出した部分は突出部６２２と称し、下部６１よりも開口ＡＰ３に向かって突出した部分は突出部６２３と称する。
【0034】
有機層ＯＲ１は、開口ＡＰ１を通じて下電極ＬＥ１に接触し、下電極ＬＥ１を覆うとともに、リブ５の一部に重なっている。上電極ＵＥ１は、下電極ＬＥ１と対向するとともに、有機層ＯＲ１の上に配置されている。さらに、上電極ＵＥ１は、下部６１の側面に接触している。有機層ＯＲ１及び上電極ＵＥ１は、上部６２よりも下方に位置している。
【0035】
有機層ＯＲ２は、開口ＡＰ２を通じて下電極ＬＥ２に接触し、下電極ＬＥ２を覆うとともに、リブ５の一部に重なっている。上電極ＵＥ２は、下電極ＬＥ２と対向するとともに、有機層ＯＲ２の上に配置されている。さらに、上電極ＵＥ２は、下部６１の側面に接触している。有機層ＯＲ２及び上電極ＵＥ２は、上部６２よりも下方に位置している。
【0036】
有機層ＯＲ３は、開口ＡＰ３を通じて下電極ＬＥ３に接触し、下電極ＬＥ３を覆うとともに、リブ５の一部に重なっている。上電極ＵＥ３は、下電極ＬＥ３と対向するとともに、有機層ＯＲ３の上に配置されている。さらに、上電極ＵＥ３は、下部６１の側面に接触している。有機層ＯＲ３及び上電極ＵＥ３は、上部６２よりも下方に位置している。
【0037】
図示した例では、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３は、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の発光層が発する光の光学特性を調整するためのキャップ層（光学調整層）ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３を含む。
キャップ層ＣＰ１は、開口ＡＰ１に位置し、上部６２よりも下方に位置し、上電極ＵＥ１の上に配置されている。キャップ層ＣＰ２は、開口ＡＰ２に位置し、上部６２よりも下方に位置し、上電極ＵＥ２の上に配置されている。キャップ層ＣＰ３は、開口ＡＰ３に位置し、上部６２よりも下方に位置し、上電極ＵＥ３の上に配置されている。
キャップ層ＣＰ１は、開口ＡＰ１に位置し、上部６２よりも下方に位置し、上電極ＵＥ１の上に配置されている。キャップ層ＣＰ２は、開口ＡＰ２に位置し、上部６２よりも下方に位置し、上電極ＵＥ２の上に配置されている。キャップ層ＣＰ３は、開口ＡＰ３に位置し、上部６２よりも下方に位置し、上電極ＵＥ３の上に配置されている。
【0038】
副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３には、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３がそれぞれ配置されている。
封止層ＳＥ１は、キャップ層ＣＰ１、及び、隔壁６の下部６１及び上部６２に接し、副画素ＳＰ１の各部材を連続的に覆っている。
封止層ＳＥ２は、キャップ層ＣＰ２、及び、隔壁６の下部６１及び上部６２に接し、副画素ＳＰ２の各部材を連続的に覆っている。
封止層ＳＥ３は、キャップ層ＣＰ３、及び、隔壁６の下部６１及び上部６２に接し、副画素ＳＰ３の各部材を連続的に覆っている。
封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、保護層１３により覆われている。
封止層ＳＥ１は、キャップ層ＣＰ１、及び、隔壁６の下部６１及び上部６２に接し、副画素ＳＰ１の各部材を連続的に覆っている。
封止層ＳＥ２は、キャップ層ＣＰ２、及び、隔壁６の下部６１及び上部６２に接し、副画素ＳＰ２の各部材を連続的に覆っている。
封止層ＳＥ３は、キャップ層ＣＰ３、及び、隔壁６の下部６１及び上部６２に接し、副画素ＳＰ３の各部材を連続的に覆っている。
封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、保護層１３により覆われている。
【0039】
図示した例では、有機層ＯＲ１の一部、上電極ＵＥ１の一部、及び、キャップ層ＣＰ１の一部は、隔壁６と封止層ＳＥ１との間に位置し、上部６２の上に配置され、上部６２よりも下方に位置する部分とは離間している。
また、有機層ＯＲ２の一部、上電極ＵＥ２の一部、及び、キャップ層ＣＰ２の一部は、隔壁６と封止層ＳＥ２との間に位置し、上部６２の上に配置され、上部６２よりも下方に位置する部分とは離間している。
また、有機層ＯＲ３の一部、上電極ＵＥ３の一部、及び、キャップ層ＣＰ３の一部は、隔壁６と封止層ＳＥ３との間に位置し、上部６２の上に配置され、上部６２よりも下方に位置する部分とは離間している。
また、有機層ＯＲ２の一部、上電極ＵＥ２の一部、及び、キャップ層ＣＰ２の一部は、隔壁６と封止層ＳＥ２との間に位置し、上部６２の上に配置され、上部６２よりも下方に位置する部分とは離間している。
また、有機層ＯＲ３の一部、上電極ＵＥ３の一部、及び、キャップ層ＣＰ３の一部は、隔壁６と封止層ＳＥ３との間に位置し、上部６２の上に配置され、上部６２よりも下方に位置する部分とは離間している。
【0040】
絶縁層１２は、有機絶縁層である。リブ５、及び、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、無機絶縁層である。
【0041】
リブ５は、無機絶縁材料の一例であるシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）で形成されている。なお、リブ５は、他の無機絶縁材料として、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、または、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）のいずれかの単層体として形成されてもよい。また、リブ５は、シリコン窒化物層、シリコン酸化物層、シリコン酸窒化物層、及び、酸化アルミニウム層のうちの少なくとも２つの組合せによる積層体として形成されてもよい。
封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、例えば、同一の無機絶縁材料で形成されている。
封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、無機絶縁材料の一例であるシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）で形成されている。なお、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、他の無機絶縁材料として、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、または、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）のいずれかの単層体として形成されてもよい。また、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、シリコン窒化物層、シリコン酸化物層、シリコン酸窒化物層、及び、酸化アルミニウム層のうちの少なくとも２つの組合せによる積層体として形成されてもよい。このため、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、リブ５と同一材料で形成される場合があり得る。
封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、例えば、同一の無機絶縁材料で形成されている。
封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、無機絶縁材料の一例であるシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）で形成されている。なお、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、他の無機絶縁材料として、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、または、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）のいずれかの単層体として形成されてもよい。また、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、シリコン窒化物層、シリコン酸化物層、シリコン酸窒化物層、及び、酸化アルミニウム層のうちの少なくとも２つの組合せによる積層体として形成されてもよい。このため、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、リブ５と同一材料で形成される場合があり得る。
【0042】
隔壁６の下部６１は、導電材料によって形成され、各上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３と電気的に接続されている。隔壁６の下部６１及び上部６２がいずれも導電材料によって形成されてもよい。
【0043】
リブ５の厚さは、隔壁６や絶縁層１２の厚さに比べて十分に小さい。一例では、リブ５の厚さは、２００ｎｍ以上かつ４００ｎｍ以下である。
隔壁６の下部６１の厚さ（リブ５の上面から上部６２の下面までの厚さ）は、リブ５の厚さより大きい。
封止層ＳＥ１の厚さ、封止層ＳＥ２の厚さ、及び、封止層ＳＥ３の厚さは、ほぼ同等であり、例えば、１μｍ程度である。
隔壁６の下部６１の厚さ（リブ５の上面から上部６２の下面までの厚さ）は、リブ５の厚さより大きい。
封止層ＳＥ１の厚さ、封止層ＳＥ２の厚さ、及び、封止層ＳＥ３の厚さは、ほぼ同等であり、例えば、１μｍ程度である。
【0044】
下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、ＩＴＯなどの透明導電材料で形成されてもよいし、銀（Ａｇ）などの金属材料と透明導電材料との積層構造を有してもよい。上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、例えばマグネシウム及び銀の合金（ＭｇＡｇ）などの金属材料で形成されている。上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、ＩＴＯなどの透明導電材料で形成されてもよい。
【0045】
有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の各々は、後述するように、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層などの複数の機能層を含む。また、有機層ＯＲ１は、発光層ＥＭ１を含む。有機層ＯＲ２は、発光層ＥＭ２を含む。発光層ＥＭ２は、発光層ＥＭ１とは異なる材料で形成されている。有機層ＯＲ３は、発光層ＥＭ３を含む。発光層ＥＭ３は、発光層ＥＭ１及びＥＭ２とは異なる材料で形成されている。
【0046】
発光層ＥＭ１を形成する材料、発光層ＥＭ２を形成する材料、及び、発光層ＥＭ３を形成する材料は、互いに異なる波長域の光を放つ材料である。
一例では、発光層ＥＭ１は、青波長域の光を放つ材料によって形成され、発光層ＥＭ２は、緑波長域の光を放つ材料によって形成され、発光層ＥＭ３は、赤波長域の光を放つ材料によって形成されている。
一例では、発光層ＥＭ１は、青波長域の光を放つ材料によって形成され、発光層ＥＭ２は、緑波長域の光を放つ材料によって形成され、発光層ＥＭ３は、赤波長域の光を放つ材料によって形成されている。
【0047】
キャップ層ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３は、例えば、透明な薄膜の多層体によって形成されている。多層体は、薄膜として、無機材料によって形成された薄膜及び有機材料によって形成された薄膜を含んでいてもよい。また、これらの複数の薄膜は、互いに異なる屈折率を有している。多層体を構成する薄膜の材料は、上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３の材料とは異なり、また、封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３の材料とも異なる。なお、キャップ層ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３は、省略してもよい。
【0048】
保護層１３は、透明な薄膜の多層体によって形成され、例えば、薄膜として、無機材料によって形成された薄膜及び有機材料によって形成された薄膜を含んでいる。
【0049】
隔壁６には、共通電圧が供給されている。この共通電圧は、下部６１の側面に接触した各上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３にそれぞれ供給される。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３には、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がそれぞれ有する画素回路１を通じて画素電圧が供給される。
【0050】
下電極ＬＥ１と上電極ＵＥ１の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ１のうちの発光層ＥＭ１が青波長域の光を放つ。下電極ＬＥ２と上電極ＵＥ２の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ２のうちの発光層ＥＭ２が緑波長域の光を放つ。下電極ＬＥ３と上電極ＵＥ３の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ３のうちの発光層ＥＭ３が青波長域の光を放つ。
【0051】
次に、表示装置ＤＳＰの製造方法の一例について説明する。
【0052】
図４は、表示装置ＤＳＰの製造方法の一例を説明するためのフロー図である。
ここに示す製造方法は、大別して、副画素ＳＰ１、副画素ＳＰ２、及び、副画素ＳＰ３を有する処理基板ＳＵＢを用意する工程（ステップＳＴ１）と、副画素ＳＰ１の表示素子２０１を形成する工程（ステップＳＴ２）と、副画素ＳＰ２の表示素子２０２を形成する工程（ステップＳＴ３）と、副画素ＳＰ３の表示素子２０３を形成する工程（ステップＳＴ４）と、を含む。
ここに示す製造方法は、大別して、副画素ＳＰ１、副画素ＳＰ２、及び、副画素ＳＰ３を有する処理基板ＳＵＢを用意する工程（ステップＳＴ１）と、副画素ＳＰ１の表示素子２０１を形成する工程（ステップＳＴ２）と、副画素ＳＰ２の表示素子２０２を形成する工程（ステップＳＴ３）と、副画素ＳＰ３の表示素子２０３を形成する工程（ステップＳＴ４）と、を含む。
【0053】
ステップＳＴ１においては、まず、基板１０の上に、副画素ＳＰ１の下電極ＬＥ１、副画素ＳＰ２の下電極ＬＥ２、副画素ＳＰ３の下電極ＬＥ３、リブ５、及び、隔壁６を形成した処理基板ＳＵＢを用意する。図３に示したように、基板１０と下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３との間には、回路層１１及び絶縁層１２も形成される。
【0054】
ステップＳＴ２においては、まず、副画素ＳＰ１、副画素ＳＰ２、及び、副画素ＳＰ３に亘って、発光層ＥＭ１を含む第１薄膜３１を形成する（ステップＳＴ２１）。第１薄膜３１は、図３に示した有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、キャップ層ＣＰ１、及び、封止層ＳＥ１の積層体である。その後、第１薄膜３１の上に所定の形状にパターニングされた第１レジスト４１を形成する（ステップＳＴ２２）。その後、第１レジスト４１をマスクとしたエッチングにより第１薄膜３１の一部を除去する（ステップＳＴ２３）。このとき、例えば、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３に配置された第１薄膜３１が除去される。その後、第１レジスト４１を除去する（ステップＳＴ２４）。これにより、副画素ＳＰ１が形成される。副画素ＳＰ１は、所定の形状の第１薄膜３１を有する表示素子２０１を備える。
【0055】
ステップＳＴ３においては、まず、副画素ＳＰ１、副画素ＳＰ２、及び、副画素ＳＰ３に亘って、発光層ＥＭ２を含む第２薄膜３２を形成する（ステップＳＴ３１）。第２薄膜３２は、図３に示した有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、キャップ層ＣＰ２、及び、封止層ＳＥ２の積層体である。その後、第２薄膜３２の上に所定の形状にパターニングされた第２レジスト４２を形成する（ステップＳＴ３２）。その後、第２レジスト４２をマスクとしたエッチングにより第２薄膜３２の一部を除去する（ステップＳＴ３３）。このとき、例えば、副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ３に配置された第２薄膜３２が除去される。その後、第２レジスト４２を除去する（ステップＳＴ３４）。これにより、副画素ＳＰ２が形成される。副画素ＳＰ２は、所定の形状の第２薄膜３２を有する表示素子２０２を備える。
【0056】
ステップＳＴ４においては、まず、副画素ＳＰ１、副画素ＳＰ２、及び、副画素ＳＰ３に亘って、発光層ＥＭ３を含む第３薄膜３３を形成する（ステップＳＴ４１）。第３薄膜３３は、図３に示した有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、キャップ層ＣＰ３、及び、封止層ＳＥ３の積層体である。その後、第３薄膜３３の上に所定の形状にパターニングされた第３レジスト４３を形成する（ステップＳＴ４２）。その後、第３レジスト４３をマスクとしたエッチングにより第３薄膜３３の一部を除去する（ステップＳＴ４３）。このとき、例えば、副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ２に配置された第３薄膜３３が除去される。その後、第３レジスト４３を除去する（ステップＳＴ４４）。これにより、副画素ＳＰ３が形成される。副画素ＳＰ３は、所定の形状の第３薄膜３３を有する表示素子２０３を備える。
【0057】
なお、第２薄膜３２、第２レジスト４２、第３薄膜３３、及び、第３レジスト４３の詳細な図示は省略する。
【0058】
【0059】
まず、ステップＳＴ１においては、図５に示すように、処理基板ＳＵＢを用意する。処理基板ＳＵＢを用意する工程は、基板１０の上に回路層１１を形成する工程と、回路層１１の上に絶縁層１２を形成する工程と、絶縁層１２の上に、副画素ＳＰ１の下電極ＬＥ１、副画素ＳＰ２の下電極ＬＥ２、副画素ＳＰ３の下電極ＬＥ３を形成する工程と、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３の各々と重なる開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３を有するリブ５を形成する工程と、リブ５の上に配置された下部６１及び下部６１の上に配置され下部６１の側面から突出した上部６２を含む隔壁６を形成する工程と、を含む。リブ５は、例えばシリコン窒化物で形成する。隔壁６のうち、少なくとも下部６１は、導電材料で形成する。なお、図６乃至図９の各図においては、絶縁層１２よりも下層の基板１０及び回路層１１の図示を省略する。
【0060】
続いて、ステップＳＴ２１においては、図６に示すように、副画素ＳＰ１、副画素ＳＰ２、及び、副画素ＳＰ３に亘って、第１薄膜３１を形成する。第１薄膜３１を形成する工程は、処理基板ＳＵＢの上に、発光層ＥＭ１を含む有機層ＯＲ１を形成する工程と、有機層ＯＲ１の上に上電極ＵＥ１を形成する工程と、上電極ＵＥ１の上にキャップ層ＣＰ１を形成する工程と、キャップ層ＣＰ１の上に無機絶縁材料で封止層ＳＥ１を形成する工程と、を含む。つまり、図示した例では、第１薄膜３１は、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、キャップ層ＣＰ１、及び、封止層ＳＥ１を含む。
【0061】
有機層ＯＲ１は、下電極ＬＥ１、下電極ＬＥ２、及び、下電極ＬＥ３の上にそれぞれ形成されるとともに、隔壁６の上にも形成されている。有機層ＯＲ１のうち、上部６２の上に形成された部分は、各下電極の上に形成された部分から離間している。有機層ＯＲ１の各種機能層及び発光層ＥＭ１は、蒸着法により形成される。
【0062】
上電極ＵＥ１は、下電極ＬＥ１、下電極ＬＥ２、及び、下電極ＬＥ３の直上において、有機層ＯＲ１の上にそれぞれ形成され、リブ５を覆い、隔壁６の下部６１に接している。また、上電極ＵＥ１は、上部６２の直上において、有機層ＯＲ１の上にも形成されている。上電極ＵＥ１のうち、上部６２の直上に形成された部分は、各下電極の直上に形成された部分から離間している。上電極ＵＥ１は、蒸着法により形成される。
【0063】
キャップ層ＣＰ１は、下電極ＬＥ１、下電極ＬＥ２、及び、下電極ＬＥ３の直上において、上電極ＵＥ１の上にそれぞれ形成されるとともに、上部６２の直上において、上電極ＵＥ１の上にも形成されている。キャップ層ＣＰ１のうち、上部６２の直上に形成された部分は、各下電極の直上に形成された部分から離間している。キャップ層ＣＰ１に含まれる第１透明層及び第２透明層は、蒸着法により形成される。
【0064】
封止層ＳＥ１は、キャップ層ＣＰ１、及び、隔壁６を覆うように形成されている。つまり、封止層ＳＥ１は、下電極ＬＥ１、下電極ＬＥ２、及び、下電極ＬＥ３の直上において、キャップ層ＣＰ１の上にそれぞれ形成されるとともに、上部６２の直上において、キャップ層ＣＰ１の上にも形成されている。また、封止層ＳＥ１は、隔壁６の下部６１に接している。封止層ＳＥ１において、上部６２の直上に形成された部分は、各下電極の直上に形成された部分と繋がっている。封止層ＳＥ１は、ＣＶＤ法により形成される。上電極ＵＥ１はリブ５と封止層ＳＥ１との間に介在し、封止層ＳＥ１はリブ５から離間している。
【0065】
続いて、ステップＳＴ２２においては、図７に示すように、封止層ＳＥ１の上のパターニングした第１レジスト４１を形成する。第１レジスト４１は、副画素ＳＰ１の第１薄膜３１を覆い、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３の第１薄膜３１を露出する。つまり、第１レジスト４１は、下電極ＬＥ１の直上に位置する封止層ＳＥ１に重なっている。また、第１レジスト４１は、副画素ＳＰ１から隔壁６の上方に延出している。副画素ＳＰ１と副画素ＳＰ２との間の隔壁６上において、第１レジスト４１は、副画素ＳＰ１側（図の左側）に配置され、副画素ＳＰ２側（図の右側）では封止層ＳＥ１を露出している。また、第１レジスト４１は、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３において、封止層ＳＥ１を露出している。
【0066】
その後、ステップＳＴ２３においては、図８に示すように、第１レジスト４１をマスクとしてエッチングを行い、第１レジスト４１から露出した副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３の第１薄膜３１を除去し、副画素ＳＰ１に第１薄膜３１が残留する。
【0067】
第１薄膜３１を除去する工程は、例えば、以下の通りである。
まず、第１レジスト４１をマスクとして利用し、ドライエッチングを行い、第１レジスト４１から露出した封止層ＳＥ１を除去する。
その後、第１レジスト４１をマスクとして利用し、ウエットエッチング及びドライエッチングの少なくとも一方を行い、第１レジスト４１及び封止層ＳＥ１から露出したキャップ層ＣＰ１を除去する。
その後、第１レジスト４１をマスクとして利用し、ウエットエッチングを行い、第１レジスト４１及びキャップ層ＣＰ１から露出した上電極ＵＥ１を除去する。
その後、第１レジスト４１をマスクとして利用し、ドライエッチング（アッシング）を行い、第１レジスト４１及び上電極ＵＥ１から露出した有機層ＯＲ１を除去する。
まず、第１レジスト４１をマスクとして利用し、ドライエッチングを行い、第１レジスト４１から露出した封止層ＳＥ１を除去する。
その後、第１レジスト４１をマスクとして利用し、ウエットエッチング及びドライエッチングの少なくとも一方を行い、第１レジスト４１及び封止層ＳＥ１から露出したキャップ層ＣＰ１を除去する。
その後、第１レジスト４１をマスクとして利用し、ウエットエッチングを行い、第１レジスト４１及びキャップ層ＣＰ１から露出した上電極ＵＥ１を除去する。
その後、第１レジスト４１をマスクとして利用し、ドライエッチング（アッシング）を行い、第１レジスト４１及び上電極ＵＥ１から露出した有機層ＯＲ１を除去する。
【0068】
これにより、副画素ＳＰ２において下電極ＬＥ２が露出し、また、下電極ＬＥ２を囲むリブ５が露出する。また、副画素ＳＰ３において下電極ＬＥ３が露出し、また、下電極ＬＥ３を囲むリブ５が露出する。また、副画素ＳＰ１と副画素ＳＰ２との間の隔壁６において、副画素ＳＰ２側が露出する。また、副画素ＳＰ２と副画素ＳＰ３との間の隔壁６が露出する。
【0069】
その後、ステップＳＴ２４においては、図９に示すように、第１レジスト４１を除去する。これにより、副画素ＳＰ１の封止層ＳＥ１が露出する。これらのステップＳＴ２１乃至ＳＴ２４を経て、副画素ＳＰ１において、表示素子２０１が形成される。表示素子２０１は、下電極ＬＥ１、発光層ＥＭ１を含む有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１によって構成される。また、表示素子２０１は、封止層ＳＥ１によって覆われている。
【0070】
副画素ＳＰ１と副画素ＳＰ２との間の隔壁６上には、発光層ＥＭ１を含む有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、キャップ層ＣＰ１、及び、封止層ＳＥ１の積層体が形成される。また、隔壁６のうち、副画素ＳＰ１の側の部分は、封止層ＳＥ１で覆われる。なお、図９に示した隔壁６上の積層体は、完全に除去される場合があり得る。
【0071】
図４に示したステップＳＴ３１乃至ＳＴ３４は、上記のステップＳＴ２１乃至ＳＴ２４と同様である。これらのステップＳＴ３１乃至ＳＴ３４を経て、図３に示した副画素ＳＰ２において、表示素子２０２が形成される。表示素子２０２は、下電極ＬＥ２、発光層ＥＭ２を含む有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、及び、キャップ層ＣＰ２によって構成される。また、表示素子２０２は、封止層ＳＥ２によって覆われている。
【0072】
図４に示したステップＳＴ４１乃至ＳＴ４４も、上記のステップＳＴ２１乃至ＳＴ２４と同様である。これらのステップＳＴ４１乃至ＳＴ４４を経て、図３に示した副画素ＳＰ３において、表示素子２０３が形成される。表示素子２０３は、下電極ＬＥ３、発光層ＥＭ３を含む有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、及び、キャップ層ＣＰ３によって構成される。また、表示素子２０３は、封止層ＳＥ３によって覆われている。
【0073】
上記の表示素子２０１乃至２０３は、概ね同様の積層構造を有している。以下、表示素子２０１について、いくつかの構成例について説明し、表示素子２０２及び２０３の積層構造についての説明を省略する。
【0074】
図１０は、表示素子２０１の一構成例を示す図である。
なお、ここでは、下電極ＬＥ１がアノードに相当し、上電極ＵＥ１がカソードに相当する場合の例について説明する。
なお、ここでは、下電極ＬＥ１がアノードに相当し、上電極ＵＥ１がカソードに相当する場合の例について説明する。
【0075】
表示素子２０１は、下電極ＬＥ１と上電極ＵＥ１との間に、有機層ＯＲ１を含んでいる。有機層ＯＲ１は、第１機能層ＦＬ１と、第１ブロック層ＢＬ１と、発光層ＥＭ１と、第２ブロック層ＢＬ２と、第２機能層ＦＬ２と、を含んでいる。
【0076】
発光層ＥＭ１は、第１ブロック層ＢＬ１と第２ブロック層ＢＬ２との間に位置している。第１機能層ＦＬ１は、下電極ＬＥ１と第１ブロック層ＢＬ１との間に位置し、正孔注入層ＨＩＬ１及び正孔輸送層ＨＴＬ１を含んでいる。第２機能層ＦＬ２は、第２ブロック層ＢＬ２と上電極ＵＥ１との間に位置し、電子輸送層ＥＴＬ１及び電子注入層ＥＩＬ１を含んでいる。
【0077】
第１ブロック層ＢＬ１は、例えば電子ブロック層ＥＢＬ１であり、上電極ＵＥ１から供給された電子を発光層ＥＭ１に留め、下電極ＬＥ１への移動を抑制する機能層である。
第２ブロック層ＢＬ２は、例えば正孔ブロック層ＨＢＬ１であり、下電極ＬＥ１から供給された正孔を発光層ＥＭ１に留め、上電極ＵＥ１への移動を抑制する機能層である。
第２ブロック層ＢＬ２は、例えば正孔ブロック層ＨＢＬ１であり、下電極ＬＥ１から供給された正孔を発光層ＥＭ１に留め、上電極ＵＥ１への移動を抑制する機能層である。
【0078】
有機層ＯＲ１において、正孔注入層ＨＩＬ１、正孔輸送層ＨＴＬ１、電子ブロック層ＥＢＬ１、発光層ＥＭ１、正孔ブロック層ＨＢＬ１、電子輸送層ＥＴＬ１、及び、電子注入層ＥＩＬ１は、この順に積層されている。
【0079】
キャップ層ＣＰ１は、第１透明層ＴＬ１１及び第２透明層ＴＬ１２を含んでいる。第１透明層ＴＬ１１は、上電極ＵＥ１の上に配置されている。第１透明層ＴＬ１１は、例えば有機材料によって形成された有機層であり、また、上電極ＵＥ１よりも大きい屈折率を有する高屈折率層である。第２透明層ＴＬ１２は、第１透明層ＴＬ１１の上に配置されている。第２透明層ＴＬ１２は、例えばフッ化リチウム（ＬｉＦ）などの無機材料によって形成された無機層であり、第１透明層ＴＬ１１よりも小さい屈折率を有する低屈折率層である。なお、キャップ層ＣＰ１は、３層以上の積層体であってもよい。
【0080】
封止層ＳＥ１は、第２透明層ＴＬ１２の上に配置されている。
【0081】
図１１は、表示素子２０１の他の構成例を示す図である。
図１１に示す構成例は、図１０に示した構成例と比較して、有機層ＯＲ１が、さらに、発光層ＥＭ１１及び発光層ＥＭ１２を含む点で相違している。発光層ＥＭ１１及び発光層ＥＭ１２は、第１ブロック層ＢＬ１と第２ブロック層ＢＬ２との間に位置している。発光層ＥＭ１１は、第１ブロック層ＢＬ１と発光層ＥＭ１２との間に位置している。発光層ＥＭ１２は、発光層ＥＭ１１と第２ブロック層ＢＬ２との間に位置している。
図１１に示す構成例は、図１０に示した構成例と比較して、有機層ＯＲ１が、さらに、発光層ＥＭ１１及び発光層ＥＭ１２を含む点で相違している。発光層ＥＭ１１及び発光層ＥＭ１２は、第１ブロック層ＢＬ１と第２ブロック層ＢＬ２との間に位置している。発光層ＥＭ１１は、第１ブロック層ＢＬ１と発光層ＥＭ１２との間に位置している。発光層ＥＭ１２は、発光層ＥＭ１１と第２ブロック層ＢＬ２との間に位置している。
【0082】
発光層ＥＭ１１は、発光層ＥＭ１２とは異なる材料で形成されている。但し、発光層ＥＭ１１及び発光層ＥＭ１２は、ともに同等色（例えば青色）を発光する材料によって形成されている。一例では、発光層ＥＭ１１は正孔が供給されることで比較的高い発光効率が得られる材料によって形成され、発光層ＥＭ１２は電子が供給されることで比較的高い発光効率が得られる材料によって形成されている。
【0083】
図１２は、表示素子２０１の他の構成例を示す図である。
図１２に示す構成例は、図１１に示した構成例と比較して、有機層ＯＲ１が、さらに、電荷発生層ＣＧＬ１を含む点で相違している。電荷発生層ＣＧＬ１は、発光層ＥＭ１１と発光層ＥＭ１２との間に位置している。
電荷発生層ＣＧＬ１は、例えば、ｎ型電荷発生層及びｐ型電荷発生層である。ｎ型電荷発生層は、発光層ＥＭ１１に電子を供給する機能層である。ｐ型電荷発生層は、発光層ＥＭ１２に正孔を供給する機能層である。
図１２に示す構成例は、図１１に示した構成例と比較して、有機層ＯＲ１が、さらに、電荷発生層ＣＧＬ１を含む点で相違している。電荷発生層ＣＧＬ１は、発光層ＥＭ１１と発光層ＥＭ１２との間に位置している。
電荷発生層ＣＧＬ１は、例えば、ｎ型電荷発生層及びｐ型電荷発生層である。ｎ型電荷発生層は、発光層ＥＭ１１に電子を供給する機能層である。ｐ型電荷発生層は、発光層ＥＭ１２に正孔を供給する機能層である。
【0084】
図１０乃至図１２に示した例において、発光層ＥＭ１及び発光層ＥＭ１１は第１発光層に相当し、発光層ＥＭ１２は第２発光層に相当する。なお、図１０乃至図１２に示した例において、第１機能層ＦＬ１及び第２機能層ＦＬ２は、図示した層とは異なる層をさらに含んでいてもよいし、図示した層の少なくとも１つが省略されてもよい。また、ここでは、表示素子２０１の構成例について説明したが、表示素子２０２及び２０３については、表示素子２０１と同様の積層構造であってもよいし、表示素子２０１とは異なる積層構造であってもよい。
【0085】
図１３は、蒸着装置１００に含まれる１つの蒸着チャンバーを説明するための図である。ここで説明する蒸着装置１００は、図４及び図６を参照して説明した第１薄膜３１を形成する工程のうち、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、キャップ層ＣＰ１を形成するのに適用可能である。
【0086】
図示した１つの蒸着チャンバーにおいては、処理基板ＳＵＢは、図中の矢印で示した搬送方向Ｔに沿って搬送される。蒸着源Ｓ０は、処理基板ＳＵＢに対向するように配置されている。蒸着源Ｓ０は、材料Ｍを加熱し、気化した材料（蒸気）Ｍを処理基板ＳＵＢに向けて放射するように構成されている。材料Ｍとしては、有機層ＯＲ１の各層を形成するための材料、上電極ＵＥ１を形成するための材料、キャップ層ＣＰ１を形成するための材料である。
【0087】
蒸着源Ｓ０は、ノズル１２０を備えている。図示した例では、ノズル１２０の延出方向１２０Ｅは、処理基板ＳＵＢの法線Ｎとほぼ平行である。蒸着源Ｓ０から放射された材料Ｍの広がり角度は、例えば、ノズル１２０の延出方向１２０Ｅに沿った長さによって調整可能である。蒸着源Ｓ０から処理基板ＳＵＢに向けて放射される材料Ｍの広がり角度は、蒸着角度と称する場合がある。
【0088】
ここでは、長さＬＡのノズル１２０Ａ、長さＬＢのノズル１２０Ｂ、及び、長さＬＣのノズル１２０Ｃがそれぞれ適用された場合の広がり角度について説明する。長さＬＢは長さＬＡより長く（ＬＡ＜ＬＢ）、長さＬＣは長さＬＢより長い（ＬＢ＜ＬＣ）。
【0089】
比較的短いノズル１２０Ａが適用された場合の広がり角度θＡは、ノズル１２０Ａより長いノズル１２０Ｂが適用された場合の広がり角度θＢより大きい（θＡ＞θＢ）。ノズル１２０Ｂが適用された場合の広がり角度θＢは、ノズル１２０Ｂより長いノズル１２０Ｃが適用された場合の広がり角度θＣより大きい（θＢ＞θＣ）。
【0090】
このように、ノズルの長さが長くなるほど放射される材料Ｍがノズルによって規制され、材料Ｍの直進性が向上し、広がり角度が小さくなる。一方で、ノズルが短くなるほど放射される材料Ｍがノズルによって規制されにくくなり、材料Ｍの発散性が向上し、広がり角度が大きくなる。このように、ノズル１２０の長さＬを調整することにより、蒸着源Ｓ０から処理基板ＳＵＢに向けて放射される材料Ｍの広がり角度を自在に制御することができる。
【0091】
図１３では、簡易的に３種類のノズル１２０Ａ、１２０Ｂ、１２０Ｃの適用例について説明したが、長さの異なる４種類以上のノズルが適用されてもよい。
【0092】
図１４は、蒸着源Ｓ０の他の断面図である。
蒸着源Ｓ０は、回転軸ＡＸを中心に回転可能に構成されている。この蒸着源Ｓ０は、回転軸ＡＸに沿って延出している。
蒸着源Ｓ０は、回転軸ＡＸを中心に回転可能に構成されている。この蒸着源Ｓ０は、回転軸ＡＸに沿って延出している。
【0093】
図示した例では、ノズル１２０の延出方向１２０Ｅは、処理基板ＳＵＢの法線Ｎに対して傾斜している。蒸着源Ｓ０から処理基板ＳＵＢに向けて放射される材料Ｍの広がり角度θＤは、蒸着源Ｓ０の傾きによらずほぼ一定である。
【0094】
【0095】
図１５は、図１０に示した表示素子２０１を形成するための蒸着装置１００の一構成例を示す図である。
蒸着装置１００は、複数の蒸着チャンバー１５１乃至１５９を有している。これらの蒸着チャンバー１５１乃至１５９は、互いに連結されている。
蒸着装置１００は、複数の蒸着チャンバー１５１乃至１５９を有している。これらの蒸着チャンバー１５１乃至１５９は、互いに連結されている。
【0096】
蒸着チャンバー１５１は、正孔注入層ＨＩＬ１を形成するように構成されている。
蒸着チャンバー１５２は、正孔輸送層ＨＴＬ１を形成するように構成されている。
蒸着チャンバー１５３は、電子ブロック層ＥＢＬ１を形成するように構成されている。
蒸着チャンバー１５４は、発光層ＥＭ１を形成するように構成されている。
蒸着チャンバー１５５は、正孔ブロック層ＨＢＬ１を形成するように構成されている。
蒸着チャンバー１５２は、正孔輸送層ＨＴＬ１を形成するように構成されている。
蒸着チャンバー１５３は、電子ブロック層ＥＢＬ１を形成するように構成されている。
蒸着チャンバー１５４は、発光層ＥＭ１を形成するように構成されている。
蒸着チャンバー１５５は、正孔ブロック層ＨＢＬ１を形成するように構成されている。
【0097】
蒸着チャンバー１５６は、電子輸送層ＥＴＬ１を形成するように構成されている。
蒸着チャンバー１５７は、電子注入層ＥＩＬ１を形成するように構成されている。
蒸着チャンバー１５８は、上電極ＵＥ１を形成するように構成されている。
蒸着チャンバー１５９は、キャップ層ＣＰ１を形成するように構成されている。なお、ここでは、キャップ層ＣＰ１を形成するための蒸着チャンバー１５９のみしか図示していないが、キャップ層ＣＰ１が上記の通り第１透明層ＴＬ１１及び第２透明層ＴＬ１２との積層体である場合、第１透明層ＴＬ１１を形成するための蒸着チャンバーと、第２透明層ＴＬ１２を形成するための蒸着チャンバーとが連結されている。
蒸着チャンバー１５７は、電子注入層ＥＩＬ１を形成するように構成されている。
蒸着チャンバー１５８は、上電極ＵＥ１を形成するように構成されている。
蒸着チャンバー１５９は、キャップ層ＣＰ１を形成するように構成されている。なお、ここでは、キャップ層ＣＰ１を形成するための蒸着チャンバー１５９のみしか図示していないが、キャップ層ＣＰ１が上記の通り第１透明層ＴＬ１１及び第２透明層ＴＬ１２との積層体である場合、第１透明層ＴＬ１１を形成するための蒸着チャンバーと、第２透明層ＴＬ１２を形成するための蒸着チャンバーとが連結されている。
【0098】
搬送レールＲＬは、蒸着チャンバー１５１から蒸着チャンバー１５９に亘って延出している。処理基板ＳＵＢが装着されたキャリアＣＲは、搬送レールＲＬに沿ってほぼ一定の速度で搬送される。
【0099】
蒸着チャンバー１５１乃至１５９の各々は、蒸着源と、仕切り板と、を備えている。
【0100】
具体的には、蒸着チャンバー１５１は、蒸着源Ｓ１と、仕切り板Ｐ１と、を備えている。仕切り板Ｐ１は、蒸着チャンバー１５１の第１空間１５１Ａと第２空間１５１Ｂとを仕切っている。蒸着源Ｓ１は、第１空間１５１Ａに収容されている。第２空間１５１Ｂは、キャリアＣＲとともに処理基板ＳＵＢが搬送される空間であり、搬送レールＲＬが設けられている。蒸着源Ｓ１は、正孔注入層ＨＩＬ１を形成するための材料を、第２空間１５１Ｂにおいて広がり角度θ１で放射するように構成されている。
【0101】
蒸着チャンバー１５２は、蒸着源Ｓ２と、仕切り板Ｐ２と、を備えている。蒸着源Ｓ２は、正孔輸送層ＨＴＬ１を形成するための材料を、広がり角度θ２で放射するように構成されている。広がり角度θ２は、広がり角度θ１とほぼ同等となるように設定されている。
【0102】
蒸着チャンバー１５３は、蒸着源Ｓ３と、仕切り板Ｐ３と、を備えている。蒸着源Ｓ３は、電子ブロック層ＥＢＬ１を形成するための材料を、広がり角度θ３で放射するように構成されている。広がり角度θ３は、広がり角度θ１及びθ２より大きくなるように設定されている（θ１＜θ３、θ２＜θ３）。
【0103】
蒸着チャンバー１５４は、蒸着源Ｓ４と、仕切り板Ｐ４と、を備えている。蒸着源Ｓ４は、発光層ＥＭ１を形成するための材料を、広がり角度θ４で放射するように構成されている。広がり角度θ４は、広がり角度θ３より小さくなるように設定されている（θ４＜θ３）。
【0104】
蒸着チャンバー１５５は、蒸着源Ｓ５と、仕切り板Ｐ５と、を備えている。蒸着源Ｓ５は、正孔ブロック層ＨＢＬ１を形成するための材料を、広がり角度θ５で放射するように構成されている。広がり角度θ５は、広がり角度θ４より大きくなるように設定されている（θ４＜θ５）。
【0105】
蒸着チャンバー１５６は、蒸着源Ｓ６と、仕切り板Ｐ６と、を備えている。蒸着源Ｓ６は、電子輸送層ＥＴＬ１を形成するための材料を、広がり角度θ６で放射するように構成されている。広がり角度θ６は、広がり角度θ５とほぼ同等となるように設定されている。
【0106】
蒸着チャンバー１５７は、蒸着源Ｓ７と、仕切り板Ｐ７と、を備えている。蒸着源Ｓ７は、電子注入層ＥＩＬ１を形成するための材料を、広がり角度θ７で放射するように構成されている。広がり角度θ７は、広がり角度θ６とほぼ同等となるように設定されている。また、広がり角度θ６及びθ７は、広がり角度θ４より大きくなるように設定されている（θ４＜θ６、θ４＜θ７）。
【0107】
蒸着チャンバー１５８は、蒸着源Ｓ８と、仕切り板Ｐ８と、を備えている。蒸着源Ｓ８は、上電極ＵＥ１を形成するための材料を、広がり角度θ８で放射するように構成されている。広がり角度θ８は、広がり角度θ７より大きくなるように設定されている（θ７＜θ８）。
【0108】
蒸着チャンバー１５９は、蒸着源Ｓ９と、仕切り板Ｐ９と、を備えている。蒸着源Ｓ９は、キャップ層ＣＰ１を形成するための材料を、広がり角度θ９で放射するように構成されている。
【0109】
蒸着源Ｓ１乃至Ｓ９の各々について、材料の広がり角度は、図１３を参照して説明した蒸着源Ｓ０のように、ノズルの長さを調整することで制御される。また、蒸着源Ｓ１乃至Ｓ９の各々は、必要に応じて、図１４を参照して説明した蒸着源Ｓ０のように、処理基板ＳＵＢの法線に対して傾斜していてもよい。
【0110】
蒸着源Ｓ１乃至Ｓ９の各々は、蒸着装置１００が稼働している間、材料を加熱し、材料を気化させ、連続的に材料を放射するように構成されている。蒸着源Ｓ１乃至Ｓ９の各々から放射される材料は、互いに異なるものである。蒸着源Ｓ１乃至Ｓ９から放射されたそれぞれの材料は、キャリアＣＲとともに搬送された処理基板ＳＵＢに蒸着される。
【0111】
次に、図１０に示した表示素子２０１の有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１を形成する工程について説明する。
【0112】
まず、図５を参照して説明した処理基板ＳＵＢを用意した後、ファインマスクを設置することなく処理基板ＳＵＢを蒸着装置１００に搬入する。
【0113】
そして、処理基板ＳＵＢが蒸着チャンバー１５１を通過する際、下電極ＬＥ１の上に正孔注入層ＨＩＬ１が形成される。
そして、処理基板ＳＵＢが蒸着チャンバー１５２を通過する際に、正孔注入層ＨＩＬ１の上に正孔輸送層ＨＴＬ１が形成される。
そして、処理基板ＳＵＢが蒸着チャンバー１５２を通過する際に、正孔注入層ＨＩＬ１の上に正孔輸送層ＨＴＬ１が形成される。
【0114】
そして、処理基板ＳＵＢが蒸着チャンバー１５３を通過する際に、正孔輸送層ＨＴＬ１の上に、第１ブロック層ＢＬ１として電子ブロック層ＥＢＬ１が形成される。電子ブロック層ＥＢＬ１は、上記の通り、広がり角度θ３で放射された材料によって形成されるため、正孔注入層ＨＩＬ１及び正孔輸送層ＨＴＬ１よりも広い範囲にわたって形成される。
【0115】
そして、処理基板ＳＵＢが蒸着チャンバー１５４を通過する際に、電子ブロック層ＥＢＬ１の上に発光層ＥＭ１が形成される。発光層ＥＭ１は、上記の通り、広がり角度θ４で放射された材料によって形成されるため、電子ブロック層ＥＢＬ１よりも狭い範囲にわたって形成される。
【0116】
そして、処理基板ＳＵＢが蒸着チャンバー１５５を通過する際に、発光層ＥＭ１の上に正孔ブロック層ＨＢＬ１が形成される。正孔ブロック層ＨＢＬ１は、上記の通り、広がり角度θ５で放射された材料によって形成されるため、発光層ＥＭ１よりも広い範囲にわたって形成される。
【0117】
そして、処理基板ＳＵＢが蒸着チャンバー１５６を通過する際に、正孔ブロック層ＨＢＬ１の上に電子輸送層ＥＴＬ１が形成される。
そして、処理基板ＳＵＢが蒸着チャンバー１５７を通過する際に、電子輸送層ＥＴＬ１の上に電子注入層ＥＩＬ１が形成される。
そして、処理基板ＳＵＢが蒸着チャンバー１５７を通過する際に、電子輸送層ＥＴＬ１の上に電子注入層ＥＩＬ１が形成される。
【0118】
そして、処理基板ＳＵＢが蒸着チャンバー１５８を通過する際に、電子注入層ＥＩＬ１の上に上電極ＵＥ１が形成される。上電極ＵＥ１は、上記の通り、広がり角度θ８で放射された材料によって形成されるため、電子注入層ＥＩＬ１などよりも広い範囲にわたって形成される。
【0119】
そして、処理基板ＳＵＢが蒸着チャンバー１５９を通過する際に、上電極ＵＥ１の上にキャップ層ＣＰ１が形成される。
【0120】
その後、処理基板ＳＵＢは、蒸着装置１００から搬出される。
【0121】
蒸着装置１００から搬出された処理基板ＳＵＢにおいては、図６を参照して説明したように、隔壁６の上に形成された有機層ＯＲ１は、開口ＡＰ１において下電極ＬＥ１の上に形成された有機層ＯＲ１から離間している。隔壁６の上に形成された上電極ＵＥ１は、下電極ＬＥ１の直上に形成された上電極ＵＥ１から離間している。隔壁６の上に形成されたキャップ層ＣＰ１は、下電極ＬＥ１の直上に形成されたキャップ層ＣＰ１から離間している。
【0122】
【0123】
正孔注入層ＨＩＬ１は、リブ５の上に配置され、図３に示したように、開口ＡＰ１において下電極ＬＥ１の上に配置されている。正孔輸送層ＨＴＬ１は、正孔注入層ＨＩＬ１の上に配置されている。正孔注入層ＨＩＬ１及び正孔輸送層ＨＴＬ１は、隔壁６から離間している。
【0124】
電子ブロック層ＥＢＬ１は、正孔注入層ＨＩＬ１及び正孔輸送層ＨＴＬ１を覆い、隔壁６と正孔注入層ＨＩＬ１との間、及び、隔壁６と正孔輸送層ＨＴＬ１との間でリブ５に接している。
発光層ＥＭ１は、電子ブロック層ＥＢＬ１の上に配置され、隔壁６から離間している。発光層ＥＭ１の端部ＥＭＥは、電子ブロック層ＥＢＬ１の上に位置している。発光層ＥＭ１は、正孔注入層ＨＩＬ１及び正孔輸送層ＨＴＬ１に接していない。
正孔ブロック層ＨＢＬ１は、発光層ＥＭ１を覆い、発光層ＥＭ１の端部ＥＭＥと隔壁６との間で電子ブロック層ＥＢＬ１に接している。つまり、発光層ＥＭ１は、電子ブロック層ＥＢＬ１と正孔ブロック層ＨＢＬ１とで封止されている。
発光層ＥＭ１は、電子ブロック層ＥＢＬ１の上に配置され、隔壁６から離間している。発光層ＥＭ１の端部ＥＭＥは、電子ブロック層ＥＢＬ１の上に位置している。発光層ＥＭ１は、正孔注入層ＨＩＬ１及び正孔輸送層ＨＴＬ１に接していない。
正孔ブロック層ＨＢＬ１は、発光層ＥＭ１を覆い、発光層ＥＭ１の端部ＥＭＥと隔壁６との間で電子ブロック層ＥＢＬ１に接している。つまり、発光層ＥＭ１は、電子ブロック層ＥＢＬ１と正孔ブロック層ＨＢＬ１とで封止されている。
【0125】
電子輸送層ＥＴＬ１は、正孔ブロック層ＨＢＬ１の上に配置されている。電子注入層ＥＩＬ１は、電子輸送層ＥＴＬ１の上に配置されている。上電極ＵＥ１は、電子注入層ＥＩＬ１の上に配置され、隔壁６の下部６１Ｂに接している。
【0126】
このような構成例によれば、電子ブロック層ＥＢＬ１及び正孔ブロック層ＨＢＬ１は、発光層ＥＭ１よりも広範囲にわたって形成されている。しかも、発光層ＥＭ１と正孔注入層ＨＩＬ１との接触、発光層ＥＭ１と正孔輸送層ＨＴＬ１との接触、発光層ＥＭ１と電子注入層ＥＩＬ１との接触、発光層ＥＭ１と電子輸送層ＥＴＬ１との接触が回避される。
【0127】
このため、発光層ＥＭ１に正孔及び電子を意図した通りに留めることができ、発光特性の劣化が抑制されるとともに、不所望な電流リークが抑制される。したがって、信頼性の低下を抑制することができる。
【0128】
特に、各層がそれぞれ別々の蒸着チャンバーで形成される場合、蒸着すべき材料の相違、蒸着条件の相違などにより、形成される層の端部の位置にばらつきが生ずるおそれがある。例えば、発光層ＥＭ１が正孔注入層ＨＩＬ１や正孔輸送層ＨＴＬ１に接触すると、発光層ＥＭ１に留めておくべき電子が正孔注入層ＨＩＬ１や正孔輸送層ＨＴＬ１に流れてしまい、不具合をもたらすおそれがある。
【0129】
そこで、上記の通り、発光層ＥＭ１が電子ブロック層ＥＢＬ１及び正孔ブロック層ＨＢＬ１によって封止されることにより、上記の課題を解決することができ、信頼性の低下が抑制されるものである。
【0130】
図１７は、図１１に示した表示素子２０１を形成するための蒸着装置１００の一構成例を示す図である。
図１７に示す構成例は、図１５に示した構成例と比較して、蒸着装置１００が蒸着チャンバー１５３と蒸着チャンバー１５５との間に蒸着チャンバー１５４１及び１５４２を有する点で相違している。なお、図１７では、図１５に示した蒸着チャンバー１５１乃至１５２、１５６乃至１５９の図示を省略している。蒸着チャンバー１５３、蒸着チャンバー１５４１、蒸着チャンバー１５４２、及び、蒸着チャンバー１５５は、互いに連結されている。
図１７に示す構成例は、図１５に示した構成例と比較して、蒸着装置１００が蒸着チャンバー１５３と蒸着チャンバー１５５との間に蒸着チャンバー１５４１及び１５４２を有する点で相違している。なお、図１７では、図１５に示した蒸着チャンバー１５１乃至１５２、１５６乃至１５９の図示を省略している。蒸着チャンバー１５３、蒸着チャンバー１５４１、蒸着チャンバー１５４２、及び、蒸着チャンバー１５５は、互いに連結されている。
【0131】
蒸着チャンバー１５４１は、蒸着源Ｓ４１を備えている。蒸着源Ｓ４１は、発光層ＥＭ１１を形成するための材料を、広がり角度θ４１で放射するように構成されている。広がり角度θ４１は、広がり角度θ３より小さくなるように設定されている（θ４１＜θ３）。
【0132】
蒸着チャンバー１５４２は、蒸着源Ｓ４２を備えている。蒸着源Ｓ４２は、発光層ＥＭ１２を形成するための材料を、広がり角度θ４２で放射するように構成されている。広がり角度θ４２は、広がり角度θ３より小さくなるように設定されている（θ４２＜θ３）。発光層ＥＭ１２を形成するための材料は、発光層ＥＭ１１を形成するための材料とは異なる。
【0133】
蒸着チャンバー１５５において、蒸着源Ｓ５は、正孔ブロック層ＨＢＬ１を形成するための材料を、広がり角度θ５で放射するように構成されている。広がり角度θ５は、広がり角度θ４１及びθ４２より大きくなるように設定されている（θ４１＜θ５、θ４２＜θ５）。
【0134】
このような蒸着装置１００において、正孔輸送層ＨＴＬ１が形成された処理基板ＳＵＢは、蒸着チャンバー１５３に搬入される。処理基板ＳＵＢが蒸着チャンバー１５３を通過する際に、正孔輸送層ＨＴＬ１の上に、第１ブロック層ＢＬ１として電子ブロック層ＥＢＬ１が形成される。電子ブロック層ＥＢＬ１は、上記の通り、広がり角度θ３で放射された材料によって形成されるため、正孔注入層ＨＩＬ１及び正孔輸送層ＨＴＬ１よりも広い範囲にわたって形成される。
【0135】
そして、処理基板ＳＵＢが蒸着チャンバー１５４１を通過する際に、電子ブロック層ＥＢＬ１の上に発光層ＥＭ１１が形成される。発光層ＥＭ１１は、上記の通り、広がり角度θ４１で放射された材料によって形成されるため、電子ブロック層ＥＢＬ１よりも狭い範囲にわたって形成される。
【0136】
そして、処理基板ＳＵＢが蒸着チャンバー１５４２を通過する際に、発光層ＥＭ１１の上に発光層ＥＭ１２が形成される。発光層ＥＭ１２は、上記の通り、広がり角度θ４２で放射された材料によって形成されるため、電子ブロック層ＥＢＬ１よりも狭い範囲にわたって形成される。
【0137】
そして、処理基板ＳＵＢが蒸着チャンバー１５５を通過する際に、発光層ＥＭ１２の上に正孔ブロック層ＨＢＬ１が形成される。正孔ブロック層ＨＢＬ１は、上記の通り、広がり角度θ５で放射された材料によって形成されるため、発光層ＥＭ１１及びＥＭ１２よりも広い範囲にわたって形成される。
【0138】
【0139】
正孔注入層ＨＩＬ１及び正孔輸送層ＨＴＬ１は、隔壁６から離間している。電子ブロック層ＥＢＬ１は、正孔注入層ＨＩＬ１及び正孔輸送層ＨＴＬ１を覆い、隔壁６と正孔注入層ＨＩＬ１との間、及び、隔壁６と正孔輸送層ＨＴＬ１との間でリブ５に接している。
発光層ＥＭ１１は、電子ブロック層ＥＢＬ１の上に配置され、隔壁６から離間している。発光層ＥＭ１２は、発光層ＥＭ１１の上に配置され、隔壁６から離間している。発光層ＥＭ１１及びＥＭ１２の端部ＥＭＥは、電子ブロック層ＥＢＬ１の上に位置している。発光層ＥＭ１１及びＥＭ１２は、正孔注入層ＨＩＬ１及び正孔輸送層ＨＴＬ１に接していない。
正孔ブロック層ＨＢＬ１は、発光層ＥＭ１１及びＥＭ１２を覆い、端部ＥＭＥと隔壁６との間で電子ブロック層ＥＢＬ１に接している。つまり、発光層ＥＭ１１及びＥＭ１２は、電子ブロック層ＥＢＬ１と正孔ブロック層ＨＢＬ１とで封止されている。
発光層ＥＭ１１は、電子ブロック層ＥＢＬ１の上に配置され、隔壁６から離間している。発光層ＥＭ１２は、発光層ＥＭ１１の上に配置され、隔壁６から離間している。発光層ＥＭ１１及びＥＭ１２の端部ＥＭＥは、電子ブロック層ＥＢＬ１の上に位置している。発光層ＥＭ１１及びＥＭ１２は、正孔注入層ＨＩＬ１及び正孔輸送層ＨＴＬ１に接していない。
正孔ブロック層ＨＢＬ１は、発光層ＥＭ１１及びＥＭ１２を覆い、端部ＥＭＥと隔壁６との間で電子ブロック層ＥＢＬ１に接している。つまり、発光層ＥＭ１１及びＥＭ１２は、電子ブロック層ＥＢＬ１と正孔ブロック層ＨＢＬ１とで封止されている。
【0140】
このような構成例においても、電子ブロック層ＥＢＬ１及び正孔ブロック層ＨＢＬ１が発光層ＥＭ１１及びＥＭ１２よりも広範囲にわたって形成されている。このため、上記の構成例と同様の効果が得られる。
【0141】
図１９は、図１２に示した表示素子２０１を形成するための蒸着装置１００の一構成例を示す図である。
図１９に示す構成例は、図１５に示した構成例と比較して、蒸着装置１００が蒸着チャンバー１５３と蒸着チャンバー１５５との間に蒸着チャンバー１５４１乃至１５４３を有する点で相違している。なお、図１９では、図１５に示した蒸着チャンバー１５１乃至１５２、１５６乃至１５９の図示を省略している。蒸着チャンバー１５３、蒸着チャンバー１５４１、蒸着チャンバー１５４２、蒸着チャンバー１５４３、及び、蒸着チャンバー１５５は、互いに連結されている。
図１９に示す構成例は、図１５に示した構成例と比較して、蒸着装置１００が蒸着チャンバー１５３と蒸着チャンバー１５５との間に蒸着チャンバー１５４１乃至１５４３を有する点で相違している。なお、図１９では、図１５に示した蒸着チャンバー１５１乃至１５２、１５６乃至１５９の図示を省略している。蒸着チャンバー１５３、蒸着チャンバー１５４１、蒸着チャンバー１５４２、蒸着チャンバー１５４３、及び、蒸着チャンバー１５５は、互いに連結されている。
【0142】
蒸着チャンバー１５４１は、蒸着源Ｓ４１を備えている。蒸着源Ｓ４１は、発光層ＥＭ１１を形成するための材料を、広がり角度θ４１で放射するように構成されている。広がり角度θ４１は、広がり角度θ３より小さくなるように設定されている（θ４１＜θ３）。
【0143】
蒸着チャンバー１５４２は、蒸着源Ｓ４２を備えている。蒸着源Ｓ４２は、電荷発生層ＣＧＬ１を形成するための材料を、広がり角度θ４２で放射するように構成されている。広がり角度θ４２は、広がり角度θ３より小さくなるように設定されている（θ４２＜θ３）。
【0144】
蒸着チャンバー１５４３は、蒸着源Ｓ４３を備えている。蒸着源Ｓ４３は、発光層ＥＭ１２を形成するための材料を、広がり角度θ４３で放射するように構成されている。広がり角度θ４３は、広がり角度θ３より小さくなるように設定されている（θ４３＜θ３）。発光層ＥＭ１２を形成するための材料は、発光層ＥＭ１１を形成するための材料とは異なる。
【0145】
蒸着チャンバー１５５において、蒸着源Ｓ５は、正孔ブロック層ＨＢＬ１を形成するための材料を、広がり角度θ５で放射するように構成されている。広がり角度θ５は、広がり角度θ４１乃至θ４３より大きくなるように設定されている（θ４１＜θ５、θ４２＜θ５、θ４３＜θ５）。
【0146】
このような蒸着装置１００において、正孔輸送層ＨＴＬ１が形成された処理基板ＳＵＢは、蒸着チャンバー１５３に搬入される。処理基板ＳＵＢが蒸着チャンバー１５３を通過する際に、正孔輸送層ＨＴＬ１の上に、第１ブロック層ＢＬ１として電子ブロック層ＥＢＬ１が形成される。電子ブロック層ＥＢＬ１は、上記の通り、広がり角度θ３で放射された材料によって形成されるため、正孔注入層ＨＩＬ１及び正孔輸送層ＨＴＬ１よりも広い範囲にわたって形成される。
【0147】
そして、処理基板ＳＵＢが蒸着チャンバー１５４１を通過する際に、電子ブロック層ＥＢＬ１の上に発光層ＥＭ１１が形成される。発光層ＥＭ１１は、上記の通り、広がり角度θ４１で放射された材料によって形成されるため、電子ブロック層ＥＢＬ１よりも狭い範囲にわたって形成される。
【0148】
そして、処理基板ＳＵＢが蒸着チャンバー１５４２を通過する際に、発光層ＥＭ１１の上に電荷発生層ＣＧＬ１が形成される。電荷発生層ＣＧＬ１は、上記の通り、広がり角度θ４２で放射された材料によって形成されるため、電子ブロック層ＥＢＬ１よりも狭い範囲にわたって形成される。
【0149】
そして、処理基板ＳＵＢが蒸着チャンバー１５４３を通過する際に、電荷発生層ＣＧＬ１の上に発光層ＥＭ１２が形成される。発光層ＥＭ１２は、上記の通り、広がり角度θ４３で放射された材料によって形成されるため、電子ブロック層ＥＢＬ１よりも狭い範囲にわたって形成される。
【0150】
そして、処理基板ＳＵＢが蒸着チャンバー１５５を通過する際に、発光層ＥＭ１２の上に正孔ブロック層ＨＢＬ１が形成される。正孔ブロック層ＨＢＬ１は、上記の通り、広がり角度θ５で放射された材料によって形成されるため、発光層ＥＭ１１、電荷発生層ＣＧＬ１、及び、発光層ＥＭ１２よりも広い範囲にわたって形成される。
【0151】
【0152】
正孔注入層ＨＩＬ１及び正孔輸送層ＨＴＬ１は、隔壁６から離間している。電子ブロック層ＥＢＬ１は、正孔注入層ＨＩＬ１及び正孔輸送層ＨＴＬ１を覆い、隔壁６と正孔注入層ＨＩＬ１との間、及び、隔壁６と正孔輸送層ＨＴＬ１との間でリブ５に接している。
発光層ＥＭ１１は、電子ブロック層ＥＢＬ１の上に配置され、隔壁６から離間している。電荷発生層ＣＧＬ１は、発光層ＥＭ１１の上に配置され、隔壁６から離間している。発光層ＥＭ１２は、電荷発生層ＣＧＬ１の上に配置され、隔壁６から離間している。発光層ＥＭ１１、電荷発生層ＣＧＬ１、及び、発光層ＥＭ１２の端部ＥＭＥは、電子ブロック層ＥＢＬ１の上に位置している。発光層ＥＭ１１、電荷発生層ＣＧＬ１、及び、発光層ＥＭ１２は、正孔注入層ＨＩＬ１及び正孔輸送層ＨＴＬ１に接していない。
正孔ブロック層ＨＢＬ１は、発光層ＥＭ１１、電荷発生層ＣＧＬ１、及び、発光層ＥＭ１２を覆い、端部ＥＭＥと隔壁６との間で電子ブロック層ＥＢＬ１に接している。つまり、発光層ＥＭ１１、電荷発生層ＣＧＬ１、及び、発光層ＥＭ１２は、電子ブロック層ＥＢＬ１と正孔ブロック層ＨＢＬ１とで封止されている。
発光層ＥＭ１１は、電子ブロック層ＥＢＬ１の上に配置され、隔壁６から離間している。電荷発生層ＣＧＬ１は、発光層ＥＭ１１の上に配置され、隔壁６から離間している。発光層ＥＭ１２は、電荷発生層ＣＧＬ１の上に配置され、隔壁６から離間している。発光層ＥＭ１１、電荷発生層ＣＧＬ１、及び、発光層ＥＭ１２の端部ＥＭＥは、電子ブロック層ＥＢＬ１の上に位置している。発光層ＥＭ１１、電荷発生層ＣＧＬ１、及び、発光層ＥＭ１２は、正孔注入層ＨＩＬ１及び正孔輸送層ＨＴＬ１に接していない。
正孔ブロック層ＨＢＬ１は、発光層ＥＭ１１、電荷発生層ＣＧＬ１、及び、発光層ＥＭ１２を覆い、端部ＥＭＥと隔壁６との間で電子ブロック層ＥＢＬ１に接している。つまり、発光層ＥＭ１１、電荷発生層ＣＧＬ１、及び、発光層ＥＭ１２は、電子ブロック層ＥＢＬ１と正孔ブロック層ＨＢＬ１とで封止されている。
【0153】
このような構成例においても、電子ブロック層ＥＢＬ１及び正孔ブロック層ＨＢＬ１が発光層ＥＭ１１、電荷発生層ＣＧＬ１、及び、発光層ＥＭ１２よりも広範囲にわたって形成されている。このため、上記の構成例と同様の効果が得られる。
【0154】
以上説明したように、本実施形態によれば、信頼性の低下を抑制することが可能な表示装置の製造方法及び表示装置を提供することができる。
【0155】
以上、本発明の実施形態として説明した表示装置の製造方法及び表示装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置の製造方法及び表示装置も、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に属する。
【0156】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【0157】
また、上述の実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【0158】
ＤＳＰ…表示装置
１０…基板 ５…リブ ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３…開口
６…隔壁 ６１…下部 ６２…上部
ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３…副画素
２０，２０１，２０２，２０３…表示素子（有機ＥＬ素子）
ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３…下電極（アノード）
ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３…上電極（カソード）
ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３…有機層
ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３…キャップ層
ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３…封止層
１００…蒸着装置 １５１～１５９…蒸着チャンバー ＲＬ…搬送レール
ＳＵＢ…処理基板 ＣＲ…キャリア
１０…基板 ５…リブ ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３…開口
６…隔壁 ６１…下部 ６２…上部
ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３…副画素
２０，２０１，２０２，２０３…表示素子（有機ＥＬ素子）
ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３…下電極（アノード）
ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３…上電極（カソード）
ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３…有機層
ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３…キャップ層
ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３…封止層
１００…蒸着装置 １５１～１５９…蒸着チャンバー ＲＬ…搬送レール
ＳＵＢ…処理基板 ＣＲ…キャリア
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】