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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024021862
(43)【公開日】2024-02-16
(54)【発明の名称】積層電子部品
(51)【国際特許分類】
H01G 4/30 20060101AFI20240208BHJP
【ＦＩ】
H01G4/30 201L
H01G4/30 201K
H01G4/30 515
H01G4/30 512
【審査請求】未請求
【請求項の数】7
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022125005
(22)【出願日】2022-08-04
(71)【出願人】
【識別番号】000003067
【氏名又は名称】ＴＤＫ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001494
【氏名又は名称】前田・鈴木国際特許弁理士法人
(72)【発明者】
【氏名】村上 拓
(72)【発明者】
【氏名】森ケ▲崎▼ 信人
(72)【発明者】
【氏名】有泉 琢磨
(72)【発明者】
【氏名】永島 義崇
(72)【発明者】
【氏名】木村 仁士
【テーマコード（参考）】
5E001
5E082
【Ｆターム（参考）】
5E001AB03
5E001AC09
5E001AD02
5E001AE04
5E001AF06
5E082AA01
5E082AB03
5E082BC33
5E082EE04
5E082EE05
5E082EE23
5E082EE35
5E082EE37
5E082FF05
5E082FG04
5E082FG26
5E082FG46
5E082GG10
5E082GG11
5E082GG28
5E082JJ03
5E082JJ12
5E082JJ23
5E082PP03
5E082PP09
(57)【要約】
【課題】クラックの発生を抑制することと、良好な温度特性を有しつつ信頼性を向上させることと、を両立させることができる積層電子部品を提供すること。
【解決手段】内側誘電体層と内部電極層とが交互に積層された内装領域と、内装領域の積層方向の外側に位置する外装領域と、を有する素子本体と、素子本体の表面に内部電極層と接続される一対の外部電極と、を有する積層電子部品であって、内側誘電体層および外装領域の外側誘電体層は、主相粒子が一般式ＡＢＯ3で表されるペロブスカイト型結晶構造を有する主成分を含み、ＣREが０．９０モル部以上３．６０モル部以下であり、ＣMが０．２０モル部以上１．２０モル部以下であり、ＣSiが０．６０モル部以上１．８０モル部以下であり、内側誘電体層を構成する主相粒子の平均粒径をｒ１とし、外側誘電体層を構成する主相粒子の平均粒径をｒ２としたときに、ｒ１およびｒ２は、ｒ１＜ｒ２＜ｒ１×４．０の関係を満たす積層電子部品。
【選択図】図２
【解決手段】内側誘電体層と内部電極層とが交互に積層された内装領域と、内装領域の積層方向の外側に位置する外装領域と、を有する素子本体と、素子本体の表面に内部電極層と接続される一対の外部電極と、を有する積層電子部品であって、内側誘電体層および外装領域の外側誘電体層は、主相粒子が一般式ＡＢＯ3で表されるペロブスカイト型結晶構造を有する主成分を含み、ＣREが０．９０モル部以上３．６０モル部以下であり、ＣMが０．２０モル部以上１．２０モル部以下であり、ＣSiが０．６０モル部以上１．８０モル部以下であり、内側誘電体層を構成する主相粒子の平均粒径をｒ１とし、外側誘電体層を構成する主相粒子の平均粒径をｒ２としたときに、ｒ１およびｒ２は、ｒ１＜ｒ２＜ｒ１×４．０の関係を満たす積層電子部品。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
内側誘電体層と内部電極層とが交互に積層された内装領域と、前記内装領域の積層方向の外側に位置する外装領域と、を有する素子本体と、
前記素子本体の表面に前記内部電極層と接続される一対の外部電極と、を有する積層電子部品であって、
前記内側誘電体層および前記外装領域の外側誘電体層は、主相粒子が一般式ＡＢＯ3で表されるペロブスカイト型結晶構造を有する主成分を含み、
前記内側誘電体層および前記外側誘電体層は、ＲＥ、ＭおよびＳｉを含む副成分を含み、
ＡはＢａ、ＳｒおよびＣａから選択される少なくとも１種であり、
ＢはＴｉ、ＺｒおよびＨｆから選択される少なくとも１種であり、
ＲＥはＹｂ、Ｙ、Ｈｏ、Ｄｙ、Ｔｂ、ＧｄおよびＥｕから選択される少なくとも１種であり、
ＭはＭｇ、Ｍｎ、ＶおよびＣｒから選択される少なくとも２種であり、
前記内側誘電体層および前記外側誘電体層における前記主成分１００モル部に対するＲＥ2Ｏ3換算でのＲＥの含有量ＣREが０．９０モル部以上３．６０モル部以下であり、
前記内側誘電体層および前記外側誘電体層における前記主成分１００モル部に対するＭＯ換算でのＭの含有量ＣMが０．２０モル部以上１．２０モル部以下であり、
前記内側誘電体層および前記外側誘電体層における前記主成分１００モル部に対するＳｉＯ2換算でのＳｉの含有量ＣSiが０．６０モル部以上１．８０モル部以下であり、
前記内側誘電体層を構成する前記主相粒子の平均粒径をｒ１とし、
前記外側誘電体層を構成する前記主相粒子の平均粒径をｒ２としたときに、
ｒ１およびｒ２が、ｒ１＜ｒ２＜ｒ１×４．０の関係を満たす積層電子部品。
前記素子本体の表面に前記内部電極層と接続される一対の外部電極と、を有する積層電子部品であって、
前記内側誘電体層および前記外装領域の外側誘電体層は、主相粒子が一般式ＡＢＯ3で表されるペロブスカイト型結晶構造を有する主成分を含み、
前記内側誘電体層および前記外側誘電体層は、ＲＥ、ＭおよびＳｉを含む副成分を含み、
ＡはＢａ、ＳｒおよびＣａから選択される少なくとも１種であり、
ＢはＴｉ、ＺｒおよびＨｆから選択される少なくとも１種であり、
ＲＥはＹｂ、Ｙ、Ｈｏ、Ｄｙ、Ｔｂ、ＧｄおよびＥｕから選択される少なくとも１種であり、
ＭはＭｇ、Ｍｎ、ＶおよびＣｒから選択される少なくとも２種であり、
前記内側誘電体層および前記外側誘電体層における前記主成分１００モル部に対するＲＥ2Ｏ3換算でのＲＥの含有量ＣREが０．９０モル部以上３．６０モル部以下であり、
前記内側誘電体層および前記外側誘電体層における前記主成分１００モル部に対するＭＯ換算でのＭの含有量ＣMが０．２０モル部以上１．２０モル部以下であり、
前記内側誘電体層および前記外側誘電体層における前記主成分１００モル部に対するＳｉＯ2換算でのＳｉの含有量ＣSiが０．６０モル部以上１．８０モル部以下であり、
前記内側誘電体層を構成する前記主相粒子の平均粒径をｒ１とし、
前記外側誘電体層を構成する前記主相粒子の平均粒径をｒ２としたときに、
ｒ１およびｒ２が、ｒ１＜ｒ２＜ｒ１×４．０の関係を満たす積層電子部品。
【請求項2】
前記内部電極層の最外層の外表面から前記素子本体の外表面までの距離を２Ｌとし、
前記外装領域における前記内部電極層の近傍での前記主相粒子の平均粒径をｒａとし、
前記内部電極層の前記最外層の外表面と前記素子本体の外表面との中間地点での前記主相粒子の平均粒径をｒｂとし、
前記素子本体の外表面の近傍での前記主相粒子の平均粒径をｒｃとしたときに、
Ｌ、ｒａ、ｒｂおよびｒｃが、
（ｒｂ－ｒａ）／Ｌ＞０．００００８および（ｒｃ－ｒｂ）／Ｌ＞０．００００８の関係を満たす請求項１に記載の積層電子部品。
前記外装領域における前記内部電極層の近傍での前記主相粒子の平均粒径をｒａとし、
前記内部電極層の前記最外層の外表面と前記素子本体の外表面との中間地点での前記主相粒子の平均粒径をｒｂとし、
前記素子本体の外表面の近傍での前記主相粒子の平均粒径をｒｃとしたときに、
Ｌ、ｒａ、ｒｂおよびｒｃが、
（ｒｂ－ｒａ）／Ｌ＞０．００００８および（ｒｃ－ｒｂ）／Ｌ＞０．００００８の関係を満たす請求項１に記載の積層電子部品。
【請求項3】
前記内側誘電体層を構成する前記主相粒子の粒径のＳＮ比をＳＮＲとし、
前記外装領域における前記内部電極層の近傍での前記主相粒子の粒径のＳＮ比をＳＮＲａとし、
前記内部電極層の前記最外層の外表面と前記素子本体の外表面との中間地点での前記主相粒子の粒径のＳＮ比をＳＮＲｂとし、
前記素子本体の前記外表面の近傍での前記主相粒子の粒径のＳＮ比をＳＮＲｃとしたとき、
ＳＮＲ、ＳＮＲａ、ＳＮＲｂおよびＳＮＲｃが、
ＳＮＲ＞ＳＮＲａ、ＳＮＲ＞ＳＮＲｂおよびＳＮＲ＞ＳＮＲｃの関係を満たす請求項１に記載の積層電子部品。
前記外装領域における前記内部電極層の近傍での前記主相粒子の粒径のＳＮ比をＳＮＲａとし、
前記内部電極層の前記最外層の外表面と前記素子本体の外表面との中間地点での前記主相粒子の粒径のＳＮ比をＳＮＲｂとし、
前記素子本体の前記外表面の近傍での前記主相粒子の粒径のＳＮ比をＳＮＲｃとしたとき、
ＳＮＲ、ＳＮＲａ、ＳＮＲｂおよびＳＮＲｃが、
ＳＮＲ＞ＳＮＲａ、ＳＮＲ＞ＳＮＲｂおよびＳＮＲ＞ＳＮＲｃの関係を満たす請求項１に記載の積層電子部品。
【請求項4】
前記内側誘電体層を構成する前記主相粒子の断面上にＲＥが固溶している固溶領域の面積割合が１２％以上５０％以下である請求項１に記載の積層電子部品。
【請求項5】
前記内側誘電体層を構成する前記主相粒子の少なくとも一部は、コア部と、前記コア部の周囲を覆い、ＲＥが固溶しているシェル部と、を有するコアシェル構造を有し、
前記内側誘電体層を構成し、なおかつ前記シェル部の平均厚みが５ｎｍ以上である前記主相粒子を特定主相粒子としたとき、
前記内側誘電体層における前記主相粒子に対する前記特定主相粒子の個数割合が、９０％以上である請求項１に記載の積層電子部品。
前記内側誘電体層を構成し、なおかつ前記シェル部の平均厚みが５ｎｍ以上である前記主相粒子を特定主相粒子としたとき、
前記内側誘電体層における前記主相粒子に対する前記特定主相粒子の個数割合が、９０％以上である請求項１に記載の積層電子部品。
【請求項6】
前記内側誘電体層および前記外側誘電体層に含まれるＭのうち、最も含有量の多い元素をＭ１としたとき、
前記内側誘電体層および前記外側誘電体層における前記主成分１００モル部に対するＭ１Ｏ換算でのＭ１の含有量ＣM1が０．４０モル部以上０．９０モル部以下である請求項１に記載の積層電子部品。
前記内側誘電体層および前記外側誘電体層における前記主成分１００モル部に対するＭ１Ｏ換算でのＭ１の含有量ＣM1が０．４０モル部以上０．９０モル部以下である請求項１に記載の積層電子部品。
【請求項7】
前記内側誘電体層を構成する前記主相粒子の平均粒径（ｒ１）が、１８０ｎｍ＜ｒ１＜２４０ｎｍの関係を満たす請求項１～６に記載の積層電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、積層電子部品に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１には、積層セラミック電子部品において、内装領域に位置する第１誘電体粒子と外装領域に位置する第２誘電体粒子とで粒径を変化させることにより比誘電率を向上させる旨が記載されている。
【0003】
一方、昨今、市場からは、クラックの発生を抑制することと、良好な温度特性を有しつつ信頼性を向上させることとを両立させることが要求されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特許第６８７９３３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明は、このような実情に鑑みてなされ、その目的は、クラックの発生を抑制することと、良好な温度特性を有しつつ信頼性を向上させることと、を両立させることができる積層電子部品を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0006】
上記の目的を達成するために、本発明に係る積層電子部品は、
内側誘電体層と内部電極層とが交互に積層された内装領域と、前記内装領域の積層方向の外側に位置する外装領域と、を有する素子本体と、
前記素子本体の表面に前記内部電極層と接続される一対の外部電極と、を有する積層電子部品であって、
前記内側誘電体層および前記外装領域の外側誘電体層は、主相粒子が一般式ＡＢＯ3で表されるペロブスカイト型結晶構造を有する主成分を含み、
前記内側誘電体層および前記外側誘電体層は、ＲＥ、ＭおよびＳｉを含む副成分を含み、
ＡはＢａ、ＳｒおよびＣａから選択される少なくとも１種であり、
ＢはＴｉ、ＺｒおよびＨｆから選択される少なくとも１種であり、
ＲＥはＹｂ、Ｙ、Ｈｏ、Ｄｙ、Ｔｂ、ＧｄおよびＥｕから選択される少なくとも１種であり、
ＭはＭｇ、Ｍｎ、ＶおよびＣｒから選択される少なくとも２種であり、
前記内側誘電体層および前記外側誘電体層における前記主成分１００モル部に対するＲＥ2Ｏ3換算でのＲＥの含有量ＣREが０．９０モル部以上３．６０モル部以下であり、
前記内側誘電体層および前記外側誘電体層における前記主成分１００モル部に対するＭＯ換算でのＭの含有量ＣMが０．２０モル部以上１．２０モル部以下であり、
前記内側誘電体層および前記外側誘電体層における前記主成分１００モル部に対するＳｉＯ2換算でのＳｉの含有量ＣSiが０．６０モル部以上１．８０モル部以下であり、
前記内側誘電体層を構成する前記主相粒子の平均粒径をｒ１とし、
前記外側誘電体層を構成する前記主相粒子の平均粒径をｒ２としたときに、
ｒ１およびｒ２が、ｒ１＜ｒ２＜ｒ１×４．０の関係を満たす。
内側誘電体層と内部電極層とが交互に積層された内装領域と、前記内装領域の積層方向の外側に位置する外装領域と、を有する素子本体と、
前記素子本体の表面に前記内部電極層と接続される一対の外部電極と、を有する積層電子部品であって、
前記内側誘電体層および前記外装領域の外側誘電体層は、主相粒子が一般式ＡＢＯ3で表されるペロブスカイト型結晶構造を有する主成分を含み、
前記内側誘電体層および前記外側誘電体層は、ＲＥ、ＭおよびＳｉを含む副成分を含み、
ＡはＢａ、ＳｒおよびＣａから選択される少なくとも１種であり、
ＢはＴｉ、ＺｒおよびＨｆから選択される少なくとも１種であり、
ＲＥはＹｂ、Ｙ、Ｈｏ、Ｄｙ、Ｔｂ、ＧｄおよびＥｕから選択される少なくとも１種であり、
ＭはＭｇ、Ｍｎ、ＶおよびＣｒから選択される少なくとも２種であり、
前記内側誘電体層および前記外側誘電体層における前記主成分１００モル部に対するＲＥ2Ｏ3換算でのＲＥの含有量ＣREが０．９０モル部以上３．６０モル部以下であり、
前記内側誘電体層および前記外側誘電体層における前記主成分１００モル部に対するＭＯ換算でのＭの含有量ＣMが０．２０モル部以上１．２０モル部以下であり、
前記内側誘電体層および前記外側誘電体層における前記主成分１００モル部に対するＳｉＯ2換算でのＳｉの含有量ＣSiが０．６０モル部以上１．８０モル部以下であり、
前記内側誘電体層を構成する前記主相粒子の平均粒径をｒ１とし、
前記外側誘電体層を構成する前記主相粒子の平均粒径をｒ２としたときに、
ｒ１およびｒ２が、ｒ１＜ｒ２＜ｒ１×４．０の関係を満たす。
【0007】
本発明に係る積層電子部品によれば、クラックの発生を抑制することと、信頼性を向上させることと、を両立させることができ、なおかつ良好な温度特性を達成することができる。
【0008】
具体的には、本発明に係る積層電子部品は外装領域の硬度が高い、すなわち外装領域の力学的強度が高いため、外的衝撃や電歪などによるクラックの発生を抑制することができる。
【0009】
また、信頼性は、たとえば高温負荷寿命を測定することにより確認することができる。すなわち、高温負荷寿命が長い程、信頼性が良好であると判断することができる。
【0010】
前記内部電極層の最外層の外表面から前記素子本体の外表面までの距離を２Ｌとし、
前記外装領域における前記内部電極層の近傍での前記主相粒子の平均粒径をｒａとし、
前記内部電極層の前記最外層の外表面と前記素子本体の外表面との中間地点での前記主相粒子の平均粒径をｒｂとし、
前記素子本体の外表面の近傍での前記主相粒子の平均粒径をｒｃとしたときに、
Ｌ、ｒａ、ｒｂおよびｒｃが、
（ｒｂ－ｒａ）／Ｌ＞０．００００８および（ｒｃ－ｒｂ）／Ｌ＞０．００００８の関係を満たすことが好ましい。
前記外装領域における前記内部電極層の近傍での前記主相粒子の平均粒径をｒａとし、
前記内部電極層の前記最外層の外表面と前記素子本体の外表面との中間地点での前記主相粒子の平均粒径をｒｂとし、
前記素子本体の外表面の近傍での前記主相粒子の平均粒径をｒｃとしたときに、
Ｌ、ｒａ、ｒｂおよびｒｃが、
（ｒｂ－ｒａ）／Ｌ＞０．００００８および（ｒｃ－ｒｂ）／Ｌ＞０．００００８の関係を満たすことが好ましい。
【0011】
これにより、外装領域の硬度がより高くなる。
【0012】
前記内側誘電体層を構成する前記主相粒子の粒径のＳＮ比をＳＮＲとし、
前記外装領域における前記内部電極層の近傍での前記主相粒子の粒径のＳＮ比をＳＮＲａとし、
前記内部電極層の前記最外層の外表面と前記素子本体の外表面との中間地点での前記主相粒子の粒径のＳＮ比をＳＮＲｂとし、
前記素子本体の前記外表面の近傍での前記主相粒子の粒径のＳＮ比をＳＮＲｃとしたとき、
ＳＮＲ、ＳＮＲａ、ＳＮＲｂおよびＳＮＲｃが、
ＳＮＲ＞ＳＮＲａ、ＳＮＲ＞ＳＮＲｂおよびＳＮＲ＞ＳＮＲｃの関係を満たすことが好ましい。
前記外装領域における前記内部電極層の近傍での前記主相粒子の粒径のＳＮ比をＳＮＲａとし、
前記内部電極層の前記最外層の外表面と前記素子本体の外表面との中間地点での前記主相粒子の粒径のＳＮ比をＳＮＲｂとし、
前記素子本体の前記外表面の近傍での前記主相粒子の粒径のＳＮ比をＳＮＲｃとしたとき、
ＳＮＲ、ＳＮＲａ、ＳＮＲｂおよびＳＮＲｃが、
ＳＮＲ＞ＳＮＲａ、ＳＮＲ＞ＳＮＲｂおよびＳＮＲ＞ＳＮＲｃの関係を満たすことが好ましい。
【0013】
これにより、高温負荷寿命がより良好になる。ＳＮ比は大きいほどばらつきが小さいことを意味する。したがって、ＳＮＲ、ＳＮＲａ、ＳＮＲｂおよびＳＮＲｃが、ＳＮＲ＞ＳＮＲａ、ＳＮＲ＞ＳＮＲｂおよびＳＮＲ＞ＳＮＲｃを満たすということは、内側誘電体層を構成する主相粒子の粒径のばらつきが、外側誘電体層を構成する主相粒子の粒径のばらつきに比べて小さいことを意味する。
【0014】
内装領域は電気特性に寄与し、主相粒子の粒径のばらつきが小さい程、高温負荷寿命が向上する。一方、外装領域は電気特性に寄与しない。したがって、内側誘電体層を構成する主相粒子の粒径のばらつきが、外側誘電体層を構成する主相粒子の粒径のばらつきに比べて小さいことにより、高温負荷寿命がより良好になる。
【0015】
前記内側誘電体層を構成する前記主相粒子の断面上にＲＥが固溶している固溶領域の面積割合が１２％以上５０％以下であることが好ましい。
【0016】
内側誘電体層を構成する主相粒子にＲＥが固溶している領域（以下では「ＲＥ固溶領域」と記載することもある）の面積割合が１２％以上５０％以下であることにより、温度特性と高温負荷寿命がより良好になる。ＲＥ固溶領域の面積割合が１２％以上であることにより抵抗がより高くなり、その結果、高温負荷寿命がより良好になる。これは、抵抗が高くなることにより、高電界下で局所的に電流密度が高くなることを防ぎ、その結果、故障を抑制できるためであると考えられる。一方で、ＲＥ固溶領域の面積割合が５０％以下である場合には主成分に対するＲＥ固溶領域の面積割合が高過ぎないため、より良好な温度特性を得ることができる。
【0017】
前記内側誘電体層を構成する前記主相粒子の少なくとも一部は、コア部と、前記コア部の周囲を覆い、ＲＥが固溶しているシェル部と、を有するコアシェル構造を有することが好ましく、
前記内側誘電体層を構成し、なおかつ前記シェル部の平均厚みが５ｎｍ以上である前記主相粒子を特定主相粒子としたとき、
前記内側誘電体層における前記主相粒子に対する前記特定主相粒子の個数割合が、９０％以上であることが好ましい。
前記内側誘電体層を構成し、なおかつ前記シェル部の平均厚みが５ｎｍ以上である前記主相粒子を特定主相粒子としたとき、
前記内側誘電体層における前記主相粒子に対する前記特定主相粒子の個数割合が、９０％以上であることが好ましい。
【0018】
シェル部の平均厚みが５ｎｍ以上であることにより、抵抗がより高くなり、その結果、高電界下における内側誘電体層の劣化を抑制し易くなる。したがって、内側誘電体層における主相粒子に対する特定主相粒子の個数割合が９０％以上であることにより、抵抗がより高くなり、その結果、高温負荷寿命がより良好になる。
【0019】
前記内側誘電体層および前記外側誘電体層に含まれるＭのうち、最も含有量の多い元素をＭ１としたとき、
前記内側誘電体層および前記外側誘電体層における前記主成分１００モル部に対するＭ１Ｏ換算でのＭ１の含有量ＣM1が０．４０モル部以上０．９０モル部以下であることが好ましい。
前記内側誘電体層および前記外側誘電体層における前記主成分１００モル部に対するＭ１Ｏ換算でのＭ１の含有量ＣM1が０．４０モル部以上０．９０モル部以下であることが好ましい。
【0020】
ＲＥがＡサイト元素を置換する場合にはドナー成分として主相粒子に固溶し、ＲＥおよびＭがＢサイト元素を置換する場合にはアクセプタ成分として主相粒子に固溶する。
【0021】
ＣM1が０．４０モル部以上０．９０モル部以下であることにより、焼結後の主相粒子の粒径ばらつきを抑えつつ、ドナー成分およびアクセプタ成分のバランスが取れるため高温負荷寿命がより良好になる。
【0022】
ＣM1が上記の範囲内である場合には、ＣM1が上記の範囲を下回る場合に比べて、粒界成分を十分に確保できるため、主相粒子の異常粒成長や粒径ばらつきを抑制することができ、その結果、高温負荷寿命がより向上する。
【0023】
また、ＣM1が上記の範囲内である場合には、ＣM1が上記の範囲を上回る場合に比べて、ドナー成分に対するアクセプタ成分の割合が多過ぎず、酸素欠陥を抑制できるため、高温負荷寿命がより向上する。
【0024】
前記内側誘電体層を構成する前記主相粒子の平均粒径（ｒ１）が、１８０ｎｍ＜ｒ１＜２４０ｎｍの関係を満たすことが好ましい。
【0025】
ｒ１が上記の範囲内にある場合には、ｒ１が上記の範囲を上回る場合に比べて、高温負荷寿命および温度特性がより良好になる。これは、ｒ１が上記の範囲内にある場合には、粒径が大きく成長し過ぎないことから内装領域で層間粒子数を多く稼げるため高温負荷寿命がより良好になるためであると考えられる。また、ｒ１が上記の範囲内にある場合には、主成分の原料粉末が大きく粒成長し過ぎない、すなわち異常粒成長しないため、温度特性がより良好になると考えられる。
【0026】
ｒ１が上記の範囲内にある場合には、ｒ１が上記の範囲を下回る場合に比べて、高温負荷寿命および温度特性がより良好になる。これは、ｒ１が上記の範囲内にある場合には、主相粒子に対してＲＥ、Ｍおよび／またはＳｉが十分に固溶し、シェル部を形成するためであると考えられる。
【図面の簡単な説明】
【0027】
【発明を実施するための形態】
【0028】
＜１．積層セラミックコンデンサ＞
１．１ 積層セラミックコンデンサの全体構成
本実施形態に係る積層電子部品の一例としての積層セラミックコンデンサ２が図１Ａおよび図１Ｂに示される。積層セラミックコンデンサ２は、素子本体４を有し、素子本体４は内装領域１３と、外装領域１５とを有する。内装領域１３は、Ｘ軸およびＹ軸を含む平面に実質的に平行な内側誘電体層１０と内部電極層１２とを有し、内側誘電体層１０と、内部電極層１２と、がＺ軸方向に交互に積層された構成である。外装領域１５は内装領域１３の積層方向（Ｚ軸方向）の外側に位置する。
１．１ 積層セラミックコンデンサの全体構成
本実施形態に係る積層電子部品の一例としての積層セラミックコンデンサ２が図１Ａおよび図１Ｂに示される。積層セラミックコンデンサ２は、素子本体４を有し、素子本体４は内装領域１３と、外装領域１５とを有する。内装領域１３は、Ｘ軸およびＹ軸を含む平面に実質的に平行な内側誘電体層１０と内部電極層１２とを有し、内側誘電体層１０と、内部電極層１２と、がＺ軸方向に交互に積層された構成である。外装領域１５は内装領域１３の積層方向（Ｚ軸方向）の外側に位置する。
【0029】
ここで、Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸は、相互に垂直である。
【0030】
また、「内側」は、積層セラミックコンデンサ２の中心により近い側を意味し、「外側」は、積層セラミックコンデンサ２の中心からより離れた側を意味する。
【0031】
さらに、「実質的に平行」とは、ほとんどの部分が平行であるが、多少平行ではない部分を有していてもよいことを意味し、内側誘電体層１０と内部電極層１２とは、多少、凹凸があったり、傾いていたりしてもよい。
【0032】
また、図１Ａによれば、素子本体４のＸ軸方向の端面は、平面であり、言い換えると、内側誘電体層１０と内部電極層１２とが面一となるように積層されている。しかし、素子本体４のＸ軸方向の端面は、平面ではない部分を有していてもよい。また、内側誘電体層１０と内部電極層１２とが面一とはならずに、たとえば内側誘電体層１０の一部が削れていたり、内部電極層１２の一部が突き出た状態で積層されていてもよい。
【0033】
外装領域１５は外側誘電体層１１により構成されている。外装領域１５は一層の外側誘電体層１１のみによる単層構造であってもよいし、複数の外側誘電体層１１が積層された積層構造であってもよい。
【0034】
素子本体４の両端部には、素子本体４の内部で交互に配置された内部電極層１２と各々導通する一対の外部電極６が形成してある。素子本体４の形状に特に制限はないが、通常、直方体状とされる。また、素子本体４の寸法にも特に制限はなく、用途に応じて適当な寸法とすればよい。
【0035】
本実施形態では、素子本体４の縦寸法Ｌ０（図１Ａ参照）は、５．７～０．４ｍｍであってもよい。素子本体４の幅寸法Ｗ０（図１Ｂ参照）は、５．０～０．２ｍｍであってもよい。素子本体４の高さ寸法Ｈ０（図１Ｂ参照）は、５．０～０．２ｍｍであってもよい。
【0036】
素子本体４の具体的なサイズとしては、Ｌ０×Ｗ０が（５．７±０．４）ｍｍ×（５．０±０．４）ｍｍ、（４．５±０．４）ｍｍ×（３．２±０．４）ｍｍ、（３．２±０．３）ｍｍ×（２．５±０．２）ｍｍ、（３．２±０．３）ｍｍ×（１．６±０．２）ｍｍ、（２．０±０．２）ｍｍ×（１．２±０．１）ｍｍ、（１．６±０．２）ｍｍ×（０．８±０．１）ｍｍ、（１．０±０．１）ｍｍ×（０．５±０．０５）ｍｍ、（０．６±０．０６）ｍｍ×（０．３±０．０３）ｍｍ、（０．４±０．０４）ｍｍ×（０．２±０．０２）ｍｍの場合等が挙げられる。また、Ｈ０は特に限定されず、たとえばＷ０と同等以下程度である。
【0037】
１．２ 内部電極層
本実施形態では、内部電極層１２は、各端部が素子本体４の対向する二端面の表面に交互に露出するように積層してある。
本実施形態では、内部電極層１２は、各端部が素子本体４の対向する二端面の表面に交互に露出するように積層してある。
【0038】
内部電極層１２に含有される導電材としては特に限定されない。導電材として用いられる貴金属としては、たとえばＰｄ、Ｐｔ、Ａｇ－Ｐｄ合金等が挙げられる。導電材として用いられる卑金属としては、たとえばＮｉ、Ｎｉ系合金、Ｃｕ、Ｃｕ系合金等が挙げられる。なお、Ｎｉ、Ｎｉ系合金、ＣｕまたはＣｕ系合金中には、Ｐおよび／またはＳ等の各種微量成分が０．１質量％程度以下含まれていてもよい。また、内部電極層１２は、市販の電極用ペーストを使用して形成してもよい。内部電極層１２の厚さは用途等に応じて適宜決定すればよい。
【0039】
１．３ 外部電極
外部電極６に含有される導電材は特に限定されない。たとえばＮｉ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕあるいはこれらの合金、導電性樹脂等公知の導電材を用いればよい。外部電極６の厚さは用途等に応じて適宜決定すればよい。
外部電極６に含有される導電材は特に限定されない。たとえばＮｉ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕあるいはこれらの合金、導電性樹脂等公知の導電材を用いればよい。外部電極６の厚さは用途等に応じて適宜決定すればよい。
【0040】
１．４ 誘電体層
本実施形態では、「内側誘電体層１０」および「外側誘電体層１１」をまとめて「誘電体層」と記載することがある。
本実施形態では、「内側誘電体層１０」および「外側誘電体層１１」をまとめて「誘電体層」と記載することがある。
【0041】
内側誘電体層１０の１層あたりの厚み（層間厚み）は特に限定されず、所望の特性や用途等に応じて任意に設定することができる。通常は、層間厚みは２０μｍ以下であってもよく、１０μｍ以下であってもよく、５μｍ以下であってもよい。また、内側誘電体層１０の積層数は特に限定されず、たとえば１０層以上であってもよく、１００層以上であってもよく、２００層以上であってもよい。
【0042】
外側誘電体層１１の１層あたりの厚み（層間厚み）は特に限定されず、たとえば内側誘電体層１０の層間厚みと同等とすることができる。本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ２によれば、外側誘電体層１１の厚みを薄くしたとしても、クラックの発生を十分に抑制することができる。また、外側誘電体層１１の積層数は特に限定されず、たとえば５層以上であってもよく、２０層以上であってもよい。
【0043】
【0044】
図３に示すように、本実施形態に係る誘電体層（内側誘電体層１０および外側誘電体層１１）は、主相粒子（誘電体粒子）２０を含む。また、一の主相粒子２０と他の主相粒子２０との境界部が粒界２１である。なお、本実施形態に係る誘電体層は、主相粒子２０の他に、主相粒子２０間に偏析粒子（図示無し）を含んでもよい。
【0045】
【0046】
コアシェル主相粒子２２のコアシェル構造とは、図４に示すようにコア部２０ａとコア部２０ａの周囲を覆うシェル部２０ｂとを有する構造である。コアシェル主相粒子２２では、後述する副成分が主相粒子２０のコアシェル構造のシェル部２０ｂに固溶してシェル部２０ｂを構成している。
【0047】
また、図３に示すように、全固溶主相粒子２４では、副成分が主相粒子２０の全体に固溶している、すなわち全固溶している。
【0048】
本実施形態の主相粒子２０はＡＢＯ3で表されるペロブスカイト型結晶構造を有する化合物を主成分として含む。なお、主相粒子２０の主成分とは、主相粒子１００質量部に対して、８０～１００質量部を占める成分であり、好ましくは、９０～１００質量部を占める成分である。なお、主相粒子２０が上記の主成分以外の成分を含有してもよい。たとえばバリウム（Ｂａ）化合物などを含有してもよい。
【0049】
ＡＢＯ3のＡ、すなわちＡサイト元素はＢａ、ストロンチウム（Ｓｒ）およびカルシウム（Ｃａ）から選択される少なくとも１種であり、ＡはＢａおよびＳｒから選択される少なくとも１種であってもよい。Ａ１００モル部に対して８０モル部以上のＢａを含んでもよく、Ａ１００モル部に対して９０モル部以上のＢａを含んでもよい。ＡはＢａのみであってもよい。
【0050】
ＡＢＯ3のＢ、すなわちＢサイト元素はチタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）およびハフニウム（Ｈｆ）から選択される少なくとも１種である。ＢはＴｉおよびＺｒから選択される少なくとも１種であってもよい。Ｂ１００モル部に対して７０モル部以上のＴｉを含んでもよく、Ｂ１００モル部に対して８０モル部以上のＴｉを含んでもよい。ＢはＴｉのみであってもよい。
【0051】
ＡはＢａ、ＳｒおよびＣａから選択される少なくとも１種、ＢはＴｉおよびＺｒから選択される少なくとも１種であるとして、主成分の組成を具体的に記載すれば｛Ｂａ1-x-yＣａxＳｒy｝Ｏ｝u（Ｔｉ1-zＺｒz）vＯ2である。
【0052】
ｘは好ましくは０≦ｘ≦０．１０、さらに好ましくは０≦ｘ≦０．０５である。ｙは好ましくは０≦ｙ≦０．１０、さらに好ましくは０≦ｙ≦０．０５である。ｚは好ましくは０≦ｚ≦０．３０、さらに好ましくは０≦ｚ≦０．１５である。ｕ／ｖは好ましくは１．０００≦ｕ／ｖ≦１．０３０、さらに好ましくは１．０００≦ｕ／ｖ≦１．０１５である。ｕ／ｖが上記の範囲内である場合には、上記の範囲を上回る場合に比べて十分に焼結させることができるため、誘電体組成物の比誘電率及び信頼性が向上する傾向にある。ｕ／ｖが上記の範囲内である場合には、上記の範囲を下回る場合に比べて焼結安定性が悪化しにくく、誘電体組成物の温度特性および信頼性が向上する傾向にある。ｕ／ｖが上記の範囲である場合には十分に焼結し易く、積層セラミックコンデンサ２の比誘電率、信頼性および温度特性がより向上する傾向となる。
【0053】
誘電体層は、副成分としてＲＥ、Ｍおよびケイ素（Ｓｉ）を含む。なお、副成分としては、上記の他、Ｆｅ、Ａｌおよび／またはＺｒを含んでいてもよい。
【0054】
上記の通り、副成分は主相粒子２０に固溶して存在してもよい。副成分は図４に示す主相粒子２０のコアシェル構造のシェル部２０ｂに固溶してシェル部２０ｂを形成していてもよいし、主相粒子２０に全固溶して図３に示す全固溶主相粒子を形成していてもよい。この他、副成分は、偏析粒子を形成したり、主相粒子２０の粒界２１に存在していてもよい。
【0055】
ＲＥはイッテルビウム（Ｙｂ）、イットリウム（Ｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、テルビウム（Ｔｂ）、ガドリニウム（Ｇｄ）およびユウロピウム（Ｅｕ）から選択される少なくとも１種であり、好ましくはＤｙおよび／またはＹである。
【0056】
Ｄｙ、Ｔｂ、ＧｄおよびＥｕは比較的イオン半径が大きい。一方、Ｙｂ、ＹおよびＨｏは比較的イオン半径が小さい。ＲＥのイオン半径が大きいほど、ＲＥは主相粒子２０に固溶し易い傾向がある。また、主成分のＡサイト元素のイオン半径と、ＲＥのイオン半径と、の差が小さいほど、ＲＥが主相粒子２０に固溶し易い傾向がある。
【0057】
また、比較的イオン半径が大きいＲＥが主相粒子２０に固溶する場合には、ＲＥは主成分のうち主にＡサイト元素を置換する傾向がある。一方、比較的イオン半径が小さいＲＥが主相粒子２０に固溶する場合には、主成分のうち主にＢサイト元素を置換する傾向がある。
【0058】
そして、比較的イオン半径が大きいＲＥが主相粒子２０に多く固溶するほど高温負荷寿命が向上する傾向がある。一方、比較的イオン半径が小さいＲＥが主相粒子２０に多く固溶するほど抵抗が上昇する傾向がある。
【0059】
Ｍはマグネシウム（Ｍｇ）、マンガン（Ｍｎ）、バナジウム（Ｖ）およびクロム（Ｃｒ）から選択される少なくとも２種である。Ｍは主にＭの酸化物として誘電体層に含まれる。また、Ｍが主成分のうちＢサイト元素を置換する場合もある。
【0060】
誘電体層における主成分１００モル部に対するＲＥ2Ｏ3換算でのＲＥの含有量ＣREは０．９０モル部以上３．６０モル部以下であり、好ましくは１．５モル部以上３．６モル部以下である。
【0061】
誘電体層における主成分１００モル部に対するＭＯ換算でのＭの含有量ＣMは０．２０モル部以上１．２０モル部以下であり、好ましくは０．５モル部以上１．２モル部以下である。
【0062】
なお、誘電体層に含まれるＭのうち、最も含有量の多い元素をＭ１としたとき、誘電体層における主成分１００モル部に対するＭ１Ｏ換算でのＭ１の含有量ＣM1は０．４０モル部以上０．９０モル部以下であることが好ましく、０．５モル部以上０．９モル部以下であることがより好ましい。
【0063】
誘電体層における主成分１００モル部に対するＳｉＯ2換算でのＳｉの含有量ＣSiは０．６０モル部以上１．８０モル部以下であり、好ましくは１．０モル部以上１．８モル部以下である。
【0064】
内側誘電体層１０を構成する主相粒子２０の断面上にＲＥが固溶している固溶領域（ＲＥ固溶領域）の面積割合は、１２％以上５０％以下であることが好ましく、１５％以上３５％以下であることがより好ましい。
【0065】
【0066】
コアシェル主相粒子２２とは、少なくともＲＥが主相粒子２０の周縁部の一部、すなわちシェル部２２ｂのみに存在している主相粒子２０であってもよい。したがって、コアシェル主相粒子２２にはＲＥ以外の元素が固溶していてもよい。
【0067】
より具体的には、コアシェル主相粒子２２は実質的に主成分のみからなるコア部２０ａと、コア部２０ａの周囲に存在し、少なくともＲＥが主成分のＡサイト元素および／またはＢサイト元素の一部を置換しているシェル部２０ｂと、から構成される。
【0068】
なお、コア部２０ａは実質的に主成分のみからなっているが、主成分以外の成分（副成分等）を含んでいてもよい。たとえば、コア部２０ａは主成分以外の成分を０．０質量％～５．０質量％含んでいてもよい。なお、コア部２０ａに含まれる主成分以外の成分の濃度は、シェル部２０ｂに含まれる主成分以外の成分の濃度よりも低い。
【0069】
内側誘電体層１０を構成し、なおかつシェル部２０ｂの平均厚みが５ｎｍ以上であるコアシェル主相粒子２２を特定コアシェル主相粒子としてもよく、好ましくはシェル部２０ｂの平均厚みが１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であるコアシェル主相粒子２２を特定コアシェル主相粒子とする。
【0070】
内側誘電体層１０における主相粒子２０に対する特定コアシェル主相粒子の個数割合には特に制限はないが、９０％以上であることが好ましい。また、コアシェル構造を有していない主相粒子２０は、全固溶主相粒子２４であってもよいし、固溶していない主相粒子であってもよい。
【0071】
内側誘電体層１０を構成する主相粒子２０の平均粒径（ｒ１）は、１８０ｎｍ＜ｒ１＜２４０ｎｍの関係を満たすことが好ましく、２００ｎｍ≦ｒ１≦２４０ｎｍの関係を満たすことがより好ましい。
【0072】
内側誘電体層１０を構成する主相粒子２０の主成分の組成の範囲と、外側誘電体層１１を構成する主相粒子２０の主成分の組成の範囲とは、同一であっても異なっていてもよい。また、内側誘電体層１０の副成分の組成の範囲と、外側誘電体層１１の副成分の組成の範囲とは、同一であっても異なっていてもよい。
【0073】
内側誘電体層１０を構成する主相粒子２０の平均粒径をｒ１とし、外側誘電体層１１を構成する主相粒子２０の平均粒径をｒ２としたときに、ｒ１およびｒ２は、ｒ１＜ｒ２＜ｒ１×４．０の関係を満たす。また、ｒ１およびｒ２は、１．１≦ｒ２／ｒ１≦２．５であることが好ましい。
【0074】
図２に示すように、内部電極層１２の最外層の外表面１２０から素子本体４の外表面４０、すなわち外装領域１５の外表面までの距離をＴｄｅとし、その長さを２Ｌとする。なお、素子本体４の外表面４０は積層方向に垂直な面である。Ｔｄｅは特に限定されないが、１０μｍ以上１０００μｍ以下である。
【0075】
また、外装領域１５における内部電極層１２の近傍の領域である第１外装領域１５ａでの主相粒子２０の平均粒径をｒａとする。第１外装領域１５ａの範囲は特に制限されないが、たとえば、内部電極層１２の最外層の外表面１２０から素子本体４の外表面４０に向かってＴｄｅ×０．１の距離の範囲とすることができ、後述するＳＮＲａの算出の際も同様の範囲とすることができる。
【0076】
また、内部電極層１２の最外層の外表面１２０と素子本体４の外表面４０との中間地点の領域である第２外装領域１５ｂでの主相粒子２０の平均粒径をｒｂとする。第２外装領域１５ｂの範囲は特に制限されないが、たとえば、「内部電極層１２の最外層１２の外表面１２０と素子本体４の外表面４０との中間地点」から内部電極層１２の最外層の外表面１２０に向かってＴｄｅ×０．１の距離または「内部電極層１２の最外層の外表面１２０と素子本体４の外表面４０との中間地点」から素子本体４の外表面４０に向かってＴｄｅ×０．１の距離の範囲とすることができ、後述するＳＮＲｂの算出の際も同様の範囲とすることができる。
【0077】
さらに、素子本体４の外表面４０の近傍の領域である第３外装領域１５ｃでの主相粒子２０の平均粒径をｒｃとする。第３外装領域１５ｃの範囲は特に制限されないが、たとえば、素子本体４の外表面４０から内部電極層１２の最外層に向かってＴｄｅ×０．１の距離の範囲とすることができ、後述するＳＮＲｃの算出の際も同様の範囲とすることができる。
【0078】
そして、Ｌ、ｒａ、ｒｂおよびｒｃは、（ｒｂ－ｒａ）／Ｌ＞０．００００８および（ｒｃ－ｒｂ）／Ｌ＞０．００００８の関係を満たすことが好ましい。
【0079】
なお、「（ｒｂ－ｒａ）／Ｌ」は０．０００１≦（ｒｂ－ｒａ）／Ｌ≦０．０１の関係を満たすことがより好ましい。また、「（ｒｃ－ｒｂ）／Ｌ」は０．０００１≦（ｒｃ－ｒｂ）／Ｌ≦０．０１の関係を満たすことがより好ましい。
【0080】
本実施形態では、外側誘電体層１１を構成する主相粒子２０の粒径のばらつきに比べて内側誘電体層１０を構成する主相粒子２０の粒径のばらつきが小さいことが好ましい。具体的には、内側誘電体層１０を構成する主相粒子２０の粒径のＳＮ比が、外側誘電体層１１を構成する主相粒子２０の粒径のＳＮ比に比べて大きいことが好ましい。なお、粒径のＳＮ比は、平均粒径をμ、標準偏差をσとして、下記の式（１）により算出することができる。なお、ＳＮ比の単位は「ｄＢ」である。
ＳＮ比＝１０×ｌｏｇ10（μ2／σ2）・・・（１）
ＳＮ比＝１０×ｌｏｇ10（μ2／σ2）・・・（１）
【0081】
内側誘電体層１０を構成する主相粒子２０の粒径のＳＮ比をＳＮＲとする。
【0082】
また、第１外装領域１５ａでの主相粒子２０の粒径のＳＮ比をＳＮＲａとする。
【0083】
また、第２外装領域１５ｂでの主相粒子２０の粒径のＳＮ比をＳＮＲｂとする。
【0084】
さらに、第３外装領域１５ｃでの主相粒子２０の粒径のＳＮ比をＳＮＲｃとする。
【0085】
本実施形態では、ＳＮＲ、ＳＮＲａ、ＳＮＲｂおよびＳＮＲｃは、ＳＮＲ＞ＳＮＲａ、ＳＮＲ＞ＳＮＲｂおよびＳＮＲ＞ＳＮＲｃの関係を満たすことが好ましい。
【0086】
以下、主相粒子２０の確認方法を例示する。主相粒子２０の確認方法は特に限定されない。
【0087】
まず、素子本体４を積層方向に沿って切断し、その切断面を研磨して研磨面を得る。その後、その研磨面について収束イオンビーム（ＦＩＢ)を使用し薄片化処理を行う。薄片化処理した測定サンプルについてエネルギー分散型Ｘ線分析装置（ＥＤＳ）を取り付けた走査型透過電子顕微鏡（ＳＴＥＭ）を用いてマッピング分析を行う。以下、ＥＤＳを取り付けたＳＴＥＭのことをＳＴＥＭ－ＥＤＳと呼ぶ。測定範囲の大きさには特に制限はないが、たとえば視野内に５層以上の内部電極層１２が存在する範囲を測定範囲としてマッピング画像を得る。
【0088】
得られたマッピング画像を０．０２７μｍ／ｐｉｘｅｌのドットに分割し、個々のドットでのＡサイト元素およびＢサイトの元素のコントラスト強度を数値化する。具体的にはコントラスト強度が最も小さいもの（検出なし）を０とし、最も大きいものを９０として、コントラスト強度を０～９０までの９１段階に分類する。
【0089】
上記のＳＴＥＭ－ＥＤＳにより得られたマッピング画像と、ＳＴＥＭにより得られた反射電子像とを比較し、主相粒子２０のＡサイト元素およびＢサイト元素の濃度が周囲に比べて高い粒子を主相粒子２０とすることができる。また、主相粒子２０の境界部を粒界２１とすることができる。
【0090】
以下、内側誘電体層１０のＲＥ固溶領域の面積割合の算出方法を例示する。内側誘電体層１０のＲＥ固溶領域の面積割合の算出方法は特に限定されない。
【0091】
上記のＳＴＥＭ－ＥＤＳにより得られたマッピング画像を０．０２７μｍ／ｐｉｘｅｌのドットに分割し、個々のドットでのＲＥのコントラスト強度を数値化する。具体的にはコントラスト強度が最も小さいもの（検出なし）を０とし、最も大きいものを９０として、コントラスト強度を０～９０までの９１段階に分類する。
【0092】
主相粒子２０においてＲＥのコントラスト強度が２５以上となるドットの領域をＲＥ固溶領域とする。
【0093】
また、測定範囲における主相粒子２０の合計面積を求めて、内側誘電体層１０におけるＲＥ固溶領域の面積割合を求める（ＲＥ固溶領域の面積割合＝ＲＥ固溶領域の面積／主相粒子２０の合計面積）。
【0094】
したがって、ＲＥ固溶領域にはコアシェル主相粒子２２のシェル部２２ｂの他、全固溶主相粒子２４も含まれることとなる。
【0095】
以下、個々の主相粒子２０が特定コアシェル主相粒子であるか否かを判断する方法を例示する。個々の主相粒子２０が特定コアシェル主相粒子であるか否かを判断する方法は特に限定されない。
【0096】
上記のＳＴＥＭ－ＥＤＳにより得られたマッピング画像において、マッピングの視野内における一の主相粒子２０に対して、ＲＥ固溶領域がシェル部２０ｂであると仮定して、最も厚みが薄いと考えられるシェル部２０ｂの厚みＴｓと、最も厚みが厚いと考えられるシェル部２０ｂの厚みＴｓとについて、それぞれ粒界２１を横切るように線分析を行い、シェル部２０ｂの平均厚みを算出し、これを当該一の主相粒子２０のシェル部２０ｂの平均厚みとする。
【0097】
ここで、シェル部２０ｂの平均厚みが５ｎｍ以上である主相粒子２０を特定コアシェル主相粒子２２とする。内側誘電体層１０の１０個以上の任意の主相粒子２０について同様の分析を行い、分析した主相粒子２０の数に対する特定コアシェル主相粒子２２の個数割合を「主相粒子２０に対する特定コアシェル主相粒子２０の個数割合」とする。
【0098】
＜２．積層セラミックコンデンサの製造方法＞
次に、図１Ａに示す積層セラミックコンデンサ２の製造方法の一例について以下に説明する。
次に、図１Ａに示す積層セラミックコンデンサ２の製造方法の一例について以下に説明する。
【0099】
本実施形態の積層セラミックコンデンサ２は、従来の積層セラミックコンデンサと同様に、ペーストを用いた通常の印刷法やシート法によりグリーンチップを作製し、これを焼成した後、外部電極を印刷または転写して焼成することにより製造される。以下、製造方法について具体的に説明する。
【0100】
まず、誘電体層を形成するための誘電体原料を準備し、これを塗料化して、誘電体層用ペーストを調製する。
【0101】
誘電体原料として、主成分であるＡＢＯ3の原料と、その他の各種酸化物の原料と、を準備する。これらの原料としては、上記した成分の酸化物やその混合物、複合酸化物を用いることができるが、その他、焼成により上記した酸化物や複合酸化物となる各種化合物、たとえば、炭酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機金属化合物等から適宜選択し、混合して用いることもできる。
【0102】
主成分であるＡＢＯ3の原料粉末の粒径は特に限定されないが、たとえば１５０～２００ｎｍである。
【0103】
本実施形態では、上記した成分の酸化物等を主成分に対して均一に分散させた混合物を用いることが好ましいが、主成分が上記した成分で被覆された誘電体原料を用いてもよい。さらに、主成分の原料以外には、例えば、ＲＥの酸化物、Ｍの酸化物およびＳｉの化合物を用いてもよい。
【0104】
なお、主成分であるＡＢＯ3の原料は、いわゆる固相法の他、各種液相法（たとえば、シュウ酸塩法、水熱合成法、アルコキシド法、ゾルゲル法など）により製造されたものなど、種々の方法で製造されたものを用いることができる。
【0105】
さらに、誘電体層に、上記した成分以外の成分が含有される場合には、該成分の原料として、それらの成分の酸化物やその混合物、複合酸化物を用いることができる。また、その他、焼成により上記した酸化物や複合酸化物となる各種化合物を用いることができる。
【0106】
誘電体原料中の各化合物の含有量は、焼成後に上述した誘電体層の組成となるように決定すればよい。
【0107】
また、ＢａＣＯ3粉末を、主成分１００モル部に対してＢａＣＯ3換算で０．１モル部以上２．０モル部以下含有させてもよい。
【0108】
上記のその他の各種酸化物の原料のうち任意の２種類以上を主成分と混合する前に混合させ、仮焼してもよい。例えば、ＲＥ酸化物の原料、Ｓｉ酸化物の原料および主成分とは別に含まれるＡの酸化物の原料（例えばＢａ酸化物の原料）を事前に混合させ、仮焼してもよい。仮焼温度は１１００℃未満とする。そして仮焼して得られた化合物粉末と主成分と仮焼しなかった各種酸化物の原料とを混合させてもよい。このようにすることで、ＲＥの主相粒子２０への固溶し易さが変化する。
【0109】
誘電体層用ペーストは、誘電体原料と有機ビヒクルとを混練した有機系の塗料であってもよく、水系の塗料であってもよい。
【0110】
有機ビヒクルとは、バインダを有機溶剤中に溶解したものである。バインダおよび溶剤は、公知のものを用いればよい。
【0111】
また、誘電体層用ペーストを水系の塗料とする場合には、水溶性のバインダや分散剤などを水に溶解させた水系ビヒクルと、誘電体原料とを混練すればよい。水溶性バインダは特に限定されず、たとえば、ポリビニルアルコール、セルロース、水溶性アクリル樹脂などを用いればよい。
【0112】
内部電極層用ペーストは、上記したＮｉやＮｉ合金からなる導電材、あるいは焼成後に上記したＮｉやＮｉ合金となる各種酸化物、有機金属化合物、レジネート等と、上記した有機ビヒクルとを混練して調製すればよい。また、内部電極層用ペーストには、共材が含まれていてもよい。共材としては特に制限されないが、主成分と同様の組成を有していてもよい。
【0113】
外部電極用ペーストは、無機成分として上記したＣｕやＣｕ合金からなる導電材等を用いて上記した内部電極層用ペーストと同様にして調製すればよい。
【0114】
上記した各ペースト中の有機ビヒクルの含有量に特に制限はなく、通常の含有量、たとえば、バインダは１～１５質量％程度、溶剤は１０～６０質量％程度とすればよい。また、各ペースト中には、必要に応じて各種分散剤、可塑剤、誘電体、絶縁体等から選択される添加物が含有されていてもよい。これらの総含有量は、１０質量％以下としてもよい。
【0115】
ＰＥＴ等の基板上に外側誘電体層用の誘電体層用ペーストを用いて適宜の枚数のグリーンシートを形成し、積層方向に加圧して外装領域グリーン積層体を得る。
【0116】
次いで、内側誘電体層用の誘電体層用ペーストを用いてグリーンシートを形成し、この上に内部電極層用ペーストにより内部電極パターン層を形成して、基板からグリーンシートを剥離することで内部電極パターン層を有するグリーンシートを作製する。
【0117】
次いで、前記外装領域グリーン積層体の上に内部電極パターン層を有するグリーンシートを複数枚積層し、必要に応じて加圧接着することにより焼成後に内装領域１３を構成する内装領域グリーン積層体を得る。
【0118】
内部電極パターン層の形成方法としては、特に限定されず、印刷法、転写法の他、蒸着、スパッタリングなどの薄膜形成方法により形成されていてもよい。
【0119】
次いで、内装領域グリーン積層体の上に、さらに外側誘電体層用の誘電体層用ペーストを使用して、適宜の枚数の外側誘電体層用グリーンシートを形成し、積層方向に加圧して素子本体４のグリーン積層体を得る。外側誘電体層用グリーンシートは一層のみでもよいし、複数層であってもよい。
【0120】
素子本体４のグリーン積層体を所定形状に切断した後、基板から剥離してグリーンチップとする。
【0121】
焼成前に、グリーンチップに脱バインダ処理を施す。脱バインダ条件としては、昇温速度を好ましくは５～３００℃／時間、脱バインダ温度を好ましくは１８０～９００℃、保持時間を好ましくは０．５～４８時間とする。また、脱バインダ処理における雰囲気は、空気もしくは還元性雰囲気（例えば加湿したＮ2＋Ｈ2混合ガス雰囲気）とする。
【0122】
脱バインダ後、グリーンチップを焼成する。たとえば、昇温速度を２００～２００００℃／ｈ、焼成温度を１１５０～１３５０℃、保持時間を０．１～１０時間としてもよい。
【0123】
焼成時の雰囲気も特に限定されない。空気または還元性雰囲気としてもよい。還元性雰囲気とする場合の雰囲気ガスとしては、たとえば、Ｎ2とＨ2との混合ガスを加湿して用いることができる。また、酸素分圧を１．０×１０-14～１．０×１０-9ＭＰａとしてもよい。
【0124】
焼成時の酸素分圧が低いほど、ＲＥの主相粒子２０への固溶が進行し易くなるため、粒界２１中に存在するＲＥの濃度が低くなり、その結果、主相粒子２０をある程度粒成長させることができる。
【0125】
このように、焼成時の酸素分圧を調整することにより、内側誘電体層１０および／または外側誘電体層１１を構成する主相粒子２０の粒径を所望の範囲に調整することができる。すなわち、ｒ１＜ｒ２＜ｒ１×４．０の関係や、（ｒｂ－ｒａ）／Ｌ＞０．００００８および（ｒｃ－ｒｂ）／Ｌ＞０．００００８の関係を満たし易いように調整することができる。
【0126】
本実施形態では、焼成後の素子本体４に対し、アニール処理（誘電体層の酸化処理）を行うことが好ましい。具体的には、アニール温度は、９５０～１１００℃としてもよい。保持時間は、０．１～２０時間としてもよい。酸化処理時の雰囲気は、加湿したＮ2ガス（酸素分圧：１．０×１０-9～１．０×１０-6ＭＰａ）としてもよい。
【0127】
上記した脱バインダ処理、焼成およびアニール処理において、Ｎ2ガスや混合ガス等を加湿する場合には、たとえばウェッター等を使用すればよい。この場合、水温は５～７５℃程度が好ましい。
【0128】
脱バインダ処理、焼成およびアニール処理は、連続して行っても、独立に行ってもよい。
【0129】
上記のようにして得られた素子本体４に、たとえばバレル研磨やサンドブラストなどにより端面研磨を施し、外部電極用ペーストを塗布して焼成し、外部電極６を形成する。そして、必要に応じて、外部電極６の表面に、めっき等により被覆層を形成する。
【0130】
このようにして製造された本実施形態の積層セラミックコンデンサ２は、ハンダ付等によりプリント基板上などに実装され、各種電子機器等に使用される。
【0131】
本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ２は、ＣREがＲＥ2Ｏ3換算で０．９０モル部以上３．６０モル部以下であり、ＣMがＭＯ換算で０．２０モル部以上１．２０モル部以下であり、ＣSiがＳｉＯ2換算で０．６０モル部以上１．８０モル部以下であり、ｒ１およびｒ２は、ｒ１＜ｒ２＜ｒ１×４．０の関係を満たす。
【0132】
本実施形態に係る積層セラミックコンデンサは、特にＣRE、ＣMおよびＣSiが上記の範囲内に含まれることにより、高温負荷寿命が良好になる。これは、ＣRE、ＣMおよびＣSiが上記の範囲内に含まれることにより、主相粒子２０中のドナー成分およびアクセプタ成分のバランスが取れ易いためであると考えられる。
【0133】
具体的には、ＲＥがＡサイト元素を置換する場合にはドナー成分として主相粒子２０に固溶し、ＲＥおよび／またはＭがＢサイト元素を置換する場合にはアクセプタ成分として主相粒子２０に固溶する。
【0134】
そして、ドナー成分が適量である場合には、ドナー成分が多過ぎる場合に比べて、抵抗が良好となり、高温負荷寿命が良好になる。一方、アクセプタ成分が適量である場合には、アクセプタ成分が多過ぎる場合に比べて、酸素欠陥量を抑制することができ、高温負荷寿命が良好になる。
【0135】
また、本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ２は、特にＣRE、ＣMおよびＣSiが上記の範囲内に含まれることにより、主相粒子２０に対する副成分の固溶量が適切となるため、良好な温度特性となると考えられる。
【0136】
さらに、本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ２は、特にｒ１およびｒ２がｒ１＜ｒ２＜ｒ１×４．０の関係を満たすことにより、内装領域１３に比べて外装領域１５の硬度が高くなる。
【0137】
従来の積層セラミックコンデンサでは、内装領域に比べて外装領域は焼成が促進しにくいことから、外装領域に空隙が発生し易く外装領域の硬度を高めにくい傾向があった。
【0138】
これに対して、本実施形態では、誘電体層に含まれる成分や主成分の原料粉末の平均粒径などの影響により、焼成により、外側誘電体層１１を構成する主相粒子２０の方が内側誘電体層１０を構成する主相粒子２０に比べてより粒成長する傾向が確認できる。その結果、外側誘電体層１１は内側誘電体層１０に比べてより緻密な構造、言い換えるとより高密度な構造となり、外装領域１５の硬度が高くなると考えられる。
【0139】
このように、本実施形態によれば焼成工程において外側誘電体層１１を構成する主相粒子２０の平均粒径を内側誘電体層１０を構成する主相粒子２０の平均粒径よりも所定の範囲で大きくすることができる。
【0140】
たとえば特許文献１では、内側誘電体層と外側誘電体層とで主相粒子の粒径を異ならせることを目的として、内側誘電体層用の誘電体層用ペーストに含まれる主相粒子の主成分の原料粉末の粒径と外側誘電体層用の誘電体層用ペーストに含まれる主相粒子の主成分の原料粉末の粒径とを異ならせる手法が検討されている。
【0141】
しかし、近年では、主相粒子の主成分の原料粉末は微粒子化していることから均一に分散された誘電体層用ペーストを作製することが困難になりつつある。内側誘電体層用の誘電体層用ペーストに含まれる主相粒子の主成分の原料粉末の粒径と外側誘電体層用の誘電体層用ペーストに含まれる主相粒子の主成分の原料粉末の粒径とを異ならせる手法をとることは技術的に困難となることが予想される。
【0142】
これに対して、本実施形態では、仮に、内側誘電体層１０と外側誘電体層１１とで、同じ平均粒径の主成分の原料粉末を用いたとしても、焼成工程において外側誘電体層１１を構成する主相粒子２０の方が内側誘電体層１０を構成する主相粒子２０よりも粒成長が促進される結果、外側誘電体層１１を構成する主相粒子２０の平均粒径を内側誘電体層１０を構成する主相粒子２０の平均粒径よりも所定の範囲で大きくすることができる。したがって、本実施形態では比較的容易に、内側誘電体層１０と外側誘電体層１１とで主相粒子２０の粒径を異ならせることができる。
【0143】
なお、本実施形態では、内側誘電体層１０を構成する主相粒子２０の平均粒径と外側誘電体層１１を構成する主相粒子２０の平均粒径とは同じであってもよいし、異なっていてもよい。
【0144】
以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は上記の実施形態に何ら限定されるものではなく、本発明の範囲内において種々の態様で改変してもよい。
【0145】
＜３．変形例＞
上述した実施形態では、本発明に係る積層電子部品が積層セラミックコンデンサである場合について説明したが、本発明に係る積層電子部品は、積層セラミックコンデンサに限定されず、上述した構成を有する積層電子部品であればよい。
上述した実施形態では、本発明に係る積層電子部品が積層セラミックコンデンサである場合について説明したが、本発明に係る積層電子部品は、積層セラミックコンデンサに限定されず、上述した構成を有する積層電子部品であればよい。
【実施例0146】
以下、実施例および比較例を用いて、本発明をさらに詳細に説明する。ただし、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【0147】
＜実験１＞
実験１は表１Ａおよび表１Ｂに記載の実施例または比較例に関する。
実験１は表１Ａおよび表１Ｂに記載の実施例または比較例に関する。
【0148】
（製造方法（１））
製造方法（１）により積層セラミックコンデンサ試料を製造した実施例または比較例については、表１Ｂ、表２Ｂ、表３Ｂ、表４Ｂ、表５Ｂおよび表６Ｂの「製造方法」の欄に「（１）」と示している。
製造方法（１）により積層セラミックコンデンサ試料を製造した実施例または比較例については、表１Ｂ、表２Ｂ、表３Ｂ、表４Ｂ、表５Ｂおよび表６Ｂの「製造方法」の欄に「（１）」と示している。
【0149】
製造方法（１）では、内側誘電体層用の誘電体層用ペーストと外側誘電体層用の誘電体層用ペーストとを同様にして作製したため、「内側誘電体層用の誘電体層用ペースト」と「外側誘電体層用の誘電体層用ペースト」とをまとめて「誘電体層用ペースト」と記載する。
【0150】
主成分の原料粉末として、ＢａＴｉＯ3粉末を準備した。ＢａＴｉＯ3粉末のＢａ／Ｔｉは１．０００であり、平均粒径は１８０ｎｍであった。
【0151】
また、ＲＥの酸化物の原料粉末としてＤｙ2Ｏ3粉末を準備した。
【0152】
また、Ｍの酸化物の原料粉末としてＭｇＯ粉末、ＭｎＣＯ3粉末およびＶ2Ｏ5粉末を準備した。なお、ＭｎＣＯ3は焼成後にＭｎＯとして誘電体層中に含有されることとなる。
【0153】
また、Ｓｉの酸化物の原料粉末としてＳｉＯ2粉末を準備した。
【0154】
さらに、Ｂａの酸化物の原料粉末としてＢａＣＯ3粉末を準備した。
【0155】
次に、上記で準備した各原料粉末を、主成分１００モル部に対して表１Ａに記載の割合となるように秤量した。また、ＢａＣＯ3粉末を、主成分１００モル部に対してＢａＣＯ3換算で１．０モル部となるように秤量した。なお、ＢａＣＯ3は焼成後にＢａＯとして誘電体層中に含有されることとなる。秤量された各原料粉末をボールミルで２０時間湿式混合・粉砕し、乾燥して、誘電体原料を得た。
【0156】
次に、誘電体原料１００質量部に対してポリビニルブチラール樹脂１０質量部と、可塑剤としてのジオクチルフタレート（ＤＯＰ）５質量部と、溶媒としてのアルコール１００質量部とをボールミルで混合してペースト化し、誘電体層用ペーストを得た。
【0157】
Ｎｉ粉末、テルピネオール、エチルセルロースおよびベンゾトリアゾールを、質量比が４４．６：５２．０：３．０：０．４となるように準備した。そして、これらを３本ロールにより混練し、ペースト化して内部電極層用ペーストを作製した。
【0158】
上記にて作製した誘電体層用ペーストを用いて、ＰＥＴフィルム上に、乾燥後の厚みが６．０μｍとなるように外側誘電体層用グリーンシートを形成し、積層方向に加圧して外装領域グリーン積層体を得た。
【0159】
次いで、上記誘電体層用ペーストを用いて、乾燥後の厚みが４，０μｍとなるようにグリーンシートを形成し、この上に内部電極層用ペーストを用いて、電極層を所定パターンで印刷した後、ＰＥＴフィルムからシートを剥離し、内部電極パターン層を有するグリーンシートを作製した。次いで、前記外装領域グリーン積層体の上に内部電極パターン層を有するグリーンシートを複数枚積層し、加圧接着することにより積層体を得た。
【0160】
次いで、前記積層体の上に、さらに誘電体層用ペーストを使用して、複数枚の外側誘電体層用グリーンシートを形成し、積層方向に加圧して素子本体４のグリーン積層体を得た。このグリーン積層体を所定サイズに切断することにより、グリーンチップを得た。
【0161】
次いで、得られたグリーンチップについて、脱バインダ処理、焼成および酸化処理を行い、焼結体である素子本体を得た。
【0162】
脱バインダ処理条件は、昇温速度を２５℃／ｈ、脱バインダ温度を２３５℃、保持時間を８時間、雰囲気を空気中とした。
【0163】
焼成条件は昇温速度を２００℃／ｈ、保持温度を１２８０℃、保持時間を２時間、降温速度を２００℃／ｈとした。雰囲気は加湿したＮ2＋Ｈ2混合ガス雰囲気とした。酸素分圧は５．０×１０-11ＭＰａ程度とした。
【0164】
酸化処理条件は、昇温速度および降温速度を２００℃／ｈ、酸化処理温度を１０５０℃、保持時間を３時間、雰囲気を加湿したＮ2ガス雰囲気とし、酸素分圧は１．０×１０-7ＭＰａとした。
【0165】
焼成および酸化処理時の雰囲気の加湿にはウェッターを用いた。
【0166】
次いで、得られた素子本体の端面をバレル研磨した後、外部電極としてＣｕペーストを塗布し、還元雰囲気にて焼付け処理を行い、図１Ａに示す積層セラミックコンデンサの試料を得た。得られたコンデンサ試料のサイズは、３．２ｍｍ×１．６ｍｍ×０．５ｍｍであり、内側誘電体層の厚みが３．０μｍ、内部電極層の厚みが１．０μｍ、外装領域の厚み（Ｔｄｅ）が２１０μｍであった。また、内側誘電体層の数は２０層とした。
【0167】
（製造方法（２））
製造方法（２）により積層セラミックコンデンサ試料を製造した比較例については、表１Ｂにおいて、「製造方法」の欄に「（２）」と示している。
製造方法（２）により積層セラミックコンデンサ試料を製造した比較例については、表１Ｂにおいて、「製造方法」の欄に「（２）」と示している。
【0168】
製造方法（２）では、外側誘電体層用の誘電体層用ペーストに含まれる誘電体原料の主成分の原料粉末であるＢａＴｉＯ3粉末のＢａ／Ｔｉを１．０２とした以外は製造方法（１）と同様にして積層セラミックコンデンサ試料を作製した。
【0169】
（製造方法（３））
製造方法（３）により積層セラミックコンデンサ試料を製造した比較例については、表１Ｂにおいて、「製造方法」の欄に「（３）」と示している。
製造方法（３）により積層セラミックコンデンサ試料を製造した比較例については、表１Ｂにおいて、「製造方法」の欄に「（３）」と示している。
【0170】
製造方法（３）では、外側誘電体層用の誘電体層用ペーストに含まれる誘電体原料の主成分の原料粉末であるＢａＴｉＯ3粉末の平均粒径を１００ｎｍとした以外は製造方法（１）と同様にして積層セラミックコンデンサ試料を作製した。
【0171】
（主相粒子の平均粒径）
得られた積層セラミックコンデンサ試料を、積層方向に沿って切断し、得られた切断面を研磨した。そして、その研磨面にケミカルエッチングを施し、その後、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により内装領域と外装領域とをそれぞれ観察した。
得られた積層セラミックコンデンサ試料を、積層方向に沿って切断し、得られた切断面を研磨した。そして、その研磨面にケミカルエッチングを施し、その後、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により内装領域と外装領域とをそれぞれ観察した。
【0172】
内装領域の各主相粒子の面積を算出した。また、外装領域の各主相粒子の面積を算出した。そして算出した面積を円相当径に換算した値を各主相粒子の粒径とした。内装領域の５視野の合計約１０００個の主相粒子の粒径の平均値を平均粒径ｒ１とした。また、第２外装領域の５視野の合計約１０００個の主相粒子の粒径の平均値を平均粒径ｒ２とした。
【0173】
「ｒ１＜ｒ２＜ｒ１×４．０」を満たす場合を「ＯＫ」と評価し、「ｒ１＜ｒ２＜ｒ１×４．０」を満たさない場合を「ＮＧ」と評価した。結果を表１Ａに示す。
【0174】
また、「ｒ２／ｒ１」の結果を表１Ａに示す。
【0175】
（ビッカース硬度）
得られた積層セラミックコンデンサ試料の外装領域が上になるようステージに固定し、荷重２００ｍＮにて、外装領域の外表面の中心付近に対してビッカース硬度の測定を行った。ビッカース硬度の単位はＨＶ0.0204であった。上記の評価を５つの積層セラミックコンデンサ試料に対して行い、ビッカース硬度の平均の値を算出した。８５０以上を「Ａ」と評価し、８００以上８５０未満を「Ｂ」と評価し、８００未満を「ＮＧ」と評価した。結果を表１Ｂに示す。
得られた積層セラミックコンデンサ試料の外装領域が上になるようステージに固定し、荷重２００ｍＮにて、外装領域の外表面の中心付近に対してビッカース硬度の測定を行った。ビッカース硬度の単位はＨＶ0.0204であった。上記の評価を５つの積層セラミックコンデンサ試料に対して行い、ビッカース硬度の平均の値を算出した。８５０以上を「Ａ」と評価し、８００以上８５０未満を「Ｂ」と評価し、８００未満を「ＮＧ」と評価した。結果を表１Ｂに示す。
【0176】
（高温負荷寿命（ＭＴＴＦ））
得られた積層セラミックコンデンサ試料に対し、１８０℃にて、４０Ｖ／μｍの電界下で直流電圧の印加状態に保持し、印加開始から絶縁抵抗が一桁落ちるまでの時間を高温負荷寿命と定義した。上記の評価を２０個の積層セラミックコンデンサ試料について行い、その平均値を高温負荷寿命（ＭＴＴＦ）とした。２５時間以上を「Ａ」と評価し、２０時間以上２５時間未満を「Ｂ」と評価し、２０時間未満を「ＮＧ」と評価した。結果を表１Ｂに示す。
得られた積層セラミックコンデンサ試料に対し、１８０℃にて、４０Ｖ／μｍの電界下で直流電圧の印加状態に保持し、印加開始から絶縁抵抗が一桁落ちるまでの時間を高温負荷寿命と定義した。上記の評価を２０個の積層セラミックコンデンサ試料について行い、その平均値を高温負荷寿命（ＭＴＴＦ）とした。２５時間以上を「Ａ」と評価し、２０時間以上２５時間未満を「Ｂ」と評価し、２０時間未満を「ＮＧ」と評価した。結果を表１Ｂに示す。
【0177】
（容量変化率（Ｘ７Ｓ特性））
得られた積層セラミックコンデンサ試料に対し、周波数１．０ｋＨｚ、入力信号レベル（測定電圧）１．０Ｖｒ ｍｓの条件下で、－５５℃～１２５℃における静電容量を測定し、２５℃における静電容量を基準として静電容量の変化率ΔＣを算出し、ＥＩＡ規格の温度特性であるＸ７Ｓ特性を満足するか否かについて評価した。本実施例では高温側（１２５℃）での容量変化率ΔＣが±２２％以内であるか否かを評価した。１２５℃での容量変化率が±２２％を満足していれば－５５℃での容量変化率もＸ７Ｓ特性を満足できるからである。高温側（１２５℃）での容量変化率ΔＣが±２２％以内である場合を「ＯＫ」と評価し、高温側（１２５℃）での容量変化率ΔＣが±２２％以内ではない場合を「ＮＧ」と評価した。結果を表１Ｂに示す。
得られた積層セラミックコンデンサ試料に対し、周波数１．０ｋＨｚ、入力信号レベル（測定電圧）１．０Ｖｒ ｍｓの条件下で、－５５℃～１２５℃における静電容量を測定し、２５℃における静電容量を基準として静電容量の変化率ΔＣを算出し、ＥＩＡ規格の温度特性であるＸ７Ｓ特性を満足するか否かについて評価した。本実施例では高温側（１２５℃）での容量変化率ΔＣが±２２％以内であるか否かを評価した。１２５℃での容量変化率が±２２％を満足していれば－５５℃での容量変化率もＸ７Ｓ特性を満足できるからである。高温側（１２５℃）での容量変化率ΔＣが±２２％以内である場合を「ＯＫ」と評価し、高温側（１２５℃）での容量変化率ΔＣが±２２％以内ではない場合を「ＮＧ」と評価した。結果を表１Ｂに示す。
【0178】
（総合判定）
「ビッカース硬度」、「ＭＴＴＦ」および「容量変化率」のうち１つでも「ＮＧ」と評価された積層セラミックコンデンサ試料（比較例）を「ＮＧ」と評価した。
「ビッカース硬度」、「ＭＴＴＦ」および「容量変化率」のうち１つでも「ＮＧ」と評価された積層セラミックコンデンサ試料（比較例）を「ＮＧ」と評価した。
【0179】
「容量変化率」が「ＯＫ」と評価された積層セラミックコンデンサ試料（実施例）のうち、「ビッカース硬度」および「ＭＴＴＦ」がいずれも「Ａ」評価である場合を「ＡＡ」と評価した。
【0180】
「容量変化率」が「ＯＫ」と評価された積層セラミックコンデンサ試料（実施例）のうち、「ビッカース硬度」および「ＭＴＴＦ」のうちいずれか一方のみが「Ａ」評価である場合を「Ａ」と評価した。
【0181】
「容量変化率」が「ＯＫ」と評価された積層セラミックコンデンサ試料（実施例）のうち、「ビッカース硬度」および「ＭＴＴＦ」がいずれも「Ｂ」評価である場合を「Ｂ」と評価した。
【0182】
総合判定の結果を表１Ｂに示す。
【0183】
＜実験２＞
実験２は表２Ａおよび表２Ｂに記載の実施例に関する。
実験２は表２Ａおよび表２Ｂに記載の実施例に関する。
【0184】
表２Ａおよび表２Ｂの実施例１は表１Ａおよび表１Ｂの実施例１と同じ試料である。また、表２Ａおよび表２Ｂの実施例８は表１Ａおよび表１Ｂの実施例８と同じ試料である。
【0185】
（製造方法（４））
製造方法（４）により積層セラミックコンデンサ試料を製造した実施例については、表２Ｂにおいて、「製造方法」の欄に「（４）」と示している。すなわち、実施例９を製造方法（４）により製造した。
製造方法（４）により積層セラミックコンデンサ試料を製造した実施例については、表２Ｂにおいて、「製造方法」の欄に「（４）」と示している。すなわち、実施例９を製造方法（４）により製造した。
【0186】
製造方法（４）では、焼成時の酸素分圧を１．０×１０-11ＭＰａ程度とした。以外は製造方法（１）と同様にして積層セラミックコンデンサ試料を作製した。
【0187】
実験２では、実験１と同様にして「ｒ１＜ｒ２＜ｒ１×４．０」を満たすか否か判断し、ビッカース硬度を測定し、ＭＴＴＦを測定し、容量変化率を測定し、総合判定を行った。結果を表２Ａまたは表２Ｂに示す。
【0188】
なお、実験２では、さらに、「（ｒｂ－ｒａ）／Ｌ＞０．００００８および（ｒｃ－ｒｂ）／Ｌ＞０．００００８」を満たすか否かについても判断した。具体的には、上記の（主相粒子の平均粒径）に記載した積層セラミックコンデンサ試料のケミカルエッチングされた研磨面のうち第１外装領域、第２外装領域、第３外装領域のそれぞれにおいて主相粒子が３００個以上含まれる視野について５視野ずつＳＥＭで観察した。
【0189】
観察された各主相粒子の面積を円相当径に換算した値を各主相粒子の粒径とした。第１外装領域の約１０００個の主相粒子の粒径の平均値を平均粒径ｒａとした。また、第２外装領域の約１０００個の主相粒子の粒径の平均値を平均粒径ｒｂとした。さらに、第３外装領域の約１０００個の主相粒子の粒径の平均値を平均粒径ｒｃとした。
【0190】
また、上記のケミカルエッチング後の研磨面について外装領域の厚みＴｄｅ方向がすべて含まれる視野においてＳＥＭで観察を行い、Ｌを算出した。
【0191】
上記の方法により求められたＬ、ｒａ、ｒｂおよびｒｃに基づき、各実施例が「（ｒｂ－ｒａ）／Ｌ＞０．００００８および（ｒｃ－ｒｂ）／Ｌ＞０．００００８」を満たすか否か判断した。「（ｒｂ－ｒａ）／Ｌ＞０．００００８および（ｒｃ－ｒｂ）／Ｌ＞０．００００８」を満たす場合を「ＯＫ」と判断し、「（ｒｂ－ｒａ）／Ｌ＞０．００００８および（ｒｃ－ｒｂ）／Ｌ＞０．００００８」を満たさない場合を「ＮＧ」と判断した。結果を表２Ａに示す。
【0192】
＜実験３＞
実験３は表３Ａおよび表３Ｂに記載の実施例に関する。
実験３は表３Ａおよび表３Ｂに記載の実施例に関する。
【0193】
表３Ａおよび表３Ｂの実施例７は表１Ａおよび表１Ｂの実施例７と同じ試料である。また、表３Ａおよび表３Ｂの実施例８は表１Ａおよび表１Ｂの実施例８と同じ試料である。
【0194】
（製造方法（５））
製造方法（５）により積層セラミックコンデンサ試料を製造した比較例については、表３Ｂにおいて、「製造方法」の欄に「（５）」と示している。すなわち、比較例９を製造方法（５）により製造した。
製造方法（５）により積層セラミックコンデンサ試料を製造した比較例については、表３Ｂにおいて、「製造方法」の欄に「（５）」と示している。すなわち、比較例９を製造方法（５）により製造した。
【0195】
製造方法（５）では、内側誘電体層用の誘電体層用ペーストに含まれる誘電体原料の主成分の原料粉末であるＢａＴｉＯ3粉末の平均粒径を１２０ｎｍとした以外は製造方法（１）と同様にして積層セラミックコンデンサ試料を作製した。
【0196】
実験３では、実験１と同様にして「ｒ１＜ｒ２＜ｒ１×４．０」を満たすか否か判断し、ビッカース硬度を測定し、ＭＴＴＦを測定し、容量変化率を測定し、総合判定を行った。結果を表３Ａまたは表３Ｂに示す。
【0197】
なお、実験３では、さらに、「ＳＮＲ＞ＳＮＲａ、ＳＮＲ＞ＳＮＲｂ およびＳＮＲ＞ＳＮＲｃ」を満たすか否かについても判断した。具体的には、上記の実験１で測定した内側誘電体層の主相粒子の粒径と、上記の実験２で測定した第１外装領域、第２外装領域および第３外装領域の主相粒子の粒径と、を基にして、上記の実施形態に記載のＳＮ比の算出方法に基づきＳＮ比を算出することにより、各実施例または比較例が「ＳＮＲ＞ＳＮＲａ、ＳＮＲ＞ＳＮＲｂ およびＳＮＲ＞ＳＮＲｃ」を満たすか否かについて判断した。
【0198】
「ＳＮＲ＞ＳＮＲａ、ＳＮＲ＞ＳＮＲｂ およびＳＮＲ＞ＳＮＲｃ」を満たす場合を「ＯＫ」と判断し、「ＳＮＲ＞ＳＮＲａ、ＳＮＲ＞ＳＮＲｂ およびＳＮＲ＞ＳＮＲｃ」を満たさない場合を「ＮＧ」と判断した。
【0199】
＜実験４＞
実験４は表４Ａおよび表４Ｂに記載の実施例に関する。
実験４は表４Ａおよび表４Ｂに記載の実施例に関する。
【0200】
表４Ａおよび表４Ｂの実施例１は表１Ａおよび表１Ｂの実施例１と同じ試料である。また、表４Ａおよび表４Ｂの実施例８は表１Ａおよび表１Ｂの実施例８と同じ試料である。さらに、表４Ａおよび表４Ｂの比較例９は表３Ａおよび表３Ｂの比較例９と同じ試料である。
【0201】
実施例１０では、ＣREを変化させた以外は実施例１と同様にして積層セラミックコンデンサ試料を製造した。
【0202】
実験４では、実験１と同様にして「ｒ１＜ｒ２＜ｒ１×４．０」を満たすか否か判断し、ビッカース硬度を測定し、ＭＴＴＦを測定し、容量変化率を測定し、総合判定を行った。結果を表４Ａまたは表４Ｂに示す。
【0203】
なお、実験４では、さらに、「内側誘電体層におけるＲＥ固溶領域の面積割合」および「主相粒子に対する特定コアシェル主相粒子の個数割合」についても算出した。具体的には、上記の（主相粒子の平均粒径）に記載した積層セラミックコンデンサ試料のケミカルエッチングされた研磨面をＳＥＭで観察し、上記の実施形態に記載の方法により「内側誘電体層におけるＲＥ固溶領域の面積割合」および「主相粒子に対する特定コアシェル主相粒子の個数割合」を算出した。結果を表４Ａに示す。
【0204】
＜実験５＞
実験５は表５Ａおよび表５Ｂに記載の実施例に関する。
実験５は表５Ａおよび表５Ｂに記載の実施例に関する。
【0205】
表５Ａおよび表５Ｂの実施例８は表１Ａおよび表１Ｂの実施例８と同じ試料であり、表５Ａおよび表５Ｂの実施例５は表１Ａおよび表１Ｂの実施例５と同じ試料である。
【0206】
実施例１１では、ＣM1を０．３０モル部とし、Ｍ１であるＭｇ以外のＭｎおよびＶの含有量を増量した以外は実施例８と同様にして積層セラミックコンデンサ試料を製造した。
【0207】
実施例１２では、ＣM1を０．９５モル部とし、Ｍ１であるＭｎ以外のＭｇおよびＶの含有量を減量した以外は実施例１２と同様にして積層セラミックコンデンサ試料を製造した。
【0208】
実験５では、実験１と同様にして「ｒ１＜ｒ２＜ｒ１×４．０」を満たすか否か判断し、ビッカース硬度を測定し、ＭＴＴＦを測定し、容量変化率を測定し、総合判定を行った。結果を表５Ａまたは表５Ｂに示す。
【0209】
＜実験６＞
実験６は表６Ａおよび表６Ｂに記載の実施例に関する。
実験６は表６Ａおよび表６Ｂに記載の実施例に関する。
【0210】
表６Ａおよび表６Ｂの実施例８は表１Ａおよび表１Ｂの実施例８と同じ試料である。
【0211】
（製造方法（６））
製造方法（６）により積層セラミックコンデンサ試料を製造した実施例については、表６Ｂにおいて、「製造方法」の欄に「（６）」と示している。すなわち、実施例１３を製造方法（６）により製造した。
製造方法（６）により積層セラミックコンデンサ試料を製造した実施例については、表６Ｂにおいて、「製造方法」の欄に「（６）」と示している。すなわち、実施例１３を製造方法（６）により製造した。
【0212】
製造方法（６）では、焼成時の酸素分圧を１．０×１０-10ＭＰａ程度とした以外は製造方法（１）と同様にして積層セラミックコンデンサ試料を作製した。
【0213】
製造方法（７）により積層セラミックコンデンサ試料を製造した実施例については、表７Ｂにおいて、「製造方法」の欄に「（７）」と示している。すなわち、実施例１４を製造方法（７）により製造した。
【0214】
製造方法（７）では、内側誘電体層用の誘電体層用ペーストに含まれる誘電体原料の主成分の原料粉末であるＢａＴｉＯ3粉末の平均粒径を２３０ｎｍとした以外は製造方法（１）と同様にして積層セラミックコンデンサ試料を作製した。
【0215】
実験６では、実験１と同様にして「ｒ１＜ｒ２＜ｒ１×４．０」を満たすか否か判断し、ビッカース硬度を測定し、ＭＴＴＦを測定し、容量変化率を測定し、総合判定を行った。結果を表６Ａまたは表６Ｂに示す。
【0216】
なお、実験６では、さらに、「内側誘電体層を構成する主相粒子の平均粒径（ｒ１）」も測定した。具体的には、上記の（主相粒子の平均粒径）に記載した方法により算出した。結果を表６Ａに示す。
【0217】
【表1A】
【0218】
【表1B】
【0219】
【表2A】
【0220】
【表2B】
【0221】
【表3A】
【0222】
【表3B】
【0223】
【表4A】
【0224】
【表4B】
【0225】
【表5A】
【0226】
【表5B】
【0227】
【表6A】
【0228】
【表6B】
【0229】
表１Ａおよび表１Ｂより、ＣREが０．９０モル部以上３．６０モル部以下であり、ＣMが０．２０モル部以上１．２０モル部以下であり、ＣSiが０．６０モル部以上１．８０モル部以下であり、ｒ１およびｒ２が、ｒ１＜ｒ２＜ｒ１×４．０の関係を満たす場合（実施例１～実施例８）は、ビッカース硬度が高く、ＭＴＴＦが長く、容量変化率が良好であることが確認できた。
【0230】
なお、比較例７では、外装領域の主成分の原料粉末のＢａ／Ｔｉ比を１．０２とした結果、内装領域および外装領域では、ともに主相粒子の粒成長が過剰に抑制されたと考えられる。中でも内部電極層による熱伝導があまり期待できない外装領域の主相粒子の粒成長が顕著に抑制されたことから、ｒ１およびｒ２が、ｒ１＜ｒ２＜ｒ１×４．０の関係を満たさなかったと考えられる。
【0231】
なお、比較例８では、外装領域の主成分の原料粉末の平均粒径を１００ｎｍとした結果、内装領域に比べて外装領域の主相粒子の平均粒径が小さく反応性が高くなったことから、外装領域の主相粒子が過剰に粒成長したことにより、ｒ２がｒ１×４．０よりも大きくなったため、ｒ１およびｒ２が、ｒ１＜ｒ２＜ｒ１×４．０の関係を満たさなかったと考えられる。
【0232】
表２Ａおよび表２Ｂより、ＣREが０．９０モル部以上３．６０モル部以下であり、ＣMが０．２０モル部以上１．２０モル部以下であり、ＣSiが０．６０モル部以上１．８０モル部以下であり、ｒ１およびｒ２が、ｒ１＜ｒ２＜ｒ１×４．０の関係を満たし、（ｒｂ－ｒａ）／Ｌ＞０．００００８および（ｒｃ－ｒｂ）／Ｌ＞０．００００８の関係を満たす場合（実施例９および実施例８）は、（ｒｂ－ｒａ）／Ｌ＞０．００００８および（ｒｃ－ｒｂ）／Ｌ＞０．００００８の関係を満たさない場合（実施例１）に比べてビッカース硬度がより高く、ＭＴＴＦがより長いことが確認できた。
【0233】
実施例９は実施例１に比べて、焼成時の酸素分圧が低いため、ＲＥの主相粒子への固溶が進行しやすく、粒界中のＲＥの濃度が低くなり、その結果、外側誘電体層を構成する主相粒子をある程度粒成長させることができ、ビッカース硬度の強度がより向上したと考えられる。また、実施例９は実施例１に比べて主相粒子への副成分の固溶量がより適切な範囲内であったため、ＭＴＴＦがより長くなったと考えられる。
【0234】
実施例９に関するグラフを図５に示す。
【0235】
図５において、Ｘ軸は素子本体の外表面からの距離を示す。「ｅｘｔｅｒｉｏ
ｒ ｒｅｇｉｏｎ」は「外装領域」を示し、「ｉｎｔｅｒｉｏｒ ｒｅｇｉｏｎ」は「内装領域」を示し、「ｆｉｒｓｔ ｅｘｔｅｒｉｏｒ ｒｅｇｉｏｎ」は第１外装領域を示し、「ｓｅｃｏｎｄ ｅｘｔｅｒｉｏｒ ｒｅｇｉｏｎ」は第２外装領域を示し、「ｔｈｉｒｄ ｅｘｔｅｒｉｏｒ ｒｅｇｉｏｎ」は第３外装領域を示す。また、Ｙ軸は主相粒子の平均粒径（単位はｎｍ）を示す。
ｒ ｒｅｇｉｏｎ」は「外装領域」を示し、「ｉｎｔｅｒｉｏｒ ｒｅｇｉｏｎ」は「内装領域」を示し、「ｆｉｒｓｔ ｅｘｔｅｒｉｏｒ ｒｅｇｉｏｎ」は第１外装領域を示し、「ｓｅｃｏｎｄ ｅｘｔｅｒｉｏｒ ｒｅｇｉｏｎ」は第２外装領域を示し、「ｔｈｉｒｄ ｅｘｔｅｒｉｏｒ ｒｅｇｉｏｎ」は第３外装領域を示す。また、Ｙ軸は主相粒子の平均粒径（単位はｎｍ）を示す。
【0236】
図５より、実施例９では、内装領域の主相粒子の平均粒径に比べて明らかに外装領域の主相粒子の平均粒径が大きいことが確認できる。
【0237】
表３Ａおよび表３Ｂより、ＣREが０．９０モル部以上３．６０モル部以下であり、ＣMが０．２０モル部以上１．２０モル部以下であり、ＣSiが０．６０モル部以上１．８０モル部以下であり、ｒ１およびｒ２が、ｒ１＜ｒ２＜ｒ１×４．０の関係を満たし、ＳＮＲ＞ＳＮＲａ、ＳＮＲ＞ＳＮＲｂおよびＳＮＲ＞ＳＮＲｃの関係を満たす場合（実施例８）は、ＳＮＲ＞ＳＮＲａ、ＳＮＲ＞ＳＮＲｂおよびＳＮＲ＞ＳＮＲｃの関係を満たさない場合（実施例７）に比べて、ビッカース硬度がより高く、ＭＴＴＦがより長く、容量変化率がより良好であることが確認できた。
【0238】
ＮＲ＞ＳＮＲａ、ＳＮＲ＞ＳＮＲｂおよびＳＮＲ＞ＳＮＲｃの関係を満たす場合（実施例８）ではＳＮＲ＞ＳＮＲａ、ＳＮＲ＞ＳＮＲｂおよびＳＮＲ＞ＳＮＲｃの関係を満たさない場合（実施例７）に対して、外装領域の主相粒子に比べて内層領域の主相粒子の平均粒径のバラつきが小さいため、層間粒子数、すなわち、内部電極層に挟まれた内側誘電体層中の粒子数のバラつきが小さくなり、これによりＭＴＴＦ及び容量変化率が良好となったと考えられる。
【0239】
なお、比較例９では、内側誘電体層の原料粉末であるＢａＴｉＯ3粉末の平均粒径を１２０ｎｍとしたため、内装領域の主成分の粒径が小さくなり、ｒ１＜ｒ２＜ｒ１×４．０を満たさなかったと考えられる。なお、比較例９では、内側誘電体層の原料粉末であるＢａＴｉＯ3粉末の平均粒径が小さいため原料粒径に対する焼成後粒径の比（焼成後粒径／原料粒径）で表される粒成長率は大きくなり、これにより、主成分に副成分が過剰に固溶することになり、容量変化率が悪化したと考えられる。
【0240】
表４Ａおよび表４Ｂより、ＣREが０．９０モル部以上３．６０モル部以下であり、ＣMが０．２０モル部以上１．２０モル部以下であり、ＣSiが０．６０モル部以上１．８０モル部以下であり、ｒ１およびｒ２が、ｒ１＜ｒ２＜ｒ１×４．０の関係を満たし、ＲＥ固溶面積割合が１２％以上５０％以下である場合（実施例１０および実施例８）は、ＲＥ固溶面積割合が９．８％である場合（実施例１）に比べて、ビッカース硬度がより高く、ＭＴＴＦがより長く、容量変化率がより良好であることが確認できた。
【0241】
ＲＥ固溶面積割合が１２％以上５０％以下である場合（実施例１０および実施例８）ではＲＥ固溶面積割合が９．８％である場合（実施例１）に比べて、主相粒子に対するＲＥの固溶面積が大きいため抵抗が高く、また高温・高電圧下における酸素欠陥の移動を抑制されることによりＭＴＴＦが向上したものと考えられる。
【0242】
表４Ａおよび表４Ｂより、ＣREが０．９０モル部以上３．６０モル部以下であり、ＣMが０．２０モル部以上１．２０モル部以下であり、ＣSiが０．６０モル部以上１．８０モル部以下であり、ｒ１およびｒ２が、ｒ１＜ｒ２＜ｒ１×４．０の関係を満たし、主相粒子に対する特定主相粒子の個数割合が、９０％以上である場合（実施例８）は、主相粒子に対する特定主相粒子の個数割合が、８０％である場合（実施例１０）に比べて、ビッカース硬度がより高く、ＭＴＴＦがより長いことが確認できた。
【0243】
主相粒子に対する特定主相粒子の個数割合が、９０％以上である場合（実施例８）では、主相粒子に対する特定主相粒子の個数割合が、８０％である場合（実施例１０）に比べて主相粒子に対する特定主相粒子の個数割合が高いため、全体的に特定主相粒子の存在しているため試料中における主相粒子の構造にバラつきが少ないため、ビッカース硬度がより高くなったと考えられる。また、高電界下で局所的に電流密度が高くなることを防ことができることにより、ＭＴＴＦがより向上したものと考えられる。
【0244】
表５Ａおよび表５Ｂより、ＣREが０．９０モル部以上３．６０モル部以下であり、ＣMが０．２０モル部以上１．２０モル部以下であり、ＣSiが０．６０モル部以上１．８０モル部以下であり、ｒ１およびｒ２が、ｒ１＜ｒ２＜ｒ１×４．０の関係を満たし、ＣM1が０．４０モル部以上０．９０モル部以下である場合（実施例８、実施例５）は、ＣM1が０．３０モル部である場合（実施例１１）またはＣM1が０．９５モル部である場合（実施例１２）に比べて、ビッカース硬度がより高く、ＭＴＴＦがより長く、容量変化率がより良好であることが確認できた。
【0245】
ＣM1が０．４０モル部以上０．９０モル部以下である場合（実施例８、実施例５）では、ＣM1が０．３０モル部である場合（実施例１１）に比べて粒界成分を十分に確保できるため、主相粒子の異常粒成長や粒径ばらつきを抑制することができることによりＭＴＴＦがより向上したものと考えられる。
【0246】
ＣM1が０．４０モル部以上０．９０モル部以下である場合（実施例８、実施例５）では、ＣM1が０．９５モル部である場合（実施例１２）に比べてドナー成分に対するアクセプター成分の割合が適切な範囲内であるため酸素欠陥の生成を抑制できることによりＭＴＴＦが向上したものと考えられる。また、粒界成分が多すぎないため外装領域の主相粒子の粒成長が進行したことによりビッカース硬度がより高くなったものと考えられる。
【0247】
表６Ａおよび表６Ｂより、ｒ１が、１８０ｎｍ＜ｒ１＜２４０ｎｍの関係を満たす場合（実施例８）は、ｒ１が１８０．０ｎｍである場合（実施例１３）またはｒ１が２５０．０ｎｍである場合（実施例１４）に比べてビッカース硬度がより高く、ＭＴＴＦがより長いことが確認できた。
【0248】
ｒ１が、１８０ｎｍ＜ｒ１＜２４０ｎｍの関係を満たす場合（実施例８）はｒ１が２５０．０ｎｍである場合（実施例１４）に比べて層間粒子数、すなわち、内部電極層に挟まれた内側誘電体層中の粒子数を多くすることができるため、ＭＴＴＦがより長くなったと考えられる。
【0249】
また、ｒ１が、１８０ｎｍ＜ｒ１＜２４０ｎｍの関係を満たす場合（実施例８）は，ｒ１が１８０ｎｍである場合（実施例１３）に比べて、主相粒子へ副成分が十分に固溶したためＭＴＴＦがより長くなったと考えらえる。
【符号の説明】
【0250】
２… 積層セラミックコンデンサ
４… 素子本体
４０… 素子本体の外表面
１３… 内装領域
１０… 内側誘電体層
２０… 主相粒子
２１… 粒界
２２… コアシェル主相粒子
２２ａ… コア部
２２ｂ… シェル部
２４… 全固溶主相粒子
１２… 内部電極層
１２０… 内部電極層の外表面
１５… 外装領域
１５ａ… 第１外装領域
１５ｂ… 第２外装領域
１５ｃ… 第３外装領域
１１… 外側誘電体層
６… 外部電極
４… 素子本体
４０… 素子本体の外表面
１３… 内装領域
１０… 内側誘電体層
２０… 主相粒子
２１… 粒界
２２… コアシェル主相粒子
２２ａ… コア部
２２ｂ… シェル部
２４… 全固溶主相粒子
１２… 内部電極層
１２０… 内部電極層の外表面
１５… 外装領域
１５ａ… 第１外装領域
１５ｂ… 第２外装領域
１５ｃ… 第３外装領域
１１… 外側誘電体層
６… 外部電極
【図1A】
【図1B】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】