特開 2024-22242 配線基板及び配線基板の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024022242

(43)【公開日】2024-02-16

(54)【発明の名称】配線基板及び配線基板の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05K 1/02 20060101AFI20240208BHJP

   H05K 3/18 20060101ALI20240208BHJP

   H05K 3/46 20060101ALI20240208BHJP

【ＦＩ】

H05K1/02 J

H05K3/18 G

H05K3/46 B

【審査請求】未請求

【請求項の数】11

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022125674

(22)【出願日】2022-08-05

(71)【出願人】

【識別番号】000000158

【氏名又は名称】イビデン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001896

【氏名又は名称】弁理士法人朝日奈特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】古谷 俊樹

(72)【発明者】

【氏名】酒井 純

【テーマコード（参考）】

5E316

5E338

5E343

【Ｆターム（参考）】

5E316AA12

5E316AA15

5E316AA32

5E316AA43

5E316CC08

5E316CC09

5E316CC10

5E316CC13

5E316CC14

5E316CC31

5E316CC32

5E316CC34

5E316CC37

5E316DD17

5E316DD24

5E316EE31

5E316FF04

5E316GG15

5E316GG17

5E316GG28

5E316HH01

5E316HH08

5E316JJ02

5E338AA03

5E338AA16

5E338BB02

5E338BB12

5E338BB75

5E338CC01

5E338CD02

5E338EE11

5E343AA02

5E343AA16

5E343AA17

5E343AA18

5E343BB13

5E343BB14

5E343BB16

5E343BB24

5E343BB44

5E343BB71

5E343DD25

5E343DD43

5E343FF16

5E343GG14

(57)【要約】

【課題】絶縁性及び電気的特性に優れた微細な配線を含む配線基板の提供。
【解決手段】実施形態の配線基板１は、絶縁層３３と、絶縁層３３の表面３３ａ上に形成されていて複数の配線パターン１１を含んでいる導体層２４と、を含んでいる。導体層２４における絶縁層３３と反対側の表面２４ａは研磨面であり、複数の配線パターン１１の最小の配線幅は５μｍ以下であり、複数の配線パターン１１の各配線パターン１１同士の最小の間隔は７μｍ以下であり、複数の配線パターン１１それぞれのアスペクト比は２．０以上、４．０以下であり、導体層２４は、めっき膜からなる上層２ｂと、絶縁層３３の表面３３ａ上に直接形成されていて上層２ｂのめっき膜のシード層である下層２ａとによって構成されており、導体層２４の厚さＴに対する下層２ａの厚さＴ１の比率は、２．５％以下である。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

絶縁層と、
前記絶縁層の表面上に形成されていて複数の配線パターンを含んでいる導体層と、
を含んでいる配線基板であって、
前記導体層における前記絶縁層と反対側の表面は研磨面であり、
前記複数の配線パターンの最小の配線幅は５μｍ以下であり、
前記複数の配線パターンの各配線パターン同士の最小の間隔は７μｍ以下であり、
前記複数の配線パターンそれぞれのアスペクト比は２．０以上、４．０以下であり、
前記導体層は、めっき膜からなる上層と、前記絶縁層の前記表面上に直接形成されていて前記めっき膜のシード層である下層とによって構成されており、
前記導体層の厚さに対する前記下層の厚さの比率は、２．５％以下である。

【請求項2】

請求項１記載の配線基板であって、前記導体層の厚さは、１５μｍ以下である。

【請求項3】

請求項１記載の配線基板であって、前記下層の厚さは、０．３μｍ以下である。

【請求項4】

請求項１記載の配線基板であって、前記下層はスパッタ膜からなる。

【請求項5】

請求項４記載の配線基板であって、前記スパッタ膜は、前記絶縁層の前記表面上に銅の合金によって形成されている下部膜と、前記下部膜の上に銅で形成されている上部膜と、を含んでいる。

【請求項6】

請求項５記載の配線基板であって、前記下部膜の幅は、前記上層の幅よりも小さく、前記上部膜の幅よりも大きい。

【請求項7】

請求項１記載の配線基板であって、さらに、前記導体層と一体的に形成されていて、前記絶縁層を貫通すると共に、前記絶縁層における前記導体層と反対側の導電体と前記導体層とを接続するビア導体を含み、
前記ビア導体のアスペクト比は、０．５以上、１．０以下である。

【請求項8】

請求項１記載の配線基板であって、前記複数の配線パターンそれぞれの側面に露出する前記下層の側面は溶解面である。

【請求項9】

請求項１記載の配線基板であって、前記研磨面は０．３μｍ以下の算術平均粗さを有している。

【請求項10】

絶縁層を形成することと、
前記絶縁層の表面上に導体層を形成することと、
を含む配線基板の製造方法であって、
前記導体層を形成することは、
前記絶縁層の表面上に０．０３μｍ以上、０．３μｍ以下の厚さのシード層を形成することと、
前記シード層を露出させる溝状の複数の開口部を有するめっきレジストを前記シード層上に形成することと、
前記複数の開口部内に前記めっきレジストよりも厚い電解めっき膜を形成することと、
研磨により前記電解めっき膜及び前記めっきレジストの厚さを小さくすることと、
前記めっきレジストを除去することと、
前記シード層における前記電解めっき膜に覆われていない部分を除去することと、
を含み、
前記複数の開口部は、それぞれ、５μｍ以下の幅、及び、２．０以上のアスペクト比を有すると共に、隣接する開口部との間に７μｍ以下の間隔を有し、
前記電解めっき膜は、前記研磨において、前記シード層の厚さが、前記シード層の厚さと前記電解めっき膜の厚さとの合計の厚さの２．５％を超えないように研磨される。

【請求項11】

請求項１０記載の配線基板の製造方法であって、前記シード層を形成することは、
スパッタリングによって、銅合金からなる下部膜を前記絶縁層の前記表面上に直接形成することと、
スパッタリングによって、銅からなる上部膜を前記下部膜上に形成することと、
を含んでいる。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、配線基板及び配線基板の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、絶縁層上に電解めっきにより配線を形成する方法が開示されている。この方法では、シード層上に形成された第１のレジスト膜の開口部へのめっき膜の形成によって配線が形成され、第１のレジスト膜の除去後に、めっき膜を覆う第２のレジスト膜が形成される。めっき膜の上面及び側面が第２のレジスト膜で覆われた状態で、めっき膜に覆われていないシード層の不要部分がウェットエッチングで除去される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００９－２５３１４７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１に開示の配線の形成方法では、微細なピッチで並ぶ複数の配線の形成において狭い間隔で隣り合うめっき膜同士の間に露出するシード層が第２のレジスト膜に覆われてしまって確実に除去されないことがある。その結果、配線間の絶縁性の低下や短絡不良が生じることがある。加えて、低い導体抵抗を有する配線を形成すべく厚いめっき膜が形成される場合には、めっき膜の側面間に跨るような第２のレジスト膜が形成され易く、めっき膜同士の間に露出するシード層が第２のレジスト膜で一層覆われ易いと考えられる。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明の配線基板は、絶縁層と、前記絶縁層の表面上に形成されていて複数の配線パターンを含んでいる導体層と、を含んでいる。そして、前記導体層における前記絶縁層と反対側の表面は研磨面であり、前記複数の配線パターンの最小の配線幅は５μｍ以下であり、前記複数の配線パターンの各配線パターン同士の最小の間隔は７μｍ以下であり、前記複数の配線パターンそれぞれのアスペクト比は２．０以上、４．０以下であり、前記導体層は、めっき膜からなる上層と、前記絶縁層の前記表面上に直接形成されていて前記めっき膜のシード層である下層とによって構成されており、前記導体層の厚さに対する前記下層の厚さの比率は、２．５％以下である。

【0006】

本発明の配線基板の製造方法は、絶縁層を形成することと、前記絶縁層の表面上に導体層を形成することと、を含んでいる。そして、前記導体層を形成することは、前記絶縁層の表面上に０．０３μｍ以上、０．３μｍ以下の厚さのシード層を形成することと、前記シード層を露出させる溝状の複数の開口部を有するめっきレジストを前記シード層上に形成することと、前記複数の開口部内に前記めっきレジストよりも厚い電解めっき膜を形成することと、研磨により前記電解めっき膜及び前記めっきレジストの厚さを小さくすることと、前記めっきレジストを除去することと、前記シード層における前記電解めっき膜に覆われていない部分を除去することと、を含み、前記複数の開口部は、それぞれ、５μｍ以下の幅、及び、２．０以上のアスペクト比を有すると共に、隣接する開口部との間に７μｍ以下の間隔を有し、前記電解めっき膜は、前記研磨において、前記シード層の厚さが、前記シード層の厚さと前記電解めっき膜の厚さとの合計の厚さの２．５％を超えないように研磨される。

【0007】

本発明の実施形態によれば、微細なピッチで並んでいて隣接する配線との間に所望の絶縁性を有し、しかも電気的特性に優れた配線を含む配線基板が提供されると考えられる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。

【図2】図１のII部の拡大図。

【図3】一実施形態の配線基板に含まれる配線パターンの一例を拡大して示す断面図。

【図4A】実施形態の配線基板の製造方法で製造中の図１の配線基板を示す断面図。

【図4B】実施形態の配線基板の製造方法で製造中の図１の配線基板を示す断面図。

【図4C】実施形態の配線基板の製造方法で製造中の図１の配線基板を示す断面図。

【図4D】実施形態の配線基板の製造方法で製造中の図１の配線基板を示す断面図。

【図4E】実施形態の配線基板の製造方法で製造中の図１の配線基板を示す断面図。

【図4F】実施形態の配線基板の製造方法で製造中の図１の配線基板を示す断面図。

【図4G】実施形態の配線基板の製造方法で製造中の図１の配線基板を示す断面図。

【図4H】実施形態の配線基板の製造方法で製造中の図１の配線基板を示す断面図。

【図4I】実施形態の配線基板の製造方法で製造中の図１の配線基板を示す断面図。

【図4J】実施形態の配線基板の製造方法で製造中の図１の配線基板を示す断面図。

【図4K】実施形態の配線基板の製造方法で製造中の図１の配線基板を示す断面図。

【図5】本発明の他の実施形態の配線基板の一例を示す断面図。

【図6A】実施形態の配線基板の製造方法で製造中の図５の配線基板を示す断面図。

【図6B】実施形態の配線基板の製造方法で製造中の図５の配線基板を示す断面図。

【発明を実施するための形態】

【0009】

＜第１実施形態＞
本発明の一実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。図１には、本実施形態の配線基板の一例である配線基板１の断面図が示されている。図２には、図１のII部の拡大図が示されている。なお、配線基板１は実施形態の配線基板の一例に過ぎない。例えば、実施形態の配線基板の積層構造、並びに、実施形態の配線基板に含まれる導体層及び絶縁層それぞれの数は、図１の配線基板１の積層構造、及び配線基板１に含まれる導体層及び絶縁層それぞれの数に限定されない。また、以下の説明で参照される各図面では、開示される実施形態が理解され易いように特定の部分が拡大して描かれていることがあり、大きさや長さに関して、各構成要素が互いの間の正確な比率で描かれていない場合がある。

【0010】

図１に示されるように、配線基板１は、配線基板１の厚さ方向と直交する２つの表面（主面）のうちの一方である第１面１ｆ及び第１面１ｆの反対面である第２面１ｓを有しており、配線基板１の厚さ方向に積層された絶縁層と導体層とを含んでいる。図１の例の配線基板１は、絶縁層３１～３５及び導体層２１～２５を含んでいる。導体層２１～２５のうち配線基板１の第２面１ｓ側の最も外側に導体層２１が形成されている。導体層２１における第２面１ｓ側の表面以外の表面は絶縁層３１に覆われている。そして、絶縁層３１における第１面１ｆ側の表面上に、第１面１ｆに向かって順に、導体層２２、絶縁層３２、導体層２３、絶縁層３３、導体層２４、絶縁層３４、導体層２５、及び絶縁層３５が形成されている。

【0011】

導体層２２～２５は、それぞれ、絶縁層３１～３４それぞれにおける配線基板１の第１面１ｆ側の表面に形成されている。導体層２２は絶縁層３１の表面３１ａ上に、導体層２３は絶縁層３２の表面３２ａ上に、導体層２４は絶縁層３３の表面３３ａ上に、そして導体層２５は絶縁層３４の表面３４ａ上に、それぞれ形成されている。導体層２５は、配線基板１における第１面１ｆ側の最も外側の導体層である。配線基板１の第１面１ｆは、主に、導体層２５を覆っている絶縁層３５における導体層２５と反対方向を向く表面によって構成されている。一方、配線基板１の第２面１ｓは、導体層２１及び絶縁層３１それぞれにおける導体層２２と反対方向を向く表面によって構成されている。図１の例の配線基板１は、導体層２１～２５及び絶縁層３１～３５を逐次形成することによって製造される、所謂ビルドアップ配線基板である。

【0012】

なお、本実施形態の説明では、配線基板１の厚さ方向（各絶縁層及び各導体層の積層方向）において第１面１ｆ側は、「上側」若しくは「上方」、又は単に「上」とも称され、第２面１ｓ側は、「下側」若しくは「下方」、又は単に「下」とも称される。さらに、各導体層及び各絶縁層において、第１面１ｆ側を向く表面は「上面」とも称され、第２面１ｓ側を向く表面は「下面」とも称される。また、実施形態の配線基板１の厚さ方向は「Ｚ方向」とも称される。

【0013】

実施形態の配線基板１は、さらに、絶縁層３１～３４のいずれかを貫通するビア導体４を含んでいる。図１の配線基板１は、絶縁層３１～３４それぞれを貫く複数のビア導体４を含んでいる。各ビア導体４は、自身の上側に形成される導体層と一体的に形成されている。各ビア導体４は、各ビア導体４に貫通される絶縁層３１～３４のいずれかを挟む２つの導電体同士を接続している。例えば、絶縁層３３を貫通するビア導体４は、導体層２４と一体的に形成されていて、導電体である導体層２４と、絶縁層３３における導体層２４と反対側に位置する導電体（図１の例において導体層２３）とを接続している。同様に、絶縁層３１を貫通するビア導体４は導体層２１と導体層２２とを接続し、絶縁層３２を貫通するビア導体４は導体層２２と導体層２３とを接続し、絶縁層３４を貫通するビア導体４は導体層２４と導体層２５とを接続している。各ビア導体４は、配線基板１の第１面１ｆ側から第２面１ｓ側に向かって幅が細くなるテーパー形状を有している。なおビア導体４の「幅」は、ビア導体４におけるＺ方向と直交する断面（又は端面）の外周上の２点間の最長距離である。

【0014】

導体層２１～２５は、それぞれ、所定の導体パターンを含んでいる。図１の例において導体層２５は、配線基板１の使用時に配線基板１に搭載される部品（図１の例において第１部品Ｅ１及び第２部品Ｅ２）と接続される複数の導体パッド７１及び複数の導体パッド７２を含んでいる。配線基板１に搭載される第１部品Ｅ１及び第２部品Ｅ２は、例えば、マイコンやメモリなどの半導体集積回路装置のような電子部品であり得る。

【0015】

図１の配線基板１は、さらに、導体パッド７１又は導体パッド７２の表面上に形成されている複数の導体ポスト５を含んでいる。導体ポスト５は、絶縁層３５を貫通して、配線基板１の第１面１ｆを構成する絶縁層３５の上面から突出している。絶縁層３５の上面には、導体層は形成されておらず、導体ポスト５以外の導電体は存在しない。導体ポスト５によって、配線基板１に搭載される部品（図１の例では第１部品Ｅ１及び第２部品Ｅ２）と導体パッド７１又は導体パッド７２とが接続される。導体ポスト５を介して第１部品Ｅ１及び第２部品Ｅ２が配線基板１に接続されるので、各部品の搭載が容易になることや、導体パッド７１同士の短絡や導体パッド７２同士の短絡が防がれることがある。

【0016】

導体ポスト５における導体層２５と反対側の端面には、導体ポスト５の端面の保護層として、及び／又は、第１部品Ｅ１若しくは第２部品Ｅ２と導体ポスト５との接合層として、機能し得る機能層６が形成されている。機能層６は、例えばニッケル、すず、パラジウム、又は金などのめっき膜によって形成されている。

【0017】

一方、配線基板１の第２面１ｓに下面を露出させている導体層２１は、導体パッド７３を含んでいる。導体パッド７３は、配線基板１の外部の導電体（図示せず）、例えば、電子機器のマザーボードのような配線基板１以外の配線基板のパッド、又は任意の導電性の機構部品などに接続される。図１の例では、導体層２５の導体パッド７１及び導体パッド７２と導体層２１の導体パッド７３とが、積層されている複数のビア導体４（所謂スタックビア導体）を介して接続されている。そのため、配線基板１の使用時には、第１部品Ｅ１及び第２部品Ｅ２と、例えばマザーボードのような導体パッド７３と接続される部材とが短い経路で接続され、意図通りの電気的特性が得られ易いことがある。

【0018】

導体層２５は、導体パッド７１及び導体パッド７２以外にも、導体パターン１２及び複数の配線パターン１１を含んでいる。図１に示されるように導体パターン１２は、導体パッド７１と導体パッド７２とを接続している。配線パターン１１は、図示されていないが、導体層２１～２５のいずれかが含む任意の導体パッド同士を接続して電気信号を伝播させる信号線路であり得る。

【0019】

導体層２５以外の各導体層も任意の所望の導体パターンを含み得る。図１の例において導体層２２～２４も、それぞれ、複数の配線パターン１１を含み、導体層２３は、さらに導体パターン１２を含んでいる。導体層２３が含む導体パターン１２の両端は、それぞれ、ビア導体４を介して１つの導体パッド７１及び１つの導体パッド７２に接続されている。導体層２２～２４それぞれが含む複数の配線パターン１１は、それぞれ、導体層２５が含む配線パターン１１と同様に、任意の導体パッド同士を接続して電気信号を伝播させる信号線路であり得る。

【0020】

実施形態の配線基板では、導体層２１～２５のような、実施形態の配線基板が含む１以上の導体層のうちの少なくとも１つは、その導体層が表面に形成されている絶縁層と反対側の表面として、研磨で仕上げられた状態を有する研磨面を有する。例えば、図１の例において、導体層２４における絶縁層３３と反対側の表面である表面２４ａは研磨面であり得る。図１の例では、導体層２２～２５の全部において、配線基板１の第１面１ｆ側の表面は研磨面である。すなわち、導体層２４の表面２４ａに加えて、導体層２２における絶縁層３１と反対側の表面２２ａ、導体層２３における絶縁層３２と反対側の表面２３ａ、及び、導体層２５おける絶縁層３４と反対側の表面２５ａは研磨面である。

【0021】

そのため、表面２２ａ～２５ａは、例えば、金属の析出によって形成されたままのめっき膜の面粗度よりも低い面粗度を有し得る。そのため、研磨面を含む導体層２２～２５に含まれる配線パターン１１において、高周波信号の伝送時の表皮効果による実質的な導体抵抗の増大に伴う信号伝送特性の低下や電圧降下の増大が生じ難いと考えられる。例えば、導体層２２～２５が第１面１ｆ側の表面として有する研磨面は、０．３μｍ以下の算術平均粗さを有し得る。そのような面粗度が得られていると、伝送特性に関する上記のような好ましい効果が得られることがある。なお、図１の配線基板１において、さらに、導体層２１における配線基板１の第１面１ｆ側の表面２１ａも研磨面であってもよい。

【0022】

また、研磨面である表面２１ａ～２５ａは、表面２１ａ～２５ａそれぞれを有する各導体層全体に渡って均一な高さ（下側の絶縁層の上面からの距離、例えば絶縁層３３の表面３３ａと導体層２４の表面２４ａとの間の距離）を有し易い。そのため、各導体層上、例えば導体層２４上に形成されるビア導体４の高さも揃い易く、さらにその上に形成される導体ポスト５の高さも揃い易い。結果として、第１部品Ｅ１及び／又は第２部品Ｅ２が安定して配線基板１に搭載されると考えられる。また、表面２２ａ～２５ａが研磨面であるため、配線パターン１１の厚さが、その全長に渡って略一定になり易く、そのため配線パターン１１において特性インピーダンスに変動が生じ難い。そのため、配線パターン１１における反射損失が抑制されることがある。

【0023】

図２に示されるように、配線基板１の各導体層が含む配線パターン１１は、配線幅Ｗ１、及び隣接する配線パターン１１との間に間隔Ｇを有している。図２は図１のII部の拡大図を示しているので、導体層２４の配線パターン１１、導体層２５、及び絶縁層３４を貫通するビア導体４などが拡大して示されている。本実施形態の配線基板１が含む導体層に含まれる複数の配線パターン１１の配線幅Ｗ１の最小値は１μｍ以上、５μｍ以下であり、配線パターン１１同士の間隔Ｇの最小値は３μｍ以上、７μｍ以下である。すなわち、実施形態の配線基板１に含まれる導体層２２～２５などの導体層のいずれか１つ以上は、５μｍ以下の配線幅を有し、且つ、隣接する配線パターンとの間に７μｍ以下の間隔を有する配線パターンを含んでいる。図１及び図２の例において、導体層２２～２５の一部又は全部が、１μｍ以上、５μｍ以下の配線幅Ｗ１を有し、且つ、隣接する配線パターン１１との間に３μｍ以上、７μｍ以下の間隔Ｇを有する配線パターン１１を含み得る。

【0024】

本実施形態では、導体層２２～２５のような導体層のいずれか１つ以上が、このように微細な最小配線幅及び微細な最小配線間隔を有する配線パターン、すなわち、微細なピッチで並ぶ配線パターンを含んでいる。そのため、実施形態の配線基板は、従来の配線基板と比べて小さく実現され得ることがある。また、部品と接続される導体パッド間に、このように微細な配線幅及び配線間隔の配線パターンを有し得る実施形態の配線基板の設計では、２つの部品の配置に関する自由度が高いことがある。

【0025】

加えて、本実施形態では、配線パターン１１のように微細な配線幅を有し得る配線パターンは、配線幅Ｗ１よりも大きな厚さＴを有している。換言すると、本実施形態において各導体層に含まれる配線パターン１１のような配線パターンは、１を超える比較的大きなアスペクト比（配線パターンの厚さＴ／配線パターンの幅Ｗ１）を有している。具体的には、本実施形態の配線基板に含まれる配線パターンのアスペクト比は２．０以上、４．０以下である。図１の例において、導体層２２～２５のうちの一部又は全部が、２．０以上、４．０以下のアスペクト比を有する配線パターン１１を含み得る。

【0026】

このような大きなアスペクト比を有する配線パターンは、小さな配線幅の割に低い導体抵抗を有し得る。そのため、図１の例の導体パッド７１のような電子部品と接続される導体パッド同士を接続する配線パターン（例えば配線パターン１１）の挿入損失が低いことがある。そのため、第１部品Ｅ１と第２部品Ｅ２のような２つの電子部品の間で、少ない伝送損失で、すなわち良好な伝送効率で、信号を伝播させ得ることがある。また、２つの電子部品を接続する信号線路において所望の特性インピーダンスが得られ易く、そのため、さらに挿入損失を低減し得ることがある。

【0027】

図１及び図２の例において、各導体層に含まれる配線パターン１１の厚さＴ、すなわち導体層２２～２５それぞれの厚さＴは、例えば、５μｍ以上、１５μｍ以下であり得る。このような厚さが得られていると、実施形態の配線基板の厚さを顕著に増大させずに、前述したような挿入損失の低減などの効果が得られることがある。

【0028】

比較的微細なピッチで配置され得る配線パターン１１を含む本実施形態の配線基板１では、小さなピッチで並ぶビア導体４が好ましいことがある。すなわち、小さな幅を有し、それに伴い大きなアスペクト比を有するビア導体４が好ましいことがある。実施形態の配線基板１では、ビア導体４のアスペクト比は、例えば、０．５以上、１．０以下であり得る。微細なピッチで並ぶ配線パターン１１のような配線パターンが、その配線パターンを含む導体層と異なる導体層の配線パターンと、導体層間の接続部においても比較的微細なピッチを保って接続され得ることがある。なお、ビア導体４のアスペクト比は、（図２に示される間隔Ｄ）／（図２に示される幅Ｗ２）である。ここで間隔Ｄは、ビア導体４によって接続される２つの導体層のＺ方向における間隔であり、Ｗ２は、第１面１ｆ側（図１参照）の導体層との界面におけるビア導体４の幅である。

【0029】

絶縁層３１～３４は、２つの導体層の間に介在する層間絶縁層であり、それぞれ、絶縁性樹脂を用いて形成され得る。絶縁性樹脂としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）、又はフェノール樹脂のような熱硬化性樹脂、及び、フッ素樹脂、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、フッ化エチレン（ＰＴＦＥ）樹脂、ポリエステル（ＰＥ）樹脂、及び変性ポリイミド（ＭＰＩ）樹脂のような熱可塑性樹脂が例示される。絶縁層３１～３４は、シリカ、アルミナなどの無機フィラー（図示せず）を含み得る。絶縁層３１～３４は、図示されないガラス繊維などの補強材（芯材）を含んでいてもよい。しかし、補強材を含まない方が、微細なピッチで並ぶ配線パターン１１の形成の容易性の面で、好ましいことがある。

【0030】

絶縁層３１～３４が無機フィラーを含む場合、含まれる無機フィラーとしては、粒径（無機フィラーの表面上の２点間の最長距離）の小さな無機フィラーが好ましいと考えられる。例えば、絶縁層３１～３４は、最大でも１μｍ以下の粒径を有する複数の無機フィラーを含み得る。各絶縁層に含まれる無機フィラーの粒径が小さいと、例えば、微細なピッチで並ぶ配線パターン１１同士の間であっても、無機フィラーに沿ったリーク経路などによる短絡不良が生じ難いことがある。また、微小なビア導体４の形成が容易なことがある。

【0031】

さらに、各導体層が含む配線パターンにおいて良好な高周波信号の伝送特性を得るべく、低い誘電率及び低い誘電損失を有している絶縁層３１～３４が好ましいと考えられる。例えば、５．８ＧＨｚの周波数において絶縁層３１～３４それぞれの比誘電率は、３．０以上、４．０以下程度であり得、誘電正接は、０．００１以上、０．００５以下程度であり得る。

【0032】

導体層２５を覆う絶縁層３５も、絶縁層３１～３４と同様の絶縁性樹脂を用いて形成され得る。しかし、導体層２５を覆う絶縁層３５は、ソルダーレジストとして機能する絶縁層であってもよい。その場合、絶縁層３５は、絶縁層３１～３４と主成分又は添加剤が異なる材料で形成されていてもよい。例えば絶縁層３５は、感光剤を含むエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを用いて形成されていてもよい。

【0033】

導体層２１～２５、ビア導体４、及び導体ポスト５は、例えば銅又はニッケルなどの任意の金属を用いて形成されている。導体層２１は、例えば電解めっき膜からなる１層の金属膜で形成されている。導体層２１は絶縁層３１に埋め込まれて第２面１ｓ側の表面だけを露出させている。

【0034】

導体層２２～２５、ビア導体４及び導体ポスト５は、図１では、簡略化されて１つの層だけを有するように描かれているが、拡大図である図２に示される導体層２４及び導体層２５、並びにビア導体４のように、めっきもしくはスパッタリングなどでそれぞれ形成される２つ以上の金属膜を含む多層構造を有し得る。具体的には、実施形態の配線基板に含まれる導体層２２～２５のような各導体層、及びビア導体４は、下層２ａと、下層２ａ上に形成されている上層２ｂとによって構成されている。従って各導体層が含む配線パターン１１も、下層２ａと上層２ｂとによって構成されている。

【0035】

上層２ｂは、全面的に、下層２ａの上に、すなわち、下層２ａに対して配線基板１の第１面１ｆ（図１参照）側に形成されている。上層２ｂにおける第１面１ｆ側の表面が、前述した導体層２２～２５それぞれが有し得る研磨面である。下層２ａは、上層２ｂと、上層２ｂの直ぐ下側の絶縁層との間（例えば導体層２４を構成する上層２ｂと絶縁層３３との間）に介在している。下層２ａは、絶縁層３３の表面３３ａや絶縁層３４の表面３４ａなどのような、各絶縁層における第１面１ｆ側の表面上に直接形成されている。

【0036】

下層２ａは、任意の方法で形成される金属膜からなる。下層２ａは、例えばスパッタリングで形成されるスパッタ膜であり得、無電解めっきで形成される無電解めっき膜であってもよい。一方、上層２ｂは、電解めっきによって形成されるめっき膜からなる。下層２ａは、この電解めっきによって形成される上層２ｂのシード層である。すなわち、下層２ａは、電解めっきによる上層２ｂの形成時のめっき電流を通す電極であって、めっき金属の析出を促し得るシード層（又は給電層）として機能する金属膜である。

【0037】

そして本実施形態の配線基板において、各導体層は、各導体層の厚さに対して十分に小さい厚さの下層２ａを有している。具体的には、実施形態の配線基板１が含む導体層２２～２５それぞれの厚さＴに対する下層２ａの厚さＴ１の比率は、０．２％以上、２．５％以下である。相対的に薄い下層２ａの利点が以下に説明される。

【0038】

下層２ａをシード層（又は給電層）として用いる上層２ｂの形成を含む導体層２４などの各導体層の形成では、後述されるように、先ず、絶縁層３３の表面３３ａなどの各絶縁層の表面の全面に、シード層として機能する下層２ａが形成される。電解めっきを含むパターンめっきによる上層２ｂの形成後、各絶縁層の表面の全面に形成された下層２ａのうちの上層２ｂに覆われていない部分（不要部分）がクイックエッチングなどで除去される。この下層２ａの不要部分の除去の際、下層２ａが厚いと、所定のエッチング時間で不要部分が十分に除去されないことがある。その結果、微細な配線間隔で形成され得る配線パターン１１同士の間で短絡不良が生じたり、配線パターン１１同士の間の絶縁性が低下したりすることがある。また、短絡や絶縁性の低下を防ぐべく過剰な時間エッチングが行われると、上層２ｂに対するエッチングが進行して、上層２ｂの幅や高さが減少し、意図通りの電気的特性が得られないことがある。

【0039】

しかし、本実施形態の配線基板に含まれる各導体層を構成する下層２ａは、各導体層の厚さに対して前述したような小さな比率の厚さを有している。そのため、下層２ａの不要部分が、エッチングなどによって短い時間で十分に除去され得る。従って、微細な配線間隔で形成され得る配線パターン１１同士の間で短絡不良や絶縁性の低下が生じ難い。また、下層２ａの除去の為に過剰なエッチング時間が求められないので、上層２ｂの幅や高さの減少も生じ難い。加えて、下層２ａが、各導体層の厚さに対して前述したような小さな比率の厚さを有している本実施形態では、上層２ｂが従来よりも厚いことがある。そのため、下層２ａの不要部分の除去において、上層２ｂが多少エッチングされてその幅や厚さが幾らか減少しても、各導体層の導体抵抗が、実質的に問題が生じるほど低下し難く、意図通りの電気的特性が維持され易いことがある。

【0040】

下層２ａが、導体層２２～２５などの各導体層の厚さＴに対して、前述した２．５％以下の比率の厚さＴ１を有していると、このような短絡防止や所望の電気的特性の確保などの効果が得られることがある。また、下層２ａが、各導体層の厚さＴに対して、前述した０．２％以上の比率の厚さを有していると、上層２ｂの形成において、求められる上層２ｂの厚さに対して十分にめっき電流が供給され、厚い上層２ｂが比較的短時間で形成され得ることがある。

【0041】

絶対値としての下層２ａの厚さＴ１は、例えば、０．０３μｍ以上、０．３μｍ以下である。下層２ａの厚さＴ１が０．３μｍ以下であると、前述した短絡防止や所望の電気的特性の確保などの効果が得られることがある。また、厚さＴ１が０．０３μｍ以上であると、上層２ｂの形成において、給電層である下層２ａ内で過大な電圧降下が生じ難く、よって上層２ｂの厚さのむらが小さいことがある。

【0042】

前述したように、下層２ａは、スパッタ膜などの任意の金属膜であり得る。スパッタ膜は、薄く均一な厚さに形成され易いので、各導体層に対して前述した厚さの比率を有する下層２ａとして好ましいことがある。また、導体層２２～２５それぞれの上面の平坦性が高いことがある。加えて、下層２ａがスパッタ膜からなる場合、導体層２４や導体層２５などの各導体層と絶縁層３３や絶縁層３４などの各絶縁層との強固な密着性が得られていることがある。さらに、スパッタ膜はそのように各絶縁層と強固に密着し得るので、所謂アンカー効果を得るべく各絶縁層がその表面に大きな凹凸を有しなくてもいいことがある。そのため、前述した下層２ａの不要部分の除去が一層速やか且つ十分に行われ、各導体層において、短絡防止や所望の電気的特性の確保、並びに配線パターンの幅や厚さの低下抑制などの効果が、より顕著に得られることがある。

【0043】

下層２ａがスパッタ膜である場合、図２に示されるように、そのスパッタ膜（下層２ａ）は、下部膜２ａａと、下部膜２ａａの上に形成されている上部膜２ａｂとを含み得る。下部膜２ａａは、絶縁層３３の表面３３ａや絶縁層３４の表面３４ａのような、各絶縁層における配線基板１の第１面１ｆ（図１参照）側の表面上に直接形成されている。下部膜２ａａは、例えば、チタン、ニッケル、クロム、アルミニウム、又は、これらの金属若しくはこれら以外の任意の金属と銅との合金によって形成されているスパッタ膜であり得る。一方、上部膜２ａｂは、銅で形成されているスパッタ膜であり得る。なお「銅」は、９９．９５％以上の純度を有する銅を意味する。下層２ａが絶縁層３３などの各絶縁層との界面に銅合金などからなる下部膜２ａａを有していると、下部膜２ａａを介して、銅からなる上部膜２ａｂと各絶縁層とが強固に密着し易い。従って各導体層と各絶縁層との間に高い密着強度が得られていることがある。

【0044】

図３には、本実施形態の配線基板に含まれる配線パターン１１の一例が、図２よりもさらに拡大して示されている。図３に例示の配線パターン１１は、図１に示される絶縁層３１～３４のいずれかであり得る絶縁層３０の表面３０ａ上に形成されている。図３に例示の配線パターン１１も、下層２ａ及び上層２ｂによって構成され、下層２ａは下部膜２ａａと上部膜２ａｂとを含んでいる。下部膜２ａａの厚さＴ１１は、例えば０．０１μｍ以上、０．３μｍ以下程度であり、上部膜２ａｂの厚さＴ１２は、例えば０．０２μｍ以上、０．３μｍ以下程度であり得る。

【0045】

図３に例示の配線パターン１１は、下層２ａと上層２ｂとの境界部分にくびれＦを有している。すなわち、下層２ａと上層２ｂとの境界部分は、上層２ｂが構成する部分の幅Ｗ１よりも小さい最小の幅Ｗ３を有している。下層２ａは、上部膜２ａｂにおけるＺ方向の上端部分に最小の幅Ｗ３を有している。すなわち、上部膜２ａｂの幅は、上層２ｂ側から下部膜２ａａに近付くに連れて広がっている。その上部膜２ａｂと接する下部膜２ａａの幅Ｗ４は、上部膜２ａｂから絶縁層３０に至る全ての部分で、くびれＦの部分を除く上層２ｂの幅Ｗ１（例えば下層２ａ側と反対側の端部である上端部での幅）よりも小さく、下層２ａの最小の幅Ｗ３及び上部膜２ａｂの幅よりも大きい。下部膜２ａａの幅は、上部膜２ａｂ側から絶縁層３０側に向かって拡大していて、下部膜２ａａは、図３に示される断面においてフィレット状の形状を有している。

【0046】

配線パターン１１の側面、特に配線パターン１１の側面に露出する下層２ａの側面２ａｃは溶解面であり得る。すなわち、側面２ａｃは、例えばめっきによって析出した金属がそのままの状態で露出している面ではなく、ウェットエッチングやドライエッチングなどによって溶解した部分が除去された後に、その除去によって露出する、溶解部分の消失後の状態を露呈する面である。側面２ａｃが溶解面であって、その結果図３の例のように配線パターン１１がくびれていると、そのくびれている部分（くびれＦ）に、絶縁層３４（図２参照）のような配線パターン１１を覆う絶縁層が入り込むことがある。また、配線パターン１１と絶縁層３０との接触面積は、くびれＦでの断面積よりも大きい。そのため、配線パターン１１と絶縁層３０のような周囲の絶縁層との間で良好な密着性が得られることがある。加えて、配線パターン１１を構成する下部膜２ａａの側面と絶縁層３０の表面３０ａとの接触角が鈍角であるため、配線パターン１１と絶縁層３０との界面の外周部への応力集中が緩和されることがある。従って、配線パターン１１と絶縁層３０との間の剥離が生じ難いと考えられる。

【0047】

つぎに、図４Ａ～図４Ｋを参照して、図１に例示の配線基板１が製造される場合を例に、一実施形態の配線基板の製造方法の一例が説明される。なお、以下では、図４Ａに示されるような支持体８上で配線基板１を製造する方法が説明されるが、本実施形態の配線基板の製造方法は、支持体８を用いる方法に限定されない。また、先に為された配線基板１の各構成要素の材料の説明と異なる説明がない限り、各構成要素は、各構成要素について先に説明された材料のいずれかを用いて形成され得る。

【0048】

図４Ａに示されるように、支持体８が用意され、その一面８ａに導体層２１が形成される。図４Ａに示される例では、基材８１と、第１金属膜層８２と、剥離層８３と、第２金属膜層８４と、を含む支持体８が用意されている。基材８１は、例えば、適切な剛性を有するガラス、シリコンなどの無機素材、又は、エポキシ樹脂などの有機素材からなる。第１及び第２の金属膜層８２、８４は、例えば、銅などの任意の金属で構成され得る。剥離層８３は、第１金属膜層８２と第２金属膜層８４同士を、所定の処理で意図的に付着させ、且つその後に分離させ得る任意の材料、例えば、熱可塑性や感光性の接着剤などで形成され得る。

【0049】

導体層２１は、例えば、電解めっきを用いるパターンめっきによって形成される。支持体８の一面８ａを構成する第２金属膜層８４上に、導体層２１に含まれるべき導体パッド７３などの導体パターンの形成位置に応じた開口を有するめっきレジスト（図示せず）が設けられる。そして、第２金属膜層８４を給電層として用いる電解めっきによって、めっきレジストの開口内に銅などの金属が析出され、その析出される金属からなる導体パターンを含む導体層２１が形成される。その後めっきレジストが除去される。なお、めっきレジストの除去の前に導体層２１の上面（支持体８と反対側の表面）が、例えば化学機械研磨（ＣＭＰ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）などの任意の方法により研磨されてもよい。研磨の際には、除去される前のめっきレジストの上面付近が、導体層２１の上面と共に研磨されてもよい。

【0050】

図４Ｂに示されるように、支持体８の一面８ａ及び導体層２１上に、絶縁層３１、導体層２２、絶縁層３２、及び導体層２３が順に形成される。これら絶縁層及び導体層は、以下に説明される絶縁層３３及び導体層２４の形成方法と同様の方法で形成される。なお、図４Ｂ、及び、以下で参照される図４Ｃ～図４Ｋでは、支持体８の一面８ａ側と反対側の描写は省略されている。しかし、支持体８の一面８ａ側と反対側においても、図４Ａ及び図４Ｂに示される工程で、導体層２１～２３、並びに絶縁層３１及び絶縁層３２が形成され、さらに、図４Ｃ～図４Ｋを参照して説明される処理や各構成要素の形成が行われてもよい。

【0051】

図４Ｃ～図４Ｈに示されるように、本実施形態の配線基板の製造方法は、絶縁層３３を形成することと、絶縁層３３の表面３３ａ上に導体層２４を形成することと、を含んでいる。まず、図４Ｃに示されるように、絶縁層３２及び導体層２３の上に絶縁層３３が形成される。絶縁層３３は、例えば、フィルム状のエポキシ樹脂を絶縁層３２及び導体層２３上に積層し、熱圧着することによって形成される。前述したように、絶縁層３３などの各絶縁層は、エポキシ樹脂以外にも、ＢＴ樹脂やフェノール樹脂などの熱硬化性樹脂、又はフッ素樹脂やＬＣＰなどの熱可塑性樹脂を用いて形成され得る。

【0052】

絶縁層３３には、ビア導体４（図１参照）の形成位置に、炭酸ガスレーザー光などの照射によって貫通孔４ａが形成される。貫通孔４ａの形成後、好ましくは、貫通孔４ａ内に残る樹脂屑（スミア）を除去するデスミア処理が行われる。デスミア処理は、過マンガン酸塩溶液などの薬液への浸漬を含むウェット処理であってもよいが、ドライ処理であってもよい。例えば、アルゴン、四フッ化メタン、四フッ化メタンと酸素との混合気、又は、六フッ化硫黄などのプラズマガスを用いるプラズマ処理が、ドライ処理として行われてもよい。プラズマ処理によるデスミア処理では、ウェット処理と比べて絶縁層３３の表面３３ａの浸食が抑制されることがある。

【0053】

そして、貫通孔４ａ内及び絶縁層３３の表面３３ａの全面に、例えば、スパッタリングや無電解めっきによって、例えば銅やニッケルなどからなるシード層２０が形成される。スパッタリングでシード層２０を形成することによって、絶縁層３３との間で高い密着性を示すシード層２０を形成し得ることがある。シード層２０は、後工程で形成される電解めっき膜２ｂｂ（図４Ｆ参照）の形成時の給電層として機能する。

【0054】

本実施形態の配線基板の製造方法では、０．０３μｍ以上、０．３μｍ以下の厚さのシード層２０が形成される。この範囲の厚さを有するシード層２０が形成されると、絶縁層３３上に形成される導体層における短絡防止や所望の電気的特性の確保などの効果が得られることがある。また、後工程で厚さのむらの少ない電解めっき膜２ｂｂを形成し得ることがある。シード層２０の一部は、導体層２４の下層２ａ（図２参照）となり得る。

【0055】

図４Ｄに示されるように、本実施形態の配線基板の製造方法において、シード層２０を形成することは、下部膜２０ａ及び上部膜２０ｂをそれぞれスパッタリングによって形成すること含み得る。なお、図４Ｄ、及び以下で参照される図４Ｅ～図４Ｈには、これら各図面を参照して説明される工程を経た後の図４Ｃに示されるIVＤ部に相当する部分の状態が拡大して示されている。下部膜２０ａは、絶縁層３３の表面３３ａ上及び貫通孔４ａ内に露出する絶縁層３３の内壁面上に直接形成されている。そして、その下部膜２０ａの上に上部膜２０ｂが形成されている。

【0056】

下部膜２０ａ及び上部膜２０ｂは、任意の材料で形成され得る。例えば、下部膜２０ａとして、チタン、ニッケル、クロム、アルミニウム、又は、これらの金属若しくはこれら以外の任意の金属と銅との合金からなるスパッタ膜が形成されてもよい。一方、上部膜２０ｂとしては、銅からなるスパッタ膜が形成されてもよい。上部膜２０ｂに先行して下部膜２０ａを絶縁層３３の表面３３ａ上に形成することによって、絶縁層３３と強固に接合する上部膜２０ｂを形成し得ることがある。下部膜２０ａの一部及び上部膜２０ｂの一部は、それぞれ、絶縁層３３上に形成される導体層の下層２ａの下部膜２ａａ及び上部膜２ａｂ（図２参照）となり得る。

【0057】

図４Ｅに示されるように、シード層２０上に、シード層２０を露出させる溝状の複数の開口部Ｒ１１を有するめっきレジストＲ１が形成される。図４Ｅの例では、シード層２０に覆われた貫通孔４ａを露出させる開口部Ｒ１２をさらに含むめっきレジストＲ１が形成されている。めっきレジストＲ１は、例えばシード層２０上へのドライフィルムレジストのラミネートにより形成され、開口部Ｒ１１、Ｒ１２は、例えばフォトリソグラフィ技術により形成される。開口部Ｒ１１は、絶縁層３３上に形成される導体層２４（図４Ｈ参照）が含むべき導体パターンに対応するパターンで形成される。

【0058】

実施形態の配線基板の製造方法において図４Ｅの工程で形成される複数の開口部Ｒ１１は、それぞれ、５μｍ以下の幅、及び、２．０以上のアスペクト比（（溝状の開口部Ｒ１１の深さ）／（溝状の開口部Ｒ１１の幅））を有している。さらに、複数の開口部Ｒ１１は、それぞれ、隣接する開口部Ｒ１１との間に７μｍ以下の間隔を有している。少なくともこのような開口部Ｒ１１をめっきレジストＲ１に設けることによって、前述されたような最小の配線幅、最小の配線間隔、及びアスペクト比を有する配線パターン１１（図２参照）を形成することができる。好ましくは、形成される導体層２４の厚さを超える厚さ（開口部Ｒ１１の深さ）を有するめっきレジストＲ１が形成される。

【0059】

図４Ｆに示されるように、めっきレジストＲ１の複数の開口部Ｒ１１内、及び開口部Ｒ１２内に、シード層２０を給電層として用いる電解めっきによって電解めっき膜２ｂｂが形成される。本実施形態の方法では、めっきレジストＲ１よりも厚い電解めっき膜２ｂｂが形成される。例えば銅やニッケルなどからなる電解めっき膜２ｂｂが形成される。電解めっき膜２ｂｂの一部は、絶縁層３３上に形成される導体層の上層２ｂ（図２参照）となり得る。絶縁層３３の貫通孔４ａ内にはビア導体４が形成される。電解めっき膜２ｂｂは、図４Ｆの例のように、開口部Ｒ１１、Ｒ１２内を全て充填し、さらにめっきレジストＲ１の上面よりも上側に向かって突出する湾曲した上面を有するように形成されてもよい。所望の厚さ及びアスペクト比を有する導体パターンをより確実に形成し得ることがある。

【0060】

めっきレジストＲ１の上面からの突出部分を含む電解めっき膜２ｂｂの上面側の一部が、図４Ｇに示されるように、研磨によって除去される。本実施形態の配線基板の製造方法では、めっきレジストＲ１の上面側の一部も電解めっき膜２ｂｂの一部と共に研磨によって除去される。すなわち、研磨によって、電解めっき膜２ｂｂ及びめっきレジストＲ１の厚さが小さくされる。めっきレジストＲ１と共に電解めっき膜２ｂｂが研磨されるので、電解めっき膜２ｂｂの研磨及びその一部の除去が容易なことがある。金属膜２ｂｂ及びめっきレジストＲ１の研磨は、例えばＣＭＰなどの任意の方法により行われる。研磨の結果、金属膜２ｂｂの上面は、０．３μｍ以下の算術平均粗さを有し得る。

【0061】

電解めっき膜２ｂｂは、シード層２０との合計の厚さが、絶縁層３３上に形成される導体層２４（図４Ｈ参照）に求められる厚さに達するまで、例えば、電解めっき膜２ｂｂとシード層２０との合計の厚さが１５μｍ以下となるまで、研磨される。しかし、本実施形態の配線基板の製造方法では、この研磨において電解めっき膜２ｂｂは、シード層２０の厚さが、シード層２０の厚さと電解めっき膜２ｂｂの厚さとの合計の厚さの２．５％を超えないように研磨される。前述したように、０．０３μｍ以上、０．３μｍ以下の厚さのシード層２０が形成されているので、電解めっき膜２ｂｂは、少なくとも４．８７５μｍ以上の厚さを維持するように研磨される。このような厚さで電解めっき膜２ｂｂが残るので、形成される導体層２４において、所望の低い導体抵抗を有し、その結果、伝送損失の少ない良好な信号伝送特性を有する配線パターンが得られることがある。

【0062】

電解めっき膜２ｂｂの研磨後、めっきレジストＲ１が除去される。さらに、シード層２０における電解めっき膜２ｂｂに覆われていない部分が、例えばクイックエッチングなどによって除去される。

【0063】

その結果、図４Ｈに示されるように、配線パターン１１などの互いに分離された所定の導体パターンを含む導体層２４が得られる。このように、本実施形態の配線基板の製造方法において導体層２４のような各導体層を形成することは、絶縁層３３などの各絶縁層の表面上に０．０３μｍ以上、０．３μｍ以下の厚さのシード層２０を形成することと（図４Ｄ参照）、シード層２０を露出させる溝状の複数の開口部Ｒ１１を有するめっきレジストＲ１をシード層２０上に形成することと（図４Ｅ参照）、を含んでいる。各導体層を形成することは、さらに、複数の開口部Ｒ１１内にめっきレジストＲ１よりも厚い電解めっき膜２ｂｂを形成することと（図４Ｆ参照）、研磨により電解めっき膜２ｂｂ及びめっきレジストＲ１の厚さを小さくすることと（図４Ｇ参照）、めっきレジストＲ１を除去することと、シード層２０における電解めっき膜２ｂｂに覆われていない部分を除去することと、を含んでいる。

【0064】

図４Ｉに示されるように、絶縁層３３及び導体層２４の上に、絶縁層３４及び導体層２５が形成される。絶縁層３４は、例えば絶縁層３３の形成方法と同様の方法で形成され得る。また、導体層２５は、例えば導体層２４の形成方法と同様の方法で形成され得る。

【0065】

図４Ｊに示されるように、導体層２５及び絶縁層３４の上に絶縁層３５が形成され、絶縁層３５を貫く導体ポスト５が形成される。絶縁層３５は、例えば、絶縁層３３の形成と同様にフィルム状のエポキシ樹脂の熱圧着によって形成される。絶縁層３５は、感光剤を含むエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを用いたスプレーイングやカーテンコーティングなどの方法で形成されてもよい。導体ポスト５は、導体層２４の形成方法として説明された電解めっき後の研磨工程を含む方法、又は、例えばセミアディティブ法などの一般的な導体層の形成方法によって形成され得る。図４Ｊの例では、電解めっきによる導体ポスト５の形成に続いて、その電解めっきに用いられた給電層を用いる電解めっきによって、導体ポスト５の上に機能層６が形成されている。例えば、ニッケル、すず、パラジウム、又は金などからなる１層又は２層以上の金属膜が、機能層６として形成される。

【0066】

図４Ｋに示されるように、支持体８が除去される。例えば、加熱や紫外線の照射などによって、支持体８に備えられている剥離層８３が粘着性を喪失したり軟化したりしている状態で、基材８１及び第１金属膜層８２が、第２金属膜層８４から引き離される。その後、第２金属膜層８４が、エッチングなどによって除去される。導体層２１及び絶縁層３１における導体層２２と反対側の表面が露出する。以上の工程を経ることによって図１の例の配線基板１が完成する。

【0067】

＜第２実施形態＞
図５には、図１などに一例が示される実施形態と異なる他の実施形態の配線基板の一例である配線基板１ａが示されている。図５に示されるように、配線基板１ａは、コア基板９と、コア基板９の第１面９ａ及びその反対側の第２面９ｂそれぞれの上に積層されている第１ビルドアップ部９１と、を含んでいる。配線基板１ａは、コア基板９の第１面９ａ側の第１ビルドアップ部９１上に積層されている第２ビルドアップ部９２と、第２面９ｂ側の第１ビルドアップ部９１上に積層されている第３ビルドアップ部９３と、を含んでいる。コア基板９は、例えばガラスエポキシなどの絶縁性材料からなる絶縁層３６、及び絶縁層３６の両面それぞれに例えば銅などで形成されている導体層２６によって構成されている。２つの導体層２６は、例えば銅などで形成されていて絶縁層３６を貫くスルーホール導体９ｃによって互いに接続されている。

【0068】

なお、配線基板１ａが一例として示される本実施形態の説明では、配線基板１ａの厚さ方向において、絶縁層３６から遠い側は、「外側」若しくは「上側」、「上方」、又は単に「上」とも称され、絶縁層３６に近い側は、「内側」若しくは「下側」、「下方」、又は単に「下」とも称される。さらに、各導体層及び各絶縁層において、絶縁層３６と反対側を向く表面は「上面」とも称され、絶縁層３６側を向く表面は「下面」とも称される。配線基板１ａの厚さ方向は「Ｚ方向」とも称される。

【0069】

２つの第１ビルドアップ部９１は、それぞれ、積層された複数の絶縁層３７及び複数の導体層２７によって構成されている。２つの第１ビルドアップ部９１それぞれにおいて、各絶縁層３７と各導体層２７とが交互に積層されている。第１ビルドアップ部９１は、各絶縁層３７を挟む２つの導体層２７同士を接続するビア導体４１を含んでいる。導体層２７は、配線パターン１３のような任意の導体パターンを含んでいる。

【0070】

一方、第２ビルドアップ部９２は、図１を参照して説明された実施形態に含まれる絶縁層３１～３５及び導体層２２～２５によって構成され、ビア導体４を含んでいる。第２ビルドアップ部９２には、図１を参照して説明された、機能層６を備える導体ポスト５が形成されている。なお、図１を参照して既に説明されたこれら各構成要素についての繰り返しとなる説明は省略される。

【0071】

図５の例の配線基板１ａにおいて第３ビルドアップ部９３は、積層された複数の絶縁層３８、最も外側の絶縁層３８上に形成されていて任意の導体パターンを含んでいる導体層２８、及び導体層２８を覆う絶縁層３９によって構成されている。第３ビルドアップ部９３は、複数の絶縁層３８を一括して貫くビア導体４２を含んでいる。ビア導体４２は、導体層２８と、第２面９ｂ側の第１ビルドアップ部９１の最も外側の導体層２７とを接続している。

【0072】

第１ビルドアップ部９１及び第３ビルドアップ部９３をそれぞれ構成する導体層２７及び導体層２８は、先に説明された導体層２２～２５と同様に、銅又はニッケルなどの任意の金属を用いて形成される。これら各導体層は、図５のＶ部の拡大図を示す円Ｃ内に示されるように、下層２ｃ及び上層２ｄを含んでいる。上層２ｄは、導体層２４などの上層２ｂ（図２参照）と同様に電解めっきによって形成されるめっき膜からなる。そして下層２ｃは、導体層２４などの下層２ａ（図２参照）と同様に、例えばスパッタリングで形成されるスパッタ膜であり得、無電解めっきで形成される無電解めっき膜であってもよい。

【0073】

しかし、導体層２７（又は導体層２８）の全体の厚さＴ２に対する下層２ｃの厚さＴ２１は、２．５％よりも大きい。また、下層２ｃは、導体層２２～２５の下層２ａと異なる方法で形成された金属膜であってもよい。例えば、導体層２２～２５の下層２ａがスパッタ膜であるときに、導体層２７の下層２ｃが無電解めっき膜であってもよい。

【0074】

また、導体層２７、２８が含む配線パターン１３のような配線パターンの最小の配線幅は、導体層２２～２５のいずれかに含まれる配線パターン（例えば配線パターン１１）の最小の配線幅よりも大きい。加えて、導体層２７、２８が含む配線パターン同士の最小の間隔は、導体層２２～２５のいずれかに含まれる配線パターン（例えば配線パターン１１）同士の最小の間隔よりも大きい。さらに、導体層２７、２８に含まれる配線パターンのアスペクト比は、導体層２２～２５に含まれる配線パターン（例えば配線パターン１１）のアスペクト比よりも小さい。また、図１の例において、導体層２７、２８それぞれの上面は、いずれも、研磨工程を経ていない面である。

【0075】

すなわち、第２ビルドアップ部９２は、第１ビルドアップ部９１に含まれる導体層２７や第３ビルドアップ部９３に含まれる導体層２８と異なる構造を有する導体層２２～２５によって構成されている。また、第２ビルドアップ部９２は、第１ビルドアップ部９１及び第３ビルドアップ部９３に含まれる配線パターン１３などの配線パターンよりも微細な設計ルールで配置された配線パターン１１のような配線パターンを含んでいる。

【0076】

図５の例の配線基板１ａのように、実施形態の配線基板は、導体層２２～２５のような、微細な設計ルールで配置された配線パターンを含む導体層と、より大きな設計ルールで配置された配線パターンを含んでいて構造の異なる導体層とを含んでいてもよい。また、実施形態の配線基板は、そのように互いに異なる配線ルールで設計され且つ互いに異なる構造を有する２種類の導体層の一方によって構成されるビルドアップ部（例えば第１ビルドアップ部９１）と、その２種類の導体層の他方によって構成されるビルドアップ部（例えば第２ビルドアップ部９２）とを含んでいてもよい。例えば、部分的に微細な配線パターン及び良好な高周波伝送特性が求められる配線基板が、求められる特性を満たしつつ、より小型及び／又は低コストで実現されることがある。

【0077】

第１ビルドアップ部９１及び第３ビルドアップ部９３をそれぞれ構成する絶縁層３７及び絶縁層３８は、第２ビルドアップ部９２を構成する先に説明された絶縁層３１～３４と同様に、エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂又はフッ素樹脂のような熱可塑性樹脂を用いて形成されている。同様に、絶縁層３９は、第２ビルドアップ部９２を構成する絶縁層３５と同様の材料で形成されている。しかし、絶縁層３７は、絶縁層３１～３４と、組成や添加剤の含有量について異なる樹脂で形成されていてもよい。例えば、第２ビルドアップ部９２の絶縁層３１～３４には、高周波信号の伝送特性や、配線パターン間の絶縁性維持の点で有利な絶縁性材料が用いられ、第１ビルドアップ部９１の絶縁層３７などには、加工性や経済性の面で有利な絶縁性材料が用いられてもよい。一例として、絶縁層３１～３４に含まれる、例えばシリカやアルミナなどの無機フィラー（図示せず）の粒径は、絶縁層３８に含まれる無機フィラーの粒径よりも小さくてもよい。また、絶縁層３１～３４の比誘電率が絶縁層３８の比誘電率よりも小さく、絶縁層３１～３４の誘電正接が絶縁層３８の誘電正接よりも小さくてもよい。

【0078】

なお、図５の例の第３ビルドアップ部９３では、複数の絶縁層３８それぞれの表面上には導体層は形成されず、最も外側の絶縁層３８の表面上にのみ導体層２８が形成されている。必要とされる層数を超える導体層の形成が省略されることによって配線基板１ａの小型軽量化及び低コスト化が促進されることがある。加えて、図５の例のように、第２ビルドアップ部９２が備える絶縁層（絶縁層３１～３４）と、略同じ厚さを有し、同様の材料で形成された同じ層数の絶縁層３８が形成されていると、配線基板１ａの反りが抑制されることがある。

【0079】

図５の例の配線基板１ａが製造される場合、先ず、図６Ａに示されるように、コア基板９が用意され、その両面それぞれに第１ビルドアップ部９１が形成される。コア基板９の用意では、例えば、絶縁層３６を含む両面銅張積層板が用意され、例えばドリル加工による貫通孔の形成後、例えば無電解めっき及び電解めっきによって貫通孔内にスルーホール導体９ｃが形成される。スルーホール導体９ｃの内部がエポキシ樹脂などで充填された後、例えば、無電解めっき及び電解めっきを含むサブトラクティブ法によって、所定の導体パターンを含む導体層２６が形成される。

【0080】

そして、第１ビルドアップ部９１の形成では、コア基板９の第１面９ａ及び第２面９ｂそれぞれの上に、例えばフィルム状の絶縁性樹脂を熱圧着することによって、最も内側の絶縁層３７が形成される。形成された絶縁層３７には、ビア導体４１の形成位置に、炭酸ガスレーザー光の照射などによって貫通孔が形成される。その後、例えばセミアディティブ法などの任意の導体層の形成方法を用いて、最も内側の導体層２７が形成される。絶縁層３７に形成された貫通孔内にはビア導体４１が形成される。同様の方法で、絶縁層３７、導体層２７及びビア導体４１の形成を繰り返すことによって、第１ビルドアップ部９１が、コア基板９の両面それぞれに形成される。

【0081】

図６Ｂに示されるように、コア基板９の第１面９ａ側の第１ビルドアップ部９１上に、導体層２２～２５及び絶縁層３１～３４、並びにビア導体４が形成される。導体層２２～２５及び絶縁層３１～３４、並びにビア導体４は、例えば、先に図４Ｂ～図４Ｉを参照して説明された方法で形成される。コア基板９の第２面９ｂ側の第１ビルドアップ部９１上には、絶縁層３１～３４それぞれの形成と共に、複数の絶縁層３８が、１層ずつ、絶縁層３１～３４それぞれの形成方法と同様の方法で形成される。第１面９ａ側への導体層２５の形成後、複数の絶縁層３８を一括して貫く貫通孔４２ａが形成され、さらに、最も外側の絶縁層３８の上に、例えばセミアディティブ法によって導体層２８が形成される。その導体層２８の形成と共に、貫通孔４２ａ内にビア導体４２が形成される。

【0082】

導体層２８の形成後、例えば、先に図４Ｊを参照して説明された方法で、図５に示される絶縁層３５、導体ポスト５、及び機能層６が形成される。コア基板９の第２面９ｂ側には、導体層２８を覆う絶縁層３９が、例えば、絶縁層３５の形成方法と同様の方法で絶縁層３５の形成と共に形成される。図５の例の配線基板１ａが完成する。

【0083】

実施形態の配線基板は、各図面に例示される構造、並びに、本明細書において例示される構造、形状、及び材料を備えるものに限定されない。前述したように、実施形態の配線基板は、任意の数の導体層及び絶縁層を含み得る。例えば実施形態の配線基板は、１つの絶縁層、及び、その上に形成されている１つの導体層だけを含んでいてもよい。図１や図５に例示の配線基板１及び配線基板１ａが備える導体ポスト５及び機能層６は、実施形態の配線基板に必ずしも備えられない。図１の例において、導体層２２～２５の一部だけが研磨面を有していてもよい。

【0084】

実施形態の配線基板の製造方法は、各図面を参照して説明された方法に限定されない。例えば、前述したように、実施形態の配線基板の製造方法によって、任意の層数を有する任意の積層構造の配線基板が製造され得る。実施形態の配線基板の製造方法では、図４Ａに示される支持体８は、必ずしも用いられない。また、実施形態の配線基板の製造方法に用いられる支持体は、図４などに示される支持体８の構造を必ずしも有しない。実施形態の配線基板の製造方法には、前述された各工程以外に任意の工程が追加されてもよく、前述された工程のうちの一部が省略されてもよい。

【符号の説明】

【0085】

１、１ａ 配線基板
１１、１３ 配線パターン
２ａ 下層
２ａａ、２０ａ 下部膜
２ａｂ、２０ｂ 上部膜
２ａｃ 下層の側面
２ｂ 上層
２ｂｂ 電解めっき膜
２０ シード層
２１～２８ 導体層
２１ａ～２５ａ 導体層の表面
３０～３９ 絶縁層
３１ａ～３４ａ 絶縁層の表面
４、４１、４２ ビア導体
Ｇ 配線パターン同士の間隔
Ｒ１ めっきレジスト
Ｒ１１、Ｒ１２ 開口部
Ｔ 配線パターン（導体層）の厚さ
Ｔ１ 下層の厚さ
Ｗ１ 配線パターンの幅

【図1】

【図2】

【図3】

【図4A】

【図4B】

【図4C】

【図4D】

【図4E】

【図4F】

【図4G】

【図4H】

【図4I】

【図4J】

【図4K】

【図5】

【図6A】

【図6B】