特開 2024-21305 表示装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024021305

(43)【公開日】2024-02-16

(54)【発明の名称】表示装置

(51)【国際特許分類】

   H05B 33/04 20060101AFI20240208BHJP

   H10K 59/10 20230101ALI20240208BHJP

   H10K 50/10 20230101ALI20240208BHJP

   H05B 33/12 20060101ALI20240208BHJP

   H05B 33/22 20060101ALI20240208BHJP

   H05B 33/26 20060101ALI20240208BHJP

   H05B 33/28 20060101ALI20240208BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20240208BHJP

【ＦＩ】

H05B33/04

H01L27/32

H05B33/14 A

H05B33/12 B

H05B33/22 Z

H05B33/26 Z

H05B33/28

G09F9/30 365

G09F9/30 343

G09F9/30 348A

【審査請求】未請求

【請求項の数】8

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022124038

(22)【出願日】2022-08-03

(71)【出願人】

【識別番号】502356528

【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ

(74)【代理人】

【識別番号】110001737

【氏名又は名称】弁理士法人スズエ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】木村 裕之

【テーマコード（参考）】

3K107

5C094

【Ｆターム（参考）】

3K107AA01

3K107BB01

3K107BB08

3K107CC23

3K107CC33

3K107DD23

3K107DD27

3K107DD37

3K107DD89

3K107DD90

3K107DD95

3K107EE03

3K107EE48

3K107EE50

3K107FF15

5C094AA31

5C094BA03

5C094BA27

5C094CA19

5C094DA15

5C094EA04

(57)【要約】

【課題】信頼性の低下を抑制する。
【解決手段】一実施形態によれば、表示装置は、基板と、前記基板の上方において、表示領域に亘って配置され、前記表示領域の外側に延出した導電層と、前記導電層の上方において、前記表示領域にマトリクス状に配置された複数の下電極と、無機絶縁材料で形成され、前記複数の下電極の各々と重なる複数の開口を有するリブと、前記開口において前記下電極の上に配置された有機層と、前記有機層の上に配置され、帯状に形成され、前記表示領域の外側に位置する両端部で前記導電層に接する上電極と、を備える。
【選択図】図４

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板と、
前記基板の上方において、表示領域に亘って配置され、前記表示領域の外側に延出した導電層と、
前記導電層の上方において、前記表示領域にマトリクス状に配置された複数の下電極と、
無機絶縁材料で形成され、前記複数の下電極の各々と重なる複数の開口を有するリブと、
前記開口において前記下電極の上に配置された有機層と、
前記有機層の上に配置され、帯状に形成され、前記表示領域の外側に位置する両端部で前記導電層に接する上電極と、
を備える、表示装置。

【請求項2】

さらに、
前記基板の上方に配置され、前記下電極と電気的に接続された駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタを覆う有機絶縁層と、
前記有機絶縁層の上に配置され、前記駆動トランジスタと高電位電圧電源線とを電気的に接続する金属層と、
前記有機絶縁層の上に配置され、前記導電層と低電位電圧電源線とを電気的に接続する接続電極と、
前記金属層と前記導電層との間に介在する第１無機絶縁層と、
前記導電層と前記下電極との間に介在する第２無機絶縁層と、を備え、
前記上電極は、前記第２無機絶縁層に形成されたコンタクトホールにおいて前記導電層に接する、請求項１に記載の表示装置。

【請求項3】

前記導電層、前記金属層、及び、前記接続電極の各々は、一対のチタン層の間にアルミニウム層が位置する積層体である、請求項２に記載の表示装置。

【請求項4】

前記リブ、前記第１無機絶縁層、及び、前記第２無機絶縁層の各々は、シリコン窒化物で形成されている、請求項２に記載の表示装置。

【請求項5】

前記有機層は、複数の島状に形成され、前記複数の下電極の各々の上に配置される、請求項１に記載の表示装置。

【請求項6】

前記有機層は、前記上電極とほぼ平行に延出した帯状に形成され、前記複数の下電極の上に配置される、請求項１に記載の表示装置。

【請求項7】

さらに、
前記上電極の上に配置され、前記上電極とほぼ平行に延出した帯状に形成されたキャップ層と、
無機絶縁材料によって形成され、前記上電極及び前記キャップ層を覆い、前記上電極とほぼ平行に延出した帯状に形成された封止層と、を備える、請求項１に記載の表示装置。

【請求項8】

前記封止層は、シリコン窒化物で形成されている、請求項７に記載の表示装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の実施形態は、表示装置に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を適用した表示装置が実用化されている。この表示素子は、薄膜トランジスタを含む画素回路と、画素回路に接続された下電極と、下電極を覆う有機層と、有機層を覆う上電極と、を備えている。有機層は、発光層の他に、正孔輸送層や電子輸送層などの機能層を含んでいる。
このような表示素子を製造する過程において、信頼性の低下を抑制する技術が必要とされている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０００－１９５６７７号公報

【特許文献2】特開２００４－２０７２１７号公報

【特許文献3】特開２００８－１３５３２５号公報

【特許文献4】特開２００９－３２６７３号公報

【特許文献5】特開２０１０－１１８１９１号公報

【特許文献6】国際公開第２０１８／１７９３０８号

【特許文献7】米国特許出願公開第２０２２／００７７２５１号明細書

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本発明の目的は、信頼性の低下を抑制することが可能な表示装置を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0005】

一実施形態によれば、表示装置は、
基板と、前記基板の上方において、表示領域に亘って配置され、前記表示領域の外側に延出した導電層と、前記導電層の上方において、前記表示領域にマトリクス状に配置された複数の下電極と、無機絶縁材料で形成され、前記複数の下電極の各々と重なる複数の開口を有するリブと、前記開口において前記下電極の上に配置された有機層と、前記有機層の上に配置され、帯状に形成され、前記表示領域の外側に位置する両端部で前記導電層に接する上電極と、を備える。

【図面の簡単な説明】

【0006】

【図1】図１は、表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。

【図2】図２は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトの一例を示す図である。

【図3】図３は、図２中のＡ－Ｂ線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。

【図4】図４は、表示装置ＤＳＰの主要部の一構成例を示す平面図である。

【図5】図５は、図４中のＣ－Ｄ線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。

【図6】図６は、表示装置ＤＳＰの主要部の他の構成例を示す平面図である。

【図7】図７は、表示装置ＤＳＰの他の主要部の一構成例を示す平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0007】

一実施形態について図面を参照しながら説明する。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

【0008】

なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向を第１方向と称し、Ｙ軸に沿った方向を第２方向と称し、Ｚ軸に沿った方向を第３方向と称する。第３方向Ｚと平行に各種要素を見ることを平面視という。

【0009】

本実施形態に係る表示装置は、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パーソナルコンピュータ、車載機器、タブレット端末、スマートフォン、携帯電話端末等に搭載され得る。

【0010】

図１は、表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。

【0011】

表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０の上に、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの外側の周辺領域ＳＡと、を有している。

【0012】

基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。基板１０は、第１方向Ｘに沿った一対の辺１０Ａ及び１０Ｂと、第２方向Ｙに沿った一対の辺１０Ｃ及び１０Ｄと、を有している。信号源であるドライバＩＣチップ３０は、辺１０Ａに沿った周辺領域ＳＡに実装されている。

【0013】

本実施形態においては、平面視における基板１０の形状が長方形である。ただし、基板１０の平面視における形状は長方形に限らず、正方形、円形あるいは楕円形などの他の形状であってもよい。

【0014】

表示領域ＤＡは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配列された複数の副画素ＳＰを備えている。互いに異なる色の副画素ＳＰは、画素ＰＸを構成する。一例では、画素ＰＸは、第１色の副画素ＳＰ１、第２色の副画素ＳＰ２、及び、第３色の副画素ＳＰ３を含む。第１色、第２色、及び、第３色は、互いに異なる色である。なお、画素ＰＸは、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３とともに、あるいは副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のいずれかに代えて、白色などの他の色の副画素ＳＰを含んでもよい。

【0015】

副画素ＳＰは、画素回路１と、画素回路１によって駆動される表示素子２０と、を備えている。画素回路１は、画素スイッチ２と、駆動トランジスタ３と、キャパシタ４と、を備えている。画素スイッチ２及び駆動トランジスタ３は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイッチング素子である。

【0016】

画素スイッチ２のゲート電極は、走査線ＧＬに接続されている。走査線ＧＬは、表示領域ＤＡにおいて、例えば第１方向Ｘに延出している。画素スイッチ２のソース電極及びドレイン電極の一方は信号線ＳＬに接続され、他方は駆動トランジスタ３のゲート電極に接続されている。信号線ＳＬは、表示領域ＤＡにおいて、例えば第２方向Ｙに延出している。駆動トランジスタ３において、ソース電極及びドレイン電極の一方は高電位電圧電源線ＰＬ１（ｖｄｄ）に接続され、他方は表示素子２０のアノード及びキャパシタ４に接続されている。表示素子２０のカソードは、低電位電圧電源線ＰＬ２（ｖｓｓ）に接続されている。画素回路１に接続される各種配線の少なくとも一部は、ドライバＩＣチップ３０と電気的に接続されている。

【0017】

なお、画素回路１の構成は図示した例に限らない。例えば、画素回路１は、より多くの薄膜トランジスタ及びキャパシタを備えてもよい。

【0018】

表示素子２０は、発光素子としての有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）であり、有機ＥＬ素子と称する場合がある。

【0019】

図２は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトの一例を示す図である。

【0020】

図２に示した例においては、副画素ＳＰ１、副画素ＳＰ２、及び、副画素ＳＰ３は、第１方向Ｘに並んでいる。なお、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトは、図２の例に限らない。

【0021】

表示領域ＤＡには、リブ５が配置されている。リブ５は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３においてそれぞれ開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を有している。

【0022】

副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３は、表示素子２０として、それぞれ表示素子２０１，２０２，２０３を備えている。
副画素ＳＰ１の表示素子２０１は、開口ＡＰ１とそれぞれ重なる下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１及び有機層ＯＲ１を備えている。副画素ＳＰ２の表示素子２０２は、開口ＡＰ２とそれぞれ重なる下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２及び有機層ＯＲ２を備えている。副画素ＳＰ３の表示素子２０３は、開口ＡＰ３とそれぞれ重なる下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３及び有機層ＯＲ３を備えている。

【0023】

ここでは、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３の外形は点線で示し、有機層ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３の外形は一点鎖線で示し、上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３の外形は二点鎖線で示している。下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３のそれぞれの周縁部は、リブ５に重なっている。なお、図示した下電極、有機層、上電極のそれぞれの外形は、正確な形状を反映したものとは限らない。

【0024】

下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３は、例えば、表示素子のアノードに相当する。下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３は、第１方向Ｘに間隔をおいて並んでいる。有機層ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３は、第１方向Ｘに間隔をおいて並んでいる。上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３は、表示素子のカソード、あるいは、共通電極に相当する。上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３は、第１方向Ｘに間隔をおいて並び、それぞれ第２方向Ｙに延出している。

【0025】

下電極ＬＥ１は、コンタクトホールＣＨ１を通じて副画素ＳＰ１の画素回路１の駆動トランジスタ３（図１参照）に接続されている。下電極ＬＥ２は、コンタクトホールＣＨ２を通じて副画素ＳＰ２の画素回路１の駆動トランジスタ３に接続されている。下電極ＬＥ３は、コンタクトホールＣＨ３を通じて副画素ＳＰ３の画素回路１の駆動トランジスタ３に接続されている。

【0026】

図２の例においては、開口ＡＰ１、開口ＡＰ２、及び、開口ＡＰ３の各々の面積は、ほぼ同一である。但し、開口ＡＰ１、開口ＡＰ２、及び、開口ＡＰ３の各々の面積は、互いに異なっていてもよい。例えば、開口ＡＰ２の面積が開口ＡＰ１の面積よりも大きく、開口ＡＰ３の面積が開口ＡＰ２の面積よりも大きくてもよい。

【0027】

例えば、副画素ＳＰ１の表示素子２０１は、赤波長域の光を放つように構成される。また、副画素ＳＰ２の表示素子２０２は、緑波長域の光を放つように構成され、また、副画素ＳＰ３の表示素子２０３は、青波長域の光を放つように構成される。

【0028】

図３は、図２中のＡ－Ｂ線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。

【0029】

表示素子２０１、２０２、２０３は、基板１０の上方に配置されている。回路層１１は、基板１０の上に配置されている。回路層１１は、図１に示した画素回路１、走査線ＧＬ、信号線ＳＬ、高電位電圧電源線ＰＬ１、及び、低電位電圧電源線ＰＬ２などの各種回路や配線を含む。回路層１１は、絶縁層１２により覆われている。絶縁層１２は、回路層１１により生じる凹凸を平坦化する平坦化膜として機能する。

【0030】

金属層ＭＬ１、ＭＬ２、ＭＬ３は、絶縁層１２の上に配置され、第１方向Ｘに間隔をおいて並んでいる。金属層ＭＬ１は表示素子２０１の直下に位置し、金属層ＭＬ２は表示素子２０２の直下に位置し、金属層ＭＬ３は表示素子２０３の直下に位置している。このような金属層ＭＬ１、ＭＬ２、ＭＬ３の各々は、高電位電圧電源線ＰＬ１と駆動トランジスタ３とを電気的に接続するものである。金属層ＭＬ１、ＭＬ２、ＭＬ３は、絶縁層１３によって覆われている。

【0031】

導電層ＣＬは、絶縁層１３の上に配置されている。導電層ＣＬは、単一の平板状に形成され、複数の表示素子２０１に亘って共通に設けられている。導電層ＣＬは、絶縁層１３を介して金属層ＭＬ１、ＭＬ２、ＭＬ３に対向している。導電層ＣＬは、低電位電圧電源線ＰＬ２と電気的に接続されている。導電層ＣＬは、絶縁層１４によって覆われている。

【0032】

下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、絶縁層１４の上に配置されている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、絶縁層１４を介して導電層ＣＬに対向している。リブ５は、絶縁層１２及び下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の上に配置されている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の端部は、リブ５により覆われている。つまり、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の端部は、絶縁層１４とリブ５との間に配置されている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３のうち、互いに隣接する下電極の間では、絶縁層１４がリブ５により覆われている。

【0033】

有機層ＯＲ１は、開口ＡＰ１を通じて下電極ＬＥ１に接触し、下電極ＬＥ１を覆うとともに、リブ５の一部に重なっている。上電極ＵＥ１は、下電極ＬＥ１と対向するとともに、有機層ＯＲ１の上に配置され、有機層ＯＲ１を覆っている。

【0034】

有機層ＯＲ２は、開口ＡＰ２を通じて下電極ＬＥ２に接触し、下電極ＬＥ２を覆うとともに、リブ５の一部に重なっている。上電極ＵＥ２は、下電極ＬＥ２と対向するとともに、有機層ＯＲ２の上に配置され、有機層ＯＲ２を覆っている。

【0035】

有機層ＯＲ３は、開口ＡＰ３を通じて下電極ＬＥ３に接触し、下電極ＬＥ３を覆うとともに、リブ５の一部に重なっている。上電極ＵＥ３は、下電極ＬＥ３と対向するとともに、有機層ＯＲ３の上に配置され、有機層ＯＲ３を覆っている。

【0036】

図示した例では、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３は、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の発光層が発する光の光学特性を調整するためのキャップ層（光学調整層）ＣＡ１、ＣＡ２、ＣＡ３を含む。
キャップ層ＣＡ１は、開口ＡＰ１に位置し、上電極ＵＥ１の上に配置されている。キャップ層ＣＡ２は、開口ＡＰ２に位置し、上電極ＵＥ２の上に配置されている。キャップ層ＣＡ３は、開口ＡＰ３に位置し、上電極ＵＥ３の上に配置されている。

【0037】

副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３には、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３がそれぞれ配置されている。
封止層ＳＥ１は、キャップ層ＣＡ１及び上電極ＵＥ１を覆っている。封止層ＳＥ２は、キャップ層ＣＡ２及び上電極ＵＥ２を覆っている。封止層ＳＥ３は、キャップ層ＣＡ３及び上電極ＵＥ３を覆っている。封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、第１方向Ｘに間隔をおいて並んでいる。
封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、保護層１５により覆われている。

【0038】

絶縁層１２は、有機絶縁層である。
絶縁層１３、絶縁層１４、リブ５、及び、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、無機絶縁層である。

【0039】

絶縁層１３及び絶縁層１４は、無機絶縁材料の一例であるシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）で形成されている。絶縁層１３は第１無機絶縁層に相当し、絶縁層１４は第２無機絶縁層に相当する。

【0040】

リブ５は、無機絶縁材料の一例であるシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）で形成されている。なお、リブ５は、他の無機絶縁材料として、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、または、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）のいずれかの単層体として形成されてもよい。また、リブ５は、シリコン窒化物層、シリコン酸化物層、シリコン酸窒化物層、及び、酸化アルミニウム層のうちの少なくとも２つの組合せによる積層体として形成されてもよい。
リブ５の厚さは、絶縁層１２の厚さに比べて十分に小さい。一例では、リブ５の厚さは、２００ｎｍ以上かつ４００ｎｍ以下である。

【0041】

封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、いずれも同一の無機絶縁材料で形成されている。
封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、無機絶縁材料の一例であるシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）で形成されている。なお、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、他の無機絶縁材料として、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、または、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）のいずれかの単層体として形成されてもよい。また、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、シリコン窒化物層、シリコン酸化物層、シリコン酸窒化物層、及び、酸化アルミニウム層のうちの少なくとも２つの組合せによる積層体として形成されてもよい。このため、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、リブ５と同一材料で形成される場合があり得る。

【0042】

封止層ＳＥ１の厚さ、封止層ＳＥ２の厚さ、及び、封止層ＳＥ３の厚さは、ほぼ同等であり、例えば、１μｍ程度である。

【0043】

保護層１５は、透明な薄膜の多層体によって形成され、例えば、薄膜として、無機材料によって形成された薄膜及び有機材料によって形成された薄膜を含んでいる。

【0044】

下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、ＩＴＯなどの透明導電材料で形成されてもよいし、銀（Ａｇ）などの金属材料と透明導電材料との積層構造を有してもよい。上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、例えばマグネシウム及び銀の合金（ＭｇＡｇ）などの金属材料で形成されている。上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、ＩＴＯなどの透明導電材料で形成されてもよい。

【0045】

有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の各々は、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層などの複数の機能層を含む。また、有機層ＯＲ１は、発光層ＥＭ１を含む。有機層ＯＲ２は、発光層ＥＭ２を含む。発光層ＥＭ２は、発光層ＥＭ１とは異なる材料で形成されている。有機層ＯＲ３は、発光層ＥＭ３を含む。発光層ＥＭ３は、発光層ＥＭ１及びＥＭ２とは異なる材料で形成されている。

【0046】

発光層ＥＭ１を形成する材料、発光層ＥＭ２を形成する材料、及び、発光層ＥＭ３を形成する材料は、互いに異なる波長域の光を放つ材料である。
一例では、発光層ＥＭ１は、赤波長域の光を放つ材料によって形成され、発光層ＥＭ２は、緑波長域の光を放つ材料によって形成され、発光層ＥＭ３は、青波長域の光を放つ材料によって形成されている。

【0047】

キャップ層ＣＡ１、ＣＡ２、ＣＡ３は、例えば、透明な薄膜の多層体によって形成されている。多層体は、薄膜として、無機材料によって形成された薄膜及び有機材料によって形成された薄膜を含んでいてもよい。また、これらの複数の薄膜は、互いに異なる屈折率を有している。多層体を構成する薄膜の材料は、上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３の材料とは異なり、また、封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３の材料とも異なる。なお、キャップ層ＣＡ１、ＣＡ２、ＣＡ３は、省略してもよい。

【0048】

このような表示素子２０１、２０２、２０３において、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３には、それぞれ共通電圧が供給される。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３には、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がそれぞれ有する画素回路１を通じて画素電圧が供給される。

【0049】

下電極ＬＥ１と上電極ＵＥ１の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ１のうちの発光層ＥＭ１が赤波長域の光を放つ。下電極ＬＥ２と上電極ＵＥ２の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ２のうちの発光層ＥＭ２が緑波長域の光を放つ。下電極ＬＥ３と上電極ＵＥ３の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ３のうちの発光層ＥＭ３が青波長域の光を放つ。

【0050】

図４は、表示装置ＤＳＰの主要部の一構成例を示す平面図である。

【0051】

導電層ＣＬは、基板１０の上方において、表示領域ＤＡのほぼ全域に亘って配置され、さらに、表示領域ＤＡの外側の周辺領域ＳＡに延出している。導電層ＣＬは、接続部ＣＰ１１、ＣＰ２１、ＣＰ３１において、基板１０の辺１０Ａと表示領域ＤＡとの間に位置する低電位電圧電源線ＰＬ２と電気的に接続されている。

【0052】

複数の下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３は、導電層ＣＬの上方に位置し、表示領域ＤＡにおいて、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙのマトリクス状に配置されている。複数の下電極ＬＥ１が並んだ列、複数の下電極ＬＥ２が並んだ列、及び、複数の下電極ＬＥ３が並んだ列は、第１方向Ｘに並んでいる。

【0053】

複数の下電極ＬＥ１は、第２方向Ｙに沿って間隔をおいて一列に並んでいる。有機層ＯＲ１は、複数の島状に形成され、下電極ＬＥ１の各々の上に配置され、第２方向Ｙに沿って間隔をおいて一列に並んでいる。

【0054】

上電極ＵＥ１は、第２方向Ｙに延出した帯状に形成され、複数の下電極ＬＥ１が並んだ一列に対応して配置されている。つまり、上電極ＵＥ１は、表示領域ＤＡにおいて有機層ＯＲ１の上に配置されている。また、上電極ＵＥ１は、表示領域ＤＡを超えて周辺領域ＳＡに延出している。
上電極ＵＥ１のうち、基板１０の辺１０Ａと表示領域ＤＡとの間に延出した端部は、接続部ＣＰ１１において導電層ＣＬに接し、導電層ＣＬと電気的に接続されている。上電極ＵＥ１のうち、基板１０の辺１０Ｂと表示領域ＤＡとの間に延出した端部は、接続部ＣＰ１２において導電層ＣＬに接し、導電層ＣＬと電気的に接続されている。

【0055】

複数の下電極ＬＥ２は、第２方向Ｙに沿って間隔をおいて一列に並んでいる。有機層ＯＲ２は、複数の島状に形成され、下電極ＬＥ２の各々の上に配置され、第２方向Ｙに沿って間隔をおいて一列に並んでいる。

【0056】

上電極ＵＥ２は、第２方向Ｙに延出した帯状に形成され、複数の下電極ＬＥ２が並んだ一列に対応して配置されている。つまり、上電極ＵＥ２は、表示領域ＤＡにおいて有機層ＯＲ２の上に配置されている。また、上電極ＵＥ２は、表示領域ＤＡを超えて周辺領域ＳＡに延出している。
上電極ＵＥ２のうち、基板１０の辺１０Ａと表示領域ＤＡとの間に延出した端部は、接続部ＣＰ２１において導電層ＣＬに接し、導電層ＣＬと電気的に接続されている。上電極ＵＥ２のうち、基板１０の辺１０Ｂと表示領域ＤＡとの間に延出した端部は、接続部ＣＰ２２において導電層ＣＬに接し、導電層ＣＬと電気的に接続されている。

【0057】

複数の下電極ＬＥ３は、第２方向Ｙに沿って間隔をおいて一列に並んでいる。有機層ＯＲ３は、複数の島状に形成され、下電極ＬＥ３の各々の上に配置され、第２方向Ｙに沿って間隔をおいて一列に並んでいる。

【0058】

上電極ＵＥ３は、第２方向Ｙに延出した帯状に形成され、複数の下電極ＬＥ３が並んだ一列に対応して配置されている。つまり、上電極ＵＥ３は、表示領域ＤＡにおいて有機層ＯＲ３の上に配置されている。また、上電極ＵＥ３は、表示領域ＤＡを超えて周辺領域ＳＡに延出している。
上電極ＵＥ３のうち、基板１０の辺１０Ａと表示領域ＤＡとの間に延出した端部は、接続部ＣＰ３１において導電層ＣＬに接し、導電層ＣＬと電気的に接続されている。上電極ＵＥ３のうち、基板１０の辺１０Ｂと表示領域ＤＡとの間に延出した端部は、接続部ＣＰ３２において導電層ＣＬに接し、導電層ＣＬと電気的に接続されている。

【0059】

一例では、上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３の第１方向Ｘに沿った幅は、１０００ｐｐｉ以上の精細度が要求される仕様において、３μｍ～１０μｍである。

【0060】

図５は、図４中のＣ－Ｄ線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。なお、図５においては、キャップ層、封止層、保護層の図示を省略している。

【0061】

図３に示した回路層１１は、絶縁層１１１、絶縁層１１２、絶縁層１１３、駆動トランジスタ３、高電位電圧電源線ＰＬ１、低電位電圧電源線ＰＬ２などを有している。絶縁層１１１、絶縁層１１２、及び、絶縁層１１３は、無機絶縁層である。

【0062】

駆動トランジスタ３は、絶縁層１１１の上に配置され、絶縁層１２で覆われている。駆動トランジスタ３は、半導体層ＳＣと、ゲート電極ＧＥと、接続電極ＣＮ１及びＣＮ２と、を備えている。

【0063】

半導体層ＳＣは、絶縁層１１１の上に配置され、絶縁層１１２で覆われている。ゲート電極ＧＥは、絶縁層１１２の上に配置され、絶縁層１１３で覆われている。接続電極ＣＮ１及びＣＮ２は、絶縁層１１３の上に配置され、絶縁層１２で覆われている。

【0064】

半導体層ＳＣの高抵抗領域はゲート電極ＧＥに重畳し、半導体層ＳＣの低抵抗領域は接続電極ＣＮ１及びＣＮ２に接続されている。接続電極ＣＮ１は、半導体層ＳＣと下電極ＬＥ１とを電気的に接続する。接続電極ＣＮ２は、半導体層ＳＣと金属層ＭＬ１とを電気的に接続する。

【0065】

高電位電圧電源線ＰＬ１及び低電位電圧電源線ＰＬ２は、絶縁層１１３の上に配置され、絶縁層１２で覆われている。高電位電圧電源線ＰＬ１及び低電位電圧電源線ＰＬ２は、接続電極ＣＮ１及びＣＮ２と同一材料によって形成され、例えば、図中に拡大して示すように、一対のチタン層ＴＩ１及びＴＩ２の間にアルミニウム層ＡＬ１が位置する積層体である。

【0066】

金属層ＭＬ１及び接続電極ＣＮは、絶縁層１２の上に配置され、絶縁層１３で覆われている。金属層ＭＬ１は、駆動トランジスタ３と高電位電圧電源線ＰＬ１とを電気的に接続する。接続電極ＣＮは、接続部ＣＰ１１において、低電位電圧電源線ＰＬ２に接している。金属層ＭＬ１及び接続電極ＣＮは、同一材料によって形成され、例えば、図中に拡大して示すように、一対のチタン層ＴＩ１及びＴＩ２の間にアルミニウム層ＡＬ１が位置する積層体である。

【0067】

導電層ＣＬは、絶縁層１３の上に配置され、絶縁層１４で覆われている。導電層ＣＬは、周辺領域ＳＡの接続部ＣＰ１１において、接続電極ＣＮに接している。つまり、接続電極ＣＮは、導電層ＣＬと低電位電圧電源線ＰＬ２とを電気的に接続する。
導電層ＣＬは、表示領域ＤＡにおいて、下電極ＬＥ１と駆動トランジスタ３との電気的な接続を可能とするための開口ＯＰを有している。また、導電層ＣＬは、表示領域ＤＡにおいて、絶縁層１３を介して金属層ＭＬ１と対向し、キャパシタ４を構成している。導電層ＣＬは、例えば、図中に拡大して示すように、一対のチタン層ＴＩ１及びＴＩ２の間にアルミニウム層ＡＬ１が位置する積層体である。

【0068】

下電極ＬＥ１は、絶縁層１４の上に配置され、絶縁層１３を介して導電層ＣＬと対向している。このような下電極ＬＥ１と導電層ＣＬとでもキャパシタ４を構成することができる。下電極ＬＥ１は、例えば、一対の透明電極（ＩＴＯ）の間に反射電極（Ａｇ）が位置する積層体である。

【0069】

上電極ＵＥ１は、表示領域ＤＡ及び周辺領域ＳＡに亘って延出し、接続部ＣＰ１１において、絶縁層１４に形成されたコンタクトホールにおいて導電層ＣＬに接している。これにより、上電極ＵＥ１は、導電層ＣＬと電気的に接続されるとともに、低電位電圧電源線ＰＬ２と電気的に接続される。上電極ＵＥ１は、例えば、マグネシウム及び銀の合金で形成されている。

【0070】

以上説明したように、表示領域ＤＡのほぼ全域に亘って配置された導電層ＣＬは、金属材料の積層体で形成されている。導電層ＣＬの抵抗値は、透明酸化物で形成された導電層の抵抗値と比較して低く、導電層ＣＬの面内での電位勾配の生成が抑制される。上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３の各々は、帯状に形成され、表示領域ＤＡの外側の周辺領域ＳＡに延出した両端部で導電層ＣＬに接続されている。このため、上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３の各々に関して、基板１０の辺１０Ａの側と、基板１０の辺１０Ｂの側とでの抵抗差が低減される。つまり、上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３の各々について、所望の電圧を印加することができる。このため、表示領域ＤＡの全域の副画素ＳＰにおいて、所望の表示性能を実現することができ、信頼性の低下が抑制される。

【0071】

また、基板１０の辺１０Ｂと表示領域ＤＡとの間に複雑な構造の給電部を設ける必要がなく、辺１０Ｂと表示領域ＤＡとの間の狭額縁化が可能となる。

【0072】

さらに、基板１０の辺１０Ｃと表示領域ＤＡとの間、及び、基板１０の辺１０Ｄと表示領域ＤＡとの間に、給電配線を引き回す必要がなく、辺１０Ｃと表示領域ＤＡとの間の狭額縁化、及び、辺１０Ｄと表示領域ＤＡとの間の狭額縁化が可能となる。

【0073】

図６は、表示装置ＤＳＰの主要部の他の構成例を示す平面図である。

【0074】

図６に示す構成例は、図４に示した構成例と比較して、有機層ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３の各々が帯状に形成された点で相違している。ここでは、図４を参照して説明した構成については同一の参照符号を付して詳細な説明を省略する場合がある。

【0075】

導電層ＣＬは、表示領域ＤＡのほぼ全域に亘って配置され、さらに、表示領域ＤＡの外側の周辺領域ＳＡに延出している。導電層ＣＬは、接続部ＣＰ１１、ＣＰ２１、ＣＰ３１おいて、基板１０の辺１０Ａと表示領域ＤＡとの間に位置する低電位電圧電源線ＰＬ２と電気的に接続されている。

【0076】

複数の下電極ＬＥ１は、第２方向Ｙに沿って間隔をおいて一列に並んでいる。上電極ＵＥ１は、第２方向Ｙに延出した帯状に形成され、複数の下電極ＬＥ１が並んだ一列に対応して配置されている。有機層ＯＲ１は、第２方向Ｙに延出した帯状に形成され、上電極ＵＥ１とほぼ平行に延出し、下電極ＬＥ１の各々の上に配置されている。上電極ＵＥ１は、表示領域ＤＡにおいて有機層ＯＲ１の上に配置され、表示領域ＤＡを超えて周辺領域ＳＡに延出している。

【0077】

上電極ＵＥ１のうち、基板１０の辺１０Ａと表示領域ＤＡとの間に延出した端部は、接続部ＣＰ１１において導電層ＣＬに接している。上電極ＵＥ１のうち、基板１０の辺１０Ｂと表示領域ＤＡとの間に延出した端部は、接続部ＣＰ１２において導電層ＣＬに接している。

【0078】

複数の下電極ＬＥ２は、第２方向Ｙに沿って間隔をおいて一列に並んでいる。上電極ＵＥ２は、第２方向Ｙに延出した帯状に形成され、複数の下電極ＬＥ２が並んだ一列に対応して配置されている。有機層ＯＲ２は、第２方向Ｙに延出した帯状に形成され、上電極ＵＥ２とほぼ平行に延出し、下電極ＬＥ２の各々の上に配置されている。上電極ＵＥ２は、表示領域ＤＡにおいて有機層ＯＲ２の上に配置され、表示領域ＤＡを超えて周辺領域ＳＡに延出している。

【0079】

上電極ＵＥ２のうち、基板１０の辺１０Ａと表示領域ＤＡとの間に延出した端部は、接続部ＣＰ２１において導電層ＣＬに接している。上電極ＵＥ２のうち、基板１０の辺１０Ｂと表示領域ＤＡとの間に延出した端部は、接続部ＣＰ２２において導電層ＣＬに接している。

【0080】

複数の下電極ＬＥ３は、第２方向Ｙに沿って間隔をおいて一列に並んでいる。上電極ＵＥ３は、第２方向Ｙに延出した帯状に形成され、複数の下電極ＬＥ３が並んだ一列に対応して配置されている。有機層ＯＲ３は、第２方向Ｙに延出した帯状に形成され、上電極ＵＥ３とほぼ平行に延出し、下電極ＬＥ３の各々の上に配置されている。上電極ＵＥ３は、表示領域ＤＡにおいて有機層ＯＲ３の上に配置され、表示領域ＤＡを超えて周辺領域ＳＡに延出している。

【0081】

上電極ＵＥ３のうち、基板１０の辺１０Ａと表示領域ＤＡとの間に延出した端部は、接続部ＣＰ３１において導電層ＣＬに接している。上電極ＵＥ３のうち、基板１０の辺１０Ｂと表示領域ＤＡとの間に延出した端部は、接続部ＣＰ３２において導電層ＣＬに接している。

【0082】

このような構成例においても、上記したのと同様の効果が得られる。

【0083】

図７は、表示装置ＤＳＰの他の主要部の一構成例を示す平面図である。ここでは、有機層等の図示を省略している。

【0084】

図３に示したキャップ層ＣＡ１及び封止層ＳＥ１の各々は、平面視において、第２方向Ｙに延出している。すなわち、キャップ層ＣＡ１は、上電極ＵＥ１の上に配置され、上電極ＵＥ１とほぼ平行に延出した帯状に形成されている。封止層ＳＥ１は、上電極ＵＥ１及びキャップ層ＣＡ１を覆い、上電極ＵＥ１とほぼ平行に延出した帯状に形成されている。

【0085】

キャップ層ＣＡ２は、上電極ＵＥ２の上に配置され、上電極ＵＥ２とほぼ平行に延出した帯状に形成されている。封止層ＳＥ２は、上電極ＵＥ２及びキャップ層ＣＡ２を覆い、上電極ＵＥ２とほぼ平行に延出した帯状に形成されている。
キャップ層ＣＡ３は、上電極ＵＥ３の上に配置され、上電極ＵＥ３とほぼ平行に延出した帯状に形成されている。封止層ＳＥ３は、上電極ＵＥ３及びキャップ層ＣＡ３を覆い、上電極ＵＥ３とほぼ平行に延出した帯状に形成されている。

【0086】

これらの形状のキャップ層ＣＡ１、ＣＡ２、ＣＡ３、及び、封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３は、図４に示したように有機層ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３が複数の島状に形成されている場合に適用可能であり、また、図６に示したように有機層ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３が帯状に形成されている場合にも適用可能である。

【0087】

封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３の各々は、シリコン窒化物等の無機絶縁材料で形成され、互いに離間している。このため、封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３を通じた水分の浸入を抑制することができ、下電極及び上電極の腐食や、図示を省略した有機層の劣化が抑制される。

【0088】

以上説明したように、本実施形態によれば、信頼性の低下を抑制することが可能な表示装置を提供することができる。

【0089】

以上、本発明の実施形態として説明した表示装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置も、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に属する。

【0090】

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

【0091】

また、上述の実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

【符号の説明】

【0092】

ＤＳＰ…表示装置 ＤＡ…表示領域 ＳＡ…周辺領域
ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３…副画素
１０…基板
３…駆動トランジスタ
５…リブ ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３…開口
２０，２０１，２０２，２０３…表示素子（有機ＥＬ素子）
ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３…下電極（アノード）
ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３…上電極（カソード）
ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３…有機層
ＣＡ１，ＣＡ２，ＣＡ３…キャップ層
ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３…封止層
ＣＬ…導電層
ＭＬ１，ＭＬ２，ＭＬ３…金属層
１２…絶縁層（有機絶縁層）
１３…絶縁層（第１無機絶縁層） １４…絶縁層（第２無機絶縁層）

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】