特開 2024-21031 プリント回路基板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024021031

(43)【公開日】2024-02-15

(54)【発明の名称】プリント回路基板

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/46 20060101AFI20240207BHJP

   H01L 23/12 20060101ALI20240207BHJP

【ＦＩ】

H05K3/46 Q

H01L23/12 F

H05K3/46 B

【審査請求】未請求

【請求項の数】18

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023019965

(22)【出願日】2023-02-13

(31)【優先権主張番号】10-2022-0096301

(32)【優先日】2022-08-02

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

【公序良俗違反の表示】

（特許庁注：以下のものは登録商標）

１．ＢＬＵＥＴＯＯＴＨ

(71)【出願人】

【識別番号】594023722

【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．

(74)【代理人】

【識別番号】100108453

【弁理士】

【氏名又は名称】村山 靖彦

(74)【代理人】

【識別番号】100110364

【弁理士】

【氏名又は名称】実広 信哉

(72)【発明者】

【氏名】李 珍旭

(72)【発明者】

【氏名】韓 淵圭

(72)【発明者】

【氏名】朴 昌華

(72)【発明者】

【氏名】李 用悳

【テーマコード（参考）】

5E316

【Ｆターム（参考）】

5E316AA02

5E316AA12

5E316AA32

5E316AA38

5E316AA43

5E316BB02

5E316BB03

5E316BB04

5E316BB06

5E316CC04

5E316CC09

5E316CC10

5E316CC31

5E316CC32

5E316CC33

5E316CC34

5E316CC37

5E316CC38

5E316CC39

5E316DD24

5E316EE31

5E316FF01

5E316GG15

5E316GG17

5E316GG28

5E316HH07

5E316HH33

5E316JJ02

5E316JJ03

(57)【要約】

【課題】ブリッジの内蔵時に整合度を向上させることができるプリント回路基板を提供する。
【解決手段】本開示は、第１絶縁材、上記第１絶縁材内に配置された配線パターン、上記第１絶縁材上に配置され、上記配線パターンと電気的に連結された金属ポスト、上記第１絶縁材上に配置され、上記金属ポストの少なくとも一部を覆う第２絶縁材を含むブリッジと、上記ブリッジの周りに配置される第１ビルドアップ絶縁材と、上記ブリッジ及び上記第１ビルドアップ絶縁材上に配置され、上記金属ポストと電気的に連結された金属パッドを含む第１再配線パターンと、を含むプリント回路基板に関するものである。
【選択図】図６

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１絶縁材、前記第１絶縁材内に配置された配線パターン、前記第１絶縁材上に配置され、前記配線パターンと電気的に連結された金属ポスト、及び前記第１絶縁材上に配置され、前記金属ポストの少なくとも一部を覆う第２絶縁材を含むブリッジと、
前記ブリッジの周りに配置される第１ビルドアップ絶縁材と、
前記第２絶縁材及び前記第１ビルドアップ絶縁材上に配置され、前記金属ポストと電気的に連結された金属パッドを含む第１再配線パターンと、を含み、
前記第２絶縁材は、前記第１絶縁材及び前記第１ビルドアップ絶縁材の少なくとも一つより透明度が高い、プリント回路基板。

【請求項2】

前記金属ポストの上面は、前記第２絶縁材の上面と実質的に同じ平面上にある、請求項１に記載のプリント回路基板。

【請求項3】

前記金属ポストの少なくとも一部は、前記第２絶縁材の上面上に突出する、請求項１に記載のプリント回路基板。

【請求項4】

前記金属パッドは、前記第２絶縁材の上面に配置され、前記金属ポストの突出した少なくとも一部を覆う、請求項３に記載のプリント回路基板。

【請求項5】

前記金属パッドは、前記第２絶縁材の上面、前記金属ポストの突出した少なくとも一部の側面、及び前記金属ポストの突出した少なくとも一部の上面に連続的に配置されるシード層を含む、請求項４に記載のプリント回路基板。

【請求項6】

前記第１ビルドアップ絶縁材内に配置され、第１ビアを介して前記第１再配線パターンと電気的に連結される第２再配線パターンと、をさらに含む、請求項１に記載のプリント回路基板。

【請求項7】

前記第１ビルドアップ絶縁材の下側に配置された第２ビルドアップ絶縁材と、
前記第２ビルドアップ絶縁材内に配置され、第２ビアを介して前記第２再配線パターンと電気的に連結される第３再配線パターンと、をさらに含む、請求項６に記載のプリント回路基板。

【請求項8】

前記ブリッジは、接着剤を介して前記第２ビルドアップ絶縁材の上面に付着されている、請求項７に記載のプリント回路基板。

【請求項9】

前記ブリッジ及び前記第１ビルドアップ絶縁材上に配置され、前記第１再配線パターンの少なくとも一部を覆うレジストと、をさらに含み、
前記第１再配線パターンの上面と前記レジストの上面は段差を有する、請求項１に記載のプリント回路基板。

【請求項10】

前記第１再配線パターンの上面は、前記レジストの上面より上側に配置され、
前記レジストは前記第１再配線パターンより厚さが薄い、請求項９に記載のプリント回路基板。

【請求項11】

前記ブリッジ及び前記第１ビルドアップ絶縁材上に配置された第３ビルドアップ絶縁材と、
前記第３ビルドアップ絶縁材上に配置され、第３ビアを介して前記第１再配線パターンと電気的に連結される第４再配線パターンと、をさらに含む、請求項１に記載のプリント回路基板。

【請求項12】

前記第２絶縁材の上面は前記第１ビルドアップ絶縁材の上面上に突出する、請求項１に記載のプリント回路基板。

【請求項13】

前記第１ビルドアップ絶縁材は、前記ブリッジの側面と接触する、請求項１に記載のプリント回路基板。

【請求項14】

前記第１ビルドアップ絶縁材は、前記ブリッジが配置されるキャビティを有する、請求項１に記載のプリント回路基板。

【請求項15】

前記第１及び第２絶縁材はそれぞれ有機絶縁物質を含む、請求項１に記載のプリント回路基板。

【請求項16】

第１絶縁材、前記第１絶縁材内に配置された配線パターン、前記第１絶縁材上に配置され、前記配線パターンと電気的に連結された金属ポスト、及び前記第１絶縁材上に配置され、前記金属ポストの少なくとも一部を覆う第２絶縁材を含むブリッジと、
前記ブリッジの少なくとも一部を覆う第１ビルドアップ絶縁材と、
前記第２絶縁材及び前記第１ビルドアップ絶縁材上に配置され、前記金属ポストと電気的に連結された金属パッドを含む第１再配線パターンと、を含み、
前記第１ビルドアップ絶縁材の上面は、前記ブリッジの周りにおいて前記第２絶縁材の少なくとも一部を露出させる溝部を有する、プリント回路基板。

【請求項17】

前記溝部によって前記第１ビルドアップ絶縁材の上面は段差を有する、請求項１６に記載のプリント回路基板。

【請求項18】

前記溝部の壁面はテーパー状を有する、請求項１６に記載のプリント回路基板。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、半導体チップなどの電子部品を実装することができるプリント回路基板に関するものである。

【背景技術】

【0002】

サーバ製品のＣＰＵ、ＧＰＵのコア数が急激に増加することによって、効果的にコア数を増加させることができるダイスプリット技術が普遍化されている。また、ＨＢＭ（Ｈｉｇｈ Ｂａｎｄｗｉｄｔｈ Ｍｅｍｏｒｙ）を含むパッケージの要求が増大するにつれて、ダイツーダイを微細回路の線幅に連結する技術が求められている。このような技術要求を満たすために、シリコンインターポーザを利用する技術などが開発されたが、値段の問題及び複雑な組み立て工程などにより商品化に限界がある。また、シリコンブリッジを基板に内蔵する技術などが開発されたが、ブリッジ位置偏差、ビア加工偏差、パッド露光偏差などによってブリッジの内蔵時に高整合を実現する上で限界がある。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0003】

本開示の様々な目的の一つは、ブリッジの内蔵時に整合度を向上させることができるプリント回路基板を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0004】

本開示によって提案する様々な解決手段の一つは、ブリッジに金属ポストを高く立てて、これを透明度の高い絶縁材で覆った後、基板に内蔵することである。

【0005】

例えば、一例に係るプリント回路基板は、第１絶縁材、上記第１絶縁材内に配置された配線パターン、上記第１絶縁材上に配置され、上記配線パターンと電気的に連結された金属ポスト、及び上記第１絶縁材上に配置され、上記金属ポストの少なくとも一部を覆う第２絶縁材を含むブリッジと、上記ブリッジの周りに配置される第１ビルドアップ絶縁材と、上記第２絶縁材及び上記第１ビルドアップ絶縁材上に配置され、上記金属ポストと電気的に連結された金属パッドを含む第１再配線パターンと、を含み、上記第２絶縁材は、上記第１絶縁材及び上記第１ビルドアップ絶縁材の少なくとも一つより透明度が高いものであることができる。

【0006】

例えば、一例に係るプリント回路基板は、第１絶縁材、上記第１絶縁材内に配置された配線パターン、上記第１絶縁材上に配置され、上記配線パターンと電気的に連結された金属ポスト、及び上記第１絶縁材上に配置され、上記金属ポストの少なくとも一部を覆う第２絶縁材を含むブリッジと、上記ブリッジの少なくとも一部を覆う第１ビルドアップ絶縁材と、上記第２絶縁材及び上記第１ビルドアップ絶縁材上に配置され、上記金属ポストと電気的に連結された金属パッドを含む第１再配線パターンと、を含み、上記第１ビルドアップ絶縁材の上面は、上記ブリッジの周りにおいて上記第２絶縁材の少なくとも一部を露出させる溝部を有するものであることもできる。

【発明の効果】

【0007】

本開示の様々な効果のうちの一効果として、ブリッジの内蔵時に整合度を向上させることができるプリント回路基板、及びこれを含む半導体パッケージを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】電子機器システムの例を概略的に示したブロック図である。

【図2】電子機器の一例を概略的に示した斜視図である。

【図3】ＢＧＡパッケージが電子機器のメインボードに実装された場合を概略的に示した断面図である。

【図4】シリコンインターポーザパッケージがメインボードに実装された場合を概略的に示した断面図である。

【図5】有機インターポーザパッケージがメインボードに実装された場合を概略的に示した断面図である。

【図6】プリント回路基板の一例を概略的に示した断面図である。

【図7a】図６のプリント回路基板のＡ領域の概略的な拡大図である。

【図7b】図６のプリント回路基板のＡ領域の概略的な拡大図である。

【図8】図６のプリント回路基板に内蔵されたブリッジの製造の一例を概略的に示した図面である。

【図9a】図６のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示した工程図である。

【図9b】図６のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示した工程図である。

【図9c】図６のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示した工程図である。

【図9d】図６のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示した工程図である。

【図9e】図６のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示した工程図である。

【図9f】図６のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示した工程図である。

【図9g】図６のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示した工程図である。

【図10】半導体パッケージの一例を概略的に示した断面図である。

【図11】プリント回路基板の他の一例を概略的に示した断面図である。

【図12a】図１１のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示した工程図である。

【図12b】図１１のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示した工程図である。

【図12c】図１１のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示した工程図である。

【図12d】図１１のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示した工程図である。

【図12e】図１１のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示した工程図である。

【図13】半導体パッケージの他の一例を概略的に示した断面図である。

【図14】プリント回路基板の他の一例を概略的に示した断面図である。

【図15a】図１３のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示した工程図である。

【図15b】図１３のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示した工程図である。

【図15c】図１３のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示した工程図である。

【図15d】図１３のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示した工程図である。

【図15e】図１３のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示した工程図である。

【図16】半導体パッケージのまた他の一例を概略的に示した断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、添付の図面を参照して本開示について説明する。図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために拡大縮小表示（又は強調表示や簡略化表示）がされることがある。

【0010】

電子機器
図１は、電子機器システムの例を概略的に示したブロック図である。

【0011】

図面を参照すると、電子機器１０００はメインボード１０１０を収容する。メインボード１０１０には、チップ関連部品１０２０、ネットワーク関連部品１０３０、及びその他の部品１０４０などが物理的及び／又は電気的に連結されている。これらは、後述する他の電子部品とも結合されて、様々な信号ライン１０９０を形成する。

【0012】

チップ関連部品１０２０としては、揮発性メモリ（例えば、ＤＲＡＭ）、不揮発性メモリ（例えば、ＲＯＭ）、フラッシュメモリなどのメモリチップと、セントラルプロセッサ（例えば、ＣＰＵ）、グラフィックプロセッサ（例えば、ＧＰＵ）、デジタル信号プロセッサ、暗号化プロセッサ、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラなどのアプリケーションプロセッサチップと、アナログ－デジタルコンバータ、ＡＳＩＣ（ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ－ｓｐｅｃｉｆｉｃ ＩＣ）などのロジックチップなどが含まれるが、これらに限定されるものではなく、これ以外にもその他の形態のチップ関連の電子部品が含まれることもできる。さらに、これらのチップ関連部品１０２０を互いに組み合わせることもできる。チップ関連部品１０２０は、上述したチップや電子部品を含むパッケージ形態であることもできる。

【0013】

ネットワーク関連部品１０３０としては、Ｗｉ－Ｆｉ（ＩＥＥＥ ８０２．１１ファミリなど）、ＷｉＭＡＸ（ＩＥＥＥ ８０２．１６ファミリなど）、ＩＥＥＥ ８０２．２０、ＬＴＥ（ｌｏｎｇ ｔｅｒｍ ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ）、Ｅｖ－ＤＯ、ＨＳＰＡ＋、ＨＳＤＰＡ＋、ＨＳＵＰＡ＋、ＥＤＧＥ、ＧＳＭ、ＧＰＳ、ＧＰＲＳ、ＣＤＭＡ、ＴＤＭＡ、ＤＥＣＴ、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ、３Ｇ、４Ｇ、５Ｇ、及びそれ以降のものとして指定された任意の他の無線及び有線プロトコルが含まれるが、これらに限定されず、これ以外にもその他の多数の無線または有線標準やプロトコルのいずれかが含まれ得る。また、ネットワーク関連部品１０３０がチップ関連部品１０２０とともに互いに組み合わされることもできる。

【0014】

その他の部品１０４０としては、高周波インダクタ、フェライトインダクタ、パワーインダクタ、フェライトビーズ、ＬＴＣＣ（ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ－Ｆｉｒｉｎｇ Ｃｅｒａｍｉｃｓ）、ＥＭＩ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）ｆｉｌｔｅｒ、ＭＬＣＣ（Ｍｕｌｔｉ－Ｌａｙｅｒ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃｏｎｄｅｎｓｅｒ）などが含まれる。但し、これらに限定されるものではなく、これ以外にもその他の様々な用途のために用いられるチップ部品の形態の受動素子などが含まれ得る。また、その他の部品１０４０をチップ関連部品１０２０及び／又はネットワーク関連部品１０３０と互いに組み合わせることもできる。

【0015】

電子機器１０００の種類に応じて、電子機器１０００は、メインボード１０１０に物理的及び／又は電気的に連結されるか、または連結されない他の電子部品を含むことができる。他の電子部品の例を挙げると、カメラモジュール１０５０、アンテナモジュール１０６０、ディスプレイ１０７０、バッテリー１０８０などがある。但し、これらに限定されるものではなく、オーディオコーデック、ビデオコーデック、電力増幅器、羅針盤、加速度計、ジャイロスコープ、スピーカー、大容量記憶装置（例えば、ハードディスクドライブ）、ＣＤ（ｃｏｍｐａｃｔ ｄｉｓｋ）、ＤＶＤ（ｄｉｇｉｔａｌ ｖｅｒｓａｔｉｌｅ ｄｉｓｋ）などが挙げられる。これ以外にも、電子機器１０００の種類に応じて様々な用途のために用いられるその他の電子部品などが含まれることもできる。

【0016】

電子機器１０００は、スマートフォン（ｓｍａｒｔ ｐｈｏｎｅ）、個人用情報端末機（ｐｅｒｓｏｎａｌ ｄｉｇｉｔａｌ ａｓｓｉｓｔａｎｔ）、デジタルビデオカメラ（ｄｉｇｉｔａｌ ｖｉｄｅｏ ｃａｍｅｒａ）、デジタルスチルカメラ（ｄｉｇｉｔａｌ ｓｔｉｌｌ ｃａｍｅｒａ）、ネットワークシステム（ｎｅｔｗｏｒｋ ｓｙｓｔｅｍ）、コンピュータ（ｃｏｍｐｕｔｅｒ）、モニター（ｍｏｎｉｔｏｒ）、タブレット（ｔａｂｌｅｔ）、ラップトップ（ｌａｐｔｏｐ）、ネットブック（ｎｅｔｂｏｏｋ）、テレビジョン（ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ）、ビデオゲーム（ｖｉｄｅｏ ｇａｍｅ）、スマートウォッチ（ｓｍａｒｔ ｗａｔｃｈ）、オートモーティブ（Ａｕｔｏｍｏｔｉｖｅ）などであることができる。但し、これらに限定されず、これ以外にもデータを処理する任意の他の電子機器であることもできる。

【0017】

図２は、電子機器の一例を概略的に示した斜視図である。

【0018】

図面を参照すると、電子機器は例えば、スマートフォン１１００であることができる。スマートフォン１１００の内部には、マザーボード１１１０が収容されており、このようなマザーボード１１１０には様々な部品１１２０が物理的及び／又は電気的に連結されている。さらに、カメラモジュール１１３０及び／又はスピーカー１１４０のように、マザーボード１１１０に物理的及び／又は電気的に連結されるか、または連結されないこともできる他の部品が内部に収容されている。部品１１２０の一部は、上述したチップ関連部品であることができ、例えば、部品パッケージ１１２１であることができるが、これに限定されるものではない。部品パッケージ１１２１は、能動部品及び／又は受動部品を含む電子部品が表面に実装配置されたプリント回路基板の形態であることができる。または、部品パッケージ１１２１は、能動部品及び／又は受動部品が内蔵されたプリント回路基板の形態であることもできる。一方、電子機器は必ずスマートフォン１１００に限定されるものではなく、上述したように他の電子機器であることもできる。

【0019】

インターポーザを含む半導体パッケージ
一般的に、半導体チップは多数の微細電気回路が集積されているが、それ自体としては半導体完成品としての役割を果たすことはできず、外部からの物理的または化学的衝撃によって損傷する可能性が存在する。そして、半導体チップ自体をそのまま用いずに、半導体チップをパッケージングしてパッケージ状態で電子機器などに用いている。

【0020】

半導体パッケージングが必要な理由は、電気的連結という観点から、半導体チップと電子機器のメインボードの回路幅に差があるだめである。具体的には、半導体チップの場合、接続パッドのサイズと接続パッドとの間の間隔が非常に微細であるのに対し、電子機器に用いられるメインボードの場合、部品実装パッドのサイズ及び部品実装パッドの間隔が半導体チップのスケールよりも著しく大きい。したがって、半導体チップをこのようなメインボード上に直接装着することは困難であり、相互間の回路幅の差を緩和させることができるパッケージング技術が要求される。

【0021】

以下では、図面を参照して、このようなパッケージング技術で製造されるインターポーザを含む半導体パッケージについてより詳細に調べる。

【0022】

図３は、ＢＧＡパッケージが電子機器のメインボードに実装された場合を概略的に示した断面図である。

【0023】

半導体チップのうち、グラフィックスプロセッシングユニット（ＧＰＵ：Ｇｒａｐｈｉｃｓ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）などの特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ：Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）は、一つのチップの価格が非常に高いため、高い歩留まりでパッケージングを行うことが非常に重要である。この目的のために、半導体チップの実装前に数千から数十万個の接続パッドを再配線することができるボールグリッドアレイ（ＢＧＡ：Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）基板２２１０などを先に用意し、ＧＰＵ２２２０などの高価な半導体チップを後続的にＢＧＡ基板２２１０上に表面実装技術（ＳＭＴ：Ｓｕｒｆａｃｅ Ｍｏｕｎｔｉｎｇ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）などで実装及びパッケージングし、その後、最終的にメインボード２１１０上に実装している。一方、ＢＧＡ基板２２１０は、ＦＣＢＧＡ（Ｆｌｉｐ Ｃｈｉｐ ＢＧＡ）基板を含むことができる。

【0024】

一方、ＧＰＵ２２２０の場合、高帯域幅メモリ（ＨＢＭ：Ｈｉｇｈ Ｂａｎｄｗｉｄｔｈ Ｍｅｍｏｒｙ）などのメモリ（Ｍｅｍｏｒｙ）との信号経路を最小化することが必要であり、このために、ＨＢＭ２２４０などの半導体チップをインターポーザ２２３０上に実装した後にパッケージングし、これをＧＰＵ２２２０が実装されたパッケージ上にパッケージオンパッケージ（ＰＯＰ：Ｐａｃｋａｇｅ ｏｎ Ｐａｃｋａｇｅ）形態で積層して用いられている。但し、この場合、装置の厚さが非常に厚くなるという問題があり、信号経路も最小化するには限界がある。

【0025】

図４は、シリコンインターポーザパッケージがメインボードに実装された場合を概略的に示した断面図である。

【0026】

上述した問題点を解決するための方案として、シリコンインターポーザ２２５０上にＧＰＵ２２２０などの第１半導体チップとＨＢＭ２２４０などの第２半導体チップを並んで（Ｓｉｄｅ－ｂｙ－Ｓｉｄｅ）表面実装した後にパッケージングするインターポーザ技術を用いて有機インターポーザを含む半導体パッケージ２３１０を製造することを考慮することができる。この場合、インターポーザ２２５０を介して数千から数十万個の接続パッドを有するＧＰＵ２２２０及びＨＢＭ２２４０を再配線することもでき、これらを最小限の経路で電気的に連結することができる。また、このような有機インターポーザを含む半導体パッケージ２３１０を再びＢＧＡ基板２２１０などに実装して再配線すると、最終的にメインボード２１１０に実装することができる。

【0027】

但し、シリコンインターポーザ２２５０の場合、シリコン貫通ビア（ＴＳＶ：Ｔｈｒｏｕｇｈ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｖｉａ）などの形成が非常に厳しいだけでなく、製造費用もかなり高いため、大面積化及び低コスト化に不利である。

【0028】

図５は、有機インターポーザパッケージがメインボードに実装された場合を概略的に示した断面図である。

【0029】

上述した問題点を解決するための方案として、シリコンインターポーザ２２５０の代わりに有機インターポーザ２２６０を用いることを考慮することができる。例えば、有機インターポーザ２２６０上にＧＰＵ２２２０などの第１半導体チップとＨＢＭ２２４０などの第２半導体チップを並んで表面実装した後にパッケージングするインターポーザ技術を用いて有機インターポーザを含む半導体パッケージ２３２０を製造することを考慮することができる。この場合、インターポーザ２２６０を介して数千から数十万個の接続パッドを有するＧＰＵ２２２０及びＨＢＭ２２４０を再配線することもでき、これらを最小限の経路で電気的に連結することができる。また、このような有機インターポーザを含む半導体パッケージ２３１０を再びＢＧＡ基板２２１０などに実装して再配線すると、最終的にメインボード２１１０に実装することができる。また、大面積化及び低コスト化に有利である。

【0030】

但し、有機インターポーザ２２６０を用いる場合にも、有機インターポーザ２２６０に半導体チップ２２２０、２２４０を実装し、これを再びＢＧＡ基板２２１０に実装する必要があるため、工程が多少複雑である可能性があり、パッケージングの歩留まりが低下するおそれがある。

【0031】

ブリッジが内蔵されたプリント回路基板及び半導体パッケージ
図６は、プリント回路基板の一例を概略的に示した断面図であり、図７ａ及び図７ｂは、図６のプリント回路基板のＡ領域の概略的な拡大図である。

【0032】

図面を参照すると、一例に係るプリント回路基板１００Ａは、第１絶縁材１５１と、第１絶縁材１５１内に配置された配線パターン１５２と、第１絶縁材１５１上に配置され、配線パターン１５２と電気的に連結された金属ポスト１５３と、第１絶縁材１５１上に配置され、金属ポスト１５３の少なくとも一部を覆う第２絶縁材１５４とを含むブリッジ１５０、ブリッジ１５０の周りに配置され、ブリッジ１５０の側面と接触する第１ビルドアップ絶縁材１１１、及び第２絶縁材１５４及び第１ビルドアップ絶縁材１１１上に配置され、金属ポスト１５３と電気的に連結された金属パッド１２１Ｐを含む第１再配線パターン１２１を含み、第２絶縁材１５４が第１絶縁材１５１及び／または第１ビルドアップ絶縁材１１１よりも透明度が高い。

【0033】

本開示において、透明度は、プリント回路基板１００Ａを長さ又は幅方向にブリッジ１５０が露出する深さまで研磨又は切断して断面を得た後、走査顕微鏡又は光学顕微鏡、例えばＯｌｙｍｐｕｓ社の光学顕微鏡（×１０００）を用いて測定することができる。あるいは、透過率及びヘイズ数値で判断することもでき、透過率及びヘイズはＰｅｒｋｉｎＥｌｍｅｒ社のＬａｍｂｄａ １０５０モデルのＵＶ－Ｖｉｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒで測定することができる。透過率は、成分分析を介して構成成分を明らかにした後に構成成分を再び組み合わせて透過率を得る方法を用いることもできる。その他、反射率を介しても透明度を判断することができる。

【0034】

このように、一例に係るプリント回路基板１００Ａは、ブリッジ１５０が一般パッドより幅が狭くて高さが高い金属ポスト１５３を含むため、十分なアライメント公差を確保することができる。また、このような金属ポスト１５３を第２絶縁材１５４で覆うことで金属ポスト１５３の保護が可能であり、ブリッジ１５０の有効厚さを増大させることができ、さらにブリッジ１５０の実装時に平らな面を提供することができる。また、第２絶縁材１５４が透明度の高い絶縁物質を含むため、ブリッジ１５０の実装時にアライメント認識がより容易になり、実装位置の精密度を改善することができる。したがって、ブリッジの内蔵時に整合度を向上させることができ、これにより工程ウィンドウが広くなるため、量産により有利であることができる。また、製造難易度も低くすることができる。

【0035】

一方、図７ａで示すように、金属ポスト１５３の上面は、第２絶縁材１５４の上面と実質的に同じ平面上にあることができる。この場合、より平らな面を提供することができる。実質的に同じ平面上にあるということは、完全に同じ平面上にある場合だけでなく、工程誤差の結果によって発生する一部の差異も含むことを意味する。例えば、後述する工程でブリッジ１５０の実装後に金属ポスト１５３の露出のために研磨を行う過程において、金属ポスト１５３の上面と第２絶縁材１５４の上面が実質的に同じ平面上にあることができる。金属パッド１２１Ｐは、第２絶縁材１５４の上面に配置され、露出した金属ポスト１５３の上面を覆うことができる。すなわち、ビア加工無しに金属パッド１２１Ｐと金属ポスト１５３が直接連結できるため、整合度の改善にさらに有利であることができる。金属ポスト１５３のシード層ｓは、第２絶縁材１５４の上面と金属ポスト１５３の上面に連続的に配置されることができる。

【0036】

また、図７ｂで示すように、金属ポスト１５３の上面は、第２絶縁材１５４の上面と段差を有することができる。より具体的には、金属ポスト１５３の少なくとも一部は、第２絶縁材１５４の上面上に突出することができる。この場合、金属パッド１２１Ｐとの接触面積が広くなって、より優れた接着力を有することができる。金属パッド１２１Ｐは、第２絶縁材１５４の上面に配置され、金属ポスト１５３の突出した少なくとも一部を覆うことができる。すなわち、ビア加工無しに金属パッド１２１Ｐと金属ポスト１５３が直接連結されることができるため、整合度の改善にさらに有利であることができる。金属パッド１２１Ｐのシード層ｓは、第２絶縁材１５４の上面と金属ポスト１５３の突出した少なくとも一部の側面と金属ポスト１５３の突出した少なくとも一部の上面に連続的に配置されることができる。

【0037】

一方、プリント回路基板１００Ａは、ブリッジ１５０及び第１ビルドアップ絶縁材１１１上に配置され、第１再配線パターン１２１の少なくとも一部を覆うレジスト１６０をさらに含むことができる。第１再配線パターン１２１の上面はレジスト１６０の上面と段差を有することができる。より具体的には、第１再配線パターン１２１の上面はレジスト１６０の上面より上側に配置されることができる。例えば、レジスト１６０は、第１再配線パターン１２１より厚さが薄いことができる。この場合、半導体チップの実装がより容易になることができる。

【0038】

本開示において、厚さはプリント回路基板１００Ａの研磨または切断断面を基準に走査顕微鏡または光学顕微鏡、例えばＯｌｙｍｐｕｓ社の光学顕微鏡（×１０００）を用いて測定することができる。

【0039】

一方、プリント回路基板１００Ａは、ＥＴＳ（Ｅｍｂｅｄｄｅｄ Ｔｒａｃｅ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）構造を有することができる。例えば、プリント回路基板１００Ａは、第１ビルドアップ絶縁材１１１内に配置され、第１ビア１３１を介して第１再配線パターン１２１と電気的に連結された第２再配線パターン１２２、第１ビルドアップ絶縁材１１１の下側に配置された第２ビルドアップ絶縁材１１２、及び／又は第２ビルドアップ絶縁材１１２内に配置され、第２ビア１３２を介して第２再配線パターン１２２と電気的に連結された第３再配線パターン１２３をさらに含むことができる。但し、これに限定されるものではなく、プリント回路基板１００Ａは、コア絶縁材を含むコアタイプの基板であることもできる。例えば、図面に示した部分は、コアタイプの基板のビルドアップされた上側の一部を表現したものであることができる。プリント回路基板１００Ａは、ＢＧＡ基板またはＦＣＢＧＡ基板であることができるが、これに限定されるものではない。

【0040】

以下では、図面を参照して一例に係るプリント回路基板１００Ａの構成要素についてより詳細に説明する。

【0041】

第１及び第２ビルドアップ絶縁材１１１、１１２はそれぞれ絶縁物質を含むことができる。絶縁物質としては、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリイミドなどの熱可塑性樹脂、またはこれらの樹脂がシリカなどの無機フィラーと混合された材料、または無機フィラーと共にガラス繊維（Ｇｌａｓｓ Ｆｉｂｅｒ、Ｇｌａｓｓ Ｃｌｏｔｈ、Ｇｌａｓｓ Ｆａｂｒｉｃ）などの芯材に含浸された樹脂、例えば、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ－ｕｐ Ｆｉｌｍ）、プリプレグ（Ｐｒｅｐｒｅｇ）などが用いられることができるが、これらに限定されるものではない。制限されない一例として、第１及び第２ビルドアップ絶縁材１１１、１１２は、互いに実質的に同じ絶縁物質、例えばＡＢＦを含むことができるが、これらに限定されるものではない。実質的に同じ絶縁材料は、同じ商品名の絶縁材料を用いる場合であることができる。

【0042】

第１～第３再配線パターン１２１、１２２、１２３はそれぞれ金属物質を含むことができる。金属物質としては、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、またはこれらの合金などを用いることができる。第１及び第２再配線パターン１２１、１２２は、それぞれ無電解めっき層（または化学銅）及び電解めっき層（または電気銅）を含むことができるが、これらに限定されるものではない。必要に応じて、銅箔をさらに含むことができる。第３再配線パターン１２３は、シード層として用いられるキャリア銅箔が除去され、電解めっき層（または電気銅）のみを含むことができるが、これに限定されるものではない。

【0043】

第１～第３再配線パターン１２１、１２２、１２３は、それぞれ該当層の設計デザインに応じて様々な機能を行うことができる。例えば、グランドパターン、パワーパターン、信号パターンなどを含むことができる。ここで、信号パターンは、グランドパターン、パワーパターンなどを除いた各種信号、例えばデータ信号などを含むことができる。これらのパターンは、それぞれライン（ｌｉｎｅ）パターン、プレーン（Ｐｌａｎｅ）パターン及び／またはパッド（Ｐａｄ）パターンを含むことができる。例えば、第１再配線パターン１２１は金属パッド１２１Ｐを含むことができる。一方、第１再配線パターン１２１を形成する際に、ブリッジ１５０上に金属パッド１２１Ｐが一緒に形成されるため、より優れた整合度を有することができる。

【0044】

第１及び第２ビア１３１、１３２はそれぞれ金属物質を含むことができる。金属物質としては、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、またはこれらの合金などを用いることができる。第１及び第２ビア１３１、１３２は、それぞれ第１及び第２再配線パターン１２１、１２２を形成する際にともに形成されることができ、従って、それぞれ無電解めっき層（または化学銅）及び電解めっき層（または電気銅）を含むことができるが、これに限定されるものではない。第１及び第２ビア１３１、１３２は、それぞれビアホールが金属物質で充填されたフィールドタイプであることができるが、これに限定されるものではなく、ビアホールの壁面に沿って金属物質が配置されたコンフォーマルタイプであることもできる。第１及び第２ビア１３１、１３２は、それぞれ断面上で上面の幅が下面の幅よりも広いテーパー状を有することができ、いずれも同一方向のテーパー状であることができる。

【0045】

第１及び第２ビア１３１、１３２は、それぞれ該当層の設計デザインに応じて様々な機能を行うことができる。例えば、グランドビア、パワービア、信号ビアなどを含むことができる。ここで、信号ビアは、グランドビア、パワービアなどを除いた各種信号、例えばデータ信号などを伝達するためのビアを含むことができる。

【0046】

ブリッジ１５０は、シリコンダイオキシドを絶縁本体とし、蒸着工程などを介して配線を形成して製造されるシリコンブリッジ、または有機絶縁物質を絶縁本体とし、めっき工程などを介して配線を形成して製造される有機ブリッジなどであることができる。有機ブリッジは高密度回路基板であることができる。好ましくは、ブリッジ１５０は有機ブリッジであることができ、この場合、ＣＴＥミスマッチによる信頼性の問題がほとんど発生しない可能性がある。また、ブリッジ１５０を製造するための工程難易度及び原価も下げることができる。また、ＥＴＳ構造を有することができる。このように、ブリッジ１５０をコアレス基板の形態で形成する場合、本体微細ピッチで配線設計が可能であることができる。また、シリコンブリッジに比べて少ない費用で製造することができ、工程もより簡単であることができる。有機絶縁物質としては、感光性絶縁物質（ＰＩＤ：Ｐｈｏｔｏ Ｉｍａｇｅ－ａｂｌｅ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）を用いることができるが、これに限定されるものではない。

【0047】

第１絶縁材１５１は絶縁物質を含むことができる。絶縁物質は、感光性絶縁物質（ＰＩＤ）などの有機絶縁物質であることができる。第１絶縁材１５１の材料として感光性絶縁物質（ＰＩＤ）を用いる場合、第１絶縁材１５１の厚さを最小化することができ、フォトビアホールを形成することができるため、配線パターン１５２を高密度で設計することができる。但し、材料がこれに限定されるものではなく、その他にもＡＢＦなどの他の有機絶縁物質が用いられることもできる。また、シリコンなどの無機絶縁物質を含むこともできる。第１絶縁材１５１は、複数の絶縁層で構成されることができ、層数は特に制限されない。複数の絶縁層は互いに境界が区分されることもでき、または境界が不明確であることもできる。

【0048】

配線パターン１５２は、ダイツーダイのインターコネクション経路を提供することができる。配線パターン１５２は複数の層で構成されることができ、層数は特に制限されない。配線パターン１５２は、該当層の設計に応じて様々な機能を行うことができ、少なくとも信号パターンを含むことができる。パターンはラインパターン及び／またはパッドパターンを含むことができる。配線パターン１５２及びこれと連結されるビアは、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、またはこれらの合金などの金属物質を含むことができる。

【0049】

配線パターン１５２は、第１～第３再配線パターン１２１、１２２、１２３に比べて回路密度がさらに高いことができる。すなわち、より高密度回路を含むことができる。例えば、配線パターン１５２に含まれる配線の平均ピッチは、第１～第３再配線パターン１２１、１２２、１２３に含まれる配線の平均ピッチよりさらに小さいことができる。また、配線パターン１５２間の層間平均絶縁距離は、第１～第３再配線パターン１２１、１２２、１２３間の層間平均絶縁距離よりさらに小さいことができる。互いに異なる層に形成された配線パターン１５２は、第１絶縁材１５１に形成されたビアを介して互いに電気的に連結されることができる。

【0050】

本開示において、ピッチは、プリント回路基板１００Ａの切断断面を走査顕微鏡または光学顕微鏡などで撮影して測定することができ、平均ピッチは任意の５個の地点で測定した配線間のピッチの平均値であることができる。層間絶縁距離もプリント回路基板１００Ａの切断断面を走査顕微鏡や光学顕微鏡などで撮影して測定することができ、層間平均絶縁距離は任意の５個の地点で測定した隣接した配線または再配線間の絶縁距離の平均値であることができる。

【0051】

金属ポスト１５３は、高いアスペクト比（Ａｓｐｅｃｔ Ｒａｔｉｏ）を有することができる。金属ポスト１５３は、信号用ポスト、グラウンド用ポスト、パワー用ポストなど様々な機能を行うことができ、少なくとも信号用ポストを含むことができる。金属ポスト１５３は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、またはこれらの合金などの金属物質を含むことができる。金属ポスト１５３はめっき工程で形成されることができ、無電解めっき層（または化学銅）と電解めっき層（または電気銅）を含むことができるが、これに限定されるものではない。

【0052】

第２絶縁材１５４は絶縁物質を含むことができる。絶縁物質としては、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリイミドなどの熱可塑性樹脂、またはこれらの樹脂がシリカなどの無機フィラーと混合された材料、例えばＡＢＦなどの有機絶縁物質が用いられることができるが、これに限定されるものではない。第２絶縁材１５４の材料としてＡＢＦを用いる場合、第１及び第２ビルドアップ絶縁材１１１、１１２と類似した材料を含むことで、工程時に特別な問題が発生しないことがある。但し、第２絶縁材１５４は、ＡＢＦの中でも透明度の高いＡＢＦを含むことができる。例えば、第２絶縁材１５４は、第１絶縁材１５１、第１及び第２ビルドアップ絶縁材１１１、１１２などより透明度が高いことがある。必要に応じて、第２絶縁材１５４の上面は、第１ビルドアップ絶縁材１１１の上面よりも突出することができるが、これに限定されるものではない。

【0053】

第１及び第２絶縁材１５１、１５４は互いに境界が区分されることができる。また、第１及び第２絶縁材１５１、１５４は、それぞれ第１及び第２ビルドアップ絶縁材１１１、１１２と境界が区分できる。また、第２絶縁材１５４はレジスト１６０と境界が区分できる。

【0054】

ブリッジ１５０は、接着剤１５５を介して第２ビルドアップ絶縁材１１２の上面に付着されることができる。接着剤１５５は、公知の接着物質、例えば、エポキシ系列の接着物質を含むことができるが、材料が特にこれに限定されるものではない。

【0055】

レジスト１６０は、プリント回路基板１００Ａの最外側に配置されて内部構成要素を保護することができる。レジスト１６０の材料は特に限定されない。例えば、絶縁物質が用いられることができるが、このとき、絶縁物質としてはソルダーレジスト（Ｓｏｌｄｅｒ Ｒｅｓｉｓｔ）が用いられることができる。但し、これに限定されるものではない。

【0056】

図８は、図６のプリント回路基板に内蔵されたブリッジの製造の一例を概略的に示した図面である。

【0057】

図面を参照すると、まず半導体工程、基板工程などを用いて、第１絶縁材１５１に配線パターン１５２などを形成する。次に、第１絶縁材１５１上にレジストを用いためっき工程で金属ポスト１５３を形成し、金属ポスト１５３を覆う第２絶縁材１５４を形成する。ブリッジ１５０は、プリント回路基板１００Ａの内蔵前には、金属ポスト１５３が第２絶縁材１５４に内蔵されて露出していない状態であることができる。

【0058】

図９ａ～図９ｇは、図６のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示した工程図である。

【0059】

図９ａを参照すると、キャリア基板１８０上にコアレス工程で第２ビルドアップ絶縁材１１２、第２及び第３再配線パターン１２２、１２３、及び第２ビア１３２を形成する。第２及び第３再配線パターン１２２、１２３と第２ビア１３２は、ＡＰ（Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）、ＳＡＰ（Ｓｅｍｉ ＡＰ）、ＭＳＡＰ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ ＳＡＰ）、ＴＴ（Ｔｅｎｔｉｎｇ）などの回路形成工程で形成されることができる。第２ビルドアップ絶縁材１１２は、ＡＢＦラミネーション工程などで形成することができる。次に、接着剤１５５を用いて図８で用意されたブリッジ１５０を付着させる。

【0060】

図９ｂを参照すると、第２ビルドアップ絶縁材１１２上に第１ビルドアップ絶縁材１１１をラミネーションしてブリッジ１５０を内蔵する。第１ビルドアップ絶縁材１１１は、例えば、第２ビルドアップ絶縁材１１２上にＡＢＦをラミネーションする工程で形成することができる。

【0061】

図９ｃを参照すると、金属ポスト１５３が露出される。金属ポスト１５３を露出させる方法としては、ＣＭＰなどの研磨方式やプラズマを用いたエッチング方式、またはデスミア処理などを用いることができる。ＣＭＰ研磨方式を用いる場合、図７ａの構造を形成するのにより容易であることができ、プラズマエッチング方式を用いる場合、図７ｂの構造を形成するのにより容易である。

【0062】

図９ｄを参照すると、第１ビルドアップ絶縁材１１１にビアホール１３１ｈを形成する。ビアホール１３１ｈは、レーザ加工、機械的ドリルなどを用いて形成することができる。

【0063】

図９ｅを参照すると、第２絶縁材１５４と第１ビルドアップ絶縁材１１１上に第１再配線パターン１２１を形成する。第１再配線パターン１２１は、ＡＰ、ＳＡＰ、ＭＳＡＰ、ＴＴなどの回路形成工程を用いて形成することができる。第１再配線パターン１２１のうち、金属パッド１２１Ｐは露出した金属ポスト１５３と連結されることができる。

【0064】

図９ｆを参照すると、ブリッジ１５０と第１ビルドアップ絶縁材１１１上にレジスト１６０を形成する。レジスト１６０は、ソルダーレジスト材料を塗布及び硬化して形成することができる。あるいは、フィルムタイプの材料をラミネーションして形成することもできる。

【0065】

図９ｇを参照すると、レジスト１６０をシンニング（ｔｈｉｎｎｉｎｇ）する。シンニング工程によってレジスト１６０の厚さが薄くなることができる。シンニング工程としては、エッチング液を用いる化学的処理や研磨を利用する機械的処理など様々な方法を用いることができる。

【0066】

一連の工程を介して、上述した一例に係るプリント回路基板１００Ａが製造されることができる。その後、キャリア基板１８０で製造されたプリント回路基板１００Ａを分離することができる。例えば、キャリア基板１８０からキャリア銅箔部分を分離した後、キャリア銅箔をエッチングで除去することができるが、これに限定されるものではない。

【0067】

図１０は、半導体パッケージの一例を概略的に示した断面図である。

【0068】

図面を参照すると、一例による半導体パッケージ５００Ａは、一例によるプリント回路基板１００Ａ、及びプリント回路基板１００Ａ上にそれぞれ実装する複数の半導体チップ３１０、３２０を含む。複数の半導体チップ３１０、３２０は、それぞれ複数のバンプ３３０、３４０を介してプリント回路基板１００Ａに実装することができる。例えば、複数の半導体チップ３１０、３２０は、それぞれ複数のバンプ３３０、３４０を介して第１再配線パターン１２１に連結されることができる。複数の半導体チップ３１０、３２０はそれぞれモールディング材３５０で覆われることができる。

【0069】

複数の半導体チップ３１０、３２０は、それぞれ数百～数百万個以上の素子が１つのチップ内に集積化している集積回路（ＩＣ：Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）ダイ（Ｄｉｅ）を含むことができる。このとき、集積回路は、例えば、セントラルプロセッサ（例えば、ＣＰＵ）、グラフィックプロセッサ（例えば、ＧＰＵ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）、デジタル信号プロセッサ、暗号化プロセッサ、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラ、アプリケーションプロセッサ（例えば、ＡＰ）、アナログ－デジタルコンバータ、ＡＳＩＣ（ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ－ｓｐｅｃｉｆｉｃ ＩＣ）などのロジックチップであることができるが、これに限定されるものではなく、揮発性メモリ（例えば、ＤＲＡＭ）、不揮発性メモリ（例えば、ＲＯＭ）、フラッシュメモリ、ＨＢＭ（Ｈｉｇｈ Ｂａｎｄｗｉｄｔｈ Ｍｅｍｏｒｙ）などのメモリチップ、またはＰＭＩＣ（Ｐｏｗｅｒ Ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ ＩＣ）などのように異なる種類であることもできる。例えば、第１半導体チップ３１０はＧＰＵなどのロジックチップを含むことができ、第２半導体チップ３２０はＨＢＭなどのメモリチップを含むことができる。または、第１及び第２半導体チップ３１０、３２０は、ダイスプリットによって分割されて互いに異なるコアを有する分割されたロジックチップであることもできる。

【0070】

複数の半導体チップ３１０、３２０は、それぞれアクティブウェハーをベースに形成されたものであることができ、この場合、それぞれの本体をなす母材としては、シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）などが用いられることができる。本体には、様々な回路が形成されていることができる。各本体には、接続パッドが形成されることができ、接続パッドはアルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）などの導電性物質を含むことができる。複数の半導体チップ３１０、３２０はベアダイ（ｂａｒｅ ｄｉｅ）であることができ、この場合、接続パッド上には金属バンプが配置されることができる。複数の半導体チップ３１０、３２０は、パッケージングダイ（ｐａｃｋａｇｅｄ ｄｉｅ）であることもでき、この場合、接続パッド上にさらに再配線層が形成され、再配線層上に金属バンプが配置されることができる。

【0071】

複数のバンプ３３０、３４０は、それぞれ低融点金属、例えば、スズ（Ｓｎ）－アルミニウム（Ａｌ）－銅（Ｃｕ）などのはんだなどで形成されることができるが、これは一例に過ぎず、材質が特にこれらに限定されるものではない。複数のバンプ３３０、３４０は、それぞれ多重層または単一層で形成されることができる。多重層で形成される場合には、銅ピラー（ｐｉｌｌａｒ）及びはんだを含むことができ、単一層で形成される場合には、スズ－銀はんだ又は銅を含むことができるが、これに限定されるものではない。

【0072】

モールディング材３５０は、複数の半導体チップ３１０、３２０を保護することができる。モールディング材３５０の材料は特に限定されず、ＥＭＣ（Ｅｐｏｘｙ Ｍｏｌｄｉｎｇ Ｃｏｍｐｏｕｎｄ）などの公知のモールディング材が用いられることができる。

【0073】

その他の内容、例えば、上述した一例に係るプリント回路基板１００Ａで説明した内容は、矛盾しない限り適用することができ、したがってそれに関する重複する内容の説明は省略する。

【0074】

図１１は、プリント回路基板の他の一例を概略的に示した断面図である。

【0075】

図面を参照すると、他の一例に係るプリント回路基板１００Ｂは、上述した一例に係るプリント回路基板１００Ａにおいて、ブリッジ１５０と第１ビルドアップ絶縁材１１１上に第３ビルドアップ絶縁材１１３をさらに形成する。また、第３ビルドアップ絶縁材１１３上に第４再配線パターン１２４をさらに形成する。また、第３ビルドアップ絶縁材１１３に第１及び第４再配線パターン１２１、１２４を電気的に連結する第３ビア１３３をさらに形成する。また、第１ビルドアップ絶縁材１１１の上面がブリッジ１５０の周りにおいて溝部ｈを有し、溝部ｈによって第１ビルドアップ絶縁材１１１の上面が段差を有する。溝部ｈは、第２絶縁材１５４の少なくとも一部を露出させることができる。溝部ｈは、壁面がテーパー状を有することができるが、これに限定されるものではない。必要に応じて、第３ビルドアップ絶縁材１１３上に第４再配線パターン１２４の少なくとも一部を覆うレジストがさらに形成されることができ、シンニング工程によりレジストの厚さを薄くすることができる。

【0076】

第３ビルドアップ絶縁材１１３は絶縁物質を含むことができる。絶縁物質としては、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリイミドなどの熱可塑性樹脂、またはこれらの樹脂がシリカなどの無機フィラーと混合された材料、または無機フィラーと共にガラス繊維などの芯材に含浸された樹脂、例えば、ＡＢＦ、プリプレグなどが用いられることができるが、これに限定されるものではない。制限されない一例として、第１～第３ビルドアップ絶縁材１１１、１１２、１１３は、互いに実質的に同一の絶縁物質、例えば、ＡＢＦを含むことができるが、これに限定されるものではない。実質的に同一の絶縁材料は、同じ商品名の絶縁材料を用いる場合であることができる。

【0077】

第４再配線パターン１２４は金属物質を含むことができる。金属物質としては、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、またはこれらの合金などを用いることができる。第４再配線パターン１２４は、無電解めっき層（または化学銅）と電解めっき層（または電気銅）を含むことができるが、これに限定されるものではない。必要に応じては、銅箔をさらに含むことができる。

【0078】

第４再配線パターン１２４は、該当層の設計デザインに応じて様々な機能を行うことができる。例えば、グランドパターン、パワーパターン、信号パターンなどを含むことができる。ここで、信号パターンは、グランドパターン、パワーパターンなどを除いた各種信号、例えば、データ信号などを含むことができる。これらのパターンはそれぞれラインパターン、プレーンパターン及び／またはパッドパターンを含むことができる。

【0079】

第３ビア１３３は金属物質を含むことができる。金属物質としては、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、またはこれらの合金などを用いることができる。第３ビア１３３は、第４再配線パターン１２４を形成する際に一緒に形成されることができ、したがって無電解めっき層（または化学銅）及び電解めっき層（または電気銅）を含むことができるが、これに限定されるものではない。第３ビア１３３は、ビアホールが金属物質で充填されたフィールドタイプであることができるが、これに限定されるものではなく、ビアホールの壁面に沿って金属物質が配置されたコンフォーマルタイプであることもできる。第３ビア１３３は、断面上で上面の幅が下面の幅よりも広いテーパー状を有することができ、第１及び第２ビア１３１、１３２と同じ方向のテーパー状であることができる。

【0080】

第３ビア１３３は、当該層の設計デザインに応じて様々な機能を行うことができる。例えば、グランドビア、パワービア、信号ビアなどを含むことができる。ここで、信号ビアは、グランドビア、パワービアなどを除いた各種信号、例えば、データ信号などを伝達するためのビアを含むことができる。

【0081】

必要に応じて、第３ビルドアップ絶縁材１１３上にレジストをさらに配置させることができ、これに関する具体的な内容は、一例によるプリント回路基板１００Ａのレジスト１６０の内容が実質的に同一に適用されることができる。

【0082】

その他の内容、例えば、上述の一例に係るプリント回路基板１００Ａで説明した内容は、矛盾しない限り適用することができ、したがってそれに関する重複する内容の説明は省略する。

【0083】

図１２ａ～図１２ｅは、図１１のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示した工程図である。

【0084】

まず、キャリア基板１８０上にコアレス工程で第２ビルドアップ絶縁材１１２、第２及び第３再配線パターン１２２、１２３、及び第２ビア１３２を形成する。次に、第２ビルドアップ絶縁材１１２上に第１ビルドアップ絶縁材１１１をラミネーションしてブリッジ１５０を内蔵する。これに関する具体的な内容は、図９ａ及び図９ｂで説明したものと実質的に同じである。

【0085】

図１２ａを参照すると、金属ポスト１５３を露出させる。金属ポスト１５３を露出させる方法としては、ローカルスカイビング（ｌｏｃａｌ ｓｋｉｖｉｎｇ）工程やローカルシンニング（ｌｏｃａｌ ｔｈｉｎｎｉｎｇ）工程を用いることができる。このような部分的な露出工程により、第１ビルドアップ絶縁材１１１の上面のうちブリッジ１５０の周りに溝部ｈが形成されることができる。また、第１ビルドアップ絶縁材１１１の上面に段差が形成されることができる。但し、これに限定されるものではなく、プラズマ、ブラスト、エッチングなどの方法を用いる場合にも、絶縁材の物性差や累積硬化量の差などで、上述した溝部ｈ及びそれに伴う段差が形成されることができる。

【0086】

図１２ｂを参照すると、第１ビルドアップ絶縁材１１１にビアホール１３１ｈを形成する。ビアホール１３１ｈは、レーザ加工、機械的ドリルなどを用いて形成することができる。

【0087】

図１２ｃを参照すると、第２絶縁材１５４と第１ビルドアップ絶縁材１１１上に第１再配線パターン１２１を形成する。第１再配線パターン１２１は、ＡＰ、ＳＡＰ、ＭＳＡＰ、ＴＴなどの回路形成工程を用いて形成することができる。第１再配線パターン１２１のうち、金属パッド１２１Ｐは露出した金属ポスト１５３と連結されることができる。この工程で、第１再配線パターン１２１のうち、金属パッド１２１Ｐは残りのパターンと段差を有することができる。

【0088】

図１２ｄを参照すると、ブリッジ１５０及び第１ビルドアップ絶縁材１１１上に第３ビルドアップ絶縁材１１３を形成する。これにより、第１再配線パターン１２１の段差をなくすことができる。第３ビルドアップ絶縁材１１３は、例えば、ブリッジ１５０及び第１ビルドアップ絶縁材１１１上にＡＢＦをラミネーションする工程で形成することができる。

【0089】

図１２ｅを参照すると、第４再配線パターン１２４及び第３ビア１３３を形成する。第４再配線パターン１２４及び第３ビア１３３は、第３ビルドアップ絶縁材１１３にビアホールを加工した後、ＡＰ、ＳＡＰ、ＭＳＡＰ、ＴＴなどの回路形成工程を用いて形成することができる。

【0090】

一連の工程を介して、上述した他の一例によるプリント回路基板１００Ｂが製造されることができる。必要に応じて、第３ビルドアップ絶縁材１１３上にレジストをさらに形成し、レジストのシンニング工程も進行することができる。その後、キャリア基板１８０で製造されたプリント回路基板１００Ｂを分離することができる。例えば、キャリア基板１８０からキャリア銅箔部分を分離した後、キャリア銅箔をエッチングによって除去することができるが、これに限定されるものではない。

【0091】

図１３は、半導体パッケージの他の一例を概略的に示した断面図である。

【0092】

図面を参照すると、他の一例による半導体パッケージ５００Ｂは、他の一例にプリント回路基板１００Ｂ、及びプリント回路基板１００Ｂ上にそれぞれ実装される複数の半導体チップ３１０、３２０を含む。複数の半導体チップ３１０、３２０は、それぞれ複数のバンプ３３０、３４０を介してプリント回路基板１００Ｂに実装されることができる。例えば、複数の半導体チップ３１０、３２０は、それぞれ複数のバンプ３３０、３４０を介して第４再配線パターン１２４と連結されることができる。複数の半導体チップ３１０、３２０はそれぞれモールディング材３５０で覆われることができる。

【0093】

その他の内容、例えば、上述した一例に係るプリント回路基板１００Ａ、他の一例に係るプリント回路基板１００Ｂ、及び一例に係る半導体パッケージ５００Ａで説明した内容は、矛盾しない限り適用することができ、したがってそれらに関する重複する内容の説明は省略する。

【0094】

図１４は、プリント回路基板のまた他の一例を概略的に示した断面図である。

【0095】

図面を参照すると、さらに他の一例に係るプリント回路基板１００Ｃは、上述した他の一例に係るプリント回路基板１００Ｂにおいて、第１ビルドアップ絶縁材１１１がキャビティＣを有することができ、ブリッジ１５０がキャビティＣに配置されることができる。また、第３ビルドアップ絶縁材１１３は、キャビティＣの少なくとも一部を充填することができる。必要に応じて、第３ビルドアップ絶縁材１１３上に第４再配線パターン１２４の少なくとも一部を覆うレジストがさらに形成されることができ、シンニング工程によりレジストの厚さを薄くすることができる。

【0096】

キャビティＣは、壁面がブリッジ１５０の側面の周りを連続的に囲むように形成されることができるが、これに限定されるものではない。必要に応じて、キャビティＣの底面にはスタッパ層が配置されることもできる。

【0097】

必要に応じて、第３ビルドアップ絶縁材１１３上にレジストをさらに配置させることができ、これに関する具体的な内容は、一例によるプリント回路基板１００Ａのレジスト１６０の内容が実質的に同一に適用されることができる。

【0098】

その他の内容、例えば、上述した一例に係るプリント回路基板１００Ａ、及び他の一例に係るプリント回路基板１００Ｂで説明した内容は、矛盾しない限り適用することができ、したがってそれらに関する重複する内容の説明は省略する。

【0099】

図１５ａ～図１５ｅは、図１３のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示した工程図である。

【0100】

まず、キャリア基板１８０上にコアレス工程で第２ビルドアップ絶縁材１１２、第２及び第３再配線パターン１２２、１２３、及び第２ビア１３２を形成する。これに対する具体的な内容は、図９ａで説明したものと実質的に同じである。次に、第２ビルドアップ絶縁材１１２上に第１ビルドアップ絶縁材１１１を形成する。第１ビルドアップ絶縁材１１１は、ＡＢＦラミネーションなどで形成することができる。

【0101】

図１５ａを参照すると、第１ビルドアップ絶縁材１１１にキャビティＣを形成する。キャビティＣは様々な方法で形成されることができる。例えば、キャビティＣの加工領域に予めダミーパターンを形成した後、第１ビルドアップ絶縁材１１１をラミネーションし、その後、ダミーパターンをエッチングで除去して形成することができる。あるいは、第１ビルドアップ絶縁材１１１を形成した後、ブラスト加工やレーザ加工などを用いて形成することもできる。この場合、キャビティＣの底面にはスタッパ層が配置されることもできる。その以外にも様々な方法でキャビティＣを形成することができる。次に、キャビティＣにブリッジ１５０を配置し、研磨、シンニング、エッチングなどの工程で金属ポスト１５３を露出させる。

【0102】

図１５ｂを参照すると、第１ビルドアップ絶縁材１１１にビアホール１３１ｈを形成する。ビアホール１３１ｈは、レーザ加工、機械的ドリルなどを用いて形成することができる。

【0103】

図１５ｃを参照すると、第２絶縁材１５４と第１ビルドアップ絶縁材１１１上に第１再配線パターン１２１を形成する。第１再配線パターン１２１は、ＡＰ、ＳＡＰ、ＭＳＡＰ、ＴＴなどの回路形成工程を用いて形成することができる。第１再配線パターン１２１のうち、金属パッド１２１Ｐは露出した金属ポスト１５３と連結されることができる。この工程で、第１再配線パターン１２１のうち、金属パッド１２１Ｐは残りのパターンと段差を有することができる。

【0104】

図１５ｄを参照すると、ブリッジ１５０及び第１ビルドアップ絶縁材１１１上に第３ビルドアップ絶縁材１１３を形成する。これにより、第１再配線パターン１２１の段差をなくすことができる。第３ビルドアップ絶縁材１１３は、例えば、ブリッジ１５０及び第１ビルドアップ絶縁材１１１上にＡＢＦをラミネーションする工程で形成することができる。

【0105】

図１５ｅを参照すると、第４再配線パターン１２４及び第３ビア１３３を形成する。第４再配線パターン１２４及び第３ビア１３３は、第３ビルドアップ絶縁材１１３にビアホールを加工した後、ＡＰ、ＳＡＰ、ＭＳＡＰ、ＴＴなどの回路形成工程を用いて形成することができる。

【0106】

一連の工程を介して上述したまた他の一例によるプリント回路基板１００Ｃが製造されることができる。必要に応じて、第３ビルドアップ絶縁材１１３上にレジストをさらに形成し、レジストのシンニング工程も進行することができる。その後、キャリア基板１８０で製造されたプリント回路基板１００Ｃを分離することができる。例えば、キャリア基板１８０からキャリア銅箔部分を分離した後、キャリア銅箔をエッチングにより除去することができるが、これに限定されるものではない。

【0107】

図１６は、半導体パッケージのまた他の一例を概略的に示した断面図である。

【0108】

図面を参照すると、また他の一例に係る半導体パッケージ５００Ｃは、また他の一例のプリント回路基板１００Ｃ、及びプリント回路基板１００Ｃ上にそれぞれ実装される複数の半導体チップ３１０、３２０を含む。複数の半導体チップ３１０、３２０は、それぞれ複数のバンプ３３０、３４０を介してプリント回路基板１００Ｃに実装されることができる。例えば、複数の半導体チップ３１０、３２０は、それぞれ複数のバンプ３３０、３４０を介して第４再配線パターン１２４と連結されることができる。複数の半導体チップ３１０、３２０はそれぞれモールディング材３５０で覆われることができる。

【0109】

その他の内容、例えば、上述した一例に係るプリント回路基板１００Ａ、他の一例に係るプリント回路基板１００Ｂ、一例に係る半導体パッケージ５００Ａ、及び他の一例に係る半導体パッケージ５００Ｂで説明した内容は、矛盾しない限り適用することができ、したがってそれらに関する重複する内容の説明は省略する。

【0110】

本開示において、断面上での意味は、対象物を垂直に切断したときの断面形状、または対象物をサイドビューで見たときの断面形状を意味することができる。また、平面上での意味は、対象物を水平に切断したときの形状、または対象物をトップビューまたはボトムビューで見たときの平面形状であることができる。

【0111】

本開示において、下側、下部、下面などは、便宜上図面の断面を基準に有機インターポーザを含む半導体パッケージの実装面に向かう方向を意味するものとして用い、上側、上部、上面などはその逆方向に用いた。但し、これは説明の便宜上の方向を定義したものであって、特許請求の範囲の権利範囲がこの方向に対する記載によって特に限定されるものではない。

【0112】

本開示において、連結されるという意味は、直接連結された場合だけでなく、接着剤層などを介して間接的に連結された場合を含む概念である。また、電気的に連結されるという意味は、物理的に連結された場合と、連結されていない場合をともに含む概念である。さらに、第１、第２などの表現は、ある構成要素と他の構成要素を区分するために用いられるものであって、該当構成要素の順序及び／又は重要度などを限定しない。場合によっては、権利範囲から逸脱することなく、第１構成要素は第２構成要素と命名されることもでき、同様に第２構成要素は第１構成要素と命名されることもできる。

【0113】

本開示で用いられた一例という表現は、互いに同一の実施例を意味するものではなく、それぞれ互いに異なる固有の特徴を強調して説明するために提供されたものである。しかしながら、上記提示された一例は、他の一例の特徴と組み合わせて実現されることを排除しない。例えば、特定の一例で説明された事項が他の一例で説明されていなくても、他の一例でその事項と反対または矛盾する説明がない限り、他の一例に関連した説明であると理解することができる。

【0114】

本開示で用いられた用語は、単に一例を説明するために用いられたものであり、本開示を限定する意図ではない。このとき、単数の表現は、文脈上明らかに異なるものを意味しない限り、複数の表現を含む。

【符号の説明】

【0115】

１０００ 電子機器
１０１０ メインボード
１０２０ チップ関連部品
１０３０ ネットワーク関連部品
１０４０ その他の部品
１０５０ カメラ
１０６０ アンテナ
１０７０ ディスプレイ
１０８０ バッテリー
１０９０ 信号ライン
１１００ スマートフォン
１１１０ マザーボード
１１２０ 部品
１１２１ 部品パッケージ
１１３０ カメラモジュール
１１４０ スピーカー
２１１０ メインボード
２２１０ ＢＧＡ基板
２２２０、２２４０ 半導体チップ
２２３０ インターポーザ
２２５０ シリコンインターポーザ
２２６０ 有機インターポーザ
２３１０、２３２０ インターポーザを含む半導体パッケージ
５００Ａ、５００Ｂ、５００Ｃ 半導体パッケージ
１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ プリント回路基板
１１１、１１２、１１３ ビルドアップ絶縁材
１２１、１２２、１２３、１２４ 再配線パターン
１３１、１３２、１３３ ビア
１５０ ブリッジ
１５１、１５４ 絶縁材
１５２ 配線パターン
１５３ 金属ポスト
１５５ 接着剤
１６０ レジスト
１８０ キャリア基板
３１０、３２０ 半導体チップ
３３０、３４０ バンプ
３５０ モールディング材
Ｃ キャビティ
ｈ 溝部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7a】

【図7b】

【図8】

【図9a】

【図9b】

【図9c】

【図9d】

【図9e】

【図9f】

【図9g】

【図10】

【図11】

【図12a】

【図12b】

【図12c】

【図12d】

【図12e】

【図13】

【図14】

【図15a】

【図15b】

【図15c】

【図15d】

【図15e】

【図16】