特開 2024-21806 ペルチェ素子およびペルチェ素子を有する電子装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024021806

(43)【公開日】2024-02-16

(54)【発明の名称】ペルチェ素子およびペルチェ素子を有する電子装置

(51)【国際特許分類】

   H10N 10/17 20230101AFI20240208BHJP

   H10N 10/817 20230101ALI20240208BHJP

【ＦＩ】

H01L35/32 A

H01L35/08

【審査請求】未請求

【請求項の数】9

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022124897

(22)【出願日】2022-08-04

(71)【出願人】

【識別番号】000005810

【氏名又は名称】マクセル株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110000442

【氏名又は名称】弁理士法人武和国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】山本 智貴

(72)【発明者】

【氏名】豊田 将之

(72)【発明者】

【氏名】永沼 智也

(72)【発明者】

【氏名】西本 智久

(72)【発明者】

【氏名】平林 智則

(57)【要約】

【課題】光透過性を有するペルチェ素子を提供する。
【解決手段】ペルチェ素子において、複数のｐ型半導体素子（１０―１、１０―２）及び複数のｎ型半導体素子（２０―１、２０―２）と、第１金属電極（３１―１、３１―２）及び第２金属電極（３２―１、３２―２、３２―３）と、絶縁基板（４１、４２）と、を備え、ｐ型半導体及びｎ型半導体の夫々は、第１金属電極及び前記第２金属電極を介して交互に接続され、絶縁基板は、第１金属電極及び第２金属電極におけるｐ型半導体素子又はｎ型半導体素子との接触面とは反対側の面を覆って配置され、ｐ型半導体素子及び前記ｎ型半導体素子の夫々、第１金属電極、第２金属電極、及び絶縁基板は、光透過性を有する。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

ペルチェ素子において、
複数のｐ型半導体素子及び複数のｎ型半導体素子と、
第１金属電極及び第２金属電極と、
絶縁基板と、を備え、
前記ｐ型半導体素子及び前記ｎ型半導体素子の夫々は、前記第１金属電極及び前記第２金属電極を介して交互に接続され、
前記絶縁基板は、前記第１金属電極及び前記第２金属電極における前記ｐ型半導体素子又は前記ｎ型半導体素子との接触面とは反対側の面を覆って配置され、
前記ｐ型半導体素子及び前記ｎ型半導体素子の夫々、前記第１金属電極、前記第２金属電極、及び前記絶縁基板は、光透過性を有する、
ことを特徴とするペルチェ素子。

【請求項2】

請求項１に記載のペルチェ素子において、
前記ｐ型半導体素子は、光透過性を有する第１支持体及び当該第１支持体の表面にｐ型半導体膜を有して構成され、
前記ｎ型半導体素子は、光透過性を有する第２支持体及び当該第２支持体の表面にｎ型半導体膜を有して構成される、
ことを特徴とするペルチェ素子。

【請求項3】

請求項２に記載のペルチェ素子において、
前記第１支持体及び前記第２支持体の少なくとも一方は、発泡体により形成される、
ことを特徴とするペルチェ素子。

【請求項4】

請求項２に記載のペルチェ素子において、
前記絶縁基板の外表面の少なくとも一面は、凹凸面として形成される、
ことを特徴とするペルチェ素子。

【請求項5】

請求項２に記載のペルチェ素子において、
前記第１支持体及び前記第２支持体の少なくとも一方は、中空構造を有して構成される、
ことを特徴とするペルチェ素子。

【請求項6】

請求項２に記載のペルチェ素子において、
前記第１支持体及び前記第２支持体の少なくとも一方は、前記第１金属電極及び前記第２金属電極を含む断面における形状がコ字形状に形成される、
ことを特徴とするペルチェ素子。

【請求項7】

請求項２に記載のペルチェ素子において、
前記ｐ型半導体膜及び前記ｎ型半導体膜の膜厚は１００ｎｍ以下に形成される、
ことを特徴とするペルチェ素子。

【請求項8】

請求項１に記載のペルチェ素子において、
前記第１金属電極及び前記第２金属電極は、針状金属を含んで形成される、
ことを特徴とするペルチェ素子。

【請求項9】

請求項１から請求項８までのいずれか１項に記載されたペルチェ素子を有する、ことを特徴とする電子装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、ペルチェ素子に関する。

【背景技術】

【0002】

ペルチェ素子の一例として、特許文献１は「Ｐ型、Ｎ型熱電材料体が電極を介して交互に接続されたペルチェ素子において、前記電極が導電性ペ―ストにより形成されていて、前記Ｐ型およびＮ型熱電材料体が電極中に埋設されている、前記素子。（要約抜粋）」が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１５―０９５６１０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

上述した特許文献１のペルチェ素子は、電極と熱電材料との接合強度の向上を目的としているが、ペルチェ素子自体の光透過性については考慮されていないという実情がある。

【0005】

本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、光透過性を有するペルチェ素子を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

上記課題を解決するために、例えば特許請求の範囲に記載の構成を備える。その一例を挙げるならば、ペルチェ素子において、複数のｐ型半導体素子及び複数のｎ型半導体素子と、第１金属電極及び第２金属電極と、絶縁基板と、を備え、前記ｐ型半導体素子及び前記ｎ型半導体素子の夫々は、前記第１金属電極及び前記第２金属電極を介して交互に接続され、前記絶縁基板は、前記第１金属電極及び前記第２金属電極における前記ｐ型半導体素子又は前記ｎ型半導体素子との接触面とは反対側の面を覆って配置され、前記ｐ型半導体素子及び前記ｎ型半導体素子の夫々、前記第１金属電極、前記第２金属電極、及び前記絶縁基板は、光透過性を有する、ことを特徴とする。

【0007】

また、本発明は、上記に記載されたペルチェ素子を有することを特徴とする電子装置である。

【発明の効果】

【0008】

本発明によれば、光透過性を有するペルチェ素子を提供することができる。上記した以外の課題、構成および効果は、以下の実施形態の説明により明らかにされる。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】第１実施形態に係るペルチェ素子の厚み方向の断面説明図。

【図2】従来のペルチェ素子の構成例を示す図。

【図3】本実施形態に係るペルチェ素子を用いたＨＵＤの概略構成図。

【図4】第２実施形態におけるペルチェ素子の適用例を示す図。

【図5】第２実施形態に係るペルチェ素子の厚み方向の断面説明図。

【図6】第２実施形態の係るペルチェ素子（変形例）の厚み方向の断面説明図。

【図7】第３実施形態に係るペルチェ素子の厚み方向の断面説明図。

【発明を実施するための形態】

【0010】

本発明を説明するための全図において、同一の機能を有するものには、同一の符号を付与し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。

【0011】

＜第１実施形態＞
図１は、第１実施形態に係るペルチェ素子の厚み方向の断面説明図である。

【0012】

ペルチェ素子１は、複数のｐ型半導体素子１０―１、１０―２、複数のｎ型半導体素子２０―１、２０―２、第１金属電極３１―１、３１―２、第２金属電極３２―１、３２―２、３２―３、第１絶縁基板４１及び第２絶縁基板４２を備える。

【0013】

より具体的には、第１絶縁基板４１上に、第１金属電極３１―１、３１―２を配置する。第１金属電極３１―１上にｐ型半導体素子１０―１、ｎ型半導体素子２０―１を、第１金属電極３１―２上にｐ型半導体素子１０―２、ｎ型半導体素子２０―１を配置する。更にｐ型半導体素子１０―１上に第２金属電極３２―１を配置し、ｎ型半導体素子２０―１及びｐ型半導体素子１０―２上に第２金属電極３２―２を配置し、ｎ型半導体素子２０―２上に第２金属電極３２―３を配置する。更に第２金属電極３２―１、３２―２、３２―３に第２絶縁基板４２を配置する。つまり、２つの絶縁基板の間にｐ型半導体素子とｎ型半導体素子が交互して配置されており、ｐ型半導体素子とｎ型半導体素子は金属電極または金属接合部を介して２つの絶縁基板と連結されている。金属電極と、ｐ型およびｎ型の半導体素子がπの字型またはｎの字型に交互に連結されている。

【0014】

ｐ型半導体素子１０―１、１０―２は同一の構成であるため、以下ｐ型半導体素子１０―１を例示して説明する。同様にｎ型半導体素子２０―１、２０―２は同一の構成であるため、以下ｎ型半導体素子２０―１を例示して説明する。

【0015】

ｐ型半導体素子１０―１は、第１支持体１１の表面にｐ型半導体１２をコ―ティングしてｐ型半導体膜を形成して構成される。また、ｐ型半導体膜が第１支持体１１の表面の一部に形成されてもよい、あるいは、金属電極―半導体―金属電極の導通であればよい。

【0016】

同様にｎ型半導体素子２０―１は、第２支持体２１の表面にｎ型半導体２２をコ―ティングしてｎ型半導体膜を形成して構成される。

【0017】

第１支持体１１及び第２支持体２１は、光透過性を有する部材、例えば透明プラスチック、（ＰＥＴ：ポリエチレンテレフタレ―ト、ＰＭＭＡ：メタクリル酸メチルエステル、ＰＣ：ポリカ―ボネ―ト、ＣＯＰ：シクロオレフィンポリマ―、ＣＯＣ：環状オレフィンコポリマ―等）が用いられる。

【0018】

ｐ型半導体１２又はｎ型半導体２２は、光透過性を有する部材、例えばＡＴＯ、ＦＴＯ、ＩＴＯ、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳなどの透明導電膜材料が用いられる。ｐ型半導体１２又はｎ型半導体２２の膜厚はペルチェ素子１の光を透過できる厚さでよい。あるいは、ｐ型半導体１２又はｎ型半導体２２の膜厚は、ペルチェ素子１の光透過性を阻害しない厚さ、一例として膜厚を１００ｎｍ以下が好ましい。

【0019】

これにより、ｐ型半導体素子１０―１及びｎ型半導体素子２０―１は光透過性を有する半導体素子として形成される。

【0020】

第１金属電極３１―１、３１―２及び第２金属電極３２―１、３２―２、３２―３は光透過性を有して形成される。一例として、銀ナノワイヤ―などの針状金属が用いられる。第１金属電極及び第２金属電極の素材は、光透過性を有する金属部材であればよく、針状金属、銀ナノワイヤ―はその一例でありこれらに限定されない。また、第１金属電極と第２金属電極の素材は、互いに異なる金属材料でもよい。

【0021】

第１絶縁基板４１及び第２絶縁基板４２も光透過性を有する部材で形成される。一例として、ガラス板や透明フィルムなどの光透過性を持つ部材で構成される。

【0022】

第１実施形態に係るペルチェ素子の作用効果を従来のペルチェ素子と比較して説明する。図２は、従来のペルチェ素子の構成例を示す図である。

【0023】

従来のペルチェ素子１００は、第１絶縁基板１４１に第１金属電極１３１―１、１３１―２を配列し、各第１金属電極１３１―１、１３１―２上にｐ型半導体素子１１１―１、１１１―２、ｎ型半導体素子１２１―１、１２１―２を交互に配置し、さらにその上に第２金属電極１３２―１、１３２―２、１３２―３、更にその上に第２絶縁基板１４２を積層させて構成される。従来のペルチェ素子１００は、第１絶縁基板１４１、第２絶縁基板１４２に例えばセラミックが用いられ、またペルチェ素子１００の材料としてテルル化ビスマス（Ｂｉ２Ｔｅ３）、テルル化鉛（ＰｂＴｅ）、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）、ビスマス―アンチモン合金（Ｂｉ―Ｓｂ）などが用いられており、光透過性を有していない。

【0024】

これに対して本実施形態に係るペルチェ素子１は、ｐ型半導体素子１０―１、１０―２、ｎ型半導体素子２０―１、２０―２、第１金属電極３１―１、３１―２、第２金属電極３２―１、３２―２、３２―３、第１絶縁基板４１、及び第２絶縁基板４２の各構成要素が光透過性を有しているため、それらを積層形成されたペルチェ素子１も光透過性を有して構成できる。これにより、第１絶縁基板４１から入射した光は第２絶縁基板４２から出射し、第２絶縁基板４２から入射した光は第１絶縁基板４１から出射する。よって、ディスプレイや光電素子等、光が入射、出射をするデバイスや素子の冷却部材として好適である。

【0025】

図３を参照して本実施形態に係るペルチェ素子１の適用例について説明する。図３は、本実施形態に係るペルチェ素子を用いたＨＵＤの概略構成図である。

【0026】

図３に示すように、本実施形態に係るペルチェ素子１を乗り物に搭載されたヘッドアップディスプレイ装置（Ｈｅａｄ Ｕｐ Ｄｉｓｐｌａｙ：以下「ＨＵＤ」と略記する）６０に適用してもよい。本実施形態では乗り物は自動車を用いて説明する。

【0027】

自動車７０はハンドル７１、ハンドル７１の前面に備えられたダッシュボード７２、ウィンドシールド７３を備え、ダッシュボード７２内に運転者に虚像６８を視認させるためのＨＵＤ６０を収容する。

【0028】

ＨＵＤ６０は、光源６１、照明光学系６２、表示パネル６３、折返しミラ―６４、凹面ミラ―６５、及びミラ―駆動装置６６を含む。光源６１から出射した光は照明光学系６２に入射しコリメ―トされて表示パネル６３に入射する。表示パネル６３に表示された映像情報を含む映像光Ｌが表示パネル６３から折返しミラ―６４に向かって出射する。映像光Ｌは、折返しミラ―６４から凹面ミラ―６５に向かって反射する。さらに映像光Ｌは、凹面ミラ―６５で反射してウィンドシールド７３に向かい、ウィンドシールド７３で反射して運転者の眼に入射する。これにより運転者は虚像６８を見ることができる。

【0029】

ＨＵＤ６０は、映像光Ｌと映像光Ｌの進路を逆行して入射する太陽光により表示パネル６３の温度が上昇し、破損する恐れがある。そこで、本実施形態に係るペルチェ素子１の吸熱面を表示パネル６３に接触させて配置し、表示パネル６３の温度上昇を抑止することができる。

【0030】

その際、ペルチェ素子１は光透過性を有しているため、光路上に設置でき表示パネル６３のパネル面を直接冷却できる。

【0031】

図３では、表示パネル６３のコリメ―ト光入射面にペルチェ素子１の吸熱面を接触させて表示パネル６３を冷却する。これにより、映像光Ｌの結像映像がひずむといった、結像性への悪影響を防ぎつつ表示パネル６３を冷却できる。

【0032】

図３ではペルチェ素子１をＨＵＤ６０に適用したが、その他、テレビ、有機ＥＬ、プロジェクタ、ＰＣや携帯情報端末のディスプレイなど、光路を考慮しつつ冷却が必要なデバイスに本実施形態に係るペルチェ素子１は好適である。その際は、結像性を考慮して表示パネルにおけるバックライトとの対向面にペルチェ素子１を接触させて配置してもよい。

【0033】

またテレビ、有機ＥＬでは放熱しやすいところにペルチェ素子１を配置してもよい。例えばテレビ、有機Ｅｌを収めた筐体の下部が閉鎖空間の場合は、ペルチェ素子１から放熱した熱がこもるのを防ぐため筐体の上面にペルチェ素子１を配置してもよい。

【0034】

本実施形態によれば、ペルチェ素子に光透過性を付与することができる。これにより、光が入射、出射するデバイスに設置する際に、光路上であってもペルチェ素子を配置することができる。

【0035】

また、第１実施形態に係るペルチェ素子１の第１支持体１１及び第２支持体２１は中実構造とすることで第１支持体１１及び第２支持体２１を通過中の光の散乱を抑制しやすくなる。これにより、例えば表示パネルのバックライトとの対向面にペルチェ素子１を配置した際には、バックライトから光が表示パネルに入射するまでの光路上での散乱を抑止し、表示パネルに入射する光量の減衰を抑止することができる。

【0036】

＜第２実施形態＞
第２実施形態は、太陽光パネルに好適なペルチェ素子に係る実施形態である。図４は、第２実施形態におけるペルチェ素子の適用例を示す図である。

【0037】

図４において、太陽光パネル８０は架台８１に支持されている。そして太陽光パネル８０における太陽光入射面に、第２実施形態に係るペルチェ素子１ａの吸熱面を接触させて配置する。

【0038】

太陽光パネル８０は、パネル温度が上昇すると発電効率が低下する。光透過性を有しているペルチェ素子１ａを太陽光パネル８０の太陽光入射面に配置することで太陽光の入射を妨げることなく太陽光パネル８０の冷却が行える。

【0039】

また積雪時には太陽光パネル８０上に積雪し、太陽光パネル８０が雪により遮光されて発電が不可能となる。そこで、ペルチェ素子１ａを太陽光パネル８０の太陽光入射面に配置し、ペルチェ素子１ａを通電することで、ペルチェ素子１ａの太陽光入射面が放熱し、ペルチェ素子１ａの太陽光入射面の積雪を融雪して遮光状態を解消し、発電が可能となる。

【0040】

図５は、第２実施形態に係るペルチェ素子の厚み方向の断面説明図である。

【0041】

第１実施形態に係るペルチェ素子１と、本実施形態に係るペルチェ素子１ａとの違いは、第１支持体１１ａ及び第２支持体２１ａが発泡体を用いて形成する点と、第２絶縁基板４２における外表面、即ち第２金属電極３２―１、３２―２、３２―３との接触面とは反対側の面に凹凸面４４を形成する点である。凹凸面４４の形成箇所は第２金属電極３２―１、３２―２、３２―３との接触面とは反対側の面に限定されず、例えば不図示のペルチェ素子１ａの側面も凹凸面４４を形成してもよい。

【0042】

図５では、発泡体を用いた支持体を含むｐ型半導体素子１０ａ―１、１０ａ―２、同じく発泡体を用いた支持体を含むｎ型半導体素子２０ａ―１、２０ａ―２を交互に配列したペルチェ素子１ａを図示したが、ｐ型半導体素子、ｎ型半導体素子のいずれか一方に発泡体を用いた支持体を含む構成であってもよい。

【0043】

第２実施形態に係るペルチェ素子１ａによればペルチェ素子に光透過性を付与することができる。更に第１支持体１１ａ及び第２支持体２１ａの材料として発泡体を用いることで、放熱側となる第２絶縁基板４２と、吸熱側となる第１絶縁基板４１との熱伝導が抑制され、ペルチェ素子１ａの冷却性能を更に向上させることができる。そのため、太陽光パネル８０のようにペルチェ素子１ａに入射した光が散乱しても太陽光パネル８０に入射すればよいデバイスに好適なペルチェ素子を提供することができる。

【0044】

更に、第２絶縁基板４２の外表面を凹凸面４４とすることでペルチェ素子１ａが空気と触れる面積を平面状に形成する場合と比べて増加させ、放熱性を向上させることができる。その結果、冷却性及び融雪性能を向上させることができる。

【0045】

（第２実施形態の変形例）
図６は、第２実施形態の係るペルチェ素子（変形例）の厚み方向の断面説明図である。

【0046】

図６に示すペルチェ素子１ｂと第１実施形態に係るペルチェ素子１との違いは、第１支持体１１ｂ及び第２支持体２１ｂを中空構造に形成し、これらを含むｐ型半導体素子１０ｂ―１、１０ｂ―２、ｎ型半導体素子２０ｂ―１、２０ｂ―２を交互に配列する点である。ｐ型半導体素子１０ｂ―１、１０ｂ―２、ｎ型半導体素子２０ｂ―１、２０ｂ―２のどちらかだけが発泡体を用いた支持体を含んでもよい。

【0047】

これにより、第１支持体１１ｂ及び第２支持体２１ｂが中実構造に形成される場合と比べて断面を小さくし、更に、中空部の空気層が断熱効果を奏することで、放熱側から吸熱側への熱伝導が抑えられ、ペルチェ素子１ｂの冷却性能が向上する。

【0048】

図６では第２絶縁基板４２の外表面を平面状に図示しているが、図５のペルチェ素子１ａと同様、凹凸面４４を形成してもよい。これにより、ペルチェ素子１ｂの放熱性をさらに向上させることができる。

【0049】

＜第３実施形態＞
第３実施形態は、更にフレキシブル性を備えたペルチェ素子に係る。図７は、第３実施形態に係るペルチェ素子の厚み方向の断面説明図である。

【0050】

図７に示すペルチェ素子１ｃと第１実施形態に係るペルチェ素子１との違いは、第１支持体１１ｃ及び第２支持体２１ｃの断面形状がコの字型に形成し、第１支持体１１ｃ、第２支持体２１ｃ、第１絶縁基板４１ｃ、第２絶縁基板４２ｃは例えば透明フィルムを用い、第１金属電極３１ｃ―１、３１ｃ―２、第２金属電極３２ｃ―１、３２ｃ―２、３２ｃ―３は銀ナノワイヤ―とすることでペルチェ素子１ｃにフレキシブル性を付与する点である。

【0051】

第１支持体１１ｃ、第２支持体２１ｃは第２実施形態に係るペルチェ素子１ｂに用いた断面が中空の角柱状の第１支持体１１ｂ及び第２支持体２１ｃと比べて更に断面積を小さくできるので放熱側から吸熱側への熱伝導が抑えられ、ペルチェ素子１ｃの冷却性能が向上する。更に断面形状がコ字形状である第１支持体１１ｃ、第２支持体２１ｃは、中空の角柱状の第１支持体１１ｂ及び第２支持体２１ｃと比べて変形しやすく、フレキシブル性の向上につながる。

【0052】

ペルチェ素子１ｃは、第１絶縁基板４１ｃにおける第１金属電極３１ｃ―１、３１ｃ―２との接触面とは反対側の面（裏面）に粘着層５０を備える。粘着層５０として光学用透明粘着シ―ト（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｃｌｅａｒ Ａｄｈｅｓｉｖｅ）を用い、光透過性を担保する。

【0053】

第３実施形態によれば、ペルチェ素子１ｃに光透過性並びにフレキシブル性を付与することができる。フレキシブル性を有するペルチェ素子１ｃは曲面にも設置可能なので、例えばフィルム型太陽電池への適用が可能となる。

【0054】

以上、本発明の実施形態について説明したが、言うまでもなく、本発明の技術を実現する構成は上記実施形態に限られるものではなく、様々な変形例が考えられる。

【0055】

また前述した実施の形態は、本発明を分かり易く説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、ある実施形態の構成の一部を他の実施形態の構成と置き換えることが可能であり、また、ある実施形態の構成に他の実施形態の構成を加えることも可能である。これらは全て本発明の範疇に属するものである。また、文中や図中に現れる数値やメッセ―ジ等もあくまでも一例であり、異なるものを用いても本発明の効果を損なうことはない。

【0056】

前記実施の形態は、以下の形態を含む。
（付記１）
ペルチェ素子において、
複数のｐ型半導体素子及び複数のｎ型半導体素子と、
第１金属電極及び第２金属電極と、
絶縁基板と、を備え、
前記ｐ型半導体素子及び前記ｎ型半導体素子の夫々は、前記第１金属電極及び前記第２金属電極を介して交互に接続され、
前記絶縁基板は、前記第１金属電極及び前記第２金属電極における前記ｐ型半導体素子又は前記ｎ型半導体素子との接触面とは反対側の面を覆って配置され、
前記ｐ型半導体素子及び前記ｎ型半導体素子の夫々、前記第１金属電極、前記第２金属電極、及び前記絶縁基板は、光透過性を有する、
ことを特徴とするペルチェ素子。

【0057】

（付記２）
また、上記ペルチェ素子を有する、ことを特徴とする電子装置。

【符号の説明】

【0058】

１ ：ペルチェ素子
１ａ ：ペルチェ素子
１ｂ ：ペルチェ素子
１ｃ ：ペルチェ素子
１０ａ―１ ：ｐ型半導体素子
１０ｂ―１ ：ｐ型半導体素子
１０―１ ：ｐ型半導体素子
１０―２ ：ｐ型半導体素子
１１ ：第１支持体
１１ａ ：第１支持体
１１ｂ ：第１支持体
１１ｃ ：第１支持体
１２ ：ｐ型半導体
２０ａ―１ ：ｎ型半導体素子
２０ｂ―１ ：ｎ型半導体素子
２０―１ ：ｎ型半導体素子
２０―２ ：ｎ型半導体素子
２１ ：第２支持体
２１ａ ：第２支持体
２１ｂ ：第２支持体
２１ｃ ：第２支持体
２２ ：ｎ型半導体
３１ｃ―１ ：第１金属電極
３１―１ ：第１金属電極
３１―２ ：第１金属電極
３２ｃ―１ ：第２金属電極
３２―１ ：第２金属電極
３２―２ ：第２金属電極
３２―３ ：第２金属電極
４１ ：第１絶縁基板
４１ｃ ：第１絶縁基板
４２ ：第２絶縁基板
４２ｃ ：第２絶縁基板
４４ ：凹凸面
５０ ：粘着層
６１ ：光源
６２ ：照明光学系
６３ ：表示パネル
６６ ：駆動装置
６８ ：虚像
７０ ：自動車
７１ ：ハンドル
７２ ：ダッシュボード
７３ ：ウィンドシールド
８０ ：太陽光パネル
８１ ：架台
１００ ：ペルチェ素子
１１１―１ ：ｐ型半導体素子
１２１―１ ：ｎ型半導体素子
１３１―１ ：第１金属電極
１３１―２ ：第１金属電極
１３２―１ ：第２金属電極
１３２―２ ：第２金属電極
１３２―３ ：第２金属電極
１４１ ：第１絶縁基板
１４２ ：第２絶縁基板
Ｌ ：映像光

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】