特開 2024-2162 超音波トランスデューサ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024002162

(43)【公開日】2024-01-11

(54)【発明の名称】超音波トランスデューサ

(51)【国際特許分類】

   H04R 17/00 20060101AFI20231228BHJP

【ＦＩ】

H04R17/00 330G

H04R17/00 330J

【審査請求】未請求

【請求項の数】6

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022101202

(22)【出願日】2022-06-23

(71)【出願人】

【識別番号】000003067

【氏名又は名称】ＴＤＫ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100088155

【弁理士】

【氏名又は名称】長谷川 芳樹

(74)【代理人】

【識別番号】100113435

【弁理士】

【氏名又は名称】黒木 義樹

(74)【代理人】

【識別番号】100124062

【弁理士】

【氏名又は名称】三上 敬史

(72)【発明者】

【氏名】滝 辰哉

【テーマコード（参考）】

5D019

【Ｆターム（参考）】

5D019AA21

5D019BB02

5D019BB14

5D019EE01

5D019EE04

5D019FF01

5D019GG01

5D019GG05

(57)【要約】

【課題】超音波成分の残響を十分に低減することができる超音波トランスデューサを提供する。
【解決手段】超音波トランスデューサ１は、底部２１及び筒形状の側部２２を有し、収容空間Ｓを画成している音響整合部材２と、収容空間Ｓ内において、底部２１上に配置されている圧電素子４と、収容空間Ｓ内において、圧電素子４上に配置されている発泡体６と、を備える。側部２２の内面２２ａは、発泡体６と接している傾斜部２４を有し、傾斜部２４は、側部２２の方向Ｄにおいて圧電素子４から離れるにつれて、外側に広がるように傾斜している。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

底部及び筒形状の側部を有し、収容空間を画成しているケースと、
前記収容空間内において、前記底部上に配置されている圧電素子と、
前記収容空間内において、前記圧電素子上に配置されている発泡体と、を備え、
前記側部の内面は、前記発泡体と接している傾斜部を有し、
前記傾斜部は、前記側部の軸方向において前記圧電素子から離れるにつれて、外側に広がるように傾斜している、
超音波トランスデューサ。

【請求項2】

前記圧電素子と前記発泡体との間に、空間が形成されている、
請求項１に記載の超音波トランスデューサ。

【請求項3】

前記発泡体は、第一領域及び第二領域を有し、
前記第一領域は、前記傾斜部と接し、前記第二領域よりも高い密度を有している、
請求項１又は２に記載の超音波トランスデューサ。

【請求項4】

前記第一領域は、前記軸方向において前記圧電素子と前記第二領域との間に配置されている、
請求項３に記載の超音波トランスデューサ。

【請求項5】

前記第二領域は、前記軸方向において前記第一領域よりも長い、
請求項３に記載の超音波トランスデューサ。

【請求項6】

前記傾斜部は、前記側部の全周にわたって設けられている、
請求項１又は２に記載の超音波トランスデューサ。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、超音波トランスデューサに関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、有底筒状のキャップ体と、キャップ体内部の底面に形成される圧電素子と、内部枠体と、制振材と、を備える超音波トランスデューサが記載されている。この超音波トランスデューサでは、超音波成分の残響が制振材によって抑制されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】国際公開第２００７／０６９６０９号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

超音波トランスデューサには、超音波成分の残響の更なる低減が求められている。しかしながら、上述の超音波デバイスは、超音波成分の残響を十分に低減しがたい。

【0005】

本発明の一つの態様は、超音波成分の残響を十分に低減することができる超音波トランスデューサを提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明の一つの形態に係る超音波トランスデューサは、底部及び筒形状の側部を有し、収容空間を画成しているケースと、収容空間内において、底部上に配置されている圧電素子と、収容空間内において、圧電素子上に配置されている発泡体と、を備え、側部の内面は、発泡体と接している傾斜部を有し、傾斜部は、側部の軸方向において圧電素子から離れるにつれて、外側に広がるように傾斜している。

【0007】

上記一つの態様では、ケースの側部の傾斜部が発泡体と接していると共に、圧電素子から離れるにつれて外側に広がるように傾斜している。圧電素子から発せられた超音波成分は、発泡体に吸収された後、側部により反射されて圧電素子に戻り、残響となるおそれがある。上述の傾斜部により反射された超音波成分は、発泡体の内側に向かって反射され易い。よって、超音波成分の残響を十分に抑制することができる。

【0008】

上記一つの態様では、圧電素子と発泡体との間に、空間が形成されていてもよい。この場合、圧電素子の振動が発泡体により阻害されることが抑制される。

【0009】

上記一つの態様では、発泡体は、第一領域及び第二領域を有し、第一領域は、傾斜部と接し、第二領域よりも高い密度を有していてもよい。この場合、第一領域により制振効果が奏されると共に、第二領域により吸音効果が奏される。

【0010】

上記一つの態様では、第一領域は、軸方向において圧電素子と第二領域との間に配置されていてもよい。この場合、第二領域が圧電素子と第一領域との間に配置されている構成に比べて、第二領域による吸音効果を維持しながら、第一領域による制振効果を向上させることができる。

【0011】

上記一つの態様では、第二領域は、軸方向において第一領域よりも長くてもよい。この場合、第一領域による制振効果を維持しながら、第二領域による吸音効果を向上させることができる。

【0012】

上記一つの態様では、傾斜部は、側部の全周にわたって設けられていてもよい。この場合、圧電素子から発せられた超音波成分が傾斜部により反射され易いので、超音波成分の残響を一層抑制することができる。

【発明の効果】

【0013】

本発明の一つの態様によれば、超音波成分の残響を十分に低減することができる超音波トランスデューサが提供される。

【図面の簡単な説明】

【0014】

【図1】図１は、第一実施形態に係る超音波トランスデューサを示す斜視図である。

【図2】図２は、超音波トランスデューサの分解斜視図である。

【図3】図３は、超音波トランスデューサの断面図である。

【図4】図４は、ケースの平面図である。

【図5】図５（ａ）は圧電素子の底面図であり、図５（ｂ）は圧電素子の側面図であり、図５（ｃ）は圧電素子の平面図である。

【図6】図６（ａ）及び図６（ｂ）は、超音波成分の反射についての説明図である。

【図7】図７は、第二実施形態に係る超音波トランスデューサの断面図である。

【図8】図８は、第三実施形態に係る超音波トランスデューサの断面図である。

【図9】図９は、第四実施形態に係る超音波トランスデューサのケースの平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0015】

以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。

【0016】

（第一実施形態）
図１～図５を参照して、第一実施形態に係る超音波トランスデューサ１の構成を説明する。超音波トランスデューサ１は、音響整合部材２（ケース）と、圧電素子４と、発泡体６と、不図示の配線部材と、を備える。

【0017】

超音波トランスデューサ１は、圧電素子４によって、超音波を発する、又は、受けた超音波を検出する超音波送受装置である。超音波トランスデューサ１が超音波を発する場合には、たとえば、圧電素子４に交流電圧が印加され、当該交流電圧によって圧電素子４が連続的に変位する。圧電素子４の変位に応じて、超音波トランスデューサ１から超音波が発せられる。超音波トランスデューサ１が超音波を検出する場合には、たとえば、受けた超音波に起因する圧電素子４の変位によって圧電素子４に起電力が発生する。起電力の発生によって超音波を受けたか否かが検出され、発生した起電力の大きさによって超音波の音圧又は音圧レベルなどが検出される。超音波トランスデューサ１は、たとえば、車載用超音波センサ、ガスセンサとして用いられる。

【0018】

音響整合部材２は、収容空間Ｓを画成しているケースを構成する。収容空間Ｓには、圧電素子４及び発泡体６が収容されている。音響整合部材２は、少なくとも圧電素子４の一部を覆って、圧電素子４の音響インピーダンスを補整する。音響整合部材２は、その形状、構造、及び材料によって、圧電素子４の音響インピーダンスと、音響整合部材２の周囲に存在する媒質のインピーダンスとの整合を図る。媒質は、たとえば、空気又は空気以外のガスを含む。

【0019】

音響整合部材２は、有底筒状を呈している。音響整合部材２は、底部２１及び側部２２を有している。本実施形態では、底部２１及び側部２２は、一部材として一体に形成されている。音響整合部材２は、たとえば、アルミニウム等の金属からなる。音響整合部材２が金属からなる構成では、音響整合部材２が樹脂からなる構成に比べて、音響整合部材２が振動し易いので、超音波の送受信感度を向上させることができる。音響整合部材２は、たとえば、エポキシ等の樹脂からなってもよい。音響整合部材２が樹脂からなる構成によれば、音響整合部材２が金属からなる構成に比べて、音響整合部材２の残響成分が抑制され易い。よって、超音波成分の残響を十分に低減することができる。

【0020】

底部２１は、円盤形状を呈している。底部２１は、圧電素子４の変位に応じて超音波を発する、又は、外部からの超音波を受けて圧電素子４に振動を伝達する部分である。底部２１は、収容空間Ｓに臨むように位置している内面２１ａと、上記媒質に臨むように位置している外面２１ｂと、を有している。内面２１ａと外面２１ｂとは、図３にも示されているように、方向Ｄで互いに対向している。本実施形態では、方向Ｄは、内面２１ａに直交する方向と一致していると共に、外面２１ｂに直交する方向と一致している。

【0021】

内面２１ａ及び外面２１ｂは、方向Ｄから見て、たとえば、円形状を呈している。本実施形態では、内面２１ａは略平坦である。外面２１ｂは、超音波トランスデューサ１における超音波の発信面及び受信面を構成している。底部２１には、テーパー部２１ｃが設けられている。テーパー部２１ｃは、内面２１ａから外面２１ｂ側に向かって先細りになっている。

【0022】

側部２２は、筒形状を呈している。本実施形態では、側部２２は、円筒形状を呈している。側部２２は、底部２１から、側部２２の軸方向に延在している。本実施形態では、側部２２は、方向Ｄに延在している。つまり、側部２２の軸方向は、方向Ｄと一致している。側部２２は、収容空間Ｓに臨むように位置している内面２２ａと、上記媒質に臨むように位置している外面２２ｂと、を有している。内面２２ａと外面２２ｂとは、図３にも示されているように、方向Ｄに直交する方向において互いに対向している。内面２２ａは、内面２１ａと共に、収容空間Ｓを規定している。

【0023】

側部２２の内面２２ａは、方向Ｄに対して平行な平行部２３と、方向Ｄに対して傾斜している傾斜部２４と、を有している。平行部２３及び傾斜部２４は、方向Ｄにおいて隣り合っている。傾斜部２４は、方向Ｄにおいて、底部２１の内面２１ａと平行部２３との間に配置されている。傾斜部２４は、内面２１ａと平行部２３とを接続している。平行部２３及び傾斜部２４は、いずれも側部２２の全周にわたって設けられている。平行部２３及び傾斜部２４は、いずれも発泡体６と接している。平行部２３の方向Ｄの長さは、たとえば、傾斜部２４の方向Ｄの長さよりも長い。

【0024】

傾斜部２４は、方向Ｄにおいて圧電素子４から離れるにつれて、外側に広がるように傾斜している。本実施形態では、傾斜部２４は、底部２１の内面２１ａに接続されている。よって、傾斜部２４は、方向Ｄにおいて底部２１の内面２１ａから離れるにつれて、外側に広がるように傾斜している。傾斜部２４は、テーパー形状を有している。

【0025】

平行部２３は、内面２２ａのうち、傾斜部２４以外の部分全体に設けられている。本実施形態では、側部２２の外面２２ｂは、方向Ｄに対して平行である。よって、平行部２３では、側部２２の厚さ（内面２２ａ及び外面２２ｂ間の長さ）は、均一である。傾斜部２４では、側部２２の厚さは、方向Ｄにおいて底部２１の内面２１ａから離れるにつれて薄くなる。

【0026】

圧電素子４は、収容空間Ｓ内において、底部２１の内面２１ａ上に配置されている。圧電素子４は、収容空間Ｓに配置されている。圧電素子４は、内面２１ａに接着部材（不図示）で固定されている。圧電素子４は、側部２２の内面２２ａから離間して設けられている。

【0027】

図５に示されるように、圧電素子４は、圧電素体４０と、一対の電極４１，４２と、を有している。圧電素体４０は、円板形状を呈している。圧電素体４０は、互いに対向している一対の主面４０ａ，４０ｂと、主面４０ａと主面４０ｂとを連結している側面４０ｃと、を有している。一対の主面４０ａ，４０ｂは、方向Ｄで互いに対向している。主面４０ａ，４０ｂは、円形状を呈している。

【0028】

圧電素体４０は、複数の圧電体層（不図示）が積層されて構成されている。各圧電体層は、圧電材料からなる。本実施形態では、各圧電体層は、圧電セラミック材料からなる。圧電セラミック材料には、たとえば、ＰＺＴ［Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ_３］、ＰＴ（ＰｂＴｉＯ_３）、ＰＬＺＴ［（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ_３］、又はチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）が用いられる。各圧電体層は、たとえば、上述した圧電セラミック材料を含むセラミックグリーンシートの焼結体から構成される。実際の圧電素体４０では、各圧電体層は、各圧電体層の間の境界が認識できない程度に一体化されている。圧電素体４０内には、複数の内部電極（不図示）が配置されていてもよい。各内部電極は、導電性材料からなる。導電性材料には、たとえば、Ａｇ、Ｐｄ、又はＡｇ－Ｐｄ合金が用いられる。

【0029】

電極４１は、主面４０ａ、主面４０ｂ、及び側面４０ｃに配置されている。電極４１は、主面４０ａ、側面４０ｃ及び主面４０ｂにわたって配置されている。電極４１は、電極部分４１ａ、電極部分４１ｂ、及び電極部分４１ｃを含んでいる。電極部分４１ａは、主面４０ａに配置され、略円形状を呈している。電極部分４１ｂは、主面４０ｂに配置されている。電極部分４１ｃは、側面４０ｃに配置され、電極部分４１ａと電極部分４１ｂとを接続している。電極４２は、電極部分４１ｂから離間して主面４０ｂに配置されている。電極４２は、円形が一部切り欠かれた形状を呈している。

【0030】

電極４１と電極４２とは、互いに離間している。主面４０ａ，４０ｂの対向方向（方向Ｄ）から見て、電極部分４１ｂの面積は、電極４２の面積より小さい。電極４１及び電極４２は、導電性材料からなる。導電性材料には、たとえば、Ａｇ、Ｐｄ、又はＡｇ－Ｐｄ合金が用いられる。電極４１及び電極４２は、たとえば、上記導電性材料を含む導電性ペーストの焼結体として構成されている。

【0031】

発泡体６は、収容空間Ｓにおいて、圧電素子４上に配置されている。発泡体６は、制振材及び吸音材として機能する。発泡体６は、厚さ方向（方向Ｄ）において互いに対向している第一面６ａ及び第二面６ｂを有している。第一面６ａは、圧電素子４の主面４０ｂと方向Ｄにおいて対向している。本実施形態では、第一面６ａは、圧電素子４と接している。第一面６ａは、圧電素子４に圧接されていてもよい。第二面６ｂは、側部２２の先端と同じ高さに位置している。

【0032】

発泡体６は、第一領域Ｒ１及び第二領域Ｒ２を有している。第一領域Ｒ１は、第一面６ａを含み、傾斜部２４と接している。第二領域Ｒ２は、第二面６ｂを含み、平行部２３と接している。第一領域Ｒ１は、方向Ｄにおいて、圧電素子４と第二領域Ｒ２との間に配置されている。第二領域Ｒ２の厚さｔ２は、第一領域Ｒ１の厚さｔ１よりも厚い。すなわち、第二領域Ｒ２は、方向Ｄにおいて、第一領域Ｒ１よりも長い。

【0033】

発泡体６は、たとえば、シリコンスポンジである。発泡体６は、熱可塑性樹脂を主体とする発泡体であってもよい。熱可塑性樹脂は、たとえば、エチレン・プロピレン・ジエンゴム（ＥＰＤＭ）を含む。発泡体６は、導電性を有さない。発泡体６は、圧縮可能に構成されている。発泡体６は、吸音効果及び制振効果を有する。発泡体６が圧縮されて密度が高まると、吸音効果が低下し、制振効果が向上する。

【0034】

発泡体６は、たとえば、図２に示されるように、収容空間Ｓに収容されていない状態では円柱形状を呈している。この状態の発泡体６は、側部２２の平行部２３の内径と同等以上の直径、すなわち、傾斜部２４の内径よりも大きな直径を有する。よって、発泡体６が収容空間Ｓに収容された状態において、少なくとも第一領域Ｒ１は傾斜部２４により圧縮される。第二領域Ｒ２が平行部２３により圧縮される場合でも、少なくとも、第一領域Ｒ１の密度は、第二領域Ｒ２の密度よりも高くなる。

【0035】

配線部材は、圧電素子４と電気的に接続されている。配線部材は、例えば、一対のリード線であり、圧電素子４の電極４１及び電極４２と電気的に接続されている。配線部材は、例えば、方向Ｄから見て発泡体６の中央部に設けられた貫通孔を通じて、音響整合部材２の外側に引き出されている。配線部材は、フレキシブル基板により構成されていてもよい。フレキシブル基板は、たとえば、フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）又はフレキシブルフラットケーブル（ＦＦＣ）である。

【0036】

図６を参照して、第一実施形態に係る超音波トランスデューサ１の効果について説明する。図６（ａ）に示されるように、比較例に係る超音波トランスデューサ１００では、側部２２の内面２２ａが傾斜部２４を有さず平行部２３のみからなる。超音波トランスデューサ１００では、圧電素子４から発せられ、発泡体６に吸収された超音波成分は、内面２２ａにより反射されて圧電素子４に戻り、残響となり易い。

【0037】

これに対し、超音波トランスデューサ１では、側部２２の内面２２ａが傾斜部２４を有する。よって、図６（ｂ）に示されるように、内面２２ａにより反射された超音波成分は、再び発泡体６の内側に向かい易い。よって、超音波トランスデューサ１によれば、超音波成分の残響を十分に抑制することができる。

【0038】

発泡体６は、高密度の第一領域Ｒ１及び低密度の第二領域Ｒ２を有している。よって、発泡体６では、第一領域Ｒ１により制振効果が奏されると共に、第二領域Ｒ２により吸音効果が奏される。第一領域Ｒ１は、方向Ｄにおいて圧電素子４と第二領域Ｒ２との間に配置されている。これにより、第二領域Ｒ２が方向Ｄにおいて圧電素子４と第一領域Ｒ１との間に配置されている構成に比べて、第二領域Ｒ２による吸音効果を維持しながら、第一領域Ｒ１による制振効果を向上させることができる。第二領域Ｒ２の厚さｔ２は、第一領域Ｒ１の厚さｔ１よりも厚い。よって、第一領域Ｒ１による制振効果を維持しながら、第二領域Ｒ２による吸音効果を向上させることができる。

【0039】

側部２２は傾斜部２４を含めて一部材として一体で形成されているので、側部２２が複数の部材の組み合わせにより構成されている場合に比べて、側部２２から内部に伝わる振動が生じ難い。

【0040】

（第二実施形態）
図７は、第二実施形態に係る超音波トランスデューサの断面図である。図７に示される第二実施形態に係る超音波トランスデューサ１Ａと、超音波トランスデューサ１との主な相違点は、側部２２が互いに別部材である第一部材２５及び第二部材２６を有する点である。第一部材２５及び底部２１は、一部材として一体に形成されている。第一部材２５は、均一な厚さを有する円筒形状を呈している。第一部材２５の内面の一部は、側部２２の内面２２ａのうちの平行部２３を構成している。

【0041】

第二部材２６は、底部２１の内面２１ａ上、かつ、第一部材２５の内側に配置されている。第二部材２６は、方向Ｄにおいて底部２１の内面２１ａから離れるにつれて、厚さが薄くなる円筒形状を呈している。第二部材２６の外面は、方向Ｄに平行であり、第一部材２５の内面と接して設けられている。第二部材２６の内面は、側部２２の内面２２ａのうちの傾斜部２４を構成している。第二部材２６は、たとえば、第一部材２５及び底部２１に接着部材により固定されていてもよい。第二部材２６は、第一部材２５と同じ材料により形成されていてもよいし、異なる材料により形成されていてもよい。

【0042】

超音波トランスデューサ１Ａにおいても、側部２２の内面２２ａが傾斜部２４を有するので、超音波成分の残響を十分に抑制することができる。超音波トランスデューサ１Ａでは、側部２２は、底部２１及び側部２２の第一部材２５とは、別体として設けられた第二部材２６を含んでいる。側部２２がこのような別部材を含むことにより、側部２２の強度を向上させることができる。

【0043】

（第三実施形態）
図８は、第三実施形態に係る超音波トランスデューサの断面図である。図８に示される第三実施形態に係る超音波トランスデューサ１Ｂと、超音波トランスデューサ１との主な相違点は、圧電素子４と発泡体６との間に、空間Ｓ１が形成されている点である。超音波トランスデューサ１Ｂでは、発泡体６は空間Ｓ１を挟んで圧電素子４から離間している。発泡体６は、圧電素子４に当接していないので、圧電素子４の振動が発泡体６により阻害されることが抑制される。空間Ｓ１の厚さは、例えば、第一領域Ｒ１の厚さｔ１及び第二領域Ｒ２の厚さｔ２よりも小さい。

【0044】

超音波トランスデューサ１Ｂにおいても、側部２２の内面２２ａが傾斜部２４を有するので、超音波成分の残響を十分に抑制することができる。

【0045】

（第四実施形態）
図９は、第三実施形態に係る超音波トランスデューサの断面図である。図９に示される第三実施形態に係る超音波トランスデューサ１Ｃと、超音波トランスデューサ１との主な相違点は、傾斜部２４が側部２２の全周に設けられていない点である。超音波トランスデューサ１Ｃでは、側部２２の内面２２ａは、方向Ｄに直交する方向で互いに対向している一対の傾斜部２４を有している。各傾斜部２４は、側部２２の全周の約１／４の長さにわたって設けられている。各傾斜部２４は、側部２２の周方向において平行部２３と隣り合って設けられている。

【0046】

超音波トランスデューサ１Ｃでは、側部２２の内面２２ａが傾斜部２４を有するので、超音波成分の残響を十分に抑制することができる。超音波トランスデューサ１Ｃでは、傾斜部２４が側部２２の全周には設けられていないので、超音波トランスデューサ１に比べて、圧電素子４が配置されている内面２１ａの振動を抑制し難い。超音波トランスデューサ１Ｃでは、傾斜部２４の数は２つであるが、１つでもよいし、３つ以上であってもよい。また、一対の傾斜部２４は、方向Ｄに直交する方向で互いに対向して設けられているが、傾斜部２４の設けられる位置は、これに限られない。

【0047】

以上、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。例えば、第一領域Ｒ１の密度、及び、第二領域Ｒ２の密度は、同等であってもよい。発泡体６が収容空間Ｓに収容されていない状態において、発泡体６が収容空間Ｓと同等の形状を有していれば、発泡体６が収容空間Ｓに収容された状態において、第一領域Ｒ１の密度、及び、第二領域Ｒ２の密度を同等とすることができる。上記実施形態及び変形例は、適宜組み合わされてもよい。

【0048】

上述した実施形態及び変形例の記載から把握されるとおり、本明細書では以下に示す態様の開示を含んでいる。
（付記１）
底部及び筒状の側部を有し、収容空間を画成しているケースと、
前記収容空間内において、前記底部上に配置されている圧電素子と、
前記収容空間内において、前記圧電素子上に配置されている発泡体と、を備え、
前記側部は、前記発泡体と接している傾斜部を有し、
前記傾斜部は、前記側部の軸方向において前記圧電素子から離れるにつれて、外側に広がるように傾斜している、
超音波トランスデューサ。
（付記２）
前記圧電素子と前記発泡体との間に、空間が形成されている、
付記１に記載の超音波トランスデューサ。
（付記３）
前記発泡体は、第一領域及び第二領域を有し、
前記第一領域は、前記傾斜部と接し、前記第二領域よりも高い密度を有している、
付記１又は２に記載の超音波トランスデューサ。
（付記４）
前記第一領域は、前記軸方向において前記圧電素子と前記第二領域との間に配置されている、
付記３に記載の超音波トランスデューサ。
（付記５）
前記第二領域は、前記軸方向において前記第一領域よりも長い、
付記３又は４に記載の超音波トランスデューサ。
（付記６）
前記第一領域は、前記軸方向において前記圧電素子と前記第二領域との間に配置されている、
付記１～５のいずれか一つに記載の超音波トランスデューサ。

【符号の説明】

【0049】

１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ…超音波トランスデューサ、２…音響整合部材、４…圧電素子、６…発泡体、２１…底部、２２…側部、２２ａ…内面、２４…傾斜部、Ｒ１…第一領域、Ｒ２…第二領域、Ｓ…収容空間、Ｓ１…空間。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】