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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024022219
(43)【公開日】2024-02-16
(54)【発明の名称】半導体記憶装置
(51)【国際特許分類】
H05K 7/20 20060101AFI20240208BHJP
H05K 5/00 20060101ALI20240208BHJP
H01L 23/467 20060101ALI20240208BHJP
【ＦＩ】
H05K7/20 B
H05K5/00 A
H01L23/46 C
【審査請求】未請求
【請求項の数】9
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022125640
(22)【出願日】2022-08-05
(71)【出願人】
【識別番号】318010018
【氏名又は名称】キオクシア株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001634
【氏名又は名称】弁理士法人志賀国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】粟賀 宏介
【テーマコード（参考）】
4E360
5E322
5F136
【Ｆターム（参考）】
4E360AA02
4E360AB12
4E360BA01
4E360BB22
4E360CA02
4E360ED02
4E360GA24
4E360GB99
4E360GC02
5E322AA01
5E322AB01
5E322BA01
5E322BA03
5E322EA11
5E322FA04
5F136BA02
5F136CA00
5F136DA25
5F136DA50
5F136FA01
5F136FA02
5F136FA03
(57)【要約】
【課題】放熱性を向上できる半導体記憶装置を提供することである。
【解決手段】実施形態の半導体記憶装置は、基板２１と、電子部品２５と、コンデンサ５０と、ヒートシンク６０とを持つ。電子部品２５は、基板２１に実装されている。コンデンサ５０は、基板２１に実装されており、かつ、基板２１の厚さ方向に電子部品２５と重なる。ヒートシンク６０は、コンデンサ５０を支持する支持部６５と空気流動路６４とを有する。ヒートシンク６０は、電子部品２５に接続されている。
【選択図】図３Ａ
【解決手段】実施形態の半導体記憶装置は、基板２１と、電子部品２５と、コンデンサ５０と、ヒートシンク６０とを持つ。電子部品２５は、基板２１に実装されている。コンデンサ５０は、基板２１に実装されており、かつ、基板２１の厚さ方向に電子部品２５と重なる。ヒートシンク６０は、コンデンサ５０を支持する支持部６５と空気流動路６４とを有する。ヒートシンク６０は、電子部品２５に接続されている。
【選択図】図３Ａ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板と、
前記基板に実装された電子部品と、
前記基板に実装され、前記基板の厚さ方向に前記電子部品と重なるコンデンサと、
前記コンデンサを支持する支持部と空気流動路とを有し、前記電子部品に接続されたヒートシンクと、
を備えた半導体記憶装置。
前記基板に実装された電子部品と、
前記基板に実装され、前記基板の厚さ方向に前記電子部品と重なるコンデンサと、
前記コンデンサを支持する支持部と空気流動路とを有し、前記電子部品に接続されたヒートシンクと、
を備えた半導体記憶装置。
【請求項2】
前記ヒートシンクは、フィンを有し、
前記フィンは、前記基板の前記厚さ方向に延び、
前記フィンは、前記空気流動路に面している、
請求項１に記載の半導体記憶装置。
前記フィンは、前記基板の前記厚さ方向に延び、
前記フィンは、前記空気流動路に面している、
請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項3】
前記基板、前記電子部品、前記コンデンサ、及び前記ヒートシンクを収容する筐体と、
前記筐体の内面に接続された熱伝導体と、
を有し、
前記ヒートシンクは、
前記筐体の前記内面に対向する第１板部と、
前記第１板部とは反対側に位置するとともに前記電子部品に接続された第２板部と、
を有し、
前記電子部品は、前記第２板部に接続されており、
前記筐体の前記内面と前記第１板部との間に前記熱伝導体が設けられている、
請求項１に記載の半導体記憶装置。
前記筐体の内面に接続された熱伝導体と、
を有し、
前記ヒートシンクは、
前記筐体の前記内面に対向する第１板部と、
前記第１板部とは反対側に位置するとともに前記電子部品に接続された第２板部と、
を有し、
前記電子部品は、前記第２板部に接続されており、
前記筐体の前記内面と前記第１板部との間に前記熱伝導体が設けられている、
請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項4】
前記電子部品は、第１電子部品と第２電子部品とを含み、
前記基板は、第１面と、前記第１面とは反対側に位置した第２面とを有し、
前記第１電子部品は、前記第１面に実装されており、
前記第２電子部品は、前記第２面に実装されており、
前記筐体は、前記第１面に対向する第１筐体部材と、前記第２面に対向する第２筐体部材とを有し、
前記熱伝導体は、前記第１筐体部材の第１内面に接続された第１熱伝導体と、前記第２筐体部材の第２内面に接続された第２熱伝導体とを有し、
前記ヒートシンクの前記第１板部は、前記第１筐体部材の前記第１内面に対向し、
前記第１電子部品は、前記第２板部に接続されており、
前記第１筐体部材の前記第１内面と前記第１板部との間に前記第１熱伝導体が設けられており、
前記第２筐体部材の前記第２内面と前記第２電子部品との間に前記第２熱伝導体が設けられている、
請求項３に記載の半導体記憶装置。
前記基板は、第１面と、前記第１面とは反対側に位置した第２面とを有し、
前記第１電子部品は、前記第１面に実装されており、
前記第２電子部品は、前記第２面に実装されており、
前記筐体は、前記第１面に対向する第１筐体部材と、前記第２面に対向する第２筐体部材とを有し、
前記熱伝導体は、前記第１筐体部材の第１内面に接続された第１熱伝導体と、前記第２筐体部材の第２内面に接続された第２熱伝導体とを有し、
前記ヒートシンクの前記第１板部は、前記第１筐体部材の前記第１内面に対向し、
前記第１電子部品は、前記第２板部に接続されており、
前記第１筐体部材の前記第１内面と前記第１板部との間に前記第１熱伝導体が設けられており、
前記第２筐体部材の前記第２内面と前記第２電子部品との間に前記第２熱伝導体が設けられている、
請求項３に記載の半導体記憶装置。
【請求項5】
各々が前記コンデンサに対応する複数のコンデンサを有し、
前記ヒートシンクの前記支持部は、前記複数のコンデンサを支持する、
請求項１に記載の半導体記憶装置。
前記ヒートシンクの前記支持部は、前記複数のコンデンサを支持する、
請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項6】
前記支持部に対する、前記複数のコンデンサのうち少なくとも２つのコンデンサの挿入方向は、互いに異なる、
請求項５に記載の半導体記憶装置。
請求項５に記載の半導体記憶装置。
【請求項7】
前記支持部は、前記コンデンサを支持する支持面を有し、
前記支持面は、前記コンデンサに接続することで前記コンデンサの位置を決める、
請求項５に記載の半導体記憶装置。
前記支持面は、前記コンデンサに接続することで前記コンデンサの位置を決める、
請求項５に記載の半導体記憶装置。
【請求項8】
前記基板、前記電子部品、前記コンデンサ、及び前記ヒートシンクを収容する筐体を有し、
前記筐体は、前記筐体に流入する空気が通る通気孔を有する側壁を有し、
前記筐体は、前記空気流動路が延在する方向に対して傾斜する第１ガイド部を有し、
前記第１ガイド部は、前記側壁と前記ヒートシンクとの間の領域に位置する、
請求項１に記載の半導体記憶装置。
前記筐体は、前記筐体に流入する空気が通る通気孔を有する側壁を有し、
前記筐体は、前記空気流動路が延在する方向に対して傾斜する第１ガイド部を有し、
前記第１ガイド部は、前記側壁と前記ヒートシンクとの間の領域に位置する、
請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項9】
前記基板、前記電子部品、前記コンデンサ、及び前記ヒートシンクを収容する筐体を有し、
前記筐体は、前記筐体に流入する空気が通る通気孔を有する側壁を有し、
前記ヒートシンクは、前記空気流動路が延在する方向に対して傾斜する第２ガイド部を有し、
前記第２ガイド部は、前記側壁と前記ヒートシンクとの間の領域に位置する、
請求項１に記載の半導体記憶装置。
前記筐体は、前記筐体に流入する空気が通る通気孔を有する側壁を有し、
前記ヒートシンクは、前記空気流動路が延在する方向に対して傾斜する第２ガイド部を有し、
前記第２ガイド部は、前記側壁と前記ヒートシンクとの間の領域に位置する、
請求項１に記載の半導体記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、半導体記憶装置に関する。
【背景技術】
【0002】
基板と、基板に実装された電子部品とを備えた半導体記憶装置が知られている。半導体記憶装置は、放熱性の向上が期待されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０２１－１２９９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明の実施形態は、放熱性を向上できる半導体記憶装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
実施形態の半導体記憶装置は、基板と、電子部品と、コンデンサと、ヒートシンクとを持つ。電子部品は、基板に実装されている。コンデンサは、基板に実装されており、かつ、基板の厚さ方向に電子部品と重なる。ヒートシンクは、コンデンサを支持する支持部と空気流動路とを有する。ヒートシンクは、電子部品に接続されている。
【図面の簡単な説明】
【0006】
【図1】第１実施形態の半導体記憶装置を示す斜視図。
【図2】第１実施形態の半導体記憶装置の一部を分解して示す分解斜視図。
【図3A】第１実施形態の半導体記憶装置に含まれるヒートシンクを部分的に示す断面図。
【図3B】第１実施形態の半導体記憶装置に含まれるヒートシンクを部分的に示す断面図。
【図4】第１実施形態の半導体記憶装置に含まれるコンデンサ組立体２６を示す平面図。
【図5】第２実施形態の半導体記憶装置に含まれるカバー、ヒートシンク、及びコンデンサを示す下面図。
【図6】第３実施形態の半導体記憶装置に含まれる筐体、ヒートシンク、及びコンデンサを示す下面図。
【発明を実施するための形態】
【0007】
以下、実施形態の半導体記憶装置を、図面を参照して説明する。
実施形態の説明では、同一または類似の機能を有する構成に同一の符号を付す。そして、それら構成の重複する説明は省略する場合がある。「第１」「第２」「第３」といった序数詞を用いる場合がある。この序数詞は、序数詞で記載された部材の個数を示していない。
実施形態の説明では、同一または類似の機能を有する構成に同一の符号を付す。そして、それら構成の重複する説明は省略する場合がある。「第１」「第２」「第３」といった序数詞を用いる場合がある。この序数詞は、序数詞で記載された部材の個数を示していない。
【0008】
以下の説明では、文言「重なる」とは、２つの対象物の仮想的な投影像同士が重なることを意味し、２つの対象物が直接に接しない場合も含み得る。文言「平行」、文言「直交」、及び文言「同一」の各々は、「略平行」、「略直交」、及び「略同一」である場合も含み得る。文言「接続」とは、機械的な接続に限定されず、電気的な接続である場合も含み得る。すなわち「接続」とは、対象物と直接に接続された場合に限定されず、別の要素を間に介在させて接続される場合も含み得る。また、文言「接続」とは、互いに連結された場合に限定されず、接しているだけの場合も含み得る。
【0009】
ここで、先に、＋Ｘ方向、－Ｘ方向、＋Ｙ方向、－Ｙ方向、＋Ｚ方向、及び－Ｚ方向について定義する。＋Ｘ方向、－Ｘ方向、＋Ｙ方向、及び－Ｙ方向は、後述する基板２１の第１面２１ａと平行な方向である（図２参照）。＋Ｘ方向は、後述する筐体１０の第１端部１０ａから第２端部１０ｂに向かう方向である（図１参照）。－Ｘ方向は、＋Ｘ方向とは反対の方向である。＋Ｘ方向と－Ｘ方向とを区別しない場合は、単に「Ｘ方向」と称する。＋Ｙ方向及び－Ｙ方向は、Ｘ方向とは交差する（例えば、直交する）方向である。
【0010】
＋Ｙ方向は、後述する筐体１０の第３端部１０ｃから第４端部１０ｄに向かう方向である（図１参照）。－Ｙ方向は、＋Ｙ方向とは反対の方向である。＋Ｙ方向と－Ｙ方向とを区別しない場合は、単に「Ｙ方向」と称する。＋Ｚ方向及び－Ｚ方向は、Ｘ方向及びＹ方向とは交差する（例えば、直交する）方向であり、後述する基板２１の厚さ方向である。
【0011】
＋Ｚ方向は、基板２１から後述する筐体１０のカバー主壁１５に向かう方向である（図２参照）。－Ｚ方向は、＋Ｚ方向とは反対の方向である。＋Ｚ方向と－Ｚ方向とを区別しない場合は、単に「Ｚ方向」と称する。Ｚ方向は、基板２１の厚さ方向である。
以下の説明では、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向を纏めて称する場合、単に、ＸＹＺ方向と称することがある。Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向の各々を、第１方向、第２方向、第３方向と称してもよい。
以下の説明では、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向を纏めて称する場合、単に、ＸＹＺ方向と称することがある。Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向の各々を、第１方向、第２方向、第３方向と称してもよい。
【0012】
＜第１実施形態＞
＜半導体記憶装置の全体構成＞
図１から図４を参照し、第１実施形態の半導体記憶装置１について説明する。半導体記憶装置１は、例えば、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ）のような記憶装置である。半導体記憶装置１は、例えば、サーバやパーソナルコンピュータなどの情報処理装置に取り付けられ、情報処理装置の記憶領域として利用される。本実施形態では、半導体記憶装置１が取り付けられる情報処理装置を「ホスト装置」と称する。
＜半導体記憶装置の全体構成＞
図１から図４を参照し、第１実施形態の半導体記憶装置１について説明する。半導体記憶装置１は、例えば、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ）のような記憶装置である。半導体記憶装置１は、例えば、サーバやパーソナルコンピュータなどの情報処理装置に取り付けられ、情報処理装置の記憶領域として利用される。本実施形態では、半導体記憶装置１が取り付けられる情報処理装置を「ホスト装置」と称する。
【0013】
図１は、半導体記憶装置１を示す斜視図である。図２は、半導体記憶装置１の一部を分解して示す分解斜視図である。図１及び図２に示すように、半導体記憶装置１は、例えば、筐体１０、基板ユニット２０、支持フレーム３０、及び複数の固定部材４０を有する。図３Ａ及び図３Ｂは、本実施形態の半導体記憶装置１を部分的に示す断面図である。
図３Ａにおいては、ヒートシンク６０に固定された第４コンデンサ５０Ｄの断面を示している。図３Ｂにおいては、ヒートシンク６０に固定された第１コンデンサ５０Ａ、第２コンデンサ５０Ｂ、及び第３コンデンサ５０Ｃの断面を示している。
図３Ａにおいては、ヒートシンク６０に固定された第４コンデンサ５０Ｄの断面を示している。図３Ｂにおいては、ヒートシンク６０に固定された第１コンデンサ５０Ａ、第２コンデンサ５０Ｂ、及び第３コンデンサ５０Ｃの断面を示している。
【0014】
＜筐体＞
図１に示すように、筐体１０は、例えば、扁平な矩形箱状の形状を有する。筐体１０は、例えば、金属製である。筐体１０は、筐体１０の長手方向（Ｘ方向）に分かれた一対の端部として、第１端部１０ａと、第２端部１０ｂとを有する。第２端部１０ｂは、第１端部１０ａとは反対側の端部である。第１端部１０ａには、開口（図示せず）が設けられている。第１端部１０ａに設けられた開口は、後述する基板ユニット２０のコネクタ２２（図２参照）を筐体１０の外部に露出させる。
筐体１０は、筐体１０の短手方向（Ｙ方向）に分かれた一対の端部として、第３端部１０ｃと、第４端部１０ｄとを有する。第４端部１０ｄは、第３端部１０ｃとは反対側の端部である。
図１に示すように、筐体１０は、例えば、扁平な矩形箱状の形状を有する。筐体１０は、例えば、金属製である。筐体１０は、筐体１０の長手方向（Ｘ方向）に分かれた一対の端部として、第１端部１０ａと、第２端部１０ｂとを有する。第２端部１０ｂは、第１端部１０ａとは反対側の端部である。第１端部１０ａには、開口（図示せず）が設けられている。第１端部１０ａに設けられた開口は、後述する基板ユニット２０のコネクタ２２（図２参照）を筐体１０の外部に露出させる。
筐体１０は、筐体１０の短手方向（Ｙ方向）に分かれた一対の端部として、第３端部１０ｃと、第４端部１０ｄとを有する。第４端部１０ｄは、第３端部１０ｃとは反対側の端部である。
【0015】
図２に示すように、筐体１０は、ベース１１とカバー１２とを含む。
ベース１１とカバー１２とが組み合わされることで、筐体１０は構成されている。
ベース１１及びカバー１２の各々は、「筐体」の一例である。カバー１２は、「第１筐体部材」の一例である。ベース１１は、「第２筐体部材」の一例である。
筐体１０は、基板ユニット２０を収容するように構成されている。すなわち、筐体１０は、後述する基板２１、コントローラ２３、ＤＲＡＭ２４、ＮＡＮＤ２５、コンデンサ５０、及び前記ヒートシンク６０を収容する。
ベース１１とカバー１２とが組み合わされることで、筐体１０は構成されている。
ベース１１及びカバー１２の各々は、「筐体」の一例である。カバー１２は、「第１筐体部材」の一例である。ベース１１は、「第２筐体部材」の一例である。
筐体１０は、基板ユニット２０を収容するように構成されている。すなわち、筐体１０は、後述する基板２１、コントローラ２３、ＤＲＡＭ２４、ＮＡＮＤ２５、コンデンサ５０、及び前記ヒートシンク６０を収容する。
【0016】
＜ベース＞
ベース１１は、例えば、ベース主壁１４と、３つの側壁１１ｂ、１１ｃ、１１ｄとを有する。ベース主壁１４は、Ｘ方向及びＹ方向に沿う壁である。ベース主壁１４は、ベース外面１４Ｅとベース内面１４Ｉとを有する。ベース外面１４Ｅは、－Ｚ方向に向く面である。ベース外面１４Ｅは、－Ｚ方向における半導体記憶装置１の外表面を形成する。
ベース１１は、例えば、ベース主壁１４と、３つの側壁１１ｂ、１１ｃ、１１ｄとを有する。ベース主壁１４は、Ｘ方向及びＹ方向に沿う壁である。ベース主壁１４は、ベース外面１４Ｅとベース内面１４Ｉとを有する。ベース外面１４Ｅは、－Ｚ方向に向く面である。ベース外面１４Ｅは、－Ｚ方向における半導体記憶装置１の外表面を形成する。
【0017】
ベース内面１４Ｉは、＋Ｚ方向に向く面である。ベース内面１４Ｉは、基板２１の第２面２１ｂに対向する面である。ベース内面１４Ｉの一部は、後述する第２熱伝導シート２７Ｂに接続されている。ベース内面１４Ｉは、「第２内面」の一例である。
３つの側壁１１ｂ、１１ｃ、１１ｄの各々は、筐体１０の第２端部１０ｂ、第３端部１０ｃ、及び第４端部１０ｄに対応する側壁である。３つの側壁１１ｂ、１１ｃ、１１ｄの各々は、ベース主壁１４から＋Ｚ方向に延びている。
３つの側壁１１ｂ、１１ｃ、１１ｄの各々は、筐体１０の第２端部１０ｂ、第３端部１０ｃ、及び第４端部１０ｄに対応する側壁である。３つの側壁１１ｂ、１１ｃ、１１ｄの各々は、ベース主壁１４から＋Ｚ方向に延びている。
【0018】
＜カバー＞
カバー１２は、カバー主壁１５と、４つの側壁１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄとを有する。カバー主壁１５は、Ｘ方向及びＹ方向に沿う壁である。カバー主壁１５は、カバー外面１５Ｅとカバー内面１５Ｉとを有する。カバー外面１５Ｅは、＋Ｚ方向に向く面である。カバー外面１５Ｅは、＋Ｚ方向における半導体記憶装置１の外表面を形成する。
カバー１２は、カバー主壁１５と、４つの側壁１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄとを有する。カバー主壁１５は、Ｘ方向及びＹ方向に沿う壁である。カバー主壁１５は、カバー外面１５Ｅとカバー内面１５Ｉとを有する。カバー外面１５Ｅは、＋Ｚ方向に向く面である。カバー外面１５Ｅは、＋Ｚ方向における半導体記憶装置１の外表面を形成する。
【0019】
カバー内面１５Ｉは、－Ｚ方向に向く面である。カバー内面１５Ｉは、基板２１の第１面２１ａに対向する面である。カバー内面１５Ｉの一部は、後述する第１熱伝導シート２７Ａに接続されている。カバー内面１５Ｉは、「第１内面」の一例である。
【0020】
４つの側壁１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄの各々は、第１端部１０ａ、第２端部１０ｂ、第３端部１０ｃ、及び第４端部１０ｄに対応する側壁である。４つの側壁１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄの各々は、カバー主壁１５から－Ｚ方向に延びている。
【0021】
筐体１０は、ベース１１とカバー１２とが組み合わされることで形成された第１側壁１６、第２側壁１７、第３側壁１８、及び第４側壁１９を有する（図１参照）。第１側壁１６は、－Ｘ方向側の側壁であり、カバー１２の側壁１２ａにより形成されている。第２側壁１７は、＋Ｘ方向側の側壁であり、ベース１１の側壁１１ｂとカバー１２の側壁１２ｂとにより形成されている。第１側壁１６及び第２側壁１７の各々は、Ｙ方向及びＺ方向に沿う壁である。第３側壁１８は、－Ｙ方向側の側壁であり、ベース１１の側壁１１ｃとカバー１２の側壁１２ｃとにより形成されている。第４側壁１９は、＋Ｙ方向側の側壁であり、ベース１１の側壁１１ｄとカバー１２の側壁１２ｄとにより形成されている。第３側壁１８及び第４側壁１９の各々は、Ｘ方向及びＺ方向に沿う壁である。
【0022】
図２に示すように、筐体１０の第１側壁１６は、複数の第１通気孔１６ａを有する。同様に、筐体１０の第２側壁１７は、複数の第２通気孔１７ａを有する。第１通気孔１６ａ及び第２通気孔１７ａのうち一方が吸気孔として機能し、他方が排気孔として機能してもよい。例えば、＋Ｘ方向に風が流れる設置環境に半導体記憶装置１が置かれる場合、筐体１０の外部の空気は、第１通気孔１６ａから筐体１０の内部に流入し、第２通気孔１７ａから筐体１０の外部に排気される。一方で、－Ｘ方向に風が流れる設置環境に半導体記憶装置１が置かれる場合、筐体１０の外部の空気は、第２通気孔１７ａから筐体１０の内部に流入し、第１通気孔１６ａから筐体１０の外部に排気される。以下では、－Ｘ方向に風が流れる場合、つまり、複数の第２通気孔１７ａに空気が流入し、空気が筐体１０の内部を流れ、複数の第１通気孔１６ａから空気が流出する場合を説明する。
【0023】
ベース１１は、後述する基板２１が載置される複数の載置部１１ｓを有する。複数の載置部１１ｓは、筐体１０の４つの角部に対応して設けられている。各載置部１１ｓは、後述する固定部材４０が挿入されて固定される固定穴１１ｈを有する。カバー１２の各々は、固定部材４０が通される複数の挿通穴１２ｈを有する。挿通穴１２ｈは、固定穴１１ｈに対応する位置に設けられている。
【0024】
＜支持フレーム＞
支持フレーム３０は、基板２１とカバー１２との間に位置する。支持フレーム３０は、基板２１とカバー１２との間の隙間を埋めるスペーサである。支持フレーム３０は、例えば、基板２１の外周に沿う枠状である。支持フレーム３０は、基板２１の第１面２１ａの上に載置される。支持フレーム３０は、各々、固定部材４０が通される複数の挿通穴３０ｈを有する。挿通穴３０ｈは、ベース１１の載置部１１ｓの固定穴１１ｈに対応する位置に設けられている。なお、支持フレーム３０は、省略されてもよい。この場合、カバー１２、基板２１、及びベース１１が固定部材４０によって共締めされることで一体に固定されてもよい。
支持フレーム３０は、基板２１とカバー１２との間に位置する。支持フレーム３０は、基板２１とカバー１２との間の隙間を埋めるスペーサである。支持フレーム３０は、例えば、基板２１の外周に沿う枠状である。支持フレーム３０は、基板２１の第１面２１ａの上に載置される。支持フレーム３０は、各々、固定部材４０が通される複数の挿通穴３０ｈを有する。挿通穴３０ｈは、ベース１１の載置部１１ｓの固定穴１１ｈに対応する位置に設けられている。なお、支持フレーム３０は、省略されてもよい。この場合、カバー１２、基板２１、及びベース１１が固定部材４０によって共締めされることで一体に固定されてもよい。
【0025】
＜固定部材＞
固定部材４０は、カバー１２の挿通穴１２ｈ、支持フレーム３０の挿通穴３０ｈ、基板２１の挿通穴２１ｈ、及びベース１１の固定穴１１ｈに挿入され、カバー１２、支持フレーム３０、基板２１、及びベース１１を一体に固定する。固定部材４０は、ねじでもよいし、ピンのような嵌合部材でもよい。ただし、文言「固定部材」は、上記例に限定されない。固定部材４０は、ベース１１とカバー１２とを固定する固定部材に限定されず、ベース１１とカバー１２とのうちいずれか一方のみと基板２１とを固定する固定部材でもよい。
固定部材４０は、カバー１２の挿通穴１２ｈ、支持フレーム３０の挿通穴３０ｈ、基板２１の挿通穴２１ｈ、及びベース１１の固定穴１１ｈに挿入され、カバー１２、支持フレーム３０、基板２１、及びベース１１を一体に固定する。固定部材４０は、ねじでもよいし、ピンのような嵌合部材でもよい。ただし、文言「固定部材」は、上記例に限定されない。固定部材４０は、ベース１１とカバー１２とを固定する固定部材に限定されず、ベース１１とカバー１２とのうちいずれか一方のみと基板２１とを固定する固定部材でもよい。
【0026】
＜基板ユニット＞
基板ユニット２０は、筐体１０のベース１１とカバー１２との間に位置する。基板ユニット２０は、筐体１０に収容されている。基板ユニット２０は、基板２１、コネクタ２２、コントローラ２３、複数のＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）２４、複数のＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２５、コンデンサ組立体２６、及び熱伝導シート２７を有する。本実施形態では、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２５を「ＮＡＮＤ２５」と称する。
基板ユニット２０は、筐体１０のベース１１とカバー１２との間に位置する。基板ユニット２０は、筐体１０に収容されている。基板ユニット２０は、基板２１、コネクタ２２、コントローラ２３、複数のＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）２４、複数のＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２５、コンデンサ組立体２６、及び熱伝導シート２７を有する。本実施形態では、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２５を「ＮＡＮＤ２５」と称する。
【0027】
＜基板＞
基板２１は、Ｘ方向及びＹ方向に沿う板状の部材である。基板２１は、プリント配線板であり、絶縁基材と、絶縁基材に設けられた配線と、接続端子２１Ｔとを有する。配線は、後述するコンデンサ５０のリード５２に接続される接続端子２１Ｔに接続されている。基板２１は、第１面２１ａ、第１面２１ａとは反対側に位置した第２面２１ｂとを有する。
基板２１は、Ｘ方向及びＹ方向に沿う板状の部材である。基板２１は、プリント配線板であり、絶縁基材と、絶縁基材に設けられた配線と、接続端子２１Ｔとを有する。配線は、後述するコンデンサ５０のリード５２に接続される接続端子２１Ｔに接続されている。基板２１は、第１面２１ａ、第１面２１ａとは反対側に位置した第２面２１ｂとを有する。
【0028】
第１面２１ａは、＋Ｚ方向に向いている。第１面２１ａは、筐体１０のカバー主壁１５のカバー内面１５Ｉに対向する。一方で、第２面２１ｂは、－Ｚ方向に向いている。第２面２１ｂは、ベース主壁１４のベース内面１４Ｉに対向する。
基板２１は、ベース１１に設けられた複数の載置部１１ｓの上に載置される。基板２１は、複数の挿通穴２１ｈを有する。複数の挿通穴２１ｈの各々には、固定部材４０が通される。挿通穴２１ｈは、ベース１１の載置部１１ｓの固定穴１１ｈに対応する位置に設けられている。
基板２１は、ベース１１に設けられた複数の載置部１１ｓの上に載置される。基板２１は、複数の挿通穴２１ｈを有する。複数の挿通穴２１ｈの各々には、固定部材４０が通される。挿通穴２１ｈは、ベース１１の載置部１１ｓの固定穴１１ｈに対応する位置に設けられている。
【0029】
＜コネクタ＞
コネクタ２２は、基板２１の－Ｘ方向側の端部に設けられている。コネクタ２２は、複数の金属端子を有する。コネクタ２２は、筐体１０の第１端部１０ａに設けられた開口（図示せず）を通じて筐体１０の外部に露出されている。コネクタ２２は、ホスト装置のコネクタと接続可能である。このため、コネクタ２２を外部接続コネクタと称することができる。
コネクタ２２は、基板２１の－Ｘ方向側の端部に設けられている。コネクタ２２は、複数の金属端子を有する。コネクタ２２は、筐体１０の第１端部１０ａに設けられた開口（図示せず）を通じて筐体１０の外部に露出されている。コネクタ２２は、ホスト装置のコネクタと接続可能である。このため、コネクタ２２を外部接続コネクタと称することができる。
【0030】
＜コントローラ＞
コントローラ２３は、例えば、基板２１の第１面２１ａに実装されている。コントローラ２３は、半導体記憶装置１の全体を統括的に制御する。コントローラ２３は、例えば、ホスト装置に対するホストインターフェース回路、複数のＤＲＡＭ２４を制御する制御回路、及び複数のＮＡＮＤ２５を制御する制御回路などが１つの半導体チップに集積されたＳｏＣ（Ｓｙｓｔｅｍ ｏｎ ａ Ｃｈｉｐ）を含む半導体パッケージである。コントローラ２３は、不図示の熱接続部材を介して、ベース１１のベース主壁１４に接続されている。これにより、コントローラ２３で発生する熱の一部は、ベース１１のベース主壁１４に移動し、ベース１１のベース主壁１４から筐体１０の外部に放散される。
コントローラ２３は、例えば、基板２１の第１面２１ａに実装されている。コントローラ２３は、半導体記憶装置１の全体を統括的に制御する。コントローラ２３は、例えば、ホスト装置に対するホストインターフェース回路、複数のＤＲＡＭ２４を制御する制御回路、及び複数のＮＡＮＤ２５を制御する制御回路などが１つの半導体チップに集積されたＳｏＣ（Ｓｙｓｔｅｍ ｏｎ ａ Ｃｈｉｐ）を含む半導体パッケージである。コントローラ２３は、不図示の熱接続部材を介して、ベース１１のベース主壁１４に接続されている。これにより、コントローラ２３で発生する熱の一部は、ベース１１のベース主壁１４に移動し、ベース１１のベース主壁１４から筐体１０の外部に放散される。
【0031】
本実施形態において、コントローラ２３は、基板２１の第１面２１ａに実装されている。コントローラ２３が基板２１に実装される面は、第１面２１ａに限定されない。コントローラ２３は、基板２１の第２面２１ｂに実装されてもよい。また、コントローラ２３は、基板２１の第１面２１ａ及び第２面２１ｂの両面に実装されてもよい。
【0032】
＜ＤＲＡＭ＞
ＤＲＡＭ２４は、例えば、基板２１の第１面２１ａに実装されている。ＤＲＡＭ２４は、揮発性の半導体メモリチップを含む半導体パッケージである。ＤＲＡＭ２４は、ホスト装置から受信した書き込み対象データ、及びＮＡＮＤ２５から読み出された読み出し対象データなどが一時的に格納されるデータバッファである。ただし、半導体記憶装置１は、ＤＲＡＭ２４を有しなくてもよい。
ＤＲＡＭ２４は、例えば、基板２１の第１面２１ａに実装されている。ＤＲＡＭ２４は、揮発性の半導体メモリチップを含む半導体パッケージである。ＤＲＡＭ２４は、ホスト装置から受信した書き込み対象データ、及びＮＡＮＤ２５から読み出された読み出し対象データなどが一時的に格納されるデータバッファである。ただし、半導体記憶装置１は、ＤＲＡＭ２４を有しなくてもよい。
【0033】
本実施形態において、ＤＲＡＭ２４は、基板２１の第１面２１ａに実装されている。
ＤＲＡＭ２４が基板２１に実装される面は、基板２１の第１面２１ａに限定されない。ＤＲＡＭ２４は、基板２１の第２面２１ｂに実装されてもよい。また、ＤＲＡＭ２４は、基板２１の第１面２１ａ及び第２面２１ｂの両面に実装されてもよい。
ＤＲＡＭ２４が基板２１に実装される面は、基板２１の第１面２１ａに限定されない。ＤＲＡＭ２４は、基板２１の第２面２１ｂに実装されてもよい。また、ＤＲＡＭ２４は、基板２１の第１面２１ａ及び第２面２１ｂの両面に実装されてもよい。
【0034】
＜ＮＡＮＤ＞
複数のＮＡＮＤ２５は、例えば、基板２１の第１面２１ａ及び第２面２１ｂの両面に実装されている。第１面２１ａに実装されているＮＡＮＤ２５は、第１ＮＡＮＤ２５Ａである。第２面２１ｂに実装されているＮＡＮＤ２５は、第２ＮＡＮＤ２５Ｂである。ＮＡＮＤ２５は、「電子部品」の一例である。第１ＮＡＮＤ２５Ａは、「第１電子部品」の一例である。第２ＮＡＮＤ２５Ｂは、「第２電子部品」の一例である。
以下の説明では、第１ＮＡＮＤ２５Ａ及び第２ＮＡＮＤ２５Ｂを単にＮＡＮＤ２５と称する場合がある。
複数のＮＡＮＤ２５は、例えば、基板２１の第１面２１ａ及び第２面２１ｂの両面に実装されている。第１面２１ａに実装されているＮＡＮＤ２５は、第１ＮＡＮＤ２５Ａである。第２面２１ｂに実装されているＮＡＮＤ２５は、第２ＮＡＮＤ２５Ｂである。ＮＡＮＤ２５は、「電子部品」の一例である。第１ＮＡＮＤ２５Ａは、「第１電子部品」の一例である。第２ＮＡＮＤ２５Ｂは、「第２電子部品」の一例である。
以下の説明では、第１ＮＡＮＤ２５Ａ及び第２ＮＡＮＤ２５Ｂを単にＮＡＮＤ２５と称する場合がある。
【0035】
複数のＮＡＮＤ２５は、Ｘ方向及びＹ方向に並べて配置されている。ＮＡＮＤ２５は、不揮発性の半導体メモリチップを含む半導体パッケージである。ＮＡＮＤ２５は、半導体記憶装置１の動作時に発熱する部品であり、「発熱部品」の一例である。ただし、「発熱部品」は、ＮＡＮＤ２５に限定されず、コントローラ２３、ＤＲＡＭ２４、又は、半導体記憶装置１に含まれる部品であってもよい。
なお、図３Ａ及び図３Ｂに示す例では、ＮＡＮＤ２５は、基板２１の第１面２１ａ及び第２面２１ｂの両面に実装されているが、変形例として、ＮＡＮＤ２５は、第１面２１ａのみに実装されてもよい。
なお、図３Ａ及び図３Ｂに示す例では、ＮＡＮＤ２５は、基板２１の第１面２１ａ及び第２面２１ｂの両面に実装されているが、変形例として、ＮＡＮＤ２５は、第１面２１ａのみに実装されてもよい。
【0036】
＜コンデンサ組立体＞
図４は、半導体記憶装置１に含まれるコンデンサ組立体２６を－Ｚ方向に見た平面図である。
コンデンサ組立体２６は、複数のコンデンサ５０と、ヒートシンク６０とを有する。コンデンサ組立体２６は、ＮＡＮＤ２５に接続され、固定されている。ＮＡＮＤ２５に対するコンデンサ組立体２６の固定構造としては、例えば、固定部材４０の締結力によりカバー１２をコンデンサ組立体２６に向けて押圧する押圧構造が挙げられる。このような固定構造以外に、ネジ等の公知の締結部材を用いた締結構造によって、コンデンサ組立体２６をＮＡＮＤ２５に固定してもよい。また、コンデンサ組立体２６は、カバー１２による押圧構造と、締結部材を用いた締結構造との組み合わせによって、ＮＡＮＤ２５に固定されてもよい。
図４は、半導体記憶装置１に含まれるコンデンサ組立体２６を－Ｚ方向に見た平面図である。
コンデンサ組立体２６は、複数のコンデンサ５０と、ヒートシンク６０とを有する。コンデンサ組立体２６は、ＮＡＮＤ２５に接続され、固定されている。ＮＡＮＤ２５に対するコンデンサ組立体２６の固定構造としては、例えば、固定部材４０の締結力によりカバー１２をコンデンサ組立体２６に向けて押圧する押圧構造が挙げられる。このような固定構造以外に、ネジ等の公知の締結部材を用いた締結構造によって、コンデンサ組立体２６をＮＡＮＤ２５に固定してもよい。また、コンデンサ組立体２６は、カバー１２による押圧構造と、締結部材を用いた締結構造との組み合わせによって、ＮＡＮＤ２５に固定されてもよい。
【0037】
コンデンサ組立体２６においては、ヒートシンク６０が複数のコンデンサ５０を支持している。コンデンサ組立体２６においては、Ｘ方向、Ｙ方向、及びＺ方向における複数のコンデンサ５０の位置が決定されている。言い換えると、基板２１の第１面２１ａに形成されている接続端子２１Ｔに対する複数のコンデンサ５０の各々のリード５２の位置が、コンデンサ組立体２６において予め決定されている。
【0038】
＜コンデンサ＞
図４に示すように、複数のコンデンサ５０は、Ｚ方向においてＮＡＮＤ２５と重なっている。複数のコンデンサ５０は、第１コンデンサ５０Ａ、第２コンデンサ５０Ｂ、第３コンデンサ５０Ｃ、及び第４コンデンサ５０Ｄである。第１コンデンサ５０Ａ、第２コンデンサ５０Ｂ、及び第３コンデンサ５０Ｃは、Ｘ方向に並んでいる。言い換えると、Ｘ方向に並ぶコンデンサの数は、３つである。
図４に示すように、複数のコンデンサ５０は、Ｚ方向においてＮＡＮＤ２５と重なっている。複数のコンデンサ５０は、第１コンデンサ５０Ａ、第２コンデンサ５０Ｂ、第３コンデンサ５０Ｃ、及び第４コンデンサ５０Ｄである。第１コンデンサ５０Ａ、第２コンデンサ５０Ｂ、及び第３コンデンサ５０Ｃは、Ｘ方向に並んでいる。言い換えると、Ｘ方向に並ぶコンデンサの数は、３つである。
【0039】
本実施形態では、コンデンサの個数が４つである場合を説明するが、コンデンサの個数は、４つに限定されず、５つ以上であってもよい。また、Ｘ方向及びＹ方向の各々に並ぶコンデンサの個数は、図４に示す例に限定されない。コンデンサ組立体においては、複数のコンデンサの配置パターンは、半導体記憶装置１の設計に応じて適宜変更可能である。
以下の説明では、４つのコンデンサ５０Ａ、５０Ｂ、５０Ｃ、５０Ｄを、４つのコンデンサ５０と称する場合がある。また、４つのコンデンサ５０の各々の説明を省略するため、１つのコンデンサ５０について説明する場合がある。
以下の説明では、４つのコンデンサ５０Ａ、５０Ｂ、５０Ｃ、５０Ｄを、４つのコンデンサ５０と称する場合がある。また、４つのコンデンサ５０の各々の説明を省略するため、１つのコンデンサ５０について説明する場合がある。
【0040】
コンデンサ５０は、予期せぬ電力遮断時のデータ保護を目的とする電源バックアップ機能を担う。例えば、コンデンサ５０は、ホスト装置からの電力供給が予期せず遮断された場合、コントローラ２３、複数のＤＲＡＭ２４、及び複数のＮＡＮＤ２５などに対して電力を一定時間にわたり供給する。コンデンサ５０は、例えば、電解コンデンサである。さらに言えば、コンデンサ５０は、例えば、アルミ電解コンデンサである。ただし、コンデンサ５０は、上記例に限定されない。
【0041】
コンデンサ５０は、本体５１と、一対のリード５２とを有する。
本体５１は、円柱状に形成されている。本体５１は、リード突出面５３と、リード突出面５３とは反対側に位置する先端面５４と、外周面５５を有する。リード突出面５３は、本体５１からリード５２が突出する面である。
リード５２は、基板２１の第１面２１ａに形成されている配線に電気的に接続されている。リード５２と配線との電気接続構造としては、公知の接合部材を用いた接続構造が用いられる。接合部材としては、例えば、はんだや導電性ペーストが挙げられる。
本体５１は、円柱状に形成されている。本体５１は、リード突出面５３と、リード突出面５３とは反対側に位置する先端面５４と、外周面５５を有する。リード突出面５３は、本体５１からリード５２が突出する面である。
リード５２は、基板２１の第１面２１ａに形成されている配線に電気的に接続されている。リード５２と配線との電気接続構造としては、公知の接合部材を用いた接続構造が用いられる。接合部材としては、例えば、はんだや導電性ペーストが挙げられる。
【0042】
＜ヒートシンク＞
ヒートシンク６０は、第１板部６１と、第２板部６２と、複数のフィン６３と、複数の空気流動路６４と、支持部６５とを有する。図３Ａ及び図３Ｂに示すように、ヒートシンク６０は、Ｚ方向に見て、ＮＡＮＤ２５に重なっている。言い換えると、ヒートシンク６０は、Ｚ方向においてＮＡＮＤ２５に接続されている。ヒートシンク６０は、ＮＡＮＤ２５及びコンデンサ５０から発生した熱を放熱する放熱部品である。
ヒートシンク６０は、第１板部６１と、第２板部６２と、複数のフィン６３と、複数の空気流動路６４と、支持部６５とを有する。図３Ａ及び図３Ｂに示すように、ヒートシンク６０は、Ｚ方向に見て、ＮＡＮＤ２５に重なっている。言い換えると、ヒートシンク６０は、Ｚ方向においてＮＡＮＤ２５に接続されている。ヒートシンク６０は、ＮＡＮＤ２５及びコンデンサ５０から発生した熱を放熱する放熱部品である。
【0043】
図４に示すように、ヒートシンク６０は、Ｘ方向に平行な第１側面６０Ａと、Ｙ方向に平行な第２側面６０Ｂと、Ｙ方向に平行な第３側面６０Ｃを有する。第１側面６０Ａは、＋Ｙ方向に向いている。第２側面６０Ｂは、＋Ｘ方向に向いている。第３側面６０Ｃは、第２側面６０Ｂとは反対側に位置する側面である。第３側面６０Ｃは、－Ｘ方向に向いている。
【0044】
ヒートシンク６０の材料としては、熱伝導性に優れる公知の金属材料が採用される。金属材料は、例えば、アルミニウムや銅である。
ヒートシンク６０の加工方法としては、公知の加工方法が採用される。例えば、塑性加工の一つである押出成形法によって、空気流動路６４を含むヒートシンク構造体の全体形状を形成することができる。その後、切削加工によって、複数の支持部６５をヒートシンク構造体に形成することによって、上述したヒートシンク６０を形成することができる。
ヒートシンク６０の加工方法としては、公知の加工方法が採用される。例えば、塑性加工の一つである押出成形法によって、空気流動路６４を含むヒートシンク構造体の全体形状を形成することができる。その後、切削加工によって、複数の支持部６５をヒートシンク構造体に形成することによって、上述したヒートシンク６０を形成することができる。
【0045】
＜第１板部＞
第１板部６１は、カバー内面１５Ｉに対向する面である。
第１板部６１は、コンデンサ配置領域６１Ａと、熱伝導シート配置領域６１Ｂと、開口部６１Ｃとを有する。第１板部６１は、ヒートシンク６０の熱をヒートシンク６０の外部に放熱する放熱部として機能する。
コンデンサ配置領域６１Ａにおいては、複数のコンデンサ５０が配置されている。熱伝導シート配置領域６１Ｂには、第１熱伝導シート２７Ａが接続される。熱伝導シート配置領域６１Ｂは、第１熱伝導シート２７Ａを介してカバー内面１５Ｉに接続されている。
開口部６１Ｃは、＋Ｚ方向にコンデンサ５０の一部を露出させる。
第１板部６１は、カバー内面１５Ｉに対向する面である。
第１板部６１は、コンデンサ配置領域６１Ａと、熱伝導シート配置領域６１Ｂと、開口部６１Ｃとを有する。第１板部６１は、ヒートシンク６０の熱をヒートシンク６０の外部に放熱する放熱部として機能する。
コンデンサ配置領域６１Ａにおいては、複数のコンデンサ５０が配置されている。熱伝導シート配置領域６１Ｂには、第１熱伝導シート２７Ａが接続される。熱伝導シート配置領域６１Ｂは、第１熱伝導シート２７Ａを介してカバー内面１５Ｉに接続されている。
開口部６１Ｃは、＋Ｚ方向にコンデンサ５０の一部を露出させる。
【0046】
第１板部６１の形状として、コンデンサ５０を露出させない形状、つまり、第１板部６１に開口部６１Ｃが形成されていない形状を採用することも可能である。
また、第１板部６１における開口部６１Ｃの幅、例えば、第１コンデンサ５０ＡのＸ方向における幅Ｗ１を調整することも可能である。
また、第１板部６１における開口部６１Ｃの幅、例えば、第１コンデンサ５０ＡのＸ方向における幅Ｗ１を調整することも可能である。
【0047】
図３Ａ、図３Ｂ、及び図４に示すように、開口部６１Ｃを形成するか否かの判断及び開口部６１Ｃの幅の調整は、コンデンサ５０の大きさ（例えば、直径）やＺ方向におけるヒートシンク６０の厚さに応じて行われる。
例えば、コンデンサ５０の直径が比較的小さい場合には、開口部６１Ｃを形成することなく、ヒートシンク６０の内部にコンデンサ５０を配置することが可能である。コンデンサ５０の直径が比較的大きい場合には、開口部６１Ｃを形成することが可能である。
半導体記憶装置１の設計において、ヒートシンク６０の厚さを比較的大きくすることが可能である場合には、開口部６１Ｃを形成することなく、ヒートシンク６０の内部にコンデンサ５０を配置することが可能である。ヒートシンク６０の厚さを比較的小さくする必要がある場合には、開口部６１Ｃを形成することが可能である。
例えば、コンデンサ５０の直径が比較的小さい場合には、開口部６１Ｃを形成することなく、ヒートシンク６０の内部にコンデンサ５０を配置することが可能である。コンデンサ５０の直径が比較的大きい場合には、開口部６１Ｃを形成することが可能である。
半導体記憶装置１の設計において、ヒートシンク６０の厚さを比較的大きくすることが可能である場合には、開口部６１Ｃを形成することなく、ヒートシンク６０の内部にコンデンサ５０を配置することが可能である。ヒートシンク６０の厚さを比較的小さくする必要がある場合には、開口部６１Ｃを形成することが可能である。
【0048】
＜第２板部＞
図３Ａに示すように、第２板部６２は、Ｚ方向において第１板部６１とは反対側に位置する部位である。第２板部６２は、第１ＮＡＮＤ２５Ａに接続されている。本実施形態においては、第１ＮＡＮＤ２５Ａと第２板部６２との間に、熱伝導テープ、グリス等の熱伝導部材２８が設けられている。言い換えると、第２板部６２は、熱伝導部材２８を介して、第１ＮＡＮＤ２５Ａに接続されている。すなわち、第２板部６２は、第１ＮＡＮＤ２５Ａから発生した熱を受ける部位である。つまり、第２板部６２は、受熱部として機能する。第１ＮＡＮＤ２５Ａと第２板部６２との間における熱伝導性を確保することが可能であれば、第１ＮＡＮＤ２５Ａに第２板部６２を直接的に接続させてもよい。Ｚ方向に見て、第２板部６２は、基板２１の第１面２１ａに実装されている第１ＮＡＮＤ２５Ａの配置パターンに重なる平面形状を有する。
図３Ａに示すように、第２板部６２は、Ｚ方向において第１板部６１とは反対側に位置する部位である。第２板部６２は、第１ＮＡＮＤ２５Ａに接続されている。本実施形態においては、第１ＮＡＮＤ２５Ａと第２板部６２との間に、熱伝導テープ、グリス等の熱伝導部材２８が設けられている。言い換えると、第２板部６２は、熱伝導部材２８を介して、第１ＮＡＮＤ２５Ａに接続されている。すなわち、第２板部６２は、第１ＮＡＮＤ２５Ａから発生した熱を受ける部位である。つまり、第２板部６２は、受熱部として機能する。第１ＮＡＮＤ２５Ａと第２板部６２との間における熱伝導性を確保することが可能であれば、第１ＮＡＮＤ２５Ａに第２板部６２を直接的に接続させてもよい。Ｚ方向に見て、第２板部６２は、基板２１の第１面２１ａに実装されている第１ＮＡＮＤ２５Ａの配置パターンに重なる平面形状を有する。
【0049】
＜フィン＞
フィン６３は、第１板部６１と第２板部６２との間に設けられている。
フィン６３は、＋Ｚ方向において第２板部６２から第１板部６１に延びるように設けられている。フィン６３は、Ｘ方向に平行に延びている。空気流動路６４を流れる空気とフィン６３の表面との間で熱交換が可能なように、フィン６３は、空気流動路６４に面している。フィン６３は、空気流動路６４を流動する空気にヒートシンク６０の熱を移動させる放熱部として機能する。
フィン６３は、第１板部６１と第２板部６２との間に設けられている。
フィン６３は、＋Ｚ方向において第２板部６２から第１板部６１に延びるように設けられている。フィン６３は、Ｘ方向に平行に延びている。空気流動路６４を流れる空気とフィン６３の表面との間で熱交換が可能なように、フィン６３は、空気流動路６４に面している。フィン６３は、空気流動路６４を流動する空気にヒートシンク６０の熱を移動させる放熱部として機能する。
【0050】
本実施形態においては、空気の流出入方向はＸ方向である。つまり、フィン６３の延在方向はＸ方向である。しかしながら、フィン６３の延在方向は、Ｘ方向に限定されない。フィン６３の延在方向はＹ方向であってもよい。フィン６３の延在方向は、複数の第１通気孔１６ａ及び複数の第２通気孔１７ａが形成される位置、つまり、筐体１０の外部から筐体１０の内部に空気が流入し、筐体１０の内部から筐体１０の外部に空気が流出する方向に応じて決定される。
【0051】
＜空気流動路＞
複数の空気流動路６４は、第１板部６１と第２板部６２との間に設けられている。
複数の空気流動路６４の各々は、複数のフィン６３のうち互いに互いに隣り合う２つのフィン６３の間に形成されている。空気流動路６４は、第２側面６０Ｂ及び第３側面６０Ｃの各々に開口している。空気流動路６４は、＋Ｚ方向において第２板部６２から第１板部６１に延びるように形成されている。空気流動路６４は、第２側面６０Ｂから第３側面６０Ｃに向けてＸ方向に延びている。
複数の空気流動路６４は、第１板部６１と第２板部６２との間に設けられている。
複数の空気流動路６４の各々は、複数のフィン６３のうち互いに互いに隣り合う２つのフィン６３の間に形成されている。空気流動路６４は、第２側面６０Ｂ及び第３側面６０Ｃの各々に開口している。空気流動路６４は、＋Ｚ方向において第２板部６２から第１板部６１に延びるように形成されている。空気流動路６４は、第２側面６０Ｂから第３側面６０Ｃに向けてＸ方向に延びている。
【0052】
本実施形態において、半導体記憶装置１の外部から複数の第２通気孔１７ａに流入した空気は、第３側面６０Ｃに開口する複数の空気流動路６４に流入する。空気は、複数の空気流動路６４の内部を流れ、第２側面６０Ｂに開口する複数の空気流動路６４から流出する。複数の空気流動路６４から流出した空気は、複数の第１通気孔１６ａを通じて、半導体記憶装置１の外部に排気される。
【0053】
＜支持部＞
複数の支持部６５の各々は、ヒートシンク６０においてコンデンサ５０を支持する。支持部６５は、コンデンサ５０から発生する熱を受ける部位である。このため、支持部６５を受熱部として機能する、または、受熱支持部として機能する。
複数の支持部６５の各々は、ヒートシンク６０においてコンデンサ５０を支持する。支持部６５は、コンデンサ５０から発生する熱を受ける部位である。このため、支持部６５を受熱部として機能する、または、受熱支持部として機能する。
【0054】
複数の支持部６５は、第１支持部６５Ａ、第２支持部６５Ｂ、第３支持部６５Ｃ、及び第４支持部６５Ｄである。第１支持部６５Ａ、第２支持部６５Ｂ、第３支持部６５Ｃ、及び第４支持部６５Ｄの各々は、第１コンデンサ５０Ａ、第２コンデンサ５０Ｂ、第３コンデンサ５０Ｃ、及び第４コンデンサ５０Ｄを支持する。
第１コンデンサ５０Ａ、第２コンデンサ５０Ｂ、及び第３コンデンサ５０Ｃの各々は、Ｙ方向において、第１支持部６５Ａ、第２支持部６５Ｂ、及び第３支持部６５Ｃに挿入されている。第４コンデンサ５０Ｄは、Ｘ方向において、第４支持部６５Ｄに挿入されている。すなわち、ヒートシンク６０は、支持部６５に対する挿入方向が互いに異なる複数のコンデンサを支持することが可能である。
第１コンデンサ５０Ａ、第２コンデンサ５０Ｂ、及び第３コンデンサ５０Ｃの各々は、Ｙ方向において、第１支持部６５Ａ、第２支持部６５Ｂ、及び第３支持部６５Ｃに挿入されている。第４コンデンサ５０Ｄは、Ｘ方向において、第４支持部６５Ｄに挿入されている。すなわち、ヒートシンク６０は、支持部６５に対する挿入方向が互いに異なる複数のコンデンサを支持することが可能である。
【0055】
以下の説明では、４つの支持部６５Ａ、６５Ｂ、６５Ｃ、６５Ｄを、４つの支持部６５と称する場合がある。また、４つの支持部６５の各々の説明を省略するため、１つの支持部６５について説明する場合がある。
【0056】
図３Ａに示すように、第４支持部６５Ｄは、第４コンデンサ５０Ｄを支持する支持面６６を有する。図３Ｂに示すように、第１支持部６５Ａ、第２支持部６５Ｂ、第３支持部６５Ｃの各々は、第１コンデンサ５０Ａ、第２コンデンサ５０Ｂ、及び第３コンデンサ５０Ｃを支持する支持面６６を有する。
【0057】
支持面６６は、第１支持面６６Ａ、第２支持面６６Ｂ、及び第３支持面６６Ｃを有する。図３Ａにおいては、第１支持面６６Ａ及び第２支持面６６Ｂは、Ｙ方向において互いに向かい合っている。図３Ｂにおいては、第１支持面６６Ａ及び第２支持面６６Ｂは、Ｘ方向において互いに向かい合っている。第３支持面６６Ｃは、＋Ｚ方向に向く面である。
第１支持面６６Ａ、第２支持面６６Ｂ、及び第３支持面６６Ｃの各々は、コンデンサ５０の外周面５５に対応する形状を有する。本実施形態においては、第１支持面６６Ａ、第２支持面６６Ｂ、及び第３支持面６６Ｃの各々は、コンデンサ５０の外周面５５を形成する曲面に対応する曲面を有する。
第１支持面６６Ａ、第２支持面６６Ｂ、及び第３支持面６６Ｃの各々は、コンデンサ５０の外周面５５に対応する形状を有する。本実施形態においては、第１支持面６６Ａ、第２支持面６６Ｂ、及び第３支持面６６Ｃの各々は、コンデンサ５０の外周面５５を形成する曲面に対応する曲面を有する。
【0058】
第１支持面６６Ａは、コンデンサ５０の外周面５５の一部を形成する側面５５Ａに接続されている。第２支持面６６Ｂは、コンデンサ５０の外周面５５の一部を形成する側面５５Ｂに接続されている。第３支持面６６Ｃは、コンデンサ５０の外周面５５の一部を形成する側面５５Ｃに接続されている。コンデンサ５０の側面５５Ｃは、－Ｚ方向に向く面である。
第１支持面６６Ａ及び第２支持面６６Ｂは、フィン６３の一部に形成された部位である。第３支持面６６Ｃは、フィン６３の一部及び第２板部６２の一部に形成された部位である。
第１支持面６６Ａ及び第２支持面６６Ｂは、フィン６３の一部に形成された部位である。第３支持面６６Ｃは、フィン６３の一部及び第２板部６２の一部に形成された部位である。
【0059】
第１支持面６６Ａ及び第２支持面６６Ｂは、ヒートシンク６０に挿入されたコンデンサ５０の位置を決定する。つまり、図３Ａに示す第１支持面６６Ａ及び第２支持面６６Ｂは、コンデンサ５０ＤのＹ方向の位置を決める。図３Ａに示す第３支持面６６Ｃは、コンデンサ５０ＤのＺ方向の位置を決める。同様に、図３Ｂに示す第１支持面６６Ａ及び第２支持面６６Ｂは、コンデンサ５０Ａ、５０Ｂ、５０ＣのＸ方向の位置を決める。図３Ｂに示す第３支持面６６Ｃは、コンデンサ５０Ａ、５０Ｂ、５０ＣのＺ方向の位置を決める。
【0060】
図４に示すように、第１支持部６５Ａ、第２支持部６５Ｂ、及び第３支持部６５Ｃの各々は、ヒートシンク６０の第１側面６０Ａから－Ｙ方向に延びるようにヒートシンク６０の内部に形成されている。
支持部６５Ａ、６５Ｂ、６５Ｃの各々は、支持端面６７Ａと支持開口部６８Ａとを有する。支持端面６７Ａは、コンデンサ５０Ａ、５０Ｂ、５０Ｃの先端面５４に接続される部位である。支持開口部６８Ａは、第１側面６０Ａに形成されている。支持開口部６８Ａには、コンデンサ５０Ａ、５０Ｂ、５０Ｃが挿入される。
支持部６５Ａ、６５Ｂ、６５Ｃの各々は、支持端面６７Ａと支持開口部６８Ａとを有する。支持端面６７Ａは、コンデンサ５０Ａ、５０Ｂ、５０Ｃの先端面５４に接続される部位である。支持開口部６８Ａは、第１側面６０Ａに形成されている。支持開口部６８Ａには、コンデンサ５０Ａ、５０Ｂ、５０Ｃが挿入される。
【0061】
第４支持部６５Ｄは、ヒートシンク６０の第２側面６０Ｂから－Ｘ方向に延びるようにヒートシンク６０の内部に形成されている。第４支持部６５Ｄは、支持端面６７Ｂと支持開口部６８Ｂとを有する。支持端面６７Ｂは、コンデンサ５０Ｄの先端面５４に接続される部位である。支持開口部６８Ｂは、第２側面６０Ｂに形成されている。支持開口部６８Ｂには、コンデンサ５０Ｄが挿入される。
言い換えると、支持端面６７Ａ、６７Ｂは、支持開口部６８Ａ、６８Ｂを通じてヒートシンク６０に挿入されたコンデンサ５０の位置を決定する。すなわち、支持端面６７Ａは、コンデンサ５０Ａ、５０Ｂ、５０Ｃの各々のＹ方向の位置を決める。支持端面６７Ｂは、コンデンサ５０ＤのＸ方向の位置を決める。支持端面６７Ａ、６７Ｂは、「支持面」の一例である。
言い換えると、支持端面６７Ａ、６７Ｂは、支持開口部６８Ａ、６８Ｂを通じてヒートシンク６０に挿入されたコンデンサ５０の位置を決定する。すなわち、支持端面６７Ａは、コンデンサ５０Ａ、５０Ｂ、５０Ｃの各々のＹ方向の位置を決める。支持端面６７Ｂは、コンデンサ５０ＤのＸ方向の位置を決める。支持端面６７Ａ、６７Ｂは、「支持面」の一例である。
【0062】
支持部６５がコンデンサ５０を支持する支持構造としては、例えば、嵌合構造と接着構造とが挙げられる。嵌合構造においては、支持部６５の内部にコンデンサ５０が圧入されている。コンデンサ５０の圧入によって、コンデンサ５０に復元力が生じ、コンデンサ５０の外周面５５が支持面６６を押圧する。これにより、コンデンサ５０が支持部６５から抜けることがなく、コンデンサ５０が支持部６５に対して固定される。この状態では、コンデンサ組立体２６におけるコンデンサ５０の位置が決められる。このような嵌合構造においては、支持開口部から支持端面に向かう方向において支持部６５の断面における径が次第に小さくなるように、支持面６６にテーパ部が形成されてもよい。
【0063】
接着構造においては、支持面６６とコンデンサ５０の外周面５５との間の隙間に接着剤が注入される。接着剤が固着することで、接着剤の接着力によってコンデンサ５０が支持部６５に対して固定される。接着剤としては、公知の熱硬化性樹脂や紫外線硬化性樹脂を用いることができる。コンデンサ５０の支持構造においては、嵌合構造及び接着構造の一方が採用されてもよいし、両方が採用されてもよい。
【0064】
＜コンデンサ組立体の形成方法＞
まず、４つの支持部６５を有するヒートシンク６０と、４つのコンデンサ５０とを用意する。
４つのコンデンサ５０のうちの３つのコンデンサ５０Ａ、５０Ｂ、５０Ｃの各々を支持部６５Ａ、６５Ｂ、６５Ｃの支持開口部６８Ａに挿入する。その後、コンデンサ５０Ａ、５０Ｂ、５０Ｃを－Ｙ方向に移動させる。これにより、コンデンサ５０Ａ、５０Ｂ、５０Ｃの各々の先端面５４は、支持部６５Ａ、６５Ｂ、６５Ｃの支持端面６７Ａに接続される。したがって、３つのコンデンサ５０Ａ、５０Ｂ、５０ＣのＹ方向における位置が決められる。さらに、３つのコンデンサ５０Ａ、５０Ｂ、５０Ｃの各々は、支持部６５Ａ、６５Ｂ、６５Ｃの支持面６６に接続される。第１支持面６６Ａ及び第２支持面６６Ｂによって、３つのコンデンサ５０Ａ、５０Ｂ、５０ＣのＸ方向における位置が決められる。さらに、第３支持面６６Ｃによって、３つのコンデンサ５０Ａ、５０Ｂ、５０ＣのＺ方向における位置が決められる。
まず、４つの支持部６５を有するヒートシンク６０と、４つのコンデンサ５０とを用意する。
４つのコンデンサ５０のうちの３つのコンデンサ５０Ａ、５０Ｂ、５０Ｃの各々を支持部６５Ａ、６５Ｂ、６５Ｃの支持開口部６８Ａに挿入する。その後、コンデンサ５０Ａ、５０Ｂ、５０Ｃを－Ｙ方向に移動させる。これにより、コンデンサ５０Ａ、５０Ｂ、５０Ｃの各々の先端面５４は、支持部６５Ａ、６５Ｂ、６５Ｃの支持端面６７Ａに接続される。したがって、３つのコンデンサ５０Ａ、５０Ｂ、５０ＣのＹ方向における位置が決められる。さらに、３つのコンデンサ５０Ａ、５０Ｂ、５０Ｃの各々は、支持部６５Ａ、６５Ｂ、６５Ｃの支持面６６に接続される。第１支持面６６Ａ及び第２支持面６６Ｂによって、３つのコンデンサ５０Ａ、５０Ｂ、５０ＣのＸ方向における位置が決められる。さらに、第３支持面６６Ｃによって、３つのコンデンサ５０Ａ、５０Ｂ、５０ＣのＺ方向における位置が決められる。
【0065】
同様に、４つのコンデンサ５０のうちの残りのコンデンサ５０Ｄを支持部６５Ｄの支持開口部６８Ａに挿入する。その後、コンデンサ５０Ｄを－Ｘ方向に移動させる。これにより、コンデンサ５０Ｄの先端面５４は、支持部６５Ｄの支持端面６７Ａに接続される。したがって、コンデンサ５０ＤのＸ方向における位置が決められる。さらに、コンデンサ５０Ｄは、支持部６５Ｄの支持面６６に接続される。第１支持面６６Ａ及び第２支持面６６Ｂによって、コンデンサ５０ＤのＹ方向における位置が決められる。さらに、第３支持面６６Ｃによって、コンデンサ５０ＤのＺ方向における位置が決められる。
このような形成方法により、ヒートシンク６０によってコンデンサ５０Ａ、５０Ｂ、５０Ｃ、５０Ｄが支持されたコンデンサ組立体２６を形成することができる。
このような形成方法により、ヒートシンク６０によってコンデンサ５０Ａ、５０Ｂ、５０Ｃ、５０Ｄが支持されたコンデンサ組立体２６を形成することができる。
【0066】
＜熱伝導シート＞
熱伝導シート２７は、基板ユニット２０のＺ方向における両側に設けられている。具体的に、熱伝導シート２７は、第１熱伝導シート２７Ａと第２熱伝導シート２７Ｂを有する。熱伝導シート２７は、例えば、公知のＴＣシートを用いることが可能である。
熱伝導シート２７は、「熱伝導体」の一例である。熱伝導が可能な部材や材料であれば、シート状の熱伝導体以外の熱伝導体を用いてもよい。例えば、熱伝導シート２７に代えて、熱伝導を有するグリスを用いてもよい。また、熱伝導シート２７に代えて、熱伝導テープを用いてもよい。
熱伝導シート２７は、基板ユニット２０のＺ方向における両側に設けられている。具体的に、熱伝導シート２７は、第１熱伝導シート２７Ａと第２熱伝導シート２７Ｂを有する。熱伝導シート２７は、例えば、公知のＴＣシートを用いることが可能である。
熱伝導シート２７は、「熱伝導体」の一例である。熱伝導が可能な部材や材料であれば、シート状の熱伝導体以外の熱伝導体を用いてもよい。例えば、熱伝導シート２７に代えて、熱伝導を有するグリスを用いてもよい。また、熱伝導シート２７に代えて、熱伝導テープを用いてもよい。
【0067】
＜第１熱伝導シート＞
図４に示すように、第１熱伝導シート２７Ａは、ヒートシンク６０の第１板部６１上における熱伝導シート配置領域６１Ｂに設けられている。図３Ａ及び図３Ｂに示すように、第１熱伝導シート２７Ａは、Ｚ方向において、第１板部６１とカバー内面１５Ｉとの間に設けられている。固定部材４０が筐体１０と基板ユニット２０との間に付与する締結力の作用により、第１熱伝導シート２７Ａは、第１板部６１とカバー内面１５Ｉとよって押圧されている。固定部材４０による締結力により、第１熱伝導シート２７Ａとヒートシンク６０とが密着し、かつ、第１熱伝導シート２７Ａとカバー１２とが密着している。したがって、第１熱伝導シート２７Ａを介在させて、ヒートシンク６０とカバー１２との間の熱伝導性が向上している。
また、第１熱伝導シート２７Ａが設けられる熱伝導シート配置領域６１Ｂの位置は、図４に示す位置に限定されない。第１熱伝導シート２７Ａは、ヒートシンク６０の第１板部６１上の全面に亘って設けられていてもよい。また、第１熱伝導シート２７Ａの形状は、特に限定されない。
図４に示すように、第１熱伝導シート２７Ａは、ヒートシンク６０の第１板部６１上における熱伝導シート配置領域６１Ｂに設けられている。図３Ａ及び図３Ｂに示すように、第１熱伝導シート２７Ａは、Ｚ方向において、第１板部６１とカバー内面１５Ｉとの間に設けられている。固定部材４０が筐体１０と基板ユニット２０との間に付与する締結力の作用により、第１熱伝導シート２７Ａは、第１板部６１とカバー内面１５Ｉとよって押圧されている。固定部材４０による締結力により、第１熱伝導シート２７Ａとヒートシンク６０とが密着し、かつ、第１熱伝導シート２７Ａとカバー１２とが密着している。したがって、第１熱伝導シート２７Ａを介在させて、ヒートシンク６０とカバー１２との間の熱伝導性が向上している。
また、第１熱伝導シート２７Ａが設けられる熱伝導シート配置領域６１Ｂの位置は、図４に示す位置に限定されない。第１熱伝導シート２７Ａは、ヒートシンク６０の第１板部６１上の全面に亘って設けられていてもよい。また、第１熱伝導シート２７Ａの形状は、特に限定されない。
【0068】
＜第２熱伝導シート＞
図３Ａ及び図３Ｂに示すように、第２熱伝導シート２７Ｂは、Ｚ方向において、第２ＮＡＮＤ２５Ｂとベース内面１４Ｉとの間に設けられている。固定部材４０が筐体１０と基板ユニット２０との間に付与する締結力の作用により、第２熱伝導シート２７Ｂは、第２ＮＡＮＤ２５Ｂとベース内面１４Ｉとよって押圧されている。固定部材４０による締結力により、第２熱伝導シート２７Ｂと第２ＮＡＮＤ２５Ｂとが密着し、かつ、第２熱伝導シート２７Ｂとベース１１とが密着している。したがって、第２熱伝導シート２７Ｂを介在させて第２ＮＡＮＤ２５Ｂとベース１１との間の熱伝導性が向上している。
図３Ａ及び図３Ｂに示すように、第２熱伝導シート２７Ｂは、Ｚ方向において、第２ＮＡＮＤ２５Ｂとベース内面１４Ｉとの間に設けられている。固定部材４０が筐体１０と基板ユニット２０との間に付与する締結力の作用により、第２熱伝導シート２７Ｂは、第２ＮＡＮＤ２５Ｂとベース内面１４Ｉとよって押圧されている。固定部材４０による締結力により、第２熱伝導シート２７Ｂと第２ＮＡＮＤ２５Ｂとが密着し、かつ、第２熱伝導シート２７Ｂとベース１１とが密着している。したがって、第２熱伝導シート２７Ｂを介在させて第２ＮＡＮＤ２５Ｂとベース１１との間の熱伝導性が向上している。
【0069】
＜コンデンサ組立体を基板に実装する実装方法＞
以下の説明では、実装ロボットを稼働させることによってコンデンサ組立体を基板に実装する実装方法を説明する。なお、変形例として、作業者の作業によってコンデンサ組立体を基板に実装する実装方法が行われてもよい。
まず、半導体記憶装置１の製造に用いられる実装ロボットは、コンデンサ組立体２６を把持し、コンデンサ組立体２６を基板２１の第１面２１ａに対向させる。このとき、コンデンサ組立体２６においては、コンデンサ５０Ａ、５０Ｂ、５０Ｃ、５０Ｄの位置が予め決定されている。
以下の説明では、実装ロボットを稼働させることによってコンデンサ組立体を基板に実装する実装方法を説明する。なお、変形例として、作業者の作業によってコンデンサ組立体を基板に実装する実装方法が行われてもよい。
まず、半導体記憶装置１の製造に用いられる実装ロボットは、コンデンサ組立体２６を把持し、コンデンサ組立体２６を基板２１の第１面２１ａに対向させる。このとき、コンデンサ組立体２６においては、コンデンサ５０Ａ、５０Ｂ、５０Ｃ、５０Ｄの位置が予め決定されている。
【0070】
実装ロボットは、Ｚ方向においてコンデンサ組立体２６と基板２１とを離間させた状態で、Ｘ方向及びＹ方向におけるコンデンサ５０Ａ、５０Ｂ、５０Ｃ、５０Ｄのリード５２の位置と、Ｘ方向及びＹ方向における基板２１の第１面２１ａ上の接続端子２１Ｔの位置とを合わせる。
その後、実装ロボットは、コンデンサ組立体２６を基板２１に近づけ、コンデンサ組立体２６に含まれるヒートシンク６０の第２板部６２を第１ＮＡＮＤ２５Ａ上に配置する。第１ＮＡＮＤ２５Ａ上には、予め、熱伝導部材２８が設けられている。このため、コンデンサ組立体２６は、熱伝導部材２８を介して第１ＮＡＮＤ２５Ａ上に配置される。なお、第２板部６２に熱伝導部材２８が設けられた状態で、コンデンサ組立体２６を第１ＮＡＮＤ２５Ａ上に配置してもよい。コンデンサ組立体２６が基板２１に実装された後、実装ロボットは、コンデンサ組立体２６を放し、基板２１から退避する。
その後、実装ロボットは、コンデンサ組立体２６を基板２１に近づけ、コンデンサ組立体２６に含まれるヒートシンク６０の第２板部６２を第１ＮＡＮＤ２５Ａ上に配置する。第１ＮＡＮＤ２５Ａ上には、予め、熱伝導部材２８が設けられている。このため、コンデンサ組立体２６は、熱伝導部材２８を介して第１ＮＡＮＤ２５Ａ上に配置される。なお、第２板部６２に熱伝導部材２８が設けられた状態で、コンデンサ組立体２６を第１ＮＡＮＤ２５Ａ上に配置してもよい。コンデンサ組立体２６が基板２１に実装された後、実装ロボットは、コンデンサ組立体２６を放し、基板２１から退避する。
【0071】
これにより、図２に示すように、コンデンサ５０Ａ、５０Ｂ、５０Ｃ、５０Ｄのリード５２は、第１面２１ａ上の接続端子２１Ｔに接続される。その後、リード５２は、はんだを用いて、第１面２１ａ上の接続端子２１Ｔに電気的に接続される。
【0072】
＜作用効果＞
＜放熱性向上＞
半導体記憶装置１の駆動に伴って、第１ＮＡＮＤ２５Ａ、第２ＮＡＮＤ２５Ｂ、４つのコンデンサ５０から熱が発生する。第１ＮＡＮＤ２５Ａから発生した熱は、熱伝導部材２８及び第２板部６２を介して、ヒートシンク６０に移動する。第２ＮＡＮＤ２５Ｂから発生した熱は、第２熱伝導シート２７Ｂを介して、ベース１１に移動する。４つのコンデンサ５０から発生した熱は、外周面５５に接触する第１支持面６６Ａ、第２支持面６６Ｂ、及び第３支持面６６Ｃを介して、ヒートシンク６０に移動する。
＜放熱性向上＞
半導体記憶装置１の駆動に伴って、第１ＮＡＮＤ２５Ａ、第２ＮＡＮＤ２５Ｂ、４つのコンデンサ５０から熱が発生する。第１ＮＡＮＤ２５Ａから発生した熱は、熱伝導部材２８及び第２板部６２を介して、ヒートシンク６０に移動する。第２ＮＡＮＤ２５Ｂから発生した熱は、第２熱伝導シート２７Ｂを介して、ベース１１に移動する。４つのコンデンサ５０から発生した熱は、外周面５５に接触する第１支持面６６Ａ、第２支持面６６Ｂ、及び第３支持面６６Ｃを介して、ヒートシンク６０に移動する。
【0073】
ヒートシンク６０は、複数のフィン６３と、複数の空気流動路６４とを備える。空気流動路６４を流れる空気は、フィン６３と接触する。これにより、ヒートシンク６０の熱は、空気流動路６４を流れる空気に移動する。つまり、空気流動路６４を流れる空気とフィン６３の表面との間で熱交換が行われる。したがって、ヒートシンク６０の熱は、空気流動路６４を流れる空気によって、ヒートシンク６０の外部に排出される。
【0074】
さらに、ヒートシンク６０の第１板部６１とカバー１２のカバー内面１５Ｉとの間には第１熱伝導シート２７Ａが設けられている。ヒートシンク６０の熱は、第１熱伝導シート２７Ａを介して、カバー１２に移動する。
【0075】
このような構成を有する半導体記憶装置１によれば、ヒートシンク６０が複数の空気流動路６４を有するとともに、第１熱伝導シート２７Ａを介してカバー１２に接続されている。このため、複数の空気流動路６４を流動する空気を介して、第１ＮＡＮＤ２５Ａ及び４つのコンデンサ５０から発生する熱を半導体記憶装置１の外部に排出することができる。さらに、第１熱伝導シート２７Ａ及びカバー１２を介して、第１ＮＡＮＤ２５Ａ及び４つのコンデンサ５０から発生する熱を半導体記憶装置１の外部に排出することができる。
また、第２熱伝導シート２７Ｂ及びベース１１を介して、第２ＮＡＮＤ２５Ｂから発生する熱を半導体記憶装置１の外部に排出することができる。
また、第２熱伝導シート２７Ｂ及びベース１１を介して、第２ＮＡＮＤ２５Ｂから発生する熱を半導体記憶装置１の外部に排出することができる。
【0076】
＜剛性向上＞
半導体記憶装置１においては、固定部材４０の締結力により、ベース１１及びカバー１２によって基板ユニット２０が押圧されている。基板ユニット２０に付与される押圧力の作用によって、カバー１２は、ヒートシンク６０を押圧し、ヒートシンク６０は第１ＮＡＮＤ２５Ａを押圧する。これにより、コンデンサ組立体２６は、第１ＮＡＮＤ２５Ａに対して安定的に固定されている。したがって、コンデンサ組立体２６においてヒートシンク６０によって支持されたコンデンサ５０に衝撃や振動が加わったとしても、支持部６５がコンデンサ５０を安定的に支持する。すなわち、コンデンサ５０の位置が変わることがなく、コンデンサ５０のリード５２が折れたり、曲がってしまったりすることを防止することができる。
半導体記憶装置１においては、固定部材４０の締結力により、ベース１１及びカバー１２によって基板ユニット２０が押圧されている。基板ユニット２０に付与される押圧力の作用によって、カバー１２は、ヒートシンク６０を押圧し、ヒートシンク６０は第１ＮＡＮＤ２５Ａを押圧する。これにより、コンデンサ組立体２６は、第１ＮＡＮＤ２５Ａに対して安定的に固定されている。したがって、コンデンサ組立体２６においてヒートシンク６０によって支持されたコンデンサ５０に衝撃や振動が加わったとしても、支持部６５がコンデンサ５０を安定的に支持する。すなわち、コンデンサ５０の位置が変わることがなく、コンデンサ５０のリード５２が折れたり、曲がってしまったりすることを防止することができる。
【0077】
＜コンデンサの位置決め性向上＞
コンデンサ組立体２６においては、コンデンサ５０Ａ、５０Ｂ、５０Ｃ、５０ＤのＸＹＺ方向における位置が決定されている。言い換えると、第１ＮＡＮＤ２５Ａにコンデンサ組立体２６を設ける前に、接続端子２１Ｔに対する複数のコンデンサ５０の各々のリード５２のＸＹＺ方向における位置が、コンデンサ組立体２６において予め決定されている。
このため、従来の実装工程のように、コンデンサ５０の単体を第１面２１ａに実装する際の位置決め治具を用いる必要がなく、第１ＮＡＮＤ２５Ａ上にコンデンサ組立体２６を設けるだけで、複数のコンデンサ５０の各々のリード５２を接続端子２１Ｔに正確に配置させることができる。
コンデンサ組立体２６においては、コンデンサ５０Ａ、５０Ｂ、５０Ｃ、５０ＤのＸＹＺ方向における位置が決定されている。言い換えると、第１ＮＡＮＤ２５Ａにコンデンサ組立体２６を設ける前に、接続端子２１Ｔに対する複数のコンデンサ５０の各々のリード５２のＸＹＺ方向における位置が、コンデンサ組立体２６において予め決定されている。
このため、従来の実装工程のように、コンデンサ５０の単体を第１面２１ａに実装する際の位置決め治具を用いる必要がなく、第１ＮＡＮＤ２５Ａ上にコンデンサ組立体２６を設けるだけで、複数のコンデンサ５０の各々のリード５２を接続端子２１Ｔに正確に配置させることができる。
【0078】
また、コンデンサ５０の単体を基板２１の第１面２１ａに直接的に実装する必要がないため、組立効率が向上する。言い換えると、コンデンサ組立体２６を予め形成するため、コンデンサ５０を第１面２１ａに実装工程とヒートシンク６０を第１面２１ａに実装工程とを分けて行う必要がない。第１ＮＡＮＤ２５Ａ上にコンデンサ組立体２６を設けるだけで、ヒートシンク６０、４つのコンデンサ５０を基板ユニット２０に実装することができ、組立効率が向上する。
【0079】
＜第２実施形態＞
図５を参照し、第２実施形態の半導体記憶装置２について説明する。
第２実施形態において、第１実施形態と同一部材には同一符号を付して、その説明は省略または簡略化する。
図５は、第２実施形態の半導体記憶装置２に含まれるカバー１２及びコンデンサ組立体２６を下方から見た下面図である。
図５を参照し、第２実施形態の半導体記憶装置２について説明する。
第２実施形態において、第１実施形態と同一部材には同一符号を付して、その説明は省略または簡略化する。
図５は、第２実施形態の半導体記憶装置２に含まれるカバー１２及びコンデンサ組立体２６を下方から見た下面図である。
【0080】
＜カバー＞
カバー１２は、筐体１０の一部を形成している。上述したように、筐体１０は、基板ユニット２０、コンデンサ５０、及びヒートシンク６０を収容している。
カバー１２は、第２側壁１７を有する。第２側壁１７には、筐体１０に流入する空気が通る第２通気孔１７ａが形成されている。
カバー１２は、筐体１０の一部を形成している。上述したように、筐体１０は、基板ユニット２０、コンデンサ５０、及びヒートシンク６０を収容している。
カバー１２は、第２側壁１７を有する。第２側壁１７には、筐体１０に流入する空気が通る第２通気孔１７ａが形成されている。
【0081】
＜ガイド板＞
図５に示すように、カバー１２は、カバー内面１５Ｉに設けられたガイド板１３を有する。ガイド板１３は、－Ｚ方向に向けて突出するように、カバー内面１５Ｉに設けられている。ガイド板１３は、カバー１２における＋Ｙ方向側に位置する第１ガイド板１３Ａと、カバー１２における－Ｙ方向側に位置する第２ガイド板１３Ｂとを有する。ガイド板１３は、「第１ガイド部」の一例である。第１ガイド板１３Ａ及び第２ガイド板１３Ｂは、第２側壁１７とヒートシンク６０の側面６０Ｂとの間の領域１２Ｒに位置する。言い換えると、領域１２Ｒにおける＋Ｙ方向側に第１ガイド板１３Ａが位置し、領域１２Ｒにおける－Ｙ方向側に第２ガイド板１３Ｂが位置している。さらに、具体的には、領域１２Ｒの全体を囲むように、第２側壁１７、ヒートシンク６０の側面６０Ｂ、第１ガイド板１３Ａ、及び第２ガイド板１３Ｂが配置されている。ここで、領域１２Ｒの全体を囲む状態においては、互いの隣り合う２つの部材が離間して設けられてもよいし、接続されてもよい。
図５に示すように、カバー１２は、カバー内面１５Ｉに設けられたガイド板１３を有する。ガイド板１３は、－Ｚ方向に向けて突出するように、カバー内面１５Ｉに設けられている。ガイド板１３は、カバー１２における＋Ｙ方向側に位置する第１ガイド板１３Ａと、カバー１２における－Ｙ方向側に位置する第２ガイド板１３Ｂとを有する。ガイド板１３は、「第１ガイド部」の一例である。第１ガイド板１３Ａ及び第２ガイド板１３Ｂは、第２側壁１７とヒートシンク６０の側面６０Ｂとの間の領域１２Ｒに位置する。言い換えると、領域１２Ｒにおける＋Ｙ方向側に第１ガイド板１３Ａが位置し、領域１２Ｒにおける－Ｙ方向側に第２ガイド板１３Ｂが位置している。さらに、具体的には、領域１２Ｒの全体を囲むように、第２側壁１７、ヒートシンク６０の側面６０Ｂ、第１ガイド板１３Ａ、及び第２ガイド板１３Ｂが配置されている。ここで、領域１２Ｒの全体を囲む状態においては、互いの隣り合う２つの部材が離間して設けられてもよいし、接続されてもよい。
【0082】
第１ガイド板１３Ａは、第１開口端部１３ｅと第１ガイド端部１３ｆとを有する。第１開口端部１３ｅは、＋Ｙ方向側に位置する第２側壁１７の端部１７ｃに接続されている。第１ガイド端部１３ｆは、＋Ｙ方向側に位置するヒートシンク６０の側面６０Ｂの端部６０Ｄに対向している。図５に示す例では、第１開口端部１３ｅは端部１７ｃに接続されているが、第１ガイド板１３Ａによって空気をガイドする効果を十分に得ることが可能であれば、第１開口端部１３ｅは端部１７ｃから離間して設けられてもよい。第１ガイド端部１３ｆは端部６０Ｄに対向しているが、第１ガイド板１３Ａによって空気をガイドする効果を十分に得ることが可能であれば、第１ガイド端部１３ｆと端部６０Ｄとの間の距離は変更可能である。
【0083】
Ｙ方向に見て、第１開口端部１３ｅは、第１ガイド端部１３ｆよりも、＋Ｙ方向側に位置している。言い換えると、第１開口端部１３ｅは、第１ガイド端部１３ｆよりも、カバー１２の側壁１２ｄの近くに位置している。
第１ガイド板１３Ａは、第１開口端部１３ｅから第１ガイド端部１３ｆに向けて延在するように、Ｘ方向に対して傾斜している。例えば、第１ガイド板１３Ａは、符号１３Ｃで示す傾斜方向に向けて延在している。言い換えると、第１ガイド板１３Ａは、空気流動路６４が延在する方向に対して傾斜する傾斜面を有する。
第１ガイド板１３Ａは、第１開口端部１３ｅから第１ガイド端部１３ｆに向けて延在するように、Ｘ方向に対して傾斜している。例えば、第１ガイド板１３Ａは、符号１３Ｃで示す傾斜方向に向けて延在している。言い換えると、第１ガイド板１３Ａは、空気流動路６４が延在する方向に対して傾斜する傾斜面を有する。
【0084】
第２ガイド板１３Ｂは、第２開口端部１３ｇと第２ガイド端部１３ｈとを有する。第２開口端部１３ｇは、＋Ｙ方向側に位置する第２側壁１７の端部１７ｄに接続されている。第２ガイド端部１３ｈは、＋Ｙ方向側に位置するヒートシンク６０の側面６０Ｂの端部６０Ｅに対向している。図５に示す例では、第２開口端部１３ｇは端部１７ｄに接続されているが、第２ガイド板１３Ｂによって空気をガイドする効果を十分に得ることが可能であれば、第２開口端部１３ｇは端部１７ｄから離間して設けられてもよい。第２ガイド端部１３ｈは端部６０Ｅに対向しているが、第２ガイド板１３Ｂによって空気をガイドする効果を十分に得ることが可能であれば、第２ガイド端部１３ｈと端部６０Ｅとの間の距離は変更可能である。
【0085】
Ｙ方向に見て、第２開口端部１３ｇは、第２ガイド端部１３ｈよりも、－Ｙ方向側に位置している。言い換えると、第２開口端部１３ｇは、第２ガイド端部１３ｈよりも、カバー１２の側壁１２ｃの近くに位置している。
第２ガイド板１３Ｂは、第２開口端部１３ｇから第２ガイド端部１３ｈに向けて延在するように、Ｘ方向に対して傾斜している。例えば、第２ガイド板１３Ｂは、符号１３Ｄで示す傾斜方向に向けて延在している。言い換えると、第２ガイド板１３Ｂは、空気流動路６４が延在する方向に対して傾斜する傾斜面を有する。
第２ガイド板１３Ｂは、第２開口端部１３ｇから第２ガイド端部１３ｈに向けて延在するように、Ｘ方向に対して傾斜している。例えば、第２ガイド板１３Ｂは、符号１３Ｄで示す傾斜方向に向けて延在している。言い換えると、第２ガイド板１３Ｂは、空気流動路６４が延在する方向に対して傾斜する傾斜面を有する。
【0086】
＜作用効果＞
＜放熱性向上＞
－Ｘ方向に風が流れる設置環境に半導体記憶装置２が置かれる場合、筐体１０の外部の空気は、第２通気孔１７ａから筐体１０の内部に流入し、第１通気孔１６ａから筐体１０の外部に排気される。
第２通気孔１７ａを通じて筐体１０の内部に流入する空気流は、符号Ｆ１、Ｆ２、Ｆ３で示されている。空気流Ｆ１は、Ｙ方向における第２側壁１７の中央領域に形成された第２通気孔１７ａを流れる空気流である。空気流Ｆ２は、第２側壁１７のうち＋Ｙ方向側に位置する領域に形成された第２通気孔１７ａを流れる空気流である。空気流Ｆ３は、第２側壁１７のうち－Ｙ方向側に位置する領域に形成された第２通気孔１７ａを流れる空気流である。
＜放熱性向上＞
－Ｘ方向に風が流れる設置環境に半導体記憶装置２が置かれる場合、筐体１０の外部の空気は、第２通気孔１７ａから筐体１０の内部に流入し、第１通気孔１６ａから筐体１０の外部に排気される。
第２通気孔１７ａを通じて筐体１０の内部に流入する空気流は、符号Ｆ１、Ｆ２、Ｆ３で示されている。空気流Ｆ１は、Ｙ方向における第２側壁１７の中央領域に形成された第２通気孔１７ａを流れる空気流である。空気流Ｆ２は、第２側壁１７のうち＋Ｙ方向側に位置する領域に形成された第２通気孔１７ａを流れる空気流である。空気流Ｆ３は、第２側壁１７のうち－Ｙ方向側に位置する領域に形成された第２通気孔１７ａを流れる空気流である。
【0087】
空気流Ｆ１は、第２通気孔１７ａを通じて筐体１０の内部に流入した後、ヒートシンク６０の側面６０Ｂに到達し、ヒートシンク６０の空気流動路６４に流入する。空気流動路６４を流れる空気とフィン６３の表面との間で熱交換が行われ、ヒートシンク６０の熱は、空気流動路６４を流れる空気に移動する。熱交換に用いられた空気は、第１通気孔１６ａから筐体１０の外部に排気される。
【0088】
空気流Ｆ２は、第２通気孔１７ａを通じて筐体１０の内部に流入した後、第１ガイド板１３Ａに衝突する。第１ガイド板１３Ａに衝突した空気は、傾斜方向１３Ｃに向けて流動し、ヒートシンク６０の側面６０Ｂに到達し、ヒートシンク６０の空気流動路６４に流入する。空気流動路６４を流れる空気とフィン６３の表面との間で熱交換が行われ、ヒートシンク６０の熱は、空気流動路６４を流れる空気に移動する。熱交換に用いられた空気は、第１通気孔１６ａから筐体１０の外部に排気される。
【0089】
空気流Ｆ３は、第２通気孔１７ａを通じて筐体１０の内部に流入した後、第２ガイド板１３Ｂに衝突する。第２ガイド板１３Ｂに衝突した空気は、傾斜方向１３Ｄに向けて流動し、ヒートシンク６０の側面６０Ｂに到達し、ヒートシンク６０の空気流動路６４に流入する。空気流動路６４を流れる空気とフィン６３の表面との間で熱交換が行われ、ヒートシンク６０の熱は、空気流動路６４を流れる空気に移動する。熱交換に用いられた空気は、第１通気孔１６ａから筐体１０の外部に排気される。
【0090】
このような構成を有する半導体記憶装置２によれば、第１ガイド板１３Ａ及び第２ガイド板１３Ｂをカバー１２に設けたことによって、空気流Ｆ２、Ｆ３をヒートシンク６０の空気流動路６４に導くことができる。したがって、ガイド板を設けない構造と比較して、より多くの流量の空気を空気流動路６４に流入させることができ、空気流動路６４を流れる空気とフィン６３の表面との間で行わる熱交換を促進させることができる。すなわち、上述した第１実施形態によって得られる放熱性向上の効果をさらに高めることができる。
【0091】
＜第３実施形態＞
図６を参照し、第３実施形態の半導体記憶装置３について説明する。
第３実施形態において、第１実施形態及び第２実施形態と同一部材には同一符号を付して、その説明は省略または簡略化する。
図６は、第３実施形態の半導体記憶装置３に含まれるカバー１２及びコンデンサ組立体２６を下方から見た下面図である。
図６を参照し、第３実施形態の半導体記憶装置３について説明する。
第３実施形態において、第１実施形態及び第２実施形態と同一部材には同一符号を付して、その説明は省略または簡略化する。
図６は、第３実施形態の半導体記憶装置３に含まれるカバー１２及びコンデンサ組立体２６を下方から見た下面図である。
【0092】
＜ガイド部材＞
図６に示すように、ヒートシンク６０は、ガイド部材７０を有する。ガイド部材７０は、ヒートシンク６０における＋Ｙ方向側の側面６０Ａに設けられた第１ガイド部材７０Ａと、ヒートシンク６０における－Ｙ方向側の側面６０Ｆに設けられた第２ガイド部材７０Ｂとを有する。ガイド部材７０は、「第２ガイド部」の一例である。第１ガイド部材７０Ａ及び第２ガイド部材７０Ｂは、第２側壁１７とヒートシンク６０の側面６０Ｂとの間の領域１２Ｒに位置する。言い換えると、領域１２Ｒにおける＋Ｙ方向側に第１ガイド部材７０Ａが位置し、領域１２Ｒにおける－Ｙ方向側に第２ガイド部材７０Ｂが位置している。さらに、具体的には、領域１２Ｒの全体を囲むように、第２側壁１７、ヒートシンク６０の側面６０Ｂ、第１ガイド部材７０Ａ、及び第２ガイド部材７０Ｂが配置されている。ここで、領域１２Ｒの全体を囲む状態においては、互いの隣り合う２つの部材が離間して設けられてもよいし、接続されてもよい。
図６に示すように、ヒートシンク６０は、ガイド部材７０を有する。ガイド部材７０は、ヒートシンク６０における＋Ｙ方向側の側面６０Ａに設けられた第１ガイド部材７０Ａと、ヒートシンク６０における－Ｙ方向側の側面６０Ｆに設けられた第２ガイド部材７０Ｂとを有する。ガイド部材７０は、「第２ガイド部」の一例である。第１ガイド部材７０Ａ及び第２ガイド部材７０Ｂは、第２側壁１７とヒートシンク６０の側面６０Ｂとの間の領域１２Ｒに位置する。言い換えると、領域１２Ｒにおける＋Ｙ方向側に第１ガイド部材７０Ａが位置し、領域１２Ｒにおける－Ｙ方向側に第２ガイド部材７０Ｂが位置している。さらに、具体的には、領域１２Ｒの全体を囲むように、第２側壁１７、ヒートシンク６０の側面６０Ｂ、第１ガイド部材７０Ａ、及び第２ガイド部材７０Ｂが配置されている。ここで、領域１２Ｒの全体を囲む状態においては、互いの隣り合う２つの部材が離間して設けられてもよいし、接続されてもよい。
【0093】
側面６０Ａ、６０Ｆに対する第１ガイド部材７０Ａ及び第２ガイド部材７０Ｂの固定構造としては、例えば、接着剤を用いた接着構造、ネジ等の締結部材を用いた締結構造等が挙げられる。言い換えると、第１ガイド部材７０Ａ及び第２ガイド部材７０Ｂは、ヒートシンク６０とは別体の部材である。半導体記憶装置１の軽量化の点で、第１ガイド部材７０Ａ及び第２ガイド部材７０Ｂの材料として、例えば、樹脂材料を用いることが可能である。
【0094】
第１ガイド部材７０Ａは、第１開口端部７１Ａと第１ガイド端部７１Ｂとを有する。第１開口端部７１Ａは、＋Ｙ方向側に位置する第２側壁１７の端部１７ｃに対向している。第１ガイド端部７１Ｂは、＋Ｙ方向側に位置するヒートシンク６０の側面６０Ｂの端部６０Ｄに接続されている。第１ガイド部材７０Ａによって空気をガイドする効果を十分に得ることが可能であれば、第１開口端部７１Ａと端部１７ｃとの間の距離は、変更可能である。
【0095】
Ｙ方向に見て、第１開口端部７１Ａは、第１ガイド端部７１Ｂよりも、＋Ｙ方向側に位置している。言い換えると、第１開口端部７１Ａは、第１ガイド端部７１Ｂよりも、カバー１２の側壁１２ｄの近くに位置している。
第１ガイド部材７０Ａは、第１開口端部７１Ａから第１ガイド端部７１Ｂに向けて延在するように、Ｘ方向に対して傾斜している。例えば、第１ガイド部材７０Ａは、符号７１Ｃで示す傾斜方向に向けて延在している。言い換えると、第１ガイド部材７０Ａは、空気流動路６４が延在する方向に対して傾斜する傾斜面を有する。
第１ガイド部材７０Ａは、第１開口端部７１Ａから第１ガイド端部７１Ｂに向けて延在するように、Ｘ方向に対して傾斜している。例えば、第１ガイド部材７０Ａは、符号７１Ｃで示す傾斜方向に向けて延在している。言い換えると、第１ガイド部材７０Ａは、空気流動路６４が延在する方向に対して傾斜する傾斜面を有する。
【0096】
第２ガイド部材７０Ｂは、第２開口端部７２Ａと第２ガイド端部７２Ｂとを有する。第２開口端部７２Ａは、＋Ｙ方向側に位置する第２側壁１７の端部１７ｄに対向している。第２ガイド端部７２Ｂは、＋Ｙ方向側に位置するヒートシンク６０の側面６０Ｂの端部６０Ｅに接続されている。第２ガイド部材７０Ｂによって空気をガイドする効果を十分に得ることが可能であれば、第２開口端部７２Ａと端部１７ｄとの間の距離は、変更可能である。
【0097】
Ｙ方向に見て、第２開口端部７２Ａは、第２ガイド端部７２Ｂよりも、－Ｙ方向側に位置している。言い換えると、第２開口端部７２Ａは、第２ガイド端部７２Ｂよりも、カバー１２の側壁１２ｃの近くに位置している。
第２ガイド部材７０Ｂは、第２開口端部７２Ａから第２ガイド端部７２Ｂに向けて延在するように、Ｘ方向に対して傾斜している。例えば、第２ガイド部材７０Ｂは、符号７２Ｄで示す傾斜方向に向けて延在している。言い換えると、第２ガイド部材７０Ｂは、空気流動路６４が延在する方向に対して傾斜する傾斜面を有する。
第２ガイド部材７０Ｂは、第２開口端部７２Ａから第２ガイド端部７２Ｂに向けて延在するように、Ｘ方向に対して傾斜している。例えば、第２ガイド部材７０Ｂは、符号７２Ｄで示す傾斜方向に向けて延在している。言い換えると、第２ガイド部材７０Ｂは、空気流動路６４が延在する方向に対して傾斜する傾斜面を有する。
【0098】
＜作用効果＞
＜放熱性向上＞
－Ｘ方向に風が流れる設置環境に半導体記憶装置３が置かれる場合、筐体１０の外部の空気は、第２通気孔１７ａから筐体１０の内部に流入し、第１通気孔１６ａから筐体１０の外部に排気される。
第２通気孔１７ａを通じて筐体１０の内部に流入する空気流は、符号Ｆ１、Ｆ２、Ｆ３で示されている。空気流Ｆ１は、Ｙ方向における第２側壁１７の中央領域に形成された第２通気孔１７ａを流れる空気流である。空気流Ｆ２は、第２側壁１７のうち＋Ｙ方向側に位置する領域に形成された第２通気孔１７ａを流れる空気流である。空気流Ｆ３は、第２側壁１７のうち－Ｙ方向側に位置する領域に形成された第２通気孔１７ａを流れる空気流である。
＜放熱性向上＞
－Ｘ方向に風が流れる設置環境に半導体記憶装置３が置かれる場合、筐体１０の外部の空気は、第２通気孔１７ａから筐体１０の内部に流入し、第１通気孔１６ａから筐体１０の外部に排気される。
第２通気孔１７ａを通じて筐体１０の内部に流入する空気流は、符号Ｆ１、Ｆ２、Ｆ３で示されている。空気流Ｆ１は、Ｙ方向における第２側壁１７の中央領域に形成された第２通気孔１７ａを流れる空気流である。空気流Ｆ２は、第２側壁１７のうち＋Ｙ方向側に位置する領域に形成された第２通気孔１７ａを流れる空気流である。空気流Ｆ３は、第２側壁１７のうち－Ｙ方向側に位置する領域に形成された第２通気孔１７ａを流れる空気流である。
【0099】
空気流Ｆ１は、第２通気孔１７ａを通じて筐体１０の内部に流入した後、ヒートシンク６０の側面６０Ｂに到達し、ヒートシンク６０の空気流動路６４に流入する。空気流動路６４を流れる空気とフィン６３の表面との間で熱交換が行われ、ヒートシンク６０の熱は、空気流動路６４を流れる空気に移動する。熱交換に用いられた空気は、第１通気孔１６ａから筐体１０の外部に排気される。
【0100】
空気流Ｆ２は、第２通気孔１７ａを通じて筐体１０の内部に流入した後、第１ガイド部材７０Ａに衝突する。第１ガイド部材７０Ａに衝突した空気は、傾斜方向７１Ｃに向けて流動し、ヒートシンク６０の側面６０Ｂに到達し、ヒートシンク６０の空気流動路６４に流入する。空気流動路６４を流れる空気とフィン６３の表面との間で熱交換が行われ、ヒートシンク６０の熱は、空気流動路６４を流れる空気に移動する。熱交換に用いられた空気は、第１通気孔１６ａから筐体１０の外部に排気される。
【0101】
空気流Ｆ３は、第２通気孔１７ａを通じて筐体１０の内部に流入した後、第２ガイド部材７０Ｂに衝突する。第２ガイド部材７０Ｂに衝突した空気は、傾斜方向７２Ｄに向けて流動し、ヒートシンク６０の側面６０Ｂに到達し、ヒートシンク６０の空気流動路６４に流入する。空気流動路６４を流れる空気とフィン６３の表面との間で熱交換が行われ、ヒートシンク６０の熱は、空気流動路６４を流れる空気に移動する。熱交換に用いられた空気は、第１通気孔１６ａから筐体１０の外部に排気される。
【0102】
このような構成を有する半導体記憶装置３によれば、第１ガイド部材７０Ａ及び第２ガイド部材７０Ｂをヒートシンク６０設けたことによって、空気流Ｆ２、Ｆ３をヒートシンク６０の空気流動路６４に導くことができる。したがって、ガイド部材を設けない構造と比較して、より多くの流量の空気を空気流動路６４に流入させることができ、空気流動路６４を流れる空気とフィン６３の表面との間で行わる熱交換を促進させることができる。すなわち、上述した第１実施形態によって得られる放熱性向上の効果をさらに高めることができる。
【0103】
本実施形態において、ヒートシンク６０の側面にガイド部材７０が固定された構造を述べた。本実施形態の変形例として、ヒートシンク６０及びガイド部材７０は一体の部材であってもよい。言い換えると、ヒートシンク６０の製造工程において、上述したガイド部材７０と同様の構造を有するガイド部を備えるようにヒートシンク６０が形成されてもよい。
【0104】
＜電子部品の変形例＞
上述した実施形態においては、電子部品の一例として、ＮＡＮＤ２５を説明した。コントローラ２３及びＤＲＡＭ２４の各々が電子部品として用いられてもよい。つまり、コントローラ２３に接続されるようにヒートシンク６０を配置してもよいし、ＤＲＡＭ２４に接続されるようにヒートシンク６０を配置してもよい。電子部品は、上述した実施形態に限定されない。例えば、電子部品は、プロセッサや電子機器であってもよい。
上述した実施形態においては、電子部品の一例として、ＮＡＮＤ２５を説明した。コントローラ２３及びＤＲＡＭ２４の各々が電子部品として用いられてもよい。つまり、コントローラ２３に接続されるようにヒートシンク６０を配置してもよいし、ＤＲＡＭ２４に接続されるようにヒートシンク６０を配置してもよい。電子部品は、上述した実施形態に限定されない。例えば、電子部品は、プロセッサや電子機器であってもよい。
【0105】
以上説明した少なくともひとつの実施形態によれば、半導体記憶装置は、基板と、電子部品と、コンデンサと、ヒートシンクとを持つ。電子部品は、基板に実装されている。コンデンサは、基板に実装されており、かつ、基板の厚さ方向に電子部品と重なる。ヒートシンクは、コンデンサを支持する支持部と空気流動路とを有する。ヒートシンクは、電子部品に接続されている。これにより、半導体記憶装置の放熱性を向上できる。
【0106】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【0107】
１、２、３…半導体記憶装置、１０…筐体、１０ａ…第１端部、１０ｂ…第２端部、１０ｃ…第３端部、１０ｄ…第４端部、１１…ベース、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ…側壁、１１ｈ…固定穴、１１ｓ…載置部、１２…カバー、１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ…側壁、１２ｈ…挿通穴、１２Ｒ…領域、１３…ガイド板、１３Ａ…第１ガイド板、１３Ｂ…第２ガイド板、１３ｅ…第１開口端部、１３ｆ…第１ガイド端部、１３ｇ…第２開口端部、１３ｈ…第２ガイド端部、１４…ベース主壁、１４Ｅ…ベース外面、１４Ｉ…ベース内面、１５…カバー主壁、１５Ｅ…カバー外面、１５Ｉ…カバー内面、１６…第１側壁、１６ａ…第１通気孔、１７…第２側壁、１７ａ…第２通気孔、１７ｃ…端部、１７ｄ…端部、１８…第３側壁、１９…第４側壁、２０…基板ユニット、２１…基板、２１ａ…第１面、２１ｂ…第２面、２１ｈ…挿通穴、２１Ｔ…接続端子、２２…コネクタ、２３…コントローラ、２４…ＤＲＡＭ、２５…ＮＡＮＤ（ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ）、２５…電子部品、２５Ａ…第１ＮＡＮＤ（ＮＡＮＤ）、２５Ｂ…第２ＮＡＮＤ（ＮＡＮＤ）、２６…コンデンサ組立体、２７…熱伝導シート、２７Ａ…第１熱伝導シート、２７Ｂ…第２熱伝導シート、２８…熱伝導部材、３０…支持フレーム、３０ｈ…挿通穴、４０…固定部材、５０…コンデンサ、５０Ａ…第１コンデンサ（コンデンサ）、５０Ｂ…第２コンデンサ（コンデンサ）、５０Ｃ…第３コンデンサ（コンデンサ）、５０Ｄ…第４コンデンサ（コンデンサ）、５１…本体、５２…リード、５３…リード突出面、５４…先端面、５５…外周面、５５Ａ…側面、５５Ｂ…側面、５５Ｃ…側面、６０…ヒートシンク、６０Ａ…第１側面（側面）、６０Ｂ…第２側面（側面）、６０Ｃ…第３側面（側面）、６０Ｄ、６０Ｅ…端部、６０Ｆ…側面、６１…第１板部、６１Ａ…コンデンサ配置領域、６１Ｂ…熱伝導シート配置領域、６１Ｃ…開口部、６２…第２板部、６３…フィン、６４…空気流動路、６５…支持部、６５Ａ…第１支持部（支持部）、６５Ｂ…第２支持部（支持部）、６５Ｃ…第３支持部（支持部）、６５Ｄ…第４支持部（支持部）、６６…支持面、６６Ａ…第１支持面（支持面）、６６Ｂ…第２支持面（支持面）、６６Ｃ…第３支持面（支持面）、６７Ａ、６７Ｂ…支持端面、６８Ａ、６８Ｂ…支持開口部、７０Ａ…第１ガイド部材（ガイド部材）、７０Ｂ…第２ガイド部材（ガイド部材）、７１Ａ…第１開口端部、７１Ｂ…第１ガイド端部、７２Ａ…第２開口端部、７２Ｂ…第２ガイド端部、Ｆ１、Ｆ２、Ｆ３…空気流。
【図1】
【図2】
【図3A】
【図3B】
【図4】
【図5】
【図6】