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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024002153
(43)【公開日】2024-01-11
(54)【発明の名称】配線回路基板
(51)【国際特許分類】
H05K 1/05 20060101AFI20231228BHJP
【ＦＩ】
H05K1/05 Z
【審査請求】未請求
【請求項の数】9
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022101183
(22)【出願日】2022-06-23
(71)【出願人】
【識別番号】000003964
【氏名又は名称】日東電工株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100103517
【弁理士】
【氏名又は名称】岡本 寛之
(74)【代理人】
【識別番号】100149607
【弁理士】
【氏名又は名称】宇田 新一
(72)【発明者】
【氏名】池田 敬裕
(72)【発明者】
【氏名】石川 岳人
(72)【発明者】
【氏名】武田 雄希
(72)【発明者】
【氏名】▲桑▼山 裕紀
(72)【発明者】
【氏名】山田 恭太郎
【テーマコード（参考）】
5E315
【Ｆターム（参考）】
5E315AA03
5E315AA11
5E315BB02
5E315BB04
5E315BB05
5E315CC01
5E315DD15
5E315GG22
(57)【要約】 （修正有）
【課題】第１金属薄膜を簡便に形成でき、導体層と金属支持基板との間の抵抗を低くできる配線回路基板を提供する。
【解決手段】配線回路基板１は、金属支持基板２、第１金属薄膜３、絶縁層４、第２金属薄膜５及び導体層６と、を備える。第１金属薄膜３は、厚み方向金属支持基板２の一方面に配置される。絶縁層４は、厚み方向第１金属薄膜３の一方面に配置され、厚み方向に貫通する貫通孔４１を有する。第２金属薄膜６は、厚み方向絶縁層４の一方面に配置される。導体層５は、第２金属薄膜５の一方面に配置される。貫通孔４１内において、第１金属薄膜３及び第２金属薄膜５は、金属支持基板２と導体層６との間に配置され、金属支持基板２の一方面に第１金属薄膜３の他方面が接触し、第１金属薄膜３の一方面に第２金属薄膜５の他方面が接触する。第２金属薄膜５の一方面に導体層６の他方面が接触する。少なくとも第１金属薄膜３は、クロムを含む合金である。
【選択図】図１
【解決手段】配線回路基板１は、金属支持基板２、第１金属薄膜３、絶縁層４、第２金属薄膜５及び導体層６と、を備える。第１金属薄膜３は、厚み方向金属支持基板２の一方面に配置される。絶縁層４は、厚み方向第１金属薄膜３の一方面に配置され、厚み方向に貫通する貫通孔４１を有する。第２金属薄膜６は、厚み方向絶縁層４の一方面に配置される。導体層５は、第２金属薄膜５の一方面に配置される。貫通孔４１内において、第１金属薄膜３及び第２金属薄膜５は、金属支持基板２と導体層６との間に配置され、金属支持基板２の一方面に第１金属薄膜３の他方面が接触し、第１金属薄膜３の一方面に第２金属薄膜５の他方面が接触する。第２金属薄膜５の一方面に導体層６の他方面が接触する。少なくとも第１金属薄膜３は、クロムを含む合金である。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
金属支持基板と、
厚み方向における前記金属支持基板の一方面に配置される第１金属薄膜と、
厚み方向における前記第１金属薄膜の一方面に配置される絶縁層であって、厚み方向を貫通する貫通孔を有する絶縁層と、
前記絶縁層の一方面に配置される第２金属薄膜と、
前記第２金属薄膜の一方面に配置される導体層とを備え、
前記貫通孔内において、前記第１金属薄膜および前記第２金属薄膜は、前記金属支持基板と前記導体層との間に配置され、前記金属支持基板の一方面に前記第１金属薄膜の他方面が接触し、前記第１金属薄膜の一方面に前記第２金属薄膜の他方面が接触し、前記第２金属薄膜の一方面に前記導体層の他方面が接触し、
少なくとも前記第１金属薄膜の材料は、クロムを含む合金である、配線回路基板。
厚み方向における前記金属支持基板の一方面に配置される第１金属薄膜と、
厚み方向における前記第１金属薄膜の一方面に配置される絶縁層であって、厚み方向を貫通する貫通孔を有する絶縁層と、
前記絶縁層の一方面に配置される第２金属薄膜と、
前記第２金属薄膜の一方面に配置される導体層とを備え、
前記貫通孔内において、前記第１金属薄膜および前記第２金属薄膜は、前記金属支持基板と前記導体層との間に配置され、前記金属支持基板の一方面に前記第１金属薄膜の他方面が接触し、前記第１金属薄膜の一方面に前記第２金属薄膜の他方面が接触し、前記第２金属薄膜の一方面に前記導体層の他方面が接触し、
少なくとも前記第１金属薄膜の材料は、クロムを含む合金である、配線回路基板。
【請求項2】
前記合金における前記クロムの含有割合は、５０質量％以下である、請求項１に記載の配線回路基板。
【請求項3】
前記合金は、さらに、ニッケル、チタン、タングステンおよびモリブデンからなる群から選択される少なくとも１つの金属を含有する、請求項１または請求項２に記載の配線回路基板。
【請求項4】
前記第２金属薄膜の材料は、クロムを含む第２合金である、請求項１または請求項２に記載の配線回路基板。
【請求項5】
前記第２合金における前記クロムの含有割合は、５０質量％以下である、請求項４に記載の配線回路基板。
【請求項6】
前記合金は、さらに、ニッケル、チタン、タングステンおよびモリブデンからなる群から選択される少なくとも１つの金属を含有する、請求項４に記載の配線回路基板。
【請求項7】
前記合金と、前記第２合金とは、同一組成である、請求項４に記載の配線回路基板。
【請求項8】
前記第１金属薄膜は、
第１金属層と、
厚み方向における前記第１金属層の一方面に配置される第１酸化層と
を備える、請求項１または請求項２に記載の配線回路基板。
第１金属層と、
厚み方向における前記第１金属層の一方面に配置される第１酸化層と
を備える、請求項１または請求項２に記載の配線回路基板。
【請求項9】
前記金属支持基板は、
金属支持層と、
厚み方向における前記金属支持層の一方面に配置される表面金属層であって、前記金属支持層より導電率が高い表面金属層と
を備える、請求項１または請求項２に記載の配線回路基板。
金属支持層と、
厚み方向における前記金属支持層の一方面に配置される表面金属層であって、前記金属支持層より導電率が高い表面金属層と
を備える、請求項１または請求項２に記載の配線回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、配線回路基板に関する。
【背景技術】
【0002】
金属支持基板と、第１金属薄膜と、絶縁層と、第２金属薄膜と、グランド層とを備える配線回路基板が知られている（例えば、下記特許文献１参照。）。
【0003】
特許文献１に記載の配線回路基板では、第１金属薄膜は、金属支持基板の上面に配置されている。絶縁層は、第１金属薄膜の上面に配置されている。第１金属薄膜および絶縁層は、それらを厚み方向に貫通する開口部を共通して有する。なお、第１金属薄膜の開口部は、絶縁層の開口部から露出する第１金属薄膜の除去により形成される。
【0004】
第２金属薄膜およびグランド層は、上記した開口部内に配置されており、開口部内では、第２金属薄膜を介して金属支持基板と電気的に接続される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開２０２２－３０６６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
特許文献１に記載の配線回路基板の第１金属薄膜の形成において、絶縁層の開口部から露出する部分の除去が必要となる。そのため、第１金属薄膜の形成は、手間がかかる。
【0007】
そこで、第１金属薄膜を簡便に形成するために、上記した部分を除去せずに、開口部内に残すことが試みられる。
【0008】
上記の試みでは、第１金属薄膜を形成した後に、絶縁層をフォトリソグラフィーで形成する際に、第１金属薄膜は、露光後の絶縁層とともに加熱される。すると、絶縁層の開口部から露出する第１金属薄膜は、大気に暴露されて、酸化される。第１金属薄膜が、クロム単体であれば、上記した酸化によって、第１金属薄膜の抵抗が顕著に増大する。すると、グランド層と金属支持基板との間の抵抗を低くできないという不具合がある。
【0009】
本発明は、第１金属薄膜を簡便に形成できながら、導体層と金属支持基板との間に第１金属薄膜および第２金属薄膜が介在しても、導体層と金属支持基板との間の抵抗を低くできる配線回路基板を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0010】
本発明［１］は、金属支持基板と、厚み方向における前記金属支持基板の一方面に配置される第１金属薄膜と、厚み方向における前記第１金属薄膜の一方面に配置される絶縁層であって、厚み方向を貫通する貫通孔を有する絶縁層と、前記絶縁層の一方面に配置される第２金属薄膜と、前記第２金属薄膜の一方面に配置される導体層とを備え、前記貫通孔内において、前記第１金属薄膜および前記第２金属薄膜は、前記金属支持基板と前記導体層との間に配置され、前記金属支持基板の一方面に前記第１金属薄膜の他方面が接触し、前記第１金属薄膜の一方面に前記第２金属薄膜の他方面が接触し、前記第２金属薄膜の一方面に前記導体層の他方面が接触し、少なくとも前記第１金属薄膜の材料は、クロムを含む合金である、配線回路基板を含む。
【0011】
この配線回路基板によれば、貫通孔内において、第１金属薄膜および第２金属薄膜は、金属支持基板と導体層との間に配置されるので、第１金属薄膜の除去を不要とすることができ、第１金属薄膜を簡便に形成できる。
【0012】
また、この配線回路基板では、第１金属薄膜の材料は、クロムを含む合金であるので、導体層と金属支持基板との間に第１金属薄膜および第２金属薄膜が介在しても、導体層と金属支持基板との間の抵抗を低くできる。
【0013】
本発明［２］は、前記合金における前記クロムの含有割合は、５０質量％以下である、［１］に記載の配線回路基板を含む。
【0014】
本発明［３］は、前記合金は、さらに、ニッケル、チタン、タングステンおよびモリブデンからなる群から選択される少なくとも１つの金属を含有する、［１］または［２］に記載の配線回路基板を含む。
【0015】
本発明［４］は、前記第２金属薄膜の材料は、クロムを含む第２合金である、［１］または［２］に記載の配線回路基板を含む。
【0016】
この配線回路基板では、第２金属薄膜の材料は、クロムを含む第２合金であるので、導体層と金属支持基板との間の抵抗をより一層低くできる。
【0017】
本発明［５］は、前記第２合金における前記クロムの含有割合は、５０質量％以下である、［４］に記載の配線回路基板を含む。
【0018】
本発明［６］は、前記合金は、さらに、ニッケル、チタン、タングステンおよびモリブデンからなる群から選択される少なくとも１つの金属を含有する、［４］に記載の配線回路基板を含む。
【0019】
本発明［７］は、前記合金と、前記第２合金とは、同一組成である、［４］に記載の配線回路基板を含む。
【0020】
この配線回路基板では、第１金属薄膜の合金と、第２金属薄膜の第２合金とが、同一組成であるので、第１金属薄膜および第２金属薄膜を、共通の装置で効率的に形成できる。さらに、同じ種類のエッチング液を用いて、第１金属薄膜および第２金属薄膜を効率的にパターン形成できる。
【0021】
本発明［８］は、前記第１金属薄膜は、第１金属層と、厚み方向における前記第１金属層の一方面に配置される第１酸化層とを備える、［１］または［２］に記載の配線回路基板を含む。
【0022】
第１金属薄膜は、第１酸化層を備えるので、第１金属薄膜の抵抗が増大する傾向がある。
【0023】
しかし、この配線回路基板では、第１金属薄膜の材料が、クロムを含む合金であるので、導体層と金属支持基板との間の抵抗を低くできる。
【0024】
本発明［９］は、前記金属支持基板は、金属支持層と、厚み方向における前記金属支持層の一方面に配置される表面金属層であって、前記金属支持層より導電率が高い表面金属層とを備える、［１］または［２］に記載の配線回路基板を含む。
【0025】
この配線回路基板では、金属支持基板は、金属支持層より導電率が高い表面金属層を備えるので、導体層と金属支持層との間の抵抗をより一層低くできる。
【発明の効果】
【0026】
本発明の配線回路基板は、第１金属薄膜を簡便に形成できながら、導体層と金属支持基板との間に第１金属薄膜および第２金属薄膜が介在しても、導体層と金属支持基板との間の抵抗を低くできる。
【図面の簡単な説明】
【0027】
【図1】本発明の配線回路基板の一実施形態の断面図である。
【図2】図１に示す配線回路基板の工程図である。図２Ａは、第１金属薄膜を形成する工程である。図２Ｂは、絶縁層を形成する工程である。図２Ｃは、第２金属薄膜を形成する工程である。図２Ｄは、導体層を形成する工程である。図２Ｅは、カバー絶縁層を形成する工程である。
【図3】第１変形例の配線回路基板の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0028】
１． 本発明の配線回路基板の一実施形態
図１を参照して、本発明の配線回路基板の一実施形態を説明する。
図１を参照して、本発明の配線回路基板の一実施形態を説明する。
【0029】
図１に示すように、配線回路基板１は、厚みを有する。配線回路基板１は、シート形状を有する。配線回路基板１は、面方向に延びる。面方向は、厚み方向に直交する。配線回路基板１は、金属支持基板２と、第１金属薄膜３と、絶縁層４と、第２金属薄膜５と、導体層６と、を備える。また、配線回路基板１は、さらに、カバー絶縁層７を備える。
【0030】
２． 金属支持基板２
金属支持基板２は、厚み方向における配線回路基板１の他端部に配置される。金属支持基板２は、面方向に延びる。本実施形態では、金属支持基板２は、金属支持層２１のみを備える。金属支持層２１は、厚み方向における配線回路基板１の他方面を形成する。金属支持層２１の材料としては、鉄、ステンレス、銅、および、銅合金が挙げられ、好ましくは、ステンレス、および、銅合金が挙げられる。金属支持層２１の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、５００μｍ以下である。
金属支持基板２は、厚み方向における配線回路基板１の他端部に配置される。金属支持基板２は、面方向に延びる。本実施形態では、金属支持基板２は、金属支持層２１のみを備える。金属支持層２１は、厚み方向における配線回路基板１の他方面を形成する。金属支持層２１の材料としては、鉄、ステンレス、銅、および、銅合金が挙げられ、好ましくは、ステンレス、および、銅合金が挙げられる。金属支持層２１の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、５００μｍ以下である。
【0031】
３． 第１金属薄膜３
第１金属薄膜３は、厚み方向における金属支持基板２の一方面に配置される。厚み方向における第１金属薄膜３の他方面は、厚み方向における金属支持基板２の一方面に接触する。具体的には、厚み方向における第１金属薄膜３の他方面は、厚み方向における金属支持層２１の一方面に接触する。好ましくは、第１金属薄膜３は、厚み方向における金属支持層２１の一方面の全部に接触する。第１金属薄膜３は、面方向に延びる。第１金属薄膜３の材料は、合金である。合金は、クロムを含む。合金は、クロムの他に、例えば、ニッケル、チタン、タングステンおよびモリブデンからなる群から選択される少なくとも１つの金属を含む。合金が上記した少なくとも１つの金属を含むことによって、第１金属薄膜３は酸化しても高抵抗化を抑制できる。金属としては、好ましくは、ニッケル、および、チタンが挙げられる。合金としては、好ましくは、ＣｒＴｉ合金、および、ＮｉＣｒ合金が挙げられる。
第１金属薄膜３は、厚み方向における金属支持基板２の一方面に配置される。厚み方向における第１金属薄膜３の他方面は、厚み方向における金属支持基板２の一方面に接触する。具体的には、厚み方向における第１金属薄膜３の他方面は、厚み方向における金属支持層２１の一方面に接触する。好ましくは、第１金属薄膜３は、厚み方向における金属支持層２１の一方面の全部に接触する。第１金属薄膜３は、面方向に延びる。第１金属薄膜３の材料は、合金である。合金は、クロムを含む。合金は、クロムの他に、例えば、ニッケル、チタン、タングステンおよびモリブデンからなる群から選択される少なくとも１つの金属を含む。合金が上記した少なくとも１つの金属を含むことによって、第１金属薄膜３は酸化しても高抵抗化を抑制できる。金属としては、好ましくは、ニッケル、および、チタンが挙げられる。合金としては、好ましくは、ＣｒＴｉ合金、および、ＮｉＣｒ合金が挙げられる。
【0032】
合金におけるクロムの含有割合は、例えば、９０質量％以下、好ましくは、５０質量％以下、より好ましくは、３０質量％以下であり、また、例えば、１質量％以上、好ましくは、５質量％以上、より好ましくは、１０質量％以上である。
【0033】
合金におけるクロムの含有割合が上記した上限以下であれば、第１金属薄膜３の抵抗を低減でき、より具体的には、第１金属薄膜３が第１酸化層３２を備えることによる第１金属薄膜３の抵抗の増大を抑制できる。そのため、後述する導体層６と金属支持基板２との間の抵抗をより一層低くできる。
【0034】
合金におけるクロムの含有割合が上記した下限以上であれば、絶縁層４との密着性を担保できる。合金におけるクロムの含有割合は、ＴＥＭ－ＥＤＸ（エネルギー分散型Ｘ線分光法）により求められる。
【0035】
合金におけるクロムを除く金属の含有割合は、クロムの上記した含有割合の残部である。合金における金属の含有割合は、ＴＥＭ－ＥＤＸにより求められる。
【0036】
３．１ 第１金属層３１
第１金属薄膜３は、第１金属層３１と、第１酸化層３２とを備える。第１金属層３１は、厚み方向における第１金属薄膜３の他端部に配置される。第１金属層３１は、面方向に延びる。第１金属層３１は、厚み方向における金属支持基板２の一方面の全部に接触する。第１金属薄膜３の材料としては、上記した合金が挙げられる。第１金属層３１の厚みは、例えば、１ｎｍ以上、好ましくは、１０ｎｍ以上であり、また、例えば、５００ｎｍ以下、好ましくは、２５０ｎｍ以下である。
第１金属薄膜３は、第１金属層３１と、第１酸化層３２とを備える。第１金属層３１は、厚み方向における第１金属薄膜３の他端部に配置される。第１金属層３１は、面方向に延びる。第１金属層３１は、厚み方向における金属支持基板２の一方面の全部に接触する。第１金属薄膜３の材料としては、上記した合金が挙げられる。第１金属層３１の厚みは、例えば、１ｎｍ以上、好ましくは、１０ｎｍ以上であり、また、例えば、５００ｎｍ以下、好ましくは、２５０ｎｍ以下である。
【0037】
３．２ 第１酸化層３２
第１酸化層３２は、厚み方向における第１金属薄膜３の一端部に配置される。第１酸化層３２は、厚み方向における第１金属層３１の一方面に配置される。つまり、第１酸化層３２は、第１酸化層３２は、厚み方向における第１金属層３１の一方面の全部に接触する。第１酸化層３２は、後述する絶縁層４の製造における加熱（露光後加熱）によって形成される。第１酸化層３２の材料は、上記した合金の複合酸化物である。第１酸化層３２の厚みは、例えば、０．５ｎｍ以上、好ましくは、１ｎｍ以上であり、また、例えば、２０ｎｍ以下、好ましくは、１０ｎｍ以下である。第１金属層３１の厚みに対する第１酸化層３２の厚みの比は、例えば、０．００１以上、好ましくは、０．００２以上であり、また、例えば、１以下、好ましくは、０．５以下である。なお、第１金属層３１と第１酸化層３２との境界は、図１の拡大図で示すように、破線で示されるが、境界が明確に観察されないことも許容される。第１酸化層３２の存在は、ＴＥＭ－ＥＤＸによって求められる。
第１酸化層３２は、厚み方向における第１金属薄膜３の一端部に配置される。第１酸化層３２は、厚み方向における第１金属層３１の一方面に配置される。つまり、第１酸化層３２は、第１酸化層３２は、厚み方向における第１金属層３１の一方面の全部に接触する。第１酸化層３２は、後述する絶縁層４の製造における加熱（露光後加熱）によって形成される。第１酸化層３２の材料は、上記した合金の複合酸化物である。第１酸化層３２の厚みは、例えば、０．５ｎｍ以上、好ましくは、１ｎｍ以上であり、また、例えば、２０ｎｍ以下、好ましくは、１０ｎｍ以下である。第１金属層３１の厚みに対する第１酸化層３２の厚みの比は、例えば、０．００１以上、好ましくは、０．００２以上であり、また、例えば、１以下、好ましくは、０．５以下である。なお、第１金属層３１と第１酸化層３２との境界は、図１の拡大図で示すように、破線で示されるが、境界が明確に観察されないことも許容される。第１酸化層３２の存在は、ＴＥＭ－ＥＤＸによって求められる。
【0038】
第１金属薄膜３の厚みは、例えば、１ｎｍ以上、好ましくは、１０ｎｍ以上であり、また、例えば、５００ｎｍ以下、好ましくは、２５０ｎｍ以下である。
【0039】
４． 絶縁層４
絶縁層４は、厚み方向における第１金属薄膜３の一方面に配置される。絶縁層４は、厚み方向における第１金属薄膜３の一方面に接触する。絶縁層４は、厚み方向における第１酸化層３２の一方面に配置され、第１酸化層３２の一方面に接触する。絶縁層４は、面方向に延びる。絶縁層４は、ベース絶縁層である。
絶縁層４は、厚み方向における第１金属薄膜３の一方面に配置される。絶縁層４は、厚み方向における第１金属薄膜３の一方面に接触する。絶縁層４は、厚み方向における第１酸化層３２の一方面に配置され、第１酸化層３２の一方面に接触する。絶縁層４は、面方向に延びる。絶縁層４は、ベース絶縁層である。
【0040】
絶縁層４は、貫通孔４１を有する。貫通孔４１は、厚み方向において絶縁層４を貫通する。本実施形態では、貫通孔４１は、厚み方向の一方側に向かって開口断面積が大きくなる断面略テーパ形状を有する。貫通孔４１は、絶縁層４の内周面４２によって区画される。絶縁層４の材料としては、例えば、絶縁性樹脂が挙げられる。絶縁性樹脂としては、例えば、ポリイミドが挙げられる。絶縁層４の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上であり、また、例えば、１００μｍ以下、好ましくは、５０μｍ以下である。
【0041】
５． 第２金属薄膜５
第２金属薄膜５は、絶縁層４の一方面に配置される。具体的には、第２金属薄膜５は、厚み方向における絶縁層４の一方面と、絶縁層４の内周面４２とに接触する。また、第２金属薄膜５は、貫通孔４１内において、厚み方向における第１金属薄膜３の一方面に配置されている。具体的には、厚み方向における第２金属薄膜５の他方面は、貫通孔４１内において、厚み方向における第１金属薄膜３の一方面に接触している。絶縁層４に接触する第２金属薄膜５と、第１金属薄膜３に接触する第２金属薄膜５とは、連続する。
第２金属薄膜５は、絶縁層４の一方面に配置される。具体的には、第２金属薄膜５は、厚み方向における絶縁層４の一方面と、絶縁層４の内周面４２とに接触する。また、第２金属薄膜５は、貫通孔４１内において、厚み方向における第１金属薄膜３の一方面に配置されている。具体的には、厚み方向における第２金属薄膜５の他方面は、貫通孔４１内において、厚み方向における第１金属薄膜３の一方面に接触している。絶縁層４に接触する第２金属薄膜５と、第１金属薄膜３に接触する第２金属薄膜５とは、連続する。
【0042】
第２金属薄膜５の材料は、例えば、第２合金である。第２合金は、クロムを含む。第２合金は、クロムの他に、例えば、ニッケル、チタン、タングステンおよびモリブデンからなる群から選択される少なくとも１つの金属を含む。第２合金が上記した少なくとも１つの金属を含むことによって、第２金属薄膜５が酸化しても第２金属薄膜５の高抵抗化を抑制できる。金属としては、好ましくは、ニッケル、および、チタンが挙げられる。第２合金としては、好ましくは、ＣｒＴｉ合金、および、ＮｉＣｒ合金が挙げられる。また、好ましくは、第２金属薄膜５の第２合金と、第１金属薄膜３の合金とは、同一組成である。
【0043】
第２金属薄膜５の第２合金と、第１金属薄膜３の合金とは、同一組成であれば、第１金属薄膜３および第２金属薄膜５を、共通の装置で効率的に形成できる。さらに、同じ種類のエッチング液を用いて、第１金属薄膜３および第２金属薄膜５を効率的にパターン形成できる。
【0044】
第２合金におけるクロムの含有割合は、例えば、９０質量％以下、好ましくは、５０質量％以下、より好ましくは、３０質量％以下であり、また、例えば、１質量％以上、好ましくは、５質量％以上、より好ましくは、１０質量％以上である。
【0045】
第２合金におけるクロムの含有割合が上記した上限以下であれば、第２金属薄膜５の抵抗を低減でき、より具体的には、第２金属薄膜５が酸化されることに起因する第２金属薄膜５の抵抗の増大を抑制できる。そのため、後述する導体層６と金属支持基板２との間の抵抗をより一層低くできる。
【0046】
第２合金におけるクロムの含有割合が上記した下限以上であれば、絶縁層４との密着性を担保できる。第２合金におけるクロムの含有割合は、ＴＥＭ－ＥＤＸにより求められる。
【0047】
第２金属薄膜５の第２合金と、第１金属薄膜３の合金とは、同一組成であれば、第２合金におけるクロムの含有割合と、合金におけるクロムの含有割合とは、同一である。
【0048】
第２合金におけるクロムを除く金属の含有割合は、クロムの上記した含有割合の残部である。第２合金における金属の含有割合は、ＴＥＭ－ＥＤＸにより求められる。
【0049】
第２金属薄膜５の厚みは、例えば、１ｎｍ以上、好ましくは、１０ｎｍ以上であり、また、例えば、５００ｎｍ以下、好ましくは、２５０ｎｍ以下である。
【0050】
６． 導体層６
導体層６は、第２金属薄膜５の一方面に配置される。厚み方向における導体層６の他方面は、厚み方向における第２金属薄膜５の一方面に接触する。これによって、第１金属薄膜３および第２金属薄膜５は、貫通孔４１内において、金属支持基板２と導体層６とにそれぞれ接触するように、金属支持基板２と導体層６との間に配置される。本実施形態では、導体層６は、グランド層である。導体層６は、貫通孔４１内における第１金属薄膜３および第２金属薄膜５を介して、金属支持基板２とグランド接続（接地）される。導体層６の材料としては、例えば、銅、銀、金、鉄、アルミニウム、クロム、および、それらの合金が挙げられる。導体層６の材料として、好ましくは、銅が挙げられる。導体層６の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、３μｍ以上であり、また、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、３０μｍ以下である。
導体層６は、第２金属薄膜５の一方面に配置される。厚み方向における導体層６の他方面は、厚み方向における第２金属薄膜５の一方面に接触する。これによって、第１金属薄膜３および第２金属薄膜５は、貫通孔４１内において、金属支持基板２と導体層６とにそれぞれ接触するように、金属支持基板２と導体層６との間に配置される。本実施形態では、導体層６は、グランド層である。導体層６は、貫通孔４１内における第１金属薄膜３および第２金属薄膜５を介して、金属支持基板２とグランド接続（接地）される。導体層６の材料としては、例えば、銅、銀、金、鉄、アルミニウム、クロム、および、それらの合金が挙げられる。導体層６の材料として、好ましくは、銅が挙げられる。導体層６の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、３μｍ以上であり、また、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、３０μｍ以下である。
【0051】
７． カバー絶縁層７
仮想線で示すカバー絶縁層７は、厚み方向における配線回路基板１の一端部に配置される。カバー絶縁層７は、厚み方向における配線回路基板１の一方面を形成する。図示しないが、カバー絶縁層７は、厚み方向における絶縁層４の一方面に配置される。カバー絶縁層７は、導体層６を覆う。カバー絶縁層７の材料としては、例えば、絶縁性樹脂が挙げられる。絶縁性樹脂としては、例えば、ポリイミドが挙げられる。カバー絶縁層７の厚みは、例えば、１μｍ以上であり、また、例えば、１００μｍ以下である。
仮想線で示すカバー絶縁層７は、厚み方向における配線回路基板１の一端部に配置される。カバー絶縁層７は、厚み方向における配線回路基板１の一方面を形成する。図示しないが、カバー絶縁層７は、厚み方向における絶縁層４の一方面に配置される。カバー絶縁層７は、導体層６を覆う。カバー絶縁層７の材料としては、例えば、絶縁性樹脂が挙げられる。絶縁性樹脂としては、例えば、ポリイミドが挙げられる。カバー絶縁層７の厚みは、例えば、１μｍ以上であり、また、例えば、１００μｍ以下である。
【0052】
【0053】
図２Ａに示すように、まず、第１金属薄膜３を、厚み方向における金属支持基板２の一方面に配置する。例えば、薄膜形成法、好ましくは、ドライプロセス、より好ましくは、スパッタリングによって、第１金属薄膜３を金属支持基板２の一方面に形成する。スパッタリングでは、上記した合金からなるターゲットが用いられ、または、クロムと、クロム以外の金属（合金がＣｒＴｉ合金であれば、Ｔｉ、合金がＮｉＣｒ合金であれば、Ｎｉ）とのそれぞれがターゲットとして用いられる。この工程では、第１金属薄膜３は、第１酸化層３２（図２Ｂ参照）をまだ備えず、第１金属層３１のみを備える。
【0054】
図２Ｂに示すように、次いで、絶縁層４を、厚み方向における第１金属薄膜３の一方面に配置する。例えば、感光性の絶縁性樹脂を含むワニスを、第１金属薄膜３の一方面の全部に塗布し、その後、フォトリソグラフィーによって、貫通孔４１を有する絶縁層４を形成する。フォトリソグラフィーによって絶縁層４を形成する場合には、露光後の絶縁層４を加熱（露光後加熱）する。大気雰囲気下で、例えば、１００℃以上、好ましくは、１５０℃以上、また、例えば、５００℃以下に絶縁層４を加熱する。上記した加熱によって、第１酸化層３２が第１金属層３１の一方面に形成される。
【0055】
図２Ｃに示すように、次いで、第２金属薄膜５を、厚み方向における絶縁層４の一方面と、絶縁層４の内周面と、貫通孔４１内における第１金属薄膜３の一方面とに配置する。例えば、薄膜形成法、好ましくは、ドライプロセス、より好ましくは、スパッタリングによって、第２金属薄膜５を絶縁層４の一方面および貫通孔４１内の第１金属薄膜３の一方面に形成する。スパッタリングでは、上記した第２合金からなるターゲットが用いられ、または、クロムと、クロム以外の金属（第２合金がＣｒＴｉ合金であれば、Ｔｉ、第２合金がＮｉＣｒ合金であれば、Ｎｉ）とのそれぞれがターゲットとして用いられる。この工程では、第２金属薄膜５の表面は、酸化されていない。
【0056】
図２Ｄに示すように、次いで、導体層６を、厚み方向における第２金属薄膜５の一方面に配置する。例えば、導体パターン形成法、好ましくは、ウェットプロセス、より好ましくは、めっき、さらに好ましくは、電解めっきによって、導体層６を厚み方向における第２金属薄膜５の一方面に形成する。電解めっきでは、例えば、金属支持基板２から第１金属薄膜３を介して第２金属薄膜５に電流を流す。
【0057】
図２Ｅに示すように、その後、カバー絶縁層７を、導体層６を覆うように、絶縁層４の一方面に配置する。例えば、感光性の絶縁性樹脂を含むワニスを、絶縁層４および導体層６のそれぞれの一方面の全部に塗布し、その後、フォトリソグラフィーによって、カバー絶縁層７を形成する。フォトリソグラフィーによってカバー絶縁層７を形成する場合には、露光後のカバー絶縁層７を加熱（露光後加熱）する。大気雰囲気下で、例えば、１００℃以上、好ましくは、１５０℃以上、また、例えば、５００℃以下にカバー絶縁層７を加熱する。
【0058】
これによって、配線回路基板１が製造される。
【0059】
９． 一実施形態の作用効果
この配線回路基板１によれば、第１金属薄膜３は、貫通孔４１内において金属支持基板２に接触しているので、特許文献１に記載されるような第１金属薄膜３の除去を不要とすることができ、第１金属薄膜３を簡便に形成できる。
この配線回路基板１によれば、第１金属薄膜３は、貫通孔４１内において金属支持基板２に接触しているので、特許文献１に記載されるような第１金属薄膜３の除去を不要とすることができ、第１金属薄膜３を簡便に形成できる。
【0060】
また、この配線回路基板１では、第１金属薄膜３の材料は、クロムを含む合金であるので、導体層６と金属支持基板２との間に第１金属薄膜３および第２金属薄膜５が介在しても、導体層６と金属支持基板２との間の抵抗を低くできる。
【0061】
一方、第１金属薄膜３は、第１酸化層３２を備えるので、第１金属薄膜３の抵抗が増大する傾向がある。
【0062】
しかし、この配線回路基板１では、第１金属薄膜３の材料が、クロムを含む合金であるので、導体層６と金属支持基板２との間の抵抗を低くできる。
【0063】
第２金属薄膜５の第２合金と、第１金属薄膜３の合金とは、同一組成であれば、第１金属薄膜３および第２金属薄膜５を、共通の装置で簡便に形成できる。さらに、同じ種類のエッチング液を用いて、第１金属薄膜３および第２金属薄膜５をパターン形成できる。
【0064】
１０． 変形例
以下の変形例において、上記した一実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、変形例は、特記する以外、一実施形態と同様の作用効果を奏することができる。さらに、一実施形態およびその変形例を適宜組み合わせることができる。
以下の変形例において、上記した一実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、変形例は、特記する以外、一実施形態と同様の作用効果を奏することができる。さらに、一実施形態およびその変形例を適宜組み合わせることができる。
【0065】
１０．１ 第１変形例
図３に示すように、第１変形例では、金属支持基板２は、金属支持層２１と、表面金属層２２とを備える。
図３に示すように、第１変形例では、金属支持基板２は、金属支持層２１と、表面金属層２２とを備える。
【0066】
金属支持層２１の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、５００μｍ以下である。
【0067】
表面金属層２２は、厚み方向における金属支持基板２の一端部に配置される。表面金属層２２は、厚み方向における金属支持層２１の一方面に配置される。表面金属層２２は、厚み方向における金属支持層２１の一方面に接触する。また、表面金属層２２は、厚み方向における第１金属薄膜３（第１金属層３１）の他方面に接触する。
【0068】
表面金属層２２の導電率は、金属支持層２１の導電率より高い。表面金属層２２の材料としては、例えば、銅、銀、および、金が挙げられる。これらは、単独使用または併用できる。表面金属層２２の材料として、好ましくは、銅が挙げられる。
【0069】
表面金属層２２の厚みは、例えば、０．５μｍ以上、好ましくは、３μｍ以上であり、また、例えば、１０μｍ以下である。
【0070】
第１変形例の配線回路基板１では、金属支持基板２は、金属支持層２１より導電率が高い表面金属層２２を備えるので、導体層６と金属支持層２１との間の抵抗をより一層低くできる。
【0071】
１０．２ 第２変形例
図示しないが、第２変形例では、第２金属薄膜５の材料は、クロムを含む第２合金ではなく、例えば、クロム、ニッケル、チタン、タングステンおよびモリブデンが挙げられる。具体的には、２金属薄膜５の材料としては、例えば、クロム単体、ニッケル単体、チタン単体、タングステン単体およびモリブデン単体が挙げられる。また、ニッケル、チタン、タングステンおよびモリブデンからなる群から選択される少なくとも２つの金属を含む合金であってもよい。
図示しないが、第２変形例では、第２金属薄膜５の材料は、クロムを含む第２合金ではなく、例えば、クロム、ニッケル、チタン、タングステンおよびモリブデンが挙げられる。具体的には、２金属薄膜５の材料としては、例えば、クロム単体、ニッケル単体、チタン単体、タングステン単体およびモリブデン単体が挙げられる。また、ニッケル、チタン、タングステンおよびモリブデンからなる群から選択される少なくとも２つの金属を含む合金であってもよい。
【0072】
１０．３ 第３変形例
図示しないが、第２金属薄膜５は、第２金属層と、厚み方向における第２金属層の一方面に配置される第２酸化層と、を有してもよい。
図示しないが、第２金属薄膜５は、第２金属層と、厚み方向における第２金属層の一方面に配置される第２酸化層と、を有してもよい。
【実施例0073】
以下に実施例としての試験例を示し、本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は、何ら試験例に限定されない。また、以下の記載において用いられる配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなど該当記載の上限値（「以下」、「未満」として定義されている数値）または下限値（「以上」、「超過」として定義されている数値）に代替することができる。
【0074】
試験例１
［酸化処理が施されていない第１金属薄膜３を備える第１の試験回路基板の製造およびＤＣＲ測定］
［酸化処理が施されていない第１金属薄膜３を備える第１の試験回路基板の製造およびＤＣＲ測定］
【0075】
厚み方向におけるガラス板の一方面に、銅からなる金属支持基板２、表１に記載される組成のＣｒＴｉ合金からなる第１金属薄膜３、および、銅からなる導体層６を順に形成した。これにより、第１の試験回路基板を製造した。この第１の試験回路基板における第１金属薄膜３は、酸化処理（後述）がまだ施されていない。つまり、第１金属薄膜３は、第１酸化層３２をまだ備えず、第１金属層３１のみを備える。
【0076】
その後、金属支持基板２および導体層６の間のＤＣＲ（直流抵抗）をデジタルマルチメーターによって測定した。
【0077】
［酸化処理が施された第１金属薄膜３を備える第２の試験回路基板の製造］
厚み方向におけるガラス板の一方面に、銅からなる金属支持基板２、および、表１に記載される組成のＣｒＴｉ合金からなる第１金属薄膜３を順に形成した。その後、第１金属薄膜３の一方面を酸化させた。これによって、第１酸化層３２が第１金属薄膜３に備えられた。酸化では、第１金属薄膜３の一方面を酸素プラズマに暴露させた。
厚み方向におけるガラス板の一方面に、銅からなる金属支持基板２、および、表１に記載される組成のＣｒＴｉ合金からなる第１金属薄膜３を順に形成した。その後、第１金属薄膜３の一方面を酸化させた。これによって、第１酸化層３２が第１金属薄膜３に備えられた。酸化では、第１金属薄膜３の一方面を酸素プラズマに暴露させた。
【0078】
その後、銅からなる導体層６を第１金属薄膜３の一方面に形成した。
【0079】
これにより、第２の試験回路基板を製造した。
【0080】
その後、金属支持基板２および導体層６の間のＤＣＲ（直流抵抗）をデジタルマルチメーターによって測定した。
【0081】
そして、第２の試験回路基板のＤＣＲから、第１の試験回路基板のＤＣＲを差し引いて、ＤＣＲの差を求めた。ＤＣＲの差を表１に記載する。
【0082】
試験例２－試験例５
試験例１と同様にして、第１および第２の試験回路基板をそれぞれ製造し、ＤＣＲの差を求めた。但し、第１金属薄膜３の組成を表１の通りに変更した。ＤＣＲの差を表１に記載する。
試験例１と同様にして、第１および第２の試験回路基板をそれぞれ製造し、ＤＣＲの差を求めた。但し、第１金属薄膜３の組成を表１の通りに変更した。ＤＣＲの差を表１に記載する。
【0083】
比較試験例１（Ｃｒ単体からなる第１金属薄膜３）
試験例１と同様にして、第１および第２の試験回路基板をそれぞれ製造し、ＤＣＲの差を求めた。但し、表１に記載の通り、第１金属薄膜３の材料をＣｒ単体に変更した。ＤＣＲの差を表１に記載する。
試験例１と同様にして、第１および第２の試験回路基板をそれぞれ製造し、ＤＣＲの差を求めた。但し、表１に記載の通り、第１金属薄膜３の材料をＣｒ単体に変更した。ＤＣＲの差を表１に記載する。
【0084】
比較試験例２（Ｔｉ単体からなる第１金属薄膜３）
試験例１と同様にして、第１および第２の試験回路基板を製造し、ＤＣＲの差を求めた。但し、表１に記載の通り、第１金属薄膜３の材料をＴｉ単体に変更した。ＤＣＲの差を表１に記載する。
試験例１と同様にして、第１および第２の試験回路基板を製造し、ＤＣＲの差を求めた。但し、表１に記載の通り、第１金属薄膜３の材料をＴｉ単体に変更した。ＤＣＲの差を表１に記載する。
【0085】
比較試験例３（Ｎｉ単体からなる第１金属薄膜３）
試験例１と同様にして、第１および第２の試験回路基板を製造し、ＤＣＲの差を求めた。但し、表１に記載の通り、第１金属薄膜３の材料をＮｉ単体に変更した。ＤＣＲの差を表１に記載する。
試験例１と同様にして、第１および第２の試験回路基板を製造し、ＤＣＲの差を求めた。但し、表１に記載の通り、第１金属薄膜３の材料をＮｉ単体に変更した。ＤＣＲの差を表１に記載する。
【0086】
［考察］
表１から分かるように、第１金属薄膜３の材料がＣｒＴｉ合金である試験例１－試験例２のそれぞれは、第１金属薄膜３の材料がＣｒ単体である比較試験例１に対して、ＤＣＲの差が低い。つまり、第１金属薄膜３が第１酸化層３２を備える場合であっても、第１金属薄膜３の抵抗の増大を抑制できる。
表１から分かるように、第１金属薄膜３の材料がＣｒＴｉ合金である試験例１－試験例２のそれぞれは、第１金属薄膜３の材料がＣｒ単体である比較試験例１に対して、ＤＣＲの差が低い。つまり、第１金属薄膜３が第１酸化層３２を備える場合であっても、第１金属薄膜３の抵抗の増大を抑制できる。
【0087】
なお、比較試験例２では、第１金属薄膜３の材料がＴｉ単体（Ｃｒの含有割合が０質量％）であり、Ｔｉの含有割合が１００質量％であり、絶縁層４と第１金属薄膜３との密着性が低いと評価される。
【0088】
表１から分かるように、第１金属薄膜３の材料がＮｉＣｒ合金である試験例３－試験例５のそれぞれは、第１金属薄膜３の材料がＣｒ単体である比較試験例１に対して、ＤＣＲの差が低い。つまり、第１金属薄膜３が第１酸化層３２を備える場合であっても、第１金属薄膜３の抵抗の増大を抑制できる。
【0089】
なお、比較試験例３では、第１金属薄膜３の材料がＮｉ単体（Ｃｒの含有割合が０質量％）であり、Ｎｉが磁性であることから、高周波の伝送損失が大きく、不適であると評価される。
【0090】
【表1】
【符号の説明】
【0091】
１ 配線回路基板
２ 金属支持基板
３ 第１金属薄膜
４ 絶縁層
５ 第２金属薄膜
６ 導体層
２１ 金属支持層
２２ 表面金属層
３１ 第１金属層
３２ 第１酸化層
４１ 貫通孔
２ 金属支持基板
３ 第１金属薄膜
４ 絶縁層
５ 第２金属薄膜
６ 導体層
２１ 金属支持層
２２ 表面金属層
３１ 第１金属層
３２ 第１酸化層
４１ 貫通孔
【図1】
【図2】
【図3】
